JP4716193B2 - β−ジケトナトを配位子とする金属錯体 - Google Patents

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Description

本発明は、化学気相蒸着法（Chemical Vapor Deposition法：ＣＶＤ法）により金属酸化物薄膜あるいは金属薄膜を製造するために有利に用いられる金属錯体に関する。
近年、半導体、電子部品、及び光学部品等の分野の材料として、金属錯体化合物に関しては、多くの研究と開発がなされている。例えば、周期律表第IIA族の金属（例、ストロンチウム、バリウム及びマグネシウム）の錯体は、強誘電体や超伝導体あるいはプラズマディスプレイの保護膜の製造のための材料として、また、第IIB族の金属（例、亜鉛）の錯体は、透明導電性膜や発光素子の製造のための材料として、そして第IIIB族の金属（例、インジウム、アルミニウム及びガリウム）の錯体は、透明導電性膜や半導体メモリーゲート絶縁膜の製造のための材料として使用され、また研究がなされている。
第IVB族の金属（例、スズ及び鉛）の錯体は、透明導電性薄膜や強誘電体薄膜の製造に使用され、そして第VA族の金属（例、バナジウム）の錯体については、強誘電体薄膜やシリコン半導体の銅配線におけるのバリア膜の製造を目的としての研究が行われている。
第IVA族の金属（例、チタン、ジルコニウム及びハフニウム）の錯体は、強誘電体（ＰＺＴ）や半導体メモリゲート絶縁膜の製造のための材料として、また、第VIA族の金属（例、クロム）の錯体は、光ファイバレーザ用のガラスの製造や鋼板表面の被膜の形成のための材料として使用されている。第VIIA族の金属（例、マンガン）の錯体は、エレクトロクロミズムデバイスや温度に対する抵抗値変化及び温度分解能が大きいことを利用してのサーミスタ素子の製造のための材料としての使用や研究がなされている。第VIII族の金属（例、ニッケル及びコバルト）の錯体は、シリコン半導体で使用される銅配線における銅核発生の密度向上や銅配線とその下地との密着性を向上させるための薄膜の形成材料としての研究が行われている。
第IB族の金属（例、銅、銀及び金）の錯体は、それらの金属の電気抵抗が小さいことから、電気配線の形成材料として使用されている。特に、銅薄膜は、シリコン半導体の配線に利用され得ることから、多くの研究開発がなされている。また、酸化銅を構成成分とする金属酸化物薄膜は、高温超伝導体の材料として注目されている。
希土類金属（例、スカンジウム、イットリウム及びランタノイド）の錯体は、希土類金属が高温超伝導体、ゲート絶縁膜としての高誘電体やＰＬＺＴ薄膜としての強誘電体の材料として注目されているため、それらの製造のための材料として有用である。
上記のような金属薄膜または金属酸化物薄膜の製法としては、均一な薄膜を製造し易いＣＶＤ法による成膜が一般的に採用されており、それに適した原料化合物が求められている。
近年、ＣＶＤ法による金属原子含有薄膜の製造用原料としては、例えば、β−ジケトナトを配位子とする金属錯体が幅広く使用されている。このβ−ジケトナトを配位子とする金属錯体は、安定性や昇華性に優れており、ＣＶＤ法における金属源としては有用である。なお、β−ジケトナト配位子の具体例としては、例えば、アセチルアセトナト（ａｃａｃ）や２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト（ｄｐｍ）が一般的に知られている。
しかしながら、公知のβ−ジケトナトを配位子とする金属錯体のほとんどが、常温では固体であって、高い融点を有することから、ＣＶＤ法による成膜の際、ＣＶＤ装置内の原料供給系における配管閉塞が発生しやすく、工業的なＣＶＤ法による薄膜製造のための原料としては問題であった。
そこで、金属錯体の安定化や低融点化をはかる試みが盛んに行われている。その中でも、β−ジケトナトを配位子に、エーテル結合を有する置換基を導入することによって、金属錯体の安定化や低融点化をはかる検討がなされている。
例えば、第IIA族に属するストロンチウムの錯体に関しては、下記式（ａ）および（ｂ）：
Figure 0004716193
で表される金属錯体が知られている（特許文献１及び非特許文献１）。しかしながら、式（ａ）のストロンチウム錯体は、安定性こそ向上はしているものの、蒸気圧が低いという問題があり、式（ｂ）のストロンチウム錯体は、安定性及び昇華性を有するが、高融点（２３５℃）であるという問題があり、ＣＶＤ法によるストロンチウム薄膜製造原料としては問題がある。
第IIB族に属する亜鉛の錯体に関しては、下記式：
Figure 0004716193
で表される金属錯体が知られている（非特許文献２）。しかしながら、上記の亜鉛錯体は、熱安定性が低く、熱劣化が起きやすいため、亜鉛錯体の安定供給が出きにくいという欠点がある。
第IIIB族に属するアルミニウムの錯体に関しては、下記式：
Figure 0004716193
で表されるエーテル基を有する配位子の金属錯体が知られている（特許文献２）。しかしながら、上記のアルミニウム錯体は、熱安定性が低く、熱劣化が起きやすいため、アルミニウム錯体の安定供給が出きにくいという欠点がある。
なお、ガリウム錯体やインジウム錯体に関しては、何ら研究がなされていない。
第IVB族に属するスズの錯体に関しては、Ｓｎ（ｄｐｍ）2が知られている（特許文献３）。しかしながら、このスズ錯体は、水分に対して極めて敏感であって、取り扱いが繁雑となるという問題があった。
鉛錯体に関しては、Ｐｂ（ｄｍｐ）2やビス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）鉛（II）が知られている（特許文献４及び５）が、これらの錯体はいずれも高融点の金属錯体であって、ＣＶＤ法による鉛薄膜製造用の原料としては問題がある。
第VA族に属するバナジウム錯体に関しては、Ｖ（ｄｐｍ）3が知られている（特許文献６）が、この錯体も高融点の金属錯体であり、ＣＶＤ法によるバナジウム薄膜製造原料としては問題がある。
第VIII族に属するニッケルの錯体に関しては、下記の式（ｃ）及び式（ｄ）：
Figure 0004716193
で表される金属錯体が知られている（非特許文献２及び特許文献７）。しかしながら、式（ｃ）のニッケル錯体は、熱安定性が低いため、熱劣化が起きやすく、また式（ｄ）のニッケル錯体は、分子量が大きいため、蒸気圧が低いという問題がある。
コバルト錯体に関しては、下記式：
Figure 0004716193
で表される金属錯体が知られている（特許文献８）。しかし、上記のコバルト錯体は、熱安定性が低いために熱劣化が起きやすく、コバルト錯体の安定供給が出きにくいという欠点がある。
銅錯体に関しては、下記式：
Figure 0004716193
（式中、Ｒは、イソプロピル基または第三ブチル基、Ｒ1は、メチル基またはエチル基、Ｒ2は、プロピル基またはブチル基を示す）で表される銅錯体が知られている（特許文献９）。しかし、上記の銅錯体では、銅薄膜の成膜速度が改善さず、銅薄膜の生産性の面において問題がある。
希土類金属の錯体に関しては、下記式：
Figure 0004716193
（式中、ＲＥＭは、希土類金属原子を示し、Ｒ1は、イソブチル基またはｔ−ブチル基、Ｒ2は、イソプロピル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、１−エチルペンチル基または２−（２−メトキシエトキシ）−１，１'−ジメチルエチル基を表わす）で表される金属錯体が知られている（特許文献１０〜１２）。しかし、上記の希土類金属錯体は、高融点で且つ有機溶媒に不溶または難溶である上に、高い成膜温度が必要であるなどの問題がある。
特開平９−１３６８５７号公報 独国公開特許公報第２２０７８６６号 特開平６−２３４７７９号公報 特開２００２−１５５００８号公報 特開２００３−２２６６６４号公報 特開２００３−４９２６９号公報 国際特許公報第０１/４８１３０号公報 特開平２−１２１９４４号公報 特開２００１−１８１８４０号公報 特開２００３−３２１４７５号公報 特開平４−７２０６６号公報 特開平９−２２８０４９号公報 Zhurnal Neorganicheskoi Khimii，３６（９），２２７９（１９９１） Inorg．Chem．，1(2), 404(1962)
本発明の目的は、低い融点を有し、水分、空気及び熱に対しての安定性に優れ、ＣＶＤ法による金属薄膜形成に適した金属錯体を提供することにある。
本発明は、アルコキシアルキルメチル基を有するβ−ジケトナトを配位子とする金属錯体にある。
本発明の金属錯体のアルコキシアルキルメチル基を有するβ−ジケトナト配位子は、下記式（１）：
Figure 0004716193
［Ｘは、上記式（２）で表わされるアルコキシアルキルメチル基（式中、Ｒa及びＲbは、それぞれ独立に、炭素原子数１〜５の直鎖もしくは分枝状のアルキル基を表わす）を表わし、Ｙは、上記式（２）の基または炭素原子数１〜８の直鎖もしくは分枝状のアルキル基を表わし、Ｚは、水素原子または炭素原子数１〜４のアルキル基を表わす］で表される配位子であることが好ましい。
本発明の金属錯体は、下記式（３）：
Figure 0004716193
 （式中、Ｍは、金属原子を示し、Ｘ、Ｙ及びＺは、前記と同義である。ｎは、１〜４の整数を表わす）で表される金属錯体であることが好ましい。
Ｍは、周期律表第IIA族、第IIB族、第IIIB族、第IVB族または第VA族の金属原子であることが好ましく、特にマグネシウム原子、カルシウム原子、ストロンチウム原子、バリウム原子、亜鉛原子、ホウ素原子、アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、鉛原子、バナジウム原子、ニオブ原子及びタンタル原子からなる群より選ばれる金属原子であることが好ましい。
Ｍはまた、周期律表第IVA族、第VIA族、第VIIA族または第VIII族の金属原子であることも好ましく、特に、チタン原子、ジルコニウム原子、ハフニウム原子、クロム原子、マンガン原子、ニッケル原子、コバルト原子、鉄原子、ルテニウム原子及びイリジウム原子からなる群より選ばれる金属原子であることが好ましい。
Ｍはまた、周期律表第IB族の金属原子（特に、銅原子、銀原子及び金原子からなる群より選ばれる金属原子）であって、ｎが１または２であることも好ましい。
Ｍはまた、希土類金属原子（特に、イットリウム原子、ランタン原子、セリウム原子、プラセオジム原子、ネオジム原子、サマリウム原子、ユーロピオム原子、エルビウム原子、イットリビウム原子及びルテチウム原子からなる群より選ばれる金属原子）であって、ｎが３もしくは４であることも好ましい。
本発明はまた、本発明のアルコキシアルキルメチル基を有するβ−ジケトナトを配位子とする金属錯体を加熱して金属錯体蒸気とし、基板を装着した反応容器内に供給する工程、そして金属錯体蒸気を反応容器内にて加熱下に酸素もしくは水蒸気と接触させて熱分解して金属酸化物蒸気に変換し、該金属酸化物蒸気を基板表面に堆積させる工程からなる金属酸化物薄膜の製造方法にもある。
上記金属酸化物薄膜の製法における金属錯体の加熱に際して、金属錯体を有機溶媒（特に、脂肪族炭化水素溶媒、芳香族炭化水素溶媒もしくはエーテル溶媒）に溶解した溶液として加熱することが好ましい。
本発明はまた、本発明のアルコキシアルキルメチル基を有するβ−ジケトナトを配位子とする金属錯体を加熱して金属錯体蒸気とし、基板を装着した反応容器内に供給する工程、そして金属錯体蒸気を反応容器内にて加熱下に水素と接触させて熱分解して金属蒸気に変換し、該金属蒸気を基板表面に堆積させる工程からなる金属薄膜の製造方法にもある。
上記金属薄膜の製法における金属錯体の加熱に際しても、金属錯体を有機溶媒（特に、脂肪族炭化水素溶媒、芳香族炭化水素溶媒もしくはエーテル溶媒）に溶解した溶液として加熱することが好ましい。
ＣＶＤ法により金属薄膜あるいは金属酸化物薄膜を製造する際に、本発明の金属錯体を用いることにより、製造工程のトラブルが少なく、また優れた薄膜特性を有する金属薄膜あるいは金属酸化物薄膜を比較的短時間にて製造することができる。
本発明で用いるアルコキシアルキルメチル基を有するβ−ジケトナトを配位子とする金属錯体は、前記の式（１）で表わされ、本発明の金属錯体は前記の式（３）で表わされる。
前記の式（１）において、Ｘは、前記式（２）で表わされるアルコキシアルキルメチル基（Ｒa及びＲbは、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基等の炭素原子数１〜５の直鎖または分枝状のアルキル基を表わす）であり、Ｙは、該式（２）で表わされる基、またはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等の炭素原子数１〜８の直鎖または分枝状のアルキル基であり、Ｚは、水素原子、またはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基等の炭素原子数１〜４の直鎖または分枝状のアルキル基を表わす。ｎは、１〜４の整数を表わす。
本発明の金属錯体の配位子であるアルコキシアルキルメチル基を有するβ−ジケトナト配位子は、公知のβ−ジケトンの製造法に準じた方法により容易に合成することができる（その代表的な製法は、後記の参考例に記載してある）。
本発明のアルコキシアルキルメチル基を有するβ−ジケトナトを配位子とする金属錯体の具体例を次に記載する。
Figure 0004716193
Figure 0004716193
Figure 0004716193
Figure 0004716193
Figure 0004716193
Figure 0004716193
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Figure 0004716193
Figure 0004716193
Figure 0004716193
Figure 0004716193
Figure 0004716193
Figure 0004716193
Figure 0004716193
Figure 0004716193

（式中、Ｍは、希土類金属原子を示す。）
基板上への金属含有化合物の蒸着方法としては、公知のＣＶＤ法で行うことができ、例えば、常圧または減圧下にて、金属錯体を酸素、水蒸気、オゾン、窒素酸化物（例、Ｎ2Ｏ）等の酸化性ガスあるいは水素等の還元性ガスとともに、加熱した基板上に送り込んで金属酸化物薄膜あるいは金属薄膜を蒸着させる方法や金属錯体をアンモニアガス等の含窒素塩基性ガスとともに加熱した基板上に送り込んで窒化金属薄膜を蒸着させる方法が使用できる。また、プラズマＣＶＤ法で金属含有薄膜を蒸着させる方法も使用できる。
ＣＶＤ法で金属酸化物薄膜を製造する場合には、本発明の金属錯体を加熱して金属錯体蒸気とし、基板を装着した反応容器内に供給する工程、そして金属錯体蒸気を反応容器内にて加熱下に酸素もしくは水蒸気と接触させて熱分解して金属酸化物蒸気に変換し、該金属酸化物蒸気を基板表面に堆積させる工程からなる方法を利用することができる。
ＣＶＤ法で金属薄膜を製造する場合には、本発明の金属錯体を加熱して金属錯体蒸気とし、基板を装着した反応容器内に供給する工程、そして金属錯体蒸気を反応容器内にて加熱下に水素などの還元性ガスと接触させて熱分解して金属蒸気に変換し、該金属蒸気を基板表面に堆積させる工程からなる方法を利用することができる。
ＣＶＤ法においては、薄膜形成のために金属錯体を気化させる必要があるが、本発明の金属錯体を気化させる方法としては、例えば、金属錯体自体を気化室に充填または搬送して気化させる方法だけでなく、金属錯体を適当な溶媒（例えば、ヘキサン、オクタン等の脂肪族炭化水素類、トルエン等の芳香族炭化水素類、テトラヒドロフラン、ジブチルエーテル等のエーテル類）に希釈した溶液を液体搬送用ポンプで気化室に導入して気化させる方法（溶液法）も使用できる。
本発明の金属錯体を用いて金属含有薄膜を蒸着させる場合、その蒸着条件としては、例えば、反応器内圧力については、好ましくは１〜２００ｋＰａ、更に好ましくは１０〜１１０ｋＰａであり、基板温度については、好ましくは５０〜７００℃、更に好ましくは１００〜５００℃であり、そして金属錯体を気化させる温度は、好ましくは５０〜２５０℃、更に好ましくは９０〜２００℃である。
なお、酸素等の酸化性ガスによる金属酸化物薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対する酸化性ガスの含有割合としては、好ましくは１０〜９０容量％、更に好ましくは２０〜７０容量％であり、水蒸気による金属酸化膜を蒸着させる際の全ガス量に対する水蒸気の含有割合としては、好ましくは５〜９０容量％、更に好ましくは１０〜７０容量％である。一方、水素等の還元性ガスによる金属膜を蒸着させる際の全ガス量に対する還元性ガスの含有割合としては、好ましくは１０〜９５容量％、更に好ましくは３０〜９０容量％である。また、アンモニア等の含窒素塩基性ガスによる金属窒化膜または金属膜を蒸着させる際の全ガス量に対する含窒素塩基性ガスの含有割合としては、好ましくは１０〜９５容量％、更に好ましくは２０〜９０容量％である。
［参考例１］（２−メトキシプロピオン酸メチルの合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積５００ｍＬのフラスコに、ナトリウムメトキシド１００．６ｇ（１８６２ミリモル）及びヘキサン３００ｍＬを加えた。次いで、氷冷下、２−ブロモプロピオン酸メチル３００．３ｇ（１７９８ミリモル）をゆるやかに滴下した後、攪拌しながら２時間反応させた。反応終了後、水冷下、水３００ｍＬを添加し、有機層を分液した。その後、有機層を水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を減圧蒸留（７４℃、１２２３６Ｐａ）し、無色液体として２−メトキシプロピオン酸メチル９７．０ｇを得た（単離収率：４６％）。
２−メトキシプロピオン酸メチルの物性値は以下の通りであった。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，δ（ｐｐｍ））：１．４１（３Ｈ，ｄ）、３．４０（３Ｈ，ｓ）、３．７７（３Ｈ，ｓ）、３．９０（１Ｈ，ｑ）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：８８、５９、３１、１５
［参考例２］（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオン（ｍｏｐｄ）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積２００ｍＬのフラスコに、ナトリウムアミド５．１５ｇ（１３２ミリモル）を加え、反応系内をアルゴンで置換した後、トルエン８０ｍＬを加えた。次いで、水冷下、３−メチル−２−ブタノン１２．０ｇ（１３９．３ミリモル）をゆるやかに滴下して１５分間攪拌した後、参考例１の方法で合成した２−メトキシプロピオン酸メチル５．６５ｇ（４７．８ミリモル）を滴下して、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、氷冷下、水５０ｍＬを加えた後、水層を分液し、酢酸で中和した。水層をエーテルで抽出した後、エーテル抽出液を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（４１℃、２７Ｐａ）し、無色液体として、２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオン４．２５ｇを得た（単離収率：５２％）。
２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオンの物性値は以下の通りであった。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，δ（ｐｐｍ））：１．１７（６Ｈ，ｄ）、１．３０（０．１５Ｈ，ｄ）、１．３６（２．８５Ｈ，ｄ）、２．４８〜２．５７（０．９５Ｈ，ｍ）、２．５９〜２．７３（０．０５Ｈ，ｍ）、３．３６（０．１５Ｈ，ｓ）、３．３７（２．８５Ｈ，ｓ）、３．７１〜３．７８（１Ｈ，ｍ）、３．７８（０．１Ｈ，ｓ）、５．８１（０．９５Ｈ，ｓ）、１５．４（０．９５Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９７６、２９３６、１６０７（ｂｒ）、１４６２、１３６６、１３２８、１２１０、１１２０、９１０、８０５（１６０７ｃｍ-1のピークは、β−ジケトン特有のピークである）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：１４２、１１３、５９、４３
［参考例３］（２−メトキシ−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオン（ｍｏｂｄ）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積２００ｍＬのフラスコに、ナトリウムアミド８．２０ｇ（２１０ミリモル）を加え、反応系内をアルゴンで置換した後、トルエン８０ｍＬを加えた。次いで、水冷下、３，３−ジメチル−２−ブタノン１５．１ｇ（１５０．８ミリモル）をゆるやかに滴下して１５分間攪拌した後、参考例１の方法で合成した２−メトキシプロピオン酸メチル５．５０ｇ（４６．６ミリモル）を滴下して、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、氷冷下、水５０ｍＬを加えた後、水層を分液し、酢酸で中和した。水層をエーテルで抽出した後、エーテル抽出液を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（５９℃、４９２Ｐａ）し、無色液体として、２−メトキシ−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオン４．５０ｇを得た（単離収率：５２％）。
２−メトキシ−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオンの物性値は以下の通りであった。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，δ（ｐｐｍ））：１．１８（０．９９Ｈ，ｓ）、１．２０（８．０１Ｈ，ｓ）、１．３５（０．３３Ｈ，ｄ）、１．３７（２．６７Ｈ，ｄ）、３．３５（０．３３Ｈ，ｓ）、３．３７（２．６７Ｈ，ｓ）、３．７３〜３．７７（１Ｈ，ｍ）、３．７９（０．２２Ｈ，ｓ）、５．９１（０．８９Ｈ，ｓ）、１５．７（０．８９Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９７２、２９３６、１６０２（ｂｒ）、１４６１、１３６６、１２００、１０５９、８８６、８０９（１６０２ｃｍ-1のピークは、β−ジケトン特有のピークである）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：１８６、１５６、１２７、５９、４３
［実施例Ａ−１］（トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）インジウム（III）（Ｉｎ（ｍｏｐｄ）3）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液４．２６ｇ（２２．１ミリモル）を加え、氷冷下、参考例２の方法で合成した２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオン３．８０ｇ（２２．１ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化インジウム（III）四水和物２．０４ｇ（６．９６ミリモル）をメタノール１５ｍＬに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、エーテル４０ｍＬ及び水４０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（１７５℃、３１Ｐａ）し、粘性のある黄色液体として、トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）インジウム（III）３．２７ｇを得た（単離収率：７４％）。
トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）インジウム（III）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９７５、２９３３、１５７１、１５３９、１５１５、１４２９、１４０２、１３６３、１３３１、１２３０、１１２０、９５２、９１４、８０９、５５４（β−ジケトン特有のピーク（１６０７ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５７１ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ27Ｈ45Ｏ9Ｉｎ）：炭素５１．３％、水素７．２５％、インジウム１８％（理論値：炭素５１．６％、水素７．２２％、インジウム１８．３％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：６２８、５９８、４５７、２２７、１１５、５９
［実施例Ａ−２］（トリス（２−メトキシ−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト）インジウム（III）（Ｉｎ（ｍｏｂｄ）3）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液２．１２ｇ（１１．０ミリモル）を加え、氷冷下、参考例３の方法で合成した２−メトキシ−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオン２．０３ｇ（１０．９ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化インジウム（III）四水和物１．０８ｇ（３．６８ミリモル）をメタノール１５ｍＬに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、エーテル４０ｍＬ及び水４０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（１８０℃、３７Ｐａ）し、淡黄色固体として、トリス（２−メトキシ−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト）インジウム（III）１．５６ｇを得た（単離収率：６３％）。
トリス（２−メトキシ−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト）インジウム（III）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
融点：７６℃
ＩＲ（ＫＢｒ法（ｃｍ-1））：２９７５、２９３２、１５６５、１５１６、１４２０、１３８３、１３５９、１２１４、１１６３、１１１７、１０５７、９５３、８８８、８１３、５５３、４８１（β−ジケトン特有のピーク（１６０２ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５６５ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ30Ｈ51Ｏ9Ｉｎ）：炭素５３．８％、水素７．６９％、インジウム１７％（理論値：炭素５３．７％、水素７．６７％、インジウム１７．１％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：６７０、６４０、６１３、４８５、２４３、１２７、５９
［実施例Ａ−３］（ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（II）（Ｓｒ（ｍｏｐｄ）2）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、酸化ストロンチウム（II）０．６０ｇ（５．７９ミリモル）及びエーテル２０ｍＬを加えた。次いで、水冷下、水４０ｍｇ及び参考例２の方法で合成した２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオン２．００ｇ（１１．６１ミリモル）をゆるやかに滴下し、攪拌しながら１時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下にて１８０℃まで加熱して濃縮した。濃縮物にヘキサン１５ｍＬを加えて攪拌した後、濾過した。濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（２４０℃、５３Ｐａ）し、淡黄色固体として、ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（II）０．２０ｇを得た（単離収率：８％）。
ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（II）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
融点：１３０℃
ＩＲ（ＫＢｒ法（ｃｍ-1））：３４２１、２９７０、２９３２、１６１４、１４９９、１４６４、１４３５、１３７４、１３４７、１２０８、１１５０、１１１７、１０８９、１０２０、９１１、８０９、７８２、５４８、５２０、４８０
元素分析（Ｃ18Ｈ30Ｏ6Ｓｒ）：炭素５０．６％、水素７．０６％、ストロンチウム２０％（理論値：炭素５０．３％、水素７．０３％、ストロンチウム２０．４％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：１１１９、８８３、６８９、５３７、４７４、２５９、１１３、５９、４３
ＭＳの結果より、このストロンチウム錯体は三量体構造であると推定される。
［実施例Ａ−４］（ビス（２−メトキシ−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（II）（Ｓｒ（ｍｏｂｄ）2）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、酸化ストロンチウム（II）０．５８ｇ（５．６０ミリモル）及びエーテル２０ｍＬを加えた。次いで、水冷下、水４０ｍｇ及び参考例３の方法で合成した２−メトキシ−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオン２．１０ｇ（１１．２８ミリモル）を順次ゆるやかに滴下し、攪拌しながら１時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下にて１８０℃まで加熱して濃縮した。濃縮物にヘキサン１５ｍＬを加えて攪拌した後、濾過した。濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（２７５℃、３２Ｐａ）し、淡黄色固体として、ビス（２−メトキシ−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（II）０．６５ｇを得た（単離収率：２５％）。
ビス（２−メトキシ−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（II）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
融点：１３０℃
ＩＲ（ＫＢｒ法（ｃｍ-1））：３４３０、２９７０、２９０３、１６０９、１５０２、１４７３、１４３４、１３４４、１２０６、１１５１、１１０４、１０５５、１０１８、８８４、８３９、７８４、７５１、４７４
元素分析（Ｃ20Ｈ34Ｏ6Ｓｒ）：炭素５２．６％、水素７．５１％、ストロンチウム１９％（理論値：炭素５２．４％、水素７．４８％、ストロンチウム１９．１％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：１１８９、７３１、２７３
ＭＳの結果より、このストロンチウム錯体は三量体構造であると推定される。
［実施例Ａ−５］（ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛（II）（Ｚｎ（ｍｏｐｄ）2）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積５０ｍＬのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液６．５６ｇ（３４．０ミリモル）を加え、氷冷下、参考例２の方法で合成した２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオン６．００ｇ（３４．８ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化亜鉛（II）２．２６ｇ（１６．６ミリモル）をメタノール２０ｍＬに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、ヘキサン２０ｍＬ及び水２０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（１６０℃、２７Ｐａ）し、粘性のある黄色液体として、ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛（II）４．９１ｇを得た（単離収率：７３％）。
ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛（II）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９７２、２９３２、１５８２、１５１３、１４３２、１３３３、１２１１、１１１８、９１２、８０５、５５８（β−ジケトン特有のピーク（１６０７ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５８２ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ18Ｈ30Ｏ6Ｚｎ）：炭素５３．１％、水素７．４５％、亜鉛１６％（理論値：炭素５３．０％、水素７．４１％、亜鉛１６．０％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：６４１、４０６
ＭＳの結果より、この亜鉛錯体は二量体構造であると推定される。
［実施例Ａ−６］（ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）スズ（II）（Ｓｎ（ｍｏｐｄ）2））
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液４．７０ｇ（２４．４ミリモル）を加え、氷冷下、参考例２の方法で合成した２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオン４．３０ｇ（２５．０ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化スズ（II）２．２５ｇ（１１．９ミリモル）をメタノール１０ｍＬに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、ヘキサン３０ｍＬを加えて濾過し、濾液を濃縮した。濃縮物を減圧蒸留（１４６℃、３１Ｐａ）し、黄色液体として、ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）スズ（II）４．３６ｇを得た（単離収率：７７％）。
ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）スズ（II）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９７４、２９３２、１５７３、１５１１、１４１１、１３２７、１２１０、１１１９、９５３、９１２、８０８、５４５（β−ジケトン特有のピーク（１６０７ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５７３ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ18Ｈ30Ｏ6Ｓｎ）：炭素４６．８％、水素６．６１％、スズ２５．６％（理論値：炭素４６．９％、水素６．５６％、スズ２５．７％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：４６２、４０３、２９１、１５１、１１３、５９
［実施例Ａ−７］（トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）バナジウム（III）（Ｖ（ｍｏｐｄ）3）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液３．６１ｇ（１８．７ミリモル）を加え、氷冷下、参考例２の方法で合成した２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオン３．２０ｇ（１８．６ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化バナジウム（III）０．９３ｇ（５．９１ミリモル）をメタノール１５ｍＬに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、ヘキサン３０ｍＬ及び水３０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（１８０℃、４４Ｐａ）し、粘性のある褐色液体として、トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）バナジウム（III）２．６５ｇを得た（単離収率：７９％）。
トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）バナジウム（III）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９７５、２９３３、１５６３、１５１１、１４１１、１３３０、１２１１、１１２１、１００８、９１３、８０５、５６１（β−ジケトン特有のピーク（１６０７ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５６３ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ27Ｈ45Ｏ9Ｖ）：炭素５７．３％、水素８．０５％、バナジウム９．０％（理論値：炭素５７．４％、水素８．０３％、バナジウム９．０２％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：５６４、３９３、５９
［実施例Ａ−８］（トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）アルミニウム（III）（Ａｌ（ｍｏｐｄ）3）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、トリエトキシアルミニウム（III）１．０７ｇ（６．６０ミリモル）及び参考例２の方法で合成した２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオン４．２０ｇ（２４．４ミリモル）を加え、１５０℃まで加熱して、エタノールを留去しながら反応させた。反応終了後、ヘキサン２０ｍＬ及び水２０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（１６０℃、２７Ｐａ）し、淡黄色液体として、トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）アルミニウム（III）３．４１ｇを得た（単離収率：９６％）。
トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）アルミニウム（III）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９７５、２９３３、１５８３、１５３６、１４５７、１４２０、１２４７、１２１１、１１２１、９１５、７９９、５６５（β−ジケトン特有のピーク（１６０７ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５８３ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ27Ｈ45Ｏ9Ａｌ）：炭素６０．１％、水素８．４１％、アルミニウム５．０％（理論値：炭素６０．０％、水素８．３９％、アルミニウム４．９９％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：５４０、５１０、４８１、３６９、１９７、５９
［実施例Ａ−９］（ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）マグネシウム（II）（Ｍｇ（ｍｏｐｄ）2）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、水酸化マグネシウム（II）０．６６ｇ（１１．３ミリモル）及び１，２−ジメトキシエタン１５ｍＬを加えた。次いで、水４０ｍＬ及び参考例３の方法で合成した２−メトキシ−６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオン４．３０ｇ（２５．０ミリモル）を順次ゆるやかに滴下し、攪拌しながら１時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下にて加熱して濃縮した。濃縮物を減圧蒸留（２１０℃、２５Ｐａ）し、淡黄色ガラス状固体として、ビス（２−メトキシ−６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト）マグネシウム（II）３．７５ｇを得た（単離収率：９０％）。
ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）マグネシウム（II）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
融点：４１℃
ＩＲ（ＫＢｒ法（ｃｍ-1））：３４２１（ｂｒ）、２９７２、２９３３、１６１３、１５２６、１４３７、１３３４、１２１８、１１５０、１１１７、９１２、８０３、５６４
元素分析（Ｃ18Ｈ30Ｏ6Ｍｇ）：炭素５９．０％、水素８．２８％、マグネシウム６．６％（理論値：炭素５９．０％、水素８．２５％、マグネシウム６．６３％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：５６１、３９８、３６６、３２３、１１３、５９
ＭＳの結果より、このマグネシウム錯体は二量体構造であると推定される。
［実施例Ａ−１０］（ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）鉛（II）（Ｐｂ（ｍｏｐｄ）2）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液４．５０ｇ（２３．３ミリモル）を加え、氷冷下、参考例２の方法で合成した２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオン４．１０ｇ（２３．８ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化鉛（II）３．２０ｇ（１１．５ミリモル）をゆるやかに添加し、室温にて、攪拌しながら１時間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、ヘキサン３０ｍＬ及び水３０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（１８５℃、２３Ｐａ）し、粘性のある黄色液体として、ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）鉛（II）５．００ｇを得た（単離収率：７９％）。
ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）鉛（II）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９７０、２９３０、１５９５、１５０４、１４２３、１３２７、１２０８、１１５１、１１１６、１０１６、９４７、９１０、８００、５３９（β−ジケトン特有のピーク（１６０７ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５９５ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ18Ｈ30Ｏ6Ｐｂ）：炭素３９．０％、水素５．５１％、鉛３７．８％（理論値：炭素３９．３％、水素５．５０％、鉛３７．７％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：５５０、４９１、３７９、５９
［実施例Ａ−１１］（ビス（２−メトキシ−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト）バリウム（III）（Ｂａ（ｍｏｂｄ）2）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、無水水酸化バリウム（II）１．８４ｇ（１０．７ミリモル）及び１，２−ジメトキシエタン４０ｍＬを加え、参考例３の方法で合成した２−メトキシ−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオン４．００ｇ（２１．５ミリモル）をゆるやかに滴下し、攪拌しながら、室温にて１時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮し、濃縮物にヘキサン２０ｍＬを加え濾過した。濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（２７０℃、７３Ｐａ）し、橙色固体として、ビス（２−メトキシ−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト）バリウム（II）１．２５ｇを得た（単離収率：２３％）。
ビス（２−メトキシ−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト）バリウム（II）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
融点：１０５℃
ＩＲ（ＫＢｒ法（ｃｍ-1））：３４３３、２９７０、２９０２、１６０６、１４７３、１４３４、１３４４、１１５３、１１０５、１０１７、８３９、７８３、４７２
元素分析（Ｃ20Ｈ34Ｏ6Ｂａ）：炭素４７．５％、水素６．８０％、バリウム２７％（理論値：炭素４７．３％、水素６．７５％、バリウム２７．０％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：８３１、７１７、４２６、１２７、５９
ＭＳの結果より、このバリウム錯体は二量体構造であると推定される。
［実施例Ａ−１２］（トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）ガリウム（III）（Ｇａ（ｍｏｐｄ）3）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液４．６３ｇ（２４．０ミリモル）を加え、氷冷下、参考例２の方法で合成した２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオン４．１４ｇ（２４．０ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化ガリウム（III）１．４０ｇ（７．９５ミリモル）をゆるやかに添加し、室温にて、攪拌しながら１時間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、ヘキサン３０ｍＬ及び水３０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（１８５℃、２３Ｐａ）し、黄色液体として、トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）ガリウム（III）４．０５ｇを得た（単離収率：８７％）。
トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）ガリウム（III）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９７６、２９３４、１５７７、１５３７、１４３６、１４０８、１３６３、１３３１、１２４０、１２１１、１１２１、９６１、９１５、８０３、５６２（β−ジケトン特有のピーク（１６０７ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５７７ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ27Ｈ45Ｏ9Ｇａ）：炭素５５．５％、水素７．７５％、ガリウム１２％（理論値：炭素５５．６％、水素７．７８％、ガリウム１２．０％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：５８２、５２３、４１１、５９
［参考例４］（１−メトキシ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオン（ｍｂｄ）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積２００ｍＬのフラスコに、ナトリウムアミド９．７４ｇ（２５０ミリモル）を加え、反応系内をアルゴンで置換した後、トルエン８０ｍＬを加えた。次いで、水冷下、３，３−ジメチル−２−ブタノン２５．０ｇ（２４９．６ミリモル）をゆるやかに滴下して１５分間攪拌した後、メトキシ酢酸メチル１０．４ｇ（９９．９ミリモル）を滴下して、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、氷冷下、水５０ｍＬを加えた後、水層を分液し、酢酸で中和した。水層をエーテルで抽出した後、エーテル抽出液を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（６５℃、４２６Ｐａ）し、無色液体として、１−メトキシ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオン５．９０ｇを得た（単離収率：３４％）。
１−メトキシ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオンの物性値は以下の通りであった。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，δ（ｐｐｍ））：１．１７（１．３１Ｈ，ｓ）、１．１９（７．７０Ｈ，ｓ）、３．３９（０．４４Ｈ，ｓ）、３．４３（２．５７Ｈ，ｓ）、３．７０（０．２９Ｈ，ｓ）、４．００（１．７１Ｈ，ｓ）、４．０２（０．２９Ｈ，ｓ）、５．９０（０．８６Ｈ，ｓ）、１５．６（０．８６Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９７０、２９３６、１６０４（ｂｒ）、１４６５、１３６５、１２８０、１２０１、１１１８、９９０、９４１、８００（なお、１６０４ｃｍ-1のピークは、β−ジケトン特有のピークである）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：１７２、１２７、４５
［参考例５］（２−メトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオン（ｍｍｂｄ）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積２００ｍＬのフラスコに、ナトリウムアミド８．１２ｇ（２０８ミリモル）を加え、反応系内をアルゴンで置換した後、トルエン８０ｍＬを加えた。次いで、水冷下、３，３−ジメチル−２−ブタノン２０．６ｇ（２０６ミリモル）をゆるやかに滴下して１５分間攪拌した後、２−メトキシイソ酪酸メチル１４．８ｇ（１１２．０ミリモル）を滴下して、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、氷冷下、水５０ｍＬを加えた後、水層を分液し、酢酸で中和した。水層をエーテルで抽出した後、エーテル抽出液を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（５３℃、２００Ｐａ）し、無色液体として、２−メトキシ−２，６，６−トリメチル−２，４−ヘプタンジオン１０．２３ｇを得た（単離収率：４６％）。
２−メトキシ−２，６，６−トリメチル−２，４−ヘプタンジオンの物性値は以下の通りであった。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，δ（ｐｐｍ））：１．１７（０．７２Ｈ，ｓ）、１．２０（８．２８Ｈ，ｓ）、１．２９（０．４８Ｈ，ｓ）、１．３６（５．５２Ｈ，ｓ）、３．２３（０．２４Ｈ，ｓ）、３．２４（２．７６Ｈ，ｓ）、３．８２（０．１６Ｈ，ｓ）、６．０２（０．９２Ｈ，ｓ）、１５．８（０．９２Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９７９、２９３７、１６０３（ｂｒ）、１４６４、１３６２、１１８１、１１１９、１０７５、８６６、８１２（なお、１６０３ｃｍ-1のピークは、β−ジケトン特有のピークである）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：１２７、７３、４３
［比較例Ａ−１］（トリス（１−メトキシ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオナト）インジウム（III）（Ｉｎ（ｍｂｄ）3）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液４．４８ｇ（２３．２ミリモル）を加え、氷冷下、参考例４の方法で合成した１−メトキシ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオン４．００ｇ（２３．２ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化インジウム（III）四水和物２．１８ｇ（７．４４ミリモル）をメタノール１５ｍＬに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、エーテル４０ｍＬ及び水４０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（１９０℃、１５Ｐａ）し、粘性のある黄色液体として、トリス（１−メトキシ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオナト）インジウム（III）３．２０ｇを得た（単離収率：６８％）。
トリス（１−メトキシ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオナト）インジウム（III）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９６６、２９３２、１５６６、１５１７、１４１６、１３８３、１３６１、１２０１、１１６３、１１１９、９９６、８０６、４８２（β−ジケトン特有のピーク（１６０４ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５６６ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ27Ｈ45Ｏ9Ｉｎ）：炭素５１．３％、水素７．２８％、インジウム１８％（理論値：炭素５１．６％、水素７．２２％、インジウム１８．３％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：６２８、５７１、４５７、２２９、１１５、５７
［比較例Ａ−２］（トリス（２−メトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）インジウム（III）（Ｉｎ（ｍｍｂｄ）3）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液２．９８ｇ（１５．５ミリモル）を加え、氷冷下、参考例５の方法で合成した２−メトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオン３．０８ｇ（１５．４ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化インジウム（III）四水和物１．５３ｇ（５．２２ミリモル）をメタノール１５ｍＬに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、エーテル４０ｍＬ及び水４０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（１９０℃、３７Ｐａ）し、淡黄色固体として、トリス（２−メトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）インジウム（III）２．６４ｇを得た（単離収率：７０％）。
トリス（２−メトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）インジウム（III）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
融点：１１４℃
ＩＲ（ＫＢｒ法（ｃｍ-1））：２９８０、２９３４、１５６５、１５０２、１４１５、１３５６、１２３０、１１８４、１１３３、１０７５、９５３、８６６、８１６、７３４、６１９、５３５、４８４（β−ジケトン特有のピーク（１６０３ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５６５ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ33Ｈ57Ｏ9Ｉｎ）：炭素５５．８％、水素８．１１％、インジウム１６％（理論値：炭素５５．６％、水素８．０６％、インジウム１６．１％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：６８２、５１３、４４９、３１３、２４１、１１５、７３
［比較例Ａ−３］（ビス（１−メトキシ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオナト）ストロンチウム（II）（Ｓｒ（ｍｂｄ）2）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、アルゴン雰囲気下、水素化ストロンチウム（II）０．３９ｇ（４．３５ミリモル）及び１，２−ジメトキシエタン２０ｍＬを加えた。次いで、水冷下、参考例４の方法で合成した１−メトキシ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオン１．５０ｇ（８．７１ミリモル）をゆるやかに滴下し、攪拌しながら室温で１時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下にて２３０℃まで加熱して濃縮した。濃縮物にヘキサン１５ｍＬを加えて攪拌した後、濾過した。濾液を濃縮した後、濃縮物を昇華（２３５℃、５３Ｐａ）しようと試みたが、昇華器の底に黒褐色の固体が残っただけであった。
［比較例Ａ−４］（ビス（２−メトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（II）（Ｓｒ（ｍｍｂｄ）2）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、アルゴン雰囲気下、水素化ストロンチウム（II）０．４５ｇ（５．００ミリモル）及び１，２−ジメトキシエタン２０ｍＬを加えた。次いで、水冷下、参考例５の方法で合成した２−メトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオン２．００ｇ（９．９９ミリモル）をゆるやかに滴下し、攪拌しながら室温で１時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下にて２３０℃まで加熱して濃縮した。濃縮物にヘキサン１５ｍＬを加えて攪拌した後、濾過した。濾液を濃縮した後、濃縮物を昇華（２３５℃、５３Ｐａ）、淡黄色固体として、ビス（２−メトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（II）１．３７ｇを得た（単離収率：５６％）。
ビス（２−メトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（II）の物性値は、以下の通りであった。
融点：２３５℃
ＩＲ（ＫＢｒ法（ｃｍ-1））：３４２６、２９７０、２８６７、１６０７、１５００、１４６１、１４２６、１３８６、１３６１、１２２６、１１７８、１１２１、１０７８、１０５２、９６６、８５８、７８９、７２３、４７８
元素分析（Ｃ22Ｈ38Ｏ6Ｓｒ）：炭素５４．３％、水素７．８１％、ストロンチウム１８％（理論値：炭素５４．４％、水素７．８８％、ストロンチウム１８．０％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：１２５９、７７３、７３
ＭＳの結果より、このストロンチウム錯体は三量体構造であると推定される。
［実施例Ａ−１３］（インジウム錯体の熱安定性及び融点の比較）
実施例Ａ−１、比較例Ａ−１及びＡ−２で合成したインジウム錯体０．５０ｇを２５ｍＬのフラスコに入れ、アルゴン雰囲気下、１９０℃で１５分間加熱し、その外観を比較した。結果を表１に示す。
Figure 0004716193
Figure 0004716193
表１の結果より、比較例１のＩｎ（ｍｂｄ）3は、融点は低いものの熱安定性が悪く、また、比較例２のＩｎ（ｍｍｂｄ）3は、熱安定性は良いものの、融点が高いことが分かる。これらと比較して実施例１のＩｎ（ｍｏｐｄ）3は、熱安定性に優れ、融点が低いことが分かる。
［実施例Ａ−１４］（ストロンチウム錯体の熱安定性及び融点の比較）
実施例Ａ−４、比較例Ａ−３及びＡ−４で合成したストロンチウム錯体０．３０ｇを２５ｍＬのフラスコに入れ、減圧下（４０Ｐａ）、２３５℃で１５分間加熱し、その外観を比較した。結果を表２に示す。
Figure 0004716193
Figure 0004716193
表２の結果より、比較例３のＳｒ（ｍｂｄ）3は、融点は低いものの熱安定性が悪く、また、比較例４のＳｒ（ｍｍｂｄ）3は、熱安定性は良いものの、融点が高いことが分かる。これらと比較して、実施例４のＳｒ（ｍｏｐｄ）3は、熱安定性に優れ、融点が低いことが分かる。
［実施例Ａ−１５〜Ａ−２４］（蒸着実験：金属酸化物薄膜の製造）
実施例Ａ−１、Ａ−４〜Ａ−１２で得られた金属錯体（インジウム錯体（Ｉｎ（ｍｏｐｄ）3）、ストロンチウム錯体（Ｓｒ（ｍｏｂｄ）2）、亜鉛錯体（Ｚｎ（ｍｏｐｄ）2）、スズ錯体（Ｓｎ（ｍｏｐｄ）2）、バナジウム錯体（Ｖ（ｍｏｐｄ）3）、アルミニウム錯体（Ａｌ（ｍｏｐｄ）3）、マグネシウム錯体（Ｍｇ（ｍｏｐｄ）2）、鉛錯体（Ｐｂ（ｍｏｐｄ）2）、バリウム錯体（Ｂａ（ｍｏｂｄ）2）及びガリウム錯体（Ｇａ（ｍｏｐｄ）3））を用いて、ＣＶＤ法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。
評価試験には、図１に示す装置を使用した。気化器３（ガラス製アンプル）にある金属錯体２０は、ヒーター１０Ｂで加熱されて気化し、マスフローコントローラー１Ａを経て予熱器１０Ａで予熱後導入されたヘリウムガスに同伴し気化器３を出る。気化器３を出たガスは、マスフローコントローラー１Ｂ、ストップバルブ２を経て導入された酸素ガスとともに反応器４に導入される。反応系内圧力は真空ポンプ手前のバルブ６の開閉により、所定圧力にコントロールされ、圧力計５によってモニターされる。ガラス製反応器の中央部はヒーター１０Ｃで加熱可能な構造となっている。反応器に導入された金属錯体は、反応器内中央部にセットされ、ヒータ１０Ｃで所定の温度に加熱された被蒸着基板２１の表面上で酸化熱分解し、基板２１上に酸化金属薄膜が析出する。反応器４を出たガスは、トラップ７、真空ポンプを経て、大気中に排気される構造となっている。
蒸着条件を次に示す。
Ｈｅキャリア流量：３０ｍＬ／分
酸素流量：２０ｍＬ／分
基板：ＳｉＯ2／Ｓｉ（サイズ：７ｍｍ×４０ｍｍ）
基板温度：４００℃
反応器内圧力：５３２０Ｐａ
蒸着時間：３０分
蒸着結果（膜特性、生成物の分析はＸＰＳ分析による）を表３に示す。
Figure 0004716193
表３の結果より、本発明の金属錯体が、優れた成膜性を有することが分かる。
［参考例６］（２−メトキシ−３，５−オクタンジオン（ｍｏｏｄ）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積２００ｍＬのフラスコに、ナトリウムアミド１０．１ｇ（２５９ミリモル）を加え、反応系内をアルゴンで置換した後、トルエン１００ｍＬを加えた。次いで、水冷下、２−ペンタノン１４．４ｇ（１６７ミリモル）をゆるやかに滴下して１５分間攪拌した後、参考例１の方法で合成した２−メトキシプロピオン酸メチル１５．０ｇ（１２７ミリモル）を滴下して、攪拌しながら１時間反応させた。反応終了後、氷冷下、水５０ｍＬを加えた後、水層を分液し、２．５モル／Ｌ硫酸で酸性化した。水層をヘキサンで抽出した後、ヘキサン抽出液を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（３５℃、２０Ｐａ）し、無色液体として、２−メトキシ−３，５−オクタンジオン１４．３ｇを得た（単離収率：６５％）。
２−メトキシ−３，５−オクタンジオンの物性値は以下の通りであった。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，δ（ｐｐｍ））：０．９４〜０．９９（３Ｈ，ｍ）、１．３５（３Ｈ，ｄ）、１．６〜１．７（２Ｈ，ｍ）、２．２９〜２．３４（１．７Ｈ，ｍ）、２．５１（０．３Ｈ，ｍ）、３．３６（３Ｈ，ｓ）、３．６０（０．３Ｈ，ｓ）、３．７４（１Ｈ，ｑ）、５．７９（０．８５Ｈ，ｓ）、１５．３（０．８５Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９６７、２９３６、２９７７、２８２７、１６０８（ｂｒ）、１４５８、１３３２、１２１０、１１１９、８０２（なお、１６０８ｃｍ-1のピークは、β−ジケトン特有のピークである。）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：１４２、１１３、５９、２８
［実施例Ａ−２５］（トリス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）インジウム（III）（Ｉｎ（ｍｏｏｄ）3）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液５．７１ｇ（２９．６ミリモル）及びメタノール１０ｍＬを加え、氷冷下、参考例６の方法で合成した２−メトキシ−３，５−オクタンジオン５．１８ｇ（３０．０ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化インジウム（III）四水和物２．８５ｇ（９．７２ミリモル）をメタノール１０ｍＬに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、攪拌しながら室温にて１時間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、ヘキサン３０ｍＬ及び水３０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（１８５℃、１９Ｐａ）し、粘性のある黄色液体として、トリス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）インジウム（III）４．０１ｇを得た（単離収率：６６％）。
トリス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）インジウム（III）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９６４、２９３３、２８７５、２８２４、１５７２、１５２１、１４２７、１３９７、１２１１、１１２０、９５７、８０８、５４３（β−ジケトン特有のピーク（１６０８ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５７２ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ27Ｈ45Ｏ9Ｉｎ）：炭素５１．５％、水素７．２４％、インジウム１８．２％（理論値：炭素５１．６％、水素７．２２％、インジウム１８．３％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：６２８、５９８、４５７、２２７、１１３、５９
［実施例Ａ−２６］（ビス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）亜鉛（II）（Ｚｎ（ｍｏｏｄ）2）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液４．６２ｇ（２４．０ミリモル）及びメタノール６ｍＬを加え、氷冷下、参考例６の方法で合成した２−メトキシ−３，５−オクタンジオン４．１１ｇ（２３．９ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化亜鉛（II）１．６０ｇ（１１．７ミリモル）をメタノール４ｍＬに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、攪拌しながら室温にて１時間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、ヘキサン３０ｍＬ及び水３０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（１６０℃、１７Ｐａ）し、黄色液体として、ビス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）亜鉛（II）４．０２ｇを得た（単離収率：８４％）。
ビス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）亜鉛（II）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９６３、２９３３、２８７４、２８２３、１５９８、１５２２、１４３１、１３３４、１２１１、１１１９、９５９、７９６、５３７（β−ジケトン特有のピーク（１６０８ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５９８ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ18Ｈ30Ｏ6Ｚｎ）：炭素５３．１％、水素７．４５％、亜鉛１６％（理論値：炭素５３．０％、水素７．４１％、亜鉛１６．０％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：４０６、３４７、１１３、５９
［実施例Ａ−２７］（ビス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）スズ（II）（Ｓｎ（ｍｏｏｄ）2）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液４．６４ｇ（２４．１ミリモル）及びメタノール６ｍＬを加え、氷冷下、参考例６の方法で合成した２−メトキシ−３，５−オクタンジオン４．２１ｇ（２４．４ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化スズ（II）２．２３ｇ（１１．８ミリモル）をメタノール６ｍＬに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、攪拌しながら室温にて１時間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、ヘキサン３０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（１６０℃、１６Ｐａ）し、淡黄色液体として、ビス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）スズ（II）３．４０ｇを得た（単離収率：６３％）。
ビス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）スズ（II）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９７４、２９３２、２８７３、２８２３、１５７３、１５１１、１４１１、１３２７、１２１０、１１１９、９５３、９１２、８０８、５４５（β−ジケトン特有のピーク（１６０８ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５７３ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ18Ｈ30Ｏ6Ｓｎ）：炭素４６．８％、水素６．５９％、スズ２５．６％（理論値：炭素４６．９％、水素６．５６％、スズ２５．７％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：４０３、２９１、１１３、５９
［実施例Ａ−２８］（トリス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）アルミニウム（III）（Ａｌ（ｍｏｏｄ）3）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液４．５６ｇ（２３．６ミリモル）及びメタノール６ｍＬを加え、氷冷下、参考例６の方法で合成した２−メトキシ−３，５−オクタンジオン４．１５ｇ（２４．１ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化アルミニウム（III）１．０３ｇ（７．７２ミリモル）をメタノール１０ｍＬに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、攪拌しながら室温にて１時間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、ヘキサン３０ｍＬ及び水３０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（１８０℃、１３Ｐａ）し、無色液体として、トリス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）アルミニウム（III）１．９０ｇを得た（単離収率：４６％）。
トリス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）アルミニウム（III）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９６３、２９３３、２８７４、２８２４、１５８５、１５２８、１４５８、１４１４、１３３０、１２１２、１１２１、９７７、７９６、５５２（β−ジケトン特有のピーク（１６０８ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５８５ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ27Ｈ45Ｏ9Ａｌ）：炭素５９．９％、水素８．３７％、アルミニウム５．０％（理論値：炭素６０．０％、水素８．３９％、アルミニウム４．９９％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：５４０、５１０、４８１、３６９、１１３、５９
［実施例Ａ−２９］（ビス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）鉛（II）（Ｐｂ（ｍｏｏｄ）2）の合成）
攪拌装置、温度計及び粉末添加口を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液４．５２ｇ（２３．４ミリモル）及びメタノール６ｍＬを加え、氷冷下、参考例６の方法で合成した２−メトキシ−３，５−オクタンジオン４．２０ｇ（２４．４ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化鉛（II）３．１２ｇ（１１．２ミリモル）をゆるやかに添加し、攪拌しながら室温にて１時間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、ヘキサン３０ｍＬ及び水３０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（２０５℃、５１Ｐａ）し、粘性のある橙色液体として、ビス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）鉛（II）４．６６ｇを得た（単離収率：７６％）。
ビス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）鉛（II）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９６２、２９３２、２８７３、２８２２、１５９０、１５１５、１４１９、１３３３、１２１１、１１１７、１０１６、９５３、７８８（β−ジケトン特有のピーク（１６０８ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５９０ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ18Ｈ30Ｏ6Ｐｂ）：炭素３９．２％、水素５．５３％、鉛３７．５％（理論値：炭素３９．３％、水素５．５０％、鉛３７．７％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：５５０、３９８、３３９、２４９、１１３、５９
［実施例Ａ−３０］（ビス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）マグネシウム（II）（Ｍｇ（ｍｏｏｄ）2）の合成）
攪拌装置、温度計及び粉末添加口を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、水酸化マグネシウム０．６６ｇ（１１．３ミリモル）及び１，２−ジメトキシエタン２０ｍＬを加え、参考例６の方法で合成した２−メトキシ−３，５−オクタンジオン４．１３ｇ（２４．０ミリモル）をゆるやかに滴下し、攪拌しながら室温にて１時間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下で濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（２３０℃、３２Ｐａ）し、粘性のある黄色液体として、ビス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）マグネシウム（II）３．３１ｇを得た（単離収率：８０％）。
ビス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）マグネシウム（II）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９６２、２９３２、２８７３、２８２２、１６１０、１５２１、１４３６、１３３６、１２１２、１１１７、９６４、７９２、５３２
元素分析（Ｃ18Ｈ30Ｏ6Ｍｇ）：炭素５８．９％、水素８．２８％、マグネシウム６．６％（理論値：炭素５９．０％、水素８．２５％、マグネシウム６．６３％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：５６１、３０７、５９
ＭＳの結果より、このマグネシウム錯体は二量体構造であると推定される。
［実施例Ａ−３１］（トリス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）ガリウム（III）（Ｇａ（ｍｏｏｄ）3）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液５．０８ｇ（２６．３ミリモル）及びメタノール１０ｍＬを加え、氷冷下、参考例６の方法で合成した２−メトキシ−３，５−オクタンジオン４．５６ｇ（２６．５ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化ガリウム（III）１．５２ｇ（８．６３ミリモル）をメタノール２０ｍＬに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、攪拌しながら室温にて１時間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、ヘキサン３０ｍＬ及び水３０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮し、濃縮物を減圧蒸留（１７５℃、１７Ｐａ）し、淡黄色液体として、トリス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）ガリウム（III）４．０７ｇを得た（単離収率：８１％）。
トリス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）ガリウム（III）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９６３、２９３３、２８７４、２８２３、１５７６、１５２８、１４３５、１４０３、１３３０、１２１１、１１２０、９６６、８０１、５５０（β−ジケトン特有のピーク（１６０８ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５７６ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ27Ｈ45Ｏ9Ｇａ）：炭素５５．７％、水素７．７５％、ガリウム１２％（理論値：炭素５５．６％、水素７．７８％、ガリウム１２．０％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：５８２、５２３、４１１、５９
［実施例Ａ−３２〜Ａ−３８］（蒸着実験：酸化金属薄膜の製造）
実施例Ａ−２５〜Ａ−３１で得られた金属錯体（インジウム錯体（Ｉｎ（ｍｏｏｄ）3）、亜鉛錯体（Ｚｎ（ｍｏｏｄ）2）、スズ錯体（Ｓｎ（ｍｏｏｄ）2）、アルミニウム錯体（Ａｌ（ｍｏｏｄ）3）、鉛錯体（Ｐｂ（ｍｏｏｄ）2）、マグネシウム錯体（Ｍｇ（ｍｏｏｄ）2）、ガリウム錯体（Ｇａ（ｍｏｏｄ）3））を用いて、前述の方法によるＣＶＤ法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。
蒸着条件を次に示す。
Ｈｅキャリア流量：３０ｍＬ／分
酸素流量：２０ｍＬ／分
基板：ＳｉＯ2／Ｓｉ（サイズ：７ｍｍ×４０ｍｍ）
基板温度：４００℃
反応器内圧力：７９８０Ｐａ
蒸着時間：６０分
蒸着結果（膜特性、生成物の分析はＸＰＳ分析による）を表４に示す。
Figure 0004716193
表４の結果より、本発明の金属錯体が、優れた成膜性を有することが分かる。
［参考例７］（２−メトキシ−３，５−ヘキサンジオン（ｍｏｍｄ）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積２００ｍＬのフラスコに、ナトリウムアミド１０．１ｇ（２５９ミリモル）を加え、反応系内をアルゴンで置換した後、メチルシクロヘキサン１２０ｍＬを加えた。次いで、水冷下、アセトン７．４０ｇ（１２７ミリモル）をゆるやかに滴下して１５分間攪拌した後、参考例１と同様な方法で合成した２−メトキシプロピオン酸メチル１５．０ｇ（１２７ミリモル）を滴下し、３０分間攪拌しながら反応させた。反応終了後、氷冷下、水５０ｍＬを加えた後、水層を分液した。分液した水層を酢酸で酸性化してヘキサンで抽出した後、ヘキサン抽出液を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（６６℃、１．３８ｋＰａ）し、無色液体として、２−メトキシ−３，５−ヘキサンジオン９．６３ｇを得た（単離収率：５３％）。
２−メトキシ−３，５−ヘキサンジオンの物性値は以下の通りであった。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，δ（ｐｐｍ））：１．３０（０．３３Ｈ，ｄ）、１．３５（２．６７Ｈ，ｄ）、２．１１（２．６７Ｈ，ｓ）、２．２６（０．２２Ｈ，ｓ）、３．３６（２．６７Ｈ，ｓ）、３．３７（０．３３Ｈ，ｓ）、３．７０〜３．８１（１．２２Ｈ，ｍ）、５．８０（０．８９Ｈ，ｓ）、１５．２７（０．８９Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９８７、２９３７、２８２８、１６１１（ｂｒ）、１４５１、１３６８、１２１１、１１１９、８０１（なお、１６１１ｃｍ-1のピークは、β−ジケトン特有のピークである。）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：１１４、８５、５９、４３、２７
［参考例８］（２−メトキシ−３，５−ヘプタンジオン（ｍｏｈｄ）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積２００ｍＬのフラスコに、ナトリウムアミド８．００ｇ（２０５ミリモル）を加え、反応系内をアルゴンで置換した後、トルエン５０ｍＬを加えた。次いで、水冷下、２−ブタノン１５．０ｇ（２０８ミリモル）をゆるやかに滴下して１０分間攪拌した後、５℃に冷却して、参考例１と同様な方法で合成した２−メトキシプロピオン酸メチル８．５０ｇ（７２ミリモル）を滴下して、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、氷冷下、水４０ｍＬを加えた後、水層を分液した。分液した水層を２．５モル／Ｌ硫酸で酸性化してジエチルエーテルで抽出した後、ジエチルエーテル抽出液を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（３２℃、２６．６Ｐａ）し、無色液体として、２−メトキシ−３，５−ヘプタンジオン５．６０ｇを得た（単離収率：４９％）。
２−メトキシ−３，５−ヘプタンジオンの物性値は以下の通りであった。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，δ（ｐｐｍ））：１．０８（０．４８Ｈ，ｔ）、１．１６（２．５２Ｈ，ｔ）、１．３０（０．４８Ｈ，ｄ）、１．３６（２．５２Ｈ，ｄ）、２．３８（１．６８Ｈ，ｑ）、２．５６（０．３２Ｈ，ｑ）、３．３７（３Ｈ，ｓ）、３．４５（０．３２Ｈ，ｓ）、３．７１〜２．８１（１Ｈ，ｍ）、５．８０（０．８４Ｈ，ｓ）、１５．３（０．８４Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９８４、２９３９、２８２８、１６１０（ｂｒ）、１４５８、１３２８、１２１０、１１１９、１０６３、８８２、８１４（なお、１６１０ｃｍ-1のピークは、β−ジケトン特有のピークである。）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：１２８、９９、５９、４３、２９
［実施例Ｂ−１］（トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）クロム（III）（Ｃｒ（ｍｏｐｄ）3）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液４．５８ｇ（２３．７ミリモル）を加え、氷冷下、参考例２の方法で合成した２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオン４．２６ｇ（２２．１ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化クロム（III）六水和物２．０１ｇ（７．５４ミリモル）をメタノール１０ｍＬに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した後、メシチレン１５ｍＬを加えて１時間還流させた。その後、室温まで冷却し、水４０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（１８０℃、２３Ｐａ）し、粘性のある赤紫色液体として、トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）クロム（III）２．５４ｇを得た（単離収率：６０％）。
トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）クロム（III）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９７５、２９３３、１５６８、１５３０、１４１５、１３３３、１２３９、１１２０、９１４、８００、５７１（β−ジケトン特有のピーク（１６０７ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５６８ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ27Ｈ45Ｏ9Ｃｒ）：炭素５７．２％、水素８．０５％、クロム９．２％（理論値：炭素５７．３％、水素８．０２％、クロム９．１９％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：５６５、５３５、３９４、５９
［実施例Ｂ−２］（ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）マンガン（II）（Ｍｎ（ｍｏｐｄ）2）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液２．７１ｇ（１４．１ミリモル）を加え、氷冷下、参考例２の方法で合成した２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオン３．３０ｇ（１９．２ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化マンガン（II）四水和物１．１８ｇ（５．９６ミリモル）をメタノール６ｍＬに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら１時間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、ヘキサン３０ｍＬ及び水３０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（２２０℃、２３Ｐａ）し、粘性のある褐色液体として、ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）マンガン（II）１．６０ｇを得た（単離収率：４７％）。
ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）マンガン（II）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：３３７５（ｂｒ）、２９７１、２９３２、１６０１、１５１０、１４３１、１３３２、１２１１、１１５０、１１１８、１０２０、９５５、９１１、８０４、５４６
元素分析（Ｃ18Ｈ30Ｏ6Ｍｎ）：炭素５４．７％、水素７．６５％、マンガン１３．７％（理論値：炭素５４．４％、水素７．６１％、マンガン１３．８％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：６２３、３９７、３３８、１６８、５９
ＭＳの結果より、このマンガン錯体は二量体構造であると推定される。
［実施例Ｂ−３］（ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）ニッケル（II）（Ｎｉ（ｍｏｐｄ）2）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液４．５３ｇ（２３．５ミリモル）を加え、氷冷下、参考例２の方法で合成した２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオン４．１３ｇ（２４．０ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化ニッケル（II）六水和物２．７８ｇ（１１．７ミリモル）をメタノール６ｍＬに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら１時間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、ヘキサン３０ｍＬ及び水３０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（２００℃、２５Ｐａ）し、粘性のある緑色ガラス状固体として、ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）ニッケル（II）４．２５ｇを得た（単離収率：９１％）。
ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）ニッケル（II）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
融点：４６℃
ＩＲ（ＫＢｒ法（ｃｍ-1））：３４１０（ｂｒ）、２９７２、２９３２、１５９９、１５１０、１４３０、１３３３、１２１１、１１５３、１１１７、９１２、８０６、５６６
元素分析（Ｃ18Ｈ30Ｏ6Ｎｉ）：炭素５３．８％、水素７．５７％、ニッケル１４．５％（理論値：炭素５３．９％、水素７．５４％、ニッケル１４．６％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：６２９、４００、３５７、５９
ＭＳの結果より、このニッケル錯体は二量体構造であると推定される。
［実施例Ｂ−４］（ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）コバルト（II）（Ｃｏ（ｍｏｐｄ）2）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液４．３７ｇ（２２．７ミリモル）を加え、氷冷下、参考例２の方法で合成した２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオン４．００ｇ（２３．２ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化コバルト（II）六水和物２．７０ｇ（１１．３ミリモル）をメタノール２０ｍＬに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、エーテル５０ｍＬ及び水３０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（１７５℃、６７Ｐａ）し、粘性のある暗紫色液体として、ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）コバルト（II）４．１７ｇを得た（単離収率：９２％）。
ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）コバルト（II）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：３３９７（ｂｒ）、２９７２、２９３２、１５９９、１５１１、１４３１、１３３３、１２１１、１１１７、１０５９、９１２、８０３、５６３（β−ジケトン特有のピーク（１６０７ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５９９ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ18Ｈ30Ｏ6Ｃｏ）：炭素５３．８％、水素７．５６％、コバルト１４．６％（理論値：炭素５３．９％、水素７．５３％、コバルト１４．７％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：６３１、４０１、３５８、５９
ＭＳの結果より、このコバルト錯体は二量体構造であると推定される。
［実施例Ｂ−５］（テトラキス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）チタン（IV）（Ｔｉ（ｍｏｐｄ）4）の合成）
攪拌装置、温度計及び定量受器を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、テトラエトキシチタン（IV）１．３１ｇ（５．７３ミリモル）及び参考例２の方法で合成した２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオン４．００ｇ（２３．２ミリモル）を加え、エタノールを留去しながら、１４０℃で１時間反応させた。反応終了後、ヘキサン２０ｍＬ及び水２０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（１８０℃、２７Ｐａ）し、暗紫色液体として、テトラキス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）チタン（IV）１．６５ｇを得た（単離収率：３９％）。
テトラキス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）チタン（IV）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９７３、２９３２、１５７７、１５３１、１４０８、１３２８、１２３１、１１１９、１０６５、９１５、８０３、６０１（β−ジケトン特有のピーク（１６０７ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５７７ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ36Ｈ60Ｏ12Ｔｉ）：炭素５９．１％、水素８．２８％、チタン６．５％（理論値：炭素５９．０％、水素８．２５％、チタン６．５３％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：５６１、４３５、３０９、５９
［実施例Ｂ−６］（テトラキス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）ジルコニウム（IV）（Ｚｒ（ｍｏｏｄ）4）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液４．７２ｇ（２４．５ミリモル）を加え、氷冷下、参考例６の方法で合成した２−メトキシ−３，５−オクタンジオン４．１５ｇ（２４．１ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化ジルコニウム（IV）１．３９ｇ（５．９６ミリモル）をメタノール６ｍＬに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、攪拌しながら室温にて１時間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、ヘキサン３０ｍＬ及び水３０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（２２０℃、４１Ｐａ）し、粘性のある黄色液体として、テトラキス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）ジルコニウム（IV）３．４７ｇを得た（単離収率：７５％）。
テトラキス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）ジルコニウム（IV）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９６２、２９３２、２８７３、２８２２、１５９５、１５２６、１４１７、１３２９、１２１１、１１２０、９７５、７９４、５７４、５２０（β−ジケトン特有のピーク（１６０８ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５９５ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ36Ｈ60Ｏ12Ｚｒ）：炭素５５．８％、水素７．７６％、ジルコニウム１１．７％（理論値：炭素５５．７％、水素７．７９％、ジルコニウム１１．８％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：６０３、１１３、５９
［実施例Ｂ−７］（テトラキス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）ハフニウム（IV）（Ｈｆ（ｍｏｏｄ）4）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液４．８８ｇ（２５．３ミリモル）を加え、氷冷下、参考例６の方法で合成した２−メトキシ−３，５−オクタンジオン４．４１ｇ（２５．６ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化ハフニウム（IV）２．００ｇ（６．２４ミリモル）をメタノール１０ｍＬに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、攪拌しながら室温にて１時間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、ヘキサン３０ｍＬ及び水３０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（２２０℃、２３Ｐａ）し、粘性のある黄色液体として、テトラキス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）ハフニウム（IV）４．３２ｇを得た（単離収率：８０％）。
テトラキス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）ハフニウム（IV）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９６２、２９３２、２８７３、２８２２、１５９８、１５２８、１４３０、１２１１、１１２０、９７６、７９５、５２４（β−ジケトン特有のピーク（１６０８ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５９８ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ36Ｈ60Ｏ12Ｈｆ）：炭素５０．１％、水素７．０３％、ハフニウム２０．６％（理論値：炭素５０．１％、水素７．００％、ハフニウム２０．７％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：６９３、１１３、５９
［実施例Ｂ−８］（テトラキス（２−メトキシ−３，５−ヘキサンジオナト）ハフニウム（IV）（Ｈｆ（ｍｏｍｄ）4）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液９．４０ｇ（４８．７ミリモル）を加え、氷冷下、参考例７の方法で合成した２−メトキシ−３，５−ヘキサンジオン７．００ｇ（４８．９ミリモル）をゆるやかに滴下し、１５分間攪拌させた。次いで、塩化ハフニウム（IV）３．９０ｇ（１２．２ミリモル）をメタノール２０ｍＬに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、攪拌しながら室温にて１時間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、ヘキサン２０ｍＬ及び水２０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（１９０℃、１３．３Ｐａ）し、粘性のある黄色液体として、テトラキス（２−メトキシ−３，５−ヘキサンジオナト）ハフニウム（IV）３．７３ｇを得た（単離収率：４１％）。
テトラキス（２−メトキシ−３，５−ヘキサンジオナト）ハフニウム（IV）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９７９、２９３２、２８７３、２８２３、１５９９、１５２８、１４１６、１３６２、１２７４、１２１２、１１２０、１０２３、７９４、５１７（β−ジケトン特有のピーク（１６１１ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５９９ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ28Ｈ44Ｏ12Ｈｆ）：炭素４４．６％、水素５．９２％、ハフニウム２３．６％（理論値：炭素４４．８％、水素５．９０％、ハフニウム２３．８％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：６５３、６０９、５６５、５９
［実施例Ｂ−９］（テトラキス（２−メトキシ−３，５−ヘプタンジオナト）ハフニウム（IV）（Ｈｆ（ｍｏｈｄ）4）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、塩化ハフニウム（IV）５．９０ｇ（１８．４ミリモル）及びメタノール３０ｍＬを加えた。別途、５モル／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液１８．０ｇ（７５ミリモル）に、水冷下、参考例８の方法で合成した２−メトキシ−３，５−ヘプタンジオン１２．１ｇ（７６．２ミリモル）をゆるやかに滴下した。この溶液を塩化ハフニウムのメタノール溶液に水冷下にて滴下し、攪拌しながら室温にて３０分間反応させた。反応終了後、メチルシクロヘキサン５０ｍＬ及び水５０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（２０５℃、１８．６Ｐａ）し、粘性のある黄色液体として、テトラキス（２−メトキシ−３，５−ヘプタンジオナト）ハフニウム（IV）１２．６ｇを得た（単離収率：８５％）。
テトラキス（２−メトキシ−３，５−ヘプタンジオナト）ハフニウム（IV）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９７８、２９３４、２８７７、２８２３、１５９４、１５２９、１４３１、１３２８、１２１１、１１２０、１０７２、８０８、５２１（β−ジケトン特有のピーク（１６１０ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５９４ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ32Ｈ52Ｏ12Ｈｆ）：炭素４７．４％、水素６．５０％、ハフニウム２２．１％（理論値：炭素４７．６％、水素６．４９％、ハフニウム２２．１％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：６８１、６５１、６２１、３６７、２２１、１２８、９９、５９
［実施例Ｂ−１０〜Ｂ−２１］（蒸着実験：金属酸化物薄膜の製造）
実施例Ｂ−１〜Ｂ−９で得られた金属錯体（クロム錯体（Ｃｒ（ｍｏｐｄ）3）、マンガン錯体（Ｍｎ（ｍｏｐｄ）2）、ニッケル錯体（Ｎｉ（ｍｏｐｄ）2）、コバルト錯体（Ｃｏ（ｍｏｐｄ）2）、チタン錯体（Ｔｉ（ｍｏｐｄ）4）、ジルコニウム錯体（Ｚｒ（ｍｏｏｄ）4）及びハフニウム錯体（Ｈｆ（ｍｏｏｄ）4、Ｈｆ（ｍｏｍｄ）4及びＨｆ（ｍｏｈｄ）4）を用いて、ＣＶＤ法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。
評価試験には、酸素による金属酸化物薄膜の製造では図１に示す装置を、水蒸気による金属酸化膜の製造では図２に示す装置を使用した。気化器３（ガラス製アンプル）にある金属錯体２０は、ヒーター１０Ｂで加熱されて気化し、マスフローコントローラー１Ａを経て予熱器１０Ａで予熱後導入されたヘリウムガスに同伴し気化器３を出る。気化器３を出たガスは、マスフローコントローラー１Ｂ、ストップバルブ２を経て導入された酸素ガス（図１）、またはマスフコントローラー１Ｂ、２℃に冷却された水８を経て導入された水蒸気を含むヘリウムガス（図２）とともに反応器４に導入される。反応系内圧力は真空ポンプ手前のバルブ６の開閉により、所定圧力にコントロールされ、圧力計５によってモニターされる。ガラス製反応器の中央部はヒーター１０Ｃで加熱可能な構造となっている。反応器に導入された金属錯体は、反応器内中央部にセットされ、ヒータ１０Ｃで所定の温度に加熱された被蒸着基板２１の表面上で酸化熱分解し、基板２１上に金属酸化膜が析出する。反応器４を出たガスは、トラップ７、真空ポンプを経て、大気中に排気される構造となっている。
蒸着条件を次に示す。
［実施例Ｂ−１０〜Ｂ−１６］（図１の蒸着装置使用）
Ｈｅキャリア流量：３０ｍＬ／分
酸素流量：２０ｍＬ／分
基板：ＳｉＯ2／Ｓｉ（サイズ：７ｍｍ×４０ｍｍ）
基板温度：４００℃
反応器内圧力：５３２０Ｐａ
蒸着時間：３０分
［実施例Ｂ−１７〜Ｂ−１８］（図１の蒸着装置使用）
Ｈｅキャリア流量：３０ｍＬ／分
酸素流量：８０ｍＬ／分
基板：ＳｉＯ2／Ｓｉ（サイズ：７ｍｍ×４０ｍｍ）
基板温度：４５０℃
反応器内圧力：７９８０Ｐａ
蒸着時間：６０分
［実施例Ｂ−１９〜Ｂ−２１］（図２の蒸着装置使用）
金属錯体を給送するＨｅキャリア流量：６０ｍＬ／分
水蒸気を給送するＨｅキャリア流量：６０ｍＬ／分
基板：ＳｉＯ2／Ｓｉ（サイズ：７ｍｍ×４０ｍｍ）
基板温度：３００℃
反応器内圧力：２６６０Ｐａ
蒸着時間：６０分
蒸着結果（膜特性、生成物の分析はＸＰＳ分析による）を表５と表６に示す。
Figure 0004716193
Figure 0004716193
表５と表６の結果より、本発明の金属錯体が、優れた成膜性を有することが分かる。
［参考例９］（２−メトキシ−３，５−ヘプタンジオン（ｍｏｈｄ）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積２００ｍＬのフラスコに、カリウムｔ−ブトキシド２５．０ｇ（２２３ミリモル）を加え、反応系内をアルゴンで置換した後、メチルシクロヘキサン１００ｍＬを加えた。次いで、水冷下、参考例１の方法で合成した２−メトキシプロピオン酸メチル１２．５ｇ（１０６ミリモル）を滴下した後、２−ブタノン７．７０ｇ（１０７ミリモル）をゆるやかに滴下し、１０℃に冷却して、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、氷冷下、水７０ｍＬを加えた後、水層を分液した。分液した水層を酢酸で中和してメチルシクロヘキサンで抽出した後、メチルシクロヘキサン抽出液を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（７７℃、１．２６ｋＰａ）し、無色液体として、２−メトキシ−３，５−ヘプタンジオン１０．４ｇを得た（単離収率：６２％）。
［実施例Ｃ−１］（ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）銅（II）（Ｃｕ（ｍｏｐｄ）2）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、水酸化銅（II）０．９０６ｇ（９．２９ミリモル）及び塩化メチレン１０ｍＬを加えた後、参考例２の方法で合成した２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオン１．５７ｇ（９．１２ミリモル）をゆるやかに滴下し、室温にて攪拌しながら９０分間反応させた。反応終了後、反応液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（１７０℃、６３Ｐａ）し、紫色固体として、ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）銅（II）１．５０ｇを得た（単離収率：８１％）。
ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）銅（II）、以下の物性値で示される新規な化合物である。
融点：１０７℃
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：３４３６（ｂｒ）、２９７０、２９３３、２８７４、２８２７、１５７２、１５１３、１４３０、１３３４、１２４２、１１１４、１０５７、９１４、８１１、５８０（β−ジケトン特有のピーク（１６０７ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５７２ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ18Ｈ30Ｏ6Ｃｕ）：炭素５３．７％、水素７．４９％、銅１５．６％（理論値：炭素５３．３％、水素７．４５％、銅１５．７％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：４０５、３６２、２８７、２３５、１７５、１１３、５９
［実施例Ｃ−２］（ビス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）銅（II）（Ｃｕ（ｍｏｏｄ）2）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、参考例３の方法で合成した２−メトキシ−３，５−オクタンジオン１０．１ｇ（５８．４ミリモル）及びトルエン３０ｍＬを加えた後、５．６６質量％酢酸銅（II）水溶液２４．０ｇ（７．４８ミリモル）をゆるやかに滴下し、室温にて２０分間反応させた。反応終了後、トルエン層を分液した。得られたトルエン層に５．６６質量％酢酸銅（II）水溶液２４．０ｇ（７．４８ミリモル）をゆるやかに滴下し、室温にて２０分間反応させた後、トルエン層を分液した。その後、この操作を２回繰り返した。該トルエン層を水で洗浄した後に減圧下で濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（１７０℃、２７Ｐａ）し、紫色固体として、ビス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）銅（II）１０．６ｇを得た（単離収率：８７％）。
ビス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）銅（II）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
融点：７８℃
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：３４３１（ｂｒ）、２９６４、２９３３、２８７３、２８２１、１５６８、１５１８、１４４２、１３６６、１２０６、１１２７、９７０、８０２、５５３、４８０（β−ジケトン特有のピーク（１６０８ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５６８ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ18Ｈ30Ｏ6Ｃｕ）：炭素５３．８％、水素７．４３％、銅１５．７％（理論値：炭素５３．３％、水素７．４５％、銅１５．７％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：４０５、３４６、２８７、２３５、１７５、１１３、５９、２８
［実施例Ｃ−３］（ビス（２−メトキシ−３，５−ヘプタンジオナト）銅（II）（Ｃｕ（ｍｏｈｄ）2）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、参考例９の方法で合成した２−メトキシ−３，５−ヘプタンジオン５．０３ｇ（３１．８ミリモル）及びトルエン４０ｍＬを加えた後、９．０９質量％酢酸銅（II）水溶液３３．０ｇ（１６．５ミリモル）をゆるやかに滴下し、攪拌しながら室温にて６０分間反応させた。反応終了後、有機層を分液した後に減圧下で濃縮した。濃縮物を減圧蒸留（１６０℃、１７Ｐａ）し、紫色固体として、ビス（２−メトキシ−３，５−ヘプタンジオナト）銅（II）４．６０ｇを得た（単離収率：７７％）。
ビス（２−メトキシ−３，５−ヘプタンジオナト）銅（II）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
融点：１０４℃
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：３４３２（ｂｒ）、２９７８、２９３５、２８７９、２８２６、１５６９、１５１８、１４４３、１３４３、１２０７、１１２７、１０７４、８０８、５５１、４３４（β−ジケトン特有のピーク（１６１０ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５６９ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ16Ｈ26Ｏ6Ｃｕ）：炭素５０．８％、水素６．９８％、銅１６．８％（理論値：炭素５０．９％、水素６．９３％、銅１６．８％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：３７７、３１８、２５９、２２１、１６１、９９、５９
［実施例Ｃ−４〜Ｃ−６］（蒸着実験：銅薄膜の製造）
実施例Ｃ−１〜Ｃ−３で得られた銅錯体（Ｃｕ（ｍｏｐｄ）2、Ｃｕ（ｍｏｏｄ）2及びＣｕ（ｍｏｈｄ）2）を用いて、ＣＶＤ法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。評価試験には、図１に示す装置を使用したが、酸素ガスの代わりに水素ガスを反応性ガスとして用いた。
蒸着条件を次に示す。
Ｈｅキャリア流量：３０ｍＬ／分
水素流量：１２０ｍＬ／分
基板：ＳｉＯ2／Ｓｉ（サイズ：７ｍｍ×４０ｍｍ）
基板温度：２５０℃
反応器内圧力：７９８０Ｐａ
蒸着時間：３０分
蒸着結果（膜特性、生成物の分析はＸＰＳ分析による）を表７に示す。
Figure 0004716193
 注：生成した銅膜は、いずれも光沢のある金属色を示し、表面は均一な平滑面であった。
表７の結果より、本発明の金属錯体が、優れた成膜性を有することが分かる。
［実施例Ｄ−１］（トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）ランタン（III）（Ｌａ（ｍｏｐｄ）3）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、酢酸ランタン（III）１．０ｇ（３．１６ミリモル）、テトラヒドロフラン２０ｍＬ及び１０質量％水酸化ナトリウム水溶液５ｍｇ（２１．７ミリモル）を加えた後、参考例２の方法で合成した２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオン２．０ｇ（１１．６ミリモル）をゆるやかに滴下し、室温にて攪拌しながら９０分間反応させた。反応終了後、反応液を濾過した後に濾液を水で洗浄し、減圧下で濃縮した。濃縮物を減圧蒸留（２３０℃、２６．６Ｐａ）し、粘性のある無色液体として、トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）ランタン（III）０．９３ｇを得た（単離収率：４５％）。
トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）ランタン（III）、以下の物性値で示される新規な化合物である。
融点：２１℃
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：３４７７（ｂｒ）、２９６８、２９３１、２８７０、２８２７、１６０３、１５２５、１４８３、１３７１、１３３１、１２０９、１１５１、１１１４、１０６０、１０１９、９５５、９１０、８６５、８１１、７８２、５５３
元素分析（Ｃ27Ｈ45Ｏ9Ｌａ）：炭素５０．２％、水素６．９１％、ランタン２１．７％（理論値：炭素４９．７％、水素６．９５％、ランタン２１．３％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：６７５、４８１、３９８、３１０、１７３、１１３、５９
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，δ（ｐｐｍ））：１．２４（３Ｈ，ｄ）、１．３５（３Ｈ，ｄ）、２．２〜２．３（１Ｈ，ｍ）、３．３３（３Ｈ，ｓ）、３．５８〜３．６５（１Ｈ，ｑ）、５．１８（１Ｈ，ｓ）
［実施例Ｄ−２］（トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）サマリウム（III）（Ｓｍ（ｍｏｐｄ）3）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、酢酸サマリウム（III）１．０ｇ（２．５０ミリモル）、テトラヒドロフラン２０ｍＬ及び１０質量％水酸化ナトリウム水溶液５ｍｇ（２１．７ミリモル）を加えた後、参考例２の方法で合成した２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオン１．７２ｇ（１０．０ミリモル）をゆるやかに滴下し、室温にて攪拌しながら９０分間反応させた。反応終了後、反応液を濾過した後に濾液を水で洗浄し、減圧下で濃縮した。濃縮物を減圧蒸留（２３０℃、２６．６Ｐａ）し、粘性のある黄色液体として、トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）サマリウム（III）０．５８ｇを得た（単離収率：３５％）。
トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）サマリウム（III）、以下の物性値で示される新規な化合物である。
融点：２５℃
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９６８、２９３１、２８７０、２８２５、１６０５、１５２５、１４９５、１３７１、１３３１、１２１０、１１１３、１０２０、９１０、８０４、７８３
元素分析（Ｃ27Ｈ45Ｏ9Ｓｍ）：炭素４８．５％、水素６．８７％、サマリウム２２．１％（理論値：炭素４８．８％、水素６．８３％、サマリウム２２．６％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：６８８、４９４、３６８、３２４、１１３、５９
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，δ（ｐｐｍ））：０．８７〜０．９９（３Ｈ，ｂｒｄ）、１．１２（６Ｈ，ｍ）、２．５（１Ｈ，ｍ）、２．９（３Ｈ，ｂｒｓ）、３．２９〜３．６５（１Ｈ，ｂｒｓ）、５．６０〜５．７７（１Ｈ，ｂｒ）
［実施例Ｄ−３］（トリス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）ランタン（III）（Ｌａ（ｍｏｏｄ）3）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、酢酸ランタン（III）１．０ｇ（３．１６ミリモル）、テトラヒドロフラン２０ｍＬ及び１０質量％水酸化ナトリウム水溶液５ｍｇ（２１．７ミリモル）を加えた後、参考例６の方法で合成した２−メトキシ−３，５−オクタンジオン２．０ｇ（１１．６ミリモル）をゆるやかに滴下し、室温にて攪拌しながら９０分間反応させた。反応終了後、反応液を濾過した後に濾液を水で洗浄し、減圧下で濃縮した。濃縮物を減圧蒸留（２３０℃、２６．６Ｐａ）し、粘性のある無色液体として、トリス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）ランタン（III）０．５５ｇを得た（単離収率：２７％）。
トリス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）ランタン（III）、以下の物性値で示される新規な化合物である。
融点：１０℃
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９６１、２９３１、２８７３、２８２６、１６００、１５１８、１４７９、１３３８、１２０９、１１１６、１０１９、９６０、７８９
元素分析（Ｃ27Ｈ45Ｏ9Ｌａ）：炭素４９．５％、水素６．９９％、ランタン２０．９％（理論値：炭素４９．７％、水素６．９５％、ランタン２１．３％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：６７５、４８１、３９８、１４２、１１３、５９
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，δ（ｐｐｍ））：０．８６（３Ｈ，ｔ）、１．２３（３Ｈ，ｄ）、１．４８〜１．５８（２Ｈ，ｍ）、２．０５（２Ｈ，ｔ）、３．３２（３Ｈ，ｓ）、３．５７〜３．６４（１Ｈ，ｑ）、５．１９（１Ｈ，ｓ）
［実施例Ｄ−４］（蒸着実験：酸化ランタン薄膜の製造）
実施例Ｄ−１で得られたランタン錯体（Ｌａ（ｍｏｐｄ）3）を用いて、ＣＶＤ法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。評価試験には、図１に示す装置を使用した。
蒸着条件を次に示す。
Ｈｅキャリア流量：３０ｍＬ／分
酸素流量：１２０ｍＬ／分
基板：ＳｉＯ2／Ｓｉ（サイズ：７ｍｍ×４０ｍｍ）
基板温度：４５０℃
反応器内圧力：７９８０Ｐａ
蒸着時間：３０分
蒸着結果（膜特性、生成物の分析はＸＰＳ分析による）を表８に示す。
Figure 0004716193
表８の結果より、本発明の金属錯体が、優れた成膜性を有することが分かる。
［実施例Ｅ−１］（ビス（２−メトキシ−３，５−ヘプタンジオナト）鉛（II）（Ｐｂ（ｍｏｈｄ）2）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、塩化鉛（II）８．０４ｇ（２８．９ミリモル）をメチルシクロヘキサン４０ｍＬに懸濁させ、室温下、その懸濁液に参考例８の方法で合成した２−メトキシ−３，５−ヘプタンジオン１０．３５ｇ（６０．１ミリモル）をゆるやかに滴下した。その後、氷冷下１７％の水酸化ナトリウム水溶液１４．５ｇ（ＮａＯＨ６１ミリモル）を滴下し、室温にて、攪拌しながら１時間反応させた。反応終了後、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（１９０℃、２０Ｐａ）し、粘性のある黄色液体として、ビス（２−メトキシ−３，５−ヘプタンジオナト）鉛（II）７．５７ｇを得た（単離収率：５０％）。
ビス（２−メトキシ−３，５−ヘプタンジオナト）鉛（II）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９７６、２９３４、２８７７、２８２２、１５９４、１５１６、１４２０、１３７１、１３３５、１３０２、１２１０、１１１７、１０６８、１０１６、９４４、８８２、８２１、５１５（β−ジケトン特有のピーク（１６１０ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５９４ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ16Ｈ26Ｏ6Ｐｂ）：炭素３６．６％、水素５．０３％、鉛３９．５％（理論値：炭素３６．８％、水素５．０２％、鉛３９．７％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：５２２、４６３、３１１、９９、５９
［実施例Ｅ−２］（トリス（２−メトキシ−３，５−ヘキサンジオナト）インジウム（III）（Ｉｎ（ｍｏｍｄ）3）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、１４．８％水酸化ナトリウム水溶液１１．７ｇ（ＮａＯＨ４３．５ミリモル）を加え、氷冷下、参考例７の方法で合成した２−メトキシ−３，５−ヘキサンジオン６．５１ｇ（４５．５ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化インジウム（III）四水和物４．０４ｇ（１３．８ミリモル）をメタノール３０ｍＬに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、水温下、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、メチルシクロヘキサン５０ｍＬ及び水２０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（１８０℃、１５Ｐａ）し、粘性のある淡黄色液体として、トリス（２−メトキシ−３，５−ヘキサンジオナト）インジウム（III）５．９１ｇを得た（単離収率：７９％）。
トリス（２−メトキシ−３，５−ヘキサンジオナト）インジウム（III）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９８１、２９３３、２８８２、２８２４、１５７４、１５２３、１４１２、１３８７、１２６５、１２１２、１１１９、１０２５、９０９、８０６、５３８（β−ジケトン特有のピーク（１６１１ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５７４ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ21Ｈ33Ｏ9Ｉｎ）：炭素４６．６％、水素６．２０％、インジウム２１．０％（理論値：炭素４６．３％、水素６．１１％、インジウム２１．１％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：５４４、５１４、４０１、２８９、１９９、１１５、５９
［実施例Ｅ−３］（テトラキス（２−メトキシ−３，５−ヘキサンジオナト）ジルコニウム（IV）（Ｚｒ（ｍｏｍｄ）4）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、１０．８％水酸化ナトリウム水溶液２９．２ｇ（NaOH ７８．８ミリモル）を加え、氷冷下、参考例７の方法で合成した２−メトキシ−３，５−ヘキサンジオン１２．１ｇ（８３．６ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化ジルコニウム（IV）４．３３ｇ（１８．６ミリモル）をメタノール４０ｍＬに溶解させた溶液に、先ほど調製した水溶液を氷冷下ゆるやかに滴下し、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、メチルシクロヘキサン４０ｍＬ及び水５０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（２２０℃、２４Ｐａ）し、粘性のある無色液体として、テトラキス（２−メトキシ−３，５−ヘキサンジオナト）ジルコニウム（IV）５．７８ｇを得た（単離収率：４７％）。
テトラキス（２−メトキシ−３，５−ヘキサンジオナト）ジルコニウム（IV）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９７９、２９３２、２８７３、２８２３、１５９７、１５２６、１４１４、１３６１、１２７２、１２１１、１１２０、１０２３、７９４、５１６、４１９（β−ジケトン特有のピーク（１６１１ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５９７ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ28Ｈ44Ｏ12Ｚｒ）：炭素５０．９％、水素６．７１％、ジルコニウム１３．６％（理論値：炭素５０．７％、水素６．６８％、ジルコニウム１３．７％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：５１９、１９３、１０９、８５、５９
［実施例Ｅ−４］（ビス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）ニッケル（II）（Ｎｉ（ｍｏｏｄ）2）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液１４．１ｇ（７３．１ミリモル）およびメタノール １５ｍＬを加え、氷冷下、参考例６の方法で合成した２−メトキシ−３，５−オクタンジオン１２．６ｇ（７３．２ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化ニッケル（II）６水和物１０．０ｇ（１１．５ミリモル）をメタノール３０ｍＬに溶かした溶液を氷冷下滴下し、室温にて、攪拌しながら１時間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、塩化メチレン５０ｍＬ及び水５０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（２３０℃、４０Ｐａ）し、暗緑色固体として、ビス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）ニッケル（II）７．２０ｇを得た（単離収率：４３％）。
ビス（２−メトキシ−３，５−オクタンジオナト）ニッケル（II）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
融点：５７℃
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：３４１５（ｂｒ）、２９６３、２９３３、２８７４、２８２３、１５９８、１５２０、１４３１、１３３４、１２１１、１１１７、１０１７、９６０、７９５、５５８（β−ジケトン特有のピーク（１６０８ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５９８ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ18Ｈ30Ｏ6Ｎｉ）：炭素５３．７％、水素７．５９％、ニッケル１４．５％（理論値：炭素５３．９％、水素７．５４％、ニッケル１４．６％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：４００、３４１、１１３、５９
［実施例Ｅ−５］（テトラキス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）ハフニウム（IV）（Ｈｆ（ｍｏｐｄ）4）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液３．９５ｇ（２０ミリモル）およびメタノール １０ｍＬを加え、氷冷下、参考例２の方法で合成した２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオン２１．２ｇ（３．６５ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化ハフニウム（IV）１．６０ｇ（５．００ミリモル）をメタノール ６ｍＬに溶かした溶液を氷冷下滴下し、室温にて、攪拌しながら１時間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、ヘキサン１０ｍＬを加えて濾過後、濾液を濃縮した。濃縮物を減圧蒸留（２２０℃、２４Ｐａ）し、淡黄色固体として、ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）ハフニウム（IV）３．００ｇを得た（単離収率：７０％）。
ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）ハフニウム（IV）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
融点：１６０℃
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：３４１４（ｂｒ）、２９７４、２９３２、２８７１、２８２３、１５８２、１５３４、１４３３、１３２９、１２４０、１２１０、１１２０、１０６０、９６９、９１５、７９７、５４４（β−ジケトン特有のピーク（１６０７ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５８２ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ36Ｈ60Ｏ12Ｈｆ）：炭素５０．３％、水素７．１０％、ハフニウム２０．５％（理論値：炭素５０．１％、水素７．００％、ハフニウム２０．７％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：６９３、１１３、５９
［実施例Ｅ−６］（テトラキス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）ジルコニウム（IV）（Ｚｒ（ｍｏｐｄ）4）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液４．７０ｇ（２４．４ミリモル）およびメタノール１０ｍＬを加え、氷冷下、参考例２の方法で合成した２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオン４．２０ｇ（２４．４ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化ジルコニウム（IV）１．３８ｇ（５．９２ミリモル）をメタノール ４ｍＬに溶かした溶液を氷冷下滴下し、室温にて、攪拌しながら１時間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、ヘキサン３０ｍＬ及び水３０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（２２０℃、２５Ｐａ）し、淡黄色固体として、ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）ジルコニウム（IV）１．２７ｇを得た（単離収率：２８％）。
ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）ジルコニウム（IV）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
融点：１６５℃
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９７４、２９３２、２８７１、２８２３、１５８０、１５３３、１４３１、１３２９、１２３８、１２１０、１１２０、１０６０、９６９、９１４、７９７、５７５、５４２（β−ジケトン特有のピーク（１６０７ｃｍ-1）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５８０ｃｍ-1）が観察された）
元素分析（Ｃ36Ｈ60Ｏ12Ｚｒ）：炭素５５．３％、水素７．７２％、ジルコニウム１１．３％（理論値：炭素５５．７％、水素７．７９％、ジルコニウム１１．８％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：６０３、１１３、５９
［実施例Ｅ−７］（トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）イットリウム（IV）（Ｙ（ｍｏｐｄ）3）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍＬのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液５．１２ｇ（２６．５ミリモル）およびメタノール １０ｍＬを加え、氷冷下、参考例２の方法で合成した２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオン４．６０ｇ（２６．７ミリモル）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化イットリウム６水和物（III）２．６２ｇ（８．６４ミリモル）をメタノール ２０ｍＬに溶かした溶液を室温下滴下し、室温にて、攪拌しながら１時間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、ヘキサン３０ｍＬ及び水３０ｍＬを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（２２０℃、３５Ｐａ）し、橙色ガラス状固体として、トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）イットリウム（III）２．４３ｇを得た（単離収率：４７％）。
トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）イットリウム（III）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
融点：３８℃
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：３４３５（ｂｒ）、２９７３、２９３２、２８７１、２８２２、１６０８、１５３１、１４３２、１３３１、１２１１、１１５２、１１１８、１０２２、９１２、７８７、５５９
元素分析（Ｃ27Ｈ45Ｏ9Ｙ）：炭素５５．３％、水素７．７２％、イットリウム１１．３％（理論値：炭素５３．８％、水素７．５３％、イットリウム１４．８％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：６２５、６０２、５７１、５５９、５４３、４３１、３３９、２５９、１１３、５９
［参考例１０］（２−メトキシ−３，５−ヘキサンジオン（ｍｏｍｄ）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積３００ｍＬのフラスコに、カリウムｔ−ブトキシド２９．０ｇ（２５８ミリモル）を加え、反応系内をアルゴンで置換した後、メチルシクロヘキサン１２０ｍＬを加えた。次いで、水冷下、参考例１の方法で合成した２−メトキシプロピオン酸メチル１５．０ｇ（１２７ミリモル）を滴下した後、アセトン７．４０ｇ（１２７ミリモル）をゆるやかに滴下し、１０℃に冷却して、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、氷冷下、水１２００ｍＬを加えた後、水層を分液した。分液した水層を酢酸で中和してメチルシクロヘキサンで抽出した後、メチルシクロヘキサン抽出液を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（６６℃、１．３８ｋＰａ）し、無色液体として、２−メトキシ−３，５−ヘキサンジオン９．６３ｇを得た（単離収率：５３％）。
２−メトキシ−３，５−ヘキサンジオンの物性値は以下の通りであった。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，δ（ｐｐｍ））：１．２９（０．３Ｈ，ｄ）、１．３５（２．７Ｈ，ｄ）、２．１１（２．７Ｈ，ｓ）、２．２６（０．３Ｈ，ｓ）、３．３６（２．７Ｈ，ｓ）、３．３７（０．３Ｈ，ｓ）、３．６４（０．２Ｈ，ｓ）、３．７０〜３．７７（１Ｈ，ｍ）、５．８０（０．９Ｈ，ｓ）、１５．３（０．９Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ-1））：２９８７、２９３７、２８２８、１６１１（ｂｒ）、１４５１、１３６８、１３３７、１２３９、１２１１、１１１９、１０５８、１０１８、９０３、８０１、８１４（なお、１６１１ｃｍ-1のピークは、β−ジケトン特有のピークである。）
ＭＳ（ｍ／ｅ）：１１４、８５、５９、４３
［実施例Ｅ−８〜Ｅ−１４］（蒸着実験：金属酸化物薄膜の製造）
実施例Ｅ−１〜Ｅ−７で得られた金属錯体のそれぞれを用いて、ＣＶＤ法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。評価試験には、図１に示す装置を用いた。
蒸着条件を次に示す。
［実施例Ｅ−８］（酸素と共にＨｅを供給して酸素を希釈した）
Ｈｅキャリア流量：１５ｍＬ／分
酸素流量：８０ｍＬ／分
酸素希釈用Ｈｅ流量：１０５ｍＬ／分
基板：ＳｉＯ2／Ｓｉ（サイズ：７ｍｍ×４０ｍｍ）
基板温度：４００℃
反応器内圧力：７９８０Ｐａ
蒸着時間：６０分
［実施例Ｅ−９、Ｅ−１２、Ｅ−１３］
Ｈｅキャリア流量：３０ｍＬ／分
酸素流量：２０ｍＬ／分
基板：ＳｉＯ2／Ｓｉ（サイズ：７ｍｍ×４０ｍｍ）
基板温度：４００℃
反応器内圧力：５３２０Ｐａ
蒸着時間：３０分
［実施例Ｅ−１０］（酸素と共にＨｅを供給して酸素を希釈した）
Ｈｅキャリア流量：３０ｍＬ／分
酸素流量：８０ｍＬ／分
酸素希釈用Ｈｅ流量：９０ｍＬ／分
基板：ＳｉＯ2／Ｓｉ（サイズ：７ｍｍ×４０ｍｍ）
基板温度：４００℃
反応器内圧力：１９．９ｋＰａ
蒸着時間：６０分
［実施例Ｅ−１１］（酸素と共にＨｅを供給して酸素を希釈した）
Ｈｅキャリア流量：６０ｍＬ／分
酸素流量：８０ｍＬ／分
酸素希釈用Ｈｅ流量：６０ｍＬ／分
基板：ＳｉＯ2／Ｓｉ（サイズ：７ｍｍ×４０ｍｍ）
基板温度：４００℃
反応器内圧力：７９８０Ｐａ
蒸着時間：６０分
［実施例Ｅ−１４］
Ｈｅキャリア流量：３０ｍＬ／分
酸素流量：２０ｍＬ／分
基板：ＳｉＯ2／Ｓｉ（サイズ：７ｍｍ×４０ｍｍ）
基板温度：４５０℃
反応器内圧力：５３２０Ｐａ
蒸着時間：３０分
蒸着結果（膜特性、生成物の分析はＸＰＳ分析による）を表９に示す。
Figure 0004716193
表９の結果より、本発明の金属錯体が、優れた成膜性を有することが分かる。
蒸着装置の構成を示す図である。
水蒸気により金属酸化膜を製造する蒸着装置の構成を示す図である。
符号の説明
１Ａ マスフローコントローラ
１Ｂ マスフローコントローラ
２ ストップバルブ
３ 気化器
４ 反応器
５ 圧力計
６ バルブ
７ トラップ
８ 水
９ 冷却器
１０Ａ 予熱器
１０Ｂ 気化器ヒータ
１０Ｃ 反応器ヒータ
２０ 原料金属錯体融液もしくは溶液
２１ 基板

Claims (17)

  1. 式（３）：
    Figure 0004716193
     （式中、Ｍは、金属原子を示し、Ｘは、上記式（２）で表わされるアルコキシアルキルメチル基（式中、Ｒ a 及びＲ b は、それぞれ独立に、炭素原子数１〜５の直鎖もしくは分枝状のアルキル基を表わす）を表わし、Ｙは、上記式（２）の基または炭素原子数１〜８の直鎖もしくは分枝状のアルキル基を表わし、Ｚは、水素原子または炭素原子数１〜４のアルキル基を表わし、ｎは、１〜４の整数を表わす）
    で表される金属錯体。
  2. Ｍが、周期律表第IIA族、第IIB族、第IIIB族、第IVB族または第VA族の金属原子である請求項１に記載の金属錯体。
  3. Ｍが、マグネシウム原子、カルシウム原子、ストロンチウム原子、バリウム原子、亜鉛原子、ホウ素原子、アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、鉛原子、バナジウム原子、ニオブ原子及びタンタル原子からなる群より選ばれる金属原子である請求項１に記載の金属錯体。
  4. Ｍが、周期律表第IVA族、第VIA族、第VIIA族または第VIII族の金属原子である請求項１に記載の金属錯体。
  5. Ｍが、チタン原子、ジルコニウム原子、ハフニウム原子、クロム原子、マンガン原子、ニッケル原子、コバルト原子、鉄原子、ルテニウム原子及びイリジウム原子からなる群より選ばれる金属原子である請求項１に記載の金属錯体。
  6. Ｍが、周期律表第IB族の金属原子であって、ｎが１または２である請求項１に記載の金属錯体。
  7. Ｍが、銅原子、銀原子及び金原子からなる群より選ばれる金属原子であって、ｎが１または２である請求項１に記載の金属錯体。
  8. Ｍが希土類金属原子であって、ｎが３もしくは４である請求項１に記載の金属錯体。
  9. Ｍが、イットリウム原子、ランタン原子、セリウム原子、プラセオジム原子、ネオジム原子、サマリウム原子、ユーロピウム原子、エルビウム原子、イットリビウム原子及びルテチウム原子からなる群より選ばれる金属原子であって、ｎが３もしくは４である請求項１に記載の金属錯体。
  10. 請求項１に記載の金属錯体を加熱して金属錯体蒸気とし、基板を装着した反応容器内に供給する工程、そして金属錯体蒸気を反応容器内にて加熱下に酸素もしくは水蒸気と接触させて熱分解して金属酸化物蒸気に変換し、該金属酸化物蒸気を基板表面に堆積させる工程からなる金属酸化物薄膜の製造方法。
  11. 金属錯体の加熱に際して、金属錯体を有機溶媒に溶解した溶液として加熱する請求項１０に記載の金属酸化物薄膜の製造方法。
  12. 有機溶媒が、脂肪族炭化水素溶媒、芳香族炭化水素溶媒もしくはエーテル溶媒である請求項１１に記載の金属酸化物薄膜の製造方法。
  13. 請求項１に記載の金属錯体を加熱して金属錯体蒸気とし、基板を装着した反応容器内に供給する工程、そして金属錯体蒸気を反応容器内にて加熱下に水素と接触させて熱分解して金属蒸気に変換し、該金属蒸気を基板表面に堆積させる工程からなる金属薄膜の製造方法。
  14. 金属錯体の加熱に際して、金属錯体を有機溶媒に溶解した溶液として加熱する請求項１３に記載の金属薄膜の製造方法。
  15. 有機溶媒が、脂肪族炭化水素溶媒、芳香族炭化水素溶媒もしくはエーテル溶媒である請求項１４に記載の金属薄膜の製造方法。
  16. 金属供給源として請求項１に記載の金属錯体を用いて金属含有薄膜を製造する方法。
  17. 金属薄膜の製造を化学気相蒸着法にて行なう請求項１６に記載の金属含有薄膜の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9194041B2 (en) 2011-11-02 2015-11-24 Ube Industries, Ltd. Tris(dialkylamide)aluminum compound, and method for producing aluminum-containing thin film using same

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4565897B2 (ja) * 2004-06-14 2010-10-20 株式会社Adeka 薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
JP4797474B2 (ja) * 2004-07-16 2011-10-19 宇部興産株式会社 アルコキシアルキルメチル基を有するβ−ジケトナト及びアルコキシを配位子とする金属錯体及び当該金属錯体を用いた金属含有薄膜の製法
EP2053036A4 (en) * 2006-07-27 2011-04-13 Ube Industries ORGANUTOUTHENIUM COMPLEX AND METHOD FOR PRODUCING A THIN RUBBER FILM FILM USING THE RUTHENIUM COMPLEX
JP4908275B2 (ja) * 2007-03-16 2012-04-04 宇部興産株式会社 酸化亜鉛微細結晶を接着した基板、およびその製造方法
JP5323425B2 (ja) * 2007-09-03 2013-10-23 株式会社アルバック 半導体装置の製造方法
TW200912025A (en) * 2007-09-03 2009-03-16 Ulvac Inc Method for manufacturing semiconductor device
JP5540690B2 (ja) * 2009-12-21 2014-07-02 宇部興産株式会社 有機銅錯体及び当該有機銅錯体を用いる銅含有薄膜の製造法
US9354508B2 (en) 2013-03-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Planarized extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor
US20140272684A1 (en) 2013-03-12 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor
US9632411B2 (en) * 2013-03-14 2017-04-25 Applied Materials, Inc. Vapor deposition deposited photoresist, and manufacturing and lithography systems therefor
JP6332272B2 (ja) * 2013-08-07 2018-05-30 株式会社ニコン 金属酸化物膜の製造方法、及びトランジスタの製造方法
WO2019238261A1 (en) * 2018-06-15 2019-12-19 Ramirez Rios Liliana Patricia METAL COMPLEXES OF β-DIKETONES AND/OR POLYPHENOLS BY GREEN CHEMISTRY, PREPARATION METHOD THEREOF, SUNSCREEN THEREOF, SKIN OR HAIR TONE CONCEALER THEREOF, HAIR DYEING THEREOF AND OTHER USES THEREOF
JP7461194B2 (ja) 2020-03-27 2024-04-03 株式会社オートネットワーク技術研究所 金属架橋性高分子組成物、金属架橋高分子材料、金属部材、ワイヤーハーネスならびに金属架橋高分子材料の製造方法
CN111807944B (zh) * 2020-08-14 2022-08-30 安徽大学 一种pvc热稳定剂锡掺杂乙酰丙酮镧的制备方法
CN116490552B (zh) 2020-11-16 2024-10-01 株式会社自动网络技术研究所 交联性高分子组合物、交联高分子材料、金属构件和线束
JP7642677B2 (ja) 2020-12-11 2025-03-10 株式会社オートネットワーク技術研究所 金属部材およびワイヤーハーネス
JP6980324B1 (ja) * 2021-03-08 2021-12-15 株式会社クリエイティブコーティングス チタン酸バリウム膜の製造方法
AU2024324311A1 (en) * 2023-08-15 2026-02-19 Perspective Therapeutics, Inc. Systems and methods for generating lead

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09136857A (ja) * 1995-11-14 1997-05-27 Asahi Denka Kogyo Kk β−ジケトン化合物およびその金属錯体
JP2002371359A (ja) * 2001-06-14 2002-12-26 Samsung Electronics Co Ltd β−ジケトンの配位子を有する有機金属錯体を利用した原子層蒸着方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1383492A (en) 1970-12-21 1974-02-12 Unilever Ltd Dicarbonyl compounds and preparation of dihydrofuranones therefrom
JP4187373B2 (ja) 1999-12-27 2008-11-26 株式会社Ａｄｅｋａ 化学気相成長用銅原料及びこれを用いた薄膜の製造方法
RU2219224C2 (ru) 1999-12-28 2003-12-20 Панин Александр Андреевич Многофункциональная присадка к смазочной композиции

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09136857A (ja) * 1995-11-14 1997-05-27 Asahi Denka Kogyo Kk β−ジケトン化合物およびその金属錯体
JP2002371359A (ja) * 2001-06-14 2002-12-26 Samsung Electronics Co Ltd β−ジケトンの配位子を有する有機金属錯体を利用した原子層蒸着方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9194041B2 (en) 2011-11-02 2015-11-24 Ube Industries, Ltd. Tris(dialkylamide)aluminum compound, and method for producing aluminum-containing thin film using same

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