JP4987422B2 - 表示装置、及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、表示装置、及びその製造方法に関するものである。

液晶表示装置は、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistors：以下、ＴＦＴと示す）がマトリクス状に形成された電極基板と、電極基板と対向して配置された対向基板とを有している。これら両基板を貼り合わせるシール材との間の空間に液晶を封入した構成を有する。対向基板は、例えばカラー表示を行うための色材が形成されたカラーフィルタ基板である。

液晶表示装置の製造方法においては、電極基板と対向基板との間に液晶を封入する方法として、これまで真空注入法が広く用いられてきた。まず、両基板に形成された配向膜にラビング処理を施し、スペーサを散布した後、シール材を塗布する。その後、真空注入法では、所定の位置に電極基板と対向基板とが一致するよう重ね合わせる（重ね合わせ工程）。そして、電極基板と対向基板との間のセルギャップが、所定の値となるように加圧しながらシール材を硬化させる（圧着工程）。その後、切断ラインに沿って目的のパネルサイズとなるよう、両基板を切断する（パネル切断工程）。次に、各パネルを真空チャンバーに入れ、真空中で液晶材料の入った液晶皿に液晶注入口を浸す。真空チャンバーを大気開放することにより常圧に戻すと、パネル内外の差圧により液晶がパネル内に注入される（液晶注入工程）。そして、パネル注入口に光硬化性型樹脂を塗布し、光を照射することによって樹脂を硬化させ、パネル注入口を塞ぐ（封止工程）。

このように、真空注入法は、あらかじめ二枚の基板を貼り合わせてから、シール材に残した小さな隙間から毛細管現象を利用して液晶を浸透させる方式である。セルギャップが５μｍ程度と狭いため、この方式では液晶材料をパネル内へ吸い上げるのに非常に時間がかかる。そのため、液晶注入工程では特に長い処理時間を要し、必然的にバッジ式となっている。また、製造工程数も多く、全体的に生産期間が長くなっている。

これに対し、最近では、真空注入法に代わる方法として滴下注入法（One Drop Fill：ＯＤＦ）が採用されている。滴下注入法は、重ね合わせ前の基板の一方に液晶材料を滴下して、基板の貼り合わせと同時に封入する方式である。すなわち、滴下注入法は、真空注入法の重ね合わせ工程と液晶注入工程を一つの工程に集約できる。このように、滴下注入法では工程数を削減できるうえ、その処理時間は数分と真空注入法に比べて大幅に短縮でき、枚葉処理化が可能となっている。

ところで、電極基板と対向基板のセルギャップを均一に保持するためのスペーサは、真空注入法では、球状の樹脂を基板に散布する方法と、あらかじめ基板に感光性樹脂を用いてパターニングする方法（柱状スペーサ）が一般的に用いられる。滴下注入法では、スペーサを基板に固着しておく必要がある。そのため、柱状スペーサ、またはスペーサ散布後熱処理を行って基板に固着できる固着スペーサを用いる。

また、シール材に関しては、真空注入法では、熱により反応する熱硬化型のものが一般的に使用されている。一方、滴下注入法では、液晶材料が封入されている状態でシール材を硬化させなければならないため、低温かつ短時間で処理する必要がある。そのため、光（紫外線（ＵＶ））硬化型のシール材が使われている。光（紫外線）硬化型のシール材には、光（紫外線）照射のみで硬化させるタイプと、光（紫外線）照射で仮硬化させた後熱によりさらに硬化させるタイプのものがある。

滴下注入法のように、光硬化型のシール材を用いる場合、シール材を硬化させるにはシール材に光が照射される必要がある。そのため、シール材が形成された領域に配線パターン等の遮光性膜が設けられていると、この遮光性膜によって光が遮断されてしまい、シール材の硬化が不完全となる。シール材の硬化不足により接着力が低下するだけでなく、未硬化部のシール材から不純物が液晶中に溶出し、表示不良が発生する。したがって、紫外線硬化型のシール材を用いる際、シール材が形成された領域には遮光性膜を設けることができない。すなわち、遮光性膜が形成された領域には、シール材を設けることができない。

図５（ａ）は、紫外線硬化型のシール材が用いられた従来の液晶表示装置５１の概略平面図である。図５（ｂ）は図５（ａ）のＥ−Ｅ断面図である。図５において、電極基板１０とおよび対向基板９の間は、シール材１により接合される。そして、電極基板１０と対向基板９との間のシール材１に囲われた空間に液晶２が封入されている。対向基板９の電極基板１０と対向する面には、遮光性膜よりなるブラックマトリクス（ＢＭ）３が表示領域１１を囲むよう枠状に形成されている。また、電極基板１０の対向基板９と対向する面には、遮光性を有する配線８が形成されている。

従来の液晶表示装置５１では、図５に示すように、シール材１をＢＭ３より外側に形成している（従来技術１）。これにより、シール材１が形成された領域において、電極基板１０側に遮光性を有する配線８等が部分的に形成されていても、対向基板９側には遮光性膜は形成されていない。したがって、対向基板９側より紫外線４照射を行い、シール材１を硬化させることができる。ただし、従来の液晶表示装置５１では、シール材１に紫外線４を照射するための透明部分をＢＭ３の外側に確保する必要がある。そのため、額縁領域１２が広くなり、液晶表示装置が大型化してしまう。

このような課題に対し、特許文献１のような技術が開示されている（従来技術２）。図６（ａ）は、特許文献１における液晶表示装置５２の概略平面図である。図６（ｂ）は図６（ａ）におけるＦ部分の拡大図、図６（ｃ）は図６（ｂ）のＧ−Ｇ断面図である。また、図６（ｄ）は、シール材１の表示領域１１側の端（内形端）に沿った断面図である。図６において、電極基板１０に設けられた配線８と対向する対向基板９のＢＭ３の領域に、紫外線透過用のスリットパターン７５を設けている。また、ＢＭ３のスリットパターン７５が形成されない領域と対向する電極基板１０には遮光膜は形成されない。なお、スリットパターン７５の寸法は、紫外線４の回り込み等を考慮し、配線８の太さより所定の量だけ小さくすることができる。

このように、対向基板９のＢＭ３と電極基板１０の配線８とを交互に配置し、対向基板９側および電極基板１０側から紫外線４照射を行う。これにより、ＢＭ３の形成された領域に設けられたシール材１全体を硬化させることができ、シール材１からの汚染による表示不良の発生を抑制する。したがって、シール材１に紫外線４を照射するための透明部分をＢＭ３の外側に確保する必要がない。すなわち、従来技術１のようにシール材１をＢＭ３より外側に形成する必要がないため、額縁領域１２を小さく（狭額縁化）することができ、液晶表示装置が小型化される。
特開２０００−５６３１６号公報

しかしながら、対向基板９のＢＭ３に形成されたスリットパターン７５に対向する電極基板１０に配線８が設けられていても完全に遮光されず、バックライト光の回り込みや斜め入射光によりスリットパターン７５から光が漏れてしまう。特許文献１の液晶表示装置５２では、スリットパターン７５の領域がＢＭ３と配線８とが重複する領域の略全領域を占めるため、表示領域１１外周のＢＭ３からの光漏れ量が多くなり、良好な表示特性を得ることが出来ないという問題があった。

本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、表示品質の優れた表示装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明にかかる表示装置は、
表示領域を囲むよう枠状に形成された遮光性膜を有する第１の基板と、
前記表示領域の外側に引き出された遮光性を有する配線を備え、前記第１の基板と対向配置された第２の基板と、
前記遮光性膜が形成された領域において枠状に設けられ、前記第１の基板と前記第２の基板とを接着する光硬化型のシール材と、
前記第１の基板と前記第２の基板と前記シール材とで形成される空間に設けられた表示材料と、
前記シール材の外形端よりも内側に配置され、前記シール材の内形端をまたぐように前記遮光性膜が除去された第１開口部と、を有し、
前記シール材の外形端の全周に前記遮光性膜が形成され、かつ、平面視で前記配線と重複する領域内にのみ前記第１開口部が形成されたものである。

本発明によれば、表示品質の優れた表示装置、及びその製造方法を提供することができる。

始めに、図１を用いて、本発明に係る表示装置について説明する。図１は、液晶表示装置に用いられる電極基板１０の構成を示す正面図である。本発明に係る表示装置は、液晶表示装置を例として説明するが、あくまでも例示的なものであり、有機ＥＬ表示装置等の平面型表示装置（フラットパネルディスプレイ）等を用いることも可能である。この液晶表示装置の全体構成については、以下に述べる第１〜第３の実施形態で共通である。

本発明に係る表示装置は、電極基板１０を有している。電極基板１０には、表示領域１１と表示領域を囲むように設けられた額縁領域１２とが設けられている。この表示領域１１には、複数の走査信号線１３と複数の表示信号線１４と形成されている。複数の走査信号線１３は平行に設けられている。同様に、複数の表示信号線１４は平行に設けられている。走査信号線１３と、表示信号線１４とは、互いに交差するように形成されている。走査信号線１３と表示信号線１４とは直交している。そして、隣接する走査信号線１３と表示信号線１４とで囲まれた領域が画素１７となる。従って、電極基板１０では、画素１７がマトリクス状に配列される。このように、電極基板１０はＴＦＴアレイ基板である。

さらに、電極基板１０の額縁領域１２には、走査信号駆動回路１５と表示信号駆動回路１６とが設けられている。走査信号線１３は、表示領域１１から額縁領域１２まで延設されている。そして、走査信号線１３は、電極基板１０の端部で、走査信号駆動回路１５に接続される。表示信号線１４も同様に表示領域１１から額縁領域１２まで延設されている。そして、表示信号線１４は、電極基板１０の端部で、表示信号駆動回路１６と接続される。走査信号駆動回路１５の近傍には、外部配線１８が接続されている。また、表示信号駆動回路１６の近傍には、外部配線１９が接続されている。外部配線１８、１９は、例えば、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などの配線基板である。

外部配線１８、１９を介して走査信号駆動回路１５、及び表示信号駆動回路１６に外部からの各種信号が供給される。走査信号駆動回路１５は外部からの制御信号に基づいて、走査信号を走査信号線１３に供給する。この走査信号によって、走査信号線１３が順次選択されていく。表示信号駆動回路１６は外部からの制御信号や、表示データに基づいて表示信号を表示信号線１４に供給する。これにより、表示データに応じた表示電圧を各画素１７に供給することができる。なお、走査信号駆動回路１５と表示信号駆動回路１６は、電極基板１０上に配置される構成に限られるものではない。例えば、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）により駆動回路を接続してもよい。

画素１７内には、少なくとも１つのＴＦＴ２０が形成されている。ＴＦＴ２０は表示信号線１４と走査信号線１３の交差点近傍に配置される。例えば、このＴＦＴ２０が画素電極に表示電圧を供給する。即ち、走査信号線１３からの走査信号によって、スイッチング素子であるＴＦＴ２０がオンする。これにより、表示信号線１４から、ＴＦＴ２０のドレイン電極に接続された画素電極に表示電圧が印加される。そして、画素電極と対向電極との間に、表示電圧に応じた電界が生じる。なお、電極基板１０の表面には、配向膜（図示せず）が形成されている。

更に、電極基板１０には、対向基板が対向して配置されている。対向基板は、例えば、カラーフィルタ基板であり、視認側に配置される。対向基板には、カラーフィルタ、ブラックマトリクス（ＢＭ）、対向電極、及び配向膜等が形成されている。なお、対向電極は、電極基板１０側に配置される場合もある。そして、電極基板１０と対向基板との間に液晶層が狭持される。即ち、電極基板１０と対向基板との間には液晶が注入されている。更に、電極基板１０と対向基板との外側の面には、偏光板、及び位相差板等が設けられる。また、液晶表示パネルの反視認側には、バックライトユニット等が配設される。

画素電極と対向電極との間の電界によって、液晶が駆動される。即ち、基板間の液晶の配向方向が変化する。これにより、液晶層を通過する光の偏光状態が変化する。即ち、偏光板を通過して直線偏光となった光は液晶層によって、偏光状態が変化する。具体的には、バックライトユニットからの光は、電極基板１０側の偏光板によって直線偏光になる。そして、この直線偏光が液晶層を通過することによって、偏光状態が変化する。

従って、偏光状態によって、対向基板側の偏光板を通過する光量が変化する。即ち、バックライトユニットから液晶表示パネルを透過する透過光のうち、視認側の偏光板を通過する光の光量が変化する。液晶の配向方向は、印加される表示電圧によって変化する。従って、表示電圧を制御することによって、視認側の偏光板を通過する光量を変化させることができる。即ち、画素ごとに表示電圧を変えることによって、所望の画像を表示することができる。

実施の形態１．
次に、図２を用いて、本実施の形態１に係る液晶表示装置３１の構成について説明をする。図２（ａ）は、本実施の形態１における液晶表示装置３１の概略平面図である。図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＡ部分の拡大図、図２（ｃ）は図２（ｂ）のＢ−Ｂ断面図である。また、図２（ｄ）は、シール材１の表示領域１１側の端（内形端）に沿った断面図である。図２（ａ）において、対向基板９の電極基板１０と対向する面には、遮光性膜からなるブラックマトリクス（ＢＭ）３が表示領域１１を囲むよう枠状に形成されている。本実施の形態では、従来技術２と同様、この額縁領域１２に形成されたＢＭ３の領域に光（紫外線）硬化性のシール材１を形成する。すなわち、額縁領域１２に形成されるＢＭ３とシール材１とが重複するように形成される。

図２（ｂ）では、電極基板１０の対向基板９と対向する面において、配線８が形成されている。配線８は、走査信号線１３を走査信号駆動回路１５に接続するための引き回し配線、または表示信号線１４を表示信号駆動回路１６に接続するための引き回し配線等である。配線８はＸ方向に沿って形成されている。ＢＭ３には、図２（ｂ）に示すように、配線８が設けられた領域に対応する位置において、シール材１の表示領域１１側にスリットパターン７１（第１開口部）が形成されている。スリットパターン７１は、図２（ｃ）のように、シール材１の表示領域１１側の端（内形端）をまたぐように配置される。すなわち、スリットパターン７１の一部がＢＭ３の内形端からはみ出して配置される。スリットパターン７１のシール材１に垂直となる方向（Ｘ方向）の寸法を、０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下とすることが好ましく、ここでは０．３ｍｍとしている。すなわち、配線８が設けられた領域に対応するＢＭ３の全領域ではなく、シール材１の表示領域１１側の部分のみにスリットパターン７１が形成される。シール材１の外形端にはスリットパターン７１が形成されない。シール材1の外形端全周にはＢＭ３が形成されており遮光される。したがって、従来技術２のスリットパターン７５よりも本実施の形態のスリットパターン７１の開口面積が小さい。これにより、額縁領域１２からの光漏れを低減することができる。シール材１とスリットパターン７１とのオーバーラップ量は０．１ｍｍ以上あることが好ましい。スリットパターン７１のシール材１に平行となる方向（Ｙ方向）の寸法は、例えば配線８の寸法幅に対し片側３μｍずつ小さくする。すなわち、Ｙ方向において、配線８とスリットパターン７１とを重複して配置する。スリットパターン７１は配線８の両端よりも内側に形成される。複数のスリットパターン７１は配線８毎に離間して形成される。すなわち、配線８の本数に応じた数のスリットパターン７１が形成される。

次に、本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置３１の製造方法について説明する。まず、電極基板１０と対向基板９を、例えば光透過性のガラスなどの矩形状の平板により形成する。電極基板１０上に、フォトリソグラフィ法により走査信号線１３、表示信号線１４、および画素電極等の複数の電極を形成する。また、対向基板９上にフォトリソグラフィ法により顔料あるいはクロム等の金属から成り光を遮光するＢＭ３、顔料あるいは染料からなる色材を形成する。本実施の形態では、スリットパターン７１を有するＢＭ３を形成する。さらに、対向基板９上には、基板間隔を保持するための突起状のスペーサを、感光性樹脂を用いてフォトリソグラフィ法により形成する。

このように作成した電極基板１０および対向基板９上に、配向膜を形成する。配向膜は、例えば高分子材料であるポリイミド（Polyimide）薄膜等の有機薄膜を厚さ約０．１μｍで形成する。そして、この配向膜に対して、液晶２との接触面に一方向にミクロな傷をつける配向処理（ラビング処理）を施す。その後、本実施の形態では滴下注入法を用いる。まず、対向基板９の配向膜を形成した面の周辺に、両基板を貼り合わせるためのシール材１をディスペンサ法により塗布する。このとき、シール材１の内形端がスリットパターン７１上に位置するよう、シール材１を塗布する。例えば、光（紫外線）と熱により硬化させるタイプの光（紫外線）硬化型シール材１を用いる。スペーサが混練されたシール材１を使用してもよい。なお、シール材１は電極基板１０の配向膜を形成した面の周辺に形成することも可能である。

次に、液晶２を必要量滴下し、真空チャンバー内に入れ、真空中で電極基板１０と対向基板９とが所定の位置に一致するよう重ね合わせる。その後、真空チャンバーを大気開放すると、枠状のシール材１に囲まれた領域は真空状態のままであるため、その圧力差、すなわち大気圧によって均一に加圧される（真空貼り合せ工程）。これにより、液晶が封入された均一なセルギャップが形成される。

そして、シール材１に紫外線４を照射して硬化させた後、加熱処理を行うことによって硬化を促進させる（シール材硬化工程（圧着工程））。図２（ｄ）に示すように、本実施の形態では、紫外線４は対向基板９および電極基板１０の両側から約１００００ｍＪ照射する。このとき、対向基板９側からは、スリットパターン７１を介してシール材１に紫外線４が照射される。電極基板１０側からは、配線８が形成されていない領域を介してシール材１に紫外線４が照射される。これにより、スリットパターン７１内のシール材１と、配線８が形成されていない領域のシール材１とが仮硬化する。すなわち、液晶２と接するシール材１の内形端が仮硬化する。そして、その後の加熱処理によりシール材１全体がさらに硬化する。このように、例えば５μｍのセルギャップを形成する。その後、切断ラインに沿って目的の大きさのパネルに切断する（パネル分断工程）。また、電極基板１０および対向基板９の外側に偏光板を貼着する。そして、この後所定の工程を経て、本実施の形態の液晶表示装置３１が完成する。

以上のように、本実施の形態では、額縁領域１２のＢＭ３が形成された領域にシール材１が形成されている。そして、シール材１の内形端で、かつ電極基板１０に設けられた配線８に対応する位置に、紫外線４が照射されるようＢＭ３が除去されたスリットパターン７１が形成されている。このような構成とすることで、額縁領域１２のＢＭ３に形成される開口部の面積が縮小され、額縁領域１２からの光漏れを少なくすることができる。したがって、表示特性が良好となり、表示品質の優れた液晶表示装置を得ることができる。また、従来技術２と同様、紫外線４照射により液晶２と接する表示領域１１側のシール材１が硬化し、シール材１からの汚染による表示不良の発生を抑制できる。さらに、シール材１はＢＭ３の外側に形成する必要がなく、額縁領域１２を小さくすることができ、液晶表示装置が小型化される。

実施の形態２．
図３を用いて、本実施の形態２に係る液晶表示装置３２の構成について説明をする。本実施の形態では、実施の形態１と異なるスリットパターンを備えたＢＭ３を有していて、それ以外の構成は実施の形態１と同様であるため説明を省略する。図３（ａ）は実施の形態２に係る液晶表示装置３２の額縁領域１２におけるＢＭ３の拡大図である。図３（ｂ）は図３（ａ）のＣ−Ｃ断面図であり、図３（ｃ）は、シール材１の内形端に沿った断面図である。実施の形態２における液晶表示装置３２は、図２（ａ）における実施の形態１の液晶表示装置３１と同様、シール材１は額縁領域１２に形成されたＢＭ３の領域内に形成されている。

図３において、図２と同じ構成部分については同一の符号を付し、説明を省略する。図３（ａ）では、ＢＭ３にはシール材１の表示領域１１側に実施の形態１とは異なる形状のスリットパターン７２が形成されている。本実施の形態では、実施の形態１の隣接するスリットパターン７１間のＢＭ３が除去されている。すなわち、スリットパターン７２は、表示領域１１を囲むように枠状に形成されており、シール材1の内形端の全周にわたって形成されている。そして、シール材１の内形端がスリットパターン７２の直下に位置する。スリットパターン７２のシール材１に垂直となる方向（Ｘ方向）の寸法を、０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下とすることが好ましく、ここでは０．３ｍｍとしている。シール材１とスリットパターン７２とのオーバーラップ量は０．１ｍｍ以上あることが好ましい。また、本実施の形態では、対向基板９および電極基板１０の外側の面において、スリットパターン７２の領域を覆うように偏光板が設けられている。

次に、本発明の実施の形態２に係る液晶表示装置３２の製造方法について説明する。実施の形態１と同じ製造方法を有する工程については、説明を省略する。ＢＭ３を対向基板９に形成する工程において、本実施の形態では、シール材１の内形端部分のＢＭ３がシール材１に沿って枠状に除去されたスリットパターン７２を形成する。そして、シール材１を形成する工程では、シール材１の内形端がスリットパターン７２の直下に位置するよう、シール材１を塗布する。また、シール材１に紫外線４を照射する工程では、図３（ｃ）に示すように、紫外線４を対向基板９側から約５０００ｍＪ照射する。このとき、スリットパターン７２内のシール材１、すなわちシール材１の内形端が仮硬化する。そして、その後の加熱処理によりシール材１全体がさらに硬化する。なお、偏光板はスリットパターン７２にオーバーラップするよう、対向基板９および電極基板１０の外側の面に貼着する。

このように、本実施の形態では、額縁領域１２のＢＭ３が形成された領域内にシール材１が形成されており、シール材１の内形端部分のＢＭ３がシール材１に沿って枠状に除去されたスリットパターン７２が形成されている。そして、対向基板９および電極基板１０には、スリットパターン７２にオーバーラップするように偏光板が設けられている。このような構成とすることで、額縁領域１２において、スリットパターン７２から均一に光漏れが発生し、その光漏れ量を偏光板により低減することができる。したがって、光漏れの視認が難しくなり、表示特性が向上し、表示品質の優れた液晶表示装置を得ることができる。また、このような構成により、紫外線４照射により液晶２と接する表示領域１１側のシール材１が硬化し、シール材１からの汚染による表示不良の発生を防止することができる。なお、シール材１への紫外線照射は対向基板９側からの一方向のみとすることができ、紫外線照射量を低減することができる。さらに、シール材１はＢＭ３より外側に形成する必要がなく、額縁領域１２を小さくすることができ、液晶表示装置が小型化される。

実施の形態３．
図４を用いて、本実施の形態３に係る液晶表示装置３３の構成について説明をする。本実施の形態では、実施の形態１、２と異なるスリットパターンを備えたＢＭ３を有している。図４（ａ）は実施の形態３に係る液晶表示装置３３の額縁領域１２におけるＢＭ３の拡大図である。図４（ｂ）は図４（ａ）のＤ−Ｄ断面図であり、図４（ｃ）は、シール材１の内形端に沿った断面図である。実施の形態３における液晶表示装置３３は、図２（ａ）における実施の形態１の液晶表示装置３１と同様、シール材１は額縁領域１２に形成されたＢＭ３の領域内に形成されている。

図４において、図２と同じ構成部分については同一の符号を付し、説明を省略する。図４（ａ）では、ＢＭ３にはシール材１の表示領域１１側にスリットパターン７１およびスリットパターン７４が形成されている。スリットパターン７１（第１開口部）は、実施の形態１と同じため、説明を省略する。

一方、スリットパターン７４（第２開口部）は、スリットパターン７１同士の間隔が０．１ｍｍより広い場合に形成される。すなわち、隣り合うスリットパターン７１または７４の間に形成されたＢＭ３の幅が０．１ｍｍ以下となるよう、スリットパターン７４を配置する。例えば、隣接する配線８間の距離が離れているような箇所ではスリットパターン７１の間隔が離れる。そして、配線と重複するスリットパターン７１の距離が０．１ｍｍより広くなる箇所にスリットパターン７４を配置する。これにより、シール材１に沿って配列された複数のスリットパターンの間隔が０．１ｍｍ以下となる。配線８が設けられていない端辺では、スリットパターン７４を０．１ｍｍ以下となる一定の間隔で形成してもよい。また、スリットパターン７４は、シール材１の内形端をまたぐように形成されている。スリットパターン７４に対応する電極基板１０上の領域にはもともと配線８等の遮光性膜は形成されていないため、バックライト光を遮光するためのダミー用の遮光パターン８１を新たに設ける。遮光パターン８１は例えば電極基板１０の配線８と同じレイヤーの導電層で形成することができる。具体的には、走査信号線１３または表示信号線１４と同一のレイヤーで形成することができる。スリットパターン７４の寸法は、スリットパターン７１と同じでもよいし、異なっても良い。スリットパターン７４のシール材１に垂直となる方向（Ｘ方向）の寸法は０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であることが好ましい。遮光パターン８１は、対向基板９と電極基板１０の重ね合わせズレ等を考慮し、スリットパターン７４より大きな寸法であることが好ましい。すなわち、遮光パターン８１はスリットパターン７４と重複するように配置される。よって、スリットパターン７４は遮光パターン８１によって覆われる。例えば、スリットパターン７４のシール材１に平行となる方向（Ｙ方向）は、遮光パターン８１に対し片側５μｍずつ小さく形成する。

次に、本発明の実施の形態３に係る液晶表示装置３３の製造方法について説明する。実施の形態１と同じ製造方法を有する工程については、説明を省略する。ＢＭ３を対向基板９に形成する工程において、本実施の形態では、シール材１の内形端、かつ電極基板１０の配線８が設けられた領域の対向基板９に対応する位置のＢＭ３にスリットパターン７１を、そして隣り合う開口部の間隔が０．１ｍｍ以下となるようスリットパターン７４をそれぞれ形成する。電極基板１０上に電極を形成する工程では、遮光パターン８１を形成する。そして、シール材１を形成する工程では、シール材１の内形端がスリットパターン７１および７４の直下に位置するよう、シール材１を塗布する。また、シール材１に紫外線４を照射する工程では、図４（ｃ）に示すように、紫外線４は対向基板９側から約１００００ｍＪ照射する。このとき、スリットパターン７１および７４内のシール材１が仮硬化する。また、紫外線４の回り込み等により、スリットパターン７１および７４の周辺０．０５ｍｍ内のシール材１も仮硬化する。すなわち、シール材１の内形端が仮硬化する。そして、その後の加熱処理によりシール材１全体がさらに硬化する。

このように、本実施の形態では、電極基板１０に設けられた配線８に対応する位置のＢＭ３にスリットパターン７１が形成されている。そして隣り合う開口部の間隔が０．１ｍｍ以下となるよう配線８間にスリットパターン７４が形成されている。そして、スリットパターン７４に対応する電極基板１０上には遮光パターン８１が形成されている。このような構成とすることで、額縁領域１２のＢＭ３に形成される開口部の面積が従来技術２より縮小され、額縁領域１２からの光漏れを少なくすることができる。したがって、表示特性が良好となり、表示品質の優れた液晶表示装置を得ることができる。また、紫外線４により液晶２と接する表示領域１１側のシール材１が硬化し、シール材１からの汚染による表示不良の発生を抑制できる。なお、シール材１への紫外線照射は対向基板９側からの一方向のみとすることができる。さらに、シール材１はＢＭ３より外側に形成する必要がなく、額縁領域１２を小さくすることができ、液晶表示装置が小型化される。

実施の形態１〜３では、ＴＦＴアレイ基板を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置について説明したが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、パッシブマトリクス型液晶表示装置であってもよい。例えば、電子ペーパーなどの、液晶以外の表示材料を用いた表示装置であってもよい。なお、本実施の形態では液晶の封入には滴下注入法を用いたが、これに限らず、他の方法を用いることも可能である。また、本実施の形態では、光と熱により硬化させるタイプのシール材１を用いて例示的に説明をしたが、シール材１を光照射のみ、または、光照射とその他の方法により硬化させてもよい。シール材１に照射する光を紫外線４として例示的に説明をしたが、これに限らず、紫外線４以外の波長の光によって硬化するシール材１を用いることも可能である。

以上の説明は、本発明の実施の形態を説明するものであり、本発明が以上の実施の形態に限定されるものではない。また、当業者であれば、以上の実施の形態の各要素を、本発明の範囲において、容易に変更、追加、変換することが可能である。

本発明に係る液晶表示装置の電極基板の構成を示す図である。 本発明の実施の形態１における液晶表示装置の構成を示す図である。 本発明の実施の形態２における液晶表示装置の構成を示す図である 本発明の実施の形態３における液晶表示装置の構成を示す図である。 従来技術１に係る液晶表示装置の構成を示す図である。 従来技術２に係る液晶表示装置の構成を示す図である。

符号の説明

１ シール材、２ 液晶、３ ＢＭ、４ 紫外線、
８ 配線、９ 対向基板、１０ 電極基板、
１１ 表示領域、１２ 額縁領域、１３ 走査信号線、
１４ 表示信号線、１５ 走査信号駆動回路、１６ 表示信号駆動回路、
１７ 画素、１８、１９ 外部配線、２０ ＴＦＴ、
７１、７２、７４、７５ スリットパターン、
８１ 遮光パターン

Claims (9)

1. 表示領域を囲むよう枠状に形成された遮光性膜を有する第１の基板と、
   前記表示領域の外側に引き出された遮光性を有する配線を備え、前記第１の基板と対向配置された第２の基板と、
   前記遮光性膜が形成された領域において枠状に設けられ、前記第１の基板と前記第２の基板とを接着する光硬化型のシール材と、
   前記第１の基板と前記第２の基板と前記シール材とで形成される空間に設けられた表示材料と、
   前記シール材の外形端よりも内側に配置され、前記シール材の内形端をまたぐように前記遮光性膜が除去された第１開口部と、を有し、
   前記シール材の外形端の全周に前記遮光性膜が形成され、かつ、平面視で前記配線と重複する領域内にのみ前記第１開口部が形成された表示装置。
2. 前記第１開口部は、前記シール材の内形端に垂直な方向における第１開口部の長さが０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であり、
   前記第１開口部と前記シール材とは０．１ｍｍ以上重なり合うことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記配線が複数設けられ、前記第１開口部が前記複数の配線に対応して複数設けられている請求項１又は２に記載の表示装置。
4. 前記第２の基板に形成された遮光性を有する遮光パターンと、
   平面視で、前記遮光パターンと重複し、前記配線と重複しない領域内に、前記シール材の外形端よりも内側で、かつ、前記シール材の内形端をまたぐように配置され、前記遮光性膜が除去された第２開口部とをさらに有する請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置。
5. 前記第２開口部と、前記第２開口部に隣り合う前記第１開口部との間に挟まれた遮光性膜の幅は０．１ｍｍ以下である請求項４に記載の表示装置。
6. 第１の基板に、第１開口部を有し、表示領域を囲む枠状の遮光性膜を形成する工程と、
   第２の基板に前記表示領域の外側に引き出された遮光性を有する配線を形成する工程と、
   前記第１の基板又は前記第２の基板に光硬化性のシール材を枠状に形成する工程と、
   前記第１の基板と前記第２の基板との間に表示材料が挟持された状態で、前記第１開口部が前記シール材の内形端からはみ出すよう前記第１の基板と前記第２の基板とを前記シール材を介して対向配置する工程と、
   前記第１開口部を介して前記シール材に光を照射して、少なくとも前記シール材の内形端を硬化させる工程と、を備え、
   前記遮光性膜を形成する工程では、前記シール材の外形端の全周に前記遮光性膜を形成し、かつ、平面視で前記配線と重複する領域内にのみ前記第１開口部を形成し、
   前記シール材の内形端を硬化させる工程では、前記第１の基板および前記第２の基板の両側から光を照射する表示装置の製造方法。
7. 前記第１開口部は、前記シール材の内形端に垂直な方向における前記第１開口部の長さが０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であり、
   前記第１開口部と前記シール材とは０．１ｍｍ以上重なり合うよう配置されていることを特徴とする請求項６に記載の表示装置の製造方法。
8. 前記第２の基板が遮光パターンを有し、
   前記遮光性膜を形成する工程では、平面視で、前記遮光パターンと重複し、前記配線と重複しない領域内に、前記シール材の外形端よりも内側で、かつ、前記シール材の内形端をまたぐように配置され、前記遮光性膜が除去された第２開口部を形成する請求項６、又は７に記載の表示装置の製造方法。
9. 前記シール材を加熱により硬化させる工程をさらに備える請求項６乃至８のいずれかに記載の表示装置の製造方法。

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