JP5407459B2 - 画像形成装置用像保持体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、画像形成装置用像保持体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置に関するものである。

有機光導電性化合物を主成分とする感光層を有する感光体は、従来用いられてきた無機光導電体（セレン、酸化亜鉛、硫化カドミウム又はシリコン等）を主成分として含有する感光体に比較して、製造が比較的容易であること、安価であること、取扱いが容易であること、熱安定性が優れていること等多くの利点を有し、盛んに研究がなされている。

特に、光導電体の電荷発生機能と電荷輸送機能とをそれぞれ別個の機能層に分担させ、前者の発生機能を有する材料を電荷発生層に、後者の輸送機能を有する材料を電荷輸送層にそれぞれ含有させる、積層タイプの機能分離型感光層を有する感光体がすでに実用化されている。

中でも、光導電性化合物として、その高い電荷移動度からテトラアリールベンジジン化合物が盛んに研究されている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４、及び特許文献５参照）。
また、カルバゾリル基を有する化合物を架橋した有機感光体やカルバゾリル基を２つ以上含有する化合物を用いた有機感光体が提案されている（例えば、特許文献６及び特許文献７参照）。

米国特許第４，０４７，９４８号明細書 米国特許第４，２９９，８９７号明細書 特開昭６１−１３２９５５号公報 特開昭６２−２６７７４９号公報 特開平３−１３８６５４号公報 特開平２００５−２０２４１３号公報 特開平２００４−１２６５８３号公報

本発明の課題は、特許文献１に記載の発明に比べて、繰り返し使用による残留電位の変動が低い画像形成装置用像保持体を提供することにある。

上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、
請求項１に係る発明は、
支持体と、該支持体上に下記一般式（Ｉ）で示される化合物を含有する感光層と、を有する画像形成装置用像保持体である。

一般式（Ｉ）中、Ｒは各々独立に、置換又は未置換の直鎖又は分岐の炭素数１以上８以下のアルキル基を表し、Ｒ^３は、各々独立に、置換又は未置換の直鎖又は分岐の炭素数１以上８以下のアルキル基を表し、ａは０以上３以下の整数を表し、ｊは０以上８以下の整数を表し、ｋは１又は２を表し、ｎは各々独立に０以上７以下の整数を表す。

請求項２に係る発明は、
支持体と、該支持体上に下記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物を含有する感光層と、を有する画像形成装置用像保持体である。

一般式（ＩＩ−１）中、Ｙ^１は、各々独立に、置換又は未置換の２価のアルコール残基を表し、Ａ^１は下記構造式（ＩＩＩ）で表される基を表し、Ｒ^４は、各々独立に、水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアラルキル基を表し、ｍは１以上５以下の整数を表し、ｐは５以上５，０００以下の整数を表す。

構造式（ＩＩＩ）中、Ｒは各々独立に、置換又は未置換の直鎖又は分岐の炭素数１以上８以下のアルキル基を表し、ａは０以上３以下の整数を表し、ｊは０以上８以下の整数を表し、ｋは１又は２を表し、ｎは各々独立に０以上７以下の整数を表す。

請求項３に係る発明は、
請求項１又は請求項２に記載の画像形成装置用像保持体と、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電手段、帯電した前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光手段、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段、前記トナー像を被転写体に転写する転写手段、および前記画像形成装置用像保持体を清掃する清掃手段から選ばれる少なくとも１つと、を少なくとも有するプロセスカートリッジである。

請求項４に係る発明は、
請求項１又は請求項２に記載の画像形成装置用像保持体と、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電装手段と、帯電した前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光手段と、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、前記トナー像を被転写体に転写する転写手段と、を備える画像形成装置である。

請求項１に係る発明によれば、特許文献１に記載の発明に比べて、繰り返し使用による残留電位の変動が低い画像形成装置用像保持体が提供される。
請求項２に係る発明によれば、特許文献１に記載の発明に比べて、繰り返し使用による残留電位の変動が低い画像形成装置用像保持体が提供される。
請求項３に係る発明によれば、特許文献１に記載の発明に比べて、繰り返し使用による残留電位の変動が低い画像形成装置用像保持体を有するプロセスカートリッジが提供される。
請求項４に係る発明によれば、特許文献１に記載の発明に比べて、繰り返し使用による残留電位の変動が低い画像形成装置用像保持体を有する画像形成装置が提供される。

第１実施形態に係る画像形成装置用像保持体の模式断面図である。 第２実施形態に係る画像形成装置用像保持体の模式断面図である。 第３実施形態に係る画像形成装置用像保持体の模式断面図である。 実施形態に係る画像形成装置の概略構成図である。 実施形態に係るプロセスカートリッジの概略構成図である。

以下、本発明の好ましい実施形態について説明する。
本実施形態では、下記一般式（Ｉ）で示される化合物及び下記一般式（ＩＩ）で示される構造単位を含む化合物の少なくとも一方を、電荷輸送材料として用いることにより、画像形成装置用像保持体が提供される。すなわち、導電性支持体上に感光層が形成された画像形成装置用像保持体であって、当該感光層は下記一般式（Ｉ）で示される化合物及び下記一般式（ＩＩ）で示される構造単位を含む化合物の少なくとも一方を含有する。
なお、本実施形態における導電性支持体とは、ＪＩＳ Ｋ ７１９４「導電性プラスチックの４探針法による抵抗率試験方法」に基づき測定した体積抵抗率が１０^７Ω・ｃｍ未満である導電性材料で形成されるか、或いは、基材表面に該導電性材料で形成された導電層を有する支持体を指す。

該画像形成装置用像保持体における感光層は、電荷発生材料と電荷輸送材料とを同一層に含む単層型感光層、又は電荷発生材料を含む層と電荷輸送材料を含む層とが隣接するように別個に設けられている機能分離型感光層のいずれでもよく、電荷輸送材料として下記一般式（Ｉ）で示される化合物及び下記一般式（ＩＩ）で示される構造単位を含む化合物の少なくとも一方を含有させるものである。

また、電荷発生材料としては、オキシチタニウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン又はヒドロキシガリウムフタロシアニン等の公知の電荷発生材料を用いうる。なお、該画像形成装置用像保持体は、最表面上（導電性支持体から最も離れた位置）に保護層を備えたものであってもよく、この場合における保護層は、電荷輸送性を有する架橋性シリコーン樹脂を含んでなることが好ましい。

（画像形成装置用像保持体）
本実施形態に係る画像形成装置用像保持体は、支持体上に、下記一般式（Ｉ）で示される化合物及び下記一般式（ＩＩ）で示される構造単位を含む化合物の少なくとも一方を含有する感光層が形成された画像形成装置用像保持体である。

＜一般式（Ｉ）で示される化合物＞
以下、下記一般式（Ｉ）で示される化合物について、詳細に説明する。

一般式（Ｉ）中、Ｒは各々独立に、置換又は未置換の直鎖又は分岐の炭素数１以上８以下のアルキル基を表し、Ｒ^３は、各々独立に、置換又は未置換の直鎖又は分岐の炭素数１以上８以下のアルキル基を表し、ａは０以上３以下の整数を表し、ｊは０以上８以下の整数を表し、ｋは１又は２を表し、ｎは各々独立に０以上７以下の整数を表す。

一般式（Ｉ）中、Ｒは、各々独立に、置換又は未置換の直鎖又は分岐の炭素数１以上８以下のアルキル基を表す。

Ｒで表されるアルキル基は、各々独立に、炭素数１以上６以下であることが好ましく、炭素数１以上４以下であることがより好ましい。
Ｒで表されるアルキル基は、直鎖状又は分岐状であり、結晶性維持および溶解性の観点からは、好ましくは直鎖状アルキル基である。

一般式（Ｉ）中において、Ｒで表されるアルキル基が置換基を有する場合、該置換基としては、アリール基又は複素環が挙げられる。

前記置換基としてのアリール基は、炭素数６以上２０以下のものが好ましく、例えば、フェニル基、トルイル基、又はナフチル基等が挙げられる。
前記置換基としての複素環とは、炭素と水素以外の元素を含む環を表す。複素環は、その環骨格を構成する原子数（Ｎｒ）が、５又は６であることが好ましい。環骨格を構成する炭素原子以外の原子（異種原子）の種類及び数は特に限定されないが、例えば、硫黄原子、窒素原子、酸素原子、セレン原子、珪素、リン原子等が好ましく用いられ、前記環骨格中には２種類以上の異種原子が含まれてもよく、また２個以上の異種原子が含まれてもよい。

５員の複素環としては、チオフェン、ピロール、フラン、イミダゾール、オキサゾール、セレノフェン、チアゾール、チアジアゾール、ピラゾール、イソオキサゾール、イソチアゾール及びシロール又は、前記化合物の３位及び４位の炭素を窒素で置き換えた複素環が好ましく用いられる。５員の複素環を有する芳香族複素環としては、他に、ベンゾチオフェン、ベンズイミダゾール、インドールなどを含む。
６員の複素環としては、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピペラジンが好ましく用いられる。

なお、前記置換基としての複素環は、該複素環に芳香環が置換しているものを包含し、また、芳香環に複素環が置換しているものも含まれる。

一般式（Ｉ）におけるＲで表されるアルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基，プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、を挙げられ、メチル基、エチル基，プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、又はｎ−オクチル基であることが好ましく、メチル基、ブチル基がより好ましく、メチル基又はブチル基であることが製造容易性、結晶性維持の観点から更に好ましく、入手の容易性の観点からはメチル基が更に好ましい。

なお、Ｒは、置換若しくは未置換の直鎖若しくは分岐の炭素数１以上８以下のアルキル基であり、この範囲内ではアルキル基の種類の違いによるイオン化ポテンシャルに与える影響は少ない。
また、一般式（Ｉ）におけるｊが２以上の場合又はｋが２の場合、一般式（Ｉ）に含まれる２個以上のＲは、同一でも異なっていてもよいが、製造容易性の観点からは同一であることが好ましい。

一般式（Ｉ）中、ｊは０以上８以下の整数を表す。溶媒への溶解性の観点から、ｊは０以上４以下の整数であることが好ましく、０以上２以下であることが合成上の観点から好ましい。
なお、ｊの数、すなわちカルバゾリル基上の置換基Ｒの個数の違いは、イオン化ポテンシャルに与える影響が小さく、大きくとも０．０２程度の変動と推測される。

なお、一般式（Ｉ）で表されるカルバゾール化合物は、ａが０の場合、油状性となってしまう傾向にあるため結晶性の観点から、カルバゾリル基が置換基Ｒを有さない場合（即ちｊが０の場合）が好適である。
他方、ａが１以上３以下の場合、溶解性の観点からは、Ｒを有する場合（即ちｊが１以上８以下の場合）が好適である。

ｊが１以上の場合、一般式（Ｉ）中のＲは、カルバゾリル基のいずれの水素原子と置換していてもよいが、合成の容易さの観点から、好ましくは、２，３，４，５，６及び７位のいずれか１箇所以上で置換する場合であり、２，３，６及び７位のいずれか１箇所以上で置換する場合がより好ましく、更に好ましくは、３及び６位のいずれか１箇所以上で置換する場合である。カルバゾリル基の３及び６位は酸化されやすく、この位置に置換基を導入することで長寿命化が図れる。
ｊが２の場合、合成の容易さの観点から、好ましくは、２，３，４，５，６及び７位のいずれか２箇所で置換する場合であり、２，３，６及び７位のいずれか２箇所で置換する場合がより好ましく、更に好ましくは、３及び６位で置換する場合である。

一般式（Ｉ）中、Ｒ^３は、各々独立に、置換若しくは未置換の直鎖若しくは分岐の炭素数１以上８以下のアルキル基を表す。Ｒ^３で表されるアルキル基は、各々独立に、炭素数１以上６以下であることが好ましく、炭素数１以上４以下であることがより好ましく、炭素数１以上３以下であることが更に好ましい。
Ｒ^３で表されるアルキル基は、直鎖状又は分岐状であり、好ましくは直鎖状アルキル基である。

一般式（Ｉ）中において、Ｒ^３で表されるアルキル基が置換基を有する場合、該置換基としては、アリール基、複素環が挙げられる。
前記置換基としてのアリール基は、炭素数６以上２０以下のものが好ましく、例えば、フェニル基、トルイル基、又はナフチル基等が挙げられる。前記置換基としての複素環は、前記Ｒで説明したものと同義である。
Ｒ^３で表されるアルキル基は、製造容易性の観点から、未置換のアルキル基であることが好適である。

一般式（Ｉ）におけるＲ^３で表されるアルキル基は、具体的には、メチル基、エチル基、ブチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基を挙げられ、メチル基、エチル基、ブチル基、ヘキシル基、イソプロピル基又はｔ−ブチル基が入手容易性の観点から好ましく、メチル基、エチル基、であることが好ましく、メチル基又はエチル基であることが製造容易性および高分子量化の観点から更に好ましい。

一般式（Ｉ）における２つのＲ^３は、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。

一般式（Ｉ）中、ａは０以上３以下の整数を表す。ａがこの範囲では溶解性及び耐熱性に優れる。イオン化ポテンシャルを低くするという観点からは、ａは０以上２以下の整数であることが好ましく、０又は１であることがより好ましい。耐熱性を重視するのであれば１以上３以下の整数であることが好ましく、２以上３以下の整数であることがより好ましい。

なお、ａの数によって、一般式（Ｉ）で表されるカルバゾール化合物の外観が異なる。具体的には、一般式（Ｉ）におけるｋが１の場合（カルバゾール基が１つの場合）、ａが０では油状であり、ａが１以上のときは粉状で得られる。一般式（Ｉ）におけるｋが２の場合（カルバゾール基が２つの場合）には、ａが０でも１以上でも粉状で得られる。よって、取り扱い性などを考慮して、ａの数が選択される。

一般式（Ｉ）中、ｋは１又は２を表す。ｋが１の場合には、より低いイオン化ポテンシャルが達成され、ｋが２の場合には、低いイオン化ポテンシャルと耐熱性の両立が図られる。

ｋが１の場合、カルバゾリル基が結合するベンゼン環に対して、カルバゾリル基の置換位置は、２位，３位又は４位のいずれであってもよいが、３位又は４位であることが置換基導入の容易さの観点から好ましく、４位であることがより好ましい。前記ベンゼン環の４位が最も酸化を受け易いことから、４位にカルバゾリル基を導入することで長寿命化が図られる。

ｋが２の場合、カルバゾリル基の置換位置は、２、３、４、５又は６位のうちのいずれの２箇所であってもよいが、３位と５位、２位と４位、又は２位と５位の組み合わせであることが置換基導入の容易さの観点から好ましく、３位と５位にカルバゾリル基を配置することが、一般式（Ｉ）で表されるカルバゾール化合物の酸化を防止し、カルバゾリル基の導入のし易さの観点から好ましい。

一般式（Ｉ）中、ｎは、各々独立に０以上７以下の整数を表す。合成上の観点からは、ｎは０以上３以下の整数であることが好ましく、高分子合成における高分子量化の観点からは０以上２以下の整数であることがより好ましい。なお、一般式（Ｉ）では、アルコキシカルボニル基（Ｒ^３ＯＣＯ−）とフェニレン基とがアルキレン基を介して結合するため、カルボニル基による酸性度の上昇が抑えられることで酸化され難く、耐久性が向上する。
一般式（Ｉ）における２つのｎは、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。

一般式（Ｉ）において、好ましい態様としては、ｊが０で置換基Ｒを有さないか、又はｊが２で２つの置換基Ｒが各々独立に、水素、メチル基、エチル基，プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ（ターシャリー）−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、又はｎ−オクチル基であり、Ｒ^３はメチル基、エチル基、ブチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、又はｔ−ブチル基であり、ａは０以上２以下の整数であり、ｎは１以上５以下の整数であり、ｋが１の場合には結合位置は２位、３位、又は４位であり、ｋが２の場合には結合位置が３位と５位、２位と４位、又は２位と５位であることが挙げられる。

一般式（Ｉ）において、より好ましい態様としては、ｊが０であって置換基Ｒを有さないか、又はｊが２であって２つの置換基Ｒが各々独立に、メチル基又はブチル基であり、Ｒ^３はメチル基又はエチル基であり、ａは０又は１であり、ｎは１以上３以下の整数であり、ｋが１の場合には結合位置が３位又は４位であり、ｋが２の場合には結合位置が３位と５位、又は２位と４位であることが挙げられる。

さらに、上記の中でも特に、画像形成装置用像保持体の繰り返し使用による残留電位の変動が低いという観点において好ましい態様としては、ｋが２であることが挙げられる。ｋが２であることにより、１つのベンゼン環に結合する２つのカルバゾリル基が立体障害によってねじれるため、アモルファス性が向上し、膜質が良好になると推測される。

以下に、一般式（Ｉ）で表されるカルバゾール化合物（ｋ＝１）の具体例化合物（１）から（２０）（構造番号１から２０の化合物、すなわち、具体例カルバゾール化合物（１）から（２０））を下記に示すが、これらに限定されるものではない。
なお、具体例化合物（１）から（２０）におけるＲ^１，Ｒ^２，Ｒ^３，ａ及びｎは、下記式（Ｉ−１）におけるＲ^１，Ｒ^２，Ｒ^３，ａ及びｎを意味する。また、具体例化合物（１）から（２０）において、下記式（Ｉ−１）における２個のＲ^３は、同じ基を表し、２箇所のｎは同じ数を表す。

以下に、一般式（Ｉ）で表されるカルバゾール化合物（ｋ＝２）の具体例化合物（２１）から（４０）（構造番号２１から４０の化合物、すなわち、具体例カルバゾール化合物（２１）から（４０））を示すが、これらに限定されるものではない。
なお、具体例化合物（２１）から（４０）におけるＲ^１，Ｒ^２，Ｒ^３，ａ及びｎは、下記式（Ｉ−２）におけるＲ^１，Ｒ^２，Ｒ^３，ａ及びｎを意味する。また、具体例化合物（２１）から（４０）では、下記式（Ｉ−２）における２個のＲ^１，Ｒ^２，及びＲ^３は、それぞれ同じ基を表し、２箇所のｎは、同じ整数を表す。

一般式（Ｉ）で表されるカルバゾール化合物は、カルバゾール化合物のハロゲン体とジアリールアミン化合物とのパラジウムカップリング反応、又はカルバゾール化合物のハロゲン体とジアリールアミン化合物とのＵｌｌｍａｎｎ反応若しくはパラジウム触媒を用いたカップリング反応を経て合成される。但し、本実施形態における合成法としてはこれらに限定されるものではない。

＜一般式（ＩＩ）で示される構造単位を含む化合物＞
以下、下記一般式（ＩＩ）で示される構造単位を含む化合物について詳細に説明する。
なお本実施形態では、下記一般式（ＩＩ）で示される構造単位を含む化合物として、下記一般式（ＩＩ−１）で示されるポリエステルを用いる。

一般式（ＩＩ）中、Ｙは、各々独立に、置換若しくは未置換の２価のアルコール残基を表し、ｍ’は０以上５以下の整数を表し、Ａは下記構造式（ＩＩＩ）で表される基を表す。

構造式（ＩＩＩ）中、Ｒは各々独立に、置換又は未置換の直鎖又は分岐の炭素数１以上８以下のアルキル基を表し、ａは０以上３以下の整数を表し、ｊは０以上８以下の整数を表し、ｋは１又は２を表し、ｎは各々独立に０以上７以下の整数を表す。

前記一般式（ＩＩ）で表されるポリエステルは、一般式（Ｉ）で表されるカルバゾール化合物を由来とする構造単位Ａを含むため、Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾリル−３，５−ベンゼンよりもイオン化ポテンシャルが低くなる。また、下記一般式（ＩＩ）で表されるポリエステルはポリマーであることから、低分子化合物であるＮ，Ｎ’−ジカルバゾリル−３，５−ベンゼンよりも高い耐熱性を有する。よって、前記一般式（ＩＩ）で表されるポリエステルは、画像形成装置用の像保持体に用いるのに好適である。
更に、一般式（ＩＩ）で表されるポリマーをエステル構造とすることで、一般式（Ｉ）で表されるカルバゾール化合物を由来とする構造単位Ａが導入されたポリマーを製造しやすい。
以下、一般式（ＩＩ）について詳細に説明する。

一般式（ＩＩ）中、Ｙは、各々独立に、置換若しくは未置換の２価のアルコール残基を表す。
Ｙは、２価のアルコール残基であり、アルキレン基、（ポリ）エチレンオキシ基、（ポリ）プロピレンオキシ基、アリーレン基、２価の複素環又はこれらの組み合わせであることが好ましい。

一般式（ＩＩ）におけるＹは、具体的には下記の式（１）から（６）から選択される基が挙げられる。

式（１）及び（２）中、ｄ及びｅは、各々独立に、１以上１０以下の整数を示す。
式（５）及び（６）中、Ｒ^４及びＲ^５は、各々独立に、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシル基、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換のアラルキル基、又はハロゲン原子を表す。
式（５）及び（６）中、ｆ及びｇはそれぞれ０、１又は２の整数を示し、ｈ及びｉはそれぞれ０又は１を示し、Ｖは下記式（１３）から（３３）から選択される基を表す。

式（１３）中、ｂは１以上１０以下の整数を表し、好ましくは１以上６以下の整数を表し、より好ましくは１以上４以下の整数を表す。
式（１９）中、Ｒ^１５は各々独立に、水素原子、アルキル基、又はシアノ基を表す。
式（３０）及び（３３）中、Ｒ^１６及びＲ^１７は、各々独立に、水素原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシル基、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換のアラルキル基、又はハロゲン原子を表す。
式（１９）、（２０）、及び（２９）から（３３）中、ｃは各々独立に、０以上１０以下の整数を表し、好ましくは０以上６以下の整数を表し、より好ましくは１以上３以下の整数を表す。

一般式（ＩＩ）における複数のＹは、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。

一般式（ＩＩ）中、ｍ’は、１以上５以下の整数を表す。溶解性と高分子量化の両立の観点からは、ｍ’は１以上３以下の整数であることが好ましく、高分子量化の観点からは１以上２以下の整数であることがより好ましい。

一般式（ＩＩ）中、Ａは下記構造式（ＩＩＩ）で表される基を表す。

構造式（ＩＩＩ）中、Ｒは各々独立に、置換若しくは未置換の直鎖若しくは分岐の炭素数１以上８以下のアルキル基を表し、ａは０以上３以下の整数を表し、ｊは０以上８以下の整数を表し、ｋは１又は２を表し、ｎは各々独立に０以上７以下の整数を表す。

構造式（ＩＩＩ）におけるＲは、一般式（Ｉ）におけるＲと同義であり、好ましい範囲も同様である。
構造式（ＩＩＩ）におけるａ、ｊ、ｋ、及びｎは、一般式（Ｉ）におけるａ、ｊ、ｋ、及びｎとそれぞれ同義であり、好ましい範囲も同様である。

一般式（ＩＩ）中、Ａで表される構造単位は、すべて同一であっても、２種類以上が含まれていてもよい。

前記一般式（ＩＩ）で表される構造単位を含むポリエステルとしては、例えば、下記一般式（ＩＩ−１）で表されるポリエステル及び下記一般式（ＩＩ−２）で表されるポリエステル等が挙げられる。いずれも一般式（Ｉ）に由来する構造単位Ａ（すなわち、上記構造式（ＩＩＩ）で表される基）を含むのでイオン化ポテンシャルが低下し、画像形成装置用像保持体に適する。
なお、下記一般式（ＩＩ−１）で表されるカルバゾリル基含有ポリエステルは、カルボン酸残基としてはＡ^１を有し、下記一般式（ＩＩ−２）で表されるカルバゾリル基含有ポリエステルでは、Ａ^１とＺ^１とをカルボン酸残基として有する。よって、下記一般式（ＩＩ−１）で表されるカルバゾリル基含有ポリエステルは合成の簡便さの観点で優れており、下記一般式（ＩＩ−２）で表されるカルバゾリル基含有ポリエステルは、組み合わせるカルボン酸残基Ｚ^１によって更に画像形成装置用の有機感光体に適したものとなり得る。

一般式（ＩＩ−１）中、Ｙ^１、ｍ、及びＡ^１は、前記一般式（ＩＩ）におけるＹ、ｍ’、及びＡとそれぞれ同義である。ｐは５以上５，０００以下の整数を表す。Ｒ^４は、各々独立に、水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアラルキル基を表す。

一般式（ＩＩ−２）中、Ｙ^１、及びＡ^１は、一般式（ＩＩ）におけるＹ、及びＡとそれぞれ同義である。ｍ’は０以上５以下の整数を表し、ｐは５以上５，０００以下の整数を表す。Ｂは、各々独立に、−Ｏ−（Ｙ^１−Ｏ）_ｍ−Ｈまたは−Ｏ−（Ｙ^１−Ｏ）_ｍ−ＣＯ−Ｚ^１−ＣＯ−ＯＲ^４で表される基を表す。ここでＲ^４は、一般式（ＩＩ−１）におけるＲ^４と同義である。Ｚ^１は２価のカルボン酸残基を表す。

一般式（ＩＩ−１）及び（ＩＩ−２）中、ｐは各々独立に５以上５，０００以下の整数を表す。塗膜組成物（塗布液）として用いる際の一般的な溶媒に対しての溶解性を考慮すると、ｐは５以上２０００以下の整数であることが好ましく、合成の容易さの観点からは５以上６００以下の整数であることがより好適であり、分子分散性Ｍｗ／Ｍｎの観点からは５以上５００以下の整数であることが更に好適である。
なお、ｐが５以上５，０００以下の範囲であれば、ｐの数によってイオン化ポテンシャルは殆ど影響を受けず、大きくとも０．０１ｅＶ程度の変動と推測される。

一般式（ＩＩ−１）中、Ｒ^４は、各々独立に、水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアラルキル基を表す。一般式（ＩＩ−２）中のＢで表される基に含まれるＲ^４も、一般式（ＩＩ−１）中のＲ^４と同様である。

上記のなかでも、Ｒ^４としては、水素原子又はフェニル基であることが好適であり、低コスト化、製造容易性の観点から水素原子であることがより好適である。

一般式（ＩＩ−１）及び（ＩＩ−２）における２つのＲ^４は、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。一般式（ＩＩ−２）における２つのＢも、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。

一般式（ＩＩ−２）におけるＺ^１は、２価のカルボン酸残基を表す。
具体的には、一般式（ＩＩ）におけるＹで挙げた２価の連結基と同様であり、好適な範囲も同様である。一般式（ＩＩ−２）における複数のＺ^１は、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。

一般式（ＩＩ−１）及び一般式（ＩＩ−２）における複数のＡ^１は、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。

一般式（ＩＩ−１）又は一般式（ＩＩ−２）など、一般式（Ｉ）で表されるカルバゾール化合物を由来とする構造単位を含む一般式（ＩＩ）で表されるポリエステルは、重量平均分子量Ｍｗが、５０００以上３０００００以下の範囲にあるものが好ましく、一般に塗布液として用いる際の溶媒に対しての溶解性を考慮すると、重量平均分子量は、１００００以上２０００００以下であることが好ましく、３００００以上１５００００以下であることが更に好ましい。
尚、上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（キャリア：テトラヒドロフラン）により測定されるポリスチレン換算の平均分子量である。

以下に、一般式（ＩＩ）で表されるカルバゾリル基含有ポリエステルの具体例ポリマー（１）から（３７）（ポリマー１から３７、すなわち、具体例カルバゾリル基含有ポリエステル（１）から（３７））を示すが、本実施形態はこれらの具体例に限定されるものではない。
尚、具体例ポリマーにおけるモノマーの欄の番号は、前記一般式（Ｉ）で表されるカルバゾール化合物の具体例番号に対応している。以下、各番号を付した具体例（化合物）、例えば１５の番号を付したＡの構造は、具体例化合物（１５）に由来する構造を意味する。
また、具体例ポリマーにおけるＹ^１、Ｚ^１、ｍ、ｍ’、ｐ、及びＲ^４は、それぞれ一般式（ＩＩ−１）及び（ＩＩ−２）におけるＹ^１、Ｚ^１、ｍ、ｍ’、ｐ、及びＲ^４を表す。Ｚ^１の欄が「−」と記載されたものは、一般式（ＩＩ−１）で表されるポリエステルの具体例を示し、その他は一般式（ＩＩ−２）で表されるポリエステルの具体例を示す。さらに、下記具体例ポリマーのうち、本実施形態の画像形成装置用像保持体に用いられる化合物は上記一般式（ＩＩ−１）で表されるポリエステルである。

上記一般式（ＩＩ）で表される構造単位を含むポリエステルの合成方法は、所望する構造に応じて公知の方法を組み合わせて利用される。その合成方法は特に限定されるものではないが、本実施形態の画像形成装置用像保持体に用いられるカルバゾリル基含有ポリエステルの合成方法の一例を以下に説明する。

前記一般式（ＩＩ）で表されるカルバゾリル基含有ポリエステルのうちｍ’が１以上５以下のものは、下記一般式（Ｉ−３）で示されるモノマーを、例えば、第４版実験化学講座第２８巻（丸善，１９９２）等に記載された公知の方法で重合することで得られる。

前記一般式（Ｉ−３）において、Ａ^１は前記一般式（Ｉ）で表されるカルバゾール化合物から選択された少なくとも１種に由来する部分構造を表し、前記一般式（ＩＩ）中のＡと同義である。Ａ’は水酸基、ハロゲン原子、又は−Ｏ−Ｒ^６を表し、Ｒ^６はアルキル基、置換若しくは未置換のアリール基、又は、アラルキル基を表す。
すなわち、前記一般式（ＩＩ）で表されるカルバゾリル基含有ポリエステルは、次のようにして合成される。

１）Ａ’が水酸基の場合
前記一般式（Ｉ−３）で表される化合物に、ＨＯ−（Ｙ^１−Ｏ）_ｍ−Ｈで表される２価アルコール類を当量混合し、酸触媒を用いて重合する。なお、Ｙ^１は２価のアルコール残基を表し、一般式（ＩＩ）中のＹと同義である。ｍは１以上５以下の整数を表し、一般式（ＩＩ）中のｍ’と同義である。

前記酸触媒としては、硫酸、トルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸等、通常のエステル化反応に用いるものが使用され、モノマー１質量部に対して、１／１０，０００質量部以上１／１０質量以下部、好ましくは１／１，０００質量以上１／５０質量部以下の範囲で用いられる。
重合中に生成する水を除去するために、水と共沸する溶剤を用いることが好ましく、トルエン、クロロベンゼン、１−クロロナフタレン等が有効であり、モノマー１質量部に対して、１質量部以上１００質量部以下、好ましくは２質量部以上５０質量部以下の範囲で用いられる。
反応温度は条件に応じて設定されるが、重合中に生成する水を除去するために、溶剤の沸点で反応させることが好ましい。

反応終了後、溶剤を用いなかった場合には溶解する溶剤に溶解させる。溶剤を用いた場合には、反応溶液をそのまま、メタノール、エタノール等のアルコール類や、アセトン等のポリマーが溶解しにくい貧溶剤中に滴下し、ポリエステルを析出させ、ポリエステルを分離した後、水や有機溶剤で十分洗浄し、乾燥させる。
更に、必要であれば適当な有機溶剤に溶解させ、貧溶剤中に滴下し、ポリエステルを析出させる再沈殿処理を繰り返してもよい。再沈殿処理の際には、メカニカルスターラー等で、効率よく撹拌しながら行うことが好ましい。再沈殿処理の際にポリエステルを溶解させる溶剤は、ポリエステル１質量部に対して、１質量部以上１００質量部以下、好ましくは２質量部以上５０質量部以下の範囲で用いられる。また、貧溶剤はポリエステル１質量部に対して、１質量部以上１，０００質量部以下、好ましくは１０質量部以上５００質量部以下の範囲で用いられる。

２）Ａ’がハロゲンの場合
前記一般式（Ｉ−３）で表される化合物に、ＨＯ−（Ｙ^１−Ｏ）_ｍ−Ｈで示される２価アルコール類を当量混合し、ピリジンやトリエチルアミン等の有機塩基性触媒を用いて重合する。なお、Ｙ^１は２価のアルコール残基を表し、一般式（ＩＩ）中のＹと同義である。ｍは１以上５以下の整数を表し、一般式（ＩＩ）中のｍ’と同義である。

前記有機塩基性触媒は、モノマー１当量に対して、１当量以上１０当量以下、好ましくは２当量以上５当量以下の範囲で用いられる。
溶剤としては、塩化メチレン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、トルエン、クロロベンゼン、１−クロロナフタレン等が有効であり、モノマー１質量部に対して、１質量部以上１００質量部以下、好ましくは２質量部以上５０質量部以下の範囲で用いられる。
反応温度は条件に応じて設定される。重合後、前述のように再沈殿処理し、精製する。

また、ビスフェノール等の酸性度の高い２価アルコール類の場合には、界面重合法も用いられる。すなわち、２価アルコール類を水に加え、当量の塩基を加えて溶解させた後、激しく撹拌しながら２価アルコール類と当量のモノマー溶液を加えることによって重合される。この際、水は２価アルコール類１質量部に対して、１質量部以上１，０００質量部以下、好ましくは２質量部以上５００質量部以下の範囲で用いられる。モノマーを溶解させる溶剤としては、塩化メチレン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、トルエン、クロロベンゼン、１−クロロナフタレン等が有効である。
反応温度は条件に応じて設定され、反応を促進するために、アンモニウム塩、スルホニウム塩等の相間移動触媒を用いることが効果的である。相間移動触媒は、モノマー１質量部に対して、０．１質量部以上１０質量部以下、好ましくは０．２質量部以上５質量部以下の範囲で用いられる。

３）Ａ’が−Ｏ−Ｒ^６の場合
前記一般式（Ｉ−３）で表される化合物に、ＨＯ−（Ｙ^１−Ｏ）_ｍ−Ｈで示される２価アルコール類を過剰に加え、硫酸、リン酸等の無機酸、チタンアルコキシド、カルシウム及びコバルト等の酢酸塩或いは炭酸塩、亜鉛や鉛の酸化物を触媒に用いて加熱し、エステル交換により合成される。なお、Ｙ^１は２価のアルコール残基を表し、一般式（ＩＩ）中のＹと同義である。ｍは１以上５以下の整数を表し、一般式（ＩＩ）中のｍ’と同義である。

前記２価アルコール類はモノマー１当量に対して、２当量以上１００当量以下、好ましくは３当量以上５０当量以下の範囲で用いられる。
前記触媒はモノマー１質量部に対して、１／１０，０００質量部以上１質量部以下、好ましくは１／１，０００質量部以上１／２質量部以下の範囲で用いられる。

反応は、反応温度２００℃以上３００℃以下で行い、−Ｏ−Ｒ^６から−Ｏ−（Ｙ^１−Ｏ）_ｍ−Ｈへのエステル交換終了後は、ＨＯ−（Ｙ^１−Ｏ）_ｍ−Ｈの脱離による重合を促進するため、減圧下で反応させることが好ましい。また、ＨＯ−（Ｙ^１−Ｏ）_ｍ−Ｈと共沸する１−クロロナフタレン等の高沸点溶剤を用いて、常圧下でＨＯ−（Ｙ^１−Ｏ）_ｍ−Ｈを共沸で除きながら反応させてもよい。

また、次のようにしてポリエステルを合成する。
上記それぞれの場合において、２価アルコール類を過剰に加えて反応させることによって下記一般式（Ｉ−４）で示される化合物を生成した後、この化合物を前記一般式（Ｉ−３）で示したモノマーの代わりとして用いて上記と同様の方法で、２価カルボン酸又は２価カルボン酸ハロゲン化物等と反応させ、一般式（ＩＩ）で表されるカルバゾリル基含有ポリエステルが得られる。

一般式（Ｉ−４）中、Ａ^１は前記一般式（Ｉ）で表されるカルバゾール化合物から選択された少なくとも１種に由来する部分構造を表し、前記一般式（ＩＩ）におけるＡと同義である。Ｙ^１は２価のアルコール残基を表し、前記一般式（ＩＩ）におけるＹと同義である。ｍは１以上５以下の整数を表し、前記一般式（ＩＩ）におけるｍ’と同義である。

また、前記カルバゾリル基含有ポリエステルの末端に分子を導入することを行ってもよい。その場合、次の方法が挙げられる。すなわち、Ａ’が水酸基の場合、末端導入化合物のモノカルボン酸を共重合させるか、ポリマーの重合反応後の電子輸送性化合物にモノカルボン酸を仕込んで反応させ導入する。

また、Ａ’がハロゲンの場合、末端導入化合物のモノ酸塩化物を共重合させるか、ポリマーの重合反応後、末端導入化合物のモノ酸塩化物を仕込んで反応させ導入する。Ａ’が−Ｏ−Ｒ^６の場合には、末端導入化合物のモノエステルを共重合させるか、ポリマーの重合反応後、末端導入化合物のモノエステルを仕込んで反応させ導入する。

一方、前記一般式（ＩＩ）で表されるカルバゾリル基含有ポリエステルのうちｍ’が０のものは、前記一般式（Ｉ−３）で示されるモノマーのうちＡ’がカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）であるものを用い、上記と同様の方法で重合することで得られる。

本実施形態の画像形成装置用像保持体では、前記の通り、前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方が、感光層に含まれる。よって、前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方が結着樹脂との相溶性に優れるため、感光層に結着樹脂を用いても、感光層の膜厚むらが少ない。
また本実施形態の画像形成装置用像保持体は、前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方を含有する感光層を有することで、繰返し使用による残留電位変動も低く、優れた環境維持性を発揮する。
さらに本実施形態の画像形成装置及びプロセスカートリッジでは、本実施形態の画像形成装置用像保持体を用いるものであるために、長期にわたって良好な画質が得られ、環境負荷の低減や大幅なコストダウンにもなる。

＜画像形成装置用像保持体の構成＞
以下、本実施形態の画像形成装置用像保持体の構成について説明する。
本実施形態の画像形成装置用像保持体は、導電性支持体上に感光層を有する画像形成装置用像保持体であって、該感光層に上記した一般式（Ｉ）で示される化合物及び一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方を含有することを特徴とする。
図１から図３は、それぞれ本実施形態の画像形成装置用像保持体の第１から第３実施形態を示す模式断面図である。
いずれも画像形成装置用像保持体１を導電性支持体２及び感光層３の積層方向に沿って切断したものである。

図１及び図２に示す、第１及び第２実施形態に係る画像形成装置用像保持体１は、電荷発生物質と電荷輸送物質とが異なる層に含有される機能分離型感光層を備えるものである。すなわち、感光層３中において、電荷発生物質を含有する層（電荷発生層５）と電荷輸送物質を含有する層（電荷輸送層６）とが別個に形成され、それらが隣接するように積層されている。

一方、図３に示す、第３実施形態に係る画像形成装置用像保持体１は、電荷発生物質と電荷輸送物質とが同一の層に含有される単層型感光層を備えるものである。すなわち、感光層３中において、電荷発生物質と電荷輸送物質と含有する電荷発生・輸送層８が一層形成されている。

より詳しくは、第１実施形態に係る画像形成装置用像保持体１においては、導電性支持体２上に下引き層４、電荷発生層５、及び電荷輸送層６がこの順で積層されて感光層３が構成されており、第２実施形態に係る画像形成装置用像保持体１においては、導電性支持体２上に下引き層４、電荷発生層５、電荷輸送層６、及び保護層７がこの順で積層されて感光層３が構成されている。また、第３実施形態に係る画像形成装置用像保持体１においては、導電性支持体２上に下引き層４及び電荷発生・輸送層８がこの順で積層されて感光層３が構成されている。

なお、図示を省略するが、第２実施形態の変形態様として、第２実施形態における電荷発生層５と電荷輸送層６との積層順を逆にした態様や、第３実施形態の変形態様として、第３実施形態の電荷発生・輸送層８上に、第１及び第２実施形態において用いられる成分からなる保護層７を形成させた態様も挙げられる。

導電性支持体２としては、アルミニウムがドラム状、シート状、又はプレート状等の形状のものとして使用されるが、これらに限定されるものではない。導電性支持体２には陽極酸化処理や、ベーマイト処理、又はホーニング処理等を行ってもよい。

導電性支持体２と感光層３で挟まれる領域又は導電性支持体２と電荷発生・輸送層８で挟まれる領域には、図１から図３に示すように下引き層４が設けられる。下引き層４としては、ジルコニウムキレート化合物、ジルコニウムアルコキシド化合物、又はジルコニウムカップリング剤等の有機ジルコニウム化合物；チタンキレート化合物、チタンアルコキシド化合物、又はチタネートカップリング剤等の有機チタン化合物；アルミニウムキレート化合物、又はアルミニウムカップリング剤等の有機アルミニウム化合物のほか；アンチモンアルコキシド化合物、ゲルマニウムアルコキシド化合物、インジウムアルコキシド化合物、インジウムキレート化合物、マンガンアルコキシド化合物、マンガンキレート化合物、スズアルコキシド化合物、スズキレート化合物、アルミニウムシリコンアルコキシド化合物、アルミニウムチタンアルコキシド化合物、又はアルミニウムジルコニウムアルコキシド化合物、等の有機金属化合物が用いられる。特に有機ジルコニウム化合物、有機チタニル化合物、又は有機アルミニウム化合物は好ましく使用される。

また、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス２メトキシエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−２−アミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプロプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、又はβ−３，４−エポキシシクロヘキシルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤を更に含有させて使用する。

更に、ポリビニルアルコール、ポリビニルメチルエーテル、ポリ−Ｎ−ビニルイミダゾール、ポリエチレノキシド、エチルセルロース、メチルセルロース、エチレン−アクリル酸共重合体、ポリアミド、ポリイミド、カゼイン、ゼラチン、ポリエチレン、ポリエステル、フェノール樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、エポキシ樹脂、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピリジン、ポリウレタン、ポリグルタミン酸、又はポリアクリル酸等の公知の結着樹脂を更に含有させ得る。これらの混合割合は、必要に応じて設定される。
また、下引き層４中には電子輸送性顔料を混合又は分散して使用し得る。

電子輸送性顔料としては、特開昭４７−３０３３０号公報に記載のペリレン顔料、ビスベンズイミダゾールペリレン顔料、多環キノン顔料、インジゴ顔料、又はキナクリドン顔料等の有機顔料が挙げられる。また、シアノ基、ニトロ基、ニトロソ基、又はハロゲン原子等の電子吸引性の置換基を有するビスアゾ顔料やフタロシアニン顔料等の有機顔料、酸化亜鉛、又は酸化チタン等の無機顔料が挙げられる。これらの顔料の中では、ペリレン顔料、ビスベンズイミダゾールペリレン顔料、多環キノン顔料、酸化亜鉛、又は酸化チタンが好ましい。

またこれらの顔料の表面は、上記カップリング剤や、バインダ等で表面処理してもよい。電子輸送性顔料の含有量は、下引き層４全量中９５重量％以下、好ましくは９０重量％以下で使用される。

下引き層４中に電子輸送性顔料を混合又は分散する方法は、ボールミル、ロールミル、サンドミル、又はアトライター、超音波等を用いる常法が適用される。混合及び分散は有機溶剤中で行われるが、有機溶剤としては、有機金属化合物や樹脂を溶解し、また、電子輸送性顔料を混合又は分散したときにゲル化や凝集を起こさないものであれば如何なるものでも使用される。例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロルベンゼン、又はトルエン等の通常の有機溶剤を単独あるいは２種以上混合して用いる。

下引き層４の厚みは、０．１μｍ以上３０μｍ以下が好ましく、より好ましくは０．２μｍ以上２５μｍ以下が適当である。
また、下引き層４を設けるときに用いる塗布方法としては、ブレードコーティング法、マイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、又はカーテンコーティング法等の通常の方法を用いる。

前記成分を含有する下引き層形成用組成物を塗布して形成された塗膜を乾燥させて下引き層４を得るが、通常、乾燥は溶剤を蒸発させ、製膜され得る温度で行われる。特に、酸性溶液処理、ベーマイト処理を行った基材は、基材の欠陥隠蔽力が不十分となり易いため、下引き層４を形成することが好ましい。

電荷発生層５に含有される電荷発生材料は、ビスアゾ、又はトリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料、ピロロピロール顔料、又はフタロシアニン顔料等既知のものを使用し得るが、とくに金属及び無金属フタロシアニン顔料が好ましい。その中でも、特開平５−２６３００７号公報及び、特開平５−２７９５９１号公報に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン、特開平５−９８１８１号公報に開示されたクロロガリウムフタロシアニン、特開平５−１４０４７２号公報及び、特開平５−１４０４７３号公報に開示されたジクロロスズフタロシアニン、又は特開平４−１８９８７３号公報及び、特開平５−４３８１３号公報に開示されたチタニルフタロシアニンが特に好ましい。

電荷発生層５は、電荷発生材料と結着樹脂とを混合して形成するが、このような結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、又はポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択し得る。好ましい結着樹脂としては、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノールＡとフタル酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、又はポリビニルピロリドン樹脂等の絶縁性樹脂が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの結着樹脂は単独あるいは２種以上混合して用いる。
なお本発明における絶縁性樹脂とは、ＪＩＳ Ｋ ７１９４「導電性プラスチックの４探針法による抵抗率試験方法」に基づき測定した体積抵抗率が１０^１２Ω・ｃｍ以上であるような絶縁性樹脂を指す。

電荷発生材料と結着樹脂の配合比（重量比）は１０：１から１：１０の範囲が好ましく、より好ましくは８：３から３：８である。
またこれらを分散させる方法としてはボールミル分散法、アトライター分散法、又はサンドミル分散法等の通常の方法を用いるが、この際、分散によって電荷発生材料の結晶型が変化しない条件が必要とされる。ちなみに本実施形態で用いた前記の分散法のいずれについても分散前と結晶型が変化していないことが確認されている。

更にこの分散の際、電荷発生材料の粒子を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下の粒子サイズにすることが有効である。
またこれらの分散に用いる溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロルベンゼン、又はトルエン等の通常の有機溶剤を単独あるいは２種以上混合して用いる。

電荷発生層５の厚みは０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましく、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下である。また、電荷発生層５を設けるときに用いる塗布方法としては、ブレードコーティング法、マイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、又はカーテンコーティング法等の通常の方法を用いる。

電荷輸送層６としては、前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方を含有する他は、公知の技術によって形成されたものを使用し得る。
電荷輸送層６は、前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方を含有すれば、その他の電荷輸送材料、結着樹脂等を含有して形成されてもよい。なお、前記一般式（Ｉ）で示される化合物を用いて前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物を用いない場合は、前記一般式（Ｉ）で示される化合物を結着樹脂等に分散させて用いることが望ましい。また前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物を用いる場合は、その他の樹脂を用いなくても電荷輸送層６が形成されるが、低コストの観点から、その他の樹脂と混合して用いることが望ましい。
その他の電荷輸送材料としては、例えば、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物、キサントン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノビニル系化合物、エチレン系化合物等の電子輸送性化合物や、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物といった他の電荷輸送材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

電荷輸送層６全量中、前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の含有量は、５質量％以上７０質量％以下が好ましく、より好ましくは１０質量％以上６０質量％以下であり、更に好ましくは２０質量％以上５０質量％以下である。
また前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物以外の化合物を電荷輸送材料として併用する場合は、電荷輸送材料全量中、前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の含有量は、１質量％以上であるのが好ましく、５質量％以上であるのがより好ましい。

前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方と混合する化合物としては、以下の一般式（Ｖ）または一般式（ＶＩ）で示される化合物が好ましい。

一般式（Ｖ）中、Ｒ^２は水素原子又はメチル基を示す。ｎは１又は２を示す。Ａｒ^２及びＡｒ^３はそれぞれ独立に、置換または未置換のアリール基を示し、置換アリール基の置換基としてはハロゲン原子、炭素数が１以上５以下のアルキル基、炭素数が１以上５以下のアルコキシ基、又は炭素数が１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基が挙げられる。

一般式（ＶＩ）中、Ｒ^７及びＲ^８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基を示す。Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換された置換アミノ基、又は、置換若しくは未置換のアリール基を示す。ｐ及びｑはそれぞれ独立に、０以上２以下の整数を示す。

電荷輸送層６に結着樹脂を用いる場合、結着樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコン樹脂、シリコン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂や、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン、又は特開平８−１７６２９３号公報や特開平８−２０８８２０号公報に開示されているポリエステル系高分子電荷輸送材等高分子電荷輸送材が挙げられる。これらの結着樹脂は単独あるいは２種以上混合して用いる。電荷輸送材料と結着樹脂との配合比（重量比）は１０：１から１：１０が好ましく、より好ましくは８：３から３：８である。

電荷輸送層６の厚みは５μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、より好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下である。
塗布方法としては、ブレードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、又はカーテンコーティング法等の通常の方法を用いる。

電荷輸送層６を設けるときに用いる溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、又はクロルベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、又は２−ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、又は塩化エチレン等のハロンゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、又はエチルエーテル等の環状もしくは直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤を単独あるいは２種以上混合して用いる。

また、感光層中に酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤等の添加剤を添加してもよい。
酸化防止剤としては例えば、ヒンダードフェノール、ヒンダードアミン、パラフェニレンジアミン、アリールアルカン、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノン若しくはそれらの誘導体、有機硫黄化合物、又は有機燐化合物等が挙げられる。
光安定剤の例としては例えば、ベンゾフェノン、ベンゾトリアゾール、ジチオカルバメート、又はテトラメチルピペリジン等の誘導体が挙げられる。

また、少なくとも１種の電子受容性物質を含有してもよい。使用される電子受容性物質としては、例えば、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレイン酸、無水フタル酸、テトラブロム無水フタル酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、ｏ−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、クロラニル、ジニトロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、ピクリン酸、ｏ−ニトロ安息香酸、ｐ−ニトロ安息香酸、又はフタル酸等が挙げられる。これらのうち、フルオレノン系、キノン系、又はＣｌ、ＣＮ、ＮＯ_２等の電子吸引性置換基を有するベンゼン誘導体が特に好ましい。

本実施形態の画像形成装置用像保持体は、保護層７（表面層）を備えるようにしてもよいが、保護層７を高強度保護層（高強度表面層）とすることが好ましい。この高強度保護層としては、バインダー樹脂中に導電性粒子を分散したもの、通常の電荷輸送層材料にフッ素樹脂、アクリル樹脂等の潤滑性粒子を分散したもの、シリコーンや、アクリル等のハードコート剤等が使用される。高強度保護層は、電荷輸送性を有し、架橋構造を有するシロキサン系樹脂を含むものが好ましく、このうち特に、下記一般式（ＩＸ）で示される構造のものが好ましい。

Ｇ−Ｄ−Ｆ （ＩＸ）
一般式（ＩＸ）におけるＧは無機ガラス質ネットワークサブグループ、Ｄは可とう性有機サブユニット、Ｆは電荷輸送性サブユニットを意味する。Ｆとしては、光キャリア輸送特性を有する構造として、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物、キノン系化合物、フルオレノン化合物、キサントン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノビニル系化合物、又はエチレン系化合物等が挙げられる。

一般式（ＩＸ）におけるＧは、好ましくは反応性を有するＳｉ基であり、この基は互いに架橋反応を生じて３次元的なＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合である無機ガラス質ネットワークを形成する。
一般式（ＩＸ）におけるＤは、電荷輸送性を付与するためのＦを、３次元的な無機ガラス質ネットワークに直接結合で結びつけるためのものである。

一般式（ＩＸ）で表される化合物において、Ｄで表される、無機ガラス質ネットワークに直接結合で結びつける基は、一般式（ＩＸ）で表される化合物を加水分解した際に生じるシラノール基と結合する基を意味し、−Ｓｉ（Ｒ^１１）（３−ａ）Ｑ_ａで示される基、エポキシ基、イソシアネート基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、又はハロゲン原子等の基がよい。これらのうち、−Ｓｉ（Ｒ^１１）（３−ａ）Ｑ_ａで示される基、エポキシ基、又はイソシアネート基を有する化合物が好ましい。なお、Ｒ^１１は、水素原子、アルキル基、又は置換若しくは未置換のアリール基であり、Ｑは加水分解性基である。ａは、０から３の整数である。
なおこれらの基を分子内に２つ以上持つものが硬化膜の架橋構造が３次元的になるため好ましい。

保護層７は、他のカップリング剤、フッ素化合物を混合して用いてもよい。この化合物として、各種シランカップリング剤、及び市販のシリコーン系ハードコート剤が用いられる。
シランカップリング剤としては、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、テトラメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、又はジメチルジメトキシシラン、等が用いられる。
市販のハードコート剤としては、ＫＰ−８５、Ｘ−４０−９７４０、Ｘ−４０−２２３９（以上、信越シリコーン社製）、ＡＹ４２−４４０、ＡＹ４２−４４１、又はＡＹ４９−２０８（以上、東レダウコーニング社製）等が用いられる。

保護層７にはまた、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリエトキシシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシラン、３−（ヘプタフルオロイソプロポキシ）プロピルトリエトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロアルキルトリエトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシルトリエトキシシラン、又は１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルトリエトシキシラン等の含フッ素化合物を加えてもよい。

シランカップリング剤の量は必要に応じて設定されるが、含フッ素化合物の量は、フッ素を含まない化合物１重量部に対して０．２５重量部以下とすることが望ましい。また、上記した−Ｓｉ（Ｒ^１１）（３−ａ）Ｑ_ａで示される加水分解性基を有する置換ケイ素基を２個以上有している化合物を併用して用いることがより好ましい。

これらのコーティング液の調整は、無溶媒で行うか、必要に応じてメタノール、エタノール、プロパノール、又はブタノール等のアルコール類；アセトン、又はメチルエチルケトン等のケトン類；テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、又はジオキサン等のエーテル類等が使用されるが、好ましくは沸点が１００℃以下のものである。これらは、必要に応じ混合して使用される。溶剤量は必要に応じ設定されるが、一般式（ＩＸ）で示される化合物１重量部に対し０．５重量部以上３０重量部以下、好ましくは、１重量部以上２０重量部以下で使用される。

反応温度及び時間は原料の種類によっても異なるが、通常、０℃以上１００℃以下、好ましくは１０℃以上７０℃以下、特に好ましくは、１５℃以上５０℃以下の温度で行う。反応時間に特に制限はないが、反応時間は１０分から１００時間の範囲で行うことが好ましい。

硬化触媒としては、塩酸、酢酸、リン酸、又は硫酸等のプロトン酸、アンモニア、又はトリエチルアミン等の塩基、ジブチル錫ジアセテート、ジブチル錫ジオクトエート、又はオクエ酸第一錫等の有機錫化合物、テトラ−ｎ−ブチルチタネート、又はテトライソプロピルチタネート等の有機チタン化合物、アルミニウムトリブトキシド、又はアルミニウムトリアセチルアセトナート等の有機アルミニウム化合物、有機カルボン酸の鉄塩、マンガン塩、コバルト塩、亜鉛塩、又はジルコニウム塩等が挙げられるが、金属化合物が好ましく、更に、金属のアセチルアセトナート、あるいは、アセチルアセテートが好ましく、特にアルミニウムトリアセチルアセトナートが好ましい。

硬化触媒の使用量は必要に応じ設定されるが、加水分解性ケイ素置換基を含有する材料の合計量に対して０．１重量％以上２０重量％以下が好ましく、０．３重量％以上１０重量％以下がより好ましい。
硬化温度は、必要に応じ設定されるが、所望の強度を得るためには６０℃以上、より好ましくは８０℃以上に設定される。硬化時間は、必要に応じ設定されるが、１０分から５時間が好ましい。
また、硬化反応を行ったのち、高湿度状態に保つことも有効である。更に、用途によっては、ヘキサメチルジシラザンや、又はトリメチルクロロシラン等を用いて表面処理を行い、疎水化する。

画像形成装置用像保持体の保護層７には、酸化防止剤を添加することが好ましい。
酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール系又はヒンダードアミン系が望ましく、有機イオウ系酸化防止剤、フォスファイト系酸化防止剤、ジチオカルバミン酸塩系酸化防止剤、チオウレア系酸化防止剤、又はベンズイミダゾール系酸化防止剤、等の公知の酸化防止剤を用いてもよい。酸化防止剤の添加量としては、保護層７全量中、２０重量％以下が望ましく、１０重量％以下が更に望ましい。

ヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，５−ジ−ｔ−ブチルヒドロキノン、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナマイド、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチルエステル、２，４−ビス［（オクチルチオ）メチル］−ｏ−クレゾール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール、２，２’−メチレンビス（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレンビス（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，５−ジ−ｔ−アミルヒドロキノン、２−ｔ−ブチル−６−（３−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−メチルフェニルアクリレート、又は４，４’−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、等が挙げられる。

また画像形成装置用像保持体の保護層７には、アルコールに溶解する樹脂を加えてもよい。アルコール系溶剤に可溶な樹脂としては、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、又はブチラールの一部がホルマールやアセトアセタール等で変性された部分アセタール化ポリビニルアセタール樹脂等のポリビニルアセタール樹脂（例えば積水化学社製エスレックＢ、Ｋ等）、ポリアミド樹脂、セルロ−ス樹脂、又はフェノール樹脂等が挙げられる。特に、電気特性上ポリビニルアセタール樹脂が好ましい。上記樹脂の重量平均分子量は２０００以上１００，０００以下が好ましく、５，０００以上５０，０００以下が更に好ましい。
樹脂の添加量は１％以上４０％以下が好ましく、より好ましくは１％以上３０％以下であり、５％以上２０％以下が特に好ましい。

更に、保護層７に各種粒子を添加してもよい。それらは、単独で用いてもよいが、併用してもよい。粒子の一例として、ケイ素含有粒子が挙げられる。ケイ素含有粒子とは、構成元素にケイ素を含む粒子であり、具体的には、コロイダルシリカ又はシリコーン粒子等が挙げられる。ケイ素含有粒子として用いられるコロイダルシリカは、平均粒子径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下の酸性またはアルカリ性の水分散液、あるいはアルコール、ケトン、エステル等の有機溶媒中に分散させたものから選ばれ、一般に市販されているものを使用する。最表面層中のコロイダルシリカの固形分含有量は、特に限定されるものではないが、製膜性、電気特性、強度の面から最表面層の全固形分中の０．１重量％以上５０重量％以下、好ましくは０．１重量％以上３０重量％以下である。

ケイ素含有粒子として用いられるシリコーン粒子は、球状で、平均粒子径１ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の、シリコーン樹脂粒子、シリコーンゴム粒子、又はシリコーン表面処理シリカ粒子から選ばれ、一般に市販されているものを使用する。画像形成装置用像保持体における最表面層中のシリコーン粒子の含有量は、最表面層の全固形分中の０．１重量％以上３０重量％以下が好ましく、０．５重量％以上１０重量％以下がより好ましい。

また、その他の粒子としては、４フッ化エチレン、３フッ化エチレン、６フッ化プロピレン、フッ化ビニル、又はフッ化ビニリデン等のフッ素系粒子や「第８回ポリマー材料フォーラム講演予稿集、ｐ８９」に示される、前記フッ素樹脂と水酸基を有するモノマーを共重合させた樹脂を含む粒子、ＺｎＯ−Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２−Ｓｂ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２、ＺｎＯ−ＴｉＯ_２、ＺｎＯ−ＴｉＯ２、ＭｇＯ−Ａｌ_２Ｏ_３、ＦｅＯ−ＴｉＯ_２、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、又はＭｇＯ等の半導電性金属酸化物が挙げられる。
ここで半導電性とは、ＪＩＳ Ｋ ７１９４「導電性プラスチックの４探針法による抵抗率試験方法」に基づき測定した体積抵抗率が１０^７Ω・ｃｍ以上１０^１１Ω・ｃｍ以下であることを意味する。

また、保護層７にシリコーンオイル等のオイルを添加し得る。シリコーンオイルとしては、例えば、ジメチルポリシロキサン、ジフェニルポリシロキサン、又はフェニルメチルシロキサン等のシリコーンオイル；アミノ変性ポリシロキサン、エポキシ変性ポリシロキサン、カルボキシル変性ポリシロキサン、カルビノール変性ポリシロキサン、メタクリル変性ポリシロキサン、メルカプト変性ポリシロキサン、又はフェノール変性ポリシロキサン等の反応性シリコーンオイル；ヘキサメチルシクロトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、又はドデカメチルシクロヘキサシロキサン等の環状ジメチルシクロシロキサン類；１，３，５−トリメチル−１，３，５−トリフェニルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラフェニルシクロテトラシロキサン、又は１，３，５，７，９−ペンタメチル−１，３，５，７，９−ペンタフェニルシクロペンタシロキサン等の環状メチルフェニルシクロシロキサン類；ヘキサフェニルシクロトリシロキサン等の環状フェニルシクロシロキサン類；３−（３，３，３−トリフルオロプロピル）メチルシクロトリシロキサン等のフッ素含有シクロシロキサン類；メチルヒドロシロキサン混合物、ペンタメチルシクロペンタシロキサン、又はフェニルヒドロシクロシロキサン等のヒドロシリル基含有シクロシロキサン類；ペンタビニルペンタメチルシクロペンタシロキサン等のビニル基含有シクロシロキサン類等の環状のシロキサン等が挙げられる。

なお単層型感光層の場合、当該単層型感光層は、上記電荷発生物質、上記電荷輸送物質（本実施形態の一般式（Ｉ）で示される化合物を含む。）及び結着樹脂を含有して形成され得る。なお、電荷輸送物質は高分子電荷輸送物質を含有してもよい。上記結着樹脂としては、上記電荷発生層５及び電荷輸送層６に用いられる結着樹脂として列挙されたものが用いられる。単層型感光層中の電荷発生物質の含有量は、１０重量％以上８５重量％以下、好ましくは２０重量％以上５０重量％以下である。また、単層型感光層中の電荷輸送物質の含有量は５重量以上５０重量％以下とすることが好ましい。
塗布に用いる溶剤や塗布方法は、前述のものが用いられる。単層型感光層の膜厚は５μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上４０μｍ以下がより好ましい。

画像形成装置用像保持体の導電性支持体２から最も離れた位置に配置される最外部の層には、フッ素系樹脂を必須成分とする改質樹脂の水性分散液を塗布、あるいは浸漬処理し得る。

画像形成装置用像保持体の上記最外部の層に適用する、フッ素系樹脂を必須成分とする改質樹脂の水性分散液について以下に説明する。フッ素系樹脂としては、テトラフルオロエチレンのホモポリマー又はテトラフルオロエチレンとオレフィン、含フッ素オレフィン、パーフルオロオレフィン、又はフルオロアルキルビニルエーテル等とのコポリマー；フッ化ビニリデンのホモポリマー又はフッ化ビニリデンとオレフィン、含フッ素オレフィン、パーフルオロオレフィン、フルオロアルキルビニルエーテル等とのコポリマー；クロロトリフルオロエチレンのホモポリマー又はクロロトリフルオロエチレンとオレフィン、含フッ素オレフィン、パーフルオロオレフィン、フルオロアルキルビニルエーテル等とのコポリマー等が挙げられ、特に、テトラフルオロエチレンのホモポリマー又はコポリマーが好ましく、また、テトラフルオロエチレンのホモポリマーと各種コポリマーを重量比で９５：５から１０：９０で混合して用いることが好ましい。

フッ素系樹脂を必須成分とする改質樹脂は、水性分散液として用いられるが、この水性分散液には更にワックス及びシリコーンのいずれか一方を含有する。ワックス及びシリコーンのいずれか一方を含有させることにより、フッ素系樹脂がブレード内部に浸透することを促進するため好ましい。

ここで、ワックスとしては、パラフィンワックス、マイクロクリスタリンワックス、又はペロトラタム等、シリコーンとしては、シリコーンオイル、シリコーングリス、オイルコンパウンド、又はシリコーンワニス等が挙げられる。
フッ素系樹脂を必須成分とする改質樹脂の水性分散液には、必要によって、フッ素系あるいはその他ノニオン系、カチオン系、アニオン系又は両性界面活性剤、ｐＨ調整剤、溶剤、多価アルコール、柔軟剤、粘度調整剤、光安定剤、又は酸化防止剤等が混合される。浸透層の形成は、ブレード部材をフッ素系樹脂を必須成分とする改質樹脂の水性分散液中に浸漬することにより行うが、減圧下でも行い得る。この際の圧力としては、０．９気圧以下、好ましくは、０．８気圧以下、より好ましくは０．７気圧以下にて処理する。

また、水性分散液を４０℃以上、好ましくは５０℃以上に加熱することが効果的である。更に、０．１気圧以上、好ましくは、０．２気圧以上、より好ましくは０．３気圧以上にて処理することも効果的であり、減圧、加圧、加熱処理を組み合わせることも効果的である。また、スプレーや、塗布法によりブレード部材に付着させたのち、４０℃以上、好ましくは５０℃以上に加熱することで、浸透層が形成される。更に、フッ素系樹脂を必須成分とする改質樹脂の水性分散液を付着させた後、加熱乾燥を行う前、あるいは行った後にふき取り、あるいは洗浄を行う。

（画像形成装置）
本実施形態の画像形成装置は、既述の本実施形態の画像形成装置用像保持体と、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電装置と、帯電した前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光装置と、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像装置と、前記トナー像を被転写体に転写する転写装置と、を備えることを特徴とする。
図４は、本実施形態の画像形成装置の好適な一実施形態の基本構成を概略的に示す断面図である。
図４に示す画像形成装置２００は、本実施形態の画像形成装置用像保持体２０７と、画像形成装置用像保持体２０７を接触帯電方式により帯電させる帯電装置２０８と、帯電装置２０８に接続された電源２０９と、帯電装置２０８により帯電される画像形成装置用像保持体２０７を露光して静電潜像を形成する露光装置２１０と、露光装置２１０により形成された静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像装置２１１と、現像装置２１１により形成されたトナー像を被転写体５００に転写する転写装置２１２と、クリーニング装置２１３と、除電器２１４と、定着装置２１５とを備える。

図４に示した帯電装置２０８は、画像形成装置用像保持体２０７の表面に接触型帯電部材（例えば、帯電ロール）を接触させて像保持体に電圧をに印加し、像保持体表面を帯電させるものである。
接触型帯電部材としては、芯材の外周面に弾性層、抵抗層、保護層等を設けたローラ状のものが好適に用いられる。なお、接触型帯電部材の形状は、上記したローラ状の他、ブラシ状、ブレード状、又はピン電極状等何れでもよく、画像形成装置の仕様や形態に合わせて選択される。

ローラ状の接触型帯電部材における芯材の材質としては、導電性を有するもの、例えば、鉄、銅、真鍮、ステンレス、アルミニウム、又はニッケル等が用いられる。また、導電性粒子等を分散した樹脂成形品等が用いられる。弾性層の材質としては、導電性あるいは半導電性を有するもの、例えば、ゴム材に導電性粒子あるいは半導電性粒子を分散したものが使用される。抵抗層及び保護層の材質としては結着樹脂に導電性粒子あるいは半導電性粒子を分散し、その抵抗を制御したものである。
これらの接触型帯電部材を用いて像保持体を帯電させる際には、接触型帯電部材に電圧が印加されるが、かかる印加電圧は直流電圧、直流電圧に交流電圧を重畳したもののいずれでもよい。
なお、図４における接触型帯電部材の代わりに、コロトロン、又はスコロトロン等の非接触方式のコロナ帯電装置も用いられる。これらは画像形成装置の仕様や形態に合わせて選択される。

露光装置２１０としては、画像形成装置用像保持体表面に、半導体レーザー、ＬＥＤ（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）、液晶シャッター等の光源を所望の像様に露光する光学系装置等が用いられる。

現像装置２１１としては、一成分系、二成分系等の正規または反転現像剤を用いた従来より公知の現像装置等が用いられる。現像装置２１１に使用されるトナーの形状は特に限定されないが、球形トナーが好ましい。

転写装置２１２としては、ローラ状の接触帯電部材の他、ベルト、フィルム、又はゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、あるいはコロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等、が挙げられる。

クリーニング装置２１３は、転写工程後の画像形成装置用像保持体の表面に付着する残存トナーを除去するためのもので、これにより清浄面化された画像形成装置用像保持体は上記の画像形成プロセスに繰り返し供される。クリーニング装置としては、クリーニングブレードの他、ブラシクリーニング、又はロールクリーニング等が用いられるが、これらの中でもクリーニングブレードを用いることが好ましい。また、クリーニングブレードの材質としてはウレタンゴム、ネオプレンゴム、又はシリコーンゴム等が挙げられる。

上記実施形態は１つの画像形成ユニットを有するものであるが、他の実施形態に係る画像形成装置は、この画像形成ユニットを複数有するタンデム型画像形成装置である。
例えば、画像形成ユニットが４つである場合、４つの画像形成ユニットの各現像装置においては、例えばイエロー、マゼンタ、シアン、ブランクの４色の色成分トナーを使用する。また、タンデム型画像形成装置は、４つの画像形成ユニットに共通し記録材料を搬送するベルトと、このベルトを搬送する搬送装置と、各現像装置にトナー像を供給するトナー供給装置と、カラートナー像を記録材料に定着させる定着装置とを備えていることが好ましい。

また、本実施形態の画像形成装置は像保持体を２０００００サイクル以上、更に、２５００００サイクル、あるいは、３０００００サイクル以上も使用する場合には、トナーのみを単独に補給する機構を有するものが好ましい。

（プロセスカートリッジ）
本実施形態のプロセスカートリッジは、既述の本実施形態の画像形成装置用像保持体を少なくとも有し、かつ、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電装置、帯電した前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光装置、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像装置、前記トナー像を被転写体に転写する転写装置、および前記画像形成装置用像保持体をクリーニングするクリーニング装置から選ばれる少なくとも１つと、を備えることを特徴する。

図５は、本実施形態の画像形成装置用像保持体を備えるプロセスカートリッジの好適な一実施形態の基本構成を概略的に示す断面図である。
プロセスカートリッジ３００は、画像形成装置用像保持体２０７とともに、帯電装置２０８、現像装置２１１、クリーニング装置（クリーニング手段）２１３、露光のための開口部２１８、及び、除電露光のための開口部２１７を取り付けレール２１６を用いて組み合わせ、そして一体化したものである。
そして、このプロセスカートリッジ３００は、現像装置２１１により形成されたトナー像を被転写体５００に転写する転写装置２１２と、定着装置２１５と、図示しない他の構成部分とからなる画像形成装置本体に対して着脱自在としたものであり、画像形成装置本体とともに画像形成装置を構成するものである。
以上、本実施形態を説明したが、本実施形態は、その要旨の範囲内で様々な変形や変更がされ得る。

以下、実施例によって本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
また本実施例において、目的物の同定には、^１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ_３、ＶＡＲＩＡＮ株式会社製、ＵＮＩＴＹ−３００、３００ＭＨｚ）、及びＩＲスペクトル（ＫＢｒ法にてフーリェ変換赤外分光光度計（株式会社 堀場製作所、ＦＴ−７３０、分解能４ｃｍ^−１）を用いた。
さらに本実施例において、ポリマーの分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）（東ソー社製、ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ）によって測定した。

（一般式（Ｉ）又は（ＩＩ−１）で示される化合物の合成）
［合成例１−具定例カルバゾール化合物（１）の合成］
＜ＤＡＡ−１の合成＞
４−アセトアミドフェニルプロピオン酸メチル（２０ｇ）（ファインケミカル社製）、４−ヨードフェニルプロピオン酸メチル（２５ｇ）（東京化成工業社製）、炭酸カリウム（１３ｇ）、硫酸銅５水和物（２．１ｇ）、１，２−ジクロロベンゼン（５０ｍｌ）を５００ｍｌの三口フラスコに入れ、窒素気流下、１８０℃で２４時間加熱攪拌した。
反応終了後、減圧下１，２−ジクロロベンゼンを留去した後、水酸化カリウム（５．０ｇ）をエチレングリコール（１００ｍｌ）に溶解したものを加え、窒素気流下で３時間加熱還流した。
反応終了後、室温（２５℃）まで冷却し、反応液を５００ｍｌの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和し、結晶を析出させた。結晶を吸引濾過により濾取し、水洗した後、１Ｌのフラスコに移した。これに、トルエン（３００ｍｌ）を加え、加熱還流し、共沸により水を除去した後、濃硫酸（５．０ｍｌ）のメタノール（３００ｍｌ）溶液を加え、窒素気流下で２時間加熱還流した。反応後、トルエンで抽出し、有機層を蒸留水で洗浄した。
次いで、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶剤を減圧下留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／ヘキサン＝１／３（体積比）））により精製を行うことで、下記ＤＡＡ−１を１５ｇ得た。

＜中間体１−１の合成＞
４−ブロモヨードベンゼン（５７ｇ）、カルバゾール（３７ｇ）、炭酸カリウム（３４ｇ）、硫酸銅５水和物（５．６ｇ）、ｎ−トリデカン（５０ｍｌ）を５００ｍｌの三口フラスコに入れ、窒素気流下、２２０℃で２０時間加熱攪拌した。
反応終了後、減圧下トリデカンを留去してトルエン３００ｍｌを加えた。これを水で洗浄してトルエン層を硫酸ナトリウムで乾燥させた。乾燥物を濾過し、活性白土（１５ｇ）で活性白土処理を行い、次いで酢酸エチルから再結晶した。再結晶物を５０℃で１５時間、真空乾燥を行い、下記中間体１−１を収率６０％で得た。

＜具体例カルバゾール化合物（１）の合成＞
温度計、コンデンサー、マグネチックスターラーを備えた２００ｍｌ三口フラスコに前記ＤＡＡ−１（１．７ｇ）、前記中間体１−１（２．２ｇ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）（５６ｍｇ）、炭酸ルビジウム（６．９ｇ）を入れ、キシレン７０ｍｌに溶解させた。トリ−ターシャリーブチルホスフィン（０．４０ｇ）をすばやく加え、窒素雰囲気下１．５時間加熱還流磁気撹拌した。
薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）（ヘキサン／酢酸エチル＝３／１（体積比））にて前記中間体１−１のスポットが消失しているのを確認後、室温（２５℃）まで冷却した。セライト吸引濾過により無機物を除去した後、希塩酸１００ｍｌで洗浄し、水２００ｍｌで３回洗浄し、飽和食塩水２００ｍｌで洗浄し、この順で中性になるまで洗浄した。
無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝３／１（体積比））により精製を行い、次いで７０℃で真空乾燥を１５時間行い、前述した具体例カルバゾール化合物（１）を収率５１％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定及びＩＲスペクトル測定によって、得られた化合物が具体例カルバゾール化合物（１）であることを確認した。

［合成例２−カルバゾリル基含有ポリエステル（１）の合成］
＜具体例カルバゾリル基含有ポリエステル（１）の合成＞
前述した具体例カルバゾール化合物（１）を０．９５ｇ、エチレングリコール１０ｍｌ及びテトラブトキシチタン０．０２ｇを、５０ｍｌの三口ナスフラスコに入れ、窒素雰囲気下、２００℃で６時間加熱攪拌した。
前述した具体例カルバゾール化合物（１）が消失したのを薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）（ヘキサン／酢酸エチル＝３／１（体積比））により確認した後、７０Ｐａに減圧してエチレングリコールを留去しながら２００℃に加熱し、６時間反応を続けた。
その後、室温（２５℃）まで冷却し、テトラヒドロフラン３０ｍｌに溶解し、不溶物を０．５μｌのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターにて濾過し、濾液を減圧下留去した後、モノクロロベンゼン１００ｍｌに溶解させ、１質量％塩酸（ＨＣｌ）３００ｍｌで１回洗浄し、水３００ｍｌで４回洗浄した。モノクロロベンゼン溶液を１００ｍｌまで減圧下留去して、酢酸エチル／メタノール＝１／５（体積比）の４００ｍｌ中に滴下し、ポリマーを再沈殿させた。

得られたポリマーを濾過し、充分にメタノールで洗浄した後、５０℃で８時間真空乾燥させ、具体例カルバゾリル基含有ポリエステル（１）を０．７０ｇ得た。
このポリマーの分子量は、重量平均分子量Ｍｗ＝３．３×１０^５（スチレン換算）、Ｍｗ／Ｍｎ＝６．６２であり、モノマーの分子量から求めた重合度ｐは５２８であった。^１Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定及びＩＲスペクトル測定によって、得られた化合物が具体例カルバゾリル基含有ポリエステル（１）であることを確認した。

［合成例３−具定例カルバゾール化合物（２１）の合成］
＜中間体２−１の合成＞
温度計、コンデンサー、マグネチックスターラーを備えた１００ｍｌ三口フラスコにカルバゾール（３．３ｇ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（３０ｍｌ）に溶解させ、水素化ナトリウム（１．２ｇ）を加えた。１３０℃に加熱後、１−ブロモ−３，５−ジフルオロベンゼン（３．０ｇ）を加え、窒素雰囲気下１３０℃で４時間加熱攪拌した。
薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）（ヘキサン／酢酸エチル＝３／１（体積比））にてカルバゾールのスポットが消失しているのを確認後、室温（２５℃）まで冷却した。
反応終了後、純水（３００ｍｌ）中に注ぎ、結晶を析出させた。次いで、得られた結晶をメタノール（１００ｍｌ）、酢酸エチル（５０ｍｌ）の順で洗浄し、下記中間体２−１を２．４ｇ得た。

＜具体例カルバゾール化合物（２１）の合成＞
上記具体例カルバゾール化合物（１）の合成において、中間体１−１の代わりに中間体２−１を用いた以外は具体例カルバゾール化合物（１）の合成と同様の方法で、具体例カルバゾール化合物（２１）を１．５ｇ得た。^１Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定及びＩＲスペクトル測定によって、得られた化合物が具体例カルバゾール化合物（２１）であることを確認した。

［合成例４−カルバゾリル基含有ポリエステル（１７）の合成］
上記具体例カルバゾリル基含有ポリエステル（１）の合成において、具体例カルバゾール化合物（１）の代わりに、具体例カルバゾール化合物（２１）を用いた以外は、具体例カルバゾリル基含有ポリエステル（１）の合成と同様の方法でポリマー化を行い、具体例カルバゾリル基含有ポリエステル（１７）を０．８ｇ得た。^１Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定及びＩＲスペクトル測定によって、得られた化合物が具体例カルバゾリル基含有ポリエステル（１７）であることを確認した。
このポリマーの分子量をＧＰＣで測定したところ、重量平均分子量Ｍｗ＝２．３×１０^５（スチレン換算）、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．５６であり、モノマーの分子量から求めた重合度ｐは２８３であった。

［合成例５−具定例カルバゾール化合物（５）の合成］
＜中間体３−１の合成＞
上記中間体２−１の合成において、カルバゾールの代わりに３，６−ジメチルカルバゾール（２．０ｇ）を用い、１−ブロモ−３，５−ジフルオロベンゼンの代わりに１−ブロモ−３−フルオロベンゼン（２．０ｇ）を用いた以外は同様の方法で合成し、下記中間体３−１を２．０ｇ得た。

＜中間体３−２の合成＞
温度計、マグネチックスターラー、滴下ロート、冷却装置を備えた３００ｍｌ三口フラスコに窒素雰囲気下、１．６Ｍのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（８０ｍｌ）を入れ、−５０℃に冷却した。次いで−５０℃でテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（８０ｍｌ）を滴下した。次いで、前記中間体３−１（２８ｇ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）８０ｍｌに溶解させた溶液を滴下ロートより１時間かけて滴下した。これを−５０℃で３時間撹拌後、ホウ酸トリメチル（９．１ｇ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｍｌに溶解させた溶液を１時間かけて滴下し、−５０℃で３時間撹拌した。

反応終了後、室温（２５℃）までゆっくり加温し、１Ｍの塩酸３００ｍｌによってｐＨが１となるように調整し、さらにヘキサン層に酢酸エチル２００ｍｌを加え希釈及び抽出した。酢酸エチル層に１Ｍの水酸化ナトリウム水溶液（３００ｍｌ）を加えｐＨ１０以上の塩基性とした後、水層と分液し、−１０℃で水層に塩酸を少しずつ滴下し、下記中間体３−２を析出させた。これを水洗いし、６０℃で１５時間乾燥させた後、中間体３−２（１５ｇ）を得た。

＜ＤＡＡ−２の合成＞
他方、上記ＤＡＡ−1の合成において、４−ヨードフェニルプロピオン酸メチルの代わりに４−ヨードフェニルペンタン酸エチルを用い、４−アセトアミドフェニルプロピオン酸メチルの代わりに４−アセトアミドフェニルペンタン酸エチルを用いた以外は、ＤＡＡ−１と同様の方法で、下記ＤＡＡ−２を１３ｇ得た。

＜中間体３−３の合成＞
前記ＤＡＡ−２（２１ｇ）、１−ブロモ−４−ヨードベンゼン（１４ｇ）、炭酸カリウム（１３ｇ）、硫酸銅５水和物（２．１ｇ）、１，２−ジクロロベンゼン（５０ｍｌ）を５００ｍｌの三口フラスコに入れ、窒素気流下、１８０℃で１４時間加熱攪拌した。
反応終了後、減圧下１，２−ジクロロベンゼンを留去した後、室温（２５℃）まで冷却し、トルエン（３００ｍｌ）を加え、１Ｎの塩酸水溶液３００ｍｌを加え有機層を洗浄した後、純水３００ｍｌで中性まで洗浄した。トルエン層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶剤を減圧下留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：３（体積比））にて精製し、下記中間体３−３を２０ｇ得た。

＜具体例カルバゾール化合物（５）の合成＞
窒素雰囲気下、温度計、コンデンサー、マグネチックスターラーを備えた２００ｍｌ三口フラスコにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（０．５８ｇ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）３０ｍｌを加え撹拌した。そこへ、前記中間体３−３（５．８ｇ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（１０ｍｌ）、前記中間体３−２（３．５ｇ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２０ｍｌに溶解させた溶液の順に加えた。
３時間窒素雰囲気下還流後２５℃まで冷却して、塩酸２０ｍｌを加えてｐＨが１となるよう調整した。この水溶液をトルエン１００ｍｌで抽出し、トルエン層を純水１００ｍｌで３回、飽和食塩水１００ｍｌで１回洗浄した。
硫酸ナトリウムで乾燥後、濾過して減圧下溶剤を留去して、得られた粗結晶をトルエンとヘキサンの混合溶媒（トルエン：ヘキサン＝１：５（体積比））から再結晶して、具体例カルバゾール化合物（５）を６．５ｇ得た。^１Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定及びＩＲスペクトル測定によって、得られた化合物が具体例カルバゾール化合物（５）であることを確認した。

［合成例６−カルバゾリル基含有ポリエステル（９）の合成］
上記具体例カルバゾリル基含有ポリエステル（１）の合成において、具体例カルバゾール化合物（１）の代わりに具体例カルバゾール化合物（５）を用いた以外は、具体例カルバゾリル基含有ポリエステル（１）と同様の方法で、具体例カルバゾリル基含有ポリエステル（９）を１．２ｇ得た。^１Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定及びＩＲスペクトル測定によって、得られた化合物が具体例カルバゾリル基含有ポリエステル（９）であることを確認した。
このポリマーの分子量をＧＰＣで測定したところ、重量平均分子量Ｍｗ＝８．５×１０^４（スチレン換算）、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．６８であり、モノマーの分子量から求めた重合度ｐは１０６であった。

［合成例７−具定例カルバゾール化合物（２４）の合成］
＜中間体４−１の合成＞
上記中間体２−１の合成において、カルバゾールの代わりに３，６−ジメチルカルバゾールを用い、１−ブロモ−３，５−ジフルオロベンゼンの代わりに１−ブロモ−２，５−ジフルオロベンゼンを用いた以外は、中間体２−１の合成と同様の方法で下記中間体４−１を２．０ｇ得た。

＜中間体４−２の合成＞
上記中間体３−２の合成において、中間体３−１の代わりに中間体４−１を用いた以外は、中間体３−２の合成と同様の方法で、下記中間体４−２を１０ｇ得た。

＜具体例カルバゾール化合物（２４）の合成＞
上記具体例カルバゾール化合物（５）の合成において、中間体３−２の代わりに中間体４−２を用いた以外は、具体例カルバゾール化合物（５）の合成と同様の方法で、具体例カルバゾール化合物（２４）を５．１ｇ得た。^１Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定及びＩＲスペクトル測定によって、得られた化合物が具体例カルバゾール化合物（２４）であることを確認した。

［合成例８−カルバゾリル基含有ポリエステル（２５）の合成］
上記具体例カルバゾリル基含有ポリエステル（１）の合成において、具体例カルバゾール化合物（１）の代わりに具体例カルバゾール化合物（２４）を用いた以外は、具体例カルバゾリル基含有ポリエステル（１）の合成と同様の方法で、具体例カルバゾリル基含有ポリエステル（２５）を１．１ｇ得た。^１Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定及びＩＲスペクトル測定によって、得られた化合物が具体例カルバゾリル基含有ポリエステル（２５）であることを確認した。
このポリマーの分子量をＧＰＣで測定したところ、重量平均分子量Ｍｗ＝１．６３×１０^５（スチレン換算）、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１０であり、モノマーの分子量から求めた重合度ｐは１６５であった。

（画像形成装置用像保持体の作製）
［実施例１］
アルミニウム基板上に、ジルコニウム化合物（オルガチックスＺＣ５４０、マツモト製薬社製）１０重量部及びシラン化合物（Ａ１１１０、日本ユニカー社製）１重量部とｉ−プロパノール４０重量部及びブタノール２０重量部からなる溶液を浸漬コーティング法にて塗布し、１５０℃において１０分間加熱乾燥し、膜厚０．６μｍの下引き層を形成した。この上に、Ｘ線回折スペクトルにおけるブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．４°、１６．６°、２５．５°及び２８．３°に強い回折ピークを持つクロロガリウムフタロシアニン結晶の１重量部を、ポリビニルブチラール樹脂（エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学社製）１重量部及び酢酸ｎ−ブチル１００重量部と混合し、ガラスビーズとともにペイントシェーカーで１時間処理して分散した後、得られた塗布液を上記下引き層の上に浸漬コーティング法で塗布し、１００℃において１０分間加熱乾燥し、電荷発生層を形成した。
次に、上記によりえられた具定例カルバゾール化合物（１）を２重量部と、以下に構造を示すビスフェノール（Ｚ）高分子化合物(粘度平均分子量：４０，０００)３重量部をクロロベンゼン３５重量部に加熱溶解後，室温（２５℃）に戻した。この塗布液を前記電荷発生層上に浸漬コーティング法で塗布し、１１０℃、６０分の加熱を行って膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成した。

［実施例２から実施例８］
実施例１で用いた具定例カルバゾール化合物（１）に代えて、カルバゾリル基含有ポリエステル（１）、具定例カルバゾール化合物（２１）、カルバゾリル基含有ポリエステル（１７）、具定例カルバゾール化合物（５）、カルバゾリル基含有ポリエステル（９）、具定例カルバゾール化合物（２４）、及びカルバゾリル基含有ポリエステル（２５）をそれぞれ用いた他は、実施例１と同様にして画像形成装置用像保持体を作製した。

［実施例９］
実施例１で用いたクロロガリウムフタロシアニン結晶に代えて、Ｘ線回折スペクトルにおけるブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°及び２８．３°に強い回折ピークを持つヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を用いた他は、実施例１と同様にして、画像形成装置用像保持体を作製した。

［比較例１］
実施例１で用いた具定例カルバゾール化合物（１）に代えて、下記構造の化合物（Ｘ）を用いた他は、実施例１に記載の方法により画像形成装置用像保持体を作製した。

（比較例２）
実施例１で用いた具定例カルバゾール化合物（１）に代えて、下記構造の化合物（ＸＩ）を用いた他は、実施例１に記載の方法により画像形成装置用像保持体を作製した。

（評価）
上記実施例及び比較例で得られた、それぞれの画像形成装置用像保持体を用い、電子写真特性について、静電複写紙試験装置（エレクトロスタティックアナライザーＥＰＡ−８１００、川口電気社製）を用いて、２０℃、４０％ＲＨの環境下、−６ＫＶのコロナ放電を行い、帯電させた後、タングステンランプの光を、モノクロメーターを用いて８００ｎｍの単色光にし、感光体表面上で１μＷ／ｃｍ^２になるように調整して、照射した。
そして、帯電直後における感光体表面の表面電位Ｖ_０（Ｖ）、感光体表面の光照射により表面電位が１／２×Ｖ_Ｏ（Ｖ）となる半減露光量Ｅ１／２（ｅｒｇ／ｃｍ^２）を測定した（初期特性）。その後、１０ルックスの白色光を１秒間照射し、感光体表面に残留した残留電位ＶＲＰ（Ｖ）を測定した（初期特性）。
更に上記の帯電、露光（８００ｎｍの単色光、露光量は半減露光量）、及び白色光の照射（１０ルックス）を１０００回繰り返した後のＶ_０、Ｅ１／２、及びＶＲＰを測定、またその変動量ΔＶ_０、ΔＥ１／２、ΔＶＲＰを評価した（安定性、耐久性）。

つぎに上記実施例および比較例で得られた画像形成装置用像保持体を用い、画像形成装置を作製した。画像形成装置用像保持体以外の要素は、富士ゼロックス製プリンターＤｏｃｕｃｅｎｔｅｒ Ｃ６５５０Ｉに搭載されたものを用いた。
各画像形成装置について、２８℃、７５％ＲＨの環境下で１万枚分の画像形成テスト（画像濃度１０％、シアン１００％）を実施した。なお、本テスト条件においては、各カートリッジのプロセスは通常通り行われるが、シアン以外のカートリッジのトナーは使用（供給）されない。テスト後、トナーのクリーニング性（クリーニング不良による帯電器の汚れや画質劣化）、画質（プロセスブラック１ｄｏｔライン斜め４５度細線再現性）を評価した。クリーニング性及び画質の評価方法及び評価基準は以下の通りであり、得られた結果を表１に示す。

クリーニング性は目視にて評価し、いかの評価基準に基づいて評価した。
○：良好
△：部分的（全体の１０％程度以下）にスジ状の画質欠陥あり
×：広範にスジ状の画質欠陥あり

画質は拡大鏡を用いて判断し、以下の評価基準に基づいて評価した。
Ａ：良好
Ｂ：部分的に欠陥有り（実用上は問題なし）
Ｃ：欠陥有り（細線が再現されていない）

上記の結果から、本実施例で得られた画像形成装置用像保持体は、比較例に比べて繰り返し使用による残留電位変動が低いことがわかる。また該画像形成装置用像保持体を有する画像形成装置で得られた画像は、画質も良好であることがわかる。

１ 画像形成装置用像保持体
２ 導電性支持体
３ 感光層
４ 下引き層
５ 電荷発生層
６ 電荷輸送層
７ 保護層
８ 電荷発生・輸送層
２００ 画像形成装置
２０７ 画像形成装置用像保持体
２０８ 帯電装置
２０９ 電源
２１０ 露光装置
２１１ 現像装置
２１２ 転写装置
２１３ クリーニング装置
２１４ 除電器
２１５ 定着装置
２１６ 取り付けレール
２１７ 除電露光のための開口部
２１８ 露光のための開口部
３００ プロセスカートリッジ
５００ 被転写体

Claims (4)

1. 支持体と、該支持体上に下記一般式（Ｉ）で示される化合物を含有する感光層と、を有する画像形成装置用像保持体。
   
   
   〔一般式（Ｉ）中、Ｒは各々独立に、置換又は未置換の直鎖又は分岐の炭素数１以上８以下のアルキル基を表し、Ｒ^３は、各々独立に、置換又は未置換の直鎖又は分岐の炭素数１以上８以下のアルキル基を表し、ａは０以上３以下の整数を表し、ｊは０以上８以下の整数を表し、ｋは１又は２を表し、ｎは各々独立に０以上７以下の整数を表す。〕
2. 支持体と、該支持体上に下記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物を含有する感光層と、を有する画像形成装置用像保持体。
   
   
   〔一般式（ＩＩ−１）中、Ｙ^１は、各々独立に、置換又は未置換の２価のアルコール残基を表し、Ａ^１は下記構造式（ＩＩＩ）で表される基を表し、Ｒ^４は、各々独立に、水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアラルキル基を表し、ｍは１以上５以下の整数を表し、ｐは５以上５，０００以下の整数を表す。〕
   
   
   〔構造式（ＩＩＩ）中、Ｒは各々独立に、置換又は未置換の直鎖又は分岐の炭素数１以上８以下のアルキル基を表し、ａは０以上３以下の整数を表し、ｊは０以上８以下の整数を表し、ｋは１又は２を表し、ｎは各々独立に０以上７以下の整数を表す。〕
3. 請求項１又は請求項２に記載の画像形成装置用像保持体と、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電手段、帯電した前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光手段、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段、前記トナー像を被転写体に転写する転写手段、および前記画像形成装置用像保持体を清掃する清掃手段から選ばれる少なくとも１つと、を少なくとも有するプロセスカートリッジ。
4. 請求項１又は請求項２に記載の画像形成装置用像保持体と、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電装手段と、帯電した前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光手段と、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、前記トナー像を被転写体に転写する転写手段と、を備える画像形成装置。