JP5263778B2 - 圧電振動子の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、圧電振動子の製造方法に関するものである。

近年、携帯電話や携帯情報端末機器には、時刻源や制御信号等のタイミング源、リファレンス信号源等として水晶等を利用した圧電振動子が用いられている。この種の圧電振動子は、様々なものが知られており、例えば音叉型の圧電振動片を有するものや、厚み滑り振動する圧電振動片を有するもの等が知られている。

具体的に、圧電振動子は、音叉型の圧電振動片と、プラグと、プラグとともに圧電振動片を気密封止するケースとを備えている。プラグは、圧電振動片が実装される一対のインナーリードと、インナーリードを保持するプラグ本体とを備えている。また、圧電振動片は、圧電材料からなる圧電板と、圧電板上に形成され、所定の駆動電圧が印加されたときに圧電板を振動させる一対の励振電極と、圧電板の基端側に形成され一対の励振電極にそれぞれ電気的に接続されたマウント電極と、を備えている。
なお、一対の励振電極及びマウント電極は、クロム等からなる下地金属層と金等からなる仕上金属層とが積層されることで形成された積層体である（例えば、特許文献１参照）。

上述した圧電振動片を製造するにあたっては、まず水晶からなるウエハを音叉形状にエッチングした後、その表面に励振電極やマウント電極となる下地金属層（クロム）と、仕上金属層（金）とを連続して成膜し、ウエハから個々の圧電振動片を切断する。その後、インナーリードとマウント電極とを金や高融点ハンダ等の接合材料を介して接合するようになっている。

特開２００８−９８７４７号公報

しかしながら、圧電振動片とインナーリードとを上述した接合材料により接合する場合、マウント電極との接合性が低下し、圧電振動片とインナーリードとを良好な状態で接合できないことがある。

具体的には、上述した圧電振動片では励振電極及びマウント電極を形成した後、様々な工程を経て完成に至るが、いくつかの工程において圧電振動片が加熱される。例えば、圧電振動片の先端側に周波数調整用の重り金属膜（例えば金、銀等）を形成したり、励振電極の短絡防止のための絶縁膜を形成したり、マスクパターンとなるフォトレジスト膜を形成したりするが、この際に圧電振動片が加熱される。このように、圧電振動片が加熱されることで、下地金属層のクロム（またはクロム酸化物）が仕上金属層の表面に析出するという問題がある。
また、絶縁膜を形成する際には、例えばメタルマスクを介してＣＶＤ法を行うことにより、所望の領域のみに絶縁膜を形成することが考えられる。しかしながら、絶縁膜の粒子がメタルマスクの開口部を通過し、メタルマスクで保護している領域、具体的にはマウント電極の形成領域まで回り込み、マウント電極の表面に付着する虞がある。

このように、マウント電極（仕上金属層）上にクロムが析出したり、絶縁膜の粒子が付着したりすることで、接合材料（例えば、高融点ハンダ）の濡れ性等が低下して、マウント電極とインナーリードとの接合性が低下するという問題がある。

そこで、本発明は、上述した問題に鑑みてなされたものであり、仕上金属層の表面を良好な状態に保つことで、圧電振動片とパッケージとの接合性を向上させることができる圧電振動子の製造方法を提供するものである。

上述した課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。
本発明に係る圧電振動子の製造方法は、圧電振動片における実装領域及び振動領域の表面に、クロムからなる下地金属層及び金からなる仕上金属層を積層した積層体を形成する工程と、前記振動領域を被覆するように酸化珪素からなる絶縁膜を形成する工程と、高融点ハンダまたは金からなる接合材料を介して前記圧電振動片をパッケージに実装する工程とを有し、前記圧電振動片を前記パッケージに実装する工程の前に、水酸化カリウム水溶液または弗化水素水溶液からなる第１処理液を用いて前記圧電振動片の表面を処理する第１処理工程と、フェリシアン化カリウム及び水酸化カリウムの水溶液からなる第２処理液を用いて前記圧電振動片の表面を処理する第２処理工程とを有することを特徴としている。

この構成によれば、圧電振動片をパッケージに実装する前に第１処理工程を行うことで、主として実装領域に付着した絶縁膜の粒子を除去することができる。さらに、第２処理工程を行うことで、主として実装領域の表面に析出したクロムを除去することができる。これにより、パッケージが実装される実装領域の表面（仕上金属層）を、クロムの析出や絶縁膜の粒子の付着がない良好な状態に保つことができる。
このように、絶縁膜形成時等には圧電振動片が加熱されてクロムが析出したり、絶縁膜の粒子が実装領域上に回り込んだりするが、本発明の構成によれば、絶縁膜形成後の各処理工程において、実装領域の仕上金属層上に析出したクロムや絶縁膜の粒子を除去することができ、実装領域の表面を良好な層に維持することができる。
したがって、パッケージと圧電振動片との接合に高融点ハンダや金からなる接合材料を用いた場合であっても、実装領域上に接合材料が良好に濡れ広がるので、パッケージと圧電振動片との接合性を向上させ、両者を確実に接合させることができる。

また、前記絶縁膜を形成する工程の前に、前記振動領域の前記仕上金属層を除去する工程を有することを特徴としている。
この構成によれば、仕上金属層（金）を除去した後に下地金属層上に絶縁膜を形成することで、絶縁膜の密着性を向上させることができ、振動領域における電極間の短絡をより確実に防ぐことができる。
ところで、仕上金属層を除去する際に、振動領域の側面等に付着した仕上金属層は除去されずに僅かながら残存する場合がある。仕上金属層が残存した箇所に絶縁膜を形成しようとすると、絶縁膜との密着性を確保することができず、圧電振動片の完成後に剥離等が生じる虞がある。しかしながら、本発明の構成によれば、第２処理工程において、仕上金属層が残存している箇所が存在している場合に、第２処理液が絶縁膜と仕上金属層との間に入り込んだりして、振動領域の側面等、仕上金属層が残存している箇所に形成された絶縁膜を、製品となる前に予め除去しておくことができる。

また、前記第２処理液は、フェリシアン化カリウムの濃度が１重量％以上１０重量％以下であり、水酸化カリウムの濃度が１重量％以上１０重量％以下であることを特徴としている。
フェリシアン化カリウム水溶液または水酸化カリウム水溶液の濃度が１０重量％より高いと、所望の積層体として形成されたクロムまで除去してしまい、圧電振動片の特性が変動する虞があるため好ましくない。一方、濃度が１重量％よりも低いと、実装領域の表面（仕上金属層）に析出したクロムを効果的に除去することができない虞があるため好ましくない。
これに対して、本発明の構成によれば、フェリシアン化カリウム水溶液及び水酸化カリウム水溶液の濃度を、それぞれ１重量％以上１０重量％以下の範囲に設定することで、圧電振動片の特性に影響を与えずに、実装領域の表面に析出したクロムを効果的に除去することができる。

本発明に係る圧電振動子の製造方法によれば、実装領域上に接合材料が良好に濡れ広がるので、パッケージと圧電振動片との接合性を向上させ、両者を確実に接合させることができる。

本発明に係る一実施形態の圧電振動子のケースの中身を見た図であって、圧電振動片を平面視した状態の図である。 図１に示す圧電振動片を上面から見た平面図である。 図１に示す圧電振動片を下面から見た平面図である。 図１に示す圧電振動片の斜視図である。 図２のＡ−Ａ線に沿う断面図である。 図１のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。 図２のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。 図１に示す圧電振動子を製造する際のフローチャートである。 図８に示すフローチャートの続きである。 圧電振動子の製造方法を示す工程図であって、図２のＣ−Ｃ線に相当する断面図である。 圧電振動子の製造方法を示す工程図であって、図２のＣ−Ｃ線に相当する断面図である。 圧電振動子の製造方法を示す工程図であって、図２のＣ−Ｃ線に相当する断面図である。 圧電振動子の製造方法を示す工程図であって、図２のＣ−Ｃ線に相当する断面図である。 圧電振動子の製造方法を示す工程図であって、図２のＣ−Ｃ線に相当する断面図である。 圧電振動子の製造方法を示す工程図であって、図２のＣ−Ｃ線に相当する断面図である。 圧電振動子の製造方法を示す工程図であって、図２のＣ−Ｃ線に相当する断面図である。 圧電振動子の製造方法を示す工程図であって、図２のＣ−Ｃ線に相当する断面図である。 本発明に係る発振器の一実施形態を示す構成図である。 本発明に係る電子機器の一実施形態を示す構成図である。 本発明に係る電波時計の一実施形態を示す構成図である。 本発明に係る表面実装型の圧電振動子を示す断面図である。

次に、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
（圧電振動子）
図１は、本実施形態に係る圧電振動子の斜視図である。図１に示すように、圧電振動子１は、シリンダパッケージタイプの圧電振動子であって、音叉型の圧電振動片２と、圧電振動片２がマウントされたプラグ４と、プラグ４とともに圧電振動片２を気密封止するケース３とを備えている。

図２は圧電振動片の上面から見た平面図であり、図３は下面から見た平面図である。また、図４は圧電振動片の斜視図であり、図５は図２のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
図２，３に示すように、圧電振動片２は、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。
この圧電振動片２は、平行に配置された一対の振動腕部（振動領域）８，９と、これら一対の振動腕部８，９の基端側を一体的に固定する基部（実装領域）１０と、を有する圧電板１１と、一対の振動腕部８，９の外表面上に形成されて一対の振動腕部８，９を振動させる第１の励振電極１２と第２の励振電極１３とからなる励振電極１４と、第１の励振電極１２及び第２の励振電極１３に電気的に接続されたマウント電極１５，１６とを有している。
また、本実施形態の圧電振動片２は、一対の振動腕部８，９の両主面上に、振動腕部８，９の基端部から先端部に向かって一定長さＬ形成された溝部１７を備えている。この溝部１７は、図４に示すように、振動腕部８，９の基端部から略中間付近まで形成されている。なお、一対の振動腕部８，９の腕幅は共通であり、それぞれＷとする。また、基部１０において一対の振動腕部８，９の基端部と連結されている部分を股部１０ａとする。

図２，３，５に示すように、第１の励振電極１２と第２の励振電極１３とからなる励振電極１４は、一対の振動腕部８，９を互いに接近又は離間する方向に所定の共振周波数で振動させる電極であり、一対の振動腕部８，９の外表面に、それぞれ電気的に切り離された状態でパターニングされて形成されている。具体的には、第１の励振電極１２が、一方の振動腕部８の溝部１７上と、他方の振動腕部９の両側面上とに主に形成され、第２の励振電極１３が、一方の振動腕部８の両側面上と他方の振動腕部９の溝部１７上とに主に形成されている。

また、図２，３に示すように、第１の励振電極１２及び第２の励振電極１３は、基部１０の両主面上において連続的に形成されており、それぞれ引き出し電極１９，２０を介してマウント電極１５，１６に電気的に接続されている。このマウント電極１５，１６は、圧電板１１の基端側に形成されている。すなわち、励振電極１４、マウント電極１５，１６及び引き出し電極１９，２０は、所定の電圧が印加されたときに一対の振動腕部８，９を振動させる電極層（積層体）１８として機能している。

図６は図１のＢ−Ｂ線に沿う断面図であり、図７は図２のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
図６，７に示すように、電極層１８は、基部１０の両主面上に形成されたクロム（Ｃｒ）からなる下地金属層１８ａと、金（Ａｕ）からなる仕上金属層１８ｂとが順次積層されて構成されている。
下地金属層１８ａは、仕上金属層１８ｂと圧電振動片２との密着性を向上させるためのものであり、マウント電極１５，１６から引き出し電極１９，２０、励振電極１４に亘って連続的に形成されている。

また、仕上金属層１８ｂは、図４，５，７に示すように、少なくとも振動腕部８，９の基端部から先端部に至る領域で、仕上金属層１８ｂの一部或いは全部が除去されている。より詳しくは、振動腕部８，９の基端部より先端部側では、基端部から一定長さＬ以上離間した位置まで（図４に示す領域ＲＡ）、仕上金属層１８ｂの全部が除去されている。さらに、振動腕部８，９の基端部より基部１０側には、基端部から基部１０に向かって振動腕部８，９の腕幅Ｗの２倍離間した位置に至るまで（図４に示す領域ＲＢ）、仕上金属層１８ｂの全部が除去されている。

すなわち、電極層１８は、振動腕部８，９の溝部１７が形成されている領域を含む領域ＲＡ及び領域ＲＢで、溝部１７内を含めて全面的に下地金属層１８ａだけが形成されている。そして、領域ＲＡ及び領域ＲＢには、下地金属層１８ａを覆うように酸化珪素（ＳｉＯ_２）等からなる絶縁膜３４（図７参照）が被覆されている。これにより、振動腕部８，９の励振電極１２，１３間に導電性粒子が付着した場合でも、電極間の短絡を防止することができる。そして、本実施形態のように励振電極１２，１３の形成領域である領域ＲＡ，ＲＢにおいて、仕上金属層１８ｂを除去した状態で下地金属層１８ａ上に絶縁膜３４を形成することで、絶縁膜３４の密着性を向上させて励振電極１２，１３の短絡をより防ぐことができる。なお、以下の説明では、領域ＲＡ及び領域ＲＢを合わせた領域を単層領域Ｒとして説明する。

一方、圧電板１１における単層領域Ｒよりも基端側に形成された引き出し電極１９，２０及びマウント電極１５，１６は、上述したように下地金属層１８ａ及び仕上金属層１８ｂが積層された状態となっている。そして、これら下地金属層１８ａ及び仕上金属層１８ｂが積層されている領域を積層領域Ｐとして説明する。

また、一対の振動腕部８，９の先端には、自身の振動状態を所定の周波数の範囲内で振動するように調整（周波数調整）を行うための重り金属膜２１が被膜されている。この重り金属膜２１は、周波数を粗く調整する際に使用される粗調膜２１ａと、微小に調整する際に使用される微調膜２１ｂとに分かれている。これら粗調膜２１ａ及び微調膜２１ｂを利用して周波数調整を行うことで、一対の振動腕部８，９の周波数をデバイスの公称周波数の範囲内に収めることができる。

重り金属膜２１のうち、振動腕部８，９の先端側に形成された粗調膜２１ａは、電極層１８と同様に下地金属層１８ａ及び仕上金属層１８ｂが順次積層され、仕上金属層１８ｂ上にさらに金（Ａｕ）または銀（Ａｇ）等からなる上層金属層（不図示）が積層されて構成されている。これに対して、粗調膜２１ａよりも基端側に形成された微調膜２１ｂは、電極層１８と同様に下地金属層１８ａ、仕上金属層１８ｂが順次積層されて構成されている。すなわち、重り金属膜２１を構成する下地金属層１８ａ及び仕上金属層１８ｂは、上述した電極層１８と同時に積層される。

ケース３は、図１に示すように、有底円筒状に形成されており、圧電振動片２を内部に収納した状態でプラグ４の後述するステム３０の外周に対して圧入されて、嵌合固定されている。なお、このケース３の圧入は、真空雰囲気下で行われており、ケース３内の圧電振動片２を囲む空間が真空に保たれた状態となっている。

プラグ４は、ケース３を密閉させるステム３０と、このステム３０を貫通するように平行配置され、ステム３０を間に挟んで一端側が圧電振動片２をマウント（機械的に接合及び電気的に接続）するインナーリード３１ａとされ、他端側が外部に電気的に接続されるアウターリード３１ｂとされた２本のリード端子３１と、ステム３０の内側に充填されてステム３０とリード端子３１とを固定させる絶縁性の充填材３２とを有している。
ステム３０は、金属材料で環状に形成されたものである。また、充填材３２の材料としては、例えばホウ珪酸ガラスである。また、リード端子３１の表面及びステム３０の外周には、それぞれ同材料の後述するめっき層３５が施されている。

２本のリード端子３１は、ケース３内に突出している部分がインナーリード３１ａとなり、ケース３外に突出している部分がアウターリード３１ｂとなっている。リード端子３１は、その直径が例えば約０．１２ｍｍであり、リード端子３１の母材の材質としては、コバール（ＦｅＮｉＣｏ合金）が慣用されている。また、図６に示すように、リード端子３１の外表面及びステム３０の外周には、めっき層３５が被覆されている。被膜させるめっきの材質としては、下地膜３５ａに銅（Ｃｕ）めっき等が用いられ、仕上膜３５ｂに融点が例えば３００度程度の高融点ハンダめっき（錫と鉛の合金で、その重量比が１：９）が用いられる。
また、ステム３０の外周に被膜されためっき層３５を介在させながらケース３の内周に真空中で冷間圧接させることにより、ケース３の内部を真空状態で気密封止できるようになっている。

そして、インナーリード３１ａとマウント電極１５，１６とは、仕上膜（高融点ハンダめっき）３５ｂを溶解させて形成された接合部Ｅを介して仕上金属層１８ｂ上にマウントされている。すなわち、接合部Ｅを介してインナーリード３１ａとマウント電極１５，１６とが機械的に接合されていると同時に、電気的に接続されている。その結果、圧電振動片２は、２本のリード端子３１にマウントされた状態となっている。

なお、上述した２本のリード端子３１は、一端側（アウターリード３１ｂ側）が外部に電気的に接続され、他端側（インナーリード３１ａ側）が圧電振動片２に対してマウントされる外部接続端子として機能する。

このように構成された圧電振動子１を作動させる場合には、２本のリード端子３１のアウターリード３１ｂに対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、インナーリード３１ａ、接合部Ｅ、マウント電極１５，１６及び引き出し電極１９，２０を介して、第１の励振電極１２及び第２の励振電極１３からなる励振電極１４に電流を流すことができ、一対の振動腕部８，９を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部８，９の振動を利用して、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源等として利用することができる。

（圧電振動子の製造方法）
次に、上述した圧電振動子の製造方法について説明する。図８，９は、圧電振動子の製造方法を示すフローチャートである。
まず、図８に示すように、水晶のランバート原石を所定の角度でスライスして一定の厚みのウエハＳとする。続いて、このウエハＳ（図１０参照）をラッピングして粗加工した後、加工変質層をエッチングで取り除き、その後ポリッシュ等の鏡面研磨加工を行って、所定の厚みのウエハＳとする（Ｓ１０）。

次に、研磨後のウエハＳを複数の圧電振動片２の外形形状を形成する外形形成工程を行う（Ｓ２０）。具体的には、圧電振動片２の外形形状にパターニングされたウエハ用マスク（不図示）をマスクとしてエッチング加工を行なうことで、ウエハ用マスクでマスクされていない領域を選択的に除去して、圧電振動片２の外形形状を形作ることができる。なお、圧電振動片２は、後に行う切断工程を行うまで、図示しない連結部を介してウエハＳに連結された状態となっている。
続いて、本実施形態では、後述する電極層形成工程を行う前に一対の振動腕部８，９に溝部１７を形成する溝部形成工程を行う（Ｓ３０）。これにより、ウエハＳ上に上述した圧電振動片２が複数連結された状態となる。

ここで、複数の圧電板１１の外表面上に下地金属層１８ａ及び仕上金属層１８ｂを積層して、電極層１８（励振電極１４、引き出し電極１９，２０及びマウント電極１５、１６）及び重り金属膜２１を形成する電極層形成工程を行う（Ｓ４０）。

図１０〜１７は、圧電振動子の製造方法を示す工程図であって、図２のＣ−Ｃ線に相当する断面図である。
始めに、図１０に示すように、圧電板１１上に下地金属層１８ａ及び仕上金属層１８ｂを、蒸着やスパッタリング等により順次成膜する（Ｓ４１）。

次に、図１１に示すように、スプレーコート等によりフォトレジスト膜４１を成膜した後、フォトリソ技術でパターニングする（Ｓ４２）。この際、電極層１８を残しておきたい部分、すなわちマウント電極１５，１６、励振電極１２，１３、引き出し電極１９，２０及び重り金属膜２１の形成領域が、フォトレジスト膜４１によって被膜されるようにパターニングする。そして、残ったフォトレジスト膜４１をマスクとして、図１２に示すように、電極層１８をエッチング加工するエッチング工程を行う（Ｓ４３）。これにより、下地金属層１８ａ及び仕上金属層１８ｂが積層された電極層１８が形成される。その後フォトレジスト膜４１を除去する。

続いて、単層領域Ｒ（図４参照）に存在する電極層１８の仕上金属層１８ｂの除去を行う。具体的には、仕上金属層１８ｂを除去するために、図１３に示すように、スプレーコート等によりフォトレジスト膜４２を成膜した後、フォトリソ技術を用いて、フォトレジスト膜４２をパターニングする（Ｓ４４）。この際、少なくとも仕上金属層１８ｂを残しておきたい部分、すなわち積層領域Ｐ及び重り金属膜２１の形成領域を覆うようにパターニングする。つまり、単層領域Ｒに形成されたフォトレジスト膜４２を除去する。そして、そのフォトレジスト膜４２をマスクとしてエッチングする（Ｓ４５）。これにより、単層領域Ｒに存在する電極層１８において、仕上金属層１８ｂを除去することができる。その後、図１４に示すように、フォトレジスト膜４２を除去する。
以上の工程を実施することで、電極層形成工程が終了する。

その後、図１５に示すように、仕上金属層１８ｂが除去された単層領域Ｒにおいて、下地金属層１８ａ上にＳｉＯ_２等の無機絶縁材料からなる絶縁膜３４を、図示しないメタルマスク等を介してＣＶＤ法等を行うことにより形成する（Ｓ４６）。すると、単層領域Ｒの下地金属層１８ａを覆うように絶縁膜３４が形成される。

また、上述した電極層形成工程が終了した後、一対の振動腕部８，９の先端に周波数調整用の重り金属膜２１のうち、粗調膜２１ａの形成領域における仕上金属層１８ｂ上に例えば、銀や金等からなる上層金属層を、蒸着やスパッタリング等を用いて被膜させる（Ｓ５１）。そして、水晶ウエハに形成された全ての振動腕部８，９に対して、共振周波数を粗く調整する粗調工程を行う。これは、重り金属膜２１の粗調膜２１ａにレーザー光を照射して、一対の振動腕部８，９の先端にかかる重量を軽減させることで、周波数を粗く調整する工程である。

ところで、図１５に示すように、圧電振動片２の製造工程においては、電極層１８を形成した後に上述した重り金属膜２１の上層金属層や、絶縁膜３４、フォトレジスト膜４１，４２を形成したりするが、この際に圧電振動片２が加熱される。圧電振動片２が加熱されることで、マウント電極１５，１６（積層領域Ｐ）の下地金属層１８ａのクロム（またはクロム酸化物）が仕上金属層１８ｂの表面に析出されるという問題がある。なお、以下の説明では、仕上金属層１８ｂ上に析出したクロムを析出クロム５０とする。また、図１５，１６では、説明を分かり易くするために析出クロム５０を層状に図示している。
また、絶縁膜３４を形成する際に、絶縁膜３４の粒子がメタルマスクの開口部を通過し、メタルマスクで保護している領域（積層領域Ｐ）まで回り込んで、積層領域Ｐ上に付着するという問題がある。この場合、圧電板１１上に付着する絶縁膜３４の粒子は何ら問題にならないが、マウント電極１５，１６の仕上金属層１８ｂの表面に絶縁膜３４の粒子が付着すると、後述するマウント工程（Ｓ７４）において仕上膜３５ｂ（高融点ハンダ）の濡れ性が低下するという問題がある。なお、以下の説明では、積層領域Ｐ上に付着した絶縁膜３４の粒子を付着粒子５１とする。また、図１５では、説明を分かり易くするために付着粒子５１を層状に図示している。

ここで、本実施形態では、上述した析出クロム５０や付着粒子５１を除去するための処理工程（Ｓ５０）を行う。
具体的には、まず積層領域Ｐにおける付着粒子５１をウェットエッチングにより除去する（Ｓ４７：第１エッチング工程）。第１エッチング工程で使用する第１エッチャント（第１処理液）としては、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液や弗化水素（ＨＦ）水溶液等を用いることが可能であり、本実施形態ではＫＯＨ水溶液が好適に用いられている。そして、第１エッチャントが収容された第１エッチング槽内にウエハＳ全体を浸漬させる。
なお、第１エッチング工程における具体的な条件（ＫＯＨ水溶液の濃度、温度、エッチング時間）は、例えば以下の通りである。
濃度：約１０重量％
温度：約６０℃
エッチング時間：約３分
この条件でエッチングを行うことで、図１６に示すように、積層領域Ｐに付着した付着粒子５１を除去することができる。
その後、第１エッチング槽からウエハＳを取り出し、純水でウエハＳを洗浄する（Ｓ４８）。

次いで、主としてマウント電極１５，１６の仕上金属層１８ｂ上に析出した析出クロム５０を、ウェットエッチングにより除去する（Ｓ４９：第２エッチング工程）。第２エッチング工程で使用する第２エッチャント（第２処理液）としては、フェリシアン化カリウム（Ｋ_３［Ｆｅ（ＣＮ）_６］）及びＫＯＨの水溶液が好適に用いられている。そして、第２エッチャントが収容された第２エッチング槽内にウエハＳ全体を浸漬させる。
なお、第２エッチング工程における具体的な条件（Ｋ_３［Ｆｅ（ＣＮ）_６］及びＫＯＨの濃度、温度、エッチング時間）は、例えば以下の通りである。
Ｋ_３［Ｆｅ（ＣＮ）_６］の濃度：１重量％以上１０重量％以下（より好ましくは２％程度）
ＫＯＨの濃度：１重量％以上１０重量％以下（より好ましくは２重量％程度）
温度：常温（例えば、２５〜３０℃程度）
エッチング時間：約３０秒
この条件でエッチングを行うことで、図１７に示すように、積層領域Ｐ（特に、マウント電極１５，１６）の仕上金属層１８ｂ上に析出した析出クロム５０を除去することができる。なお、Ｋ_３［Ｆｅ（ＣＮ）_６］またはＫＯＨの濃度が１０重量％より高いと、所望の電極層１８として形成されたクロム（下地金属層１８ａ）まで除去してしまい、圧電振動片２の特性が変動する虞があるため好ましくない。一方、濃度が１重量％よりも低いと、マウント電極１５，１６の表面（仕上金属層１８ｂ）に析出した析出クロム５０を効果的に除去することができない虞があるため好ましくない。
これに対して、本発明の構成によれば、Ｋ_３［Ｆｅ（ＣＮ）_６］及びＫＯＨの濃度を、それぞれ１重量％以上１０重量％以下の範囲に設定することで、圧電振動片２の特性に影響を与えずに、マウント電極１５，１６の表面に析出した析出クロム５０を効果的に除去することができる。

なお、上述した電極層形成工程において、単層領域Ｒの仕上金属層１８ｂを除去する際、例えば、振動腕部８，９の側面に付着した仕上金属層１８ｂはエッチングされずに僅かながら残存する場合がある。仕上金属層１８ｂが残存した箇所に絶縁膜３４を形成しようとすると、絶縁膜３４との密着性を確保することができず、圧電振動片２の完成後に剥離等が生じる虞がある。しかしながら、本実施形態では、第２エッチング工程において、仕上金属層１８ｂが残存している箇所が存在している場合に、第２エッチャントが絶縁膜３４と仕上金属層１８ｂとの間に入り込んだりして、振動腕部８，９の側面等、仕上金属層１８ｂが残存している箇所に形成された絶縁膜３４を、製品となる前に予め除去しておくことができる。

次いで、ウエハＳと圧電振動片２とを連結していた連結部を切断して、複数の圧電振動片２をウエハＳから切り離して小片化する切断工程を行う（Ｓ５２）。これにより、ウエハＳから、電極層１８（励振電極１４、引き出し電極１９，２０及びマウント電極１５，１６）及び重り金属膜２１が形成された圧電振動片２を一度に複数製造することができる。

次いで、圧電振動片２をマウントする前に、共振周波数の粗調を行う（Ｓ５３）。これは、重り金属膜２１の粗調膜２１ａにレーザ光を照射して一部を蒸発させ、重量を変化させることで行う。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては後に行う。これについては、後に説明する。

次に、図９に示すように、プラグ４を作製する気密端子作製工程を行う（Ｓ６０）。
続いて、プラグ４のリード端子３１の外表面及びステム３０の外周に、同一材料のめっき層を湿式めっき法で被膜させるめっき工程を行う（Ｓ７１）。
このように、下地膜３５ａ及び仕上膜３５ｂからなるめっき層３５をリード端子３１に被膜することで、インナーリード３１ａと圧電振動片２との接続を可能にすることができる。また、圧電振動片２の接続だけでなく、ステム３０の外周に被膜されためっき層３５が柔らかく弾性変形する特性を有しているので、ステム３０とケース３との冷間圧接を可能にすることができ、気密接合を行うことができる。

そして、圧電振動片２のマウント電極１５，１６をインナーリード３１ａに接合するマウント工程を行う（Ｓ７４）。具体的には、インナーリード３１ａを３００度を超える温度で加熱しながら、インナーリード３１ａと圧電振動片２とを所定の圧力で重ね合わせる。これにより、インナーリード３１ａの仕上膜３５ｂである高融点ハンダめっきが溶解し、仕上金属層１８ｂ上に速やかに濡れ広がる。これにより、インナーリード３１ａとマウント電極１５，１６とを接続することができる。その結果、圧電振動片２をマウントすることができる。すなわち、圧電振動片２は、リード端子３１に機械的に支持されると共に、電気的に接続された状態となる。
なお、インナーリード３１ａとマウント電極１５，１６とを接続する際に、加熱・加圧を行ってマウントしたが、超音波を利用して接続を行っても構わない。

次に、封止工程を行う前に、上述したマウントによる歪みをなくすために、所定の温度でベーキングを行った後（Ｓ７５）、圧電振動片２の周波数調整（微調）を行う（Ｓ７６）。具体的には、圧電振動子１全体を真空チャンバーに入れた状態で、アウターリード３１ｂ間に電圧を印加して圧電振動片２を振動させる。そして、周波数を計測しながら、レーザーにより重り金属膜２１の微調膜２１ｂを蒸発させることで、周波数の調整を行う。
なお、上述した微調及び先に行った粗調の際に、レーザーの照射により重り金属膜２１を蒸発させることで、周波数調整を行ったが、レーザーではなくアルゴンイオンを利用しても構わない。この場合には、アルゴンイオンの照射によりスパッタリングを行い、重り金属膜２１を除去することで周波数調整を行う。

最後に、マウントされた圧電振動片２を内部に収納するようにケース３をステム３０に圧入し、圧電振動片２を気密封止するケース圧入工程を行う（Ｓ７７）。具体的には、真空中で所定の荷重を加えながらケース３をプラグ４のステム３０の外周に圧入する。すると、ステム３０の外周に形成された金属膜が弾性変形するので、冷間圧接により気密封止することができる。これにより、ケース３内に圧電振動片２を密閉して真空封止することができる。
なお、この工程を行う前に、圧電振動片２、ケース３及びプラグ４を十分に加熱して、表面吸着水分等を脱離させておくことが好ましい。

そして、ケース３の固定が終了した後、スクリーニングを行う（Ｓ７８）。このスクリーニングは、周波数や共振抵抗値の安定化を図ると共に、ケース３を圧入した嵌合部に圧縮応力に起因する金属ウイスカが発生してしまうことを抑制するために行うものである。
スクリーニング終了後、内部の電気特性検査を行う（Ｓ７９）。そして、最後に圧電振動子１の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。この結果、図１に示す圧電振動子１を製造することができる。

このように、本実施形態では、圧電振動片２のマウント電極１５，１６をインナーリード３１ａにマウントする前に、第１エッチャントを用いた第１エッチング工程と、第２エッチャントを用いた第２エッチング工程とを経て、圧電振動片２が形成される構成とした。
この構成によれば、マウント電極１５，１６をインナーリード３１ａにマウントする前に第１エッチング工程を行うことで、主として積層領域Ｐ（マウント電極１５，１６）に付着した付着粒子５１を除去することができる。さらに、第１エッチング工程に連続して第２エッチング工程を行うことで、主としてマウント電極１５，１６の表面に析出した析出クロム５０を除去することができる。これにより、インナーリード３１ａが実装されるマウント電極１５，１６の表面（仕上金属層１８ｂ）を、クロムの析出や絶縁膜３４の粒子の付着がない良好な状態に保つことができる。
このように、絶縁膜３４や重り金属膜２１等の形成時には圧電振動片２が加熱されてクロムが析出したり、絶縁膜３４の粒子がマウント電極１５，１６上に回り込んだりするが、本実施形態によれば、各エッチング工程において、マウント電極１５，１６の仕上金属層１８ｂ上に析出した析出クロム５０や付着粒子５１を除去することができる。
したがって、マウント工程において、仕上金属層１８ｂ上における高融点ハンダの濡れ性（仕上膜３５ｂ）の濡れ性を向上させることができる。すなわち、高融点ハンダめっきからなる仕上膜３５ｂを用いた場合であっても、マウント電極１５，１６上に高融点ハンダが良好に濡れ広がるので、インナーリード３１ａとマウント電極１５，１６との接合性を向上させ、両者を確実に接合させることができる。

さらに、励振電極１２，１３の表面に、絶縁膜３４が形成されているため、万が一励振電極１２，１３に導電性粒子が付着した場合でも、電極間の短絡を防止することができる。また、単層領域Ｒにおいて、仕上金属層１８ｂ（金）を除去した後に下地金属層１８ａ上に絶縁膜３４を形成することで、絶縁膜３４の密着性を向上させることができ、励振電極１２，１３間の短絡をより確実に防ぐことができる。
したがって、プラグ４と圧電振動片２との導通を確保でき、信頼性の高い圧電振動子１を提供することができる。

（発振器）
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図１８を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器１００は、図１８に示すように、圧電振動子１を、集積回路１０１に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器１００は、コンデンサ等の電子部品１０２が実装された基板１０３を備えている。基板１０３には、発振器用の上述した集積回路１０１が実装されており、この集積回路１０１の近傍に、圧電振動子１が実装されている。これら電子部品１０２、集積回路１０１及び圧電振動子１は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。

このように構成された発振器１００において、圧電振動子１に電圧を印加すると、この圧電振動子１内の圧電振動片２が振動する。この振動は、圧電振動片２が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１０１に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路１０１によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子１が発振子として機能する。
また、集積回路１０１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。

上述したように、本実施形態の発振器１００によれば、小型化及び高品質化された信頼性の高い圧電振動子１を備えているので、発振器１００自体も同様に小型化及び高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定した高精度な周波数信号を得ることができる。

（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図１９を参照して説明する。なお電子機器として、上述した圧電振動子１を有する携帯情報機器１１０を例にして説明する。始めに本実施形態の携帯情報機器１１０は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。

次に、本実施形態の携帯情報機器１１０の構成について説明する。この携帯情報機器１１０は、図１９に示すように、圧電振動子１と、電力を供給するための電源部１１１とを備えている。電源部１１１は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部１１１には、各種制御を行う制御部１１２と、時刻等のカウントを行う計時部１１３と、外部との通信を行う通信部１１４と、各種情報を表示する表示部１１５と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部１１６とが並列に接続されている。そして、電源部１１１によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。

制御部１１２は、各機能部を制御して音声データの送信及び受信、現在時刻の計測や表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部１１２は、予めプログラムが書き込まれたＲＯＭと、このＲＯＭに書き込まれたプログラムを読み出して実行するＣＰＵと、このＣＰＵのワークエリアとして使用されるＲＡＭ等とを備えている。

計時部１１３は、発振回路、レジスタ回路、カウンタ回路及びインターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子１とを備えている。圧電振動子１に電圧を印加すると圧電振動片２が振動し、この振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部１１２と信号の送受信が行われ、表示部１１５に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報等が表示される。

通信部１１４は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９、増幅部１２０、音声入出力部１２１、電話番号入力部１２２、着信音発生部１２３及び呼制御メモリ部１２４を備えている。
無線部１１７は、音声データ等の各種データを、アンテナ１２５を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部１１８は、無線部１１７又は増幅部１２０から入力された音声信号を符号化及び複号化する。増幅部１２０は、音声処理部１１８又は音声入出力部１２１から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部１２１は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。

また、着信音発生部１２３は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部１１９は、着信時に限って、音声処理部１１８に接続されている増幅部１２０を着信音発生部１２３に切り替えることによって、着信音発生部１２３において生成された着信音が増幅部１２０を介して音声入出力部１２１に出力される。
なお、呼制御メモリ部１２４は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部１２２は、例えば、０から９の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。

電圧検出部１１６は、電源部１１１によって制御部１１２等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部１１２に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部１１４を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、３Ｖ程度となる。電圧検出部１１６から電圧降下の通知を受けた制御部１１２は、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９及び着信音発生部１２３の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部１１７の動作停止は、必須となる。更に、表示部１１５に、通信部１１４が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。

即ち、電圧検出部１１６と制御部１１２とによって、通信部１１４の動作を禁止し、その旨を表示部１１５に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部１１５の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×（バツ）印を付けるようにしても良い。
なお、通信部１１４の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部１２６を備えることで、通信部１１４の機能をより確実に停止することができる。

上述したように、本実施形態の携帯情報機器１１０によれば、小型化及び高品質化された信頼性の高い圧電振動子１を備えているので、携帯情報機器自体も同様に小型化及び高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定した高精度な時計情報を表示することができる。

（電波時計）
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図２０を参照して説明する。
本実施形態の電波時計１３０は、図２０に示すように、フィルタ部１３１に電気的に接続された圧電振動子１を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県（４０ｋＨｚ）と佐賀県（６０ｋＨｚ）とに、標準の電波を送信する送信所（送信局）があり、それぞれ標準電波を送信している。４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、上述した２つの送信所で日本国内を全て網羅している。

以下、電波時計１３０の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ１３２は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの搬送波にＡＭ変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ１３３によって増幅され、複数の圧電振動子１を有するフィルタ部１３１によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子１は、上述した搬送周波数と同一の４０ｋＨｚ及び６０ｋＨｚの共振周波数を有する水晶振動子部１３８、１３９をそれぞれ備えている。

さらに、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路１３４により検波復調される。
続いて、波形整形回路１３５を介してタイムコードが取り出され、ＣＰＵ１３６でカウントされる。ＣＰＵ１３６では、現在の年、積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、ＲＴＣ１３７に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚであるから、水晶振動子部１３８、１３９は、上述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。

なお、上述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは７７．５ＫＨｚの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計１３０を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子１を必要とする。

上述したように、本実施形態の電波時計１３０によれば、小型化及び高品質化された信頼性の高い圧電振動子１を備えているので、電波時計自体も同様に小型化及び高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定して高精度に時刻をカウントすることができる。

（表面実装型圧電振動子）
なお、本発明は、上述したシリンダータイプの圧電振動子１に限られず、表面実装型の圧電振動子に本発明を適用することもできる。図２１は、表面実装型の圧電振動子を示す断面図である。なお、以下の説明では、上述した実施形態と同一の構成には、同一の符号を付して説明を省略する。
図２１に示すように、本実施形態の圧電振動子２０１は、ベース基板２０２とリッド基板２０３とで２層に積層された箱状に形成されており、内部のキャビティＣ内に上述した圧電振動片２が収納されている。

リッド基板２０３は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、板状に形成されている。そして、ベース基板２０２が接合される接合面側には、圧電振動片２が収まる矩形状の凹部２０３ａが形成されている。この凹部２０３ａは、両基板２０２，２０３が重ね合わされたときに、圧電振動片２を収容するキャビティＣとなるキャビティ用の凹部である。そして、リッド基板２０３は、この凹部２０３ａをベース基板２０２側に対向させた状態でベース基板２０２に対して陽極接合されている。

一方、ベース基板２０２は、リッド基板２０３と同様にガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板であり、リッド基板２０３に対して重ね合わせ可能な大きさで板状に形成されている。
このベース基板２０２には、ベース基板２０２を貫通する一対のスルーホール２３０，２３１が形成されている。これらスルーホール２３０，２３１は、マウントされた圧電振動片２の基部１０側に対応した位置に一方のスルーホール２３０が形成され、振動腕部８，９の先端側に対応した位置に他方のスルーホール２３１が形成されている。

そして、これら一対のスルーホール２３０，２３１には、これらスルーホール２３０，２３１を埋めるように形成された一対の貫通電極２３２，２３３が形成されている。これら貫通電極２３２，２３３は、焼成によってスルーホール２３０，２３１に対して一体的に固定された筒体２０６及び芯材部２０７によって形成されたものであり、スルーホール２３０，２３１を完全に塞いでキャビティＣ内の気密を維持しているとともに、後述する外部電極２３８，２３９と引き回し電極２３６，２３７とを導通させる役割を担っている。

筒体２０６は、ペースト状のガラスフリットが焼成されたものであり、その中心には芯材部２０７が筒体２０６を貫通するように配されている。
芯材部２０７は、導電性を有する金属材料により円柱状に形成された導電性の芯材であり、この芯材部２０７を通して貫通電極２３２，２３３の電気導通性が確保されている。

ベース基板２０２の上面側（リッド基板２０３が接合される接合面側）には、導電性材料（例えば、アルミニウム）により、陽極接合用の接合膜２３５と、一対の引き回し電極２３６，２３７とがパターニングされている。このうち接合膜２３５は、リッド基板２０３に形成された凹部２０３ａの周囲を囲むようにベース基板２０２の周縁に沿って形成されている。

また、一対の引き回し電極２３６，２３７は、一対の貫通電極２３２，２３３のうち、一方の貫通電極２３２と圧電振動片２の一方のマウント電極１５とを電気的に接続するとともに、他方の貫通電極２３３と圧電振動片２の他方のマウント電極１６とを電気的に接続するようにパターニングされている。
また、ベース基板２０２の下面には、一対の貫通電極２３２，２３３に対してそれぞれ電気的に接続される外部電極２３８，２３９が形成されている。

ここで、一対の引き回し電極２３６，２３７上には、それぞれ金からなるバンプＢが形成されており、このバンプＢを利用して圧電振動片２がマウントされている。より具体的には、ベース基板２０２の上面にパターニングされた後述する引き回し電極２３６，２３７上に形成された２つのバンプＢ上に、一対のマウント電極１５，１６がそれぞれ接触した状態でバンプ接合されている。これにより、圧電振動片２は、ベース基板２０２の上面から浮いた状態で支持されるとともに、マウント電極１５，１６と引き回し電極２３６，２３７とがそれぞれ電気的に接続された状態となっている。この場合においても、圧電振動片２が各エッチング工程を経て形成されているため、仕上金属層１８ｂは析出クロム５０や付着粒子５１（ともに図１５参照）のない良好な層に維持される。そのため、マウント工程において、仕上金属層１８ｂ上におけるバンプＢの濡れ性を向上させることができる。すなわち、仕上金属層１８ｂ上にバンプＢが良好に濡れ広がるので、引き回し電極２３６，２３７と電極層１８との接合性を向上させ、両者を確実に接合させることができる。
したがって、引き回し電極２３６，２３７と圧電振動片２との導通を確保でき、信頼性の高い圧電振動子２０１を提供することができる。

以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこれら実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
例えば、上述した実施形態では、圧電振動子の一例として、シリンダパッケージタイプや表面実装型の圧電振動子１，２０１を例に挙げて説明したが、これら圧電振動子１，２０１に限定されるものではない。例えば、セラミックパッケージタイプの圧電振動子や、シリンダパッケージタイプの圧電振動子１を、さらにモールド樹脂部で固めて表面実装型振動子としても構わない。
また、音叉型の圧電振動片２に限られず、ＡＴ型の圧電振動片に本発明を適用することも可能である。

また、上述した実施形態では第１エッチング工程と第２エッチング工程とを連続して行う場合について説明したが、インナーリード３１ａをマウントする前であれば、これに限られない。例えば、絶縁膜３４の形成直後に第１エッチング工程を行い、重り金属膜２１の形成直後に第２エッチング工程を行うような構成にしてもよい。
また、第１エッチャントに弗化水素水溶液を用いても構わない。
さらに、上述した各エッチング工程では、ウエハＳ全体をエッチング槽に浸漬させる場合について説明したが、エッチングする領域のみをエッチング槽に浸漬させてもよい。

また、上述した実施形態では、インナーリード３１ａの外周面に形成された高融点ハンダめっきを溶解させ、インナーリード３１ａとマウント電極１５，１６とを接合する場合について説明したが、インナーリード３１ａとマウント電極１５，１６との間に両者を接合するための高融点ハンダや金等からなるバンプを介在させて両者を接合してもよい。この場合においても、バンプの濡れ性が良好になり、インナーリード３１ａとマウント電極１５，１６とを確実に接合することができる。

１，２０１…圧電振動子 ２…圧電振動片 ４…プラグ ８，９…振動腕部 １１…圧電板 １２…第１の励振電極（振動領域） １３…第２の励振電極（振動領域） １４…励振電極（振動領域） １５，１６…マウント電極（実装領域） １８…電極層（積層体） １８ａ…下地金属層 １８ｂ…仕上金属層 ３１ａ…インナーリード ３４…絶縁膜 ３５ｂ…仕上膜（接合材料） Ｂ…バンプ（接合材料） １００…発振器 １０１…発振器の集積回路 １１０…携帯情報機器（電子機器） １１３…電子機器の計時部 １３０…電波時計 １３１…電波時計のフィルタ部

Claims (3)

1. 圧電振動片における実装領域及び振動領域の表面に、クロムからなる下地金属層及び金からなる仕上金属層を積層した積層体を形成する工程と、
   前記振動領域を被覆するように酸化珪素からなる絶縁膜を形成する工程と、
   高融点ハンダまたは金からなる接合材料を介して前記圧電振動片をパッケージに実装する工程とを有し、
   前記圧電振動片を前記パッケージに実装する工程の前に、水酸化カリウム水溶液または弗化水素水溶液からなる第１処理液を用いて前記圧電振動片の表面に付着した付着粒子を除去する第１処理工程と、
   フェリシアン化カリウム及び水酸化カリウムの水溶液からなる第２処理液を用いて前記圧電振動片の表面に析出したクロムを除去する第２処理工程とを有することを特徴とする圧電振動子の製造方法。
2. 前記絶縁膜を形成する工程の前に、前記振動領域の前記仕上金属層を除去する工程を有することを特徴とする請求項１記載の圧電振動子の製造方法。
3. 前記第２処理液は、フェリシアン化カリウムの濃度が１重量％以上１０重量％以下であり、水酸化カリウムの濃度が１重量％以上１０重量％以下であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の圧電振動子の製造方法。

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