JP5209689B2

JP5209689B2 - 超音波プローブ

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Publication number: JP5209689B2
Application number: JP2010248315A
Authority: JP
Inventors: 智手塚
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Medical Systems Corp
Current assignee: Toshiba Corp; Canon Medical Systems Corp
Priority date: 2010-11-05
Filing date: 2010-11-05
Publication date: 2013-06-12
Anticipated expiration: 2024-10-26
Also published as: JP2011066921A

Description

本発明は、超音波診断装置や超音波探傷装置等に用いられる超音波プローブに関するものである。

従来より、超音波診断装置に使用する超音波プローブは超音波の送受信を行う超音波センサー（超音波トランスデューサ）と超音波トランスデューサと超音波診断装置本体との間で電気信号を授受するために機能するケーブルアセンブリ、更に必要に応じて電気信号を処理する集積回路等モジュールから構成される。

近年、超音波ビームの偏向、集束を全方位に渡って行い、超音波による３次元走査が可能な超音波プローブ、及びこの超音波プローブにより収集された被検体からの超音波情報に基づいて立体（３次元）超音波画像を生成し表示する超音波診断装置の検討が行われている。

この超音波の全方位的なフォーカシングや高速な３次元走査を実現する超音波プローブとしては、図２６（ａ），（ｂ）に示すように、超音波トランスデューサを構成する超音波振動素子をマトリックス状に多数配列した２次元アレイ超音波プローブがある。

図２６（ａ），（ｂ）に示すように、２次元アレイ超音波トランスデューサ１０は、音響整合層１２、アース電極１４、超音波振動素子（圧電体）１６、信号電極１８、バッキング材２０（負荷材相）及び信号リード２２を具備する構成となっている。

音響整合層１２は、被検体（図示せず）と超音波振動素子１６との間に位置するように設けられており、被検体と超音波振動素子１６との音響インピーダンスの整合をとるものである。

アース電極１４は、各超音波振動素子１６の一端に設けられている。アース電極１４はアース接続されている。

超音波振動素子（圧電体）１６は、２成分系或いは３成分系の圧電セラミックス等から成る圧電素子であり、２次元マトリックス状に配列されている。この超音波振動素子１６の２次元的配列により、超音波の全方位的なフォーカシングと高速な３次元走査が可能である。

信号電極１８は、各超音波振動素子１６の他端（すなわち、アース電極１４とは異なる一端）に設けられており、圧電効果のための電力印加や被検体から受波した超音波に基づく電気信号を入力する電極である。

バッキング材２０は、超音波振動素子１６の背面に設けられており、当該超音波振動素子１６を機械的に支持する。

また、バッキング材２０は、超音波パルスを短くするために、超音波振動素子１６の動きを制動している。

このバッキング材２０は、後述する信号リード２２の端部２２１が超音波振動素子１６と同じ配列ピッチとなるように、信号電極１８から超音波振動素子１６の配列面と垂直な方向に信号リード２２を引き出し可能な経路が形成されている。

信号リード２２は、その一端において信号リード２２の端部２２１を有している。また、他端においては各超音波振動素子１６の信号電極１８と接続されており、超音波振動素子１６の配列面と垂直な方向に、信号電極１８から伸延して、バッキング材２０中の経路を通し信号リード２２の端部２２１が引き出されている。従って、信号リード２２の端部２２１は、超音波振動素子１６と反対側のバッキング材２０の面において、２次元アレイ状に並んだ構成となっている。

このように、超音波振動素子の実装密度をあげてくると、超音波振動素子を駆動したり、超音波振動素子からのデータを処理する集積回路等との接続関係が問題になってくる。

この問題を解決する２次元アレイ超音波プローブについては、以前から多数の提案が検討されている。（例えば、特許文献１〜特許文献３）。

特許文献１によれば、バッキング材に穴構造を設け、信号を引き出す構造が提案されており、特許文献２によれば、超音波振動素子の配列に対応する基板を積層して信号引き出し部を構成する構造が提案されている。

これらに開示されている２次元アレイ超音波プローブの構造は、１素子の音響特性を良好に保つことを可能としている。

また、特許文献３によれば、信号取り出しのための積層基板８０を超音波振動素子直下に配した構造等が提案されており、素子ピッチを小さくしても比較的容易に信号引き出し可能な構造が開示されている。

米国特許第５２６７２２１号明細書特開昭６２−２７９９号公報米国特許第５３１１０９５号明細書

しかしながら、超音波プローブは超音波トランスデューサと超音波診断装置本体とをケーブルアセンブリで連結することを基本構成としているので、微細な超音波振動素子を有する２次元アレイ超音波プローブにおいては、超音波トランスデューサからの超音波信号を効率良く取り出すための集積回路等が超音波トランスデューサ近傍に必要である。

また一方、２次元アレイ超音波プローブでは、超音波振動素子からの信号を超音波診断装置本体に伝達する構成では、超音波振動素子数が膨大であるため、ケーブルアセンブリのケーブル芯数が膨大となり、通常の超音波診断装置の使用方法に合致しない。

このため、超音波トランスデューサからの超音波信号を処理し、且つ信号数を減ずる操作を行った上で超音波診断装置に伝達するために機能する集積回路等が必要である。

すなわち、信号線を引き出すのみならず、超音波振動素子群から信号線によって導かれた電気信号を処理するための集積回路等を超音波トランスデューサ近傍に高密度で実装することが求められる。

この要求に応じる技術として、本発明者らによる特開２００１−２９２４９６号公報に開示されているように、２種類の基板を、信号リードを用いて略直交して電気的且つ機械的に連結する構成が提案されている。

しかしながら、この構成においても、形成する信号リードピッチを十分小さくすることが不可能であるので、超音波トランスデューサと集積回路等との連結部分を高密度で実装することに限界が生じていた。この結果、超音波プローブの外形が非常に大きくなってしまう問題があった。また、この構成において複数の基板を立体的に組み立てることは非常に困難であった。

超音波トランスデューサに対して集積回路等を高密度で実装することに限界が生じていた原因としては、図２７に示す超音波プローブの従来の構成のように、信号リード２２と集積回路４５との接続がスルーホール（図示せず）のみを有した中継基板３０によってなされ、中継基板３０に形成された前記スルーホールに集積回路４５を搭載した基板４０を直接設置していたこと、すなわち、前記スルーホールの構造が信号リード２２のピッチに比べて大きくなってしまうことにあった。

また、図２７に示すように、超音波トランスデューサ１０とＩＣ基板４０との接続は、超音波トランスデューサ１０の背面側に設けられた信号リードパッド２３（図示せず）と、ＩＣ基板４０側に設けられた、突出した接続ピンとの接続によってなされていた。従って、ＩＣ基板４０上において、前記接続ピンを突出させて設けるためのスペースが必要なため、設置される接続ピンの数には制限があった。また、前記接続ピンが突出した形状であるため、信号リードパッド２３（図示せず）に接続するための位置合せにも困難を来たし、接続不良が生じる恐れがあった。

本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、その目的は、形成領域が拡大するピン形状の電極を用いることなく超音波トランスデューサとＩＣ基板との接続をなし、小型の超音波プローブを提供することにある。

また、本発明は、超音波振動素子群から信号線によって導かれた電気信号を処理するための集積回路等を超音波トランスデューサ近傍に高密度で実装した超音波プローブを提供することを目的とする。

上記課題を解決するための、請求項１記載の発明に係る超音波プローブは、マトリックス状に配列された複数の超音波振動素子と、係る超音波振動素子からの電気信号を伝達するために前記超音波振動素子の各々から突出させて設けられた複数の信号リードを挿入して前記超音波振動素子を制動するバッキング材と、前記電気信号を処理する集積回路を搭載し、係る集積回路から引き出された信号線の端部として、前記信号リードに接続される接続パッドを具備するＩＣ基板とを有する超音波プローブであって、前記接続パッドが前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられた第１の接続パッドであり、前記第１の接続パッドの接続面を前記信号リードの端部としての信号リードパッドに対向する方向に変換する端面を有する接続部材が前記第１の接続パッドの接続面に設けられたことを特徴とする。

上記課題を解決するための、請求項２記載の発明に係る超音波プローブは、請求項１に記載の超音波プローブにおいて、前記信号リードパッドに対向する前記ＩＣ基板の端面に第２の接続パッドが設けられたことを特徴とする。

上記課題を解決するための、請求項３記載の発明に係る超音波プローブは、請求項２に記載の超音波プローブにおいて、前記バッキング材には、前記第１の接続パッド及び／又は第２の接続パッドが当接する当接面を有する溝部が形成され、係る溝部の前記当接面に前記信号リードパッドが形成され、前記ＩＣ基板の端面が前記溝部に嵌入することによって前記信号リードパッドと前記第１の接続パッド及び／又は第２の接続パッドとの導通がなされることを特徴とする。

上記課題を解決するための、請求項４記載の発明に係る超音波プローブは、マトリックス状に配列された複数の超音波振動素子と、係る超音波振動素子からの電気信号を伝達するために前記超音波振動素子の各々から突出させて設けられた複数の信号リードを挿入して前記超音波振動素子を制動するバッキング材と、平板形状をなし、前記信号リードに導通する第１の中継パッドが前記バッキング材に対向する面に形成されると共に、前記第１の中継パッドに導通する第２の中継パッドが前記バッキング材に対向する面の反対側の面に形成された中継基板と、前記電気信号を処理する集積回路を搭載し、前記第２の中継パッドに接続される接続パッドを具備するＩＣ基板とを有する超音波プローブであって、前記接続パッドが前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられた第１の接続パッドであり、前記第１の接続パッドの接続面を前記第２の中継パッドに対向する方向に変換する端面を有する接続部材が前記第１の接続パッドの接続面に設けられたことを特徴とする。

上記課題を解決するための、請求項５記載の発明に係る超音波プローブは、請求項４に記載の超音波プローブにおいて、前記第２の中継パッドに対向する前記ＩＣ基板の端面に第２の接続パッドが設けられたことを特徴とする。

上記課題を解決するための、請求項６記載の発明に係る超音波プローブは、請求項５に記載の超音波プローブにおいて、前記中継基板には、前記第１の接続パッド及び／又は第２の接続パッドが当接する当接面を有する溝部が形成され、係る溝部の前記当接面に前記第２の中継パッドが形成され、前記ＩＣ基板の端面が前記溝部に嵌入することによって前記第２の中継パッドと前記第１の接続パッド及び／又は第２の接続パッドとの導通がなされることを特徴とする。

上記課題を解決するための、請求項７記載の発明に係る超音波プローブは、請求項２，３，５及び６の何れかに記載の超音波プローブにおいて、前記第１の接続パッドと前記第２の接続パッドとが連結されたことを特徴とする。

上記課題を解決するための、請求項８記載の発明に係る超音波プローブは、請求項１〜７の何れかに記載の超音波プローブにおいて、前記接続面が露出するように、複数の前記ＩＣ基板間に樹脂を充填したことを特徴とする。

本発明によれば、ＩＣ基板側の電極としてピン形状の電極を用いることがないので、当該電極の形成領域が拡大することなく、超音波トランスデューサとＩＣ基板との接続をなす構成としたので、小型の超音波プローブを提供することができる。

本発明に係る超音波プローブの第１の実施形態における超音波トランスデューサの構成を示す斜視図。本発明に係る超音波プローブの第１の実施形態における超音波トランスデューサ及び超音波トランスデューサに接続されるＩＣ基板の構成を示す斜視図。本発明に係る超音波プローブの第１の実施形態における超音波トランスデューサ、中継基板及びその中継基板に接続されるＩＣ基板の構成を示す斜視図。本発明に係る超音波プローブの第１の実施形態における中継基板の構成を示す斜視図。本発明に係る超音波プローブの第１の実施形態におけるＩＣ基板の構成を示す斜視図。本発明に係る超音波プローブの第１の実施形態における超音波トランスデューサ又は中継基板とＩＣ基板との接続態様を示す斜視図。本発明に係る超音波プローブの第１の実施形態における超音波トランスデューサ又は中継基板とＩＣ基板との接続態様を示す斜視図。本発明に係る超音波プローブの第１の実施形態におけるＩＣ基板ユニットの構成を示す斜視図。本発明に係る超音波プローブの第２の実施形態におけるＩＣ基板の構成を示す斜視図。本発明に係る超音波プローブの第２の実施形態における超音波トランスデューサ又は中継基板とＩＣ基板との接続態様を示す斜視図。本発明に係る超音波プローブの第２の実施形態における超音波トランスデューサ又は中継基板とＩＣ基板ユニットとの接続態様を示す斜視図。本発明に係る超音波プローブの第２の実施形態におけるＩＣ基板ユニットの構成を示す斜視図。本発明に係る超音波プローブの第３の実施形態におけるＩＣ基板の構成を示す斜視図。本発明に係る超音波プローブの第３の実施形態における超音波トランスデューサ又は中継基板とＩＣ基板との接続態様を示す斜視図。本発明に係る超音波プローブの第３の実施形態における超音波トランスデューサ又は中継基板とＩＣ基板ユニットとの接続態様を示す斜視図。本発明に係る超音波プローブの第３の実施形態におけるＩＣ基板ユニットの構成を示す斜視図。本発明に係る超音波プローブの第４の実施形態におけるＩＣ基板の構成を示す斜視図。本発明に係る超音波プローブの第４の実施形態における超音波トランスデューサ又は中継基板とＩＣ基板との接続態様を示す斜視図。本発明に係る超音波プローブの第４の実施形態における超音波トランスデューサ又は中継基板とＩＣ基板との接続態様を示す斜視図。本発明に係る超音波プローブの第４の実施形態におけるＩＣ基板ユニットの構成を示す斜視図。本発明に係る超音波プローブの第４の実施形態におけるＩＣ基板の他の構成を示す斜視図。本発明に係る超音波プローブの第５の実施形態におけるＩＣ基板の構成を示す斜視図。本発明に係る超音波プローブの第５の実施形態における超音波トランスデューサ又は中継基板とＩＣ基板との接続態様を示す斜視図。本発明に係る超音波プローブの第５の実施形態における超音波トランスデューサ又は中継基板とＩＣ基板ユニットとの接続態様を示す斜視図。本発明に係る超音波プローブの第５の実施形態におけるＩＣ基板ユニットの構成を示す斜視図。従来における超音波トランスデューサの構成を示す斜視図。従来における超音波プローブの構成を示す斜視図。

以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。
（第１の実施形態）

図１は、本発明の第１の実施形態における２次元アレイ超音波プローブが有する２次元アレイ超音波トランスデューサ１０の概略図である。図１（ａ）は、２次元アレイ超音波トランスデューサ１０の斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）において矢印方向から見たＡ−Ａ断面図である。

図１（ａ）に示すように、２次元アレイ超音波トランスデューサ１０は、音響整合層１２、アース電極１４、超音波振動素子（圧電体）１６、信号電極１８、バッキング材２０（負荷材相）及び信号リード２２を具備する構成となっている。

信号電極１８は、各超音波振動素子１６の他端（すなわち、アース電極１４とは異なる一端）に設けられており、圧電効果のための電力を印加するための入力電極及び被検体から受波した超音波に基づく電気信号を出力する電極として機能する。

また、バッキング材２０は、その設置された方向における超音波パルスを制御するために、超音波振動素子１６を制動している。

このバッキング材２０は、後述する信号リード２２の端部である信号リードパッド２３が超音波振動素子１６と同じ配列ピッチとなるように、信号電極１８から超音波振動素子１６の配列面と垂直な方向に信号リード２２を引き出し可能な経路が形成されている。この経路に信号リード２２が挿入されている。

このようなバッキング材２０は、板状のバッキング材を、その板厚みが配列ピッチと同じになるような薄いバッキング材を積み重ねる等により作成することが可能である。

また、このバッキング材２０の厚さは、超音波トランスデューサの音響的特性を良好に保つため、使用する超音波周波数の波長に対して十分な厚さ（十分減衰される厚さ）にとるものとする。

信号リード２２は、その一端が信号リードパッド２３としてバッキング材２０の背面（バッキング材２０において超音波振動素子１６が設置された側の面を正面とした場合の反対側の面）にマトリックス状に配列されている。

また、信号リード２２の他端は、各超音波振動素子１６の信号電極１８と接続されている。すなわち、超音波振動素子１６の配列面と垂直な方向に、信号電極１８から伸延して、バッキング材２０中の経路を通し信号リード２２が引き出されている。従って、信号リードパッド２３は、超音波振動素子１６と反対側のバッキング材２０の面において、超音波振動素子１６と同様にマトリックス状（２次元アレイ状）に並んだ構成となっている。

なお、本実施形態において信号リードパッド２３の配列は、超音波振動素子１６と同じ配列ピッチのまま、すなわち電極配列と同様に並んだ例を示しているが、信号リードパッド２３の配線ピッチを素子ピッチより大きくとることも可能である。例えば、上述した板状バッキング材と信号線パターンとを張り合わせて信号リード２２の２次元配列を作る場合等では、張り合わせる信号リード２２のパターンを信号リードパッド２３の方向に進むに従って広がるようなパターンにすることで実現できる。

図２は、本発明に係る超音波プローブの第１の実施形態における構成を示す斜視図である。

図２に示すように、ケーブル接続基板５０は、上述したＩＣ基板４０と、超音波診断装置本体とＩＣ基板４０等との電気的接続を取るケーブル（図示せず）とを接続するための基板である。当該ケーブル接続基板５０は、柔軟性を備えたＦＰＣでできており、その一端は、ＩＣ基板４０における信号リード（図示せず）が設けられた一端とは反対側の一端に電気的に接続されている。

コネクタ６２は、ケーブル接続基板５０の他端及び前記ケーブルの一端にそれぞれ設けられている。このコネクタ６２によって、ケーブル接続基板５０と前記ケーブルとは電気的に接続される。

このような構成により、ＩＣ基板４０上の各ＩＣ４５によって処理された信号は、ケーブル接続基板５０を介して超音波診断装置本体に送信されることとなる。

また、図３に示すように、超音波トランスデューサ１０とＩＣ基板４０との間に中継基板３０を介在させてもよい。中継基板３０は、樹脂やセラミクスなどからなる平板形状の基板が望ましい。また、図４（ａ），（ｂ）に示すように、中継基板３０には、超音波トランスデューサ１０に対向する側の面に第１の中継パッド３１が信号リードに応じて配設され、その反対側の面、すなわち、ＩＣ基板４０に対向する側の面に、第２の中継パッド３２が第１の中継パッド３１の各々に導通して配設されている。

ここで、第２の中継パッド３２の配列は第１の中継パッド３１と異なる配列としてもかまわない。すなわち、第１の中継パッド３１を複数共通接続することも可能であって、且つ第１の中継パッド３１の配列順序を変更して形成すること、第１の中継パッド３１の配列ピッチを変更することも可能である。

この第２の中継パッド３２とＩＣ基板４０の端部に形成された第１の接続パッド４０１が電気接続されることによって、超音波トランスデューサ１０の信号リード２２がＩＣ４５に電気的に接続されることとなり、信号リード２２によって超音波振動素子１６から発せられた前記信号に適宜処理が施される。

このように、超音波トランスデューサ１０とＩＣ基板４０との間に中継基板３０を介在させることによって、ＩＣ基板４０に形成される接続パッドに接続される電極が、ゴムや樹脂等の材料で形成されるバッキング材２０に形成された信号リードパッド２３よりも、中継基板３に形成された第２の中継パッド３２のほうが強固に接続できるので、超音波トランスデューサ１０とＩＣ基板４０との確実な接続を実現することができる。

図５は、本発明に係る超音波プローブの第１の実施形態におけるＩＣ基板の構成を示す斜視図である。図５に示すように、本実施形態のＩＣ基板４０は、各ＩＣ４５から引き出された信号線の端部電極として、表面（例えば、ＩＣ４５が搭載される面）及び裏面に第１の接続パッド４０１が並んで形成されている。これらの第１の接続パッド４０１は、超音波トランスデューサ１０の底面側（超音波振動素子１６から見てバッキング材２０が設置された側）の信号リードパッド２３又は中継基板３０の第２の中継パッド３２に対応したピッチで形成されている。なお、当図では、ＩＣ基板４０の端部のみを示し、他の部分は省略してある。

そして、このような第１の接続パッド４０１とバッキング材２０（又は中継基板３０）に形成された信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）との導通をなすために、本実施形態では、バッキング材２０（又は中継基板３０）に溝部１００が形成されている。また、溝部１００の側面には各信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）が露出形成されている。

本実施形態では、図６に示すように、バッキング材２０（又は中継基板３０）とＩＣ基板４０との電気的接続は、ＩＣ基板４０の表面及び裏面に第１の接続パッド４０１を設け、そのＩＣ基板４０を、側面に信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）が配設された溝部１００に嵌入することによって、第１の接続パッド４０１と信号リード２３（第２の中継パッド３２）とが電気的に接続される。

各溝部１００は、各ＩＣ基板４０の端面の面積（設置方向における各ＩＣ基板４０の断面積）に応じた底面が形成された凹部であり、所定の間隔で各ＩＣ基板４０が並行に設置されるようにバッキング材２０（又は中継基板３０）に形成されている。

そして、超音波トランスデューサ１０の背面側へのＩＣ基板４０の接続は、ＩＣ基板４０に設けられた第１の接続パッド４０１を、その接続先となる信号リードパッド２３又は中継基板３０の第２の中継パッド３２の位置にあわせて接触させ電気接続を行う。

一方、本実施形態では、図７に示すように、各ＩＣ基板４０間に（一のＩＣ基板４０の裏面と他のＩＣ基板４０の表面とを連結するように）樹脂スペーサ４０４を充填（封止）してもよい。

なお、本実施形態の望ましい態様として、図８に示すように、樹脂スペーサ４０４を各ＩＣ基板４０間に予め充填しておいて、樹脂スペーサ４０４で各ＩＣ基板４０が並列に封止されたＩＣ基板ユニット４００とすることも可能である。ここで、ＩＣ基板ユニット４００の形状において、各ＩＣ基板４０に形成された第１の接続パッド４０１は、当該ＩＣ基板４０の表面及び裏面に形成されているので、樹脂スペーサ４０４は各第１の接続パッド４０１が露出するように充填される。

このように、このＩＣ基板ユニット４００とバッキング材２０（中継基板３０）とを接続して、ＩＣ基板ユニット４００を構成する各ＩＣ基板４０に設けられた第１の接続パッド４０１と、バッキング材２０（中継基板３０）の信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）との導通をなすことで、超音波プローブの組み立て効率の面でも好適である。

このＩＣ基板ユニット４００を形成する際には、各ＩＣ基板４０上に形成された個々の第１の接続パッド４０１と、バッキング材２０の信号リードパッド２３又は中継基板３０の第２の中継パッドとの位置が合うように各ＩＣ基板４０の間隔を決定して封止固定される。

このように、本実施形態では、ＩＣ基板４０の表面に形成される配線パターンと同様の工程で第１の接続パッド４０１を形成できるので、当該第１の接続パッド４０１の配列方向のピッチを小さくすることができ、ＩＣ基板４０の小型化を実現し、結果として超音波プローブの小型化をも実現することができる。

また、ＩＣ基板４０の表面及び裏面に第１の接続パッド４０１を形成することにより、１つのＩＣ基板４０につき、２列の第１の接続パッド４０１を形成することが可能となるため、超音波トランスデューサ１０の接続に必要なＩＣ基板４０の数を少なくすることができ、ＩＣ基板４０の配列方向の厚みを小さくすることが可能となる。

さらに、超音波トランスデューサ１０とＩＣ基板４０との接続の際、バッキング材２０（中継基板３０）に溝部１００を複数形成し、それら溝部１００に各ＩＣ基板４０を嵌め込むようにしたので、超音波トランスデューサ１０とＩＣ基板４０との接続が強固に行える。

加えて、複数のＩＣ基板４０の間隙を樹脂スペーサ４０４で樹脂封止したＩＣ基板ユニット４００を構成することによって、複数のＩＣ基板４０を、それらＩＣ基板４０に形成された第１の接続パッド４０１と、信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２とを複数同時に電気接続することが可能となり、接続工程が簡略化される。

本実施形態では、超音波トランスデューサ１０の底面側に形成された信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２に接続される第１の接続パッド４０１を、ＩＣ基板４０の表面及び裏面に設けたが、接続パッド４０１はＩＣ基板４０の表面又は裏面のどちらか一方に形成された態様でもよい。

また、本実施形態においては、信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２と、第１の接続パッド４０１との接続をハンダによる接続としたが、他の接続態様として、例えば導電性樹脂や異方導電フィルムなどによる接続を行ってもよい。

さらに、本実施形態では、個々のＩＣ基板４０をＩＣ基板ユニット４００として固定した後に、バッキング材２０又は中継基板３０に対して接続しているが、それに限られることなく、ＩＣ基板４０を複数枚ずつ、複数のグループに分けて固定したＩＣ基板ユニット４００として、複数回数の接続を行うことも可能である。

（第２の実施形態）
次に、本発明に係る超音波プローブの第２の実施形態について図面を参照して説明する。

本実施形態は、前述の第１の実施形態に対し、各第１の接続パッドに、接続方向を変換する接続部材を設置したことが特徴である。本実施形態の説明では、ＩＣ基板４０の構成を中心に説明し、第１の実施形態と重複する部分についての説明は省略する。

図９は、本発明に係る超音波プローブの第２の実施形態におけるＩＣ基板の構成を示す斜視図である。図９に示すように、本実施形態のＩＣ基板４０は、各ＩＣ４５から引き出された信号線の端部電極として、表面（例えば、ＩＣ４５が搭載される面）及び裏面に第１の接続パッド４０１が並んで形成されると共に、略直方体形状の接続部材４０３が各第１の接続部材４０１に設置されている。なお、当図では、ＩＣ基板４０の端部のみを示し、他の部分は省略してある。

すなわち、本実施形態では、前述の第１の実施形態においてＩＣ基板４０の表面及び／又は裏面に接続面が形成された第１の接続パッド４０１に、その接続面を超音波トランスデューサ１０の方向に変換するための接続部材４０３が鑞付けされているのである。

そして、本実施形態のように、接続部材４０３の端面とＩＣ基板４０の端面とがほぼ面一になるように、接続部材４０３を第１の接続パッド４０１上に設置することによって、図１０に示すように、ＩＣ基板４０を超音波トランスデューサ１０に接続する際、接続部材４０３の端面が信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２の接続面に対向するので、接続しやすく、電気接続の不良を低減することも可能となる。ここで、前記「面一」とは、二つの面が例えば同じ高さになる形態を意味する。従って、本実施形態では、高さ方向に限らず、二つの面（接続部材４０３の端面とＩＣ基板４０の端面）がほぼ同一平面となるように位置することを意味する。

本実施形態では、図１１に示すように、各ＩＣ基板４０間に（一のＩＣ基板４０の裏面と他のＩＣ基板４０の表面とを連結するように）樹脂スペーサ４０４を充填（封止）してもよい。このとき、接続部材４０３の接続面は、ＩＣ基板４０の端面とほぼ面一となって超音波トランスデューサ１０の方向に露出するように樹脂スペーサ４０４が充填される。

なお、本実施形態の望ましい態様として、図１２に示すように、樹脂スペーサ４０４を各ＩＣ基板４０間に予め充填しておいて、樹脂スペーサ４０４で各ＩＣ基板４０が並列に封止されたＩＣ基板ユニット４００とし、このＩＣ基板ユニット４００とバッキング材２０（中継基板３０）とを接続して、ＩＣ基板ユニット４００を構成する各ＩＣ基板４０に設けられた第１の接続パッド４０１と、バッキング材２０（中継基板３０）の信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）との導通をなすことが、超音波プローブの組み立て効率の面でも好適である。

なお、本実施形態では、前述の第１の実施形態とは異なり、超音波トランスデューサ１０側の電極（信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２）と、第１の接続パッド４０１（接続部材４０３）との接続面が対向しているので、バッキング材２０又は中継基板３０に溝部を必ずしも形成する必要はない。

仮に、本実施形態において、第１の接続パッド４０１とバッキング材２０（又は中継基板３０）に形成された信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）との導通をなすために、バッキング材２０（又は中継基板３０）に溝部１００を形成する場合には、その溝部１００は、接続部材４０３が第１の接続パッド４０１に設置された各ＩＣ基板４０の、超音波トランスデューサ１０側の断面形状に応じた形状にすればよい。このように溝部１００をバッキング材２０又は中継基板３０に形成することにより、各溝部１００に各ＩＣ基板４０が嵌入するように固定されるので、バッキング材２０又は中継基板３０と各ＩＣ基板４０との電気的な接続が強固に行われる。

また、ＩＣ基板４０の表面及び裏面に第１の接続パッド４０１を形成することにより、１つのＩＣ基板４０につき、２列の第１の接続パッド４０１を形成することが可能となるため、超音波トランスデューサ１０の接続に必要なＩＣ基板４０の数を少なくすることができる。

さらに、複数のＩＣ基板４０の間隙を樹脂スペーサ４０４で樹脂封止したＩＣ基板ユニット４００を構成することによって、複数のＩＣ基板４０を、それらＩＣ基板４０に形成された第１の接続パッド４０１と、信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２とを接続部材４０３を介して複数同時に電気接続することが可能となり、接続工程が簡略化される。

本実施形態では、超音波トランスデューサ１０の底面側に形成された信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２に、接続部材４０３を介して接続される第１の接続パッド４０１を、ＩＣ基板４０の表面及び裏面に設けたが、接続パッド４０１はＩＣ基板４０の表面又は裏面のどちらか一方に形成された態様でもよい。

また、本実施形態においては、信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２と、接続部材４０３との接続をハンダによる接続としたが、他の接続態様として、例えば導電性樹脂や異方導電フィルムなどによる接続を行ってもよい。

（第３の実施形態）
次に、本発明に係る超音波プローブの第３の実施形態について図面を参照して説明する。

本実施形態は、前述の第２の実施形態と同様に、信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２に接続する接続面が超音波トランスデューサ１０側に向いた接続パッドをＩＣ基板４０に設けたものであり、その接続パッドとして、ＩＣ基板４０の端面に第２の接続パッド４０２を設置したことが特徴である。本実施形態の説明では、ＩＣ基板４０の構成を中心に説明し、第１の実施形態及び第２の実施形態と重複する部分についての説明は省略する。

図１３は、本発明に係る超音波プローブの第３の実施形態におけるＩＣ基板の構成を示す斜視図である。図１３に示すように、本実施形態のＩＣ基板４０は、各ＩＣ４５から引き出された信号線の端部電極として、ＩＣ基板４０の端面（ＩＣ基板４０において、超音波トランスデューサ１０に対向する面）に第２の接続パッド４０２が並んで形成されている。なお、当図では、ＩＣ基板４０の端部のみを示し、他の部分は省略してある。

本実施形態における第２の接続パッド４０２は、例えば、予めＩＣ基板４０内にスルーホールを形成しておき、ＩＣ基板４０と共に当該スルーホールを切断してそのスルーホールの切断面をＩＣ基板４０の端面に露出させることによって形成される。

また、この他にも、ＩＣ基板４０を切断・研削することによって、ＩＣ基板４０の内部配線を端面に露出させ、その後メッキ又は蒸着・スパッタ等の薄膜形成方法によって第２の接続パッド４０２を形成することも可能である。なお、本実施形態では、端面に形成した第２の接続パッド４０２を２列としたが、それ以上の列での形成も可能である。

また、本実施形態では、ＩＣ４５と第２の接続パッド４０１とを結ぶ配線は、ＩＣ基板４０の内部に設けてもよいし、外側（ＩＣ基板４０の表面及び／又は裏面）に形成してもよい。

すなわち、本実施形態では、前述の第２の実施形態における接続部材４０３のように、信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２の接続面に対向し、それらとＩＣ４５とを導通する第２の接続パッド４０２がＩＣ基板４０の端面に設けられたものである。

そして、ＩＣ基板４０を超音波トランスデューサ１０に接続する際、ＩＣ基板４０の端面に形成された第２の接続パッドの接続面が、信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２の接続面に対向するので、接続しやすく、電気接続の不良を低減することも可能となる。

ここで、本実施形態では、第２の接続パッド４０２とバッキング材２０（又は中継基板３０）に形成された信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）との導通をなすために、第１の実施形態と同様に、バッキング材２０（又は中継基板３０）に溝部１００が形成されている。

第２の接続パッド４０２が対向する溝部１００の底面には、各信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）が露出形成されており、凹形状をなす当該溝部１００にＩＣ基板４０を嵌合させることによって、溝部１００の底面に露出した各信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）と各第２の接続パッド４０２との導通がなされる。

すなわち、図１４に示すように、本実施形態では、バッキング材２０（又は中継基板３０）とＩＣ基板４０との電気的接続は、ＩＣ基板４０の端面に第２の接続パッド４０２を設けたので、底面に信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）が配設された溝部１００を形成したのである。

そして、超音波トランスデューサ１０の背面側へのＩＣ基板４０の接続は、ＩＣ基板４０に設けられた第２の接続パッド４０２を、その接続先となる信号リードパッド２３又は中継基板３０の第２の中継パッド３２の位置にあわせて接触させ電気接続を行う。

また、本実施形態では、図１５に示すように、各ＩＣ基板４０間に（一のＩＣ基板４０の裏面と他のＩＣ基板４０の表面とを連結するように）樹脂スペーサ４０４を充填（封止）してもよい。このとき、第２の接続パッド４０２の接続面は、ＩＣ基板４０の端面とほぼ面一となって超音波トランスデューサ１０の方向に露出するように樹脂スペーサ４０４が充填される。

なお、本実施形態の望ましい態様として、図１６に示すように、樹脂スペーサ４０４を各ＩＣ基板４０間に予め充填しておいて、樹脂スペーサ４０４で各ＩＣ基板４０が並列に封止されたＩＣ基板ユニット４００とし、このＩＣ基板ユニット４００とバッキング材２０（中継基板３０）とを接続して、ＩＣ基板ユニット４００を構成する各ＩＣ基板４０に設けられた第２の接続パッド４０２と、バッキング材２０（中継基板３０）の信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）との導通をなすことが、超音波プローブの組み立て効率の面でも好適である。

このＩＣ基板ユニット４００を形成する際には、各ＩＣ基板４０の端面に形成された個々の第２の接続パッド４０２と、バッキング材２０の信号リードパッド２３又は中継基板３０の第２の中継パッドとの位置が合うように各ＩＣ基板４０の間隔を決定して封止固定される。

なお、本実施形態においても、超音波トランスデューサ１０側の電極（信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２）と、第２の接続パッド４０２との接続面が対向しているので、バッキング材２０又は中継基板３０に溝部１００を必ずしも形成する必要はない。

このように、本実施形態では、ＩＣ基板４０の表面に設置されるＩＣ４５の配置や個数に依存することなく、端面に第２の接続パッド４０２を形成できるので、当該第２の接続パッド４０２の配列方向のピッチを自由に設計することができ、ＩＣ基板４０の小型化を実現し、結果として超音波プローブの小型化をも実現することができる。

また、ＩＣ基板４０の端面に第２の接続パッド４０２を形成することにより、１つのＩＣ基板４０につき、任意の列数の第２の接続パッド４０２を形成することが可能となるため、超音波トランスデューサ１０の接続に必要なＩＣ基板４０の数を少なくすることができ、従って、ＩＣ基板４０の配列方向の小型化実現できる。

さらに、複数のＩＣ基板４０の間隙を樹脂スペーサ４０４で樹脂封止したＩＣ基板ユニット４００を構成することによって、複数のＩＣ基板４０を、それらＩＣ基板４０に形成された第２の接続パッド４０２と、信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２とを接続部材４０３を介して複数同時に電気接続することが可能となり、接続工程が簡略化される。

本実施形態では、個々のＩＣ基板４０をＩＣ基板ユニット４００として固定した後に、バッキング材２０又は中継基板３０に対して接続しているが、それに限られることなく、ＩＣ基板４０を複数枚ずつ、複数のグループに分けて固定したＩＣ基板ユニット４００として、複数回数の接続を行うことも可能である。

（第４の実施形態）
次に、本発明に係る超音波プローブの第４の実施形態について図面を参照して説明する。

本実施形態は、超音波トランスデューサ１０側の信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２に接続する各ＩＣ基板４０側の接続パッドとして、ＩＣ基板４０の表面及び裏面に第１の接続パッド４０１を設けると共に、超音波トランスデューサ１０側の端面に第２の接続パッド４０２を各ＩＣ基板４０に設置したことが特徴である。本実施形態の説明では、ＩＣ基板４０の構成を中心に説明し、第１の実施形態〜第３の実施形態と重複する部分についての説明は省略する。

図１７は、本発明に係る超音波プローブの第４の実施形態におけるＩＣ基板の構成を示す斜視図である。図１７に示すように、本実施形態のＩＣ基板４０は、各ＩＣ４５から引き出された信号線の端部電極として、表面（例えば、ＩＣ４５が搭載される面）及び裏面に第１の接続パッド４０１が並んで形成されると共に、前記端部電極として端面（超音波トランスデューサ１０に対向する面）には、第２の接続パッド４０２が並んで形成されている。これらの第１の接続パッド４０１及び第２の接続パッド４０２は、超音波トランスデューサ１０の底面側（超音波振動素子１６から見てバッキング材２０が設置された側）の信号リードパッド２３又は中継基板３０の第２の中継パッド３２に対応したピッチで形成されている。なお、当図では、ＩＣ基板４０の端部のみを示し、他の部分は省略してある。

そして、第１の接続パッド４０１及び第２の接続パッド４０２と、バッキング材２０（又は中継基板３０）に形成された信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）との導通をなすために、本実施形態でも、バッキング材２０（又は中継基板３０）に溝部１００が形成されている。

すなわち、図１８に示すように、各溝部１００は、各ＩＣ基板４０の端面の面積（設置方向における各ＩＣ基板４０の断面積）に応じた底面が形成された凹部であり、所定の間隔で各ＩＣ基板４０が並行に設置されるようにバッキング材２０（又は中継基板３０）に形成されている。

そして、溝部１００の底面及び側面には各信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）が露出形成されており、当該溝部１００にＩＣ基板４０を嵌合させることによって、溝部１００の側面に露出した各信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）と各第１の接続パッド４０１との導通がなされると共に、溝部１００の底面に露出した各信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）と各第２の接続パッド４０２との導通がなされる。

このように、超音波トランスデューサ１０の背面側へのＩＣ基板４０の接続は、ＩＣ基板４０に設けられた第１の接続パッド４０１及び第２の接続パッド４０２を、その接続先となる信号リードパッド２３又は中継基板３０の第２の中継パッド３２の位置にあわせて接触させ電気接続を行う。

一方、本実施形態では、図１９に示すように、各ＩＣ基板４０間に（一のＩＣ基板４０の裏面と他のＩＣ基板４０の表面とを連結するように）樹脂スペーサ４０４を充填（封止）してもよい。

なお、本実施形態の望ましい態様として、図２０に示すように、樹脂スペーサ４０４を各ＩＣ基板４０間に予め充填しておいて、樹脂スペーサ４０４で各ＩＣ基板４０が並列に封止されたＩＣ基板ユニット４００とすることも可能である。ここで、ＩＣ基板ユニット４００の形状において、各ＩＣ基板４０に形成された第１の接続パッド４０１は、当該ＩＣ基板４０の表面及び裏面に形成されているので、樹脂スペーサ４０４は各第１の接続パッド４０１が露出するように充填される。

このように、このＩＣ基板ユニット４００とバッキング材２０（中継基板３０）とを接続して、ＩＣ基板ユニット４００を構成する各ＩＣ基板４０に設けられた第１の接続パッド４０１及び第２の接続パッド４０２と、バッキング材２０（中継基板３０）の信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）との導通をなすことで、超音波プローブの組み立て効率の面でも好適である。

このＩＣ基板ユニット４００を形成する際には、各ＩＣ基板４０上に形成された個々の第１の接続パッド４０１及び第２の接続パッド４０２と、バッキング材２０の信号リードパッド２３又は中継基板３０の第２の中継パッドとの位置が合うように各ＩＣ基板４０の間隔を決定して封止固定される。

また、本実施形態における第２の接続パッド４０２は、例えば、予めＩＣ基板４０内にスルーホールを形成しておき、ＩＣ基板４０と共に当該スルーホールを切断してそのスルーホールの切断面をＩＣ基板４０の端面に露出させることによって形成される。

また、ＩＣ基板４０の表面及び裏面に第１の接続パッド４０１を形成すると共に、端面に第２の接続パッド４０２を形成することにより、ＩＣ基板４０の１枚あたりの接続パッド数を更に大きくすることが可能となるため、接続に必要なＩＣ基板４０の枚数を更に少なくすることが可能となり、超音波プローブの小型化が図れる。

加えて、複数のＩＣ基板４０の間隙を樹脂スペーサ４０４で樹脂封止したＩＣ基板ユニット４００を構成することによって、複数のＩＣ基板４０を、それらＩＣ基板４０に形成された第１の接続パッド４０１及び第２の接続パッド４０２と、信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２とを複数同時に電気接続することが可能となり、接続工程が簡略化される。

また、本実施形態においては、信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２と、第１の接続パッド４０１及び第２の接続パッド４０２との接続をハンダによる接続としたが、他の接続態様として、例えば導電性樹脂や異方導電フィルムなどによる接続を行ってもよい。

本実施形態の他の態様として、図２１に示すように、第１の接続パッド４０１と第２の接続パッド４０２とを連結した第３の接続パッド４０５をＩＣ基板４０に形成してもよい。

このような構成を採用することにより、各超音波振動素子１６と各ＩＣ４５との導通にあたり、第２の接続パッド４０２のみならず、第１の接続パッド４０１を利用できるため、接続パッドとしての面積が大きくなり、信号リードパッド２２（第２の中継パッド３２）との電気的な接続不良を低減することができる。

（第５の実施形態）
次に、本発明に係る超音波プローブの第５の実施形態について図面を参照して説明する。

本実施形態は、前述の第４の実施形態に対し、各第１の接続パッドに、接続方向を変換する接続部材を設置したことが特徴である。本実施形態の説明では、ＩＣ基板４０の構成を中心に説明し、第１の実施形態〜第４の実施形態と重複する部分についての説明は省略する。

図２２に示すように、本実施形態のＩＣ基板４０には、各ＩＣ４５から引き出された信号線の端部電極として、ＩＣ基板４０の表面（例えば、ＩＣ４５が搭載される面）及び／又は裏面に前述の接続部材４０３が設置された第１の接続パッド４０１が形成されると共に、ＩＣ基板４０の端面に第２の接続パッド４０２が形成されている。なお、当図では、ＩＣ基板４０の端部のみを示し、他の部分は省略してある。

すなわち、本実施形態では、前述の第２の実施形態と同様に、ＩＣ基板４０の表面及び／又は裏面に接続面が形成された第１の接続パッド４０１に接続部材４０３が鑞付けされており、ＩＣ基板４０の端面に形成された第２の接続パッド４０２と共に、ＩＣ基板４０の接続面を超音波トランスデューサ１０の方向に対向させているのである。

従って、超音波トランスデューサ１０と各ＩＣ基板４０との接続の際には、図２３に示すように、各ＩＣ基板４０の端面に形成された第１の接続パッド４０１及び第２の接続パッド４０２と、バッキング材２０の信号リードパッド２３又は中継基板３０の第２の中継パッドとの位置が合うように各ＩＣ基板４０の間隔を決定して接続固定される。

このような構成をなすことにより、信号リードパッド２２（第２の中継パッド３２）に接続されるＩＣ基板４０側の接続端子としての、接続部材４０３及び第２の接続パッド４０２のそれぞれの接続面が超音波トランスデューサ１０側に対向しているので、１つのＩＣ基板４０が有する接続電極の数が増し、信号リードパッド２２（第２の中継パッド３２）の配列に応じてＩＣ基板４０の厚さを薄くできるので、結果として、超音波プローブの小型化を実現することができる。

本実施形態では、図２４に示すように、各ＩＣ基板４０間に（一のＩＣ基板４０の裏面と他のＩＣ基板４０の表面とを連結するように）樹脂スペーサ４０４を充填（封止）してもよい。このとき、接続部材４０３の接続面は、ＩＣ基板４０の端面とほぼ面一となって超音波トランスデューサ１０の方向に露出するように樹脂スペーサ４０４が充填される。

なお、本実施形態の望ましい態様として、図２５に示すように、樹脂スペーサ４０４を各ＩＣ基板４０間に予め充填しておいて、樹脂スペーサ４０４で各ＩＣ基板４０が並列に封止されたＩＣ基板ユニット４００とし、このＩＣ基板ユニット４００とバッキング材２０（中継基板３０）とを接続して、ＩＣ基板ユニット４００を構成する各ＩＣ基板４０に設けられた第１の接続パッド４０１及び第２の接続パッド４０２と、バッキング材２０（中継基板３０）の信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）との導通をなすことが、超音波プローブの組み立て効率の面でも好適である。

なお、本実施形態では、超音波トランスデューサ１０側の電極（信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２）と、第１の接続パッド４０１（接続部材４０３）及び第２の接続パッド４０２との接続面が対向しているので、バッキング材２０又は中継基板３０に溝部を必ずしも形成する必要はない。

仮に、本実施形態において、第１の接続パッド４０１及び第２の接続パッド４０２とバッキング材２０（又は中継基板３０）に形成された信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）との導通をなすために、バッキング材２０（又は中継基板３０）に溝部１００を形成する場合には、その溝部１００は、各ＩＣ基板４０の、超音波トランスデューサ１０側の断面形状に応じた形状にすればよい。このように溝部１００をバッキング材２０又は中継基板３０に形成することにより、各溝部１００に各ＩＣ基板４０が嵌入するように固定されるので、バッキング材２０又は中継基板３０と各ＩＣ基板４０との電気的な接続が強固に行われる。

上述の各実施形態は、本発明の一例であり、本発明は各実施の形態に限定されることはない。また、この他であっても、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。

１０超音波トランスデューサ
１２音響整合層
１４アース電極
１６超音波振動素子
１８信号電極
２０バッキング材
２２信号リード
２３信号リードパッド
３０中継基板
３１第１の中継パッド
３２第２の中継パッド
４０ＩＣ基板
４００ＩＣ基板ユニット
４０１第１の接続パッド
４０２第２の接続パッド
４０３接続部材
４０４樹脂スペーサ
４０５第３の接続パッド
４５集積回路（ＩＣ）
５０ケーブル接続基板
６２コネクタ
１００溝部

Claims

マトリックス状に配列された複数の超音波振動素子と、
係る超音波振動素子からの電気信号を伝達するために前記超音波振動素子の各々から突出させて設けられた複数の信号リードを挿入して前記超音波振動素子を制動するバッキング材と、
前記電気信号を処理する集積回路を搭載し、係る集積回路から引き出された信号線の端部として、前記信号リードに接続される接続パッドを具備するＩＣ基板と
を有する超音波プローブであって、
前記接続パッドが前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられた第１の接続パッドであり、前記第１の接続パッドの接続面を前記信号リードの端部としての信号リードパッドに対向する方向に変換する端面を有する接続部材が前記第１の接続パッドの接続面に設けられたことを特徴とする超音波プローブ。
前記信号リードパッドに対向する前記ＩＣ基板の端面に第２の接続パッドが設けられたことを特徴とする請求項１に記載の超音波プローブ。
前記バッキング材には、前記第１の接続パッド及び／又は第２の接続パッドが当接する当接面を有する溝部が形成され、係る溝部の前記当接面に前記信号リードパッドが形成され、前記ＩＣ基板の端面が前記溝部に嵌入することによって前記信号リードパッドと前記第１の接続パッド及び／又は第２の接続パッドとの導通がなされることを特徴とする請求項２に記載の超音波プローブ。
マトリックス状に配列された複数の超音波振動素子と、
係る超音波振動素子からの電気信号を伝達するために前記超音波振動素子の各々から突出させて設けられた複数の信号リードを挿入して前記超音波振動素子を制動するバッキング材と、
平板形状をなし、前記信号リードに導通する第１の中継パッドが前記バッキング材に対向する面に形成されると共に、前記第１の中継パッドに導通する第２の中継パッドが前記バッキング材に対向する面の反対側の面に形成された中継基板と、
前記電気信号を処理する集積回路を搭載し、前記第２の中継パッドに接続される接続パッドを具備するＩＣ基板と
を有する超音波プローブであって、
前記接続パッドが前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられた第１の接続パッドであり、前記第１の接続パッドの接続面を前記第２の中継パッドに対向する方向に変換する端面を有する接続部材が前記第１の接続パッドの接続面に設けられたことを特徴とする超音波プローブ。
前記第２の中継パッドに対向する前記ＩＣ基板の端面に第２の接続パッドが設けられたことを特徴とする請求項４に記載の超音波プローブ。
前記中継基板には、前記第１の接続パッド及び／又は第２の接続パッドが当接する当接面を有する溝部が形成され、係る溝部の前記当接面に前記第２の中継パッドが形成され、前記ＩＣ基板の端面が前記溝部に嵌入することによって前記第２の中継パッドと前記第１の接続パッド及び／又は第２の接続パッドとの導通がなされることを特徴とする請求項５に記載の超音波プローブ。
前記第１の接続パッドと前記第２の接続パッドとが連結されたことを特徴とする請求項２，３，５又は６に記載の超音波プローブ。
前記接続面が露出するように、複数の前記ＩＣ基板間に樹脂を充填したことを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の超音波プローブ。