JP5538452B2 - コリメータレンズ、光走査装置及びこれを用いた画像形成装置 - Google Patents
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Description
WF1<WF2
の関係を有する。
WF1<WF2
の関係を有する。
f(λ(T1),T1)<f(λ(T2),T2)、且つ
Si(T1)>Si(T2)
の関係を満足させることが望ましい。
続いて、第1実施形態に係る光走査装置104の詳細構造について説明する。図2は、光走査装置104の内部構造を示す斜視図、図3は、光走査装置104の主走査断面の構成を示す光路図である。光走査装置104は、ハウジング104Hと、このハウジング104H内に収容されたレーザーユニット20(光源)、コリメータレンズ23、シリンドリカルレンズ24、ポリゴンミラー26(偏向体)、及びfθレンズ28(走査レンズ)とを含む。図2に付記している方向表示において、左右方向が主走査方向である。本実施形態の光走査装置104は、走査レンズが1枚のレンズ(fθレンズ28)のみで構成される光走査装置である。
(A)第1面231及び第2面232の少なくとも一方に、光学特性の温度補償のための回折構造を備える。
(B)上記回折構造によって、0℃〜60℃の温度範囲おいて、且つ前記温度範囲内で変化する半導体レーザー22の発光波長の範囲において、第2面232に発散光を入射した場合に当該コリメータレンズ23が作る像の波面収差が、第2面232に平行光を入射した場合の波面収差よりも小さくなる。
(C)半導体レーザー22の発光波長λと温度Tの関数で表されるコリメータレンズの焦点距離が、環境温度が高くなると長くなる一方で、第2面232から結像点(感光体ドラム103の周面103S)までの距離Siは、環境温度が高くなると短くなる。
WF1<WF2 ・・・(3)
の関係を成立させる機能を有する。
f(λ(T1),T1)<f(λ(T2),T2) ・・・(4)
Si(T1)>Si(T2) ・・・(5)
次に、上記で説明した第1実施形態に係るコリメータレンズ23を実現するコンストラクションデータの一例を、実施例1として表1に示す。この実施例1のコリメータレンズ23は、ポリゴンミラー26側に凸のメニスカス形状を備え、第1面231及び第2面232の双方が非球面であり、第2面232に回折構造が設けられている。表中、Cは非球面係数、Dは回折係数を示す。実施例1の光学系は、表1に示すコリメータレンズ23及びカバーガラス20Gからなる、図4及び図5に示す如き光学系である。
続いて、第2実施形態に係る光走査装置について説明する。第2実施形態の光走査装置の内部構造及び光学配置は、第1実施形態において説明した光走査装置104と同じである。この第2実施形態では、光走査装置104のハウジング104Hの熱膨張による各光学部材間の配置間隔に変化が生じても、結像位置のズレが生じないようにすることができる実施形態を説明する。
次に、上記で説明した第2実施形態に係る光学系を実現するコンストラクションデータの一例を、実施例2として表5に示す。表5では、fθレンズ28(走査レンズ)のコンストラクションデータのみを示している。コリメータレンズ23は、実施例1と同じものを用いた(コンストラクションデータは表1参照)。表6に、シリンドリカルレンズ24及びfθレンズ28の屈折率の温度特性を示す。また、表7に、実施例2の光学系における各面間の温度特性を示す。なお、コリメータレンズ23及びカバーガラス20Gの屈折率の温度特性は表3と同じであり、また、表7に表示されていない面間の温度特性は表4の通りである。
103 感光体ドラム(像担持体)
103s 周面(被走査面)
104 光走査装置
104H ハウジング
20 レーザーユニット(光源)
22 半導体レーザー
23 コリメータレンズ
24 シリンドリカルレンズ
26 ポリゴンミラー(偏向体)
28 fθレンズ(走査レンズ)
281 第1面
282 第2面
Claims (7)
- 788nmの発光波長帯を持ち、60℃における発光波長が20℃における発光波長よりも10nm程度長くなる半導体レーザーからなる光源から発せられる発散光の光線を収束光に変換するコリメータレンズであって、
光路上で前記光源と対向し前記光線が入射する第1面と、
前記第1面と対向する面であって前記光線が出射する第2面と、
前記第1面又は前記第2面の少なくとも1面に形成される回折構造と、を備え、
温度が20℃の場合及び60℃の場合において、
前記第2面より距離S1の位置P1から発せられた発散光が前記第2面に入射し、前記第1面より距離S2の位置P2で結像するとした場合に、0<S1/S2≦50の範囲で、位置P1から発せられた前記発散光が位置P2に作る像の波面収差の最小値をWF1とし、
S1=∞となる平行光が前記第2面に入射されたときに位置P2に作る像の波面収差の最小値をWF2とした場合に、
WF1<WF2
の関係を有するコリメータレンズ。 - 光線を発する光源と、
前記光源から発せられる光線を収束光に変換するコリメータレンズと、
前記光源から発せられる光線を反射する反射面を備え、前記光線を偏向走査させる偏向体と、
前記収束光を線状光に変換して前記偏向体の反射面に結像させるシリンドリカルレンズと、
前記偏向体によって前記偏向走査された前記光線を被走査面上に結像させる走査レンズと、を備え、
前記光源は、発散光を発し、788nmの発光波長帯を持ち、60℃における発光波長が20℃における発光波長よりも10nm程度長くなる半導体レーザーからなる光源であり、
前記コリメータレンズは、
光路上で前記光源と対向する第1面と前記偏光体と対向する第2面とを有し、前記第1面又は前記第2面の少なくとも一方の面に回折構造を備え、
温度が20℃の場合及び60℃の場合において、
当該コリメータレンズ単体で、前記第2面より距離S1の位置P1から発せられた発散光が前記第2面に入射し、前記第1面より距離S2の位置P2で結像するとした場合に、0<S1/S2≦50の範囲で、位置P1から発せられた前記発散光が位置P2に作る像の波面収差の最小値をWF1とし、
S1=∞となる平行光が前記第2面に入射されたときに位置P2に作る像の波面収差の最小値をWF2とした場合に、
WF1<WF2
の関係を有する光走査装置。 - 請求項2に記載の光走査装置において、
前記光源、前記コリメータレンズ、前記シリンドリカルレンズ、前記偏向体及び前記走査レンズを支持し、熱膨張性の樹脂で成形されたハウジングをさらに備え、
温度Tにおける、前記光源の発光波長をλ(T)、前記光源の発光面と前記第1面との距離をSo(T)、前記光源から発せられた光線が前記コリメータレンズを介して結像する点と前記第2面との距離をSi(T)、波長λ(T)における前記コリメータレンズの焦点距離をf(λ(T),T)として、各々温度の関数として扱う場合に、
第1の温度をT1、この第1の温度よりも所定温度だけ高い第2の温度をT2とするとき、
前記回折構造は、温度が20℃の場合及び60℃の場合において、
f(λ(T1),T1)<f(λ(T2),T2)、且つ
Si(T1)>Si(T2)
の関係を満足させる、光走査装置。 - 請求項2又は3に記載の光走査装置において、
前記コリメータレンズの前記第1面は、負の光学的パワーを備える、光走査装置。 - 請求項2〜4のいずれか1項に記載の光走査装置において、
温度Tにおける、前記光源の発光波長をλ(T)として温度の関数と扱う場合に、
前記被走査面の主走査方向の中心に向かう光路において、
温度T且つ発光波長λ(T)における、前記走査レンズの前記被走査面の側の共役な点PTと、前記コリメータレンズ単体によって作られる前記収束光が前記被走査面の側において収束する収束点QTとが、温度が20℃の場合及び60℃の場合において同一位置である、光走査装置。 - 請求項2〜5のいずれか1項に記載の光走査装置において、
前記走査レンズが、1枚の走査レンズからなる光走査装置。 - 静電潜像を担持する像担持体と、
前記像担持体の周面を前記被走査面として光線を照射する、請求項2〜6のいずれか1項に記載の光走査装置と、
を備える画像形成装置。
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