JP5123357B2 - ダイボンダ及びピックアップ装置 - Google Patents

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Description

本発明は、ダイボンダ並びにピックアップ方法及びピックアップ装置に係わり、特に信頼性の高いダイボンダ並びにピックアップ方法及び確実にダイを剥離できるピックアップ装置に関する。
ダイ(半導体チップ)(以下、単にダイという)を配線基板やリードフレームなどの基板に搭載してパッケージを組み立てる工程の一部に、半導体ウエハ（以下、単にウエハという）からダイを分割する工程と、分割したダイを基板上に搭載するダイボンディング工程とがある。
ボンディング工程の中にはウエハから分割されたダイを剥離する剥離工程がある。剥離工程では、これらダイをピックアップ装置に保持されたダイシングテープから１個ずつ剥離し、コレットと呼ばれる吸着治具を使って基板上に搬送する。
剥離工程を実施する従来技術としては、例えば、特許文献１及び特許文献２に記載する技術がある。特許文献１では、ダイの４コーナーに設けた第１の突き上げピン群と、先端が第1の突き上げピンより低く、ダイの中央部または周辺部に設けた第２の突き上げピン群とをピンホルダーに装着し、ピンホルダーを上昇させることで剥離する技術が開示されている。
また、特許文献２では、ダイの中心部に行く程突き上げ高さを高くできる３つのブロックを設け、最も外側の外側ブロックの４コーナーに一体形成されダイのコーナー方向に突き出た突起を設け、３つのブロックを順次突き上げていく技術が開示されている。
特開２００２−１８４８３６号公報 特開２００７− ４２９９６号公報
近年、半導体装置の高密度実装を推進する目的で、パッケージの薄型化が進められている。特に、メモリカードの配線基板上に複数枚のダイを三次元的に実装する積層パッケージが実用化されている。このような積層パッケージを組み立てるに際しては、パッケージ厚の増加を防ぐために、ダイの厚さを２０μｍ以下まで薄くすることが要求される。
ダイが薄くなると、ダイシングテープの粘着力に比べてダイの剛性が極めて低くなる。そのため、特許文献１の第１、第２の高さの異なる多段突き上げピン方式にしろ、特許文献２の突起を有する多段ブロック方式にしろ、ダイの外周部またはコーナー部から一気に剥離する。一気に剥離すると、ダイの外周部またはコーナー部に剥離をさせないようにするアンカー効果に対抗して、即ちストレスが集中し、前述したダイ厚さになるとダイの外周部またはコーナー部が変形して割れてしまう。特に、ダイとダイシングテープとの間に前述したダイアタッチフィルムが介在している場合は、ダイアタッチフィルムをダイシングすることにより増大するアンカー効果でダイシングテープとの粘着力がダイとダイシングテープの粘着力よりも強くなることがある。また安定せず、ダイの剥離が一層困難となる。
本発明は、上記の課題を鑑みてなされたもので、本発明の第１の目的は、確実にダイを剥離できるピックアップ方法及びピックアップ装置を提供することである。
また、本発明の第２の目的は、第１の目的を達成するピックアップ装置を用い、信頼性の高いダイボンダを提供することである。
本発明は、上記の目的を達成するために、ダイシングフィルムに貼り付けられた複数のダイのうち剥離対象のダイを突き上げて前記ダイシングフィルムから剥離する際に、前記ダイの周辺部のうちの所定部における前記ダイシングフィルムを突き上げて剥離起点を形成し、その後、前記所定部以外部分の前記ダイシングフィルムを突き上げて前記ダイを前記ダイシングフィルムから剥離することを第１の特徴とする。
また、本発明は、上記の目的を達成するために、第１の特徴に加え、前記剥離起点の形成をピンで行うことを第２の特徴とする。
さらに、本発明は、上記の目的を達成するために、第２の特徴に加え、ダイの４コーナー部分のうち少なくとも１つのコーナー部分に設けられていることを第３の特徴とする
また、本発明は、上記の目的を達成するために、第２の特徴に加え、２つの突き上げの駆動は、単一の駆動源で上下に駆動される作動体で駆動され、前記作動体の上昇時には前記２つの突き上げのうち一方を行い、前記作動体の下降時には前記下降を上昇に変える反転部を介して前記他方を行うことを第４の特徴とする。
さらに、本発明は、上記の目的を達成するために、第４の特徴に加え、前記他方は前記剥離起点を形成する前記突き上げであることを第５の特徴とする。
本発明によれば、確実にダイを剥離できるピックアップ方法及びピックアップ装置を提供できる。
また、本発明によれば、上記のピックアップ方法またはピックアップ装置を用い、信頼性の高いダイボンダを提供できる。
本発明の一実施形態であるダイボンダを上から見た概念図である。 本発明の一実施形態であるピックアップ装置の外観斜視図を示す図である。 本発明の一実施形態であるピックアップ装置の主要部を示す概略断面図である。 図４(a)は本発明の第１の実施形態である突き上げユニットとボンドヘッドユニットのうちコレット部との構成を示した図である。図４(ｂ)は、突き上げユニットの突き上げブロック部及び剥離起点形成ピンが存在する部分を上部から見た図である。 本発明の実施形態におけるピックアップ動作の処理フローを示す。 図５に示す処理フローにおけるドームヘッド付近部とコレット部の動作を示した図である。 図５に示す処理フローにおけるダイのピックアップ動作時の突き上げユニットの駆動動作を主体に示す図である。 本発明の第２の実施形態である突き上げユニットの構成と動作状態を示す図である。 第２の実施形態にけるピックアップ動作の処理フローを示す図である。 図９に示す処理フローにおけるドームヘッド付近部とコレット部の動作を示す図である。 本発明の第２の実施形態の突き上げユニットに鍔のないコレットに適用した例を示す図である。 図１０(ｂ)と図１０(ｃ)との間の状態を示し、剥離起点形成ピンと外側ブロック及び内側ブッロクが同一高さになったときの状態を示す図である。 本発明の第２の突き上げユニットの実施形態を示したものである。 剥離起点形成ピンの数又は駆動方法に対する他の実施形態を示す図である。 図１０(ｃ)、図１０(ｄ)に適用する剥離起点形成ピンの駆動方法の例を示す図である。
以下、図面に基づき、本発明の実施形態を説明する。
図１は本発明の一実施形態であるダイボンダ１０を上から見た概念図である。ダイボンダは大別してウエハ供給部１と、ワーク供給・搬送部２と、ダイボンディング部３とを有する。
ワーク供給・搬送部２はスタックローダ２１と、フレームフィーダ２２と、アンローダ２３とを有する。スタックローダ２１によりフレームフィーダ２２に供給されたワーク（リードフレーム）は、フレームフィーダ２２上の２箇所の処理位置を介してアンローダ２３に搬送される。
ダイボンディング部３はプリフォーム部３１とボンディングヘッド部３２とを有する。プリフォーム部３１はフレームフィーダ２２により搬送されてきたワークにダイ接着剤を塗布する。ボンディングヘッド部３２は、ピックアップ装置１２からダイをピックアップして上昇し、ダイを平行移動してフレームフィーダ２２上のボンディングポイントまで移動させる。そして、ボンディングヘッド部３２はダイを下降させダイ接着剤が塗布されたワーク上にボンディングする。
ウエハ供給部１はウエハカセットリフタ１１とピックアップ装置１２とを有する。ウエハカセットリフタ１１はウエハリングが充填されたウエハカセット(図示せず）を有し，順次ウエハリングをピックアップ装置１２に供給する。
次に、図２および図３を用いてピックアップ装置１２の構成を説明する。図２はピックアップ装置１２の外観斜視図を示す図である。図３はピックアップ装置１２の主要部を示す概略断面図である。図２、図３に示すように、ピックアップ装置１２はウエハリング１４を保持するエキスパンドリング１５と、ウエハリング１４に保持され複数のダイ(チップ)４が接着されたダイシングテープ１６を水平に位置決めする支持リング１７と、支持リング１７の内側に配置されダイ４を上方に突き上げるための突き上げユニット５０とを有する。突き上げユニット５０は、図示しない駆動機構によって、上下方向に移動するようになっており、水平方向にはピックアップ装置１２が移動するようになっている。
ピックアップ装置１２は、ダイ４の突き上げ時に、ウエハリング１４を保持しているエキスパンドリング１５を下降させる。その結果、ウエハリング１４に保持されているダイシングテープ１６が引き伸ばされダイ４の間隔が広がり、突き上げユニット５０によりダイ下方よりダイ４を突き上げ、ダイ４のピックアップ性を向上させている。なお、薄型化に伴い接着剤は液状からフイルム状となり、ウエハとダイシングテープ１６との間にダイアタッチフィルム１８と呼ばれるフィルム状の接着材料を貼り付けている。ダイアタッチフィルム１８を有するウエハでは、ダイシングはウエハとダイアタッチフィルム１８に対して行なわれる。従って、剥離工程では、ウエハとダイアタッチフィルム１８をダイシングテープ１６から剥離する。
図４(a)は本発明の第１の実施形態である突き上げユニット５０とボンドヘッドユニット(図示せず)のうちコレット部４０との構成を示した図である。図４(ｂ)は、突き上げユニットの後述する突き上げブロック部及び剥離起点形成ピンが存在する部分を上部から見た図である。
図４(ａ)に示すようにコレット部４０は、コレット４２と、コレット４２を保持するコレットホルダー４１と、それぞれに設けられダイ４を吸着する為の吸引孔４１ｖ、４２ｖとがある。
一方、突き上げユニット５０は、大別して、突き上げブロック部と、剥離起点形成ピン部と、突き上げブロック部と剥離起点形成ピン部を駆動する駆動部と,それらを保持するドーム本体５８とを有する。突き上げブロック部はブロック本体５９と、ブロック本体５９に直結した内側ブロック５４、１／２切替えバネ５２ｂを介して内側ブロックの周囲に設けられ、ダイ４の外形より小さい外形を有する外側ブロック５２とを有している。
剥離起点形成ピン部は、図４(ｂ)に示すように、外側ブロック５２の４つのコーナーの外側、即ちダイの４隅にそれぞれ設けられた４本の剥離起点形成ピン５１と、剥離起点形成ピンを保持し、上下に移動可能なピン上下リンク５５と、５６ａを支点に回転しピン上下リンク５５を上下させるピン駆動リンク５６とを有する。
駆動部は、モータによって上下に移動する駆動軸５７と、駆動軸５７の上下に伴い上下移動する作動体５３とを有する。作動体５３が下降すると、左右のピン駆動リンク５６が回転し、ピン上下リンク５５が上昇し、剥離起点形成ピン５１を突き上げる。作動体５３が上昇すると、ブロック本体を上昇させ、外側、内側ブロックを押し上げる。なお、ピン上下リンク５５とピン駆動リンク５６は、上述の説明によれば、作動体５３の下降する動きを剥離起点形成ピン５１の突き上げ(上昇)の動きに変える反転部を構成する。
ドーム本体５８の上部には、ダイ４を吸着し保持する多くの吸着孔５８ａを具備するドームヘッド５８ｂを有する。図４(ｂ)ではブロック部の周囲に一列のみ示しているが、ピックアップ対象でないダイ４ｄを安定し保持するために複数列設けている。また、図４(ｂ)に示すように、内側ブロック５４と外側ブック５２との隙間５４ｖ、並びに外側ブロック５２とドームヘッド５８ｂとの隙間５２ｖを吸引しダイシングテープ１６をブッロク部に側に保持している。
次に、上述した構成よる突き上げユニット５０によるピックアップ動作を図５、図６及び図７を用いて説明する。図５はピックアップ動作の処理フローを示す。図６は、図５に示す処理フローにおけるドームヘッド５８ｂ付近部とコレット部４０の動作を示した図である。図７は、図５に示す処理フローにおけるダイ４のピックアップ動作時の突き上げユニット５０の駆動動作を主体に示した図である。図６、図７において、(ａ)〜(ｄ)は同時期の動作を示す。
まず、図６(ａ)に示すように、剥離起点形成ピン５１、外側ブロック５２、内側ブロック５４がドームヘッド５８ｂの表面と同一平面を形成するようにし、ドームヘッド５８ｂの吸着孔５８ａと、ブロック間の隙間５２ｖ、５４ｖとによってダイシングテープ１６を吸着する(ステップ１)。次に、コレット部４０を下降させ、ピックアップするダイ４の上に位置決めし、吸引孔４１ｖ、４２ｖによってダイ４を吸着する(ステップ２)。ステップ１，２により図６(ａ)に示す状態になり、このとき、駆動動作は、図７(ａ)に示すように、作動体５３は剥離起点形成ピン５１やブロック５２、５４を動作させないニュートラル状態である。このような状態で、コレット４２の鍔４２ｔから漏れがないかを空気流量を検出し、リークが正常な範囲に収まるまで吸引する(ステップ３)。
次に、外側ブロック５２の４コーナーに設けた剥離起点形成ピン５１のみを数十μｍから数百μｍ上昇させる(ステップ４)。この結果、図６(ｂ)に示すように、剥離起点形成ピン５１の周辺においてダイシングテープ１６が盛り上がった突き上げ部分が形成され、ダイシングテープ１６とダイアタッチフィルム１８の間に微小な空間、即ち剥離起点５１ａができる。この空間によりアンカー効果、即ちダイ４にかかるストレスが大幅に低減し、次のステップにおける剥離動作を確実にできる。図７(ｂ)は、このときの駆動動作を示した図である。作動体５３は下降し、５６ａを支点にピン上下リンク５６が回転し、ピン上下リンク５５を上昇させ、剥離起点形成ピン５１を突き上げる。
剥離起点形成ピン５１は上述したように微小な区間を形成できればよいので、突き上げピンは、例えば、径が700μｍ以下で先端が丸い形状でもフラット形状でもよい。
この突き上げでは、図６(ｂ)に示すようにコレット４２の鍔４２ｔが若干変形し、空気の流入を防いでいる。本ステップにおいて、ステップ３と同様に空気流量を検出し、リークが正常な範囲に収まるまで吸引する(ステップ５)。
次に、作動体５３を上昇させ、剥離起点形成ピン５１の位置を元の位置に戻す(ステップ６)。剥離起点形成ピン５１は次のステップ以降のダイ４の剥離動作には寄与しない。
次に、外側ブロック５２及び内側ブッロク５４のダイ４の剥離動作にはいる。そのために、図７(ｃ)に示すように、作動体５３を更に上昇させ、外側ブロック５２及び内側ブッロク５４による剥離動作を実施する(ステップ７)。このときのドームヘッド５８ａ付近部とコレット部４０の状態は図６(ｃ)となる。このときも、ステップ３、５と同様にコレットリークの検出処理を行う(ステップ８)。
次に、図７(ｃ)の状態から図７(ｄ)に示すように、更に作動体５３を上昇させると、１／２切替えバネ５２ｂの作用によって内側ブッロク５４のみが上昇し、図６(ｄ)の状態になる(ステップ９)。この状態では、ダイシングテープ１６とダイ４との接触面積はコレットの上昇により剥離できる面積となり、コレット４２の上昇にダイ４を剥離する。
以上説明したように、本第１の突き上げユニットの実施形態によれば、ダイ４の四隅に相当する位置に剥離起点形成ピン５１を設け、剥離処理の当初に剥離起点形成ピン５１を上昇させ、剥離の起点となる空間を形成することでダイ４にかかるストレスを低減でき、ダイ４が割れることなくその以降による剥離処理が確実に行なうことができる。
この結果、ピックアップミスを低減でき、信頼性の高いダイボンダまたはピックアップ方法を提供できる
図８(ａ)から図８(ｄ)は、本発明の第２の実施形態である突き上げユニット５０の構成と動作状態を示した図で、第１の実施形態の図７(ａ)から図７(ｄ)に対応する図である。なお、図８において、第１の実施形態と同一の構造を有するものは同一符号を記す。
第１の実施形態と異なる点は、第１の実施形態では剥離起点形成ピン５１を突き上げるために作動体５３の動きを反転部で反転させていたが、本実施形態では、反転させずそのまま同一方向に駆動する同方向部を有する点である。
同方向部は、駆動軸５７に連結されたタイミング制御プレート７１と、前記タイミング制御プレート７１との間に圧縮バネ７２を有するピン駆動リンク７３とを有する。また、ピン駆動リンクは、前記タイミング制御プレート７１とによって、剥離起点形成ピン５１を突き上げていない図８(ａ)に示すニュートラル状態を保持する為に保持プレート７４を有する。
次に、図８乃至図１０を用いて、第２の実施形態の突き上げユニット５０の動作状態を説明する。図９は、第２の実施形態にけるピックアップ動作の処理フローを示す図であり、図１０は、図９に示す処理フローにおけるドームヘッド５８ｂ付近部とコレット部４０の動作を示した図である。なお、図９、図１０はそれぞれ第１の実施形態の図５、図６に対する図である。
図９に示すピックアップ動作の処理フローが第１に実施形態と異なる点は、第１の実施形態にけるピックアップ動作の処理フロー(図５)のステップ６がない点である。その動作を実現する動作を以下に説明する。第２の実施形態では、図８(ｂ)示すように、作動体７３を上昇させと、ピン駆動リンク７３がドームヘッド５８ｂに接触するまで、剥離起点形成ピン５１がダイシングテープ１６を突き上げる。その後、作動体５３を上昇させていくと、まず、外側ブロック５２及び内側ブッロク５４による剥離動作が実施され(図９のステップ６、図８(ｃ)、図１０(ｃ)参照)、次に、１／２切替えバネ５２ｂの作用によって内側ブッロク５４のみが上昇し、図８(ｄ)の状態になる(同ステップ８、図１０(ｄ)参照)。
図８(ｃ)、図８(ｄ)及び図１０(ｃ)、図１０(ｄ)において、剥離起点形成ピン５１は、ドームヘッド５８ｂによって上昇できないので、図８(ｂ)の状態を維持している。従って、剥離起点形成ピン５１は図８(ｃ)、図(ｄ)における剥離動作には寄与していない。
以上説明したように、本発明の第２の実施形態である突き上げユニット５０においても、ダイ４の四隅に相当する位置に剥離起点形成ピン５１を設け、剥離処理の当初に剥離起点形成ピン５１を上昇させ、剥離の起点となる空間を形成することでダイ４にかかるストレスを低減でき、ダイ４が割れることなくその以降による剥離処理が確実に行なうことができる。
この結果、本発明の第２の実施形態においても、ピックアップミスを低減でき、信頼性の高いダイボンダまたはピックアップ方法を提供できる
図１１は、本発明の第２の実施形態の突き上げユニット５０に、鍔４２ｔのないコレットに適用した例を示す図で、図１０に対するステップを示したものである。
図１１から分かるように、図１１(ｂ)に示す剥離起点形成ピン５１を上昇させるステップにおいて若干コレットリークが大きくなる可能性があるもの、実処理では問題なく処理を行うことがきた。以上説明したように、コレット形状には関係なく本実施形態を適用できる。
図１２は、図１１(ｂ)と図１１(ｃ)との間の状態を示し、剥離起点形成ピン５１と外側ブロック５２及び内側ブッロク５４が同一高さになったときの状態を示す。図１１に示す動作フローにおいて、図１１(ｂ)の状態まで、コレット４２を着地させず、図１２になったときにコレットを着地させる。この結果、図１１に示す実施形態における若干のコレットリークの危惧がなくなる。この結果、鍔４２ｔのないコレットを適用してもより確実に剥離処理を行うことができる。
この結果、ピックアップミスを低減でき、信頼性の高いダイボンダまたはピックアップ方法を提供できる。
また、以上説明したように、本第１、第２の突き上げユニットの実施形態によれば、２つの独立に駆動する動作を一つの駆動源で駆動でき、小型または安価な突き上げユニットを提供できる。
図１３は本発明の第３の突き上げユニットの実施形態を示したものである。第１の実施形態と異なる点は、突き上げ部としてブロックの替わりの突き上げピンを用いた点である。図１３は、第２の実施形態の図１１(ｂ)に対する図として図１０(ａ)を、図１０(ｃ)に対応する図として図１３(ａ)、図１３(ｂ)を示した図である。
本実施形態でも、図１３(ａ)に示すよう、予め剥離起点形成ピン５１で剥離起点５１ａを形成し、その後、図１３（ｂ）に示すように、複数の突き上げピン６０を固定した突き上げピンベース６１を一気に突き上げたとして、剥離作業はより確実に行われる。図９(ｂ)においては、剥離起点形成ピンは元の位置に戻っており、図９(ｂ)における突き上げには関与していない。
従って、本発明の第３の突き上げユニットの実施形態においても、剥離の起点となる空間を形成することでダイ４にかかるストレスを低減でき、ダイ４が割れることなくその以降による剥離処理がより確実に行なうことができる。
以上説明した第1乃至第３の突き上げユニットの実施形態では、ダイ４の４コーナーに設けた剥離起点形成ピン５１を同時に突き上げていた。図１４は剥離起点形成ピンの数又は駆動方法に対する他の実施形態を示す図である。
図１４(ａ)、図１４(ｂ)は４コーナーの全てに剥離起点形成ピン５１を設けるのではなく、図１４(ａ)は４コーナーのうちの一つのコーナーに設けた例で、図１４(ｂ)は２本の剥離起点形成ピン５１をダイ４のコーナーの対角部に設けた例である。いずれにしても、１箇所でも剥離起点を形成することで、従来技術に比べより確実にダイ４をダイシングテープ１６から剥離することができる。
図１４(ｃ)は４コーナー同時に突き上げるのではなく、４コーナーの剥離起点形成ピン５１で順次突き上げていく例である。本例では順次突き上げることで、ダイに与えるストレスを多少なりとも緩和できる。図１４(ｄ)は４コーナーだけでなくダイ周辺部にも剥離起点形成ピン５１を設けた例である。本例では、ダイ４に与えるストレスを緩和しながら且つ剥離起点を多く設け、ダイ４の変形または変形割れを防ぐことができる。
図１５は、図１４(ｃ)、図１４(ｄ)に適用する剥離起点形成ピン５１の駆動方法の例を示す図である。基本的な構成は、第１の実施形態で示す図４と同じである。異なる点は、作動体５３が回転し、作動体５３の下面の一箇所に球状の突起物５３ａを設けた点である。図１１でも剥離起点形成ピン５１の数だけ、ピン上下リンク５５及びピン駆動リンク５６がある。そこで、作動体５３を下降させ回転させると、突起物５３ａが次々とピン駆動リンク５６を回転させ、対応するピン上下リンク５５を上昇させ、対応する剥離起点形成ピン５１を突き上げる。その結果、剥離起点形成ピン５１がコーナー部のみ配置されていようが、周辺部にも配置されていようが、剥離起点形成ピン５１を順次突き上げて、剥離起点５１ａを次々と形成することができる。
次に、図１４(ｅ)を説明する。図１４(ｅ)は、剥離起点形成ピン等をダイ４の周辺部を移動させて次々と剥離起点を形成する方法である。例えば、凹状の形状の有するリニアモータで構成されたレール５１Ｂ上を外側ブロック５２の周囲に設け、ピンではなく球状または丸みを帯びたローラ形状の磁石５１Ａを移動させて、次々と剥離起点５１ａを形成する方法である。図１４(ｅ)の方法においても、図１４(ｄ)と同様な効果を奏することができる。また、図１４(ｅ)の実施形態によれば、剥離起点形成ピンで説明してきた剥離起点形成手段は、ピン形状だけでなく球形状でもよい。
以上の実施例では、剥離されたダイを基板にダイボンディングするがダイボンダについて説明した。基板にダイボンディングする代わりに、ダイを搬送するトレイ上に載せれば、ピックアップ装置とすることも可能である。
以上のように本発明の実施形態について説明したが、上述の説明に基づいて当業者にとって種々の代替例、修正又は変形が可能であり、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で前述の種々の代替例、修正又は変形を包含するものである。
１：ウエハ供給部 ２：ワーク供給・搬送部
３：ダイボンディング部 ４：ダイ(半導体チップ)
１０：ダイボンダ １１：ウエハカセットリフタ
１２：ピックアップ装置 １４：ウエハリング
１５：エキスパンドリング １６：ダイシングテープ
１７：支持リング １８：ダイアタッチフィルム
３２：ボンディングヘッド部 ４０：コレット部
４１：コレットホルダー ４１ｖ：コレットホルダーにおける吸着孔
４２：コレット ４２ｖ：コレットにおける吸着孔
４２ｔ：コレットの鍔 ５０：突き上げユニット
５１：剥離起点形成ピン ５１ａ：剥離起点
５１Ａ：球状または丸みを帯びたローラ形状の磁石５１Ａ
５１Ｂ：リニアモータで構成されたレール
５２：外側ブロック
５２ｂ：１／２切替えバネ
５２ｖ：外側ブロックとドームヘッドとの隙間
５３：作動体 ５４：内側ブロック
５４ｖ：内側ブロックと外側ブックとの隙間
５５：ピン上下リンク ５６：ピン駆動リンク
５６ａ：ピン駆動リンクの回転支点 ５７：駆動軸
５８：ドーム本体 ５８ａ：ドームヘッドにおける吸着孔
５８ｂ：ドームヘッド ５９：ブロック本体
６０：突き上げピン ６１：ピンベース
７１：タイミング制御プレート ７２：圧縮バネ７２
７３：ピン駆動リンク ７４：保持プレート。

Claims (3)

  1. ダイの周辺部のうちの所定部におけるダイシングフィルムを突き上げて剥離起点を形成する剥離起点形成手段と、前記所定部とは異なる部分の前記ダイシングフィルムを突き上げて前記ダイを前記ダイシングフィルムから剥離する剥離手段と、前記剥離起点形成手段の前記突き上げと前記剥離手段の前記突き上げとを別々に駆動する駆動手段を有する突き上げユニットと、
    前記ダイを吸着するコレットと、
    前記コレットで吸着され前記突き上げられた前記ダイを前記ダイシングフィルムから剥離して基板に装着するボンディングヘッドと、を有し、
    前記剥離起点形成手段は前記剥離起点を形成するピンを有し、
    前記所定部は前記ダイの４コーナー部分のうち少なくとも１つのコーナー部分に設けられており、
    前記駆動手段は、単一の駆動源で上下に駆動される作動体を有し、前記作動体の上昇時には前記剥離手段の前記突き上げを行い、前記作動体の下降時には前記下降を上昇に変
    える反転部を介して前記剥離起点形成手段の前記突き上げを行うことを特徴とするダイボンダ。
  2. 前記反転部は前記所定部の前記ピン単位に設けられ、前記駆動手段は前記作動体を回転させる駆動源を有し、前記作動体は、前記反転部を駆動するための突起部を有し、順次前記反転部を駆動することを特徴とする請求項１に記載のダイボンダ。
  3. ウエハリングを保持するエキスパンドリングと、
    前記ウエハリングに保持され複数のダイが貼り付けられたダイシングフィルムを保持する保持手段と、
    前記ダイの周辺部のうちの所定部におけるダイシングフィルムを突き上げて剥離起点を形成する剥離起点形成手段と、前記所定部とは異なる部分の前記ダイシングフィルムを突き上げて前記ダイを前記ダイシングフィルムから剥離する剥離手段と、前記剥離起点形成手段の前記突き上げと前記剥離手段の前記突き上げとを別々に駆動する駆動手段を有する突き上げユニットと、を有し、
    前記剥離起点形成手段は前記剥離起点を形成するピンを有し、
    前記駆動手段は、単一の駆動源で上下に駆動される作動体を有し、前記作動体の上昇時には前記２つの突き上げのうち一方を行い、前記作動体の下降時には前記下降を上昇に変える反転部を介して前記他方を行い、
    前記他方は前記剥離起点形成手段の前記突き上げであることを特徴とするピックアップ装置。
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5805411B2 (ja) * 2011-03-23 2015-11-04 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダのピックアップ方法およびダイボンダ
JP6055239B2 (ja) 2012-08-29 2016-12-27 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置並びにダイピックアップ装置及びダイピックアップ方法
JP2014053517A (ja) * 2012-09-10 2014-03-20 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd 受渡用ステージ及びダイピックアップ装置並びにダイボンディング装置
CN103066001B (zh) * 2012-12-28 2015-04-22 无锡中微高科电子有限公司 共晶焊机拾取芯片用的万向调平吸嘴
KR20140107982A (ko) * 2013-02-28 2014-09-05 삼성전자주식회사 다이 이젝터 및 다이 분리 방법
JP6086763B2 (ja) 2013-03-11 2017-03-01 ファスフォードテクノロジ株式会社 コレットクリーニング方法及びそれを用いたダイボンダ
JP6341641B2 (ja) * 2013-08-09 2018-06-13 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ
KR101596461B1 (ko) * 2014-04-01 2016-02-23 주식회사 프로텍 칩 디테칭 장치 및 칩 디테칭 방법
KR101683398B1 (ko) * 2015-10-02 2016-12-07 주식회사 프로텍 칩 디테칭 장치 및 칩 디테칭 방법
JP6797569B2 (ja) 2016-06-13 2020-12-09 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP6637397B2 (ja) 2016-09-12 2020-01-29 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US20180182665A1 (en) 2016-12-28 2018-06-28 Invensas Bonding Technologies, Inc. Processed Substrate
JP6621771B2 (ja) 2017-01-25 2019-12-18 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP2018182278A (ja) * 2017-04-07 2018-11-15 芝浦メカトロニクス株式会社 半導体チップのピックアップ装置及び実装装置
US10879212B2 (en) 2017-05-11 2020-12-29 Invensas Bonding Technologies, Inc. Processed stacked dies
JP6941513B2 (ja) * 2017-09-07 2021-09-29 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP6967411B2 (ja) * 2017-09-19 2021-11-17 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置、半導体装置の製造方法およびコレット
US10283388B1 (en) * 2017-11-13 2019-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Detaping machine and detaping method
US12406959B2 (en) 2018-07-26 2025-09-02 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Post CMP processing for hybrid bonding
US11296044B2 (en) 2018-08-29 2022-04-05 Invensas Bonding Technologies, Inc. Bond enhancement structure in microelectronics for trapping contaminants during direct-bonding processes
JP7217605B2 (ja) * 2018-09-21 2023-02-03 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置、突上げ治具および半導体装置の製造方法
CH715447B1 (de) * 2018-10-15 2022-01-14 Besi Switzerland Ag Chip-Auswerfer.
JP7154106B2 (ja) * 2018-10-29 2022-10-17 芝浦メカトロニクス株式会社 電子部品のピックアップ装置及び実装装置
CN109659258B (zh) * 2018-11-23 2020-08-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 机台及面板制作方法
CN110085540B (zh) * 2019-04-29 2020-12-18 嘉兴觅特电子商务有限公司 一种定位精准的吸附力强的芯片拾取设备
KR20210009843A (ko) * 2019-07-18 2021-01-27 세메스 주식회사 다이 픽업 방법
TWI810522B (zh) * 2020-03-23 2023-08-01 日商捷進科技有限公司 晶片接合裝置、剝離治具及半導體裝置的製造方法
CN118613905A (zh) * 2021-12-23 2024-09-06 美商艾德亚半导体接合科技有限公司 用于管芯键合控制的装置和方法
CN118786520A (zh) 2022-04-12 2024-10-15 库利克和索夫工业公司 调整焊接系统的焊接工具组件和支撑结构组件之间的倾斜度的方法及相关焊接系统
TWI832358B (zh) * 2022-08-02 2024-02-11 梭特科技股份有限公司 晶粒剝離方法
TWI904464B (zh) 2022-09-22 2025-11-11 日商捷進科技有限公司 半導體製造裝置，剝離單元及半導體裝置的製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4556362A (en) * 1983-12-21 1985-12-03 At&T Technologies, Inc. Methods of and apparatus for handling semiconductor devices
JPS63255937A (ja) * 1987-04-14 1988-10-24 Sumitomo Electric Ind Ltd チツプ実装装置
JPH10189690A (ja) * 1996-12-26 1998-07-21 Hitachi Ltd 半導体チップのピックアップ方法及びピックアップ装置
JP3955659B2 (ja) * 1997-06-12 2007-08-08 リンテック株式会社 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置
JP3817894B2 (ja) 1998-04-06 2006-09-06 三菱電機株式会社 チップ突き上げ装置及びそれを用いたダイボンディング装置
JP4021614B2 (ja) 2000-12-11 2007-12-12 株式会社東芝 半導体素子のピックアップ用治具、半導体素子のピックアップ装置、半導体素子のピックアップ方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JP2006005030A (ja) * 2004-06-16 2006-01-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体チップのピックアップ方法および装置
JP4624813B2 (ja) * 2005-01-21 2011-02-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
KR101287526B1 (ko) * 2005-03-15 2013-07-19 삼성전자주식회사 다이 본더와 이를 이용한 다이 본딩 방법
JP4664150B2 (ja) 2005-08-05 2011-04-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JP4735829B2 (ja) * 2005-12-06 2011-07-27 澁谷工業株式会社 チップ突き上げ装置
KR20070120319A (ko) * 2006-06-19 2007-12-24 삼성전자주식회사 한 쌍의 이젝터들을 구비하는 반도체 칩의 탈착 장치 및이를 이용한 반도체 칩의 탈착 방법
US7665204B2 (en) * 2006-10-16 2010-02-23 Asm Assembly Automation Ltd. Die detachment apparatus comprising pre-peeling structure
TWI463580B (zh) * 2007-06-19 2014-12-01 瑞薩科技股份有限公司 Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device

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