JP5011981B2

JP5011981B2 - デバイス素子製造方法およびダイシング方法

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Publication number: JP5011981B2
Application number: JP2006323006A
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Inventors: 寿一古井
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Description

本発明は、基板上に形成されるデバイス素子の製造方法およびダイシング方法に関し、具体的には、デバイス素子表面を保護膜で保護した後、デバイス素子を分離するダイシング工程を有する製造方法およびダイシング方法に関する。

例えば半導体素子あるいはＭＥＭＳ素子等のように、基板上に複数形成されるデバイス素子の製造工程には、各素子を分離するためのダイシング工程がある。例えば、ＭＥＭＳ素子には、微細な穴、オリフィス、流路あるいは可動部をもつものがある。これらは、素子自体の機械的強度が小さいので壊れやすく、また素子表面に傷がつきやすい。したがって、ダイシング工程においても、ダイシングソーによる切断時の振動によって破損するおそれがあり、また切断時に発生する切削粉などによって素子表面に傷が付くおそれがある。そのため、従来から、ダイシング工程において、素子表面を予め保護してダイシングを行うことが提案されている（特許文献１〜３参照）。

特許文献１には、多数のＭＥＭＳが形成された半導体基板の表面に、例えば熱剥離型粘着テープを貼付して、基板表面を保護してダイシングを行い、ダイシング後熱剥離型粘着テープを加熱して粘着強度を十分小さくして、この粘着テープを剥離することが開示されている。しかしながら、粘着テープで基板表面を保護するようにすると、粘着テープの剥離が均一に行われないと、基板表面に可動部材が形成されているような場合、可動部材に悪影響を与える可能性がある。

特許文献２には、可動部と空隙部とを有するデバイス素子を多数形成した半導体基板をレジスト液に浸漬して、デバイス素子が形成された半導体基板表面を硬化したレジストにより保護した後、ダイシングを行ない、ダイシング後にはレジスト剥離液で基板表面のレジストを除去することが開示されている。

特許文献３には、基板上に多数形成された誘電体ブロックを有する光結合器をダイシングにより分離する際に、誘電体ブロックの光入射面あるいは光反射面に予めフォトレジストを塗布して保護膜を形成し、ダイシング後にレジストリムーバを用いて除去することが開示されている。

ここで、レジストを保護膜として使用する問題点を、図１１、１２を参照して説明する。図１１は、ダイシングチャックに載置された半導体基板のダイシング前の状態を示す。例えば微細構造物の一例である多数の貫通孔５２が形成された半導体基板５１は、その裏面にダイシングテープ５４を貼着して、ダイシングチャック５５に載置固定されている。半導体基板５１の表面は、例えば型格がＡＺ−Ｐ４２１０であるフォトレジスト５３により覆われ保護されている。

ダイシング工程では、切削個所に切削水を吹きつけながら、ダイシングソーによりフォトレジスト５３とともに半導体基板５１をダイシングする。その後、フォトレジスト５３を溶剤により溶かして、除去する。

図１２は、ダイシングにより形成された溝５６によりデバイス素子が分離され、フォトレジスト５３を除去した状態を示す。半導体基板５１を覆っていたフォトレジスト５３は、溶剤により溶かされ、除去されている。しかしながら、溶剤が侵入困難な微細構造物の一部には、フォトレジスト５３が除去されず、レジストの残渣５７が残存してしまうという問題がある。さらには、場合によっては、半導体基板の表面にもレジストの残渣が残ることがあった。

なお、レジストを保護剤として用いない例も公知である（特許文献４、５参照）。

特許文献４には、液化炭酸ガスを基板に吹き付けて、基板上にドライアイスを堆積させ、この状態で、ドライアイスの微粒子を吹きつけながらダイシングを行い。ダイシング終了後に、固定ステージを常温に戻しながら、さらにドライアイスの微粒子を吹きつけることにより、切りくずとドライアイス層を除去することが開示されている。しかしながら、ドライアイスを使用すると、ダイシング装置あるいは素子を形成した半導体基板を極低温にする必要があり、また、半導体基板は、常温環境と極低温環境を往復することになり素子への悪影響の可能性がある。

特許文献５には、半導体基板表面の補強用樹脂として、重合体が加熱により単量体に分解する樹脂すなわち熱解重合樹脂を用いることが開示され、補強用樹脂は、ダイボンド時の熱により完全に分解除去されることが開示されている。しかしながら、熱解重合樹脂はを除去するためには、加熱が必須である。さらに、特許文献５は、切削粉が残存するという問題点について開示するものではない。

特開２０００−３４９４１６号公報特開平１０−２３９３４６号公報特開平１１−１６０５７０号公報特開２００１−４４１４３号公報特開昭５９−９２３５６号公報

本発明は、上記問題点に鑑み、ダイシング時に基板表面を保護する保護剤が除去後にも残渣として残らず、切削粉なども確実に除去できるデバイス素子の製造方法およびダイシング方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明のデバイス素子製造方法は、基板に複数のデバイス素子を形成するデバイス素子形成工程と、前記デバイス素子が形成された基板の少なくとも表面に揮発性保護剤を塗布する揮発性保護剤塗布工程と、前記デバイス素子が形成された基板から各デバイス素子を分離するダイシング工程と、前記ダイシング工程の後、高周波超音波が印加された洗浄水を前記揮発性保護剤を溶解させることのない温度に保って前記揮発性保護剤の表面に噴射して前記ダイシング工程によって付着した切削粉を除去することにより、前記揮発性保護剤の表面を洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程の後、前記揮発性保護剤を蒸発させる揮発性保護剤蒸発工程と、を有することを特徴とする。

前記揮発性保護剤塗布工程は、前記デバイス素子が形成された基板の両面に揮発性の保護剤を塗布する工程であり、ダミー基板上に揮発性保護剤を塗布し、その上に前記デバイス素子が形成された基板の裏面を載置し、その後前記デバイス素子が形成された基板の表面に揮発性の保護剤を塗布する工程を含むようにすることができる。

また、前記揮発性保護剤塗布工程は、前記デバイス素子が形成された基板の裏面に接着テープ貼付し、該基板の表面に揮発性の保護剤を塗布する工程を含むようにすることもできる。

前記揮発性保護剤を塗布した後、少なくとも洗浄工程の終了するまで、前記デバイス素子が形成された基板は、前記揮発性保護剤の融点以下の温度に維持されるのが好ましい。

前記洗浄工程は、高周波超音波を重畳した液体により揮発性保護剤の表面を切削するようにすることができる。

前記高周波超音波を重畳した液体は、ダイシング時に前記基板を固定するダイシングチャックを冷却する冷却水とすることもできる。

前記揮発性保護剤蒸発工程は、前記揮発性保護剤で覆われた基板を大気圧環境かつ室温で蒸発させるようにすることができる。

前記揮発性保護剤蒸発工程は、前記揮発性保護剤で覆われた基板を減圧下で蒸発させるようにすることもできる。

また、本発明のダイシング方法は、基板のダイシング方法において、前記基板を基台上に載置する工程と、前記基板の表面に揮発性保護剤を塗布する工程と、前記揮発性保護剤を凝固させる工程と、前記揮発性保護剤の上から、前記基板のダイシングを行う工程と、高周波超音波が印加された洗浄水を前記揮発性保護剤を溶解させることのない温度に保って前記揮発性保護剤の表面に噴射して前記ダイシング工程によって付着した切削粉を除去することにより、前記揮発性保護剤の表面を洗浄する工程と、前記揮発性保護剤を溶融・揮発させる工程と、を有することを特徴とする。

本発明のデバイ素子製造方法およびダイシング方法によれば、基板表面に傷がつくことを防止でき、またダイシング工程に起因する切削粉あるいは汚れが付着することがない。さらに、揮発性保護剤は、放置しておけば蒸発して除去されるので、レジストの保護剤を用いるのに比較して、保護剤の残渣が残ることはない。したがって、デバイス素子の不良発生を防止することができ、製品歩留まりを向上させることができる。

図１は、本実施形態で使用するデバイス素子を説明する概略図である。図１に示すように、本実施形態で使用するデバイス素子は、Ｓｉ基板１１に貫通孔１２が形成されたバイオＭＥＭＳである。デバイス素子は、バイオＭＥＭＳ以外にも例えば半導体回路、センサー、光学素子など基板に形成可能な素子であればいずれでもよい。また、基板についても、半導体に限定されない。石英からなる基板でもよく、多数のデバイス素子が形成される基板であればいずれでもよい。

まず、デバイス素子が多数形成された基板の両面を揮発性保護剤で覆うことから説明する。本実施形態では、デバイス素子が多数形成された基板を支持するためにダミー基板を使用する。

図２は、ダイシングチャック上に載置されたダミー基板を示す。ダイシングチャック３１は、例えば、真空ポンプ（図示せず）に接続されるセラミックポーラスからなり、負圧を利用してダミー基板２１を吸着固定する。さらに、ダイシングチャック３１は、冷却液が循環する冷却パイプ（図示せず）により冷却され、所定の温度に維持される。これらの吸着構造あるいは冷却構造は公知であるので、説明を省略する。

ダミー基板２１上には、揮発性保護剤２２が塗布されている。揮発性保護剤の塗布方法は、特に限定されるものではないが、ディスペンサーを使用する公知の塗布方法を採用することができる。揮発性保護剤２２は、ダイシングチャック３１に載置されダイシングされる基板１１（図１参照）の裏面を保護するとともに、基板１１をダミー基板２１に接着して固定する役目も果たす。本実施形態で使用する揮発性保護剤は、オクタメチルシクロテトラシロキサン（Ｃ８Ｈ２４Ｏ４Ｓｉ４：融点１８℃）である。他には、ヘキサメチルシクロトリシロキサン（Ｃ６Ｈ１８Ｏ３Ｓｉ３：融点６５℃）も使用可能であり、さらにはこれらに限らず、その他の揮発性保護剤が使用可能である。

図２に示すダミー基板２１に塗布された揮発性の保護剤２２の上に、まず基板１１が載置される。揮発性保護剤２２は、オクタメチルシクロテトラシロキサンを使用しているので、凝固しないように融点の１８℃以上に保持しておく。基板１１を載置した後は、デバイス素子が形成された基板１１の表面に、さらに揮発性保護剤２２であるオクタメチルシクロテトラシロキサンを塗布する。塗布の厚さは、少なくとも揮発性保護剤２２を除去する工程まで基板１１が露出しないような厚さとする。その後、揮発性保護剤２２の融点の１８℃以下に温度を下げて、揮発性保護剤２２を凝固させる。その結果、基板１１は、全体を揮発性保護剤２２に覆われて保護され、かつダミー基板２１に接着固定される。図３に、ダミー基板２１に塗布された揮発性保護剤２２の上に基板１１が載置され、さらに基板１１の表面側にも揮発性保護剤２２が塗布された状態を示す。

なお、揮発性保護剤として、融点６５℃のヘキサメチルシクロトリシロキサンを使用する場合は、ダミー基板２２および基板１１を融点以上に保持するためにホットプレートを用いる。ダミー基板２１をホットプレート上に載置して、融点６５℃以上に保持しながら、ダミー基板２１にヘキサメチルシクロトリシロキサンを塗布し、その上に基板１１を載置して基板１１の表面にもヘキサメチルシクロトリシロキサンを塗布する。その後、６５℃以下に温度を下げて、ヘキサメチルシクロトリシロキサンが凝固した後、ヘキサメチルシクロトリシロキサンで覆われた基板をダイシングチャック上に載置する。

基板１１が保護剤で覆われると、ダイシングの準備が整ったことになる。よって、公知の方法により、ダイシングソーを使用して、切削水あるいは冷却水を噴出しながら基板１１のダイシングを行う。

図４に、基板１１をダイシングした後の状態を示す。ダイシング溝１３は、基板１１に格子状に形成される。なお、ダイシングは、基板１１を完全に分離するのではなく、基板１１の下部は切り離さないハーフカットであってもよい。揮発性保護剤２２の表面には、ダイシングによる切削粉３５あるいはその他の汚れが付着して残存している。このまま揮発性保護剤２２を蒸発させると、切削粉３５が基板１１に付着することになる。したがって、次に、これらの切削粉３５を取り除く処理を行なう。

図５は、切削粉を除去するために使用する高周波超音波洗浄を説明する説明図である。図５に示すように、高周波超音波洗浄装置４０を用いて、ダイシング後の揮発性保護剤２２に洗浄液を噴出させ、揮発性保護剤２２の表面を削り取ることにより切削粉あるいはその他の汚れを除去する。高周波洗浄装置４０は、一列に並ぶ複数の噴射ノズル４２をもつ噴射ノズルユニット４１と、噴射ノズルから噴射する例えば水のような洗浄液に高周波超音波を付与するために、噴射ノズルユニット４１に電力を供給する高周波超音波電力供給ユニット４３を備えている。噴射ノズル４２から噴射される水に、高周波超音波が印加されることにより、多数の小さな気泡や空洞が発生し、これらが激しく崩壊するときに接触している面を清浄にするように働く。超音波の発振周波数を高くすることにより、発生する気泡の数は増加し、個々の気泡のエネルギーは減少するので、洗浄対象にダメージを与えることなく、微粒子を除去できるものである。

噴射ノズルユニット４１は、複数のノズル４２が一列に配列されているので、ノズル４２の列に直交する方向に噴射ノズルユニット４１を移動させるだけで、揮発性保護剤２２の全面を洗浄することができる。なお、噴射ノズルを１本だけ用いて、１本の噴射ノズルを縦横に走査するようにしてもよい。噴射ノズル４２から噴射される水は、基板を保持するチャック３１を冷却するチラー３２から供給される冷却水を利用している。図５に示すように、ダイシングチャック３１を冷却する冷却水は、チラー３２から供給され、チラー３２に回収されるように構成されている。基板を保護する揮発性保護体であるオクタメチルシクロテトラシロキサンの融点は１８℃であるから、チャック３１は５℃程度に維持されるように冷却水が供給される。したがって、この冷却水を使用すると、保護剤が溶解することなく、保護剤の表面を削り取ることができ、表面に付着している切削粉を除去することができる。この結果、噴射ノズル４２から噴射する水量と噴射時間を調整することによって、水の噴射により削り取られる保護剤表面の厚さを調整することができる。図６に、高周波超音波洗浄により切削粉を除去した状態を示す。図６に示すように、揮発性保護剤２２の表面が削り取られ揮発性保護剤２２の表面に残っていた切削粉が除去されている。

なお、揮発性保護剤２２を厚く塗ることができれば、揮発性保護剤２２を基板上に厚く塗布しておいて、ダイシング後に揮発性保護剤２２の融点を超える温度の水を流すことにより、揮発性保護剤２２の表面を溶解させ、表面に残存する切削粉を除去することも可能である。

次に、ダイシングチャック３１のチラー３２による冷却を止めて、揮発性保護剤２２に覆われた基板をそのまま室温あるいは常温で放置すると、揮発性保護剤２２であるオクタメチルシクロテトラシロキサンは蒸気圧が高いので、蒸発してなくなる。このようにして、表面に傷もなく、切削粉が混入することもなく、さらには残渣成分もないデバイス素子が得られる。揮発性保護剤２２の蒸発を促進させるには、揮発性保護剤２２に覆われた基板を減圧環境に配置して、蒸発速度を高めるのがよい。なお、融点６５℃のヘキサメチルシクロトリシロキサンを用いる場合も、蒸気圧が高いので、大気圧かつ室温あるいは常温環境で蒸発する。この場合も減圧環境に配置すると、より速く蒸発させることができる。さらに、より早く蒸発させるために加熱することもできる。

また、微細なデバイス素子の中には、物理的な衝撃を加えることで容易に破損してしまうものが存在する。本実施形態では、デバイス素子が形成される基板１１を揮発性保護剤２２によって覆った上で、揮発性保護剤上の切削粉などが除去されるため、切削粉などの除去作業に際して基板１１上に形成されたデバイス素子が破損する可能性を低減することができる。

本実施形態の場合、基板１１とダミー基板２１との接着も揮発性保護剤２２を利用しているので、揮発性保護剤２２が蒸発すると、基板１１のダミー基板２１からの分離も行われる。図７に、揮発性保護剤が蒸発した状態を示す。図７に示すように、基板１１表面のみならず基板１１の裏面を覆っていた揮発性保護剤も蒸発してなくなっている。したがって、基板１１は、ダミー基板２１と接着していない。したがって、基板１１をダミー基板２１から容易に取り外すことができる。

本実施形態の製造方法によれば、ダイシング工程や切削粉の除去工程などにて基板表面に傷がつくことを防止でき、またダイシング工程に起因する切削粉あるいは汚れが付着することがない。さらに、揮発性保護剤は、放置しておけば蒸発して除去されるので、レジストの保護剤を用いるのに比較して、保護剤の残渣が基板や微細加工されたデバイス素子の凹部などに残ることはない。したがって、デバイス素子の不良発生を防止することができ、製品歩留まりを向上させることができる。

さらに、従来のように保護剤としてレジストを用いると、保護剤の除去のために溶剤が必要であるが、本実施形態では、常温に放置するだけで揮発性保護剤が除去されるので、溶剤にかかるコストを削減できる。また、基板裏面にダイシングテープを接着する必要がないので、テープを剥がす工程がなくなる。さらに、テープ剥離により素子へ破損などの悪影響を与えるということがない。

本実施形態の、ダミー基板表面に揮発性保護剤を塗って、その上にデバイス素子を載置した基板を固定し、さらに基板表面に保護剤を塗布する方法は、基板が裏面が壊れやすい場合には特に有効である。しかしながら、基板の裏面が強固であり、接着テープにより接着固定してダイシングした後、接着テープを剥がすようにしても、デバイス素子に悪影響を与えることがなければ、従来のように接着テープを用いて基板の裏面を固定し、基板の表面にのみ揮発性保護剤を塗布するようにしてもよい。

図８、９に、本発明の実施形態による動作のフローを示す。

ステップＳ１では、例えば半導体からなる基板１１に、多数のデバイス素子を形成する（図１参照）。
次に、ステップＳ２として、基板１１に揮発性保護剤を塗布する。揮発性保護剤の塗布についての具体的な工程は、図９に示す。

図９のステップＳ２１では、ダイシングチャック３１上に載置されたダミー基板２１上に、揮発性の保護剤２２が塗布される（図２参照）。使用した揮発性保護剤２２は、オクタメチルシクロテトラシロキサン（Ｃ８Ｈ２４Ｏ４Ｓｉ４：融点１８℃）である。

ステップＳ２２では、基板１１をダミー基板１２上に載置し、ステップＳ２３で、さらに基板１１の表面に揮発性保護剤２２を塗布する。

ステップＳ２４で揮発性保護剤の融点以下に温度を下げて、揮発性保護剤２２を凝固させる。基板１１は、全体を保護剤に覆われて、ダミー基板２１に固定される（図３参照）。

次いで、ステップＳ３で、公知の方法により、ダイシングソーを使用して、切削水あるいは冷却水を噴出しながらダイシングを行う。その結果、揮発性保護剤２２の表面には、切り粉３５が付着し残存する（図４参照）。このまま揮発性保護剤２２を蒸発させると、切削粉３５が基板１１に付着することになる。

したがって、ステップＳ４では、高周波超音波洗浄を利用して揮発性保護剤２２の表面を洗浄する。すなわち、超音波を重畳させた洗浄水を噴出させることにより、揮発性保護剤２２の表面を削り、切削粉あるいは汚れを除去する（図６参照）。なお、ステップＳ２で、揮発性保護剤２２を厚く塗っている場合、水あるいは温水を流して保護剤２２表面を溶かして切り粉３５を除去する方法も可能である。

次に、ステップＳ５では、ダイシングチャックの冷却を止めて、常温で放置して、揮発性保護剤２２を蒸発させる。このようにして、表面に傷もなく、切削粉が混入することもなく、さらには残渣成分もないデバイス素子を得ることができる（図７参照）。ここで、基板１１とダミー基板２１との接着も揮発性保護剤２２を使用しているので、ダミー基板からの分離も行われることになる。

本発明による一実施例を以下説明する。

まず、厚さ５００μｍのシリコンウエハに直径３μｍ程度の微細孔を設けバイオＭＥＭＥＳを形成し、揮発性保護剤としてオクタメチルシクロテトラシロキサンを２００μｍの厚さとなるように均一に塗布したのち、シリコンウエハを冷却し、凝固させた。

次いで、ダイシングソーを用いてダイシングしたのち、高周波超音波（１ＭＨｚ、６０Ｗ）を重畳させた０℃の純粋の噴流（１．２Ｌ／分）により保護剤の表層のみを除去し、シリコンの切削粉を除去した。

その後、保護剤を蒸発させたところ、図１０（ａ）に示すように、表面および微細孔周辺に汚れの付着や保護剤の残渣のないバイオＭＥＭＳを得ることができた。

図１０（ｂ）に、同様に微細孔を設けたバイオＭＥＭＳを形成したシリコンウエハ上に、従来のレジスト（型格ＡＺ−Ｐ４２１０）を塗布し、ダイシング後に、レジストを有機溶媒により除去した比較例を示す。比較例では、図１０（ｂ）に示すように、特に微細孔周辺にレジストの残渣が見られた。レジストの残渣は撥水性を示すので、水の流路となる微細孔周辺にレジストの残渣が残るのは、バイオＭＥＭＳの性能に悪影響を与えるものであった。

以上説明したとおり、本発明の実施の態様は次ぎのとおりである。
（付記１）
基板に複数のデバイス素子を形成するデバイス素子形成工程と、
前記デバイス素子が形成された基板の少なくとも表面に揮発性保護剤を塗布する揮発性保護剤塗布工程と、
前記デバイス素子が形成された基板から各デバイス素子を分離するダイシング工程と、
前記ダイシング工程の後、前記揮発性保護剤の表面を洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程の後、前記揮発性保護剤を蒸発させる揮発性保護剤蒸発工程と、
を有することを特徴とするデバイス素子製造方法。

（付記２）
前記揮発性保護剤塗布工程は、前記デバイス素子が形成された基板の両面に揮発性の保護剤を塗布する工程であり、ダミー基板上に揮発性保護剤を塗布し、その上に前記デバイス素子が形成された基板の裏面を載置し、その後前記デバイス素子が形成された基板の表面に揮発性の保護剤を塗布する工程を含むことを特徴とする付記１に記載のデバイス素子製造方法。

（付記３）
前記揮発性保護剤塗布工程は、前記デバイス素子が形成された基板の裏面に接着テープ貼付し、該基板の表面に揮発性の保護剤を塗布する工程を含むことを特徴とする付記１に記載のデバイス素子製造方法。

（付記４）
前記揮発性保護剤を塗布した後、少なくとも洗浄工程の終了するまで、前記デバイス素子が形成された基板は、前記揮発性保護剤の融点以下の温度に維持されることを特徴とする付記１〜３のいずれか１項に記載のデバイス素子製造方法。

（付記５）
前記洗浄工程は、高周波超音波を重畳した液体により揮発性保護剤の表面を切削することを特徴とする付記１〜４のいずれか１項に記載のデバイス素子製造方法。

（付記６）
前記高周波超音波を重畳した液体は、ダイシング時に前記基板を固定するダイシングチャックを冷却する冷却水であることを特徴とする付記５に記載のデバイス素子製造方法。

（付記７）
前記洗浄工程は、揮発性保護剤の融点より高い温度の液体により揮発性保護剤の表面を溶解させることを特徴とする付記１〜４のいずれか１項に記載のデバイス素子製造方法。

（付記８）
前記揮発性保護剤蒸発工程は、前記揮発性保護剤で覆われた基板を大気圧環境かつ室温で蒸発させることを特徴とする付記１〜７のいずれか１項に記載のデバイス素子製造方法。

（付記９）
前記揮発性保護剤蒸発工程は、前記揮発性保護剤で覆われた基板を減圧下で蒸発させることを特徴とする付記１〜７のいずれか１項に記載のデバイス素子製造方法。

（付記１０）
前記揮発性保護剤塗布工程は、
前記基板が載置される基台上に揮発性保護剤を塗布する工程と、
前記揮発性保護剤が塗布された基台上に前記基板を載置する工程と、
前記基上に載置された基板の表面に、揮発性保護剤を塗布する工程と、を含むことを特徴とする、付記１に記載のデバイス素子製造方法。

（付記１１）
前記揮発性保護剤は所定の融点を有し、
前記基台上への前記揮発性保護剤塗布は前記融点以上の温度で行われるとともに、
前記基台上に前記基板が載置された後、前記揮発性保護剤を前記融点以下の温度にさせる工程をさらに備えたことを特徴とする、付記１０に記載のデバイス素子製造方法。

（付記１２）
前記揮発性保護剤の融点は常温であることを特徴とする、付記１１に記載のデバイス素子製造方法。

（付記１３）
基板のダイシング方法において、
前記基板を基台上に載置する工程と、
前記基板の表面に揮発性保護剤を塗布する工程と、
前記揮発性保護剤を凝固させる工程と、
前記揮発性保護剤の上から、前記基板のダイシングを行う工程と、
前記揮発性保護剤の表面を洗浄する工程と、
前記揮発性保護剤を溶融・揮発させる工程と、を有することを特徴とするダイシング方法。

（付記１４）
前記揮発性保護剤は所定の融点を有し、
前記塗布工程は前記融点以上の温度で行われ、
前記凝固工程は前記揮発性保護剤を前記融点以下の温度にすることで実行されることを特徴とする、付記１３に記載のダイシング方法。

（付記１５）
前記基台にはダミー基板が載置され、前記基板は、前記ダミー基板の上に載置されることを特徴とする、付記１３および１４に記載のダイシング方法。

（付記１６）
前記載置工程に先立って、前記基台上に揮発性保護剤を塗布する工程を有し、
前記基板は、前記揮発性保護剤が塗布された基台上に載置されることを特徴とする、付記１３〜１５のいずれか１項に記載のダイシング方法。

微細構造を有するデバイス素子を形成した基板の一例を示す図である。ダミー基板上に揮発性保護剤を塗布した状態を示す図である。ダミー基板上のデバイス素子を形成した基板の表面に揮発性保護剤を塗布した状態を示す図である。揮発性保護剤で覆われた基板をダイシングした状態を示す図である。ダイシング後の高周波超音波洗浄を説明する図である。高周波超音波により揮発性保護剤表面から切削粉を除去した状態を示す図である。揮発性保護剤が蒸発した状態を示す図である。本実施形態の動作フローを示す図である。本実施形態の動作フローの揮発性保護剤塗布ステップを具体的に示す図である。（ａ）は、本実施形態の製造方法により製造された微細孔を有するデバイス素子の拡大上面図である。（ｂ）は、従来の製造方法により製造された微細孔を有するデバイス素子の拡大上面図である。従来の製造方法により、レジストを用いた保護剤で基板を保護した状態を示す図である。従来の製造方法により、レジストを用いた保護剤を除去した後の状態を示す図である。

符号の説明

１１基板
１２貫通孔
１３ダイシング溝
２１ダミー基板
２２揮発性保護剤
３１ダイシングチャック
３２チラー
４１噴射ノズルユニット
４２噴射ノズル
４３高周波超音波供給ユニット

Claims

基板に複数のデバイス素子を形成するデバイス素子形成工程と、
前記デバイス素子が形成された基板の少なくとも表面に揮発性保護剤を塗布する揮発性保護剤塗布工程と、
前記デバイス素子が形成された基板から各デバイス素子を分離するダイシング工程と、
前記ダイシング工程の後、高周波超音波が印加された洗浄水を前記揮発性保護剤を溶解させることのない温度に保って前記揮発性保護剤の表面に噴射して前記ダイシング工程によって付着した切削粉を除去することにより、前記揮発性保護剤の表面を洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程の後、前記揮発性保護剤を蒸発させる揮発性保護剤蒸発工程と、
を有することを特徴とするデバイス素子製造方法。
前記揮発性保護剤塗布工程は、前記デバイス素子が形成された基板の両面に揮発性の保護剤を塗布する工程であり、ダミー基板上に揮発性保護剤を塗布し、その上に前記デバイス素子が形成された基板の裏面を載置し、その後前記デバイス素子が形成された基板の表面に揮発性の保護剤を塗布する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のデバイス素子製造方法。
前記揮発性保護剤塗布工程は、前記デバイス素子が形成された基板の裏面に接着テープを貼付し、該基板の表面に揮発性の保護剤を塗布する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のデバイス素子製造方法。
前記揮発性保護剤を塗布した後、少なくとも洗浄工程の終了するまで、前記デバイス素子が形成された基板は、前記揮発性保護剤の融点以下の温度に維持されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のデバイス素子製造方法。
前記洗浄工程は、高周波超音波を重畳した液体により揮発性保護剤の表面を切削することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のデバイス素子製造方法。
前記高周波超音波を重畳した液体は、ダイシング時に前記基板を固定するダイシングチャックを冷却する冷却水であることを特徴とする請求項５に記載のデバイス素子製造方法。
前記揮発性保護剤蒸発工程は、前記揮発性保護剤で覆われた基板を大気圧環境かつ室温で蒸発させることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のデバイス素子製造方法。
前記揮発性保護剤蒸発工程は、前記揮発性保護剤で覆われた基板を減圧下で蒸発させることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のデバイス素子製造方法。
基板のダイシング方法において、
前記基板を基台上に載置する工程と、
前記基板の表面に揮発性保護剤を塗布する工程と、
前記揮発性保護剤を凝固させる工程と、
前記揮発性保護剤の上から、前記基板のダイシングを行う工程と、
高周波超音波が印加された洗浄水を前記揮発性保護剤を溶解させることのない温度に保って前記揮発性保護剤の表面に噴射して前記ダイシング工程によって付着した切削粉を除去することにより、前記揮発性保護剤の表面を洗浄する工程と、
前記揮発性保護剤を溶融・揮発させる工程と、を有することを特徴とするダイシング方法。