JP4812449B2 - 有機電界発光素子及び白色発光素子 - Google Patents
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Description
ポリブチルチタネートのイソプロパノール溶液(2.5質量%)をスピンコーティングにより透明ポリエステルフィルムに塗布し、これを150℃で5分間乾燥させ、フィルム厚を100nmほどに調節した。Polyscience社の分子量25,000であるポリビニルアルコール高分子の水溶液(5質量%)に、高分子質量に対して1質量%のトリエタノールアミンを光増感剤として添加して撹拌した後、前記のポリブチルチタネートの塗膜上にコーティングして60℃で2分間乾燥させた。このように準備された光触媒フィルムに微細パターンが形成されているフォトマスクを介して広い波長範囲の紫外線を照射した(米国・オリエル社のUV露光装備を使用)。露光後、PdCl2 0.6g及びHCl 1mlを水1リットルに溶かして製造した溶液に浸漬し、露光部位にPd金属粒子を表面に沈積させ、Pdが沈積された結晶成長核のネガティブパターンを形成した。
まず、ITOをガラス基板上にコーティングした透明電極基板と、前記でのメッシュ型の金属パターン電極が形成されている基板とをそれぞれきれいに洗浄した後、UV−オゾン表面処理を15分間実施した。
120 透明正極、
130,330 正孔輸送層、
140,340 活性層、
150,350 電子輸送層、
160 Al負極、
310 基板、
320 メッシュ型負極、
360 負極、
370 有機発光層、
410 メッシュ型正極、
610 第1有機電界発光部、
620 第2有機電界発光部、
630 第3有機電界発光部。
Claims (14)
- 基板と、
前記基板上に設けられ、光透過が可能なように設計されたメッシュ型正極と、
前記正極に対向する負極と、
前記正極と前記負極との間に設けられる有機発光層とを具備することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法であって、
前記メッシュ型正極は、湿式工程で製造され、
前記湿式工程は、
(i)光触媒化合物を基板にコーティングし、光触媒フィルムを形成するステップと、
(ii)前記光触媒フィルム上に水溶性高分子化合物をコーティングし、水溶性高分子層を形成するステップと、
(iii)前記光触媒フィルム及び水溶性高分子層を選択的に露光し、結晶成長用核の潜在的パターンを収得するステップと、
(iv)前記結晶成長用核の潜在的パターンをメッキ処理して金属結晶を成長させ、金属パターンを収得するステップとを含むことを特徴とする、有機電界発光素子の製造方法。 - 前記負極は、前記正極に対向して光透過が可能なように設計されたメッシュ型負極であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記有機発光層は、
正孔輸送層と、
前記正孔輸送層上に設けられる活性層と、
前記活性層上に設けられる電子輸送層とを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 前記基板は、ガラス及び透明プラスチックのうちいずれか一つからなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記メッシュ型正極は、Pd、Ni、Au、Ag、Pt及びCuからなる群から選択された少なくとも一つの物質からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記メッシュ型正極は、仕事関数が4.8eVより大きい金属からなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 基板と、
前記基板上に設けられ、光透過が可能なように設計されたメッシュ型正極と、
前記正極に対向して光透過が可能なように設計されたメッシュ型負極と、
前記正極と前記負極との間に設けられる有機発光層とを具備する第1有機電界発光部及び第2有機電界発光部、並びに
基板と、
前記基板上に設けられ、光透過が可能なように設計されたメッシュ型正極と、
前記正極に対向する負極と、
前記正極と前記負極との間に設けられる有機発光層とを具備する第3有機電界発光部が積層されてなり、
前記第1、第2、および第3有機電界発光部は、それぞれ相異なる三種の色相を発光することを特徴とする白色発光素子の製造方法であって、
前記メッシュ型正極は、湿式工程で製造され、
前記湿式工程は、
(i)光触媒化合物を基板にコーティングし、光触媒フィルムを形成するステップと、
(ii)前記光触媒フィルム上に水溶性高分子化合物をコーティングし、水溶性高分子層を形成するステップと、
(iii)前記光触媒フィルム及び水溶性高分子層を選択的に露光し、結晶成長用核の潜在的パターンを収得するステップと、
(iv)前記結晶成長用核の潜在的パターンをメッキ処理して金属結晶を成長させ、金属パターンを収得するステップとを含むことを特徴とする、白色発光素子の製造方法。 - 前記第1、第2、および第3有機電界発光部の各メッシュ型正極のメッシュパターンは、相互にずれていることを特徴とする請求項7に記載の白色発光素子の製造方法。
- 前記有機発光層は、
正孔輸送層と、
前記正孔輸送層上に設けられる活性層と、
前記活性層上に設けられる電子輸送層とを含むことを特徴とする請求項7または8に記載の白色発光素子の製造方法。 - 前記基板は、ガラス及び透明プラスチックのうちいずれか一つからなることを特徴とする請求項7〜9のいずれか1項に記載の白色発光素子の製造方法。
- 前記メッシュ型正極は、Pd、Ni、Au、Ag、Pt及びCuからなる群から選択された少なくとも一つの物質からなることを特徴とする請求項7〜10のいずれか1項に記載の白色発光素子の製造方法。
- 前記メッシュ型正極は、仕事関数が4.8eVより大きい金属からなることを特徴とする請求項7〜11のいずれか1項に記載の白色発光素子の製造方法。
- 前記メッシュ型負極は、湿式工程で製造されることを特徴とする請求項7〜12のいずれか1項に記載の白色発光素子の製造方法。
- 前記湿式工程は、
(i)光触媒化合物を基板にコーティングし、光触媒フィルムを形成するステップと、
(ii)前記光触媒フィルム上に水溶性高分子化合物をコーティングし、水溶性高分子層を形成するステップと、
(iii)前記光触媒フィルム及び水溶性高分子層を選択的に露光し、結晶成長用核の潜在的パターンを収得するステップと、
(iv)前記結晶成長用核の潜在的パターンをメッキ処理して金属結晶を成長させ、金属パターンを収得するステップとを含むことを特徴とする請求項13に記載の白色発光素子の製造方法。
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| US20100237374A1 (en) * | 2009-03-20 | 2010-09-23 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Transparent Organic Light Emitting Diode Lighting Device |
| EP2244316A1 (en) * | 2009-04-22 | 2010-10-27 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | An electronic device and a method of manufacturing the same |
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| EP2333863A1 (en) * | 2009-12-11 | 2011-06-15 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Electro-optical device, electrode therefore, and method and apparatus of manufacturing an electrode and the electro-optical device provided therewith |
| KR101644581B1 (ko) * | 2010-01-25 | 2016-08-01 | 삼성전자주식회사 | 투명 디스플레이 및 그 제조 방법 |
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| JP4866491B2 (ja) * | 2010-04-01 | 2012-02-01 | パナソニック株式会社 | 発光ダイオード素子および発光ダイオード装置 |
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