JP5113913B2 - 中間接続層をもつタンデム式oled装置 - Google Patents
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Description
したがって、本発明の目的は、改善された効率及び発光安定性(luminance stability)をもつOLED装置を提供することにある。
(a)アノードと、
(b)カソードと、
(c)前記アノードと前記カソードとの間に配置される少なくとも2つのエレクトロルミネッセンスユニットであって、各エレクトロルミネッセンスユニットが、少なくとも1つの正孔輸送層及び1つの有機発光層を含むエレクトロルミネッセンスユニットと、
(d)隣接するエレクトロルミネッセンスユニットの間に配置される中間接続層であって、前記中間接続層がn−ドープ有機層及び電子受容層を含み、前記電子受容層がn−ドープ有機層よりも前記カソードに近接して配置され、前記n−ドープ有機層がアルカリ金属及び有機アルカリ金属錯体を含む中間接続層と
を含むタンデム式OLED装置によって達成される。
A (Li+)m(Q)n
(式中、Qはアニオン性有機配位子であり、m及びnは、錯体に中性電荷を与えるように独立的に選択された整数である。)による有機リチウム化合物を含む。
各Aは水素又は置換基を表し、各Bは水素、又はZ原子上の独立して選択された置換基を表し、ただし、2つ以上の置換基は結合して縮合環又は縮合環系を形成することができ、
jは0〜3であり、kは1又は2であり、
m及びnは、錯体に中性電荷を与えるように独立して選択された整数である。
CO−1:アルミニウムトリソキシン[別名:トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)]、
CO−2:マグネシウムビオキシン[別名:ビス(8−キノリノラト)マグネシウム(II)]、
CO−3:ビス[ベンゾ{f}−8−キノリノラト]亜鉛(II)、
CO−4:ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)−μ−オキソ−ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)、
CO−5:インジウムトリソキシン[別名:トリス(8−キノリノラト)インジウム]、
CO−6:アルミニウムトリス(5−メチルオキシン)[別名:トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)]、
CO−7:リチウムオキシン[別名:(8−キノリノラト)リチウム(I)]、
CO−8:ガリウムオキシン[別名:トリス(8−キノリノラト)ガリウム(III)]、及び
CO−9:ジルコニウムオキシン[別名:テトラ(8−キノリノラト)ジルコニウム(IV)]
第1群:水素、又は1〜24個の炭素原子を有するアルキル
第2群:5〜20個の炭素原子を有するアリール又は置換アリール
第3群:アントラセニル、ピレニル又はペリレニルの縮合芳香環を完成するのに必要な4〜24個の炭素原子
第4群:フリル、チエニル、ピリジル、キノリニル又は他の複素環系の縮合芳香族複素環を完成するのに必要な5〜24個の炭素原子を有するヘテロアリール又は置換ヘテロアリール
第5群:1〜24個の炭素原子を有するアルコキシルアミノ、アルキルアミノ又はアリールアミノ
第6群:フッ素又はシアノ
第1群:水素、又は1〜24個の炭素原子を有するアルキル
第2群:5〜20個の炭素原子を有するアリール又は置換アリール
第3群:縮合芳香環又は環系を完成する、4〜24個の炭素原子を含有する炭化水素
第4群:単結合を介して結合されるか、又は縮合芳香族複素環を完成する、チアゾリル、フリル、チエニル、ピリジル、キノリニル又は他の複素環系などの5〜24個の炭素原子を有するヘテロアリール又は置換へテロアリール
第5群:1〜24個の炭素原子を有するアルコキシルアミノ、アルキルアミノ又はアリールアミノ
第6群:フルオロ又はシアノ
1.きれいなガラス基板にインジウムスズ酸化物(ITO)をスパッタリングにより堆積させ、60nmの厚さの透明電極を形成した。
2.上記で調製したITO表面を酸素プラズマエッチングで処理した。
3.上記で調製した基板を、正孔注入層(HIL)としてヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン(CHATP)の10nm層を真空蒸着することによってさらに処理した。
5.上記で調製した基板を、48%のNPB(ホストとして)、48%の9−(1−ナフチル)−10−(2−ナフチル)アントラセン(NNA)(共同ホストとして)、4%の黄色発光ドーパントであるジフェニルテトラ−t−ブチルルブレン(PTBR)含む20nmの黄色発光層を真空蒸着することによってさらに処理した。
8.上記で調製した基板を、電子受容層としてCHATPの10nm層を真空蒸着することによってさらに処理した。
9.上記で調製した基板を、正孔輸送層(HTL)としてNPBの10nm層を真空蒸着することによってさらに処理した。
10.上記で調製した基板を、94.5%のNPB、黄色発光ドーパントとして5%のPTBR、及び赤色発光ドーパントとして0.5%のジベンゾ{[f,f’]−4,4’,7,7’−テトラフェニル]ジインデノ−[1,2,3−cd:1’,2’,3’−lm]ペリレン(TPDBP)を含む20nmの赤色発光層を真空蒸着することによってさらに処理した。
12.上記で調製した基板を、99%のPBNA、青色発光ドーパントとして1%のBEPを含む20nmの青色発光層を真空蒸着することによってさらに処理した。
13.共同ホストとして49%のBphen及び49%のALQ、2%のLi金属を含む35nmの混合電子輸送層を真空蒸着した。
14.基板上に100nmのアルミニウム層を蒸発によって堆積させ、カソード層を形成した。
工程7を以下のようにしたこと以外は、実施例1で上記した通りにしてOLED装置を作製した。
7.ホストとして98%のBphen、2%のLi金属を含む40nmのnドープ有機層を真空蒸着した。
工程7を以下のようにしたこと以外は、実施例1で上記した通りにしてOLED装置を作製した。
7.ホストとして98%の2−(2−ヒドロキシフェニル)−1,10−フェナントロリンのリチウム塩(Li−HPP)、2%のLi金属を含む40nmのnドープ有機層を真空蒸着した。
工程7を以下のようにしたこと以外は、実施例1で上記した通りにしてOLED装置を作製した。
7.49%のLi−HPP、共同ホストとして49%のALQ、2%のLi金属を含む40nmのnドープ有機層を真空蒸着した。
以下の工程6aを工程6の後に加え、工程7を以下のようにしたこと以外は、実施例1で上記した通りにしてOLED装置を作製した。
6a.上記で調製した基板を、30nmのPBNAの非ドープ層を真空蒸着することによってさらに処理した。
7.ホストとして98%のLi−HPP、2%のLi金属を含む10nmのnドープ有機層を真空蒸着した。
以下の工程6aを工程6の後に加え、工程7を以下のようにしたこと以外は、実施例1で上記した通りにしてOLED装置を作製した。
6a.上記で調製した基板を、50%のPBNA及び50%の8−キノリノラトリチウム(LiQ)の20nmの非ドープ層を真空蒸着することによってさらに処理した。
7.ホストとして98%のLi−HPP、2%のLi金属を含む20nmのnドープ有機層を真空蒸着した。
15 OLED装置
20 基板
30 アノード
35 正孔注入層
38 電子受容層
40 正孔輸送層
45 正孔輸送層
50y 黄色発光層
50b 青色発光層
51r 赤色発光層
51g 緑色発光層
51b 青色発光層
55 電子輸送層
65 非ドープ層
70 ルミネッセンスユニット
75 ルミネッセンスユニット
80 中間接続層
85 中間接続層
90 カソード
95 nドープ有機層
Claims (10)
- (a)アノードと、
(b)カソードと、
(c)前記アノードと前記カソードとの間に配置される少なくとも2つのエレクトロルミネッセンスユニットであって、各エレクトロルミネッセンスユニットが、少なくとも1つの正孔輸送層及び1つの有機発光層を含むエレクトロルミネッセンスユニットと、
(d)隣接するエレクトロルミネッセンスユニットの間に配置される中間接続層であって、前記中間接続層がn−ドープ有機層及び電子受容層を含み、前記電子受容層がn−ドープ有機層よりも前記カソードに近接して配置され、前記n−ドープ有機層がアルカリ金属及び有機アルカリ金属錯体を含み、且つ前記中間接続層が、前記アノードに近接する側に前記n−ドープ層と接触する非ドープ層をさらに含む中間接続層と
を含むタンデム式OLED装置。 - 前記有機アルカリ金属錯体はフェナントロリン誘導体を含む請求項1に記載のタンデム式OLED装置。
- 前記アルカリ金属はリチウムである請求項2に記載のタンデム式OLED装置。
- 前記有機アルカリ金属錯体はリチウムを含む請求項3に記載のタンデム式OLED装置。
- 前記n−ドープ有機層は非荷電フェナントロリン誘導体をさらに含む請求項4に記載のタンデム式OLED装置。
- 前記非ドープ層はアントラセン誘導体を含む請求項1に記載のタンデム式OLED装置。
- 前記非ドープ層は有機アルカリ金属錯体をさらに含む請求項7に記載のタンデム式OLED装置。
- 前記非ドープ層中の前記有機アルカリ金属錯体は、ヒドロキノリンの塩である請求項8に記載のタンデム式OLED装置。
- 前記電子受容層はヘキサアザトリフェニレン誘導体を含む請求項1に記載のタンデム式OLED装置。
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