JP5111918B2 - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

Description

[0001] 本発明は、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、基板、一般的には基板のターゲット部分に所望のパターンを付与する機械である。リソグラフィ装置は、たとえば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。その場合、マスクまたはレチクルとも呼ばれているパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層に形成すべき回路パターンが生成され得る。生成されたパターンは、基板（たとえばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（たとえば部分的に１つまたは複数のダイからなっている）に転送される。パターンの転送は、通常、基板の上に提供されている放射感応性材料（レジスト）の層へのイメージングを介して実施される。通常、１枚の基板には、順次パターン化されるターゲット部分に隣接するネットワークが含まれている。知られているリソグラフィ装置には、パターン全体を１回でターゲット部分に露光することによってターゲット部分の各々が照射されるいわゆるステッパと、パターンを放射ビームで所与の方向（「スキャンニング」方向）にスキャンし、かつ、基板をこの方向に平行または逆平行に同期スキャンすることによってターゲット部分の各々が照射されるいわゆるスキャナがある。パターンを基板にインプリントすることによってパターニングデバイスから基板へパターンを転送することも可能である。

[0003] 比較的屈折率の大きい液体中、たとえば水中にリソグラフィ投影装置内の基板を浸し、それにより投影システムの最終エレメントと基板の間の空間を充填する方法が提案されている。この方法のポイントは、液体中では露光放射の波長がより短くなるため、より小さいフィーチャをイメージングすることができることである。（また、液体の効果は、システムの有効ＮＡが大きくなり、また、焦点深度が深くなることにあると見なすことができる。）固体粒子（たとえば水晶）が懸濁した水を始めとする他の液浸液も提案されている。

[0004] しかしながら、基板または基板と基板テーブルを液体の浴に浸すことは（例えば米国特許第４，５０９，８５２号を参照されたい）、スキャン露光の間、加速しなければならない大量の液体が存在していることを意味している。そのためにはモータを追加するか、あるいはより強力なモータが必要であり、また、液体の攪乱により、望ましくない予測不可能な影響がもたらされることになる。

[0005] 提案されている解決法の１つは、液体供給システムの場合、液体拘束システムを使用して、基板の局部領域にのみ、および投影システムの最終エレメントと基板の間に液体を提供することである（基板の表面積は、通常、投影システムの最終エレメントの表面積より広い）。ＰＣＴ特許出願ＷＯ ９９／４９５０４に、そのために提案されている１つの方法が開示されている。図２および３に示すように、液体は、好ましくは基板が最終エレメントに対して移動する方向に沿って、少なくとも１つの入口ＩＮによって基板に供給され、投影システムの下を通過した後、少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。つまり、基板を最終エレメントの下方で−Ｘ方向にスキャンする際に、最終エレメントの＋Ｘ側で液体が供給され、−Ｘ側で除去される。図２は、入口ＩＮを介して液体が供給され、最終エレメントのもう一方の側で、低圧源に接続された出口ＯＵＴによって除去される構造を略図で示したものである。図２に示す図解では、液体は、必ずしもそうである必要はないが、基板が最終エレメントに対して移動する方向に沿って供給されている。様々な配向および数の入口および出口を最終エレメントの周りに配置することが可能である。図３はその実施例の１つを示したもので、両側に出口を備えた４組の入口が、最終エレメントの周りに一定のパターンで提供されている。

[0006] 図４は、局部液体供給システムを使用した他の液浸リソグラフィ解決法を示したものである。液体は、投影システムＰＬの両側の２つの溝入口（groove inlet）ＩＮによって供給され、入口ＩＮの外側に向かって放射状に配置された複数の離散出口（discrete outlet）ＯＵＴによって除去される。入口ＩＮおよび出口ＯＵＴは、投射される投影ビームが通過する孔が中心に穿たれたプレートに配置することができる。液体は、投影システムＰＬの一方の側に設けられた１つの溝入口ＩＮによって供給され、かつ、投影システムＰＬのもう一方の側に設けられた複数の離散出口ＯＵＴによって除去され、それにより投影システムＰＬと基板Ｗの間に液体の薄い膜の流れをもたらしている。使用する入口ＩＮと出口ＯＵＴの組合せの選択は、基板Ｗが移動する方向によって決まる（これ以外の入口ＩＮおよび出口ＯＵＴの組合せは有効ではない）。

[0007] 提案されている局部液体供給システム解決法を使用したもう１つの液浸リソグラフィ解決法は、投影システムの最終エレメントと基板テーブルの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って展開している液体拘束構造を備えた液体供給システムを提供することである。図５は、このような解決法を示したものである。液体拘束構造は、Ｚ方向（光軸の方向）における若干の相対移動が存在する可能性があるが、投影システムに対して実質的にＸＹ平面内に静止している。一実施形態では、液体拘束構造と基板の表面の間にシールが形成される。このシールは、ガスシールなどの非接触シールであってもよい。

[0008] 液体拘束構造１２は、投影システムＰＬの最終エレメントと基板Ｗの間の空間１１に、少なくとも部分的に液体を含有している。基板に対する非接触シール１６は、基板の表面と投影システムの最終エレメントの間の空間に液体が拘束されるよう、投影システムのイメージフィールドの周りに形成することができる。空間は、投影システムＰＬの最終エレメントの下方に配置され、かつ、投影システムＰＬの最終エレメントを取り囲んでいる液体拘束構造１２によって少なくとも部分的に形成されている。液体は、液体入口１３によって、液体拘束構造１２内の、投影システムの下方の空間に導入されており、液体出口１３によって除去することができる。液体拘束構造１２は、投影システムの最終エレメントの少し上まで展開させることができ、最終エレメントの上まで液体のレベルが上昇しているため、液体のバッファが提供されている。液体拘束構造１２は、一実施形態では、その上端部において投影システムの形状または投影システムの最終エレメントの形状と緊密に一致している、たとえば円形の内部周囲を有している。その底部において、内部周囲はイメージフィールドの形状と緊密に一致しており、たとえば、必ずしもそうである必要はないが長方形の形をしている。

[0009] 液体は、使用中に形成される、液体拘束構造１２の底部と基板Ｗの表面の間のガスシール１６によって空間１１に拘束される。ガスシールは、ガス、たとえば空気または合成空気（synthetic air）によって形成されているが、一実施形態では、液体拘束構造１２と基板の間のギャップに入口１５を介して加圧下で提供され、かつ、出口１４を介して抜き出されるＮ_２または他の不活性ガスで形成されている。ガス入口１５の超過圧力、出口１４の真空レベルおよびギャップの幾何構造は、液体を拘束する高速ガス流が内部に存在するようになされている。これらの入口／出口は、空間１１を取り囲んでいる環状溝であってもよく、また、ガス流１６は、空間１１に液体を含有するのに有効である。米国特許出願第２００４−０２０７８２４号に、このようなシステムが開示されている。

[0010] 欧州特許出願第ＥＰ １４２０３００号および米国特許出願第２００４−０１３６４９４号に、ツインステージ若しくはデュアルステージ型液浸リソグラフィ装置の着想が開示されている。このような装置は、基板を支持するための２つのテーブルを備えている。１つのテーブルを使用して、液浸液が存在していない第１の位置で水準測定が実行され、もう１つのテーブルを使用して、液浸液が存在している第２の位置で露光が実行される。別法としては、装置は、１つのテーブルのみを有している。

[0011] 液浸リソグラフィの課題の１つは、基板の熱調整である。残留液の蒸発は、基板および基板テーブルに熱による負荷がかかる原因になることがある。より詳細には、残留液の蒸発によって基板および基板テーブルから熱が奪われて、その上に基板を保持している基板テーブルの変形が生ずることで、基板形状が変形することになる。解決法の１つとして、基板テーブルを能動的に冷却することによって熱負荷を補償することができる。そのために、基板テーブルは、調整流体を運ぶための１つまたは複数の調整通路を有していて良い。このような通路は、調整される基板テーブルに調整流体を輸送する供給デバイスを用いることで、調整流体を供給する。流体は、除去デバイスを用いることで、調整された基板テーブルから取り払われることができる。

[0012] リソグラフィ装置が動作している間、基板テーブルが加速され、ひいては供給デバイス内、除去デバイス内および／または基板テーブル内の調整流体が加速され、それにより流体圧力が変化する。調整流体のこの圧力変化は、基板テーブルの調整通路、ひいては基板テーブルに直接伝達される。

[0013] たとえば、基板テーブルに対する調整流体の圧力変化の影響を抑制するための対策が施されたリソグラフィ装置が提供されることが望ましい。

[0014] 本発明の一態様によれば、パターニングデバイスから基板上にパターンを投影するようになされたリソグラフィ装置が提供される。リソグラフィ装置は、調整システムを備えたオブジェクトを備えている。調整システムは、調整流体を保持し、かつ、オブジェクトを調整するように構成されている。また、調整システムは、調整システムと流体連絡している圧力ダンパを備えており、調整システムの圧力変化を抑制し、かつ／または前記オブジェクト内の調整流体を前記オブジェクトの外部の調整流体から分離するようになされている。

[0015] 本発明の一態様によれば、パターニングデバイスから基板上にパターンを投影するようになされたリソグラフィ装置が提供される。リソグラフィ装置は、基板を保持するように構成された基板テーブルを備えており、基板テーブルは、調整流体を保持し、かつ、基板テーブルを調整するように構成された調整システムを備えている。調整システムは、調整流体を基板テーブルに輸送するように構成された調整流体供給デバイスと、調整流体を基板テーブルから運び去るように構成された調整流体除去デバイスと、供給デバイスと流体連絡している第１の圧力ダンパと、除去デバイスと流体連絡している第２の圧力ダンパとを備えている。圧力ダンパは、調整システムの圧力変化を抑制し、かつ／または前記基板テーブル内の調整流体を前記基板テーブルの外部の調整流体から分離するようになされている。

[0016] 本発明の一態様によれば、パターニングデバイスから基板上にパターンを投影するようになされたリソグラフィ装置が提供される。リソグラフィ装置は、基板を保持するように構成された基板テーブルを備えており、オブジェクトは、調整流体を該オブジェクトに取り付けられたポンプを使用してループの周りにポンプ供給することによって該オブジェクトを調整するように構成された調整システムを備えている。

[0017] 本発明の一態様によれば、パターニングデバイスから基板上にパターンを投影するようになされたリソグラフィ装置が提供される。リソグラフィ装置は、基板を保持するように構成された基板テーブルを備えており、オブジェクトは、該オブジェクトを調整するように構成された調整システムを備えている。前記調整システムは、アクティブ圧力ダンパと、前記調整流体の圧力を測定するための圧力センサと、前記圧力センサからの信号に基づいて前記アクティブ圧力ダンパを駆動し、それにより前記圧力センサによって測定される圧力変化に等しく、かつ、それらに対抗する圧力を実質的に印加するためのコントローラとを備えている。

[0018] 本発明の一態様によれば、パターニングデバイスから基板上にパターンを投影するようになされたリソグラフィ装置が提供される。リソグラフィ装置は、基板を保持するように構成された基板テーブルを備えており、オブジェクトは、調整流体を前記オブジェクト内の流路の周りにポンプ供給することによって該オブジェクトを調整するように構成された調整システムを備えており、前記流路は、少なくとも１つの流量制限部を備えている。

[0019] 本発明の一態様によれば、パターニングデバイスから基板上にパターンを投影するようになされたリソグラフィ装置が提供される。リソグラフィ装置は、基板を保持するように構成された基板テーブルを備えており、基板テーブルは、調整流体を前記基板テーブルを介してポンプ供給することによって基板テーブルを調整するように構成された調整システムを備えており、前記調整システムは、調整流体の流路に２つのポンプを備えている。前記２つのポンプのうちの第１のポンプは、前記流路内の、調整流体が使用中に実質的に前記基板テーブルに向かって流れる位置に配置され、前記２つのポンプのうちの第２のポンプは、前記流路内の、調整流体が使用中に実質的に前記基板テーブルから流れ去る位置に配置されている。

[0020] 本発明の一態様によれば、パターン化された放射のビームを基板のターゲット部分上に投射するステップと、調整システムを使用して基板を調整するステップと、調整システムの圧力変化を抑制するステップとを含むデバイス製造方法が提供される。

[0021] 以下、本発明の実施形態について、単なる実施例にすぎないが、添付の略図を参照して説明する。図において、対応する参照記号は対応する部品を表している。

[0030] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の略図である。この装置は、
[0031] −放射ビームＢ（たとえばＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[0032] −パターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡを支持するように構築され、特定のパラメータに従って該パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（たとえばマスクテーブル）ＭＴと、
[0033] −基板（たとえばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築された、特定のパラメータに従って該基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（たとえばウェーハテーブル）ＷＴと、
[0034] −パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（たとえば１つまたは複数のダイを備えている）上に投影するように構成された投影システム（たとえば屈折型投影レンズシステム）ＰＳと
を備えている。

[0035] 照明システムは、放射を誘導し、整形し、あるいは制御するための、屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント、磁気光学コンポーネント、電磁光学コンポーネント、静電光学コンポーネントまたは他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せなどの様々なタイプの光学コンポーネントを備えることができる。

[0036] 支持構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計および他の条件、たとえばパターニングデバイスが真空環境中で保持されているか否か等に応じた方法でパターニングデバイスを保持している。支持構造には、パターニングデバイスを保持するための機械式クランプ技法、真空クランプ技法、静電クランプ技法または他のクランプ技法を使用することができる。支持構造は、たとえば必要に応じて固定または移動可能なフレームまたはテーブルであってよい。支持構造は、パターニングデバイスをたとえば投影システムに対して所望の位置に確実に配置することができる。本明細書における「レチクル」または「マスク」という用語の使用はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語の同義語と見なすことができる。

[0037] 本明細書に使用されている「パターニングデバイス」という用語は、放射ビームの断面にパターンを付与し、それにより基板のターゲット部分にパターンを生成するべく使用することができる任意のデバイスを意味するものとして広義に解釈されたい。放射ビームに付与されるパターンは、たとえばそのパターンに位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャが含まれている場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに必ずしも厳密に対応している必要はないことに留意されたい。放射ビームに付与されるパターンは、通常、ターゲット部分に生成されるデバイス、たとえば集積回路などのデバイス中の特定機能層に対応している。

[0038] パターニングデバイスは、透過型であってもあるいは反射型であってもよい。パターニングデバイスの実施例には、マスク、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクについてはリソグラフィにおいては良く知られており、バイナリ、Alternating位相シフトおよび減衰位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプが知られている。プログラマブルミラーアレイの実施例には、マトリクスに配列された、入射する放射ビームが異なる方向に反射するよう各々が個々に傾斜させることができる微小ミラーが使用されている。この傾斜したミラーによって、ミラーマトリクスで反射する放射ビームにパターンが付与される。

[0039] 本明細書に使用されている「投影システム」という用語は、たとえば使用する露光放射に適した、もしくは液浸液の使用または真空の使用などの他の要因に適した、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁光学システムおよび静電光学システム、またはそれらの任意の組合せを始めとする任意のタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における「投影レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影システム」という用語の同義語と見なすことができる。

[0040] 図に示すように、この装置は、透過型（たとえば透過型マスクを使用した）の装置である。別法としては、この装置は、反射型（たとえば上で参照したタイプのプログラマブルミラーアレイを使用した、あるいは反射型マスクを使用した）の装置であってもよい。

[0041] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または複数の支持構造）を有するタイプの装置であってもよい。このような「マルチステージ」マシンの場合、追加テーブルを並列使用することができ、あるいは１つまたは複数の他のテーブルを露光のために使用している間、１つまたは複数のテーブルに対して予備ステップを実行することができる。

[0042] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取っている。放射源がたとえばエキシマレーザである場合、放射源およびリソグラフィ装置は、別の構成要素にすることができる。このような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、たとえば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えたビームデリバリシステムＢＤを使用して放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ引き渡される。それ以外のたとえば放射源が水銀灯などの場合、放射源はリソグラフィ装置と一体とすることができる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤと共に放射システムと呼ぶことができる。

[0043] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えることができる。通常、イルミネータの瞳面内における強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般に、それぞれσ−outerおよびσ−innerと呼ばれている）は調整が可能である。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの他の様々なコンポーネントを備えることができる。イルミネータを使用して放射ビームを調整、所望とする一様な強度分布をその断面に持たせることができる。

[0044] 支持構造（たとえばマスクテーブル）ＭＴの上に保持されているパターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡに放射ビームＢが入射し、パターニングデバイスによってパターン化される。パターニングデバイスＭＡを透過した放射ビームＢは、放射ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に集束させる投影システムＰＳを通過する。基板テーブルＷＴは、第２のポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（たとえば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）を使用して正確に移動させることができ、それによりたとえば異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢの光路内に配置することができる。同様に、第１のポジショナＰＭおよびもう１つの位置センサ（図１には明確に示されていない）を使用して、たとえばマスクライブラリから機械的に検索した後、またはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの光路に対して正確に位置決めすることができる。通常、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成しているロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使用して実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成しているロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナではなく）、支持構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続することができ、あるいは固定することも可能である。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して整列させることができる。図には専用ターゲット部分を占有している基板アライメントマークが示されているが、基板アライメントマークは、ターゲット部分とターゲット部分の間の空間に配置することも可能である（このような基板アライメントマークは、けがき線（scribe-lane）アライメントマークとして知られている）。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に提供される場合、ダイとダイとの間にパターニングデバイスアライメントマークを配置することができる。

[0045] 図に示す装置は、以下に示すモードのうちの少なくとも１つのモードで使用することができる。
[0046] １．ステップモード：支持構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Ｃ上に１回で投影される（すなわち単一静止露光）。次に、基板テーブルＷＴがＸ方向および／またはＹ方向にシフトされ、異なるターゲット部分Ｃが露光される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光で画像化されるターゲット部分Ｃのサイズが制限部される。
[0047] ２．スキャンモード：放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影されている間、支持構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴが同期スキャンされる（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの倍率（縮小率）および像反転特性によって決まる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の幅（非スキャン方向の幅）が制限部され、また、スキャン運動の長さによってターゲット部分の高さ（スキャン方向の高さ）が決まる。
[0048] ３．その他のモード：プログラマブルパターニングデバイスを保持するべく支持構造ＭＴが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影されている間、基板テーブルＷＴが移動またはスキャンされる。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、スキャン中、各基板テーブルＷＴが移動した後に、あるいは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用しているマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

[0049] 上で説明した使用モードの組合せおよび／またはその変形形態、あるいは全く異なる使用モードを使用することも可能である。

[0050] 本発明の１つまたは複数の実施形態は、もはや液体が滞留し得ない速度を有するあらゆるタイプの液体供給システムに適用することができる。詳細には、基板より上方の体積空間に液体を含有し、かつ、液体と基板の間の毛管力および／または低圧および／またはガス圧力および／または流体力学上の力および／または摩擦などを少なくとも部分的に利用して液体がその体積空間から実質的に流出しないことを補償しているタイプの液体供給システムに適用することができる。図２〜６は、このような液体供給システムの実施例を示したものであるが、１つまたは複数の他のタイプまたは追加タイプの液体供給システムが、たとえば図５に示すような、ガスナイフを使用して液体を含有している液体供給システムを始めとする本発明による１つまたは複数の実施形態を利用してもよい。

[0051] 図６は、基板Ｗを支持している基板テーブルＷＴを略図で示したものである。基板テーブルは、概略的に示されている調整システム１００の一部を形成している１つまたは複数の調整通路１０１を備えている。調整システム１００は、調整流体を基板テーブルＷＴに輸送するように構成された調整流体供給デバイス１０２を備えている。調整システム１００は、さらに、調整流体を基板テーブルＷＴから運び去るように構成された調整流体除去デバイス１０３を備えている。調整流体の温度は、基板テーブルＷＴの温度が実質的に一定の温度を維持するように制御されている。流体は、ガス（たとえば空気）または液体（たとえば水）であってもよい。

[0052] 上で説明したように、液浸リソグラフィの課題の１つは、基板Ｗの熱調整である。基板Ｗの表面の残留液の蒸発は、基板Ｗおよび基板テーブルＷＴに熱負荷が印加される原因になることがある。より詳細には、残留液の蒸発によって基板Ｗおよび基板テーブルＷＴから熱が抽出される。基板Ｗは、基板テーブルＷＴの上に堅固に保持されているため、ひいては、基板の温度変化あるいは基板をその上に保持している基板テーブルの変形によって基板の形状が変形することになる。解決法の１つは、基板テーブルＷＴを能動的に冷却することによって熱負荷が補償される、というものである。そのために、基板テーブルＷＴは、基板テーブルＷＴを介して調整流体を輸送する１つまたは複数の調整通路１０１を備えている。このような通路は、被調整基板テーブルに調整流体を輸送する供給デバイスによって調整流体が供給される。流体は、除去デバイスによって調整された基板テーブルから運び去ることができる。

[0053] リソグラフィ装置が動作している間、基板テーブルＷＴが加速され、ひいては供給デバイス（通常、（フレキシブル）ホースとして形成されている）内、除去デバイス（通常、同じく（フレキシブル）ホースとして形成されている）内および／または基板テーブルＷＴ内の調整流体が加速され、それにより流体圧力が変化する。調整流体のこの圧力変化は、基板テーブルの調整通路１０１、ひいては基板テーブルに直接伝達される。

[0054] 基板テーブルＷＴの流体冷却、詳細には基板テーブルＷＴの水冷は、熱的に有効である。しかしながら、調整流体の（絶対）圧力の変動は、基板テーブルに直接作用して基板テーブルを変形させる。仮にごくわずかな変形であっても、基板テーブルＷＴの変形は、基板テーブルＷＴが支持している基板Ｗに直接伝達される。これは、場合によってはリソグラフィ装置のオーバレイ精度および集束の安定性に悪影響を及ぼすこととなる。この変形に対する基板テーブルＷＴの感度決定パラメータには、基板テーブルの剛性、基板の接触剛性、調整通路のレイアウトなどがある。

[0055] 圧力変動は、場合によっては、基板テーブルＷＴの加速に加えて、あるいは基板テーブルＷＴの加速以外の多くのメカニズムによって生じ、たとえば調整通路１０１を循環する調整流体の局部的な流れの攪乱、および調整流体供給インフラストラクチャ内の装置（たとえばポンプ）を回転させることによって生じる流動誘導振動によって生じる。

[0056] しかしながら、最大の原因は、場合によっては、第１のメカニズムである加速である。リソグラフィ装置に対する調整流体の圧力変動の影響の指標として、液浸システムに対する、調整流体圧力変動に関連するオーバレイペナルティは、場合によっては最大５ｎｍである。

[0057] 図６に示す調整システム１００は、さらに、拡張タンクの形態の２つの圧力ダンパ１０４、１０５を備えている。第１の圧力ダンパ１０４は、供給デバイス（ホース）１０２と流体連絡している。第２の圧力ダンパ１０５は、除去デバイス（ホース）１０３と流体連絡している。第１の圧力ダンパ１０４は、第１のコンパートメント１０４Ｂおよび第２のコンパートメント１０４Ｃを有するハウジング１０４Ａを備えている。第１のコンパートメント１０４Ｂは、流体供給デバイス１０２に接続されている。第２のコンパートメント１０４Ｃは、フレキシブル膜または可動ピストン１０６によって第１のコンパートメント１０４Ｃから分離されている。フレキシブル膜または可動ピストン１０６は、供給デバイス１０２の圧力変化によって、第２のコンパートメントに含有されているガスなどの圧縮可能媒体を膨張または収縮させることができる。第２の圧力ダンパも第１の圧力ダンパと同様であってよいのでその説明は省略する。代替実施形態では、膜は同じであるが、第２のコンパートメント１０５Ｂ内のガス体積および／または圧力が異なっている。

[0058] 調整システムの圧力変化のレベルによっては、図６に示す２つの圧力ダンパの代替として、１つの圧力ダンパでも十分である。圧力ダンパは、基板テーブル内の調整流体を調整流体供給デバイスから分離するように作用し、それにより圧力変化が抑制される。

[0059] 調整システム１００と流体連絡している１つまたは複数の圧力ダンパ１０４、１０５の位置に関しては、場合によっては基板テーブル１０１に可能な限り近い位置が有利である。１つまたは複数の圧力ダンパ１０４、１０５は、場合によっては、基板テーブルＷＴを運搬するキャリヤ（一般に基板チャックと呼ばれている）内に配置されることが有利である。

[0060] 以上から、基板テーブルＷＴを調整することによって基板Ｗも調整されることが理解されよう。

[0061] ＥＵＶリソグラフィ装置のマスクテーブルに適用される冷却システムなどの他の冷却システム、またはレーザ強度のために基板に大きな熱負荷が存在する実装ツールにも、同様のダンピングシステムを使用することができる。

[0062] 図７は、図６に示す実施形態（または図８に示す実施形態）に使用することができる圧力ダンパ１０４の異なる構造を示したものである。図７に示す圧力ダンパの場合、フレキシブル膜または可動ピストン１０６は、調整システム１００のライン１０２、１０３と流体連絡している。したがって、調整流体の一方の側は、可動部材１０６と流体連絡している。これは、膜１０６の一方の側が調整システム内の流体の圧力に遭遇することになる点で、図６に示すダンパの第２のコンパートメント１０４と類似している。

[0063] フレキシブル膜または可動ピストン１０６のもう一方の側には、アクチュエータ２００が取り付けられている。このアクチュエータは、使用中、一定の力Ｆを可動部材１０６に印加するように設計されている。アクチュエータ２００は、アーマチュア（armature）内の永久磁石２０２およびコイル２０４からなっている。コイル２０４に電流を流すことによって生成される磁界と磁石２０２の磁界が相互作用し、可動部材１０６に印加される力が生成される。アーマチュアにバイアス力を提供する板ばね２０６が提供されており、ハウジング２１０に接続されているか、あるいはフレキシブル部材１０６の近傍のコンジット１０２、１０３に対して強く取り付けられた同様の固定構造に接続されている。ばね２０６の上には、アーマチュアの位置を検出するための２つのセンサ２２０、２２２が提供されている。

[0064] アクチュエータをニュートラルな位置へ復帰させるために使用される制御エレクトロニクスを提供してもよい。これらの制御エレクトロニクスは、アーマチュアの位置に関する情報を受け取るために、センサ２２０、２２２から位置信号を受け取る。アーマチュアは、次に、低周波数（たとえば０．１Ｈｚ未満の周波数）でそのニュートラル位置へと復帰する。

[0065] 図７に示すダンパは、ダンパから漏れる可能性のある空気が第１のコンパートメント１０４ｂ、１０５ｂに存在していない点で、図６に示すダンパより改善されている。また、センサ２２０、２２２によって出力される信号を使用して、ダンパユニット２００の適正な動作を監視することができる。さらに、図７に示すダンパ１０４は、比較的小型のダンパとして工学的に作り出すことができるため、可能な限り調整システム１００の近くに配置し、基板テーブルＷＴの中に組み入れることも可能である。ダンパ２００の適正な動作は、変化する信号を示すセンサ２２０、２２２によって指示される。

[0066] 図６および７に関連して上で説明したパッシブタイプのダンパの代替として、あるいはこれらのタイプのダンパの追加として、アクティブダンパを調整システムに追加してもよい。このようなアクティブダンパを使用して、センサによって測定される所定の圧力からの圧力変化に対して実質的に大きさが等しく、かつ、逆向きの正または負の圧力が調整システム内の流体に印加される。そのために、アクティブ圧力ダンパのアクチュエータを駆動して、この目的を達成するためのコントローラが提供されている。したがって、アクティブ圧力ダンパは、フィードフォワードシステムまたはフィードバックシステムに基づいて、アンチノイズ方式駆動されることが分かる。

[0067] 圧力センサは、基板テーブルの（調整流体が追従する経路に関して）上流側にあり、また、アクティブ圧力ダンパは、基板テーブルのより近く、さらには基板テーブルの上にあることが好ましい。別法または追加として、基板テーブルの下流側にセンサが配置され、また、基板テーブルの中にアクティブ圧力ダンパが配置される。これらのいずれの状況においても、圧力センサは、基板テーブルまでの流体供給ライン（上流側）、または基板テーブルからの流体除去ライン（下流側）に配置されることが好ましい。一実施形態では、圧力センサは、図７に示すセンサ２２０、２２２からなっている。

[0068] 図８は、調整システム１００の第２の実施形態を示したものである。図８に示す実施形態には、図６に関連して上で説明した着想に優る多くの追加着想が組み込まれている。図８に示す実施形態には、２つの主要な着想が組み込まれている。

[0069] 第１の主要な着想は、調整流体の大部分が流れている、基板テーブルＷＴおよび／または基板テーブルＷＴのキャリヤに対して局所的である、局部ループ２５０の着想である。以下の説明においては、基板テーブルＷＴおよび基板テーブルキャリヤ（図８に正方形のボックスＷＴ’で示されている）は、１つのユニットとして説明されている。

[0070] 図８に示す調整システムの第２の主要な改善点は、調整システムの流路内における制限部（restriction）３１０、３２０の使用である。詳細には、制限部３１０、３２０は、流路内の、流路と基板テーブルＷＴ’が接する部分または接する部分に隣接して配置される。これらの制限部の使用、詳細には１つまたは複数のポンプ３０５、３１５と組み合わせたこれらの制限部の使用により、調整システムの圧力変動はさらに抑制される。

[0071] 図８から分かるように、この実施形態にも同じくダンパ１０４が組み込まれており、実際、すべての実施形態に示されている任意の個別コンポーネントを単独で使用することができ、あるいは本明細書において説明されている他の任意のフィーチャとの任意の組合せで使用することができる。

[0072] 図６に示す調整システムが抱えている困難性の１つは、可動基板テーブルＷＴ’に太いパイプを接続しなければならないことである。これは、液浸基板テーブルＷＴ’を調整するためには大量の調整流体の流れが必要であることによるものである。必要とする流量のタイプは、８リットル／分程度である。そのため、直径の大きい管を装置の固定部品と可動基板テーブルＷＴ’の間に接続しなければならない。図８に示す実施形態は、基板テーブルＷＴ’内の調整流体の大部分を、その全体が基板テーブルＷＴ’内に含まれているループ２５０内を再循環させることによって、直径の大きいこのようなパイプの必要性を回避している。調整流体は、基板テーブルＷＴ’に取り付けられたポンプ２６０によってループの周りを駆動される。

[0073] 基板テーブルＷＴ’に取り付けられた、調整流体をループ２５０の周りにポンプ供給するための再循環ポンプ２６０は、電気的に駆動することも、あるいは基板テーブルＷＴ’の運動によって使用される慣性力によって機械的に駆動することも可能である。基板テーブルＷＴ’からの結果的な熱損失が存在する場合（基板テーブルＷＴの頂部表面からの液浸液の蒸発によって生じることが大いに考えられる）、調整システム１００は、調整流体を含有したパイプを固定ポイントから基板テーブルへ配管する必要のない閉ループ２５０を備えることができる。これは、加熱器２８２および温度センサ２８３ならびに調整流体の温度を所望の温度に制御するためのコントローラ２８４を備えた加熱回路２８０を提供することによって達成される。実際、基板テーブルＷＴの温度を低くするために調整流体を必要とする場合であっても、同様のシステムを使用することができる。その場合、加熱器２８２は、たとえばペルチエ冷却器などの冷却器に置き換えることができる。その場合においても、調整流体の圧力変化に適応するべく、ループ内にダンパ１０４を存在させることができる。さらには調整流体を使用してポンプ２６０を冷却することも可能である。

[0074] 総熱負荷が正の場合、装置の固定ポイントと基板テーブルＷＴ’の間に、調整システムの調整流体のごく一部の流れを外部冷却器３００に利用することができる細い管を使用することができる。当然、外部冷却器３００は、同じく外部加熱器であっても、あるいは外部加熱器と外部冷却器の組合せであってもよい。この方法によれば、外部冷却器／加熱器３００と基板テーブルＷＴ’の間に必要な流れは、約２リットル／分の流れのみであり、これは、図６に示す実施例よりはるかに細い直径の管によって達成することができる。

[0075] 固定部分と可動基板テーブルＷＴ’の間のあらゆる接続（加熱器３００と基板テーブルＷＴ’の間の管などには、基板テーブルＷＴ’の移動に適応するためのフレキシブルでかつ／または湾曲可能なコンジット（conduit）が必要であることは明らかである。これは、冷却流体のみならず、電力および電気信号を基板テーブルに転送しなければならないため、可動基板テーブルを使用しているすべての液浸システムに共通である。図８に示す設計は、管を通って流れる調整流体の流量が比較的少ないため、従来の接続を使用することができる。したがって、基板Ｗの縁の周りのガスの抽出などの他のサービスのための容量を大きくすることができる（最大８０リットル／分のレベルまで）。

[0076] 図８に示す実施形態に対する若干の変形形態は、基板テーブルＷＴのキャリヤとは別のキャリヤの上にループ２５０のコンポーネントの一部を置くことである。たとえば、このような個別のキャリヤの上にポンプ２６０を置き、コンジットを使用して、ポンプ供給される調整流体を基板テーブルＷＴ’へ移すことが可能である。

[0077] また、図８に示す実施形態には、流量制限部３１０、３２０が利用されている。これらの流量制限部は、基板テーブルＷＴ’上の調整流体の流路内の、調整流体が基板テーブルＷＴ’に流入した直後の位置に示されている。図６に示す実施形態にも同様の流量制限部を使用することが可能であり、実際、これらの流量制限部は、より多くの流れが流量制限部を通って流れる実施形態の場合、より有効である。

[0078] 流量制限部３１０、３２０は、基板テーブルＷＴ’に向かって移動する調整流体中のあらゆる圧縮波（pressure wave）を抑制する。これらの流量制限部３１０、３２０は、とりわけダンパ１０４と組み合わせた場合、極めて有効であることを証明している。ポンプ２６０も、制限部の両端間の圧力降下を補償している。

[0079] いずれか一方または両方の制限部３１０、３２０を使用してもよく、また、これらの制限部は、別のポンプ３０５、３１５を組み合わせて使用しても、あるいは単独で使用してもよい。特定の一構造では、基板テーブルＷＴ’上の調整流体の出口部分の制限部３２０は、調整流体が基板テーブルＷＴ’に流入するパイプに沿って流体をポンプ供給する単一ポンプ３０５と結合している。異なる実施形態ではその逆であり、つまり、流量制限部３１０がポンプ３１５と共に存在しているが、ポンプ３０５および制限部３２０は存在していない。さらに他の実施形態では、ポンプおよび制限部が基板ＷＴ’から若干の距離を隔てた静止側に位置するよう、ポンプ３１５が存在し、かつ、ポンプ３０５の代わりに制限部が存在しており、それ以外のポンプは存在していない（ポンプ２６０も、ループ２５０も存在していない）。

[0080] 他の実施形態では、１つまたは複数の制限部のサイズを調整することができ、したがって液体の圧力を調整する方法が提供される。さらに他の実施形態では、制限部３１０のみが存在している場合、図８に示す制限部３２０の位置にポンプ３１５のみを存在させることができる（つまり、基板テーブルＷＴ’の、調整流体が基板テーブルＷＴ’から流出する位置に取り付けることができる）。ポンプ３１５または３０５が容積式（positive displacement）ポンプ（たとえば歯車ポンプまたは回転ベイン（rotary vein）ポンプ）である場合、調整流体の流路を効果的に「遮断」することができる。これには、ポンプの一方側の流路に蓄積するあらゆる圧力がポンプのもう一方側に伝わらないという利点がある。これは、２つのポンプ３０５、３１５のうちのいずれか一方のみを使用するか、あるいは両方のポンプを使用し、かつ、基板テーブルＷＴ’または他の場所、たとえば装置の固定部分にそれらを取り付けることによって有効に使用することができる。また、容積式ポンプは、有利な固定流量を有している。通常のポンプを使用する場合、ホース内の水の慣性のため、ＷＴを加速している間、流量が増減することになる。これは、加速が停止した後、基板テーブルＷＴ内の圧力が長時間にわたって大きく変化する原因になる。圧力変化が望ましくない場合、容積式ポンプを使用することにより、加速中の圧力ピークはより高くなる可能性があるが、加速後における定速フェーズでは、システムの圧力変化がはるかに小さくなる。

[0081] 図９は、使用可能な流量制限器の１つのタイプを示したものである。図に示されている寸法は、単なる例示にすぎない。ドイツ国、Ｍｕｌｌｈｅｉｍ ＤＥ−７９３７９、Ｋｌｏｓｔｅｒｒｕｎｓｔｒａβｅ ９−１１のＮｅｏｐｅｒｌ ＧｍｂＨ社から同様のタイプを入手可能であり、これはプラスチック製である。金属バージョンであることが好ましく、米国、Ｐｉｔｔｓｂｕｒｇｈ、ＰＡ １５２０５、Ｐａｒｋｗａｙ Ｖｉｅｗ Ｄｒｉｖｅ １８０１、のＫｏｂｏｌｄ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｉｎｃ．−ＵＳＡ社から入手可能である。流量制限器は、孔４００を有するフレキシブルな円錐膜である。流体は、左側から右側へ流れ（図に示すように）、左側の圧力が増加すると、この圧力によって中央の孔のサイズが効果的に縮小されて、流量が減少する。したがって、第１の利点は、流量制限器によってシステムがより密閉系となり（容積式ポンプ３０５、３１５と同じ方法）、したがって調整流体が基板テーブルＷＴ’に流入する部分および基板テーブルＷＴ’から流出する部分に蓄積する圧力を少なくとも部分的に遮断することができることである。さらなる利点は、流量制限器の後段では流量が一定であるため、圧力変動が除去され、残りのシステムに悪影響が及ばないことである。流量制限器は、基板テーブルＷＴ’の入口および出口の両方に取り付けられることが好ましい。最適な位置は、基板テーブルＷＴ’の入口である。

[0082] 本明細書においては、とりわけＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用が参照されているが、本明細書において説明したリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリのための誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造などの他のアプリケーションを有していることを理解されたい。このような代替アプリケーションにおいては、本明細書における「ウェーハ」または「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語の同義語と見なすことができることは当業者には理解されよう。本明細書において参照されている基板は、たとえばトラック（通常、基板にレジストの層を塗布し、かつ、露光済みのレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツール中で、露光前または露光後に処理することができる。適用可能である場合、本明細書における開示は、このような基板処理ツールおよび他の基板処理ツールに適用することができる。また、基板は、たとえば多層ＩＣを生成するために複数回にわたって処理することができるため、本明細書において使用されている基板という用語は、処理済みの複数の層が既に含まれている基板を指している場合もある。

[0083] また、本発明による実施形態の使用について、とりわけ光リソグラフィについて参照されているが、本発明は、他のアプリケーション、たとえばインプリントリソグラフィに使用してもよく、許容できる場合、光リソグラフィに限定されないことをご理解頂きたい。インプリントリソグラフィの場合、基板上に生成されるパターンは、パターニングデバイスのトポグラフィによって画定される。パターニングデバイスのトポグラフィが、基板に供給されているレジストの層にプレスされ、次に、レジストを硬化させるべく、電磁放射、熱、圧力またはそれらの組合せが印加される。レジストが硬化すると、パターニングデバイスがレジストから除去され、後にパターンが残される。

[0084] 本明細書に使用されている「放射」および「ビーム」という用語には、紫外（ＵＶ）放射（たとえば３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの波長またはその近辺の波長を有する放射）を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。

[0085] 「レンズ」という用語は、許容できる限り、屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント、磁気光学コンポーネント、電磁光学コンポーネントおよび静電光学コンポーネントを始めとする様々なタイプの光学コンポーネントのうちの任意の１つまたは組合せを意味している。

[0086] 以上、本発明の特定の実施形態について説明したが、説明した以外の方法で本発明を実践することができることは理解されよう。たとえば本発明は、上で開示した方法を記述した１つまたは複数の機械読取可能命令シーケンスを含んだコンピュータプログラムの形態を取ることができ、あるいはこのようなコンピュータプログラムをその中に記憶したデータ記憶媒体（たとえば半導体記憶装置、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態を取ることができる。

[0087] 本発明の１つまたは複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置、詳細には、それらに限定されないが、液浸液が浴の形態で提供されるタイプのものであれ、あるいは基板の局部表面領域のみに液浸液が提供されるタイプのものであれ、上で言及したタイプの液浸リソグラフィ装置に適用することができる。本明細書において意図されている液体供給システムは広義に解釈されたい。特定の実施形態では、液体供給システムは、投影システムと基板および／または基板テーブルの間の空間に液体を提供するメカニズムであっても、あるいは構造の組合せであってもよい。液体供給システムは、前記空間に液体を提供する１つまたは複数の構造、１つまたは複数の液体入口、１つまたは複数のガス入口、１つまたは複数のガス出口および／または１つまたは複数の液体出口の組合せを備えることができる。一実施形態では、前記空間の表面は、基板および／または基板テーブルの一部であってもよく、あるいは前記空間の表面は、基板および／または基板テーブルの表面を完全に覆っていてもよい。あるいは前記空間は、基板および／または基板テーブルの包絡面であってもよい。液体供給システムは、任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量または他の任意の特徴を制御するための１つまたは複数のエレメントをさらに備えることができる。

[0088] 液浸リソグラフィ装置に使用される液浸液は、使用する露光放射の所望の特性および波長に応じて異なる組成を持たせることができる。露光波長が１９３ｎｍの場合、超純水または水をベースとする組成を使用することができるため、液浸液は、水および水に関連する用語で参照されることがしばしばであり、たとえば親水性、疎水性、湿度などの用語を使用することができる。

[0089] 以上の説明は例示を意図したものであり、本発明を制限するものではない。したがって、特許請求の範囲に示す各請求項の範囲を逸脱することなく、上で説明した本発明に改変を加えることができることは当業者には明らかであろう。

[0022]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。 [0023]リソグラフィ装置に使用するための液体供給システムを示す図である。 [0023]リソグラフィ装置に使用するための液体供給システムを示す図である。 [0024]リソグラフィ装置に使用するための他の液体供給システムを示す図である。 [0025]基板との間にガスシールが形成された障壁部材を示す断面図である。 [0026]本発明の一実施形態による２つの圧力ダンパを備えた、流体調整される基板テーブルを示す略図である。 [0027]本発明の一実施形態に使用することができるダンパを示す略断面図である。 [0028]調整システムの他の実施形態を示す略図である。 [0029]流量制限部器の斜視図である。

Claims (17)

1. パターニングデバイスから基板上にパターンを投影するリソグラフィ装置であって、前記リソグラフィ装置は、オブジェクトの温度を調整流体により調整する調整システムを備え、該オブジェクトは、基板テーブル、マスクテーブルまたは前記基板テーブルのキャリヤのいずれかであり、
   前記調整システムは、前記調整流体を前記オブジェクト内の流路に輸送する供給デバイス及び／または前記調整流体を前記オブジェクト内の流路から運び去る除去デバイスと、前記供給デバイス及び／または前記除去デバイスと流体連絡し、前記オブジェクトの加速に起因する前記調整システム内の前記調整流体の圧力変化を抑制する圧力ダンパと、前記調整流体を循環するように構成された、前記オブジェクト内の局部ループと、を備えるリソグラフィ装置。
2. 前記圧力ダンパは、前記オブジェクトの近傍又は前記キャリヤ内に配置される、請求項１に記載の装置。
3. 前記圧力ダンパは、可動部材によって分離された２つのコンパートメントを有するハウジングを備え、前記コンパートメントのうちの一方が前記調整システムに接続された、請求項１又は請求項２のいずれか一項に記載の装置。
4. 前記可動部材はフレキシブルな膜又は可動ピストンである、請求項３に記載の装置。
5. 他方のコンパートメントが圧縮可能媒体を保持している、請求項３又は請求項４のいずれか一項に記載の装置。
6. 前記圧力ダンパは、
   一方の側が前記調整システムと流体連絡している可動部材と、
   前記可動部材に接続されたアクチュエータであって、使用中、前記可動部材に一定の力を印加するためのアクチュエータとを備える、請求項１又は請求項２のいずれか一項に記載の装置。
7. 前記フレキシブルな膜をニュートラル位置へ復帰させるための制御エレクトロニクスをさらに備える、請求項６に記載の装置。
8. 前記圧力ダンパがアクティブ圧力ダンパであり、前記装置が、
   前記調整流体の圧力を測定するための圧力センサと、前記圧力センサからの信号に基づいて前記アクティブ圧力ダンパを駆動し、それにより前記圧力センサによって測定される圧力変化に等しく、かつ、それらに対抗する圧力を実質的に印加するためのコントローラとを備える、請求項１又は請求項２のいずれか一項に記載の装置。
9. パッシブダンパをさらに備えた、請求項８に記載の装置。
10. 前記調整システムは、前記オブジェクトに取り付けられた、前記調整流体を前記ループの周りにポンプ供給するための再循環ポンプ、及び／又は、前記オブジェクトに取り付けられた、前記調整流体の温度を調整するための加熱器又は冷却器、及び／又は、前記調整流体を前記オブジェクトの外側から前記ループに加えるためのコンジットと前記調整流体を前記ループから前記オブジェクトの外側へ除去するためのコンジット、を更に備える請求項１に記載の装置。
11. 温度センサと、前記調整流体の温度を所望の温度に調整する制御するコントローラとをさらに備える請求項１０に記載の装置。
12. 前記調整システム内の前記調整流体の流路に少なくとも１つの流量制限部をさらに備える、請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の装置。
13. 前記流量制限部は、前記オブジェクト内の流路の一部にある、及び／又は、前記流路内の、前記調整流体が前記オブジェクトに流入し、かつ／または前記オブジェクトから流出する位置あるいはそれらの位置に隣接して配置される、及び／又は、前記流路の、前記調整流体が使用中に実質的に前記オブジェクトに向かって流れる部分に配置される、請求項１２に記載の装置。
14. 前記調整流体をポンプ供給するためのポンプをさらに備え、前記ポンプは、前記流路の、調整流体が使用中に実質的に前記オブジェクトから流れ去る部分に配置された、請求項１３に記載の装置。
15. 前記ポンプが容積式ポンプである、請求項１４に記載の装置。
16. 前記調整流体の流路に前記調整流体をポンプ供給するための追加のポンプをさらに備え、前記追加のポンプは、前記流路内の一部であって、前記調整流体が使用中に実質的に前記オブジェクトに向かって流れる位置に配置されている、請求項１４または請求項１５のいずれか一項に記載の装置。
17. パターン化された放射のビームを基板のターゲット部分上に投射することと、
    調整システムを使用して、オブジェクトの温度を調整流体により調整することと、を含むデバイス製造方法であって、
    前記オブジェクトは、基板テーブル、マスクテーブルまたは前記基板テーブルのキャリヤのいずれかであり、
    前記調整システムは、前記調整流体を前記オブジェクト内の流路に輸送する供給デバイス及び／または前記調整流体を前記オブジェクト内の流路から運び去る除去デバイスと、前記供給デバイス及び／または前記除去デバイスと流体連絡し、前記オブジェクトの加速に起因する前記調整システム内の前記調整流体の圧力変化を抑制する圧力ダンパと、前記調整流体を循環させるように構成された、前記オブジェクト内の局部ループとを備える、デバイス製造方法。

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