JP4981750B2 - ハードディスク基板用研磨液組成物 - Google Patents
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Description
本発明の研磨液組成物は、砥粒としてアルミナ粒子を含有する。本発明に用いられるアルミナ粒子としては、突き刺さり低減、うねり低減、表面粗さ低減、研磨速度向上及び表面欠陥防止の観点から、アルミナとしての純度が95%以上のアルミナが好ましく、より好ましくは97%以上、さらに好ましくは99%以上のアルミナである。また、研磨速度向上の観点からは、α−アルミナが好ましく、基板の表面性状及びうねり低減の観点からは、中間アルミナ及びアモルファスアルミナが好ましい。中間アルミナとは、α−アルミナ以外の結晶性アルミナ粒子の総称であり、具体的にはγ−アルミナ、δ−アルミナ、θ−アルミナ、η−アルミナ、κ−アルミナ、及びこれらの混合物等が挙げられる。その中間アルミナの中でも、研磨速度向上及びうねり低減の観点から、γ−アルミナ、δ−アルミナ、θ−アルミナ及びこれらの混合物が好ましく、より好ましくはγ−アルミナ及びθ−アルミナである。研磨速度向上及びうねり低減の観点からは、α−アルミナと、中間アルミナ及び/又はアモルファスアルミナとを混合して使用することが好ましく、α−アルミナと中間アルミナとを混合して使用することがより好ましく、α−アルミナとθ−アルミナとを混合して使用することがさらにより好ましい。また、アルミナ粒子中のα−アルミナの含有量は、研磨速度向上及びうねり低減の観点から、20〜100重量%が好ましく、20〜80重量%がより好ましく、20〜75重量%がさらに好ましい。本発明において、アルミナ粒子中のα−アルミナの含有量は、WA−1000(昭和電工(株)製 アルミナ粒子)の104面のピーク面積を100%として、X線回折におけるα−アルミナの対応ピーク面積を相対比較することにより求める。
本発明の研磨液組成物は、砥粒として、前記アルミナ粒子とともに、シリカ粒子を含有する。シリカ粒子としては、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、表面修飾したシリカ等が挙げられ、中でも、より高度な平滑性を必要とする高記録密度メモリー磁気ディスク用基板の最終仕上げ研磨用途に適しているという観点から、コロイダルシリカが好ましい。なお、コロイダルシリカ粒子は、例えば、ケイ酸水溶液から生成させる製法により得ることができる。
本発明の研磨液組成物は、研磨速度の向上及びうねり低減の観点から、酸及び/又はその塩を含有することが好ましい。本発明に用いられる酸としては、研磨速度の向上、突き刺さり低減、及びうねり低減の観点から、そのpK1が好ましくは7以下、より好ましくは5以下、さらに好ましくは3以下、さらにより好ましくは2以下の酸である。ここで、pK1とは、第1酸解離定数(25℃)の逆数の対数値である。各化合物のpK1は、例えば化学便覧改訂4版(基礎編)II、p316〜325(日本化学会編)等に記載されている。
本発明の研磨液組成物は、研磨速度の向上、突き刺さり低減、及びうねり低減の観点から、酸化剤を含有することが好ましい。本発明に用いられる酸化剤としては、例えば、過酸化物、金属のペルオキソ酸若しくはその塩、又は酸素酸若しくはその塩等が挙げられる。酸化剤はその構造から無機系酸化剤と有機系酸化剤に大別される。無機系酸化剤としては、過酸化水素; 過酸化ナトリウム、過酸化カリウム、過酸化カルシウム、過酸化バリウム、過酸化マグネシウムのようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属の過酸化物; ペルオキソ炭酸ナトリウム、ペルオキソ炭酸カリウム等のペルオキソ炭酸塩; ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸ナトリウム、ペルオキソ二硫酸カリウム、ペルオキソ一硫酸等のペルオキソ硫酸又はその塩; ペルオキソリン酸ナトリウム、ペルオキソリン酸カリウム、ペルオキソリン酸アンモニウム等のペルオキソリン酸又はその塩; ペルオキソホウ酸ナトリウム、ペルオキソホウ酸カリウム等のペルオキソホウ酸塩; ペルオキソクロム酸ナトリウム、ペルオキソクロム酸カリウム等のペルオキソクロム酸塩; 過マンガン酸ナトリウム、過マンガン酸カリウム等の過マンガン酸塩; 過塩素酸ナトリウム、過塩素酸カリウム、次亜塩素酸ナトリウム、過沃素酸ナトリウム、過沃素酸カリウム、沃素酸ナトリウム、沃素酸カリウム等の含ハロゲン酸素酸塩; 及び塩化鉄(III)、硫酸鉄(III)、硝酸アルミニウム等の無機酸金属塩等が挙げられる。有機系酸化剤としては、過酢酸、過蟻酸、過安息香酸等の過カルボン酸類; t−ブチルパーオキサイト、クメンパーオキサイト等のパーオキサイト; 及びクエン酸鉄(III)等の有機酸鉄(III)塩等が挙げられる。これらの内、研磨速度の向上、入手性、及び水への溶解度等の取り扱い性の観点から、無機系酸化剤が好ましい。中でも、過酸化水素、ペルオキソホウ酸ナトリウム、沃素酸ナトリウム及び沃素酸カリウムが好ましい。また、これらの酸化剤は一種でもよいが、二種以上を混合して用いても良い。
本発明の研磨液組成物中の水は、媒体として使用されるものであり、蒸留水、イオン交換水又は超純水等が使用され得る。研磨液組成中の水の含有量は、研磨液組成物の取り扱い性(粘度)の観点から、55重量%以上が好ましく、75%重量%以上がより好ましく、85重量%以上がさらに好ましく、90重量%以上がさらにより好ましい。また、研磨速度の向上、突き刺さり低減、及びうねり低減の観点から、99.8重量%以下が好ましく、99.3重量%以下がより好ましく、98.8重量%以下がさらに好ましい。即ち、研磨液組成物中の水の含有量は55〜99.8重量%が好ましく、75〜99.8重量%がより好ましく、85〜99.3重量%がさらに好ましく、90〜98.8重量%がさらにより好ましい。
本発明の研磨液組成物のpHは、被研磨物の種類や要求品質等に応じて適宜決定することが好ましい。例えば、研磨液組成物のpHは、研磨速度向上及びうねり低減の観点と、加工機械の腐食防止性及び作業者の安全性の観点とから7未満が好ましく、0.1〜6がより好ましく、さらに好ましくは0.5〜5であり、さらにより好ましくは1〜5、さらにより好ましくは1〜4、さらにより好ましくは1〜3.5である。該pHは、必要により、硝酸、硫酸等の無機酸、オキシカルボン酸、多価カルボン酸、アミノポリカルボン酸、アミノ酸等の有機酸、及びそれらの金属塩やアンモニウム塩、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アミン等の塩基性物質を適宜、所望量で配合することで調整することができる。
本発明の研磨液組成物は、ロールオフ低減の観点から、式(I)で表される構成単位と20℃の水100gに対する溶解度が2g以下の疎水性モノマーに由来する構成単位とを有する共重合体及び/又はその塩を含むことが好ましい。前記共重合体において、下記式(I)で表される構成単位は、親水性構成単位としての役割を果たし、前記疎水性モノマーに由来する構成単位は、疎水性構成単位としての役割を果たす。前記共重合体において、下記式(I)で表される構成単位と前記疎水性モノマーに由来する構成単位との付加は、ランダム、ブロック又はグラフトのいずれであってもよく、これらの組合せであってもよい。
また、本発明の研磨液組成物には、さらなる研磨速度の向上、突き刺さり低減、うねりの低減、及びその他の目的に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、例えば、コロイダル酸化チタン等の金属酸化物砥粒、無機塩、増粘剤、防錆剤、塩基性物質等が挙げられる。無機塩の例としては、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、硫酸カリウム、硫酸ニッケル、硝酸アルミニウム、硫酸アルミニウム、スルファミン酸アンモニウム等が挙げられる。無機塩は、研磨速度の向上、ロールオフの改良、研磨液組成物のケーキング防止等の目的で使用され得る。前記他の成分は単独で用いても良いし、2種類以上混合して用いても良い。研磨液組成物中における前記他の成分の含有量は、経済性の観点から、好ましくは0.05〜20重量%、より好ましくは0.05〜10重量%、さらに好ましくは0.05〜5重量%である。
本発明の研磨液組成物を用いて研磨を行う被研磨基板(研磨対象)としては、通常、ハードディスク基板や磁気記録用媒体の基板の製造に使用されるものが挙げられる。前記被研磨基板の具体例としては、アルミニウム合金にNi−P合金をメッキした基板が代表的であるが、アルミニウム合金の代わりにガラスやグラッシュカーボンを使用し、これにNi−Pメッキを施した基板、あるいはNi−Pメッキの代わりに、各種金属化合物をメッキや蒸着により被覆した基板を挙げることができる。研磨後の基板におけるアルミナ突き刺さり低減の効果は、Ni−Pメッキが施された基板の場合に顕著であり、垂直磁気記録方式用ハードディスク基板の製造に使用される被研磨基板の場合により顕著である。
本発明の研磨液組成物の調製方法は、何ら制限されず、例えば、アルミナ粒子、シリカ粒子、酸又はその塩、及び酸化剤を適当な水系媒体に混合することによって調製できる。前記アルミナ粒子及びシリカ粒子の分散は、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の撹拌機等を用いて行うことができる。本発明の研磨液組成物中における各成分の含有量や濃度は、上述した範囲であるが、その他の態様として、本発明の研磨液組成物を濃縮物として調製してもよい。
本発明は、その他の態様として、ハードディスク基板の製造方法に関する。本発明のハードディスク基板の製造方法(以下、本発明の製造方法ともいう)は、本発明の研磨液組成物を研磨パッドに接触させながら被研磨基板を研磨する工程(以下、「本発明の研磨液組成物を用いた研磨工程」と称することがある。)を有する。本発明の研磨液組成物を用いた研磨工程においては、研磨パッドで被研磨基板を挟み込み、本発明の研磨液組成物を研磨面に供給し、圧力を加えながら研磨パッドや被研磨基板を動かすことなどにより、被研磨基板の研磨が行われうる。本発明の研磨液組成物は、そのまま使用してもよいし、濃縮物であれば希釈して使用すればよい。前記濃縮物を希釈する場合、その希釈倍率は、特に制限されず、前記濃縮液における各成分の濃度(砥粒の含有量等)や研磨条件等に応じて適宜決定できる。被研磨基板としては、上述のものを使用できる。
本発明は、その他の態様として、上述した研磨液組成物を研磨パッドに接触させながら被研磨基板を研磨することを含む被研磨基板の研磨方法に関する。本発明の研磨方法を使用することにより、基板へのアルミナの突き刺さりが顕著に低減された基板を得ることができる。本発明の研磨方法における前記被研磨基板としては、上述のとおり、ハードディスク基板や磁気記録用媒体の基板の製造に使用されるものが挙げられ、なかでも、垂直磁気記録方式用ハードディスク基板の製造に用いる基板が好ましい。したがって、本発明の研磨方法は、その他の態様として、本発明の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含み、前記被研磨基板が垂直磁気記録方式用ハードディスク基板の製造に用いる基板であり、前記研磨する工程が粗研磨工程である、被研磨基板の研磨方法である。なお、具体的な研磨の方法及び条件は、上述のとおりとすることができる。
α−アルミナ(二次粒子の体積中位粒径:0.3μm又は0.6μm)、θ−アルミナ(二次粒子の体積中位粒径:0.16μm)、コロイダルシリカ、マレイン酸、クエン酸、硫酸(98%品)、過酸化水素(35重量%品、旭電化社製)及び水を用い、表1に示す組成で実施例1〜33及び比較例1〜14の研磨液組成物を調製した。なお、実施例21〜26の研磨液組成物には、下記表4に示すモノマーを原料として合成した共重合体を添加した。下記表4における溶解度は、20℃の水100gに対する溶解度(g)である。
[アルミナ粒子の二次粒子の粒径の測定]
以下の測定条件で二次粒子の粒径(D10、D50及びD90)を測定した。なお、D10、D50及びD90とは、小粒径側からの積算粒径分布(体積基準)がそれぞれ10%、50%及び90%となる粒径であり、このうち、D50を体積中位粒径とする。
測定機器 :堀場製作所製 レーザー回折/散乱式粒度分布測定装置LA920
循環強度 :4
超音波強度:4
[アルミナ粒子中のα−アルミナの含有量]
研磨液組成物20gを105℃で5時間乾燥させて粉末とした。そして、得られた粉末について、X線回折装置(理学電機製、型番:RINT2500VPC)にて管電圧40kW、管電流120mAの条件で104面のピーク面積を測定し、同様に測定した昭和電工製アルミナ粒子WA−1000のピーク面積から下記式のとおりに算出することによって求めた。
α−アルミナ含有量(重量%)=(試験試料ピーク面積)÷(WA−1000のピーク面積)×100
実施例21〜26で使用した共重合体の合成を、実施例24で用いた共重合体(SMA/PEGMA(20:80))を例にとり説明する。なお、他の共重合体は、下記表4に示すモノマーを原料として使用した以外は実施例24の共重合体と同様にして合成した。実施例24の共重合体は、上記式(I)で表される構成単位を形成するためのモノマーとしてメトキシポリエチレングリコール(23モル)メタクリレート(PEGMA(EO23))を用い、上記式(II)で表される構成単位を形成するためのモノマーとしてステアリルメタクリレート(SMA)を用いて合成した。具体的には、(PEGMA(EO23))80g、SMA20g、重合溶媒であるメチルエチルケトン100g及び重合開始剤(商品名V−65、和光純薬(株)製)1.0gを、撹拌機、還流冷却器、温度計及び窒素導入管が配置された反応器に入れて、65℃で6時間重合反応を行った後、乾燥させて共重合体を得た。得られた共重合体の重量平均分子量は、12.5万であった。また、共重合体における(PEGMA(EO23))の割合は80重量%であり、SMAの割合は20重量%であった。なお、共重合体の重量平均分子量、及び、共重合体における各構成単位の割合は、以下のようにして測定した。
[重量平均分子量の測定方法]
共重合体をクロロホルムに溶解し、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、展開溶媒:60mmol/L H3PO4、50mmol/L LiBr/DMF)を用いて、標準ポリスチレン換算により重量平均分子量を測定した。
[共重合体における各構成単位の割合の測定方法]
共重合体を重水素置換ジメチルスルホキシドに溶解し(共重合体の濃度:1重量%)、プロトン核磁気共鳴スペクトルを用いて測定した。
調製した実施例1〜33及び比較例1〜14の研磨液組成物を用いて、下記の研磨条件で前記基板を研磨した。
[被研磨基板]
被研磨基板は、Ni−Pメッキされたアルミニウム合金基板を用いた。なお、この被研磨基板は、厚み1.27mm、直径95mm、「Zygo社製 NewView5032」を用いた測定におけるうねり(波長:0.5〜5mm)の振幅が1.6nmであった。
[研磨条件]
研磨試験機 :両面研磨機(9B型両面研磨機、スピードファム(株)製)
研磨パッド :厚み1.04mm、平均開孔径43μm(FILWEL製)
定盤回転数 :45rpm
研磨荷重 :9.8kPa(設定値)
研磨液供給量 :100mL/min(0.076mL/(cm2・min))
研磨量(片面) :130mg
投入した基板の枚数:10枚
[研磨速度の評価]
実施例1〜33及び比較例1〜14で得られた研磨液組成物を用いたときの研磨速度は、以下の方法で評価した。まず、研磨前後の各基板の重さを計り(Sartorius社製「BP−210S」)を用いて測定し、各基板の重量変化を求め、10枚の平均値を重量減少量とし、それを研磨時間で割った値を重量減少速度とした。この重量減少速度を下記の式に導入し、研磨速度(μm/min)に変換した。その結果を下記表5〜8に示す。
研磨速度(μm/min)=重量減少速度(g/min)/基板片面面積(mm2)/
Ni−Pメッキ密度(g/cm3)×106
(基板片面面積:6597mm2、Ni−Pメッキ密度:7.9g/cm3として算出)
研磨後の10枚の基板から任意に2枚を選択し、選択した各基板の両面を180°おきに2点(計8点)について、下記の条件で測定した。その8点の測定値の平均値を基板のうねりとして算出した。その結果を下記表5〜8に示す。
機器 :Zygo NewView5032
レンズ :2.5倍 Michelson
ズーム比 :0.5
リムーブ :Cylinder
フィルター :FFT Fixed Band Pass(0.5〜5mm)
エリア :4.33mm×5.77mm
研磨後の基板を、以下の仕上げ用研磨液組成物を用いて研磨量が0.035μm±0.005μmとなるように研磨した後の基板表面を観察することにより、アルミナ粒子の突き刺さりを評価した。その結果を下記表5〜8に示す。仕上げ用研磨液組成物の組成、研磨条件、研磨量の測定方法、突き刺さりの観察方法及び評価基準を以下に示す。
<仕上げ用研磨液組成物>
コロイダルシリカスラリー(デュポン社製、一次粒子の平均粒径0.02μm)をシリカ粒子濃度として7重量%、HEDP(1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、ソルーシアジャパン製)を有効分として2重量%、過酸化水素(旭電化製)を有効分として0.6重量%、及びイオン交換水を残分として含有する研磨液組成物を用いた。
<研磨条件>
研磨試験機 :スピードファム(株)製、両面9B研磨機
研磨パッド :フジボウ(株)製、ウレタン製仕上げ研磨用パッド
定盤回転数 :32.5r/min
研磨液組成物供給量 :100mL/min
研磨時間 :0.5〜1.5min(研磨量(片面)が0.035μm±0.005μmとなるように調整)
研磨荷重 :4.1kPa
投入した基板の枚数 :10枚
<研磨量の測定方法>
研磨前後の各基板の重さを計り(Sartorius社製、「BP−210S」)を用いて測定し、下記式に導入することにより、研磨量を求めた。
重量減少量(g)={研磨前の重量(g)−研磨後の重量(g)}
研磨量(μm)=重量減少量(g)/基板片面面積(mm2)/2/Ni−Pメッキ密度
(g/cm3)×106
(基板片面面積は、6597mm2、Ni−Pメッキ密度8.4g/cm3として算出)
<突き刺さりの観察方法>
オリンパス光学製顕微鏡(本体BX60M、デジタルカメラDP70、対物レンズ100倍、中間レンズ2.5倍)を使用し、暗視野観察(視野100×75μm)により突き刺さったアルミナ粒子を輝点として検出し、その数を測定した。上記観察は、研磨後の10枚の基板から任意に2枚を選択し、基板の両面について中心から30mmの位置を90°ごとの各4点、計16点観察した。そして、観察された輝点数の平均値を砥粒の突き刺さり数とした。表5〜8の突き刺さりの値は、比較例14の突き刺さり数の平均値を100としたときの相対値を表す。
上記表4の共重合体を使用した実施例21〜26の研磨液組成物を用いて研磨した後の基板について、下記の条件で、1.0−3.0Peakロールオフを測定した。得られた結果を下記表8に示す。比較の基準として、実施例18の研磨液組成物を用いた。下記表8では「参考例18」としてその結果を示す。なお、前記測定は、投入した基板10枚のうち1枚を選択し、その1枚の基板において3点(任意)行い、その3点の平均値を測定結果とした。1.0−3.0Peakロールオフの値は、その値が小さければ小さいほど、基板の端部が盛り上がっていることを示し、ロールオフが抑制されたといえる。
<1.0−3.0Valleyロールオフ>
図1に示すように、基板最端部から1.0mm及び3.0mmの基板表面をそれぞれA点及びB点とし、このA点とB点とを結ぶ直線を基準線とする。この基準線から直角に基板表面までの距離を測定し、最も長いものを1.0−3.0Peakロールオフ(nm)とした。
<測定条件>
測定機器 :商品名New View 5032(Zygo社製)
レンズ :2.5倍
ズーム :0.5倍
解析ソフト:商品名Zygo Metro Pro(Zygo社製)
Claims (10)
- アルミナ粒子、シリカ粒子、及び水を含むハードディスク基板用研磨液組成物であって、
前記アルミナ粒子の二次粒子のレーザー光回折法により測定される体積中位粒径が、0.1〜0.8μmであり、
前記シリカ粒子の一次粒子の透過型電子顕微鏡観察により測定される体積中位粒径が、40〜150nmであり、
前記シリカ粒子の一次粒子の透過型電子顕微鏡観察により測定される粒径の個数基準の標準偏差が、11〜35nmである、ハードディスク基板用研磨液組成物。 - アルミナ粒子がαアルミナを含有する、請求項1記載のハードディスク基板用研磨液組成物。
- シリカ粒子がコロイダルシリカである、請求項1又は2に記載のハードディスク基板用研磨液組成物。
- 前記シリカ粒子が、粒径20〜120nmのシリカ粒子をシリカ粒子全量に対して40体積%以上、粒径20〜40nmのシリカ粒子をシリカ粒子全量に対して1〜40体積%、粒径60〜80nmのシリカ粒子をシリカ粒子全量に対して5〜90体積%、及び粒径100〜120nmのシリカ粒子をシリカ粒子全量に対して0〜40体積%含有する、請求項1から3のいずれかに記載のハードディスク基板用研磨液組成物。
- 前記アルミナ粒子と前記シリカ粒子の重量比(アルミナ粒子重量/シリカ粒子重量)が、60/40〜10/90の範囲である、請求項1から4のいずれかに記載のハードディスク基板用研磨液組成物。
- 異なる粒径分布を有する2種以上のシリカ粒子を混合して得られる、請求項1から5のいずれかに記載のハードディスク基板用研磨液組成物。
- アルミナ粒子が、さらに中間アルミナを含有する、請求項1から6のいずれかに記載のハードディスク基板用研磨液組成物。
- 請求項1から8のいずれかに記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含む、垂直磁気記録方式用ハードディスク基板の製造方法。
- 請求項1から8のいずれかに記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含む被研磨基板の研磨方法であって、前記被研磨基板が垂直磁気記録方式用ハードディスク基板の製造に用いる基板であり、前記研磨する工程が粗研磨工程である、研磨方法。
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Cited By (1)
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| JP5613422B2 (ja) * | 2010-02-12 | 2014-10-22 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
| JP2012000700A (ja) * | 2010-06-15 | 2012-01-05 | Yamaguchi Seiken Kogyo Kk | 研磨剤組成物および磁気ディスク基板の研磨方法 |
| JP5622481B2 (ja) | 2010-08-17 | 2014-11-12 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体用基板の製造方法 |
| JP5941612B2 (ja) | 2010-08-31 | 2016-06-29 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| JP5925454B2 (ja) | 2010-12-16 | 2016-05-25 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
| JP5979872B2 (ja) * | 2011-01-31 | 2016-08-31 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
| JP5979871B2 (ja) * | 2011-03-09 | 2016-08-31 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
| JP2013140646A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-18 | Kao Corp | 磁気ディスク基板の製造方法 |
| JP5909088B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2016-04-26 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
| JP6125815B2 (ja) * | 2012-07-05 | 2017-05-10 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
| JP6125814B2 (ja) * | 2012-07-05 | 2017-05-10 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
| JP6015259B2 (ja) * | 2012-09-06 | 2016-10-26 | 旭硝子株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および磁気ディスクの製造方法 |
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| MY186419A (en) | 2014-03-28 | 2021-07-22 | Yamaguchi Seiken Kogyo Co Ltd | Polishing composition and method for polishing magnetic disk substrate |
| JP2016015494A (ja) * | 2015-08-03 | 2016-01-28 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| MY184933A (en) | 2015-09-25 | 2021-04-30 | Yamaguchi Seiken Kogyo Co Ltd | Polishing composition and method for polishing magnetic disk substrate |
| JP6096969B1 (ja) * | 2016-04-26 | 2017-03-15 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨材、研磨用組成物、及び研磨方法 |
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| JP3997152B2 (ja) * | 2002-12-26 | 2007-10-24 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
| JP2004253058A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Kao Corp | 研磨液組成物 |
| JP4986099B2 (ja) * | 2003-06-09 | 2012-07-25 | 花王株式会社 | 基板の製造方法 |
| US20050139119A1 (en) * | 2003-12-24 | 2005-06-30 | Rader W. S. | Polishing composition |
| US7524347B2 (en) * | 2004-10-28 | 2009-04-28 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP composition comprising surfactant |
| JP2007070548A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Kao Corp | 研磨液組成物 |
| JP4753710B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2011-08-24 | 花王株式会社 | ハードディスク基板用研磨液組成物 |
-
2008
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014210322A (ja) * | 2013-04-19 | 2014-11-13 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 磁気ディスク基板用研磨組成物キット |
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