JP5283492B2

JP5283492B2 - 配線基板

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Publication number: JP5283492B2
Application number: JP2008306899A
Authority: JP
Inventors: 正雄黒田; 康宏杉本; 伸治由利; 直也中西; 一広鈴木
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 2008-12-01
Filing date: 2008-12-01
Publication date: 2013-09-04
Anticipated expiration: 2028-12-01
Also published as: JP2010129991A

Description

本発明は、コア材に開口された収容穴部にチップ部品を収容した配線基板に関するものである。

従来から、コア材を中央に配置し、その上方と下方に導体層及び絶縁層を交互に積層した配線積層部を形成した配線基板が用いられている。このような配線基板に半導体チップを載置してパッケージを構成する場合は、外部基板から半導体チップに対して電源電圧を供給する必要がある。この場合、半導体チップに供給される電源電圧の安定化を図るため、ノイズ除去用のチップコンデンサを配線基板に設けることが望ましい。近年では、チップコンデンサによるノイズ除去の効果を高めるべく、配線基板の内部にチップコンデンサを内蔵する構造が提案されている（例えば、特許文献１参照）。このような構造を採用することにより、半導体チップとチップコンデンサの間の信号配線の長さを短縮可能となり、半導体チップに供給される電源配線のノイズを確実に除去し、電源の安定化を実現することができる。
特開２００７−２５８５４１号公報

チップコンデンサを内蔵した配線基板は、例えば、コア材に収容穴部を開口しておき、その収容穴部にチップコンデンサを収容した状態で、収容穴部とチップコンデンサとの間隙に樹脂充填材を充填し、チップコンデンサを固定する手順で製造することができる。このような配線基板の構造は、例えば、上記特許文献１の図１に示されている。しかし、このような構造の配線基板において、チップコンデンサの周囲の樹脂充填材に着目すると、コア材やチップコンデンサに比べると剛性が低くかつ熱膨張係数が大きくなっている。従って、樹脂充填材に熱ひずみが生じたとき、横方向はコア材やチップコンデンサに規制されるので、上下の積層方向に変形するように作用する。このとき、コア材の上下に上述の配線積層部が形成されているので、樹脂充填材の変形による応力が上下の配線積層部の導体層に加わる可能性がある。その結果、導体層のうち樹脂充填材と積層方向で対向する配線に部分的な応力が加わり、配線のクラック等の不具合を生じさせるという問題がある。

本発明はこれらの問題を解決するためになされたものであり、半導体チップを載置し、チップ部品を内蔵する配線基板において、コア材の収容穴部にチップコンデンサを収容してその間隙に樹脂充填材を充填する場合、樹脂充填材の熱ひずみによる変形に起因して、積層方向の配線にクラック等の不具合が生じることを確実に防止可能な配線基板を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の配線基板は、半導体チップを載置し、当該半導体チップと外部基板との間を電気的に接続する配線基板であって、上面及び下面を貫通する収容穴部を開口したコア材と、前記コア材の上面側に絶縁層及び導体層を交互に積層形成し、前記半導体チップに接続される複数の接続端子を有する第１配線積層部と、前記コア材の下面側に導体層及び絶縁層を交互に積層形成し、外部接続用の複数の電極パッドを有する第２配線積層部と、前記収容穴部に収容されたチップ部品と、前記収容穴部と前記チップ部品の側面との間隙に充填された樹脂充填材とを備えて構成され、前記コア材の上面側では前記樹脂充填材の充填領域が前記半導体チップの載置領域と積層方向で対向し、前記コア材の下面側では前記第２配線積層部の導体層のうち前記樹脂充填材の充填領域と積層方向で対向する領域に配線が形成されないことを特徴としている。

本発明の配線基板によれば、コア材の収容穴部にチップ部品を収容し、収容穴部とチップ部品の側面との間隙に樹脂充填材を充填した状態で固定し、コア材の上面側の第１配線積層部と下面側の第２配線積層部がそれぞれ形成される。そして、樹脂充填材を充填した充填領域は、積層方向の上部には半導体チップの載置領域が対向配置され、積層方向の下部には、第２配線積層部の配線が形成されない領域が対向配置される。よって、樹脂充填材が熱ひずみにより変形したとき、上層の配線は直上に配置された高剛性の半導体チップにより変形が抑制され、かつ下層には配線が形成されないため、配線のクラック等の不具合を確実に回避することができる。

本発明において、前記チップ部品は、前記樹脂充填材に比べて熱膨張係数が小さい材料を用いて形成することが望ましい。前記チップ部品としては、セラミック焼結体を用いて構成されたチップコンデンサを用いることができる。この場合、前記チップコンデンサの上面には前記第１配線積層部の導体層に接続される複数の電極を形成し、前記チップコンデンサの下面には前記第２配線積層部の導体層に接続される複数の電極を形成してもよい。

本発明によれば、半導体チップを載置する配線基板において、コア材の収容穴部にチップ部品を収容し、収容穴部とチップ部品の側面との間隙に樹脂充填材を充填し、その充填領域の積層方向で対向する上部には半導体チップの載置領域が配置され、かつ充填領域の積層方向で対向する下部には配線が形成されない構造となっている。よって、樹脂充填材が熱ひずみにより変形したとき、積層方向の上部の導体層は高剛性の半導体チップにより変形が抑制され、かつ積層方向の下部は配線が形成されないので、上下とも配線のクラック等の不具合を防止することができる。よって、簡単な構造で配線基板における配線接続の信頼性を高めることができる。また、積層方向の下部に信号配線のみを形成しない構造とすることにより、電源配線やグランド配線の配置の自由度を確保しつつ、信号配線の接続信頼性を高めることができる。

以下、本発明を適用した配線基板の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。

図１は、本実施形態の配線基板の概略の断面構造を示す図である。図１に示す配線基板１０は、コア材１１と、コア材１１の上面側の第１配線積層部１２と、コア材１１の下面側の第２配線積層部１３とを含む構造を有している。本実施形態の配線基板１０は、その内部にチップコンデンサ１００が内蔵されているとともに、上部に半導体チップ２００が載置されている。

コア材１１は、例えば、ガラス繊維を含んだエポキシ樹脂からなる。コア材１１には、中央を矩形状に貫通する収容穴部１１ａが形成され、この収容穴部１１ａにチップコンデンサ１００が埋め込まれた状態で収容されている。図１に示すように、チップコンデンサ１００は、半導体チップ２００に比べて、平面方向に小さいサイズを有する。なお、チップコンデンサ１００の内部構造については後述する。収容穴部１１ａとチップコンデンサ１００の側面との間隙には、樹脂充填材５０が充填されている。図１に示すように、樹脂充填材５０は面方向の幅Ｗ１の範囲に充填される。この樹脂充填材５０は、例えば熱硬化性樹脂からなり、チップコンデンサ１００を固定する役割を有する。また、チップコンデンサ１００及びコア材１１が変形する際に樹脂充填材５０が吸収するように作用する。

コア材１１の上面には導体層２１が形成され、コア材１１の下面には導体層２２が形成されている。また、コア材１１には、所定箇所を積層方向に貫通する複数のスルーホール導体３０が形成されている。スルーホール導体３０の内部は、例えばガラスエポキシ等からなる樹脂３１で埋められている。スルーホール導体３０により、コア材１１の上下の各導体層２１、２２における任意の配線パターンを積層方向に接続導通することができる。

第１配線積層部１２は、コア材１１の上面側に積層形成された樹脂絶縁層１４、１６と、樹脂絶縁層１４の上面に形成された導体層２３と、樹脂絶縁層１６の上面に形成された複数の端子パッド２５と、樹脂絶縁層１６の上面を覆うソルダーレジスト層１８とからなる構造を有する。樹脂絶縁層１４の所定位置には、各導体層２１、２３を積層方向に接続導通する複数のビア導体３２が設けられ、樹脂絶縁層１６の所定位置には、導体層２３と端子パッド２５を積層方向に接続導通する複数のビア導体３４が設けられている。ソルダーレジスト層１８は、複数箇所が開口されて複数の端子パッド２５が露出し、そこに複数の半田バンプ４０が形成されている。各々の半田バンプ４０は、配線基板１０に載置される半導体チップ２００の各パッド２０１に接続される。

第２配線積層部１３は、コア材１１の下面側に積層形成された樹脂絶縁層１５、１７と、樹脂絶縁層１５の下面に形成された導体層２４と、樹脂絶縁層１７の下面に形成された複数のＢＧＡ用パッド２６と、樹脂絶縁層１７の下面を覆うソルダーレジスト層１９とからなる構造を有する。樹脂絶縁層１５の所定位置には、各導体層２２、２４を積層方向に接続導通する複数のビア導体３３が設けられ、樹脂絶縁層１７の所定位置には、導体層２４とＢＧＡ用パッド２６を積層方向に接続導通する複数のビア導体３５が設けられている。ソルダーレジスト層１９は、複数箇所が開口されて複数のＢＧＡ用パッド２６が露出し、そこに複数の半田ボール４１が接続される。配線基板１０をＢＧＡパッケージとして用いる場合、複数の半田ボール４１を介して、外部基板（不図示）と配線基板１０の各部との電気的接続が可能となる。

図１のチップコンデンサ１００の内部構造について、図２及び図３を参照して説明する。本実施形態のチップコンデンサ１００は、いわゆるビアアレイタイプのコンデンサであり、セラミック焼結体１０１を用いて、複数のセラミック誘電体層１０２を積層形成した構造を有する。セラミック焼結体１０１は、例えばチタン酸バリウム等の高誘電率セラミックからなる。各々のセラミック誘電体層１０２の間には、第１内部電極層１１０ａと第２内部電極層１１０ｂが交互に配置されている。第１内部電極層１１０ａは電源用の電極として機能し、第２内部電極層１１０ｂはグランド用の電極として機能し、両電極が絶縁体である各セラミック誘電体層１０２を挟んで対向配置されることで所定の容量が形成される。

セラミック焼結体１０１の上面には、複数の第１端子電極１０７ａと第２端子電極１０７ｂが形成されるとともに、セラミック焼結体１０１の下面には、複数の第１端子電極１０８ａと第２端子電極１０８ｂが形成されている。また、セラミック焼結体１０１には、全てのセラミック誘電体層１０２を貫通する多数のビアホールにニッケル等を埋め込んだ複数の第１ビア導体１０９ａ及び複数の第２ビア導体１０９ｂが形成されている。そして、各々の第１ビア導体１０９ａは、上方の第１端子電極１０７ａと下方の第１端子電極１０８ａとを積層方向に接続導通している。また、各々の第２ビア導体１０９ｂは、上方の第２端子電極１０７ｂと下方の第２端子電極１０８ｂとを積層方向に接続導通している。

図３のチップコンデンサ１００の上面図に示されるように、第１及び第２端子電極１０７ａ、１０７ｂ（１０８ａ、１０８ｂ）と、第１及び第２ビア導体１０９ａ、１０９ｂは、いずれもアレイ状に配置されている。そして、図１において、半導体チップ２００における電源用のパッド２０１は、半田バンプ４０、端子パッド２５、ビア導体３４、導体層２３、ビア導体３２、第１端子電極１０７ａ、第１ビア導体１０９ａを経由して第１内部電極層１１０ａに接続されるとともに、さらに第１端子電極１０８ａ、ビア導体３３、導体層２４、ビア導体３５、ＢＧＡ用パッド２６を経由して、電源用の半田ボール４１に接続される。また、半導体チップ２００におけるグランド用のパッド２０１は、上記のような経路を経て、第２端子電極１０７ｂ、第２ビア導体１０９ｂ、第２内部電極層１１０ｂに接続され、かつグランド用の半田ボール４１に接続される。

次に、本実施形態の配線基板１０における配線構造について図４を参照して説明する。図４では、配線基板１０の全体に対して、半導体チップ２００と、チップコンデンサ１００と、樹脂充填材５０が充填された充填領域Ｒ１のそれぞれの平面方向の位置関係を示している。充填領域Ｒ１は、チップコンデンサ１００の側面に一致する内周側の矩形と収容穴部１１ａの側面に一致する外周側の矩形に挟まれた幅Ｗ１の領域であり、その領域の全体が半導体チップ２００の載置領域と積層方向で対向する関係にある。なお、図４では便宜上、充填領域Ｒ１の矩形の４辺側で均等な幅Ｗ１を有する場合を示しているが、充填領域Ｒ１の位置に応じて幅が異なっていてもよい。

本実施形態の配線基板１０の配線構造においては、充填領域Ｒ１に対向する第２配線積層部１３の領域に配線が形成されない点に特徴がある。一般に、樹脂充填材５０の熱膨張係数は数１０ｐｐｍ／℃程度であり、コア材１１やチップコンデンサ１００に比べると格段に大きい。そのため、配線基板１０に熱が印加された場合、樹脂充填材５０が熱ひずみにより変形する。この場合、樹脂充填材５０の平面方向は、剛性の高いコア材１１及びチップコンデンサ１００に囲まれているので、樹脂充填材５０が積層方向に変形する。樹脂領域Ｒ１の上方の第１配線積層部１２については、その上部に剛性の高い半導体チップ２００が存在するので、下方から第１配線積層部１２に応力が加わったとしても半導体チップ２００の高い剛性によって変形が抑制される。

ただし、樹脂充填材５０と半導体チップ２００が十分近い距離で対向する必要があるので、第１配線積層部１２の厚さはトータルで数１０μｍ程度に形成することが望ましい。また、半導体チップ２００と第１配線積層部１２の間に介在する複数のパッド２０１の数が少ないと、第１配線積層部１２の変形を抑制する効果が低減するので、複数のパッド２０１は高密度に配置されていることが望ましい。

これに対し、充填領域Ｒ１の下方の第２配線積層部１３については、半導体チップ２００のように剛性が高い部材が存在しないので、樹脂充填材５０が熱ひずみにより変形したとき、その下方の配線に応力が加わってクラック等を発生させる要因となる。従って、本実施形態では、少なくとも第２配線積層部１３のうち、充填領域Ｒ１と積層方向で対向する領域には配線が形成されないので、上述のクラック等の不具合を防止することができる。なお、第２配線積層部１３において、充填領域Ｒ１に対向する領域に加えて、その近傍においても応力が加わるため、幅Ｗ１よりもある程度広い幅の領域に配線を形成しないことが望ましい。

次に、本実施形態の配線基板１０の製造方法について、図５〜図１０を参照して説明する。まず、図５に示すように、収容穴部１１ａを有するコア材１１を作製して準備する。コア材１１の作製に際しては、例えば、一辺が４００ｍｍの正方形の平面形状と厚さ０．８０ｍｍを有する基材の両面に銅箔が貼付された銅張積層板を用意し、銅張積層板にドリル機を用いて孔あけ加工を施し、スルーホール導体３０の位置に貫通孔を形成する。また、銅張積層板にルータを用いて穴あけ加工を施し、収容穴部１１ａとなる貫通孔を所定位置にあらかじめ形成しておく。なお、収容穴部１１ａは、例えば、一辺が１４．０ｍｍに形成される。一方、スルーホール導体３０となる貫通孔に対し、無電解銅めっき及び電解銅めっきを施した後、エポキシ樹脂からなるペーストを印刷し、硬化することにより樹脂３１を形成する。さらに、銅張積層板の両面の銅箔のエッチングを行い、例えば、サブトラクティブ法を用いて、上下に導体層２１、２２を形成する。具体的には、無電解銅めっきを施し、その部分を共通電極として電解銅めっきを施した後。ドライフィルムをラミネートして露光及び現像を行うことにより、所定パターンのドライフィルムを形成する。この状態で、不要な電解銅めっき層、無電解銅めっき層、銅箔をエッチングでそれぞれ除去した後、ドライフィルムを剥離して、図５に示すコア材１１が得られる。なお、図５においては、図１のコア材１１の上面を下方に向けた状態を示している。

一方、図２の構造を有するチップコンデンサ１００を作製して準備する。チップコンデンサ１００の作製に際しては、セラミックのグリーンシートにニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させ、第１内部電極層１１０ａ／第２内部電極層１１０ｂを形成する。そして、第１内部電極層１１０ａが形成されたグリーンシートと第２内部電極層１１０ｂが形成されたグリーンシートとを交互に積層し、積層方向に押圧力を付与して各グリーンシートを一体化し、積層体を形成する。続いて、レーザー加工機を用いて積層体に複数のビアホールを貫通形成し、ニッケルペーストを各ビアホールに充填して第１ビア導体１０９ａ及び第２ビア導体１０９ｂを形成する。そして、積層体の上面にペーストを印刷し、第１端子電極１０７ａ及び第２端子電極１０７ｂのメタライズ層を形成する。また、積層体の下面にペーストを印刷し、第１端子電極１０８ａ及び第２端子電極１０８ｂのメタライズ層を形成する。次いで、積層体を乾燥させた後に脱脂し、積層体を所定温度で所定時間焼成する。その結果、チタン酸バリウム及びペースト中のニッケルが同時焼結し、セラミック焼結体１０１が得られる。そして、セラミック焼結体１０１の第１端子電極１０７ａ、１０８ａ及び第２端子電極１０７ｂ、１０８ｂに対し、例えば、厚さ１０μｍ程度の電解銅めっきを施して銅めっき層を形成し、チップコンデンサ１００が完成する。

次に、図６に示すように、収容穴部１１ａの底部に、剥離可能な粘着テープ６０を密着配置する。この粘着テープ６０は支持台６１により支持される。そして、マウント装置を用いて、収容穴部１１ａ内にチップコンデンサ１００を収容し、粘着テープ６０でチップコンデンサ１００を貼り付けて仮固定する。なお、粘着テープ６０に固定されたチップコンデンサ１００は、コア材１１と同様、上面を下方に向けた状態になっている。次いで、図７に示すように、収容穴部１１ａとチップコンデンサ１００の側面との間隙に、ディスペンサ装置を用いて熱硬化性樹脂からなる樹脂充填材５０を充填する。樹脂充填材５０は、加熱処理により硬化し、収容穴部１１ａの内部でチップコンデンサ１００が固定される。このとき、コア材１１の導体層２１と、チップコンデンサ１００の第１端子電極１０７ａ及び第２端子電極１０７ｂのそれぞれは、粘着テープ６０と接するので、積層方向で位置が揃ったフラットな面に形成される。

次に、図８に示すように、チップコンデンサ１００の固定後に、粘着テープ６０を剥離する。その後、コア材１１の上面とチップコンデンサ１００の上面に対し酸性脱脂で溶剤洗浄を施してから研磨することにより、剥離した粘着テープ６０の残存する粘着材を除去する。続いて、第１端子電極１０７ａ及び第２端子電極１０７ｂの上部の銅めっき層の表面を粗化するとともに、コア材１１の上部の導体層２１の表面を粗化する。粗化の終了後には、コア材１１及びチップコンデンサ１００を洗浄する。

次に、コア材１１及びチップコンデンサ１００の上下の各面に、それぞれエポキシ樹脂を主成分とするフィルム状絶縁樹脂材料を積層する。そして、真空下にて加圧加熱することにより絶縁樹脂材料を硬化させ、図９に示すように、上面側の樹脂絶縁層１４と下面側の樹脂絶縁層１５とを形成する。続いて、図１０に示すように、樹脂絶縁層１４には複数のビア導体３２を形成するとともに、樹脂絶縁層１５には複数のビア導体３３を形成する。このとき、レーザー加工により樹脂絶縁層１４、１５に複数のビアホールを形成し、その中のスミアを除去するデスミア処理を施した後、各ビアホール内にビア導体３２、３３を形成する。

その後、図１に示すように、樹脂絶縁層１４、１５の表面にパターニングを施し、導体層２３、２４をそれぞれ形成する。次いで、樹脂絶縁層１４の上面と樹脂絶縁層１５の下面に、それぞれ感光性エポキシ樹脂を被着して露光及び現像を行い、樹脂絶縁層１６、１７を形成する。そして、樹脂絶縁層１６、１７に予め形成された盲孔の内部にビア導体３４、３５を形成する。続いて、樹脂絶縁層１６の上部に複数の端子パッド２５を形成し、樹脂絶縁層１７の下部に複数のＢＧＡ用パッド２６を形成する。次に、樹脂絶縁層１６の上面と樹脂絶縁層１７の下面に、それぞれ感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト層１８、１９を形成する。その後、ソルダーレジスト層１８に開口部をパターニングし、複数の端子パッド２５に接続される複数の半田バンプ４０を形成する。また、ソルダーレジスト層１９に開口部をパターニングし、複数のＢＧＡ用パッド２６に接続される複数の半田ボール４１を形成する。以上の手順により、本実施形態の配線基板１０が完成する。

以上、本実施形態に基づき本発明の内容を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を施すことができる。図１１は、本実施形態の変形例として、第２配線積層部１３における配線の配置を変更した場合の配線基板１０の概略の断面構造を示している。図１１に示す配線基板１０は、第２配線積層部１３のうちの導体層２４の配線パターンが図１と異なっている。すなわち、第２配線積層部１３の導体層２４には、充填領域Ｒ１と積層方向で対向する領域にグランド配線２４ａが形成されている。図１１では、導体層２４の信号配線については図１と同様であるが、信号配線が形成されない領域にベタ状のグランド配線２４ａを形成したものである。なお、図１１の配線基板１０において、グランド配線２４ａ以外の構造は図１と同様である。

図１１に示す変形例では、充填領域Ｒ１の直下のグランド配線２４ａの部分は、樹脂充填材５０からの部分的な応力によりクラック等が発生したとしても、広い面積を有するグランド配線２４ａの一部に限定されるものであり、配線基板１０の全体的な接続信頼性の劣化にはつながらない。このように、本実施形態の配線基板１０においては、コア材１１の下面側で充填領域Ｒ１と積層方向で対向する領域に、少なくとも信号配線を形成しない構造を採用することができ、これにより信号配線のクラック等を防止して信頼性の向上を図ることができる。この場合、充填領域Ｒ１と対向する領域には、図１１に示すように、グランド配線２４ａを形成する場合に加え、所定の電源電圧を供給する電源配線を形成するようにしてもよい。

また、図１２は、本実施形態の他の変形例として、図１のスルーホール導体３０及び樹脂３１の形成方法を変更した場合の配線基板１０の概略の断面構造を示している。図１２に示す配線基板１０は、図１のスルーホール導体３０及び樹脂３１と比べると、積層方向に延伸されて上下の樹脂絶縁層１４、１５を貫くスルーホール導体３０ａ及び樹脂３１ａを形成した点で相違する。よって、配線基板１０を製造する際、コア材１１の上下に樹脂絶縁層１４、１５を形成した後に、スルーホール導体３０ａ及び樹脂３１ａを形成する必要がある。なお、図１２の配線基板１０において、スルーホール導体３０ａ及び樹脂３１ａ以外の構造は図１と同様である。

本実施形態の配線基板の概略の断面構造を示す図である。図１のチップコンデンサの断面図である。図１のチップコンデンサの上面図である。本実施形態の配線基板における配線構造を説明する図である。本実施形態の配線基板の製造方法を説明する第１の図である。本実施形態の配線基板の製造方法を説明する第２の図である。本実施形態の配線基板の製造方法を説明する第３の図である。本実施形態の配線基板の製造方法を説明する第４の図である。本実施形態の配線基板の製造方法を説明する第５の図である。本実施形態の配線基板の製造方法を説明する第６の図である。本実施形態の変形例として、第２配線積層部における配線の配置を変更した場合の配線基板の概略の断面構造を示す図である。本実施形態の他の変形例として、スルーホール導体及び樹脂の形成方法を変更した場合の配線基板の概略の断面構造を示す図である。

符号の説明

１０…配線基板
１１…コア材
１１ａ…収容穴部
１２…第１配線積層部
１３…第２配線積層部
１４、１５、１６、１７…樹脂絶縁層
１８、１９…ソルダーレジスト層
２１、２２、２３、２４…導体層
２５…端子パッド
２６…ＢＧＡ用パッド
３０…スルーホール導体
３１…樹脂
３２、３３、３４、３５…ビア導体
４０…半田バンプ
４１…半田ボール
５０…樹脂充填材
１００…チップコンデンサ
２００…半導体チップ
２０１…パッド
Ｒ１…充填領域

Claims

半導体チップを載置し、当該半導体チップと外部基板との間を電気的に接続する配線基板であって、
上面及び下面を貫通する収容穴部を開口したコア材と、
前記コア材の上面側に絶縁層及び導体層を交互に積層形成し、前記半導体チップに接続される複数の接続端子を有する第１配線積層部と、
前記コア材の下面側に導体層及び絶縁層を交互に積層形成し、外部接続用の複数の電極パッドを有する第２配線積層部と、
前記収容穴部に収容されたチップ部品と、
前記収容穴部と前記チップ部品の側面との間隙に充填された樹脂充填材と、
を備え、前記コア材の上面側では前記樹脂充填材の充填領域が前記半導体チップの載置領域と積層方向で対向し、前記コア材の下面側では前記第２配線積層部の導体層のうち前記樹脂充填材の充填領域と積層方向で対向する領域に配線が形成されないことを特徴とする配線基板。
前記チップ部品は、前記樹脂充填材に比べて熱膨張係数が小さい材料を用いて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
前記チップ部品は、セラミック焼結体を用いて構成されたチップコンデンサであることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
前記チップコンデンサの上面には前記第１配線積層部の導体層に接続される複数の電極が形成され、前記チップコンデンサの下面には前記第２配線積層部の導体層に接続される複数の電極が形成されることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。