JP5523355B2 - キラルのα,β−エポキシケトンの製造方法 - Google Patents
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Description
R1は、分枝又は非分枝の、飽和又は不飽和の1〜30個の炭素原子を有する炭化水素基(前記基は、適当な置換基を有することができ、かつ1つ又はそれ以上のヘテロ原子を鎖中に有することができる)を表し、
R2は、水素、分枝又は非分枝の、飽和又は不飽和の1〜30個の炭素原子を有する炭化水素基(前記基は適当な置換基を有することができ、かつ1つ又はそれ以上のヘテロ原子を鎖中に有することができる)、アリール基又はヘテロアリール基(前記基は適当な置換基を有することができる)を表し、
R3は、水素、分枝又は非分枝の、飽和又は不飽和の1〜30個の炭素原子を有する炭化水素基(前記基は適当な置換基を有することができ、かつ1つ又はそれ以上のヘテロ原子を鎖中に有することができる)、アリール基又はヘテロアリール基(前記基は適当な置換基を有することができる)を表し、
R1、R2、R3は、同じ又は異なることができ、その際、基R1は、基R2及びR3と共に1つの環を形成することができ、この環は5〜20員の、飽和又は不飽和の、脂環式又はヘテロ脂環式であることができ、かつ適当な置換基を有することができる]の化合物を、一般式II
R1、R2、R3は上記の定義と同じである]のα,β−エポキシケトンを形成させながら酸化剤と反応させる、α,β−不飽和ケトンのエナンチオ選択的エポキシ化方法である。
NH2R4
[式中、
R4は、1〜30個の炭素原子を有する炭化水素基、例えば飽和又は不飽和の、分枝又は線状のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基(前記基は、適当な置換基、ヘテロ原子置換基を有することができる)、ヘテロ原子含有の炭化水素基(前記基は、適当な置換基を有することができる)]の構造を有する。
R6は、H、炭化水素基、例えば飽和又は不飽和の、分枝又は線状の、C1〜C20−アルキル基、C2〜C20−アルケニル基、C2〜C20−アルキニル基、アリール基(前記基は、適当な置換基、ヘテロ原子置換基を有することができる)、ヘテロ原子を含有する炭化水素基(前記基は、適当な置換基を有することができる)を表す]のキラル有機リン酸から選択される。
R7は、炭化水素基、例えば飽和又は不飽和の、分枝又は線状のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基(前記基は、適当な置換基、ヘテロ原子置換基を有することができる)、ヘテロ原子含有の炭化水素基(前記基は、適当な置換基を有することができる)を表し、
R8は、炭化水素基、例えば飽和又は不飽和の、分枝又は線状のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基(前記基は、適当な置換基、ヘテロ原子置換基を有することができる)、ヘテロ原子含有の炭化水素基(前記基は、適当な置換基を有することができる)を表し、
R7、R8は、同じ又は異なることができ、その際、基R7とR8とは1つの環を形成することができ、この環は4〜20員の、飽和又は不飽和の、脂環式又はヘテロ脂環式であることができ、かつ適当な置換基を有することができ、
R9は、H、基−OR10を表し、
前記式中、R10は、水素、1〜30個の炭素原子を有する炭化水素基、例えば飽和又は不飽和の、分枝又は線状のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基(前記基は、適当な置換基、ヘテロ原子置換基を有することができる)、ヘテロ原子含有の炭化水素基(前記基は、適当な置換基を有することができる)を表す]の化合物から選択されるアミンを用いて得られる。
Claims (13)
- α,β−不飽和ケトンのエナンチオ選択的エポキシ化方法において、
一般式I
[式中、
R1は、分枝又は非分枝の、飽和又は不飽和の1〜30個の炭素原子を有する炭化水素基(前記基は、適当な置換基を有することができ、かつ1つ又はそれ以上のヘテロ原子を鎖中に有することができる)を表し、
R2は、水素、分枝又は非分枝の、飽和又は不飽和の1〜30個の炭素原子を有する炭化水素基(前記基は適当な置換基を有することができ、かつ1つ又はそれ以上のヘテロ原子を鎖中に有することができる)、アリール基又はヘテロアリール基(前記基は適当な置換基を有することができる)を表し、
R3は、水素、分枝又は非分枝の、飽和又は不飽和の1〜30個の炭素原子を有する炭化水素基(前記基は適当な置換基を有することができ、かつ1つ又はそれ以上のヘテロ原子を鎖中に有することができる)、アリール基又はヘテロアリール基(前記基は適当な置換基を有することができる)を表し、
R1、R2、R3は、同じ又は異なることができ、その際、基R1は、基R2及びR3と共に1つの環を形成することができ、この環は5〜20員の、飽和又は不飽和の、脂環式又はヘテロ脂環式であることができ、かつ適当な置換基を有することができる]の化合物を、
一般式II
[式中、R1、R2、R3は上記の定義と同じである]のα,β−エポキシケトンを形成させながら酸化剤と反応させる、α,β−不飽和ケトンのエナンチオ選択的エポキシ化方法であって、
前記反応を、式V、VI及び/又はVII
[式中、
R 7 は、適当な置換基を有することができる、炭化水素基またはヘテロ原子含有の炭化水素基を表し、
R 8 は、適当な置換基を有することができる、炭化水素基またはヘテロ原子含有の炭化水素基を表し、
R 7 、R 8 は、同じ又は異なることができ、その際、基R 7 とR 8 とは1つの環を形成することができ、この環は4〜20員の、飽和又は不飽和の、脂環式又はヘテロ脂環式であることができ、かつ適当な置換基を有することができ、
R 9 は、H、基−OR 10 を表し、
前記式中、R 10 は、水素、適当な置換基を有することができる、1〜30個の炭素原子を有する炭化水素基、またはヘテロ原子含有の炭化水素基を表す]のアミン、及び前記式V、VI及び/又はVIIのアミンとアキラル酸又はキラル酸との付加塩から選択されたキラル触媒の存在で実施し、
前記アキラル酸又はキラル酸が、キラル有機リン酸、リンイミド、硫酸、スルホン酸、スルホニルイミド、カルボン酸、イミドから選択することを特徴とする、方法。 - 前記R 7 は、適当な置換基を有することができる、飽和若しくは不飽和の、分枝若しくは線状のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアリール基であることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 前記R 7 の定義において、前記置換基が、ヘテロ原子置換基であることを特徴とする、請求項2記載の方法。
- 前記R 8 は、適当な置換基を有することができる、飽和若しくは不飽和の、分枝若しくは線状のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアリール基であることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 前記R 8 の定義において、前記置換基が、ヘテロ原子置換基であることを特徴とする、請求項4記載の方法。
- 前記R 10 は、適当な置換基を有することができる、飽和又は不飽和の、分枝若しくは線状のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアリール基である1〜30個の炭素原子を有する炭化水素基であることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 前記R 10 の定義において、前記置換基が、ヘテロ原子置換基であることを特徴とする、請求項6記載の方法。
- 前記酸化剤を、過酸化水素、過酸化水素調製物、アルキルペルオキシド、アルキルペルオキシド調製物、次亜塩素酸ナトリウム、過酸、ヨードソ化合物及びホウ酸塩から選択することを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 酸化剤として過酸化水素水を使用することを特徴とする、請求項8記載の方法。
- 前記キラル酸をビナフトールから誘導することを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項記載の方法。
- 前記R 6 は、適当な置換基を有することができる、飽和若しくは不飽和の、分枝若しくは線状のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアリール基であることを特徴とする、請求項11記載の方法。
- 前記R 6 の定義において、前記置換基が、ヘテロ原子置換基であることを特徴とする、請求項12記載の方法。
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