JP5230384B2 - 表示装置および電子機器 - Google Patents
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Description
そして、この薄膜トランジスタ上の段差を軽減するために、アレイ基板2上の薄膜トランジスタ22と透明電極21との間には有機膜からなる平坦化膜23が形成されている。
平坦化膜32の液晶層4と面する側に液晶に電圧を印加するための透明電極33が形成されている。
そして、この2つのアレイ基板2と対向基板3を固定し、液晶を封入するために、画素PXLが形成されている画素領域PXLAを取り囲むように封止領域5が形成されている。
そして、これらの構造物により、液晶層4に最も近い基板の各表面に段差が発生することにより、面内の液晶の基板間距離の変化により、画素間および/又は画素の一部の液晶光学特性のズレが生じ、その結果、コントラスト等の画品位が低下する。
これらを防ぐために、前記配線など段差の平坦化等を目的とした有機膜による平坦化膜が基板側に形成されている。
また、有機膜は液晶表示装置の2枚の基板を固定液晶および表示装置に閉じ込めておくための封止領域から外まで有機膜を伸ばすことにより液晶表示装置の光学特性の面内均一性を向上が図れる。
この場合、一般的にドライエッチングにはICP、PE、CDEなどの装置を、エッチングガスはフッ素系ガスを用いる。
図2(A)は平面図を、図2(B)〜(D)は図2(A)のa−a線の断面におけるドライエッチング処理を含む工程図を示している。
図2(A)〜(D)において、2Aはアレイ基板を、21Aが透明電極(画素電極)を、23Aが有機平坦化膜を、24が対向電極(コモン電極)を、25が絶縁膜(被ドライエッチング膜)をそれぞれ示している。
スパッタリングでは基板がプラズマに直接さらされるため、電荷を帯びたイオンおよび電子が膜を衝撃し、電極膜は帯電する。
図2(C)においてb部は絶縁されており、a部はプラズマから得た電荷が逃げる構造となっている場合、a部とb部には電位差が生じる。
成膜がさらに進み、図2(D)に示すような状態になると、a部とb部が接触し、b部にたまった電荷がa部へ逃げるように放電が生じる。この際、図2(D)のc部では放電に沿って膜が融解する。
しかし、この方法ではレイアウト上の無駄が増えてデバイス面積が増加してしまうという不利的がある。
図3は、本発明の第1の実施形態に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置の構成を示す簡略断面図である。図4は、第1の実施形態に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置の構成を示す平面図である。図5は、図4のa−a線における簡略断面図である。
そして、本実施形態に係る液晶表示装置10は、広い視野角を確保するためにFFS(Fringe Field Switching)構造を有する液晶表示装置として構成されている。
ここでは、本発明に係る基体がアレイ基板11として構成されているが、ドライエッチングによりエッチングされ難いドライエッチング耐性の高い、たとえば溝の底部はシリコン、インジウム、スズ、亜鉛、チタン、アルミニウム、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、銀のいずれかの元素を含む膜、もしくは基板で形成される。
そして、この薄膜トランジスタ112上の段差を軽減するために、アレイ基板11上の薄膜トランジスタ112と透明電極111との間には第1の有機膜からなる有機平坦化膜113が形成されている。
具体的には、アレイ基板11側において、第1の有機膜からなる有機平坦化膜113上に対向電極114が形成され、この対向電極114上に被ドライエッチング膜としての画素絶縁膜115が形成され、この画素絶縁膜115上の液晶層13との界面側に画素電極(透過型の場合、透明電極)111が形成されている。
そして、この2つのアレイ基板11と対向基板12を固定し、液晶を封入するために、画素PXLが形成されている画素領域PXLA10を取り囲むように所定のシール材による封止領域14が形成されている。
本第1の実施形態においては、有機膜除去領域1131は、図4に示すように、画素領域PXLA10の全外周を取り囲むように連続的に形成されている。
この露出した溝の底部は、上述したように、ドライエッチングによりエッチングされ難いドライエッチング耐性の高い、たとえばシリコン、インジウム、スズ、亜鉛、チタン、アルミニウム、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、銀のいずれかの元素を含む膜、もしくは基板で形成される。
そして、被ドライエッチング膜としての画素絶縁膜115は、有機膜除去領域(溝)1131内で終端されている。
したがって、本実施形態の液晶表示装置によれば、被ドライエッチング膜である画素絶縁膜115の上に電極膜を形成しても有機平坦化膜113の逆テーパ部において電極膜が非連続な状態にならず、放電による欠陥発生を防ぐことができる。
本実施形態の構成を採用することで、画像領域(表示エリア)外側の額縁部面積を縮小し、電子デバイスの小型・軽量化が可能となる。
図6は、本発明の第2の実施形態に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置の構成を示す簡略断面図である。図7は、第2の実施形態に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置の構成を示す平面図である。図8は、図7のa−a線における簡略断面図である。
図9は、本発明の第3の実施形態に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置の構成を示す平面図である。図10は、図9のa−a線における簡略断面図である。
換言すれば、保護膜116Bは、対向電極114と同層であるが、対向電極114と切断されて所定間隔をおいて形成されている。
図11は、本発明の第4の実施形態に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置の構成を示す平面図である。図12(A),(B)は図11の簡略断面図であって、図12(A)は図11のa−a線における簡略断面図であり、図12(B)は図11のb−b線における簡略断面図である。
また、スパッタリングで形成された電極膜が良好なコンタクトを保ち放電を防ぐためには、画素領域に外周に沿う有機膜除去領域(溝)1131の長さの合計は、画素領域(表示エリア)外周の長さの1/3以上を占めている必要がある。
図13は、本発明の第5の実施形態に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置の構成を示す平面図である。図14は、図13のa−a線における簡略断面図である。
また放電による不良発生を防ぐため、放電発生箇所から有効表示エリアまで十分に距離を取る必要がなく、画素領域(表示エリア)外側の額縁部面積を縮小し、電子デバイスの小型・軽量化が可能となる。
また、本発明は、液晶表示装置に限らず、有機ELディスプレイ等にも適用可能である。
たとえば絶縁性の基板11上に、液晶、薄膜トランジスタ等からなる画素をマトリックス状に集積形成した画素アレイ部を設け、この画素アレイ部(画素マトリックス部)を囲むように接着剤を配し、ガラス等の対向基板を貼り付けて表示モジュールとする。
この透明な対向基板12には必要に応じて、前述した各実施形態のように、カラーフィルタ、保護膜、遮光膜等を設けられる。表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するためのコネクタCNTとしてたとえばFPC(フレキシブルプリントサーキット)を設けてもよい。
以下に、本実施形態が適用される電子機器の一例について説明する。
本適用例に係るテレビジョン200は、フロントパネル220やフィルタガラス230等から構成される映像表示画面部210を含み、その映像表示画面部210として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。
本適用例に係るデジタルカメラ200Aは、フラッシュ用の発光部211、表示部212、メニュースイッチ213、シャッターボタン214等を含み、その表示部212として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。
本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータ200Bは、本体221に、文字等を入力するとき操作されるキーボード222、画像を表示する表示部223等を含み、その表示部223として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。
本適用例に係るビデオカメラ200Cは、本体部231、前方を向いた面に被写体撮影用のレンズ232、撮影時のスタート/ストップスイッチ233、表示部234等を含み、その表示部234として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。
本適用例に係る携帯電話機200Dは、上側筐体241、下側筐体242、連結部(ここではヒンジ部)243、ディスプレイ244、サブディスプレイ245、ピクチャーライト246、カメラ247等を含み、そのディスプレイ244やサブディスプレイ245として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。
透明導電膜)、112・・・薄膜トランジスタ、113・・・有機膜からなる平坦化膜、
1131・・・有機膜除去領域(溝)、114・・・対向電極、115・・・画素絶縁膜(
被ドライエッチング膜)、116,116B・・・保護膜、12・・・対向基板、13・
・・液晶層、14・・・封止領域、200,200A〜200D・・・電子機器。
Claims (10)
- 画素がマトリクス状に配置された画素領域を有する基体と、
前記基体上に形成された有機膜からなる有機平坦化膜と、
前記有機平坦化膜の上層に成膜され、ドライエッチングにより形成される被ドライエッチング膜と、
前記被ドライエッチング膜上に形成される導電膜と、
を有し、
前記画素領域を取り囲むように配置された所定のシール材によって形成された封止領域の最外端より内側で、かつ、前記画素領域の外周端より外側にて、前記有機平坦化膜を除去した有機膜除去領域が形成され、
前記被ドライエッチング膜、または当該被ドライエッチング膜を成膜する前に形成された膜が、前記有機膜除去領域内において終端されている
表示装置。 - 前記有機膜除去領域は、
前記有機平坦化膜が、前記基体の主面に平行な面内の前記画素領域の外周端から前記封止領域の最外端までの領域内の一部の領域において、前記基体の主面に対して垂直方向のすべてが除去されている
請求項1記載の表示装置。 - 前記有機膜除去領域は、
前記画素領域を取り囲むように全周にわたって連続的に形成されている
請求項2記載の表示装置。 - 前記有機膜除去領域は、
前記画素領域の外周部において、分割して形成されている
請求項2記載の表示装置。 - 前記有機膜除去領域より外側の前記有機平坦化膜がすべて除去されている
請求項1記載の表示装置。 - 前記被ドライエッチング膜を成膜する前に形成した膜は、シリコン、インジウム、スズ、亜鉛、チタン、アルミニウム、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、銀のいずれかの元素を含む膜で形成される
請求項1記載の表示装置。 - 前記基体は、シリコン、インジウム、スズ、亜鉛、チタン、アルミニウム、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、銀のいずれかの元素を含む膜もしくは基板で形成される
請求項1記載の表示装置。 - 画素がマトリクス状に配置された画素領域を有する第1の基板と、
前記第1の基板と対向して配置される第2の基板と、
前記画素領域を取り囲むように前記第1の基板と前記第2の基板間に配置された所定のシール材によって形成された封止領域に液晶が封入されてなる液晶層と、
前記第1の基板上に形成された有機膜からなる有機平坦化膜と、
前記有機平坦化膜上に形成された対向電極と、
前記対向電極および前記有機平坦化膜の上層に成膜され、ドライエッチングにより形成される被ドライエッチング膜と、
前記被ドライエッチング膜上に形成される画素電極と、
を有し、
前記封止領域の最外端より内側で、かつ、前記画素領域の外周端より外側にて、前記有機平坦化膜を除去した有機膜除去領域が形成され、
前記被ドライエッチング膜、または当該被ドライエッチング膜を成膜する前に形成された膜が、前記有機膜除去領域内において終端されている
表示装置。 - 表示装置を有する電子機器であって、
前記表示装置は、
画素がマトリクス状に配置された画素領域を有する基体と、
前記基体上に形成された有機膜からなる有機平坦化膜と、
前記有機平坦化膜の上層に成膜され、ドライエッチングにより形成される被ドライエッチング膜と、
前記被ドライエッチング膜上に形成される導電膜と、
を有し、
前記画素領域を取り囲むように配置された所定のシール材によって形成された封止領域の最外端より内側で、かつ、前記画素領域の外周端より外側にて、前記有機平坦化膜を除去した有機膜除去領域が形成され、
前記被ドライエッチング膜、または当該被ドライエッチング膜を成膜する前に形成された膜が、前記有機膜除去領域内において終端されている
電子機器。 - 表示装置を有する電子機器であって、
前記表示装置は、
画素がマトリクス状に配置された画素領域を有する第1の基板と、
前記第1の基板と対向して配置される第2の基板と、
前記画素領域を取り囲むように前記第1の基板と前記第2の基板間に配置された所定のシール材によって形成された封止領域に液晶が封入されてなる液晶層と、
前記第1の基板上に形成された有機膜からなる有機平坦化膜と、
前記有機平坦化膜上に形成された対向電極と、
前記対向電極および前記有機平坦化膜の上層に成膜され、ドライエッチングにより形成される被ドライエッチング膜と、
前記被ドライエッチング膜上に形成される画素電極と、
を有し、
前記封止領域の最外端より内側で、かつ、前記画素領域の外周端より外側にて、前記有機平坦化膜を除去した有機膜除去領域が形成され、
前記被ドライエッチング膜、または当該被ドライエッチング膜を成膜する前に形成された膜が、前記有機膜除去領域内において終端されている
電子機器。
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