JP5000612B2 - 窒化ガリウム系発光ダイオード素子 - Google Patents

Description

本発明は、窒化ガリウム系発光ダイオード素子に関するものであって、より詳細には、ＬＥＤチップとサブマウントとのダイ接着（ｄｉｅ ａｔｔａｃｈ）工程の際に熱的に安定させることができる窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法に関するものである。

一般に、窒化ガリウム系（ＧａＮ）などのＩＩＩ−Ｖ窒化物半導体は、優れた物理的／化学的特性によりフルカラーディスプレイ、イメージスキャナ、各種信号システム及び光通信機器において、光源に供される緑色または青色発光ダイオード（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ：以下「ＬＥＤ」と称す）素子に広く使われている。このようなＬＥＤ素子は、電子と正孔との再結合原理を用いる活性層から光を生成して放出させる。

最近、このような窒化ガリウム系ＬＥＤ素子は、照明光源として用いるための高輝度化の要求が高く、高輝度化を達成するために、大電流での動作が可能な高出力窒化ガリウム系ＬＥＤ素子が製作されている。

このような窒化ガリウム系ＬＥＤ素子は、水平構造ＬＥＤ（ｌａｔｅｒａｌｌｙ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ）と垂直構造ＬＥＤ（ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ）に大別される。

水平構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子は、トップエミッション型ＬＥＤ（Ｔｏｐ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅｓ）とフリップチップ用ＬＥＤ（Ｆｌｉｐ−Ｃｈｉｐ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅｓ）とに分けられる。

前記トップエミッション型ＬＥＤは、ｐ型窒化物半導体層と接触しているオーミック電極層を介して光が出射するように設けられ、前記フリップチップ用ＬＥＤは、サファイア基板を介して光が出射するように設けられている。

一方、このような前記窒化ガリウム系ＬＥＤ素子は、一般に、サブマウント（または、パッケージまたはリードフレーム：以下「サブマウント」と称す）上にダイ接着（ｄｉｅａｔｔａｃｈ）され、光が取り出され、該サブマウントにダイ接着されていないＬＥＤチップの一面を介して発散される。

以下、図１を参照して、従来技術による窒化ガリウム系ＬＥＤ素子のうち、フリップチップ型ＬＥＤ素子を挙げて詳細に説明する。

図１は、従来技術による窒化ガリウム系発光ダイオード素子を概略的に示した断面図である。

同図のように、従来技術による窒化ガリウム系ＬＥＤ素子は、一対の電極を有するＬＥＤチップ１００と、サブマウント２００と、該ＬＥＤチップ１００と該サブマウント２００とをフリップボンディングさせた接着層３００とを含む。

一方、従来技術による前記接着層３００は、透明エポキシ、銀（Ａｇ）などのペースト（ｐａｓｔｅ）から成っている。

すなわち、従来技術による窒化ガリウム系ＬＥＤ素子では、透明エポキシ、銀（Ａｇ）等のペースト（ｐａｓｔｅ）から成る接着層３００が、高温にてリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）されることによって、ＬＥＤチップ１００とサブマウント２００とがボンディングする。

しかしながら、該接着層として透明エポキシが使われる場合、熱抵抗が高く（３０Ｋ／Ｗ以上）、短波長の光による黄変によって光特性が低下するという問題があり、銀ペーストが使われる場合には、銀の移動による漏洩電流が発生し、素子の特性及び信頼性が低下するという不都合がある。

本発明は上記の問題点に鑑みて成されたものであって、ＬＥＤチップとサブマウントとの接合時、各々が単一元素よりなる複数の金属層を接着層として用いて半田付け工程を適用することによって、熱抵抗特性及び信頼性を向上することができる窒化ガリウム系ＬＥＤ素子を提供することを目的の一つとする。

また、本発明の他の目的は、該窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法を提供することである。

上記目的を解決するために、本発明の好適な実施の形態によれば、ＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップが接着層を介して共融ボンディングされたサブマウントとを含み、前記接着層は第１の金属層及び第２の金属層が順次積層されている複数の金属層が半田付けされることによって構成され、前記第２の金属層がペースト状でなされたことを特徴とする窒化ガリウム系発光ダイオード素子を提供する。

また、本発明の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子において、前記第１の金属層は第２の金属層と同一の物質からなることができる。

また、本発明の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子において、前記第１の金属層はＳｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕの群より選ばれる一つ以上の金属から成ることができる。

また、本発明の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子において、前記第２の金属層はＳｎまたはＡｇを含む金属から成ることができる。

また、本発明の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子において、前記ＬＥＤチップと前記接着層との間に設けられた透明層をさらに含むことが望ましく、前記透明層は、ＮｉＯ_ｘ、ＴｉＯ_２、ＩＴＯ、ＳｉＯ_２の群より選ばれる一つ以上の酸化物またはＳｉ_３Ｎ_４、ＭｇＦ_２からなることができる。

また、本発明の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子において、前記透明層と前記接着層との間に設けられた反射層をさらに含むことが望ましく、前記反射層はＡｇまたはＡｌのうちの少なくともいずれか一つ以上を含む合金から成ることができる。

また、本発明の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子において、前記反射層と前記接着層との間に設けられた拡散防止層をさらに含むことが望ましく、前記拡散防止層はＮｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗの群より選ばれる一つ以上の金属から成ることができる。

また、本発明の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子において、前記ＬＥＤチップは、基板と、該基板上に設けられ、第１の領域及び第２の領域に区分されたｎ型窒化物半導体層と、前記ｎ型窒化物半導体層の前記第１の領域上に設けられた活性層と、該活性層上に設けられたｐ型窒化物半導体層と、該ｐ型窒化物半導体層上に設けられたｐ型電極と、前記ｎ型窒化物半導体層の前記第２の領域上に設けられたｎ型電極とを含んで構成されるか、またはｎ型電極と、該ｎ型電極の下面にｎ型窒化物半導体層、活性層及びｐ型窒化物半導体層が下方に順次積層されて設けられた発光構造物と、該発光構造物の下面に設けられたｐ型電極と、該ｐ型電極の下面に設けられた構造支持層とを含んで構成されることができる。

上記目的を解決するために、本発明の他の好適な実施の形態によれば、ＬＥＤチップを準備するステップと、前記ＬＥＤチップの発光面の反対面に第１の金属層を設けるステップと、サブマウントを準備するステップと、前記ＬＥＤチップとボンディングされるべき前記サブマウントの一面に第２の金属層を設けるステップと、前記第１の金属層と前記第２の金属層とを半田付けして共融ボンディングするステップとを含み、前記第２の金属層はペースト状でなされたことを特徴とする窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法を提供する。

本発明によれば、サブマウント上に接着層を介して共融ボンディングされるＬＥＤチップにおいて、該接着層が単一元素よりなる複数の金属層をそれぞれ半田付けして構成されることによって、合金の組成比の変化を最小にすると共に、熱抵抗及び漏洩電流を減少させることができる。

そのため、本発明では安定した熱的特性を有し、信頼性の向上した窒化ガリウム系ＬＥＤ素子及びその製造方法を実現することができる。

本発明のさらなる目的、本発明によって得られる利点は、以下において図面を参照して説明される実施の形態から一層明らかになるであろう。

図面において、幾つかの層及び領域を明確に表すために厚さを拡大して示した。また明細書全体に渡って同一部分に対しては同一符号を付して示す。

＜窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の構造＞
図２を参照して、本発明の一実施の形態による窒化ガリウム系ＬＥＤ素子について詳細に説明する。図２は、本発明の一実施の形態による窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の構造を概略的に示した断面図である。

図２に示すように、本発明の一実施の形態による窒化ガリウム系ＬＥＤ素子は、ＬＥＤチップ１００と、サブマウント２００と、ＬＥＤチップ１００とサブマウント２００とを共融ボンディングさせた接着層３００とを含む。

ＬＥＤチップ１００は、光透過性を有する基板１１０上にバッファ層（図示せず）とｎ型窒化物半導体層１２０とが順に積層されて構成される。ここで、ｎ型窒化物半導体層１２０は、第１の領域及び第２の領域に区分され、該第１の領域は発光面であると定義されている。そのため、該第１の領域の面積を第２の領域の面積より大きく設けて、素子の輝度特性を向上させることが望ましい。

より詳細には、基板１１０は、窒化物半導体単結晶を成長させるに適した基板であって、望ましくはサファイアを含む透明な材料が用いられてもよく、サファイアの他にジンクオキサイド（ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ：ＺｎＯ）、窒化ガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ ｎｉｔｒｉｄｅ：ＧａＮ）、シリコンカーバイド（ｓｉｌｉｃｏｎ ｃａｒｂｉｄｅ：ＳｉＣ）及びアルミニウムニトリド（ＡｌＮ）が用いられてもよい。

前記バッファ層は、基板１１０上にｎ型窒化物半導体層１２０を成長させる前に、基板１１０との格子整合を向上させるための層であって、工程条件及び素子特性によって省略が可能である。

ｎ型窒化物半導体層１２０は、組成式Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（ここで、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）を有する半導体物質からなる。より詳しくは、ｎ型窒化物半導体層１２０は、ｎ型導電型不純物がドープされたＧａＮ層またはＧａＮ／ＡｌＧａＮ層から成ることができ、ｎ型導電型不純物としては例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎなどを用い、望ましくはＳｉを主に用いる。

そして、ｎ型窒化物半導体層１２０の第１の領域上には、活性層１３０及びｐ型窒化物半導体層１４０が順に積層されて発光構造物を構成する。

活性層１３０は、多重量子井戸（Ｍｕｌｔｉ−Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）構造のＩｎＧａＮ／ＧａＮ層から構成されることができる。

ｐ型窒化物半導体層１４０は、組成式Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（ここで、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）を有する半導体物質からなる。より詳しくは、ｐ型窒化物半導体層１４０は、ｐ型導電型不純物がドープされたＧａＮ層またはＧａＮ／ＡｌＧａＮ層から構成されることができ、ｐ型導電型不純物としては例えば、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅなどを用い、望ましくはＭｇを主に用いる。

ｐ型窒化物半導体層１４０上には、ｐ型電極１５０が設けられている。ｐ型電極１５０は、反射電極、オーミックコンタクト電極及び透明電極の群より選ばれる一つ以上の層からなることが望ましい。例えば、ｐ型電極１５０は、反射電極、オーミックコンタクト電極及び透明電極のいずれか一つから成る単一層、または反射電極／オーミックコンタクト電極、オーミックコンタクト電極／透明電極、オーミックコンタクト電極／透明電極／反射電極などから成る多数層を、工程条件及び素子の特性に合わせて選択して形成可能である。

ｎ型窒化物半導体層１２０の第２の領域上にはｎ型電極１６０が設けられている。ｎ型窒化物半導体層１２０の第２の領域は、発光面の一部がメサエッチングによって除去された領域である。

そして、サブマウント２００には、熱伝導度が優れたシリコンウエハまたはＡｌＮセラミック基板などが用いられる。

とりわけ、本発明による接着層３００は、単一元素よりなる複数の金属層がそれぞれ積層された構造によって構成されている。

より詳しくは、接着層３００は、前記ＬＥＤチップの発光面の反対面から第１の金属層３１０、３２０及び第２の金属層３３０が順次積層されて構成されている。本実施の形態においては、前記第１の金属層が２層で構成されている状態を示しているが、これに限定するものではなく、単一層で構成されてもよい。

第１の金属層３１０、３２０及び第２の金属層３３０は、サブマウント２００の反射度がＬＥＤチップ１００の特性に影響を及ぼすことを防止するため、反射物質を含んでなされることが望ましく、同一の物質によって設けられてもよい。例えば、第１の金属層３１０、３２０及び第２の金属層３３０は、ＳｎまたはＡｇの含まれた金属から成ることができる。

より詳しくは、第１の金属層３１０、３２０は、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕの群より選ばれる一つ以上の金属から成ることができ、第２の金属層３３０は、ＳｎまたはＡｇを含む金属から成る。これは、ＬＥＤチップ１００とサブマウント２００とを共融ボンディングさせる役割をする。

従って、本発明による窒化ガリウム系ＬＥＤ素子は、接着層としてペーストまたは透明エポキシを用いて、リフローボンディングしていた従来の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子に比べて熱的に安定すると共に、漏洩電流の発生を最小化し、信頼性を向上させることができる。

また、前記接着層は、単一元素よりなる複数の金属層がそれぞれ半田付けされることによって構成され、合金の組成比の変化が最小になるため、合金の組成比の制御が容易となる。

また、本発明による窒化ガリウム系ＬＥＤ素子は、図３に示すように、接着層３００における第１の金属層３１０、３２０と第２の金属層３３０との合金形成による光の吸収を防止するために、サブマウント２００とボンディングされるＬＥＤチップ１００の一面に、透明層（図示せず）と、反射層４００と、反射層４００を保護するための拡散防止層５００とをさらに含むことが望ましい。

前記透明層は、ＮｉＯ_Ｘ、ＴｉＯ_２、ＩＴＯ、ＳｉＯ_２の群より選ばれる一つ以上の酸化物、またはＳｉ_３Ｎ_４、ＭｇＦ_２からなり、反射層４００は、ＡｇまたはＡｌのうちの少なくともいずれか一つを含む合金から成り、拡散防止層５００は、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗの群より選ばれる一つ以上の金属から成る。

図３は、本発明の一実施の形態による窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の変形例を示した断面図である。

＜窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法＞
本発明の一実施の形態による窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法に対して、図４ａ及び図４ｂと前述の図２とを参照して詳細に説明する。

図４ａ及び図４ｂは、本発明の一実施の形態による窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法を順次示した工程断面図である。

まず、図４ａに示すように、ＬＥＤチップ１００を準備する。ＬＥＤチップ１００は、基板１１０と、該基板１１０上に設けられ、第１の領域及び第２の領域に区分されたｎ型窒化物半導体層１２０と、該ｎ型窒化物半導体層１２０の第１の領域上に設けられた活性層１３０と、該活性層１３０上に設けられたｐ型窒化物半導体層１４０と、該ｐ型窒化物半導体層１４０上に設けられたｐ型電極１５０と、ｎ型窒化物半導体層１２０の第２の領域上に設けられたｎ型電極１６０と、から構成されている。

続いて、ＬＥＤチップ１００のｐ型電極１５０及びｎ型電極１６０上に、第１の金属層３１０を設ける。ここで、第１の金属層３１０は、後述のサブマウントの反射度がＬＥＤチップ１００の特性に影響を及ぼすことを防止するために反射物質を含むことが望ましく、例として、Ｓｎ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇの群より選ばれるいずれか一つ以上の金属が含まれることができる。

次に、図４ｂに示すように、熱伝導性に優れたサブマウント２００を準備する。続いて、ＬＥＤチップ１００とボンディングされるべきサブマウント２００の一面に、第２の金属層３３０を設ける。ここで、第２の金属層３２０はＳｎまたはＡｇを含む合金をペースト状に設ける。前述のように、第２の金属層３３０をペースト状で設けると、サブマウント２００の表面が荒い場合、後述の共融ボンディングの際のボンディング工程が容易となる。

続いて、第２の金属層３３０と第１の金属層３１０とを半田付けし、ＬＥＤチップ１００とサブマウント２００とを共融ボンディングする（図２参照）。

一方、本実施の形態においては、窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の水平構造ＬＥＤの一つであるフリップチップＬＥＤ素子について説明したが、これに限定される訳ではなく、ｐ型窒化物半導体層と接触しているｐ型電極層を介して光が出射されるように設けられたトップエミッション型ＬＥＤ（図５参照）及び垂直構造ＬＥＤ（図６参照）にも全て適用可能である。

図５及び図６は、本発明の他の実施の形態による窒化ガリウムＬＥＤ素子を概略的に示した断面図であって、図５はトップエミッション型ＬＥＤの構造を示し、図６は垂直構造ＬＥＤの構造を示している。

ここで、図５及び図６中、トップエミッション型ＬＥＤと垂直構造ＬＥＤとの同一部分に対しては、フリップチップ型ＬＥＤ（図２参照）の符号と同一の符号を記した。また、図６中の符号１９０は、構造支持層を示す。

今回開示された実施の形態は例示にすぎず、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

従来技術による窒化ガリウム系ＬＥＤ素子を概略的に示した断面図である。 本発明の一実施の形態による窒化ガリウム系ＬＥＤ素子を概略的に示した断面図である。 本発明の一実施の形態による窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の変形例を示した断面図である。 本発明の一実施の形態による窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法を順次示した工程断面図である。 本発明の一実施の形態による窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法を順次示した工程断面図である。 本発明の他の実施の形態による窒化ガリウムＬＥＤ素子を概略的に示した断面図である。 本発明の他の実施の形態による窒化ガリウムＬＥＤ素子を概略的に示した断面図である。

符号の説明

１００ ＬＥＤチップ
２００ サブマウント
３００ 接着層
３１０ 第１の金属層
３２０ 第２の金属層
３３０ 第３の金属層
４００ 反射層
５００ 拡散防止層

Claims (20)

1. ＬＥＤチップと、
   前記ＬＥＤチップが接着層を介して共融ボンディングされたサブマウントと、
   前記ＬＥＤチップと前記接着層との間に形成される透明層と、
   を含み、
   前記接着層は、第１の金属層及び第２の金属層が順に積層されている複数の金属層が半田付けされることによって構成され、前記第２の金属層はペースト状であり、
   前記第２の金属層は、ＳｎまたはＡｇを含む合金を含むことを特徴とする窒化ガリウム系発光ダイオード素子。
2. 前記第１の金属層が、前記第２の金属層と同一の物質から成ることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。
3. 前記第１の金属層が、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕの群より選ばれる一つ以上の金属から成ることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。
4. 前記透明層は、ＮｉＯＸ、ＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＳｉＯ２の群より選ばれる一つ以上の酸化物、またはＳｉ３Ｎ４、ＭｇＦ２から成ることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。
5. 前記透明層と前記接着層との間に、さらに、反射層が設けられることを特徴とする請求項４に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。
6. 前記反射層が、ＡｇまたはＡｌのうちの少なくともいずれか一つ以上を含む合金から成ることを特徴とする請求項５に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。
7. 前記反射層と前記接着層との間に、さらに、拡散防止層が設けられることを特徴とする請求項５に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。
8. 前記拡散防止層が、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗの群より選ばれる一つ以上の金属から成ることを特徴とする請求項７に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。
9. 前記ＬＥＤチップが、基板と、該基板上に設けられ、第１の領域及び第２の領域に区分されたｎ型窒化物半導体層と、該ｎ型窒化物半導体層の前記第１の領域上に設けられた活性層と、該活性層上に設けられたｐ型窒化物半導体層と、該ｐ型窒化物半導体層上に設けられたｐ型電極と、前記ｎ型窒化物半導体層の前記第２の領域上に設けられたｎ型電極と、を含んで構成されることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。
10. 前記ＬＥＤチップが、ｎ型電極と、該ｎ型電極の下面にｎ型窒化物半導体層、活性層及びｐ型窒化物半導体層が下方に順に積層されて設けられた発光構造物と、該発光構造物の 下面に設けられたｐ型電極と、該ｐ型電極の下面に設けられた構造支持層とを含んで構成されることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。
11. ＬＥＤチップを準備するステップと、
    前記ＬＥＤチップの発光面の反対面に透明層を形成するステップと、
    前記透明層の、前記ＬＥＤチップ側の面の反対面に第１の金属層を設けるステップと、
    サブマウントを準備するステップと、
    前記ＬＥＤチップとボンディングされるべき前記サブマウントの一面に、第２の金属層を設けるステップと、
    前記第１の金属層と前記第２の金属層とを半田付けして共融ボンディングするステップとを含み、
    前記第２の金属層が、ペースト状であり、前記第２の金属層は、ＳｎまたはＡｇを含む合金を含むことを特徴とする窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。
12. 前記第１の金属層が、前記第２の金属層と同一の物質から成ることを特徴とする請求項１１に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。
13. 前記第１の金属層が、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕの群より選ばれる一つ以上の金属から成ることを特徴とする請求項１１に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。
14. 前記透明層が、ＮｉＯｘ、ＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＳｉＯ２の群より選ばれる一つ以上の酸化物、またはＳｉ３Ｎ４、ＭｇＦ２から成ることを特徴とする請求項１１に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。
15. 前記透明層を設けるステップの後に、
    前記透明層上に反射層を設けるステップを、さらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。
16. 前記反射層が、ＡｇまたはＡｌのうちの少なくともいずれか一つ以上を含む合金から成ることを特徴とする請求項１５に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。
17. 前記ＬＥＤチップの発光面の反対面に反射層を設けるステップの後に、
    前記反射層上に拡散防止層を設けるステップを、さらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。
18. 前記拡散防止層が、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗの群より選ばれる一つ以上の金属から成ることを特徴とする請求項１７に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。
19. 前記ＬＥＤチップが、基板と、該基板上に設けられ、第１の領域及び第２の領域に区分されたｎ型窒化物半導体層と、該ｎ型窒化物半導体層の前記第１の領域上に設けられた活性層と、該活性層上に設けられたｐ型窒化物半導体層と、該ｐ型窒化物半導体層上に設けられたｐ型電極と、前記ｎ型窒化物半導体層の前記第２の領域上に設けられたｎ型電極とを含んで構成されることを特徴とする請求項１１に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。
20. 前記ＬＥＤチップが、ｎ型電極と、該ｎ型電極の下面にｎ型窒化物半導体層、活性層及びｐ型窒化物半導体層が下方に順に積層されて設けられた発光構造物と、該発光構造物の下面に設けられたｐ型電極と、該ｐ型電極の下面に設けられた構造支持層とを含んで構成されることを特徴とする請求項１１に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。

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