JP4829501B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明はＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment ）モードの液晶表示装置に関し、特に電圧印加時に液晶分子の倒れる方向を決定するポリマーが液晶層中に形成された液晶表示装置に関する。

一般的に、液晶表示装置は、２枚の基板の間に液晶を封入してなる液晶パネルと、液晶パネルの両側にそれぞれ配置された偏光板とにより構成されている。液晶パネルの一方の基板には画素毎に画素電極が形成されており、他方の基板には各画素共通のコモン電極が形成されている。画素電極とコモン電極との間に電圧を印加すると、電圧に応じて液晶分子の配向方向が変化し、その結果液晶パネル及びその両側の偏光板を透過する光の量が変化する。画素毎に印加電圧を制御することにより、液晶表示装置に所望の画像を表示することができる。

従来から広く使用されているＴＮ（Twisted Nematic ）モードの液晶表示装置では、誘電率異方性が正の液晶を使用し、２枚の基板の間に液晶分子をツイスト配向させている。しかし、ＴＮモードの液晶表示装置には視野角特性が十分でないという欠点がある。つまり、ＴＮモードの液晶表示装置では、液晶パネルを斜め方向から見たときに色調やコントラストが著しく劣化し、極端な場合には明暗が反転してしまう。

視野角特性が優れた液晶表示装置として、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モードの液晶表示装置や、ＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment ）モードの液晶表示装置が知られている。ＩＰＳモードの液晶表示装置では、一方の基板上に線状の画素電極及びコモン電極が交互に並んで配置されており、これらの画素電極とコモン電極との間に電圧を印加すると、電圧に応じて基板面に平行な面内で液晶分子の向きが変化する。

しかし、ＩＰＳモードの液晶表示装置は、視野角特性は優れているものの、基板面に対し平行な方向に電圧を印加するので、画素電極及びコモン電極の上方の液晶分子の向きを制御することができない。そのため、ＩＰＳモードの液晶表示装置では、実質的な開口率が低く、強力なバックライトを使用しないと画面が暗くなってしまうという欠点がある。

ＭＶＡモードの液晶表示装置では、一方の基板の上に画素電極が形成されており、他方の基板の上にコモン電極が形成されている。また、一般的なＭＶＡモードの液晶表示装置では、コモン電極の上に斜め方向に伸びる誘電体からなる土手状の突起物が形成されており、画素電極には突起物に並行するスリットが設けられている。

ＭＶＡモードの液晶表示装置では、電圧を印加していない状態では液晶分子が基板面に垂直な方向に配向しており、画素電極とコモン電極との間に電圧を印加すると、液晶分子は電圧に応じた角度で傾斜して配向する。このとき、画素電極に設けられたスリットや土手状の突起物により、１画素内に液晶分子の倒れる方向が相互に異なる複数の領域（ドメイン）が形成される。このように、１画素内に液晶分子の倒れる方向が相互に異なる複数の領域を形成することにより、良好な視野角特性を得ることができる。

しかし、上述したＭＶＡモードの液晶表示装置では、スリットや突起物により実質的な開口率が低下するため、ＩＰＳモードの液晶表示装置ほどではないものの、ＴＮモードの液晶表示装置に比べて実質的な開口率が低く、強力なバックライトが必要である。そのため、この種のＭＶＡモードの液晶表示装置は、低消費電力が要求されるノート型パソコンには殆ど採用されていない。

特開２００３−１４９６４７号公報には、上記の欠点を解消すべく開発されたＭＶＡモードの液晶表示装置が開示されている。図１は、そのＭＶＡモードの液晶表示装置を示す平面図である。なお、図１では２画素分の領域を示している。

液晶パネルを構成する一方の基板の上には、水平方向（Ｘ軸方向）に伸びる複数のゲートバスライン１１と、垂直方向（Ｙ軸方向）に伸びる複数のデータバスライン１２とが形成されている。これらのゲートバスライン１１とデータバスライン１２との間には絶縁膜（ゲート絶縁膜）が形成されており、ゲートバスライン１１とデータバスライン１２との間を電気的に分離している。これらのゲートバスライン１１及びデータバスライン１２により区画される矩形の領域がそれぞれ画素領域となる。

各画素領域には、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１４と画素電極１５とが形成されている。ＴＦＴ１４は、図１に示すように、ゲートバスライン１１の一部をゲート電極としており、ゲート電極の上方にＴＦＴ１４の活性層となる半導体膜（図示せず）が形成されている。また、この半導体膜のＹ軸方向の両側には、ドレイン電極１４ａ及びソース電極１４ｂが接続されている。ＴＦＴ１４のソース電極１４ｂはデータバスライン１２と電気的に接続され、ドレイン電極１４ａは画素電極１５と電気的に接続されている。

なお、本願では、ＴＦＴの活性層となる半導体膜に接続された２つの電極のうち、データバスラインに接続される電極をソース電極と呼び、画素電極に接続される電極をドレイン電極と呼んでいる。

画素電極１５は、例えばＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）等の透明導電体により形成されている。この画素電極１５には、電圧印加時の液晶分子の配向方向が４方向となるように、スリット１５ａが形成されている。すなわち、画素電極１５はＸ軸に平行な中心線及びＹ軸に平行な中心線を境界として４つの領域に分割されている。第１の領域（右上の領域）にはＸ軸に対し４５°の方向に伸びる複数のスリット１５ａが形成されており、第２の領域（左上の領域）にはＸ軸に対し１３５°の方向に伸びる複数のスリット１５ａが形成されており、第３の領域（左下の領域）にはＸ軸に対し２２５°の方向に伸びる複数のスリット１５ａが形成されており、第４の領域（右下の領域）にはＸ軸に対し３１５°の方向に伸びる複数のスリット１５ａが形成されている。この画素電極１５の上には、ポリイミドからなる垂直配向膜（図示せず）が形成されている。

他方の基板には、ブラックマトリクス、カラーフィルタ及びコモン電極が形成されている。ブラックマトリクスは、例えばＣｒ（クロム）等の金属又は黒色樹脂からなり、ゲートバスライン１１、データバスライン１２及びＴＦＴ１４に対向する位置に配置されている。カラーフィルタには赤色、緑色及び青色の３種類があり、各画素毎にいずれか１色のカラーフィルタが配置されている。コモン電極はＩＴＯ等の透明導電体からなり、カラーフィルタの上に形成されている。このコモン電極の上には、ポリイミドからなる垂直配向膜が形成されている。

これらの２枚の基板はスペーサ（図示せず）を挟んで相互に対向して配置されており、両者の間に誘電率異方性が負の液晶が封入されて液晶パネルを構成している。以下、液晶パネルを構成する２枚の基板のうち、ＴＦＴが形成された基板をＴＦＴ基板と呼び、ＴＦＴ基板に対向して配置される基板を対向基板と呼ぶ。

図１に示すＭＶＡモードの液晶表示装置では、画素電極１５に電圧を印加していないときには液晶分子は基板面にほぼ垂直に配向する。そして、画素電極１５に電圧を印加すると、図１中に模式的に示すように、液晶分子１０はスリット１５ａの伸びる方向に傾斜し、１画素内に液晶分子の傾斜方向が相互に異なる４つの領域（ドメイン）が形成される。これにより、斜め方向への光の漏れが抑制され、良好な視野角特性が確保される。

ところで、図１に示すＭＶＡモードの液晶表示装置において、画素電極１５に電圧を印加した直後は、液晶分子１０が内側（画素の中心に向う方向）に倒れるのか、外側（画素の外側に向う方向）に倒れるのかは決まっていない。初めにスリット１５ａの先端側（データバスライン１２側）の液晶分子１０の倒れる方向が画素電極１５の端部の電界によって内側に決まり、その後液晶分子１０の倒れる方向が画素の中央に向って伝播していく。このため、１画素内の全ての液晶分子１０が所定の方向に倒れるまでに時間がかかり、応答時間が長くなるという欠点がある。

前述の特開２００３−１４９６４７号公報には、一対の基板間に重合成分（モノマー）を添加した液晶を封入し、画素電極とコモン電極との間に電圧を印加して液晶を所定の方向に配向させた後、紫外線を照射して重合成分を重合させて液晶層中にポリマーを形成することが記載されている。このようにして製造された液晶表示装置では、液晶層中のポリマーにより液晶分子の倒れる方向が決定されるので、画素電極とコモン電極との間に電圧を印加するのと同時に画素内の全ての液晶分子が所定の方向に倒れ初め、応答時間が著しく短縮される。

また、特開平１１−９５２２１号公報及び特開平８−３６１８６号公報にも、液晶中に重合成分を添加することが記載されている。
特開２００３−１４９６４７号公報 特開平１１−９５２２１号公報 特開平８−３６１８６号公報

一般的に、垂直配向（ＶＡ）モードの液晶表示装置では、正面から見たときの階調輝度特性が斜め方向から見たときの階調輝度特性と異なることが知られており、上述したＭＶＡモードの液晶表示装置においても同様の欠点を有している。図２は、横軸に階調をとり、縦軸に透過率をとって、ＭＶＡモードの液晶表示装置における正面から見たときの階調輝度特性と方位角９０°、極角６０°の方向（斜め上側の方向）から見たときの階調輝度特性とを示す図である。なお、本願では、液晶パネルの中心を原点とし、視線を液晶パネルに投影してできる直線と液晶パネルのＸ軸とのなす角度を方位角と呼び、液晶パネルの法線と視線とのなす角度を極角と呼んでいる。また、図２では、黒から白までの間を２５６階調に分割している。各階調は画素電極に印加する電圧に対応しており、階調の値が大きいほど画素電極に印加される電圧が高くなる。更に、図２では、透過率を、白表示時の透過率（Ｔwhite ）を１としたときの相対値で示している。

図２からわかるように、従来のＭＶＡモードの液晶表示装置では、正面から見たときの階調透過率特性と斜め方向から見たときの階調透過率特性とが大きく異なるので、正面から見たときには良好な表示品質を得ることができるものの、斜め方向から見たときには表示品質が劣化するという欠点がある。特に、図２からわかるように従来のＭＶＡモードの液晶表示装置では、正面から見たときの階調透過率特性に比べて斜め方向から見たときの階調透過率特性が大きくうねっており、中間階調表示のときに輝度差が小さくなる。このため、斜め方向から見たときに、正面から見たときに比べて画像が白っぽく見える現象（Wash out）が発生し、表示品質が劣化する。また、液晶の屈折率異方性には波長依存性があるため、正面から見たときと斜め方向から見たときとで色が変わってしまうこともある。

更に、図１に示すような画素電極１５のスリット１５ａはフォトリソグラフィ法により形成するが、フォトレジスト膜の膜厚のばらつきやステッパ露光時のわずかな露光量の差（ショットむら）によりスリット幅のばらつきが発生する。これにより、画素の光学特性にばらつきが発生して表示むらの原因となり、例えばパネル全面に中間階調表示を行ったときにタイル状のパターンが見えることがある。

更にまた、実質的な開口率を向上し、消費電力をより一層低下させることが要望されている。更にまた、近年の液晶表示装置には、応答特性のより一層の向上が要望されている。

以上から、本発明の目的は、実質的な開口率が高くてノート型パソコンに適用可能であるとともに、斜め方向から見たときも表示品質が良好なＭＶＡモードの液晶表示装置を提供することである。

本発明の他の目的は、実質的な開口率をより一層向上できるＭＶＡモードの液晶表示装置を提供することである。

本発明の更に他の目的は、実質的な開口率が高くてノート型パソコンに適用可能であるとともに、フォトリソグラフィ工程に起因する表示むらの発生を回避し、表示品質が良好なＭＶＡモードの液晶表示装置を提供することである。

本発明の更に他の目的は、実質的な開口率が高くてノート型パソコンに適用可能であるとともに、応答特性が良好なＭＶＡモードの液晶表示装置を提供することである。

上記した課題は、相互に対向して配置された第１及び第２の基板と、前記第１及び第２の基板間に封入された誘電率異方性が負の液晶と、前記液晶中に添加された重合成分を重合して形成され、電圧印加時に液晶分子の倒れる方向を決定する重合体とを有し、前記第１の基板には画素毎に、スイッチング素子と、複数の帯状の微細電極部とそれらを相互に電気的に接続する接続電極部とにより構成される第１の副画素電極と、複数の帯状の微細電極部とそれらを相互に電気的に接続する接続電極部とにより構成される第２の副画素電極と、補助容量電極とが形成され、前記第２の基板には前記第１及び第２の副画素電極に対向するコモン電極が形成され、前記第１の副画素電極がドメイン制御領域の境界部分に配置されたコンタクトホールを介して前記補助容量電極に接続され、前記第１の副画素電極には前記スイッチング素子を介して第１の電圧が印加され、前記第２の副画素電極には前記第１の電圧よりも低い第２の電圧が印加されることを特徴とする液晶表示装置により解決する。

本発明においては、第２の副画素電極に、第１の副画素電極よりも低い電圧が印加される。このように、１つの画素内に印加電圧が相互に異なる複数の領域が存在すると、画面を斜め方向から見たときに白っぽくなる現象（Wash out）が抑制され、表示品質が向上する。

以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して説明する。

（第１の実施形態）
図３は本発明の第１の実施形態の液晶表示装置の平面図、図４は同じくその液晶表示装置の模式断面図である。なお、図３では、２画素分の領域を示している。

液晶パネル１００は、図４に示すように、ＴＦＴ基板１１０と、対向基板１３０と、それらの間に封入された誘電率異方性が負の液晶からなる液晶層１４０とにより構成されている。この液晶パネル１００の厚さ方向の両側には、それぞれ偏光板１４１ａ，１４１ｂが配置されている。液晶層１４０中には、液晶中に添加した重合成分（モノマー又はオリゴマー）を紫外線照射により重合させて形成したポリマーが含まれている。

ＴＦＴ基板１１０には、図３に示すように、水平方向（Ｘ軸方向）に伸びる複数のゲートバスライン１１２と、垂直方向（Ｙ軸方向）に伸びる複数のデータバスライン１１７とが形成されている。これらのゲートバスライン１１２及びデータバスライン１１７により区画される矩形の領域がそれぞれ画素領域である。また、ＴＦＴ基板１１０には、ゲートバスライン１１２と平行に配置されて画素領域の中央を横断する補助容量バスライン１１３が形成されている。本実施形態では、偏光板１４１ａ，１４１ｂのうちの一方はその吸収軸をゲートバスライン１１２に平行にして配置され、他方はその吸収軸をデータバスライン１１７に平行にして配置される。

各画素領域毎に、ＴＦＴ１１８と、３つの副画素電極１２１ａ〜１２１ｃと、制御電極１１９ａ，１１９ｃと、補助容量電極１１９ｂとが形成されている。副画素電極１２１ａ〜１２１ｃはＩＴＯ等の透明導電体からなり、それぞれ電圧印加時の液晶分子の配向方向を規定するスリット１２２が設けられている。

以下、図３の平面図及び図４の模式断面図を参照して、ＴＦＴ基板１１０及び対向基板１３０の構造をより詳細に説明する。

ＴＦＴ基板１１０のベースとなるガラス基板１１１の上には、ゲートバスライン１１２及び補助容量バスライン１１３が形成されている。これらのゲートバスライン１１２及び補助容量バスライン１１３は、例えばＡｌ（アルミニウム）−Ｔｉ（チタン）を積層してなる金属膜により形成される。

ゲートバスライン１１２及び補助容量バスライン１１３の上には、例えばＳｉＯ₂ 又はＳｉＮ等からなる第１の絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１４が形成されている。この第１の絶縁膜１１４の上の所定の領域には、ＴＦＴ１１８の活性層となる半導体膜（例えば、アモルファスシリコン膜又はポリシリコン膜）１１５が形成されている。この半導体膜１１５の上には、ＳｉＮ等からなるチャネル保護膜１１６が形成されており、このチャネル保護膜１１６の両側にはＴＦＴ１１８のドレイン電極１１８ａ及びソース電極１１８ｂが形成されている。

また、第１の絶縁膜１１４の上には、ＴＦＴ１１８のソース電極１１８ｂに接続されたデータバスライン１１７と、ドレイン電極１１８ａに接続された制御電極１１９ａ，１１９ｃと、補助容量電極１１９ｂとが形成されている。図４に示すように、補助容量電極１１９ｂは第１の絶縁膜１１４を挟んで補助容量バスライン１１３に対向する位置に形成されている。補助容量バスライン１１３、補助容量電極１１９ｂ及びそれらの間の第１の絶縁膜１１４により、補助容量が構成される。また、制御電極１１９ａ，１１９ｃは、Ｙ軸に平行な画素領域の中心線に沿って形成されており、補助容量電極１１９ｂはＸ軸に平行な画素領域の中心線に沿って形成されている。

これらのデータバスライン１１７、ドレイン電極１１８ａ、ソース電極１１８ｂ、制御電極１１９ａ，１１９ｃ及び補助容量電極１１９ｂは、例えばＴｉ／Ａｌ／Ｔｉを積層してなる金属膜により形成される。

これらのデータバスライン１１７、ドレイン電極１１８ａ、ソース電極１１８ｂ、制御電極１１９ａ，１１９ｃ及び補助容量電極１１９ｂの上には、例えばＳｉＮからなる第２の絶縁膜１２０が形成されている。この第２の絶縁膜１２０の上には、３つの副画素電極１２１ａ〜１２１ｃが形成されている。図４に示すように、副画素電極１２１ａは第２の絶縁膜１２０を介して制御電極１１９ａと容量結合しており、副画素電極１２１ｃは第２の絶縁膜１２０を介して制御電極１１９ｃと容量結合している。また、副画素電極１２１ｂは、第２の絶縁膜１２０に設けられたコンタクトホール１２０ａを介して補助容量電極１１９ｂと電気的に接続されている。

図３に示すように、副画素電極１２１ａは画素領域の上側に配置されており、Ｙ軸に平行な中心線を境界として左右対称形の２つの領域（ドメイン制御領域）に分割されている。そして、右側の領域にはＸ軸に対しほぼ４５°方向に伸びる複数のスリット１２２が形成されており、左側の領域にはＸ軸に対しほぼ１３５°方向に伸びる複数のスリット１２２が形成されている。

副画素電極１２１ｂは画素領域の中央に配置されており、Ｘ軸に平行な中心線及びＹ軸に平行な中心線により４つの領域（ドメイン制御領域）に分割されている。右上の第１の領域にはＸ軸に対しほぼ４５°の方向に伸びる複数のスリット１２２が形成されており、左上の第２の領域にはＸ軸に対しほぼ１３５°の方向に伸びる複数のスリット１２２が形成されており、左下の第３の領域にはＸ軸に対しほぼ２２５°の方向に伸びる複数のスリット１２２が形成されており、右下の第４の領域にはＸ軸に対しほぼ３１５°の方向に伸びる複数のスリット１２２が形成されている。

副画素電極１２１ｃは画素領域の下側に配置されており、Ｙ軸に平行な中心線を境界として左右対称形の２つの領域（ドメイン制御領域）に分割されている。そして、左側の領域にはＸ軸に対しほぼ２２５°の方向に伸びる複数のスリット１２２が形成されており、右下の領域にはＸ軸に対しほぼ３１５°の方向に伸びる複数のスリット１２２が形成されている。各副画素電極１２１ａ〜１２１ｃのスリット１２２の幅は例えば３．５μｍであり、スリット間の間隔（微細電極部の幅）は例えば６μｍである。

なお、本願明細書では、画素電極又は副画素電極のうち、スリット間の帯状の導体部分を微細電極部と呼び、微細電極部の基端側を相互に電気的に接続する部分を接続電極部と呼んでいる。

これらの副画素電極１２１ａ〜１２１ｃの上には、ポリイミド等からなる垂直配向膜（図示せず）が形成されている。

一方、対向基板１３０のベースとなるガラス基板１３１の一方の面側（図４では下側）には、ブラックマトリクス（遮光膜）１３２と、カラーフィルタ１３３と、コモン電極１３４とが形成されている。

ブラックマトリクス１３２は、ＴＦＴ基板１１０側のゲートバスライン１１２、データバスライン１１７及びＴＦＴ１１８に対向する位置に配置されている。カラーフィルタ１３３には、赤色、緑色及び青色の３種類があり、画素領域毎にいずれか１色のカラーフィルタが配置されている。隣接する赤色画素、緑色画素及び青色画素の３つの画素により１つのピクセルが構成され、種々の色の表示を可能としている。

コモン電極１３４はＩＴＯ等の透明導電体により形成され、カラーフィルタ１３３の上（図４では下側）に配置されている。このコモン電極１３４の上（図４では下側）には、ポリイミド等の垂直配向膜（図示せず）が形成されている。

このように構成された本実施形態の液晶表示装置において、データバスライン１１７に表示信号を印加し、ゲートバスライン１１２に所定の電圧（走査信号）を印加すると、ＴＦＴ１１８がオンになって制御電極１１９ａ，１１９ｃ及び補助容量電極１１９ｂに表示信号が伝達される。副画素電極１２１ｂはコンタクトホール１２０ａを介して補助容量電極１１９ｂと接続されているため、副画素電極１２１ｂの電圧は表示信号の電圧と同じになる。

一方、副画素電極１２１ａ，１２１ｃには、制御電極１１９ａ，１１９ｃとの間の容量値に応じた電圧が印加される。ここで、表示信号の電圧をＶ_D とし、副画素電極１２１ａ，１２１ｃと対向電極との間の容量値をＣ１、副画素電極１２１ａ，１２１ｃと制御電極１１９ａ，１１９ｃとの間の容量値をＣ２とすると、副画素電極１２１ａ，１２１ｃに印加される電圧Ｖ１は、Ｖ１＝Ｖ_D ・Ｃ２／（Ｃ１＋Ｃ２）となる。

つまり、副画素電極１２１ａ，１２１ｃには、画素電極１２１ｂよりも低い電圧が印加され、１画素内に透過率−印加電圧特性（Ｔ−Ｖ特性）が異なる２つの領域が存在することになる。そして、各領域の透過率−印加電圧特性を合成したものが全体の透過率−印加電圧特性となる。このように、１画素内に透過率−印加電圧特性が異なる複数の領域を形成することにより、画面を斜めから見たときの表示品質の劣化が回避されることが知られている。

本実施形態では、副画素電極１２１ｂ（すなわち、容量結合を介さずにＴＦＴに接続された副画素電極：以下、直結画素電極という）が配置された領域における透過率−印加電圧特性のしきい値と、副画素電極１２１ａ，１２１ｃ（容量結合を介してＴＦＴに接続された副画素電極：以下、容量結合画素電極という）が配置された領域における透過率−印加電圧特性のしきい値との差が１Ｖとなるように各容量値Ｃ１，Ｃ２を設定する。また、本実施形態では、副画素電極１２１ｂ（直結画素電極）が配置された領域の面積と、副画素電極１２１ａ，１２１ｃ（容量結合画素電極）が配置された領域の面積との比を、４：６としている。これらの容量値Ｃ１，Ｃ２値及び面積比は、所望の階調輝度特性に応じて適宜設定すればよい。

図５は、横軸に階調をとり、縦軸に透過率をとって、本実施形態の液晶表示装置（実施例）の正面から見たときの透過率−印加電圧特性と、斜め方向から見たときの透過率−印加電圧特性とを示す図である。なお、図５には、図１に示す構造の従来の液晶表示装置の斜め方向から見たときの透過率−印加電圧特性を示している。この図５からわかるように、本実施形態の液晶表示装置は、斜め方向から見たときの透過率−印加電圧特性のうねりが従来例の液晶表示装置に比べて小さい。このことから、本実施形態の液晶表示装置は、図１に示す従来例の液晶表示装置に比べて斜め方向から見たときの表示品質が改善されていることがわかる。

なお、スリット１２２の伸びる方向が相互に異なる各領域の境界部分、すなわちＸ軸に平行な画素領域の中心線に沿った領域及びＹ軸に平行な画素領域の中心線に沿った領域では、電圧印加時に液晶分子がＸ軸又はＹ軸に平行な方向（すなわち、偏光板１４１ａ，１４１ｂの吸収軸と平行又は直交する方向）に配向するので、光が透過しない。本実施形態では、制御電極１１９ａ，１１９ｃ及び補助容量電極１１９ｂを、この境界部分に設けているので、制御電極１１９ａ，１１９ｃ及び補助容量電極１１９ｂを設けることによる開口率の低下を最小限にすることができる。

以下、本実施形態の液晶表示装置の製造方法について説明する。

まず、ＴＦＴ基板１１０のベースとなるガラス基板１１１を用意する。そして、このガラス基板１１１の上に例えばＡｌ（アルミニウム）／Ｔｉ（チタン）を積層してなる金属膜を形成し、この金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、ゲートバスライン１１２と、補助容量バスライン１１３とを形成する。この場合、例えばゲートバスライン１１２は、垂直方向に約３００μｍのピッチで形成する。

次に、ガラス基板１１１の上側全面に例えばＳｉＯ₂ 又はＳｉＮ等の絶縁物からなる第１の絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１４を形成する。そして、この第１の絶縁膜１１４の上の所定の領域に、ＴＦＴ１１８の活性層となる半導体膜（アモルファスシリコン膜又はポリシリコン膜）１１５を形成する。

次に、ガラス基板１１１の上側全面にＳｉＮ膜を形成し、フォトリソグラフィ法によりＳｉＮ膜をパターニングして、半導体膜１１５のチャネルとなる領域の上にチャネル保護膜１１６を形成する。

次に、ガラス基板１１１の上側全面に不純物を高濃度に導入した半導体膜からなるオーミックコンタクト層（図示せず）を形成する。その後、ガラス基板１１１の上に例えばＴｉ／Ａｌ／Ｔｉをこの順で積層してなる金属膜を形成し、この金属膜及びオーミックコンタクト層をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、データバスライン１１７、ドレイン電極１１８ａ、ソース電極１１８ｂ、制御電極１１９ａ，１１９ｃ及び補助容量電極１１９ｂを形成する。この場合、例えばデータバスライン１１７は、水平方向に約１００μｍのピッチで形成する。

次に、ガラス基板１１１の上側全面に例えばＳｉＯ₂ 又はＳｉＮ等の絶縁物からなる第２の絶縁膜１２０を形成する。そして、この第２の絶縁膜１２０に、補助容量電極１１９ｂに到達するコンタクトホール１２０ａを形成する。

次に、ガラス基板１１１の上側全面にＩＴＯをスパッタリングして、ＩＴＯ膜を形成する。このＩＴＯ膜は、コンタクトホール１２０ａを介して補助容量電極１１９ｂと電気的に接続される。その後、ＩＴＯ膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、副画素電極１２１ａ〜１２１ｃを形成する。これらの副画素電極１２１ａ〜１２１ｃには、前述したように斜め方向に伸びるスリット１２２を形成する。

次いで、ガラス基板１１１の上側全面にポリイミドを塗布して配向膜を形成する。このようにして、ＴＦＴ基板１１０が完成する。

次に、対向基板１３０の製造方法について説明する。

まず、対向基板１３０のベースとなるガラス基板１３１を用意する。そして、このガラス基板１３１の所定の領域上に、Ｃｒ（クロム）又は黒色樹脂によりブラックマトリクス１３２を形成する。このブラックマトリクス１３２は、例えばＴＦＴ基板１１０側のゲートバスライン１１２及びソースバスライン１１７に対向する位置に形成する
次に、赤色感光性樹脂、緑色感光性樹脂及び青色感光性樹脂を使用して、ガラス基板１３１の上に赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ１３３を形成する。

次いで、ガラス基板１３１の上側全面にＩＴＯをスパッタリングしてコモン電極１３４を形成した後、コモン電極１３４の上にポリイミドを塗布して配向膜を形成する。このようにして、対向基板１３０が完成する。

このようにして製造したＴＦＴ基板１１０と対向基板１３０とを相互に対向させて配置し、両者の間に誘電率異方性が負の液晶を封入して液晶パネル１００とする。液晶には、予め重合成分として例えば光官能基を有する重合成分（ジアクリレート又はメタクリレート等）を、液晶に対し０．３ｗｔ％添加しておく。また、ＴＦＴ基板１１０と対向基板１３０との間隔（セルギャップ）は例えば３．５〜４μｍとする。

次いで、ゲートバスライン１１２に所定の信号を印加して各画素のＴＦＴ１１８をオン状態にし、更にデータバスライン１１７に所定の電圧を印加する。これにより、副画素電極１２１ａ〜１２１ｃとコモン電極１３４との間に電圧が印加され、画素内の液晶分子が所定の方向に配向する。液晶分子の配向が十分に安定した後、紫外線を照射して液晶中のモノマーを重合させる。このようにして液晶層中に形成されたポリマーにより、電圧印加時に液晶分子が倒れる方向が決定される。

その後、液晶パネル１００の厚さ方向の両側にそれぞれ偏光板１４１ａ，１４１ｂを配置し、更に駆動回路及びバックライトを取り付ける。このようにして、本実施形態の液晶表示装置が完成する。

（第２の実施形態）
図６は本発明の第２の実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。なお、図６において、図３と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。

本実施形態においては、１つの画素領域内に、２つの副画素電極１５２ａ，１５２ｂが形成されている。副画素電極１５２ａ（直結画素電極）は画素領域内の上側の領域に配置されており、Ｘ軸に平行な中心線及びＹ軸に平行な中心線により４つの領域（ドメイン制御領域）に分割されている。右上の第１の領域にはＸ軸に対しほぼ４５°の方向に伸びる複数のスリット１５３が形成されており、左上の第２の領域にはＸ軸に対しほぼ１３５°の方向に伸びる複数のスリット１５３が形成されており、左下の第３の領域にはＸ軸に対しほぼ２２５°の方向に伸びる複数のスリット１５３が形成されており、右下の第４の領域にはＸ軸に対しほぼ３１５°の方向に伸びる複数のスリット１５３が形成されている。

副画素電極１５２ｂ（容量結合画素電極）は、画素領域内の下側の領域に配置されている。副画素電極１５２ｂの面積は副画素電極１５２ａよりも大きく、副画素電極１５２ａと同様にＸ軸に平行な中心線及びＹ軸に平行な中心線により４つの領域（ドメイン制御領域）に分割されている。そして、右上の第１の領域にはＸ軸に対しほぼ４５°の方向に伸びる複数のスリット１５３が形成されており、左上の第２の領域にはＸ軸に対しほぼ１３５°の方向に伸びる複数のスリット１５３が形成されており、左下の第３の領域にはＸ軸に対しほぼ２２５°の方向に伸びる複数のスリット１５３が形成されており、右下の第４の領域にはＸ軸に対しほぼ３１５°の方向に伸びる複数のスリット１５３が形成されている。

副画素電極１５２ａ，１５２ｂの下方には、Ｙ軸に平行な画素領域の中心線に沿って伸びる制御電極１５１ａが形成されている。この制御電極１５１ａはＴＦＴ１１８のドレイン電極と電気的に接続されている。

また、副画素電極１５２ａの下方には、Ｘ軸に平行な副画素電極１５２ａの中心線に沿って補助容量バスライン１１３及び補助容量電極１５１ｂが形成されている。補助容量バスライン１１３はゲートバスライン１１２と同じ層（レイヤー）に形成されている。また、補助容量電極１５１ｂは制御電極１５１ａと同じ層に形成され、制御電極１５１ａと接続されている。補助容量バスライン１１３と補助容量電極１５１ｂとの間には第１の絶縁膜（図４の絶縁膜１１４に相当）が形成されており、この第１の絶縁膜と補助容量バスライン１１３及び補助容量電極１５１ｂとにより補助容量を構成している。また、補助容量電極１５１ｂは、第２の絶縁膜（図４の絶縁膜１２０に相当）に形成されたコンタクトホール１５４を介して副画素電極１５２ａと電気的に接続されている。

更に、副画素電極１５２ｂの下方には、Ｘ軸に平行な副画素電極１５２ｂの中心線に沿って制御電極１５１ｃが形成されている。この制御電極１５１ｃも制御電極１５１ａと同じ層（レイヤー）に形成され、制御電極１５１ａと電気的に接続されている。また、この制御電極１５１ｃは、第２の絶縁膜を介して副画素電極１５２ｂに容量結合している。

対向基板の構造は第１の実施形態と基本的に同じであるので、ここでは説明を省略する。また、本実施形態においても、ＴＦＴ基板と対向基板との間にはジアクリレート等の重合成分を添加した液晶を封入し、画素電極（副画素電極１５２ａ，１５２ｂ）とコモン電極との間に電圧を印加して液晶分子を所定の方向に配向させた後、紫外線を照射して重合成分を重合させ、液晶層中にポリマーを形成している。

本実施形態においても、第１の実施形態と同様に１画素内に透過率−印加電圧特性が異なる２つの領域を設けているので、画面を斜め方向から見たときの表示品質の劣化が回避されるという効果を奏する。

また、本実施形態では、Ｘ軸に平行な副画素電極１５２ａの中心線に沿って補助容量バスライン１１３及び補助容量電極１５１ｂを形成している。この部分はドメインの境界となる部分であり、電圧印加時に液晶分子がＸ軸と平行な方向に倒れるので、仮に補助容量バスライン１１３及び補助容量電極１５１ｂがなくても、この部分では光は透過しない。従って、補助容量バスライン１１３及び補助容量電極１５１ｂを形成することによる透過率の低下が回避される。また、本実施形態においては、補助容量電極１５１ｂの長さ及び幅を調整することにより補助容量の容量値を調整することが可能であり、補助容量の容量値の設計自由度が高いという利点もある。

これと同様に、Ｘ軸に平行な副画素電極１５２ｂの中心線に沿って制御電極１５１ｃを形成しているので、制御電極１５１ｃを形成することによる透過率の低下が回避される。また、制御電極１５１ｃの長さ及び幅を調整することにより、制御電極１５１ａ，１５１ｃと副画素電極１５２ｂとの間の結合容量値を調整することが可能であり、結合容量値の設計自由度が高いという利点もある。

（第３の実施形態）
図７は本発明の第３の実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。図７において、図３と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。

本実施形態においても、１つの画素領域内に２つの副画素電極１６２ａ，１６２ｂが形成されている。副画素電極１６２ａ（直結画素電極）は画素領域内の上側の領域に配置されており、Ｘ軸に平行な中心線及びＹ軸に平行な中心線により４つの領域（ドメイン制御領域）に分割されている。右上の第１の領域にはＸ軸に対しほぼ４５°の方向に伸びる複数のスリット１６３が形成されており、左上の第２の領域にはＸ軸に対しほぼ１３５°の方向に伸びる複数のスリット１６３が形成されており、左下の第３の領域にはＸ軸に対しほぼ２２５°の方向に伸びる複数のスリット１６３が形成されており、右下の第４の領域にはＸ軸に対しほぼ３１５°の方向に伸びる複数のスリット１６３が形成されている。

副画素電極１６２ｂ（容量結合画素電極）は画素領域内の下側の領域に配置されている。副画素電極１６２ｂの面積は副画素電極１６２ａよりも大きく、副画素電極１６２ａと同様にＸ軸に平行な中心線及びＹ軸に平行な中心線により４つの領域（ドメイン制御領域）に分割されている。そして、右上の第１の領域にはＸ軸に対しほぼ３１５°の方向に伸びる複数のスリット１６３が形成されており、左上の第２の領域にはＸ軸に対しほぼ２２５°の方向に伸びる複数のスリット１６３が形成されており、左下の第３の領域にはＸ軸に対しほぼ１３５°の方向に伸びる複数のスリット１６３が形成されており、右下の第４の領域にはＸ軸に対しほぼ４５°の方向に伸びる複数のスリット１６３が形成されている。

副画素電極１６２ａ，１６２ｂの下方には、Ｙ軸に平行な画素領域の中心線に沿って制御電極１６１ａが形成されている。この制御電極１６１ａは、ＴＦＴ１１８のドレイン電極１１８ａと電気的に接続されている。

また、副画素電極１６２ａの下方には、Ｘ軸に平行な副画素電極１６２ａの中心線に沿って補助容量バスライン１１３及び補助容量電極１６１ｂが形成されている。補助容量バスライン１１３はゲートバスライン１１２と同じ層に形成されている。また、補助容量電極１６１ｂは制御電極１６１ａと同じ層に形成され、制御電極１６１ａと電気的に接続されている。補助容量バスライン１１３と補助容量電極１６１ｂとの間には第１の絶縁膜（図４の絶縁膜１１４に相当）が形成されており、補助容量バスライン１１３、補助容量電極１６１ｂ及びそれらの間の第１の絶縁膜により補助容量を構成している。補助容量電極１６１ｂは、第２の絶縁膜（図４の絶縁膜１２０に相当）に形成されたコンタクトホール１６４を介して副画素電極１６２ａと電気的に接続されている。

更に、副画素電極１６２ｂの端部の下方には制御電極１６１ｃが形成されている。この制御電極１６１ｃも制御電極１６１ａと同じ層に形成され、制御電極１６１ａと電気的に接続されている。この制御電極１６１ｃは、第２の絶縁膜を介して副画素電極１６２ｂに容量結合している。

本実施形態においても、対向基板の構造は第１の実施形態と基本的に同じであるので、ここでは対向基板の説明を省略する。また、本実施形態においても、ＴＦＴ基板と対向基板との間にはジアクリレート等の重合成分を添加した液晶を封入し、画素電極（副画素電極１６２ａ，１６２ｂ）とコモン電極との間に電圧を印加して液晶分子を所定の方向に配向させた後、紫外線を照射して重合成分を重合させている。

前述した第２の実施形態（図６参照）では、副画素電極１５２ａと副画素電極１５２ｂとの間の液晶分子が電圧印加時にＸ軸に平行な方向に傾斜するので、副画素電極１５２ａと副画素電極１５２ｂとの間に暗線が発生する。一方、本実施形態においては、２つの副画素電極１６２ａ，１６２ｂの間隙がその近傍のスリット１６３と同じ方向に延在しているので、副画素電極１６２ａ，１６２ｂ間の液晶分子が電圧印加時にスリット１６３と同じ方向に傾斜する。これにより、副画素電極１６２ａ，１６２ｂ間には暗線が発生せず、実質的な開口率が向上する。

また、本実施形態においても、第１の実施形態と同様に１画素内に透過率−印加電圧特性が異なる２つの領域を設けているので、画面を斜め方向から見たときの表示品質の劣化が回避されるという効果を奏する。

（第４の実施形態）
図８は、本発明の第４の実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。

本実施形態においては、図８に示すように、データバスライン１７７が、Ｘ軸に対しほぼ４５°又は３１５°の方向に屈曲したジグザグの形状に形成されている。但し、ゲートバスライン１２２は、第１〜第３の実施形態と同様に、Ｘ軸に平行に形成されている。

これらのゲートバスライン１２２及びデータバスライン１７７により区画される画素領域毎に、３つの副画素電極１７２ａ，１７２ｂ，１７２ｃと、ＴＦＴ１１８とが形成されている。本実施形態においても、ＴＦＴ１１８はゲートバスライン１２２の一部をゲート電極としており、ゲートバスライン１２２を挟んでドレイン電極１１８ｂ及びソース電極１１８ａが相互に対向して配置されている。副画素電極１７２ａ〜１７２ｃの下方には、画素領域の中心線に沿って屈曲した形状の制御電極１７１が形成されている。この制御電極１７１は、第１の絶縁膜（図３の絶縁膜１１４に相当）上に形成されており、ＴＦＴ１１８のドレイン電極１１８ｂと電気的に接続している。

副画素電極１７２ａ（容量結合画素電極）は、その中心線により２つの領域（ドメイン制御領域）に分割されている。そして、右側の領域にはＸ軸に対しほぼ３１５°の方向に伸びるスリット１７３が設けられており、左側の領域にはＸ軸に対しほぼ１３５°の方向に伸びるスリット１７３が設けられている。

副画素電極１７２ｂ（直結画素電極）は、画素領域の中央の屈曲した部分に配置されており、Ｘ軸に対しほぼ４５°の方向に伸びるスリット１７３が形成された第１の領域と、Ｘ軸に対しほぼ１３５°の方向に伸びるスリット１７３が形成された第２の領域と、Ｘ軸に対しほぼ２２５°の方向に伸びるスリット１７３が形成された第３の領域と、Ｘ軸に対しほぼ３１５°の方向に伸びるスリット１７３が形成された第４の領域とに分割されている。この副画素電極１７２ｂは第２の絶縁膜（図３の絶縁膜１２０に相当）に設けられたコンタクトホール１７４を介して制御電極１７１に電気的に接続されている。

また、副画素電極１７２ｃ（容量結合画素電極）は、その中心線により２つの領域（ドメイン制御領域）に分割されている。そして、右側の領域にはＸ軸に対しほぼ４５°の方向に伸びるスリット１７３が設けられており、左側の領域にはＸ軸に対しほぼ２２５°の方向に伸びるスリット１７３が設けられている。副画素電極１７２ａ，１７２ｃは、第２の絶縁膜を介して制御電極１７１と容量結合している。

本実施形態においても、対向基板の構造は第１の実施形態と基本的に同じであるので、ここでは対向基板の説明を省略する。また、本実施形態においても、ＴＦＴ基板と対向基板との間にはジアクリレート等の重合成分を添加した液晶を封入し、画素電極（副画素電極１７２ａ〜１７２ｃ）とコモン電極との間に電圧を印加して液晶分子を所定の方向に配向させた後、紫外線を照射して重合成分を重合させている。

第１〜第３の実施形態では、副画素電極のスリットがＸ軸に対し４５°、１３５°、２２５°及び３１５°の方向に伸びており、液晶分子はスリットと同じ方向に傾斜する。しかし、副画素電極の端部では電気力線が外側に向って発生するため、副画素電極とデータバスラインとの間の液晶分子はＸ軸に平行な方向に倒れる。一方、液晶パネルを挟む２枚の偏光板のうちの一方は吸収軸をＸ軸に平行に配置され、他方は吸収軸をＹ軸に平行に配置される。この場合、第１〜第３の実施形態の液晶表示装置では、副画素電極とデータバスラインとの間に暗部が発生し、実質的な開口率が低下してしまう。

そこで、本実施形態においては、図８に示すように予めデータバスライン１７７をゲートバスライン１２２に対しほぼ４５°又は３１５°の方向に延在させて、電圧印加時に副画素電極１７２ａ〜１７２ｃとデータバスライン１７７との間の液晶分子を偏光板の偏光軸に対し４５°の方向に倒れるようにしている。従って、副画素電極１７２ａ〜１７２ｃとデータバスライン１７７との間に暗部が発生しなくなり、第１〜第３の実施形態に比べて実質的な開口率が向上し、より一層明るい表示が可能になるという効果を奏する。実際に本実施形態に係る液晶表示装置を製造してその透過率を調べたところ、図３に示す構造の液晶表示装置に比べて透過率が約５％向上した。

本実施形態の液晶表示装置においても、１画素内に透過率−印加電圧特性が異なる複数の領域が形成されているため、画面を斜め方向から見たときの表示品質が向上するという効果が得られる。

（第５の実施形態）
図９は、本発明の第５の実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。本実施形態が第４の実施形態と異なる点は副画素電極の形状が異なることにあり、その他の構造は第４の実施形態と同様であるので、図９において図８と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。

図８に示す第４の実施形態の液晶表示装置では、副画素電極１７２ａ〜１７２ｃに多くのスリット１７３を形成している。これらのスリット１７３はフォトリソグラフィ法により形成される。すなわち、副画素電極１７２ａ〜１７２ｃとなるＩＴＯ膜の上にフォトレジストを塗布し、その後ステッパ露光した後に現像処理を施し、残存したフォトレジスト膜をマスクとしてＩＴＯ膜をエッチングすることにより形成される。しかし、スリット１７３は微細であるので、フォトレジスト膜の膜厚のばらつきやステッパ露光時のわずかな露光量の差（ショットむら）によりスリット幅のばらつきが発生し、それにより光学特性が影響されて表示品位が低下することが考えられる。

そこで、第５の実施形態では、副画素電極１８２ａ〜１８２ｃ（第４の実施形態の副画素電極１７２ａ〜１７２ｃに対応）の端部及び屈曲部のみにスリット１８３を形成している。本実施形態の液晶表示装置は、液晶中に添加した重合成分（モノマー）を重合する際に、第４の実施形態の液晶表示装置に比べて電圧を印加してから液晶分子が所定の方向に配向するまでの時間が長くなる。しかしながら、実使用時には液晶層中のポリマーにより液晶分子の配向方向が決定されているので、第４の実施形態の液晶表示装置と同等の応答特性が得られる。

（第６の実施形態）
以下、本発明の第６の実施形態について説明する。

前述したように、図１に示す液晶表示装置では、フォトリソグラフィ工程に起因してスリット幅のばらつきが発生し、中間階調表示を行うとタイル状のパターンが見えることがある。本願発明者等は、このような問題を解消すべく種々実験・研究を行った。その結果、液晶層の厚さ（セルギャップ）をｄ、スリット間の導体部分（すなわち微細電極部）の幅をＬ、スリット幅をＳとしたときに、下記（１）式を満足するようにｄ、Ｌ及びＳの値を設定することにより、フォトリソグラフィ工程に起因する表示むらを防止できるとの知見を得た。

例えば、液晶層の厚さｄを４μｍとし、微細電極部の幅Ｌを６μｍとし、スリット幅Ｓを３．５μｍとすればよい。

実際に上記の条件で液晶表示装置を製造したところ、タイル状のパターンの発生を防止できることが確認された。しかしながら、白表示時の輝度が低下するという新たな問題が発生した。これは、以下の理由によるものと考えられる。

画素電極とコモン電極との間に電圧を印加すると、液晶分子（誘電率異方性が負の液晶分子）は、画素電極から発生する電気力線に直交する方向に倒れようとする。図１０に示すように、微細電極部２０１の先端側（データバスライン２０２側）の液晶分子２０３は、電圧印加と同時に画素の中心に向って倒れる。また、スリット２０４及び微細電極部２０１の上では、互いに逆方向に倒れようとする液晶分子２０３がぶつかり合い、最終的には微細電極部２０１の先端部の液晶分子２０３の影響を受けて、これらの液晶分子２０３はスリット２０４の伸びる方向に倒れる。

しかし、微細電極部２０１の先端部とデータバスライン２０２との間の液晶分子２０３は電圧印加時にデータバスライン２０２に対しほぼ垂直な方向に倒れるので、この部分に暗部が発生する。微細電極部２０１の幅を広く（例えば６μｍ）すると、暗部となる領域が増えてしまうため、輝度が低下してしまう。

暗部となる領域を小さくするためには、微細電極部２０１を伸ばして微細電極部２０１とデータバスライン２０２との間隔を小さくすることが考えられる。しかし、単に微細電極部２０１とデータバスライン２０２との間隔を小さくしただけでは、微細電極部２０１とデータバスライン２０２との間の寄生容量が大きくなり、クロストークが発生して表示品質の劣化を招いてしまう。すなわち、輝度の改善とクロストークの抑制とはトレードオフの関係にある。

本願発明者等は、図１０に示す形状の画素電極を有する液晶表示装置における液晶分子の配向状態を詳細に観察した。その結果、微細電極部２０１の先端部のうち対向する微細電極部２０１がない部分（図１０にＡで示す部分）では、液晶分子２０３はデータバスライン２０２に対しほぼ垂直に倒れていることが判明した。この微細電極部２０３の先端部分は、データバスライン２０２に近いために寄生容量を大きくする要因となっている。

そこで、本実施形態においては、図１１に示すように、微細電極部２１５ｂとデータバスライン２１２との間隔を小さくするとともに、微細電極部２１５ｂの先端部であって液晶分子をスリット２１５ａの方向に配向させるのに寄与していない部分、すなわち対向する微細電極部がない部分（図１１中に円で囲んだ部分）に切り欠きを設けて、寄生容量の増加を回避する。これにより、白表示時の透過率が向上し省電力化が可能になるとともに、表示品質の劣化が回避される。

なお、図１１において、２１１はゲートバスライン、２１２はデータバスライン、２１４はＴＦＴ、２１５は画素電極を示している。また、図１１の拡大図中の一点鎖線は、従来のＭＶＡモードの液晶表示装置における微細電極部の先端位置を示している。

フォトリソグラフィ工程で先端が鋭角の微細電極部を形成することは極めて困難であり、通常は微細電極部の先端が丸みを帯びてしまう。しかも、フォトリソグラフィ工程におけるわずかな条件の変化により丸みの程度にばらつきが発生し、光学特性のばらつきの原因となる。このため、設計時において、微細電極部の先端形状を所定の曲率の円弧状又は多角形状としておくことが好ましい。

また、本願発明者等は、図１０に示す形状の画素電極を有する液晶表示装置における液晶分子の配向状態を更に観察した結果、スリット２０４の基端部（図１０にＢで示す部分）の近傍では、液晶分子２０３が４５°方向に倒れないため、白輝度が低下する要因となっていることが判明した。これは、以下の理由によると考えられる。

画素電極の幹部（各微細電極部を相互に接続する部分：すなわち接続電極２０５）は、ゲートバスライン２０２に平行に形成されている。この接続電極２０５と微細電極部２０１とに挟まれた領域Ｂの液晶分子２０３は、接続電極２０５及び微細電極部２０１から発生する電気力線に直交する方向に倒れようとしてぶつかり合い、最終的には両者のつりあいがとれる方向、すなわち接続電極２０５と微細電極部２０１とのなす角を２等分する線の方向に倒れる。この方向は、スリット２０４の伸びる方向からずれているため、白表示時における透過率が低くなる。

そこで、本実施形態では、スリットの基端部の形状を、スリットの中心線に対し線対称となる形状とする。具体的には、例えば図１２に示すように、スリット２１５ａの基端側の形状を直方形としたり、図１３に示すように二等辺三角形とする。これにより、スリット２１５ａの基端部の液晶分子２０３がスリット２１５ａの中心線の方向に倒れるようになり、輝度が向上する。

以下、本実施形態の液晶表示装置を実際に製造し、その特性を調べた結果について、比較例と比較して説明する。なお、これらの実施例及び比較例の液晶表示装置において、対向基板の構造は第１の実施形態の液晶表示装置と同様である。また、ＴＦＴ基板と対向基板との間には、ジアクリレートを添加した液晶（誘電率異方性が負の液晶）を封入し、その後画素電極とコモン電極との間に所定の電圧を印加した状態で紫外線を照射して、液晶層中にポリマーを形成している。また、液晶パネルの両側にはそれぞれ偏光板を配置している。

（比較例１）
図１に示すような画素電極を有する液晶表示装置を製造した。この比較例１の液晶表示装置の液晶層の厚さｄは３．８μｍ、微細電極部の幅Ｌは３μｍ、スリット幅Ｓは３．５μｍである。Ｌ＋ｄ−Ｓの値は３．３μｍとなり、前述の（１）式を満足していない。この比較例１の液晶表示装置の全面に中間階調の表示を行ったところ、タイル状のパターンが観察された。

（比較例２）
図１に示すような画素電極を有する液晶表示装置を製造した。この比較例２の液晶表示装置の液晶層の厚さｄは４μｍ、微細電極部の幅Ｌは３μｍ、スリット幅Ｓは３．５μｍである。Ｌ＋ｄ−Ｓの値は３．５μｍとなり、前述の（１）式を満足していない。この比較例２の液晶表示装置の全面に中間階調の表示を行ったところ、タイル状のパターンが観察された。

（比較例３）
図１に示すような画素電極を有する液晶表示装置を製造した。この比較例３の液晶表示装置の液晶層の厚さｄは４μｍ、微細電極部の幅Ｌは６μｍ、スリット幅Ｓは３．５μｍである。Ｌ＋ｄ−Ｓの値は６．５μｍとなり、前述の（１）式を満足する。この比較例３の液晶表示装置の全面に中間階調の表示を行ったところ、タイル状のパターンは観察されなかった。しかしながら、この液晶表示装置の白表示時の輝度を測定したところ、比較例２の液晶表示装置に比べて約１０％低下していることが判明した。

（実施例１）
図１１に示すような画素電極を有する液晶表示装置を製造した。この実施例１の液晶表示装置の液晶層の厚さｄは４μｍ、微細電極部の幅Ｌは６μｍ、スリット幅Ｓは３μｍである。Ｌ＋ｄ−Ｓの値は７μｍとなり、前述の（１）式を満足する。この実施例１の液晶表示装置の全面に中間階調の表示を行ったところ、タイル状のパターンは観察されなかった。また、この液晶表示装置の白表示時の輝度を測定したところ、比較例３の液晶表示装置に比べて約７％向上していることが判明した。

（実施例２）
図１２に示すような画素電極を有する液晶表示装置を製造した。この実施例２の液晶表示装置の液晶層の厚さｄは４μｍ、微細電極部の幅Ｌは６μｍ、スリット幅Ｓは３μｍである。Ｌ＋ｄ−Ｓの値は７μｍとなり、前述の（１）式を満足する。この実施例２の液晶表示装置の全面に中間階調の表示を行ったところ、タイル状のパターンは観察されなかった。また、この液晶表示装置の白表示時の輝度を測定したところ、比較例３の液晶表示装置に比べて約７．１％向上していることが判明した。

（実施例３）
図１３に示すような画素電極を有する液晶表示装置を製造した。この実施例３の液晶表示装置の液晶層の厚さｄは４μｍ、微細電極部の幅Ｌは６μｍ、スリット幅Ｓは３μｍである。Ｌ＋ｄ−Ｓの値は７μｍとなり、前述の（１）式を満足する。この実施例３の液晶表示装置の全面に中間階調の表示を行ったところ、タイル状のパターンは観察されなかった。また、この液晶表示装置の白表示時の輝度を測定したところ、比較例３の液晶表示装置に比べて約７．１％向上していることが判明した。

これらの実施例１〜３と比較例１〜３との比較により、本実施形態の液晶表示装置が表示品質の向上に有効であるとともに、白表示時の透過率が高く省電力化に有効であることが確認された。

（第７の実施形態）
以下、本発明の第７の実施形態について説明する。

第１の実施形態の液晶表示装置では、突起や幅広のスリットのような構造物がないために開口率を大きくすることができる。しかし、補助容量を画素容量に対し十分に大きくしないと、１フレーム期間（約１６．７ｍｓ）内で液晶にかかる電圧が大きく低下し、透過強度がピーク手前で飽和してしまう。これは２段応答と呼ばれる現象であり、２段応答により透過強度が９０％以下で飽和してしまうと、液晶の立ち上がりを急峻にしても液晶パネルの応答速度を短縮することはできない。そこで、本実施形態においては、開口率を維持したまま補助容量の容量値の増大を図り、上述の問題を解消する。以下、図１４，図１５を参照して具体的に説明する。

図１４は本発明の第７の実施形態の液晶表示装置の１画素を示す平面図、図１５は図１４のＩ−Ｉ線の位置における断面図である。なお、図１４では偏光板の図示を省略している。

ＴＦＴ基板３１０には、図１４に示すように、水平方向（Ｘ軸方向）に伸びる複数のゲートバスライン３１２と、垂直方向（Ｙ軸方向）に伸びる複数のデータバスライン３１７とが形成されている。これらのゲートバスライン３１２及びデータバスライン３１７により区画される矩形の画素領域の中央には、ゲートバスライン３１２に平行に補助容量バスライン３１３が形成されている。

また、各画素領域毎に、補助容量下部電極３１３ａ，３１３ｃ、ＴＦＴ３１８、補助容量電極３１９ｂ、制御電極３１９ａ，３１９ｃ及び第１〜第３の副画素電極３２１ａ〜３２１ｃが形成されている。補助容量下部電極３１３ａ，３１３ｃは、Ｙ軸に平行な画素領域の中心線に沿って形成されており、補助容量バスライン３１３と電気的に接続されている。

ＴＦＴ３１８はゲートバスライン３１２の一部をゲート電極としており、ゲートバスライン３１２を挟んでドレイン電極３１８ａ及びソース電極３１８ｂが相互に対向して配置されている。

制御電極３１９ａ，３１９ｃは第１の絶縁膜３１４を挟んで補助容量下部電極３１３ａ，３１３ｃに対向する位置に形成されており、ドレイン電極３１８ａと電気的に接続されている。また、補助容量電極３１９ｂは第１の絶縁膜３１４を挟んで補助容量バスライン３１３に対向する位置に形成されており、制御電極３１９ａ，３１９ｃと電気的に接続されている。補助容量バスライン３１３及び補助容量下部電極３１３ａ，３１３ｃと、補助容量電極３１９ｂ及び制御電極３１９ａ，３１９ｃと、それらの間の第１の絶縁膜３１４とにより、補助容量が構成されている。

副画素電極３２１ａ〜３２１ｃはＩＴＯ等の透明導電体により形成されており、第２の絶縁膜３２０の上にデータバスライン３１７に沿って配置されている。図１４に示すように、副画素電極３２１ａ（容量結合画素電極）は画素領域の上側の領域に配置されており、Ｙ軸に平行な中心線を境界として２つの領域（ドメイン制御領域）に分割されている。そして、右側の領域にはＸ軸に対し４５°の方向に伸びるスリット３２２が形成されており、左側の領域にはＹ軸に対し１３５°の方向に伸びるスリット３２２が形成されている。この副画素電極３２１ａは、第２の絶縁膜３２０を介して制御電極３１９ａに容量結合している。

副画素電極３２１ｂ（直結画素電極）は、画素領域の中央に配置されており、Ｘ軸に平行な中心線及びＹ軸に平行な中心線を境界として４つの領域（ドメイン制御領域）に分割されている。そして、右上の領域にはＸ軸に対し４５°の方向に伸びるスリット３２２が形成されており、左上の領域にはＸ軸に対し１３５°の方向に伸びるスリット３２２が形成されており、左下の領域にはＸ軸に対し２２５°の方向に伸びるスリット３２２が形成されており、右下の領域にはＸ軸に対し３１５°の方向に伸びるスリット３２２が形成されている。この副画素電極３２１ｂは、コンタクトホール３２０ａを介して補助容量電極３１９ｂと電気的に接続されている。

副画素電極３２１ｃ（容量結合画素電極）は、画素領域の下側の領域に配置されており、Ｙ軸に平行な中心線を境界として２つの領域（ドメイン制御領域）に分割されている。そして、右側の領域にはＸ軸に対し３１５°の方向に伸びるスリット３２２が形成されており、左側の領域にはＸ軸に対し２２５°の方向に伸びるスリット３２２が形成されている。この副画素電極３１９ｃは、第２の絶縁膜３２０を介して制御電極３１９ｃに容量結合している。

以下、図１４の平面図及び図１５の断面図を参照して、ＴＦＴ基板３１０及び対向基板３３０の構造をより詳細に説明する。

ＴＦＴ基板３１０のベースとなるガラス基板３１１の上には、ゲートバスライン３１２、補助容量バスライン３１３及び補助容量下部電極３１３ａ，３１３ｃが形成されている。これらのゲートバスライン３１２、補助容量バスライン３１３及び補助容量下部電極３１３ａ，３１３ｃは、例えばＡｌ−Ｔｉを積層してなる金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより同時に形成される。

ゲートバスライン３１２、補助容量バスライン３１３及び補助容量下部電極３１３ａ，３１３ｃの上には、ＳｉＯ₂ 又はＳｉＮ等からなる第１の絶縁膜（ゲート絶縁膜）３１４が形成されている。この第１の絶縁膜３１４の所定の領域には、ＴＦＴ３１８の活性層となる半導体膜（アモルファスシリコン又はポリシリコン膜）３１５が形成されている。この半導体膜３１５の上には、ＳｉＮ等からなるチャネル保護膜３１６が形成されており、このチャネル保護膜３１６の両側にはＴＦＴ３１８のドレイン電極３１８ａ及びソース電極３１８ｂが形成されている。

また、第１の絶縁膜３１４の上には、ＴＦＴ３１８のソース電極３１８ｂに接続されたデータバスライン３１７と、ドレイン電極３１８ａに接続された制御電極３１９ａ，３１９ｃと、補助容量電極３１９ｂとが形成されている。図１５に示すように、補助容量電極３１９ｂは第１の絶縁膜３１４を挟んで補助容量バスライン３１３に対向する位置に形成されている。また、制御電極３１９ａは、第１の絶縁膜３１４を挟んで補助容量下部電極３１３ａに対向する位置に形成され、制御電極３１９ｃは第１の絶縁膜３１４を挟んで補助容量下部電極３１３ｃに対向する位置に形成されている。

これらのデータバスライン３１７、ドレイン電極３１８ａ、ソース電極３１８ｂ、制御電極３１９ａ，３１９ｃ及び補助容量電極３１９ｂは、例えばＴｉ／Ａｌ／Ｔｉを積層してなる金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより同時に形成される。

データバスライン３１７、ドレイン電極３１８ａ、ソース電極３１８ｂ、制御電極３１９ａ及び補助容量電極３１９ｂの上には、例えばＳｉＮからなる第２の絶縁膜３２０が形成されている。この第２の絶縁膜３２０の上に、副画素電極３２１ａ〜３２１ｃが形成されている。前述したように、これらの副画素電極３２１ａ〜３２１ｃにはそれぞれＸ軸に対し斜め方向に伸びるスリット３２２が設けられている。本実施形態では、副画素電極３２１ａ〜３２１ｃに設けられた各スリット３２２の幅を３．５μｍ、スリット３２２間の導体部分（微細電極部）の幅を６μｍとしている。

副画素電極３２１ａは第２の絶縁膜３２０を介して制御電極３１９ａと容量結合しており、副画素電極３２１ｂは第２の絶縁膜３２０に形成されたコンタクトホール３２０ａを介して補助容量電極３１９ｂと電気的に接続されており、副画素電極３２１ｃは第２の絶縁膜３２０を介して制御電極３１９ｃと容量結合している。

これらの制御電極３１９ａ〜３１９ｃの上には、ポリイミド等からなる垂直配向膜（図示せず）が形成されている。

一方、対向基板３３０のベースとなるガラス基板３３１の上（図１５では下側）には、ブラックマトリクス３３２と、カラーフィルタ３３３と、コモン電極３３４とが形成されている。

ブラックマトリクス３３２は例えばＣｒ等の金属又は黒色樹脂からなり、ＴＦＴ基板３１０側のゲートバスライン３１２、データバスライン３１７、補助容量バスライン３１３及びＴＦＴ３１８に対向する位置に配置されている。カラーフィルタ３３３には、赤色、緑色及び青色の３種類があり、画素領域毎にいずれか１色のカラーフィルタが配置されている。

コモン電極３３４はＩＴＯ等の透明導電体からなり、カラーフィルタ３３３の上（図１５では下側）に配置されている。このコモン電極３３４の上（図１５では下側）には、ポリイミド等からなる垂直配向膜（図示せず）が形成されている。

ＴＦＴ基板３１０と対向基板３３０との間には、これらの基板３１０，３３０間に封入された誘電率異方性が負の液晶からなる液晶層３４０が配置されている。液晶層３４０中には、電圧印加時における液晶分子の配向方向を決めるポリマーが形成されている。このポリマーは、副画素電極３２１ａ〜３２１ｃとコモン電極３３４との間に電圧を印加した状態で紫外線を照射することにより、液晶中に添加した重合成分（ジアクリレート等のモノマー）を重合させて形成されたものである。

なお、本実施形態では誘電率異方性が負の液晶を使用している。誘電率異方性が正の液晶を使用すると、電圧無印加時に液晶分子が基板面に対し平行に配向するため、重合成分を重合させる際に印加電圧を大きくすることができない。このため、液晶分子の配向方向をスリットの伸びる方向にすることが難しくなる。

本実施形態においては、液晶分子の配向方向が相互に異なるドメイン制御領域の境界部分、すなわち光が透過しない部分に補助容量下部電極３１３ａ，３１３ｃと制御電極３１９ａ，３１９ｃとを配置しているので、開口率を低下させることなく補助容量を大きくすることができる。逆に、補助容量下部電極３１３ａ，３１３ｃと制御電極３１９ａ，３１９ｃとにより構成される容量の分だけ補助容量バスライン３１３及び補助容量電極３１９ｂの幅を小さくしてもよく、この場合は補助容量の容量値を確保しつつ、開口率を上げることができる。

図１６は、横軸に画素容量比（補助容量と画素容量との比）をとり、縦軸に電圧比をとって、それらの関係を示す図である。但し、ここでは液晶層の厚さ（セルギャップ）を４μｍ、補助容量バスライン及び補助容量下部電極と補助容量電極及び制御電極との間の第１の絶縁膜の厚さを０．３３μｍとし、液晶の誘電率変化量Δεを−３．５、開口率を５３％としている。また、電圧比は、白表示における書き込み電圧と液晶層に印加される電圧との比であり、白表示における書き込み電圧を１としている。

この場合、図３に示す第１の実施形態の液晶表示装置の補助容量は、画素容量比で１．５となる。一方、本実施形態の液晶表示装置の補助容量は、画素容量比で２．５となる。画素容量比の差を液晶に印加される電圧比に換算すると、第１の実施形態の液晶表示装置では０．９２となり、本実施形態の液晶表示装置では０．９４となる。電圧比が透過強度が９０％となる電圧比よりも小さくなると、液晶分子の立ち上がりが急峻でも液晶パネルの応答速度は速くならないことが判明している。透過強度が９０％となる電圧は、液晶の光学特性だけではなく液晶分子の配向均一性も影響する。第１の実施形態及び本実施形態の液晶表示装置のいずれにおいても、透過強度が９０％となる電圧比は０．９３であった。これらのことから、本実施形態の液晶表示装置は、応答特性が良好であることがわかる。

第１の実施形態の液晶表示装置及び本実施形態の液晶表示装置を実際に製造し、その応答速度を測定した。すなわち、透過強度１０％から９０％までの立ち上がり時間（τｒ）と９０％から１０％までの立ち下がり時間（τｆ）との和で規定される応答速度を測定した。その結果、第１の実施形態の液晶表示装置では応答速度が２０ｍｓであったのに対し、本実施形態の液晶表示装置では応答速度が１２ｍｓと短いことが確認できた。

（第８の実施形態）
以下、本発明の第８の実施形態について説明する。

前述の第７の実施形態の液晶表示装置では、ＴＦＴ３１８に直結された副画素電極３２１ｂと容量結合を介してＴＦＴ３１８に接続された副画素電極３２１ａ，３２１ｃとに異なる電圧を印加しているので、副画素電極３２１ｂと副画素電極３２１ａ，３２１ｃとの間に電位差が発生する。この電位差のために副画素電極３２１ｂと副画素電極３２１ａ，３２１ｃとの間の液晶分子の配向方向がスリット３２２の伸びる方向からずれてしまう。このような現象は方位角ぶれ（又は、φぶれ）と呼ばれる。方位角ぶれが発生すると局所的に液晶の複屈折性が低下して暗線が発生し、光透過率が低下する原因となる。

図１７は、第７の実施形態の液晶表示装置における透過率特性及び配向特性を示す図である。図１７中の２は補助容量下部電極（図１４の補助容量下部電極３１３ａ，３１３ｃに対応）を示し、４は制御電極（図１４の制御電極３１９ａ，３１９ｃに対応）を示し、１はＴＦＴに直結された副画素電極（図１４の副画素電極３２１ｂに対応）を示し、３は制御電極４に容量結合した副画素電極（図１４の副画素電極３２１ａ，３２１ｃに対応）を示している。

この図１７に示すように、副画素電極１，３間に電位差が発生するため、液晶分子の配向方向がスリットの伸びる方向からずれてしまう現象（方位角ぶれ）が発生する。そして、方位角ぶれが発生した部分は液晶の複屈折性が低下して暗線となる。第７の実施形態の液晶表示装置では、図１７中に９で示すように、副画素電極３の縁部の微細電極部（副画素電極１に最も近い微細電極部）の両側（図１７右図中に破線で囲んだ部分）にそれぞれ暗線が発生する。

そこで、本実施形態では、ＴＦＴに直結した副画素電極と容量結合を介してＴＦＴに接続された副画素電極との間の暗線の発生を抑制し、実質的な開口率の向上を実現する。以下、図１８を参照して具体的に説明する。

図１８は、本発明の第８の実施形態の液晶表示装置の１画素を示す平面図である。なお、図１８において、図１４と同一物には同一符号を付して、重複する部分の説明を省略する。

本実施形態においては、ＴＦＴ３１８に直結した副画素電極３２１ｂと、制御電極３１９ａ，３１９ｃに容量結合した副画素電極３２１ａ，３２１ｃとの間の領域の下方に、補助容量下部電極３４１及び制御電極３４５が配置されている。補助容量下部電極３４１はその近傍のスリット３２２と平行に形成されており、補助容量下部電極３１３ａ，３１３ｃに接続されている。また、制御電極３４５は第１の絶縁膜を介して補助容量下部電極３４１に対向する位置に形成されており、制御電極３１９ａ，３１９ｃに接続されている。

上述したように、本実施形態の液晶表示装置では、副画素電極３２１ｂと副画素電極３２１ａ，３２１ｃとの間の領域の下方に、ＴＦＴ３１８のドレイン電極３１８ａと同電位になる制御電極３４５が形成されている。従って、副画素電極３２１ｂと副画素電極３２１ａ，３２１ｃとの間には横方向の電界が発生し、副画素電極３２１ａ，３２１ｃと制御電極３４５との間には斜め方向の電界が発生する。

電界の強さ（電界密度）は電位差と電極間の距離とに比例するので、副画素電極３２１ｂと副画素電極３２１ａ，３２１ｃとの間の間隔が３．５μｍ（スリット３２２の幅と同じ）とし、制御電極３４５と副画素電極３２１ａ，３２１ｃとの間の絶縁膜の厚さを０．３３μｍとすると、横方向の電界が液晶分子に与える影響よりも斜め方向の電界が液晶分子に与える影響のほうが大きいことになる。このため、副画素電極３２１ａ，３２１ｃの端部の微細電極部の副画素電極３２１ｂの部分にしか暗線が発生しなくなり、実質的な開口率が向上する。

図１９は、本実施形態の液晶表示装置における透過率特性及び配向特性を示す図である。図１９において、図１７と同一物には同一符号を付している。この図１９に示すように、本実施形態の液晶表示装置では、副画素電極３の縁部の微細電極部の一方の側の部分（図１９中に破線で囲んだ部分）にしか暗線が発生しない。この図１９と図１７との比較から、本実施形態の液晶表示装置が図１７に示す液晶表示装置に比べて実質的な開口率が向上していることがわかる。

また、本実施形態においては、制御電極３４５の下方に補助容量下部電極３４１を形成しているので、第７の実施形態の液晶表示装置よりも補助容量が更に大きくなる。これにより、液晶パネルの応答時間がより一層短縮されるという利点がある。

図２０に示すように、制御電極３４５と補助容量下部電極３４１とにより構成される容量の分だけ補助容量バスライン３１３及び補助容量電極３１９ｂの幅を小さくしてもよい。これにより、実質的な開口率がより一層向上するという利点がある。

画素容量比の差を液晶に印加される電圧比に換算すると、図１８に示す液晶表示装置では電圧比が０．９６となり、図２０に示す液晶表示装置では電圧比が０．９４となる。また、図１８，図２０に示す液晶表示装置を実際に製造し、それらの応答速度を測定した。その結果、図１８に示す液晶表示装置の応答速度は１０ｍｓであり、図２０に示す液晶表示装置の応答速度は１２ｍｓであった。

（第９の実施形態）
図２１は、本発明の第９の実施形態の液晶表示装置の１画素を示す平面図である。図２１において、図１８と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。

本実施形態においては、副画素電極３２１ｂ（直結画素電極）と副画素電極３２１ａ，３２１ｃ（容量結合画素電極）との間に、副画素電極３５１ａ、３５１ｂが形成されている。これらの副画素電極３５１ａ、３５１ｂも、副画素電極３２１ａ〜３２１ｃと同様にＩＴＯにより形成されている。また、副画素電極３５１ａ、３５１ｂは、その近傍の副画素電極３２１ａ〜３２１ｃの微細電極部と同じ方向に伸びている。

補助容量下部電極３４１及び制御電極３４５は、副画素電極３５１ａ、３５１ｂと副画素電極３２１ａ，３２１ｃとの間の領域に形成されている。そして、副画素電極３５１ａ、３５１ｂは、第２の絶縁膜を介して制御電極（制御電極３１９ａ，３４５、又は制御電極３１９ｃ，３４５）に容量結合している。本実施形態では、副画素電極３５１と制御電極との間の容量が大きいため、副画素電極３５１ａ、３５１ｂには制御電極３２１ａ，３２１ｃよりも大きな電圧が印加される。すなわち、本実施形態においては、制御電極３２１ｂ、制御電極３５１ａ、３５１ｂ、制御電極３２１ａ，３２１ｃの順に印加電圧が小さくなる。

上述の如く、本実施形態においては、隣接する副画素間の電位差が、副画素電極３５１がない場合に比べて小さくなる。これにより、方位角ぶれによる暗線の発生をより一層低減することができる。

図２２は、本実施形態の液晶表示装置における透過率特性を示す図である。図２２において、図１９と同一物には同一符号を付している。この図２２と図１９との比較から、本実施形態の液晶表示装置が図１９に示す液晶表示装置に比べて実質的な開口率がより一層向上していることがわかる。

画素容量比の差を液晶に印加される電圧比に換算すると、本実施形態の液晶表示装置では電圧比が０．９４となる。また、本実施形態の液晶表示装置を実際に製造し応答速度を測定した結果、応答速度は１２ｍｓであった。

（第１０の実施形態）
以下、本発明の第１０の実施形態について説明する。

前述したように、図１に示す液晶表示装置では、電圧印加時にスリットの基端部や先端部で液晶分子の配向の乱れが発生し、実質的な開口率が低下する原因となっている。そして、微細電極部をデータバスラインの近くまで伸ばすことにより、実質的な開口率を向上させることができる。

図２３（ａ），（ｂ）及び図２４（ａ），（ｂ）は微細電極部とデータバスラインとの間隔が７μｍ又は５μｍの液晶表示装置における電圧印加時の光の透過状態を示す図である。但し、図２３（ａ），（ｂ）はいずれもブラックマトリクス（ＢＭ）がないときの光の透過状態を示しており、図２４（ａ），（ｂ）はいずれもブラックマトリクス（ＢＭ）があるときの光の透過状態を示している。また、微細電極部の幅はいずれも６μｍであり、スリット幅はいずれも３．５μｍである。

図２３（ａ），（ｂ）から、微細電極部の先端部分に液晶分子の乱れに起因する暗部が発生していることがわかる。そして、図２３（ａ）と図２３（ｂ）との比較から、微細電極部とデータバスラインとの間隔を小さくすると、暗部の領域が小さくなることがわかる。実際の液晶表示装置では、図２４（ａ），（ｂ）に示したように、微細電極部とデータバスラインとの間はブラックマトリクスにより覆われる。図２４（ａ），（ｂ）の液晶表示装置の輝度を測定したところ、図２４（ａ）の液晶表示装置の輝度は１７０ｃｄ／ｍ² であり、図２４（ｂ）の液晶表示装置の輝度は１８１ｃｄ／ｍ² であった。

上述のように、微細電極部をデータバスラインの近くまで伸ばし、微細電極部とデータバスラインとの間をブラックマトリクスで覆うことにより、液晶表示装置の実質的な開口率を大きくし、輝度を向上させることができる。但し、微細電極部とデータバスラインとの間隔を更に小さくすると、クロストークによる表示品質の低下を招く。

図２５（ａ），（ｂ）は、高速度カメラを使用して、液晶に電圧を印加してから配向が安定するまでの液晶表示装置の過渡特性を調べた結果を示す図である。但し、図２５（ａ）は液晶パネルの両側に直線偏光板を配置した液晶表示装置の過渡特性を示しており、図２５（ｂ）は液晶パネルの両側に円偏光板（直線偏光板＋１／４波長板）を配置した液晶表示装置の過渡特性を示している。また、微細電極部とデータバスラインとの間隔は７μｍ、微細電極部の幅は６μｍ、スリット幅は３．５μｍとしている。通常の液晶表示装置では、１６．７ｍｓを１フレームとしている。

これらの図２５（ａ），（ｂ）から、円偏光板を使用することで輝度及び応答速度を改善できることがわかる。しかしながら、円偏光板は直線偏光板に比べて高価であるため、液晶表示装置の用途によっては、円偏光板を使用できないこともある。図２５（ａ）から、スリットの基端部及び先端部の液晶分子は、配向が安定するまで時間がかかっていることがわかる。

そこで、本実施形態においては、画素電極のスリットの基端側及び先端側における液晶分子の配向を改善することにより、液晶表示装置の輝度及び応答特性を向上させる。以下に示す実施例１〜４により、本実施形態の液晶表示装置をより具体的に説明する。

なお、以下の実施例において、スリットに替えて誘電体からなる膜をスリットと同じ形状に形成してもよい。誘電体膜によってもスリットと同様に液晶分子の配向方向を制御することができるので、同様の効果を得ることができる。

（実施例１）
図２６は、第１０の実施形態の実施例１に係る液晶表示装置の１画素を示す平面図である。

ＴＦＴ基板には、水平方向（Ｘ軸方向）の伸びるゲートバスライン４１２と、垂直方向（Ｙ軸方向）に伸びるデータバスライン４１７とが形成されている。これらのゲートバスライン４１２及びデータバスライン４１７により区画される矩形の画素領域の中央には、ゲートバスライン４１２に平行に補助容量バスライン４１３が形成されている。

また、各画素領域毎に、ＴＦＴ４１８、制御電極４１９ａ、補助容量電極４１９ｃ及び画素電極４２１が形成されている。

ＴＦＴ４１８はゲートバスライン４１２の一部をゲート電極としており、ゲートバスライン４１２を挟んでドレイン電極４１８ａ及びソース電極４１８ｂが相互に対向して配置されている。制御電極４１９ａは、ＴＦＴ４１８のドレイン電極４１８ａと電気的に接続されている。また、補助容量電極４１９ｃは、第１の絶縁膜を挟んで補助容量バスライン４１３に対向する位置に形成されており、制御電極４１９ａを介してＴＦＴ４１８のドレイン電極４１８ａに電気的に接続されている。

画素電極４２１はＩＴＯ等の透明導電体により形成されており、Ｘ軸に平行な中心線及びＹ軸に平行な中心線を境界として液晶分子の配向方向が相互に異なる４つの領域（ドメイン制御領域）に分割されている。右上の第１の領域には、Ｘ軸に対し４５°方向に伸びるスリット４２２ａ、６５°方向に伸びるスリット４２２ｂ、及び４５°方向に伸びるスリットと６５°方向に伸びるスリットとを組み合わせてなるスリット４２２ｃが形成されている。また、左上の第２の領域には、Ｘ軸に対し１３５°方向に伸びるスリット４２２ｄ、１１５°方向に伸びるスリット４２２ｅ、及び１３５°方向に伸びるスリットと１１５°方向に伸びるスリットとを組み合わせてなるスリット４２２ｆが形成されている。更に、左下の第３の領域には、Ｘ軸に対し２２５°方向に伸びるスリット４２２ｇ、２４５°方向に伸びるスリット４２２ｈ、及び２２５°方向に伸びるスリットと２４５°方向に伸びるスリットとを組み合わせてなるスリット４２２ｉが形成されている。更にまた、右下の第４の領域には、Ｘ軸に対し３１５°方向に伸びるスリット４２２ｊ、２９５°方向に伸びるスリット４２２ｋ、及び３１５°方向に伸びるスリットと２９５°方向に伸びるスリットとを組み合わせてなるスリット４２２ｍとが形成されている。

画素電極４２１は、第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホール４２０ａを介して補助容量電極４１９ｃと電気的に接続されている。また、画素電極４２１の表面は、ポリイミド等からなる垂直配向膜に覆われている。

なお、図２６中の一点鎖線は、対向基板に形成されるブラックマトリクスのエッジの位置を示している。また、本実施例１の液晶表示装置においても、対向基板の構造は第１の実施形態と基本的に同じであるので、ここではその説明を省略する。更に、本実施例１の液晶表示装置においても、ＴＦＴ基板と対向基板との間には誘電率異方性が負の液晶からなる液晶層が配置されており、液晶層中には液晶に添加した重合成分（モノマー又はオリゴマー）を液晶に電圧を印加した状態で紫外線照射して重合させて形成されたポリマーが含まれている。このポリマーにより電圧印加時の液晶分子の配向方向が決定される。

図１に示すような液晶表示装置では、例えば第１の領域においてＹ軸に平行な画素電極の中心線に沿って配置された接続電極部近傍の液晶分子には、接続電極部から発生する電気力線により接続電極部に対し垂直な方向（０°の方向）に倒れようとする力が発生する。また、接続電極部近傍の液晶分子には、スリットにより、Ｘ軸に対し４５°方向に倒れようとする力が加わる。その結果、接続電極部近傍の液晶分子は、それらの２つの力がつり合う方向に倒れる。すなわち、接続電極部近傍の液晶分子が倒れる方向は、Ｘ軸に対し４５°よりも小さい方向となる。

一方、図２６に示す本実施例１の液晶表示装置では、例えば第１の領域において接続電極部近傍のスリットの方向を４５°よりも大きくしているので、接続電極部近傍の液晶分子をほぼ４５°方向に倒すことができる。これにより、接続電極部近傍における暗部の発生が抑制され、透過率が向上する。また、接続電極部近傍の液晶分子の配向安定性が向上するので、応答特性が向上する。

（実施例２）
図２７は、第１０の実施形態の実施例２に係る液晶表示装置の１画素を示す平面図である。なお、実施例２の液晶表示装置が図２６に示す実施例１の液晶表示装置と異なる点は、画素電極に設けられたスリットの形状が異なることにあり、その他の構成は基本的に実施例１の液晶表示装置と同様であるので、図２７において図２６と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。

実施例２の液晶表示装置では、図２７に示すように、画素電極４４１がＸ軸に平行な中心線及びＹ軸に平行な中心線を境界として４つの領域（ドメイン制御領域）に分割されており、各領域にはそれぞれＸ軸に平行な方向に伸びるスリット４４２が設けられている。電圧印加時には、各領域の液晶分子はいずれもスリット４４２に沿って中心に向う方向に配向する。すなわち、電圧印加時には、右上及び右下の領域の液晶分子はＸ軸に対し１８０°方向に倒れ、左上及び左下の領域の液晶分子はＸ軸に対し０°方向に倒れる。

本実施例２の液晶表示装置では、配向分割数が２となるため、配向分割数が４となる実施例１の液晶表示装置に比べて視野角特性が悪くなる。しかし、スリット４４２の先端側（データバスライン側）の液晶分子の倒れる方向がスリットの方向と一致するので、スリット４４２の先端側における配向不良が回避されるという利点がある。また、スリット４４２の先端側における液晶分子の配向安定性が向上する。

（実施例３）
図２８は、第１０の実施形態の実施例３に係る液晶表示装置の１画素を示す平面図である。なお、実施例３の液晶表示装置が図２６に示す実施例１の液晶表示装置と異なる点は、画素電極に設けられたスリットの形状が異なることにあり、その他の構成は基本的に実施例１の液晶表示装置と同様であるので、図２８において図２６と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。

実施例３の液晶表示装置においても、図２８に示すように画素電極４５１がＸ軸に平行な中心線及びＹ軸に平行な中心線を境界として４つの領域（ドメイン制御領域）に分割されている。右上の第１の領域には、Ｘ軸に対し４５°方向に伸びるスリット４５２ａと、２５°方向に伸びるスリット４５２ｂが設けられている。また、左上の第２の領域には、Ｘ軸に対し１３５°方向に伸びるスリット４５２ｃと、１５５°方向に伸びるスリット４５２ｄが設けられている。更に、左下の第３の領域には、Ｘ軸に対し２２５°方向に伸びるスリット４５２ｅと、２０５°方向に伸びるスリット４５２ｆが設けられている。更にまた、右下の第４の領域には、Ｘ軸に対し３１５°方向に伸びるスリット４５２ｇと、３３５°方向に伸びるスリット４５２ｈが設けられている。

本実施例３においても、画素電極４５１に設けられたスリットにより、１つの画素領域が液晶分子の配向方向が相互に異なる４つの領域（ドメイン制御領域）に分割されている。そして、各領域には、それぞれＸ軸に対し４５°、１３５°、２２５°又は３１５°方向に伸びるスリットと、２５°、１５５°、２０５°又は３３５°方向に伸びるスリットとが設けられている。これにより、図１に示す液晶表示装置に比べて、スリットの先端側（データバスライン側）における暗部の発生を抑制することができる。

（実施例４）
図２９は、第１０の実施形態の実施例４に係る液晶表示装置の１画素を示す平面図である。なお、実施例４の液晶表示装置が図２６に示す実施例１の液晶表示装置と異なる点は、画素電極に設けられたスリットの形状が異なることにあり、その他の構成は基本的に実施例１の液晶表示装置と同様であるので、図２９において図２６と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。

本実施例４の液晶表示装置においても、図２９に示すように画素電極４６１がＸ軸に平行な中心線及びＹ軸に平行な中心線を境界として４つの領域（ドメイン制御領域）に分割されている。右上の第１の領域には、基端側（接続電極部側）がＸ軸に対し４５°の方向に伸び、先端側（データバスライン側）がＸ軸に対し２５°の方向に伸びるスリット４６２ａが設けられている。また、左上の第２の領域には、基端側がＸ軸に対し１３５°の方向に伸び、先端側がＸ軸に対し１５５°の方向に伸びるスリット４６２ｂが設けられている。更に、左下の第３の領域には、基端側がＸ軸に対し２２５°の方向に伸び、先端側がＸ軸に対し２０５°の方向に伸びるスリット４６２ｃが設けられている。更にまた、右下の第４の領域には、基端側がＸ軸に対し３１５°の方向に伸び、先端側がＸ軸に対し３３５°の方向に伸びるスリット４６２ｄが設けられている。

本実施例４においても、画素電極４６１に設けられたスリットにより、１つの画素領域が液晶分子の配向方向が相互に異なる４つの領域に分割されている。そして、各スリットの先端側がデータバスライン４１７に対し直角に近い角度で設けられているので、スリットの先端部における暗部の発生を抑制することができる。また、スリット先端部における液晶分子の配向安定性が向上する。更に、実施例４のようにデータバスライン側の微細電極部の幅を太くすることにより、ＩＴＯ膜をパターニングする際のステッパ露光に起因する表示むらの発生が抑制されることが確認されている。

（第１１の実施形態）
前述したように、１画素内にＴＦＴと直結した副画素電極（直結画素電極）と容量結合を介してＴＦＴに接続した副画素電極（容量結合画素電極）とを形成することにより、斜め方向から見たときの表示品質の劣化を抑制することができる。

図３０は、横軸に白表示電圧をとり、縦軸に画素電極の全面積に対する直結画素電極の面積比率（直結画素電極比率）をとって、白表示電圧及び直結画素電極比率とガンマずれ量との関係を示す図である。この図３０において、直結画素電極比率０％は容量結合画素電極のみであることを示し、直結画素電極比率１００％は直結画素電極のみであることを示す。また、ガンマずれ量は、液晶パネルを正面から見たときのガンマ値と、極角６０°（パネルの法線に対し６０°の方向）の方向から見たときのガンマ値との差の平均値であり、ガンマずれ量が小さいほど斜め方向から見たときの表示品質がよいことを示している。

図１に示す液晶表示装置（従来例）では、直結画素電極比率が１００％であるので、図３０から、白表示電圧が６Ｖであるとするとガンマずれ量が２となる。また、図３０から、直結画素電極比率を１０〜４０％とし白表示電圧を４Ｖとすると、ガンマずれ量が１以下となり、斜め方向から見たときの表示品質が良好となることがわかる。但し、この場合は、白表示電圧が低いので画面が暗くなる。白表示電圧が６Ｖの場合、直結画素電極の面積比率を１０〜７０％とすると、明るい表示が可能になるとともに、ガンマずれ量が１．４以下となり、斜め方向から見たときにも比較的良好な表示品質を維持することができる。従って、直結画素電極の面積比率は１０〜７０％とすることが好ましい。

図３１は、本発明の第１１の実施形態の液晶表示装置（その１）を示す平面図である。この液晶表示装置では、直結画素電極５１１ｂの微細電極部の幅Ｌ１を５μｍ、スリット幅Ｓ１を３．５μｍとし、容量結合画素電極５１１ａ，５１１ｃの微細電極部の幅Ｌ２を４μｍ、スリット幅Ｓ２を３．５μｍとし、直結画素電極５１１ｂの面積Ｍと容量結合画素電極５１１ａ，５１１ｃの面積Ｓとの比を、Ｍ：Ｓ＝５：５としている。

図３２は、本発明の第１１の実施形態の液晶表示装置（その２）を示す平面図である。この液晶表示装置では、直結画素電極５１１ｂの微細電極部の幅Ｌ１を６μｍ、スリット幅Ｓ１を３．５μｍとし、容量結合画素電極５１１ａ，５１１ｃの微細電極部の幅Ｌ２を４μｍ、スリット幅Ｓ２を３．５μｍとし、直結画素電極５１１ｂの面積Ｍと容量結合画素電極５１１ａ，５１１ｃの面積Ｓとの比を、Ｍ：Ｓ＝５：５としている。

図３３は、本発明の第１１の実施形態の液晶表示装置（その３）を示す平面図である。この液晶表示装置では、直結画素電極５１１ｂの微細電極部の幅Ｌ１を６μｍ、スリット幅Ｓ１を３．５μｍとし、容量結合画素電極５１１ａ，５１１ｃの微細電極部の幅Ｌ２を４μｍ、スリット幅Ｓ２を３．５μｍとし、直結画素電極５１１ｂの面積Ｍと容量結合画素電極５１１ａ，５１１ｃの面積Ｓとの比を、Ｍ：Ｓ＝４：６としている。

図３４は、本発明の第１１の実施形態の液晶表示装置（その４）を示す平面図である。この液晶表示装置では、直結画素電極５１１ｂの微細電極部の幅Ｌ１を６μｍ、スリット幅Ｓ１を３．５μｍとし、容量結合画素電極５１１ａ，５１１ｃの微細電極部の幅Ｌ２を４μｍ、スリット幅Ｓ２を３．５μｍとし、直結画素電極５１１ｂの面積Ｍと容量結合画素電極５１１ａ，５１１ｃの面積Ｓとの比を、Ｍ：Ｓ＝３：７としている。

微細電極部の幅を太くすると、ＩＴＯ膜をパターニングする際のステッパ露光に起因する表示むらの発生を抑制することができるが、液晶分子に対する配向規制力が弱くなる。これらの図３１〜図３４に示すように、直結画素電極５１１ｂの微細電極部の幅を太くし、容量結合画素電極５１１ａ，５１１ｃの微細電極部の幅を細くすることにより、液晶分子に対する配向規制力を維持しつつ、ステッパ露光に起因する表示むらの発生を防止することができる。また、直結画素電極比率を１０〜７０％の範囲内とすることにより、ガンマずれ量が小さくなり、斜め方向から見たときの表示品質が向上する。

前述の第１の実施形態（図３参照）では、１画素内に直結画素電極と容量結合画素電極とを設けることにより、透過率−印加電圧（Ｔ−Ｖ特性）が相互に異なる複数の領域を形成した場合について説明したが、液晶中に添加した重合成分を重合させるときの条件（紫外線強度及び紫外線の波長等）を変えることによっても、１画素内に透過率−印加電圧特性が相互に異なる複数の領域を形成することができる。

また、液晶に添加した重合成分を重合させるときに、赤色（Ｒ）画素、緑色（Ｇ）画素及び青色（Ｂ）画素で電圧印加条件を変えて紫外線を照射してもよい。これにより、赤色（Ｒ）画素、緑色（Ｇ）画素及び青色（Ｂ）画素のガンマ特性を均一化することが可能になり、色ずれが極めて少ない液晶表示装置を実現できる。

更に、１画素内にモノマーの重合条件が相互に異なる領域を設けたり、又は基板面の表面エネルギーが相互に異なる複数の領域を設けて、その後液晶に添加した重合成分を重合させてもよっても、１画素内に透過率−印加電圧特性が相互に異なる複数の領域を形成することができる。例えば、基板上に樹脂膜を部分的に形成することにより、液晶中に添加したモノマーが重合するときの条件や、基板面の表面エネルギーを変化させることができる。

また、１画素内に、微細電極部の幅及びスリット幅（ラインアンドスペース）が相互に異なる複数の領域を設けることによっても、１画素内に透過率−印加電圧特性が相互に異なる複数の領域を形成することができる。

更に、上述した実施形態においてはいずれも液晶中に添加した重合成分を紫外線照射により重合させるものとしたが、熱処理により重合成分を重合させてもよく、紫外線照射処理と熱処理とを併用して重合成分を重合させてもよい。

また、上述した各実施形態において、液晶層のもつ光学異方性を補償するために、基板面（液晶パネル面）に平行な方向に遅相軸をもつ光学位相差フィルムを配置してもよい。

以下、本発明の諸態様を、付記としてまとめて記載する。

（付記１）相互に対向して配置された第１及び第２の基板と、
前記第１及び第２の基板間に封入された誘電率異方性が負の液晶と、
前記液晶中に添加された重合成分を重合して形成され、電圧印加時に液晶分子の倒れる方向を決定する重合体とを有し、
前記第１の基板には画素毎に、スイッチング素子と、複数の帯状の微細電極部とそれらを相互に電気的に接続する接続電極部とにより構成される第１の副画素電極と、複数の帯状の微細電極部とそれらを相互に電気的に接続する接続電極部とにより構成される第２の副画素電極とが形成され、
前記第２の基板には前記第１及び第２の副画素電極に対向するコモン電極が形成され、
前記第１の副画素電極には前記スイッチング素子を介して第１の電圧が印加され、前記第２の副画素電極には前記第１の電圧よりも低い第２の電圧が印加されることを特徴とする液晶表示装置。

（付記２）前記第１の副画素電極は、前記スイッチング素子に直接接続されていることを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。

（付記３）前記第２の副画素電極は、容量結合を介して前記スイッチング素子に接続されていることを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。

（付記４）前記第１及び第２の副画素電極は、いずれも前記微細電極部の伸びる方向が相互に異なる複数の領域に区画されていることを特徴とする付記３に記載の液晶表示装置。

（付記５）前記容量結合を構成する電極が、前記第１及び第２の副画素電極の下方であって、前記複数の領域の境界に沿って配置されていることを特徴とする付記４に記載の液晶表示装置。

（付記６）更に、前記第１の副画素電極に電気的に接続されて補助容量を構成する補助容量電極を有し、前記補助容量電極が、前記複数の領域の境界に沿って配置されていることを特徴とする付記４に記載の液晶表示装置。

（付記７）更に、前記スイッチング素子をオン−オフする信号が供給されるゲートバスラインと、前記スイッチング素子に接続されて表示信号が供給されるデータバスラインと、前記液晶を封入した第１及び第２の基板を挟んで配置される第１及び第２の偏光板とを有することを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。

（付記８）前記第１及び第２の副画素電極の微細電極部の伸びる方向が前記ゲートバスライン及び前記データバスラインのいずれにも交差する方向であり、前記第１及び第２の偏光板のうちの一方の偏光板の吸収軸が前記ゲートバスラインと平行であり、他方の偏光板の吸収軸が前記ゲートバスラインに直交する方向であることを特徴とする付記７に記載の液晶表示装置。

（付記９）前記データバスラインが、屈曲した形状であることを特徴とする付記７に記載の液晶表示装置。

（付記１０）前記データバスラインの少なくとも一部が、前記微細電極部の伸びる方向に直交する方向に伸びていることを特徴とする付記９に記載の液晶表示装置。

（付記１１）前記第１及び第２の副画素電極の端部及び屈曲部のみに、スリットが設けられていることを特徴とする付記１０に記載の液晶表示装置。

（付記１２）相互に対向して配置された第１及び第２の基板と、
前記第１及び第２の基板間に封入された誘電率異方性が負の液晶と、
前記液晶中に添加された重合成分を重合して形成され、電圧印加時に液晶分子の倒れる方向を決定する重合体とを有し、
前記第１の基板には画素毎に、スイッチング素子と、複数の帯状の微細電極部とそれらを相互に電気的に接続する接続電極部とにより構成される画素電極とが形成され、
前記微細電極部の先端部のうち隣接する微細電極部と対向しない部分に切り欠きを有することを特徴とする液晶表示装置。

（付記１３）前記微細電極部の幅をＬ、微細電極間の間隔をＳ、液晶層の厚さをｄとしたときに、Ｌ＋ｄ−Ｓ≧４μｍを満足することを特徴とする付記１２に記載の液晶表示装置。

（付記１４）更に、前記スイッチング素子をオン−オフする信号が供給されるゲートバスラインと、前記スイッチング素子に接続されて表示信号が供給されるデータバスラインと、前記液晶を封入した第１及び第２の基板を挟んで配置される第１及び第２の偏光板とを有することを特徴とする付記１２に記載の液晶表示装置。

（付記１５）相互に対向して配置された第１及び第２の基板と、
前記第１及び第２の基板間に封入された誘電率異方性が負の液晶と、
前記液晶中に添加された重合成分を重合して形成され、電圧印加時に液晶分子の倒れる方向を決定する重合体とを有し、
前記第１の基板には画素毎に、スイッチング素子と、複数の帯状の微細電極部とそれらを相互に電気的に接続する接続電極部とにより構成される画素電極とが形成され、
前記微細電極部の基端側の微細電極部間の領域の形状が、前記微細電極部間の領域の中心線に対し線対称となる形状であることを特徴とする液晶表示装置。

（付記１６）前記微細電極部の基端側の微細電極部間の領域の形状が、直方形であることを特徴とする付記１５に記載の液晶表示装置。

（付記１７）前記微細電極部の基端側の微細電極部間の領域の形状が、二等辺三角形であることを特徴とする付記１５に記載の液晶表示装置。

（付記１８）更に、前記スイッチング素子をオン−オフする信号が供給されるゲートバスラインと、前記スイッチング素子に接続されて表示信号が供給されるデータバスラインと、前記液晶を封入した第１及び第２の基板を挟んで配置される第１及び第２の偏光板とを有することを特徴とする付記１５に記載の液晶表示装置。

（付記１９）相互に対向して配置された第１及び第２の基板と、
前記第１及び第２の基板間に封入された誘電率異方性が負の液晶と、
前記液晶中に添加された重合成分を重合して形成され、電圧印加時に液晶分子の倒れる方向を決定する重合体とを有し、
前記第１の基板には画素毎に、スイッチング素子と、複数の帯状の微細電極部とそれらを相互に電気的に接続する接続電極部とにより構成される画素電極とが形成され、
前記微細電極部の先端部のうち隣接する微細電極部と対向しない部分に切り欠きを有し、且つ前記微細電極部の基端側の微細電極部間の領域の形状が、前記微細電極部間の領域の中心線に対し線対称となる形状であることを特徴とする液晶表示装置。

（付記２０）相互に対向して配置された第１及び第２の基板と、
前記第１及び第２の基板間に封入された液晶と、
前記液晶中に添加された重合成分を重合して形成され、電圧印加時に液晶分子の倒れる方向を決定する重合体とを有し、
前記第１の基板上には、
一方向に伸びるゲートバスラインと、
前記ゲートバスラインに交差する方向に伸びるデータバスラインと、
前記ゲートバスラインに並行する補助容量バスラインと、
前記ゲートバスライン及び前記データバスラインにより区画される画素領域毎に形成されたスイッチング素子と、
複数の帯状の微細電極部とそれらを相互に電気的に接続する接続電極部とにより構成され、液晶分子の配向方向が相互に異なる複数のドメイン制御領域を有し、前記第１のスイッチング素子に直結された第１の副画素電極と、
前記第１の副画素電極と同一の画素領域内に配置され、複数の帯状の微細電極部とそれらを相互に電気的に接続する接続電極部とにより構成され、液晶分子の配向方向が相互に異なる複数のドメイン制御領域を有する第２の副画素電極と、
第１の絶縁膜を挟んで前記補助容量バスラインに対向する位置に配置された補助容量電極と、
前記スイッチング素子に接続され、前記第１及び第２の副画素電極のドメイン制御領域の境界部に対向する位置に配置されて、第２の絶縁膜を介して前記第２の副画素電極に容量結合する制御電極と、
前記補助容量バスラインに接続され、前記第１の絶縁膜を挟んで前記制御電極に対向する位置に配置された補助容量下部電極とを具備し、
前記第２の基板には前記第１及び第２の副画素電極に対向するコモン電極が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。

（付記２１）前記第１の副画素電極が、前記第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記補助容量電極に電気的に接続されていることを特徴とする付記２０に記載の液晶表示装置。

（付記２２）前記補助容量電極が、前記第１の副画素電極のドメイン制御領域の境界に対向する位置に配置されていることを特徴とする付記２０に記載の液晶表示装置。

（付記２３）前記第１及び第２副画素電極の間の領域に、前記補助容量下部電極に接続された第２の補助容量下部電極と、前記制御電極に接続され前記第１の絶縁膜を挟んで前記第２の補助容量下部電極に対向する第２の制御電極とを有することを特徴とする付記２０に記載の液晶表示装置。

（付記２４）前記第１及び第２の副画素電極の間に前記制御電極と容量結合した第３の副画素電極が形成され、前記第２の補助容量下部電極及び前記第２の制御電極が前記第３の副画素電極と前記第１の副画素電極との間に配置されていることを特徴とする付記２３に記載の液晶表示装置。

（付記２５）前記第３の副画素電極には、前記第１の副画素電極に印加される電圧よりも低く、前記第２の副画素電極に印加される電圧よりも高い電圧が印加されることを特徴とする付記２４に記載の液晶表示装置。

（付記２６）前記補助容量バスラインと前記制御電極とが、前記画素領域の中央で直交することを特徴とする付記２０に記載の液晶表示装置。

（付記２７）前記液晶が、電圧無印加時に基板面に対し垂直に配向することを特徴とする付記２０に記載の液晶表示装置。

（付記２８）相互に対向して配置された第１及び第２の基板と、
前記第１及び第２の基板間に封入された誘電率異方性が負の液晶と、
前記液晶中に添加された重合成分を重合して形成され、電圧印加時に液晶分子の倒れる方向を決定する重合体とを有し、
前記第１の基板には画素毎に、スイッチング素子と、液晶分子の配向方向が相互に異なる複数の領域に分割された画素電極とが形成され、
前記画素電極は各領域毎に形成された複数の帯状の微細電極部とそれらを相互に電気的に接続する接続電極部とにより構成され、前記微細電極部の画素縁部の幅が、画素中央側の幅よりも広いことを特徴とする液晶表示装置。

（付記２９）前記画素電極の微細電極部が、ほぼ線対称又は点対称に配置されていることを特徴とする付記２８に記載の液晶表示装置。

（付記３０）前記重合成分の重合が、紫外線照射処理、熱処理又はそれらの複合処理により行われていることを特徴とする付記２８に記載の液晶表示装置。

（付記３１）前記液晶を封入した第１及び第２の基板の基板面に平行な方向に遅相軸をもつ光学位相差フィルムを有することを特徴とする付記２８に記載の液晶表示装置。

（付記３２）相互に対向して配置された第１及び第２の基板と、
前記第１及び第２の基板間に封入された誘電率異方性が負の液晶と、
前記液晶中に添加された重合成分を重合して形成され、電圧印加時に液晶分子の倒れる方向を決定する重合体とを有し、
前記第１の基板には画素毎に、スイッチング素子と、液晶分子の配向方向が相互に異なる複数の領域に分割された画素電極とが形成され、
前記画素電極には前記領域毎にその伸びる方向が相互に異なる２以上の微細電極部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。

（付記３３）相互に対向して配置された第１及び第２の基板と、
前記第１及び第２の基板間に封入された誘電率異方性が負の液晶と、
前記液晶中に添加された重合成分を重合して形成され、電圧印加時に液晶分子の倒れる方向を決定する重合体とを有し、
前記第１の基板には画素毎に、スイッチング素子と、液晶分子の配向方向が相互に異なる複数の領域に分割された画素電極とが形成され、
前記画素電極は、データバスラインに直交する方向に伸びる複数の微細電極部により構成されていることを特徴とする液晶表示装置。

（付記３４）相互に対向して配置された第１及び第２の基板と、
前記第１及び第２の基板間に封入された誘電率異方性が負の液晶と、
前記液晶中に添加された重合成分を重合して形成され、電圧印加時に液晶分子の倒れる方向を決定する重合体とを有し、
前記第１の基板には画素毎に、スイッチング素子と、液晶分子の配向方向が相互に異なる複数の領域に分割された第１及び第２の副画素電極とが形成され、
前記第１の副画素電極は、各領域毎に所定の方向に伸びる複数の帯状の微細電極部とそれらを相互に電気的に接続する接続電極部とより構成され、前記スイッチング素子に直結されており、
前記第２の副画素電極は、各領域毎に所定の方向に伸びる複数の帯状の微細電極部とそれらを相互に電気的に接続する接続電極部とにより構成され、容量結合を介して前記スイッチング素子に接続されており、
前記第１の副画素電極の微細電極部の幅が前記第２の副画素電極の微細電極部の幅よりも広いことを特徴とする液晶表示装置。

（付記３５）前記第１及び第２の副画素電極は、いずれも前記微細電極部が、ほぼ線対称又は点対称に配置されていることを特徴とする付記３４に記載の液晶表示装置。

（付記３６）前記重合成分の重合が、紫外線照射処理、熱処理又はそれらの複合処理により行われていることを特徴とする付記３４に記載の液晶表示装置。

（付記３７）前記液晶を封入した第１及び第２の基板の基板面に平行な方向に遅相軸をもつ光学位相差フィルムを有することを特徴とする付記３４に記載の液晶表示装置。

（付記３８）相互に対向して配置された第１及び第２の基板と、
前記第１及び第２の基板間に封入された誘電率異方性が負の液晶と、
前記液晶中に添加された重合成分を重合して形成され、電圧印加時に液晶分子の倒れる方向を決定する重合体とを有し、
前記第１の基板には画素毎に、スイッチング素子と、液晶分子の配向方向が相互に異なる複数の領域に分割された第１及び第２の副画素電極とが形成され、
前記第１の副画素電極は、各領域毎に所定の方向に伸びる複数の帯状の微細電極部とそれらを相互に電気的に接続する接続電極部とにより構成され、前記スイッチング素子に直結されており、
前記第２の副画素電極は、各領域毎に所定の方向に伸びる複数の帯状の微細電極部とそれらを相互に電気的に接続する接続電極部とにより構成され、容量結合を介して前記スイッチング素子に接続されており、
前記第１の副画素電極と前記第２の副画素電極との総面積に対する前記第１の副画素電極の面積比率が１０乃至７０％であることを特徴とする液晶表示装置。

（付記３９）前記画素電極の微細電極部が、ほぼ線対称又は点対称に配置されていることを特徴とする付記３８に記載の液晶表示装置。

（付記４０）前記重合成分の重合が、紫外線照射処理、熱処理又はそれらの複合処理により行われていることを特徴とする付記３８に記載の液晶表示装置。

（付記４１）前記液晶を封入した第１及び第２の基板の基板面に平行な方向に遅相軸をもつ光学位相差フィルムを有することを特徴とする付記３８に記載の液晶表示装置。

（付記４２）前記微細電極部間にスリットが設けられていることを特徴とする付記１，１２，１５，１９，２０，２８，３２，３３，３４及び３８のいずれか１項に記載の液晶表示装置。

（付記４３）前記微細電極部間に帯状の誘電体膜が形成されていることを特徴とする付記１，１２，１５，１９，２０，２８，３２，３３，３４及び３８のいずれか１項に記載の液晶表示装置。

図１は、従来のＭＶＡモードの液晶表示装置の一例を示す平面図である。 図２は、従来のＭＶＡモードの液晶表示装置における正面から見たときの階調輝度特性と方位角９０°、極角６０°の方向から見たときの階調輝度特性とを示す図である。 図３は、本発明の第１の実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。 図４は、第１の実施形態の液晶表示装置の模式断面図である。 図５は、第１の実施形態の液晶表示装置の正面から見たときの透過率−印加電圧特性と、斜め方向から見たときの透過率−印加電圧特性とを示す図である。 図６は、本発明の第２の実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。 図７は、本発明の第３の実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。 図８は、本発明の第４の実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。 図９は、本発明の第５の実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。 図１０は、従来のＭＶＡ方式の液晶表示装置における液晶分子の配向を示す模式図である。 図１１は、本発明の第６の実施形態の実施例１の液晶表示装置を示す平面図及びその一部拡大図である。 図１２は、本発明の第６の実施形態の実施例２の液晶表示装置を示す平面図及びその一部拡大図である。 図１３は、本発明の第６の実施形態の実施例３の液晶表示装置を示す平面図及びその一部拡大図である。 図１４は、本発明の第７の実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。 図１５は、図１４のＩ−Ｉ線の位置における断面図である。 図１６は、画素容量比と電圧比との関係を示す図である。 図１７は、第７の実施形態の液晶表示装置における透過率特性及び配向特性を示す図である。 図１８は、本発明の第８の実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。 図１９は、第８の実施形態の液晶表示装置における透過率特性及び配向特性を示す図である。 図２０は、第８の実施形態の液晶表示装置の他の例を示す平面図である。 図２１は、本発明の第９の実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。 図２２は、第９の実施形態の液晶表示装置における透過率特性を示す図である。 図２３（ａ），（ｂ）は微細電極部とデータバスラインとの間隔が７μｍ又は５μｍの液晶表示装置（但し、ブラックマトリクスなし）における電圧印加時の光の透過状態を示す図である。 図２４（ａ），（ｂ）は微細電極部とデータバスラインとの間隔が７μｍ又は５μｍの液晶表示装置（但し、ブラックマトリクスあり）における電圧印加時の光の透過状態を示す図である。 図２５（ａ），（ｂ）は、高速度カメラを使用して、液晶に電圧を印加してから配向が安定するまでの液晶表示装置の過渡特性を調べた結果を示す図である。 図２６は、第１０の実施形態の実施例１に係る液晶表示装置を示す平面図である。 図２７は、第１０の実施形態の実施例２に係る液晶表示装置を示す平面図である。 図２８は、第１０の実施形態の実施例３に係る液晶表示装置を示す平面図である。 図２９は、第１０の実施形態の実施例４に係る液晶表示装置を示す平面図である。 図３０は、白表示電圧及び直結画素電極比率とガンマずれ量との関係を示す図である。 図３１は、本発明の第１１の実施形態の液晶表示装置（その１）を示す平面図である。 図３２は、本発明の第１１の実施形態の液晶表示装置（その２）を示す平面図である。 図３３は、本発明の第１１の実施形態の液晶表示装置（その３）を示す平面図である。 図３４は、本発明の第１１の実施形態の液晶表示装置（その４）を示す平面図である。

符号の説明

１，３，１２１ａ〜１２１ｃ，１５２ａ，１５２ｂ，１６２ａ，１６２ｂ，１７２ａ〜１７２ｃ，１８２ａ〜１８２ｃ，３２１ａ〜３２１ｃ，３５１ａ，３５１ｂ…副画素電極、
２，３１３ａ，３１３ｃ，３４１…補助容量下部電極、
４，１１９ａ，１１９ｃ，１５１ａ，１５１ｃ，１６１ａ，１６１ｃ，１７１，３１３ａ，３１３ｃ，３１９ａ，３１９ｃ，３４５，４１９ａ…制御電極、
１１，１１２，２１１，３１２，４１２…ゲートバスライン、
１２，１１７，１７７，２０２，２１２，３１７，４１７…データバスライン、
１４，１１８，２１４，３１８，４１８…ＴＦＴ、
１５，２１５，４２１，４４１，４５１，４６１…画素電極、
１１０，３１０…ＴＦＴ基板、
１１１，１３１，３１１，３３１…ガラス基板、
１１３，３１３，４１３…補助容量バスライン、
１１４，１２０，３１４，３２０…絶縁膜、
１１５，３１５…半導体膜、
１１６，３１６…チャネル保護膜、
１１９ｂ，１５１ｂ，１６１ｂ，３１３ｂ、３１９ｂ，４１９ｃ…補助容量電極
１２２，１５３，１６３，１７３，１８３，２０４，２１５ａ，３２２，４２２ａ〜４２２ｋ．４２２ｍ，４２２，４５２ａ〜４５２ｈ，４６２ａ〜４６２ｄ…スリット、
１３０，３３０…対向基板、
１３２，３３２…ブラックマトリクス、
１３３，３３３…カラーフィルタ、
１３４，３３４…コモン電極、
１４０，３４０…液晶層、
１４１ａ，１４１ｂ…偏光板、
２０１，２１５ｂ…微細電極部、
２０５…接続電極部、
５１１ｂ…直結画素電極（副画素電極）、
５１１ａ，５１１ｃ…容量結合画素電極（副画素電極）。

Claims (4)

1. 相互に対向して配置された第１及び第２の基板と、
   前記第１及び第２の基板間に封入された誘電率異方性が負の液晶と、
   前記液晶中に添加された重合成分を重合して形成され、電圧印加時に液晶分子の倒れる方向を決定する重合体とを有し、
   前記第１の基板には画素毎に、スイッチング素子と、複数の帯状の微細電極部とそれらを相互に電気的に接続する接続電極部とにより構成される第１の副画素電極と、複数の帯状の微細電極部とそれらを相互に電気的に接続する接続電極部とにより構成される第２の副画素電極と、補助容量電極とが形成され、
   前記第２の基板には前記第１及び第２の副画素電極に対向するコモン電極が形成され、
   前記第１の副画素電極がドメイン制御領域の境界部分に配置されたコンタクトホールを介して前記補助容量電極に接続され、
   前記第１の副画素電極には前記スイッチング素子を介して第１の電圧が印加され、前記第２の副画素電極には前記第１の電圧よりも低い第２の電圧が印加されることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記第１及び第２の副画素電極の微細電極部の伸びる方向が前記ゲートバスライン及び前記データバスラインのいずれにも交差する方向であり、前記第１及び第２の偏光板のうちの一方の偏光板の吸収軸が前記ゲートバスラインと平行であり、他方の偏光板の吸収軸が前記ゲートバスラインに直交する方向であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記データバスラインが、屈曲した形状であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記データバスラインの少なくとも一部が、前記微細電極部の伸びる方向に直交する方向に伸びていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。

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