JP5034342B2

JP5034342B2 - 発光装置

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Publication number: JP5034342B2
Application number: JP2006185140A
Authority: JP
Inventors: 忠雄林; 敏昭森脇; 真也園部; 陽一住友
Original assignee: Nichia Corp
Current assignee: Nichia Corp
Priority date: 2006-07-05
Filing date: 2006-07-05
Publication date: 2012-09-26
Anticipated expiration: 2026-07-05
Also published as: JP2008016583A

Description

本発明は、可視光を発光する発光素子と、該発光素子からの光を他の可視光に変換することが可能な波長変換部材と、を有する発光装置に関するものである。

発光ダイオード（ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ、以下「ＬＥＤ」ともいう）や半導体レーザ（ＬａｓｅｒＤｉｏｄｅ、以下「ＬＤ」ともいう）等の発光素子を用いた発光装置として、例えば、可視光を発光する発光素子と、該発光素子から放出される光の少なくとも一部を吸収して他の可視光を発光することが可能な蛍光物質を具備する波長変換部材とを有し、これらの可視光の混色を発光することが可能な発光装置が知られている。

このような混色光を発光する発光装置において、色むらを改善する目的で、発光素子をサブマウント素子または基台に搭載し、前記発光素子の外郭面からの厚さが全方位でほぼ等しくなるように蛍光体含有樹脂を形成することが開示されている。これにより、前記発光素子の発光方向の全方位に対して波長変換部材による波長変換度を均一化することができる。

特開２００５−３１１３９５号公報

しかしながら、上記の発光装置において、高出力を得るために大電流を投下すると、発光素子とサブマウント素子との間に介在する蛍光体含有樹脂が熱膨張し、各部材やこれらの界面に亀裂が生じ、発光装置の信頼性の低下や不灯を招くこととなる。

そこで本発明は、上記課題を解決し、大電流を投下した際でも高い信頼性を維持でき、かつ発光むらや色むらの少ない白色光などの混色光を発光することが可能な、高出力タイプの発光装置を提供することを目的とする。

以上の目的を達成するために、本発明に係る発光装置は透光性放熱部材と、前記透光性放熱部材の表面にパターン形成された導体配線と、前記導体配線にフリップチップ実装された発光素子と、前記発光素子を被覆する波長変換部材と、を有し、
前記透光性放熱部材は、前記発光素子と対向する面の非導体配線形成領域に、絶縁性で且つ非透光性の無機部材が形成され、該無機部材は、前記透光性放熱部材と前記導体配線との界面に延在していることを特徴とする。

また、無機部材は、前記透光性部材と前記導体配線との界面に延在していてもよい。前記無機部材は、Ｎｉ _２Ｏ _３、ＳｉＣ、Ｃ _３Ｎ _４、Ｔａ _２Ｏ _５、ＳｉＯ _２、ＳｉＮ、ＡｌＮ、Ａｌ _２Ｏ _３、ＺｒＯ _２、ＺｎＯ、ＴｉＯ _２、Ｙ _２Ｏ _３およびＳｉ _３Ｎ _４から選択される少なくとも１種であることが好ましい。前記無機部材は、多層膜であることが好ましい。前記多層膜は、光遮断層と絶縁層を有することが好ましい。

また、前記発光素子の実装面と前記無機部材との距離が、前記発光素子の他の面からの前記波長変換材の厚みよりも短いことが好ましい。

本発明の発光装置によれば、信頼性が高く、かつ、色むらの少ない高出力発光の発光装置を実現することができる。

本発明を実施するための最良の形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための半導体装置を例示するものであって、本発明は半導体装置を以下に限定するものではない。また、本明細書は特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するものでは決してない。特に、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。さらに、本発明を構成する各要素は、複数の要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する態様としてもよいし、逆に一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。

実施の形態１．
図１は、本発明に係る実施の形態１の発光装置の模式的模式的断面図である。本実施の形態１の発光装置１００は、同一面側に正電極１１１ａおよび負電極１１１ｂを有するフリップチップ型の発光素子１１０と、表面に正極１３１ａと負極１３１ｂとを有する導体配線パターン１３１が形成されたサブマウント１３０と、を有し、前記発光素子１００が前記サブマウント１３０上に導電性接着剤１２０ａ，１２０ｂを介してフリップチップ実装されて、前記発光素子の周囲を覆うように波長変換部材１４０が形成されている。

［発光素子１１０］
本発明における発光素子として、ここでは特に、発光素子として、ＬＥＤチップについて説明する。ＬＥＤチップを構成する半導体発光素子としては、ＺｎＳｅやＧａＮなど種々の半導体を使用したものを挙げることができるが、蛍光物質を使用する場合には、その蛍光物質を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体（Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ、０□Ｘ、０□Ｙ、Ｘ＋Ｙ□１）が好適に挙げられる。半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やｐｎ接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることもできる。

窒化物半導体を使用した場合、半導体用基板にはサファイア、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ等の材料が好適に用いられる。結晶性の良い窒化物半導体を量産性よく形成させるためにはサファイア基板を用いることが好ましい。このサファイア基板上にＭＯＣＶＤ法などを用いて窒化物半導体を形成させることができる。サファイア基板上にＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＡｌＮ等のバッファ層を形成し、その上にｐｎ接合を有する窒化物半導体を形成させる。

窒化物半導体を使用したｐｎ接合を有する発光素子の例として、バッファ層上に、ｎ型窒化ガリウムで形成した第１のコンタクト層、ｎ型窒化アルミニウム・ガリウムで形成させた第１のクラッド層、窒化インジウム・ガリウムで形成した活性層、ｐ型窒化アルミニウム・ガリウムで形成した第２のクラッド層、ｐ型窒化ガリウムで形成した第２のコンタクト層を順に積層させたダブルへテロ構成などが挙げられる。窒化物半導体は、不純物をドープしない状態でｎ型導電性を示す。発光効率を向上させるなど所望のｎ型窒化物半導体を形成させる場合は、ｎ型ドーパントとしてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を適宜導入することが好ましい。一方、ｐ型窒化物半導体を形成させる場合は、ｐ型ドーパントであるＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等をドープさせる。窒化物半導体は、ｐ型ドーパントをドープしただけではｐ型化しにくいためｐ型ドーパント導入後に、炉による加熱やプラズマ照射等により低抵抗化させることが好ましい。

本発明に用いられる発光素子は、同一面側に両電極を有するフリップチップ型の発光素子である。本実施の形態に用いられる発光素子１１０は、エッチング等の方法によりｐ型半導体層側からｎ型半導体の一部を露出させた後、ｐ型半導体層上および露出されたｎ型半導体層上にそれぞれ正電極１１１ａおよび負電極１１１ｂが蒸着法やスパッタリング法により形成されている。本実施の形態では、ｎ型半導体を互いに平行なストライプ状となるように露出させて負電極１１１ｂを形成し、正電極１１１ａおよび負電極１１１ｂとの間を流れる電流が均一になるように構成されている。

また、正電極１１１ａの表面積は、負電極１１１ｂの表面積より大きく構成されている。具体的には、正電極１１１ａと負電極１１１ｂは、ストライプ状に交互に配置されており、正電極１１１ａの幅は負電極１１１ｂの幅より広い。このように、発光素子の発光に寄与しないｎ型半導体の露出領域を減らし、ｐ型半導体の領域および正電極１１１ａの領域を相対的に増やすことで発光素子の光取り出し効率を向上させることができる。

正電極１１１ａは、発光素子からの光を反射することが可能な材料にて形成することが好ましく、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｒｈ／Ｉｒが挙げられる。その他、ｐ型半導体層の全面にＩＴＯ（インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）の複合酸化物）、ＺｎＯのような酸化物導電膜や、Ｎｉ／Ａｕ等の金属薄膜を透光性の拡散電極として形成させることができる。なお、本明細書中において、記号「Ａ／Ｂ」は、金属Ａおよび金属Ｂが順にスパッタリングあるいは蒸着のような方法により積層されることを示す。また、ｎ型窒化物半導体層の露出面に形成する負電極１１１ｂには、Ｔｉ−Ａｌ−Ｎｉ−ＡｕあるいはＷ−Ａｌ−Ｗ−Ｐｔ−Ａｕの多層電極を用いることができる。負電極の厚さは、０．１〜１．５μｍが好ましい。また、負電極以外の露出面を覆うように、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２等の絶縁性の保護膜を設けることが好ましい。

［透光性放熱部材１３０］
本形態における透光性放熱部材１３０は、上面側に発光素子が導通搭載される配線パターン１３１と前記配線パターン１３１間に絶縁性で且つ透光性の無機材料１５０が設けられており、前記配線パターンは透光性放熱部材１３０の内部および下面側まで延在している。ここで、本明細書において透光性とは、３００〜７００ｎｍの波長域で厚さ１ｍｍあたりの透過率が２０％以上であることを示す。また、前記透過率は、分光光度計で測定した値とする。

透光性放熱部材１３０の材料は、ＡｌＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＢＮ、ＳｉＮ、Ｃ（ダイヤモンド）など、絶縁性で熱伝導率の高い材料を有していることが好ましい。また、発光素子１１０と熱膨張係数差が小さい材料を用いることが好ましく、製造時や使用時に透光性放熱部材１３０と発光素子１１０との間に発生する熱応力の影響を緩和することができる。例えば、窒化物半導体発光素子を用いる場合、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を有する材料にて構成することが好ましい。また、静電保護素子の機能を備えたものを用いることもでき、安価でもあるＳｉ（シリコン）を有する材料が好適に用いられる。（この辺に、各材料の条件（透光性・密度・それによる放熱効果、等）を明記して頂ければと思います。）ここで透光性放熱部材１３０は、不純物等を含有させることにより透光性を低下させることは可能であるが、不純物が多くなるほど放熱性が低下してしまう。そこで本発明では、発光素子の載置面側となる透光性放熱部材の表面のみに絶縁性で且つ非透光性の無機部材を形成することで、透光性放熱部材の放熱性を低下させることなく発光装置の色むらを抑制している。また、透光性放熱部材がポーラス状である場合にも本発明は有効である。透光性放熱部材がポーラスである場合、内部の空洞を光りが通過する為、発光装置の色むらが増大してしまうが、本発明では透光性放熱部材の表面に絶縁性で且つ被透光性の無機部材を形成することで発光装置の色むらを抑制する事が可能である。

［導体配線１３１］
透光性放熱部材１３０の表面には、正極の導体配線１３１ａと負極の導体配線１３１ｂとがパターン形成されている。これらの材料は、導電性を有しているものであれば特に限定されず、Ａｕや銀白色の金属、特に、発光素子からの光に対して光反射率の高いＡｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄなどを用いることが好ましい。このような銀白色の金属を用いた導電性パターンは、発光素子からの光を取り出し方向へと反射することができ、発光装置の光取り出し効率を向上させることができる一方で、マイグレーションが発生しやすいため、導体配線パターン間の距離を広く取る必要がある。本願発明は、このような光反射性の高い導体配線パターンと透光性放熱部材とを組み合わせてなる発光装置において、大きな効果を示すことができる。ここで、導体配線１３１の材料とする金属は、金属相互間の接着性の良さ、いわゆる濡れ性等を考慮して選択されることが好ましい。導体配線は、透光性放熱部材の表面上に、配線を形成しない領域にホトレジストパターンを形成し、電子ビーム蒸着、あるいはスパッタ、あるいは鍍金などの方法により、例えば厚さ１０ｎｍのＴｉ層、厚さ１０００ｎｍ（１μｍ）のＡｕ層を堆積する。その後、レジストパターンを除去し、その上に堆積した金属層をリフトオフする。配線層は、Ｔｉ／Ａｕの他、Ｎｉ／Ａｕ，Ａｌ／Ａｕ等を用いることもできる。

また、前記導体配線のパターンは、透光性放熱部材１３０の発光素子が実装されている面から対向する下面まで延在している。特に、透光性放熱部材の厚さ方向に少なくとも一つ以上の貫通孔を設け、貫通孔の内壁面に導体配線が延在するように形成した場合、透光性放熱部材の放熱性をさらに向上させることができる。

［波長変換部材１４０］
本実施の形態の発光装置において、波長変換部材１４０は、発光素子からの発光波長によって励起され、前記波長と異なる可視光を発する蛍光物質を含有された樹脂にて構成されているが、これに限定されず、発光素子からの光を他の可視光に変換することが可能であれば特に限定されず、例えば非線形光学結晶等を用いる事もできる。

発光素子からの光がエネルギーの高い短波長の可視光の場合、アルミニウム酸化物系蛍光体の一種であるＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体やＣａ_２Ｓｉ_５Ｎ_８蛍光体が好適に用いられる。特に、ＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体は、その含有量によってＬＥＤチップからの青色系の光を一部吸収して補色となる黄色系の光を発するため、白色系の混色光を発する高出力な発光ダイオードを、比較的簡単に形成することができる。これらのＹＡＧ系蛍光体および窒化物系蛍光体は、混合して封止部材中に含有させてもよいし、複数の層から構成される波長変換部材中に別々に含有させてもよい。

波長変換部材１４０の載置場所は、発光素子の主光取り出し面側であれば特に限定されず、発光素子１１０から離間して設けてもよい。また、波長変換部材１４０にて発光素子１１０を被覆するように設けることで、発光素子１１０を外部環境からの外力、塵芥や水分などから保護することができる。また、発光素子１１０の外周から波長変換部材の外周までの距離をほぼ等しくすることで、発光面を小さくでき、かつ均一な発光が得られる。波長変換部材１４０の形状はこれに限定されず、目的に合わせて種々の形状とすることができる。即ち、波長変換部材１４０の形状を凸レンズ形状、凹レンズ形状とすることによってレンズ効果をもたすことができる。そのため、所望に応じて、ドーム型、発光観測面側から見て楕円状、立方体、三角柱など種々の形状を選択することができる。

波長変換部材同士を固着させる、または、波長変換部材を発光素子表面に固着させるバインダー材料として、耐光性、透光性に優れたエポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂、シリコーン樹脂などの有機物や硝子など無機物があげられる。特に無機物のバインダー材料を用いることで、発光装置の部材を全て無機材料にて構成することができ、さらに信頼性の高い高出力タイプの発光装置を得ることができる。また、発光素子１１０からの光を拡散させる目的で、酸化アルミニウム、酸化バリウム、チタン酸バリウム、酸化珪素などを含有させることもできる。同様に外来光や発光素子１１０からの不要な波長をカットするフィルター効果を持たすために各種着色剤を添加させることもできる。さらに、封止樹脂の内部応力を緩和させる各種フィラーを含有させることもできる。

また、発光素子の搭載面を除いた他の外郭面から波長変換部材の厚みは、ほぼ等しいことが好ましい。これにより、発光素子の全方向において均一な発光を得ることができる。また、前記発光素子の実装面と前記無機部材との距離は、前記発光素子の他の面からの前記波長変換部材の厚みよりも短いことが好ましく、これにより、発光素子を封止する波長変換部材に熱膨張しやすい樹脂などを用いた場合でも、発光素子の実装面と無機部材との間まで流れ込むことを抑制することができる。また図３に示すように、発光素子の搭載面側を空気層１６０とすることが好ましい。空気層の場合は樹脂と比較してはるかに流動性が優れる為、熱膨張による体積増加を容易に逃がす事ができるだけでなく、発生した応力が空気層と接触する面全域に均一にかかり、各部材やこれらの界面への亀裂を生じさせるような応力の集中が起こり難いため、信頼性の高い発光装置を得ることができる。

［無機部材１５０］
本発明の発光装置は、透光性放熱部材１３０の表面において、少なくとも発光素子と対向する面の非導体配線形成領域に、絶縁性で且つ非透光性の無機部材１５０が形成されている。無機部材１５０は、透光性放熱部材１３０と導体配線パターン１３１との界面に延在していてもよい。このように、透光性放熱部材１３０の表面に無機部材１５０を形成した後に、導体配線パターン１３１を形成することにより、工程を簡略化することができるが、透光性放熱部材１３０の表面に導体配線パターン１３０を形成した後に導体配線パターン部をマスキングし、導体配線パターンのパターン間に無機部材１５０を形成する方法でも作成可能である。無機部材１５０の形成方法は、透光性放熱部材を焼成する際に予めペースト印刷により無機部材１５０を形成した後に焼成する方法と、透光性放熱部材を焼成した後にスパッタ蒸着、メッキあるいは電着等の方法によって表面に無機部材１５０を形成する方法とがある。無機部材１５０を形成する材料としては、特に限定されないが、Ｎｉ_２Ｏ_３、ＳｉＣ、Ｃ_３Ｎ_４、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＡｌＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３およびＳｉ_３Ｎ_４から選択される少なくとも１種を用いることが好ましい。またこれらの材料にＣあるいは遷移金属を添加する事によって光り遮断率を向上する事が可能である。また窒化物では一部を酸化物で置換する事で光遮断率を向上する事が可能である。前記無機部材は、膜状に形成することが好ましく、さらに多層膜とすることが好ましい。多層膜とすることで光遮断と絶縁を異なる層で行うことができ、材料選択の幅が広がる。多層膜における光遮断層としてはＦｅ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕから選択される少なくとも１種を用いることが好ましく、絶縁層としてはＮｉ_２Ｏ_３、ＳｉＣ、Ｃ_３Ｎ_４、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＡｌＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３およびＳｉ_３Ｎ_４から選択される少なくとも１種を用いることが好ましい。この場合メッキ、スパッタ、蒸着、電着等の手法によって作成された光遮断率の高い層の表面に同様の方法で絶縁層を設けることで光遮断と絶縁の両立が可能となる。

以下、本発明に係る実施例を詳述する。なお、本発明は以下に示す実施例のみに限定されないことは言うまでもない。

＜実施例１＞
実施例１として、図１に示す発光装置を製造する。
（第一の工程）

図１は、本実施例における発光装置の模式的な断面図を示す。本実施例における発光装置は、２つの半導体発光素子が同一の透光性放熱部材（本実施例では、「サブマウント」と呼ぶこととする。）にフリップチップ実装され、波長変換部材にて被覆されてなる。

ＡｌＮ粉末を焼成した後、研磨を行い透光性放熱部材１３０を形成する。次に、透光性放熱部材１３０の発光素子載置側の面全体に、無機部材１５０としてスパッタにて厚み１μmのＴｉ層を形成し、続いてスパッタにて厚み３μｍのＡｌＮ層を形成する。次に、無機部材１５０が形成された面に対して導体配線を形成しない領域にホトレジストパターンを形成し、スパッタにてＡｇの導体配線パターン１３１を形成する。

発光素子１１０として、青色系に発光する窒化物系半導体からなり、同一面側に正および負の電極をそれぞれ２対有し、それぞれの表面が略平行となるように高さが調整されてなる発光ダイオードを用いる。

発光素子１１０の電極形成面側に、導電部材を形成する。具体的には、各正電極表面には平面視が略楕円形状となるよう３つに分離されたＡｕ−Ｓｎ膜を、各負電極表面には分離されていない楕円形状のＡｕ−Ｓｎ膜を形成することが可能となるように開口パターンを有するマスクを載置し、Ａｕ−Ｓｎ膜を２μｍの厚みでスパッタ形成する。

次に、導体配線パターン１３１ａ，１３１ｂ上に、フラックスを塗布する。ここで、フラックスの厚みは、前記導電膜の厚みより厚く塗布することが好ましい。このようにフラックスが形成された導体配線パターン１３１上に発光素子１１０の各電極１１１ａ，１１１ｂを対向させ、これらの表面に形成されたＡｕ−Ｓｎ膜を前記フラックス中に埋没させて仮固定する。

発光素子１１０が仮固定された透光性放熱部材１３０を、３４０℃のリフロー炉に通してＡｕ−Ｓｎ膜１２０ａ，１２０ｂの表面を溶融し、それぞれ導体配線パターン１３０ａ，１３０ｂの表面に溶融接合させる。正電極１１１ａと前記導電膜１３０ａとの接合面積は、前記導電膜１３０ａと前記配線パターン１２０ａとの接合面積より大きいことが好ましい。これにより、の安定した接合が得られ、これらの距離間を短くしても十分な接合強度とリークやオープンの無い安定した導電性を得る事ができる。また、発光装置において、前記発光素子１１０と前記透光性放熱部材１３０との間に樹脂など熱ストレスにより膨張する部材が介在したとしても、その介在物の熱ストレスを瞬時に透光性放熱部材１３０側へ逃がすことができることから、使用環境に左右されない優れた信頼性を有する発光装置を提供することができる。

その後、準水系洗浄剤にてフラックスを洗浄する。

次に、波長変換部材の材料として、中心粒径が８μｍである（Ｙ_{０．９９５}Ｇｄ_{０．００５}）_{２．７５０}Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ_{０．２５０}蛍光物質が２０ｗｔ％含有されたシリコーン樹脂を用い、発光素子１１０の主光取り出し面側および側面にスクリーン印刷にて波長変換部材を形成する。

このようにして得られた発光装置は、青色リングが発生することなく、発光面全体において色むらの少ない発光が得られると共に、大電流を投下しても優れた性能を保持することができる。

本発明にかかる発光装置は、封止部材の熱変形に伴う機能劣化がなく、信頼性の高い半導体装置として、高出力かつ高信頼性発光が求められる車両用灯具などに利用可能である。

図１は、本発明の一実施例における発光装置を示す模式的な断面図である。図２は、本発明の他の一実施例における発光装置を示す模式的な断面図である。図３は、本発明の他の一実施例における発光装置を示す模式的な断面図である。

符号の説明

１００・・・発光装置
１１０・・・発光素子
１１１ａ・・・正電極
１１１ｂ・・・負電極
１２０a，１２０ｂ・・・導電部材
１３０・・・透光性放熱部材
１３１ａ，１３１ｂ・・・導体配線
１４０・・・波長変換部材
１５０・・・無機部材
１６０・・・空気層

Claims

透光性放熱部材と、前記透光性放熱部材の表面にパターン形成された導体配線と、前記導体配線にフリップチップ実装された発光素子と、前記発光素子を被覆する波長変換部材と、を有し、
前記透光性放熱部材は、前記発光素子と対向する面の非導体配線形成領域に、絶縁性で且つ非透光性の無機部材が形成され、該無機部材は、前記透光性放熱部材と前記導体配線との界面に延在していることを特徴とする発光装置。
前記無機部材は、前記透光性部材と前記導体配線との界面に延在していることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
前記発光素子の実装面と前記無機部材との距離は、前記発光素子の他の面からの前記波長変換部材の厚みよりも短いことを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
前記無機部材は、Ｎｉ_２Ｏ_３、ＳｉＣ、Ｃ_３Ｎ_４、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＡｌＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３およびＳｉ_３Ｎ_４から選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の発光装置。
前記無機部材は、多層膜であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の発光装置。
前記多層膜は、光遮断層と絶縁層を有することを特徴とする請求項５に記載の発光装置。