JP5155241B2 - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5155241B2 JP5155241B2 JP2009097948A JP2009097948A JP5155241B2 JP 5155241 B2 JP5155241 B2 JP 5155241B2 JP 2009097948 A JP2009097948 A JP 2009097948A JP 2009097948 A JP2009097948 A JP 2009097948A JP 5155241 B2 JP5155241 B2 JP 5155241B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon nanotube
- solar cell
- front electrode
- particles
- silicon substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1226—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths involving surface plasmon interaction
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
- H10F77/148—Shapes of potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
本実施例において、前記複数のカーボンナノチューブが配向して配列するカーボンナノチューブフィルムは、図4に示されている。前記カーボンナノチューブフィルムは、カーボンナノチューブアレイから引き伸ばし、形成されるものである。該カーボンナノチューブフィルムは、同じ方向に沿って、配列された複数のカーボンナノチューブを含む。図5を参照すると、具体的には、前記カーボンナノチューブフィルムは、端と端に接続され、基本的に同じ長さの複数のカーボンナノチューブセグメント186を含む。前記カーボンナノチューブセグメント186は、端と端が分子間力で連接される。各々のカーボンナノチューブセグメント186は、同じ方向に沿って、均一的に配列される複数のカーボンナノチューブ188からなり、各々の前記カーボンナノチューブ188が分子間力で緊密に連接される。前記カーボンナノチューブフィルムは、カーボンナノチューブアレイから伸び出すことによって、形成されるので、該カーボンナノチューブフィルムの長さと幅は、カーボンナノチューブアレイが成長された基板の寸法に関係する。
単一のカーボンナノチューブフィルムは、絡み合った複数のカーボンナノチューブを含む。ここで、前記複数のカーボンナノチューブは、分子間力で接近して、相互に絡み合って、カーボンナノチューブネットに形成されている。前記複数のカーボンナノチューブは、等方的に、均一に前記カーボンナノチューブ構造体に分布されている。前記複数のカーボンナノチューブは配向せずに配列されて、多くの微小な穴が形成されている。ここで、単一の前記微小な穴の直径が10マイクロメートル以下になる。前記カーボンナノチューブフィルムの厚さは、1マイクロメートル〜1ミリメートルである。前記カーボンナノチューブフィルムは、溶液に浸漬したカーボンナノチューブ原料をろ過して成るものである。
単一のカーボンナノチューブフィルムは、等方的に配列されているか、所定の複数の方向に沿って配列されているか、または、異なる方向に沿って配列されている複数のカーボンナノチューブを含む。前記カーボンナノチューブフィルムは、押し器具を利用して、カーボンナノチューブアレイを同じ方向又は異なる方向に沿って押して成るものである。前記カーボンナノチューブフィルムにおいて、隣接するカーボンナノチューブは分子間力で接続され、カーボンナノチューブフィルムの表面と0°〜15°の角度が形成されている。前記カーボンナノチューブフィルムの厚さは、0.5ナノメートル〜1ミリメートルである。
12、32 背面電極
14、34 シリコン基板
16、36 ドープシリコン層
18、38 前面電極
20 電極
22 反射防止層
141、341 シリコン基板の第一表面
142、342 凹槽
143、343 シリコン基板の第二表面
144、344 凹槽の内表面
181 前面電極の第一表面
182 前面電極の第二表面
183 カーボンナノチューブ構造体
184 金属粒子
186 カーボンナノチューブセグメント
188 カーボンナノチューブ
Claims (3)
- 第一表面と該第一表面に対向する第二表面を有し、該第二表面に複数の凹槽が形成されたp型のシリコン基板と、
前記シリコン基板の第一表面に設置され、該第一表面とオーミック接触する背面電極と、
前記凹槽の内表面を含む前記第二表面上全体に設置されたn型のドープシリコン層と、
前記シリコン基板の第二表面に設置された前面電極と、
を含み、
前記前面電極がカーボンナノチューブ複合構造体を含み、
前記カーボンナノチューブ複合構造体は、カーボンナノチューブ構造体及び該カーボンナノチューブ構造体に均一に分布された金属粒子よりなり、
前記カーボンナノチューブ構造体が、少なくとも一枚のカーボンナノチューブフィルムであり、単一のカーボンナノチューブフィルムは、配向して配列された複数のカーボンナノチューブを含み、該複数のカーボンナノチューブが同じ方向に沿って、均一的に配列されており、
前記金属粒子の重量は、前記カーボンナノチューブ複合構造体の重量の10%〜30%であり、
前記前面電極は、前記凹槽の内表面と接触しないように前記凹槽の開口を被覆していることを特徴とする太陽電池。 - 前記金属粒子は、プラチナ粒子、パラジウム粒子、ルテニウム粒子、銀粒子、金粒子又はそれらの少なくとも二種以上の混合物であることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。
- 前記カーボンナノチューブ構造体が少なくとも二枚の積層されたカーボンナノチューブフィルムを含み、隣接する二枚のカーボンナノチューブフィルムにおけるカーボンナノチューブが0°以上90°以下の角度を成すことを特徴とする、請求項1又は2に記載の太陽電池。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200810066749.0 | 2008-04-18 | ||
| CN200810066749.0A CN101562203B (zh) | 2008-04-18 | 2008-04-18 | 太阳能电池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009260355A JP2009260355A (ja) | 2009-11-05 |
| JP5155241B2 true JP5155241B2 (ja) | 2013-03-06 |
Family
ID=41200088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009097948A Expired - Fee Related JP5155241B2 (ja) | 2008-04-18 | 2009-04-14 | 太陽電池 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090260679A1 (ja) |
| JP (1) | JP5155241B2 (ja) |
| CN (1) | CN101562203B (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8604332B2 (en) * | 2010-03-04 | 2013-12-10 | Guardian Industries Corp. | Electronic devices including transparent conductive coatings including carbon nanotubes and nanowire composites, and methods of making the same |
| TWI405344B (zh) * | 2010-04-01 | 2013-08-11 | Motech Ind Inc | 太陽能電池結構 |
| US9348078B2 (en) * | 2010-06-08 | 2016-05-24 | Pacific Integrated Energy, Inc. | Optical antennas with enhanced fields and electron emission |
| CN101880035A (zh) | 2010-06-29 | 2010-11-10 | 清华大学 | 碳纳米管结构 |
| CN103137716B (zh) * | 2011-11-25 | 2016-04-27 | 清华大学 | 太阳能电池、太阳能电池组及其制备方法 |
| JP6613869B2 (ja) * | 2015-12-18 | 2019-12-04 | トヨタ紡織株式会社 | n型材料、及びその製造方法 |
| CN108963003B (zh) | 2017-05-24 | 2020-06-09 | 清华大学 | 太阳能电池 |
| CN108933134B (zh) | 2017-05-24 | 2020-09-25 | 清华大学 | 半导体器件 |
| CN108933172B (zh) | 2017-05-24 | 2020-05-15 | 清华大学 | 半导体元件 |
| CN108933182B (zh) | 2017-05-24 | 2020-05-15 | 清华大学 | 光探测器 |
| CN115020517A (zh) * | 2022-06-17 | 2022-09-06 | 万成龙 | 一种太阳能减反表面结构 |
Family Cites Families (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4226897A (en) * | 1977-12-05 | 1980-10-07 | Plasma Physics Corporation | Method of forming semiconducting materials and barriers |
| US4431858A (en) * | 1982-05-12 | 1984-02-14 | University Of Florida | Method of making quasi-grain boundary-free polycrystalline solar cell structure and solar cell structure obtained thereby |
| JPH0795602B2 (ja) * | 1989-12-01 | 1995-10-11 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
| US5258077A (en) * | 1991-09-13 | 1993-11-02 | Solec International, Inc. | High efficiency silicon solar cells and method of fabrication |
| DE69831860T2 (de) * | 1998-07-04 | 2006-07-20 | Au Optronics Corp. | Elektrode zur verwendung in elektrooptischen bauelementen |
| AU8664901A (en) * | 2000-08-22 | 2002-03-04 | Harvard College | Doped elongated semiconductors, growing such semiconductors, devices including such semiconductors and fabricating such devices |
| NL1016779C2 (nl) * | 2000-12-02 | 2002-06-04 | Cornelis Johannes Maria V Rijn | Matrijs, werkwijze voor het vervaardigen van precisieproducten met behulp van een matrijs, alsmede precisieproducten, in het bijzonder microzeven en membraanfilters, vervaardigd met een dergelijke matrijs. |
| KR20030063469A (ko) * | 2000-12-26 | 2003-07-28 | (주)하야시바라 생물화학연구소 | 태양전지 |
| AU2002238953B2 (en) * | 2001-03-19 | 2007-03-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd | Solar cell and its manufacturing method |
| JP2003179241A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-06-27 | Kyocera Corp | 薄膜太陽電池 |
| US7522040B2 (en) * | 2004-04-20 | 2009-04-21 | Nanomix, Inc. | Remotely communicating, battery-powered nanostructure sensor devices |
| JP4170701B2 (ja) * | 2002-07-31 | 2008-10-22 | 信越半導体株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
| WO2004068548A2 (en) * | 2003-01-21 | 2004-08-12 | Rensselaer Polytechnic Institute | Three dimensional radiation conversion semiconductor devices |
| JP4162516B2 (ja) * | 2003-03-14 | 2008-10-08 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置 |
| US7605327B2 (en) * | 2003-05-21 | 2009-10-20 | Nanosolar, Inc. | Photovoltaic devices fabricated from nanostructured template |
| JP2005050669A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-02-24 | Tdk Corp | 電極、及び、それを用いた電気化学素子 |
| US20050268963A1 (en) * | 2004-02-24 | 2005-12-08 | David Jordan | Process for manufacturing photovoltaic cells |
| US8075863B2 (en) * | 2004-05-26 | 2011-12-13 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and devices for growth and/or assembly of nanostructures |
| EP1779442B1 (en) * | 2004-06-18 | 2019-08-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nanostructured materials and photovoltaic devices including nanostructured materials |
| US8080487B2 (en) * | 2004-09-20 | 2011-12-20 | Lockheed Martin Corporation | Ballistic fabrics with improved antiballistic properties |
| US20070240757A1 (en) * | 2004-10-15 | 2007-10-18 | The Trustees Of Boston College | Solar cells using arrays of optical rectennas |
| US8926933B2 (en) * | 2004-11-09 | 2015-01-06 | The Board Of Regents Of The University Of Texas System | Fabrication of twisted and non-twisted nanofiber yarns |
| JP2006171336A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Takiron Co Ltd | 画像表示用透明電極体および画像表示装置 |
| WO2007061428A2 (en) * | 2004-12-27 | 2007-05-31 | The Regents Of The University Of California | Components and devices formed using nanoscale materials and methods of production |
| JP2006210780A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Kyocera Chemical Corp | 多層型光電変換装置 |
| JP2007126338A (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-24 | Ulvac Japan Ltd | カーボンナノ材料及びその作製方法、並びに金属微粒子担持カーボンナノ材料及びその作製方法 |
| US20070119496A1 (en) * | 2005-11-30 | 2007-05-31 | Massachusetts Institute Of Technology | Photovoltaic cell |
| CN100500556C (zh) * | 2005-12-16 | 2009-06-17 | 清华大学 | 碳纳米管丝及其制作方法 |
| EP1997163A2 (en) * | 2006-03-23 | 2008-12-03 | Solexant Corp. | Photovoltaic device containing nanoparticle sensitized carbon nanotubes |
| US7737357B2 (en) * | 2006-05-04 | 2010-06-15 | Sunpower Corporation | Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts |
| KR20070113763A (ko) * | 2006-05-26 | 2007-11-29 | 삼성전자주식회사 | 탄소나노튜브 패턴 형성방법 및 그에 의해 수득된탄소나노튜브 패턴 |
| US20070277874A1 (en) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | David Francis Dawson-Elli | Thin film photovoltaic structure |
| CN101086939B (zh) * | 2006-06-09 | 2010-05-12 | 清华大学 | 场发射元件及其制备方法 |
| KR100813243B1 (ko) * | 2006-07-04 | 2008-03-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 탄소나노튜브를 이용한 반도체 소자의 층간 배선 및 그제조 방법 |
| CN100405617C (zh) * | 2006-12-29 | 2008-07-23 | 清华大学 | 基于碳纳米管薄膜的太阳能电池及其制备方法 |
-
2008
- 2008-04-18 CN CN200810066749.0A patent/CN101562203B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-19 US US12/339,379 patent/US20090260679A1/en not_active Abandoned
-
2009
- 2009-04-14 JP JP2009097948A patent/JP5155241B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2009260355A (ja) | 2009-11-05 |
| US20090260679A1 (en) | 2009-10-22 |
| CN101562203B (zh) | 2014-07-09 |
| CN101562203A (zh) | 2009-10-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5270406B2 (ja) | 太陽電池 | |
| JP5155241B2 (ja) | 太陽電池 | |
| JP5596114B2 (ja) | 太陽電池 | |
| TW201034212A (en) | Thin-film solar cell structure | |
| JP2009253289A (ja) | 光起電装置 | |
| JP5646586B2 (ja) | 太陽電池 | |
| JP5596113B2 (ja) | 太陽電池 | |
| Wang et al. | Design guideline of high efficiency crystalline Si thin film solar cell with nanohole array textured surface | |
| TWI450402B (zh) | 太陽能電池 | |
| JP2010123675A (ja) | 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法 | |
| US9209335B2 (en) | Solar cell system | |
| JP5548763B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP5027185B2 (ja) | 太陽電池 | |
| CN204315587U (zh) | 基于GaN纳米线阵列的太阳能电池 | |
| KR20100084383A (ko) | 그라핀이 투입된 태양전지 모듈 및 제조방법 | |
| TWI578552B (zh) | 太陽能電池、太陽能電池組及其製備方法 | |
| JP2012038783A (ja) | 光電変換素子 | |
| TWI459568B (zh) | 太陽能電池 | |
| TWI460872B (zh) | 太陽能電池 | |
| Cao et al. | Fabrication of carbon nanotube/silicon nanowire array heterojunctions and their silicon nanowire length dependent photoresponses | |
| CN204315610U (zh) | 基于GaN纳米线三维结构的太阳能电池 | |
| KR101142513B1 (ko) | 에피택셜층을 포함하는 태양전지 및 그 제조 방법 | |
| JP2013534717A (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
| TWI489645B (zh) | 太陽能電池的製備方法 | |
| TWI356502B (en) | Solar cell |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20090918 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20091009 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091104 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100204 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100525 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100824 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101130 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110228 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110614 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111014 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20111020 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120228 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120525 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120717 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121011 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121106 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121206 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151214 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5155241 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |