JP4846372B2 - マイクロ化学チップ、及びその製造方法 - Google Patents
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Description
このような手法により作製されたマイクロ化学チップは、従来、DNA分析チップ等の、ラボラトリーオンチップ、マイクロリアクタ(マイクロファクトリー)、バイオセンサーをはじめとする化学マイクロデバイスへの応用が期待されており、バイオテクノロジーや医療、農学の分野等の応用例は多岐に亘っている。
そのため、更なる省資源化、及び低コスト化を図ったマイクロ化学チップ、及びその製造方法への要望が高まってきた。
DNAは、塩基配列の調整により独自のナノスケール構造体を形成することができ、更にはDNAを枠組みとして各種反応を行うことにより、分子サイズの電子素子を作製することへの応用技術が期待されている。
部分エステル化されたポリメタクリル酸を材料として、親水性樹脂を利用した技術が従来提案されている(例えば、下記特許文献1参照。)。しかしこれは、回路の作製に射出成形等を利用するため、大量生産の点では有利であるが、作製精度や大きさに限界があり、数十〜百ナノメートルスケールの微小なマイクロ化学チップを形成することができないという課題を有している。
また、従来においては、レーザ光を照射し情報を記録する工程と、溶液エッチングにより未記録部分を除去して凸状加工を施した光記録媒体の作製方法が知られている(例えば、下記特許文献2参照。)。
熱リソグラフィー技術を用いてレーザ光のスポットよりも小さいピットを形成して光ディスクに応用する例の吸熱材料としては、例えば、硫化亜鉛と酸化珪素の混合物が利用されており、その他、各種樹脂を利用する技術についても提案されている(例えば、下記特許文献3、4参照。)。
そこで本発明においては、ナノ〜数百ナノメートルオーダーの構造をもつマイクロ化学チップの作製に関して容易化を図り、高精度化を図ることとした。
請求項2に係る発明によれば、親水性流路側壁をもつ精度の良いマイクロ化学チップが提供された。
請求項3に係る発明によれば、親水性表面積の拡大が図られ、DNA等の生体分子を取り付ける土台とすることができた。
請求項4に係る発明によれば、光照射を利用した熱発生により精度良くマイクロ化学チップが作製できた。
請求項5に係る発明によれば、光熱変換層に、高い光・熱吸収効率を具備させることができた。
請求項6に係る発明によれば、薬液に対するエッチング耐性が、レーザ光照射もしくは熱輻射により変化する材料を用いたマイクロ化学チップの簡易な作製方法を提供できた。
請求項7に係る発明によれば、試料を反応させる箇所に新たな効果を有するマイクロ化学チップの作製方法を提供できた。また、支持基板上の微粒子を最終工程で除去するようにしたことにより、エッチング耐性変化材料を、少なくとも球形状の一部を有する孔質部となるようにすることができた。
〔実施例1〕
本発明のマイクロ化学チップの概略図を図1に示す。
なお、以下に説明する例においては、マイクロ化学チップは、マイクロバルブ等を取り付けることによりマイクロリアクタとしての役割を果たすものとする。
図1に示すマイクロ化学チップ10においては、樹脂製の支持基板1上に、試薬導入部2、流路3、反応部(センサ部)4、リザーバ5、マイクロバルブ6が形成されている。
流路3は、側壁7により形成されており、側壁7は、例えば硫化亜鉛(ZnS)と酸化珪素(SiO2)の混合物により形成されているものとすることができ、親水性を示すものとする。
各流路3には、pHに対する応答性を有してこの変化よって拡大・収縮するハイドロゲルよりなるマイクロバルブ6が形成されている。このマイクロバルブ6の動作によって、図1に示した試薬導入部2、反応室4、及びリザーバ5を適宜選択できるようになされている。ここで、図1中、試薬導入部2、流路3、及びリザーバ5は試薬を保存しあるいは輸送する機能を有しており、保存・搬送部と総称する。
先ず、シリコンよりなる支持基板1上に、スパッタリング装置を用いて光吸収層9としてGeを成膜し、その後、硫化亜鉛(ZnS)と酸化珪素(SiO2)の混合物(組成モル比8:2)からなる材料よりなり、後述するレーザ光照射によってエッチング耐性が変化するエッチング耐性変化材料よりなる薄膜8(膜厚200nm)を形成した(図3(a))。
その後、支持基板ごと、フッ酸(フッ化水素酸)溶液(約2wt%)に数十秒間浸し、純水洗浄し、乾燥処理を施した。
レーザ光照射箇所は、エッチング後も残存し、それらが側壁となり流路3が形成された(図3(c))。このようにしてマイクロ化学チップの基本骨格が形成された。
更に保護材20として、所定の樹脂基板を配置し、加熱処理及びその後の冷却処理を経て接着させた(図3(d))。
流路3を形成する必要の無い箇所には、所定の接着剤を入れ固定強化させた。
詳しくは、図3(a)〜(d)を用いて説明したように、Geよりなる光吸収層9が、レーザ光を吸収し、その上に成膜された、エッチング耐性変化材料層、すなわち硫化亜鉛と酸化珪素の混合物が吸熱する。
このように、光吸収層9を下層に形成することにより、その上層での吸熱が狭い領域で行われるようになり、微細なパターンを形成することが可能となる。
更に詳しくは、レーザ照射された箇所において、上述した材料による薄膜8は、フッ酸に対するエッチング耐性が強まる。レーザ光未照射箇所の混合物は、フッ酸によりエッチング除去される。
フッ酸溶液によるエッチングの際には、レーザ光の照射が行われた箇所のうち、500℃以上程度の高温になった混合物箇所のみが残り、その他の箇所はエッチング除去される現象を利用している。
上述したような性質を利用するためには、薄膜8を、酸化珪素を含有する混合物であり、吸熱部とそれ以外の箇所でのエッチング特性の違いによるパターニングをすることが可能な材料とすることが必要である。
エッチング工程でフッ酸を使用する場合には、支持基板1や保護材20には、フッ酸に対して化学反応を示さない材料を選択する。
側壁の壁面の対水接触角を40°以下とすることにより、分析材料の分子の側壁への付着を効果的に防止できる。
親水性が保持される期間が長い試料は前述の付着の不具合が生じにくく、図1に示す反応部4における目的物質の検出も高感度に得られることになる。
更に、本発明によれば、側壁7のパターンの傾斜角は、一般的な微細加工によるパターンよりも急峻に形成でき、高さも数百nmのスケールまで高くできる。
また、レーザ光照射装置は、最終的に目的とするマイクロ化学チップの用途に応じて使用すればよく、極めて簡易な工程により、精密な構造のマイクロ化学チップを、低コストで作製できる。
レーザ光照射の際には、照射位置分布をプログラムすることにより、数十〜数百ナノメートルスケールでの自動描画が高制御で可能である。
本発明のマイクロ化学チップの他の一例の概略図を図4(a)、(b)に示す。
なお、図4(a)は概略上面図を示し、図4(b)は概略断面図を示す。
本例においては、マイクロ化学チップはマイクロリアクタの役割を果たすものとする。
図4のマイクロ化学チップ30においては、側壁7により形成された反応室4に、酸化珪素と酸化亜鉛の混合物(組成モル比8:2)が、半球状もしくは球状の空隙を覆うように形成されている、すなわちエッチング耐性変化材料よりなる球の形状の一部を形成する孔質部11が形成されている。
先ずシリコンよりなる支持基板1を、直径約40nmのシリカ微粒子を含有するコロイド液に浸し、一定速度で引き上げ、支持基板1上にシリカ微粒子を単層に二次元配列させた。その後、スパッタリング装置を用いて、支持基板表面に、硫化亜鉛(ZnS)と酸化珪素(SiO2)の混合物(モル比8:2)からなる薄膜(膜厚40nmm)を形成する。
図5(a)は、シリカ微粒子12の2次元配列構造体が支持基板1上に形成された状態の概略断面図である。
図5(b)は、シリカ微粒子12の2次元配列構造体上に、酸化珪素と酸化亜鉛の混合物よりなる薄膜13が形成された状態の概略断面図を示す。
厳密には、微粒子12を被覆するように薄膜13が形成されるが、図においては簡略化している。
スパッタリングを行い、その後、支持基板を所定のレーザ照射装置に固定し、青色半導体レーザ(波長:405nm、N.A.0.85のレンズで集光)を用いて、図5(c)に示すように特定箇所にレーザ光の照射を、連続もしくはパルス状にて行った(図中、符号14は、レーザ光照射部)。
その後、支持基板ごとにフッ酸溶液(約2wt%)に数十秒間浸し、その後純水洗浄し、乾燥処理を施した。
上述のようにして、硫化亜鉛(ZnS)と酸化珪素(SiO2)の混合物のレーザ照射部
14のみを残した、孔質部11が形成された支持基板が作製された(図5(d))。
レーザ未照射部分の酸化珪素と酸化亜鉛の混合物、及びシリカ微粒子は、フッ酸により反応して除去される。
続いて、レーザ光照射装置に、支持基板を固定し、青色半導体レーザ(波長405nm)より放射される光をレンズ(N.A.0.85)で絞り、流路3、反応室4を形成する側壁7となる箇所に、レーザ光の照射を、連続もしくはパルス状にて行った(図5(f))。
その後、フッ酸溶液(約2wt%)に数十秒間浸し、純水洗浄を行い、乾燥処理を施した。
レーザ光の照射を行った箇所は、エッチング耐性が上がっており、エッチング処理後も残存し、その残存部分が側面となって流路の側壁7となる(図5(g))。
上述のようにして、本発明のマイクロ化学チップの基本骨格が形成される。
その後、流路3の所定の位置に、図1に示したマイクロバルブ6を設置する。
更に、上部に保護材20として樹脂製の基板を配置し、加熱処理後、急冷することにより接着させた(図5(h))。
必要に応じて流路とならない箇所に接着剤を入れ、固定を強化した。
なお、この例においても、図3に示した製造工程のように、下層としてGe層よりなる光吸収層9を形成してレーザ光を吸収させ、その上層に形成した硫化亜鉛と酸化珪素の混合物よりなる薄膜に吸熱させた方が、狭い領域で吸熱が行われるので、微細なパターンを形成するために有利である。
レーザ光を照射された箇所のみ、上記混合物よりなる薄膜は、フッ酸に対するエッチング耐性が強められる。レーザ未照射箇所の混合物はフッ酸によりエッチング除去される。
フッ酸溶液によるエッチングの際には、レーザ照射が行われた箇所のうち、約500℃以上の高温になった混合物箇所のみが残り、その他の箇所はエッチング除去される現象を利用している。
このような現象は、酸化珪素を含有する混合物を適用して吸熱部とそれ以外の箇所でのエッチング特性の違いを利用してパターニングをすることにより利用することができる。
また、下層に形成する図3に示した光吸収層9は、金属や半導体であると光・熱吸収効率が優れているため好適である。
このマイクロ化学チップ30においては、反応部4内に、アミノシラン単分子を含む溶液を通した後、DNAを含有する溶液を通した際、孔質部11のみにDNAが付着することを確認した。
生体分子は分子認識能、触媒能、自己修復機能等を有し、ハイブリダイゼーション等により、様々な応用が可能とされる。
本発明のマイクロ化学チップ30のように、孔質部11を設けることにより、高機能の反応部が形成され、更には、ハイブリダイゼーションの土台の役割も果たすことができる。
光リソグラフィーのようにマスクを必ずしも必要とせず、チップに応じて回路パターンを容易に変更することができる。
また、微粒子のサイズを変えることでもパターンを設計することができる。
微粒子の粒子サイズと、硫化亜鉛と酸化珪素の混合物の厚みとの割合からエッチング後の形状も制御できる。
図6に、本発明のマイクロ化学チップの他の一例の概略上面図を示す。
この図6においては、最上層に形成する保護材は省略されている。
このマイクロ化学チップ40は、樹脂製の支持基板1上に、試薬導入部(図示せず)、流路3、反応部(センサ部)4が形成されている。
流路3の側壁7は、硫化亜鉛(ZnS)と酸化珪素(SiO2)との混合物(組成モル比9:1)よりなり、対水接触角が40°以下であり、親水性を示すものとする。
このマイクロ化学チップ40の作製方法に関しては、上述した実施例1と同様とすることができる。但し、レーザ光の照射の際に、照射位置分布を制御して、図6の形状の流路を形成するようにプログラムして描画したものとする。
また、硫化亜鉛と酸化珪素の混合物の組成モル比は、実施例1が8:2であったのに対し、9:1とした。組成比を変化させても、微細な流路のパターンを高精度で形成できた。
図7に、本発明のマイクロ化学チップの他の一例の概略断面図を示す。
この構成は、上述した実施例2におけるマイクロ化学チップの構成とほぼ同様である。
図7のマイクロ化学チップ50は、樹脂製の支持基板1上に、試薬導入部(図示せず)、流路3、反応部(センサ部)4が形成されている。
流路3を形成する側壁7は酸化亜鉛(ZnO)と、酸化珪素(SiO2)との混合物(組成モル比8:2)からなるものとし、対水接触角が40°以下であるものとし、親水性を示すものとする。
作製方法については、上述した実施例2と同様とすることができるが、側壁の下層として、光吸収層9のAgInSbTeよりなる層を形成する。
実施例2においては、Ge層を光吸収層としたが、本例においても光吸収層として優れた効果が発揮されることが確かめられた。
また、酸化亜鉛と酸化珪素のスパッタリング時間は比較的短くし、堆積される膜の膜厚を薄くした。
その結果、エッチング後に最終的に作製される孔質部3の構造はほぼ半球状となった。
例えば、光吸収層9形成要の材料は、Geの他、III-V族化合物半導体等も適用できる。
また、側壁7を形成する材料の酸化珪素に含有させる材料としては、硫化亜鉛の他、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、窒化珪素、窒化アルミニウム等が適用できる。
孔質部11を形成するために使用する、図5に示した微粒子12の径や、薄膜の膜厚は適宜調節するものとし、そのパターニング形状を、半球状、円柱状等、種々の形状に選定することができる。
また、側壁形成の際には、レーザ光を照射する方法の他、局所的に熱を加える方法も適用でき、熱リソグラフィー技術を利用できる。但し、レーザ光を照射する方法の方が、より精度を高くすることができ好ましい。
図5に示した作製工程図における、支持基板1上に形成した微粒子12の層数は単層に限らず、複数層でもよい。
微粒子12の大きさについては、同一粒径である方が、作製精度等の観点から望ましい。
微粒子12の種類としては、フッ酸でエッチング除去できるアモルファスシリカの他、熱やトルエンで除去できるポリスチレン等も適用できる。
マイクロ化学チップの応用は、マイクロリアクタ(マイクロファクトリー)の他、光学素子、バイオセンサー、DNAコンピュータ、DNAメモリ、生体分子統合デバイス等、多岐にわたる。
2 試薬導入部
3 流路
4 反応部
5 リザーバ
6 マイクロバルブ
7 側壁
8 薄膜
9 光吸収層
10 マイクロ化学チップ
11 孔質部
12 微粒子
13 薄膜
20 保護材
30 マイクロ化学チップ
40 マイクロ化学チップ
50 マイクロ化学チップ
Claims (12)
- 支持基板上に、側壁によって形成されている、液体若しくは気体の試料を保存し輸送させる保存・搬送部と前記試料を反応させる反応部とを有するマイクロ化学チップであって、
前記側壁は、レーザ光照射若しくは熱輻射によりエッチング材料に対する耐性が変化するエッチング耐性変化材料により形成されているものであり、
前記エッチング耐性変化材料は、酸化亜鉛、硫化亜鉛、酸化アルミニウム、窒化珪素、窒化アルミニウムのいずれかと、酸化珪素の混合物からなることを特徴とするマイクロ化学チップ。 - 前記側壁は、対水接触角が40°以下であり、前記エッチング耐性変化材料より形成されていることを特徴とする請求項1に記載のマイクロ化学チップ。
- 前記反応部に、前記エッチング耐性変化材料よりなり、少なくとも球形状の一部を有する孔質部が形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のマイクロ化学チップ。
- 前記側壁は、レーザ光照射によりエッチング材料に対する耐性が変化するエッチング耐性変化材料により形成されているものであり、
前記エッチング耐性変化材料の下部に、レーザ光を吸収し発熱する材料よりなる光吸収層が形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のマイクロ化学チップ。 - 前記光吸収層は、半導体若しくは金属であることを特徴とする請求項4に記載のマイクロ化学チップ。
- 支持基板上に、側壁によって形成されている、液体若しくは気体の試料を保存し輸送させる保存・搬送部と前記試料を反応させる反応部とを有するマイクロ化学チップの製造方法であって、
前記側壁の形成に関し、
前記支持基板上に、酸化亜鉛、硫化亜鉛、酸化アルミニウム、窒化珪素、窒化アルミニウムのいずれかと、酸化珪素の混合物からなるエッチング耐性変化材料を成膜する工程と、
前記エッチング耐性変化材料が成膜された前記支持基板の一部、若しくは全域に対し、レーザ光を照射し、あるいは加熱処理を加え、前記光照射部あるいは熱処理部のエッチング耐性を変化させる工程と、
前記エッチング耐性変化材料のうち、エッチング耐性を変化させた部分を残存させてエッチング処理を行う工程とを有することを特徴とするマイクロ化学チップの製造方法。 - 支持基板上に、側壁によって形成されている、液体若しくは気体の試料を保存し輸送させる保存・搬送部と前記試料を反応させる反応部とを有し、前記反応部に、所定のエッチング耐性変化材料よりなり、少なくとも球形状の一部を有する孔質部が形成されているマイクロ化学チップの製造方法であって、
前記孔質部の形成に関し、
前記支持基板上に、予め微粒子配列層を形成する工程と、
前記微粒子配列層上に、酸化亜鉛、硫化亜鉛、酸化アルミニウム、窒化珪素、窒化アルミニウムのいずれかと、酸化珪素の混合物からなるエッチング耐性変化材料を成膜する工程と、
前記エッチング耐性変化材料が成膜された前記支持基板の一部、若しくは全域に対し、レーザ光を照射し、あるいは加熱処理を加え、前記光照射部あるいは熱処理部のエッチング耐性を変化させる工程と、
前記エッチング耐性変化材料のうちエッチング耐性を変化させた部分を残存させてエッチング処理を行う工程と、
前記微粒子を除去する工程とを有することを特徴とするマイクロ化学チップの製造方法。 - 前記エッチング耐性変化材料の一部を除去する工程と、前記微粒子を除去する工程を同時に行うことを特徴とする請求項7に記載のマイクロ化学チップの製造方法。
- 前記微粒子が、酸化珪素含有材料よりなるものであることを特徴とする請求項7又は8に記載のマイクロ化学チップの製造方法。
- 前記微粒子配列層を形成する工程は、当該微粒子を含む分散液を、支持基板上に塗布し、溶媒を蒸発させることによって行うことを特徴とする請求項7乃至9のいずれか一項に記載のマイクロ化学チップの製造方法。
- 前記エッチング耐性変化材料を除去する工程においては、酸もしくはアルカリを用いた化学反応による除去を行うことを特徴とする請求項6乃至10のいずれか一項に記載のマイクロ化学チップの製造方法。
- 支持基板は、樹脂もしくはシリコン単体であることを特徴とする請求項6乃至11のいずれか一項に記載のマイクロ化学チップの製造方法。
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