JP5568416B2 - 電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
また、電子デバイスは、電子部品素子と、この電子部品素子が搭載されている素子搭載部材と、蓋部材と、素子搭載部材と蓋部材とを接合させる封止材と、を少なくとも備えている。このとき、素子搭載部材に搭載されている電子部品素子は、素子搭載部材と蓋部材とが封止材によって接合されることで気密封止された状態となっている。
この素子搭載部材は、この凹部の底面に電子部品素子を搭載するための搭載パッドが設けられており、この電子部品素子の凹部空間内に電子部品素子が収納されることとなる。
また、素子搭載部材は、他方の主面に外部接続端子が設けられており、搭載パッドと電気的に接続されている。
また、素子搭載部材は、一方の主面の縁部に沿って環状の封止用枠部が設けられている。
また、封止材は、素子搭載部材の一方の主面と後述する蓋部材の一方の主面との間であって、素子搭載部材の一方の主面の縁部に沿って形成されている。
また、封止材は、素子搭載部材に設けられている封止用枠部が溶融され硬化することで形成される。
また、蓋部材は、例えば、素子搭載部材の一方の主面と蓋部材の一方の主面とで封止用枠部を挟んだ状態で蓋部材の他方の主面にレーザー光が照射され、蓋部材が加熱されて封止用枠部が溶融され、溶融された封止用枠部が硬化することで封止材が形成され、蓋部材の一方の主面が素子搭載部材の一方の主面と封止材により接合されている。
また、従来の電子デバイスは、素子搭載部材の一方の主面に形成されている封止用枠部が素子搭載部材の一方の主面と蓋部材の一方の主面とで挟まれた状態で蓋部材の他方の主面にレーザー光が照射され蓋部材が加熱されることで封止用枠部が溶融され、この溶融された封止用枠部が硬化し封止材が形成されることで、素子搭載部材の一方の主面と蓋部材の一方の主面とが接合された状態となっている(例えば、特許文献1参照)。
圧電デバイスの一例である圧電振動子は、例えば、電子部品素子である圧電振動素子と、電子部品素子である圧電振動素子が搭載される素子搭載部材と、蓋部材と、素子搭載部材と蓋部材とを接合させる封止材と、を備えている。このとき、圧電振動素子は、素子搭載部材と蓋部材とが封止材により接合されて気密封止された状態となっている。
ここで、例えば、電子デバイスが圧電振動子の場合について、電子デバイスの製造方法を説明する。
素子搭載工程は、素子搭載部材に電子部品素子である圧電振動素子を搭載する工程である。
また、素子搭載部材は、一方の主面の縁部に沿って環状の封止用枠部が形成されている。
また、搭載パッドは、前述した圧電振動素子の引き回しパターンと対向する位置に設けられており、例えば、導電性接着剤により引き回しパターンと電気的に接続されている。
また、所定の2つの外部接続端子は、前述した搭載パッドと素子搭載部材の内部配線を介して電気的に接続されている。従って、外部接続端子は、素子搭載部材の内部配線と搭載パッドと導電性接着剤と引き回しパターンとを介して励振電極に電気的に接続されている。
また、封止用枠部は、後述する蓋部材配置工程で、蓋部材の一方の主面と対向する一に設けられる。
従って、素子搭載工程では、素子搭載部材の凹部空間の底面に電子部品素子である圧電振動素子が搭載され、素子搭載部材の凹部空間内に圧電振動素子が収納される。
蓋部材配置工程は、素子搭載部材に搭載されている圧電振動素子を素子搭載部材と蓋部材とで覆うように素子搭載部材の所定の位置に蓋部材を配置する工程である。
仮接合工程は、電気溶接を用いて、蓋部材と素子搭載部材とを部分的にスポット溶接し、仮接合する工程である。
接合工程は、レーザー光が蓋部材の他方の主面に照射され、蓋部材が加熱され、その熱により封止用枠部が溶融され硬化することで、素子搭載部材の一方の主面と蓋部材の一方の主面とを接合する工程である。
従って、接合工程では、封止用枠部が溶融され素子搭載部材の一方の主面と蓋部材の一方の主面とが封止材によって接合される。
このため、従来の電子デバイスの製造方法によれば、レーザー光によって封止用枠部が突沸したように溶融された場合、電子部品素子が収納されている空間内へ溶融された封止用枠部の一部が飛散し、電子部品素子に付着してしまい、従来の電子デバイスの電気的特性が悪化する恐れがある。特に、従来の電子デバイスが圧電デバイスの場合、圧電振動素子に溶融された封止用枠部が付着することで圧電振動素子が振動しにくくなるため圧電デバイスの周波数が不安定となる恐れがある。
従って、従来の電子デバイスの製造方法によれば、溶融された封止用枠部が電子部品素子に付着し電気的特性が悪化するため、生産性が悪化する恐れがある。
このため、従来の電子デバイスの製造方法によれば、蓋部材がレーザー光により直接、加熱されるので、レーザー光が照射されているときの蓋部材と素子搭載部材との膨張量の違いにより、溶融されている封止用枠部が硬化するとき素子搭載部材と蓋部材との内部に歪が発生する。
従って、従来の電子デバイスの製造方法によれば、接合工程で、素子搭載部材及び蓋部材の内部に発生した歪によって、素子搭載部材又は蓋部材にクラックが生じ、電子部品素子を気密封止することができず生産性が悪化する恐れがある。
このため、従来の電子デバイスの製造方法によれば、電子デバイスが小型化された場合、電子部品素子を気密封止することができず、生産性が悪化する恐れがある。
を備えていることを特徴とする。
このため、このような電子デバイスの製造方法によれば、レーザー光によって封止用枠部が突沸したように溶融された場合、電子部品素子が収納されている空間内へ溶融された封止用枠部の一部が飛散することを防ぐことができる。
従って、このような電子デバイスの製造方法によれば、溶融された封止用枠部が電子部品素子に付着することを防ぐことができ、溶融された封止用枠部が電子部品素子に付着することによる電子デバイスの電気的特性の悪化を防ぐことができる。特に、電子デイバスが圧電デバイスの場合、圧電振動素子に溶融した封止用枠部の一部が付着することがなくなり、圧電デバイスの周波数が不安定となることを防ぐことができる。
このため、このような電子デバイスの製造方法によれば、蓋部材又は素子搭載部材にレーザー光を直接、照射せず封止用枠部を溶融するので、封止用枠部が溶融されているとき蓋部材と素子搭載部材との膨張量の差が従来の電子デバイスの製造方法と比較して小さくなり、その結果、溶融されている封止用枠部が硬化するときに蓋部材と素子搭載部材との内部に発生する歪を従来の電子デバイスの製造方法と比較して軽減することができる。
従って、このような電子デバイスの製造方法によれば、従来の電子デバイスの製造方法と比較して、素子搭載部材及び蓋部材の内部に発生した歪によるクラックを減らすことができるので、電子部品素子を気密封止することができ生産性を向上させることができる。
このため、このような電子デバイスの製造方法によれば、電子デバイスが小型化された場合、素子搭載部材の所定の位置に蓋部材を配置することができ、素子搭載部材に搭載されている電子部品素子を気密封止することができ、生産性を向上させることができる。
ここで、電子デバイスは、例えば、圧電振動子として説明とする。このとき、電子部品素子は、圧電振動素子である。
本発明の第一の実施形態に係る電子デバイスの製造方法により製造される電子デバイスは、図1に示すように、電子部品素子120と素子搭載部材110と蓋部材130と溶融され硬化した封止用枠部111とから主に構成されている。
また、素子搭載部材110は、図1に示すように、一方の主面の縁部に沿って環状に溶融され硬化した封止用枠部111が設けられている。
また、搭載パッドPは、電子部品素子である圧電振動素子120の引き回しパターン123と対向する位置に設けられており、導電性接着剤Dにより圧電振動素子120の引き回しパターン123と電気的に接続されている。
溶融され硬化した封止用枠部111は、素子搭載部材110の一方の主面の縁部に沿って環状に設けられている。
また、蓋部材130は、図1に示すように、一方の主面に凹部空間131を備えており、この凹部空間131の底面の大きさが圧電振動素子120の主面の大きさより大きく形成されている。
また、蓋部材130は、図1に示すように、その主面の大きさが前述した封止用枠部111の内側の素子搭載部材110の主面より小さく形成されている。
また、蓋部材130は、図1に示すように、凹部空間131の開口を圧電振動素子120が搭載されている素子搭載部材110の一方の主面側を向けた状態で素子搭載部材110に設けられている。従って、蓋部材130の凹部空間131内に電子部品素子である圧電振動素子120が収納された状態となる。
また、蓋部材130は、外縁側の側面に溶融され硬化した封止用枠部111が接合されている。従って、素子搭載部材110の一方の主面の縁部と蓋部材130の外縁側の側面とが溶融され硬化した封止用枠部111によって接合されている。このとき、凹部空間131内に収納されている圧電振動素子120が気密封止された状態となっている。
本発明の第一の実施形態に係る電子デバイスの製造方法は、めっき用金属層形成工程、封止用枠部形成工程、素子搭載工程、蓋部材配置工程、接合工程、個片化工程を備えている。
めっき用金属層形成工程は、図2に示すように、一方の主面に搭載パッドPが設けられ他方の主面に外部接続端子G(図4参照)が設けられている素子搭載部材110となる部分がマトリクス状に設けられている素子搭載部材ウエハWT1の前記素子搭載部材110となる部分の一方の主面の縁部に沿って環状のめっき用金属層111aが形成される工程である。
素子搭載部材110となる部分は、矩形形状の平板状となっており、少なくとも、搭載パッドPと外部接続端子Gを備えている。
電子部品素子120が前述したような圧電振動素子120の場合、搭載パッドPは、例えば、図2に示すように、2つ一対となっており、素子搭載部材110となる部分の一方の主面の所定の一辺に沿って2つ並んで設けられている。
なお、ここで、めっき用金属層111aに銅を用いる場合について説明しているが、例えば、モリブデン又はタングステンを用いてもよい。
なお、ここでは、素子搭載部材ウエハWT1の全面に銅からなる膜を設けフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とを用いて形成する場合について説明しているが、例えば、スクリーン印刷を用いて形成してもよい。このとき、めっき用金属層111aは、モリブデン又はタングステンが用いられる。
封止用枠部形成工程は、図2に示すように、めっき法により、前記素子搭載部材110となる部分の前記めっき用金属層111aにめっき層111bが設けられ封止用枠部111が形成される工程である。
銅めっき層は、素子搭載部材110となる部分の一方の主面に対向するめっき用金属層111aの面に設けられる。
ニッケルめっき層は、素子搭載部材110となる部分の一方の主面に対向する銅めっき層の面に設けられる。
金めっき層は、めっき用金属層111aと銅めっき層とニッケルめっき層の露出している面に設けられる。また、金めっき層は、露出している面が酸化することを防ぐ役割を果たす。
また、封止用枠部111は、図3に示すように、素子搭載部材110となる部分の縁部に沿って環状に設けられており、枠形状に形成される。
また、封止用枠部111は、図3に示すように、搭載パッドPと接触しない位置に形成される。
また、封止用枠部111は、その厚みが15μm以上の厚みとなっている。
また、封止用枠部111の厚みが15μmより小さい場合、後述する蓋部材配置工程で蓋部材の位置出しが困難となる恐れがあり、蓋部材の位置出しを行うために手間と時間を要し生産性が悪化する恐れがある。
従って、封止用枠部111は、その厚みが15μm以上となっている。
素子搭載工程は、図4に示すように、前記素子搭載部材110となる部分の前記搭載パッドPに電子部品素子120を搭載する工程である。
素子搭載工程では、例えば、電子部品素子である圧電振動素子120の引き回しパターン123と素子搭載部材110の搭載パッドPとが対向する位置に設けられており、導電性接着剤Dにより引き回しパターン123と搭載パッドPとが電気的に接続される。
蓋部材配置工程は、図5に示すように、一方の主面に凹部空間131を備えた蓋部材130の前記凹部空間131内に前記電子部品素子120を収納させる位置であって、前記封止用枠部111の内縁側の側面と蓋部材130の外縁側の側面とが向かい合う位置に前記蓋部材130と配置する工程である。
また、蓋部材130は、図5に示すように、一方の主面に凹部空間131を備えており、この凹部空間131の底面の大きさが電子部品素子である圧電振動素子120の主面より大きく形成されている。
また、蓋部材130は、図5に示すように、その主面が前述した封止用枠部111の内縁側の素子搭載部材110となる部分の一方の主面より小さく形成されている。
また、蓋部材配置工程では、図5に示すように、封止用枠部111の内縁側の側面と蓋部材130の外縁側の側面とが向かい合う位置に設けられる。
従って、蓋部材配置工程では、封止用枠部111の内縁側に蓋部材130を設けることで素子搭載部材110となる部分の所定の位置に蓋部材130を容易に設けることができる。
接合工程は、図6に示すように、前記素子搭載部材110となる部分の封止用枠部111にレーザー光が照射され前記封止用枠部111が溶融されて、前記素子搭載部材110の一方の主面と前記蓋部材130の外縁側の側面とが接合される工程である。
この接合工程では、レーザー光が素子搭載部材110の封止用枠部111に照射される。このとき、レーザー光は、素子搭載部材110となる部分の主面に対して90°以下の角度に傾いている。また、レーザー光は、隣接する素子搭載部材110となる部分に配置されている蓋部材130の他方の主面の最も近い縁部と素子搭載部材110となる部分の一方の主面に対向する封止用枠部111の面であって内縁側の縁部とを通る面と、素子搭載部材110となる部分の一方の主面とがなす角度より大きい角度に傾いている。
従って、レーザー光は、素子搭載部材110となる部分の主面に対して90°以下の角度に傾いている。
従って、レーザー光は、隣接する素子搭載部材110となる部分に配置されている蓋部材130の他方の主面と最も近い縁部と素子搭載部材110となる部分の一方の主面に対向する封止用枠部111の面で内縁側の縁部とを通る面と、素子搭載部材110となる部分の一方の主面とがなす角度より大きい角度に傾いている。
なお、接合工程を行う際は、真空雰囲気中で行ってもよい。
個片化工程は、図7に示すように、蓋部材が接合されている前記素子搭載部材ウエハの前記素子搭載部材となる部分ごとに切断し個片化する工程である。
個片化工程では、例えば、ダイシングソーが用いられる。
従って、個片化工程で素子搭載部材110となる部分ごとに個片化することで、電子デバイスの一例である圧電振動子が形成される。
このため、このような本発明の第一の実施形態に係る電子デバイスの製造方法によれば、レーザー光によって封止用枠部111が突沸したように溶融された場合、電子部品素子120が収納されている空間内へ溶融された封止用枠部111の一部が飛散することを防ぐことができる。
従って、このような本発明の第一の実施形態に係る電子デバイスの製造方法によれば、溶融された封止用枠部111が電子部品素子120に付着することを防ぐことができ、溶融された封止用枠部111が電子部品素子120に付着することによる電子デバイスの電気的特性の悪化を防ぐことができる。特に、電子デイバスが圧電デバイスの場合、圧電振動素子に溶融した封止用枠部の一部が付着することがなくなり、圧電デバイスの周波数が不安定となることを防ぐことができる。
このため、このような本発明の第一の実施形態に係る電子デバイスの製造方法によれば、蓋部材130又は素子搭載部材110にレーザー光を直接、照射せず封止用枠部111を溶融するので、封止用枠部111が溶融されているとき蓋部材130と素子搭載部材110との膨張量の差が従来の電子デバイスの製造方法と比較して小さくなり、その結果、溶融されている封止用枠部111が硬化するときに蓋部材130と素子搭載部材110との内部に発生する歪を従来の電子デバイスの製造方法と比較して軽減することができる。
従って、このような本発明の第一の実施形態の電子デバイスの製造方法によれば、従来の電子デバイスの製造方法と比較して、素子搭載部材110及び蓋部材130の内部に発生した歪によるクラックを減らすことができるので、電子部品素子120を気密封止することができ生産性を向上させることができる。
このため、このような本発明の第一の実施形態に係る電子デバイスの製造方法によれば、電子デバイスが小型化された場合、素子搭載部材110の所定の位置に蓋部材130を配置することができ、素子搭載部材110に搭載されている電子部品素子120を気密封止することができ、生産性を向上させることができる。
本発明の第二の実施形態に係る電子デバイスの製造方法について説明する。
この電子デバイスは、図8に示すように、溶融され硬化された封止用枠部211の内縁側に位置出し用枠部212が設けられている点で第一の実施形態と異なる。
また、位置出し用枠部212は、素子搭載部材210の一方の主面に環状に設けられている。
また、位置出し用枠部212は、封止用枠部211の内縁側に設けられており、封止用枠部211と接触していない状態で設けられている。
また、位置出し用枠部212は、搭載パッドPと接触しない位置に設けられており、搭載パッドPが位置出し用枠部211の内縁側に設けられている。
また、位置出し用枠部212は、蓋部材230の凹部空間231を向く蓋部材230の側面と向かい合う位置に設けられている。
本発明の第二の実施形態に係る電子デバイスの製造方法は、図7に示すように、めっき用金属層211aの内縁側に第二のめっき用金属膜212aが形成される第二のめっき用金属膜形成工程と、図8に示すように、第二のめっき用金属膜212aに第二のめっき層212bを設け位置出し用枠部212を形成する位置出し用枠部形成工程と、を備えている点で第一の実施形態と異なる。
第二のめっき用金属層形成工程は、図9に示すように、素子搭載部材210の縁部に沿って形成されているめっき用金属層211aの内縁側に第二のめっき用金属層212aを形成する工程である。
また、第二のめっき用金属層211aは、素子搭載部材210となる部分の一方の主面の縁部に沿って形成されているめっき用金属層211aの内縁側に形成されており、かつ、このめっき用金属層211aと接触しない位置に形成されている。
また、第二のめっき用金属層211aは、素子搭載部材210の一方の主面に設けられている搭載パッドPと接触しない位置に形成されており、搭載パッドPが第二のめっき用金属層211aの内縁側に位置するように形成されている。
なお、ここで、第二のめっき用金属層212aに銅を用いる場合について説明しているが、例えば、モリブデン又はタングステンを用いてもよい。
なお、ここでは、素子搭載部材ウエハWT2の全面に銅からなる膜を設けフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とを用いて形成する場合について説明しているが、例えば、スクリーン印刷を用いて形成してもよい。このとき、第二のめっき用金属層212aは、モリブデン又はタングステンが用いられる。
位置出し用枠部形成工程は、図8に示すように、第二のめっき用金属膜212aに第二のめっき層212bを設け位置出し用枠部212を形成する工程である。
銅めっき層は、素子搭載部材210となる部分の一方の主面に対向する第二のめっき用金属層212aの面に設けられる。
ニッケルめっき層は、素子搭載部材210となる部分の一方の主面に対向する銅めっき層の面に設けられる。
金めっき層は、第二のめっき用金属層212aと銅めっき層とニッケルめっき層の露出している面に設けられる。また、金めっき層は、露出している面が酸化することを防ぐ役割を果たす。
また、位置出し用枠部212は、図10に示すように、素子搭載部材210となる部分の縁部に沿って環状に設けられており、枠形状に形成される。
また、位置出し用枠部212は、図10に示すように、搭載パッドP及び封止用枠部211に接触しない位置に形成される。
また、位置出し用枠部212は、その厚みが15μm以上の厚みとなっている。
従って、位置出し用枠部212は、その厚みが15μm以上となっている。
蓋部材配置工程は、図12に示すように、一方の主面に凹部空間231を備えた蓋部材230の前記凹部空間231内に前記電子部品素子220を収納させる位置であって、前記封止用枠部211の内縁側の側面と蓋部材230の外縁側の側面とが向かい合う位置で、かつ、前記位置出し用枠部212の外縁側の側面と蓋部材230の凹部空間231を向く側面とが向かい合う位置に蓋部材230を配置する工程である。
また、蓋部材配置工程では、図12に示すように、封止用枠部211の内縁側の側面と蓋部材230の外縁側の側面とが向かい合う位置に設けられている。
また、蓋部材配置工程では、図12に示すように、位置出し用枠部212の外縁側の側面と蓋部材230の凹部空間231を向く側面とが向かい合う位置に設けられている。
このため、蓋部材配置工程では、位置出し用枠部212と封止用枠部211との間に蓋部材を嵌め込むことで素子搭載部材210の所定の位置に蓋部材230を容易に設けることができる。
111,211 封止用枠部
212 位置出し用枠部
P 搭載パッド
G 外部接続端子
120,220 圧電振動素子
121,221 圧電片
122,222 励振電極
123,223 引き回しパターン
130,230 蓋部材
131,231 凹部空間
WT1,WT2 素子搭載部材ウエハ
D 導電性接着剤
Claims (1)
- 一方の主面に搭載パッドが設けられ他方の主面に外部接続端子が設けられている素子搭載部材となる部分がマトリクス状に設けられている素子搭載部材ウエハの前記素子搭載部材となる部分の一方の主面の縁部に沿って環状のめっき用金属層が形成されるめっき用金属層形成工程と、
めっき法により、前記素子搭載部材となる部分の前記めっき用金属層にめっき層が設けられ封止用枠部が形成される封止用枠部形成工程と、
前記素子搭載部材となる部分の前記搭載パッドに電子部品素子を搭載する素子搭載工程と、
一方の主面に凹部空間を備えた蓋部材の前記凹部空間内に前記電子部品素子を収納させる位置であって、前記封止用枠部の内縁側の側面と前記蓋部材の外縁側の側面とが向かい合う位置に前記蓋部材と配置する蓋部材配置工程と、
前記素子搭載部材となる部分の封止用枠部にレーザー光が照射され前記封止用枠部が溶融されて、前記素子搭載部材の一方の主面と前記蓋部材の外縁側の側面とが接合される接合工程と、
蓋部材が接合されている前記素子搭載部材ウエハの前記素子搭載部材となる部分ごとに切断し個片化する個片化工程と、
を備えていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
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