JP5469855B2 - 磁気共鳴イメージング装置 - Google Patents

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Description

本発明は、磁気共鳴撮像(以下、MRI)装置において、プリサチレーションパルス(以下、プリパルス)を印加して被検体の核磁化を変調し、MRI画像上に縞状あるいは格子状のタグを付加する撮像技術に関する。
タギングとは、プリパルスを印加して縦磁化の空間分布を変調し、MRI画像上に縞状または格子状のタグを付加する技術である。タギングに用いられるプリパルス(以下、タギング用プリパルス)は、主に、心臓のシネ撮像シーケンスのプリパルスとして用いられ、心壁の変形挙動の簡便な評価に用いられる。
代表的なタギング用プリパルスには、フリップ角が90°である2回の高周波磁場(RF)パルスと、RFパルス間のディフェーズ傾斜磁場、及びスライス方向のスポイラー傾斜磁場とで構成される1−1SPAMMと呼ばれるものがある(例えば、特許文献1参照)。1−1SPAMMでは、ディフェーズ傾斜磁場は位相エンコード方向またはリードアウト方向のいずれかに印加され、タグはスライス内で傾斜磁場印加方向と直交する方向に生成される。
また、1−1SPAMMのタグの保持時間を改善したものとして、高周波バーストパルスを用いるもの(以下、BURST)がある(例えば、特許文献2参照)。BURSTは、時間軸上に等間隔に形成され、振幅がSINC関数により変調された複数のRFパルスであるサブパルスからなる高周波バーストパルスと、サブパルス間に印加されるディフェーズ傾斜磁場と、スポイラー傾斜磁場とで構成される。1−1SPAMMでは三角関数であるプロファイルが、BURSTでは矩形関数となる。このため、タグのコントラストが向上する。
米国特許第5,054,489号明細書 米国特許第6,546,274号明細書
しかし、BURSTの場合、印加するRFパルス(サブパルス)数が増加するため、プリパルス印加時間が長くなる。従って、後続の本撮像に影響を与える。例えば、上述のように、後続の本撮像が心臓のシネ撮像シーケンスの場合、心周期中に取得可能な心時相数が減少する。また、本撮像の開始時間がR波から遅れるため、MRI画像におけるタグの歪みを比較するために必要な収縮早期のデータの取得が難しくなる。従って、心壁の変形挙動の評価の精度が低下する。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、MR画像にタグを付与するタギング撮像において、タグのコントラストを維持しつつ、プリパルス印加時間を短縮し、高精度の評価が可能な画像を得る技術を提供することを目的とする。
本発明は、被検体を撮像する磁気共鳴イメージング装置において、タギング用プリパルスとして、非対称SINC関数により振幅変調されたサブパルスからなる高周波バーストパルスを用いる。
具体的には、静磁場を発生する静磁場発生手段と、互いに直交する3方向の傾斜磁場を発生する傾斜磁場発生手段と、高周波磁場を発生する高周波磁場発生手段と、検査対象から発生する核磁気共鳴信号を検出する信号検出手段と、前記信号検出手段が検出した信号から画像を再構成する画像再構成手段と、前記傾斜磁場発生手段、前記高周波磁場発生手段および信号検出手段を所定のパルスシーケンスに従って動作させる制御手段と、を備える磁気共鳴イメージング装置であって、前記パルスシーケンスは、前記画像再構成手段が画像を再構成するための信号を取得する本撮像シーケンスと、前記本撮像シーケンスに用いられる信号に付加的効果を与えるプリパルスシーケンスと、を備え、前記プリパルスシーケンスは、時間軸上で等間隔に形成された複数のサブパルスからなる高周波バーストパルスを印加する高周波パルス印加部と、各サブパルス間に、前記3方向のうちの同一の1方向に傾斜磁場を印加する傾斜磁場印加部と、を備え、前記複数のサブパルスの振幅は、非対称のSINC関数で変調されていることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置を提供する。
本発明によれば、タグのコントラストを維持しつつ、プリパルス印加時間が短縮できるため、高精度の評価が可能な画像を得ることができる。
以下、本発明を適用する第一の実施形態について説明する。以下、本発明の実施形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
まず、本実施形態の磁気共鳴イメージング装置(以下、MRI装置と呼ぶ。)について説明する。図1は、本実施形態のMRI装置100の機器構成図である。本図に示すように、本実施形態のMRI装置100は、撮像空間に静磁場を発生する静磁場発生装置12、患者などの撮像対象11を搭載し、撮像空間に配置するためのベッド22、高周波磁場(RF)パルスを撮像対象11に印加するRFコイル14、撮像対象11が発生する核磁気共鳴(NMR)信号を検出するためのRFプローブ15、および、撮像空間にX方向、Y方向、Z方向の傾斜磁場をそれぞれ発生させる傾斜磁場コイル13を備える。さらに、MRI装置100は、傾斜磁場電源19、RF送信部20、制御部21、信号検出部16、信号処理部17、表示部18を備える。
傾斜磁場コイル13は、傾斜磁場電源19からの信号に応じて各方向の傾斜磁場を発生し、RFコイル14は、RF送信部20からの信号に応じてRFパルスを発生する。RF送信部20は、高周波発振器と変調器と高周波増幅器とを備え、高周波発振器から出力されたRFパルスを制御部21からの指令によるタイミングで変調器により振幅変調し、振幅変調された高周波磁場パルスを高周波増幅器で増幅した後にRFコイル14に供給する。RFプローブ15が検出した信号は、信号検出部16で検出され、信号処理部17で信号処理あるいは演算により画像信号に変換される。得られた画像信号は、表示部18に画像として表示される。
傾斜磁場電源19、RF送信部20、信号検出部16の動作は制御部21で制御される。制御のタイムチャートは一般にパルスシーケンスと呼ばれる。制御部21は、CPUとメモリと記憶装置とを備える情報処理装置で実現され、パルスシーケンスは、予め作成され、記憶装置に格納される。
撮像においては、傾斜磁場により異なる位相エンコードを与え、それぞれの位相エンコードで得られるNMR信号(エコー信号)を検出する。位相エンコードの数は、通常、1枚の画像あたり、128,256、512等の値が選ばれる。各エコー信号は、通常、128、256、512、1024個のサンプリングデータからなる時系列信号として得られる。これらのデータを2次元フーリエ変換し、1枚のMR画像を再構成する。
現在MRIの撮像対象は、臨床で普及しているものとしては、撮像対象11である被検体の主たる構成物質であるプロトンである。プロトン密度の空間分布や、励起状態の緩和現象の空間分布を画像化することで、人体頭部、腹部、四肢等の形態または機能を2次元もしくは3次元撮像する。
本実施形態では、タグのコントラストを維持しながら、タギング用プリパルスを印加するタギングシーケンスに要する時間を短縮する。以下、これを実現する本実施形態のパルスシーケンスについて説明する。上述のように、本実施形態のMRI装置100では、制御部21がこのパルスシーケンスに従って各部の動作を制御し、信号処理部17が得られたエコー信号から画像を再構成することにより、短時間のタギングシーケンスによりコントラストのよいタグが付加されたMR画像を得る。
まず、タギング用プリパルスを、心拍周期に同期させた心臓のシネ撮像のプリパルスとして用いる場合のパルスシーケンスを例にあげて、撮像全体のシーケンスを説明する。図2は、心電図のR波形200と、タギングシーケンス210と、本撮像のパルスシーケンス(シネ撮像シーケンス)220との実行タイミングを示す図である。ここでは、心時相数が7の場合の2心拍分の例を示す。本図に示すように、R波200とR波200との間の心周期間に、タギングシーケンス210とシネ撮像シーケンス220とが実行される。これらのシーケンスは、R波200に同期して実行される。シネ撮像シーケンス220には、例えば、SSFP系シーケンスを適用できる。本実施形態では、制御部21が、このパルスシーケンスに従って、傾斜磁場電源19、RF送信部20、信号検出部16の動作を制御することにより、タグ付きの心臓のシネ画像を得る。
なお、ここでは、本撮像のパルスシーケンスとして、シネ撮像シーケンス220を実行する場合を例にあげて説明したが、本撮像のパルスシーケンスはこれに限られない。シングルフェーズ撮像などであってもよい。
次に、タギングシーケンス210の詳細を説明する。タギングシーケンス210の一例として、1−1SPAMMをタギング用プリパルスとして用いるものを図3(a)に示す。本図に示すように、1−1SPAMMをタギング用プリパルスとして用いるタギングシーケンス210Aは、フリップ角が90度である2回のRFパルス311、312と、RFパルス311とRFパルス312との間に印加されるディフェーズ傾斜磁場321と、スライス方向のスポイラー傾斜磁場331とを備える。上述のように、ディフェーズ傾斜磁場は、位相エンコード方向およびリードアウト方向のいずれか一方に印加される。ここでは、リードアウト方向に印加される例を示す。
タギングシーケンス210Aを実行後、シネ撮像シーケンス220を実行すると、図3(b)に示すような、リードアウト方向に直交する縞状のタグが付与されたMRI画像が得られる。
この縞は、信号が抑圧された領域(図3(b)中黒線部)と、抑圧されていいない領域とで構成され、タグの方向と間隔とは、ディフェーズ傾斜磁場321の印加方向と印加量との組み合わせで制御される。すなわち、タグは、スライス傾斜磁場(不図示)により決定されたスライス面上で、ディフェーズ傾斜磁場321の印加方向と直交する方向(ここでは、位相エンコード方向)に生成され、タグ間隔dとディフェーズ傾斜磁場321の印加量Sとは、以下の式(1)の関係を有する。
d=1/γS (1)
ここで、γは磁気回転比である。
また、2方向の格子状のタグを生成するタギングシーケンス210Bの例を図4(a)に示す。格子状のタグは、縞状のタグを生成するタギングシーケンス210Aを連続して2回実施する。ただし、1回目はディフェーズ傾斜磁場印加方向をリードアウト方向および位相エンコード方向のいずれか1方向とし、2回目は1回目に印加しなかった方向とする。
タギングシーケンス210Bを実行した場合、図4(b)に示すように、リードアウト方向に直交する縞状のタグと、位相エンコード方向に直交する縞状のタグとがそれぞれMRI画像上に生成され、両者が交わり、信号強度の高い部分が格子点状に分布する。
さらに、3方向のタグを生成することも可能である。3方向のタギングシーケンスは、縞状のタグを生成するタギングシーケンス210Aを連続して3回実施する。このとき、1回目、2回目、3回目と、ディフェーズ傾斜磁場の印加方向を、リードアウト方向、位相エンコード方向、スライス方向と順次変更する。
次に、タギング用プリパルスとしてBURSTを用いる場合のタギングシーケンス210Cを図5(a)に示す。BURSTによるタギングシーケンス210Cは、時間軸上に等間隔に形成され、振幅がSINC関数540により変調された複数のサブパルス511a、511b、511c、511d、511e、511f、511gからなる高周波バーストパルス510と、各サブパルス間に印加されるディフェーズ傾斜磁場520a、520b、520c、520d、520e、520fと、スポイラー傾斜磁場530とを備える。ディフェーズ傾斜磁場520は、リードアウト方向または位相エンコード方向のいずれか一方に印加される。図5(a)では、一例としてリードアウト方向に印加される場合を示す。ここでは、一例として、サブパルスが7つ(振幅が0の場合も含む)の場合を示すが、サブパルスの数はこれに限られない。また、各サブパルスおよび各ディフェーズ傾斜磁場を特に区別する必要がない場合は、それぞれサブパルス511およびディフェーズ傾斜磁場520で代表する。
タギングシーケンス210Cを実行後、シネ撮像シーケンス220を実行すると、図5(b)に示すようなリードアウト方向に直交する縞状のタグが付与されたMRI画像を得る。
1−1SPAMMによるタギングシーケンス210Aの場合と同様に、この縞は、信号が抑圧された領域(図5(b)中黒部)と、抑圧されていない領域とで構成される。タグの間隔dと各ディフェーズ傾斜磁場520の印加量Sとの関係は、以下の式(2)で表される。
d=1/γS (2)
また、BURSTによるタギングシーケンス210Cでは、タグの間隔dだけでなくタグの幅wも調整可能である。つまり、振幅変調に用いるSINC関数540の周期をT、サブパルス511の印加間隔であるδ関数の周期をτ、ディフェーズ傾斜磁場520の印加強度をGとすると、タグの幅wとタグの間隔dとは、それぞれ、以下の式(3)および(4)で表される。
w=1/γGT (3)
d=1/γGτ (4)
すなわち、SINC関数540の周期Tとδ関数の周期(サブパルス511の印加間隔)τとの値により、タグの幅wとタグの間隔dとを制御できる。また、タグの幅wとタグの間隔dとの比は、w:d=τ:Tである。
なお、BURSTにおいてサブパルス511の振幅変調に用いられるSINC関数540は、一般に、振幅が最も大きい主波(メインローブ)と、その両側に連なる複数の副波(サイドローブ)とを備える。フーリエ変換の性質から、サイドローブの数が増える程、プロファイルは矩形関数形状に近づき、高品質のタグを得ることができる。しかし、本実施形態のような心拍同期のシネ撮像の場合、サイドローブの数が多すぎると、タギング用プリパルス210に要する時間が長くなり、本撮像であるシネ撮像シーケンス220の時間が減少する。
このため、実装においては、変調に用いるSINC関数540として、図5(a)に示すような左右1つのサイドローブのものを用いる。SINC関数540は、一般のSINC関数に、以下の式(5)で示される窓関数を乗算することにより得る。
w(x)=1(−2π≦x≦2π)、
w(x)=0(x<−2π、2π<x) (5)
ここで、間隔がdのタグが付与されたMRI画像を生成する場合の、図3(a)に示すタギングシーケンス210Aおよび図5(a)に示すタギングシーケンス210Cに要する時間を比較する。ここでは、RFパルス311、312およびサブパルス511の印加時間をt1、ディフェーズ傾斜磁場321、520の印加時間をt2、スポイラー傾斜磁場331、530の印加時間をt3とする。
図3(a)に示す1−1SPAMMをタギング用プリパルスに用いるタギングシーケンス210Aに要する時間TSは以下の式(6)のとおりである。
TS=2×t1+t2+t3 (6)
一方、図5(a)に示すBURSTをタギング用プリパルスに用いるタギングシーケンス210Cに要する時間TBは以下の式(7)のとおりである。
TB=7×t1+6×t2+t3 (7)
このようにBURSTを用いる場合、1−1SPAMMを用いる場合に比べ、5×t1+5×t2だけプリパルス印加時間が長くなる。例えば、t1=0.3ms、t2=0.4ms、t3=1.5msの場合、2.4倍長くなる。また、2方向のタグを生成する場合は、プリパルス印加時間は約2倍となるため、上記の例では略4.8倍長くなる。
前述のように、心拍同期のシネ撮像では、R波200の間隔は一定であるため、タギングシーケンス210の時間が長くなると、その分、シネ撮像シーケンス220の実行可能時間が減少する。従って、シネ撮像シーケンス220において取得できる心時相数が減少する。また、R波200発生からシネ撮像シーケンス220の開始時間までの期間が長くなり、タグの歪みを比較するのに重要なR波直後の収縮早期でのデータが取得できない。
そこで、本実施形態では、プロファイルが矩形関数形状を保ち、かつ、タギングシーケンスに要する時間がさらに短くなるようタギング用プリパルスを変調する。以下、本実施形態のタギング用プリパスおよびタギングシーケンスについて説明する。
図6は、本実施形態のタギングシーケンス210である。図6(a)は、サブパルス611の印加間隔τと変調する関数の周期Tとの比が1対2(τ:T=1:2)の場合の例で、図6(b)は、同比が1対4(τ:T=1:4)の場合の例である。本実施形態のタギングシーケンス210は、基本的には上記タギングシーケンス210Cと同様である。すなわち、図6(a)の場合、高周波バーストパルス610は、サブパルス611a、611b、611c、611d、611e、611f(以下、代表してサブパルス611)から構成される。各サブパルス611間にディフェーズ傾斜磁場620が印加され、ディフェーズ傾斜磁場620a、620b、620c、620d(以下、代表して620)の印加後にスポイラー傾斜磁場630が印加される。ただし、サブパルスの振幅は、SINC関数540の右側サイドローブを削除した非対称SINC関数640により変調される。図6(b)も同様である。
本実施形態で振幅変調に用いられる非対称SINC関数640は、一般のSINC関数に以下の式(8)で示される窓関数を乗算することにより得られる。
w(x)=1(−2π≦x≦π)
w(x)=0(x<−2π、π<x) (8)
ここで、タギングシーケンス210Cによる1周期分のプロファイルと、本実施形態のタギングシーケンス210による1周期分のプロファイルとをそれぞれ図7(a)、(b)および図7(c)、(d)に示す。図7(a)、(c)は、それぞれ、τ:T=1:2の場合の従来例と本実施形態の例で、図7(b)、(d)は、それぞれ、τ:Tが1:4の場合のものである。また、本図において、横軸はオフセット周波数を、縦軸は縦磁化を表す。なお、各プロファイルは、ブロッホ方程式を数値積分して導出した。
本図に示すように、左右対称のSINC関数540でサブパルス511の振幅を変調するタギングシーケンス210Cによるプロファイル図7(a)、(b)と比較すると、本実施形態のタギングシーケンス210によるプロファイル図7(c)、(d)は、プロファイルの立ち上がりと立ち下がりとが僅かに滑らかになり、信号が抑圧された領域が増加している。しかし、その形状に大きな違いは見られない。これは、511gのフリップ角が小さく、縦磁化の変調に対する寄与が小さいためと考えられる。
実際、τ:T=1:2の場合、タグ1周期に対する半値幅は、タギングシーケンス210Cによれば約32%、本実施形態のタギングシーケンス210によれば、約35%と、僅か2%の差である。τ:T=1:4の場合も、タギングシーケンス210Cでは約15%、本実施形態のタギングシーケンス210では約14%と、僅か1%の差である。さらに、本実施形態のタギングシーケンス210によるプロファイル図7(c)、(d)では、タギングシーケンス210Cによるプロファイル図7(a)、(b)の両端に見られる、さざ波状の波形(リンギング)が低減していることがわかる。
以上より、非対称SINC関数640を用いてサブパルス611の振幅を変調したとしても、プロファイルの形状にはほとんど影響がないといえる。従って、本実施形態のタギングシーケンス210によれば、タギングシーケンス210Cの場合と略同様の矩形関数形状のプロファイルを得ることができ、コントラストのよいタグが得られる。
ここで、間隔がdのタグが付与されたMRI画像を生成する場合の、タギングシーケンス210Cと本実施形態のタギングシーケンス210とに要する時間を比較する。ここでは、上記同様、サブパルス611、511の印加時間をt1、ディフェーズ傾斜磁場620、520の印加時間をt2、スポイラー傾斜磁場630、530の印加時間をt3とする。
本実施形態の図6(a)に示すタギングシーケンス210(τ:T=1:2の場合)に要する時間TBaは以下の式(9)の通りである。
TBa=5×t1+4×t2+t3 (9)
また、図6(b)のタギングシーケンス210’に要する時間TBbは、以下の式(10)のとおりである。
TBb=11×t1+10×t2+t3 (10)
一方、τとTとの比がそれぞれ図6(a)、図6(b)と同じであって、左右対称のSINC関数540でタギング用プリパルスを変調した場合(τ:T=1:4の場合)の、タギングシーケンス210Cにかかる時間TBa’およびTBb’は、それぞれ以下の式(11)、(12)とおりである。
TBa=7×t1+6×t2+t3 (11)
TBb=15×t1+14×t2+t3 (12)
従って、タギングシーケンス210に要する時間は、タギングシーケンス210Cに要する時間に比べ、τ:T=1:2の場合、2(t1+t2)、τ:T=1:4の場合、4(t1+t2)、それぞれ短縮される。例えば、t1=0.3ms、t2=0.4ms、t3=1.5msの場合、図6(a)では、約23%、図6(b)では、約24%短縮可能である。すなわち、非対称SINC関数640でサブパルス611の振幅を変調した場合、左右対象のSINC関数540で変調した場合に比べ、タギングシーケンスに要する時間を大幅に短縮できる。
以上説明したように、本実施形態によれば、BURSTをタギング用プリパルスに用いるにあたり、サブパルスの振幅を非対称のSINC関数で変調する。これにより、プロファイルの僅かな劣化だけで、タギングシーケンスに要する時間を大幅に短縮することができる。従って、タギングシーケンスの後の本撮像の開始時間を早めることができる。また、所定の周期信号と同期させて実行する撮像においては、本撮像の時間を長く取ることができる。特に、心拍同期のシネ撮像では、本撮像において取得する心時相数を増加することができ、かつ、タグの歪みを比較するのに重要なR波直後の収縮早期のデータを取得できる。
なお、上記実施形態では、サイドローブがメインローブの前後に1山づつの構成を有する3山からなるSINC関数540の、メインローブ後の1山を削除する場合を例にあげて説明した。しかし、メインローブ前の1山を削除するよう構成してもよい。この場合、一般のSINC関数に以下の式(13)で示される窓関数を乗算することにより得る非対称SINC関数740で、サブパルスの振幅を変調する。
w(x)=1(−π≦x≦2π)
w(x)=0(x<π、2π<x) (13)
非対称SINC関数740でサブパルスの振幅を変調した場合も、511gのフリップ角が小さく、縦磁化の変調に対する寄与が小さいため、プロファイルは略同様のものを得ることができる。従って、タギングシーケンスに要する時間を短縮でき、本撮像の開始を早めることができる。また、所定の周期信号と同期させて実行するような撮像において、タギングシーケンス後に行われる本撮像の時間を長くとることができる。特に、心拍同期の心臓シネ撮像において、本撮像において取得する心時相数を増加することができ、かつ、歪みを比較するために必要な収縮早期のデータを取得できる。ただし、プリパルス印加中の横緩和の影響を低減するためには、右側のサイドローブを削除する方が望ましい。
なお、サブパルスを振幅変調する非対称SINC関数のサイドローブ数は、左右いずれか1山には限られない。一般に、(2n+1)山(nは正の整数)の左右対称のSINC関数の左右いずれかのm山(mはn以下の正の整数)を削除した非対称SINC関数でサブパルスを振幅変調すると、(2n+1)山の左右対称のSINC関数でサブパルスの振幅を変調する場合に比べ、プロファイルの形状を略維持しつつ、タギングシーケンスに要する時間を短縮することができる。すなわち、短時間でコントラストのよいタグを得ることができる。
上記(2n+1)山のSINC関数、右側のサイドローブをm山(mはm≦nを満たす正の整数)を削除した非対称SINC関数、左側のサイドローブをm山削除した非対称SINC関数は、それぞれ、一般のSINC関数に、以下の窓関数(14)、(15)、(16)を乗算することにより得られる。
w(x)=1 (−(n+1)π≦x≦(n+1)π)
w(x)=0 (x<−(n+1)π、(n+1)π<x) (14)
w(x)=1 (−(n+1)π≦x≦(n+1−m)π)
w(x)=0 (x<−(n+1)π、(n+1−m)π<x) (15)
w(x)=1 (−(n+1−m)π≦x≦(n+1)π)
w(x)=0 (x<−(n+1−m)π、(n+1)π<x) (16)
また、サブパルスを振幅変調するSINC関数を非対称化するにあたり、乗算する窓関数は、上述のように、SINC関数の基本的な形状を残し、サイドローブを削除するだけのものには限られない。例えば、ハミング窓関数、ハニング窓関数、ガウス窓関数など、様々な窓関数を適用可能である。
一例として、一般のSINC関数に以下の式(17)に示す非対称のハミング窓関数を乗算して得られる、右側のサイドローブを削除した非対称SINC関数で、サブパルスの振幅を変調した場合のタギングシーケンスを図8に示す。図8には、n=m=1の例を示す。
w(x)=0.54+0.46cos(x/(n+1))
(−(n+1)π≦x≦0)
w(x)=0.54+0.46cos(x/(n+1−m))
(0<x≦(n+1−m)π)
w(x)=0
(x<−(n+1)π、(n+1−m)π<x) (17)
(nは正の整数、mはn以下の正の整数)
図8(a)は、サブパルス811の印加間隔τと変調する非対称SINC関数の周期Tとの比が1対2(τ:T=1:2)の場合の例で、図8(b)は、同比が1対4(τ:T=1:4)の場合の例である。上記実施形態同様、図8(a)および(b)に示すタギングシーケンスは、サブパルス811から構成される高周波バーストパルス810と、各サブパルス811間に印加されるディフェーズ傾斜磁場820と、ディフェーズ傾斜磁場820の印加後に印加されるスポイラー傾斜磁場830とにより構成される。
その他の条件を上記実施形態と同じにした場合の、図8(a)および(b)に示すタギングシーケンスによる1周期分のプロファイルを、それぞれ、図9(a)および(b)に示す。本図に示すように、図7(c)、(d)に示すプロファイルと比較すると、プロファイルの立ち上がりと立ち下がりが僅かに滑らかになる。しかし、リンギングは低減されていることが分かる。
すなわち、タギング用プリパルスとして、ハミング窓関数を乗算することにより得た非対称SINC関数を用いてサブパルスを振幅変調した高周波バーストパルスを用いると、タギングシーケンスに要する時間が短縮されるだけでなく、リンギングの低減が可能となる。従って、信号が抑圧されていない領域と、抑圧された領域とのコントラストを向上させることができる。すなわち、短時間でコントラストのよいタグが付与された画像を得ることができる。
さらに、タギングシーケンスにおいて、高周波バーストパルス610を構成するサブパルス611の印加時間、および/またはディフェーズ傾斜磁場620の印加時間を短縮することにより、タギングシーケンスに要する時間を短縮するよう構成してもよい。この場合のタギングシーケンスの例を図10に示す。図10(a)は、図6(a)のパルスシーケンスを変形したもの、図10(b)は、図6(b)のパルスシーケンスを変形したものである。ここでは、図10(a)を例にあげて説明する。図10(a)において、高周波バーストパルス1010を構成する各サブパルス1011(1011a、1011c、1011d、1011e)は、その末尾の文字が図6(a)における各サブパルス611の末尾の文字が同じサブパルスに対応するものとする。各ディフェーズ傾斜磁場1020(1020a’、1020c、1020d)についても同様とする。
図10(a)に示すように、各サブパルス1011の印加量は、印加時間と印加強度(送信ゲイン)とにより決定する。また、印加強度を一定とすると、フリップ角はサブパルスの印加時間に比例する。従って、全てのサブパルス1011の印加強度を最大とすると、フリップ角が小さいサブパルス、例えば、1011a、1011c、1011eについて、印加時間を短縮することができる。図10(b)についても同様である。
また、ディフェーズ傾斜磁場1020についても同様で、印加量は印加時間と印加強度とにより決定するため、印加強度を大きくすることにより、各ディフェーズ傾斜磁場1020の印加時間を短縮することができる。従って、各ディフェーズ傾斜磁場1020の印加時間が最短となるよう、ディフェーズ傾斜磁場1020の印加強度を設定する。これにより各ディフェーズ傾斜磁場1020の印加時間を短縮することができる。なお、ディフェーズ傾斜磁場1020の印加時間が短縮された分、サブパルス1011の印加間隔も短縮することができる。
さらに、非対称SINC関数による振幅変調により振幅が0となるサブパルス(図6の611b)を挟む2つのディフェーズ傾斜磁場(図6の620a、620b)を1つのディフェーズ傾斜磁場1020a’とする。このとき、ディフェーズ傾斜磁場1020a’の印加量は、ディフェーズ傾斜磁場620aとディフェーズ傾斜磁場620bとの合計の印加量に等しくなるよう設定する。これにより、ディフェーズ傾斜磁場620aとディフェーズ傾斜磁場620bとの間隔分タギングシーケンスの時間を短縮することができる。
以上、本実施形態のタギングシーケンス210とその変形例について、縞状のタグを生成する場合を例にあげて説明した。本実施形態のタギングシーケンス210およびその変形例は、従来のタギングシーケンス210C同様、2方向(格子状)のタグおよび3方向のタグの生成にも用いることができる。
2次元のタグを生成する場合、本撮像のパルスシーケンスを実行する前に、前述したように、高周波バーストパルス610を構成するサブパルス611の振幅を上記実施形態の非対称SINC関数640で変調するとともにディフェーズ傾斜磁場620をリードアウト方向に印加するタギングシーケンス210に続き、タギングシーケンス210のディフェーズ傾斜磁場620の印加方向のみ同位相エンコード方向に変更したタギングシーケンスを実行する。また、3次元のタグを生成する場合、さらに、続けて、タギングシーケンス210のディフェーズ傾斜磁場620の印加方向のみスライスエンコード方向に変更したタギングシーケンスを実行する。なお、これらのタギングシーケンスの実行順は問わない。
このとき、高周波バーストパルス印加中の縦緩和の影響を低減するためには、ディフェーズ傾斜磁場印加軸について、1軸目よりも2軸目、2軸目よりも3軸目の高周波バーストパルスの印加時間が短い方が望ましい。このため、図11において、例えば、2次元のタグを生成するパルスシーケンスでは、1軸目の高周波バーストパルスのサブパルスの振幅は対称SINC関数で変調し、2軸目のそれは上記実施形態の非対称SINC関数であって、メインローブの後のサイドローブを削除した非対称SINC関数で変調するよう構成してもよい。この場合のタギングシーケンスを図11(a)に示す。また、3次元のタグを生成するパルスシーケンスでは、1軸目の高周波バーストパルスのサブパルスの振幅は対称SINC関数で変調し、2軸目のそれは上記実施形態の非対称SINC関数であって、メインローブの後のサイドローブを削除した非対称SINC関数で変調し、3軸目のそれは同メインローブの前後の両サイドローブを削除した対称SINC関数で変調するよう構成してもよい。この場合のタギングシーケンスを図11(b)に示す。本例以外にも、高周波バーストパルスを構成するサブパルスの振幅変調において、非対称SINC関数と対称SINC関数とを任意の組み合わせで用いることができる。
以上説明したように、本実施形態では、高周波バーストパルスの印加時間を短縮することにより、タギングシーケンスにかかる時間を短縮する。従って、本撮像の開始時間を早めることができる。また、タギングシーケンス後の本撮像の時間に制約がある場合であっても、本撮像に十分な時間を得ることができる。例えば、心拍同期の心臓シネ撮像を行う場合、シネ撮像で取得する心時相数を増やすことができる。また、R波直後の収縮早期の画像を取得することができ、心時相間での歪みの変化をより正確に測定できる。
本発明の実施形態のMRI装置100の機器構成図である。 本発明の実施形態のパルスシーケンスである。 (a)は、1次元SPAMMをプリパルスに用いる場合のタギングシーケンスである。(b)は、1次元SPAMMによるMR画像上のタグの例を示す図である。 (a)は、2次元SPAMMをプリパルスに用いる場合のタギングシーケンスである。(b)は、2次元SPAMMによるMR画像上のタグの例を示す図である。 (a)は、BURSTをプリパルスに用いる場合のタギングシーケンスである。(b)は、BURSTによるMR画像上のタグの例を示す図である。 (a)および(b)は、本発明の実施形態のタギングシーケンスである。 (a)および(b)は、従来のBURSTによるプロファイル、(c)および(d)は、本発明の実施形態のタギングシーケンスによるプロファイルを説明するための図である。 (a)および(b)は、本発明の実施形態の他の例である、サブパルスの振幅を非対称ハミング窓を乗算した非対称SINC関数で変調する場合のタギングシーケンスである。 (a)および(b)は、本発明の実施形態の他の例であるタギングシーケンスによるプロファイルを説明するための図である。 (a)および(b)は、本発明の実施形態の他の例である、サブパルスの印加時間、印加間隔、ディフェーズ傾斜磁場の印加時間を調整し、タギングシーケンスを短縮する場合のパルスシーケンスである。 (a)は、本発明の実施形態を2次元のタグを生成するタギングシーケンスに適用した場合のシーケンス例であり、(b)は、3次元のタグを生成するタギングシーケンスに適用した場合のシーケンス例である。
符号の説明
11:撮像対象、12:静磁場発生装置、13:傾斜磁場コイル、14:RFコイル、15:RFプローブ、16:信号検出部、17:信号処理部、18:表示部、19:傾斜磁場電源、20:RF送信部、21:制御部、22:ベッド、100:MRI装置、200:R波形、210:タギングシーケンス、210’:タギングシーケンス、210’’:タギングシーケンス、210A:タギングシーケンス、210B:タギングシーケンス、210C:タギングシーケンス、220:シネ撮像シーケンス、311:RFパルス、312:RFパルス、321:ディフェーズ傾斜磁場、331:スポイラー傾斜磁場、510:高周波バーストパルス、511:サブパルス、511a:サブパルス、511b:サブパルス、511c:サブパルス、511d:サブパルス、511e:サブパルス、511f:サブパルス、511g:サブパルス、520:ディフェーズ傾斜磁場、520a:ディフェーズ傾斜磁場、520b:ディフェーズ傾斜磁場、520c:ディフェーズ傾斜磁場、520d:ディフェーズ傾斜磁場、520e:ディフェーズ傾斜磁場、520f:ディフェーズ傾斜磁場、530:スポイラー傾斜磁場、540:SINC関数、611:サブパルス、611a:サブパルス、611b:サブパルス、611c:サブパルス、611d:サブパルス、611e:サブパルス、611f:サブパルス、620:ディフェーズ傾斜磁場、620a:ディフェーズ傾斜磁場、620b:ディフェーズ傾斜磁場、620c:ディフェーズ傾斜磁場、620d:ディフェーズ傾斜磁場、630:スポイラー傾斜磁場、640:非対称SINC関数、740:非対称SINC関数、811:サブパルス、820:ディフェーズ傾斜磁場、830:スポイラー傾斜磁場、1011:サブパルス、1011a:サブパルス、1011b:サブパルス、1011c:サブパルス、1011d:サブパルス、1011e:サブパルス、1020:ディフェーズ傾斜磁場、1020a’:ディフェーズ傾斜磁場、1020c:ディフェーズ傾斜磁場、1020d:ディフェーズ傾斜磁場

Claims (11)

  1. 静磁場を発生する静磁場発生手段と、互いに直交する3方向の傾斜磁場を発生する傾斜磁場発生手段と、高周波磁場を発生する高周波磁場発生手段と、検査対象から発生する核磁気共鳴信号を検出する信号検出手段と、前記信号検出手段が検出した信号から画像を再構成する画像再構成手段と、前記傾斜磁場発生手段、前記高周波磁場発生手段および信号検出手段を所定のパルスシーケンスに従って動作させる制御手段と、を備える磁気共鳴イメージング装置であって、
    前記パルスシーケンスは、
    前記画像再構成手段が画像を再構成するための信号を取得する本撮像シーケンスと、
    前記本撮像シーケンスに用いられる信号に付加的効果を与えるプリパルスシーケンスと、を備え、
    前記プリパルスシーケンスは、
    時間軸上で等間隔に形成された複数のサブパルスからなる高周波バーストパルスを印加する高周波パルス印加部と、
    各サブパルス間に、前記3方向のうちの同一の1方向にディフェーズ傾斜磁場を印加する傾斜磁場印加部と、を備え、
    前記複数のサブパルスの振幅は、非対称SINC関数で変調され
    前記各サブパルスは、スライス選択用の傾斜磁場を同時に印加しないで印加されること
    を特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
  2. 請求項1記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
    前記非対称SINC関数は、SINC関数に非対称の窓関数を乗算して得ること
    を特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
  3. 請求項2記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
    前記窓関数は、−(n+1)π以上かつ(n+1−m)π以下(nは正の整数、mはn以下の正の整数)は1であり、それ以外は0である関数、および、−(n+1−m)π以上かつ(n+1)π以下は1であり、それ以外は0である関数のいずれかであること
    を特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
  4. 請求項2記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
    前記窓関数は、−2π以上π以下は1であり、それ以外は0である関数、および、−π以上2π以下は1であり、それ以外は0である関数のいずれかであること
    を特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
  5. 請求項2記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
    前記窓関数は、非対称なハミング窓関数であること
    を特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
  6. 請求項1から5いずれか1項記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
    記各サブパルスは、送信ゲインを最大にしたものであること
    を特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
  7. 請求項1から6いずれか1項記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
    前記ディフェーズ傾斜磁場は、印加強度を最大にしものであり、
    記各サブパルスの印加間隔は、前記ディフェーズ傾斜磁場の印加強度を最大にすることにより短縮された後の当該ディフェーズ傾斜磁場の印加時間であること
    を特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
  8. 請求項1から7いずれか1項記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
    幅が0変調された前記サブパルスの前後に印加する2つの前記ディフェーズ傾斜磁場、当該2つのディフェーズ傾斜磁場の合計の印加量を有する1のディフェーズ傾斜磁場に置換えられること
    を特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
  9. 請求項1から8いずれか1項記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
    前記検査対象の周期的な生体信号を検出し、同期信号を生成する生体信号検出手段をさらに備え
    前記プリパルスシーケンスは、前記同期信号に同期させて実行されること
    を特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
  10. 請求項9記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
    前記生体信号は、R波であり、
    前記R波と前記R波との間の心周期間に、前記プリパルスシーケンスと前記本撮像シーケンスとが実行されること
    を特徴とする磁気共鳴イメージング装置
  11. 請求項10記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
    1の前記心周期間に、1の前記プリパルスシーケンスと複数の前記本撮像シーケンスとが実行され、
    前記本撮像シーケンスは、シネ撮像シーケンスであること
    を特徴とする磁気共鳴イメージング装置
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