JP5537096B2

JP5537096B2 - 弾性波装置および回路基板

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Description

本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：ｓｕｒｆａｃｅａｃｏｕｓｔｉｃｗａｖｅ）装置や圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：ＦｉｌｍＢｕｌｋＡｃｏｕｓｔｉｃＲｅｓｏｎａｔｏｒ）等の弾性波装置に関する。

小型化等を目的とした、いわゆるウェハレベルパッケージの弾性波装置が知られている。この弾性波装置では、素子基板の主面上に配置された励振電極が、振動空間内に収容されている。振動空間は保護カバーに設けた中空部によって形成されている。また、励振電極に接続される柱状の端子が素子基板の主面に設けた電極パッド上に立設される。柱状の端子は、先端側部分（素子基板の主面とは反対側の部分）が保護カバーから露出しており、この露出部分が回路基板に半田付けされて弾性波装置が回路基板に実装されることとなる（例えば、特許文献１参照）。

特開２００７−２０８６６５号公報

ところで上述した構造からなる弾性波装置では、基板と保護カバーとの線膨張係数の違い等に起因して基板と保護カバーの間に剥離が生じることがある。このように基板と保護カバーの間に剥離が生じると、そこを起点として剥離が振動空間まで到達しやすくなる。剥離が振動空間まで到達すると、振動空間の気密性が悪化し、励振電極が腐食等する結果、弾性波装置の信頼性の低下を招くこととなる。

本発明は、上記問題に対応すべく発明されたものであり、基板と保護カバーとの間に剥離が生じにくく、信頼性に優れた弾性波装置を提供するものである。

本発明の弾性波装置は、弾性波を伝搬させる基板と、前記基板の主面上に配置された励振電極と、前記基板の主面上に立設され、前記励振電極と電気的に接続される複数個の第１の柱状導体と、前記基板の主面上に立設され、電気的に浮き状態とされている第２の柱状導体と、前記励振電極の振動空間を構成するとともに、前記第１の柱状導体の側面および前記第２の柱状導体の側面を覆う保護カバーと、を有するものである。

本発明によれば、基板と保護カバーとの剥離が起きにくくなり、振動空間の気密性を良好な状態に保持して信頼性の高い弾性波装置を提供することができる。

（ａ）は本発明の実施形態に係る弾性表面波装置を示す平面図であり、（ｂ）は図１（ａ）に示す弾性表面波装置の保護カバーを外した状態の平面図である。（ａ）は図１（ａ）のIａ−Iａ線における断面図、（ｂ）は図１（ａ）のIｂ−Iｂ線における断面図である。本発明の実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための断面図である。本発明の実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための断面図である。本発明の実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための断面図である。本発明の実施形態に係る弾性表面波装置の変形例を示す断面図である。図６に示した弾性表面波装置の製造方法を説明するための断面図である。

図１（ａ）は、本発明の実施形態に係る弾性表面波装置１を示す平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す弾性表面波装置１の保護カバーを外した状態の平面図である。また、図２（ａ）は、図１（ａ）のIａ−Iａ線における断面図であり、図２（ｂ）は、図１（ａ）のIｂ−Iｂ線における断面図である。なお、図１、図２は、弾性表面波装置１の理解を容易にするために弾性表面波装置１を模式的に示したものであり、実施にあたっては、弾性表面波装置１の各部の大きさ、数、形状等は適宜に設定されてよい。

弾性表面波装置１は、圧電基板３、圧電基板３上に配置された弾性表面波素子５、弾性表面波素子５を保護するための保護層７及び保護カバー９、電極パッド１３ａ〜１３ｋ（以下、なお、電極パッド１３ａ〜１３ｋをまとめて電極パッド１３と称することがある。）、第１の柱状導体１５、および第２の柱状導体１６を有している。図１（ｂ）では、絶縁膜１８の下に位置している第１の柱状導体１５および第２の柱状導体１６を点線で示している。

圧電基板３は、例えばタンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する直方体状の単結晶基板である。圧電基板３は、第１主面３ａと、その背面側の第２主面３ｂとを有している。なお、図１、図２では、第１主面３ａにのみ電極等が配置されている場合を例示しているが、第２主面３ｂにも電極等が配置されてよい。

弾性表面波素子５は、圧電基板３の第１主面３ａに形成された励振電極として複数対の櫛歯状電極（ＩＤＴ電極）６を有している。櫛歯状電極６は、圧電基板３における弾性表面波の伝搬方向（図１の紙面上下方向）と直交する方向に伸びる複数の電極指を有している。一対の櫛歯状電極６は、それぞれの電極指が互いに噛み合うように形成されている。

なお、図１は模式図であり、実際には図示したよりも多数の電極指を有する櫛歯状電極が複数対設けられている。また、複数の弾性表面波素子５が直列接続や並列接続等の方式で接続され、ラダー型弾性表面波フィルタや２重モード型弾性表面波フィルタ等が構成されてもよい。弾性表面波素子５の両端には、櫛歯状電極を有する反射器（弾性表面波素子５の一部と捉えられてもよい。）が設けられている。弾性表面波素子５は、例えばＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成される。

保護層７は、図２に示すように接続用導体１１、弾性表面波素子５などを覆っており、弾性表面波素子５の酸化防止等に寄与する。保護層７は、例えば、絶縁性を有するとともに、弾性表面波の伝搬に影響を与えない程度に質量の軽い材料により形成され、酸化珪素、窒化珪素、シリコンなどからなる。

保護カバー９は、弾性表面波素子５を保護層７の上から覆っている。この保護カバー９は、弾性表面波素子５上に、弾性表面波を伝播しやすくするための振動空間１７を構成するものである。換言すれば、保護カバー９は、振動空間１７の内壁１９ａを構成する壁部１９と、振動空間１７の天井２１ａを構成する蓋部２１とを有している。

壁部１９を構成する層の厚さや蓋部２１の厚さは、適宜に設定されてよい。例えば、当該厚さは、数μｍ〜３０μｍである。壁部１９及び蓋部２１は、概ね同等の厚さに形成されている。

壁部１９と蓋部２１とは、異なる材料によって形成することもできるが、壁部１９と蓋部２１との接着強度を高めるために同一材料で形成することが好ましい。壁部１９及び蓋部２１は、例えば、紫外線や可視光線等の光が照射されることによって硬化する光硬化性材料、例えば、ネガ型のフォトレジストにより形成されている。光硬化性材料は、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合により硬化する樹脂を用いることができ、より具体的には、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂を用いることができる。

振動空間１７は、図２（ａ）に示すように、断面が概ね矩形状に形成され、蓋部２１側の角部が丸みを帯びるように形成されている。換言すれば、振動空間１７を構成する内壁１９ａ及び天井２１ａは、アーチ状に形成されている。これにより蓋部２１が撓むのを抑制することができる。その結果、例えば、振動空間１７の高さを小さくして弾性波表面波装置１の小型化を図ることができる。振動空間１７の平面形状（第１主面３ａの平面視における形状）は、適宜に設定されてよい。図１（ｂ）に振動空間１７の外周に相当する内壁１９ａを破線で示す。

接続用導体１１は、弾性表面波素子５と所定の電極パッドとを接続するためのものである。接続用導体１１は、例えば、弾性表面波素子５と同様に、圧電基板３の第１主面３ａ上に形成されている。接続用導体１１は、図１（ｂ）に示すように第１主面３ａ上において適宜なパターンで形成され、弾性表面波素子５に接続されている。また、図１（ｂ）において複数の電極パッド１３のうち、上辺側の中央に位置する電極パッド１３ｃに接続されている接続用導体１１は、他の接続用導体１１と絶縁部材８を介して交差している。このように絶縁部材８を用いて接続用導体１１同士を立体的に交差させることによって電極パッドの配置場所の自由度が向上し、弾性波装置の小型化に寄与することができる。絶縁部材８は例えばポリイミド樹脂などからなる。

電極パッド１３は複数設けられており、図１（ｂ）において、上辺側中央、下辺側中央、および左下に配された３個の電極パッド１３ｃ、１３ｉ、１３ｊはグランド用の電極パッドであり、左上および右上に配された電極パッド１３ａ、１３ｅは、入出力信号用の電極パッドである。それ以外の電極パッド１３ｂ、１３ｄ、１３ｆ、１３ｈ、１３ｋは、電気的に浮き状態となっている。

これらの電極パッド１３、接続用導体１１、および弾性表面波素子５は、例えば、同一の材料を用いて同一工程により作製することができ、それらの厚みは、例えば、０．１μｍ〜１．０μｍである。

第１の柱状導体１５は、弾性表面波素子５と電気的に接続されている電極パッド１３ａ、１３ｃ、１３ｅ、１３ｇ、１３ｉ、１３ｊ上に設けられている。すなわち第１の柱状導体１５は、電極パッド及び接続用導体１１を介して弾性表面波素子５に電気的に接続されており、弾性表面波素子５を外部の電気回路またはグランドに接続するための端子として機能するものである。

また第２の柱状導体１６は、弾性表面波素子５と電気的に接続されていない電極パッド１３ｂ、１３ｄ、１３ｆ、１３ｈ、１３ｋ上に設けられている。すなわち第２の柱状導体１６は、弾性表面波素子５とは電気的に接続されていない。このように通常形成される第１の柱状導体１５に加えて第２の柱状導体１６を設けることによって保護カバー９が圧電基板３から剥離するのを抑制することができる。これは圧電基板３と保護カバー９との線膨脹係数の差などに起因して発生する保護カバー９の収縮応力が、第１の柱状導体１５および第２の柱状導体１６に伝わることで歪み緩和が生じ、その結果、剥離しようとする力が小さく抑えられるためと考えられる。特に隣接する第１の柱状導体１５の間のスペースにおいて保護カバー９の剥離が生じやすいため、隣接する第１の柱状導体１５の間に第２の柱状導体１６を設けておけば剥離防止の効果をより高めることができる。また第２の柱状導体１６を保護カバー９の各辺それぞれに対応させて設けておけば、各辺において剥離を抑制できるため、振動空間１７の気密性をより長期にわたって良好な状態に保持することができる。なお、第２の柱状導体１６の配置場所はこれに限られない。例えば、図１（ｂ）において、保護カバー９の右側の振動空間１７と左側の振動空間１７を仕切っている部分にも第２の柱状導体１６を設けるようにすれば、保護カバー９の剥がれをよりいっそう抑制することができる。

電極パッド１３と第１の柱状導体１５との間および電極パッド１３と第２の柱状導体１６との間には、それぞれ電極パッド１３と端子との接続を強化するために、クロム、ニッケル、金からなる接続強化層を介在させてもよい。また、第１の柱状導体１５および第２の柱状導体１６は、柱状に形成されており、第１主面３ａに対して立設されている。第１の柱状導体１５の先端側部分は、不図示の回路基板等に接続可能とするために保護カバー９から露出している。一方、第２の柱状導体１６の先端部分は、図２（ｂ）に示すように絶縁膜１８により覆われている。このように第２の柱状導体１６の先端部分を絶縁膜１８で覆うことによって、弾性表面波装置１を回路基板へ実装した際などに第１の柱状導体１５と第２の柱状導体１６とが実装用の半田などで短絡するのを防止することができる。絶縁膜１８は、例えば、フェノール系、フッ素系の感光性樹脂からなる。なお、絶縁膜１８を設けずに第２の柱状導体１６の先端部が蓋部２１内に位置するように、すなわち第２の柱状導体１６が保護カバー９の内部に埋設されるようにしてもよい。この場合も第１の柱状導体１５と柱状導体８との短絡を防止することができる。

第１の柱状導体１５および第２の柱状導体１６は、例えば、はんだ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉにより形成されている。第１、第２の柱状導体１５，１６は、同一の金属材料により形成することが好ましい。両端子を同一の金属材料により形成することによって同一工程で作製することができ生産効率が良い。第１の柱状導体１５および第２の柱状導体１６は例えば概ね円柱状であるが、形状はそれに限らず四角柱などでもよい。

第１の柱状導体１５は、断面視における形状が、例えば、第１主面３ａ側が第１主面３ａとは反対側よりも拡径するテーパ状となっている。より詳細には、壁部１９側の第１のテーパ部と蓋部２１側の第２のテーパ部との２段テーパ構造となっており、第１のテーパ部の第２のテーパ部側の径は、第２のテーパ部の第１のテーパ部側の径より小さい。弾性波装置を回路基板に実装した後などに端子とて機能する第１の柱状導体１５に対し、引き抜かれる方向の力が働くことがあるが、第１の柱状導体１５を本実施形態のように２段テーパ構造としておくことで、そのような引き抜きの発生を抑えることができる。なお本実施形態では、第２の柱状導体１６も第１の柱状導体１５と同様に、第１主面３ａ側が第１主面３ａとは反対側よりも拡径するテーパ状に形成されている。

本実施形態では、第１の柱状導体１５および柱状導体１５はメッキ法により２段階にわけて形成されており、第１の柱状導体１５および第２の柱状導体１６の厚み方向の途中には２段階目のメッキを施す際の下地用メッキ６５が形成されている。

また第１の柱状導体１５の先端部にはランド２７が設けられている。ランド２７は、例えば、第１の柱状導体１５の第１主面３ａとは反対側の端面よりも面積が広く形成されており、外周部は保護カバー９上に積層されている。

図３〜図５は、弾性表面波装置１の製造方法の一例を説明する断面図であり、図１（ａ）のIｂ−Iｂ線における断面に相当する部分を示している。

弾性表面波装置１の第１の製造方法は、概観すると、弾性表面波素子５の形成工程と、保護カバー９の形成工程と、第１の柱状導体１５および第２の柱状導体１６の形成工程とを含んでいる。具体的には、以下のとおりである。

図３（ａ）に示すように、まず、圧電基板３の第１主面３ａ上には、接続用導体１１、電極パッド１３、および弾性表面波素子５（図には現れていない）が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の薄膜形成法により、圧電基板３の第１主面３ａ上に金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ）装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によりパターニングが行われる。これにより、接続用導体１１、電極パッド１３、および弾性表面波素子５が形成される。

次に、図３（ｂ）に示すように保護層７を形成する。まず、保護層７となる薄膜が、弾性表面波素子５、接続用導体１１および電極パッド１３の上を覆うように、ＣＶＤ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成される。次に、電極パッド１３が露出するように、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去される。これにより、保護層７が形成される。なお、保護層７を形成した後、また形成する前に、蒸着法等により電極パッド１３の上にクロム、ニッケル、金を順に積層することにより接続強化層１４が形成されている。

次に、図３（ｃ）〜図３（ｄ）に示すように、壁部１９を形成する。具体的には、まず、図３（ｃ）に示すように、保護層７上に、壁部１９となる壁部構成層３１が形成される。壁部構成層３１は、例えば、ネガ型のフォトレジストにより形成されたフィルムが貼り付けられることにより形成される。

次に、図３（ｄ）に示すように、フォトマスク３３を介して紫外線等の光Ｌが壁部構成層３１に照射されることにより露光処理が行われる。フォトマスク３３は、例えば、透明基板３５上に遮光層３７が形成されることにより構成されている。遮光層３７は、壁部構成層３１を除去すべき位置に対応する位置に配されている。具体的には、振動空間１７の形成位置、第１の柱状導体１５、および第２の柱状導体１６の形成位置に対応する場所に配されている。なお、露光は、投影露光であってもよいし、プロキシミティ露光であってもよいし、密着露光であってもよい。

その後、図４（ａ）に示すように、現像処理を行い、壁部構成層３１のうち、光が照射された部分を残し、光が照射されなかった部分を除去する。これにより、壁部構成層３１には、振動空間１７となる開口部（図示せず）と、第１の柱状導体１５が配置される第１孔部４１と、第２の柱状導体１６が配置される第２孔部４２とが形成され、壁部１９が完成する。

ここで、壁部構成層３１の光が照射される領域の縁部においては、照射された光が、壁部構成層３１の光が照射されない領域へ発散されてしまうことから、第１主面３ａ側まで十分に光が到達しない。従って、壁部構成層３１の光が照射される領域の縁部は、第１主面３ａ側が十分に硬化されずに、除去される。その結果、第１孔部４１および第２孔部４２は、第１主面３ａ側ほど拡径するテーパ状（順テーパ状）に形成される。

次に蓋部２１を形成する。具体的には、まず、図４（ｂ）に示すように、壁部１９上に蓋部２１を構成する蓋部構成層４３が形成される。蓋部構成層４３は、例えば、ネガ型のフォトレジストにより形成されたフィルムが貼り付けられることにより形成される。蓋部構成層４３が形成されることにより、壁部１９の開口部が塞がれて、振動空間１７が形成される。壁部構成層３１と蓋部構成層４３とは加熱されることによって接合される。

次に、図４（ｃ）に示すように、フォトマスク４５を介して紫外線等の光Ｌが蓋部構成層４３に照射されることにより露光処理が行われる。フォトマスク４５は、フォトマスク３３と同様に、透明基板４７上に遮光層４９が形成されることにより構成されている。遮光層４９は、蓋部構成層４３を除去すべき位置に対応する位置に配されている。すなわち、第１の柱状導体１５および第２の柱状導体１６の形成位置に対応する場所に配されている。なお、露光は、投影露光であってもよいし、プロキシミティ露光であってもよいし、密着露光であってもよい。

その後、図４（ｄ）に示すように、現像処理を行い、蓋部構成層４３のうち、光が照射された部分を残し、光が照射されなかった部分を除去する。これにより、第１孔部４１の上には、第３孔部５１が形成され、第１孔部４１と第３孔部５１とからなる第１の柱状導体形成用孔部６１が形成される。また、第２孔部４２の上には第４孔部５２が形成され、第２孔部４２と第４孔部５２とからなる第２の柱状導体形成用孔部６２が形成される。このようにして蓋部２１が完成する。蓋部２１が形成されることにより、壁部１９と蓋部２１とからなる保護カバー９が完成する。

保護カバー９が形成されると、図５に示すように、第１の柱状導体１５および第２の柱状導体１６が形成される。具体的には、まず、図５（ａ）に示すように、メッキ用下地層５５及びメッキ用レジスト層５７が形成される。

メッキ用下地層５５は、保護カバー９を覆うように形成される。また、メッキ用下地層５５は、第１の柱状導体形成用孔部６１の底面、第２の柱状導体形成用孔部６２の底面、及び、その内周面にも形成される。メッキ用下地層５５は、例えばフラッシュメッキ法により、Ｔｉ−Ｃｕ合金等で形成するのが好適な一例である。

メッキ用レジスト層５７は、メッキ用下地層５５上に形成される。メッキ用レジスト層５７は、例えば、スピンコート等の手法で基板に形成される。

次に、図５（ｂ）に示すように、露出するメッキ用下地層５５に対してメッキ法を施す。これにより、第１、第２の柱状導体形成用孔部６１，６２に金属が充填されることになる。そして、第１の柱状導体形成用孔部６１および第２の柱状導体形成用孔部６２に金属が充填されることにより第１の柱状導体１５および第２の柱状導体１６が完成する。

次にメッキ用レジスト層５７を除去した後、図５（ｃ）に示すように、第１の柱状導体１５の先端部が露出するようにランド用孔部６９が形成されたメッキ用レジスト層６７を形成する。このとき第２の柱状導体１６の先端部は、メッキ用レジスト層６７で覆われている。その状態でランド用孔部６９の底面にメッキ用下地層６５を形成し、続いてランド用孔部６９にメッキにより金属を充填することによりランド２７が形成される。なお、ランド用孔部６９においては、メッキ用レジスト層６７の表面まで金属が充填される必要はなく、ランド用孔部６９の適宜な深さまで金属が充填されればよい。メッキ法は、適宜に選択されてよいが、電気メッキ法が好適である。

その後、メッキ用レジスト層６７を除去する。最後にフェノール系樹脂、フッ素系樹脂などの感光性樹脂をスクリーン印刷やスピンコート法により保護カバー上に塗布し、塗布された樹脂膜をランド２７が露出するようにフォトリソグラフィなどによりパターニングすることによって、図１、図２に示した弾性表面波装置１が完成する。

なお上述したメッキ用レジスト層５７、６７は、例えば、アセトンやＩＰＡ等の有機溶剤やジメチルスルフォキシド等のアルカリ性有機溶剤により除去が可能である。またメッキ用下地層としてＣｕを用いた場合、メッキ用下地層は、例えば、塩化第２鉄や燐酸と過酸化水素水の混合液により除去が可能である。また、メッキ用下地層としてＴｉを用いた場合は、例えば、希フッ酸やアンモニアと過酸化水素水の混合液で除去が可能である。

（変形例）
図６は、上述した弾性表面波装置１の変形例としての弾性表面波装置２の断面図であり、図２（ｂ）と同じ部分の断面に相当する。弾性表面波装置１では、第２の柱状導体１６の先端部を絶縁膜１８で覆っていたのに対し、図６に示す弾性表面波装置２では第２の柱状導体１６の先端部をそのまま露出させている。このように第２の柱状導体１６の先端部を露出させておけば、弾性表面波装置２を回路基板などに実装する際に第２の柱状導体１６もダミーの端子として利用することができる。例えば回路基板のグランドパッドと第２の柱状導体１６とを半田などで接合するようにすれば、弾性表面波装置２の回路基板への接続強度を強固にすることができる。

また弾性表面波装置２の場合、製造プロセスを簡略化することもできる。図７は、弾性表面波装置２の製造プロセスの一例を示す断面図である。図７は、図５（ａ）に相当する段階のものである。図５（ａ）に示した状態と異なる点は、この段階でメッキ用レジスト層５７にランド用孔部６９を設けていることである。この状態で第１の柱状導体形成用孔部６１、第２の柱状導体形成用孔部６２、ランド用孔部６９にメッキ処理を施すことにより、第１の柱状導体１５とランド２７とを連続的に形成することができる。すなわち、図５（ｃ）、図５（ｄ）で示したように、第１の柱状導体１５を形成した後に別途ランド２７を形成するためのプロセスを省略することができるため、製造プロセスが簡略化され生産効率がよい。

本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。

弾性波装置は、弾性表面波装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよい。また弾性波装置において、保護層（７）や接続強化層（１３）は省略されてもよいし、逆に、他の適宜な層が形成されてもよい。また第１の柱状導体１５は、テーパ状のものに限定されず柱状のものであれば任意の形状が可能である。

１・・・弾性表面波装置（弾性波装置）
３・・・圧電基板（基板）
３ａ・・・第１主面（主面）
６・・・櫛歯状電極（励振電極）
７・・・保護層
８・・・絶縁部材
９・・・保護カバー
１１・・・接続用導体
１５・・・第１の柱状導体
１６・・・第２の柱状導体
１７・・・振動空間
１８・・・絶縁膜

Claims

弾性波を伝搬させる基板と、
前記基板の主面上に配置された励振電極と、
前記基板の主面上に立設され、前記励振電極と電気的に接続される複数個の第１の柱状導体と、
前記基板の主面上に立設され、電気的に浮き状態とされている第２の柱状導体と、
前記励振電極の振動空間を構成するとともに、前記第１の柱状導体の側面および前記第２の柱状導体の側面を覆う保護カバーと、を有し、
前記第２の柱状導体は、前記主面とは反対側の先端部が、厚み方向において前記振動空間よりも前記保護カバーの上面側に位置する弾性波装置。
前記第２の柱状導体は、前記主面側が前記主面とは反対側よりも拡径するテーパ部を有する請求項１に記載の弾性波装置。
弾性波を伝搬させる基板と、
前記基板の主面上に配置された励振電極と、
前記基板の主面上に立設され、前記励振電極と電気的に接続される複数個の第１の柱状導体と、
前記基板の主面上に立設され、電気的に浮き状態とされている第２の柱状導体と、
前記励振電極の振動空間を構成するとともに、前記第１の柱状導体の側面および前記第２の柱状導体の側面を覆う保護カバーと、を有し、
前記第２の柱状導体は、前記主面側が前記主面とは反対側よりも拡径するテーパ部を有する弾性波装置。
前記テーパ部は、前記主面側に拡径する第１のテーパ部と、前記第１のテーパ部を基準として前記主面とは反対側に位置し、前記主面側に拡径する第２のテーパ部を有する請求項２または３に記載の弾性波装置。
前記保護カバーは平面形状が矩形であり、前記第２の柱状導体は前記保護カバーの各辺のそれぞれに対応して設けられている請求項１〜４のいずれかに記載の弾性波装置。
前記第２の柱状導体は、前記主面とは反対側の先端部分が絶縁材料により覆われている請求項１〜５のいずれかに記載の弾性波装置。
弾性波を伝搬させる基板と、
前記基板の主面上に配置された励振電極と、
前記基板の主面上に立設され、前記励振電極と電気的に接続される複数個の第１の柱状導体と、
前記基板の主面上に立設され、電気的に浮き状態とされている第２の柱状導体と、
前記励振電極の振動空間を構成するとともに、前記第１の柱状導体の側面および前記第２の柱状導体の側面を覆う保護カバーと、を有し、
前記第２の柱状導体は、前記主面とは反対側の先端部分が絶縁材料により覆われている弾性波装置。
弾性波を伝搬させる基板と、
前記基板の主面上に配置された励振電極と、
前記基板の主面上に立設され、前記励振電極と電気的に接続される複数個の第１の柱状導体と、
前記基板の主面上に立設され、電気的に浮き状態とされている第２の柱状導体と、
前記励振電極の振動空間を構成するとともに、前記第１の柱状導体の側面および前記第２の柱状導体の側面を覆う保護カバーと、を有し、
前記保護カバーは平面形状が矩形であり、前記第２の柱状導体は前記保護カバーの各辺のそれぞれに対応して設けられている弾性波装置。
前記第２の柱状導体は、前記主面側が前記主面とは反対側よりも拡径するテーパ部を有する請求項７または８に記載の弾性波装置。
前記第２の柱状導体は、隣接する前記第１の柱状導体の間に配置されている請求項１〜９のいずれかに記載の弾性波装置。
前記第１の柱状導体と前記第２の柱状導体とが同一の金属材料からなる請求項１〜１０のいずれかに記載の弾性波装置。
前記第１の柱状導体は、前記主面側が前記主面とは反対側よりも拡径するテーパ部を有する請求項１〜１１のいずれかに記載の弾性波装置。
前記基板が圧電基板であり、前記励振電極が、前記圧電基板を伝搬する弾性表面波の伝搬方向と直交する方向に伸びる複数の電極指を含む櫛歯状電極である請求項１〜１２のいずれかに記載の弾性波装置。
請求項１〜１３のいずれかに記載の弾性波装置と、
前記弾性波装置が実装された第２の基板と、を有する回路基板。
前記第２の基板は、パッドを有しており、
前記弾性波装置は、前記第２の柱状導体が前記パッドに接合されている請求項１、３または８を引用する請求項１４に記載の回路基板。