JP4821302B2 - セラミック多層基板及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、セラミック多層基板及びその製造方法に関し、特に、移動体通信用の高周波モジュール用として好ましく用いられ、高周波特性に優れたセラミック多層基板及びその製造方法に関するものである。

昨今、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics：低温焼成セラミック）を用いたセラミック多層基板が広く使用され、チップ型電子部品やモジュール型電子部品でもセラミック多層基板をベースにしたものが主流となっている。ＬＴＣＣを用いたセラミック多層基板によれば、導体パターンや端子電極を形成するための導体材料としてＡｇ、Ｃｕ等の低抵抗金属を用いることができるため、高周波特性に優れ、製造コストな電子部品を実現することが可能となる。このような電子部品の製造では、まず低温焼成可能なセラミックシート上に受動素子となる導体パターンを印刷や転写により形成する。次に、こうして形成された複数のセラミックシートを積層し、乾燥させ、低温にて焼成する。その後、必要に応じて、基板表面に外部電極を形成し、他のチップ部品を実装することにより、セラミック多層基板による電子部品が完成する（特許文献１参照）。

また、他の製造方法として、内層電極を有する積層シート上に積み重ねられる積層シートの下面における内層電極が当接する位置に凹部を形成し、内層電極をこの凹部に形成することで、高周波積層部品の平坦度を向上させる方法が知られている（特許文献２参照）。
特開２００４−６３７０３号公報 特開２００５−５１５３号公報

セラミックグリーンシート上に導体パターンを印刷し、このセラミックグリーンシートを積層化するによって作製される従来のセラミック多層基板においては、導体パターン印刷時の導体ペーストの流動性により、さらには各層の導体パターンがシート積層化のための熱圧着時に押しつぶされる結果、図１０に示すように、導体パターン９２の断面形状が実際には矩形状にならず、外周部が紡鐘形（くちばし形）になるため、表皮効果における表皮厚さよりも薄くなる部分ではこの導体パターン９２の周縁部での高周波抵抗が高くなり、たとえば共振器のＱ値のような高周波特性が劣化するという問題がある。また、このような導体パターン９２でキャパシタパターンを構成する場合には、印刷した導体パターンが熱圧着時につぶされ、キャパシタ電極を構成する導体パターンの周縁部が伸びて厚みが薄くなるため、静電容量がわずかに大きくなる場合があり、逆に導体パターンの周縁部の厚みが薄い部分がキャパシタ電極に寄与しなくなり、静電容量がわずかに小さくなる場合もあり、設計した静電容量値からの誤差の原因となる。このような導体パターンでミアンダ状やヘリカル状のインダクタを構成した場合、インダクタの配線間距離が短くなるため、浮遊容量成分の増大によりインダクタの自己共振周波数が低下し、見かけ上のＱ値が低下する。さらにまた、このような導体パターンで伝送線路を構成する場合には、伝送線路の厚みが均一にならないため、その特性インピーダンスも一定にならない。

したがって、本発明の目的は、内部導電層内の導体パターンの外周部の厚みが薄くなることによる高周波特性の劣化のないセラミック多層基板及びその製造方法を提供することにある。

本発明の上記目的は、セラミック絶縁層と導電層とが交互に積層された多層基板であって、前記セラミック絶縁層はビアホール導体を有し、前記導電層は、任意の平面形状を有する導体パターンと、前記導体パターンの形成領域を除いた略全面に形成された絶縁体スペーサとを有することを特徴とするセラミック多層基板によって達成される。

本発明において、前記導体パターンの積層方向の断面形状は、略矩形状である。また、前記絶縁体スペーサの厚みは、前記導体パターンと略同一であることが好ましい。

本発明において、前記セラミック絶縁層の厚みは、前記導電層よりも厚いことが好ましく、特に、最上層及び最下層のセラミック絶縁層の厚みが十分に厚いことが好ましい。これによれば、導電層間の絶縁性を十分に確保することができ、またセラミック多層基板の機械的強度を十分に確保することができる。

本発明において、前記絶縁体スペーサは、前記セラミック絶縁層とは異なるセラミック材料からなることが好ましい。特に、前記絶縁体スペーサを構成するセラミック材料の焼成時における収縮率は、前記セラミック絶縁層を構成するセラミック材料よりも低いことが好ましい。これによれば、絶縁体スペーサがセラミック絶縁層の平面方向の収縮を矯正する矯正層としての役割を果たすので、焼成後のセラミック多層基板の寸法変動を極めて小さくすることができ、高周波特性に優れた多層基板を製造することが可能となる。

本発明の上記目的はまた、ビアホール導体を有するセラミック絶縁層を形成するセラミック絶縁層形成工程と、任意の平面形状を有する導体パターン及び前記導体パターンの形成領域を除いた略全面に形成された絶縁体スペーサを含む導電層を形成する導電層形成工程と、前記セラミック絶縁層及び前記導電層をそれぞれ複数用意し、当該複数のセラミック絶縁層及び当該複数の導電層を交互に重ね合わせて積層体を焼成する積層化工程と、前記積層体を焼成する焼成工程を備えることを特徴とするセラミック多層基板の製造方法によっても達成される。

本発明において、前記セラミック絶縁層形成工程は、第１のセラミックグリーンシートを用意し、当該第１のセラミックグリーンシートに貫通孔を形成する工程を含み、

前記導電層形成工程は、第２のセラミックグリーンシートを用意し、当該第２のセラミックグリーンシートに任意の溝パターンを形成する工程を含み、前記積層化工程は、前記第２のセラミックグリーンシートを前記第１のセラミックグリーンシートに積層して前記溝パターン及び前記貫通孔を有する第３のセラミックグリーンシートを形成する工程と、前記第３のセラミックグリーンシートの前記溝パターン及び前記貫通孔の内部に導電性ペーストを充填して前記導体パターン及び前記ビアホール導体を形成する工程と、前記導体パターン及び前記ビアホール導体を有する前記第３のセラミックグリーンシートを複数用意し、当該複数の第３のセラミックグリーンシートを積層する工程を含むことが好ましい。

本発明によれば、導電層内の導体パターンの外周部の厚みが薄くなることによる高周波特性の劣化を防止し、高周波特性の良好な多層基板及びその製造方法を提供することができる。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。

図１は、本発明の好ましい実施形態に係るセラミック多層基板１０を用いた電子部品１００の構造を示す略分解斜視図である。

図１に示すように、セラミック多層基板１０は、セラミック絶縁層１１Ａ乃至１１Ｅ（第１のセラミックグリーンシートを用いた層）と、導体パターン１３が形成された表面導電層１２Ａ及び内部導電層１２Ｂ乃至１２Ｅ（第２のセラミックグリーンシートを用いた層）とが交互に積層された構造を有している。図示のセラミック多層基板１０は５層構造の多層基板であり、最下層（１層目）の内部導電層１２Ｅ内には導体パターン１３によるグランドパターンが形成され、２層目乃至４層目の内部導電層１２Ｂ乃至１２Ｄには導体パターン１３によるキャパシタパターンやインダクタパターンが形成されている。また、最上層（５層目）の導電層１２Ａには導体パターン１３によるランドパターンやトリミング可能なインダクタ／キャパシタパターンが形成されている。そして、このようなセラミック多層基板１０の上面に抵抗、インダクタ、キャパシタ、ＩＣ等のチップ部品１９が実装されることにより、本実施形態によるセラミック多層基板１０を用いた電子部品１００が構成される。

図２は、セラミック多層基板１０の構造を示す略積層方向の断面図（以下、単に断面図と記す）である。

図２に示すように、セラミック多層基板１０は、セラミック絶縁層１１Ａ乃至１１Ｅと、セラミック絶縁層１１Ａの表面に設けられた表面導電層１２Ａと、各セラミック絶縁層１１Ａ乃至１１Ｅの層間に設けられた内部導電層１２Ｂ乃至１２Ｅを備えており、表面導電層１２Ａ及び内部導電層１２Ｂ乃至１２Ｅには導体パターン１３が形成されている。各セラミック絶縁層１１Ａ乃至１１Ｄには、内部導電層１２Ｂ乃至１２Ｅの層間、或いは表面導電層１２Ａと内部導電層１２Ｂ乃至１２Ｅとの層間を電気的に接続するためのビアホール導体１５が設けられている。また、表面導電層１２Ａ及び内部導電層１２Ｂ乃至１２Ｅにも、ビアホール導体１５と対応する所定の位置にはビアホール導体と同等の導体パターン１３が設けられている。

セラミック絶縁層１１Ａ乃至１１Ｅは、誘電率が高く高周波特性に優れた低温焼成セラミック材料を用いて構成されている。低温焼成セラミック材料としては、例えば、ホウ珪酸ガラス粉末にアルミナ粉末を所定の重量比で混合した組成物を挙げることができる。

セラミック絶縁層１１の厚みは、導電層間での絶縁性を確保し信頼性を向上させるため、後述する内部導電層１２Ｂ乃至１２Ｅよりも厚いことが好ましい。特に、最上層及び最下層のセラミック絶縁層１１Ａ及び１１Ｅは、セラミック多層基板全体の機械的強度を確保する役割も果たすため、その厚みｄ_１は中間層のセラミック絶縁層１１Ｂ乃至１１Ｄの厚みｄ_２よりも厚いことが好ましい。一方、中間層のセラミック絶縁層１１Ｂ乃至１１Ｄは、キャパシタの絶縁体として用いられ、キャパシタの静電容量を大きくするためには、絶縁不良等の信頼性を考慮した上で、絶縁体層の上下に形成された導体厚みよりも薄くならない範囲で、層厚をできるだけ薄くしたほうがよい。したがって、例えば、最上層及び最下層のセラミック絶縁層１１Ａ、１１Ｅの厚みｄ_１は１０〜２００μｍ程度、中間層のセラミック絶縁層１１Ｂ乃至１１Ｄの厚みｄ_２は５〜６０μｍ程度に設定される。

表面導電層１２Ａ及び内部導電層１２Ｂ乃至１２Ｅは、上述の通り、任意の平面形状を有する導体パターン１３が形成された層であるが、導体パターン１３の形成領域を除いた導電層１２の全体には絶縁体スペーサ１４が形成されている。導体パターン１３は、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｌの中から選ばれる少なくとも一種類の低抵抗金属を主成分とする導体材料を用いて構成されている。一方、絶縁体スペーサ１４は、熱圧着されたときに導体パターン１３の断面形状の変形を防止する役割を果たす。この絶縁体スペーサ１４が存在することにより、セラミック絶縁層１１Ａ乃至１１Ｅ及び内部導電層１２Ｂ乃至１２Ｅを交互に重ねて熱圧着した後も、導体パターン１３の断面形状は矩形状に維持される。

絶縁体スペーサ１４はセラミック材料からなるが、セラミック絶縁層１１と同一材料であってもよく、異なっていてもよい。同一材料を用いた場合には、材料の統一による低コスト化、製造工程の簡素化を図ることができる。また、異なるセラミック材料を用いた場合の一例として、絶縁体スペーサ１４の材料に無収縮セラミック材料、或いは収縮率の十分低いセラミック材料を用いた場合には、絶縁体スペーサ１４がセラミック絶縁層１１Ａ乃至１１Ｅの焼成時に生じる平面方向の収縮を抑制する矯正層としての役割を果たすので、焼成後のセラミック多層基板の寸法変動を極めて小さくすることができる。このことにより、配線導体パターンの高精度化、高密度配線化が容易に達成でき、小型化、高機能化、更には高周波特性に優れた多層基板を製造することが可能となる。

なお、第１のセラミックグリーンシートを用いた層は、例えばキャパシタを多層基板内に形成する場合は比較的高い比誘電率を持つことが好ましい。キャパシタがフィルタ回路に使われる場合は比誘電率が５〜５０程度のセラミック材料を使うことが好ましく、また、キャパシタが電源回路に使われる場合は比誘電率が３０〜５０００程度のセラミック材料を使うことが好ましい。

また、セラミック絶縁層１１Ａ乃至１１Ｅと異なり、絶縁体スペーサ１４はあくまでスペーサとしての役割を果たすものであるため、その比誘電率はそれほど高くなくてもかまわない。更に同一平面上に形成された隣り合う導体パターンの間に生じる電磁結合による寄生容量等の影響を考慮すると、むしろ比誘電率が０．１〜１０、好ましくは５以下と低い場合の方が良い。

内部導電層１２Ｂ乃至１２Ｅの厚みｄ_３はセラミック絶縁層１１Ａ乃至１１Ｅに比べて十分に薄く、例えば２〜１０μｍ程度に設定される。つまり、上述したセラミック絶縁層１１Ａ、１１Ｅの厚みｄ_１やセラミック絶縁層１１Ｂ乃至１１Ｄの厚みｄ_２は、内部導電層１２Ｂ乃至１２Ｅの厚みｄ_３よりも十分厚い。

導体パターン１３及び絶縁体スペーサ１４は略同一の厚みを有している。導体パターン１３は、所望の回路パターンにあわせて形成された溝パターンを有するセラミックグリーンシートを用意し、この溝パターンの内部に導電性ペーストを充填することで形成される。こうして形成された導体パターン１３の断面形状は略矩形状となる。絶縁体スペーサ１４の存在により、この断面形状はセラミック多層基板として最終的に完成した後も維持されるので、導体パターン１３の外周部の厚みが薄くなることによる、表皮効果に起因するＱ値等の高周波特性の劣化が生じることはない。

図３は、従来の導体パターン９２の形状と本発明の導体パターン１３の形状とを比較して示す略断面図である。

図３（ａ）に示すように、従来の導体パターン９２の断面形状は矩形状にならず、両端部がくちばし状に薄くなるため、表皮効果における表皮厚さδよりも薄くなる部分Ｐ_０では高周波抵抗が高くなるが、図３（ｂ）に示すように、導体パターンの断面形状が矩形状となる場合には、表皮効果における表皮厚さδよりも薄くなる部分が存在せず、表皮厚さδを有する部分が導体パターン１３の表面付近において一様に確保されるので、高周波特性を良好にすることができる。

以上説明したように、本実施形態のセラミック多層基板１０によれば、導体パターン１３の周囲に当該導体パターン１３と同一の厚みを有する絶縁体スペーサ１４を設けているので、セラミック絶縁層１１及び内部導電層１２を積層化し、熱圧着したとしても、導体パターン１３の断面形状を略矩形状に維持することができ、導体パターン１３の厚みを均一にすることができる。したがって、高周波特性の良好なセラミック多層基板を用いた電子部品を実現することができる。更に、本実施形態によれば、導体パターンの断面形状が矩形になることで伝送線路等の微細な電極パターンの更なる細線化、高精度パターン形成化を容易に行うことができ、本多層基板を用いた高周波電子部品の更なる小型化にも寄与することができる。

次に、図４乃至図８を参照しながら、セラミック多層基板１０の製造方法の一例について詳細に説明する。

セラミック多層基板１０の製造では、まず、ガラス・セラミック原料粉末に、有機バインダ、可塑剤、溶剤等を含む原料を混合して得られるスラリーを作製する。ガラス・セラミック原料粉末としては、ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３−ＣａＯ−ＢａＯ−ＭｇＯガラス粉末にアルミナ粉末を所定の重量比で混合した組成物を用いることができる。更に、材料の焼結性、線膨張を調整するためにＳｉＯ_２（α−石英、β−石英、クリストバライト等の結晶性のもの）粉末を添加しても良く、また、材料の比誘電率を上げるためにＴｉＯ_２、ＢａＴｉＯ_３等の高誘電率材料粉末を添加しても良い。また、有機バインダとしてはアクリル樹脂やポリビニルブチラールを用いることができ、可塑剤としてはフタル酸エステルやジ−ｎ−ブチルフタレートを用いることができ、溶剤としてはトルエンとエチルアルコールの混合液、或いはエチレンとイソプロピルアルコールとの混合液を用いることができる。次に、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム等の支持シート３１上にスラリーを例えばドクターブレード法によって均一に塗布し、絶縁層用のセラミックグリーンシート（第１のセラミックグリーンシート）３２を作製する（図４（ａ））。特に限定されるものではないが、中間層用のセラミックグリーンシートの厚みは焼成後に１５μｍ程度となるように設定され、最上層用及び最下層用のセラミックグリーンシートの厚みは焼成後に４０μｍ程度となるように設定される。

次に、必要に応じて、セラミックグリーンシート３２の上下面を貫通する貫通孔３３を形成する（図４（ｂ））。貫通孔３３の形成方法としてはレーザ加工が好ましいが、パンチング、フォトリソグラフィ、ドリル加工等を用いることもできる。特に限定されるものではないが、貫通孔３３の直径は１０μｍ程度に設定される。この場合でも、セラミックグリーンシートの厚みが１５μｍ程度と非常に薄いため、貫通孔３３を略真円柱状にすることができる。

一方、絶縁層用のセラミックグリーンシート３２と同様の手法で支持シート４１上に例えば３μｍ程度の厚みを有する導電層用のセラミックグリーンシート（第２のセラミックグリーンシート）４２を形成した後（図５（ａ））、このセラミックグリーンシート４２に導体パターン形成用の溝パターン４３及び貫通孔４４を形成する（図５（ｂ））。溝パターン４３及び貫通孔４４の形成方法としてはレーザ加工が好ましいが、パンチング、フォトリソグラフィ等を用いることもできる。特に限定されるものではないが、溝パターン４３のライン幅及びスペース幅は共に１０μｍに設定され、貫通孔４４の直径は１０μｍ程度に設定される。なお、導電層用のセラミックグリーンシート４２に形成された貫通孔の位置及び大きさと絶縁層用のセラミックグリーンシート３２に形成された貫通孔の位置及び大きさは互いに一致している。

次に、導電層用のセラミックグリーンシート４２を絶縁層用のセラミックグリーンシート３２に重ね合わせ、転写法を用いてセラミックグリーンシート３２上にセラミックグリーンシート４２を積層することにより（図６（ａ））、溝パターン４３及び貫通孔３３が形成されたセラミックグリーンシート（第３のセラミックグリーンシート）５１を作製する（図６（ｂ））。次に、セラミックグリーンシート５１の溝パターン４３及び貫通孔３３の内部に導電性ペーストを例えばスクリーン印刷によって充填して導体パターン５２及びビアホール導体５３を形成する（図６（ｃ））。導電性ペーストとしては、例えば、Ａｇ、Ｃｕの少なくとも一種類を主成分とする金属粉体、ガラス粉末、有機溶剤等を混練したものを用いることができる。なお、焼結温度を調節する為にＰｔ、Ｐｄ、Ｎｉ等の金属粉末を添加したり、ＡｇとＣｕとを混合したりすることもできる。その後、セラミックグリーンシート５１を支持シート３１から剥離することにより、導体パターン５２及びビアホール導体５３が形成されたセラミックグリーンシート５１が完成する（図６（ｄ））。

こうして作製されたセラミックグリーンシート５１を複数枚用意し、これらを所定の順序で重ね合わせた後、１００〜３００℃の温度で熱圧着するにより（図７（ａ））、複数のセラミックグリーンシートの積層体６１を形成する（図７（ｂ））。次いで、セラミックグリーンシートの積層体６１の脱バインダ処理を行い、さらに導電性ペーストの金属成分の融点温度以下で焼成を行うことにより、セラミック多層基板１０が完成する。その後、チップ部品７２を実装することにより、セラミック多層基板１０を用いた電子部品１００が完成する（図８）。

以上説明したように、本実施形態の製造方法によれば、セラミック多層基板の表面導電層１２Ａや内部導電層１２Ｂ乃至１２Ｅの導体パターン１３の断面形状が略矩形状となるので、導体パターン１３の周縁部の厚みが薄くなることによる表皮効果に起因する高周波特性の劣化を防止することができ、高周波特性の良好なチップ型電子部品やモジュール型電子部品を提供することが可能となる。

本発明は、上記実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を加えることが可能であり、これらも本発明の範囲内に包含されるものであることは言うまでもない

例えば、上記実施形態においては、導体パターン１３が形成される全ての導電層に誘電体スペーサが設けられている場合について説明したが、本発明はインダクタを形成する導体パターンのような細線構造となる線路に対して特に高周波特性を向上させる効果が大きいので、大面積を有しパターン周縁部における高周波損失が無視できる程度に小さい場合、例えば、グランドパターンであるセラミック絶縁層１１Ｅ上の導体パターン１３については、セラミックグリーンシート上にスクリーン印刷により導体パターンを形成する従来の方法を採用してもよい。導電層１２Ａ乃至１２Ｄ内の導体パターン１３については第２のセラミックグリーンシートを用いて形成する。こうして作製されたセラミック多層基板においては、図９（ａ）のように、導体パターン１３の周縁部の厚みが薄くなるが、多層基板の高周波特性への影響はない。

また、最上層のセラミック絶縁層１１Ａ上の導体パターン１３についても、セラミックグリーンシートを積層化した後、フォトリソグラフィや薄膜法などを用いて形成してもよい。こうして形成された導体パターン１３は、図９（ｂ）に示すように、その周縁部の厚みが薄くなるが、基板表面にインダクタ／キャパシタパターンを形成しない場合には多層基板の高周波特性への影響は非常に小さいものとなる。基板表面にインダクタ／キャパシタパターンが形成されている場合でも、そのようなインダクタ／キャパシタパターンはレーザトリミングが可能であるから、トリミングにより多層基板の高周波特性への影響を十分に低減することができる。

また、上記実施形態においては、５層構造のセラミック多層基板について説明したが、積層数は特に限定されるものではない。また、上記実施形態ではセラミック絶縁体として誘電体を使用しているが、磁性体を使用してもよく、さらに誘電体シートと磁性体シートを組み合わせてもよい。また、セラミック多層基板の側面や底面にスクリーン印刷等によって外部電極を形成することも可能である。また、セラミック多層基板の表面にチップ部品を実装しなくても構わない。

また、上記実施形態においては、第２のセラミックグリーンシートを第１のセラミックグリーンシートに転写してこれらの積層体である第３のセラミックグリーンシートを形成した後、第３のセラミックグリーンシートに形成された貫通孔及び溝パターンの内部に導電性ペーストを充填することにより導体パターン及びビアホール導体しているが、本発明はこのような実施形態に限定されるものではなく、第１のセラミックグリーンシートに形成された貫通孔の内部に導電性ペーストを充填する工程と、第２のセラミックグリーンシートに形成された溝パターンの内部に導電性ペーストを充填する工程とを別々に行った後、これらのシートを貼り合わせることで第３のセラミックグリーンシートを完成させてもよい。

本発明の好ましい実施形態に係るセラミック多層基板１０を用いた電子部品１００の構造を示す略分解斜視図である。 セラミック多層基板１０の構造を示す略積層方向の断面図である。 導体パターン１３の断面形状を示す図である。 セラミック多層基板１０の製造工程の一部（第１のセラミックグリーンシートの形成及び加工）を示す略断面図である。 セラミック多層基板１０の製造工程の一部（第２のセラミックグリーンシートの形成及び加工））を示す略断面図である。 セラミック多層基板１０の製造工程の一部（第３のセラミックグリーンシートの作成）を示す略断面図である。 セラミック多層基板１０の製造工程の一部（第３のセラミックグリーンシートの積層化及び焼成）を示す略断面図である。 セラミック多層基板１０の製造工程の一部（表面導電層の形成及び部品の実装）を示す略断面図である。 本発明の他の好ましい実施形態に係るセラミック多層基板の構造を示す略断面図である。 従来の導体パターン９１の断面形状を示す図である。

符号の説明

１０ セラミック多層基板
１１ セラミック絶縁層
１１Ａ−１１Ｅ セラミック絶縁層
１２ 導電層
１２Ａ 表面導電層
１２Ｂ−１２Ｅ 内部導電層
１３ 導体パターン
１４ 絶縁体スペーサ
１５ ビアホール導体
１６ ビアホール導体
１９ チップ部品
３１ 支持シート
３２ 絶縁層用セラミックグリーンシート（第１のセラミックグリーンシート）
３３ 貫通孔
４１ 支持シート
４２ 導電層用セラミックグリーンシート（第２のセラミックグリーンシート）
４３ 溝パターン
４４ 貫通孔
５１ 第３のセラミックグリーンシート
５２ 導体パターン
５３ ビアホール導体
６１ セラミックグリーンシートの積層体
７１ 導体パターン７１
７２ チップ部品
９１ セラミック絶縁層
９２ 導体パターン
１００ 電子部品

Claims (7)

1. セラミック絶縁層と導電層とが交互に積層された多層基板であって、
   前記セラミック絶縁層はビアホール導体を有し、
   前記導電層は、任意の平面形状を有し且つ略矩形状の断面形状を有する導体パターンと、前記導体パターンの形成領域を除いた略全面に形成され且つ前記導体パターンと略同一の厚みを有する絶縁体スペーサとを含み、
   複数のセラミック絶縁層のうち最上層及び最下層のセラミック絶縁層の厚みは、中間のセラミック絶縁層よりも厚く、
   前記複数のセラミック絶縁層の厚みは、前記導体パターン及び前記絶縁スペーサよりも厚いことを特徴とするセラミック多層基板。
2. 前記絶縁体スペーサは、前記セラミック絶縁層とは異なるセラミック材料からなることを特徴とする請求項１に記載のセラミック多層基板。
3. 前記絶縁スペーサの誘電率は、前記セラミック絶縁層よりも低いことを特徴とする請求項１又は２に記載のセラミック多層基板。
4. 前記絶縁体スペーサを構成するセラミック材料の焼成時における収縮率は、前記セラミック絶縁層を構成するセラミック材料よりも低いことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のセラミック多層基板。
5. ビアホール導体を有するセラミック絶縁層を形成するセラミック絶縁層形成工程と、
   任意の平面形状を有する導体パターン及び前記導体パターンの形成領域を除いた略全面に形成された絶縁体スペーサを含む導電層を形成する導電層形成工程と、
   前記セラミック絶縁層及び前記導電層をそれぞれ複数用意し、当該複数のセラミック 絶縁層及び当該複数の導電層を交互に重ね合わせて積層体を焼成する積層化工程と、
   前記積層体を焼成する焼成工程を備え、
   前記積層化工程では、前記複数のセラミック絶縁層のうち最上層及び最下層のセラミック絶縁層の厚みが中間のセラミック絶縁層よりも厚く、且つ、前記複数のセラミック絶縁層の厚みが前記導体パターン及び前記絶縁体スペーサよりも厚くなるように積層することを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。
6. 前記セラミック絶縁層形成工程は、
   第１のセラミックグリーンシートを用意し、当該第１のセラミックグリーンシートに貫通孔を形成する工程を含み、
   前記導電層形成工程は、
   第２のセラミックグリーンシートを用意し、当該第２のセラミックグリーンシートに任意の溝パターンを形成する工程を含み、
   前記積層化工程は、
   前記第２のセラミックグリーンシートを前記第１のセラミックグリーンシートに積層して前記溝パターン及び前記貫通孔を有する第３のセラミックグリーンシートを形成する工程と、
   前記第３のセラミックグリーンシートの前記溝パターン及び前記貫通孔の内部に導電性ペーストを充填して前記導体パターン及び前記ビアホール導体を形成する工程と、
   前記導体パターン及び前記ビアホール導体を有する前記第３のセラミックグリーンシートを複数用意し、当該複数の第３のセラミックグリーンシートを積層する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載のセラミック多層基板の製造方法。
7. 前記導電層形成工程では、前記絶縁スペーサの材料として前記セラミック絶縁層よりも誘電率が低いものを用いることを特徴とする請求項５又は６に記載のセラミック多層基板の製造方法。

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