JP5360703B2 - エッチング液 - Google Patents

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Description

本発明は、硝酸又は硫酸と、過酸化水素と、水とを含むニッケルのエッチング液に関する。
TAB(Tape Automated Bonding)用フレキシブル基板や、BGA(Ball Grid Array)パッケージ用基板を含むプリント配線板の電極や配線、あるいは半導体製品の電極などの製造においては、電解めっきや無電解めっきによってニッケル皮膜を形成する工程がある。このとき、不要な部分に形成されたニッケル皮膜は、エッチング液によって除去される。
前記電極や配線は複数の金属からなるため、ニッケル皮膜を除去する際には、ニッケル以外の金属を浸食しないことが要求される。例えばセミアディティブ法によるプリント配線板の製造においては、ガラス布エポキシ樹脂含浸板やポリイミドフィルムなどの絶縁基材上に、無電解ニッケルめっきやニッケル蒸着をした後、レジストで回路の逆パターンを形成し、電解銅めっきによってレジストで覆われていないニッケル上に銅回路を形成し、つぎにレジストを除去し、その後露出したニッケルをエッチングする。この場合に使用されるニッケルエッチング液には、銅回路を浸食せずにニッケルをエッチングすることが要求される。
銅を浸食しないでニッケルを除去するエッチング液としては、従来、硝酸などの酸と過酸化水素とを含むエッチング液が使用されてきた。これらの硝酸−過酸化水素系のニッケルのエッチング液には、通常、銅の浸食を抑制するための添加剤が添加されている(例えば、特許文献1〜8参照)。
特公昭62−11070号公報 特公昭62−14034号公報 特公昭62−14035号公報 特表昭58−500765号公報 特開平6−57454号公報 特開平9−228075号公報 特開2001−140084号公報 特開2005−36256号公報
しかし、これらのエッチング液であっても銅の浸食の抑制が充分ではなく、市場では銅の浸食がさらに抑制されたニッケルエッチング液が要望されている。
本発明は、従来の技術の欠点を克服し、ニッケル以外の金属、特に銅の浸食を抑制できるニッケルのエッチング液を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明のエッチング液は、硝酸又は硫酸と、過酸化水素と、水とを含むニッケルのエッチング液において、下記式(I)、下記式(II)及び下記式(III)から選択される少なくとも1つの繰り返し単位を有する重合体を含むことを特徴とするエッチング液である。
Figure 0005360703
Figure 0005360703
Figure 0005360703
(ただし、R1〜R5は、水素、アミノ基、イミノ基、シアノ基、アゾ基、チオール基、スルホ基、ヒドロキシル基、カルボニル基、カルボキシル基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はベンジル基であり、同じであっても、異なっていてもよく、また、前記繰り返し単位内に含まれるアミンは第四級アンモニウム塩の形であってもよい。)
なお、上記本発明のエッチング液は、ニッケルのエッチング液であるが、この「ニッケル」には、純ニッケルだけでなくニッケル合金も含まれる。また、後述する「銅」についても同様である。ここで、上記「合金」とは、例えば主金属が50重量%以上含まれる金属をいう。
本発明のエッチング液によれば、上記式(I)、上記式(II)及び上記式(III)から選択される少なくとも1つの繰り返し単位を有する重合体を含むため、ニッケル以外の金属、特に銅の浸食を抑制できる。
本発明のエッチング液は、硝酸又は硫酸と、過酸化水素と、水とを含むニッケルのエッチング液において、上記式(I)、上記式(II)及び上記式(III)から選択される少なくとも1つの繰り返し単位を有する重合体を含むことを特徴とする。本発明のエッチング液では、上記重合体が、ニッケル以外の金属の浸食抑制剤となるため、ニッケルと他の金属が共存する被処理材からニッケルのみを選択的にエッチングすることができる。特に、上記他の金属が銅である場合は、上記重合体の浸食抑制剤としての機能がより有効に発揮される。
本発明のエッチング液の酸成分は、過酸化水素で酸化されたニッケルを溶解する成分であり、ニッケルの溶解性が高いものとして、硝酸又は硫酸が使用される。また、酸成分は、補助酸化剤としてニッケルの酸化を促進する作用も有する。これら酸成分のうち、硫酸は、硝酸に比べて銅を溶解させる作用は小さいが、ニッケルを溶解させる作用も小さい。よって、作業時間の観点からは、本発明の酸成分として硝酸を用いるのが好ましい。
上記エッチング液中の酸成分の濃度は、エッチング速度や、エッチング液のニッケルの溶解許容量に応じて調整されるが、1.0重量%〜38.5重量%が好ましく、3.0重量%〜27.0重量%がより好ましい。1.0重量%以上の場合は、エッチング速度が速くなるため、ニッケルを速やかにエッチングすることができる。また、38.5重量%以下とすることにより、ニッケル以外の金属(特に、銅)の浸食を容易に抑制することができる。
上記エッチング液中の過酸化水素の濃度は、エッチング速度やニッケルの除去能力に応じて調整されるが、0.0175重量%〜17.5重量%が好ましく、0.035重量%〜14.0重量%がより好ましく、0.35重量%〜7.0重量%が更に好ましい。0.0175重量%以上の場合は、エッチング速度が速くなるため、ニッケルを速やかに除去できる。一方、17.5重量%以下とすることにより、ニッケル以外の金属(特に、銅)の浸食を容易に抑制することができる。
本発明のエッチング液には、浸食抑制剤として上記式(I)、上記式(II)及び上記式(III)から選択される少なくとも1つの繰り返し単位を有する重合体が配合されている。なお、この重合体は、上記式(I)、上記式(II)及び上記式(III)から選択される少なくとも1つの繰り返し単位と、他の繰り返し単位とからなる共重合体であってもよく、上記式(I)、上記式(II)又は上記式(III)からなる単独重合体であってもよく、上記式(I)、上記式(II)及び上記式(III)から選択される2つ以上の繰り返し単位からなる共重合体であってもよい。
上記式(I)で表される繰り返し単位を有する重合体は、例えばエピクロルヒドリンを単量体として用いた縮合体が例示でき、種類は特に限定されるものではなく、例えば市販の界面活性剤の中から適宜選択可能である。なかでも、ニッケルと銅が共存する被処理材からニッケルのみを選択的にエッチングするには、エピクロルヒドリンと窒素化合物とにより形成される繰り返し単位を有する重合体が好ましく、特に、下記式(IV)で表される繰り返し単位を有する重合体が好ましい。
Figure 0005360703
(ただし、R6及びR7は、水素、アミノ基、イミノ基、シアノ基、アゾ基、チオール基、スルホ基、ヒドロキシル基、カルボニル基、カルボキシル基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はベンジル基であり、同じであっても、異なっていてもよい。また、X-は塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、酢酸イオン又は炭酸イオンである。)
上記式(IV)で表される繰り返し単位を有する重合体を用いることにより、ニッケルに対するエッチング速度(以下、「ER1」という)と、銅に対するエッチング速度(以下、「ER2」という)との比(ER1/ER2)を大きくすることができる。これにより、ニッケルと銅が共存する被処理材からニッケルのみを確実にエッチングすることができる。このような重合体としては、例えば、ジメチルアミン/エピクロルヒドリン縮合体、ジメチルアミン/アンモニア/エピクロルヒドリン縮合体、アジピン酸/ジメチルアミン/エピクロルヒドリン/ジエチレントリアミン縮合体などが挙げられる。なお、アンモニアを単量体として用いた場合、上記式(IV)で表される繰り返し単位中のR6及びR7は、いずれも水素となる。また、ジメチルアミンを単量体として用いた場合、上記式(IV)で表される繰り返し単位中のR6及びR7は、いずれもメチル基となる。
上記式(II)で表される繰り返し単位を有する重合体は、例えばジアリルアミンを単量体として用いた縮合体が例示でき、種類は特に限定されるものではなく、例えば市販の界面活性剤の中から適宜選択可能である。具体例としては、ジアリルアミン塩酸塩からなる縮合体、ジアリルアミン/アクリル酸/アクリルアミド縮合体などが挙げられる。なお、ジアリルアミンを単量体として用いた場合、上記式(II)で表される繰り返し単位中のR1は、水素となる。
上記式(III)で表される繰り返し単位を有する重合体は、例えばジシアンジアミドを単量体として用いた縮合体が例示でき、種類は特に限定されるものではなく、例えば市販の界面活性剤の中から適宜選択可能である。具体例としては、ジシアンジアミド/ホルムアルデヒド縮合体、ジシアンジアミド/ジエチレントリアミン縮合体などが挙げられる。なお、ジシアンジアミドを単量体として用いた場合、上記式(III)で表される繰り返し単位中のR2〜R5は、いずれも水素となる。
本発明のエッチング液中の上記重合体の濃度は、0.0001重量%〜3重量%未満が好ましく、0.0005重量%〜1.5重量%がより好ましく、0.001重量%〜1.0重量%が更に好ましい。上記範囲内であれば、ニッケルのエッチングを阻害しない程度に、ニッケル以外の金属の浸食を抑制できる。
上記重合体は、全繰り返し単位の中で上記式(I)、上記式(II)及び上記式(III)から選択される少なくとも1つの繰り返し単位の占める割合が、10〜100モル%であることが好ましい。ニッケル以外の金属の浸食をより効果的に抑制できるからである。なお、上記割合(モル分率)は、例えば、赤外線分析法(IR)、元素分析法、液体クロマトグラフィー等により、上記式(I)、上記式(II)、上記式(III)に含まれる官能基や特定の元素のモル数を求め、これらの値と数平均分子量との関係から算出できる。なお、単量体組成が決まっている場合は、単量体比率がモル分率になる。また、上記モル分率を求める際の分母は、上記重合体に含まれる最小の繰り返し単位の総モル数である。
上記重合体は、重量平均分子量が100〜100万であることが好ましく、100〜50万であることがより好ましい。上記範囲内であれば、上記重合体の溶解性を妨げずに、ニッケル以外の金属の浸食をより効果的に抑制できる。
本発明のエッチング液には、上述した成分以外にも、本発明の効果を妨げない程度に他の成分を添加してもよい。例えば、過酸化水素の安定剤として、クレゾールスルホン酸などのベンゼンスルホン酸類や、サリチル酸などのフェノール類を添加してもよい。これら他の成分の濃度は、例えば0.01〜5重量%程度である。
さらに、銅の浸食抑制効果を促進するために、塩化物イオン源を添加してもよい。塩化物イオン源としては、例えば塩酸や、塩酸アニリン、塩酸グアニジン、塩酸エチルアミン等の塩酸塩や、塩化アンモニウム、塩化ナトリウム、塩化亜鉛、塩化第二鉄、塩化第二銅、塩化ニッケル等の塩化物等が例示できる。これら塩化物イオン源の濃度は、塩化物イオンとして通常1〜60ppm程度である。
上記エッチング液は、上記の各成分を水に溶解させることにより、容易に調製することができる。上記水としては、イオン性物質や不純物を除去した水が好ましく、例えばイオン交換水、純水、超純水などが好ましい。
上記エッチング液は、各成分を使用時に所定の濃度になるように配合してもよく、濃縮液を調製しておき使用直前に希釈して使用してもよい。上記エッチング液の使用方法は、特に限定されない。また、使用時のエッチング液の温度は、特に制限はないが、ニッケル以外の金属の浸食を抑制した上で、より速やかにニッケルをエッチングするには20〜50℃で使用することが好ましい。
次に、本発明に係るエッチング液の実施例について比較例と併せて説明する。なお、本発明は下記の実施例に限定して解釈されるものではない。
表1に示す種類(A〜J)の重合体を用いて、表2に示す組成の各エッチング液を調製し、下記に示す測定方法により各項目について評価した。各エッチング液は、まず、酸及び過酸化水素をイオン交換水に溶解させた後、重合体を添加して調製した。配合する酸については、実施例14のみ硫酸を使用し、その他はいずれも硝酸を使用した。なお、表1に示す重量平均分子量は、低分子量(重量平均分子量:50以上5万未満)の場合は、Gonotec社製蒸気圧式分子量測定装置を用いて、サンプル濃度5重量%(溶媒:トルエン)の条件で測定した。また、高分子量(重量平均分子量:5万以上30万以下)の場合は、同社製メンブレン式分子量測定装置を用いて上記と同様の条件で測定した。
<ニッケルに対するエッチング速度(ER1)>
厚み1mmの圧延ニッケル板(高純度化学研究所製)を4cm角に切り出し、片面に保護テープを貼ったテストピースを用意した。そして、表2の各エッチング液を100mLビーカーに入れ、ピンセットを用いて上記テストピースを各エッチング液(25℃)に浸漬し、エッチング液中でテストピースを水平方向に揺動(周期:2秒)させながら、1分間、エッチング処理した。そして、処理前後の各テストピースの重量から、下式によりER1(μm/min)を算出した。
ER1(μm/min)=(処理前の重量(g)−処理後の重量(g))÷テストピース面積(m2)÷ニッケルの密度(g/cm3)÷浸漬時間(min)
<銅に対するエッチング速度(ER2)>
厚み35μmの銅箔(古河サーキットフォイル製GTMP)を4cm角に切り出し、片面に保護テープを貼ったテストピースを用意した。そして、表2の各エッチング液を100mLビーカーに入れ、ピンセットを用いて上記テストピースを各エッチング液(25℃)に浸漬し、エッチング液中でテストピースを水平方向に揺動(周期:2秒)させながら、1分間、エッチング処理した。そして、処理前後の各テストピースの重量から、下式によりER2(μm/min)を算出した。
ER2(μm/min)=(処理前の重量(g)−処理後の重量(g))÷テストピース面積(m2)÷銅の密度(g/cm3)÷浸漬時間(min)
また、各エッチング液について、上記ER1と上記ER2との比(ER1/ER2)を算出した。各エッチング液のER1、ER2及びこれらの比(ER1/ER2)を表2に示す。
Figure 0005360703
Figure 0005360703
表2に示すように、本発明の実施例1〜15によれば、比較例1〜5に比べ、いずれもエッチング速度比(ER1/ER2)を大きくすることができた。この結果から、本発明によれば、ニッケルとその他の金属(銅等)が共存する被処理材からニッケルのみを選択的にエッチングできることが分かった。

Claims (6)

  1. 硝酸又は硫酸と、過酸化水素と、水とを含むニッケルのエッチング液において、
    下記式(I)、下記式(II)及び下記式(III)から選択される少なくとも1つの繰り返し単位を有する重合体を含むことを特徴とするエッチング液。
    Figure 0005360703
    Figure 0005360703
    Figure 0005360703
    (ただし、R1〜R5は、水素、アミノ基、イミノ基、シアノ基、アゾ基、チオール基、スルホ基、ヒドロキシル基、カルボニル基、カルボキシル基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はベンジル基であり、同じであっても、異なっていてもよく、また、前記繰り返し単位内に含まれるアミンは第四級アンモニウム塩の形であってもよい。)
  2. 前記式(I)の繰り返し単位を有する重合体として、下記式(IV)で表される繰り返し単位を有する重合体を含む請求項1に記載のエッチング液。
    Figure 0005360703
    (ただし、R6及びR7は、水素、アミノ基、イミノ基、シアノ基、アゾ基、チオール基、スルホ基、ヒドロキシル基、カルボニル基、カルボキシル基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はベンジル基であり、同じであっても、異なっていてもよい。また、X-は塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、酢酸イオン又は炭酸イオンである。)
  3. 前記重合体が0.0001重量%以上3重量%未満含まれている請求項1又は2に記載のエッチング液。
  4. 前記重合体の全繰り返し単位の中で前記式(I)、前記式(II)及び前記式(III)から選択される少なくとも1つの繰り返し単位の占める割合が、10〜100モル%である請求項1〜3のいずれか1項に記載のエッチング液。
  5. 前記重合体の重量平均分子量が、100〜100万である請求項1〜4のいずれか1項に記載のエッチング液。
  6. 前記硝酸又は硫酸の濃度が、1.0重量%〜38.5重量%であり、
    前記過酸化水素の濃度が、0.0175重量%〜17.5重量%である請求項1〜5のいずれか1項に記載のエッチング液。
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US20240318078A1 (en) * 2023-02-24 2024-09-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Etching composition for titanium-containing layer, etching method of etching titanium-containing layer, and method of manufacturing semiconductor device using the etching composition

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