JP5439018B2 - 触媒ｃｖｄ装置 - Google Patents

Description

本発明は、触媒体に原料ガスを接触させて成膜を行う触媒ＣＶＤ装置に関する。

半導体装置を製造する工程において、原料物質の化学反応を利用して化学気相成長（ＣＶＤ：Chemical vapor deposition）法により薄膜を形成するＣＶＤ装置が知られている。ＣＶＤ装置としては、例えば、反応系にプラズマ空間を用いるプラズマＣＶＤ装置や、加熱反応を利用する熱ＣＶＤ装置がある。また、加熱した加熱体（触媒体）に原料ガスを接触させて原料ガスを反応種に分解する触媒ＣＶＤ装置がある（例えば、特許文献１参照）。

触媒ＣＶＤ装置は、例えば、加熱されたタングステン等の触媒体の表面が化学反応の進行を担うため、基板や薄膜に対して電気的、熱的なダメージを抑制することができる。また、触媒体の数量を増加させることで成膜領域を広げることができ、基板の大面積化に対して容易に対応することができる。

触媒ＣＶＤ装置では、電力の導入端子を備えた電極棒に触媒体であるタングステン製のフィラメントを接続し、電極棒に電力を供給することによりフィラメントを高温に加熱している。電極棒に対するフィラメントの取り付けは、一般に、押え板材等と電極棒との間にフィラメントを挟み込み、ねじにより押え板材等を電極棒に固定することによりフィラメントを電極棒に保持させている。

フィラメントは棒状であるため、電極棒側（押え板材等）とフィラメントの接触面積には限界があり、接触面積を充分に確保できない状況であった。このため、電気接触抵抗がフィラメントの電気抵抗よりも大きくなり、フィラメントの温度を電極棒（ＳＵＳ３０４）の融点以下の温度で加熱した場合でも接触部の温度が高温になってしまう虞があった。接触部の温度が高温になると、接触部の電極棒が融解して電極棒の成分（Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ）が基板に対して拡散輸送され、金属汚染が生じる虞があった。

電極棒側（押え板材等）とフィラメントの接触部の温度が高温になり過ぎることを抑制するため、電力の導入端子を冷却して電極棒の放熱を実施することも考えられているが、導電性の冷却媒体を使用することが困難であり、空冷に頼らざるを得ず冷却効率には限界があるのが現状である。

特許第３７８０３６４号公報

本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、電極部材により給電が行われることにより加熱される触媒体の接続部の放熱を効率よく行うことができる触媒ＣＶＤ装置を提供することを目的とする。

触媒ＣＶＤ装置は、内部が所定の真空状態にされて基板が配置されると共に、原料物質を含む原料ガスが供給される処理室と、電力の導入端子を有し前記導入端子が前記処理室の外部に配された状態で前記処理室の内部に配される電極部材と、前記処理室の内部に位置する前記電極部材に接続され、加熱されることで前記原料ガスを反応種に分解・活性化して前記基板に薄膜を形成させる触媒体とを備え、前記電極部材に対する前記触媒体の接続は、面接触により前記触媒体を保持する保持部材を介して前記電極部材に前記触媒体が取り付けられていることを特徴とする。

これにより、保持部材を介して電極部材に触媒体を取り付けることにより、電極部材に対して触媒体が面接触により取り付けられる状態になり、電気接触抵抗を小さくして接触部の温度が高温になり過ぎることを抑制することができる。この結果、電極部材により給電が行われることにより加熱される触媒体の接続部の放熱を効率よく行うことが可能になり、電極部材の融解による拡散輸送がなくなり、処理室内の金属汚染を防止することが可能になる。

そして、上述した触媒ＣＶＤ装置において、前記保持部材は、前記電極部材の先端部に形成され前記触媒体の外周に嵌合する状態に縮径自在な保持部と、前記電極部材に螺合することによりテーパ面を介して前記保持部を縮径させて前記触媒体に前記保持部の内面を面接触させ、前記触媒体を前記電極部材に保持させるナット部材とからなることを特徴とする。

これにより、ナット部材を電極部材に螺合することによりテーパ面を介して保持部が縮径して内面が触媒体に面接触し、接続部の接触面積を広くして電気接触抵抗をより小さくすることができる。

また、上述した触媒ＣＶＤ装置において、前記保持部は、周方向に複数に分割されていることを特徴とする。

これにより、周方向に分割されたすり割り状の保持部を触媒体に接触させることで、面接触を確実なものにすることができる。

上記目的を達成するための請求項１に係る本発明の触媒ＣＶＤ装置は、内部が所定の真空状態にされて基板が配置されると共に、原料物質を含む原料ガスが供給される処理室と、電力の導入端子を有し前記導入端子が前記処理室の外部に配された状態で前記処理室の内部に配される電極部材と、前記処理室の内部に位置する前記電極部材に接続され、加熱されることで前記原料ガスを反応種に分解・活性化して前記基板に薄膜を形成させる触媒体と、前記導入端子が前記処理室の外部に配される状態に前記電極部材を保持する絶縁体と、前記絶縁体に冷却水を供給して前記導入端子を冷却する水冷手段とを備えたことを特徴とする。

請求項１に係る本発明では、絶縁体を介して冷却媒体である冷却水を供給するので、絶縁流体を用いることなく水冷により導入端子が冷却され、冷却効率を向上させることができる。この結果、電極部材により給電が行われることにより加熱される触媒体の接続部の放熱を効率よく行うことが可能になり、電極部材の融解による拡散輸送がなくなり、処理室内の金属汚染を防止することが可能になる。

そして、請求項２に係る本発明の触媒ＣＶＤ装置は、請求項１に記載の触媒ＣＶＤ装置において、前記水冷手段は、前記処理室の内部を臨み前記絶縁体が嵌合保持される取付け部を備えたブロックと、前記取付け部に設けられ冷却水の前記処理室内への浸入を阻止する第１シール部材と、前記第１シール部材の前記処理室側における前記取付け部に設けられ前記第１シール部材を通過した冷却水の前記処理室内への浸入を阻止する第２シール部材と、前記第１シール部材と前記第２シール部材の間における前記取付け部に形成され、前記第１シール部材を通過した冷却水を排出する排出手段とを備えたことを特徴とする。

請求項２に係る本発明では、第１シール部材及び第２シール部材により取付け部からの冷却水の処理室内への浸入が阻止され、万一、第１シール部材から冷却水が浸入した場合、排出手段により浸入した冷却水を排出することができ、処理室内への冷却水の浸入を確実に防止することができる。

上記目的を達成するための請求項３に係る本発明の触媒ＣＶＤ装置は、内部が所定の真空状態にされて基板が配置されると共に、原料物質を含む原料ガスが供給される処理室と、電力の導入端子を有し前記導入端子が前記処理室の外部に配された状態で前記処理室の内部に配される電極部材と、前記処理室の内部に位置する前記電極部材に接続され、加熱されることで前記原料ガスを反応種に分解・活性化して前記基板に薄膜を形成させる触媒体と、前記導入端子が前記処理室の外部に配される状態に前記電極部材を保持する絶縁体と、前記絶縁体に冷却水を供給して前記導入端子を冷却する水冷手段とを備え、前記電極部材に対する前記触媒体の接続は、面接触により前記触媒体を保持する保持部材を介して前記電極部材に前記触媒体が取り付けられていることを特徴とする。

請求項３に係る本発明では、保持部材を介して電極部材に触媒体を取り付けることにより、電極部材に対して触媒体が面接触により取り付けられる状態になり、電気接触抵抗を小さくして接触部が高温になり過ぎることを抑制することができ、更に、絶縁体を介して冷却媒体である冷却水を供給するので、絶縁流体を用いることなく水冷により導入端子が冷却され、冷却効率を向上させることができる。この結果、電極部材に給電が行われることにより加熱される触媒体の接続部の放熱を効率よく行うことが可能になり、電極部材の融解による拡散輸送をなくして、処理室内の金属汚染を確実に防止することが可能になる。

そして、請求項４に係る本発明の触媒ＣＶＤ装置は、請求項３に記載の触媒ＣＶＤ装置において、前記保持部材は、前記電極部材の先端部に形成され前記触媒体の外周に嵌合する状態に縮径自在な保持部と、前記電極部材に螺合することによりテーパ面を介して前記保持部を縮径させて前記触媒体に前記保持部の内面を面接触させ、前記触媒体を前記電極部材に保持させるナット部材とからなることを特徴とする。

請求項４に係る本発明では、ナット部材を電極部材に螺合することによりテーパ面を介して保持部が縮径して内面が触媒体に面接触し、接続部の接触面積を広くして電気接触抵抗をより小さくすることができる。

また、請求項５に係る本発明の触媒ＣＶＤ装置は、請求項４に記載の触媒ＣＶＤ装置において、前記保持部は、周方向に複数に分割されていることを特徴とする。

請求項５に係る本発明では、周方向に分割されたすり割り状の保持部を触媒体に接触させることで、面接触を確実なものにすることができる。

また、請求項６に係る本発明の触媒ＣＶＤ装置は、請求項３から請求項５のいずれか一項に記載の触媒ＣＶＤ装置において、前記水冷手段は、前記処理室の内部を臨み前記絶縁体が嵌合保持される取付け部を備えたブロックと、前記取付け部に設けられ冷却水の前記処理室内への浸入を阻止する第１シール部材と、前記第１シール部材の前記処理室側における前記取付け部に設けられ前記第１シール部材を通過した冷却水の前記処理室内への浸入を阻止する第２シール部材と、前記第１シール部材と前記第２シール部材の間における前記取付け部に形成され、前記第１シール部材を通過した冷却水を排出する排出手段とを備えたことを特徴とする。

請求項６に係る本発明では、第１シール部材及び第２シール部材により取付け部からの冷却水の処理室内への浸入が阻止され、万一、第１シール部材から冷却水が浸入した場合、排出手段により浸入した冷却水を排出することができ、処理室内への冷却水の浸入を確実に防止することができる。

本発明の触媒ＣＶＤ装置は、電極部材と電極部材により給電が行われることにより加熱される触媒体との接続部の放熱を効率よく行うことが可能になる。

本発明の一実施例に係る触媒ＣＶＤ装置の全体構成図である。 触媒体の支持部の外観図である。 図２中の要部断面図である。 図３中のＩＶ−ＩＶ矢視図である。 図４中矢印Ｖ部の詳細図である。 図５中のＶＩ−ＶＩ線矢視図である。 本発明の他の実施例に係る触媒ＣＶＤ装置の全体構成図である。

図１、図２に基づいて触媒ＣＶＤ装置の全体を説明する。図１には触媒ＣＶＤ装置の全体の構成を概略的に示してあり、図２には触媒体としてのフィラメントが支持されている部材の全体の構成を示してある。

図１に示すように、箱状の真空チャンバ１（処理室）は、内部が所定の真空状態に排気され、真空チャンバ１の内部には基板２が略垂直状態に配置されるようになっている。真空チャンバ１の内部にはガスライン１１から流量が制御された原料ガスが供給される。真空チャンバ１の内部には触媒体としてのタングステン製のフィラメント１５が配され、電極棒５（電極部材）の導入端子６への給電によりフィラメント１５が高温に加熱される。

上述した触媒ＣＶＤ装置では、真空チャンバ１の内部に原料物質を含む原料ガスが供給され、フィラメント１５が高温（例えば、１０００℃程度）に加熱される。フィラメント１５が加熱されることで、発熱により触媒作用を発現して原料ガスが反応種に分解・活性化され基板２の表面に薄膜が形成される。

図１、図２に示すように、真空チャンバ１の上部には水冷ブロック３が取り付けられ、水冷ブロック３には絶縁体リング４（絶縁体）を介して電極棒５が複数個（図示例では６個）取り付けられている。水冷ブロック３により真空チャンバ１の内部の真空槽側と外部の大気側とが仕切られ、電極棒５には大気側に臨む導入端子６が備えられている。尚、図示は省略してあるが、大気側の導入端子６の部位はカバー等で覆われている。

水冷ブロック３には冷却水路７により冷却水が供給され、絶縁体リング４が冷却水により冷却されて電極棒５が除熱される。絶縁体リング４は熱伝導率の高いセラミック（例えば、窒化アルミニウム）が用いられ、電極棒５の除熱が効率よく実施される。また、導入端子６には配線８が接続され、導入端子６から電極棒５に電力が供給される。

真空槽側に配される電極棒５の下端には保持部材１２を介してフィラメント１５がそれぞれ保持され、電極棒５への電力の供給によりフィラメント１５が加熱される。詳細は後述するが、保持部材１２は棒状のフィラメント１５を面接触で保持している。

このため、電極棒５に対して棒状のフィラメント１５が面接触により取り付けられる状態になり、電気接触抵抗を小さくして接触部の温度が高温になり過ぎることを抑制することができる。また、絶縁体リング４を介して冷却水を供給するので、水冷により導入端子６を冷却して電極棒５の除熱効率を向上させることができる。このため、加熱されるフィラメント１５の電極棒５との接続部の放熱を効率よく行うことが可能になり、電極棒５の融解を防止することができる。

図３、図４に基づいて電極棒５の取り付き状況を説明する。図３には絶縁体リング４が固定されている部位の水冷ブロック３の断面状況、図４には電極棒５を中心にして図３に直行する方向の断面状況を示してある。

大気側と真空槽の内部は水冷ブロック３により仕切られ、水冷ブロック３には長手方向（図３中左右方向）に延びる冷却水路７が設けられている。冷却水路７を貫通して水冷ブロック３には複数の嵌合穴（取付け部）２２が形成され、嵌合穴２２は大気側と真空槽（処理室）の内部に亘って形成されている。嵌合穴２２には絶縁体リング４が嵌合して設けられ、絶縁体リング４の内周に電極棒５が支持されている。

絶縁体リング４は、冷却水路７を挟んで大気側（図中上側）の嵌合穴２２に嵌合する第１嵌合部２３と、冷却水路７を挟んで真空槽の内部側（図中下側）の嵌合穴２２に嵌合する第２嵌合部２４とを備えている。そして、第１嵌合部２３と第２嵌合部２４の間に、冷却水路７の部位に位置するフィン部２５が設けられている。

絶縁体リング４の第１嵌合部２３の外周はＯリング２６を介して嵌合穴２２に嵌合し、Ｏリング２６により大気側と冷却水路７とがシールされている。絶縁体リング４の第２嵌合部２４の外周は、冷却水路７側の第１Ｏリング２７（第１シール部材）と真空槽の内部側の第２Ｏリング２８（第２シール部材）を介して嵌合穴２２に嵌合し、第１Ｏリング２７及び第２Ｏリング２８により真空槽の内部側と冷却水路７とがシールされている。

第１Ｏリング２７及び第２Ｏリング２８の間における水冷ブロック３には排出穴３１（排出手段）が形成され、排出穴３１は排出路３２（排出手段）により大気側に開口している。何らかの原因により冷却水が第１Ｏリング２７を通過して第１Ｏリング２７と第２Ｏリング２８の間に浸入した場合、浸入した冷却水は排出穴３１から排出路３２を通って大気側に排出される。これにより、真空槽側（処理室内）への冷却水の浸入を確実に防止することができる。この時、漏水センサ等を用いることにより、冷却水の浸入を自動で検出することができる。

電極棒５は絶縁体リング４を貫通して配され、大気側に位置する上端部が導入端子６とされている。絶縁体リング４の第１嵌合部２３及びフィン部２５の内周は雌ねじ部が形成され、電極棒５のねじ部が雌ねじ部に螺合することで電極棒５が絶縁体リング４に結合される冷却水路７に位置する絶縁体リング４はフィン部２５となっているので、冷却水との接触面積が広く確保され、また、流路の断面積が狭くなって流速を速くすることができる。

このため、絶縁体リング４（フィン部２５）と電極棒５の結合部の接触面積が広くなり面圧が確保されて、フィン部２５の熱伝達が良好に確保されていることと相俟って、高い冷却性能を発揮することができる。

図５、図６に基づいてフィラメント１５の保持状況を説明する。図５にはフィラメント１５と電極棒５の接続部位の詳細（図４中の矢印Ｖ部の詳細）、図６にはフィラメント１５の保持部を下側から見た状況（図５中のＶＩ−ＶＩ線矢視）を示してある。

電極棒５の下端には保持部材１２を介してフィラメント１５の上端部が接続されている。つまり、電極棒５の下端にはフィラメント１５の外周に嵌合する状態に十字状のすり割が設けられ、四分割されたすり割部１６（保持部）が形成されている。すり割部１６及びすり割部１６の上方の電極棒５の内周にはフィラメント１５の径に対して嵌め合いに近似した公差の軸穴が形成され、広い接触面積が確保される状態で軸穴にフィラメント１５が嵌合される。

すり割部１６はナット部材１４により周方向の四方から挟み込まれて縮径され、すり割部１６の内周面がフィラメント１５の外周面に面接触してフィラメント１５が電極棒５に接続される。

尚、すり割部１６としては、四分割されたものに限らず、縮径される構成であれば、二分割、三分割、五分割以上の多分割にすることも可能である。また、弾性変形により縮径される構成の保持部材を用いることも可能である。

つまり、電極棒５にはナット部材１４が螺合するねじ部１３が形成され、ナット部材１４をねじ部１３に螺合することにより、ナット部材１４が電極棒５に対して上方に移動する。また、すり割部１６下端の外周にはテーパ面１６ａが形成され、ナット部材１４の下端の内周にはテーパ面１６ａに嵌合するテーパ面１４ａが形成されている。そして、ナット部材１４の上部がねじ部１３に螺合することにより、ナット部材１４が上方に移動してテーパ面１４ａ、テーパ面１６ａを介してすり割部１６が縮径する。

このため、フィラメント１５と電極棒５（すり割部１６）の接続部の接触面積を広くして電気接触抵抗を小さくすることができる。すり割部１６を縮径させてフィラメント１５を接続しているので、すり割部１６の内周面とフィラメント１５の外周面の面接触を確実にすることができる。

上述した触媒ＣＶＤ装置では、ガスライン１１から真空チャンバ１の内部に原料物質を含む原料ガスが供給され、導入端子６に電力が供給されて電極棒５を介してフィラメント１５が高温（例えば、１０００℃程度）に加熱される。フィラメント１５が加熱されることで、発熱により触媒作用を発現して原料ガスが反応種に分解・活性化され基板２の表面に薄膜が形成される。

フィラメント１５は電極棒５のすり割部１６に面接触により接続されているので、接続部の電気接触抵抗を小さくして接触部が高温になり過ぎることを抑制することができる。そして、電極棒５が絶縁体リング４を介して水冷ブロック３に支持され、冷却水路７を流通する冷却水により支持部位が冷却されている。水冷により導入端子６が冷却され、冷却効率を向上させることができるので、電極棒５に給電が行われることで加熱されるフィラメント１５の接続部の放熱を効率よく行うことが可能になる。

フィラメント１５と電極棒５の接続部の電気接触抵抗を小さくして接触部が高温になり過ぎることがなく、フィラメント１５の接続部の放熱が水冷により効率よく行われるため、電極棒５が融解して電極棒の成分（例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ）が基板に対して拡散輸送されることがない。このため、真空チャンバ１内の金属汚染を確実に防止することが可能になる。

図７に基づいて本発明の触媒ＣＶＤ装置の他の実施例を説明する。図７には本発明の他の実施例に係る触媒ＣＶＤ装置の全体の構成を概略的に示してある。尚、図１に示した部材と同一部材には同一符号を付して重複する説明は省略してある。

図に示すように、例えば筒状の真空チャンバ４１は、内部が所定の真空状態に排気され、真空チャンバ４１には支持台４４が設けられている。支持台４４の上面には基板２が載置・保持されている。真空チャンバ４１の天井板４２には電極棒５が設けられ、導入端子６が外部に臨んでいる。導入端子６の部位は空冷室４６で覆われ、空冷室４６には冷却ファン４５が設けられている。

真空チャンバ４１内の電極棒５には保持部材１２を介してフィラメント１５が支持台４４に対向して配されている。支持台４４とフィラメント１５の間の真空チャンバ４１にはシャワープレート４３が設けられ、フィラメント１５が配されている側の真空チャンバ４１の内部にはガスライン１１から流量が制御された原料ガスが供給される。

上述した触媒ＣＶＤ装置では、シャワープレート４３の上側の真空チャンバ４１の内部に原料物質を含む原料ガスが供給され、フィラメント１５が高温（例えば、１０００℃程度）に加熱される。フィラメント１５が加熱されることで、発熱により触媒作用を発現して原料ガスが反応種に分解・活性化され、反応種がシャワープレート４３から基板２側に送られ、基板２の表面に薄膜が形成される。

上述した触媒ＣＶＤ装置のフィラメント１５は、図１に示した実施例と同様に、電極棒５に面接触により接続されているので、接続部の電気接触抵抗を小さくして接触部が高温になり過ぎることを抑制することができる。このため、フィラメント１５と電極棒５の接続部の電気接触抵抗を小さくして接触部が高温になり過ぎることを抑制することができる。そして、導入端子６が冷却ファン４５により冷却されているので、フィラメント１５の接続部の放熱が空冷により行なわれる。

このため、電極棒５が融解して電極棒の成分（例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ）が基板に対して拡散輸送されることがなく、簡単な冷却機構により真空チャンバ４１内の金属汚染を防止することが可能になる。

図７に示した実施例において、冷却ファン４５に代えて図１に示した水冷の冷却機構を適用することも可能である。

本発明は、触媒体に原料ガスを接触させて成膜を行う触媒ＣＶＤ装置の産業分野で利用することができる。

１ 真空チャンバ
２ 基板
３ 水冷ブロック
４ 絶縁体リング
５ 電極棒
６ 導入端子
７ 冷却水路
８ 配線
１１ ガスライン
１２ 保持部材
１３ ねじ部
１４ ナット部材
１５ フィラメント
１６ すり割部
２２ 嵌合穴
２３ 第１嵌合部
２４ 第２嵌合部
２５ フィン部
２６ Ｏリング
２７ 第１Ｏリング
２８ 第２Ｏリング
３１ 排出穴
３２ 排出路
４１ 真空チャンバ
４２ 天井板
４３ シャワープレート
４４ 支持台
４５ 冷却ファン
４６ 空冷室

Claims (6)

1. 内部が所定の真空状態にされて基板が配置されると共に、原料物質を含む原料ガスが供給される処理室と、
   電力の導入端子を有し前記導入端子が前記処理室の外部に配された状態で前記処理室の内部に配される電極部材と、
   前記処理室の内部に位置する前記電極部材に接続され、加熱されることで前記原料ガスを反応種に分解・活性化して前記基板に薄膜を形成させる触媒体と、
   前記導入端子が前記処理室の外部に配される状態に前記電極部材を保持する絶縁体と、
   前記絶縁体に冷却水を供給して前記導入端子を冷却する水冷手段とを備えた
   ことを特徴とする触媒ＣＶＤ装置。
2. 請求項１に記載の触媒ＣＶＤ装置において、
   前記水冷手段は、
   前記処理室の内部を臨み前記絶縁体が嵌合保持される取付け部を備えたブロックと、
   前記取付け部に設けられ冷却水の前記処理室内への浸入を阻止する第１シール部材と、
   前記第１シール部材の前記処理室側における前記取付け部に設けられ前記第１シール部材を通過した冷却水の前記処理室内への浸入を阻止する第２シール部材と、
   前記第１シール部材と前記第２シール部材の間における前記取付け部に形成され、前記第１シール部材を通過した冷却水を排出する排出手段とを備えた
   ことを特徴とする触媒ＣＶＤ装置。
3. 内部が所定の真空状態にされて基板が配置されると共に、原料物質を含む原料ガスが供給される処理室と、
   電力の導入端子を有し前記導入端子が前記処理室の外部に配された状態で前記処理室の内部に配される電極部材と、
   前記処理室の内部に位置する前記電極部材に接続され、加熱されることで前記原料ガスを反応種に分解・活性化して前記基板に薄膜を形成させる触媒体と、
   前記導入端子が前記処理室の外部に配される状態に前記電極部材を保持する絶縁体と、
   前記絶縁体に冷却水を供給して前記導入端子を冷却する水冷手段とを備え、
   前記電極部材に対する前記触媒体の接続は、
   面接触により前記触媒体を保持する保持部材を介して前記電極部材に前記触媒体が取り付けられている
   ことを特徴とする触媒ＣＶＤ装置。
4. 請求項３に記載の触媒ＣＶＤ装置において、
   前記保持部材は、
   前記電極部材の先端部に形成され前記触媒体の外周に嵌合する状態に縮径自在な保持部と、
   前記電極部材に螺合することによりテーパ面を介して前記保持部を縮径させて前記触媒体に前記保持部の内面を面接触させ、前記触媒体を前記電極部材に保持させるナット部材とからなる
   ことを特徴とする触媒ＣＶＤ装置。
5. 請求項４に記載の触媒ＣＶＤ装置において、
   前記保持部は、周方向に複数に分割されている
   ことを特徴とする触媒ＣＶＤ装置。
6. 請求項３から請求項５のいずれか一項に記載の触媒ＣＶＤ装置において、
   前記水冷手段は、
   前記処理室の内部を臨み前記絶縁体が嵌合保持される取付け部を備えたブロックと、
   前記取付け部に設けられ冷却水の前記処理室内への浸入を阻止する第１シール部材と、
   前記第１シール部材の前記処理室側における前記取付け部に設けられ前記第１シール部材を通過した冷却水の前記処理室内への浸入を阻止する第２シール部材と、
   前記第１シール部材と前記第２シール部材の間における前記取付け部に形成され、前記第１シール部材を通過した冷却水を排出する排出手段とを備えた
   ことを特徴とする触媒ＣＶＤ装置。

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