JP5018423B2 - Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板および半導体デバイス - Google Patents

Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板および半導体デバイス Download PDF

Info

Publication number
JP5018423B2
JP5018423B2 JP2007300460A JP2007300460A JP5018423B2 JP 5018423 B2 JP5018423 B2 JP 5018423B2 JP 2007300460 A JP2007300460 A JP 2007300460A JP 2007300460 A JP2007300460 A JP 2007300460A JP 5018423 B2 JP5018423 B2 JP 5018423B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nitride semiconductor
group iii
iii nitride
semiconductor crystal
resistivity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007300460A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009126722A (ja
Inventor
拓司 岡久
智博 川瀬
智喜 上村
志行 西岡
聡 荒川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP2007300460A priority Critical patent/JP5018423B2/ja
Priority to TW097144554A priority patent/TWI429797B/zh
Priority to US12/273,101 priority patent/US8698282B2/en
Priority to RU2008145802/28A priority patent/RU2008145802A/ru
Priority to EP08020196.5A priority patent/EP2065491B1/en
Priority to KR1020080115148A priority patent/KR101444954B1/ko
Priority to CN2008101777695A priority patent/CN101442030B/zh
Publication of JP2009126722A publication Critical patent/JP2009126722A/ja
Priority to US12/719,719 priority patent/US20100164070A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5018423B2 publication Critical patent/JP5018423B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H10D62/85—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group III-V materials, e.g. GaAs
    • H10D62/8503—Nitride Group III-V materials, e.g. AlN or GaN
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

本発明は、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板および半導体デバイスに関する。
窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体材料はシリコン（Ｓｉ）の約３倍の大きなバンドギャップ、シリコンの約１０倍の高い絶縁破壊電界、さらに大きな飽和電子速度などの優れた特性を有することから、無線通信分野における高周波・高出力デバイス用材料として活発に研究開発が進められており、既に携帯電話基地局用デバイスでは実用化の段階に入っている。また最近では、従来のＳｉパワーデバイスでは困難な高耐圧化と低損失化、つまり低オン抵抗化との両立が期待できるため、電力用パワーデバイスへの応用についても着目されている。オン抵抗の理論値は絶縁破壊電界の３乗に反比例することから、窒化ガリウムを用いたパワーデバイスではシリコンを用いたデバイスの約１／１０００の超低オン抵抗化の可能性がある。このため、窒化ガリウム結晶などのＩＩＩ族窒化物半導体結晶は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）等の光デバイスやトランジスタ等の電子デバイスの材料として注目されている。
このようなＩＩＩ族窒化物半導体結晶として、たとえば、特開２００６−１９３３４８号公報（特許文献１）には、比抵抗が１×１０4Ω・ｃｍ以上のＩＩＩ族窒化物半導体基板が開示されている。このＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法において、ＨＶＰＥ（Hydride Vapor Phase Epitaxy：ハイドライド気相成長）法、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金属化学気相堆積）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy：分子線エピタキシ）法などの気相成長法により、不純物元素としてシリコン（Ｓｉ）のドーピング原料として、ジクロロシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）、テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ4：四塩化珪素）を用いてＩＩＩ族窒化物半導体をエピタキシャル成長させることが記載されている。
また、特表２００７−５１９５９１号公報（特許文献２）には、１×１０6ｃｍ-2未満の平均密度と、２５％未満の転位密度標準偏差比率とを有する単結晶窒化ガリウムが開示されている。この単結晶窒化ガリウムの製造方法において、シリコンのドーピング原料としてシラン（ＳｉＨ4）などが用いられていることが記載されている。
また、特開２００５−１０１４７５号公報（特許文献３）には、少なくとも基板の最表面ではキャリア濃度分布が実質的に均一であることを特徴としたＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体基板が開示されている。このＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体基板の製造方法において、ＨＶＰＥ法によって、ドーピング原料としてジクロロシランが用いられていることが記載されている。
特開２００６−１９３３４８号公報 特表２００７−５１９５９１号公報 特開２００５−１０１４７５号公報
ＩＩＩ族窒化物半導体結晶をＨＶＰＥ法、ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法などの気相成長法で成長させる際に、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶のｎ型導電性を制御するためには、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶中のｎ型不純物（ドーパント）の濃度を制御する必要がある。ｎ型不純物としてのシリコンをドーピングするために上記特許文献１〜３でドーピングガスとして用いられているシラン、ジクロロシランは、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長温度では、下地基板に到達する前に分解して、反応管に吸着される場合がある。
また、上記特許文献１〜３で用いられているドーピングガスは、窒素ガスやアンモニアガスと反応してＳｉxＮy（窒化シリコン）系化合物（ｘおよびｙは任意の整数）を生成してしまう場合がある。
シリコンを供給するためのドーピングガスが下地基板に到達する前に上記のように分解または反応すると、ドーピングガス中のシリコンの濃度を制御することが困難であった。その結果、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶に取り込まれるシリコンの濃度が変動してしまい、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶に取り込まれるシリコンの濃度を調整できなかった。したがって、シリコンをドーパントとしたＩＩＩ族窒化物半導体結晶の抵抗率を制御することが困難であるという問題があった。特に、ＨＶＰＥ法の場合には、反応管全体が加熱されるため、ドーピングガスの分解や他のガスとの反応が著しく生じるので、この問題はさらに顕著であった。
また、ドーピングガスの熱分解や原料ガスなどとの反応を防止するために、ドーピングガスを高速で供給することが考えられる。しかし、高速でドーピングガスを供給すると、下地基板に供給されるドーピングガスの濃度分布が悪くなり、成長させるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の抵抗率の面内分布が著しく悪くなるという問題があった。
このように、抵抗率が制御されず、抵抗率の高いＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を用いて半導体デバイスを製造すると、オン抵抗などの特性が悪くなるという問題がある。
また、抵抗率の面内分布の悪いＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を用いて半導体デバイスを製造すると、この半導体デバイスのオン抵抗などの特性がばらつくため、歩留まりが悪いという問題があった。
したがって、本発明の一の目的は、抵抗率を低くでき、かつ抵抗率の面内分布の悪化を防止できるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を提供することである。
また本発明の他の目的は、特性の悪化を防止でき、かつ歩留まりを向上できる半導体デバイスを提供することである。
本発明者は、シリコンのドーピング条件を鋭意研究した結果、ドーピングガスとして四フッ化珪素ガスを用いること、または、ドーピングガスとして四塩化珪素ガスを用いてＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の成長速度を２００μｍ／ｈ以上２０００μｍ／ｈ以下とすること等により、シリコンをドーピングする際に、ドーピングガスが分解することを防止し、かつ、ドーピングガスが他のガスとの反応自体を抑制する、または反応の影響を小さくできることを見出した。このため、下記のように、抵抗率の制御を容易にすることにより抵抗率を低くでき、かつ抵抗率の面内分布の悪化を防止できるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を得た。
すなわち、本発明のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板は、２５ｍｍ以上１６０ｍｍ以下の直径を有するＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板である。ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の抵抗率が１×１０-4Ωｃｍ以上０．１Ωｃｍ以下である。ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の直径方向の抵抗率の分布が−２０％以上２０％以下である。ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の厚さ方向の抵抗率の分布が−１０％以上１０％以下である。
本発明のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板によれば、抵抗率が０．１Ωｃｍ以下であるので、低オン抵抗、高耐圧などの特性を向上した電子デバイス、発光デバイスなどの半導体デバイスに用いられるｎ型基板として好適に用いられる。一方、抵抗率が１×１０-4Ωｃｍ以上であるので、高濃度のシリコンがドーピングされる必要がないので、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長時におけるピットや欠陥の発生が抑制され、かつ割れの発生が抑制されている。
なお、直径が２５ｍｍ以上の場合、成長された面において異なる面方位の発生が防止されるので、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の結晶性が良好である。また１６０ｍｍ以下の直径を有する下地基板の入手が容易であるため、１６０ｍｍ以下の直径を有する窒化物半導体結晶基板が容易に得られる。
本発明のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板においては、直径方向の抵抗率の分布が−２０％以上２０％以下であり、厚さ方向の抵抗率の分布が−１０％以上１０％以下である。
これにより、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を用いて半導体デバイスを作製したときの特性のばらつきをより抑制できるので、歩留まりをより向上できる。
上記ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板において好ましくは、２ｍｍ以上１６０ｍｍ以下の厚さを有する。
厚さが２ｍｍ以上の場合、このＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を必要な厚さにスライスすることによって、所望の厚さを有する複数のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板が得られる。厚さが１６０ｍｍ以下の場合、設備上の理由からＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板が容易に製造されるため、コストを低減できる。
上記ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板において好ましくは、１００μｍ以上１０００μｍ以下の厚さを有する。
厚さが１００μｍ以上の場合、ハンドリングする際に割れが発生することが防止されたＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板が得られる。厚さが１０００μｍ以下の場合、半導体デバイスに好適に用いることができ、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１枚当たりの製造コストを低減できる。
上記ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板において好ましくは、抵抗率が１×１０-3Ωｃｍ以上８×１０-3Ωｃｍ以下である。
抵抗率が１×１０-3Ωｃｍ以上の場合、シリコンが高濃度にドーピングされる必要がないので、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長時におけるピットや欠陥の発生がより抑制され、かつ割れの発生がより抑制されている。抵抗率が８×１０-3Ωｃｍ以下の場合、電子デバイス、発光デバイスなどの半導体デバイスに用いられるｎ型基板としてより好適に用いられる。
上記ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板において好ましくは、シリコンの濃度が５×１０16ｃｍ-3以上５×１０20ｃｍ-3以下であり、より好ましくは３×１０18ｃｍ-3以上５×１０19ｃｍ-3以下である。
シリコンの濃度が５×１０16ｃｍ-3以上の場合、取り込まれるシリコンの濃度が制御されやすい。シリコンの濃度が３×１０18ｃｍ-3以上の場合、取り込まれるシリコンの濃度をより容易に制御できる。一方、シリコンの濃度が５×１０20ｃｍ-3以下の場合、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長時におけるピットや欠陥の発生が抑制され、かつ割れの発生が抑制され得る。シリコンの濃度が５×１０19ｃｍ-3以下の場合、結晶性のより良好なＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板が得られる。
上記ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板において好ましくは、転位密度が１×１０7ｃｍ-2以下である。
これにより、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を電子デバイス、発光デバイスなどの半導体デバイスに用いると、電気特性および光特性などの特性を安定させることができる。
上記ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板において好ましくは、主面が（０００１）面、（１−１００）面、（１１−２０）面および（１１−２２）面のうちのいずれか１つの面に対して−５度以上５度以下の角度を有する。
これにより、この主面上に、結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体結晶をさらに成長させることができる。そのため、より良好な特性の半導体デバイスが得られる。
上記ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板において好ましくは、Ｘ線回折におけるロッキングカーブの半値幅（ＦＷＨＭ：Full Width at Half Maximum）が１０ａｒｃｓｅｃ以上５００ａｒｃｓｅｃ以下である。
これにより、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板上に、結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体結晶をさらに成長させることができる。そのため、より良好な特性の半導体デバイスが得られる。
上記ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板において好ましくは、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板はＡｌxＩｎyＧａ(1-x-y)Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）結晶よりなる。また、上記ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板において好ましくは、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板は窒化ガリウム結晶よりなる。
これにより、非常に有用なＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させることができる。
本発明の半導体デバイスは、上記いずれかのＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板と、このＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板上に形成されたエピタキシャル層とを備えている。
本発明の半導体デバイスによれば、抵抗率の面内分布が抑制されたＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を用いているので、特性のばらつきを抑制できることから、歩留まりを向上できる。また、低い抵抗率を有するＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を用いているので、低オン抵抗、高耐圧などの特性を悪化を防止できる。
なお、本明細書において、「ＩＩＩ族」とは、旧ＩＵＰＡＣ（The International Union of Pure and Applied Chemistry）方式のＩＩＩＢ族を意味する。すなわち、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶とは、Ｂ（ホウ素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）およびＴＩ（タリウム）の少なくとも１つの元素と、窒素とを含む半導体結晶を意味する。また、「ドーピングガス」とは、不純物（ドーパント）をドーピングするためのガスを意味する。
本発明のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板によれば、抵抗率を低くでき、かつ抵抗率の面内分布の悪化を防止できる。
また本発明の半導体デバイスによれば、特性の悪化を防止でき、かつ歩留まりを向上できる。
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照符号を付しその説明は繰り返さない。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を示す概略斜視図であり、図２は概略上面図である。図１および図２を参照して、本発明の一実施の形態におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を説明する。図１および図２に示すように、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０は、シリコンが不純物としてドーピングされたＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２（図４参照）からなり、主面１０ａを有している。
図１および図２に示すように、本実施の形態におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０は、２５ｍｍ以上１６０ｍｍ以下、好ましくは４５ｍｍ以上１３０ｍｍ以下の直径Ｒを有している。直径Ｒが２５ｍｍ以上の場合、主面１０ａにおいて異なる面方位の発生が防止されているので、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０の結晶性が良好になる。直径Ｒが４５ｍｍ以上の場合、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０の結晶性がより良好になる。一方、直径Ｒが１６０ｍｍの場合、下地基板の入手が容易であるため、コストを低減できる。直径Ｒが１３０ｍｍ以下の場合、コストをより低減できる。
ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０は、２ｍｍ以上１６０ｍｍ以下、好ましくは６ｍｍ以上５０ｍｍ以下の厚さＤ１０を有している。厚さＤ１０が２ｍｍ以上の場合、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０を所望の厚さにスライス加工することによって、所望の厚さを有する複数のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板が得られる。厚さＤ１０が６ｍｍ以上の場合、１枚のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０から所望の厚さを有するより多くの枚数のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板が得られるので、コストを低減できる。一方、厚さＤ１０が１６０ｍｍ以下の場合、設備上の理由からＩＩＩ族窒化物半導体結晶が容易に成長されるため、コストを低減できる。厚さＤ１０が５０ｍｍ以上の場合、コストをより低減できる。
ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０の抵抗率は、１×１０-4Ωｃｍ以上０．１Ωｃｍ以下であり、好ましくは１×１０-3Ωｃｍ以上１×１０-2Ωｃｍ以下であり、より好ましくは１×１０-3Ωｃｍ以上８×１０-3Ωｃｍ以下である。抵抗率が１×１０-4Ωｃｍ以上の場合、シリコンが高濃度にドーピングされる必要がないので、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶が成長される際にピットや欠陥の発生が抑制され、かつ割れの発生が抑制されている。１×１０-3Ωｃｍ以上の場合、ピット、欠陥および割れの発生がより抑制されている。一方、抵抗率が０．１Ωｃｍ以下の場合、発光デバイス、電子デバイスに好適に用いられる。１×１０-2Ωｃｍ以下の場合、発光デバイスや発光デバイス、特にパワーデバイスに用いられるｎ型基板としてより好適に用いられる。８×１０-3Ωｃｍ以下の場合、発光デバイスや電子デバイス、特にパワーデバイスに用いられるｎ型基板としてより一層好適に用いられる。
上記「抵抗率」とは、たとえば、以下の方法によって測定された値である。まず、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０の主面１０ａを研磨およびドライエッチングを行なう。そして、図２に示す９点のドットのように、任意の直径Ｒ１において中央近傍（１点）、両端近傍（２点）、および中央と両端との間（２点）の５点と、この直径Ｒ１に直交する直径Ｒ２において両端近傍（２点）、および両端と中央との中央近傍（２点）の４点との合計９点において、室温にて四探針法によりそれぞれ抵抗率を測定する。この９点の抵抗率の平均値を算出する。主面１０ａについて抵抗率を測定する方法を説明したが、他の面について抵抗率を測定してもよい。たとえば主面１０ａおよび主面１０ａと反対側の面１０ｂの略中央を厚さ方向にスライス加工することにより、主面１０ａに平行な一の面を形成する。この一の面内において、同様に９点の抵抗率を測定することにより、抵抗率の平均値を算出してもよい。また、主面１０ａと交差する方向に面において、同様に９点の抵抗率を測定することにより、その平均値を算出してもよい。
ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０における直径方向の抵抗率の分布は、−３０％以上３０％以下であり、好ましくは−２０％以上２０％以下であり、より好ましくは−１７％以上１７％以下である。−３０％以上３０％以下の場合、このＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０を用いて半導体デバイスを作製すると、直径方向の性能のばらつきが抑制され、歩留まりを向上できる。−２０％以上２０％以下の場合、半導体デバイスを作製したときの性能のばらつきが抑制され、歩留まりを向上できる。−１７％以上１７％以下の場合、半導体デバイスを作製したときの性能のばらつきがより抑制され、歩留まりをより向上できる。
上記「直径方向の抵抗率の分布」とは、たとえば、以下の方法によって測定された値である。まず、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０の主面１０ａを研磨およびドライエッチングを行なう。そして、図２に示す９点のドットのように、任意の直径Ｒ１において中央近傍（１点）、両端近傍（２点）、および中央と両端との間（２点）の５点と、この直径Ｒ１に直交する直径Ｒ２において両端近傍（２点）、および両端と中央との中央近傍（２点）の４点との合計９点において、室温にて四探針法によりそれぞれ抵抗率を測定する。この９点の抵抗率の平均値を算出する。９点のそれぞれの抵抗率のうち、（最大値−平均値）／平均値で求まる値を直径方向の抵抗率の分布の上限値とし、（最小値−平均値）／平均値で求まる値を直径方向の抵抗率の分布の下限値とする。なお、本実施の形態では主面１０ａについて直径方向の抵抗率の分布を測定する方法を説明したが、他の面について直径方向の抵抗率の分布を測定してもよい。
ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０における厚さ方向の抵抗率の分布は、−１６％以上１６％以下であり、好ましくは−１０％以上１０％以下であり、より好ましくは−９％以上９％以下である。−１６％以上１６％以下である場合、このＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を用いて半導体デバイスを作製すると、厚さ方向の性能のばらつきを抑制でき、歩留まりを向上できる。−１０％以上１０％の場合、半導体デバイスを作製したときの性能のばらつきが抑制され、歩留まりを向上できる。−９％以上９％以下の場合、半導体デバイスを作製したときの性能のばらつきがより抑制され、歩留まりをより向上できる。
上記「厚さ方向の抵抗率の分布」とは、たとえば、以下の方法によって測定された値である。まず、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０の主面１０ａを研磨およびドライエッチングを行なう。そして、図１に示す５点のドットのように、任意の厚さにおいて主面１０ａ近傍（１点）および主面１０ａと反対側の面１０ｂ近傍（１点）、主面１０ａと反対側の面１０ｂとの間の３点との合計５点において、室温にて四探針法によりそれぞれ抵抗率を測定する。この５点の抵抗率の平均値を算出する。５点のそれぞれの抵抗率のうち、（最大値−平均値）／平均値で求まる値を厚さ方向の抵抗率の分布の上限値とし、（最小値−平均値）／平均値で求まる値を厚さ方向の抵抗率の分布の下限値とする。
ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２中のシリコンの濃度は、好ましくは５×１０16ｃｍ-3以上５×１０20ｃｍ-3以下であり、より好ましくは３×１０18ｃｍ-3以上５×１０19ｃｍ-3以下である。シリコンの濃度が５×１０16ｃｍ-3以上の場合、実効的にシリコンが取り込まれるので、取り込まれるシリコンの濃度が制御されやすく、高い濃度のシリコンを含有するＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０が得られる。シリコンの濃度が３×１０18ｃｍ-3以上の場合、取り込まれるシリコンの濃度がより容易に制御される。一方、シリコンの濃度が５×１０20ｃｍ-3以下の場合、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長時におけるピットや欠陥の発生が抑制され、かつ割れの発生が抑制され得る。５×１０19ｃｍ-3以下の場合、結晶性がより良好である。
上記「シリコンの濃度」とは、たとえば、以下の方法によって測定された値である。まず、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０の主面１０ａを研磨およびドライエッチングを行なう。そして、図２に示す９点のドットのように、任意の直径Ｒ１において中央近傍（１点）、両端近傍（２点）、および中央と両端との間（２点）の５点と、この直径Ｒ１に直交する直径Ｒ２において両端近傍（２点）、および両端と中央との中央近傍（２点）の４点との合計９点において、室温にてＳＩＭＳ（Secondary Ion-microprobe Mass Spectrometer：二次イオン質量分析法）によりそれぞれシリコンの濃度を測定する。この９点のシリコンの濃度の平均値を算出する。なお、主面１０ａについてシリコンの濃度を測定する方法を説明したが、他の面の９点について測定してもよく、また２以上の面を組み合わせた任意の９点についてシリコン濃度を測定してもよい。
ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０の転位密度は、好ましくは１×１０7ｃｍ-2以下であり、より好ましくは１×１０6ｃｍ-2以下である。転位密度が１×１０7ｃｍ-2以下の場合、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０を電子デバイスに用いると電気特性を向上でき、発光デバイスに用いると光特性を向上できるなど、より良好な特性の半導体デバイスが得られる。１×１０6ｃｍ-2以下の場合、半導体デバイスに用いる際に性能をより向上できる。転位密度は低い程好ましいが、下限値はたとえば１×１０3ｃｍ-2以上である。１×１０3ｃｍ-2以上の場合、低コストでＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０を作製できる。
上記「転位密度」とは、摂氏３５０度のＫＯＨ−ＮａＯＨ（水酸化カリウム−水酸化ナトリウム）混合融液中に窒化物半導体結晶を浸し、エッチングされた表面についてノマルスキー顕微鏡または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてカウントされたエッチピット数から求められるエッチピット密度（Etch Pit Density）とする。
ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０中の酸素の濃度は、５×１０16ｃｍ-3以下、好ましくは２×１０16ｃｍ-3以下である。本実施の形態では酸素を含むガスがドーピングガスとして用いられていないが、この場合であっても、反応管内に含まれる酸素により、成長されたＩＩＩ族窒化物半導体結晶にドーパントとして酸素が取り込まれる。酸素はシリコンと同じｎ型ドーパントであるが、ｃ面へ取り込まれる効率が悪く、特に面方位によって取り込まれる効率が異なるなど、ｎ型のドーパントとしての制御性が悪い。そのため、５×１０16ｃｍ-3以下の濃度まで酸素が取り込まれることを防止できると、ｎ型キャリア濃度としてシリコンが支配的になる。その結果、シリコンの濃度が制御されることによって、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２のキャリア濃度を制御することができる。酸素の濃度はより好ましくは２×１０16ｃｍ-3以下とすることでさらに結晶性を良好にできる。なお、酸素濃度は低い程好ましいが、下限値はたとえばＳＩＭＳ分析の検出下限により測定可能な５×１０15ｃｍ-3以上である。
ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０の主面１０ａは、（０００１）面、（１−１００）面、（１１−２０）面および（１１−２２）面のうちのいずれか１つの面に対して−５度以上５度以下の角度を有することが好ましい。このような主面１０ａ上には、結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体結晶をさらに形成することができる。そのため、電子デバイスに用いると電気特性を向上でき、発光デバイスに用いると光特性を向上できるなど、より良好な特性の半導体デバイスが得られる。
なお、個別面を（）で示している。また、負の指数については、結晶学上、”−”（バー）を数字の上に付けることになっているが、本明細書中では、数字の前に負の符号を付けている。
ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０のＸ線回折におけるロッキングカーブの半値幅は、好ましくは１０ａｒｃｓｅｃ以上５００ａｒｃｓｅｃ以下であり、より好ましくは２０ａｒｃｓｅｃ以上１００ａｒｃｓｅｃ以下である。５００ａｒｃｓｅｃ以下の場合、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０の主面１０ａ上に、結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体結晶をさらに成長させることができるため、より良好な特性の半導体デバイスが得られる。１００ａｒｃｓｅｃ以下の場合、主面１０ａ上に結晶性のより良好なＩＩＩ族窒化物半導体結晶をさらに成長させることができる。１０ａｒｃｓｅｃ以上の場合、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０を構成するＩＩＩ族窒化物半導体結晶が容易に成長されるため、コストを低減できる。２０ａｒｃｓｅｃ以上の場合、コストをより低減できる。
上記「ロッキングカーブの半値幅」とは、ＸＲＤ（X-ray diffraction：Ｘ線回折法）により（０００４）面のロッキングカーブ半値幅を測定した値を意味し、面内配向性を示す指標となる。ロッキングカーブの半値幅が小さいほど結晶性が良好であることを示す。
ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０を構成するＩＩＩ族窒化物半導体結晶は、ＡｌxＩｎyＧａ(1-x-y)Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）結晶であることが好ましく、窒化ガリウム結晶であることがより好ましい。
図３は、本発明の実施の形態１におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法を示すフローチャートである。図４は、本発明の実施の形態１におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させた状態を示す模式図である。続いて、図３および図４を参照して、本実施の形態におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の製造方法を説明する。まず、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を構成するＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法について説明する。
始めに、図３および図４に示すように、下地基板１１を準備する（ステップＳ１）。下地基板１１は、その上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させるための基板である。
準備する工程（ステップＳ１）では、シリコン、サファイア（Ａｌ2Ｏ3）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、窒化ガリウムおよび窒化アルミニウム（ＡｌＮ）よりなる群から選ばれた一種以上を有する材質からなる下地基板１１を準備することが好ましい。または、下地基板１１としてＭｇ2Ａｌ2Ｏ4などのスピネル型結晶基板を準備することが好ましい。格子定数の差を小さくするために、下地基板１１は成長させるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２と同じ組成であることがより好ましい。なお、窒化ガリウム基板としては、たとえば特開２００１−１０２３０７号公報などに記載の単結晶窒化ガリウム基板を用いることができる。
準備する下地基板１１は２５ｍｍ以上１６０ｍｍ以下、好ましくは４５ｍｍ以上１３０ｍｍ以下の直径を有している。下地基板１１の直径が２５ｍｍ以上の場合、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０を構成するＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を異なる面方位の面上に成長させることを防止できるので、良好な結晶性のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させることができる。下地基板１１の直径が４５ｍｍ以上の場合、より良好な結晶性のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させることができる。一方、下地基板１１の直径が１６０ｍｍ以下の場合、入手が容易であるためコストを低減できる。下地基板１１の直径が１３０ｍｍ以下の場合、コストをより低減できる。
次に、気相成長法により下地基板１１上に、シリコンをドーピングしたＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させる（ステップＳ２）。ドーピングガスとして、たとえば四フッ化珪素ガスを用いることができ、本実施の形態では四フッ化珪素ガスのみを用いている。
成長させる方法は、気相成長法であれば特に限定されず、たとえばＨＶＰＥ法、ＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法などによりＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させる。本実施の形態では、ＨＶＰＥ法によりＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させている。ＨＶＰＥ法は、結晶成長速度が速いため、成長時間を制御することによって、大きな厚さＤ１２を有するＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させることができる。
図５は、本発明の実施の形態１におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法に用いるＨＶＰＥ装置を示す概略図である。ここで、図５を参照して、本実施の形態におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法に用いるＨＶＰＥ装置１００ａについて説明する。図５に示すように、ＨＶＰＥ装置１００ａは、第１原料ガスボンベ１０１と、ドーピングガスボンベ１０２と、第２原料ガスボンベ１０３と、第１ガス導入管１０４と、ドーピングガス導入管１０５と、第２ガス導入管１０６と、ソースボート１０７と、サセプタ１０８と、ヒータ１０９と、反応管１１０と、排気管１１１と、排ガス処置装置とを備えている。ＨＶＰＥ装置１００ａは、たとえば横型反応管としている。なお、ＨＶＰＥ装置１００ａは、縦型反応管であってもよい。
反応管１１０は、内部に下地基板１１を保持して、その下地基板１１上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させるための容器である。反応管１１０は、たとえば石英反応管などを用いることができる。第１原料ガスボンベ１０１、第２原料ガスボンベ１０３およびソースボート１０７には、成長させるＩＩＩ族窒化物半導体結晶を構成する元素を含む原料がそれぞれ供給される。ドーピングガスボンベ１０２には、ドーパントであるシリコンを含むガスが充填されている。本実施の形態では、ドーピングガスボンベ１０２には、ドーピングガスとして四フッ化珪素ガスが充填されている。第１ガス導入管１０４、ドーピングガス導入管１０５および第２ガス導入管１０６は、第１原料ガスＧ１、ドーピングガスＧ２および第２原料ガスＧ３の各々を反応管１１０の外部から内部へ導入するために反応管１１０に設けられている。ソースボート１０７は、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の金属原料を収容保持し、第２ガス導入管１０６内に配置されている。
サセプタ１０８は、下地基板１１を保持している。反応管１１０内においてサセプタ１０８により下地基板１１が保持されている面が第１ガス導入管１０４、ドーピングガス導入管１０５および第２ガス導入管１０６の下方に位置するように、サセプタ１０８が配置されている。サセプタ１０８は、反応管１１０の内部で横置きに配置されている。なお、サセプタ１０８は、下地基板１１を縦向きに配置するように構成されていてもよい。また、ＨＶＰＥ装置１００ａは、下地基板１１の抵抗加熱ヒータなど加熱用の局所加熱機構をさらに備えていてもよい。
ヒータ１０９は、反応管１１０の外部に配置され、反応管１１０の内部を全体的にたとえば７００℃以上１５００℃以下に加熱する能力を有している。排気管１１１は、反応後のガスを反応管１１０の外部に排出するために、反応管１１０に設けられている。排ガス処置装置は、排気管１１１から排出される反応後のガスを環境への負荷を減らすように除害するように構成されている。
成長させる工程（ステップＳ２）では、具体的には、図５に示すように、まず、準備した下地基板１１をサセプタ１０８に保持させる。このとき複数枚の下地基板１１をサセプタ１０８に保持させてもよい。
次に、第１原料ガスＧ１および第２原料ガスＧ３をそれぞれ充填した第１原料ガスボンベ１０１および第２原料ガスボンベ１０３を準備する。また、ソースボート１０７に金属原料を供給する。第１原料ガスＧ１、第２原料ガスＧ３および金属原料は、成長させるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の原料である。成長させるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２が窒化ガリウムである場合には、第１原料ガスとしてたとえばアンモニア（ＮＨ3）ガス、第２原料ガスとしてたとえば塩化水素（ＨＣｌ）ガス、ソースボート１０７に供給される金属原料としてたとえばガリウム（Ｇａ）を用いることができる。また、たとえば四フッ化珪素ガスを内部に充填したドーピングガスボンベ１０２を準備する。
その後、ソースボート１０７を加熱する。そして、第２ガス導入管１０６から供給される第２原料ガスＧ３と、ソースボート１０７の原料とを反応させて反応ガスＧ７を生成する。第１ガス導入管１０４から供給される第１原料ガスＧ１と、ドーピングガスＧ２と、反応ガスＧ７とを下地基板１１の表面に当たるように流して（供給して）反応させる。このとき、これらのガスを下地基板１１に運搬するためのキャリアガスを用いてもよい。キャリアガスは、たとえば窒素（Ｎ2）ガス、水素（Ｈ2）ガスおよびアルゴン（Ａｒ）ガスなどの不活性ガスを用いることができる。
ＨＶＰＥ法では、ヒータ１０９を用いて、反応管１１０の内部をＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２が適切な速度で成長する温度に加熱する。ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させる温度は、好ましくは９００℃以上１３００℃以下であり、より好ましくは１０５０℃以上１２００℃以下である。９００℃以上でＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させる場合、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の欠陥の発生を防止でき、かつ成長させる面方位と異なる面方位（たとえばｃ面の場合にはピットなど）が発生することを抑制できる。すなわち、成長させる面方位に対して、安定して良好な結晶性のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させることができる。１０５０℃以上でＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させる場合、結晶性をより良好にできる。一方、１３００℃以下でＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させる場合、成長させるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２が分解することを抑制できるので、その結晶性の劣化を抑制できる。１２００℃以下でＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させる場合には、結晶性の劣化をより抑制される。
ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の成長時における四フッ化珪素ガスの分圧は、２．０×１０-7ａｔｍ以上１．０×１０-5ａｔｍ以下であることが好ましい。四フッ化珪素ガスの分圧が２．０×１０-7ａｔｍ以上の場合、ｎ型ドーパントとしてのシリコンが十分にＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２に取り込まれる。一方、四フッ化珪素ガスの分圧が１．０×１０-5ａｔｍ以下である場合、ＳｉxＮy（窒化シリコン）系化合物の生成をより抑制できるため、シリコンをドーピングする制御性をより良好にできる。また、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２にドーピングされるシリコンの濃度を考慮すると、四フッ化珪素ガスの分圧は１．０×１０-5ａｔｍ以下である。なお、原料ガス、キャリアガスおよびドーピングガスなどの反応管１１０内に含まれるガスのそれぞれの分圧の合計（全体）が１ａｔｍである。四フッ化珪素ガスの濃度は、分圧に比例する。
第１原料ガスＧ１の流量、第２原料ガスＧ３の流量、またはソースボート１０７内の原料の量などを調整することにより、成長させるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の厚さを適宜変更できる。ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の厚さＤ１２は、たとえば１００μｍ以上１１００μｍ以下となるように成長させることが好ましい。ＨＶＰＥ法は、結晶成長速度が大きいため、成長させる時間を制御することによって、大きな厚さを有するＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させることができる。厚さＤ１２を１００μｍ以上とすると、各種半導体デバイスの基板として単独で用いることができるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０を製造するためのＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を容易に成長できる。また、厚さＤ１２を１１００μｍ以下とすると、後述する少なくとも下地基板１１を除去する（ステップＳ３）ことにより、上述した厚さＤ１０を有するＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０が得られる。
成長させる工程（ステップＳ２）では、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２中のシリコンの濃度が好ましくは５×１０16ｃｍ-3以上５×１０20ｃｍ-3以下、より好ましくは３×１０18ｃｍ-3以上５×１０19ｃｍ-3以下になるようにドーピングガスを下地基板１１に供給する。シリコンの濃度が５×１０16ｃｍ-3以上の場合、ドーピングガスＧ２の濃度を制御することによってＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２に取り込まれるシリコンの濃度を制御しやすい。シリコンの濃度が３×１０18ｃｍ-3以上の場合、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２に取り込まれるシリコンの濃度をより容易に制御できる。一方、シリコンの濃度が５×１０20ｃｍ-3以下の場合、成長時のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２においてピットや欠陥の発生を抑制でき、かつ割れの発生を抑制できる。シリコンの濃度が５×１０19ｃｍ-3以下の場合、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２のピットや欠陥の発生を抑制でき、かつ割れの発生を抑制できる。
成長させる工程（ステップＳ２）では、抵抗率が１×１０-4Ωｃｍ以上０．１Ωｃｍ以下、好ましくは１×１０-3Ωｃｍ以上１×１０-2Ωｃｍ以下、より好ましくは１×１０-3Ωｃｍ以上８×１０-3Ωｃｍ以下となるようにＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させる。抵抗率が１×１０-4Ωｃｍ以上の場合、高濃度のシリコンをドーピングする必要がないので、不純物が取り込まれることによりＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２が脆くなることを抑制できる。その結果、ピットや欠陥の発生を抑制され、かつ割れの発生を抑制されたＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させることができる。１×１０-3Ωｃｍ以上の場合、ピット、欠陥および割れの発生をより抑制されたＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させることができる。一方、抵抗率が０．１Ωｃｍ以下の場合、電子デバイスや発光デバイスに好適に用いられるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させることができる。１×１０-2Ωｃｍ以下の場合、電子デバイスや発光デバイス、特にパワーデバイスにより好適に用いられるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させることができる。８×１０-3Ωｃｍ以下の場合、電子デバイスや発光デバイス、特にパワーデバイスにより一層好適に用いられるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させることができる。
また、直径方向の抵抗率の分布は、−３０％以上３０％以下であり、好ましくは−２０％以上２０％以下であり、より好ましくは−１７％以上１７％以下となるようにＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させる。−３０％以上３０％以下である場合、半導体デバイスを作製する際に、直径方向の性能のばらつきを抑制でき、歩留まりを向上できるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長できる。−２０％以上２０％以下の場合、半導体デバイスを作製したときの性能のばらつきがより抑制され、歩留まりをより向上できる。−１７％以上１７％以下の場合、半導体デバイスを作製したときの性能のばらつきがより一層抑制され、歩留まりをより一層向上できる。
また、厚さ方向の抵抗率の分布は、−１６％以上１６％以下であり、好ましくは−１０％以上１０％以下であり、より好ましくは−９％以上９％以下以下となるようにＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させる。−１６％以上１６％以下である場合、半導体デバイスを作製する際に用いると、厚さ方向の性能のばらつきを抑制でき、歩留まりを向上できるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長できる。−１０％以上１０％以下である場合、半導体デバイスを作製する際に用いると、厚さ方向の性能のばらつきをより抑制でき、歩留まりをより向上できるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長できる。−９％以上９％以下以下の場合、半導体デバイスを作製したときの性能のばらつきがより一層抑制され、歩留まりをより一層向上できるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長できる。
また、成長させる工程（ステップＳ２）では、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２がＡｌxＩｎyＧａ(1-x-y)Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）結晶であることが好ましく、窒化ガリウム結晶であることがより好ましい。これにより非常に有用なＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させることができる。
また、成長させる工程（ステップＳ２）では、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２中の酸素の濃度が５×１０16ｃｍ-3以下になるようにドーピングガスを下地基板１１に供給することが好ましい。本実施の形態では酸素を含むガスをドーピングガスとして用いていない。しかし、この場合であっても、反応管１１０内に含まれる酸素により、成長させるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２に酸素が取り込まれる。酸素はシリコンと同じｎ型ドーパントであるが、ｃ面への取り込み効率が悪く、特に面方位によって取り込み効率が異なるなど、ｎ型のドーパントとしての制御性が悪い。そのため、酸素の濃度が好ましくは５×１０16ｃｍ-3以下、より好ましくは２×１０16ｃｍ-3以下にまで酸素の混入を防止できると、成長させるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の抵抗率の制御を安定して行なうことができる。なお、酸素の濃度は低い程好ましいが、下限値はたとえばＳＩＭＳ分析の検出下限により測定可能な５×１０15ｃｍ-3以上である。
また、成長させる工程（ステップＳ２）では、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２中の転位密度が好ましくは１×１０7ｃｍ-2以下であり、より好ましくは１×１０6ｃｍ-2以下になるようにＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させる。転位密度が１×１０7ｃｍ-2以下の場合、電子デバイスに用いると電気特性を向上でき、発光デバイスに用いると光特性を向上できるなど、より良好な特性の半導体デバイスが得られるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長できる。１×１０6ｃｍ-2以下の場合、半導体デバイスに用いる際に性能をより向上できるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長できる。なお、転位密度は低い程好ましいが、下限値はたとえば１×１０3ｃｍ-2以上である。１×１０3ｃｍ-2以上の場合、低コストでＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させることができる。
また、成長させる工程（ステップＳ２）では、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の主面が（０００１）面、（１−１００）面、（１１−２０）面および（１１−２２）面のうちのいずれか１つの面に対して−５度以上５度以下の角度を有するようにＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させることが好ましい。このような主面上には、結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体結晶をさらに形成することができる。そのため、電子デバイスに用いると電気特性を向上でき、発光デバイスに用いると光特性を向上できるなど、より良好な特性の半導体デバイスが得られる。
また、成長させる工程（ステップＳ２）では、Ｘ線回折におけるロッキングカーブの半値幅が好ましくは１０ａｒｃｓｅｃ以上５００ａｒｃｓｅｃ以下、より好ましくは２０ａｒｃｓｅｃ以上１００ａｒｃｓｅｓ以下になるようにＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させる。５００ａｒｃｓｅｃ以下の場合、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２上に、結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体結晶をさらに成長させることができるため、より良好な特性の半導体デバイスが得られる。１００ａｒｃｓｅｓ以下の場合、この上に結晶性のより良好なＩＩＩ族窒化物半導体結晶をさらに成長させることができる。１０ａｒｃｓｅｃ以上の場合、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２が容易に成長されるため、コストを低減できる。２０ａｒｃｓｅｓ以上の場合、コストをより低減できる。
次に、ヒータ１０９による加熱を中止して、ソースボート１０７、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２および下地基板１１の温度を室温程度まで降下させる。その後、下地基板１１およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を反応管１１０から取り出す。
以上より、図４に示す下地基板１１上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させることができる。
図６は、本発明の実施の形態１における少なくとも下地基板を除去した状態を示す模式図である。
次に、図６に示すように、少なくとも下地基板１１を除去して、厚さＤ１０が１００μｍ以上のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２よりなるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０を形成する（ステップＳ３）。
ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２と下地基板１１との界面付近は、結晶性が良好でないことが多い。そのため、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２において結晶性が良好でない部分をさらに除去することにより、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０を製造することが好ましい。これにより、図６に示すように、主面１０ａおよび主面１０ａと反対側の面１０ｂを有するＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０が得られる。
除去する方法としては、たとえば切断または研削などの方法を用いることができる。なお、切断とは、電着ダイヤモンドホイールの外周刃を持つスライサーやワイヤーソーなどで、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２から少なくとも下地基板１１を機械的に分割（スライス）することをいう。研削とは、ダイヤモンド砥石を持つ研削設備などで、少なくとも下地基板１１を機械的に削り取ることをいう。
ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２から除去される面は、下地基板１１の表面に平行な面に限定されず、たとえばその表面に対して任意の傾きを有する面がスライスされてもよい。ただし、主面１０ａは上述したように、（０００１）面、（１−１００）面、（１１−２０）面および（１１−２２）面のうちのいずれか１つの面に対して−５度以上５度以下の角度を有することが好ましい。
また、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０の主面１０ａおよび主面１０ａと反対側の面１０ｂについて、研磨や表面処理などをさらに実施してもよい。研磨する方法および表面処理方法については特に限定されず、任意の方法を採用できる。
以上の工程（ステップＳ１〜Ｓ３）を実施することによって、図１および図２に示すＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０を製造できる。すなわち、抵抗率が１×１０-4Ωｃｍ以上０．１Ωｃｍ以下であり、直径方向の抵抗率の分布が−３０％以上３０％以下であり、厚さ方向の抵抗率の分布が−１６％以上１６％以下であるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０が得られる。
（変形例１）
次に、図７および図８を参照して、本実施の形態の変形例１におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の製造方法を説明する。図７は、本発明の実施の形態１の変形例１におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させた状態を示す模式図である。図８は、本発明の実施の形態１の変形例１における少なくとも下地基板を除去した状態を示す模式図である。
図７に示すように、本変形例におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法は、基本的には実施の形態１におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法と同様であるが、成長させる工程（ステップＳ２）において２層のＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させる点においてのみ異なる。
具体的には、図７に示すように、上述した実施の形態１により、気相成長法により下地基板１１上に、四フッ化珪素ガスをドーピングガスとして用いることによりシリコンをドーピングしたＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を第１のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２ａとする。その後、同様に、第１のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２ａ上に、四フッ化珪素ガスをドーピングガスとして用いることによりシリコンをドーピングした第２のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２ｂを成長させる。これにより、図７に示す下地基板１１と、下地基板１１上に形成された第１のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２ａと、第１のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２ａ上に形成された第２のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２ｂとが得られる。
次に、図８に示すように、少なくとも下地基板１１を除去して、厚さＤ１０が１００μｍ以上の第１および第２のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２ａ、１２ｂの少なくともいずれか一方よりなるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を製造する。本変形例では、第１のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２ａおよび第２のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２ｂの一部を除去することにより、第２のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２ｂからなるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を製造している。この場合、第１のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２ａを下地基板１１と格子定数をあわせるバッファ層とし、その上により結晶性を良好にした第２のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２ｂを成長させることによって、より結晶性が良好なＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０が得られる。
（変形例２）
図９を参照して、本実施の形態の変形例２におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の製造方法を説明する。図９は、本発明の実施の形態１の変形例２における少なくとも下地基板を除去した状態を示す模式図である。
図９に示すように、本変形例におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の製造方法は、基本的には変形例１におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法と同様であるが、少なくとも下地基板を除去する工程（ステップＳ３）において第１のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２ａの一部を除去することにより、第１および第２のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２ａ、１２ｂを含むＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０を製造している点においてのみ異なる。
本変形例のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０において、２層のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２ａ、１２ｂは、同じ組成であってもよく、異なる組成であってもよい。また、本発明のＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法は、１層または２層のＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させる方法に特に限定されず、３層以上のＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させてもよい。
以上説明したように、本実施の形態および変形例におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０は、抵抗率が１×１０-4Ωｃｍ以上０．１Ωｃｍ以下であり、直径方向の抵抗率の分布が−３０％以上３０％以下であり、厚さ方向の抵抗率の分布が−１６％以上１６％以下である。
本実施の形態およびその変形例では、シリコンをドーピングする際に、ドーピングガスが分解することを防止し、かつ、ドーピングガスが他のガスとの反応自体を抑制する条件として、シリコンをドーピングしたＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させる際に、四フッ化珪素ガスがドーピングガスとして用いてられている。四フッ化珪素ガスはシリコンをドーピングするための他のドーピングガスと比較して、そのガス自身が分解しにくく、かつＩＩＩ族窒化物半導体結晶の原料ガスおよびキャリアガスなどの他のガスと反応しにくい性質を有している。特に、シラン、ジシラン、クロロシラン、ジクロロシラン、モノクロロシランおよびテトラクロロシランは、Ｎ（窒素）の原料であるアンモニアガスと室温近傍の温度で反応するのに対して、四フッ化珪素ガスは、１２００℃まで昇温してもアンモニアガスと反応しない。これにより、四フッ化珪素ガスが下地基板１１に到達する前に分解してシリコンが下地基板１１以外の箇所に吸着することや、四フッ化珪素ガス中のシリコンが反応によりＳｉxＮy（窒化シリコン）系化合物（ｘおよびｙは任意の整数）を生成することを抑制できる。そのため、ドーピングガスとしての四フッ化珪素ガスの濃度を制御することによって、ドーパントとして働くシリコンの濃度を容易に制御できる。その結果、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２中に取り込まれるシリコンの量を一定に制御しやすい。したがって、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の抵抗率の制御が容易である。
また、四フッ化珪素ガス中のシリコンの量の制御が容易であるので、四フッ化珪素ガスを下地基板１１に高速で供給する必要がない。そのため、成長させるために適切な流速でドーピングガスを供給することにより第１のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させることができるので、ドーピングガスを下地基板１１に均一に供給できる。そのため、成長させるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の抵抗率の面内分布が悪化することを防止できる。
したがって、本実施の形態およびその変形例におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０によれば、抵抗率の制御を容易にすることにより抵抗率が低くされ、かつ抵抗率の面内分布の悪化が防止されたＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を用いている。このため、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０の抵抗率は０．１Ωｃｍ以下であるので、低オン抵抗、高耐圧などの特性を向上した電子デバイスや発光デバイスに用いられるｎ型基板として好適に用いられる。一方、抵抗率が１×１０-4Ωｃｍ以上であるので、高濃度のシリコンがドーピングされる必要がないので、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長時におけるピットや欠陥の発生が抑制され、かつ割れの発生が抑制されている。また、直径方向の抵抗率の分布が−３０％以上３０％以下で、かつＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の厚さ方向の抵抗率の分布が−１６％以上１６％以下である場合、このＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を用いて半導体デバイスを作製するときの特性のばらつきが抑制できるので、歩留まりを向上できる。
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板は、図１および図２に示す実施の形態１のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０と同様である。本実施の形態におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の製造方法において、実施の形態１におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の製造方法と異なる。
具体的には、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の製造方法において、ドーピングガスとして四塩化珪素ガスを用いてＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させる点において実施の形態１と異なる。
詳細には、気相成長法により下地基板１１上に、四塩化珪素ガスをドーピングガスとして用いることによりシリコンをドーピングしたＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させる（ステップＳ２）。本実施の形態では、ドーピングガスは、四塩化珪素ガスのみを用いている。以下、実施の形態１と異なる点を詳述する。
ドーピングガスが四塩化珪素ガスの場合、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の成長速度は、２００μｍ／ｈ以上２０００μｍ／ｈ以下であり、好ましくは３００μｍ／ｈ以上６００μｍ／ｈ以下である。ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の成長速度が２００μｍ／ｈ以上である場合、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の成長表面に微細なＳｉxＮy層が形成されても、ＳｉxＮy層の成長速度よりもＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の成長速度が十分に大きいので、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２がそのＳｉxＮy層を埋め込むように形成される。このため、ＳｉxＮy層が形成される影響を抑えることができるので、四塩化珪素ガスの濃度を制御することによって、ドーパントであるシリコンの濃度の制御が容易となる。その結果、取り込まれるシリコンの濃度を一定に制御しやすい。したがって、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の抵抗率の制御が容易である。ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の成長速度が３００μｍ／ｈ以上である場合、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の抵抗率の制御がより容易である。一方、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の成長速度が２０００μｍ／ｈ以下である場合、成長させるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の結晶性の劣化が抑制される。ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の成長速度が６００μｍ／ｈ以下である場合、成長させるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の結晶性の劣化がより抑制される。
ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の成長時における四塩化珪素ガスの分圧は、１×１０-6ａｔｍ以上２×１０-4ａｔｍ以下であることが好ましい。四塩化珪素ガスの分圧が１×１０-6ａｔｍ以上の場合、ｎ型ドーパントとしてのシリコンが十分にＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２に取り込まれる。一方、四塩化珪素ガスの分圧が２×１０-4ａｔｍ以下である場合、ＳｉxＮy（窒化シリコン）系化合物の生成をより抑制できるため、シリコンをドーピングする制御性をより良好にできる。また、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２にドーピングされるシリコンの濃度を考慮すると、四塩化珪素ガスの分圧は１．０×１０-5ａｔｍ以下である。なお、原料ガス、キャリアガスおよびドーピングガスなどの反応管１１０内に含まれるガスのそれぞれの分圧の合計（全体）が１ａｔｍである。四塩化珪素ガスの濃度は、分圧に比例する。
ドーピングガスＧ２の供給速度は、１００ｃｍ／分以上１０００ｃｍ／分以下が好ましく、２５０ｃｍ／分以上５００ｃｍ／分以下であることがより好ましい。この範囲内にすると、供給するドーピングガスＧ２の濃度分布のばらつきを抑制できる。
以上より、図４に示す下地基板１１上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させることができる。このＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を用いて、実施の形態１と同様にＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を製造する。これにより、抵抗率が１×１０-4Ωｃｍ以上０．１Ωｃｍ以下であり、直径方向の抵抗率の分布が−３０％以上３０％以下であり、厚さ方向の抵抗率の分布が−１６％以上１６％以下であるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板が得られる。
なお、これ以外のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の成長方法およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の製造方法は、実施の形態１におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の成長方法およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０の製造方法の構成と同様であるので、同一の部材には同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。
また、本実施の形態の製造方法は実施の形態１だけでなくその変形例にも適用することができる。
また、図６および図７に示す実施の形態１の変形例１におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の成長方法において、第１のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２ａは、１×１０17ｃｍ-3以下の相対的に低いシリコン濃度を有し、第２のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２ｂは、１×１０17ｃｍ-3を超える相対的に高いシリコン濃度を有していることが好ましい。この場合、ＳｉxＮy膜が形成されることにより成長が阻害されることが防止された第２のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２ｂが得られる。
（変形例）
図１０は、実施の形態２の変形例におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法に用いる別のＨＶＰＥ装置を示す概略図である。図１０に示すように、ＨＶＰＥ装置１００ｂは、上述したＨＶＰＥ装置１００ａと基本的には同様の構成を備えているが、ドーピングガス導入管１０５の径が小さい点、およびドーピングガス導入管１０５と第２ガス導入管１０６とを出口側で連結させている点においてのみ異なる。
このＨＶＰＥ装置１００ｂでは、ドーピングガス導入管１０５の径が小さいため、ドーピングガスＧ２の流速が高くなる。良好な抵抗率の面内分布を維持できる程度のドーピングガスＧ２の流速を実現するようにドーピングガス導入管１０５の径が設定されている。
またドーピングガス導入管１０５と第２ガス導入管１０６とを連結させることにより、ドーピングガスＧ２を第１原料ガスＧ１に接触させるタイミングが遅れる。このＨＶＰＥ装置１００ｂでは、領域ＡにおいてドーピングガスＧ２を第１原料ガスＧ１に曝される時間を短縮している。第２原料ガスＧ３がドーピングガスと反応性が低く、かつ第１原料ガスＧ１がドーピングガスＧ２との反応性の高いガスである場合には、ドーピングガスＧ２が第１原料ガスＧ１と反応することを抑制できる。そのため、供給するシリコン濃度の制御性を高めることができる。このため、図１０に示すＨＶＰＥ装置１００ｂを用いて、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させることが好ましい。特に、ドーピングガスに四塩化珪素を用いる場合には、図１０に示すＨＶＰＥ装置１００ｂが好適に用いられる。
また、このＨＶＰＥ装置１００ｂ内でＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させる場合には、ドーピングガスＧ２の供給速度を２５０ｃｍ／分以上にすることが非常に好ましい。この場合、ＨＶＰＥ装置１００ｂにおいて領域Ａを８００℃以上の高温領域にしたときに、領域ＡでのドーピングガスＧ２の熱分解を抑制できる。
なお、本変形例の製造方法は実施の形態２だけでなく実施の形態１およびその変形例にも適用することができる。
以上説明したように、本実施の形態およびその変形例では、シリコンをドーピングする際に、ドーピングガスが分解されることを防止し、かつ、ドーピングガスが他のガスとの反応の影響を小さくする条件として、シリコンをドーピングしたＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させる際に、四塩化珪素ガスがドーピングガスとして用いられ、かつＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０を構成するＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の成長速度を２００μｍ／ｈ以上２０００μｍ／ｈ以下にしている。四塩化珪素ガスは、シリコンをドーピングするためのシラン、ジシラン、トリクロロシラン、ジクロロシラン、モノクロロシランなどの他のガスと比較して、そのガス自身が分解しにくい。そのため、四塩化珪素ガスが下地基板１１に到達する前に分解してシリコンが下地基板１１以外の箇所に吸着することを防止できる。
また、四塩化珪素ガスがＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の第１の原料ガスＧ１およびキャリアガスなどの他のガスと反応してＳｉxＮy層が生成した場合であっても、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の成長速度をたとえば２００μｍ／ｈ以上とする。これにより、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の成長表面に微細なＳｉxＮy層が形成されても、ＳｉxＮy層の成長速度よりもＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の成長速度が十分に大きいので、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶がＳｉxＮy層を埋め込むように横方向にも成長する。このため、ＳｉxＮy層が形成される影響を抑えることができるので、四塩化珪素ガスの濃度を制御することによって、ドーパントであるシリコンの濃度の制御が容易となる。その結果、取り込まれるシリコンの濃度を一定に制御しやすい。したがって、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の抵抗率の制御が容易であるので、抵抗率を低減できる。
このように、四塩化珪素ガス中のシリコンの濃度の制御が容易であるので、四塩化珪素ガスを下地基板１１に高速で供給する必要がない。そのため、適切な流速で四塩化珪素ガスを供給することにより第１のＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させることができるので、ドーピングガスとしての塩化珪素ガスを下地基板に均一に供給できる。したがって、成長させるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の抵抗率の面内分布が悪化することを防止できる。
このため、本実施の形態におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板は、抵抗率の制御を容易にすることにより抵抗率が低くされ、かつ抵抗率の面内分布の悪化が防止されたＩＩＩ族窒化物半導体結晶を用いているので、抵抗率が１×１０-4Ωｃｍ以上０．１Ωｃｍ以下であり、直径方向の抵抗率の分布が−３０％以上３０％以下であり、厚さ方向の抵抗率の分布が−１６％以上１６％以下が得られる。
（実施の形態３）
図１１は、本発明の実施の形態３におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を示す概略斜視図である。図１１を参照して、本実施の形態におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を説明する。
図１１に示すように、本実施の形態におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａは、基本的には図１に示す実施の形態１におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０と同様であるが、１００μｍ以上１０００μｍ以下の厚さＤ２０ａを有している点においてのみ異なる。
ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａの厚さＤ２０ａは１００μｍ以上１０００μｍ以下であり、好ましくは６０μｍ以上３００μｍ以下の厚さＤ２０ａを有している。厚さＤ２０ａが１００μｍ以上の場合、ハンドリングする際に割れが発生することが防止されたＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａが得られる。厚さＤ２０ａが６０μｍ以上の場合、割れの発生がより防止されたＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａが得られる。一方、厚さＤ２０ａが１０００μｍ以下の場合、半導体デバイスに好適に用いることができるととともに、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａの１枚当たりの製造コストを低減できる。厚さＤ２０ａが３００μｍ以下の場合、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａの１枚当たりの製造コストをより低減できる。
また、本実施の形態の「厚さ方向の抵抗率の分布」は、以下の方法によって測定された値である。具体的には、任意の厚さにおいて主面１０ａ近傍（１点）および主面１０ａと反対側の面１０ｂ近傍（１点）との合計２点において、室温にて四探針法によりそれぞれ抵抗率を測定する。この２点の抵抗率の平均値を算出する。２点のそれぞれの抵抗率のうち、（最大値−平均値）／平均値で求まる値を直径方向の抵抗率の分布の上限値とし、（最小値−平均値）／平均値で求まる値を直径方向の抵抗率の分布の下限値とする。
図１２は、本発明の実施の形態３におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の製造方法を示すフローチャートである。続いて、図１２を参照して、本実施の形態におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法について説明する。
図１２に示すように、まず、上述した実施の形態１におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の成長方法（ステップＳ１、Ｓ２）にしたがって、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させる。次に、実施の形態１と同様に、少なくとも下地基板１１を除去する（ステップＳ３）。これにより、実施の形態１におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０を製造する。
次に、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を厚さ方向にスライス加工することにより、厚さが１００μｍ以上１０００μｍ以下の複数枚のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２よりなるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａ〜２０ｍを形成する（ステップＳ４）。
図１３は、本発明の実施の形態３におけるスライス加工する状態を示す模式図である。図１３に示すように、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０を所望の厚さの所望の複数枚のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａ〜２０ｍに加工する。スライス加工する方法は特に限定されず、たとえば電着ダイヤモンドホイールの外周刃を持つスライサーやワイヤーソーなどを用いて行なう。
（変形例）
図１４は、本発明の実施の形態３の変形例におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の製造方法を示す模式図である。図１４に示すように、本変形例におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の製造方法は、基本的には実施の形態３におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の製造方法と同様であるが、工程の順序が異なる点においてのみ異なる。
具体的には、実施の形態１と同様にＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の成長方法を実施することによって、下地基板１１上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させる。次に、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を厚さ方向にスライス加工することにより、厚さが１００μｍ以上１０００μｍ以下の複数枚のＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２よりなるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａ〜２０ｍを形成する（ステップＳ４）。この結果、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２から少なくとも下地基板１１が除去される（ステップＳ３）。すなわち、下地基板１１を除去する前にＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａ〜２０ｍをスライス加工している。
なお、これ以外のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａの構成および製造方法は、実施の形態１におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０の構成およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０の製造方法の構成と同様であるので、同一の部材には同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。
また、本実施の形態および変形例は、実施の形態１だけでなく実施の形態１の変形例、実施の形態２およびその変形例にも適用することができる。
以上説明したように、本実施の形態およびその変形例におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａは、上記ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａの製造方法により得られるので、抵抗率が１×１０-4Ωｃｍ以上０．１Ωｃｍ以下であり、直径方向の抵抗率の分布が−３０％以上３０％以下であり、厚さ方向の抵抗率の分布が−１６％以上１６％以下である。
このように、本実施の形態およびその変形例におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａによれば、不純物としてシリコンを含むＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａにおいて、シリコンをドーピングする際に、ドーピングガスが分解することを防止し、かつ、ドーピングガスが他のガスとの反応自体を抑制する、または反応の影響を小さくする条件で製造されている。このため、抵抗率の制御を容易にして抵抗率を低くできるとともに、抵抗率の面内分布の悪化を抑制したＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａ〜２０ｍが得られる。
なお、実施の形態１、その変形例１および２、実施の形態２およびその変形例では、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０、２０ａの厚さＤ１０、Ｄ２０ａおよび直径Ｒを上記範囲としたが、本発明のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０は、厚みについては特に限定されない。また、実施の形態１、その変形例１および２、実施の形態２およびその変形例で説明したＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０の製造方法に特に限定されない。
また、厚さ方向の抵抗率の分布の測定する試料の数は、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２またはＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０の厚さが２ｍｍ以上の場合は５点であり、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２の厚さが２ｍｍ未満の場合は２点である。
（実施の形態４）
図１５は、本発明の実施の形態４における半導体デバイスを示す概略断面図である。図１５に示すように、本実施の形態における半導体デバイスとしてのショットキーバリアダイオード（Schottky Barrier Diode：ＳＢＤ）は、実施の形態３におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａと、エピタキシャル層としてのドリフト層３１と、ショットキー電極３２と、オーミック電極３３とを備えている。
ドリフト層３１は、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａ上に形成されている。ショットキー電極３２は、ドリフト層３１上に形成されている。オーミック電極３３は、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａにおいてドリフト層３１が形成された面と反対側の面に形成されている。
なお、本実施の形態では、実施の形態３のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａを備えたショットキーバリアダイオードを説明したが、実施の形態１および２のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０を備えていてもよい。
また、本実施の形態では、半導体デバイスの一例としてショットキーバリアダイオードを例に挙げて説明したが、特にこれに限定されない。半導体デバイスとしては、たとえば発光ダイオード、レーザダイオードなどの光デバイス、ショットキーバリアダイオード、整流器、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ、ＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor：高電子移動度トランジスタ）などの電子デバイス、温度センサ、圧力センサ、放射線センサ、可視−紫外光検出器などの半導体センサ、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave Device：表面弾性波素子）デバイス、振動子、共振子、発振器、ＭＥＭＳ部品、圧電アクチュエータなどが挙げられる。
以上説明したように、本実施の形態における半導体デバイスの一例であるショットキーバリアダイオード３０は、実施の形態３におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａを備えている。上述した実施の形態１、２およびその変形例におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０、２０ａ〜２０ｍは、抵抗率を低くできるとともに、抵抗率の面内分布の悪化を防止できる。抵抗率の面内分布が抑制されたＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０、２０ａ〜２０ｍを用いているので、特性のばらつきを抑制できることから、歩留まりを向上できる。また、低い抵抗率を有するＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１０、２０ａ〜２０ｍを用いているので、低オン抵抗、高耐圧などの特性を向上できる。
［実施例１］
本実施例では、本発明のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を製造するための条件について調べた。具体的には、実施の形態３にしたがって試料１〜１８のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を製造し、その抵抗率、直径方向および厚さ方向の抵抗率の分布、シリコンの濃度を測定するとともに表面状態を観察した。
（試料１〜１８）
まず、１０５ｍｍの直径および４００μｍの厚さを有する窒化ガリウムからなる下地基板１１を準備した（ステップＳ１）。下地基板１１の主面は（０００１）面とした。
次に、気相成長法としてＨＶＰＥ法により下地基板１１上に、下記の表１に記載のドーピングガスを用いて、シリコンをドーピングしたＩＩＩ族窒化物半導体結晶として窒化ガリウム結晶を成長させた（ステップＳ２）。
ステップＳ２では、図５に示すＨＶＰＥ装置１００ａを用いて、窒化ガリウム結晶を成長させた。第１原料ガスＧ１としてアンモニアガスを、第２原料ガスＧ３として塩化水素ガスを、ドーピングガスＧ２として表１に記載のガスを、キャリアガスとして純度が９９．９９９％以上の水素を準備した。第１ガス導入管１０４、第２ガス導入管１０６およびドーピングガス導入管１０５のそれぞれから、キャリアガスを反応管１１０の内部に導入し、ヒータ１０９の温度を１１００℃に上昇させた。その後、ソースボート１０７にガリウムを供給して、ソースボート１０７を加熱した。
第２ガス導入管１０６から供給される塩化水素ガスとソースボート１０７のガリウムとを、Ｇａ＋ＨＣｌ→ＧａＣｌ＋１／２Ｈ2のように反応させることにより、反応ガスＧ７としてＧａＣｌ（塩化ガリウム）ガスを生成した。
次いで、第１ガス導入管１０４から供給される第１原料ガスＧ１としてアンモニアガスと、塩化ガリウムガスとを下地基板１１の窒化ガリウム結晶を成長させる表面に当たるようにキャリアガスとともに流して、その表面上で、ＧａＣｌ＋ＮＨ3→ＧａＮ＋ＨＣｌ＋Ｈ2のように反応させた。
窒化ガリウム結晶を成長させる条件として、窒化ガリウム結晶の成長速度、ドーピングガスの供給分圧およびドーピングガスの流速は下記の表１に記載のようにした。これにより、１０５ｍｍの直径および１０ｍｍの厚さを有する窒化ガリウム結晶からなるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２を成長させた。
次に、このＩＩＩ族窒化物半導体結晶１２としての窒化ガリウム結晶から下地基板を除去し（ステップＳ３）、さらに厚さ方向にスライス加工した（ステップＳ４）。その後、研削、研磨およびドライエッチング等の加工工程を実施して変質層を除去した。これにより、１００ｍｍの直径および４００μｍの厚さを有する窒化ガリウム結晶からなる１３枚のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板が得られた。この１３枚のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板のうち、厚さ方向において中央に位置するＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板（図１３においてＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ｇ）を試料１〜１８のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板とした。
（測定方法）
試料１〜１８の窒化ガリウム結晶基板について、抵抗率、直径方向の抵抗率の分布、厚さ方向の抵抗率の分布およびシリコン濃度をそれぞれ以下の方法により測定した。その結果を表１に示す。
試料１〜１８のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の主面について、表面を鏡面研磨した後に、ドライエッチング処理により研磨によるダメージ層を除去した。そして、ある直径における中央近傍（１点）、両端近傍（２点）、および中央と両端との間の中央近傍（２点）と、この直径に直交する直径において両端近傍（２点）、および両端と中央との間の中央近傍（２点）との合計９点を、室温にてそれぞれ四探針法により抵抗率を測定した。９点の平均値を抵抗率とした。また、（最大値−平均値）／平均値で求まる値を直径方向の抵抗率の分布の上限値とし、（最小値−平均値）／平均値で求まる値を直径方向の抵抗率の分布の下限値とした。表１において、たとえば「＜±２２」とは−２２％以上２２％以下の範囲を示す。
また、厚さ方向の抵抗率の分布は、以下の方法によって測定された値である。上述した方法と同様に、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の表面および裏面について表面研磨およびドライエッチングを行なった。そして、主面近傍（１点）および主面と反対側の面近傍（１点）の合計２点（すなわち、表面および裏面の２点）において、室温にて四探針法によりそれぞれ抵抗率を測定した。そして、この２点の抵抗率の平均値を算出した。また、２点のそれぞれの抵抗率のうち、（最大値−平均値）／平均値で求まる値を厚さ方向の抵抗率の分布の上限値とし、（最小値−平均値）／平均値で求まる値を厚さ方向の抵抗率の分布の下限値とした。表１において、たとえば「＜±１３」とは−１３％以上１３％以下の範囲を示す。
また、シリコンの濃度は、抵抗率の測定に用いた９点の測定用試料について、５ｍｍ角に切断し、この切断した測定用試料をＳＩＭＳによりシリコンの濃度を測定し、その平均値をシリコン濃度の平均値とした。
また、試料１〜１８における窒化ガリウム結晶基板の主面の表面状態をノルマルスキー顕微鏡により観察した。
Figure 0005018423
（測定結果）
表１に示すように、四フッ化珪素ガスをドーピングガスとして用いて窒化ガリウム結晶を成長させた試料１〜５の窒化ガリウム結晶基板は、抵抗率が１×１０-4Ωｃｍ以上０．１Ωｃｍ以下と低く、直径方向の抵抗率の分布が−１７％以上１７％以下とばらつきが低く、厚さ方向の抵抗率の分布が−９％以上９％以下とばらつきが低く、シリコンの濃度は５×１０16ｃｍ-3以上５×１０20ｃｍ-3以下と高い値であった。
また、四塩化珪素ガスをドーピングガスとして用い、かつ成長速度を２００（μｍ／ｈ）以上２０００（μｍ／ｈ）以下で窒化ガリウム結晶を成長させた試料６〜１２の窒化ガリウム結晶基板は、抵抗率が１×１０-4Ωｃｍ以上０．１Ωｃｍ以下と低く、直径方向の抵抗率の分布が−２７％以上２７％以下とばらつきが低く、厚さ方向の抵抗率の分布が−１６％以上１６％以下とばらつきが低く、シリコンの濃度は５×１０16ｃｍ-3以上５×１０20ｃｍ-3以下と高い値であった。
また、試料１〜１２の窒化ガリウム結晶基板を製造するための窒化ガリウム結晶は、成長表面に大きな凹凸がほとんど形成されず平坦であり、ピットの発生もなく、かつ単結晶であった。
一方、ジクロロシランをドーピングガスとして用いた試料１３〜１６は、抵抗率が０．１Ωｃｍを超える高い値となった。
試料１３の窒化ガリウムの成長速度と試料２の窒化ガリウム結晶の成長速度とは同じであり、かつ試料１３のドーピングガスの分圧および流速と試料２のドーピングガスの分圧および流速とは同じであったため、成長させる窒化ガリウム結晶中の抵抗率およびシリコン濃度は理論的には同じである。しかし、ジクロロシランをドーピングガスとして用いた試料１３の窒化ガリウム結晶基板の抵抗率は試料２よりも高く、かつシリコン濃度は試料２よりも低かった。この結果から、ジクロロシランをドーピングガスとして用いると、ジクロロシランが分解することや他のガスと反応することによって、成長させる窒化ガリウム結晶にドーパントとしてのシリコンが十分に取り込まれなかったことがわかった。
同様に、試料１４の窒化ガリウムの成長速度と試料１０の窒化ガリウム結晶の成長速度とは同じであり、かつ試料１４のドーピングガスの分圧および流速と試料１０のドーピングガスの分圧および流速とは同じであったため、成長させる窒化ガリウム結晶中の抵抗率およびシリコン濃度は理論的には同じである。しかし、ジクロロシランをドーピングガスとして用いた試料１４の窒化ガリウム結晶基板の抵抗率は試料１０よりも３桁以上高く、かつシリコン濃度は試料１０よりも低かった。
また、ジクロロシランをドーピングガスとして用い、抵抗率を低減するためにドーピングガスの流速を１５００ｃｍ／分に増加した試料１６は、抵抗率は０．０１３Ω・ｃｍに低減されたものの、供給されたドーピングガスの濃度分布が悪化したことから、直径方向および厚さ方向の抵抗率の分布が大きく、面内の抵抗率のばらつきが大きかった。
また、四塩化珪素をドーピングガスとして用い、成長速度を１００μｍ／ｈとした試料１７は、ＳｉxＮyの成長速度が窒化ガリウムの成長よりも支配的になったため、ＳｉxＮyが成長してしまい、成長表面に凹凸が発生し、ピットも生じ、多結晶になり、異常成長した。そのため、抵抗率、シリコン濃度、および抵抗率の分布の測定はできなかった。
また、四塩化珪素をドーピングガスとして用い、成長速度を３０００μｍ／ｈとした試料１８は、窒化ガリウムの成長速度が速すぎたため、表面に凹凸が発生し、ピットも生じ、多結晶も現れ、異常成長した。そのため、抵抗率、シリコン濃度、および抵抗率の分布の測定はできなかった。
以上より、本実施例によれば、四フッ化珪素ガスをドーピングとして用いる場合、または、四塩化珪素ガスをドーピングガスとして用い、かつ成長速度を２００（μｍ／ｈ）以上２０００（μｍ／ｈ）以下とする場合には、抵抗率を容易に制御できるとともに、抵抗率の面内分布の悪化を防止できるため、抵抗率が１×１０-4Ωｃｍ以上０．１Ωｃｍ以下であり、直径方向の抵抗率の分布が−３０％以上３０％以下であり、厚さ方向の抵抗率の分布が−１６％以上１６％以下であるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板が得られることが確認できた。
ここで、本実施例では、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶として窒化ガリウム結晶を成長させたが、これ以外のＩＩＩ族窒化物半導体結晶（Ｂ（ホウ素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）およびＴＩ（タリウム）のＩＩＩ族元素の少なくとも１種の元素を含むＩＩＩ族窒化物半導体結晶）を成長させた場合でも、同様の結果を有することを確認した。
［実施例２］
本実施例では、本発明のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を用いて製造された半導体デバイスの特性および歩留まりを向上する効果について調べた。具体的には、試料１〜５、１３〜１６のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を用いて実施の形態４で説明した図１５に示す試料１９〜２７のショットキーバリアダイオードを製造し、その基板面抵抗、特性オン抵抗、および歩留まりを測定した。
（試料１９〜２７）
まず、試料１〜５および試料１３〜１６のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａを準備した。次に、それぞれのＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａ上に、ＭＯＣＶＤ法により、ＩＩＩ族原料としてトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、Ｖ族原料としてアンモニア（ＮＨ3）、ドーピングガスとしてシラン（ＳｉＨ4）を用いて、ドリフト層３１として５μｍの厚みを有するｎ型ＧａＮ層を形成した。ドリフト層３１のキャリア濃度は５×１０15ｃｍ-3であった。
次に、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａと、この上に形成されたドリフト層３１とを備えたエピタキシャルウエハを、塩酸と純水とを１：１で混合した塩酸水溶液を用いて、室温で１分間、洗浄した。
次に、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａの裏面側にオーミック電極３３を形成した。具体的には、まず、エピタキシャルウエハを、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａにおいてドリフト層３１が形成された面と反対側の裏面を有機溶媒で洗浄した。その後、２０ｎｍのＴｉ（チタン）、１００ｎｍのＡｌ、２０ｎｍのＴｉおよび３００ｎｍのＡｕ（金）がこの順で裏面側に積層されるように、ＥＢ蒸着法（電子線蒸着法）により形成した。この積層した金属膜を形成した後に、６００℃で１分間、合金化を行った。これにより、平面形状において７００μｍの直径を有する円形のオーミック電極３３が形成された。
次に、ドリフト層３１上にショットキー電極３２を形成した。ショットキー電極３２は、５００ｎｍのＡｕよりなる膜を、抵抗加熱蒸着法により形成した。
以上の工程を実施することにより、試料１〜５、１３〜１６の１枚のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板より、それぞれ、試料１９〜２７の３６枚のショットキーバリアダイオードを作製した。１枚のショットキーバリアダイオードは、１ｍｍ角の平面形状と、４００μｍの厚みとを有していた。なお、この半導体デバイスは、特性オン抵抗と耐圧とのトレードオフが最良となるようにショットキーバリアダイオードのパラメータを制御した。
（測定方法）
試料１９〜２７のショットキーバリアダイオードについて、基板面抵抗、特性オン抵抗、特性オン抵抗内の基板面抵抗の割合、特性オン抵抗の面内分布、基板間の特性オン抵抗分布および歩留まりを測定した。これらの結果を下記の表２に記載する。
具体的には、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の抵抗率を四探針法により測定し、以下の式により基板面抵抗を求めた。
基板面抵抗（ｍΩ・ｃｍ2）＝抵抗率×厚さ
また、以下の式より特性オン抵抗が表される。
特性オン抵抗（ｍΩ・ｃｍ2）＝基板面抵抗＋ドリフト面抵抗＋電極面抵抗ドリフト面抵抗
ここで、特性オン抵抗は、ショットキーバリアダイオードのＩ−Ｖ（電流−電圧）特性より測定し、基板面抵抗は予め四探針測定により測定し、電極面抵抗はＴＬＭ（Transmission Line Model）法によって測定した。これより、ドリフト面抵抗も求められる。なお、ここではドリフト面抵抗を０．２（ｍΩ・ｃｍ2）、電極面抵抗を０．０５（ｍΩ・ｃｍ2）とした。
また、特性オン抵抗内の基板面抵抗の割合は、基板面抵抗を特性オン抵抗で除算した値（％）とした。
また、特性オン抵抗の面内分布は、面ないに作製したショットキーバリアダイオードの各Ｉ−Ｖ特性より測定した。
また、基板間の特性オン抵抗分布は、各基板の面内分布の平均値から、基板間の特性オン抵抗分布を測定した。
また、歩留まりは、３６枚のショットキーバリアダイオードの製造において、特性オン抵抗の目標値から１０％以内の特性を有する割合（％）を求めた。
Figure 0005018423
（測定結果）
表２に示すように、本発明のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を用いて製造された試料１９〜２３のショットキーバリアダイオードは、比較例のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を用いて製造されたショットキーバリアダイオードよりも、特性オン抵抗が４．２５Ω・ｃｍ2以下と低かった。
また、用いたＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の抵抗率が低い程、特性オン抵抗が低減し、かつ特性オン抵抗内の基板面抵抗の割合も低減した。このことから、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の抵抗率を低減することで、特性オン抵抗を低減でき、かつ抵抗率分布が半導体デバイス特性に与える影響も小さくなることがわかった。
また、特性オン抵抗の面内分布および基板間の特性オン抵抗分布についても、試料１９〜２３のショットキーバリアダイオードは、試料２４〜２７よりも低かったため、歩留まりが９２％以上と高かった。
特に、抵抗率が１×１０-3Ωｃｍで、直径方向の抵抗率の分布が−１７％以上１７％以下で、厚さ方向の抵抗率の分布が−８％以上８％以下の試料４のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を用いた試料２２、および、抵抗率が１×１０-4Ωｃｍで、直径方向の抵抗率の分布が−１７％以上１７％以下で、厚さ方向の抵抗率の分布が−９％以上９％以下の試料５のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を用いた試料２３は、特性オン抵抗を０．２９Ω・ｃｍ2以下に大きく低減でき、かつ歩留まりを１００％にまで向上することができた。
一方、抵抗率が０．１Ωｃｍを超えていた試料１３〜１５のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を用いて製造された試料２４〜２６のショットキーバリアダイオードは、特性オン抵抗が非常に高かった。
また直径方向の抵抗率の分布が−３０％以上３０％以下の範囲外であり、かつ厚さ方向の抵抗率の分布が−１６％以上１６％以下の範囲外である試料１６を用いて製造された試料２７のショットキーバリアダイオードは、歩留まりが非常に悪かった。
以上より、本実施例によれば、抵抗率が１×１０-4Ωｃｍ以上０．１Ωｃｍ以下であり、直径方向の抵抗率の分布が−３０％以上３０％以下であり、厚さ方向の抵抗率の分布が−１６％以上１６％以下である、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を用いて製造された半導体デバイスは、ばらつきが抑制された低い特性オン抵抗が得られるとともに、歩留まりを向上できることが確認できた。
［実施例３］
本実施例では、本発明のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を用いて製造された半導体デバイスの特性を向上する効果について調べた。具体的には、実施例２で製造した試料２０〜２３のショットキーバリアダイオードのオン抵抗および耐圧を測定した。
また、試料２０〜２３について、耐圧について測定した。具体的には、逆方向に電圧を印加して、電流と電圧との特性を測定し、逆方向電圧の増加に伴いリーク電流が増大する値を逆方向電圧とした。この結果を図１６に示す。
図１６は、実施例３における試料２０〜２３のショットキーバリアダイオードの特性オン抵抗と逆方向耐圧との関係を示す図である。図１６中、縦軸は特性オン抵抗（単位：Ω・ｃｍ2）を示し、横軸は耐圧（単位：Ｖ）を示す。また、図１６において、ＧａＮ−ｌｉｍｉｔ、ＳｉＣ−ｌｉｍｉｔおよびＳｉ−ｌｉｍｉｔとは、それぞれの材料において現在標準となっている理論限界値を示す。具体的には、図１７に示すように、ドリフト層のドリフト抵抗に対して、基板抵抗、電極抵抗など他の抵抗成分が無視できる程度に小さい場合には、オン抵抗が理論限界値になるため、このときのオン抵抗をそれぞれの理論限界値としている（たとえば、（１１）M,Razeghi and M.Henini, Optoelectronic Device:IIINitrides(Elsevir, Oxford, 2004), Chapter 12）。なお、図１７は、実施例３において理論限界値を説明するための図である。
（測定結果）
図１６に示すように、本発明例の試料２〜５のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を用いて製造したショットキーバリアダイオードは、特性オン抵抗が低く、かつ６００Ｖの高い耐圧を維持していた。
以上より、本実施例によれば、抵抗率が１×１０-4Ωｃｍ以上０．１Ωｃｍ以下であり、直径方向の抵抗率の分布が−３０％以上３０％以下であり、厚さ方向の抵抗率の分布が−１６％以上１６％以下である、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を用いて製造されたショットキーバリアダイオードは、低い特性オン抵抗および高い耐圧を維持できるなど特性を向上できることが確認できた。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明の実施の形態１における窒化ガリウム結晶基板を示す概略斜視図である。 本発明の実施の形態１における窒化ガリウム結晶基板を示す概略上面図である。 本発明の実施の形態１におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法を示すフローチャートである。 本発明の実施の形態１におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させた状態を示す模式図である。 本発明の実施の形態１におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法に用いるＨＶＰＥ装置を示す概略図である。 本発明の実施の形態１における少なくとも下地基板を除去した状態を示す模式図である。 本発明の実施の形態１の変形例１におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させた状態を示す模式図である。 本発明の実施の形態１の変形例１における少なくとも下地基板を除去した状態を示す模式図である。 本発明の実施の形態１の変形例２における少なくとも下地基板を除去した状態を示す模式図である。 本発明の実施の形態２におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法に用いる別のＨＶＰＥ装置を示す概略図である。 本発明の実施の形態３におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を示す概略斜視図である。 本発明の実施の形態３におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の製造方法を示すフローチャートである。 本発明の実施の形態３におけるスライス加工する状態を示す模式図である。 本発明の実施の形態３の変形例におけるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の製造方法を示す模式図である。 本発明の実施の形態４における半導体デバイスを示す概略断面図である。 実施例３における試料２０〜２３のショットキーバリアダイオードの特性オン抵抗と逆方向耐圧との関係を示す図である。 実施例３において理論限界値を説明するための図である。
符号の説明
１０，２０ａ〜２０ｍ ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板、１０ａ 主面、１０ｂ 面、１１ 下地基板、１２ 族窒化物半導体結晶、１２ａ 第１のＩＩＩ族窒化物半導体結晶、１２ｂ 第２のＩＩＩ族窒化物半導体結晶、３０ ショットキーバリアダイオード、３１ ドリフト層、３２ ショットキー電極、３３ オーミック電極、１００ａ，１００ｂ ＨＶＰＥ装置、１０１ 第１原料ガスボンベ、１０２ ドーピングガスボンベ、１０３ 第２原料ガスボンベ、１０４ 第１ガス導入管、１０５ ドーピングガス導入管、１０６ 第２ガス導入管、１０７ ソースボート、１０８ サセプタ、１０９ ヒータ、１１０ 反応管、１１１ 排気管、Ｇ１ 第１原料ガス、Ｇ２ ドーピングガス、Ｇ３ 第２原料ガス、Ｇ７ 反応ガス。

Claims (12)

  1. ２５ｍｍ以上１６０ｍｍ以下の直径を有するＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板であって、
    抵抗率が１×１０-4Ωｃｍ以上０．１Ωｃｍ以下であり、
    直径方向の抵抗率の分布が−２０％以上２０％以下であり、
    厚さ方向の抵抗率の分布が−１０％以上１０％以下である、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板。
  2. ２ｍｍ以上１６０ｍｍ以下の厚さを有する、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板。
  3. １００μｍ以上１０００μｍ以下の厚さを有する、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板。
  4. 抵抗率が１×１０-3Ωｃｍ以上８×１０-3Ωｃｍ以下である、請求項１〜３のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板。
  5. シリコンの濃度が５×１０16ｃｍ-3以上５×１０20ｃｍ-3以下である、請求項１〜４のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板。
  6. シリコンの濃度が３×１０18ｃｍ-3以上５×１０19ｃｍ-3以下である、請求項１〜５のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板。
  7. 転位密度が１×１０7ｃｍ-2以下である、請求項１〜６のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板。
  8. 主面が（０００１）面、（１−１００）面、（１１−２０）面および（１１−２２）面のうちのいずれか１つの面に対して−５度以上５度以下の角度を有する、請求項１〜７のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板。
  9. Ｘ線回折におけるロッキングカーブの半値幅が１０ａｒｃｓｅｃ以上５００ａｒｃｓｅｃ以下である、請求項１〜８のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板。
  10. ＡｌxＩｎyＧａ(1-x-y)Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）結晶よりなる、請求項１〜９のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板。
  11. 窒化ガリウム結晶よりなる、請求項１〜９のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板。
  12. 請求項１〜１１のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板と、
    前記ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板上に形成されたエピタキシャル層とを備えた、半導体デバイス。
JP2007300460A 2007-11-20 2007-11-20 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板および半導体デバイス Active JP5018423B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007300460A JP5018423B2 (ja) 2007-11-20 2007-11-20 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板および半導体デバイス
US12/273,101 US8698282B2 (en) 2007-11-20 2008-11-18 Group III nitride semiconductor crystal substrate and semiconductor device
TW097144554A TWI429797B (zh) 2007-11-20 2008-11-18 第 iii 族氮化物半導體結晶基板及半導體元件
EP08020196.5A EP2065491B1 (en) 2007-11-20 2008-11-19 Gallium nitride semiconductor crystal substrate and semiconductor device
RU2008145802/28A RU2008145802A (ru) 2007-11-20 2008-11-19 Полупроводниковая кристаллическая подложка нитрида iii группы и полупроводниковый прибор
KR1020080115148A KR101444954B1 (ko) 2007-11-20 2008-11-19 Ⅰⅰⅰ족 질화물 반도체 결정 기판 및 반도체 디바이스
CN2008101777695A CN101442030B (zh) 2007-11-20 2008-11-20 Ⅲ族氮化物半导体晶体基板和半导体器件
US12/719,719 US20100164070A1 (en) 2007-11-20 2010-03-08 Group III Nitride Semiconductor Crystal Substrate and Semiconductor Device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007300460A JP5018423B2 (ja) 2007-11-20 2007-11-20 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板および半導体デバイス

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009126722A JP2009126722A (ja) 2009-06-11
JP5018423B2 true JP5018423B2 (ja) 2012-09-05

Family

ID=40456253

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007300460A Active JP5018423B2 (ja) 2007-11-20 2007-11-20 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板および半導体デバイス

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8698282B2 (ja)
EP (1) EP2065491B1 (ja)
JP (1) JP5018423B2 (ja)
KR (1) KR101444954B1 (ja)
CN (1) CN101442030B (ja)
RU (1) RU2008145802A (ja)
TW (1) TWI429797B (ja)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5045388B2 (ja) * 2007-11-20 2012-10-10 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の成長方法およびｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板の製造方法
JP5045955B2 (ja) * 2009-04-13 2012-10-10 日立電線株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体自立基板
JP5251893B2 (ja) * 2010-01-21 2013-07-31 日立電線株式会社 導電性ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法及び導電性ｉｉｉ族窒化物基板の製造方法
JP2011199187A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Hitachi Cable Ltd 窒化ガリウム系半導体ダイオード
JP2011213557A (ja) * 2010-04-01 2011-10-27 Hitachi Cable Ltd 導電性ｉｉｉ族窒化物単結晶基板の製造方法
JP2012012292A (ja) * 2010-05-31 2012-01-19 Mitsubishi Chemicals Corp Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法、および該製造方法により得られるｉｉｉ族窒化物結晶、ｉｉｉ族窒化物結晶基板
JP5921089B2 (ja) * 2011-06-01 2016-05-24 三菱電機株式会社 エピタキシャルウエハの製造方法及び半導体装置の製造方法
CN103361735B (zh) * 2012-03-26 2017-07-28 北京通美晶体技术有限公司 一种iiia‑va族半导体单晶衬底及其制备方法
US9136337B2 (en) 2012-10-12 2015-09-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Group III nitride composite substrate and method for manufacturing the same, laminated group III nitride composite substrate, and group III nitride semiconductor device and method for manufacturing the same
CN104641453B (zh) 2012-10-12 2018-03-30 住友电气工业株式会社 Iii族氮化物复合衬底及其制造方法以及制造iii族氮化物半导体器件的方法
JP6322890B2 (ja) 2013-02-18 2018-05-16 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物複合基板およびその製造方法、ならびにｉｉｉ族窒化物半導体デバイスの製造方法
CN104995713A (zh) 2013-02-18 2015-10-21 住友电气工业株式会社 Iii族氮化物复合衬底及其制造方法,层叠的iii族氮化物复合衬底,以及iii族氮化物半导体器件及其制造方法
US9929310B2 (en) * 2013-03-14 2018-03-27 Applied Materials, Inc. Oxygen controlled PVD aluminum nitride buffer for gallium nitride-based optoelectronic and electronic devices
JP6330899B2 (ja) * 2013-03-27 2018-05-30 ベイジン トンメイ クリスタル テクノロジー カンパニー リミテッド 半導体基板中の制御可能な酸素濃度
JP5818853B2 (ja) 2013-10-15 2015-11-18 株式会社トクヤマ ｎ型窒化アルミニウム単結晶基板を用いた縦型窒化物半導体デバイス
JP6176069B2 (ja) 2013-11-13 2017-08-09 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物複合基板およびその製造方法、積層ｉｉｉ族窒化物複合基板、ならびにｉｉｉ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法
JP6688109B2 (ja) * 2016-02-25 2020-04-28 日本碍子株式会社 面発光素子、外部共振器型垂直面発光レーザー、および面発光素子の製造方法
DE102016111234B4 (de) * 2016-06-20 2018-01-25 Heraeus Noblelight Gmbh Vorrichtung für die thermische Behandlung eines Substrats sowie Trägerhorde und Substrat-Trägerelement dafür
JP6994835B2 (ja) 2017-03-03 2022-01-14 株式会社サイオクス 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板
JP6512369B1 (ja) * 2017-09-21 2019-05-15 住友電気工業株式会社 半絶縁性化合物半導体基板および半絶縁性化合物半導体単結晶
US10903389B2 (en) 2018-01-15 2021-01-26 Alliance For Sustainable Energy, Llc Hydride enhanced growth rates in hydride vapor phase epitaxy
JP7141849B2 (ja) * 2018-05-16 2022-09-26 株式会社サイオクス 窒化物結晶基板および窒化物結晶基板の製造方法
KR20260019663A (ko) * 2018-08-17 2026-02-10 미쯔비시 케미컬 주식회사 n 형 GaN 결정, GaN 웨이퍼, 그리고, GaN 결정, GaN 웨이퍼 및 질화물 반도체 디바이스의 제조 방법
JP7279875B2 (ja) * 2018-09-03 2023-05-23 国立大学法人京都大学 面発光レーザ素子及び面発光レーザ素子の製造方法
US12325931B2 (en) 2019-06-13 2025-06-10 Alliance For Sustainable Energy, Llc Nitrogen-enabled high growth rates in hydride vapor phase epitaxy

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0379769A (ja) 1989-08-19 1991-04-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 窒化ホウ素の作製方法
JPH0379770A (ja) 1989-08-19 1991-04-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 窒化ホウ素の作製方法
JP2623466B2 (ja) 1990-02-28 1997-06-25 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US5306662A (en) * 1991-11-08 1994-04-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Method of manufacturing P-type compound semiconductor
US6617235B2 (en) 1995-03-30 2003-09-09 Sumitomo Chemical Company, Limited Method of manufacturing Group III-V compound semiconductor
US7578582B2 (en) * 1997-07-15 2009-08-25 Silverbrook Research Pty Ltd Inkjet nozzle chamber holding two fluids
TW417315B (en) 1998-06-18 2001-01-01 Sumitomo Electric Industries GaN single crystal substrate and its manufacture method of the same
JP3279528B2 (ja) 1998-09-07 2002-04-30 日本電気株式会社 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の製造方法
JP2000138168A (ja) * 1998-10-29 2000-05-16 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウェーハ及び気相成長装置
JP4145437B2 (ja) 1999-09-28 2008-09-03 住友電気工業株式会社 単結晶ＧａＮの結晶成長方法及び単結晶ＧａＮ基板の製造方法と単結晶ＧａＮ基板
JP3659101B2 (ja) 1999-12-13 2005-06-15 富士ゼロックス株式会社 窒化物半導体素子及びその製造方法
DE10205323B4 (de) * 2001-02-09 2011-03-24 Fuji Electric Systems Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
US7355114B2 (en) * 2001-03-19 2008-04-08 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Solar cell and its manufacturing method
JP4734786B2 (ja) 2001-07-04 2011-07-27 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体基板、及びその製造方法
US6835947B2 (en) * 2002-01-31 2004-12-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Emitter and method of making
US7494904B2 (en) 2002-05-08 2009-02-24 Btu International, Inc. Plasma-assisted doping
US7786503B2 (en) 2002-12-27 2010-08-31 Momentive Performance Materials Inc. Gallium nitride crystals and wafers and method of making
TWI240969B (en) 2003-06-06 2005-10-01 Sanken Electric Co Ltd Nitride semiconductor device and method for manufacturing same
JP4423011B2 (ja) 2003-06-23 2010-03-03 日本碍子株式会社 高比抵抗ＧａＮ層を含む窒化物膜の製造方法
JP2005101475A (ja) 2003-08-28 2005-04-14 Hitachi Cable Ltd Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法
US7323256B2 (en) 2003-11-13 2008-01-29 Cree, Inc. Large area, uniformly low dislocation density GaN substrate and process for making the same
JP2005223243A (ja) 2004-02-09 2005-08-18 Hitachi Cable Ltd Ｉｉｉ族窒化物系半導体結晶の製造方法及びハイドライド気相成長装置
KR100541102B1 (ko) 2004-02-13 2006-01-11 삼성전기주식회사 오믹 접촉을 개선한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP4301564B2 (ja) * 2004-04-27 2009-07-22 株式会社山寿セラミックス 圧電性酸化物単結晶の帯電抑制処理方法、および帯電抑制処理装置
JP2005333090A (ja) * 2004-05-21 2005-12-02 Sumco Corp Ｐ型シリコンウェーハおよびその熱処理方法
JP4936653B2 (ja) * 2004-08-30 2012-05-23 京セラ株式会社 サファイア基板とそれを用いた発光装置
JP2006193348A (ja) * 2005-01-11 2006-07-27 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体基板およびその製造方法
JP4849296B2 (ja) 2005-04-11 2012-01-11 日立電線株式会社 ＧａＮ基板
US7405430B2 (en) * 2005-06-10 2008-07-29 Cree, Inc. Highly uniform group III nitride epitaxial layers on 100 millimeter diameter silicon carbide substrates
JP4529846B2 (ja) 2005-09-06 2010-08-25 日立電線株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法
JP4720441B2 (ja) * 2005-11-02 2011-07-13 日立電線株式会社 青色発光ダイオード用ＧａＮ基板
JP4187175B2 (ja) 2006-03-13 2008-11-26 国立大学法人東北大学 窒化ガリウム系材料の製造方法
US7518216B2 (en) * 2006-03-20 2009-04-14 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Gallium nitride baseplate, epitaxial substrate, and method of forming gallium nitride
JP5656401B2 (ja) 2006-05-08 2015-01-21 フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングＦｒｅｉｂｅｒｇｅｒ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｇｍｂｈ Ｉｉｉ−ｎバルク結晶及び自立型ｉｉｉ−ｎ基板の製造方法、並びにｉｉｉ−ｎバルク結晶及び自立型ｉｉｉ−ｎ基板
US8853065B2 (en) 2006-05-16 2014-10-07 Cree, Inc. Methods for fabricating semiconductor devices having reduced implant contamination
US7772097B2 (en) * 2007-11-05 2010-08-10 Asm America, Inc. Methods of selectively depositing silicon-containing films
JP5045388B2 (ja) * 2007-11-20 2012-10-10 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の成長方法およびｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板の製造方法
JP2009126723A (ja) 2007-11-20 2009-06-11 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の成長方法、ｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板

Also Published As

Publication number Publication date
RU2008145802A (ru) 2010-05-27
EP2065491B1 (en) 2019-06-19
EP2065491A2 (en) 2009-06-03
CN101442030B (zh) 2012-08-08
CN101442030A (zh) 2009-05-27
KR101444954B1 (ko) 2014-09-26
JP2009126722A (ja) 2009-06-11
US20100164070A1 (en) 2010-07-01
KR20090052288A (ko) 2009-05-25
TWI429797B (zh) 2014-03-11
EP2065491A3 (en) 2009-06-10
TW200946724A (en) 2009-11-16
US8698282B2 (en) 2014-04-15
US20090127662A1 (en) 2009-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101444954B1 (ko) Ⅰⅰⅰ족 질화물 반도체 결정 기판 및 반도체 디바이스
TW593800B (en) Oxygen doping method to gallium nitride single crystal substrate and oxygen-doped N-type gallium nitride freestanding single crystal substrate
JP2009126723A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の成長方法、ｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板
JP6422159B2 (ja) α−Ｇａ２Ｏ３単結晶、α−Ｇａ２Ｏ３の製造方法、および、それを用いた半導体素子
JP4714192B2 (ja) 窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハの製造方法およびエピウエハ
US8574364B2 (en) GaN-crystal free-standing substrate and method for producing the same
JP5045388B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の成長方法およびｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板の製造方法
CN1237795A (zh) 氮化镓单晶衬底及其制造方法
JP6618216B2 (ja) α−Ｇａ２Ｏ３単結晶、α−Ｇａ２Ｏ３の製造方法、および、それを用いた半導体素子
KR102785434B1 (ko) GaN 결정 및 기판
JP2020073424A (ja) α−Ｇａ２Ｏ３単結晶、その製造装置、および、それを用いた半導体素子
JP7775708B2 (ja) ＧａＮ基板ウエハおよびＧａＮ基板ウエハの製造方法
TW202434766A (zh) 氮化鎵(GaN)基板
JP2013209274A (ja) 周期表第１３族金属窒化物結晶
JP2014043388A (ja) 第１３族窒化物結晶の製造方法
WO2020241760A1 (ja) ＧａＮ基板ウエハおよびその製造方法
JP5110117B2 (ja) 窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハの製造方法およびエピウエハ
JP2014192246A (ja) 半導体基板およびそれを用いた半導体素子
HK1024097A (en) Gallium nitride single grystal substrate and method of producing same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101025

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120123

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120313

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120423

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120515

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120528

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5018423

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150622

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350