JP5113912B2 - プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は表示装置に係り、放電電圧を低くすることが出来るプラズマディスプレイパネルの構成およびその製造方法に関する。

プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）を用いたＰＤＰ表示装置は、薄型で特に大画面の表示が可能なディスプレイとして需要が拡大している。ＰＤＰ表示装置は、プラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネルの前面に配置された前面パネル、プラズマディスプレイパネルの背面に配置された駆動回路、およびこれらを収容するフレーム等から構成されている。

前面基板においては、走査電極が前面基板の例えば左側の端部から表示領域に延在し、放電維持電極が前面基板の例えば、右側から表示領域に延在している。背面基板においては、走査電極および放電維持電極と直角方向にアドレス電極が延在している。走査電極および放電維持電極とアドレス電極との交点にサブピクセルが形成される。表示領域にはサブピクセルがマトリクス状に形成されているので、画像を形成することが出来る。

前面基板に形成された走査電極と放電維持電極との間で放電を起こさせ、各サブピクセルに形成された蛍光体を発光させることによって画像を形成するが、走査電極と放電維持電極との間に放電を起こさせるためには、通常は走査電極と放電維持電極との間に１８０Ｖ〜１９０Ｖの電圧が印加される。したがって、走査電極と放電維持電極との間での絶縁破壊を防止するために、走査電極および放電維持電極を覆って誘電体層が形成される。

放電電圧を低く維持するためには、放電空間には２次電子放出係数γが小さい物質が存在していることが望ましい。このために、誘電体層の上に保護膜として２次電子放出係数γが大きいＭｇＯが１μｍ程度コーティングされる。しかし、ＭｇＯは潮解性があり、空気中にさらすと表面が変質し、白濁したり、２次電子放出係数が低下したりする。

このように、保護膜が大気中で変質することを防止する対策として、「特許文献１」には、保護膜をＳｉＯ_２膜等の一時保護膜（以後、不活性膜）によって覆い、プラズマディスプレイパネルとして完成後、放電によって電極付近の不活性膜を除去する構成が記載されている。また、「特許文献２」には、不活性膜としてＳｉＯｘを用い、ｘの値を１．３〜１．９の範囲とすることによって酸素や水蒸気に対するバリア性を向上させる構成が記載されている。

特許第３０７３４５１号公報 特許第３５６３９９４号公報

表示基板上の保護膜はより低電圧で放電を開始・維持するために高い二次電子放出係数を持つことが要求される。そのための保護膜材料として，酸化マグネシウムの膜が一般的に使われている。酸化マグネシウムは十分実用に耐える材料であるが，さらにプラズマディスプレイを省電力で駆動するために、つまり、低電圧で放電させるために、酸化マグネシウムをしのぐ２次電子放出係数を持つ材料が必要とされている。

そのための高い２次電子放出係数を持つ材料として，酸化ストロンチウム，酸化カルシウムなどが見出されているが，これらの膜は大気中ではすぐに炭酸化物となったり水酸化物となったりして不安定であり、そのままでは製造工程上使いこなすことができない。これを対策するために、「特許文献１」に示すように製膜後のこれらの膜の表面を不活性な膜で覆い，大気中での反応を抑制し，パネル化後にこれらの不活性な膜を除去する手法が提案されている。

これらの不活性膜には（１）スパッタされやすいこと，（２）大気中の二酸化炭素や水蒸気を下地の高γ材料から完全に遮断できること(バリア性が高いこと)，が要求される。（１）の性質を満たす材料としては例えばＳｉＯ_２が挙げられるが，ＳｉＯ_２は構造的に多くの欠陥を含んでいるために，（２）のバリア性が不十分である。ＳｉＯ_２のこうしたバリア性不足を改善する方法としては「特許文献２」がある。「特許文献２」ではＳｉＯ_２よりもO原子の結合数の少ないＳｉＯｘ(ｘ=1〜1.9)とすることでバリア性を改善するとしている。しかしながらこの方法でもバリア性は十分ではなく，まだ前記ｘ値の制御が難しいなどの問題がある。

本発明の課題はスパッタリング特性が優れ、かつ、バリア特性が優れた不活性膜を形成することである。また、これによって放電電圧が低く安定したプラズマディスプレイパネルを実現することである。

本発明は以上述べたような課題を解決するものであり、具体的な手段は次のとおりである。

（１）第１の放電電極と第２の放電電極を覆って誘電体層が形成され、前記誘電体層を覆って保護膜が形成された前面基板と、アドレス電極を覆って誘電体層が形成され、前記誘電体層の上に隔壁が形成された背面基板とが、周辺に形成されたシール材によってシールされたプラズマディスプレイパネルであって、前記保護膜の上には、金属酸化物と金属とによって形成される不活性膜が形成され、前記不活性膜は、前記放電電極に対応する部分においては除去されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。

（２）前記金属酸化物の量をｘとし、前記金属の量をｙとした場合、ｙ／（ｘ＋ｙ）は０．５ｍｏｌ％〜５０ｍｏｌ％であることを特徴とする（１）に記載のプラズマディスプレイパネル。

（３）前記金属酸化物はＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＭｇＯ、ＺｒＯのいずれかであり、前記金属は、Ｔｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｕ，Ｙｂ、Ｙ、Ｓｃのような希土類金属、または、Ｍｇ，Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのようなアルカリ土類金属、または、Ｋ、Ｎａのようなアルカリ金属であることを特徴とする（１）に記載のプラズマディスプレイパネル。

（４）前記保護膜は、ＭｇＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、あるいは、これらを含む混合物であることを特徴とする（１）に記載のプラズマディスプレイパネル。

（５）前記不活性膜の膜厚は１０ｎｍ〜５００ｎｍであることを特徴とする（１）に記載のプラズマディスプレイパネル。

（６）第１の放電電極と第２の放電電極を覆って誘電体層が形成され、前記誘電体層を覆って保護膜が形成され、前記保護膜の上に不活性膜が形成された前面基板と、アドレス電極を覆って誘電体層が形成され、前記誘電体層の上に隔壁が形成された背面基板とが、周辺に形成されたシール材によってシールされたプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記不活性膜は、金属酸化物と金属を蒸着によって同時成膜し、前記不活性膜はエージング工程において、プラズマ放電に曝される部分からは除去されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。

（７）前記蒸着は金属酸化物と金属を同一のハースに載置した蒸着材料を電子ビーム加熱によって加熱することを特徴とする（６）に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。

（８）前記蒸着は金属酸化物と金属を別々のハースに載置し、前記金属酸化物と前記金属を別々に加熱、制御することによって行われることを特徴とする（６）に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。

（９）第１の放電電極と第２の放電電極を覆って誘電体層が形成され、前記誘電体層を覆って保護膜が形成され、前記保護膜の上に不活性膜が形成された前面基板と、アドレス電極を覆って誘電体層が形成され、前記誘電体層の上に隔壁が形成された背面基板とが、周辺に形成されたシール材によってシールされたプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記不活性膜は、金属酸化物と金属をスパッタリングによって同時成膜し、前記不活性膜はエージング工程において、プラズマ放電に曝される部分からは除去されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。

希土類金属のような金属は酸素親和力が強いために大気中の二酸化炭素や水蒸気をトラップして下地の高い２次電子放出係数を持つ材料表面にこれら二酸化炭素や水蒸気が浸透することを防ぎ，結果として不活性膜が除去された後の高γ材料表面を清浄な状態に保つ。清浄な高γ材料からの二次電子放出は低電圧で起きるため，ＰＤＰの駆動電圧を低減できる。

さらに本発明によって優れたバリア性を持つ不活性膜を形成することが出来るので、従来は保護膜として使用することが困難であった、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、あるいはこれらを含む混合物を保護膜として使用することが出来る。これらの膜はＭｇＯよりもさらに２次電子放出係数が大きいので、放電電圧の低いプラズマディスプレイパネルを実現することが出来る。

以下、実施例によって本発明の内容を詳細に説明する。

図１は、プラズマディスプレイパネルの表示領域の分解斜視図である。プラズマディスプレイパネルは，前面基板１と背面基板２の２枚のガラス基板から構成されている。前面基板１には、画像形成のための放電を生じさせる走査電極２０（以後Ｙ電極２０ともいう）と放電維持電極１０（以後Ｘ電極１０ともいう）が平行に配置されている。

走査電極２０は、さらに実際に放電電極となるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）によって形成された走査放電電極と、端子部から電圧を供給する走査バス電極から構成される。以後、走査バス電極をＹバス電極２２とも呼び、走査放電電極をＹ放電電極２１とも呼ぶ。また、Ｙ電極２０という場合は、Ｙバス電極２２とＹ放電電極２１を含むものとする。

放電維持電極１０は、さらに実際に放電電極となるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）によって形成された放電維持電極１０と、端子部から電圧を供給する放電維持バス電極から構成される。以後、放電維持バス電極をＸバス電極１２とも呼び、放電維持電極１０をＸ放電電極１１とも呼ぶ。また、Ｘ電極１０という場合は、Ｘバス電極１２とＸ放電電極１１を含むものとする。

Ｘバス電極１２、Ｙバス電極２２はいずれも金属の積層構造となっており、前面基板１の側からクロム、銅、クロムの積層構造となっている。前面基板１上に形成されたクロムは、ガラスとの接着性が優れており、かつ、クロムの表面が黒いので、コントラストの向上のための効果を有する。銅はバス電極の抵抗を小さくするために使用される。銅の上をさらにクロムが被覆しているが、このクロムは、銅の表面が酸化されて抵抗が変化することを防止するためである。

前面ガラス上のクロムはさらに、酸化クロムとクロムの積層構造となる場合もある。酸化クロムは黒色で、反射率がクロムよりも小さいので、画像のコントラストをさらに向上させることが出来る。酸化クロムもガラスとの接着性は優れている。また、銅との接触面はクロムなので、銅が酸化されることも無い。

図１においては、放電電極は透明導電膜であるＩＴＯを使用し、バス電極には抵抗の小さい金属積層膜を使用している。透明導電膜を使用すると、蛍光体８からの発光を外部により多く取り出すことが出来るからである。一方、放電電極をバス電極と同じ金属によって形成する場合もある。この場合は、プロセスが一回で済み、製造コストの大幅な低減になる。

Ｘ電極１０およびＹ電極２０を覆うように誘電体層５が形成される。誘電体層５には軟化点が５００℃程度の低融点ガラスが使用される。誘電体層５の上に保護膜６が形成される。保護膜６としては，酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が主に使用され，スパッタ法または蒸着法によって形成される。本発明では、次ぎに述べるように、保護膜６の上に不活性膜６０が形成されるので、ＭｇＯ以外にＳｒＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、あるいはそれらの合金も使用することが出来る。

図１において、保護膜６の上には不活性膜が蒸着あるいはスパッタリングによって形成される。この不活性膜６０は、ＳｉＯ_２膜と希土類金属等の混合物である。不活性膜６０の役割は、保護膜６を大気中の酸素や水分から保護することである。この不活性膜６０はプラズマディスプレイパネルが完成した後のエージング工程において、放電時のスパッタリングによってプラズマ放電に曝される部分からは除去される。不活性膜６０は保護膜６を大気から保護することという条件と、放電時にスパッタリングによって容易に除去されることという条件を満足する必要があるので、膜厚は、１０ｎｍ〜５００ｎｍに選定される。

なお、図１においては、省略されているが、Ｘ電極１０とＹ電極２０の外側には、画像のコントラストを向上させるために黒帯が形成される場合もある。黒帯はコントラストを向上させるものであるから、黒色である必要がある。黒帯はＸ電極１０あるいはＹ電極２０と同じ構造の金属の積層膜が使用される。したがって、黒帯とＸ電極１０あるいはＹ電極２０は同時に形成することが出来る。ガラスで形成された前面基板１と接する金属はＣｒあるいはＣｒＯであるから黒色であり、コントラストの向上を図ることが出来る。

背面基板２には，アドレス電極３０（以後Ａ電極ともいう）が，Ｘバス電極１２あるいはＹバス電極２２と直交して形成される。アドレス電極３０の構造もＸバス電極１２あるいはＹバス電極２２と同様の構造であり、クロム、銅、クロムの積層構造となっている。アドレス電極３０の上を誘電体層５が被覆している。一般的には背面基板２に形成された誘電体層５も前面基板１に形成された誘電体層５と同じ材料が使用される。

背面基板２の誘電体層５の上には、隔壁７がアドレス電極３０を挟むように、アドレス電極３０と同じ方向に延在させて形成されている。図３において、アドレス電極３０と直角方向に横隔壁７１が形成されており、隔壁７と横隔壁７１とで囲まれた領域においてサブピクセル（サブピクセルをセルとも呼ぶ）が形成される。隔壁７の内側には蛍光体８が塗布されている。蛍光体８は、赤、緑、青の蛍光体８が図６の隔壁７によって形成された凹部に並列して塗布されている。

前面基板１と背面基板２及び隔壁７に囲まれた空間が放電ガスを封入する放電空間となっている。一対のバス配線と隔壁７の間がひとつの表示セル（サブピクセル）に対応し，カラー表示の場合、３つのサブピクセルがおのおの３原色（Ｒ，Ｂ，Ｇ）に対応してひとつの画素（ピクセル）を形成する。

プラズマディスプレイパネルの発光の原理は以下のようになっている。まず，発光させたいセルに対応するアドレス電極３０と，同じく当該セルに対応する走査電極２０との間に１００-２００Ｖ程度の電圧（放電開始電圧）をかける。アドレス電極３０とバス配線は直交しているため，その交点にある単独のセルを選択することができる。選択されたセルでは電圧をかけた放電電極（この場合はＹ電極２０）と，アドレス電極３０の間で微弱放電が発生し，前面基板１側の誘電体層５の上の保護膜６上に電荷（壁電荷）が蓄積される。このようにして、表示領域の全セルに電荷による書き込みを行う。この期間は書き込み期間であり、画像は形成されない。

続いて、放電維持期間（サステイン期間）において、Ｘ電極１０とＹ電極２０との間に高周波パルスを印加して維持放電を行う。このとき、壁電荷が蓄積されているセルのみでサステイン放電が発生する。このサステイン放電によって紫外線が発生し、この紫外線によって蛍光体８が発光する。蛍光体８から放射された可視光は前面基板１から放出され、人間が視認する。書き込み期間に電荷が蓄積されたセルのみで蛍光体８が発光するので、画像が形成されることになる。

図２は本発明のプロセスを示す断面模式図である。図２は本発明のプロセスをわかり易く説明するために、前面基板１を水平方向に９０度回転させて表示している。すなわち、図１に示すように、本来ならば、Ｘ放電電極１１等とアドレス電極３０とは直角方向に延在しているが、図２では平行に延在している。

図２（ａ）において、前面基板１上にＸ放電電極１１、Ｘバス電極１２、Ｙ放電電極２１、Ｙバス電極２２等を形成し、その上に誘電体層５を２０μｍの厚みで形成する。誘電体層５の上にＳｒＯ＋ＣａＯ材料を真空蒸着法により１μｍ形成し、保護膜６とする。連続して保護膜６の表面に金属酸化物であるＳｉＯ_２と金属Ｔｂを混合した蒸着母材を蒸着して不活性膜６０を形成する。以下金属酸化物の例としてＳｉＯ_２を取り上げて説明する。

図４はＳｉＯ_２と金属Ｔｂが蒸着される状態を示す模式図である。図４において、ＳｉＯ_２と金属Ｔｂを混合した蒸着母材を基板ハース２００内に載置し、電子ビームで加熱して蒸発させる。蒸着源の上方には、保護膜６まで形成された前面基板１が基板セット治具１００に下向きにセットされ、ＳｉＯ_２と金属Ｔｂを混合した蒸着母材が蒸着される。蒸着が終わった前面基板１は矢印の方向に移動して外部に取り出される。ＳｒＯ＋ＣａＯは潮解性をもっているが、不活性膜６０であるＳｉＯ_２＋Ｔｂによっておおわれているので、変質することは無い。

不活性膜６０の厚さは小さければバリア性を確保できず、大きければその後の放電除去工程の時間が増大する。最低限のバリア性が生じる下限膜厚はおよそ１０μｍで、現実的な除去工程時間に収まる上限膜厚はおよそ５００ｎｍである。理想的には、バリア性が確保できる最低限の膜厚で成膜することが望ましい。したがって、理想的な膜厚は混合する金属の種類や濃度に依存する。

必要な金属の混合比率は、不活性膜６０が必要とするバリア性を持つことが出来る下限濃度によって下限が定まり、不活性膜６０が放電に支障をきたすような導電性を持たないように上限濃度が定めされる。この条件を満たす金属の濃度の範囲は０．５ｍｏｌ％〜５０ｍｏｌ％である。

図２（ａ）において、背面基板２にはアドレス電極３０が形成され、その上に低融点ガラスを１０μｍの厚みで形成して誘電体層５とする。さらに、隔壁７用として、低融点ガラスペーストを成膜し、ドライフィルム層をラミネートする。ラミネートしたドライフィルムを露光、現像し、ドライフィルム層をパターニングする。パターニングされたドライフィルムをマスクとしてサンドブラストを行い、放電空間のための凹部を形成する。その後、ドライフィルムを除去し、その後、焼成してバインダを飛散させ、隔壁７を形成する。

その後、隔壁７で囲まれた凹部に蛍光体８を形成する。さらに、背面基板２にシール層となるフリットガラスをディスペンサ等で塗布する。その後、前面基板１と背面基板２を組み合わせ、ベーキング炉で加熱することによってシール材としてのフリットガラスを溶融固化させる。

シール材を溶融させるとともに、封止管を介して内部を数Ｐａ程度まで真空に排気し、その後、例えば、Ｘｅ１０％＋Ｎｅ９０％の放電ガスを５０ｋＰａ程度封入し、封止管をチップオフする。

図２（ｂ）は、このようにして形成されたプラズマディスプレイパネルのＸ放電電極１１、Ｙ放電電極２１間にエージングのための交流電圧を印加し、放電電極間にエージング放電を発生させることを示す断面模式図である。

このエージング放電によって、保護膜６表面の不活性膜６０、この場合は、Ｔｂ−ＳｉＯ_２層を除去する。不活性膜６０が除去されたか否かの確認は放電電圧をモニターすることによって判断することが出来る。図２（ｃ）はこのようにして、不活性膜６０が除去された状態を示す。

不活性膜６０は、保護膜６上から全て除去されるわけではなく、放電電極に対応する部分のみから除去される。また、スパッタリングによって除去された不活性膜６０の大部分は、除去された周辺の不活性膜６０を含む構造物に付着するので、放電ガスを汚染することも無い。

このように、不活性膜６０中に金属を混入することで、封止前に背面基板２が大気にさらされた場合でも、大気中の二酸化炭素や水分を金属がトラップし、下地の保護膜６に二酸化炭素や水分が浸透することを防止し、保護膜６が変質することを防止することが出来る。

以上の説明では、不活性膜６０として、ＳｉＯ_２とＴｂを同時成膜したものを例として説明した。不活性膜６０の材料としては、これに限らず、ＳｉＯ_２と他の金属を同時成膜した、酸化物―金属混合膜を用いることが出来る。ＳｉＯ_２と組み合わせて使用することが出来る金属としては、Ｔｂの他に、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｕ，Ｙｂ、Ｙ、Ｓｃのような希土類金属、Ｍｇ，Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等のアルカリ土類金属、Ｋ、Ｎａのようなアルカリ金属を使用することが出来る。

以上の説明では、保護膜６の材料としてＳｒＯ＋ＣａＯを例に挙げて説明した。しかし、保護膜６の材料としては、これに限らず、ＢａＯ、ＭｇＯあるいはこれらを含む混合物を使用することが出来る。現在は保護膜６としてはＭｇＯが最も広く使用されているが、ＭｇＯ保護膜６に本発明を使用することによってＭｇＯの変質を防止し、放電開始電圧のばらつきをさらに低下させることが出来る。

また、２次電子放出係数としては大きな値を有し、保護膜６特性としては優れているＳｒＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、あるいはこれらを含む混合物は、従来は、大気中の酸素、水分等によって変質するために使用出来なかったが、本発明によって使用可能となり、プラズマディスプレイパネルの放電電圧を低下させることが出来る。

本実施例で形成されるプラズマディスプレイパネルの構成は実施例１で形成されるプラズマディスプレイパネルと同様である。本実施例では、不活性膜６０の製造方法が実施例１とは異なる。図４は本実施例による不活性膜６０の形成方法である。実施例１においては、ＳｉＯ_２をＴｂを混合したものを基板ハース２００内に設置して電子ビームによって加熱して成膜している。これに対して本実施例では、ＳｉＯ_２膜とＴｂを別々のハースに配置し、各々を電子ビームで加熱することによって蒸着する。

ＳｉＯ_２とＴｂとは蒸着速度が異なるが、本実施例においては、ＳｉＯ_２とＴｂの蒸着を別々に制御することが出来るので、２種類の蒸着成分の混合比率を正確にコントロールすることが出来る。不活性膜６０が蒸着された前面基板１は図４の矢印の方向に動いて大気中に取り出されることは実施例１の図３と同様である。

図４では、ＳｉＯ_２が載置されたハースと、Ｔｂが載置されたハースが蒸着チャンバ内に配置されている。Ｔｂの他に、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｕ，Ｙｂ、Ｙ、Ｓｃのような希土類金属、Ｍｇ，Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等のアルカリ土類金属、Ｋ、Ｎａのようなアルカリ金属を使用することが出来ることは実施例１と同様である。

本実施例で形成されるプラズマディスプレイパネルの構成は実施例１で形成されるプラズマディスプレイパネルと同様である。本実施例では、不活性膜６０の製造方法が実施例１および実施例２とは異なる。実施例１および実施例２では不活性膜６０の成膜に真空蒸着を用いているが、本実施例においてはスパッタリングを用いて不活性膜６０を形成する。

図５は本実施例による不活性膜６０を形成する方法を示す例である。図５において、スパッタリングターゲット３００として、ＳｉＯ_２ターゲット中にＴｂが埋めこまれたものを使用している。なお、図５のようなスパッタリング法においては、ＳｉＯ_２ターゲット上にＴｂ片をおいてスパッタリングすることも出来る。図５では、スパッタリングターゲット３００からスパッタリングされたＳｉＯ_２およびＴｂは上方の基板セット治具１００にセットされた前面基板１に被着する。

図５では、前面基板１は下向きに配置されている。しかし、スパッタリング法の特徴は、図５とは異なり、基板を立て配置することが出来る点である。すなわち、図５に示すように、基板を水平に設置した場合、基板が大型になると、基板が撓むという現象が生じ、これを防止するための機構が必要となる。これに対して、スパッタリングにおいては、基板を立てて行うことが出来るので、基板の大型化が容易である。この場合、スパッタリングターゲット３００も基板と平行に立てて配置される。

以上の実施例では、スパッタリングターゲット３００として、ＳｉＯ_２ターゲットにＴｂを埋め込んだものを使用している。Ｔｂの他に、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｕ，Ｙｂ、Ｙ、Ｓｃのような希土類金属ＳｉＯ_２ターゲットにＭｇ，Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等のアルカリ土類金属ＳｉＯ_２ターゲット、Ｋ、Ｎａのようなアルカリ金属をＳｉＯ_２ターゲット使用することが出来る。この場合もＳｉＯ_２膜と各金属の不活性膜６０を形成することが出来る。

以上の例では、金属酸化物としてＳｉＯ_２を例に取って説明した。しかし、金属酸化物はＳｉＯ_２に限らず、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＭｇＯ、ＺｒＯ等の場合であっても本発明を適用することが出来る。

本発明によるプラズマディスプレイパネルの分解斜視図である。 本発明のプロセスを示す模式断面図である。 実施例１による蒸着方法である。 実施例２による蒸着方法である。 スパッタリングによって不活性膜を形成する例である。

符号の説明

１・・・前面基板、 ２・・・背面基板、 ３・・・シール部、 ５・・・誘電体層、 ６・・・保護膜、 ７・・・隔壁、 ８・・・蛍光体、１０・・・Ｘ電極、 １１・・・Ｘ放電電極、 １２・・・Ｘバス電極、 ２０・・・Ｙ電極、 ２１・・・Ｙ放電電極、 ２２・・・Ｙバス電極、 ３０・・・アドレス電極、 ６０・・・不活性膜、 １００・・・基板セット治具、 ２００・・・蒸着ハース、 ３００・・・スパッタリングターゲット。

Claims (6)

1. 第１の放電電極と第２の放電電極を覆って誘電体層が形成され、前記誘電体層を覆って保護膜が形成された前面基板と、アドレス電極を覆って誘電体層が形成され、前記誘電体層の上に隔壁が形成された背面基板とが、周辺に形成されたシール材によってシールされたプラズマディスプレイパネルであって、
   前記保護膜の上には、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＭｇＯ、ＺｒＯのいずれかの金属酸化物と、Ｔｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｕ，Ｙｂ、Ｙ、Ｓｃの希土類金属のいずれか、あるいは、Ｍｇ，Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのアルカリ土類金属のいずれか、あるいは、Ｋ、Ｎａのアルカリ金属のいずれかの金属とによって構成され、かつ、膜厚が１０ｎｍ〜５００ｎｍの不活性膜が形成され、
   前記不活性膜は、プラズマ放電に曝される部分においては全部または一部が除去されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
2. 前記金属酸化物の量をｘとし、前記金属の量をｙとした場合、ｙ／（ｘ＋ｙ）は０．５ｍｏｌ％〜５０ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
3. 前記保護膜は、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＢａＯのいずれか、あるいは、これらのいずれかを含む混合物であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
4. 第１の放電電極と第２の放電電極を覆って誘電体層が形成され、前記誘電体層を覆って保護膜が形成され、前記保護膜の上に不活性膜が形成された前面基板と、アドレス電極を覆って誘電体層が形成され、前記誘電体層の上に隔壁が形成された背面基板とが、周辺に形成されたシール材によってシールされたプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
   前記不活性膜は、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＭｇＯ、ＺｒＯのいずれかの金属酸化物と、Ｔｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｕ，Ｙｂ、Ｙ、Ｓｃの希土類金属のいずれか、あるいは、Ｍｇ，Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのアルカリ土類金属のいずれか、あるいは、Ｋ、Ｎａのアルカリ金属のいずれかの金属を、膜厚が１０ｎｍ〜５００ｎｍとなるように蒸着によって同時成膜し、
   前記不活性膜はエージング工程において、プラズマ放電に曝される部分の全部または一部において除去されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
5. 前記蒸着は前記金属酸化物と前記金属を同一のハースに載置した蒸着材料を電子ビーム加熱によって加熱することを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
6. 前記蒸着は前記金属酸化物と前記金属を別々のハースに載置し、前記金属酸化物と前記金属を別々に加熱、制御することによって行われることを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。

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