JP4766049B2 - 部品内蔵モジュールの製造方法および部品内蔵モジュール - Google Patents

Description

本発明は、樹脂層の内部に回路部品が内蔵された部品内蔵モジュールの製造方法および部品内蔵モジュールに関するものである。

近年、電子機器の高機能化、小型化に伴い、回路基板に実装される電子部品のさらなる小型化と、高密度化が求められている。このような状況において、樹脂層の内部に複数の回路部品を内蔵することによって、高密度化を図る部品内蔵モジュールが提案されている。

特許文献１には、絶縁性基板に内蔵される回路部品を接続するための回路パターンの形成に関する部品内蔵モジュールの２つの典型的な製造方法が記載されている。
特許文献１の図２には、パターンニングされていないベタの銅箔上に回路部品を実装し、回路部品を樹脂で固めた後で、裏側から銅箔をエッチングすることにより回路パターンを形成する方法が記載されている。
また、特許文献１の図３には、離型フィルム上に回路パターンを形成し、その上に回路部品を実装し、回路部品を樹脂で固めた後、離型フィルムを剥がす方法が記載されている。

前者の方法の場合、回路部品をベタの銅箔に接続するため、銅箔の中で部品実装用ランド（フットパターン）に相当する部分とそれ以外の配線部分との区別がない。そのため、例えば回路部品を銅箔に半田接続する際、部品が所定位置から動いてしまったり、半田が隣接するランド部分まで流れるといった問題が発生することがある。

一方、後者の場合には、離型フィルム上に形成されたパターン上に部品が実装されるため、部品の動きやはんだ流れは前者に比べて抑制されるが、部品実装用ランドとそれ以外の配線部分とが連続しているため、リフロー時に部品間を接続する配線を介して部品が移動する可能性は依然として残る。また、はんだバンプによって回路部品を回路パターンに接続する場合には、端子間配線部に半田が流れ、バンプ高さがリフロー後に均一にならず、端子への応力に偏りが発生するという問題がある。

このような問題に対処するため、はんだレジスト膜を銅箔あるいは回路パターン上に形成する方法があるが、レジスト膜の追加を必要とし、モジュールの薄型・低背化を損なうとともに、工程が増え、コスト上昇を招く結果となる。また、はんだレジスト膜を部品実装面に形成し、その上に樹脂層を積層すると、部品実装面と樹脂層との密着力が十分でなくなり、樹脂層とレジスト膜との間、あるいはレジスト膜と電極との間に隙間が発生しやすくなる。その隙間のために、モジュールを回路基板（マザーボードなど）と半田接合を行う際の高温によって、モジュール内で再溶融して膨張した半田が上記隙間に流出し、半田フラッシュが発生する可能性がある。さらに、配線とレジストの位置ずれを見込む必要があり、部品の端子間距離が短い場合に基板側の設計が対応できなくなる課題があった。

上記課題は、回路部品をベタ電極または回路パターンに対して半田を用いて接続する場合の課題であるが、半田を用いる以外に、導電性接着剤や金属バンプを用いて接続する場合でも、導電性接着剤が余計な部分まで流れたり、回路部品が所定位置に対してずれる可能性がある。そのため、回路部品の位置が一定せず、信頼性が低下する恐れがあった。
特開平１１−２２０２６２号公報

そこで、本発明の好ましい実施形態の目的は、回路部品を所定の実装位置に安定して実装でき、信頼性の高い部品内蔵モジュールの製造方法および部品内蔵モジュールを提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明に係る部品内蔵モジュールの製造方法は、転写板の上に配線部を有しない複数の部品実装用ランドを島状に独立して形成する第１の工程と、上記転写板上に形成された部品実装用ランドに回路部品を接続する第２の工程と、上記転写板の上に上記回路部品を覆うように絶縁性の樹脂層を形成してこの樹脂層を硬化させ、上記樹脂層の内部に回路部品を埋設する第３の工程と、上記樹脂層から上記転写板を剥離し、上記樹脂層に上記部品実装用ランドを転写する第４の工程と、上記部品実装用ランドが露出した上記樹脂層の裏面に、上記部品実装用ランド間を接続しあるいは部品実装用ランドと他部とを接続するための配線部を上記部品実装用ランドに重ねて形成する第５の工程と、を含む。

本発明に係る部品内蔵モジュールは、第１主面と第２主面とを有する絶縁性の樹脂層を備え、上記樹脂層の第１主面に沿って、島状に独立した複数の部品実装用ランドとこれらランドに接続された配線部とが形成され、上記部品実装用ランドの表面に回路部品が接続され、上記回路部品は上記樹脂層の内部に埋設されており、上記部品実装用ランドは、その裏面が上記樹脂層の第１主面と同一面となるように上記樹脂層に埋設されており、上記配線部は、上記部品実装用ランドと重なるように上記樹脂層の第１主面上に形成されていることを特徴とする。

本発明に係る部品内蔵モジュールの製造方法では、転写板の上に島状に独立して形成された部品実装用ランドに回路部品を接続する。つまり、ランド間を結ぶ配線がないので、例えば半田を用いて実装する場合に、半田がランドを越えて流れることがない。そのため、部品の動きやはんだ流れを抑制でき、信頼性の高い部品内蔵モジュールを得ることができる。
同様に、ＩＣのように半田バンプを用いて実装する場合に、リフロー時に溶融したバンプが配線部分に流れて形状が変形することがないので、実装信頼性の劣化を防ぐことができる。
上記のように部品の動きに伴う部品同士の接触や、端子間の短絡を考慮する必要がなくなるので、より高密度に部品実装することが可能になり、モジュールの小型化、高機能化を図ることができる。
さらに、部品実装面にはんだレジスト膜を形成する必要がないので、モジュールの薄型・低背化を損なうことがなく、工程の削減、コスト低減を実現できるとともに、部品実装面と樹脂層とが強く密着するので、半田フラッシュの発生を抑えることができる。また、配線とレジストの位置ずれを見込む必要がないので、ランド間距離を短くでき、狭端子ピッチの部品や、チップ部品間を狭隣接に実装することができる。

回路部品を部品実装用ランドに実装する際、ランドには引張りや捩れなどの応力が作用する。従来のようにランドと配線パターンとが連続して形成されている場合には、上記応力のためにランドだけでなく配線パターンにもクラックや歪みなどが発生する可能性があるが、本発明ではランド間を結ぶ配線がないので、回路部品の実装時にランドにクラック等が発生しても、そのクラックが配線部分に波及することがない。部品実装用ランドの裏側には配線パターンが重ねて形成されるため、ランドにクラック等があっても、それを配線パターンによって補修でき、信頼性を向上させることができる。

上記部品実装用ランドは、上記回路部品を半田付けにより接続するためのランドであるのが望ましい。
回路部品をランドに半田付けする場合、溶融した半田のために回路部品が動きやすいが、ランドが島状に形成されている（配線部分と連続していない）ため、回路部品の動きがランドの範囲内に制約され、動きを抑制できるとともに、半田の流れを規制でき、異なる電位部分との短絡を防止できる。

上記第１の工程は、上記転写板の上に上記部品実装用ランドと同時に、上記部品実装用ランドと離れたビアランドを形成する工程を含み、上記第３の工程の後に、上記樹脂層の表面に、上記ビアランドとビアホールを介して導通する導体パターンを形成する工程を有するのが望ましい。
基板となる樹脂層の裏面に配線パターンを形成した場合、樹脂層の表面にも導体パターンを形成し、この導体パターンと配線パターンとをビアホールを介して接続する必要が生じることがある。その場合に、部品実装用ランドと同時にビアランドを形成しておけば、ビアホールとビアランドとの導通が確実になり、信頼性の高い部品内蔵モジュールを実現できる。

上記第５の工程において、上記配線パターンは上記部品実装用ランドを覆い、かつ上記部品実装ランドの外周より大きく形成されることが望ましい。
回路部品をランドに半田付けすると、半田がランドの側面に回り込み、樹脂層の裏面に露出することがある。このような状態で、第５の工程においてめっき工法にて配線パターンを形成する場合、エッチング処理の際に露出した半田がエッチング液により侵食され、半田接合の信頼性が低下する時がある。この不具合を回避するために、配線パターンは部品実装用ランドを覆い、かつ部品実装ランドの外周より幾分大きくなるように形成する。これにより、樹脂層裏面に露出した半田を配線パターンが覆うため、エッチング液による半田の侵食を防止できる。配線パターンは樹脂層の裏面に露出した半田を十分に覆う形状にすることがさらに望ましい。
上述したように配線パターンを形成することにより、更に以下のような効果を奏する。配線パターン自体が半田を覆うことにより、ソルダーレジストを使用することなく半田の露出を防止できる。このため回路基板への実装時の熱膨張でソルダーレジストと樹脂層との界面に空隙が発生するという問題が生じず、この空隙への半田の流れ出しを防止できる。

上記第５の工程の後、上記配線パターンが形成された樹脂層の裏面に、少なくとも１層のさらなる樹脂層を積層する工程と、上記積層された最下層の樹脂層の裏面に、上記回路部品と電気的に接続された端子電極を形成する工程と、を有するのが望ましい。
本部品内蔵モジュールを回路基板（マザーボード）などに実装する場合、配線パターンが形成された樹脂層の裏面を実装面としてもよいが、配線パターンが露出しているため、配線パターンが回路基板の異電位部分と短絡する恐れがある。その場合、配線パターンをレジスト膜のような絶縁膜で覆ってもよいが、実装面と配線パターンとが近いため、回路基板への実装時の高温でランドに接続された回路部品の半田が再溶融しやすくなる。そこで、樹脂層の裏面に更なる樹脂層を積層し、その樹脂層の裏面に端子電極を形成することで、配線パターンを他の部分と絶縁できるとともに、樹脂層の断熱効果によって回路基板への実装時の熱による影響を小さくでき、回路部品の半田の再溶融を抑制できる。
配線パターンが形成された樹脂層の裏面に積層されるさらなる樹脂層は、１層でもよいし、２層以上であってもよい。この更なる樹脂層の中に、別の回路部品を内蔵してもよいし、配線パターンを形成してもよい。望ましくは、最下層の樹脂層には回路部品を内蔵しない方がよい。配線パターンと最下層の樹脂層の裏面に形成された端子電極との間とを電気的に接続するために、適宜ビアホールを用いることができる。

本部品内蔵モジュールでは、部品実装用ランドに配線部が重ねて形成されるので、この重なり部分が部品実装用ランドと隣接する配線部に比べて厚肉に形成されている。そのため、部品実装用ランドの強度が他の配線部分に比べて高く、回路部品とランドとの間に働く応力に耐えることができ、接続信頼性の高いモジュールを実現できる。

上記樹脂層の第１主面の上記部品実装用ランドと離れた位置に、上記配線部に接続されたビアランドが形成されており、上記樹脂層の上記第１主面と対向する第２主面に、導体パターンが形成されており、上記樹脂層には、上記ビアランドと導体パターンとを導通させるビアホールが形成されているのがよい。
基板となる樹脂層の一主面に配線パターンを形成した場合、樹脂層の他主面にも導体パターンを形成し、この導体パターンと配線パターンとをビアホールを介して接続する必要が生じることがある。その場合に、部品実装用ランドと同時にビアランドを形成しておけば、ビアホールとビアランドとの導通が確実になり、信頼性の高い部品内蔵モジュールを実現できる。

上記樹脂層の一主面に、少なくとも１層のさらなる樹脂層を積層し、上記積層された最下層の樹脂層の裏面に、上記回路部品と電気的に接続された端子電極を形成してもよい。この場合には、配線パターンがさらなる樹脂層で覆われるので、外部と短絡する恐れがなくなる。そして、本部品内蔵モジュールを回路基板などに実装する場合に、端子電極を用いて簡単に表面実装することができる。

以上のように、本発明に係る部品内蔵モジュールの製造方法では、転写板の上に複数の部品実装用ランドを島状に独立して形成し、そのランドに回路部品を接続するようにしたので、回路部品接続時にランド間を結ぶ配線部分が存在せず、例えば半田を用いて実装する場合に、半田が配線部分に流れることがなく、部品の動きやはんだ流れを抑制でき、接続信頼性の高い部品内蔵モジュールを得ることができる。
また、はんだレジストを形成する必要がないので、モジュールの薄型・低背化を損なうことがなく、工程の削減、コスト低減を実現できるとともに、半田フラッシュの発生を抑えることができる。
本部品内蔵モジュールでは、部品実装用ランドが隣接する配線パターンに比べて厚肉に形成されているため、部品実装用ランドの強度が配線パターンに比べて高く、回路部品とランドとの接合強度を高めることができる。そのため、接続信頼性の高いモジュールを実現できる。

本発明にかかる部品内蔵モジュールの第１実施形態の断面図である。 （ａ）は通常の半田ペーストを用いた場合の図１のII部分の拡大図であり、（ｂ）は樹脂入り半田ペーストを用いた場合の図１のII部分の拡大図である。 図１に示す部品内蔵モジュールの製造工程の前半を示す工程図である。 図１に示す部品内蔵モジュールの製造工程の後半を示す工程図である。 本発明にかかる部品内蔵モジュールの第２実施形態の断面図である。 図３（ｆ）のVI部分を樹脂層の下側から見た部分拡大図である。 図４（ｈ）のVII部分を樹脂層の下側から見た部分拡大図である。

符号の説明

Ａ，Ｂ 部品内蔵モジュール
１，１Ａ モジュール基板
２ 配線パターン
３ 部品実装用ランド
４，４ａ，４ｂ 回路部品
５ 半田
６ 半田バンプ
７ ビアランド
８ ビアホール
９ 導体パターン
１０ 端子電極
１１ グランド電極

以下に、本発明の好ましい実施の形態を図面を参照して説明する。
（第１の実施形態）
図１，図２は本発明にかかる部品内蔵モジュールの好ましい第１実施形態を示す。
このモジュールＡは、熱硬化性樹脂よりなる電気絶縁性のモジュール基板１を備えており、モジュール基板１は上側の樹脂層１ａと下側の樹脂層１ｂとの２層構造となっている。
モジュール基板１の内部、つまり上側の樹脂層１ａと下側の樹脂層１ｂとの境界面には、複数の部品実装用ランド３とそれらを接続する配線パターン２が設けられている。ランド３は、図２（ａ）に示すように配線パターン２の上に重ねて形成されており、ランド部分は２層構造となっている。ランド３は上側の樹脂層１ａに埋設されており、配線パターン２は下側の樹脂層１ｂに埋設されている。

各ランド３の上には、回路部品４が半田５，６によって実装されている。回路部品４には、チップコンデンサ、チップインダクタ、チップ抵抗などのチップ部品４ａのほか、パワーアンプ用トランジスタのような多端子を持つ半導体素子（ＩＣ）４ｂなどが含まれている。なお、ランド３および配線パターン２と樹脂層１ａ，１ｂとの間には、はんだレジストは介在していない。この例では、図２（ａ）に示すように、チップ部品４ａはランド３に対して半田５によって表面実装されており、半導体素子４ｂはランド３に対して半田バンプ６によってフリップチップ実装されている。

樹脂層１ａと樹脂層１ｂとの境界面には、部品実装用ランド３の他にビアランド７も形成されており、このビアランド７も配線パターン２によって部品搭載用ランド３と接続されている。ビアランド７は、樹脂層１ａを厚み方向に貫通するビアホール８を介して樹脂層１ａの上面に形成されたビアランドあるいは導体パターン９と接続されている。なお、ビアランド７を省略して、配線パターン２と導体パターン９とをビアホール８を介して接続することもできる。

下側の樹脂層１ｂの下面には、複数の端子電極１０と、広い面積を持つグランド電極１１とが形成されている。グランド電極１１は、シールド用電極として用いることができる。端子電極１０およびグランド電極１１は、樹脂層１ｂを厚み方向に貫通するビアホール１２を介して、それぞれ配線パターン２と相互に接続されている。
導体パターン９およびグランド電極１１は、レジスト膜１３、１４によって覆われている。なお、導体パターン９を覆うレジスト膜１３を全面的あるいは部分的に除去し、導体パターン９に別の回路部品を実装してもよいことは勿論である。
下側の樹脂層１ｂは回路基板（マザーボード）への実装面を構成する樹脂層であり、本モジュールＡを回路基板に実装する際に高温に晒される可能性があるため、樹脂層１ｂの内部には回路部品４を内蔵しない方が望ましい。

上記のようにモジュール基板１の内部に複数の回路部品４が埋設されているため、モジュールＡの小型化と高密度化を実現できる。特に、回路部品４を埋設した樹脂層１ａの下側に別の樹脂層１ｂが積層され、この樹脂層１ｂの下面に端子電極１０が形成されているため、この端子電極１０を介してモジュールＡを回路基板（マザーボード）に実装することができる。実装の際、配線パターン２が実装面に露出しないので、配線パターン２が回路基板の異電位部分と短絡するのを防止でき、信頼性の高いモジュールＡを実現できる。

ここで、上記構成よりなる部品内蔵モジュールＡの製造方法の一例を図３，４を参照して説明する。
まず、図３の（ａ）に示すように、転写板２０の上に複数の部品実装用ランド３とビアランド７とを島状に独立して形成する。つまり、各ランド３，７は互いに配線部分を介して接続されていない。転写板２０とは、金属板や樹脂板のような硬質板であってもよいが、離型フィルムを用いてもよい。部品実装用ランド３とビアランド７の形成方法としては、例えば転写板２０の上に銅箔を貼り、エッチングによりランド３，７をパターン形成すればよい。その他に、公知の厚膜形成法あるいは薄膜形成法により転写板２０の上にパターン化されたランド３，７を直接形成してもよい。

次に、図３の（ｂ）に示すように、転写板２０上に形成された部品実装用ランド３に回路部品４（４ａ，４ｂ）を実装する。実装方法としては、例えばチップ部品４ａを半田ペースト５によってランド３に搭載し、半導体素子４ｂを半田バンプ６によってランド３に搭載した状態で、リフローを実施することで、半田ペースト５および半田バンプ６を溶融させ、実装する方法を用いることができる。なお、上記実装方法以外に、他の方法を用いてもよいことは勿論である。転写板２０上には、ランド３が島状に形成されている（ランド３につながる配線部が形成されていない）ので、半田が配線部へ流れることがなく、回路部品４がランド位置から動いてしまったり、半田が隣接するランド部分まで流れるといった問題が発生しない。また、はんだレジストを形成する必要もない。

ここで、半田ペースト５として通常の半田ペーストを用いることができるが、樹脂入り半田ペーストは更に好適である。これを以下に説明する。半田ペースト５として樹脂入り半田ペーストを用いた場合、リフロー時に半田粒が凝集することによりフラックス中の樹脂が流れ出し、実装するチップ部品の裏面及び半田フィレット部に樹脂がコーティングされることとなる。これにより半田接合時に半田が不必要な個所へ流れにくくなると共に、再リフロー時に半田が溶融しても半田フラッシュ（ショート不良）を抑制することができる。また、実装するチップ部品の裏面に樹脂が流れ込むことにより、基板とチップ部品とを接着する効果が生じ接合強度が増加する。樹脂入り半田ペーストを用いて実装を行った結果の様子を図２（ｂ）に示す。図２（ｂ）は図２（ａ）と同様の断面図を示すものであり、半田ペースト５に樹脂入り半田ペーストを用いたことを除けば、他の構成は図２（ａ）と同様であるため、共通する部分には同じ番号を付し説明を省略する。５ａ、５ｂは半田ペースト５が溶融したときに半田ペースト５から流れ出した樹脂である。樹脂５ａ、５ｂは溶融後の半田ペースト５のフィレット部をコーティングしている。更に樹脂５ｂはチップ部品４ａの裏面と基板１ｂとを接着している。樹脂入り半田ペーストとしては、熱硬化性のエポキシ樹脂入り半田ペーストが一般的であるが、熱可塑性樹脂を含むものでも構わない。また半田バンプ６に対しても、同様に樹脂入り半田ペーストを用いてもよい。

図３の（ｃ）は、部品実装用ランド３に回路部品４を実装した転写板２０上に、樹脂層１ａを配置した状態を示す。樹脂層１ａは、プリプレグ状態の樹脂板であり、ビアランド７と対応する位置には、貫通穴の中に導電ペーストを充填したビアホール８が形成されている。

次に、図３の（ｄ）に示すように、転写板２０の上から樹脂層１ａを圧着し、回路部品４とランド３，７を樹脂層１ａの中に埋設する。その後、樹脂層１ａを加熱硬化させる。樹脂層１ａの硬化によって、回路部品４が樹脂層１ａによって密着保持されると同時に、ランド３，７も樹脂層１ａによって密着保持される。この時、ビアホール８に充填されている導電ペーストも同時に硬化し、ビアランド７と接合される。

次に、図３の（ｅ）に示すように、硬化した樹脂層１ａの上面に導体パターン９を形成する。導体パターン９の形成には、導電ペーストをスクリーン印刷して硬化させる厚膜形成法や、スパッタリング、蒸着のような薄膜形成法を用いてもよい。導体パターン９の形成により、ビアホール８と導体パターン９とが電気的に接続される。
なお、ビアホール８については、予め樹脂層１ａに設けておく代わりに、樹脂層１ａの加熱硬化後にレーザーで穴をあけ、導体パターン９と同時にめっきで形成してもよい。

次に、図３の（ｆ）に示すように、硬化した樹脂層１ａの下面から転写板２０を剥離することで、樹脂層１ａにランド３，７を転写する。転写板２０が離型フィルムの場合には、離型性と可撓性とを持つので、硬化した樹脂層１ａからの剥離が容易であり、かつランド３，７を容易に転写できる。

次に、図４の（ｇ）に示すように、転写板２０を剥離した樹脂層１ａの下面に、配線パターン２をランド３，７の裏面に重ねて形成する。配線パターン２の形成には、導電ペーストをスクリーン印刷して硬化させる厚膜形成法や、スパッタリング、蒸着のような薄膜形成法や、めっき工法を用いてもよい。配線パターン２の形成によって、島状に独立していた部品実装用ランド３およびビアランド７が相互に接続される。配線パターン２はランド３，７の裏面に重ねて形成されるので、ランド３，７部分は２層構造となり、残りの配線部分は１層構造となる。

図４の（ｈ）は、配線パターン２を形成した樹脂層１ａの下に、樹脂層１ｂを配置した状態を示す。樹脂層１ｂは、プリプレグ状態の樹脂板であり、貫通穴の中に導電ペーストを充填した複数のビアホール１２が形成されている。この樹脂層１ｂは、上側の樹脂層１ａと同質の樹脂が望ましい。

次に、図４の（ｉ）に示すように、樹脂層１ａの下に樹脂層１ｂを圧着し、配線パターン２を樹脂層１ｂの中に埋設した後、樹脂層１ｂを加熱硬化させる。樹脂層１ｂの硬化によって、樹脂層１ａと樹脂層１ｂとが密着一体化されると同時に、配線パターン２が樹脂層１ｂと密着一体化される。この時、ビアホール１２に充填されている導電ペーストも同時に硬化し、配線パターン２と接合される。

次に、図４の（ｊ）に示すように、樹脂層１ｂの下面に端子電極１０およびグランド電極１１を形成する。端子電極１０はビアホール１２を介して配線パターン２と接続され、グランド電極１１は別のビアホール１２を介して別の配線パターン２と接続される。

最後に、図４の（ｋ）に示すように、モジュール基板１の上面の導体パターン９およびモジュール基板１の下面のグランド電極１１上に、それぞれレジスト膜１３、１４を形成することで、部品内蔵モジュールＡの製造を終了する。
なお、図３，図４では、単一のモジュールＡの製造方法について説明したが、実際には平面方向に連続するマザー状態の樹脂層１ａ，１ｂを用いてマザー状態のモジュールを製作し、その後で個別のモジュールにカットすることで、量産性が高く均質な製造方法を実現できる。

また、部品内蔵モジュールＡの製造方法の他の例を図６，図７を参照して説明する。
図６は、図３（ｆ）のVI部分を樹脂層１ａの下側から見た図であり、図７は図４（ｈ）のVII部分を樹脂層１ａの下側から見た図である。図７に示すように、配線パターン２は、それぞれ対応するランド３を覆い、かつランド３の外周より大きく形成することが好ましい。ランド３上に回路部品４（４ａ，４ｂ）を実装する際に半田６を塗布すると、図６のように半田６がランド３上に納まらず、樹脂層１ａの下面に露出する場合がある。このとき図７のように配線パターンを形成すると、半田６が配線パターン２に覆われる。このため、樹脂層１ｂの下面に、めっき工法により端子電極１０およびグランド電極１１を形成するときに行われるエッチング処理時のエッチング液に半田６が曝されることがないため、半田侵食を防止できる。

（第２の実施形態）
図５は本発明にかかる部品内蔵モジュールの好ましい第２実施形態を示す。なお、図１と共通する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
この部品内蔵モジュールＢのモジュール基板１Ａは、上下４層の樹脂層１ａ〜１ｄを積層したものであり、最上層１ａと第２層１ｂ、および第３層１ｃと最下層１ｄがそれぞれ第１実施形態のモジュール基板１と同様な構造を有している。すなわち、最上層１ａと第２層１ｂの境界面には部品実装用ランド３とビアランド７とが独立して形成されるとともに、これらランド３，７を相互に接続する配線パターン２が形成されている。また、第３層１ｃと最下層１ｄとの境界面にも部品実装用ランド３とビアランド７とが独立して形成されるとともに、これらランド３，７を相互に接続する配線パターン２が形成されている。

第２層１ｂと第３層１ｃとの境界面には、中間の導体パターン１５が形成されており、この導体パターン１５はビアホール１２を介して最上層１ａと第２層１ｂの間の配線パターン２に接続され、さらにビアホール８を介して第３層１ｃと最下層１ｄの間のビアランド７または配線パターン２に接続されている。その結果、各層に設けられた回路部品４や配線パターン２は、ビアホール８，１２を介してモジュール基板１Ａの底面に形成された端子電極１０およびグランド電極１１に接続されている。グランド電極１１はレジスト膜１４で覆われている。なお、モジュール基板１Ａの上面にはビアホール８を介して内部と接続された導体パターン９が形成され、導体パターン９もレジスト膜１３で覆われている。上記のようにモジュール基板１Ａを多層化し、その中に複数の回路部品４および配線パターン２を埋設することで、さらなる高密度化と高機能化とを実現できる。

上記実施形態では、回路部品４（４ａ，４ｂ）を部品実装用ランド３に対して半田付けあるいは半田バンプを用いて接続する例を示したが、半田以外に導電性接着剤あるいは金バンプなどの金属バンプを用いて接続することもでき、このような場合でも本発明は有効である。
また、回路部品４の中で、半導体素子４ｂのような能動素子をバンプ６を用いてフリップチップ実装したが、これに限るものではなく、端子をランド３に半田付けしてもよい。
第１の実施形態では２層構造、第２の実施形態では４層構造のモジュール基板を有する部品内蔵モジュールについて説明したが、それ以外の層構造を持つ部品内蔵モジュールであってもよいことは勿論である。その場合、各層間に導体パターンを形成して容量を形成したり、抵抗などを印刷形成するなど、公知の多層基板技術を適用してもよい。
第２実施形態では、中間層である第２層１ｂに回路部品４を内蔵しない例を示したが、第２層１ｂに回路部品４を内蔵してもよいことは勿論である。

Claims (8)

1. 転写板の上に配線部を有しない複数の部品実装用ランドを島状に独立して形成する第１の工程と、
   上記転写板上に形成された部品実装用ランドに回路部品を接続する第２の工程と、
   上記転写板の上に上記回路部品を覆うように絶縁性の樹脂層を形成してこの樹脂層を硬化させ、上記樹脂層の内部に回路部品を埋設する第３の工程と、
   上記樹脂層から上記転写板を剥離し、上記樹脂層に上記部品実装用ランドを転写する第４の工程と、
   上記部品実装用ランドが露出した上記樹脂層の裏面に、上記部品実装用ランド間を接続しあるいは部品実装用ランドと他部とを接続するための配線部を上記部品実装用ランドに重ねて形成する第５の工程と、
   を含む部品内蔵モジュールの製造方法。
2. 上記部品実装用ランドは、上記回路部品を半田付けにより接続するためのランドであることを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵モジュールの製造方法。
3. 上記第１の工程は、上記転写板の上に上記部品実装用ランドと同時に、上記部品実装用ランドと離れたビアランドを形成する工程を含み、
   上記第３の工程の後に、上記樹脂層の表面に、上記ビアランドとビアホールを介して導通する導体パターンを形成する工程を有することを特徴とする請求項１または２に記載の部品内蔵モジュールの製造方法。
4. 上記第５の工程において、上記配線部は上記部品実装用ランドを覆い、かつ上記部品実装ランドの外周より大きく形成されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の部品内蔵モジュールの製造方法。
5. 上記第５の工程の後、
   上記配線部が形成された樹脂層の裏面に、少なくとも１層のさらなる樹脂層を積層する工程と、
   上記積層された最下層の樹脂層の裏面に、上記回路部品と電気的に接続された端子電極を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の部品内蔵モジュールの製造方法。
6. 第１主面と第２主面とを有する絶縁性の樹脂層を備え、
   上記樹脂層の第１主面に沿って、島状に独立した複数の部品実装用ランドとこれらランドに接続された配線部とが形成され、
   上記部品実装用ランドの表面に回路部品が接続され、
   上記回路部品は上記樹脂層の内部に埋設されており、
   上記部品実装用ランドは、その裏面が上記樹脂層の第１主面と同一面となるように上記樹脂層に埋設されており、
   上記配線部は、上記部品実装用ランドと重なるように上記樹脂層の第１主面上に形成されていることを特徴とする部品内蔵モジュール。
7. 上記樹脂層の第１主面の上記部品実装用ランドと離れた位置に、上記配線部に接続されたビアランドが形成されており、
   上記樹脂層の上記第１主面と対向する第２主面に、導体パターンが形成されており、
   上記樹脂層には、上記ビアランドと導体パターンとを導通させるビアホールが形成されていることを特徴とする請求項６に記載の部品内蔵モジュール。
8. 上記樹脂層の第１主面に、少なくとも１層のさらなる樹脂層が積層されており、
   上記積層された最下層の樹脂層の裏面に、上記回路部品と電気的に接続された端子電極が形成されていることを特徴とする請求項６又は７に記載の部品内蔵モジュール。

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