JP4985260B2 - 発光装置 - Google Patents

Description

本発明は、発光装置に関する。特に、本発明は、光取り出し効率を向上させることによって光電変換効率を向上した発光装置に関する。

従来の発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）として、例えば、活性層の発光部分を光取り出し側の電極の直下に位置させないようにしたＬＥＤがある。このＬＥＤは、ＧａＡｓ基板と、ＧａＡｓ基板の一面上に形成されたｎ型クラッド層とｐ型クラッド層とに挟まれた活性層とを含む半導体積層構造と、この半導体積層構造の一面上に形成された所定の外径を有する円形の上部電極と、ＧａＡｓ基板の他面上に形成された下部電極とを備え、ＧａＡｓ基板と半導体積層構造との界面に上部電極の外径より大きい内径と外径とを有する同心リング状の電流流入領域が形成され、当該電流流入領域の内外に電流狭窄層が形成されている（例えば、特許文献１参照。）。

このＬＥＤでは、上部電極から注入された電流は電流狭窄層によって上部電極の直下の活性層の部分を通過しないで同心リング状の電流流入領域を介して下部電極へ流れる。そのため、上部電極の直下の活性層の部分の発光は抑制され、主たる発光は、上部電極と同心リング状の電流流入領域とを結んだ活性層の部分で行われるため、光取り出し効率が改善される。

また、従来の他のＬＥＤとして、例えば、活性層の発光部分を光取り出し側の電極の直下に位置させないようにして活性層への局部的な電流集中を緩和すると共に、半導体基板における光吸収を抑制したＬＥＤがある。このＬＥＤは、半導体基板と半導体積層構造との界面であって上部電極の直下の領域に電流狭窄層を形成し、当該電流狭窄層の外側にマトリクス状に複数の界面電極を配置し、当該界面電極の間を上記電流狭窄層で絶縁し、また、上記界面電極及び電流狭窄層と半導体基板との間に反射層を形成した構成を有する（例えば、特許文献２参照。）。

このＬＥＤでは、上部電極から注入された電流は、マトリクス状に配置された複数の電極を介して下部電極へ流れるため、活性層の局部的な電流集中を緩和し、また、活性層から半導体基板側へ出射した光は反射層で上部電極側へ反射させられる。これにより、活性層が発した光が半導体基板で吸収されることを抑制できる。
特公平６−８２８６２号公報 米国特許第６７８４４６２号公報

しかし、特許文献１に記載のＬＥＤによると、活性層から出射された光はその一部が上部電極及びＧａＡｓ基板で吸収されるため、光取り出し効率の改善に限界がある。また、特許文献２に記載のＬＥＤによると、上述した上部電極による光の吸収に加え、上部電極と複数の界面電極との間の距離に差があり、活性層を介した両電極間の複数の電流経路の電気抵抗に差が生じる。そのため、活性層を介して流れる電流に差が生じることから、輝度、発熱（温度上昇）等に差が生じる。その結果、ＬＥＤの駆動電圧及び寿命が素子間でばらつくという不都合が生じる。

したがって、本発明の目的は、光取り出し効率を向上し、活性層の発光領域の輝度及び発熱（温度上昇）を均一化し、素子間の駆動電圧及び寿命のばらつきを抑制した発光装置を提供することにある。

本発明は、上記目的を達成するため、発光層を含む半導体積層構造と、半導体積層構造の一の表面に形成される上部電極と、中心を上部電極の中心に対応させ、上部電極の直下を除く半導体積層構造の他の表面上の領域に上部電極の外周形状と相似形状の部分を少なくとも一部に有して形成される界面電極と、界面電極が形成されている領域を除く半導体積層構造の他の表面上の領域に形成され、発光層が発する光を透過する電流阻止層と、界面電極と電気的に接続し、発光層が発する光のうち、電流阻止層を透過した光を半導体積層構造の一の表面側に反射する反射層と、反射層の半導体積層構造の反対側において、半導体積層構造と電気的に接続する導電性の支持基板と、支持基板の半導体積層構造の反対側において、支持基板と電気的に接続されるように形成される外部電極とを備え、界面電極は、環状に形成され、電流阻止層は、界面電極によって囲まれた部分及び囲まれていない部分に形成される発光装置が提供される。

また、上記発光装置は、上記外部電極は、支持基板の全面にわたって形成され、上部電極は、円形状かつ外部電極と非相似形状に形成されてもよい。そして、環状に形成される界面電極はリング形状を有し、リング形状の界面電極の中心と、上部電極の中心とが一致するように形成されてもよい。また、上部電極は、円形状又は多角形状のパッド電極部と、上部においてパッド電極部と電気的に接続し、下部において半導体積層構造の一の表面と電気的に接合し、発光層に電力を供給するコンタクト電極部とを有し、パッド電極部は、コンタクト電極部と接する領域を除く領域において半導体積層構造と接触してもよい。

また、上記発光装置は、上部電極は、円形状又は多角形状のパッド電極部と、上部においてパッド電極部と電気的に接続し、下部において半導体積層構造の一の表面と電気的に接合し、発光層に電力を供給するコンタクト電極部と、パッド電極部がコンタクト電極部と接する領域を除く領域において、半導体積層構造の一の表面を覆い、発光層が発する光を透過する電流阻止部とを有してもよい。

また、上記発光装置は、コンタクト電極部は、リング形状を有し、界面電極は、リング形状のコンタクト部と同心状に形成されると共に、リング形状のコンタクト電極部より大きな径のリング形状を有していてもよい。

本発明の発光装置によれば、光取り出し効率を向上し、活性層の発光領域の輝度及び発熱（温度上昇）を均一化し、素子間の駆動電圧及び寿命のばらつきを抑制することができる。

［第１の実施の形態］
図１Ａは、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置の縦断面図を示す。また、図１Ｂの（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置の上面図を示しており、図１Ｂの（ｂ）は、図１ＡのＡ−Ａ線で発光装置を切断した場合の発光装置の上面図を示す。

（発光装置１の構成）
第１の実施の形態に係る発光装置１は、所定の波長の光を発する発光層としての活性層１３４を有する半導体積層構造１３０と、半導体積層構造１３０の一の表面の一部と電気的に接続するリング形状の上部電極の一部としての第１コンタクト電極１２０と、第１コンタクト電極１２０のリング内において半導体積層構造１３０の一の表面を覆う第１絶縁層１１０と、第１コンタクト電極１２０及び第１絶縁層１１０の上に設けられる上部電極の一部としてのワイヤボンディング用のパッド電極１００とを備える。

更に、発光装置１は、半導体積層構造１３０の一の表面の反対側の他の表面の一部と電気的に接続するリング形状の第２コンタクト電極１２５と、第２コンタクト電極１２５が設けられている領域を除く半導体積層構造１３０の他の表面を覆う第２絶縁層１４０と、第２コンタクト電極１２５及び第２絶縁層１４０の半導体積層構造１３０の他の面と接する面の反対側に設けられる反射層１５０とを備える。

更に、発光装置１は、反射層１５０の第２コンタクト電極１２５及び第２絶縁層１４０と接する面の反対側に設けられる合金化抑止層１６０と、合金化抑止層１６０の反射層１５０と接する面の反対側に設けられる貼合わせ層１７０とを備える。そして、発光装置１は、貼合わせ層１７０と電気的・機械的に接合する貼合わせ層２００と、貼合わせ層２００の貼合わせ層１７０と接合している面の反対側に設けられるコンタクト電極２１０と、コンタクト電極２１０の貼合わせ層２００と接する面の反対側に設けられる電気導電性の支持基板２０とを備える。

また、発光装置１は、支持基板２０のコンタクト電極２１０が設けられている面の反対側に設けられるコンタクト電極２１５と、コンタクト電極２１５の支持基板２０と接する面の反対側に設けられるダイボンディング用電極としての外部電極２２０とを備える。

図１Ｂ（ａ）に示すように、本実施形態に係る発光装置１は上面視にて略正方形に形成される。一例として、発光装置１の平面寸法は、縦寸法Ｌ及び横寸法Ｌがそれぞれ略２５０μｍである。また、発光装置１の厚さは、略２００μｍに形成される。

本実施形態に係る半導体積層構造１３０は、ＡｌＧａＩｎＰ系の化合物半導体のダブルへテロ構造を有する。具体的に、半導体積層構造１３０は、量子井戸構造を含むＡｌＧａＩｎＰ系の化合物半導体を含んで形成される活性層１３４を、第１導電型のｎ型ＡｌＧａＩｎＰを含んで形成される第１クラッド層１３２と、第１導電型とは異なる第２導電型のｐ型ＡｌＧａＩｎＰを含んで形成される第２クラッド層１３６とで挟んで構成される。

ここで、活性層１３４は、外部から電流が供給されると所定の波長の光を発する。一例として、活性層１３４は、波長が６３０ｎｍの赤色光を発するように形成される。また、第１クラッド層１３２は、Ｓｉ等のｎ型のドーパントを所定の濃度含む。更に、第２クラッド層１３６は、Ｚｎ、Ｃ等のｐ型のドーパントを所定の濃度含む。

上部電極の一部であるコンタクト電極部としての第１コンタクト電極１２０は、半導体積層構造１３０の上にリング状に形成される。具体的には、第１コンタクト電極１２０は、第１クラッド層１３２の上部の略中央をリングの中心として形成される。図１Ｂ（ａ）に示すように、一例として、第１コンタクト電極１２０は、外径φ１が１００μｍであり、幅ｄが２０μｍに形成される。第１コンタクト電極１２０は、第１クラッド層１３２とオーミック接合する導電性材料から形成され、例えば、ｎ型用電極材料としてのＡｕ、Ｇｅ、及びＮｉを含む金属材料から形成される。一例として、第１コンタクト電極１２０は、第１クラッド層１３２の側からＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕの順に積層されて形成される。

電流阻止部としての第１絶縁層１１０は、第１コンタクト電極１２０で形成されるリング内に形成される。すなわち、第１絶縁層１１０は、第１コンタクト電極１２０で形成されるリング内に露出している第１クラッド層１３２の表面を覆うように形成され、上面視における形状は直径が略６０μｍの略円形である。第１絶縁層１１０は、活性層１３４が発する波長の光に対して透明であり、電気絶縁性の材料から形成される。第１絶縁層１１０は、一例として、ＳｉＯ_２から形成される。

上部電極の一部であるパッド電極部としてのパッド電極１００は、半導体積層構造１３０の上方に略円形状に形成される。具体的には、図１Ｂの（ａ）に示すように、パッド電極１００は、第１コンタクト電極１２０及び第１絶縁層１１０の上に形成される。ここで、パッド電極１００と第１コンタクト電極１２０とは、パッド電極１００の外周において電気的に接続する。なお、パッド電極１００は、多角形に形成することもできる。

そして、パッド電極１００の中心は、第１クラッド層１３２の略中央に対応しており、パッド電極１００の直下の領域に、第１コンタクト電極１２０及び第１絶縁層１１０が形成されることとなる。一例として、パッド電極１００は、第１コンタクト電極１２０の外径φ１と同じ寸法の直径１００μｍに形成される。また、パッド電極１００は、Ａｕから主として形成される金属から構成される。

電流阻止層としての第２絶縁層１４０は、第２クラッド層１３６の活性層１３４が形成されている側の面の反対側の略全面に形成される。そして、第２絶縁層１４０の一部の領域には、第２絶縁層１４０を貫通する所定形状の溝が設けられる。第２絶縁層１４０に設けられる溝は、一例として、第１コンタクト電極１２０の形状と相似形状に形成される。すなわち、第２絶縁層１４０に設けられる溝は、略リング形状に形成される。また、第２絶縁層１４０は活性層１３４が発する光に対して透明であり、電気絶縁性の材料から形成される。例えば、第２絶縁層１４０は、ＳｉＯ_２から形成される。

ここで、第１コンタクト電極１２０により形成されるリングの上面視における中心と、第２絶縁層１４０に設けられる溝により形成されるリングの上面視における中心とが略一致するように、第２絶縁層１４０に当該溝が形成される。第２絶縁層１４０が有する溝は、一例として、外径１９０μｍ、内径１５０μｍ、及び幅２０μｍに形成される。すなわち、第２絶縁層１４０に設けられるリング形状の溝は、その内径が第１コンタクト電極１２０の外径よりも大きくなるように形成される。

界面電極としての第２コンタクト電極１２５は、第２絶縁層１４０に形成されたリング形状の溝内に所定の金属材料を充填して形成される。第２コンタクト電極１２５は、円形状のパッド電極１００の外周、又は第１コンタクト電極１２０の外周と相似形状の部分を有して形成される。すなわち、第２コンタクト電極１２５は、パッド電極１００の外周又は第１コンタクト電極１２０の外周と相似形状である円形部分を有して形成される。一例として、第２コンタクト電極１２５は、図１Ｂの（ｂ）に示すように、外径φ２が１９０μｍ、内径φ３が１５０μｍ、及び線幅が２０μｍの環状であるリング形状に形成される。

第２コンタクト電極１２５は、第２クラッド層１３６とオーミック接合する導電性材料から形成され、例えば、ｐ型用電極材料としてのＡｕ及びＢｅを含む金属材料から形成される。一例として、第２コンタクト電極１２５は、ＡｕＢｅ電極から形成される。なお、環状とは実質的な環状であって、必ずしも完全に閉じた形状でなくてもよい。また、環状の内周及び外周の形状は完全な円形でなくてもよく、多少歪んだ形状であってもよい。また、第２コンタクト電極１２５は、ＡｕＺｎ電極から形成することもできる。

反射層１５０は、活性層１３４が発した光に対して所定値以上の反射率を有する導電性材料から形成される。一例として、反射層１５０は、Ａｕから主として形成される金属層である。また、反射層１５０は、第２コンタクト電極１２５と電気的に接続する。合金化抑止層１６０は、反射層１５０と電気的に接続する導電性材料から形成される。一例として、合金化抑止層１６０は、Ｔｉから主として形成される金属層である。貼合わせ層１７０は、所定の膜厚を有した導電性材料から形成される。貼合わせ層１７０は、合金化抑止層１６０と電気的に接続する。一例として貼合わせ層１７０は、Ａｕから主として形成される金属層である。

また、貼合わせ層２００は、貼合わせ層１７０と同様の材料から形成され、貼合わせ層１７０と接合する。具体的には、貼合わせ層１７０と貼合わせ層２００とは電気的、機械的に接続する。コンタクト電極２１０は、支持基板２０と電気的に導通する導電性材料から形成される。一例として、コンタクト電極２１０はＴｉから主として形成され、貼合わせ層２００と電気的に接続する。

支持基板２０は、所定の熱伝導率を有すると共に、電気導電性の材料から形成される基板である。支持基板２０は、一例として、厚さが２００μｍのＳｉから形成される。なお、支持基板２０は電気導電性を有している限り、導電型はｎ型又はｐ型のいずれであってもよい。コンタクト電極２１５は、コンタクト電極２１０が接触している支持基板２０の面の反対側の面において、支持基板２０に電気的に接続して形成される。一例として、コンタクト電極２１５はＡｌから主として形成される。

ダイボンディング用電極としての外部電極２２０は、コンタクト電極２１５と電気的に接続して、コンタクト電極２１５の支持基板２０と接している面の反対側の面に形成される。外部電極２２０は、コンタクト電極２１５の全面に形成される。一例として、外部電極２２０は、Ａｕから主として形成される。

以上の構成を備える本実施形態の発光装置１は、赤色領域の波長の光を発するＬＥＤである。例えば、発光装置１は、順方向電圧が１．９５Ｖ、順方向電流が２０ｍＡの場合におけるピーク波長が６３０ｎｍの光を発する赤色ＬＥＤである。

図１Ｃは、図１Ｂの（ａ）に示すＢ−Ｂ線での発光装置の部分断面図を示す。

本実施形態に係る発光装置１において、第１コンタクト電極１２０と第２コンタクト電極１２５とはそれぞれリング形状に形成される。そして、第１コンタクト電極１２０と第２コンタクト電極１２５のそれぞれの上面視における中心は、略一致するように形成される。すなわち、上面視において第１コンタクト電極１２０と第２コンタクト電極１２５とは、同心円状に配置される。これにより、第１コンタクト電極１２０の内径及び外径よりも、第２コンタクト電極１２５の内径及び外径の方が大きく形成される。

したがって、発光装置１の縦断面において、第１コンタクト電極１２０から第２コンタクト電極１２５までの最短の距離は略一定となる。例えば、第１コンタクト電極１２０ａと第１コンタクト電極１２０ａからの距離が最短の第２コンタクト電極１２５ａとの距離４０ａは、第１コンタクト電極１２０ｂと第１コンタクト電極１２０ｂからの距離が最短の第２コンタクト電極１２５ｂとの距離４０ｂと略等しい。

（発光装置１の変形例）
なお、本実施形態に係る発光装置１は、ピーク波長が６３０ｎｍの赤色領域の光を発するが、発光装置１が発する光のピーク波長はこの波長に限定されない。半導体積層構造１３０の活性層１３４の構造を制御して、所定の波長範囲の光を発する発光装置１を形成することもできる。また、発光装置１が備える半導体積層構造１３０は、紫外領域、紫色領域、若しくは青色領域の光を発する活性層１３４を含むＩｎＡｌＧａＮ系の化合物半導体、又は赤外領域の光を発する活性層１３４を含むＡｌＧａＡｓ系の化合物半導体から形成することもできる。

また、発光装置１の平面寸法は上記の実施形態に限られない。例えば、発光装置１の平面寸法は、縦寸法及び横寸法がそれぞれ略３５０ｍｍとなるように設計することもでき、また、発光装置１の使用用途に応じて、縦寸法及び横寸法を適宜変更して発光装置１を形成することもできる。

また、活性層１３４の量子井戸構造は、単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造のいずれの構造からも形成することができる。また、第１クラッド層１３２のバンドギャップ及び第２クラッド層１３６のバンドギャップのいずれよりもバンドギャップが小さい化合物半導体から活性層１３４を形成して、ダブルへテロ（ＤＨ）構造を有する半導体積層構造１３０を形成することもできる。

また、半導体積層構造１３０は、第１クラッド層１３２の第１コンタクト電極１２０が形成される面側に、第１クラッド層１３２の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第１コンタクト層を更に有していてもよい。一例として、第１コンタクト層は、ｎ型のドーパントを第１クラッド層１３２の不純物濃度よりも高い濃度で含むＧａＡｓ層から形成できる。第１コンタクト層を設けることにより、第１コンタクト電極１２０と第１コンタクト層との間での接触抵抗が、第１コンタクト電極１２０と第１クラッド層１３２との間における接触抵抗よりも低下する。

同様にして、半導体積層構造１３０は、第２クラッド層１３６の第２コンタクト電極１２５が形成される面側に、第２クラッド層１３６の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第２コンタクト層を更に有していてもよい。例えば、第２コンタクト層は、ｐ型のドーパントを第２クラッド層１３６の不純物濃度よりも高い濃度で含むＧａＡｓ層から形成できる。第２コンタクト層を設けることにより、第２コンタクト電極１２５と第２コンタクト層との間での接触抵抗が、第２コンタクト電極１２５と第２クラッド層１３６との間における接触抵抗よりも低下する。

また、パッド電極１００の直下に位置する活性層１３４における発光を抑制することを目的として、第１クラッド層１３２の抵抗値が第２クラッド層１３６の抵抗値より低くなるように第１クラッド層１３２及び第２クラッド層１３６を形成することもできる。

また、活性層１３４が発した光を外部に効率よく取り出すことを目的として、第１クラッド層１３２の活性層１３４が接する面の反対側の面の表面、及び／又は第２クラッド層１３６と第２絶縁層１４０との界面に所定の寸法の凹凸部としての凹凸を設けてもよい。更に、活性層１３４において化合物半導体の積層構造の積層方向と垂直な方向に電流が拡がって供給されるように、第１クラッド層１３２の第１コンタクト電極１２０及び第１絶縁層１１０が設けられている領域を除く領域に、電流拡散部としてのＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電材料である透明導電膜の形成することもできる。

また、活性層１３４において化合物半導体の積層構造の積層方向と垂直な方向に電流が拡がって供給されるように、第１コンタクト電極１２０の形状を枝状に形成して、第１コンタクト電極１２０を電流拡散部として機能させてもよい。この場合には、第１コンタクト電極１２０の形状と相似形状であって、第１コンタクト電極１２０の形状よりも寸法が大きい形状の第２コンタクト電極１２５を、第２クラッド層１３６の活性層１３４の反対側の面に形成する。なお、第２コンタクト電極１２５の形状は、少なくとも第１コンタクト電極１２０の外周部分から第２コンタクト電極１２５の内周部分までの距離が略同一である限り、第１コンタクト電極１２０の形状の厳密な相似形でなくてもよい。

また、支持基板２０は、電気導電材料であるＣｕ、Ａｌ等の金属材料から形成される金属板、又はＣｕＷ等の合金材料から形成される合金板から形成することもできる。また、支持基板２０は、耐食性の向上、又はコンタクト電極２１０及びコンタクト電極２１５と支持基板２０との間の接触抵抗を低減することを目的として、複数の導電性材料が積層された多層構造を有する基板、又は、一例として２００μｍを超える厚膜の構造を有する基板から形成することもできる。

更に、第１コンタクト電極１２０と、第２コンタクト電極１２５と、コンタクト電極２１０と、コンタクト電極２１５とをそれぞれ構成する導電性材料は上記実施例に限られず、各電極と接触する材料との接触抵抗値等に応じて適宜変更できる。また、反射層１５０を形成する導電性材料は、活性層１３４が発する光の波長に対して所定値以上の反射率を有する材料を適宜選択できる。

（発光装置１の製造方法）
図２Ａから図２Ｅは、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置の製造工程の流れを示す。

まず、図２Ａ（ａ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１０の上に、例えば、有機金属化学気相成長法（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）によって複数の層を含むＡｌＧａＩｎＰのエピタキシャル層を形成する。

具体的には、ｎ−ＧａＡｓ基板１０の上に、ＩｎＧａＰから主として形成されるエッチングストップ層１３７と、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰを含む第１クラッド層１３２と、量子井戸構造を含む活性層１３４と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰを含む第２クラッド層１３６とをこの順に形成する。これにより、ｎ−ＧａＡｓ基板１０の上に複数のエピタキシャル成長層を含む半導体積層構造１３１が形成される。

なお、ｎ−ＧａＡｓ基板１０の上の半導体積層構造１３１は、分子線エピタキシー法（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）又はハライド気相エピタキシー法（Ｈａｌｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ：ＨＶＰＥ）等を用いて形成することもできる。

次に、第２クラッド層１３６の活性層１３４と接している面の反対側の面の全面に、化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ法）、真空蒸着法、又はスパッタ法を用いて、第２絶縁層１４０としてのＳｉＯ_２を形成する。そして、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いて、図２Ａ（ｂ）に示すように、第２絶縁層１４０に上面視における形状がリング状の開口１４１を形成する。これにより、開口１４１から第２クラッド層１３６の表面が露出する。

次に、第２絶縁層１４０の開口１４１を除く領域にフォトリソグラフィー法を用いてレジストを形成する。そして、真空蒸着法を用いて、レジストの上及び第２絶縁層１４０の開口１４１に、ＡｕＢｅを含む金属材料を蒸着する。続いて、リフトオフ法を用いて、開口１４１内に蒸着された金属材料だけ残存させる。これにより、図２Ａ（ｃ）に示すように、第２絶縁層１４０に形成された開口１４１にＡｕＢｅを含む金属材料が充填されて、第２コンタクト電極１２５が形成される。

続いて、図２Ｂ（ｄ）に示すように、第２コンタクト電極１２５及び第２絶縁層１４０の上に、真空蒸着法又はスパッタ法を用いて、Ａｕから主として形成される反射層１５０と、Ｔｉから主として形成される合金化抑止層１６０と、Ａｕから主として形成される貼合わせ層１７０とをこの順に連続して形成する。これにより、主として化合物半導体の積層構造から形成される第１積層構造体５が得られる。

なお、反射層１５０の第２絶縁層１４０に対する密着性を向上させることを目的として、第２絶縁層１４０と反射層１５０との間には、第２絶縁層１４０と反射層１５０との密着性を向上させる密着層を形成することもできる。密着層は、電気伝導性を有すると共に、活性層１３４が発する光を透過しやすい材料から形成するか、又は、第２絶縁層１４０と反射層１５０との密着性を向上させることができる最低限度の厚さで形成することが好ましい。

次に、支持基板２０であるＳｉ基板表面に、電気導電性を有するＴｉから主として形成されるコンタクト電極２１０と、Ａｕから主として形成される貼合わせ層２００とを真空蒸着法又はスパッタ法により形成する。これにより、主として支持基板２０から形成される第２積層構造体６が得られる。そして、図２Ｂ（ｅ）に示すように、第１積層構造体５の貼合わせ面１ａと、第２積層構造体６の貼合わせ面２０ａとを向かい合わせて重ね、この状態を所定の冶具で保持する。

続いて、第１積層構造体５と第２積層構造体６とが重なり合った状態を保持している冶具を、マイクロマシーン用等に用いられるウェハ貼合わせ装置内に導入する。そして、ウェハ貼合わせ装置内を所定圧力の真空状態にする。そして、冶具を介して互いに重なり合っている第１積層構造体５と第２積層構造体６とに所定の均一な圧力を加える。次に、冶具を所定温度まで所定の昇温速度で加熱する。

冶具の温度が３５０℃程度に達した後、冶具を当該温度で約１時間保持する。その後、冶具を徐冷する。冶具の温度を、例えば室温まで十分に低下させる。冶具の温度が低下した後、冶具に加わっている圧力を開放する。そして、ウェハ貼合わせ装置内の圧力を大気圧にして冶具を取り出す。

これにより、図２Ｃ（ｆ）に示すように、第１積層構造体５と第２積層構造体６とが貼合わせ層１７０と貼合わせ層２００との間において機械的・電気的に接合した貼合わせ基板７ａが形成される。

なお、本実施形態においては、第１積層構造体５は、合金化抑止層１６０を有している。したがって、第１積層構造体５と第２積層構造体６とを貼合わせ面１ａと貼合わせ面２０ａとで接合させた場合であっても、反射層１５０が貼り合わせ時の圧力等により変形することを防止する。また、合金化抑止層１６０は、貼り合わせ時の熱により貼合わせ層１７０及び貼合わせ層２００を形成する材料が反射層１５０に拡散することを防止して、反射層１５０の反射特性が劣化することを防止する。

次に、所定の研磨板に所定の貼り付け用ワックスで支持基板２０を貼りつける。そして、ｎ−ＧａＡｓ基板１０の厚さが約３０μｍになるまでｎ−ＧａＡｓ基板１０を研磨する。続いて、研磨後の貼合わせ基板７ａを研磨板から取り外して、支持基板２０の表面に付着しているワックスを洗浄除去する。

そして、図２Ｃ（ｇ）に示すように、研磨後の貼合わせ基板７ａを、ＧａＡｓエッチング用のエッチャントを用いてエッチングする。そして、貼合わせ基板７ａからｎ−ＧａＡｓ基板を選択的に完全に除去して貼合わせ基板７ｂを形成する。ＧａＡｓエッチング用のエッチャントとしては、例えば、アンモニア水と過酸化水素水とを所定の比率で混合した混合液からなるエッチャントが挙げられる。

次に、図２Ｄ（ｈ）に示すように、貼合わせ基板７ｂからＩｎＧａＰから主として形成されるエッチングストップ層１３７を所定のエッチャントを用いてエッチングにより除去する。これにより、エッチングストップ層１３７が除去された貼合わせ基板７ｃが形成される。所定のエッチャントとしては、塩酸を含むエッチャントを用いることができ、一例として、塩酸とリン酸とを所定の比率で混合した混合液からなるエッチャントが挙げられる。

次に、第１クラッド層１３２の上面の略全面に、ＣＶＤ法を用いてＳｉＯ_２を形成する。そして、図２Ｄ（ｉ）に示すように、第１クラッド層１３２の上面の略中央に、直径が略６０μｍの略円形状を有する第１絶縁層１１０を、フォトリソグラフィー法を用いて形成する。これにより、貼合わせ基板７ｄが形成される。

続いて、図２Ｅ（ｊ）に示すように、第１絶縁層１１０の周囲に幅が略２０μｍのリング形状を有する第１コンタクト電極１２０を、真空蒸着法及びフォトリソグラフィー法を用いて形成する。ここで、第１コンタクト電極１２０は、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕから主として形成される。

次に、第１絶縁層１１０及び第１コンタクト電極１２０の上部に、パッド電極１００を、真空蒸着法及びフォトリソグラフィー法を用いて形成する。なお、第１絶縁層１１０とパッド電極１００との間には、パッド電極１００が第１絶縁層１１０からの剥離を防止することを目的として、密着性材料を挿入することが好ましい。ここで、当該密着性材料は、活性層１３４が発した光を透過しやすい材料、又は、活性層１３４が発した光に対して所定の反射率を有する材料から形成することが好ましい。例えば、当該密着性材料は、Ｔｉから主として形成することができる。

続いて、第１クラッド層１３２の表面のうち、第１絶縁層１１０及び第１コンタクト電極１２０が形成されていない領域に、エッチング技術及び／又はフォトリソグラフィー法を用いて、微細な凹凸を形成する。このような微細の凹凸を形成することにより、活性層１３４が発した光が第１クラッド層１３２と空気との界面で全反射して、活性層１３４の側に戻ることを抑制することができる。

更に、支持基板２０の下方の面の全面に、Ａｌから主として形成されるコンタクト電極２１５と、ダイボンディング用の外部電極２２０とを真空蒸着法を用いて形成する。続いて、所定の温度、所定の雰囲気下において、第１絶縁層１１０と、第１コンタクト電極１２０と、パッド電極１００と、コンタクト電極２１５と、外部電極２２０とが形成された貼合わせ基板７ｅに合金化処理を施す。

次に、合金化処理済みの貼合わせ基板７ｅを、エッチング処理、又はハーフダイスを用いたメサ分離プロセスにより、複数の素子構造に分離する。そして、メサ分離プロセス後の合金化処理済みの貼合わせ基板７ｅにダイシング処理を施すことにより、複数の発光装置１を形成する。これにより、図２Ｅ（ｋ）に示すような発光装置１が形成される。

形成された発光装置１は、所定のステムにＡｇペースト等を用いて実装する。そして、発光装置１を実装したステムを、所定の樹脂でモールドすることにより、発光装置１は樹脂で封止される。樹脂封止した発光装置１を評価すると、順方向電圧が１．９５Ｖ、順方向電流が２０ｍＡの場合におけるピーク波長が６３０ｎｍであり、発光出力は２５ｍＷから２７ｍＷであった。すなわち、発光装置１の光電変換効率は約６４％以上であった。

なお、発光装置１をステムに実装する場合、放熱性の観点からはＡｕＳｎ等の共晶合金を用いて実装することが好ましい。

なお、サファイア基板上に形成されるＩｎＡｌＧａＮ系の化合物半導体材料から形成される化合物半導体積層構造から発光装置１を形成する場合においても、上記工程と同様の工程を経ることにより、発光装置の上下方向に電流を流すことができる発光装置を形成することができる。

図３は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置の発光の模式的な様子を示す。

発光装置１の活性層１３４は、電流が供給されると所定の波長の光を発する。例えば、活性層１３４中の所定の点において光が発生した場合を例示する。活性層１３４中の発光点１３４ａにおいて発した光の一部は、光路３０ａ及び光路３０ｃに示すように、第２クラッド層１３６と第２絶縁層１４０とを伝播して、反射層１５０と第２絶縁層１４０との界面１５０ａにおいて反射され発光装置１の外部に放射される。

また、活性層１３４中の発光点１３４ａにおいて発した光の一部は、光路３０ｂに示すように、第１クラッド層１３２を伝播してそのまま外部に放射される。更に、活性層１３４中の発光点１３４ａにおいて発した光の一部は、光路３０ｄに示すように、第１クラッド層１３２と第１絶縁層１１０を伝播して、まずパッド電極１００と第１絶縁層１１０との界面１１０ａにおいて反射層１５０の側に反射される。そして、パッド電極１００において反射された光が、界面１５０ａにおいて発光装置１の外部に向かって反射され、発光装置１の外部に放射される。

また、本実施形態に係る発光装置１に１００ｍＡまでの電流を供給して電流・光出力特性を測定した。その結果、発光装置１は、電流が少なくとも１００ｍＡまでは、電流に対する光出力の直線性が良好であった。これは、以下の２つの理由による。まず１つ目の理由は、発光装置１が備える支持基板２０が、熱伝導率が約０．５Ｗ／ｃｍ・ＫであるＧａＡｓに比べて熱伝導率が約１．５Ｗ／ｃｍ・ＫであるＳｉから形成されているので、発光装置１において発生する熱が外部に放出されやすいからである。

また、２つ目の理由は、本実施形態に係る発光装置１においては、第１コンタクト電極１２０と第２コンタクト電極１２５との距離が一定になるように形成しているので、第２コンタクト電極１２５が複数の離間したコンタクト電極である場合に比べて、光電変換効率が向上している。したがって、発光装置１において発生する熱は、従来のＬＥＤと比べて低減するからである。

（第１の実施の形態の効果）
本発明の第１の実施の形態に係る発光装置１は、第１コンタクト電極１２０と第２コンタクト電極１２５との間の距離を略一定とすることにより、第２コンタクト電極１２５に流れる電流の電流密度を第２コンタクト電極１２５のいずれの位置においても略同一とすることができる。これにより、発光装置１の駆動電圧を低減することができると共に、局所的に活性層１３４が発光することを抑制でき、安定した発光を得ることができる。

また、本実施形態に係る発光装置１は、第２コンタクト電極１２５に流れる電流の電流密度を第２コンタクト電極１２５のいずれの位置においても略同一とすることができるので、１枚の基板から分離した複数の発光装置１のそれぞれの順方向電圧のバラツキ及び複数の発光装置１のそれぞれの輝度のバラツキを低減することができる。

また、本実施形態に係る発光装置１は、第１コンタクト電極１２０と第２コンタクト電極１２５との間の距離を略一定とすることにより、第２コンタクト電極１２５に流れる電流の電流密度を第２コンタクト電極１２５のいずれの位置においても略同一とすることができる。これにより、発光装置１に大電流を供給した場合であっても、第２コンタクト電極１２５の一部に局所的に電流が集中することがなくなるので、活性層１３４に局所的に電流が集中することを抑制して、発光装置１の発熱を低減することができる。

また、本実施形態に係る発光装置１は、第１コンタクト電極１２０の形状と第２コンタクト電極１２５の形状とはいずれもリング形状であり、微細な形状を有する複数の第２コンタクト電極を形成することを要さないので、発光装置１の製造工程は従来の発光装置の製造工程よりも容易となり、発光装置１の製造の歩留まりも向上する。

また、本実施形態に係る発光装置１は、パッド電極１００の外周部分を除き、パッド電極１００の直下には第２コンタクト電極１２５が形成されていないので、パッド電極１００の直下における活性層１３４の発光を抑制できる。これにより、発光装置１の光取り出し効率が向上する。

また、本実施形態に係る発光装置１は、反射層１５０を備えると共に、リング形状の第１コンタクト電極１２０の内側部分において活性層１３４が発する光を透過する第１絶縁層１１０を介してパッド電極１００を備える。したがって、活性層１３４が発した光は、パッド電極１００と第１絶縁層１１０との界面において反射層１５０側に反射され、反射層１５０において発光装置１の外部に向けて反射される。これにより、発光装置１の光取り出し効率が大幅に向上する。

更に、本実施形態に係る発光装置１は、光電変換効率が高く、発光に要する電力が少なくてすむので、携帯電話等の携帯通信端末のようにバッテリーの消耗を抑制することが望まれる機器に発光部品を用いる場合に、本実施形態に係る発光装置１を用いることが有効である。

また、本実施形態に係る発光装置１は、光電変換効率が高いことにより発光に要する電力が少ないので、電流の注入により発生する熱も低減できる。これにより、発光装置１は、大電流を供給した場合でも発熱による光量低下等の不具合を低減でき、発光装置１の寿命を長くすることができる。また、発光装置１において発生する熱が低減するので、発熱により変化する光出力特性等の特性変化の係数を小さくできる。よって、発光装置１は、一例として、大電流を供給して発光させるランプ用途に用いることが効果的である。

［第２の実施の形態］
図４は、本発明の第２の実施の形態に係る発光装置の縦断面図を示す。

第２の実施の形態に係る発光装置２は、第１の実施の形態に係る発光装置１とは、パッド電極１０１の形状及び第１絶縁層１１０がない点を除き略同一の構成を有するので、相違点を除き、詳細な説明は省略する。

発光装置２は、第１クラッド層１３２の上にリング形状の第１コンタクト電極１２０を備える。そして、第１コンタクト電極１２０のリング内及び第１コンタクト電極１２０の上にパッド電極１０１が形成される。パッド電極１０１は、一例として、Ａｕから主として形成される。そして、パッド電極１０１は、第１コンタクト電極１２０と電気的に接続する。

パッド電極１０１は、第１クラッド層１３２と界面１０１ａにおいて接しているが、パッド電極１０１と第１クラッド層１３２とが電気的に接続することは要さない。すなわち、パッド電極１０１と第１クラッド層１３２とは、少なくともオーミック接触することを要さない。また、パッド電極１０１は、活性層１３４が発する光に対して所定の反射率を有する導電性材料から形成することが好ましい。

［第１の変形例］
図５は、本発明の第１の変形例に係る発光装置の縦断面図を示す。

第１の変形例に係る発光装置３は、第１の実施の形態に係る発光装置１とは、反射防止膜１８０を更に備える点を除き略同一の構成を有するので、相違点を除き、詳細な説明は省略する。

反射防止膜１８０は、活性層１３４が発する光に対して透明な材料から形成される。反射防止膜１８０を備えない発光装置１の場合、活性層１３４が発した光の一部は、第１クラッド層１３２と発光装置１の外部の空気との界面において活性層１３４の側に反射される。しかしながら、第１クラッド層１３２の表面に反射防止膜１８０を形成することにより、活性層１３４が発した光が第１クラッド層１３２の表面において活性層１３４の側に反射されることを防止できる。

［第２の変形例］
図６は、本発明の第２の変形例に係る発光装置の縦断面図を示す。

第２の変形例に係る発光装置４は、第１の実施の形態に係る発光装置１とは、第１電流拡散層１３８及び第２電流拡散層１３９を更に備える点を除き略同一の構成を有するので、相違点を除き、詳細な説明は省略する。

発光装置４が備える半導体積層構造１３０ａは、第１の実施の形態に係る半導体積層構造１３０を第１電流拡散層１３８と第２電流拡散層１３９とで挟み込んだ構成を有する。すなわち、半導体積層構造１３０ａは、第１コンタクト電極１２０が設けられる側に、第１クラッド層１３２の抵抗率よりも抵抗率が小さい第１導電型の第１電流拡散層１３８を有する。一例として、第１電流拡散層１３８は、ｎ型のＡｌＧａＡｓから形成できる。

また、半導体積層構造１３０ａは、第２クラッド層１３６の第２コンタクト電極１２５が設けられる側に、第２クラッド層１３６の抵抗率よりも抵抗率が小さい第２導電型の第２電流拡散層１３９を有する。例えば、第２電流拡散層１３９は、ｐ型のＡｌＧａＡｓから形成できる。なお、各半導体層の抵抗率は、ドーピングするドーパント濃度によって調整する。

これにより、第２コンタクト電極１２５から半導体積層構造１３０に供給された電流が、第１電流拡散層１３８及び第２電流拡散層１３９がない場合よりも活性層１３４に拡がって供給されるので、発光効率が向上すると共に発光装置４の駆動電圧が低くなる。

なお、半導体積層構造１３０ａは、第１電流拡散層１３８と第２電流拡散層１３９のいずれか一方のみを有して形成されてもよい。

［第３の変形例］
図７（ａ）は、第３の変形例に係る発光装置の上面図を示し、（ｂ）は、第３の変形例に係る発光装置の断面の上面図を示す。

第３の変形例に係る発光装置は、第１の実施の形態に係る発光装置１とは、上部電極としてのパッド電極及び第１コンタクト電極の形状、並びに第２コンタクト電極の形状が異なる点を除き略同一の構成を有するので、相違点を除き、詳細な説明は省略する。

第３の変形例に係る発光装置が備えるパッド電極１００ａは、所定の直径φ４を有する円形部分と所定の線幅を有する複数の枝状部分とを有する。複数の枝状部分はそれぞれ、円形部分から第１クラッド層１３２の頂角の方向に伸びるように形成される。具体的には、図７の（ａ）に示すように、パッド電極１００ａは、第１コンタクト電極１２１及び第１絶縁層１１１の上に形成される。ここで、パッド電極１００ａと第１コンタクト電極１２１とは、パッド電極１００ａの外周において電気的に接続する。

そして、パッド電極１００ａの中心は、第１クラッド層１３２の略中央に対応するように形成されると共に、パッド電極１００ａの直下の領域に、第１コンタクト電極１２１及び第１絶縁層１１１が形成される。なお、一例として、パッド電極１００ａの円形部分の直径φ４は１００μｍに形成され、第１コンタクト電極１２１の円形部分の外周の径も１００μｍに形成される。また、パッド電極１００ａの枝状部分の幅は、一例として約２０μｍ幅に形成される。

第３の変形例に係る第２絶縁層１４０ａに設けられる溝は、パッド電極１００ａの外周又は第１コンタクト電極１２１の外周と相似形状を有するように形成される。具体的には、第１コンタクト電極１２１と相似形状であって、第１コンタクト電極１２１の大きさよりも大きい形状の溝が第２絶縁層１４０ａに形成される。そして、第２コンタクト電極１２６は、第２絶縁層１４０ａに形成された溝内に所定の金属材料を充填して形成される。第２コンタクト電極１２６の円形部分のうち、内径φ５は、パッド電極１００ａの円形部分の径φ４よりも大きくなるように形成される。

［第４の変形例］
図８（ａ）は、第４の変形例に係る発光装置の上面図を示し、（ｂ）は、第４の変形例に係る発光装置の断面の上面図を示す。

第４の変形例に係る発光装置は、第１の実施の形態に係る発光装置１とは、上部電極としてのパッド電極及び第１コンタクト電極の形状、並びに第２コンタクト電極の形状が異なる点を除き略同一の構成を有するので、相違点を除き、詳細な説明は省略する。

第４の変形例に係る発光装置が備えるパッド電極１００ｂは、一辺の長さが所定の長さＬ１を有する部分と所定の曲率の円弧部分１００ｃとを有する。具体的には、図８の（ａ）に示すように、パッド電極１００ｂは、第１コンタクト電極１２２及び第１絶縁層１１２の上に形成される。すなわち、パッド電極１００ｂは、略正方形状に形成されると共に、各頂角が所定の円弧状に形成される。ここで、パッド電極１００ｂと第１コンタクト電極１２２とは、パッド電極１００ｂの外周において電気的に接続する。そして、パッド電極１００ｂの中心は、第１クラッド層１３２の略中央に対応するように形成されると共に、パッド電極１００ｂの直下の領域に、第１コンタクト電極１２２及び第１絶縁層１１２が形成される。

第４の変形例に係る第２絶縁層１４０ｂに設けられる溝は、パッド電極１００ｂの外周又は第１コンタクト電極１２２の外周と相似形状を有するように形成される。具体的には、第１コンタクト電極１２２と相似形状であって、第１コンタクト電極１２２の大きさよりも大きい形状の溝が第２絶縁層１４０ｂに形成される。そして、第２コンタクト電極１２７は、第２絶縁層１４０ｂに形成された溝内に所定の金属材料を充填して形成される。第２コンタクト電極１２７の内側の辺の長さＬ２は、パッド電極１００ｂの辺の長さＬ１よりも大きくなるように形成される。

［第５の変形例］
図９（ａ）は、第５の変形例に係る発光装置の上面図を示し、（ｂ）は、第５の変形例に係る発光装置の断面の上面図を示す。

第５の変形例に係る発光装置は、第１の実施の形態に係る発光装置１とは、上部電極としてのパッド電極及び第１コンタクト電極の形状、並びに第２コンタクト電極の形状が異なる点を除き略同一の構成を有するので、相違点を除き、詳細な説明は省略する。

第５の変形例に係る発光装置が備えるパッド電極１００ｄは、所定の直径φ６を有する円形部分と所定の線幅を有する複数の枝状部分とを有する。複数の枝状部分はそれぞれ、円形部分から第１クラッド層１３２の頂角の方向及び第１クラッド層１３２の各辺の方向に向かって形成される。具体的には、図９の（ａ）に示すように、パッド電極１００ｄは、第１コンタクト電極１２３及び第１絶縁層１１３の上に形成される。ここで、パッド電極１００ｄと第１コンタクト電極１２３とは、パッド電極１００ｄの外周において電気的に接続する。

そして、パッド電極１００ｄの中心は、第１クラッド層１３２の略中央に対応するように形成されると共に、パッド電極１００ｄの直下の領域に、第１コンタクト電極１２３及び第１絶縁層１１３が形成される。なお、一例として、パッド電極１００ｄの円形部分の直径φ６は１００μｍに形成され、第１コンタクト電極１２３の円形部分の外周の径も１００μｍに形成される。また、パッド電極１００ｄの枝状部分の幅は、一例として約２０μｍ幅に形成される。

第５の変形例に係る第２絶縁層１４０ｃに設けられる溝は、パッド電極１００ｄの外周又は第１コンタクト電極１２３の外周と相似形状を有するように形成される。具体的には、パッド電極１００ｄの外周又は第１コンタクト電極１２３の外周と相似形状であって、第１コンタクト電極１２３の外周の大きさよりも大きい形状の所定の領域が第２絶縁層１４０ｃから除去される。そして、第２コンタクト電極１２８は、第２絶縁層１４０ｃが除去された領域に所定の金属材料が蒸着されて形成される。

すなわち、第５の変形例においては、第２コンタクト電極１２８と第２絶縁層１４０ｃとの接触部分の形状が第１コンタクト電極１２３の外周又はパッド電極１００ｄの外周と相似形状となるように形成される。また、第２コンタクト電極１２８の内周の円形部分の径φ７は、パッド電極１００ｄの円形部分の径φ６よりも大きくなるように形成される。

［第６の変形例］
図１０Ａ（ａ）は、第６の変形例に係る発光装置の上面図を示し、図１０Ａ（ｂ）は、第６の変形例に係る発光装置の断面の上面図を示す。また、図１０Ｂは、第６の変形例に係る発光装置の上面視におけるパッド電極と第２コンタクト電極との位置関係を示す。

第６の変形例に係る発光装置は、第１の実施の形態に係る発光装置１とは、上部電極としてのパッド電極の形状、及び第２コンタクト電極の形状が異なる点を除き略同一の構成を有するので、相違点を除き、詳細な説明は省略する。

第６の変形例に係る発光装置が備える上部電極としてのパッド電極１００ｅは、所定の直径を有する円形部分と所定の線幅を有する複数の枝部（例えば、枝部１０２ａ、枝部１０２ｂ、枝部１０２ｃ等）とを有する。複数の枝部はそれぞれ、図１０Ａの（ａ）に示すように、円形部分から第１クラッド層１３２の頂角の方向及び第１クラッド層１３２の各辺の方向に向かって形成される。そして、パッド電極１００ｅの中心は、第１クラッド層１３２の略中央に対応するように形成される。一例として、パッド電極１００ｅの円形部分の直径は約１００μｍに形成され、複数の枝部はそれぞれ、一例として、約０．５μｍの幅で形成される。なお、円形部分の直系及び枝部の幅は上記の例に限られない。例えば、枝部の幅は、０．５μｍ以上２０μｍ以下、好ましくは、０．５μｍ以上５μｍ以下に形成される。

第６の変形例に係る第２絶縁層１４０ｄに設けられる溝は、パッド電極１００ｅの外周の少なくとも一部分と相似形状の部分を有して、線状に形成される。そして、第２絶縁層１４０ｄに設けられる線状の溝は、図１０Ａの（ｂ）に示すように、上面視にて、パッド電極１００ｅと重ならない位置にそれぞれ形成される。例えば、第６の変形例に係る発光装置を上面から観察した場合に、枝部１０２ａと枝部１０２ｂとの間に第２コンタクト電極１２９ａと第２コンタクト電極１２９ｂとが配置されるように第２絶縁層１４０ｄに複数の溝が形成される。

第２絶縁層１４０ｄに設けられる溝は、所望の幅を有する第２コンタクト電極を形成することができる幅を有して形成される。第２絶縁層１４０ｄに設けられる溝は、一例として、０．５μｍの幅で形成される。そして、第２コンタクト電極１２９（例えば、第２コンタクト電極１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄ、１２９ｅ等）は、第２絶縁層１４０ｄが除去されて形成された複数の溝の領域のそれぞれに所定の金属材料が蒸着されて形成される。第２コンタクト電極１２９の線幅を狭くして、第１クラッド層１３２の上面視における面積に対する複数の第２コンタクト電極１２９の合計の面積の比を低減させることにより、活性層１３４が発した光が第２コンタクト電極１２９において吸収される量を減少させることができる。

具体的に、図１０Ｂに、パッド電極１００ｅと第２コンタクト電極との位置関係を示す。例えば、発光装置を上面から観察した場合に、枝部１０２ａと枝部１０２ｂとの間に線状の第２コンタクト電極１２９ａと線状の第２コンタクト電極１２９ｂとが配置される。すなわち、上面視にて第２コンタクト電極１２９ａは、枝部１０２ａと略平行に形成される。同様に、上面視にて第２コンタクト電極１２９ｂは、枝部１０２ｂと略平行に形成される。

この場合に、第２コンタクト電極１２９ａの外周であって、上面視にて枝部１０２ａの外周に近い側の外周の一部分が、枝部１０２ａの外周の一部分と相似である形状を有する相似部分３１０ａとなる。同様に、第２コンタクト電極１２９ｂの外周であって、上面視にて枝部１０２ｂの外周に近い側の外周の一部分が、枝部１０２ｂの外周の一部分と相似である形状を有する相似部分３１０ｂとなる。そして、第２コンタクト電極１２９ａと第２コンタクト電極１２９ｂとの接続部分の外周のうち、パッド電極１００ｅに近い側の外周が、パッド電極１００ｅの外周の一部分と相似である形状を有する相似部分３１０ｃとなる。

また、第６の変形例に係る発光装置においては、第２コンタクト電極と枝部との間の上面視における間隔は、それぞれ略一定の間隔（離間距離３００）で形成される。例えば、第２コンタクト電極１２９ａと枝部１０２ａとの間の上面視における間隔と、第２コンタクト電極１２９ｅと枝部１０２ａとの間の上面視における間隔とは、それぞれが略等しい。同様に、第２コンタクト電極１２９ｂと枝部１０２ｂとの間の上面視における間隔と、第２コンタクト電極１２９ｃと枝部１０２ｂとの間の上面視における間隔とは、それぞれが略等しい。その他の第２コンタクト電極と枝部との関係も同様なので、詳細な説明は省略する。

［第７の変形例］
図１１Ａ（ａ）は、第７の変形例に係る発光装置の上面図を示し、図１１Ａ（ｂ）は、第７の変形例に係る発光装置の断面の上面図を示す。また、図１１Ｂは、第７の変形例に係る発光装置の上面視におけるパッド電極と第２コンタクト電極との位置関係を示す。

第７の変形例に係る発光装置は、第１の実施の形態に係る発光装置１とは、上部電極としてのパッド電極の形状、及び第２コンタクト電極の形状が異なる点を除き略同一の構成を有するので、相違点を除き、詳細な説明は省略する。また、第７の変形例に係る発光装置が備える上部電極としてのパッド電極１００ｅは、第６の変形例に係る発光装置が備えるパッド電極１００ｅと略同一の構成を有するので、詳細な説明は省略する。

第７の変形例に係る第２絶縁層１４０ｅに設けられる溝は、パッド電極１００ｅの外周の少なくとも一部分からの上面視における距離が略同一となる位置から所定方向に向かって、線状に形成される。そして、第２絶縁層１４０ｅに設けられる線状の溝は、図１１Ａの（ｂ）に示すように、上面視にて、パッド電極１００ｅと重ならない位置にそれぞれ形成される。

例えば、第７の変形例に係る発光装置を上面から観察した場合に、枝部１０２ａと枝部１０２ｂとの間に第２コンタクト電極１２９ｆが配置されるように第２絶縁層１４０ｅに溝が形成される。同様にして、上面視にて、枝部１０２ｂと枝部１０２ｃとの間に第２コンタクト電極１２９ｇが配置されるように第２絶縁層１４０ｅに溝が形成される。なお、第２絶縁層１４０ｅには、複数の枝部の間のそれぞれに第２コンタクト電極が配置されるように複数の溝がそれぞれ形成されるが、第２コンタクト電極１２９ｆと同様に配置されるので詳細な説明は省略する。

第２絶縁層１４０ｅに設けられる溝は、一例として、０．５μｍの幅で形成される。そして、第２コンタクト電極１２９（例えば、第２コンタクト電極１２９ｆ、１２９ｇ、１２９ｈ等）は、第２絶縁層１４０ｅが除去されて形成された複数の溝の領域のそれぞれに所定の金属材料が蒸着されて形成される。

具体的に、図１１Ｂに、パッド電極１００ｅと第２コンタクト電極との位置関係を示す。例えば、発光装置を上面から観察した場合に、枝部１０２ａと枝部１０２ｂとの間に線状の第２コンタクト電極１２９ｆが配置される。同様に、枝部１０２ｂと枝部１０２ｃとの間に線状の第２コンタクト電極１２９ｇが配置され、枝部１０２ｃと枝部１０２ｄとの間に線状の第２コンタクト電極１２９ｈが配置される。その他の第２コンタクト電極も同様に配置されるので詳細な説明は省略する。

この場合に、第２コンタクト電極を上面視にて挟む第１の枝部及び第２の枝部と当該第２コンタクト電極のパッド電極１００ｅ側の端部までの距離（離間距離３０１）と、第２コンタクト電極のパッド電極１００ｅ側の端部からパッド電極１００ｅの円形部分の外周までの距離（離間距離３０１）とが略等しくなるように、第２コンタクト電極はそれぞれ形成される。例えば、第２コンタクト電極１２９ｈの端部Ｘとパッド電極１００ｅの外周までの上面視における離間距離３０１と、端部Ｘから枝部１０２ｃまでの上面視における離間距離３０１と、端部Ｘから枝部１０２ｄまでの上面視における離間距離３０１とはそれぞれ略等しい。その他の第２コンタクト電極と枝部との位置関係も同様なので、詳細な説明は省略する。

以上、本発明の実施の形態及び変形例を説明したが、上記に記載した実施の形態及び変形例は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態及び変形例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。

第１の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。 （ａ）は、第１の実施の形態に係る発光装置の上面図であり、（ｂ）は、図１ＡのＡ−Ａ線での断面における上面図である。 図１Ｂ（ａ）に示すＢ−Ｂ線での発光装置１の部分断面図である。 第１の実施の形態に係る発光装置の製造工程の一部を示す図である。 第１の実施の形態に係る発光装置の製造工程の一部を示す図である。 第１の実施の形態に係る発光装置の製造工程の一部を示す図である。 第１の実施の形態に係る発光装置の製造工程の一部を示す図である。 第１の実施の形態に係る発光装置の製造工程の一部を示す図である。 第１の実施の形態に係る発光装置の発光の様子を示す模式図である。 第２の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。 第１の変形例に係る発光装置の縦断面図である。 第２の変形例に係る発光装置の縦断面図である。 （ａ）は、第３の変形例に係る発光装置の上面図であり、（ｂ）は、第３の変形例に係る発光装置の断面の上面図である。 （ａ）は、第４の変形例に係る発光装置の上面図であり、（ｂ）は、第３の変形例に係る発光装置の断面の上面図である。 （ａ）は、第５の変形例に係る発光装置の上面図であり、（ｂ）は、第３の変形例に係る発光装置の断面の上面図である。 （ａ）は、第６の変形例に係る発光装置の上面図であり、（ｂ）は、第６の変形例に係る発光装置の断面の上面図である。 第６の変形例に係る発光装置の上面視におけるパッド電極と第２コンタクト電極との位置関係を示す図である。 （ａ）は、第７の変形例に係る発光装置の上面図であり、（ｂ）は、第７の変形例に係る発光装置の断面の上面図である。 第７の変形例に係る発光装置の上面視におけるパッド電極と第２コンタクト電極との位置関係を示す図である。

符号の説明

１、２、３、４ 発光装置
５ 第１積層構造体
６ 第２積層構造体
７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅ 貼合わせ基板
１ａ、２０ａ 貼合わせ面
１０ ｎ−ＧａＡｓ基板
２０ 支持基板
３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄ 光路
４０ａ、４０ｂ 距離
１００、１００ａ、１００ｂ、１００ｄ、１００ｅ、１０１ パッド電極
１００ｃ 円弧部分
１０１ａ、１１０ａ、１５０ａ 界面
１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄ 枝部
１１０、１１１、１１２、１１３ 第１絶縁層
１２０、１２０ａ、１２０ｂ、１２１、１２２、１２３ 第１コンタクト電極
１２５、１２５ａ、１２５ｂ、１２６、１２７、１２８ 第２コンタクト電極
１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄ、１２９ｅ、 第２コンタクト電極
１２９ｆ、１２９ｇ、１２９ｈ 第２コンタクト電極
１３０、１３０ａ、１３１ 半導体積層構造
１３２ 第１クラッド層
１３４ 活性層
１３４ａ 発光点
１３６ 第２クラッド層
１３７ エッチングストップ層
１３８ 第１電流拡散層
１３９ 第２電流拡散層
１４０、１４０ａ、１４０ｂ、１４０ｃ、１４０ｄ、１４０ｅ 第２絶縁層
１４１ 開口
１５０ 反射層
１６０ 合金化抑止層
１７０、２００ 貼合わせ層
１８０ 反射防止膜
２１０、２１５ コンタクト電極
２２０ 外部電極
３００、３０１ 離間距離

Claims (6)

1. 発光層を含む半導体積層構造と、
   前記半導体積層構造の一の表面に形成される上部電極と、
   中心を前記上部電極の中心に対応させ、前記上部電極の直下を除く前記半導体積層構造の他の表面上の領域に前記上部電極の外周形状と相似形状の部分を少なくとも一部に有して形成される界面電極と、
   前記界面電極が形成されている領域を除く前記半導体積層構造の前記他の表面上の領域に形成され、前記発光層が発する光を透過する電流阻止層と、
   前記界面電極と電気的に接続し、前記発光層が発する光のうち、前記電流阻止層を透過した光を前記半導体積層構造の前記一の表面側に反射する反射層と、
   前記反射層の前記半導体積層構造の反対側において、前記半導体積層構造と電気的に接続する導電性の支持基板と、
   前記支持基板の前記半導体積層構造の反対側において、該支持基板と電気的に接続されるように形成される外部電極と
   を備え、
   前記界面電極は、環状に形成され、
   前記電流阻止層は、前記界面電極によって囲まれた部分及び囲まれていない部分に形成される発光装置。
2. 前記外部電極は、前記支持基板の全面にわたって形成され、
   前記上部電極は、円形状かつ前記外部電極と非相似形状に形成される
   請求項１に記載の発光装置。
3. 環状に形成される前記界面電極はリング形状を有し、前記リング形状の界面電極の中心と、前記上部電極の中心とが一致するように形成される請求項２に記載の発光装置。
4. 前記上部電極は、
   円形状又は多角形状のパッド電極部と、
   上部において前記パッド電極部と電気的に接続し、下部において前記半導体積層構造の前記一の表面と電気的に接合し、前記発光層に電力を供給するコンタクト電極部と
   を有し、
   前記パッド電極部は、前記コンタクト電極部と接する領域を除く領域において前記半導体積層構造と接触する請求項３に記載の発光装置。
5. 前記上部電極は、
   円形状又は多角形状のパッド電極部と、
   上部において前記パッド電極部と電気的に接続し、下部において前記半導体積層構造の前記一の表面と電気的に接合し、前記発光層に電力を供給するコンタクト電極部と、
   前記パッド電極部が前記コンタクト電極部と接する領域を除く領域において、前記半導体積層構造の前記一の表面を覆い、前記発光層が発する光を透過する電流阻止部と
   を有する請求項３に記載の発光装置。
6. 前記コンタクト電極部は、リング形状を有し、
   前記界面電極は、前記リング形状の前記コンタクト部と同心状に形成されると共に、前記リング形状の前記コンタクト電極部より大きな径のリング形状を有する
   請求項４または５に記載の発光装置。

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