JP5147048B2 - 異方導電性フィルム - Google Patents

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Description

本発明は、微細パターンの電気的接続において、微小面積の電極の電気的接続性に優れると共に、微細な配線間の絶縁破壊(ショート)が起きにくく、接続時の品質管理が容易な異方導電性フィルムに関する。
異方導電性フィルムは、絶縁性接着剤中に導電粒子を分散させたフィルムであり、液晶ディスプレイと半導体チップやTCPとの接続又はFPCとTCPとの接続、FPCとプリント配線板との接続を簡便に行うために使用される接続部材である。例えば、ノート型パソコンや携帯電話の液晶ディスプレイと制御ICとの接続用として広範に用いられており、最近では、半導体チップを直接プリント基板やフレキシブル配線板に搭載するフリップチップ実装にも用いられている(特許文献1、2及び3)。
この分野では近年、接続される配線パターンや電極パターンの寸法が益々微細化されている。微細化された配線や電極の幅は10μmレベルにまで微細化される場合も多くなってきている。一方で、これまで用いられてきた導電粒子の平均粒径は、配線や電極の線幅と同レベルの数μmから10μmレベルの粒子であった。微細化された電極パターンを接続する際に、導電粒子がランダムに分散配置されている異方導電性フィルムを用いると、接続すべき電極パターンが導電粒子の存在しない位置に配置されてしまい、電気的に接続されない場合が、確率論として避けられない。これは、用いる異方導電性フィルム自体が、導電粒子の分布に偏差をもっているためである。
この問題点を解決するために、例えば、帯電させた導電粒子を絶縁性接着フィルムの表面に散布して、表面に付着した導電粒子を絶縁性接着フィルムの表層中に埋め込む方法(特許文献4)や、所定配置された吸引孔を有する導電粒子吸着治具を用いて、導電粒子を配列する方法(特許文献5)、導電粒子を付着したフィルムを延伸することで導電粒子を配列する方法(特許文献6)によって、導電粒子を単層で整列配置した異方導電性フィルムが検討されている。
しかしながら、導電粒子を単層で整列配置した異方導電性フィルムを用いて、微細化された配線や電極の接続をする場合であっても、接続品質の管理は容易ではなかった。つまり、接続を確認するためには、例えば、高倍率の光学顕微鏡を使って、数100にもおよぶ電極上の導電粒子の数を数えるといった非常に手間のかかる方法を取る必要があった。
特開平03−107888号公報 特開平04−366630号公報 特開昭61−195179号公報 特開2000−151084号公報 特開2002−332461号公報 特開2007−9176号公報
本発明は、微細パターンの電気的接続において、微小面積の電極の電気的接続性に優れると共に、微細な配線間の絶縁破壊(ショート)が起きにくく、接続時の品質管理が容易な異方導電性フィルムの提供を目的とする。
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、導電粒子の中心間距離が特定の変動係数を有し、更に、特定面積の無粒子領域を特定頻度で有する様に、導電粒子を絶縁性接着フィルムの表面層に単層として整列配置する事で、上記目的に適合しうる異方導電性フィルムが得られることを見出し、本発明をなすに至った。
本発明のように、無粒子領域の面積と頻度を制御することで、導電粒子が単層で配置した異方導電性フィルムにおいて、電気的接続性と絶縁信頼性を高度に維持したまま、接続時の導電粒子の移動具合を簡便に確認できたことは、当業者にとって容易に予想することができない知見であった。
即ち、本発明は、下記の通りである。
(1)平均粒径が0.5μm以上6μm以下の導電粒子がその平均粒径よりも大きい厚さの絶縁性接着フィルムの表面層に、単層として配置された異方導電性フィルムにおいて、導電粒子の中心間距離の変動係数が0.5以下であって、面積が300μm以上600μm以下の無粒子領域の頻度が1cm当たり5個以上1500個以下であり、前記導電粒子の中心間距離の平均が2μm以上15μm以下であり、かつ、面積が1000μm 以上の無粒子領域の頻度が1cm 当たり1個未満である異方導電性フィルム。
)()に記載の異方導電性フィルムを用いて相互に対向する端子を有する回路基板と回路部材を接続して得られた接続構造体。
本発明の異方導電性フィルムは、微細面積の電極の電気的接続性に優れると共に、微細な配線間の絶縁破壊(ショート)を起こしにくく、微細ピッチの接続信頼性に優れると共に、接続時の導電粒子の移動具合を簡便に確認でき、接続時の品質管理の簡便性に優れる効果を有する。
本発明について、以下具体的に説明する。
本発明の異方導電性フィルムは、絶縁性接着フィルムと導電粒子を含んでなる。
導電粒子としては、例えば、金属粒子又は高分子核材に金属薄膜を被覆した粒子を用いることができる。
金属粒子としては、金属又は合金からなる均一組成を有する粒子が用いられる。金属粒子としては、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、錫、鉛、半田、インジウム、パラジウム、及び、2種以上のこれらの金属が層状又は傾斜状に組み合わされている粒子が例示される。
高分子核材に金属薄膜を被覆した粒子としては、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、ジビニルベンゼン架橋体、ニトリルゴム(NBR)、及び、スチレン−ブタジエンゴム(SBR)からなる群から選ばれる少なくとも1種のポリマーからなる高分子核材に、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、錫、鉛、半田、インジウム、及び、パラジウムからなる群から選ばれる1種又は2種以上を組み合わせて、金属薄膜を被覆した粒子が例示される。
金属薄膜の厚さは0.005μm以上1μm以下の範囲が、接続安定性と粒子の凝集性の観点から好ましい。金属薄膜は均一に被覆されていることが接続安定性上好ましい。高分子核材に金属薄膜を被覆する方法としては、例えばメッキ法が挙げられる。
中でも、高分子核材に金属薄膜を被覆した粒子が好ましく、高分子核材を金で被覆した粒子が更に好ましく、高分子核材をニッケルで被覆した後に更に金で被覆した粒子が一層好ましい。
高分子核材としては、ベンゾグアナミン樹脂とジビニルベンゼン架橋体、アクリル樹脂が好ましい。
導電粒子の平均粒径は、0.5μm以上6.0μm以下の範囲が、厚み方向の導電性と面方向の絶縁性(以下しばしば異方導電性と称す)と導電粒子の凝集性の観点から好ましい。導電粒子の平均粒径は、より好ましくは1.0μm以上5.5μm以下、更に好ましくは1.5μm以上5.0μm以下、更に好ましくは2.0μm以上4.5μm以下である。導電粒子の粒子径の標準偏差は小さいほど好ましく、平均粒径の50%以下が好ましい。更に好ましくは20%以下、一層好ましくは、10%以下、更に一層好ましくは5%以下である。
本発明における導電粒子の平均粒径はコールターカウンターを用いて測定した値である。
導電粒子は、絶縁性物質で被覆されたものを用いる事もできる。
絶縁性接着フィルムは、硬化性樹脂、及び熱可塑性樹脂からなる群から選ばれた1種類以上の絶縁樹脂を含有してなる。
硬化性樹脂は、熱や光や電子線のエネルギーによって硬化反応を起こす樹脂であり、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、メラミン硬化性樹脂、イソシアネート硬化性樹脂、ビニル樹脂やアクリレート樹脂等の重合性不飽和基含有樹脂が挙げられる。
熱可塑性樹脂としては、例えば、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、SBR、SBS、NBR、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルテレフタレート樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルオキシド樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリイソブチレン樹脂、アルキルフェノール樹脂、スチレンブタジエン樹脂、カルボキシル変性ニトリル樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルケトン樹脂等又はそれらの変性樹脂が挙げられる。
特に接続後の長期信頼性を必要とする場合には、絶縁性接着フィルム中には、エポキシ樹脂を含有することが好ましい。
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、脂肪族エーテル型エポキシ樹脂等のグリシジルエーテル型エポキシ樹脂や、グリシジルエーテルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ヒダントイン型エポキシ樹脂、脂環族エポキシドが例示される。これらエポキシ樹脂にはハロゲン化や水素添加がされていてもよく、また、変性、例えば、ウレタン変性、ゴム変性、シリコーン変性等の変性されたエポキシ樹脂でもよい。中でも、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂が好ましい。
絶縁性接着フィルムとしてエポキシ樹脂を用いた場合には、絶縁性接着フィルムはエポキシ樹脂の硬化剤を含有することができる。エポキシ樹脂の硬化剤は、貯蔵安定性の観点から、潜在性硬化剤が好ましい。潜在性硬化剤としては、例えば、ホウ素化合物、ヒドラジド、3級アミン、イミダゾール、ジシアンジアミド、無機酸、カルボン酸無水物、チオール、イソシアネート、ホウ素錯塩及びそれらの誘導体が好ましい。潜在性硬化剤の中でも、マイクロカプセル型硬化剤が好ましい。
マイクロカプセル型硬化剤は、前記硬化剤の表面を樹脂皮膜で安定化したものである。マイクロカプセル型硬化剤は、接続作業時の温度や圧力で樹脂皮膜が破壊され、硬化剤がマイクロカプセル外に拡散し、エポキシ樹脂と反応する。マイクロカプセル型潜在性硬化剤の中でも、アダクト型硬化剤、例えば、アミンアダクト、イミダゾールアダクトをマイクロカプセル化した潜在性硬化剤が安定性と硬化性のバランスに優れ好ましい。エポキシ樹脂の硬化剤は、一般に、エポキシ樹脂100質量部に対して、2〜100質量部の量で用いられる。
本発明に用いられる絶縁性接着フィルムは、フィルム形成性、接着性、硬化時の応力緩和性等を付与する目的で、高分子成分、例えば、フェノキ樹脂、ポリエステル樹脂、アクリルゴム、SBR、NBR、シリコーン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアセタール樹脂、尿素樹脂、キシレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、カルボキシル基、ヒドロシキシル基、ビニル基、アミノ基などの官能基を含有するゴム、エラストマー類を含有することが好ましい。これら高分子成分は、重量平均分子量が10,000〜1,000,000のものが好ましい。重量平均分子量は、ポリスチレンを標準物質としたゲル浸透クロマトグラフ法(GPC)によって測定できる。
高分子成分としては、絶縁信頼性に優れた特性を与えるので、フェノキシ樹脂が好ましい。
フェノキシ樹脂としては、ビスフェノールA型フェノキシ樹脂、ビスフェノールF型フェノキシ樹脂、ビスフェノールAビスフェノールF混合型フェノキシ樹脂、ビスフェノールAビスフェノールS混合型フェノキシ樹脂、フルオレン環含有フェノキシ樹脂、カプロラクトン変性ビスフェノールA型フェノキシ樹脂が例示される。
高分子成分の含有量は、絶縁性接着フィルムに対して2〜80質量%が好ましい。
絶縁性接着フィルムには、更に、例えば、絶縁粒子、充填剤、軟化剤、硬化促進剤、老化防止剤、着色剤、難燃化剤、チキソトロピック剤、カップリング剤を含有することもできる。絶縁粒子や充填剤を含有する場合、これらの最大径は導電粒子の平均粒径未満であることが好ましい。カップリング剤としてはケチミン基、ビニル基、アクリル基、アミノ基、エポキシ基及びイソシアネート基含有シランカップリング剤が、接着性の向上の点から好ましい。絶縁性接着フィルム中にカップリング剤を含有する場合の含有量は、絶縁性接着フィルムに対して、0.05質量%以上2質量%以下が好ましい。
絶縁性接着フィルムの各成分を混合する場合、必要に応じ、溶剤を用いることができる。溶剤としては、例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソアミルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、トルエン、キシレン、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、エタノール、イソプロパノール、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドが挙げられる。
絶縁性接着フィルムは、例えば、各成分を溶剤中で混合して塗工液を作成し、該塗工液を基材上にアプリケーター塗装により塗工し、オーブン中で溶剤を揮散させることにより製造できる。塗工液の25℃での粘度は、50mPa・s以上10000mPa・s以下が好ましい。更に好ましくは、200mPa・s以上8000mPa・s以下、一層好ましくは、500mPa・s以上5000mPa・s以下である。各成分を溶剤中に混合する場合、溶解性を向上させるために、加熱しても構わない。混合温度は室温以上100℃以下が好ましい。50℃以上80℃以下が更に好ましい。オーブン中での溶剤の揮散は50℃以上100℃以下が好ましく、60℃以上90℃以下が更に好ましい。時間は2分以上20分以下が好ましい。
絶縁性接着フィルムは単一組成であっても構わないし、異なる組成の接着剤が2層以上積層されていても構わない。接続時の導電粒子の移動を抑えるために、2層以上積層することが好ましい。2層以上積層する場合、導電粒子が存在する表面層の一部または全部が他の層よりも、高粘度である高粘度層となっている事が好ましい。
高粘度層の180℃での溶融粘度は、導電粒子の移動を抑えるため、10Pa・s以上30000Pa・s以下、より好ましくは、50Pa・s以上10000Pa・s以下、一層好ましくは80Pa・s以上5000Pa・s以下、更に一層好ましくは100Pa・s以上2000Pa・s以下である。接続信頼性の観点から、更に好ましくは、150Pa・s以上1500Pa・s以下である。
その他の層の180℃での溶融粘度は、導電粒子の移動を抑えるため、0.1Pa・s以上150Pa・s以下、より好ましくは、0.2Pa・s以上120Pa・s以下、一層好ましくは0.5Pa・s以上100Pa・s以下、更に一層好ましくは0.7Pa・s以上70Pa・s以下である。接続信頼性の観点から、更に好ましくは、1Pa・s以上50Pa・s以下である。
なお、ここで、絶縁性接着フィルムが熱硬化性樹脂を含む場合、その溶融粘度とは、絶縁性接着フィルムから硬化剤を除去した、あるいは、硬化剤が未配合の状態での溶融粘度を指す。
高粘度層の膜厚は、低い接続抵抗を実現するために、導電粒子の平均粒径と同等以下であることが好ましい。好ましくは、高粘度層の膜厚が導電粒子の平均粒径に対して、0.05倍以上1.2倍以下である。より好ましくは、0.07倍以上1.0倍以下、更に好ましくは、0.1倍以上0.9倍以下、一層好ましくは、0.12倍以上0.8倍以下、更に一層好ましくは、0.15倍以上0.6倍以下である。
高粘度層の膜厚は、好ましくは、0.1μm以上7μm以下であり、より好ましくは0.2μm以上5μm以下であり、一層好ましくは、0.3μm以上3μm以下であり、更に一層好ましくは、0.4μm以上2μm以下である。
絶縁性接着フィルムの厚みは、導電粒子の平均粒径よりも大きく、好ましくは、5μm以上50μm以下である。更に好ましくは6μm以上35μm以下、更に好ましくは7μm以上25μm以下、更に好ましくは8μm以上20μm以下である。
本発明の異方導電性フィルムは、絶縁性接着フィルムの表面層に導電粒子が単層として配置されている。
ここで表面層に配置するとは、導電粒子の一部または全体が絶縁性接着フィルムの表面に埋め込まれている状態を意味し、全体が埋め込まれている状態が、基板への貼付性が高く好ましい。
導電粒子の一部が埋め込まれている場合、導電粒子はその平均粒径に対して1/3以上が絶縁性接着フィルムに埋め込まれていることで絶縁性接着フィルムからの脱離が起こりにくくなり好ましい。更に好ましくは1/2以上埋め込まれていることであり、更に好ましくは2/3以上埋め込まれていることであり、更に好ましくは4/5以上埋め込まれていることであり、更に好ましくは9/10以上埋め込まれていることである。一方、導電粒子が絶縁性接着フィルムに完全に埋め込まれている場合、導電粒子と絶縁性接着フィルムの表面との間の絶縁性接着フィルムの厚み(即ち、導体粒子表面と絶縁性接着フィルム表面との間の最短距離)は、導電性を得るための加圧の際に導電粒子の移動を抑えるために、導電粒子の平均粒径に対して1.0倍未満が好ましい。更に好ましくは0.8倍未満、更に好ましくは0.5倍未満、更に好ましくは0.3倍未満、更に好ましくは0.1倍未満である。
本発明では、異方導電性を高レベルで確保するために、絶縁性接着フィルムに導電粒子は単層で配置される。ここで、単層で配置されるとは、導電粒子の存在する表面層の厚みが導電粒子の平均粒径に対して2倍未満であることを意味する。好ましくは1倍以上1.8倍未満、更に好ましくは1倍以上1.5倍未満、更に好ましくは1倍以上1.3倍未満である。本発明では、導電粒子が絶縁性接着フィルムの表面層に単層として存在することにより、特に、半導体チップと液晶パネルの接続の様に、接続する電極高さが高いものとほぼ平らなものとの接続において、配列した導電粒子が接続時に大きく移動してしまう事を抑制することが可能となっている。
本発明においては、単層配置した導電粒子以外に、導電粒子より小粒径の導電材料が、絶縁性に影響が出ない程度に絶縁性接着フィルムの上記表面層以外の層に混合されていても構わない。
導電粒子の配列性の尺度である、導電粒子の中心間距離の変動係数は、導電粒子の中心間距離の標準偏差をその平均値で割った値であり、本発明においては0.5以下である。導電粒子の中心間距離の変動係数を0.5以下にすることによって、微小面積の電極において電気的接続性に優れ、接続抵抗の低い接続を実現すると共に、微細な配線間の絶縁破壊が起きにくくなる。
導電粒子の中心間距離の変動係数は、好ましくは0.01以上0.45以下であり、一層好ましくは0.02以上0.4以下、更に好ましくは0.03以上0.35以下、更に好ましくは0.04以上0.3以下である。電極ごとの接続抵抗のバラツキを小さくするために、更に一層好ましくは、0.05以上0.25以下である。
導電粒子の中心間距離の平均は、異方導電性の観点から、2μm以上15μm以下が好ましい。更に好ましくは2.5μm以上14μm以下、更に好ましくは3μm以上12μm以下である。長期接続信頼性を確保するためには、更に好ましくは3.5μm以上11μm以下である。
尚、導電粒子の中心間距離は、異方導電性フィルムの面方向に導電粒子を投影した画像において、各導電粒子の中心点を母点として、デローニ三角分割を行い、それによってできる三角形の辺の長さで定義した。
導電粒子は、個々に独立に存在し、2個以上が凝集していないことが好ましい。2個以上の凝集が起こる場合、凝集している導電粒子の割合は、粒子数基準で10%以下が好ましく、5%以下が更に好ましい。
異方導電性フィルムの面積に占める、導電粒子の投影面積の合計で規定される導電粒子の面積率が2%以上40%以下の範囲が導電性と絶縁性のバランスが取れて好ましい。より好ましくは、4%以上35%以下、更に好ましくは6%以上30%以下、一層好ましくは、8%以上27%以下、更に一層好ましくは10%以上25%以下である。
本発明の異方導電性フィルムは、面積が300μm以上600μm以下の無粒子領域が存在する。ここで無粒子領域は次のように定義した。即ち、まず、異方導電性フィルムの面方向に導電粒子を投影した画像において、各導電粒子の中心点を母点として、デローニ三角分割を行う。そこでできた三角形の各辺の内、導電粒子の中心間距離の平均に対し1.73倍以上の長さの辺を消去することで、四角形以上の多角形ができる。本発明では、ここでできた多角形を無粒子領域と定義し、本発明においては、その面積が300μm以上600μm以下の無粒子領域(以下、「特定面積無粒子領域」と称す)が存在する。好ましくは、特定面積無粒子領域の頻度が1cm当たり5個以上1500個以下である。更に好ましくは、1cm当たり20個以上1000個以下、更に好ましくは、1cm当たり50個以上900個以下、更に好ましくは、1cm当たり100個以上700個以下である。特定面積無粒子領域が1cm当たり5個未満では、導電粒子の移動具合を安定的に検査できるICチップサイズが大きいものに限定されてしまう。また、1cm当たり1500個以下にすることで、低い接続抵抗の接続が可能である。
面積が1000μm以上の無粒子領域の頻度は、少ない方が好ましい。より好ましくは、1cm当たり1個以下であり、更に好ましくは、1cm当たり0.5個以下であり、更に好ましくは、1cm当たり0.3個以下であり、更に好ましくは、1cm当たり0.15個以下である。面積が1000μm以上の無粒子領域を少なく抑えることで、接続信頼性の高い接続が可能である。
本発明の異方導電性フィルムにおいて、導電粒子を絶縁性接着フィルムの表層に単層として配列させ、特定面積無粒子領域を持たせるには、例えば下記の様な方法がある。
即ち、表面に突起のついた延伸可能なフィルム上に、好ましくは、導電粒子の膜厚以下で、粘着剤を塗布し、その上に導電粒子を必要量以上に載せて、密に充填する。
次に、粘着剤層に届かず、他の導電粒子の上に乗った導電粒子を排除する事で、密に充填された単層の導電粒子層が得られる。ここで得られた導電粒子層の乗った延伸可能なフィルムを、所望の延伸倍率で延伸することで、個々の導電粒子が、本発明に必要な変動係数をもって、所望の中心間距離となる様に配置される。次に、延伸したフィルムの導電粒子が配置された側に、絶縁性接着フィルムを重ね、絶縁性接着フィルムに導電粒子を埋め込み、粘着剤のついた延伸したフィルムを剥離することで、本発明の異方導電性フィルムが得られる。
延伸可能なフィルムとしては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、PET、PEN等のポリエステル、ナイロン、塩化ビニル、ポリビニルアルコールのフィルムが例示される。延伸可能なフィルム上の突起は、例えば、0.1μm〜3μm程度の高さを有し、30μm〜150μm程度の面積を有する突起が例示される。これらの突起を作成する方法としては、例えば、延伸可能なフィルムの作成時に、直径2μm〜30μm程度の球状シリカや球状有機微粒子、例えば、架橋アクリル樹脂、架橋ウレタン樹脂からなる球状有機微粒子を、上述したフィルム素材に対して0.1重量%〜5重量%程度混合する方法が例示され、添加する粒子の直径の選択によって、特定面積無粒子領域の面積が制御でき、添加量によって特的面積無粒子領域の頻度が制御できる。
粘着剤としては、例えば、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、酢酸ビニル樹脂、クロロプレンゴム、ニトリルゴム、スチレン−ブタジエンゴム、イソプレンゴム、天然ゴムが例示される。
延伸は縦方向延伸と横方向延伸の両方が行われる、所謂、二軸延伸であり、公知の方法で実施することができる。例えば、クリップ等でフィルムの2辺または4辺を挟んで引っ張る方法や、2以上のロールで挟んでロールの回転速度を変えることで延伸する方法等が挙げられる。延伸は縦方向と横方向を同時に延伸する同時二軸延伸でも良いし、一方向を延伸した後、他方を延伸する逐次二軸延伸でも良い。延伸時の導電粒子の配列乱れを起こし難いので同時二軸延伸が好ましい。延伸を精度良く行うために、延伸可能なフィルムを軟化させて行うのが好ましく、使用する延伸可能なフィルムによるが、例えば、70℃以上250℃以下で延伸を行うのが好ましい。
延伸したフィルムの導電粒子が配置された側に、絶縁性接着フィルムを重ね、絶縁性接着フィルムに導電粒子を埋め込む方法としては、例えば、絶縁性接着フィルムの各成分と溶剤を含む塗工液を、延伸したフィルムの導電粒子が配置された側に、所望の膜厚になる様に塗工し、溶剤を飛散させて乾燥する方法や、セパレーター上に形成された絶縁性接着フィルムを、延伸したフィルムの導電粒子が配置された側に、ラミネーターを用いてラミネートし、ローラー等を用いて絶縁性接着フィルムに導電粒子を埋め込む方法等が挙げられる。延伸したフィルムを剥離した後、必要に応じ、本発明の異方導電性フィルムはスリットされる。
セパレーターとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリエステル、例えば、PET、PEN、ナイロン、塩化ビニル、ポリビニルアルコールのフィルムが例示される。好ましい保護フィルム用の樹脂としては、ポリプロピレン、PETが挙げられる。該セパレーターはフッ素処理、Si処理、アルキド処理等の表面処理を行っていることが好ましい。セパレーターの膜厚は、20μm以上100μm以下が好ましい。
本発明の異方導電性フィルムにおいて、導電粒子を絶縁性接着フィルムの表層に単層として配列させ、特定面積無粒子領域を持たせる他の方法としては、導電粒子の平均粒子径よりも小さく、所望の中心間距離と中心間距離の変動係数を有し、所望の頻度で特定面積無粒子領域が得られる様に配置された吸引孔を多数設けた吸引治具に導電粒子を吸引した後、絶縁性接着フィルムに転写する方法が挙げられる。
ここで用いられる吸引治具の吸引孔の内径は導電粒子の平均粒子径よりも小さいことが必要であり、導電粒子の平均粒粒子径の90%以下が好ましい。30%〜80%の径が更に好ましい。
ここで用いられる吸引治具は、例えば、吸引孔をなす貫通孔が所定の配置で形成された孔開きシート部品と、吸引機構、例えば、真空ポンプに接続する接続口と孔開きシート部品を保持する部分を有するハウジング部から構成された治具が挙げられる。
孔開きシート部品の製造方法としては、合成樹脂、例えば、ポリイミドからなる厚さ1μm以上1000μm以下の板状物の所定位置に高エネルギー線を照射することにより、当該板状物に、吸引孔に対応させた配置で貫通孔を形成する方法が挙げられる。高エネルギー線を照射するときに、孔開きシート部品の貫通孔に対応した開口部を有する金属マスクを用いることで所定位置に照射することができる。高エネルギー線としては、例えば、エキシマレーザー、YAGレーザー、炭酸ガスレーザー、電子線、分子線、各種のイオン線、収束イオン線を用いることができる。あるいは、微小領域に収束できる高エネルギー線を用いて、ガルバノミラーや電磁石等を用いて高エネルギー線の収束ビームを走査することで、あるいは貫通孔を形成する板状物をXYステージ上で移動させることで、合成樹脂等からなる板状物に所定配置で貫通孔を形成することができる。
微小領域に収束できない高エネルギー線の場合には、上述のように金属マスクを用いるか、フォトマスクを用いて照射を行う。あるいは、貫通孔を形成する板状物に感光性樹脂層を設け、フォトリソグラフィとエッチングを行うことによって、当該板状物に所定配置で貫通孔を形成してもよい。
板状物の材料としては、ポリイミド以外にも、寸法安定性の良い樹脂、例えば、各種液晶ポリマー、アラミド、ポリエステルを使用することができる。また、合成樹脂以外にも、金属、例えば、ニッケル、クロム、タングステンや、半導体、例えば、シリコンが挙げられる。この方法によれば、数μm程度の微小な貫通孔が所定配置で形成されている孔開きシート部品が容易に得られる。
吸引治具のハウジング内には、孔開きシート部品を支持するために、孔開きシート部品の貫通孔よりも小さい孔を有する多孔質材、例えばセラミックからなる多孔質材が固定されていて、その外側に孔開きシート部品が固定されている構造が好ましい。
吸引治具を用いて、本発明の異方導電性フィルムを製造する方法としては、吸引治具を吸引機構、例えば真空ポンプに接続し、孔開きシート部品側を、多数の導電粒子が入った容器内に挿入し、吸引状態にして、全ての吸引孔に導電粒子が吸着されるようにし、吸引孔以外の部分に付着した導電粒子をエアーブローといった手段で除去する。
次に、絶縁性接着フィルムを、吸引治具の導電粒子を吸着している面に向けて押し付ける。次に、吸引状態を解除し、絶縁性接着フィルムを吸引治具から引き離すことで導電粒子は絶縁性接着フィルムに所定の配置で転写される。これで導電粒子は絶縁性接着フィルムの表面層に単層として所定配置される。導電粒子の絶縁性接着フィルム中への埋め込みが不十分であれば、表面にカバー、例えばPETフィルムを掛けてロール等で埋め込むことができる。必要に応じ、本発明の異方導電性フィルムはスリットされる。
本発明の異方導電性フィルムの厚みは、5μm以上50μm以下が好ましく、更に好ましくは6μm以上35μm以下、更に好ましくは7μm以上25μm以下、更に好ましくは8μm以上20μm以下である。
異方導電性フィルムはセパレーターを有していてもよい。該セパレーターとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリエステル、例えば、PET、PEN、ナイロン、塩化ビニル、ポリビニルアルコールのフィルムが例示される。好ましい保護フィルム用の樹脂としては、ポリプロピレン、PETが挙げられる。該セパレーターはフッ素処理、Si処理、アルキド処理等の表面処理を行っていることが好ましい。セパレーターの膜厚は、20μm以上100μm以下が好ましい。
このようにして製造された本発明の異方導電性フィルムは、ファインピッチ接続用途に好適に用いることができ、液晶ディスプレイとTCP、TCPとFPC、FPCとプリント配線基板との接続、あるいは、半導体チップを直接基板に実装するフリップチップ実装に好適に用いることができる。
本発明の接続部材は、ITO配線や金属配線等によって回路と電極を形成したガラス基板等の回路基板と、回路基板の電極と対を成す位置に電極を形成したICチップ等の回路部材とを準備し、回路基板上の回路部材を配置する位置に、本発明の異方導電性フィルムを貼り付け、次に、回路基板と回路部材をそれぞれの電極が互いに対を成すように位置を合わせた後、熱圧着されることで製造される。熱圧着は、80℃以上250℃以下の温度範囲で、1秒以上30分以下で行うのが好ましい。加える圧力は、回路部材面積に対して、0.1MPa以上50MPa以下が好ましい。
本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
溶融粘度測定は以下のようにして行った。
<溶融粘度測定>
HAAKE社製、RHeoStress600 Thermoを用い、20mm径のコーン(PP20H)を用いて測定した。
[実施例1]
フェノキシ樹脂(InChem社製、商品名:PKHC、以下同じ)75質量部、ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂(旭化成ケミカルズ株式会社製、商品名:AER2603、以下同じ)25質量部、シランカップリング剤(日本ユニカー社製、商品名:A−187、以下同じ)0.5質量部、酢酸エチル300質量部を混合し、ワニスを得た。このワニスを離型処理した38μmのPETフィルム上にブレードコーターを用いて塗布、溶剤を乾燥除去して、膜厚2μmの絶縁性接着フィルム1を得た。絶縁性接着フィルム1の180℃溶融粘度は、300Pa・sであった。
フェノキシ樹脂100質量部、ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂90質量部、マイクロカプセル型潜在性硬化剤と液状エポキシ樹脂の混合物(旭化成ケミカルズ株式会社製、商品名:ノバキュア)60質量部(液状エポキシ樹脂は40質量部含有)、シランカップリング剤1.0質量部、酢酸エチル300質量部を混合し、ワニスを得た。このワニスを離型処理した50μmのPETフィルム上にブレードコーターを用いて塗布、溶剤を乾燥除去して、膜厚20μmの絶縁性接着フィルム2を得た。別途マイクロカプセル型潜在性硬化剤と液状エポキシ樹脂の混合物60質量部に替えて、液状エポキシ樹脂40質量部を配合して同様に作成した絶縁性接着フィルムの溶融粘度を測定した結果、絶縁性接着フィルム2の180℃溶融粘度は、10.5Pa・sであった。
絶縁性接着フィルム1と絶縁性接着フィルム2とを、PETフィルムを設けていない側の面を向かい合わせて50℃、0.3MPaでラミネートし、次いで絶縁性接着フィルム1に設けたPETフィルムを剥離して絶縁性接着フィルムAを得た。
プロピレン共重合体(プロピレン含有量96.5質量%、エチレン含有量3.5質量%)100質量部に対し、ジブチルヒドロキシトルエン0.1質量部、ステアリン酸カルシウム0.1質量部と平均粒径14μmの架橋ウレタンビーズ(根上株式会社製、アートパール、以下同じ)1.0質量部を200℃で混合し、250℃で押出し成形し、平均高さが0.8μm、平均面積が60μmの突起を75個/mmの頻度で有する膜厚100μmの延伸可能なフィルムを得た。尚、突起の形状、頻度は、レーザー顕微鏡(キーエンス製,VK−9500:以下同じ)を用いて測定した。
次に、延伸可能なフィルム上にブレードコーターを用いてトルエンで樹脂分4質量%に希釈したイソプレンゴムを塗布、80℃で10分間乾燥し、厚さ1.2μmの粘着剤層を形成した。
この粘着剤上に、平均粒径4μmの導電粒子(積水化学社製、商品名:ミクロパールAU、以下同じ)を一面に充填し、0.2MPa圧のエアーブローにより、粘着剤によって保持されていない導電粒子を排除した。その結果、充填率(全面積に占める導電粒子の面積)が68%の導電粒子が敷き詰められた延伸可能なフィルムを得、このフィルムを、試験用二軸延伸装置を用いて、135℃で、縦横共に10%/秒の比率で2.2倍まで延伸し、徐々に室温まで冷却した。
次に、延伸されたフィルムの粒子側と、絶縁性接着フィルムAの絶縁性接着フィルム1側を向かい合わせて、65℃、0.5MPaの条件でラミネートを行い、粒子を絶縁性接着フィルム1中に埋め込み、導電粒子が埋め込まれた絶縁性接着フィルムAから粘着剤の付いた延伸可能なフィルムを剥離し、剥離した面に離型処理した38μmのPETフィルムを載せて、更に、65℃、0.5MPaの条件でラミネートを行い、異方導電性フィルムAを得た。
異方導電性フィルムAを、レーザー顕微鏡で観察した所、いずれの導電粒子も絶縁性接着フィルムAから少し突き出した状態で埋め込まれており、絶縁性接着フィルムAからの突き出している導電粒子の部分は0.05μm〜0.15μmの範囲内にあり、単層の導電粒子層が形成されていた。
更に、異方導電性フィルムAをマイクロスコープ(株式会社キーエンス製、商品名:VHX−100、以下同じ)で観察した画像から、画像処理ソフト(旭化成株式会社製、商品名:A像くん、以下同じ)を用いて、導電粒子の中心間距離の平均値及びその変動係数を求めた結果、平均値が10.1μm、変動係数が0.21であった。また、導電粒子の面積率は15.1%であった。なお、導電粒子の中心間距離は、各粒子の中心点を用いたデローニ三角分割でできる三角形の辺の長さを使用し、導電粒子の観察は高倍率レンズ(株式会社キーエンス製、VH−Z100、以下同じ)を用いて、0.35mm内の粒子について行った。
更に、異方導電性フィルムAをマイクロスコープ(高倍率レンズ使用)で観察した画像から画像処理ソフトを用いて、面積が300μm以上600μm以下の無粒子領域(特定面積無粒子領域)の頻度を求めた結果、890個/cmであった。一方、面積が1000μm以上の無粒子領域の頻度は、0.2個/cmであった。ここで、特定面積無粒子領域の頻度計算は、0.1cm以上の面積でかつ、特定面積無粒子領域が5個以上の頻度となる面積について行った。但し、観察面積が1cmに達しても、頻度が5個に達しない時は、観察面積が1cmの時の頻度を使用した。
また、面積が1000μm以上の無粒子領域については、2個以上の頻度となる面積について行った。但し、下記、実施例2〜9、比較例3、5、6では観察面積が1cmの時の頻度を使用した。
次に、20μm×100μmの金バンプがピッチ30μmで並んだ1.6mm×15mmのベアチップとベアチップに対応した接続ピッチを有するITO(Indium Tin Oxide)ガラス基板を準備し、ガラス基板のチップ実装位置に、導電粒子側がガラス基板面に来る様に異方導電性フィルムAを載せて、70℃、5Kg/cm、2秒間の条件で熱圧着し、ベアチップをフリップチップボンダー(東レエンジニアリング株式会社製FC2000、以下同じ)を用いて位置合わせをして、所定位置に仮付けした後、コンスタントヒートで2秒後に200℃に到達し、その後一定温度となる条件で30Kg/cm、10秒間加熱加圧し、ベアチップとITOガラス基板を接続した。
仮付け後と接続後の2回ベアチップとITOガラス基板間の状態を、マイクロスコープを用いて、倍率20倍(低倍率レンズ:VH−Z05使用)で、接続領域全体を観察した。結果、特定面積無粒子領域の配置パターンが変動しておらず、導電粒子の移動がほとんどないことが判った。この結果は、安定した接続が行われていることを示す。接続状態の確認性を評価するために、同様の接続を20個行った結果、20個全てにおいて、特定面積無粒子領域の配置パターンが変動していないことが確認でき、簡易な方法で接続状態の確認ができることが判った。
次に、接続したベアチップとITOガラス電極によって形成された64対のデイジーチェーン回路による導通抵抗測定と40対の櫛型電極による絶縁抵抗測定を行った結果、配線抵抗を含む導通抵抗は2.9kΩであり、64対の全ての電極が接続されていた。一方、絶縁抵抗は10Ω以上であり、40対の櫛型電極間でショートの発生がなかった。更に、温度85℃、相対湿度85%の環境下で1000時間放置した後に、導通抵抗と絶縁抵抗を、同様に測定した結果、導通抵抗は3.1kΩ、絶縁抵抗は10Ω以上であり、接続信頼性、絶縁信頼性共に問題なく、ファインピッチ接続において有用であった。
[実施例2,3、比較例1,2]
表1に示す添加量で、表1に示す粒径の架橋ウレタンビーズを用いた以外は、実施例1と同様にして、異方導電性フィルムを作成し、評価した。得られた評価結果を表1に示す。特定面積無粒子領域が1500個/cmを超える比較例1と2は、接続抵抗が高かった。
[比較例3]
架橋ウレタンビーズを用いなかった以外は、実施例1と同様にして、異方導電性フィルムを作成し、評価した。得られた評価結果を表1に示す。
特定面積無粒子領域が5個未満の比較例3で作成した異方導電性フィルムでは、接続状態の簡易な確認は困難であった。
[実施例4〜7、比較例4]
表2に示す平均粒径の導電粒子を用い、粘着剤層を表2に示す厚みにした以外は実施例1と同様にして、異方導電性フィルムを作成し、評価した。得られた評価結果を表2に示す。平均粒径が6μmを超える比較例4では、接続信頼性、絶縁信頼性共に低かった。
[実施例8,9]
表3に示す延伸倍率で延伸した以外は、実施例1と同様にして、異方導電性フィルムを作成し、評価した。得られた評価結果を表3に示す。
[実施例10]
金属マスクを通してエキシマレーザーを照射することにより、直径3μmの貫通孔を中心間距離の平均値が10.5μm、中心間距離の変動係数が0.05であって、1cm当たり7箇所は3つ分の貫通孔が開いていない25μm厚のポリイミドフィルムを作成し、それを孔開きシート部品とする吸引治具の全ての吸引孔に、実施例1で用いた導電粒子を吸引し、吸引孔以外の部分に付着した導電粒子をエアーブローにより除去した。次に、実施例1で得られた絶縁性接着フィルムAの絶縁性接着フィルム1側を吸引治具の導電粒子を吸着している面に押し付け、吸引状態を解除し、絶縁性接着フィルムAを吸引治具から引き離すことで、導電粒子が絶縁性接着フィルムAに転写した。更に、導電粒子側に38μmのPETフィルムを載せて、65℃、0.5MPaの条件でラミネートを行い、異方導電性フィルムを得た。
次に、実施例1と同様に評価した。得られた評価結果を表4に示す。
[実施例11]
実施例10で得た異方導電性フィルムを使用して、チップサイズが1cm角のベアチップとベアチップに対応した接続ピッチを有するITOガラス基板を用いて、実施例1と同様に評価した。得られた評価結果を表4に示す。
実施例10で得た異方導電性フィルムは、大面積のベアチップを使う場合は、接続状態確認性において問題なかった。
[比較例5]
3つ分の貫通孔が開いていない領域を作らなかった以外は、実施例10と同様にして、異方導電性フィルムを作成し、実施例11と同様に評価した。得られた評価結果を表4に示す。特定面積無粒子領域が5個未満の比較例5で作成した異方導電性フィルムでは、接続状態の簡易な確認は困難であった。
[比較例6]
貫通孔を中心間距離の平均値が11.5μm、中心間距離の変動係数が0.51となる様に開けて、特定面積無粒子領域を850個/cmの頻度とした以外は実施例10と同様にして異方導電性フィルムを作成し、実施例1と同様にして評価した。得られた評価結果を表4に示す。比較例6で用いた異方導電性フィルムでは、導電粒子の中心間距離の変動係数が0.5を超えるため、接続信頼性、絶縁信頼性共に低かった。
[比較例7]
実施例1で用いた導電粒子を、帯電させた後気流と共に飛散させ、実施例1で用いた絶縁性接着フィルム1の表面に付着させ、その上に、50μmPET製のカバーフィルムを被せてロールで導電粒子を絶縁性接着剤中に埋め込んだ後、カバーフィルムを剥離し、異方導電性フィルムを得た。この異方導電性フィルムをマイクロスコープで観察し、得られた画像から、画像処理ソフトを用いて、導電粒子の中心間距離の平均値およびその変動係数を求めた結果、平均値が9.7μm、変動係数が0.61であった。
結果は、接続信頼性及び絶縁信頼性共に低かった。
Figure 0005147048
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本発明の異方導電性フィルムは、微細面積の電極の電気的接続性に優れると共に、微細な配線間の絶縁破壊(ショート)を起こしにくく、長期に渡り接続安定性を保持できると共に、接続時の導電粒子の移動具合を簡便に確認できて、接続時の品質管理の簡便性に優れており、微細パターンの電気的接続用途において好適に利用できる。

Claims (2)

  1. 平均粒径が0.5μm以上6μm以下の導電粒子がその平均粒径よりも大きい厚さの絶縁性接着フィルムの表面層に、単層として配置された異方導電性フィルムにおいて、導電粒子の中心間距離の変動係数が0.5以下であって、面積が300μm以上600μm以下の無粒子領域の頻度が1cm当たり5個以上1500個以下であり、前記導電粒子の中心間距離の平均が2μm以上15μm以下であり、かつ、面積が1000μm 以上の無粒子領域の頻度が1cm 当たり1個未満である異方導電性フィルム。
  2. 請求項に記載の異方導電性フィルムを用いて相互に対向する端子を有する回路基板と回路部材を接続して得られた接続構造体。
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