JP5565372B2 - 電子装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、回路基板の一面上に形成されたワイヤをワイヤボンディングにより形成してなる構造体を、トランスファーモールド法により成形された矩形板状のモールド樹脂で封止してなる電子装置の製造方法に関する。

従来より、この種の一般的な電子装置の製造方法としては、たとえば、特許文献１に記載のものが提案されている。この製造方法では、回路基板の一面上にワイヤボンディングにより形成され配列された複数本のワイヤを設けてなる構造体を用意する。この構造体としては、たとえば回路基板上に、当該回路基板の配線間を接続するボンディングワイヤや、ワイヤボンディング実装された電子部品を設けたものが挙げられる。

また、矩形板状のモールド樹脂を成形するための矩形板状の空間形状をなすキャビティと、キャビティの一辺側からキャビティにモールド樹脂を注入する第１のゲートおよび第２のゲートとを有する金型と、を用意する。

そして、モールド工程では、金型のキャビティ内に構造体を設置して、第１のゲートおよび第２のゲートからキャビティにモールド樹脂を注入することにより、少なくとも回路基板の一面側を複数本のワイヤとともにモールド樹脂で封止する。これにより、電子装置ができあがる。

特許第３６３０１３９号公報

上記従来の製造方法のように、モールド工程において、第１および第２の２個のゲートからキャビティ内にモールド樹脂を注入する場合、第１のゲートからのモールド樹脂と第２のゲートからのモールド樹脂とが、キャビティ内で合流する。

ここで、回路基板の一面上にて配列されているワイヤが、このモールド樹脂の合流部に位置すると、封止後のモールド樹脂内においてワイヤ間にボイドが発生したり、ワイヤの変形や断線等の不具合が生じやすい。

これは、モールド工程において発生するモールド樹脂の合流部では、モールド樹脂の乱流が生じて空気を巻き込みやすく、また、当該合流部では、モールド樹脂の流速が合流部以外に比べて大きいため、ワイヤがダメージを受けやすくなることによる。

特に、回路基板の一面上に設けられるボンディングワイヤは、両端が回路基板の一面上に位置するように金などの細線を用いて狭ピッチで配列されるのが通常であるため、上記したワイヤ間におけるボイドや、ワイヤの断線等が発生しやすくなる。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、回路基板の一面上に形成されたワイヤをワイヤボンディングにより形成してなる構造体を、２個のゲートを有する金型を用いたトランスファーモールド法により、矩形板状のモールド樹脂で封止するようにした電子装置の製造方法において、ワイヤ間におけるボイドの発生やワイヤの断線等を抑制することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、回路基板（１０）および回路基板（１０）の一面（１１）上に位置するようにワイヤボンディングにより形成されたワイヤ（２０）を備える構造体（１）と、
矩形板状のモールド樹脂（８０）を成形するための矩形板状の空間形状をなすキャビティ（１０１）と、キャビティ（１０１）の一辺側からキャビティ（１０１）にモールド樹脂（８０）を注入する第１のゲート（１１０）および第２のゲート（１２０）とを有する金型（１００）と、を用意する用意工程と、
金型（１００）のキャビティ（１０１）内に構造体（１）を設置して、キャビティ（１０１）にモールド樹脂（８０）を注入することにより、少なくとも回路基板（１０）の一面（１１）側をワイヤ（２０）とともにモールド樹脂（８０）で封止するモールド工程とを備える電子装置の製造方法において、
第１のゲート（１１０）は、金型（１００）におけるキャビティ（１０１）の一辺側の一方のコーナー部に対応する位置に設けられ、第２のゲート（１２０）は、金型（１００）におけるキャビティ（１０１）の一辺側の他方のコーナー部に対応する位置に設けられたものであり、
第１のゲート（１１０）からのモールド樹脂（８０）の注入方向および第２のゲート（１２０）からのモールド樹脂（８０）の注入方向を、キャビティ（１０１）の一辺に対して斜めとすることで、これら両ゲート（１１０、１２０）から注入されるモールド樹脂（８０）の流れをキャビティ（１０１）内で合流させるようになっており、
第１のゲート（１１０）の注入流量を第２のゲート（１２０）の注入流量よりも大きいものとすることにより、モールド工程では、キャビティ（１０１）内におけるモールド樹脂（８０）の合流部の位置を第２のゲート（１２０）側に偏らせるものであり、
用意工程では、構造体（１）として、回路基板（１０）の一面（１１）のうち前記キャビティ（１０１）の前記一辺に対向する他辺側における第１のゲート（１１０）側に寄った位置に、ワイヤ（２０）を設けたものを用意することを特徴とする。

それによれば、２つのゲート（１１０、１２０）を、各注入方向を斜めとして積極的に合流させるようにしつつ注入流量を変えることで、小流量である第２のゲート（１２０）側に合流部を偏らせることにより、大流量である第１のゲート（１１０）の下流側には広いスペースが形成され、そこにワイヤ（２０）を位置させることが容易となる。そして、当該ワイヤ（２０）は合流部から外れているので、当該ワイヤ（２０）間におけるボイドの発生や当該ワイヤ（２０）の断線等を抑制できる。

また、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の電子装置の製造方法において、金型（１００）において、キャビティ（１０１）の一辺に対向する他辺側の両コーナー部に対応する位置には、キャビティ（１０１）から溢れたモールド樹脂（８０）を溜めるエアベント（１３０、１４０）がそれぞれ設けられており、
エアベント（１３０、１４０）のうち第１のゲート（１１０）の対角に位置する第１のエアベント（１３０）は、第２のゲート（１２０）の対角に位置する第２のエアベント（１４０）よりも大容量であることを特徴とする。

それによれば、第１および第２の各ゲート（１１０、１２０）からキャビティ（１０１）に注入されたモールド樹脂（８０）は、小流量である第２のゲート（１２０）側に位置し大容量である第１のエアベント（１３０）側に集まりやすくなるから、当該両ゲート（１１０、１２０）からのモールド樹脂（８０）の合流部を、より第２のゲート（１２０）側に偏らせやすくなる。

また、請求項３に記載の発明では、請求項１または２に記載の電子装置の製造方法において、金型（１００）において、第１のゲート（１１０）を第２のゲート（１２０）よりも開口面積が大きいものとすることにより、第１のゲート（１１０）の注入流量を第２のゲート（１２０）の注入流量よりも大きいものとしていることを特徴とする。これにより、第１のゲート（１１０）の注入流量を、適切に第２のゲート（１２０）の注入流量よりも大きいものにできる。

また、請求項４に記載の発明では、請求項１または２に記載の電子装置の製造方法において、金型（１０３）において、第１のゲート（１１０）の上流側および第２のゲート（１２０）の上流側には、それぞれ当該各ゲート（１１０、１２０）に供給されるモールド樹脂（８０）を流通させる経路としてのランナー（１０３）が設けられており、
第２のゲート（１２０）に対応するランナー（１０３）のうち第２のゲート（１２０）の直前に位置する部位を絞られた形状とすることにより、第１のゲート（１１０）の注入流量を第２のゲート（１２０）の注入流量よりも大きいものとしていることを特徴とする。

それによれば、第２のゲート（１２０）に対応する前記ランナー（１０３）のうち第２のゲート（１２０）の直前に位置する部位を絞られた形状とすることにより、第１のゲート（１１０）と第２のゲート（１２０）とで開口面積が同一であっても、第２のゲート（１２０）の注入流量を第１のゲート（１１０）の注入流量よりも小さいものにできる。

また、請求項５に記載の発明のように、請求項１ないし４のいずれか１つに記載の電子装置の製造方法においては、構造体（１）において、ワイヤ（２０）は、当該ワイヤの両端が回路基板（１０）の一面（１１）上に位置するように複数本配列されているものにできる。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

本発明の第１実施形態に係る電子装置の概略平面図である。 第１実施形態に係る電子装置の概略断面図である。 第１実施形態の構造体を金型に設置した状態を示す概略平面図である。 （ａ）は図３中のＡ−Ａ部分の概略断面図、（ｂ）は図３中のＢ−Ｂ部分の概略断面図である。 第１実施形態のモールド工程におけるキャビティ内のモールド樹脂の流れ状態を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る電子装置の製造方法に用いる金型の要部の概略断面図である。 多連タイプの金型１００による製造方法を示す概略平面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
図１は本発明の第１実施形態に係る電子装置の概略平面構成を示す図であり、図２は同電子装置の概略断面構成を示す図である。なお、図１では、モールド樹脂８０を透過してその内部を示している。

本実施形態の電子装置は、ハーフモールド構造のＱＦＰタイプのものであり、大きくは、回路基板１０と、回路基板１０の一面１１上に搭載されボンディングワイヤ２０を介して実装されたワイヤボンド実装部品３０と、はんだ実装などのワイヤボンド実装以外の方法で実装された電子部品４０と、回路基板１０の他面１２に固定されたヒートシンク５０と、回路基板１０と外部とを電気的に接続するための複数本のリード端子６０と、回路基板１０とリード端子６０とを結線するボンディングワイヤ７０と、これら各部１０〜７０を封止するモールド樹脂８０と、を備えて構成されている。

ここで、上記ボンディングワイヤ２０、７０のうち、ワイヤボンド実装部品３０に接続されるボンディングワイヤ２０を実装用ワイヤ２０といい、リード端子６０に接続されるボンディングワイヤ７０をリード端子用ワイヤ７０ということにする。

回路基板１０は、一般的な回路基板であり、一方の板面１１を一面１１、他方の板面１２を他面１２とする矩形板状をなす。この回路基板１０としては、セラミック基板、プリント基板、金属基板などを採用できる。一例として、回路基板１０は、４０ｍｍ×３０ｍｍの平面矩形をなす。

ワイヤボンド実装部品３０は、たとえばＩＣチップやパワー素子などであり、実装用ワイヤ２０は、たとえば線径（直径）が数十μｍ（具体的には２０〜３０μｍ）の金などの細線よりなり、配列ピッチが数十μｍあるいはそれ以下の狭ピッチで配列されている。

この実装用ワイヤ２０は、一端が回路基板１０の一面１１上の図示しない電極に接続され、他端が回路基板１０の一面１１上のワイヤボンド実装部品３０に接続されていることにより、両端が回路基板１０の一面１１上に位置している。

また、電子部品４０は、はんだや導電性接着剤などのダイマウント材などを用いた実装やフリップチップ実装により、回路基板１０の一面１１上に搭載されたものであり、たとえばフリップチップＩＣや、コンデンサ、抵抗などの受動素子などが挙げられる。

ヒートシンク５０は、一方の板面５１を一面５１とし、他方の板面５２を他面５２とするＣｕやＭｏなどの放熱性に優れた金属よりなる板状のものであり、ここでは、回路基板１０よりも一回り大きい矩形板状をなす。

そして、ヒートシンク５０の一面５１上に、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂などよりなる接着剤５５を介して回路基板１０が搭載・固定されており、回路基板１０に発生する熱はヒートシンク５０を介して放熱されるようになっている。

また、複数本のリード端子６０は、回路基板１０およびヒートシンク５０とは離れて配置されている。ここでは、各リード端子６０は、回路基板１０の側面側から外方に延びる短冊板状をなしており、矩形板状の回路基板１０およびヒートシンク２０の各辺の外側にて、リード端子６０の長手を揃えた状態で複数本のリード端子６０が配列されている。

そして、回路基板１０と各リード端子６０とは、リード端子用ワイヤ７０を介して結線されて電気的に接続されている。このリード端子用ワイヤ７０はＡｌやＣｕよりなるワイヤであり、通常のワイヤボンディングにより形成されるものである。

また、リード端子用ワイヤ７０は、たとえば線径（直径）が数百μｍであり、配列ピッチが数百μｍあるいはそれ以上の広ピッチで配列されている。このように、両端が回路基板１０の一面１１上に位置する実装用ワイヤ２０に比べて、リード端子用ワイヤ７０はおおよそ１０倍以上のピッチで配列されたものである。

ここで、上記構成においては、回路基板１０および実装用ワイヤ２０により構造体１が構成されている。つまり、本実施形態の構造体１は、回路基板１０、および、両端が回路基板１０の一面１１上に位置するようにワイヤボンディングにより形成され配列された複数本の実装用ワイヤ２０を備えるものとして構成されている。

そして、モールド樹脂８０は、これら回路基板１０、回路基板１０の一面１１上の各部品２０〜４０、ヒートシンク５０、リード端子用ワイヤ７０および各リード端子６０のインナーリード部を封止している。ここで、ヒートシンク５０の一面５１側は回路基板１０とともにモールド樹脂８０で封止されているが、ヒートシンク５０の他面５２はモールド樹脂８０より露出している。

このモールド樹脂８０は、一般的なエポキシ樹脂などのモールド樹脂よりなり、金型のゲートから金型のキャビティ内へ溶融樹脂を射出・充填して成形するトランスファーモールド法により成形されたものである。

そして、モールド樹脂８０は、回路基板１０の一面１１側に位置する板面と回路基板１０の他面１２側に位置する板面とを表裏の板面とする矩形板状をなすものであり、このモールド樹脂８０の回路基板１０の他面１２側に位置する板面にてヒートシンク５０の他面５１が露出している。一例として、モールド樹脂８０は、５０ｍｍ×４０ｍｍ、厚さ４〜６ｍｍの矩形板状のものである。

また、典型的なＱＦＰと同様に、各リード端子３０のアウターリード部は、モールド樹脂５０の４辺に位置する各端面にて、モールド樹脂５０より突出し、露出している。

次に、本実施形態の電子装置の製造方法について、図３、図４を参照して述べる。図３は、本実施形態の上記構造体１を金型１００に設置した状態を示す概略平面図であり、金型１００の内部構成およびキャビティ１０１内のワークの状態を透過して示してある。また、図４において（ａ）は図３中の一点鎖線Ａ−Ａに沿った部分の概略断面図、（ｂ）は図３中の一点鎖線Ｂ−Ｂに沿った部分の概略断面図である。

まず、用意工程では、回路基板１０および両端が回路基板１０の一面１１上に位置するようにワイヤボンディングにより形成され配列された複数本の実装用ワイヤ２０を備える構造体１を用意する。

ここでは、回路基板１０の一面１１上に、ワイヤボンド実装部品３０を、実装用ワイヤ２０を介して実装して構造体１を形成するとともに、さらに回路基板１０の一面１１上に電子部品４０を実装する。

また、回路基板１０の他面１２に接着剤５５を介してヒートシンク５０を固定し、また、ヒートシンク５０とリード端子６０を含むリードフレームとを、かしめや接着などにより固定し、回路基板１０とリード端子６０とをリード端子用ワイヤ７０で結線する。こうして、構造体１を含むワークができあがる。

また、用意工程では、矩形板状のモールド樹脂８０を成形するための矩形板状の空間形状をなすキャビティ１０１と、キャビティ１０１の一辺側からキャビティ１０１にモールド樹脂８０を注入する第１のゲート１１０および第２のゲート１２０とを有する金型１００を用意する。

そして、この用意工程の後、モールド工程を行う。このモールド工程では、金型１００のキャビティ１０１内に、構造体１を含む上記ワークを設置して、第１および第２のゲート１１０、１２０からキャビティ１０１にモールド樹脂８０を注入する。そうすることにより、回路基板１０の一面１１側を複数本の実装用ワイヤ２０等とともにモールド樹脂８０で封止する。

ここで、本実施形態の金型１００は、一般的なトランスファーモールド法によるモールド樹脂の成型用の金型と同様、たとえば上型と下型とを合致させ、その上下両型の間に、モールド樹脂８０が成形される空間形状をなすキャビティ１０１を有するものである。上述のように、キャビティ１０１は、矩形板状のモールド樹脂８０を成形するために、同様の矩形板状の空間形状をなすものとされている。

ここで、金型１００においては、モールド樹脂８０の貯留源となるポット１０２と、このポット１０１から各ゲート１１０、１２０までモールド樹脂８０を流通させる経路としてのランナー１０３と、ランナー１０３からのモールド樹脂８０をキャビティ１０１に注入する各ゲート１１０、１２０とが設けられている。そして、ポット１０２から押し出されるモールド樹脂８０は、ランナー１０３を通って各ゲート１１０、１２０からキャビティ１０１に注入される。

ここで、図３に示されるように、第１のゲート１１０は、金型１００におけるキャビティ１０１の一辺側の一方のコーナー部に対応する位置に設けられ、第２のゲート１２０は、金型１００におけるキャビティ１０１の一辺側の他方のコーナー部に対応する位置に設けられている。

また、各ゲート１１０、１２０は共に、ランナー１０２とキャビティ１０１との間に介在して、ランナー１０３よりも絞られた形状をなすものである。つまり、各ゲート１１０、１２０の開口面積は、ランナー１０３の断面積（ランナー１０３におけるモールド樹脂８０の流通方向と直交する断面積）よりも開口面積が小さいものとされている。

これら各ゲート１１０、１２０の開口形状は、一般のものと同様、たとえば四角形、円形、半円形などとされるが、ここでは、典型的な例として、図４に示されるように、共に四角形とされている。

また、図３の矢印および角度θに示されるように、金型１００においては、第１のゲート１１０からのモールド樹脂８０の注入方向および第２のゲート１２０からのモールド樹脂８０の注入方向を、キャビティ１０１の一辺に対して斜めとしている。以下、これをゲート斜め構成という。たとえば、この斜めの度合は、各注入方向とキャビティ１０１の一辺との内角θが１５〜７５°程度のものとする。

そして、モールド樹脂８０は、これら両ゲート１１０、１２０から同時に注入され、上記キャビティ１０１の一辺側からこれに対向する他辺側へ向かって流れるが、上記ゲート斜め構成を採用することで、両ゲート１１０、１２０からのモールド樹脂８０の流れをキャビティ１０１内で合流させるようにしている。

さらに、本実施形態では、金型第１のゲート１１０の注入流量を第２のゲート１２０の注入流量よりも大きいものとすることにより、モールド工程では、キャビティ１０１内におけるモールド樹脂８０の合流部の位置を第２のゲート１２０側に偏らせるようにしている。

図５は、本実施形態のモールド工程におけるキャビティ１０１内のモールド樹脂８０の流れ状態を示す図であり、ここでは、ワークについては大幅に省略してある。

この図５において、実線ａ１、ａ２、ａ３、ａ４は、第１のゲート１１０からのモールド樹脂８０について一定時間ごとの進行位置を示し、破線ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｂ４は、第２のゲート１２０からのモールド樹脂８０について一定時間ごとの進行位置を示している。また、一点鎖線Ｋは、両ゲート１１０、１２０からのモールド樹脂８０の合流部を示す合流ラインＫである。

上記図４に示されるように、本実施形態では、金型１００において、第１のゲート１１０を第２のゲート１２０よりも開口面積が大きいものとすることにより、第１のゲート１１０の注入流量を第２のゲート１２０の注入流量よりも大きいものとしている。

ここでは、第１のゲート１１０を第２のゲート１２０よりも大きな矩形の開口形状をなすものとしている。限定するものではないが、その開口面積比としては、第１のゲート１１０の開口面積：第２のゲート１２０の開口面積として、たとえば１：２〜１：２０程度とする。

たとえば上記ポット１０２から送り出されるモールド樹脂８０の圧力は７〜１０ＭＰａ程度であるが、第１のゲート１１０を５ｍｍ×１ｍｍの矩形、第２のゲート１２０を２ｍｍ×１ｍｍの矩形とした場合、第１のゲート１１０の流量Ｇ１と第２のゲート１２０の流量Ｇ２との比Ｇ１／Ｇ２は、２〜３程度となる。

そして、このように第１のゲート１１０の方が第２のゲート１２０よりも大流量であるから、図５に示されるように、モールド工程では、キャビティ１０１内におけるモールド樹脂８０の合流部の位置、すなわち合流ラインＫが第２のゲート１２０側に偏ることになる。

具体的には、平面矩形のキャビティ１０１を、両ゲート１１０、１２０が位置するキャビティ１０１の一辺に直交し且つ両ゲート１１０、１２０から等距離にある仮想直線で２等分したとき、上記合流ラインＫは、当該仮想直線よりも第２のゲート１１０側に位置するものである。

ここでは、キャビティ１０１の一辺から他辺に向かうにつれて、つまり、モールド樹脂８０流れの上流側から下流側に向かうにつれて、合流ラインＫの第２のゲート１２０側への偏り度合が大きくなっていく。また、この合流ラインＫは、第１のゲート１１０の流量Ｇ１と第２のゲート１２０の流量Ｇ２との上記比Ｇ１／Ｇ２が大きくなるほど、第２のゲート１２０側へ偏ることは明らかである。

そして、本実施形態の製造方法においては、このようなモールド樹脂８０の流れを実現しつつ、さらに、上記用意工程において構造体１の構成に工夫を加えている。

すなわち、用意工程では、構造体１として、回路基板１０の一面１１のうち第１のゲート１１０の下流側となる位置に、複数本の実装用ワイヤ２０を設けたものを用意する。つまり、図５において、回路基板１０の一面１１において実装用ワイヤ２０を設ける位置は、合流ラインＫよりも第１のゲート１１０寄りの部位、つまり、回路基板１０の一面１１のうちキャビティ１０１の上記一辺に対向する他辺側における第１のゲート１１０側に寄った位置に、実装用ワイヤ２０を配置する。つまり、実装用ワイヤ２０は、上記合流部を外れて第１のゲート１１０の下流となる部位に配置される。

具体的に、上記図１、図３に示される構成においては、実装用ワイヤ２０の配置位置は、図５中の丸で囲まれた領域Ｗとして示している。このような実装用ワイヤ２０の配置位置は、金型１００の設計時に第１および第２のゲート１１０、１２０の流量比および合流ラインＫを計算等にて求めておくことにより、予め決めることができる。

こうして、モールド工程にて、構造体１を含むワークをモールド樹脂８０で封止し、当該ワークを金型１００から取り出し、その後は必要に応じて、リード端子６０のカットや成形などを行うことにより、本実施形態の電子装置ができあがる。

ところで、本実施形態によれば、２つのゲート１１０、１２０について、各注入方向を斜めとする上記ゲート斜め構成を採用して、積極的に合流させるようにしつつ注入流量を変えることで、小流量である第２のゲート１２０側に合流部を偏らせることにより、大流量である第１のゲート１１０の下流側には広いスペースが形成され、そこに複数本の実装用ワイヤ２０を位置させることが容易となる。

そして、実装用ワイヤ２０は合流部から外れているので、当該ワイヤ２０間におけるボイドの発生や当該ワイヤ２０の断線等を抑制できる。なお、一端が回路基板１０に接続され他端がリード端子６０に接続されている上記リード端子用ワイヤ７０は、実装用ワイヤ２０に比べて大幅に太さやピッチが大きいものであり、上記したボイドや断線等の不良は考慮しなくてもよい。

さらに本実施形態では、図３、図５に示されるように、金型１００において、第１のゲート１１０および第２のゲート１２０が位置するキャビティ１０１の一辺に対向するキャビティ１０１の他辺側の両コーナー部に対応する位置には、キャビティ１０１から溢れたモールド樹脂８０を溜めるエアベント１３０、１４０が、それぞれ設けられている。

このようなエアベント１３０、１４０は、一般に金型に設けられるもので、モールド樹脂８０流れの下流側にてキャビティ１０１に連通するように設けられた空間部である。その役割は、モールド工程時にキャビティ１０１から溢れた余剰のモールド樹脂８０を溜めるものである。

そして、本実施形態では、独自の構成として、上記両コーナー部のエアベント１３０、１４０のうち第１のゲート１１０の対角に位置する第１のエアベント１３０は、第２のゲート１２０の対角に位置する第２のエアベント１４０よりも大容量としている。言い換えれば、大容量である第１のエアベント１１０は、小流量である第２のゲート１２０寄りに位置し、小容量である第２のエアベント１４０は、大流量である第１のゲート１１０寄りに位置している。

それによれば、モールド工程時に、第２のエアベント１４０が先に満杯になっても、第１のエアベント１３０はモールド樹脂８０を取り込める。そのため、第１および第２の各ゲート１１０、１２０からキャビティ１０１に注入されたモールド樹脂８０は、小流量である第２のゲート１２０側に位置し大容量である第１のエアベント１３０側に集まりやすくなり、当該両ゲート１１０、１２０からのモールド樹脂８０の合流部を、より第２のゲート１２０側に偏らせやすくなる。

また、このようなエアベント１３０、１４０の構成において、合流ラインＫは、図５に示されるように、第１のゲート１１０の対角に位置する第１のエアベント１３０に一致することが望ましい。そうすれば、モールド工程におけるモールド樹脂８０の流れがスムーズになる。

また、本実施形態では、キャビティ１０１の一辺側の両コーナー部に設けた２個のゲート１１０、１２０からキャビティ１０１に、モールド樹脂８０を同時に注入することで、ゲートが１個の場合に比べて、下流側に位置するリード端子６０まで、モールド樹脂８０まんべんなく行き渡る。そのため、このリード端子６０の裏面（図２中の下面）に発生するボイドを抑制しやすくなる。

（第２実施形態）
図６は、本発明の第２実施形態に係る電子装置の製造方法に用いる金型１００の要部の概略断面構成を示す図であり、（ａ）は第２のゲート１２０およびその近傍のランナー１０３部分を示し、（ｂ）は第１のゲート１１０およびその近傍のランナー１０３部分を示している。

本実施形態は、上記第１実施形態に比べて、第１および第２のゲート１１０、１２０の流量を変える方法が相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。

上述したように、金型１００には、第１のゲート１１０の上流側および第２のゲート１２０の上流側に、それぞれ当該各ゲート１１０、１２０に供給されるモールド樹脂８０を流通させる経路としてのランナー１０３が設けられている。

ここで、図６に示されるように、本実施形態では、金型１００において、小流量となる第２のゲート１２０に対応するランナー１０３のうち第２のゲート１２０の直前に位置する部位を絞られた形状としている。図６（ａ）では、この絞られた形状の部位を絞り部１０３ａとして表している。

そうすることにより、本実施形態では、第２のゲート１２０直前のランナー１０３部分を、第１のゲート１１０直前のランナー１０３部分よりも狭い流路とし、それにより、第１のゲート１１０の注入流量を第２のゲート１２０の注入流量よりも大きいものとしている。

この場合、上記図４とは異なり、両ゲート１１０、１２０は同一の開口面積としている。具体的には、たとえば両ゲート１１０、１２０の開口形状を同一形状および同一サイズの矩形とする。

つまり、小流量となる第２のゲート１２０側では、大流量となる第１のゲート１１０側に比べて、ゲート直前のランナー１０３部分の断面積を小さくすることで、当該絞られた部位である絞り部１０３ａを通るモールド樹脂８０の流動抵抗が大きくなり、その流量が小さくなる。そのため、第１のゲート１１０と第２のゲート１２０とで開口面積が同一であっても、第２のゲート１２０の注入流量が第１のゲート１１０の注入流量よりも小さいものとなる。

（他の実施形態）
ここで、上記各実施形態に示した製造方法は、１個のキャビティ１０１を有する金型１００だけでなく、複数個のキャビティ１０１が連続する多連タイプの金型１００としても適用できる。図７は、その多連タイプの金型１００による製造方法を示す概略平面図である。

この図７においては、ポット１０２側すなわち上流側からエアベント１３０、１４０側すなわち下流側に向かって、複数個（ここでは２個）のキャビティ１０１がランナー１０３を介して、直列に連結されている。そして、モールド樹脂８０は、上流側のキャビティ１０１からランナー１０３およびゲート１１０、１２０を通って下流側のキャビティ１０１に注入される。この場合も、各キャビティ１０１における作用効果は上記各実施形態と同様である。

なお、上記各実施形態以外にも、たとえばモールド樹脂８０の温度を、第１のゲート１１０側のランナー１０３の方が第２のゲート１２０側のランナー１０３よりも高い温度とすることにより、第１のゲート１１０側のモールド樹脂８０を第２のゲート１２０側のモールド樹脂８０に比べて低粘性のものにすれば、第１のゲート１１０の方を大流量とすることが可能となる。

また、可能ならば、第１のゲート１１０側に供給するモールド樹脂８０のポット１０２と、第２のゲート１２０側に供給するモールド樹脂８０のポット１０２とを、別々のものとし、第１のゲート１１０側のポットを第２のゲート１２０側のポットよりも押し出し流量が大きい大容量のものとすることで、第１のゲート１１０の方を大流量となるようにしてもよい。

また、上記各実施形態のモールド工程において、キャビティ１０１内に供給されるモールド樹脂８０の量を精密に制御して、余剰のモールド樹脂８０の発生を回避できるならば、上記エアベント１３０、１４０は無いものであってもよい。

また、両端が回路基板１０の一面１１上に位置するようにワイヤボンディングにより形成され配列された複数本のワイヤとしては、上記実施形態のような、一端が回路基板１０の一面１１上の図示しない電極に接続され、他端が回路基板１０の一面１１上のワイヤボンド実装部品３０に接続されている実装用ワイヤ２０以外にも、回路基板自身に設けられた一の配線と他の配線とを電気的に接続するボンディングワイヤであってもよい。

さらにワイヤ２０としては、単数であってもよい。また、ワイヤ２０としては、一端が回路基板１０の一面１１上に位置し、他端が回路基板１０の一面１１上から外れて位置するものであってもよい。

また、上記第１実施形態の電子装置は、ヒートシンク５０の他面５１がモールド樹脂８０より露出するハーフモールド構造のものであったが、たとえば、図１（ｂ）においてヒートシンク５０を省略し、そのヒートシンク５０の部分をモールド樹脂８０で埋めた構成でもよい。

つまり、電子装置としては、回路基板１０の他面１２までもモールド樹脂８０で封止した一般的なフルモールド構造であってもよい。この場合も、上記各実施形態と同様の製造方法を適用し、同様の効果を得られることは言うまでもない。

１ 構造体
１０ 回路基板
１１ 回路基板の一面
２０ 実装用ワイヤ
８０ モールド樹脂
１００ 金型
１０１ キャビティ
１０３ ランナー
１１０ 第１のゲート
１２０ 第２のゲート
１３０ 第１のエアベント
１４０ 第２のエアベント

Claims (5)

1. 回路基板（１０）および前記回路基板（１０）の一面（１１）上に位置するようにワイヤボンディングにより形成されたワイヤ（２０）を備える構造体（１）と、
   矩形板状のモールド樹脂（８０）を成形するための矩形板状の空間形状をなすキャビティ（１０１）と、前記キャビティ（１０１）の一辺側から前記キャビティ（１０１）に前記モールド樹脂（８０）を注入する第１のゲート（１１０）および第２のゲート（１２０）とを有する金型（１００）と、を用意する用意工程と、
   前記金型（１００）の前記キャビティ（１０１）内に前記構造体（１）を設置して、前記キャビティ（１０１）に前記モールド樹脂（８０）を注入することにより、少なくとも前記回路基板（１０）の一面（１１）側を前記ワイヤ（２０）とともに前記モールド樹脂（８０）で封止するモールド工程とを備える電子装置の製造方法において、
   前記第１のゲート（１１０）は、前記金型（１００）における前記キャビティ（１０１）の前記一辺側の一方のコーナー部に対応する位置に設けられ、前記第２のゲート（１２０）は、前記金型（１００）における前記キャビティ（１０１）の前記一辺側の他方のコーナー部に対応する位置に設けられたものであり、
   前記第１のゲート（１１０）からの前記モールド樹脂（８０）の注入方向および前記第２のゲート（１２０）からの前記モールド樹脂（８０）の注入方向を、前記キャビティ（１０１）の前記一辺に対して斜めとすることで、これら両ゲート（１１０、１２０）から注入される前記モールド樹脂（８０）の流れを前記キャビティ（１０１）内で合流させるようになっており、
   前記第１のゲート（１１０）の注入流量を前記第２のゲート（１２０）の注入流量よりも大きいものとすることにより、前記モールド工程では、前記キャビティ（１０１）内における前記モールド樹脂（８０）の合流部の位置を前記第２のゲート（１２０）側に偏らせるものであり、
   前記用意工程では、前記構造体（１）として、前記回路基板（１０）の一面（１１）のうち前記キャビティ（１０１）の前記一辺に対向する他辺側における第１のゲート（１１０）側に寄った位置に、前記ワイヤ（２０）を設けたものを用意することを特徴とする電子装置の製造方法。
2. 前記金型（１００）において、前記キャビティ（１０１）の前記一辺に対向する他辺側の両コーナー部に対応する位置には、前記キャビティ（１０１）から溢れた前記モールド樹脂（８０）を溜めるエアベント（１３０、１４０）がそれぞれ設けられており、
   前記エアベント（１３０、１４０）のうち前記第１のゲート（１１０）の対角に位置する第１のエアベント（１３０）は、前記第２のゲート（１２０）の対角に位置する第２のエアベント（１４０）よりも大容量であることを特徴とする請求項１に記載の電子装置の製造方法。
3. 前記金型（１００）において、前記第１のゲート（１１０）を前記第２のゲート（１２０）よりも開口面積が大きいものとすることにより、前記第１のゲート（１１０）の注入流量を前記第２のゲート（１２０）の注入流量よりも大きいものとしていることを特徴とする請求項１または２に記載の電子装置の製造方法。
4. 前記金型（１００）において、前記第１のゲート（１１０）の上流側および前記第２のゲート（１２０）の上流側には、それぞれ当該各ゲート（１１０、１２０）に供給される前記モールド樹脂（８０）を流通させる経路としてのランナー（１０３）が設けられており、
   前記第２のゲート（１２０）に対応する前記ランナー（１０３）のうち前記第２のゲート（１２０）の直前に位置する部位を絞られた形状とすることにより、前記第１のゲート（１１０）の注入流量を前記第２のゲート（１２０）の注入流量よりも大きいものとしていることを特徴とする請求項１または２に記載の電子装置の製造方法。
5. 前記構造体（１）において、前記ワイヤ（２０）は、当該ワイヤの両端が前記回路基板（１０）の一面（１１）上に位置するように複数本配列されているものであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の電子装置の製造方法。

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