JP5120087B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に放熱構造を有する半導体装置及びその製造方法に関する。

車載用電子制御コントロールユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）には車載用パワーＭＯＳトランジスタが組み込まれている。車載用ＥＣＵは、一端側に電源線や信号線を束ねたハーネスに接続されるコネクタを有するプリント配線基板と、このプリント配線基板上に実装された電子部品と、この電子部品を内部に納めるカバーとを備えている。車載用パワーＭＯＳトランジスタは、その他の電子部品とともにプリント配線基板上に実装されている。

車載用ＥＣＵにおいては、プリント配線基板の実装表面の一端側にコネクタを備えているので、プリント配線基板の実装表面に対して垂直な高さ方向には空間的スペースを確保することができる。しかしながら、車載用ＥＣＵの小型化に伴い、プリント配線基板の電子部品を実装するための実装表面は不足する傾向にある。

下記特許文献１には、プリント配線基板の実装表面対して半導体チップを垂直な方向にモールドした縦型実装タイプの半導体装置が開示されている。この縦型実装タイプの半導体装置においてはプリント配線基板の実装密度を高めることができる。
特開平０７−０１４９５１号公報

しかしながら、車載用ＥＣＵに搭載される車載用パワーＭＯＳトランジスタは、それ自身が大電流のオンオフ制御に伴い熱を発するが、更にエンジンルーム又はその近くに配設されるので高温の雰囲気下に曝される。前述の特許文献１に開示された縦型実装タイプの半導体装置においては、放熱板は備えているものの、放熱板の厚みは薄く、このような高温の雰囲気下に曝される場合には、十分な放熱特性を期待することが難しかった。

本発明は上記課題を解決するためになされたものである。従って、本発明は、実装密度を向上することができ、かつ放熱特性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供することである。

上記課題を解決するために、本発明の実施の形態に係る第１の特徴は、半導体装置において、ボンディングパッドを有する半導体チップと、実装底面を有し、この実装底面に対して垂直な高さ方向に延伸する一側面に半導体チップをマウントし、一側面からそれに対向する他の一側面までの厚みが半導体チップの厚みに対して厚い放熱支柱と、放熱支柱の実装底面側の一側面に向かい合わせて配設され、半導体チップのボンディングパッドに電気的に接続されたリードと、放熱支柱の実装底面及びリードの一部を露出させ、放熱支柱の実装底面以外の部分、リードの一部以外の部分及び半導体チップを覆う樹脂封止体とを備え、放熱支柱の実装底面及びリードの一部が、樹脂封止体よりもその外側に突出して端子を構成し、放熱支柱が、熱伝導性並びに電気伝導性を有する金属又は合金により構成されて直方体形状を有し、放熱支柱の実装底面の位置とリードの樹脂封止体から露出した一部の裏面の位置とが同一平面上にあり、且つ、放熱支柱の厚さ方向に沿って実装底面とリードの裏面とが配設されている。

更に、第１の特徴に係る半導体装置において、放熱支柱の実装底面及びリードの一部は、樹脂封止体よりもその外側に突出し、電気的接続の端子を構成することが好ましい。

更に、第１の特徴に係る半導体装置において、放熱支柱は、熱伝導性並びに電気伝導性を有する金属又は合金により構成され、直方体形状を有することが好ましい。

本発明の実施の形態に係る第２の特徴は、半導体装置の製造方法において、実装底面とその実装底面に対して垂直な方向に延伸する一側面を有する放熱支柱と、放熱支柱の実装底面に隣り合い一側面の位置と同等の位置に一端側の表面が設定されたリードとを枠体に連接したリードフレームを形成する工程と、リードの一端側の表面に対してその表面側にリードの他端側を折り曲げ、前記リードを成型する工程と、リードが連接された枠体を折り曲げ、放熱支柱の一側面に離間してリードの一端側の裏面を対向させ、かつ放熱支柱の実装底面の位置と同等の位置にリードの他端側の裏面を移動し、枠体を成型する工程とを備える。

第２の特徴に係る半導体装置の製造方法において、枠体を成型する工程の後に、放熱支柱の一側面にボンディングパッドを有する半導体チップをマウントする工程と、半導体チップのボンディングパッドとリードの一端側の表面とを電気的に接続する工程と、放熱支柱の実装底面及びリードの他端側を露出させ、放熱支柱の実装底面以外の部分、リードの一端側及び半導体チップを樹脂封止体により覆う工程と、リードフレームの枠体から放熱支柱及びリードを切断する工程とを更に備えることが好ましい。

本発明によれば、実装密度を向上することができ、かつ放熱特性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供することができる。

次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、現実のものとは異なる。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。

また、以下に示す実施の形態はこの発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は各構成部品の配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。

［半導体装置の構造］
図１乃至図３に示すように、本発明の一実施の形態に係る半導体装置１は、ボンディングパッド１１を有する半導体チップ１０と、実装底面２０Ｂを有し、この実装底面２０Ｂに対して垂直な高さ方向に延伸する一側面２０Ｃに半導体チップ１０をマウントし、一側面２０Ｃからそれに対向する他の一側面２０Ｅまでの厚み（Ｔ２）が半導体チップ１０の厚み（Ｔ１）に対して厚い放熱支柱２０と、放熱支柱２０の実装底面２０Ｂ側の一側面２０Ｃに向かい合わせて配設され、半導体チップ１０のボンディングパッド１１に電気的に接続されたリード２１と、放熱支柱２０の実装底面２０Ｂ（端子２００）及びリード２１の一部（他端側２１２であって端子２１０）を露出させ、放熱支柱２０の実装底面２０Ｂ以外の部分、リード２１の一部以外の部分及び半導体チップ１０を覆う樹脂封止体４０とを備える。

半導体チップ１０には、必ずしも限定されるものではないが、本実施の形態において制御用モノリシックＩＣ（ＭＩＣ）やＩＧＢＴ、パワーＭＯＳＦＥＴ等のパワー系デバイスが使用される。この半導体チップ１０は、例えば、図２中、高さ方向の寸法Ｌ１を３．０ｍｍ、横方向の寸法Ｌ２を４．０ｍｍ、図１中、厚さ方向の寸法Ｔ１を０．３ｍｍに設定している。ここで、厚さ方向の寸法Ｔ１は半導体チップ１０のボンディングパッド１１が配設された表面１０Ａとこの表面１０Ａに対向する裏面１０Ｂとの間の寸法である。この半導体チップ１０は例えばシリコン単結晶基板を主体に構成されている。本実施の形態においては、半導体チップ１０は裏面１０Ｂから給電するので、半導体チップ１０の裏面１０Ｂは放熱支柱２０の一側面２０Ｃに導電性接着材（図示しない。）を介して電気的にかつ熱的に接続されている。導電性接着材には例えば半田や銀（Ａｇ）ペーストを実用的に使用することができる。また、本実施の形態においては、１つの半導体チップ１０が放熱支柱２０にマウントされているが、本発明は、例えばＩＧＢＴとそれを制御するＭＩＣとの複数個の半導体チップを１つの放熱支柱２０にマウントしてもよい。

放熱支柱２０は、半導体チップ１０をマウントする基材（ベース）として使用され、半導体チップ１０の回路動作によって発生する熱を半導体装置１の外部に放出する放熱体として使用され、更に半導体チップ１０に給電する電源板として使用される。本実施の形態において、放熱支柱２０には、例えば、熱伝導性に優れ、かつ電気伝導性に優れた銅（Ｃｕ）又はその合金が使用される。また、放熱支柱２０は、例えば鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金を使用することもできる。放熱支柱２０は、例えば、図２中、高さ方向の寸法Ｌ３を５．１ｍｍ、幅方向の寸法Ｌ４を５．０ｍｍ、図１中、厚さ方向の寸法Ｔ２を３．０ｍｍに設定している。ここで、寸法Ｌ３は実装底面２０Ｂとそれに対向する上面２０Ａとの間の寸法である。寸法Ｌ４は一側面２０Ｃ（又は２０Ｅ）の、それに隣り合う他の一側面２０Ｅからこの一側面２０Ｅに対向する更に他の一側面２０Ｆまでの間の寸法である。寸法Ｔ２は一側面２０Ｃとそれに対向する他の一側面２０Ｅとの間の寸法である。放熱支柱２０は、本実施の形態において直方体形状を有し、半導体チップ１０の厚さ方向の寸法Ｔ１に対して、約１０倍の厚さ方向の寸法Ｔ２を有する。放熱支柱２０の実装底面２０Ｂの面積は一側面２０Ｃの幅方向の寸法Ｌ４に厚さ方向の寸法Ｔ２を乗じた面積であり、この実装底面２０Ｂの面積の樹脂封止体４０の実装底面２０Ｂを含めた同一箇所の底面の面積に対する比率は例えば０．４−０．６に設定されている。

放熱支柱２０の実装底面２０Ｂは樹脂封止体４０の外面（実装時の底面）から露出する。そして、この放熱支柱２０の実装底面２０Ｂは樹脂封止体４０の外面から突出した端子２００として使用される。突出量すなわち樹脂封止体４０の外面から放熱支柱２０の実装底面２０Ｂまでの突出量は例えば０．３ｍｍに設定される。

リード２１は、インナー部に相当し、表面２１１Ａ及びそれに対向する裏面２１１Ｂを有する一端側２１１と、アウター部に相当し、同様に表面２１２Ａ及びそれに対向する裏面２１２Ｂを有する他端側２１２とを備えている。リード２１の一端側２１１は、放熱支柱２０の実装底面２０Ｂ側において、裏面２１１Ｂを放熱支柱２０の一側面２０Ｃに対向させ、一定間隔離間させて配設している。この離間寸法は例えば０．２ｍｍに設定される。リード２１の一端側２１１の裏面２１１Ｂと放熱支柱２０の一側面２０Ｃとはほぼ平行に設定されている。リード２１の他端側２１２は一端側２１１の表面２１１Ａ側に折り曲げられ、他端側２１２の表面２１２Ａは一端側２１１Ａの表面２１１Ａに対してほぼ垂直に設定されている。

リード２１の他端側２１２の裏面２１２Ｂは樹脂封止体４０の外面（実装時の底面）から露出する。そして、この他端側２１２の裏面２１２Ｂは樹脂封止体４０の外面から突出した端子２１０として使用される。突出量すなわち樹脂封止体４０の外面からリード２１の他端側２１２の裏面２１２Ｂまでの突出量は例えば０．３ｍｍに設定される。このリード２１の他端側２１２の裏面２１２Ｂの位置は放熱支柱２０の実装底面２０Ｂの位置と同一である。本実施の形態において、リード２１は放熱支柱２０と同一導電性材料により構成され、リード２１、放熱支柱２０のそれぞれは、後の製造方法において説明するが、同一のリードフレーム（２）から製作されている。

リード２１の一端側２１１の表面２１１Ａはボンディング領域として使用され、この表面２１１Ａにはワイヤ３０の一端が電気的かつ機械的に接続される。ワイヤ３０の他端は半導体チップ１０のボンディングパッド１１に電気的かつ機械的に接続される。ワイヤ３０には例えば金（Ａｕ）ワイヤ、アルミニウム（Ａｌ）ワイヤ等を実用的に使用することができる。

樹脂封止体４０は、詳細には放熱支柱２０の実装底面２０Ｂであって突出させた端子２００及びリード２１の他端側２１２の裏面２１２Ｂの突出させた端子２１０を露出させ、それ以外の放熱支柱２０の大半、リード２１の大半、半導体チップ１０及びワイヤ３０を気密に封止する。樹脂封止体４０は例えばエポキシ樹脂を使用し、樹脂封止体４０の製造方法にはトランスファーモールド法が使用される。樹脂封止体４０は、放熱支柱２０の直方体形状と同様で一回り大きな直方体形状により構成されていることが望ましい。例えば、放熱支柱２０の高さ方向の寸法Ｌ３に対応する樹脂封止体４０の高さ方向の寸法Ｌ５は５．６ｍｍに設定され、放熱支柱２０の幅方向の寸法Ｌ４に対応する樹脂封止体４０の幅方向の寸法Ｌ６は６．６ｍｍに設定される。放熱支柱２０の厚さ方向の寸法Ｔ２に対応する樹脂封止体４０の厚さ方向の寸法Ｔ３は４．８ｍｍに設定される。

［半導体装置の製造方法（組立方法）］
前述の一実施の形態に係る半導体装置１の製造方法（組立方法）は以下の通りである。

まず最初に、図４及び図５に示すリードフレーム２が製作される。リードフレーム２は、第１の枠体２５１、第２の枠体２５２及び第３の枠体（連結体）２５３を持っている枠体２５を有し、この枠体により区画された１つの領域に１つの放熱支柱２０及び複数本のリード２１を有する。枠体２５の第１の枠体２５１及び第２の枠体２５２は、図４中、互いに一定の間隔離間し、左から右への第１の方向（Ｘ方向）に平行に延伸する。枠体２５の第３の枠体２５３は、第１の方向に交差（本実施の形態においては直交）する第２の方向（Ｙ方向）に延伸し、一端を第１の枠体２５に連接し、他端を第２の枠体２６に連接する。第３の枠体２５３は第１の方向に一定間隔において配設されている。図４には１つの半導体装置１を製造するための１つの放熱支柱２０と複数本のリード２１しか示していないが、実際には複数個の半導体装置１を製造するために、１つのリードフレーム２には第１の方向に複数個の区画された領域、例えば６個、１２個等の領域を有し、区画されたそれぞれの領域に放熱支柱２０及びリード２１が配設されている。

放熱支柱２０の上面２０Ａは第１の枠体２５１に連接されている（一体に形成されている）。リード２１は、一端側２１１を放熱支柱２０の実装底面２０Ｂに適度な間隔を持って隣り合わせて配置し、他端側２１２を第２の枠体２５２に連接している（一体に形成している）。放熱支柱２０の一側面２０Ｃの位置とリード２１の一端側２１１の表面２１１Ａ及び他端側２１２の表面２１２Ａの位置はこの段階において同一である。

リードフレーム２は例えばエッチング加工又は打ち抜き加工を使用して製作され、枠体２５、放熱支柱２０及びリード２１は一体に製作されている。そして、本実施の形態においては、リードフレーム２は、枠体２５とリード２１とを同一の厚さの寸法に設定し、これらに対して放熱支柱２０の厚さ方向の寸法Ｔ２を厚く設定している。

前述の図４に示す折り曲げライン（仮想線）ＢＬ１において、図６に示すように、リード２１の一端側２１１の表面２１１Ａに対してその表面２１１Ａ側にリード２１の他端側２１２を折り曲げ、第１回目のリードフレーム２の成型加工が行われる。リードフレーム２においては、リード２１の一端側２１１と他端側２１２との境界部分とともに、第３の枠体２５３が折り曲げられる。リード２１の一端側２１１の表面２１１Ａに対して、他端側２１２の表面２１２Ａ並びに第２の枠体２５２は垂直の角度を持って折り曲げられる。

前述の図４に示す折り曲げラインＢＬ２において、図７に示すように、リード２１の他端側２１２と第２の枠体２５２との間を折り曲げ、第２回目のリードフレーム２の成型加工が行われる。このリード２１の他端側２１２と第２の枠体２５２との間は、第２の枠体２５２からリード２１を切り離す切断領域に相当する。リード２１の他端側２１２の裏面２１２Ｂに対してその裏面２１２Ｂ側に第２の枠体２５２が垂直の角度を持って折り返される。

前述の図４に示す折り曲げラインＢＬ３において、図８に示すように、リードフレーム２の第１の枠体２５１と第３の枠体２５３との連接部分を折り曲げ、第３回目のリードフレーム２の成型加工が行われる。第１の枠体２５１に対して、その表面側に第３の枠体２５３は垂直の角度を持って折り曲げられる。リード２１の一端側２１１の表面２１１Ａ及び裏面２１１Ｂはここでは一旦放熱支柱２０の一側面２０Ｃに対して垂直の角度に設定され、リード２１の他端側２１２の表面２１２Ａ及び裏面２１２Ｂは放熱支柱２０の一側面２０Ｃに対して平行に設定される。

前述の図４に示す折り曲げラインＢＬ４において、図９に示すように、リードフレーム２の第３の枠体２５３の折り曲げラインＢＬ３から第２の枠体２５２側にずれた部分を折り曲げ、第４回目のリードフレーム２の成型加工が行われる。第３回目のリードフレーム２の成型加工において折り曲げられた第３の枠体２５３の裏面に対して、その裏面側に第３の枠体２５３は垂直の角度を持って折り返される。この第４回目のリードフレーム２の成型加工が完了すると、放熱支柱２０の一側面２０Ｃにリード２１の一端側２１１の裏面２１１Ｂが一定間隔離間された状態において対向して配設されるとともに、放熱支柱２０の実装底面２０Ｂの位置とリード２１の他端側２１２の裏面２１２Ｂの位置（双方の端子２００及び２１０の位置）とを一致させることができる。第３回目のリードフレーム２の成型加工並びに第４回目のリードフレーム２の成型加工は、放熱支柱２０の一側面２０Ｃ上にリード２１を移動し、一側面２０Ｃとリード２１の一端側２１１との離間距離を調節し、かつ実装底面２０Ｂの位置とリード２１の他端側２１２の裏面２１２Ｂの位置とを一致させる成型加工である。

次に、図１０に示すように、放熱支柱２０の一側面２０Ｃ上に半導体チップ１０がマウントされる。引き続き、図１１に示すように、半導体チップ１０のボンディングパッド１１とリード２１の一端側２１１の表面（ボンディング領域）２１１Ａとの間がワイヤ３０を使用して電気的に接続される。ワイヤ３０は超音波振動を併用した熱圧着ボンディング法を使用して接続される。

図１２に示すように、放熱支柱２０の実装底面２０Ｂを含む端子２００及びリード２１の他端側２１２の裏面２１２Ｂを含む端子２１０を露出させ、それ以外の放熱支柱２０、リード２１の一端側２１、リード２１の他端側２１２の表面２１２Ａ、半導体チップ１０及びワイヤ３０を気密封止する樹脂封止体４０が形成される。樹脂封止体４０はトランスファーモールド法を使用して成型される。

図１３に示すように、リードフレーム２の第１の枠体２５１から放熱支柱２０が切断されるとともに、第２の枠体２５２からリード２１が切断される。放熱支柱２０は、前述の図４に示す折り曲げラインＢＬ３上を切断ラインとして、この切断ラインにおいて切断される。リード２１は、前述の図４に示す折り曲げラインＢＬ２を切断ラインとして、この切断ラインにおいて切断される。

リードフレーム２から切断された放熱支柱２０の端子２００として使用される実装底面２０Ｂにメッキ膜６０が形成され、リード２１の端子２１０として使用される他端側２１２の裏面２１２Ｂにメッキ膜６１が形成される。メッキ膜６０、６１には例えば半田に対して濡れ性を有するＮｉメッキ膜、Ａｕメッキ膜、パラジウム（Ｐｄ）メッキ膜等を使用することができる。

これら一連の製造方法が終了すると、本実施の形態に係る半導体装置１が完成する。この半導体装置１は、完成した後、前述の図１及び図２に示すように、例えば車載用ＥＣＵの実装基板５０上に実装される。

実装基板５０は例えばプリント配線基板であり、実装基板５０上の端子５１にリード２１の端子２１０が半田６１を介して電気的かつ機械的に接続され、実装基板５０上の端子５２に放熱支柱２０の端子２００が半田６０を介して電気的かつ機械的に接続される。

実装が行われた後には、半田６０、６１の濡れ性や這い上がり状態が人為的な目視により、又はカメラとコンピュータを使用した自動認識により検査され、実装の良否が判定される。

［半導体装置の特徴］
本実施の形態に係る半導体装置１においては、放熱支柱２０の実装基板５０に実装するための実装底面２０Ｂに対して垂直な一側面２０Ｃに半導体チップ１０を配設し、縦型実装構造を構築することができるので、実装基板５０に対して高さ方向に全体の容積を納め、実装基板５０上の占有面積を減少することができる。従って、半導体装置１を実装基板５０に実装したときの実装密度を向上することができる。本実施の形態に係る半導体装置１においては、同一半導体チップをマウントした面実装型の半導体装置に比較して例えば４０％−６０％の占有面積を削減することができる。

更に、本実施の形態に係る半導体装置１においては、放熱支柱２０の厚さ方向の寸法Ｔ２を半導体チップ１０の厚さ方向の寸法Ｔ１に対して厚く設定し、半導体チップ１０から端子２００（放熱支柱２０の実装底面２０Ｂ）までの放熱経路の熱抵抗を減少することができるので、半導体チップ１の動作により発生する熱の放熱効率を高め、放熱特性を向上することができる。

更に、本実施の形態に係る半導体装置１においては、放熱支柱２０の厚さ方向に、放熱支柱２０の端子２００とリード２１の端子２１０とを配設し、この方向に複数カ所において実装基板５０と接合しているので、例えば組立工程において倒れることを防止することができ、安定した実装を行うことができる。

更に、本実施の形態に係る半導体装置１の製造方法、特にリードフレーム２の成型加工方法においては、一枚のリードフレーム２に放熱支柱２０及びリード２１を配設し、第３回目の折り曲げ加工並びに第４回目の折り曲げ加工によって放熱支柱２０の一側面２０Ｃに対向する位置にリード２１を移動させ、立体構造を構築することができる。つまり、一枚のリードフレーム２から放熱支柱２０とリード２１との立体構造を実現することができ、部品点数を削減することができるので、製造コストを減少することができる。

更に、本実施の形態に係る半導体装置１の製造方法においては、樹脂封止体４０の最外郭から端子２００及び２１０を突出させているので、実装後の半田６０、６１の濡れ性や這い上がりを確認し易くすることができる。すなわち、外観検査を効率良く実施することができる。

（その他の実施の形態）
上記のように、本発明を一実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものでない。本発明は様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術に適用することができる。

例えば、本発明は、放熱支柱２０とリード２１とを１枚のリードフレーム２から製作するのではなく、別々の部品として製作し、半導体チップ１０のマウント前に放熱支柱２０が連接されたリードフレームとリード２１が連接されたリードフレームとを位置合わせし、相対的な位置関係を保持してもよい。

本発明の一実施の形態に係る半導体装置の側面図（図２に示す矢印Ｆ１方向から見た側面図）である。 図１に示す半導体装置の正面図である。 図１に示す半導体装置の底面図（図２に示す矢印Ｆ３方向から見た底面図）である。 一実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するためのリードフレームの第１の工程における平面図である。 第１の工程における断面図である。 第２の工程における断面図である。 第３の工程における断面図である。 第４の工程における断面図である。 第５の工程における断面図である。 第６の工程における断面図である。 第７の工程における断面図である。 第８の工程における断面図である。 第９の工程における断面図である。

符号の説明

１…半導体装置
２…リードフレーム
１０…半導体チップ
１１…ボンディングパッド
２０…放熱支柱
２０Ａ…上面
２０Ｂ…実装底面
２０Ｃ、２０Ｄ、２０Ｅ、２０Ｆ…一側面
２００、２１０、５１、５２…端子
２１…リード
２１１…一端側
２１１Ａ、２１２Ａ…表面
２１１Ｂ、２１２Ｂ…裏面
２１２…他端側
２５…枠体
２５１…第１の枠体
２５２…第２の枠体
２５３…第３の枠体
３０…ワイヤ
４０…樹脂封止体
５０…実装基板
６０、６１…半田

Claims (3)

1. 半導体チップと、
   実装底面を有し、この実装底面に対して垂直な高さ方向に延伸する一側面に前記半導体チップをマウントし、前記一側面からそれに対向する他の一側面までの厚みが前記半導体チップの厚みに対して厚い放熱支柱と、
   前記放熱支柱の前記実装底面側の前記一側面に向かい合わせて配設され、前記半導体チップに電気的に接続されたリードと、
   前記放熱支柱の前記実装底面及び前記リードの一部を露出させ、前記放熱支柱の前記実装底面以外の部分、前記リードの一部以外の部分及び前記半導体チップを覆う樹脂封止体と、
   を備え、
   前記放熱支柱の前記実装底面及び前記リードの一部が、前記樹脂封止体よりもその外側に突出して端子を構成し、
   前記放熱支柱が、熱伝導性並びに電気伝導性を有する金属又は合金により構成されて直方体形状を有し、
   前記放熱支柱の前記実装底面の位置と前記リードの前記樹脂封止体から露出した前記一部の裏面の位置とが同一平面上にあり、且つ、前記放熱支柱の厚さ方向に沿って前記実装底面と前記リードの前記裏面とが配設されていることを特徴とする半導体装置。
2. 実装底面とその実装底面に対して垂直な方向に延伸する一側面を有する放熱支柱と、前記放熱支柱の前記実装底面に隣り合い前記一側面の位置と同等の位置に一端側の表面が設定されたリードとを枠体に連接したリードフレームを形成する工程と、
   前記リードの前記一端側の表面に対してその表面側に前記リードの他端側を折り曲げ、前記リードを成型する工程と、
   前記リードが連接された前記枠体を折り曲げ、前記放熱支柱の前記一側面に離間して前記リードの一端側の裏面を対向させ、かつ前記放熱支柱の前記実装底面の位置と同等の位置に前記リードの前記他端側の裏面を移動し、前記枠体を成型する工程と、
   を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 前記枠体を成型する工程の後に、前記放熱支柱の前記一側面に半導体チップをマウントする工程と、
   前記半導体チップと前記リードの前記一端側の表面とを電気的に接続する工程と、
   前記放熱支柱の前記実装底面及び前記リードの前記他端側を露出させ、前記放熱支柱の前記実装底面以外の部分、前記リードの一端側及び前記半導体チップを樹脂封止体により覆う工程と、
   前記リードフレームの前記枠体から前記放熱支柱及び前記リードを切断する工程と、
   を更に備えたことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。

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