JP5116048B2 - 触媒および反応方法 - Google Patents
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Description
本発明は、アルカリ土類金属アミドと水酸基を有するキラル配位子とによる触媒に関する。例えば、アルカリ土類金属アミドと水酸基を有するキラル配位子とを触媒として用いたインドールとカルコンとの反応（不斉反応）に関する。
Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ等のアルカリ土類金属は地球上に広く存在するユビキタス元素である。これ等の元素の積極的な利用は我が国の元素戦略上重要である。本発明者らは、これまで、カルシウムアルコキシドと光学活性ビスオキサゾリン配位子より調製されたアニオン性錯体、ストロンチウムアルコキシドと光学活性キラルビススルホンアミド配位子から調製されたアニオン性錯体、カルシウムアルコキシドと光学活性ビスオキサゾリン配位子から調整された配位性錯体が、有効なブレンステッド塩基触媒として機能し、α−アミノエステル誘導体とα，β−不飽和カルボニル化合物とによる１，４付加反応や［３＋２］付加環化反応、マロン酸エステルとα，β−不飽和カルボニル化合物との１，４付加反応やMannich反応、アズラクトンとα，β−不飽和エステルとの１，４付加反応が、高エナンチオ選択的に進行することを見出している。
Ｓａｉｔｏ，Ｓ．；Ｔｓｕｂｏｇｏ，Ｔ．；Ｋｏｂａｙａｓｈｉ，Ｓ． Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００７，１２９，５３６４
Ｔｓｕｂｏｇｏ，Ｔ．；Ｓａｉｔｏ，Ｓ．；Ｙａｍａｓｈｉｔａ，Ｙ．；Ｋｏｂａｙａｓｈｉ，Ｓ． Ｏｒｇ．ｌｅｔｔ．２００８，１０，８０７−８０９
Ｔｓｕｂｏｇｏ，Ｔ．；Ｓａｉｔｏ，Ｓ．；Ｓｅｋｉ，Ｋ．；Ｙａｍａｓｈｉｔａ，Ｙ．；Ｋｏｂａｙａｓｈｉ，Ｓ． Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００８，１３０，１３３２１
Ａｇｏｓｔｉｎｈｏ，Ｍ．；Ｋｏｂａｙａｓｈｉ，Ｓ． Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００８，１３０，２４３０
Ｋｏｂａｙａｓｈｉ，Ｓ．；Ｙａｍａｇｕｃｈｉ，Ｍ．；Ａｇｏｓｔｉｎｈｏ，Ｍ．；Ｓｃｈｎｅｉｄｅｒ，Ｕ． Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．２００９，３８，２９６
Ｎｇｕｙｅｎ，Ｈ．Ｖ．；Ｍａｔｓｕｂａｒａ，Ｒ．；Ｋｏｂａｙａｓｈｉ，Ｓ． Ａｎｇｅｗ．ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．２００９，４８，５９２７
Ｔｓｕｂｏｇｏ，Ｔ．；Ｙａｍａｓｈｉｔａ，Ｙ．；Ｋｏｂａｙａｓｈｉ，Ｓ． Ａｎｇｅｗ．ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．２００９，４８，９１１７
Ｙａｍａｄａ，Ｙ．Ｍ．Ａ．；ｓｈｉｂａｓａｋｉ，Ｍ． Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．１９９８，３９，５５６１
Ｓｕｚｕｋｉ，Ｔ．；Ｙａｍａｇｉｗａ，Ｎ．；Ｍａｔｓｕｏ，Ｙ．；Ｓａｋａｍｏｔｏ，Ｓ．；Ｙａｍａｇｕｃｈｉ，Ｋ．；Ｓｈｉｂａｓａｋｉ，Ｍ．；Ｎｏｙｏｒｉ，Ｒ． Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．２００１，４２，４６６９
しかしながら、これまで、アルカリ土類金属アミドを触媒として用いた例は極めて少ない。アルカリ土類金属アミドを用いた場合、アルカリ土類金属アルコキシドを用いた場合とは、その作用・効果が全く異なると予想される。
従って、本発明が解決しようとする課題は、アルカリ土類金属アミドを触媒として利用できる技術を提供することである。特に、不斉ブレンステッド塩基触媒として機能する触媒を提供することである。更には、インドールに対するエノンのFriedel−Crafts型反応が高エナンチオ選択的に進行する触媒を提供することである。
前記課題を解決する為の研究が鋭意推し進められて行った。その結果、カルシウムアミドと光学活性ＴＡＤＤＯＬ型配位子との組み合わせになる触媒や、バリウムアミドと光学活性ＢＩＮＯＬ型型配位子との組み合わせになる触媒は、不斉ブレンステッド塩基触媒として機能することを見出すに至った。更に、これらの触媒を用いた場合、インドールに対するエノンのFriedel−Crafts型反応が高エナンチオ選択的に進行することを見出すに至った。
上記知見を基にして本発明が達成された。
すなわち、前記の課題は、
アルカリ土類金属アミドと、水酸基を有する光学活性配位子とで構成されてなる
ことを特徴とする触媒によって解決される。
アルカリ土類金属アミドと、水酸基を有する光学活性配位子とで構成されてなる
ことを特徴とする触媒によって解決される。
特に、インドールとエノンとの反応に用いられる触媒であって、
前記触媒は、
アルカリ土類金属アミドと、水酸基を有する光学活性配位子とで構成されてなる
ことを特徴とする触媒によって解決される。
前記触媒は、
アルカリ土類金属アミドと、水酸基を有する光学活性配位子とで構成されてなる
ことを特徴とする触媒によって解決される。
又、上記触媒であって、アルカリ土類金属アミドが、好ましくは、下記一般式［Ｉ］で表される化合物であることを特徴とする触媒によって解決される。
又、上記触媒であって、水酸基を有する光学活性配位子が、好ましくは、下記一般式［ＩＩ］で表される化合物であることを特徴とする触媒によって解決される。或いは、水酸基を有する光学活性配位子が、好ましくは、下記一般式［ＩＩＩ］で表される化合物であることを特徴とする触媒によって解決される。
又、上記触媒であって、アルカリ土類金属アミドと水酸基を有する光学活性配位子との割合が、好ましくは、（アルカリ土類金属アミド）：（水酸基を有する光学活性配位子）＝１：３〜３：１であることを特徴とする触媒によって解決される。
又、上記触媒であって、インドールは、好ましくは、下記一般式［ＩＶ］で表される化合物であることを特徴とする触媒によって解決される。
又、上記触媒であって、エノンは、好ましくは、下記一般式［Ｖ］で表される化合物であることを特徴とする触媒によって解決される。
又、前記の課題は、
インドールとエノンとを反応させる方法であって、
アルカリ土類金属アミドと、水酸基を有する光学活性配位子とで構成されてなる触媒が用いられる
ことを特徴とする反応方法によって解決される。
インドールとエノンとを反応させる方法であって、
アルカリ土類金属アミドと、水酸基を有する光学活性配位子とで構成されてなる触媒が用いられる
ことを特徴とする反応方法によって解決される。
又、上記インドールとエノンとを反応させる方法であって、アルカリ土類金属アミドが、好ましくは、下記一般式［Ｉ］で表される化合物であることを特徴とする反応方法によって解決される。
又、上記インドールとエノンとを反応させる方法であって、水酸基を有する光学活性配位子が、好ましくは、下記一般式［ＩＩ］で表される化合物であることを特徴とする反応方法によって解決される。或いは、水酸基を有する光学活性配位子が、好ましくは、下記一般式［ＩＩＩ］で表される化合物であることを特徴とする反応方法によって解決される。
又、上記インドールとエノンとを反応させる方法であって、アルカリ土類金属アミドと水酸基を有する光学活性配位子との割合が、好ましくは、（アルカリ土類金属アミド）：（水酸基を有する光学活性配位子）＝１：３〜３：１であることを特徴とする反応方法によって解決される。
又、上記インドールとエノンとを反応させる方法であって、インドールは、好ましくは、下記一般式［ＩＶ］で表される化合物であることを特徴とする反応方法によって解決される。
又、上記インドールとエノンとを反応させる方法であって、エノンは、好ましくは、下記一般式［Ｖ］で表される化合物であることを特徴とする反応方法によって解決される。
一般式［Ｉ］
ＭＮ（Ｒ１）２
［一般式［Ｉ］中、Ｍはアルカリ土類金属、Ｒ１はＨ、炭化水素基、又は置換基を有するシリル基である。全てのＲ１は、同一でも、異なっていても良い。］
ＭＮ（Ｒ１）２
［一般式［Ｉ］中、Ｍはアルカリ土類金属、Ｒ１はＨ、炭化水素基、又は置換基を有するシリル基である。全てのＲ１は、同一でも、異なっていても良い。］
一般式［ＩＩ］
［一般式［ＩＩ］中、Ｒ２，Ｒ３はＨ又は炭化水素基である。Ｒ２，Ｒ３の中の少なくとも一方はＨでは無い。Ｒ４，Ｒ５は炭化水素基である。全てのＲ４，Ｒ５は、同一でも、異なっていても良い。］
［一般式［ＩＩ］中、Ｒ２，Ｒ３はＨ又は炭化水素基である。Ｒ２，Ｒ３の中の少なくとも一方はＨでは無い。Ｒ４，Ｒ５は炭化水素基である。全てのＲ４，Ｒ５は、同一でも、異なっていても良い。］
一般式［ＩＩＩ］
［一般式［ＩＩＩ］中、Ｒ６は炭化水素基またはシリル基である。全てのＲ６は、同一でも、異なっていても良い。Ｒ７，Ｒ８は炭化水素基またはアルコキシ基である。全てのＲ７，Ｒ８は、同一でも、異なっていても良い。Ｒ７とＲ８とは、環が形成されるものでも良い。］
［一般式［ＩＩＩ］中、Ｒ６は炭化水素基またはシリル基である。全てのＲ６は、同一でも、異なっていても良い。Ｒ７，Ｒ８は炭化水素基またはアルコキシ基である。全てのＲ７，Ｒ８は、同一でも、異なっていても良い。Ｒ７とＲ８とは、環が形成されるものでも良い。］
一般式［ＩＶ］
［一般式［ＩＶ］中、Ｒ９，Ｒ１０は、Ｈ，Ｘ（ハロゲン）、炭化水素基、ニトロ基、アルコキシ基、アシル基、又はアルコキシカルボニル基である。置換基としてのＲ１０は１個〜４個の何れでも良い。全てのＲ１０は、同一でも、異なっていても良い。］
［一般式［ＩＶ］中、Ｒ９，Ｒ１０は、Ｈ，Ｘ（ハロゲン）、炭化水素基、ニトロ基、アルコキシ基、アシル基、又はアルコキシカルボニル基である。置換基としてのＲ１０は１個〜４個の何れでも良い。全てのＲ１０は、同一でも、異なっていても良い。］
一般式［Ｖ］
［一般式［Ｖ］中、Ｒ１１，Ｒ１４は、炭化水素基である。Ｒ１２，Ｒ１３は、Ｈ又は炭化水素基である。］
［一般式［Ｖ］中、Ｒ１１，Ｒ１４は、炭化水素基である。Ｒ１２，Ｒ１３は、Ｈ又は炭化水素基である。］
インドールに対するエノンのFriedel−Crafts型反応が高エナンチオ選択的に進行する。
第１の発明は触媒である。特に、インドールとエノンとの反応に用いられる触媒である。中でも、インドールとカルコンとの反応に用いられる触媒である。前記触媒は、アルカリ土類金属アミドと、水酸基を有する光学活性配位子とで構成される。前記触媒は、特に、前記アルカリ土類金属アミドと前記光学活性配位子化合物とによる錯体である。前記アルカリ土類金属アミドは、好ましくは、下記一般式［Ｉ］で表される化合物である。前記光学活性配位子は、好ましくは、下記一般式［ＩＩ］または［ＩＩＩ］で表される化合物である。例えば、ＴＡＤＤＯＬ型配位子あるいはＢＩＮＯＬ型配位子である。前記アルカリ土類金属アミドと水酸基を有する光学活性配位子との割合（モル比）は、好ましくは、（アルカリ土類金属アミド）：（水酸基を有する光学活性配位子）＝１：３〜３：１である。更に好ましくは、１：２〜２：１の割合である。特に、１：１である。前記インドールは、好ましくは、下記一般式［ＩＶ］で表される化合物である。前記エノンは、好ましくは、下記一般式［Ｖ］で表される化合物である。
第２の発明は反応方法である。特に、インドールとエノンとを反応させる方法である。中でも、インドールとカルコンとを反応させる方法である。前記インドールは、好ましくは、下記一般式［ＩＶ］で表される化合物である。前記エノンは、好ましくは、下記一般式［Ｖ］で表される化合物である。特に、カルコンである。前記反応には、アルカリ土類金属アミドと水酸基を有する光学活性配位子とで構成される触媒が用いられる。前記触媒は、特に、前記アルカリ土類金属アミドと前記光学活性配位子化合物とによる錯体である。前記アルカリ土類金属アミドは、好ましくは、下記一般式［Ｉ］で表される化合物である。前記光学活性配位子は、好ましくは、下記一般式［ＩＩ］または［ＩＩＩ］で表される化合物である。前記アルカリ土類金属アミドと水酸基を有する光学活性配位子との割合（モル比）は、好ましくは、（アルカリ土類金属アミド）：（水酸基を有する光学活性配位子）＝１：３〜３：１である。更に好ましくは、１：２〜２：１の割合である。特に、１：１である。前記反応に用いられる前記触媒量は、好ましくは、５〜２０ｍｏｌ％である。更に好ましくは８〜１２ｍｏｌ％である。前記反応に際しては、一般的に、溶媒が用いられる。例えば、エーテル系溶媒（テトラヒドロフラン、tertブチルメチルエーテル等）、トルエン、或いはこれらの混合溶媒と言った有機溶媒である。前記基質は、その濃度が、例えば０．０１〜０．５Ｍである。好ましくは０．０２〜０．２Ｍである。前記反応に要する時間は、例えば1〜７２時間である。反応温度は、例えば０〜５０℃である。好ましくは１０〜３０℃である。
一般式［Ｉ］
ＭＮ（Ｒ１）２
一般式［Ｉ］中、Ｍはアルカリ土類金属である。特に好ましいアルカリ土類金属はＣａ，Ｂａである。
一般式［Ｉ］中、Ｒ１はＨ、置換基を有さない炭化水素基、置換基を有する炭化水素基、又は置換基（例えば、炭化水素基）を有するシリル基である。好ましい炭化水素基はアルキル基、アルケニル基、アリール基、或いはアラルキル基である。特に好ましいアルキル基は、炭素数が１〜１０（更に好ましくは、１〜５）のアルキル基である。特に好ましいアルケニル基は、炭素数が２〜１０（更に好ましくは、２〜５）のアルケニル基である。特に好ましいアリール基は、骨格部分の炭素数が４〜１０のアリール基である。骨格部分がフェニル基やナフチル基は更に好ましいアリール基である。骨格部分がフェニル基は特に好ましいアリール基である。特に好ましいアラルキル基（アリールアルキル基）は、そのアリール基の部分の炭素数が４〜１０のものである。特に好ましいアラルキル基は、アリール基の部分がフェニル基やナフチル基である。そして、アラルキル基における好ましいアルキル基は、炭素数が１〜１０のものである。更には、炭素数が１〜５のものが好ましい。全てのＲ１は、同一でも、異なっていても良い。
ＭＮ（Ｒ１）２
一般式［Ｉ］中、Ｍはアルカリ土類金属である。特に好ましいアルカリ土類金属はＣａ，Ｂａである。
一般式［Ｉ］中、Ｒ１はＨ、置換基を有さない炭化水素基、置換基を有する炭化水素基、又は置換基（例えば、炭化水素基）を有するシリル基である。好ましい炭化水素基はアルキル基、アルケニル基、アリール基、或いはアラルキル基である。特に好ましいアルキル基は、炭素数が１〜１０（更に好ましくは、１〜５）のアルキル基である。特に好ましいアルケニル基は、炭素数が２〜１０（更に好ましくは、２〜５）のアルケニル基である。特に好ましいアリール基は、骨格部分の炭素数が４〜１０のアリール基である。骨格部分がフェニル基やナフチル基は更に好ましいアリール基である。骨格部分がフェニル基は特に好ましいアリール基である。特に好ましいアラルキル基（アリールアルキル基）は、そのアリール基の部分の炭素数が４〜１０のものである。特に好ましいアラルキル基は、アリール基の部分がフェニル基やナフチル基である。そして、アラルキル基における好ましいアルキル基は、炭素数が１〜１０のものである。更には、炭素数が１〜５のものが好ましい。全てのＲ１は、同一でも、異なっていても良い。
一般式［ＩＩ］（ＴＡＤＤＯＬ型配位子）
一般式［ＩＩ］中、Ｒ２，Ｒ３はＨ又は炭化水素基である。Ｒ４，Ｒ５は炭化水素基である。
前記炭化水素基は、好ましくは、例えばアルキル基、アルケニル基、アリール基、或いはアラルキル基である。特に好ましいアルキル基は、炭素数が１〜１０（更に好ましくは、１〜５）のアルキル基である。特に好ましいアルケニル基は、炭素数が２〜１０（更に好ましくは、２〜５）のアルケニル基である。特に好ましいアリール基は、骨格部分の炭素数が４〜１０のアリール基である。骨格部分がフェニル基やナフチル基は更に好ましいアリール基である。骨格部分がフェニル基は特に好ましいアリール基である。特に好ましいアラルキル基（アリールアルキル基）は、そのアリール基の部分の炭素数が４〜１０のものである。特に好ましいアラルキル基は、アリール基の部分がフェニル基やナフチル基である。アラルキル基における好ましいアルキル基は、炭素数が１〜１０のものである。更には、炭素数が１〜５のものが好ましい。前記炭化水素基は、置換基を有する場合と、置換基を有さない場合とが有る。Ｒ２，Ｒ３がメチル基の場合は非常に好ましい。Ｒ４，Ｒ５がアリール基の場合は非常に好ましい。
前記Ｒ２，Ｒ３の中の少なくとも一方はＨでは無い。すなわち、Ｒ２もＲ３も共にＨと言うことは無い。全てのＲ４，Ｒ５は、同一でも、異なっていても良い。
一般式［ＩＩ］中、Ｒ２，Ｒ３はＨ又は炭化水素基である。Ｒ４，Ｒ５は炭化水素基である。
前記炭化水素基は、好ましくは、例えばアルキル基、アルケニル基、アリール基、或いはアラルキル基である。特に好ましいアルキル基は、炭素数が１〜１０（更に好ましくは、１〜５）のアルキル基である。特に好ましいアルケニル基は、炭素数が２〜１０（更に好ましくは、２〜５）のアルケニル基である。特に好ましいアリール基は、骨格部分の炭素数が４〜１０のアリール基である。骨格部分がフェニル基やナフチル基は更に好ましいアリール基である。骨格部分がフェニル基は特に好ましいアリール基である。特に好ましいアラルキル基（アリールアルキル基）は、そのアリール基の部分の炭素数が４〜１０のものである。特に好ましいアラルキル基は、アリール基の部分がフェニル基やナフチル基である。アラルキル基における好ましいアルキル基は、炭素数が１〜１０のものである。更には、炭素数が１〜５のものが好ましい。前記炭化水素基は、置換基を有する場合と、置換基を有さない場合とが有る。Ｒ２，Ｒ３がメチル基の場合は非常に好ましい。Ｒ４，Ｒ５がアリール基の場合は非常に好ましい。
前記Ｒ２，Ｒ３の中の少なくとも一方はＨでは無い。すなわち、Ｒ２もＲ３も共にＨと言うことは無い。全てのＲ４，Ｒ５は、同一でも、異なっていても良い。
一般式［ＩＩＩ］（ＢＩＮＯＬ型配位子）
一般式［ＩＩＩ］中、Ｒ６は炭化水素基またはシリル基である。Ｒ７，Ｒ８は炭化水素基またはアルコキシ基である。前記基は、置換基を有する場合と、置換基を有さない場合とが有る。Ｒ７とＲ８とは、環が形成されるものでも良い。全てのＲ６は、同一でも、異なっていても良い。全てのＲ７，Ｒ８は、同一でも、異なっていても良い。
前記Ｒ６は、好ましくは、置換基を有するシリル基である。特に、炭化水素基を有するシリル基は好ましい。Ｒ６における好ましい炭化水素基は、例えばアルキル基、アルケニル基、アリール基、或いはアラルキル基である。特に好ましいアルキル基は、炭素数が１〜１０（更に好ましくは、１〜５）のアルキル基である。特に好ましいアルケニル基は、炭素数が２〜１０（更に好ましくは、２〜５）のアルケニル基である。特に好ましいアリール基は、骨格部分の炭素数が４〜１０のアリール基である。骨格部分がフェニル基やナフチル基は更に好ましいアリール基である。骨格部分がフェニル基は特に好ましいアリール基である。特に好ましいアラルキル基（アリールアルキル基）は、そのアリール基の部分の炭素数が４〜１０のものである。特に好ましいアラルキル基は、アリール基の部分がフェニル基やナフチル基である。アラルキル基における好ましいアルキル基は、炭素数が１〜１０のものである。更には、炭素数が１〜５のものが好ましい。特に好ましいＲ６はアリール基を有するシリル基である。中でもトリアリールシリル基は好ましい。
前記Ｒ７，Ｒ８の炭化水素基やアルコキシ基における炭化水素は、前記Ｒ６で説明した炭化水素が挙げられる。前記Ｒ７，Ｒ８の中でも特に好ましい基は、Ｒ７とＲ８とによって環が形成される場合である。例えば、五員環あるいは六員環が形成される基である。具体的には、例えば−（ＣＨ２）４−，−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−，−ＯＣＨ２Ｏ−等である。
一般式［ＩＩＩ］中、Ｒ６は炭化水素基またはシリル基である。Ｒ７，Ｒ８は炭化水素基またはアルコキシ基である。前記基は、置換基を有する場合と、置換基を有さない場合とが有る。Ｒ７とＲ８とは、環が形成されるものでも良い。全てのＲ６は、同一でも、異なっていても良い。全てのＲ７，Ｒ８は、同一でも、異なっていても良い。
前記Ｒ６は、好ましくは、置換基を有するシリル基である。特に、炭化水素基を有するシリル基は好ましい。Ｒ６における好ましい炭化水素基は、例えばアルキル基、アルケニル基、アリール基、或いはアラルキル基である。特に好ましいアルキル基は、炭素数が１〜１０（更に好ましくは、１〜５）のアルキル基である。特に好ましいアルケニル基は、炭素数が２〜１０（更に好ましくは、２〜５）のアルケニル基である。特に好ましいアリール基は、骨格部分の炭素数が４〜１０のアリール基である。骨格部分がフェニル基やナフチル基は更に好ましいアリール基である。骨格部分がフェニル基は特に好ましいアリール基である。特に好ましいアラルキル基（アリールアルキル基）は、そのアリール基の部分の炭素数が４〜１０のものである。特に好ましいアラルキル基は、アリール基の部分がフェニル基やナフチル基である。アラルキル基における好ましいアルキル基は、炭素数が１〜１０のものである。更には、炭素数が１〜５のものが好ましい。特に好ましいＲ６はアリール基を有するシリル基である。中でもトリアリールシリル基は好ましい。
前記Ｒ７，Ｒ８の炭化水素基やアルコキシ基における炭化水素は、前記Ｒ６で説明した炭化水素が挙げられる。前記Ｒ７，Ｒ８の中でも特に好ましい基は、Ｒ７とＲ８とによって環が形成される場合である。例えば、五員環あるいは六員環が形成される基である。具体的には、例えば−（ＣＨ２）４−，−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−，−ＯＣＨ２Ｏ−等である。
一般式［ＩＶ］（インドール：基質）
一般式［ＩＶ］中、Ｒ９，Ｒ１０は、Ｈ，Ｘ（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）、炭化水素基、ニトロ基、アルコキシ基、アシル基、又はアルコキシカルボニル基である。置換基としてのＲ１０は１個〜４個の何れでも良い。全てのＲ１０は、同一でも、異なっていても良い。
Ｒ９，Ｒ１０における炭化水素基は、好ましくは、例えばアルキル基、アルケニル基、アリール基、或いはアラルキル基である。特に好ましいアルキル基は、炭素数が１〜１０（更に好ましくは、１〜５）のアルキル基である。特に好ましいアルケニル基は、炭素数が２〜１０（更に好ましくは、２〜５）のアルケニル基である。特に好ましいアリール基は、骨格部分の炭素数が４〜１０のアリール基である。骨格部分がフェニル基やナフチル基は更に好ましいアリール基である。骨格部分がフェニル基は特に好ましいアリール基である。特に好ましいアラルキル基（アリールアルキル基）は、そのアリール基の部分の炭素数が４〜１０のものである。特に好ましいアラルキル基は、アリール基の部分がフェニル基やナフチル基である。アラルキル基における好ましいアルキル基は、炭素数が１〜１０のものである。更には、炭素数が１〜５のものが好ましい。前記炭化水素基は、置換基を有する場合と、置換基を有さない場合とが有る。
Ｒ９，Ｒ１０の中でも最も好ましいのはＨである。
一般式［ＩＶ］中、Ｒ９，Ｒ１０は、Ｈ，Ｘ（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）、炭化水素基、ニトロ基、アルコキシ基、アシル基、又はアルコキシカルボニル基である。置換基としてのＲ１０は１個〜４個の何れでも良い。全てのＲ１０は、同一でも、異なっていても良い。
Ｒ９，Ｒ１０における炭化水素基は、好ましくは、例えばアルキル基、アルケニル基、アリール基、或いはアラルキル基である。特に好ましいアルキル基は、炭素数が１〜１０（更に好ましくは、１〜５）のアルキル基である。特に好ましいアルケニル基は、炭素数が２〜１０（更に好ましくは、２〜５）のアルケニル基である。特に好ましいアリール基は、骨格部分の炭素数が４〜１０のアリール基である。骨格部分がフェニル基やナフチル基は更に好ましいアリール基である。骨格部分がフェニル基は特に好ましいアリール基である。特に好ましいアラルキル基（アリールアルキル基）は、そのアリール基の部分の炭素数が４〜１０のものである。特に好ましいアラルキル基は、アリール基の部分がフェニル基やナフチル基である。アラルキル基における好ましいアルキル基は、炭素数が１〜１０のものである。更には、炭素数が１〜５のものが好ましい。前記炭化水素基は、置換基を有する場合と、置換基を有さない場合とが有る。
Ｒ９，Ｒ１０の中でも最も好ましいのはＨである。
一般式［Ｖ］（エノン：基質）
一般式［Ｖ］中、Ｒ１１，Ｒ１４は炭化水素基、Ｒ１２，Ｒ１３はＨ又は炭化水素基である。
炭化水素基は、好ましくは、例えばアルキル基、アルケニル基、アリール基、或いはアラルキル基である。特に好ましいアルキル基は、炭素数が１〜１０（更に好ましくは、１〜５）のアルキル基である。特に好ましいアルケニル基は、炭素数が２〜１０（更に好ましくは、２〜５）のアルケニル基である。特に好ましいアリール基は、骨格部分の炭素数が４〜１０のアリール基である。骨格部分がフェニル基やナフチル基は更に好ましいアリール基である。骨格部分がフェニル基は特に好ましいアリール基である。特に好ましいアラルキル基（アリールアルキル基）は、そのアリール基の部分の炭素数が４〜１０のものである。特に好ましいアラルキル基は、アリール基の部分がフェニル基やナフチル基である。アラルキル基における好ましいアルキル基は、炭素数が１〜１０のものである。更には、炭素数が１〜５のものが好ましい。前記炭化水素基は、置換基を有する場合と、置換基を有さない場合とが有る。置換基としては、例えば炭化水素基やアルコキシ基が挙げられる。
前記Ｒ１１，Ｒ１４の中でも最も好ましい基はアリール基またはアラルキル基である。前記Ｒ１２，Ｒ１３の中でも最も好ましいのはＨである。
一般式［Ｖ］中、Ｒ１１，Ｒ１４は炭化水素基、Ｒ１２，Ｒ１３はＨ又は炭化水素基である。
炭化水素基は、好ましくは、例えばアルキル基、アルケニル基、アリール基、或いはアラルキル基である。特に好ましいアルキル基は、炭素数が１〜１０（更に好ましくは、１〜５）のアルキル基である。特に好ましいアルケニル基は、炭素数が２〜１０（更に好ましくは、２〜５）のアルケニル基である。特に好ましいアリール基は、骨格部分の炭素数が４〜１０のアリール基である。骨格部分がフェニル基やナフチル基は更に好ましいアリール基である。骨格部分がフェニル基は特に好ましいアリール基である。特に好ましいアラルキル基（アリールアルキル基）は、そのアリール基の部分の炭素数が４〜１０のものである。特に好ましいアラルキル基は、アリール基の部分がフェニル基やナフチル基である。アラルキル基における好ましいアルキル基は、炭素数が１〜１０のものである。更には、炭素数が１〜５のものが好ましい。前記炭化水素基は、置換基を有する場合と、置換基を有さない場合とが有る。置換基としては、例えば炭化水素基やアルコキシ基が挙げられる。
前記Ｒ１１，Ｒ１４の中でも最も好ましい基はアリール基またはアラルキル基である。前記Ｒ１２，Ｒ１３の中でも最も好ましいのはＨである。
以下、具体的な実施例を挙げて本発明を説明する。但し、本発明は前記した技術思想を逸脱しない範囲において如何なるものであっても良い。すなわち、以下の実施例によって何ら制約を受けるものでは無い。
本反応は、反応停止作業以下を除いて、全て、グローブボックス中で行われた。
試薬や溶媒は以下の会社のものである。
インドール：和光純薬工業株式会社
カルコン：東京化成工業株式会社
(E)-3-(4-chlorophenyl)-1-phenylprop-2-en-1-one：和光純薬工業株式会社
MTBE(dry)：Aldrich社
THF(dry)：和光純薬工業株式会社 ケチルより蒸留
MS 4A：Aldrich社
Wakogel B5-F pTLC：和光純薬工業株式会社
金属触媒および不斉配位子は以下の文献に準拠して調製された。
Ｍ（ＨＭＤＳ） ２ ：
Brady,E.D.;Hanusa,T.P.;Pink,M.;Young,V.G.,Jr.Inorg.Chem.2000,39,6028.
He,X.;Noll,B.C.;Beatty,A.;Mulvey,R.E.;Henderson,K.W.J.Am.Chem.Soc.2004,126,7444.
(R)-3,3’-(Ph3Si)2-H8-BINOL：
Maruoka,K.;Ito,T.;Araki,Y.;Shirasaka,T.i;Yamamoto,H.Bull.Chem.Soc.Jpn.1988,61,2975.
Sewgobind,N.V.;Wanner,M.J.;Ingemann,S.;deGelder,R.;van
Maarseveen,J.H.;Hiemstra,Henk.J.Org.Chem.2008,73.6405.
(R)-2-Nph-TADDOL：
Beek,A.K.;Gysi,P.;LaVecchia,L.;Seebach,D.Org.Synth.1999,76,12.
本反応は、反応停止作業以下を除いて、全て、グローブボックス中で行われた。
試薬や溶媒は以下の会社のものである。
インドール：和光純薬工業株式会社
カルコン：東京化成工業株式会社
(E)-3-(4-chlorophenyl)-1-phenylprop-2-en-1-one：和光純薬工業株式会社
MTBE(dry)：Aldrich社
THF(dry)：和光純薬工業株式会社 ケチルより蒸留
MS 4A：Aldrich社
Wakogel B5-F pTLC：和光純薬工業株式会社
金属触媒および不斉配位子は以下の文献に準拠して調製された。
Ｍ（ＨＭＤＳ） ２ ：
Brady,E.D.;Hanusa,T.P.;Pink,M.;Young,V.G.,Jr.Inorg.Chem.2000,39,6028.
He,X.;Noll,B.C.;Beatty,A.;Mulvey,R.E.;Henderson,K.W.J.Am.Chem.Soc.2004,126,7444.
(R)-3,3’-(Ph3Si)2-H8-BINOL：
Maruoka,K.;Ito,T.;Araki,Y.;Shirasaka,T.i;Yamamoto,H.Bull.Chem.Soc.Jpn.1988,61,2975.
Sewgobind,N.V.;Wanner,M.J.;Ingemann,S.;deGelder,R.;van
Maarseveen,J.H.;Hiemstra,Henk.J.Org.Chem.2008,73.6405.
(R)-2-Nph-TADDOL：
Beek,A.K.;Gysi,P.;LaVecchia,L.;Seebach,D.Org.Synth.1999,76,12.
［実施例１（カルシウム触媒）］
加熱乾燥された１０ｍｌのネジ式バイアルに、０．０１５ｍｍｏｌのＣａ（ＨＭＤＳ）２、及び０．０１５ｍｍｏｌの（Ｒ）−２−Ｎｐｈ−ＴＡＤＤＯＬが加えられた。更に、０．２５ｍｌのＴＨＦが加えられた。そして、室温下で、２時間の撹拌が行われた。この後、０．１５ｍｍｏｌのインドールのＴＨＦ（０．２５ｍｌ）溶液が加えられた。更に、０．１８ｍｍｏｌのカルコンのＴＨＦ（０．２５ｍｌ）溶液が加えられた。そして、２０℃で４８時間の攪拌が行われた。この後、２０℃て、５ｍｌの飽和塩化アンモニウムが加えられた。これにより、反応が停止した。この後、１０ｍｌの塩化メチレンで抽出が行われた。更に、水層に対して１５ｍｌの塩化メチレンで２回の抽出が行われた。有機層が併せられ、無水硫酸ナトリウムによる乾燥が行われた。この後、濾過が行われ、減圧下で溶媒が留去された。そして、ｐＴＬＣ（シクロヘキサン／ジエチルエーテル＝２／１）にて単離精製が行われた。これにより、下記の目的化合物が得られた（６１％，９４％ｅｅ）。
加熱乾燥された１０ｍｌのネジ式バイアルに、０．０１５ｍｍｏｌのＣａ（ＨＭＤＳ）２、及び０．０１５ｍｍｏｌの（Ｒ）−２−Ｎｐｈ−ＴＡＤＤＯＬが加えられた。更に、０．２５ｍｌのＴＨＦが加えられた。そして、室温下で、２時間の撹拌が行われた。この後、０．１５ｍｍｏｌのインドールのＴＨＦ（０．２５ｍｌ）溶液が加えられた。更に、０．１８ｍｍｏｌのカルコンのＴＨＦ（０．２５ｍｌ）溶液が加えられた。そして、２０℃で４８時間の攪拌が行われた。この後、２０℃て、５ｍｌの飽和塩化アンモニウムが加えられた。これにより、反応が停止した。この後、１０ｍｌの塩化メチレンで抽出が行われた。更に、水層に対して１５ｍｌの塩化メチレンで２回の抽出が行われた。有機層が併せられ、無水硫酸ナトリウムによる乾燥が行われた。この後、濾過が行われ、減圧下で溶媒が留去された。そして、ｐＴＬＣ（シクロヘキサン／ジエチルエーテル＝２／１）にて単離精製が行われた。これにより、下記の目的化合物が得られた（６１％，９４％ｅｅ）。
［実施例２（バリウム触媒）］
加熱乾燥された１０ｍｌのネジ式バイアルに、０．０１５ｍｍｏｌのＢａ（ＨＭＤＳ）２、及び０．０１５ｍｍｏｌの（Ｒ）−３，３’−（Ｐｈ３Ｓｉ）２−Ｈ８−ＢＩＮＯＬ及び５０ｍｇのＭＳ４Ａが加えられた。更に、０．２５ｍｌのＴＨＦが加えられた。そして、室温下で、２時間の撹拌が行われた。この後、０．１５ｍｍｏｌのインドールのＴＨＦ（０．２５ｍｌ）とＴＢＭＥ（０．５ｍｌ）溶液が加えられた。更に、０．１８ｍｍｏｌのカルコンのＴＨＦ（０．２５ｍｌ）溶液が加えられた。そして、室温下で２４時間の攪拌が行われた。この後、室温下で、５ｍｌの飽和塩化アンモニウムが加えられた。これにより、反応が停止した。この後、１０ｍｌの塩化メチレンで抽出が行われた。更に、水層に対して１５ｍｌの塩化メチレンで２回の抽出が行われた。有機層が併せられ、無水硫酸ナトリウムによる乾燥が行われた。この後、濾過が行われ、減圧下で溶媒が留去された。そして、ｐＴＬＣ（シクロヘキサン／ジエチルエーテル＝２／１）にて単離精製が行われた。これにより、下記の目的化合物が得られた（９１％，９０％ｅｅ）。
加熱乾燥された１０ｍｌのネジ式バイアルに、０．０１５ｍｍｏｌのＢａ（ＨＭＤＳ）２、及び０．０１５ｍｍｏｌの（Ｒ）−３，３’−（Ｐｈ３Ｓｉ）２−Ｈ８−ＢＩＮＯＬ及び５０ｍｇのＭＳ４Ａが加えられた。更に、０．２５ｍｌのＴＨＦが加えられた。そして、室温下で、２時間の撹拌が行われた。この後、０．１５ｍｍｏｌのインドールのＴＨＦ（０．２５ｍｌ）とＴＢＭＥ（０．５ｍｌ）溶液が加えられた。更に、０．１８ｍｍｏｌのカルコンのＴＨＦ（０．２５ｍｌ）溶液が加えられた。そして、室温下で２４時間の攪拌が行われた。この後、室温下で、５ｍｌの飽和塩化アンモニウムが加えられた。これにより、反応が停止した。この後、１０ｍｌの塩化メチレンで抽出が行われた。更に、水層に対して１５ｍｌの塩化メチレンで２回の抽出が行われた。有機層が併せられ、無水硫酸ナトリウムによる乾燥が行われた。この後、濾過が行われ、減圧下で溶媒が留去された。そして、ｐＴＬＣ（シクロヘキサン／ジエチルエーテル＝２／１）にて単離精製が行われた。これにより、下記の目的化合物が得られた（９１％，９０％ｅｅ）。
［実施例３（カルシウム触媒）］
加熱乾燥された１０ｍｌのネジ式バイアルに、０．０１５ｍｍｏｌのＣａ（ＨＭＤＳ）２、及び０．０１５ｍｍｏｌの（Ｒ）−２−Ｎｐｈ−ＴＡＤＤＯＬが加えられた。更に、０．２５ｍｌのＴＨＦが加えられた。そして、室温下で、２時間の撹拌が行われた。この後、０．１５ｍｍｏｌのインドールのＴＨＦ（０．２５ｍｌ）溶液が加えられた。更に、０．１８ｍｍｏｌの(E)-3-(4-chlorophenyl)-1-phenylprop-2-en-1-oneのＴＨＦ（０．２５ｍｌ）溶液が加えられた。そして、２０℃で４８時間の攪拌が行われた。この後、２０℃て、５ｍｌの飽和塩化アンモニウムが加えられた。これにより、反応が停止した。この後、１０ｍｌの塩化メチレンで抽出が行われた。更に、水層に対して１５ｍｌの塩化メチレンで２回の抽出が行われた。有機層が併せられ、無水硫酸ナトリウムによる乾燥が行われた。この後、濾過が行われ、減圧下で溶媒が留去された。そして、ｐＴＬＣ（シクロヘキサン／ジエチルエーテル＝２／１）にて単離精製が行われた。これにより、下記の目的化合物が得られた（３５％，６９％ｅｅ）。
加熱乾燥された１０ｍｌのネジ式バイアルに、０．０１５ｍｍｏｌのＣａ（ＨＭＤＳ）２、及び０．０１５ｍｍｏｌの（Ｒ）−２−Ｎｐｈ−ＴＡＤＤＯＬが加えられた。更に、０．２５ｍｌのＴＨＦが加えられた。そして、室温下で、２時間の撹拌が行われた。この後、０．１５ｍｍｏｌのインドールのＴＨＦ（０．２５ｍｌ）溶液が加えられた。更に、０．１８ｍｍｏｌの(E)-3-(4-chlorophenyl)-1-phenylprop-2-en-1-oneのＴＨＦ（０．２５ｍｌ）溶液が加えられた。そして、２０℃で４８時間の攪拌が行われた。この後、２０℃て、５ｍｌの飽和塩化アンモニウムが加えられた。これにより、反応が停止した。この後、１０ｍｌの塩化メチレンで抽出が行われた。更に、水層に対して１５ｍｌの塩化メチレンで２回の抽出が行われた。有機層が併せられ、無水硫酸ナトリウムによる乾燥が行われた。この後、濾過が行われ、減圧下で溶媒が留去された。そして、ｐＴＬＣ（シクロヘキサン／ジエチルエーテル＝２／１）にて単離精製が行われた。これにより、下記の目的化合物が得られた（３５％，６９％ｅｅ）。
［実施例４（バリウム触媒）］
加熱乾燥された１０ｍｌのネジ式バイアルに、０．０１５ｍｍｏｌのＢａ（ＨＭＤＳ）２、及び０．０１５ｍｍｏｌの（Ｒ）−３，３’−（Ｐｈ３Ｓｉ）２−Ｈ８−ＢＩＮＯＬ及び５０ｍｇのＭＳ４Ａが加えられた。更に、０．２５ｍｌのＴＨＦが加えられた。そして、室温下で、２時間の撹拌が行われた。この後、０．１５ｍｍｏｌのインドールのＴＢＭＥ（０．５ｍｌ）溶液が加えられた。更に、０．１８ｍｍｏｌの(E)-3-(4-chlorophenyl)-1-phenylprop-2-en-1-oneのＴＨＦ（０．３０ｍｌ）とＴＢＭＥ（０．５ｍｌ）溶液が加えられた。そして、室温下で２４時間の攪拌が行われた。この後、室温下で、５ｍｌの飽和塩化アンモニウムが加えられた。これにより、反応が停止した。この後、１０ｍｌの塩化メチレンで抽出が行われた。更に、水層に対して１５ｍｌの塩化メチレンで２回の抽出が行われた。有機層が併せられ、無水硫酸ナトリウムによる乾燥が行われた。この後、濾過が行われ、減圧下で溶媒が留去された。そして、ｐＴＬＣ（シクロヘキサン／ジエチルエーテル＝２／１）にて単離精製が行われた。これにより、下記の目的化合物が得られた（９９％，８６％ｅｅ）。
加熱乾燥された１０ｍｌのネジ式バイアルに、０．０１５ｍｍｏｌのＢａ（ＨＭＤＳ）２、及び０．０１５ｍｍｏｌの（Ｒ）−３，３’−（Ｐｈ３Ｓｉ）２−Ｈ８−ＢＩＮＯＬ及び５０ｍｇのＭＳ４Ａが加えられた。更に、０．２５ｍｌのＴＨＦが加えられた。そして、室温下で、２時間の撹拌が行われた。この後、０．１５ｍｍｏｌのインドールのＴＢＭＥ（０．５ｍｌ）溶液が加えられた。更に、０．１８ｍｍｏｌの(E)-3-(4-chlorophenyl)-1-phenylprop-2-en-1-oneのＴＨＦ（０．３０ｍｌ）とＴＢＭＥ（０．５ｍｌ）溶液が加えられた。そして、室温下で２４時間の攪拌が行われた。この後、室温下で、５ｍｌの飽和塩化アンモニウムが加えられた。これにより、反応が停止した。この後、１０ｍｌの塩化メチレンで抽出が行われた。更に、水層に対して１５ｍｌの塩化メチレンで２回の抽出が行われた。有機層が併せられ、無水硫酸ナトリウムによる乾燥が行われた。この後、濾過が行われ、減圧下で溶媒が留去された。そして、ｐＴＬＣ（シクロヘキサン／ジエチルエーテル＝２／１）にて単離精製が行われた。これにより、下記の目的化合物が得られた（９９％，８６％ｅｅ）。
Claims (12)
- インドールとエノンとの反応に用いられる触媒であって、
前記触媒は、
アルカリ土類金属アミドと、水酸基を有する光学活性配位子とで構成されてなり、
前記水酸基を有する光学活性配位子が下記一般式［ＩＩ］で表される化合物である
ことを特徴とする触媒。
一般式［ＩＩ］
［一般式［ＩＩ］中、Ｒ２，Ｒ３はＨ又は炭化水素基である。Ｒ２，Ｒ３の中の少なくとも一方はＨでは無い。Ｒ４，Ｒ５は炭化水素基である。全てのＲ４，Ｒ５は、同一でも、異なっていても良い。］ - インドールとエノンとの反応に用いられる触媒であって、
前記触媒は、
アルカリ土類金属アミドと、水酸基を有する光学活性配位子とで構成されてなり、
前記水酸基を有する光学活性配位子が下記一般式［ＩＩＩ］で表される化合物である
ことを特徴とする触媒。
一般式［ＩＩＩ］
［一般式［ＩＩＩ］中、Ｒ６は炭化水素基またはシリル基である。全てのＲ６は、同一でも、異なっていても良い。Ｒ７，Ｒ８は炭化水素基またはアルコキシ基である。全てのＲ７，Ｒ８は、同一でも、異なっていても良い。Ｒ７とＲ８とは、環が形成されるものでも良い。］ - アルカリ土類金属アミドが下記一般式［Ｉ］で表される化合物である
ことを特徴とする請求項１又は請求項２の触媒。
一般式［Ｉ］
ＭＮ（Ｒ１）２
［一般式［Ｉ］中、Ｍはアルカリ土類金属、Ｒ１はＨ、炭化水素基、又は置換基を有するシリル基である。全てのＲ１は、同一でも、異なっていても良い。］ - アルカリ土類金属アミドと水酸基を有する光学活性配位子との割合が、（アルカリ土類金属アミド）：（水酸基を有する光学活性配位子）＝１：３〜３：１である
ことを特徴とする請求項１又は請求項２の触媒。 - インドールは下記一般式［ＩＶ］で表される化合物である
ことを特徴とする請求項１又は請求項２の触媒。
一般式［ＩＶ］
［一般式［ＩＶ］中、Ｒ９，Ｒ１０は、Ｈ，Ｘ（ハロゲン）、炭化水素基、ニトロ基、アルコキシ基、アシル基、又はアルコキシカルボニル基である。置換基としてのＲ１０は１個〜４個の何れかである。全てのＲ１０は、同一でも、異なっていても良い。］ - エノンは下記一般式［Ｖ］で表される化合物である
ことを特徴とする請求項１の触媒。
一般式［Ｖ］
［一般式［Ｖ］中、Ｒ１１，Ｒ１４は、炭化水素基である。Ｒ１２，Ｒ１３は、Ｈ又は炭化水素基である。］ - インドールとエノンとを反応させる方法であって、
前記反応には、アルカリ土類金属アミドと水酸基を有する光学活性配位子とで構成されてなる触媒が用いられ、
前記水酸基を有する光学活性配位子が下記一般式［ＩＩ］で表される化合物である
ことを特徴とする反応方法。
一般式［ＩＩ］
［一般式［ＩＩ］中、Ｒ２，Ｒ３はＨ又は炭化水素基である。Ｒ２，Ｒ３の中の少なくとも一方はＨでは無い。Ｒ４，Ｒ５は炭化水素基である。全てのＲ４，Ｒ５は、同一でも、異なっていても良い。］ - インドールとエノンとを反応させる方法であって、
前記反応には、アルカリ土類金属アミドと水酸基を有する光学活性配位子とで構成されてなる触媒が用いられ、
前記水酸基を有する光学活性配位子が下記一般式［ＩＩＩ］で表される化合物である
ことを特徴とする反応方法。
一般式［ＩＩＩ］
［一般式［ＩＩＩ］中、Ｒ６は炭化水素基またはシリル基である。全てのＲ６は、同一でも、異なっていても良い。Ｒ７，Ｒ８は炭化水素基またはアルコキシ基である。全てのＲ７，Ｒ８は、同一でも、異なっていても良い。Ｒ７とＲ８とは、環が形成されるものでも良い。］ - アルカリ土類金属アミドが下記一般式［Ｉ］で表される化合物である
ことを特徴とする請求項７又は請求項８の反応方法。
一般式［Ｉ］
ＭＮ（Ｒ１）２
［一般式［Ｉ］中、Ｍはアルカリ土類金属、Ｒ１はＨ、炭化水素基、又は置換基を有するシリル基である。全てのＲ１は、同一でも、異なっていても良い。］ - インドールは下記一般式［ＩＶ］で表される化合物である
ことを特徴とする請求項７又は請求項８の反応方法。
一般式［ＩＶ］
［一般式［ＩＶ］中、Ｒ９，Ｒ１０は、Ｈ，Ｘ（ハロゲン）、炭化水素基、ニトロ基、アルコキシ基、アシル基、又はアルコキシカルボニル基である。置換基としてのＲ１０は１個〜４個の何れかである。全てのＲ１０は、同一でも、異なっていても良い。］ - エノンは下記一般式［Ｖ］で表される化合物である
ことを特徴とする請求項７又は請求項８の反応方法。
一般式［Ｖ］
［一般式［Ｖ］中、Ｒ１１，Ｒ１４は、炭化水素基である。Ｒ１２，Ｒ１３は、Ｈ又は炭化水素基である。］ - アルカリ土類金属アミドと水酸基を有する光学活性配位子との割合が、（アルカリ土類金属アミド）：（水酸基を有する光学活性配位子）＝１：３〜３：１である
ことを特徴とする請求項７又は請求項８の反応方法。
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