JP5595363B2 - 穴付き積層体の製造方法、穴付き積層体、多層基板の製造方法、下地層形成用組成物 - Google Patents
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Description
本発明は、穴付き積層体の製造方法、穴付き積層体、多層基板の製造方法、下地層形成用組成物に関する。
従来から、絶縁性基板の表面に金属パターンによる配線を形成した金属配線基板が、電子部品や半導体素子に広く用いられている。
このような金属配線基板の作製方法としては、主に、「サブトラクティブ法」が使用される。このサブトラクティブ法とは、基板表面に形成された金属層上に、活性光線の照射により感光する感光層を設け、この感光層を像様露光し、その後現像してレジスト像を形成し、次いで、金属層をエッチングして金属パターンを形成し、最後にレジスト像を剥離する方法である。
このような金属配線基板の作製方法としては、主に、「サブトラクティブ法」が使用される。このサブトラクティブ法とは、基板表面に形成された金属層上に、活性光線の照射により感光する感光層を設け、この感光層を像様露光し、その後現像してレジスト像を形成し、次いで、金属層をエッチングして金属パターンを形成し、最後にレジスト像を剥離する方法である。
この方法により得られる金属配線基板においては、基板表面に凹凸を設けることにより生じるアンカー効果によって、基板と金属層との間の密着性を発現させている。そのため、得られた金属パターンの基板界面部の凹凸に起因して、金属配線として使用する際の高周波特性が悪くなるという問題点があった。また、基板表面に凹凸化処理するためには、クロム酸などの強酸で基板表面を処理することが必要であるため、金属層と基板との密着性に優れた金属パターンを得るためには、煩雑な工程が必要であるという問題点もあった。
この問題を解決する手段として、基板上に基板と高密着性を有する被めっき層を形成し、この被めっき層に対してめっきを施して被めっき層上に金属層を形成する方法が知られている（特許文献１）。該方法によれば、基板の表面を粗面化することなく、基板と金属層との密着性を改良することができる。なお、特許文献１においては、基板と被めっき層との間に中間層（密着補助層）を設けて、金属層の密着性を高めている。
一方、近年、電子機器の高機能化等の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、更には高密度実装化が進んでいる。このような状況下、これらに使用される高密度実装対応の配線板等も小型化かつ高密度化が求められており、このような要望を満たすため多層基板では微細配線ピッチで形成された複数層の金属層（配線層）間をより高い接続信頼性で電気的に接続できることがより重要となっている。
一般的に、複数の金属層を有する多層基板を製造する際、金属層間の導通を確保するためのビアホールの形成が実施される。
本発明者らは、特許文献１で具体的に開示される基板と中間層（密着補助層）と被めっき層とを有する積層体に対して、レーザ加工により穴（ビア）の形成処理を実施したところ、形成された穴の形状精度は十分でなく、ビアの接続信頼性を損なう懸念があった。
本発明者らは、特許文献１で具体的に開示される基板と中間層（密着補助層）と被めっき層とを有する積層体に対して、レーザ加工により穴（ビア）の形成処理を実施したところ、形成された穴の形状精度は十分でなく、ビアの接続信頼性を損なう懸念があった。
また、該積層体に関しては、穴の形状精度を向上させると共に、上述したように、高い接続信頼性を確保する上でも、被めっき層上に形成される金属層の優れた密着性を担保することも必要とされる。
本発明は、上記実情を鑑みて、レーザ加工により形成される穴の形状精度が優れると共に、積層される金属層の密着性が優れる穴付き積層体の製造方法、および、該製造方法より得られる穴付き積層体を提供することを目的とする。
また、本発明は、該穴付き積層体を用いた、密着性に優れた金属層を有する多層基板の製造方法を提供することも目的とする。
さらに、本発明は、穴付き積層体の製造方法で使用される下地層形成用組成物を提供することも目的とする。
また、本発明は、該穴付き積層体を用いた、密着性に優れた金属層を有する多層基板の製造方法を提供することも目的とする。
さらに、本発明は、穴付き積層体の製造方法で使用される下地層形成用組成物を提供することも目的とする。
本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、被めっき層と基板との間に配置される下地層（密着補助層）中に、シアノ基を有する繰り返し単位を有するポリマーと所定の大きさの金属酸化物粒子を含有させることによって、レーザ加工により形成される穴の形状精度および被めっき層上に積層される金属層の密着性が大きく変わることを見出し、該知見に基づき本発明を完成するに至った。
つまり、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
つまり、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
（１） 基板上に第１の金属層と、シアノ基を有する繰り返し単位を有するポリマーおよび金属酸化物粒子を含む下地層と、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する被めっき層とをこの順に備える加工前積層体に対して、レーザ加工を施し、前記加工前積層体の前記被めっき層側の表面から前記第１の金属層表面に到達する穴を形成する穴形成工程を備え、
前記ポリマー中におけるシアノ基を有する繰り返し単位の含有量が、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０〜６０モル％であり、
前記金属酸化物粒子の粒径が５０〜２０００ｎｍであり、
前記下地層中における金属酸化物粒子の含有量が、前記ポリマーおよび前記金属酸化物粒子の合計質量に対して、２０〜６０質量％である、穴付き積層体の製造方法。
前記ポリマー中におけるシアノ基を有する繰り返し単位の含有量が、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０〜６０モル％であり、
前記金属酸化物粒子の粒径が５０〜２０００ｎｍであり、
前記下地層中における金属酸化物粒子の含有量が、前記ポリマーおよび前記金属酸化物粒子の合計質量に対して、２０〜６０質量％である、穴付き積層体の製造方法。
（２） 前記下地層中における金属酸化物粒子の含有量が２０〜５０質量％である、（１）に記載の穴付き積層体の製造方法。
（３） （１）または（２）に記載の製造方法によって得られる穴付き積層体中の前記被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、
前記めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、前記穴を介して前記第１の金属層と接触して導通する第２の金属層を前記被めっき層上に形成するめっき工程と、を備える多層基板の製造方法。
（３） （１）または（２）に記載の製造方法によって得られる穴付き積層体中の前記被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、
前記めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、前記穴を介して前記第１の金属層と接触して導通する第２の金属層を前記被めっき層上に形成するめっき工程と、を備える多層基板の製造方法。
（４） 前記めっき工程の後に、前記第２の金属層をパターン状にエッチングして、パターン状金属層を形成するパターン形成工程をさらに備える、（３）に記載の多層基板の製造方法。
（５） （３）または（４）に記載の製造方法により製造された多層基板を含有するプリント配線基板。
（５） （３）または（４）に記載の製造方法により製造された多層基板を含有するプリント配線基板。
（６） 基板上に第１の金属層と、シアノ基を有する繰り返し単位を有するポリマーおよび金属酸化物粒子を含む下地層と、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する被めっき層とをこの順に備え、
前記ポリマー中におけるシアノ基を有する繰り返し単位の含有量が、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０〜６０モル％であり、
前記金属酸化物粒子の粒径が５０〜２０００ｎｍであり、
前記下地層中における金属酸化物粒子の含有量が、前記ポリマーおよび前記金属酸化物粒子の合計質量に対して、２０〜６０質量％であり、
前記被めっき層側の表面から前記第１の金属層表面に到達する穴を有する、穴付き積層体。
前記ポリマー中におけるシアノ基を有する繰り返し単位の含有量が、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０〜６０モル％であり、
前記金属酸化物粒子の粒径が５０〜２０００ｎｍであり、
前記下地層中における金属酸化物粒子の含有量が、前記ポリマーおよび前記金属酸化物粒子の合計質量に対して、２０〜６０質量％であり、
前記被めっき層側の表面から前記第１の金属層表面に到達する穴を有する、穴付き積層体。
（７） シアノ基を有する繰り返し単位を有するポリマーと金属酸化物粒子とを含む下地層形成用組成物であって、
前記ポリマー中におけるシアノ基を有する繰り返し単位の含有量が、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０〜６０モル％であり、
前記金属酸化物粒子の粒径が５０〜２０００ｎｍであり、
前記下地層形成用組成物によって形成される前記下地層中における金属酸化物粒子の含有量が、前記ポリマーおよび前記金属酸化物粒子の合計質量に対して、２０〜６０質量％である、下地層形成用組成物。
前記ポリマー中におけるシアノ基を有する繰り返し単位の含有量が、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０〜６０モル％であり、
前記金属酸化物粒子の粒径が５０〜２０００ｎｍであり、
前記下地層形成用組成物によって形成される前記下地層中における金属酸化物粒子の含有量が、前記ポリマーおよび前記金属酸化物粒子の合計質量に対して、２０〜６０質量％である、下地層形成用組成物。
本発明によれば、レーザ加工により形成される穴の形状精度が優れると共に、積層される金属層の密着性が優れる穴付き積層体の製造方法、および、該製造方法より得られる穴付き積層体を提供することができる。
また、本発明によれば、該穴付き積層体を用いた、密着性に優れた金属層を有する多層基板の製造方法を提供することもできる。
さらに、本発明によれば、穴付き積層体の製造方法で使用される下地層形成用組成物を提供することもできる。
また、本発明によれば、該穴付き積層体を用いた、密着性に優れた金属層を有する多層基板の製造方法を提供することもできる。
さらに、本発明によれば、穴付き積層体の製造方法で使用される下地層形成用組成物を提供することもできる。
以下に、本実施形態について説明する。
本実施形態の特徴点としては、所定の層構成を有する加工前積層体中の下地層が、シアノ基を有する繰り返し単位を有するポリマーと所定の大きさの金属酸化物粒子とを含む点が挙げられる。まず、所定の官能基を有するポリマーを使用することにより、基板と被めっき層との密着性がより向上し、結果として金属層の密着性がより向上する。また、所定の大きさの金属酸化物粒子を用いることにより、レーザ加工時に下地層中で光散乱が生じ、形成される穴の形状精度が向上する。
本実施形態の特徴点としては、所定の層構成を有する加工前積層体中の下地層が、シアノ基を有する繰り返し単位を有するポリマーと所定の大きさの金属酸化物粒子とを含む点が挙げられる。まず、所定の官能基を有するポリマーを使用することにより、基板と被めっき層との密着性がより向上し、結果として金属層の密着性がより向上する。また、所定の大きさの金属酸化物粒子を用いることにより、レーザ加工時に下地層中で光散乱が生じ、形成される穴の形状精度が向上する。
＜第１の実施形態＞
本実施形態の穴付き積層体の製造方法の第１の実施形態は、所定の層構成の加工前積層体に対して、レーザ加工を施し、加工前積層体の被めっき層側の表面から第１の金属層表面に到達する穴を形成する穴形成工程を備える。
以下では、まず、本工程で使用される加工前積層体の各構成層（基板、第１の金属層、下地層、被めっき層など）について詳述し、その後穴形成工程の手順について詳述する。
本実施形態の穴付き積層体の製造方法の第１の実施形態は、所定の層構成の加工前積層体に対して、レーザ加工を施し、加工前積層体の被めっき層側の表面から第１の金属層表面に到達する穴を形成する穴形成工程を備える。
以下では、まず、本工程で使用される加工前積層体の各構成層（基板、第１の金属層、下地層、被めっき層など）について詳述し、その後穴形成工程の手順について詳述する。
＜加工前積層体＞
本工程で使用される加工前積層体について図面を参照して説明する。
図１（Ａ）は、加工前積層体の模式的断面図である。図１（Ａ）中、加工前積層体１０は、基板１２と、第１の金属層１４と、下地層１６と、被めっき層１８とをこの順で備える。
以下で、各層の構成について詳述する。
本工程で使用される加工前積層体について図面を参照して説明する。
図１（Ａ）は、加工前積層体の模式的断面図である。図１（Ａ）中、加工前積層体１０は、基板１２と、第１の金属層１４と、下地層１６と、被めっき層１８とをこの順で備える。
以下で、各層の構成について詳述する。
［基板］
基板１２は、後述する各層を支持するための部材であり、従来知られているいずれの基板（例えば、絶縁性基板。より具体的には、樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板）を使用することができる。
より具体的には、ガラスエポキシ材、ＢＴレジン、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、液晶フィルム、アラミドなどが挙げられる。なかでも、寸法安定性や耐熱性など、熱的または機械的特性の観点から、ガラスエポキシ材、ＢＴレジンが好ましい。
基板１２は、後述する各層を支持するための部材であり、従来知られているいずれの基板（例えば、絶縁性基板。より具体的には、樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板）を使用することができる。
より具体的には、ガラスエポキシ材、ＢＴレジン、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、液晶フィルム、アラミドなどが挙げられる。なかでも、寸法安定性や耐熱性など、熱的または機械的特性の観点から、ガラスエポキシ材、ＢＴレジンが好ましい。
［第１の金属層］
第１の金属層１４は、上記基板１２上に設けられる金属の層である。該第１の金属層１４は、主に配線基板において金属配線として機能する。該第１の金属層１４は、図１（Ａ）に示すようにパターン状に設けられていてもよいし、基板１２の全面に設けられていてもよい。なお、第１の金属層１４をパターン状にするためには、公知の方法（サブトラクティブ法、セミアディティブ法など）が使用できる。
また、図１（Ａ）においては、基板１２の片面にだけ第１の金属層１４が配置されているが、基板１２の両面に第１の金属層１４が配置されていてもよい。
第１の金属層１４は、上記基板１２上に設けられる金属の層である。該第１の金属層１４は、主に配線基板において金属配線として機能する。該第１の金属層１４は、図１（Ａ）に示すようにパターン状に設けられていてもよいし、基板１２の全面に設けられていてもよい。なお、第１の金属層１４をパターン状にするためには、公知の方法（サブトラクティブ法、セミアディティブ法など）が使用できる。
また、図１（Ａ）においては、基板１２の片面にだけ第１の金属層１４が配置されているが、基板１２の両面に第１の金属層１４が配置されていてもよい。
第１の金属層１４を構成する金属の種類は特に制限されないが、例えば、銅、銀、錫、ニッケル、金などが挙げられる。
第１の金属層１４の厚みは特に制限されないが、多層基板への応用の点から、４〜５０μｍ程度であることが好ましい。
第１の金属層１４の厚みは特に制限されないが、多層基板への応用の点から、４〜５０μｍ程度であることが好ましい。
［下地層（プライマー層）］
下地層１６は、基板１２（または、後述する絶縁層３０）と被めっき層２０との間の密着性向上のために設けられる層（好ましくは絶縁層）である。該下地層１６中には、少なくともシアノ基を有する繰り返し単位を有するポリマーと金属酸化物粒子とが含まれる。
以下では、まず、下地層１６を構成する材料（ポリマー、金属酸化物粒子など）について詳述し、その後下地層１６の形成方法について詳述する。
下地層１６は、基板１２（または、後述する絶縁層３０）と被めっき層２０との間の密着性向上のために設けられる層（好ましくは絶縁層）である。該下地層１６中には、少なくともシアノ基を有する繰り返し単位を有するポリマーと金属酸化物粒子とが含まれる。
以下では、まず、下地層１６を構成する材料（ポリマー、金属酸化物粒子など）について詳述し、その後下地層１６の形成方法について詳述する。
（シアノ基を有する繰り返し単位を有するポリマー）
下地層１６に含まれるポリマーは、シアノ基（−ＣＮ）を有する繰り返し単位を有する。
ポリマー中におけるシアノ基を有する繰り返し単位の含有量は、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０〜６０モル％である。上記範囲内であれば、レーザ加工時の穴の形状精度に優れると共に、金属層の密着性に優れる。なかでも、金属層の密着性がより優れる点で、シアノ基を有する繰り返し単位の含有量は、１５〜５５モル％であることが好ましく、２５〜５５モル％であることがより好ましい。
下地層１６に含まれるポリマーは、シアノ基（−ＣＮ）を有する繰り返し単位を有する。
ポリマー中におけるシアノ基を有する繰り返し単位の含有量は、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０〜６０モル％である。上記範囲内であれば、レーザ加工時の穴の形状精度に優れると共に、金属層の密着性に優れる。なかでも、金属層の密着性がより優れる点で、シアノ基を有する繰り返し単位の含有量は、１５〜５５モル％であることが好ましく、２５〜５５モル％であることがより好ましい。
シアノ基を有する繰り返し単位はシアノ基を有していれば特にその構造は限定されないが、ポリマーの合成が容易で、金属膜の密着性がより優れる点で、以下の式（１）で表される繰り返し単位であることが好ましい。
式（１）中、Ｒ7は、水素原子、または、置換若しくは無置換のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基）を表す。
式（１）中、Ｌ4は、単結合、または、置換若しく無置換の二価の有機基を表す。二価の有機基としては、置換若しくは無置換の二価の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜８。例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基などのアルキレン基）、置換若しくは無置換の二価の芳香族炭化水素基（好ましくは炭素数６〜１２。例えば、フェニレン基）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−Ｎ(Ｒ)−（Ｒ：アルキル基）、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、またはこれらを組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など）などが挙げられる。なかでも、金属層の密着性がより優れる点で、単結合がより好ましい。
式（１）中、Ｌ4は、単結合、または、置換若しく無置換の二価の有機基を表す。二価の有機基としては、置換若しくは無置換の二価の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜８。例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基などのアルキレン基）、置換若しくは無置換の二価の芳香族炭化水素基（好ましくは炭素数６〜１２。例えば、フェニレン基）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−Ｎ(Ｒ)−（Ｒ：アルキル基）、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、またはこれらを組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など）などが挙げられる。なかでも、金属層の密着性がより優れる点で、単結合がより好ましい。
また、ポリマー中には上記シアノ基を有する繰り返し単位以外の繰り返し単位が含まれていてもよい。
例えば、芳香族ビニル単量体（例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ジビニルベンゼンなど）、共役ジエン単量体（例えば、１，３−ブタジエン、イソプレン、２−エチル−１，３−ブタジエン、２−ｎ−プロピル−１，３−ブタジエン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエンなど）、アミド基含有（メタ）アクリル単量体（例えば、アクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ−（メタ）アクリロイルモルホリン、Ｎ−ビニル−２−ピロリドンなど）、不飽和カルボン酸単量体（例えば、フマル酸、マレイン酸、アクリル酸、メタクリル酸など）、またはその他単量体（例えば、エチレン、プロピレン、塩化ビニル、塩化ビニリデン、酢酸ビニル、エチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテルなど）由来の繰り返し単位を有していてもよい。
なかでも、金属膜の密着性がより優れる点で、ポリマーが共役ジエン単量体（特に、ブタジエンが好ましい）由来の繰り返し単位を有することが好ましい。
例えば、芳香族ビニル単量体（例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ジビニルベンゼンなど）、共役ジエン単量体（例えば、１，３−ブタジエン、イソプレン、２−エチル−１，３−ブタジエン、２−ｎ−プロピル−１，３−ブタジエン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエンなど）、アミド基含有（メタ）アクリル単量体（例えば、アクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ−（メタ）アクリロイルモルホリン、Ｎ−ビニル−２−ピロリドンなど）、不飽和カルボン酸単量体（例えば、フマル酸、マレイン酸、アクリル酸、メタクリル酸など）、またはその他単量体（例えば、エチレン、プロピレン、塩化ビニル、塩化ビニリデン、酢酸ビニル、エチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテルなど）由来の繰り返し単位を有していてもよい。
なかでも、金属膜の密着性がより優れる点で、ポリマーが共役ジエン単量体（特に、ブタジエンが好ましい）由来の繰り返し単位を有することが好ましい。
具体的には、例えば、以下に示すようなモノマー由来のユニットが挙げられる。以下式中、Ｒは水素原子またはメチル基を表し、Ｘは−Ｏ−または−ＮＨ−を表す。
ポリマーの重量平均分子量は特に制限されないが、成膜性がより優れる点から、１０００〜７０万が好ましく、２０００〜２０万がより好ましい。
ポリマーの具体例としては、例えば、ニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）、カルボキシル基含有ニトリルゴム（ＸＮＢＲ）、アクリロニトリル-ブタジエン-イソプレンゴム（ＮＢＩＲ）、ニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）などが挙げられる。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、ＮＢＲが好ましい。
下地層１６中におけるポリマーの含有量は特に制限されないが、レーザ加工によって形成される穴の形状精度に優れると共に、被めっき層１８上に積層される第２の金属層２６の密着性に優れる点より、下地層全質量に対して、３５〜８０質量％が好ましく、４５〜８０質量％がより好ましい。
（金属酸化物粒子）
下地層１６中に含有される金属酸化物粒子の粒径（直径）は、５０〜２０００ｎｍである。該範囲内であれば、レーザ加工によって形成される穴の形状精度に優れると共に、被めっき層１８上に積層される第２の金属層２６の密着性に優れる。なかでも、穴の形状精度または金属層の密着性がより優れる点で、５０〜１０００ｎｍが好ましく、５０〜５００ｎｍがより好ましい。
金属酸化物粒子の粒径が５０ｎｍ未満の場合、レーザ加工によって形成される穴の形状精度に劣る。金属酸化物粒子の粒径が２０００ｎｍ超の場合、形成される第２の金属層２６の密着性に劣る。
下地層１６中に含有される金属酸化物粒子の粒径（直径）は、５０〜２０００ｎｍである。該範囲内であれば、レーザ加工によって形成される穴の形状精度に優れると共に、被めっき層１８上に積層される第２の金属層２６の密着性に優れる。なかでも、穴の形状精度または金属層の密着性がより優れる点で、５０〜１０００ｎｍが好ましく、５０〜５００ｎｍがより好ましい。
金属酸化物粒子の粒径が５０ｎｍ未満の場合、レーザ加工によって形成される穴の形状精度に劣る。金属酸化物粒子の粒径が２０００ｎｍ超の場合、形成される第２の金属層２６の密着性に劣る。
また、上記金属酸化物粒子の粒径の測定方法は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による観察によって少なくとも１００個以上の金属酸化物粒子の粒径を測定し、それらを算術平均して粒径を求める。金属酸化物粒子の形状が円状でない場合（例えば、楕円状の場合）、その長径を粒径とする。
下地層１６中における金属酸化物粒子の含有量は、ポリマーおよび金属酸化物粒子の合計質量に対して、２０〜６０質量％である。該範囲内であれば、レーザ加工によって形成される穴の形状精度に優れると共に、被めっき層１８上に積層される第２の金属層２６の密着性に優れる。なかでも、穴の形状精度または金属層の密着性がより優れる点で、２０〜５０質量％が好ましく、３０〜５０質量％がより好ましい。
金属酸化物粒子の含有量が２０質量％未満の場合、レーザ加工によって形成される穴の形状精度に劣る。金属酸化物粒子の含有量が６０質量％超の場合、形成される第２の金属層２６の密着性に劣る。
金属酸化物粒子の含有量が２０質量％未満の場合、レーザ加工によって形成される穴の形状精度に劣る。金属酸化物粒子の含有量が６０質量％超の場合、形成される第２の金属層２６の密着性に劣る。
金属酸化物粒子の種類は特に制限されないが、例えば、周期律表４Ａ元素、５Ａ元素、３Ｂ元素、および４Ｂ元素からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む金属酸化物粒子が挙げられる。なかでも、安価に入手できるものとして、ケイ素、アルミニウム、およびチタンからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む金属酸化物粒子が挙げられる。
なお、金属酸化物粒子の具体例としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化珪素、酸化鉛、酸化タングステン、酸化錫、酸化インジウム、酸化ニオブ、酸化カドミウム、酸化ビスマス、酸化アルミニウム、酸化ガリウム（III)、酸化第一鉄などが挙げられる。
なお、金属酸化物粒子の具体例としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化珪素、酸化鉛、酸化タングステン、酸化錫、酸化インジウム、酸化ニオブ、酸化カドミウム、酸化ビスマス、酸化アルミニウム、酸化ガリウム（III)、酸化第一鉄などが挙げられる。
（下地層の形成方法）
下地層１６の形成方法は特に制限されず、公知の方法を使用できる。例えば、上記ポリマーと上記金属酸化物粒子とを含む下地層形成用組成物を金属層１４付き基板１２上に塗布して、下地層１６を形成する方法（塗布方法）や、金属酸化物粒子を含有するポリマー組成物を金属層１４付き基板１２上に直接ラミネートする方法などが挙げられる。下地層１６の膜厚の制御がより容易である点より、塗布方法が好ましい。
下地層１６の形成方法は特に制限されず、公知の方法を使用できる。例えば、上記ポリマーと上記金属酸化物粒子とを含む下地層形成用組成物を金属層１４付き基板１２上に塗布して、下地層１６を形成する方法（塗布方法）や、金属酸化物粒子を含有するポリマー組成物を金属層１４付き基板１２上に直接ラミネートする方法などが挙げられる。下地層１６の膜厚の制御がより容易である点より、塗布方法が好ましい。
塗布方法を実施する際には、公知の塗布の手法（例えば、スピンコート、ディップコートなど）が使用できる。
下地層形成用組成物を使用する場合、必要に応じて、該組成物に溶媒を含有させてもよい。使用される溶媒としては、ポリマーおよび金属酸化物粒子を溶解・分散させることができればよく、例えば、ケトン系溶剤（例えば、シクロペンタノンなど）が挙げられる。
なお、必要に応じて、金属酸化物粒子を分散させるために、公知の界面活性剤（分散剤）を使用してもよい。
下地層形成用組成物を使用する場合、必要に応じて、該組成物に溶媒を含有させてもよい。使用される溶媒としては、ポリマーおよび金属酸化物粒子を溶解・分散させることができればよく、例えば、ケトン系溶剤（例えば、シクロペンタノンなど）が挙げられる。
なお、必要に応じて、金属酸化物粒子を分散させるために、公知の界面活性剤（分散剤）を使用してもよい。
なお、必要に応じて、塗布後に加熱処理を施して、溶媒の除去や下地層の硬化を行ってもよい。
下地層１６の厚みは特に制限されないが、穴の形状精度または金属層の密着性がより優れる点で、０．１〜４０μｍが好ましく、０．１〜２０μｍがより好ましい。
［被めっき層］
被めっき層１８は、上記下地層１６上に設けられ、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基（以後、適宜相互作用性基とも称する）を有する層である。
被めっき層１８は、含有されるめっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基の機能に応じて、後述するめっき触媒またはその前駆体を効率よく吸着する。つまり、被めっき層１８は、めっき触媒（またはその前駆体）の良好な受容層として機能する。その結果、被めっき層１８の表面に形成される、後述する第２の金属層２６との優れた密着性が得られる。
被めっき層１８は、上記下地層１６上に設けられ、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基（以後、適宜相互作用性基とも称する）を有する層である。
被めっき層１８は、含有されるめっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基の機能に応じて、後述するめっき触媒またはその前駆体を効率よく吸着する。つまり、被めっき層１８は、めっき触媒（またはその前駆体）の良好な受容層として機能する。その結果、被めっき層１８の表面に形成される、後述する第２の金属層２６との優れた密着性が得られる。
相互作用性基は、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基であり、めっき触媒またはその前駆体と静電相互作用を形成可能な官能基、あるいは、めっき触媒またはその前駆体と配位形成可能な含窒素官能基、含硫黄官能基、含酸素官能基などを使用することができる。相互作用性基としては、例えば、非解離性官能基（解離によりプロトンを生成しない官能基）なども挙げられる。
相互作用性基としてより具体的には、アミノ基、アミド基、イミド基、ウレア基、３級のアミノ基、アンモニウム基、アミジノ基、トリアジン環、トリアゾール環、ベンゾトリアゾール基、イミダゾール基、ベンズイミダゾール基、キノリン基、ピリジン基、ピリミジン基、ピラジン基、ナゾリン基、キノキサリン基、プリン基、トリアジン基、ピペリジン基、ピペラジン基、ピロリジン基、ピラゾール基、アニリン基、アルキルアミン構造を含む基、イソシアヌル構造を含む基、ニトロ基、ニトロソ基、アゾ基、ジアゾ基、アジド基、シアノ基、シアネート基（Ｒ−Ｏ−ＣＮ）などの含窒素官能基；エーテル基、水酸基、フェノール性水酸基、カルボキシル基、カーボネート基、カルボニル基、エステル基、Ｎ−オキシド構造を含む基、Ｓ−オキシド構造を含む基、Ｎ−ヒドロキシ構造を含む基などの含酸素官能基；チオフェン基、チオール基、チオウレア基、チオシアヌール酸基、ベンズチアゾール基、メルカプトトリアジン基、チオエーテル基、チオキシ基、スルホキシド基、スルホン基、サルファイト基、スルホキシイミン構造を含む基、スルホキシニウム塩構造を含む基、スルホン酸基、スルホン酸エステル構造を含む基などの含硫黄官能基；ホスフォート基、ホスフォロアミド基、ホスフィン基、リン酸エステル構造を含む基などの含リン官能基；塩素、臭素などのハロゲン原子を含む基などが挙げられ、塩構造をとりうる官能基においてはそれらの塩も使用することができる。
なかでも、極性が高く、めっき触媒またはその前駆体などへの吸着能が高いことから、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、およびボロン酸基などのイオン性極性基や、エーテル基、またはシアノ基が特に好ましく、カルボキシル基またはシアノ基がさらに好ましい。なお、これらの基は２種以上含まれていてもよい。
なかでも、極性が高く、めっき触媒またはその前駆体などへの吸着能が高いことから、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、およびボロン酸基などのイオン性極性基や、エーテル基、またはシアノ基が特に好ましく、カルボキシル基またはシアノ基がさらに好ましい。なお、これらの基は２種以上含まれていてもよい。
被めっき層１８を構成する材料は特に制限されず、例えば、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂などの絶縁性樹脂が挙げられる。これらの材料に上記相互作用性基が含まれていればよい。
より具体的には、熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、イソシアネート樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等が挙げられる。
より具体的には、熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、イソシアネート樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等が挙げられる。
被めっき層１８の厚みは特に制限されないが、第２の金属層２６の密着性がより優れる点から、０．０２〜５．０μｍが好ましく、０．０５〜２．０μｍがより好ましい。
被めっき層１８の形成方法は特に制限されず、塗布法、転写法、印刷法などの公知の層形成方法が使用される。
具体的には、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有するポリマーを下地層１６上にラミネートしてもよい。また、該ポリマーを含有する組成物（以後、適宜被めっき層形成用組成物とも称する）を用いて形成してもよい。該組成物を使用する場合、使用する基板を被めっき層形成用組成物中に浸漬して、または、被めっき層形成用組成物を下地層１６上に塗布して、必要に応じて加熱処理または露光処理を行い、被めっき層１８を下地層１６上に形成する方法が挙げられる。
具体的には、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有するポリマーを下地層１６上にラミネートしてもよい。また、該ポリマーを含有する組成物（以後、適宜被めっき層形成用組成物とも称する）を用いて形成してもよい。該組成物を使用する場合、使用する基板を被めっき層形成用組成物中に浸漬して、または、被めっき層形成用組成物を下地層１６上に塗布して、必要に応じて加熱処理または露光処理を行い、被めっき層１８を下地層１６上に形成する方法が挙げられる。
（被めっき層形成方法の好適態様）
なかでも、被めっき層１８の形成方法の好適な態様としては、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基と重合性基を有するポリマーを含有する被めっき層形成用組成物を用いて、下地層１６上に該ポリマーを含む層を形成し、該ポリマーを含む層にエネルギーを付与して、被めっき層１８を形成する方法が挙げられる。該態様であれば、被めっき層１８と下地層１６との間で化学結合などが生じやすく、両者の密着性がより向上し、結果として第２の金属層２６の密着性がより優れる。
まず、該態様で使用される材料（ポリマー、被めっき層形成用組成物など）について詳述し、その後該態様の手順について説明する。
なかでも、被めっき層１８の形成方法の好適な態様としては、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基と重合性基を有するポリマーを含有する被めっき層形成用組成物を用いて、下地層１６上に該ポリマーを含む層を形成し、該ポリマーを含む層にエネルギーを付与して、被めっき層１８を形成する方法が挙げられる。該態様であれば、被めっき層１８と下地層１６との間で化学結合などが生じやすく、両者の密着性がより向上し、結果として第２の金属層２６の密着性がより優れる。
まず、該態様で使用される材料（ポリマー、被めっき層形成用組成物など）について詳述し、その後該態様の手順について説明する。
（ポリマー）
使用されるポリマーは、相互作用性基と重合性基を有する。
相互作用性基については、上述の通りである。
使用されるポリマーは、相互作用性基と重合性基を有する。
相互作用性基については、上述の通りである。
重合性基は、エネルギー付与により、ポリマー同士、または、ポリマーと下地層１６との間に化学結合を形成しうる官能基であり、例えば、ラジカル重合性基、カチオン重合性基などが挙げられる。なかでも、反応性の観点から、ラジカル重合性基が好ましい。ラジカル重合性基としては、例えば、アクリル酸エステル基（アクリロイルオキシ基）、メタクリル酸エステル基（メタクリロイルオキシ基）、イタコン酸エステル基、クロトン酸エステル基、イソクロトン酸エステル基、マレイン酸エステル基などの不飽和カルボン酸エステル基、スチリル基、ビニル基、アクリルアミド基、メタクリルアミド基などが挙げられる。なかでも、メタクリル酸エステル基、アクリル酸エステル基、ビニル基、スチリル基、アクリルアミド基、メタクリルアミド基が好ましく、メタクリル酸エステル基、アクリル酸エステル基、スチリル基がより好ましい。
ポリマーの重量平均分子量は特に制限されないが、溶解性など取扱い性がより優れる点で、１０００以上７０万以下が好ましく、更に好ましくは２０００以上２０万以下である。特に、重合感度の観点から、２００００以上であることが好ましい。
このような重合性基および相互作用性基を有するポリマーの合成方法は特に制限されず、公知の合成方法（特許公開２００９−２８０９０５号の段落［００９７］〜［０１２５］参照）が使用される。
（ポリマーの好適態様１）
ポリマーの第１の好ましい態様として、下記式（ａ）で表される重合性基を有するユニット（以下、適宜重合性基ユニットとも称する）、および、下記式（ｂ）で表される相互作用性基を有するユニット（以下、適宜相互作用性基ユニットとも称する）を含む共重合体が挙げられる。なお、ユニットとは繰り返し単位を意味する。
ポリマーの第１の好ましい態様として、下記式（ａ）で表される重合性基を有するユニット（以下、適宜重合性基ユニットとも称する）、および、下記式（ｂ）で表される相互作用性基を有するユニット（以下、適宜相互作用性基ユニットとも称する）を含む共重合体が挙げられる。なお、ユニットとは繰り返し単位を意味する。
上記式（ａ）および式（ｂ）中、Ｒ1〜Ｒ5は、それぞれ独立して、水素原子、または置換若しくは無置換のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基など）を表す。なお、置換基は特に制限されないが、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、またはフッ素原子などが挙げられる。
なお、Ｒ1としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。Ｒ2としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。Ｒ3としては、水素原子が好ましい。Ｒ4としては、水素原子が好ましい。Ｒ5としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。
なお、Ｒ1としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。Ｒ2としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。Ｒ3としては、水素原子が好ましい。Ｒ4としては、水素原子が好ましい。Ｒ5としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。
上記式（ａ）および式（ｂ）中、Ｘ、Ｙ、およびＺは、それぞれ独立して、単結合、または、置換若しく無置換の二価の有機基を表す。二価の有機基としては、置換若しくは無置換の二価の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜８。例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基などのアルキレン基）、置換若しくは無置換の二価の芳香族炭化水素基（好ましくは炭素数６〜１２。例えば、フェニレン基）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−Ｎ(Ｒ)−（Ｒ：アルキル基）、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、またはこれらを組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など）などが挙げられる。
Ｘ、Ｙ、およびＺとしては、ポリマーの合成が容易で、被めっき層の機能（触媒吸着性、加水分解耐性）が優れ、金属層の密着性がより優れる点で、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、エーテル基（−Ｏ−）、または置換若しくは無置換の二価の芳香族炭化水素基が好ましく、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）がより好ましい。
上記式（ａ）および式（ｂ）中、Ｌ1およびＬ2は、それぞれ独立して、単結合、または、置換若しくは無置換の二価の有機基を表す。二価の有機基の定義としては、上述したＸ、Ｙ、およびＺで述べた二価の有機基と同義である。
Ｌ1としては、ポリマーの合成が容易で、被めっき層の機能（触媒吸着性、加水分解耐性）が優れ、金属層の密着性がより優れる点で、脂肪族炭化水素基、または、ウレタン結合若しくはウレア結合を有する二価の有機基（例えば、脂肪族炭化水素基）が好ましく、なかでも、総炭素数１〜９であるものが好ましい。なお、ここで、Ｌ1の総炭素数とは、Ｌ1で表される置換または無置換の二価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。
Ｌ1としては、ポリマーの合成が容易で、被めっき層の機能（触媒吸着性、加水分解耐性）が優れ、金属層の密着性がより優れる点で、脂肪族炭化水素基、または、ウレタン結合若しくはウレア結合を有する二価の有機基（例えば、脂肪族炭化水素基）が好ましく、なかでも、総炭素数１〜９であるものが好ましい。なお、ここで、Ｌ1の総炭素数とは、Ｌ1で表される置換または無置換の二価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。
また、Ｌ2は、ポリマーの合成が容易で、被めっき層の機能（触媒吸着性、加水分解耐性）が優れ、金属層の密着性がより優れる点で、単結合、または、二価の脂肪族炭化水素基、二価の芳香族炭化水素基、もしくはこれらを組み合わせた基であることが好ましい。なかでも、Ｌ2は、単結合、または、総炭素数が１〜１５であることが好ましく、特に無置換であることが好ましい。なお、ここで、Ｌ2の総炭素数とは、Ｌ2で表される置換または無置換の二価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。
上記式（ｂ）中、Ｗは、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を表す。該官能基の定義は、上述の相互作用性基の定義と同じである。
上記重合性基ユニットは、ポリマー中の全ユニットに対して、５〜５０モル％で含まれることが好ましく、更に好ましくは５〜４０モル％である。５モル％未満では反応性（硬化性、重合性）が落ちる場合があり、５０モル％超では合成の際にゲル化しやすく合成しにくい。
また、上記相互作用性基ユニットは、めっき触媒またはその前駆体に対する吸着性の観点から、ポリマー中の全ユニットに対して、５〜９５モル％で含まれることが好ましく、更に好ましくは１０〜９５モル％である。
また、上記相互作用性基ユニットは、めっき触媒またはその前駆体に対する吸着性の観点から、ポリマー中の全ユニットに対して、５〜９５モル％で含まれることが好ましく、更に好ましくは１０〜９５モル％である。
（ポリマーの好適態様２）
ポリマーの第２の好ましい態様としては、下記式（Ａ）、式（Ｂ）、および式（Ｃ）で表されるユニットを含む共重合体が挙げられる
ポリマーの第２の好ましい態様としては、下記式（Ａ）、式（Ｂ）、および式（Ｃ）で表されるユニットを含む共重合体が挙げられる
式（Ａ）で表されるユニットは上記式（ａ）で表されるユニットと同じであり、各基の説明も同じである。
式（Ｂ）で表されるユニット中のＲ5、ＸおよびＬ2は、上記式（ｂ）で表されるユニット中のＲ5、ＸおよびＬ2と同じであり、各基の説明も同じである。
式（Ｂ）中のＷａは、後述するＶで表される親水性基またはその前駆体基を除くめっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を表す。なかでも、シアノ基、エーテル基が好ましい。
式（Ｂ）で表されるユニット中のＲ5、ＸおよびＬ2は、上記式（ｂ）で表されるユニット中のＲ5、ＸおよびＬ2と同じであり、各基の説明も同じである。
式（Ｂ）中のＷａは、後述するＶで表される親水性基またはその前駆体基を除くめっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を表す。なかでも、シアノ基、エーテル基が好ましい。
式（Ｃ）中、Ｒ6は、それぞれ独立して、水素原子、または置換若しくは無置換のアルキル基を表す。
式（Ｃ）中、Ｕは、単結合、または、置換若しく無置換の二価の有機基を表す。二価の有機基の定義は、上述したＸ、ＹおよびＺで表される二価の有機基と同義である。Ｕとしては、ポリマーの合成が容易で、被めっき層の機能（触媒吸着性、加水分解耐性）が優れ、金属層の密着性がより優れる点で、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、エーテル基（−Ｏ−）、または置換若しくは無置換の二価の芳香族炭化水素基が好ましい。
式（Ｃ）中、Ｌ3は、単結合、または、置換若しく無置換の二価の有機基を表す。二価の有機基の定義は、上述したＬ1およびＬ2で表される二価の有機基と同義である。Ｌ3としては、ポリマーの合成が容易で、被めっき層の機能（触媒吸着性、加水分解耐性）が優れ、金属層の密着性がより優れる点で、単結合、または、二価の脂肪族炭化水素基、二価の芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基であることが好ましい。
式（Ｃ）中、Ｕは、単結合、または、置換若しく無置換の二価の有機基を表す。二価の有機基の定義は、上述したＸ、ＹおよびＺで表される二価の有機基と同義である。Ｕとしては、ポリマーの合成が容易で、被めっき層の機能（触媒吸着性、加水分解耐性）が優れ、金属層の密着性がより優れる点で、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、エーテル基（−Ｏ−）、または置換若しくは無置換の二価の芳香族炭化水素基が好ましい。
式（Ｃ）中、Ｌ3は、単結合、または、置換若しく無置換の二価の有機基を表す。二価の有機基の定義は、上述したＬ1およびＬ2で表される二価の有機基と同義である。Ｌ3としては、ポリマーの合成が容易で、被めっき層の機能（触媒吸着性、加水分解耐性）が優れ、金属層の密着性がより優れる点で、単結合、または、二価の脂肪族炭化水素基、二価の芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基であることが好ましい。
式（Ｃ）中、Ｖは親水性基またはその前駆体基を表す。親水性基とは親水性を示す基であれば特に限定されず、例えば、水酸基、カルボン酸基などが挙げられる。また、親水性基の前駆体基とは、所定の処理（例えば、酸またはアルカリにより処理）により親水性基を生じる基を意味し、例えば、ＴＨＰ（２−テトラヒドロピラニル基）で保護したカルボキシ基などが挙げられる。
親水性基としては、被めっき層が各種水性処理液やめっき液と濡れ易くなる点から、イオン性極性基であることが好ましい。イオン性極性基としては、具体的には、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、ボロン酸基が挙げられる。中でも、適度な酸性（他の官能基を分解しない）という点から、カルボン酸基が好ましい。
親水性基としては、被めっき層が各種水性処理液やめっき液と濡れ易くなる点から、イオン性極性基であることが好ましい。イオン性極性基としては、具体的には、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、ボロン酸基が挙げられる。中でも、適度な酸性（他の官能基を分解しない）という点から、カルボン酸基が好ましい。
上記ポリマーの第２の好ましい態様における各ユニットの好ましい含有量は、以下の通りである。
式（Ａ）で表されるユニットは、反応性（硬化性、重合性）および合成の際のゲル化の抑制の点から、ポリマー中の全ユニットに対して、５〜５０モル％で含まれることが好ましく、更に好ましくは５〜３０モル％である。
式（Ｂ）で表されるユニットは、めっき触媒またはその前駆体に対する吸着性の観点から、ポリマー中の全ユニットに対して、５〜７５モル％で含まれることが好ましく、更に好ましくは１０〜７０モル％である。
式（Ｃ）で表されるユニットは、水溶液による現像性と耐湿密着性の点から、ポリマー中の全ユニットに対して、１０〜７０モル％で含まれることが好ましく、更に好ましくは２０〜６０モル％であり、特に好ましくは３０〜５０モル％である。
式（Ａ）で表されるユニットは、反応性（硬化性、重合性）および合成の際のゲル化の抑制の点から、ポリマー中の全ユニットに対して、５〜５０モル％で含まれることが好ましく、更に好ましくは５〜３０モル％である。
式（Ｂ）で表されるユニットは、めっき触媒またはその前駆体に対する吸着性の観点から、ポリマー中の全ユニットに対して、５〜７５モル％で含まれることが好ましく、更に好ましくは１０〜７０モル％である。
式（Ｃ）で表されるユニットは、水溶液による現像性と耐湿密着性の点から、ポリマー中の全ユニットに対して、１０〜７０モル％で含まれることが好ましく、更に好ましくは２０〜６０モル％であり、特に好ましくは３０〜５０モル％である。
上記ポリマーの具体例としては、例えば、特開２００９−００７５４０号公報の段落［０１０６］〜［０１１２］に記載のポリマー、特開２００６−１３５２７１号公報の段落［００６５］〜［００７０］に記載のポリマー、ＵＳ２０１０−０８０９６４号の段落［００３０］〜［０１０８］に記載のポリマーなどが挙げられる。
該ポリマーは、公知の方法（例えば、上記で列挙された文献中の方法）により製造することができる。
該ポリマーは、公知の方法（例えば、上記で列挙された文献中の方法）により製造することができる。
（被めっき層形成用組成物）
被めっき層形成用組成物には上記ポリマーが含有される。
被めっき層形成用組成物中のポリマーの含有量は特に制限されないが、組成物全量に対して、２〜５０質量％が好ましく、５〜３０質量％がより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の取扱い性に優れ、被めっき層の層厚の制御がしやすい。
被めっき層形成用組成物には上記ポリマーが含有される。
被めっき層形成用組成物中のポリマーの含有量は特に制限されないが、組成物全量に対して、２〜５０質量％が好ましく、５〜３０質量％がより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の取扱い性に優れ、被めっき層の層厚の制御がしやすい。
被めっき層形成用組成物には、取扱い性の点から、溶剤が含まれることが好ましい。
使用できる溶剤は特に限定されず、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、１−メトキシ−２−プロパノール、グリセリン、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのアルコール系溶剤、酢酸などの酸、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶剤、ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどのアミド系溶剤、アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル系溶剤、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル系溶剤、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネートなどのカーボネート系溶剤、この他にも、エーテル系溶剤、グリコール系溶剤、アミン系溶剤、チオール系溶剤、ハロゲン系溶剤などが挙げられる。
この中でも、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、ケトン系溶剤、ニトリル系溶剤、カーボネート系溶剤が好ましい。
使用できる溶剤は特に限定されず、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、１−メトキシ−２−プロパノール、グリセリン、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのアルコール系溶剤、酢酸などの酸、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶剤、ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどのアミド系溶剤、アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル系溶剤、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル系溶剤、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネートなどのカーボネート系溶剤、この他にも、エーテル系溶剤、グリコール系溶剤、アミン系溶剤、チオール系溶剤、ハロゲン系溶剤などが挙げられる。
この中でも、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、ケトン系溶剤、ニトリル系溶剤、カーボネート系溶剤が好ましい。
被めっき層形成用組成物中の溶剤の含有量は特に制限されないが、組成物全量に対して、５０〜９８質量％が好ましく、７０〜９５質量％がより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の取扱い性に優れ、被めっき層の層厚の制御などがしやすい。
被めっき層形成用組成物には、必要に応じて、重合開始剤（熱重合開始剤、光重合開始剤）を加えてもよい。
（被めっき層の形成手順）
上述した被めっき層形成用組成物を用いて下地層１６上にポリマーを含む層を形成する方法は特に制限されず、該被めっき層形成層組成物を公知の方法（例えば、スピンコート、ダイコート、ディップコートなど）で下地層１６上に塗布する方法などが挙げられる。
取り扱い性や製造効率の観点からは、被めっき層形成用組成物を下地層１６上に塗布・乾燥させて、残存する溶媒を除去して、ポリマーを含む層を形成する態様が好ましい。
上述した被めっき層形成用組成物を用いて下地層１６上にポリマーを含む層を形成する方法は特に制限されず、該被めっき層形成層組成物を公知の方法（例えば、スピンコート、ダイコート、ディップコートなど）で下地層１６上に塗布する方法などが挙げられる。
取り扱い性や製造効率の観点からは、被めっき層形成用組成物を下地層１６上に塗布・乾燥させて、残存する溶媒を除去して、ポリマーを含む層を形成する態様が好ましい。
被めっき層形成用組成物の塗布量は、めっき触媒またはその前駆体との充分な相互作用形成性の観点から、固形分換算で０．１〜１０ｇ／ｍ2が好ましく、特に０．５〜５ｇ／ｍ2が好ましい。
下地層１６上のポリマーを含む層にエネルギー付与する方法は特に制限されないが、例えば、加熱処理や露光処理が好ましく、処理が短時間で終わる点より、露光処理が好ましい。
露光処理には、ＵＶランプ、可視光線などによる光照射等が用いられる。光源としては、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯、等がある。放射線としては、電子線、Ｘ線、イオンビーム、遠赤外線などもある。
露光時間としては、ポリマーの反応性および光源により異なるが、通常、１０秒〜５時間の間である。露光エネルギーとしては、１０〜８０００ｍＪ程度であればよく、好ましくは１００〜７０００ｍＪの範囲である。
露光処理には、ＵＶランプ、可視光線などによる光照射等が用いられる。光源としては、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯、等がある。放射線としては、電子線、Ｘ線、イオンビーム、遠赤外線などもある。
露光時間としては、ポリマーの反応性および光源により異なるが、通常、１０秒〜５時間の間である。露光エネルギーとしては、１０〜８０００ｍＪ程度であればよく、好ましくは１００〜７０００ｍＪの範囲である。
なお、エネルギー付与として加熱処理を用いる場合、送風乾燥機、オーブン、赤外線乾燥機、加熱ドラムなどを用いることができる。
＜穴形成工程＞
次に、上述した加工前積層体に対して実施される穴形成の処理の手順について詳述する。
穴形成工程は、上述した加工前積層体に対して、レーザ加工を施し、加工前積層体の被めっき層１８側の表面から第１の金属層１４表面に到達する穴を形成する工程である。より具体的には、図１（Ｂ）に示すように、加工前積層体１０の被めっき層１８側からレーザ照射を行い、下地層１６および被めっき層１８を貫通し、第１の金属層１４表面上に到達する穴２２を形成することにより、穴付き積層体２０を製造する。
以下、まず、レーザ加工について詳述する。
次に、上述した加工前積層体に対して実施される穴形成の処理の手順について詳述する。
穴形成工程は、上述した加工前積層体に対して、レーザ加工を施し、加工前積層体の被めっき層１８側の表面から第１の金属層１４表面に到達する穴を形成する工程である。より具体的には、図１（Ｂ）に示すように、加工前積層体１０の被めっき層１８側からレーザ照射を行い、下地層１６および被めっき層１８を貫通し、第１の金属層１４表面上に到達する穴２２を形成することにより、穴付き積層体２０を製造する。
以下、まず、レーザ加工について詳述する。
レーザ加工に使用されるレーザは、下地層１６および被めっき層１８を除去し、かつ、所望の径の穴（ビア）を形成しうるものであれば、特に制限はない。
なかでも、加工性に優れる点、即ち、効率よく各層をアブレーションすることが可能であり、生産性に優れるという点から、炭酸ガスレーザー（ＣＯ2レーザ）、ＵＶ-ＹＡＧレーザ、エキシマレーザー等が好ましい。
なかでも、加工性に優れる点、即ち、効率よく各層をアブレーションすることが可能であり、生産性に優れるという点から、炭酸ガスレーザー（ＣＯ2レーザ）、ＵＶ-ＹＡＧレーザ、エキシマレーザー等が好ましい。
なお、レーザは、連続的にまたは断続的に照射することができ、単パルスで断続的に照射してもよい。
単パルス照射における照射回数（ショット数）は、通常１回〜５００回、好ましくは１回〜１００回である。パルス周期は、通常１ｋＨｚ〜８ｋＨｚ、好ましくは１ｋＨｚ〜５ｋＨｚである。
単パルス照射における照射回数（ショット数）は、通常１回〜５００回、好ましくは１回〜１００回である。パルス周期は、通常１ｋＨｚ〜８ｋＨｚ、好ましくは１ｋＨｚ〜５ｋＨｚである。
本工程で形成される穴２２の径は使用目的に応じて適宜最適な径の大きさが選択されるが、高密度多層基板を形成する点から、トップ径（φ）が２０〜１５０μｍであり、ボトム径（φ）が２０〜１２０μｍであることが好ましく、トップ径（φ）が２０〜６０μｍであり、ボトム径（φ）が２０〜５０μｍであることが配線の微細化や集積化の観点ではより好ましい。
上記方法により製造された穴付き積層体２０中の穴２２の形状精度は非常に優れており、結果として、該穴２２を充填するように被めっき層１８上に配置される第２の金属層２６と第１の金属層１４との電気的接続性に優れる。
つまり、穴付き積層体２０は、複数の金属層を有する多層基板を製造するための多層基板形成用基板として有用である。以下に、該穴付き積層体２０を用いた、多層基板の製造方法の第１の実施態様について詳述する。
つまり、穴付き積層体２０は、複数の金属層を有する多層基板を製造するための多層基板形成用基板として有用である。以下に、該穴付き積層体２０を用いた、多層基板の製造方法の第１の実施態様について詳述する。
＜多層基板およびその製造方法＞
上述した穴付き積層体２０を使用した多層基板の製造方法は特に制限されないが、好適な実施形態として、デスミア処理を行うデスミア工程、めっき触媒（または前駆体）を被めっき層に付与する触媒付与工程、めっき処理行うめっき工程、および金属層をパターン状にするパターン形成工程を有する方法が挙げられる。
以下に、各工程の手順について詳述する。
上述した穴付き積層体２０を使用した多層基板の製造方法は特に制限されないが、好適な実施形態として、デスミア処理を行うデスミア工程、めっき触媒（または前駆体）を被めっき層に付与する触媒付与工程、めっき処理行うめっき工程、および金属層をパターン状にするパターン形成工程を有する方法が挙げられる。
以下に、各工程の手順について詳述する。
［デスミア工程］
デスミア工程は、所望により設けられる工程であり、穴付き積層体２０中の穴２２に残存するスミア（残渣）を除去するデスミア処理を行う工程である。
レーザ加工によって下地層１６および被めっき層１８を部分的に除去する際、各層を構成する材料が溶融するまたは分解する時の溶融物や分解物が穴２２の側面や底部に付着することがある。また、穴２２底部に存在する第１の金属層１４に直接影響を与えないために、レーザ加工を調整することによって、穴２２の底部に下地層１６が一部残ることがある。本工程を設けることにより、このような残渣を取り除くことにより、ビアの接続信頼性がより向上する。
なお、穴２２の側面や底部に残存するスミアが少ない場合、該工程は実施しなくてもよい。
デスミア工程は、所望により設けられる工程であり、穴付き積層体２０中の穴２２に残存するスミア（残渣）を除去するデスミア処理を行う工程である。
レーザ加工によって下地層１６および被めっき層１８を部分的に除去する際、各層を構成する材料が溶融するまたは分解する時の溶融物や分解物が穴２２の側面や底部に付着することがある。また、穴２２底部に存在する第１の金属層１４に直接影響を与えないために、レーザ加工を調整することによって、穴２２の底部に下地層１６が一部残ることがある。本工程を設けることにより、このような残渣を取り除くことにより、ビアの接続信頼性がより向上する。
なお、穴２２の側面や底部に残存するスミアが少ない場合、該工程は実施しなくてもよい。
［触媒付与工程］
触媒付与工程は、上記デスミア工程後、上記穴付き積層体２０中の被めっき層１８にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程である。
本工程においては、被めっき層１８中の相互作用性基がその機能に応じて、付与されためっき触媒またはその前駆体を付着（吸着）する。吸着されためっき触媒またはその前駆体は、後述するめっき工程においてめっき核として作用する。なお、該工程を実施するに当たり、穴２２内部の壁面に露出する下地層１６にめっき触媒またはその前駆体が付与されてもよい。
まず、本工程で使用される材料（めっき触媒またはその前駆体など）について詳述し、その後該工程の手順について詳述する。
触媒付与工程は、上記デスミア工程後、上記穴付き積層体２０中の被めっき層１８にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程である。
本工程においては、被めっき層１８中の相互作用性基がその機能に応じて、付与されためっき触媒またはその前駆体を付着（吸着）する。吸着されためっき触媒またはその前駆体は、後述するめっき工程においてめっき核として作用する。なお、該工程を実施するに当たり、穴２２内部の壁面に露出する下地層１６にめっき触媒またはその前駆体が付与されてもよい。
まず、本工程で使用される材料（めっき触媒またはその前駆体など）について詳述し、その後該工程の手順について詳述する。
（めっき触媒）
めっき触媒またはその前駆体は、後述するめっき工程における、めっきの触媒や電極として機能するものである。そのため、使用されるめっき触媒またはその前駆体の種類は、めっきの種類により適宜決定される。
なお、本工程において用いられるめっき触媒またはその前駆体は、金属層の密着性がより優れる点で、無電解めっき触媒またはその前駆体であることが好ましい。なかでも、めっき触媒またはその前駆体は、還元電位の点から、Ｐｄ、Ａｇ、またはＣｕを含む化合物であることが好ましい。
以下では、主に無電解めっきまたはその前駆体について詳述する。
めっき触媒またはその前駆体は、後述するめっき工程における、めっきの触媒や電極として機能するものである。そのため、使用されるめっき触媒またはその前駆体の種類は、めっきの種類により適宜決定される。
なお、本工程において用いられるめっき触媒またはその前駆体は、金属層の密着性がより優れる点で、無電解めっき触媒またはその前駆体であることが好ましい。なかでも、めっき触媒またはその前駆体は、還元電位の点から、Ｐｄ、Ａｇ、またはＣｕを含む化合物であることが好ましい。
以下では、主に無電解めっきまたはその前駆体について詳述する。
無電解めっき触媒としては、無電解めっき時の活性核となるものであれば、如何なるものも用いることができ、具体的には、自己触媒還元反応の触媒能を有する金属（例えば、Ｎｉよりイオン化傾向の低い無電解めっきできる金属として知られるもの）などが挙げられる。より具体的には、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏなどが挙げられる。中でも、触媒能の高さから、Ａｇ、Ｐｄが特に好ましい。
無電解めっき触媒として、金属コロイド（金属粒子）を用いてもよい。一般に、金属コロイドは、荷電を持った界面活性剤または荷電を持った保護剤が存在する溶液中において、金属イオンを還元することにより作製することができる。
無電解めっき触媒として、金属コロイド（金属粒子）を用いてもよい。一般に、金属コロイドは、荷電を持った界面活性剤または荷電を持った保護剤が存在する溶液中において、金属イオンを還元することにより作製することができる。
無電解めっき触媒前駆体としては、化学反応により無電解めっき触媒となりうるものであれば、特に制限なく使用することができる。主には、上記無電解めっき触媒として挙げた金属の金属イオンが用いられる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、還元反応により無電解めっき触媒である０価金属になる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、被めっき層１８へ付与した後、無電解めっき液への浸漬前に、別途還元反応により０価金属に変化させて無電解めっき触媒としてもよい。また、無電解めっき触媒前駆体のまま無電解めっき液に浸漬し、無電解めっき液中の還元剤により金属（無電解めっき触媒）に変化させてもよい。
無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、金属塩を用いて被めっき層１８に付与することが好ましい。使用される金属塩としては、適切な溶媒に溶解して金属イオンと塩基（陰イオン）とに解離されるものであれば特に制限はなく、Ｍ(ＮＯ3)n、ＭＣｌn、Ｍ2/n(ＳＯ4)、Ｍ3/n(ＰＯ4)（Ｍは、ｎ価の金属原子を表す）などが挙げられる。金属イオンとしては、上記の金属塩が解離したものを好適に用いることができる。具体例としては、Ａｇイオン、Ｃｕイオン、Ａｌイオン、Ｎｉイオン、Ｃｏイオン、Ｆｅイオン、Ｐｄイオンが挙げられ、中でも、多座配位可能なものが好ましく、特に、配位可能な官能基の種類数および触媒能の点で、Ａｇイオン、Ｐｄイオンが好ましい。
本工程において、無電解めっきを行わず直接電気めっきを行うために用いられる触媒として、上述した以外の０価金属を使用することもできる。
上記めっき触媒またはその前駆体は、これらを含むめっき触媒液（溶媒に分散または溶解させた分散液または溶液）の形態で使用されることが好ましい。
めっき触媒液は通常溶剤を含んでおり、溶剤の種類としては有機溶剤および／または水が用いられる。通常、水が主成分として使用される。めっき触媒液が有機溶剤を含有することで、被めっき層１８に対するめっき触媒液の浸透性が向上し、相互作用性基に効率よくめっき触媒またはその前駆体を吸着させることができる。
めっき触媒液は通常溶剤を含んでおり、溶剤の種類としては有機溶剤および／または水が用いられる。通常、水が主成分として使用される。めっき触媒液が有機溶剤を含有することで、被めっき層１８に対するめっき触媒液の浸透性が向上し、相互作用性基に効率よくめっき触媒またはその前駆体を吸着させることができる。
めっき触媒液に用いられる有機溶剤としては、被めっき層１８に浸透しうる溶剤であれば特に制限されず、具体的には、アセトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、エチレングリコールジアセテート、シクロヘキサノン、アセチルアセトン、アセトフェノン、２−（１−シクロヘキセニル）シクロヘキサノン、プロピレングリコールジアセテート、トリアセチン、ジエチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジオキサン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルカーボネート、ジメチルセロソルブ、１−メトキシ−２−プロパノールなどを用いることができる。
（触媒付与工程の手順）
めっき触媒またはその前駆体を被めっき層１８に付与する方法は、特に制限されない。
例えば、上記めっき触媒液（金属を適当な分散媒に分散した分散液、または、金属塩を適切な溶媒で溶解し、解離した金属イオンを含む溶液）を調製し、めっき触媒液を被めっき層１８上に塗布する方法、または、めっき触媒液中に被めっき層１８が形成された穴付き積層体２０を浸漬する方法などめっき触媒液と被めっき層１８とを接触させる方法が挙げられる。
被めっき層１８とめっき触媒液との接触時間は、３０秒〜１０分程度であることが好ましく、３分〜５分程度であることがより好ましい。
接触時のめっき触媒液の温度は、２０〜６０℃程度であることが好ましく、温度保持の点から、３０〜６０℃程度であることがより好ましい。
めっき触媒またはその前駆体を被めっき層１８に付与する方法は、特に制限されない。
例えば、上記めっき触媒液（金属を適当な分散媒に分散した分散液、または、金属塩を適切な溶媒で溶解し、解離した金属イオンを含む溶液）を調製し、めっき触媒液を被めっき層１８上に塗布する方法、または、めっき触媒液中に被めっき層１８が形成された穴付き積層体２０を浸漬する方法などめっき触媒液と被めっき層１８とを接触させる方法が挙げられる。
被めっき層１８とめっき触媒液との接触時間は、３０秒〜１０分程度であることが好ましく、３分〜５分程度であることがより好ましい。
接触時のめっき触媒液の温度は、２０〜６０℃程度であることが好ましく、温度保持の点から、３０〜６０℃程度であることがより好ましい。
［めっき工程］
めっき工程は、上記触媒付与工程にてめっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、穴を介して第１の金属層と接触して導通する第２の金属層を被めっき層上に形成する工程である。より具体的には、本工程を実施することにより、図１（Ｃ）に示すように、穴２２を充填するように、被めっき層１８上に第２の金属層２６が設けられ、第１の金属層１２と第２の金属層２６とを有する多層基板２４が得られる。第２の金属層２６は、穴２２を通って第１の金属層１２と接触し、電気的に接続している。
めっき工程は、上記触媒付与工程にてめっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、穴を介して第１の金属層と接触して導通する第２の金属層を被めっき層上に形成する工程である。より具体的には、本工程を実施することにより、図１（Ｃ）に示すように、穴２２を充填するように、被めっき層１８上に第２の金属層２６が設けられ、第１の金属層１２と第２の金属層２６とを有する多層基板２４が得られる。第２の金属層２６は、穴２２を通って第１の金属層１２と接触し、電気的に接続している。
本工程において行われるめっき処理の種類は、無電解めっき、電解めっき等が挙げられ、上記工程において、被めっき層１８に付与されためっき触媒またはその前駆体の機能によって、選択することができる。
なかでも、形成される第２の金属層２６の密着性がより優れる点から、無電解めっきを行うことが好ましい。また、所望の層厚の第２の金属層２６を得るために、無電解めっきの後に、更に電解めっきを行うことがより好ましい態様である。
以下、本工程において好適に行われるめっきについて説明する。
なかでも、形成される第２の金属層２６の密着性がより優れる点から、無電解めっきを行うことが好ましい。また、所望の層厚の第２の金属層２６を得るために、無電解めっきの後に、更に電解めっきを行うことがより好ましい態様である。
以下、本工程において好適に行われるめっきについて説明する。
（無電解めっき）
無電解めっきとは、めっきとして析出させたい金属イオンを溶かした溶液を用いて、化学反応によって金属を析出させる操作のことをいう。
本工程における無電解めっきは、例えば、無電解めっき触媒が付与された穴付き積層体２０を、水洗して余分な無電解めっき触媒（金属）を除去した後、無電解めっき浴に浸漬して行う。使用される無電解めっき浴としては、公知の無電解めっき浴を使用することができる。なお、無電解めっき浴としては、入手のしやすさの点から、アルカリ性の無電解めっき浴（ｐＨが９〜１４程度が好ましい）を使用する場合が好ましい。
また、無電解めっき触媒前駆体が付与された穴付き積層体２０を、無電解めっき触媒前駆体が被めっき層１８に吸着または含浸した状態で無電解めっき浴に浸漬する場合には、穴付き積層体２０を水洗して余分な前駆体（金属塩など）を除去した後、無電解めっき浴中へ浸漬させることが好ましい。この場合には、無電解めっき浴中において、めっき触媒前駆体の還元とこれに引き続き無電解めっきが行われる。ここで使用される無電解めっき浴としても、上記同様、公知の無電解めっき浴を使用することができる。
無電解めっきとは、めっきとして析出させたい金属イオンを溶かした溶液を用いて、化学反応によって金属を析出させる操作のことをいう。
本工程における無電解めっきは、例えば、無電解めっき触媒が付与された穴付き積層体２０を、水洗して余分な無電解めっき触媒（金属）を除去した後、無電解めっき浴に浸漬して行う。使用される無電解めっき浴としては、公知の無電解めっき浴を使用することができる。なお、無電解めっき浴としては、入手のしやすさの点から、アルカリ性の無電解めっき浴（ｐＨが９〜１４程度が好ましい）を使用する場合が好ましい。
また、無電解めっき触媒前駆体が付与された穴付き積層体２０を、無電解めっき触媒前駆体が被めっき層１８に吸着または含浸した状態で無電解めっき浴に浸漬する場合には、穴付き積層体２０を水洗して余分な前駆体（金属塩など）を除去した後、無電解めっき浴中へ浸漬させることが好ましい。この場合には、無電解めっき浴中において、めっき触媒前駆体の還元とこれに引き続き無電解めっきが行われる。ここで使用される無電解めっき浴としても、上記同様、公知の無電解めっき浴を使用することができる。
なお、無電解めっき触媒前駆体の還元は、上記のような無電解めっき液を用いる態様とは別に、触媒活性化液（還元液）を準備し、無電解めっき前の別工程として行うことも可能である。触媒活性化液は、無電解めっき触媒前駆体（主に金属イオン）を０価金属に還元できる還元剤を溶解した液で、液全体に対する該還元剤の濃度が０．１〜５０質量％が好ましく、１〜３０質量％がより好ましい。還元剤としては、公知の還元剤（例えば、水素化ホウ素ナトリウムまたはジメチルアミンボランなどのホウ素系還元剤、ホルムアルデヒド、次亜リン酸など）を使用できる。
浸漬の際には、無電解めっき触媒またはその前駆体が接触する被めっき層１８表面付近の無電解めっき触媒またはその前駆体の濃度を一定に保つ上で、攪拌または揺動を加えながら浸漬することが好ましい。
浸漬の際には、無電解めっき触媒またはその前駆体が接触する被めっき層１８表面付近の無電解めっき触媒またはその前駆体の濃度を一定に保つ上で、攪拌または揺動を加えながら浸漬することが好ましい。
一般的な無電解めっき浴の組成としては、例えば、溶剤（例えば、水）の他に、１．めっき用の金属イオン、２．還元剤、３．金属イオンの安定性を向上させる添加剤（安定剤）が主に含まれている。
めっき浴に用いられる有機溶剤としては、水に可能な溶媒である必要があり、その点から、アセトンなどのケトン類、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類が好ましく用いられる。
無電解めっき浴に用いられる金属の種類としては、例えば、銅、すず、鉛、ニッケル、金、銀、パラジウム、ロジウムが知られており、中でも、導電性の観点からは、銅、金が特に好ましい。また、上記金属に合わせて最適な還元剤、添加物が選択される。
無電解めっきにより得られる第２の金属層２６の層厚は、めっき浴の金属イオン濃度、めっき浴への浸漬時間、または、めっき浴の温度などにより制御することができるが、導電性の観点からは、０．１μｍ以上が好ましく、０．２〜２μｍがより好ましい。
ただし、無電解めっきによる第２の金属層２６を導通層として、後述する電解めっきを行う場合は、少なくとも０．１μｍ以上の層が均一に付与されていることが好ましい。
また、めっき浴への浸漬時間としては、１分〜６時間程度が好ましく、１分〜３時間程度がより好ましい。
めっき浴に用いられる有機溶剤としては、水に可能な溶媒である必要があり、その点から、アセトンなどのケトン類、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類が好ましく用いられる。
無電解めっき浴に用いられる金属の種類としては、例えば、銅、すず、鉛、ニッケル、金、銀、パラジウム、ロジウムが知られており、中でも、導電性の観点からは、銅、金が特に好ましい。また、上記金属に合わせて最適な還元剤、添加物が選択される。
無電解めっきにより得られる第２の金属層２６の層厚は、めっき浴の金属イオン濃度、めっき浴への浸漬時間、または、めっき浴の温度などにより制御することができるが、導電性の観点からは、０．１μｍ以上が好ましく、０．２〜２μｍがより好ましい。
ただし、無電解めっきによる第２の金属層２６を導通層として、後述する電解めっきを行う場合は、少なくとも０．１μｍ以上の層が均一に付与されていることが好ましい。
また、めっき浴への浸漬時間としては、１分〜６時間程度が好ましく、１分〜３時間程度がより好ましい。
（電解めっき（電気めっき））
本工程おいては、上記工程において付与されためっき触媒またはその前駆体が電極としての機能を有する場合、その触媒またはその前駆体が付与された被めっき層１８に対して、電解めっきを行うことができる。
また、前述の無電解めっきの後、形成された金属層を電極とし、更に、電解めっきを行ってもよい。これにより穴付き積層体２０との密着性に優れた無電解めっき膜をベースとして、そこに新たに任意の厚みをもつ第２の金属層２６を容易に形成することができる。このように、無電解めっきの後に、電解めっきを行うことで、金属層を目的に応じた厚みに形成しうるため、第２の金属層２６を種々の応用に適用するのに好適である。
電解めっきの方法としては、従来公知の方法を用いることができる。なお、電解めっきに用いられる金属としては、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、亜鉛などが挙げられ、導電性の観点から、銅、金、銀が好ましく、銅がより好ましい。
また、電解めっきにより得られる第２の金属層２６の層厚は、めっき浴中に含まれる金属濃度、または、電流密度などを調整することで制御することができる。
なお、一般的な電気配線などに適用する場合、第２の金属層２６の層厚は、導電性の観点から、０．５μｍ以上であることが好ましく、１〜３０μｍがより好ましい。
本工程おいては、上記工程において付与されためっき触媒またはその前駆体が電極としての機能を有する場合、その触媒またはその前駆体が付与された被めっき層１８に対して、電解めっきを行うことができる。
また、前述の無電解めっきの後、形成された金属層を電極とし、更に、電解めっきを行ってもよい。これにより穴付き積層体２０との密着性に優れた無電解めっき膜をベースとして、そこに新たに任意の厚みをもつ第２の金属層２６を容易に形成することができる。このように、無電解めっきの後に、電解めっきを行うことで、金属層を目的に応じた厚みに形成しうるため、第２の金属層２６を種々の応用に適用するのに好適である。
電解めっきの方法としては、従来公知の方法を用いることができる。なお、電解めっきに用いられる金属としては、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、亜鉛などが挙げられ、導電性の観点から、銅、金、銀が好ましく、銅がより好ましい。
また、電解めっきにより得られる第２の金属層２６の層厚は、めっき浴中に含まれる金属濃度、または、電流密度などを調整することで制御することができる。
なお、一般的な電気配線などに適用する場合、第２の金属層２６の層厚は、導電性の観点から、０．５μｍ以上であることが好ましく、１〜３０μｍがより好ましい。
［パターン形成工程］
パターン形成工程は、必要に応じて設けられる工程で、めっき工程で得られた第２の金属層をパターン状にエッチングして、パターン状金属層を形成する工程である。
より具体的には、図１（Ｄ）に示すように、本工程においては、第２の金属層２６の不要部を除去することにより、パターン状の金属層２８が、被めっき層１８上に形成される。本工程において、基板１２表面全体に形成された金属層２６の不要部分をエッチングで取り除くことで、所望のパターン状の金属層２８を形成することができる。
このパターンの形成には、如何なる手法も使用することができ、具体的には一般的に知られているサブトラクティブ法（金属層上にパターン状のマスクを設け、マスクの非形成領域をエッチング処理した後、マスクを除去して、パターン状の金属層を形成する方法）、セミアディティブ法（金属層上にパターン状のマスクを設け、マスクの非形成領域に金属層を形成するようにめっき処理を行い、マスクを除去し、エッチング処理して、パターン状の金属層を形成する方法）が用いられる。
パターン形成工程は、必要に応じて設けられる工程で、めっき工程で得られた第２の金属層をパターン状にエッチングして、パターン状金属層を形成する工程である。
より具体的には、図１（Ｄ）に示すように、本工程においては、第２の金属層２６の不要部を除去することにより、パターン状の金属層２８が、被めっき層１８上に形成される。本工程において、基板１２表面全体に形成された金属層２６の不要部分をエッチングで取り除くことで、所望のパターン状の金属層２８を形成することができる。
このパターンの形成には、如何なる手法も使用することができ、具体的には一般的に知られているサブトラクティブ法（金属層上にパターン状のマスクを設け、マスクの非形成領域をエッチング処理した後、マスクを除去して、パターン状の金属層を形成する方法）、セミアディティブ法（金属層上にパターン状のマスクを設け、マスクの非形成領域に金属層を形成するようにめっき処理を行い、マスクを除去し、エッチング処理して、パターン状の金属層を形成する方法）が用いられる。
サブトラクティブ法とは、形成された第２の金属層２６上にレジスト層を設けパターン露光、現像により金属層パターン部と同じパターンを形成し、レジストパターンをマスクとしてエッチング液で第２の金属層２６を除去し、パターン状の金属層２８を形成する方法である。
レジストとしては如何なる材料も使用でき、ネガ型、ポジ型、液状、フィルム状のものが使用できる。また、エッチング方法としては、プリント配線基板の製造時に使用されている方法が何れも使用可能であり、湿式エッチング、ドライエッチング等が使用可能であり、任意に選択すればよい。作業の操作上、湿式エッチングが装置などの簡便性の点で好ましい。エッチング液として、例えば、塩化第二銅、塩化第二鉄等の水溶液を使用することができる。
セミアディティブ法とは、形成された第２の金属層２６上にレジスト層を設け、パターン露光、現像により非金属層パターン部と同じパターンを形成し、レジストパターンをマスクとして電解めっきを行い、レジストパターンを除去した後にクイックエッチングを実施し、第２の金属層２６をパターン状に除去することで、パターン状の金属層２８を形成する方法である。
レジスト、エッチング液等はサブトラクティブ法と同様な材料が使用できる。また、電解めっき手法としては上記記載の手法が使用できる。
なお、第２の金属層２６の除去と同時に、公知の手段（例えば、ドライエッチング）などによって、被めっき層１８を合わせて除去してもよい。
レジストとしては如何なる材料も使用でき、ネガ型、ポジ型、液状、フィルム状のものが使用できる。また、エッチング方法としては、プリント配線基板の製造時に使用されている方法が何れも使用可能であり、湿式エッチング、ドライエッチング等が使用可能であり、任意に選択すればよい。作業の操作上、湿式エッチングが装置などの簡便性の点で好ましい。エッチング液として、例えば、塩化第二銅、塩化第二鉄等の水溶液を使用することができる。
セミアディティブ法とは、形成された第２の金属層２６上にレジスト層を設け、パターン露光、現像により非金属層パターン部と同じパターンを形成し、レジストパターンをマスクとして電解めっきを行い、レジストパターンを除去した後にクイックエッチングを実施し、第２の金属層２６をパターン状に除去することで、パターン状の金属層２８を形成する方法である。
レジスト、エッチング液等はサブトラクティブ法と同様な材料が使用できる。また、電解めっき手法としては上記記載の手法が使用できる。
なお、第２の金属層２６の除去と同時に、公知の手段（例えば、ドライエッチング）などによって、被めっき層１８を合わせて除去してもよい。
上記製造方法で得られた多層基板は、ＦＰＣ、ＣＯＦ、ＴＡＢ、マザーボード、パッケージインターポーザー基板等の種々の用途に適用することができる。特に、配線基板（例えば、プリント配線基板）などに使用することができる。なお、本明細書において、多層基板とは、金属層を２層以上有する基板を意図する。金属層（第１の金属層１４および第２の金属層２６）をパターン状配線とすることによって、多層配線基板を得ることもできる。
また、必要に応じて、第２の金属層２６（またはパターン状の金属層２８）上にさらに絶縁層を設けてもよい。絶縁層としては公知の材料を使用することができ、例えば、公知の層間絶縁膜、ソルダーレジストなどが挙げられる。
なお、第２の金属層２６（またはパターン状の金属層２８）上に、上述した下地層１６、および被めっき層１８を更に設け、上述した穴形成用の材料（加工前積層体）として使用してもよい。
また、必要に応じて、第２の金属層２６（またはパターン状の金属層２８）上にさらに絶縁層を設けてもよい。絶縁層としては公知の材料を使用することができ、例えば、公知の層間絶縁膜、ソルダーレジストなどが挙げられる。
なお、第２の金属層２６（またはパターン状の金属層２８）上に、上述した下地層１６、および被めっき層１８を更に設け、上述した穴形成用の材料（加工前積層体）として使用してもよい。
＜第２の実施形態＞
本実施形態の穴付き積層体および多層配線の製造方法の第２の実施形態は、図２（Ａ）に示すように、基板１２と、第１の金属層１４と、絶縁層３０と、下地層１６と、被めっき層１８とをこの順で備える加工前積層体１００を使用する点が、第１の実施形態と異なる。
以下では、主に、加工前積層体１００中の絶縁層３０について詳述しつつ、図２を参照しながら、本実施態様について詳述する。なお、図２において、図１に示す多層基板の各構成要素と、同一の構成要素には同一の参照符号を付し、説明は省略する。
本実施形態の穴付き積層体および多層配線の製造方法の第２の実施形態は、図２（Ａ）に示すように、基板１２と、第１の金属層１４と、絶縁層３０と、下地層１６と、被めっき層１８とをこの順で備える加工前積層体１００を使用する点が、第１の実施形態と異なる。
以下では、主に、加工前積層体１００中の絶縁層３０について詳述しつつ、図２を参照しながら、本実施態様について詳述する。なお、図２において、図１に示す多層基板の各構成要素と、同一の構成要素には同一の参照符号を付し、説明は省略する。
［絶縁層］
絶縁層３０は、第１の金属層１４と第２の金属層２６との間の絶縁信頼性を確保するために設けられる層である。
絶縁層３０は、第１の金属層１４と第２の金属層２６との間の絶縁信頼性を確保するために設けられる層である。
絶縁層３０を構成する材料は特に制限されず、例えば、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂などの絶縁性樹脂が挙げられる。つまり、絶縁層３０が、絶縁樹脂層である態様が挙げられる。
より具体的には、熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、イソシアネート樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等が挙げられる。
なかでも、絶縁層３０の絶縁特性、無機フィラーとの相溶性、さらに薬液への耐性がより優れる点から、エポキシ樹脂が好ましい。
より具体的には、熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、イソシアネート樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等が挙げられる。
なかでも、絶縁層３０の絶縁特性、無機フィラーとの相溶性、さらに薬液への耐性がより優れる点から、エポキシ樹脂が好ましい。
絶縁層３０の厚みは、積層体の使用目的に応じて適宜選択されるが、第１の金属層１４と第２の金属層２６との絶縁性担保の点から、１０〜１５０μｍが好ましく、２０〜１００μｍがより好ましい。
絶縁層３０には、無機フィラーが含まれていてもよい。無機フィラーは一般的に絶縁層３０の低ＣＴＥ化、高絶縁性化のために用いられる。絶縁層３０中に無機フィラーが含まれることにより、絶縁層３０の膜強度が向上し、結果として後述する第２の金属層２８の基板に対する密着性などが向上する。
無機フィラーの種類は特に制限されないが、例えば、金属化合物（例えば、金属の酸化物、窒化物、硫化物、炭化物およびこれらの複合化物等）が挙げられ、絶縁層３０の絶縁性および膜強度の点から、金属酸化物粒子（特に、ＳｉＯ2）が好ましい。
なお、無機フィラーの具体例としては、例えば、シリカ、アルミナ、クレー、タルク、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウムなどが挙げられる。
無機フィラーの形状は特に制限されず、球状、板状、繊維状、棒状、不定形、中空等のいずれも好ましく用いられる。
なお、無機フィラーの具体例としては、例えば、シリカ、アルミナ、クレー、タルク、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウムなどが挙げられる。
無機フィラーの形状は特に制限されず、球状、板状、繊維状、棒状、不定形、中空等のいずれも好ましく用いられる。
絶縁層３０の形成方法は特に制限されない。例えば、絶縁性樹脂を含有する絶縁性樹脂組成物を基板１２上に塗布して、必要に応じて加熱処理または露光処理を行い、絶縁層３０を形成する方法（塗布法）や、絶縁性樹脂を含有する絶縁層３０を基板１２上にラミネートする方法などが挙げられる。
図２（Ｂ）に示すように、加工前積層体１００に対して上述したレーザ加工を施し、絶縁層３０、下地層１６および被めっき層１８を貫通し、第１の金属層１４表面上に到達する穴２２を形成することにより、穴付き積層体２００を製造する。
その後、第１の実施形態で説明した手順を施すことにより、図２（Ｃ）に示す多層基板２４０を形成でき、さらに上述したエッチング工程により図２（Ｄ）に示すようにパターン状の金属膜２８を製造できる。
その後、第１の実施形態で説明した手順を施すことにより、図２（Ｃ）に示す多層基板２４０を形成でき、さらに上述したエッチング工程により図２（Ｄ）に示すようにパターン状の金属膜２８を製造できる。
以下、実施例により、本発明について更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
以下に、本実施例で使用するポリマーの合成方法について詳述する。
（合成例１：ポリマー１）
２Ｌの三口フラスコに酢酸エチル１Ｌ、２−アミノエタノール１５９ｇを入れ、氷浴にて冷却をした。そこへ、２−ブロモイソ酪酸ブロミド１５０ｇを内温２０℃以下になるように調節して滴下した。その後、内温を室温（２５℃）まで上昇させて２時間反応させた。反応終了後、蒸留水３００ｍＬを追加して反応を停止させた。その後、酢酸エチル層を蒸留水３００ｍＬで４回洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、さらに酢酸エチルを留去することで原料Ａを８０ｇ得た。
次に、５００ｍＬの三口フラスコに、原料Ａ４７．４ｇ、ピリジン２２ｇ、酢酸エチル１５０ｍＬを入れて氷浴にて冷却した。そこへ、アクリル酸クロライド２５ｇを内温２０℃以下になるように調節して滴下した。その後、反応溶液の液温を室温に上げて、３時間反応させた。反応終了後、蒸留水３００ｍＬを追加し、反応を停止させた。その後、酢酸エチル層を蒸留水３００ｍＬで４回洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、さらに酢酸エチルを留去した。その後、カラムクロマトグラフィーにて、以下に示すモノマーＭ１（２０ｇ）を精製し得た。
（合成例１：ポリマー１）
２Ｌの三口フラスコに酢酸エチル１Ｌ、２−アミノエタノール１５９ｇを入れ、氷浴にて冷却をした。そこへ、２−ブロモイソ酪酸ブロミド１５０ｇを内温２０℃以下になるように調節して滴下した。その後、内温を室温（２５℃）まで上昇させて２時間反応させた。反応終了後、蒸留水３００ｍＬを追加して反応を停止させた。その後、酢酸エチル層を蒸留水３００ｍＬで４回洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、さらに酢酸エチルを留去することで原料Ａを８０ｇ得た。
次に、５００ｍＬの三口フラスコに、原料Ａ４７．４ｇ、ピリジン２２ｇ、酢酸エチル１５０ｍＬを入れて氷浴にて冷却した。そこへ、アクリル酸クロライド２５ｇを内温２０℃以下になるように調節して滴下した。その後、反応溶液の液温を室温に上げて、３時間反応させた。反応終了後、蒸留水３００ｍＬを追加し、反応を停止させた。その後、酢酸エチル層を蒸留水３００ｍＬで４回洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、さらに酢酸エチルを留去した。その後、カラムクロマトグラフィーにて、以下に示すモノマーＭ１（２０ｇ）を精製し得た。
５００ｍＬの三口フラスコに、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド８ｇを入れ、窒素気流下、６５℃まで加熱した。そこへ、モノマーＭ１：１４．３ｇ、アクリロニトリル（東京化成工業（株）製）３．０ｇ、アクリル酸（東京化成製）６．５ｇ、Ｖ−６５（和光純薬製）０．４ｇのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド８ｇ溶液を、４時間かけて滴下した。
滴下終了後、更に反応溶液を３時間撹拌した。その後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド４１ｇを追加し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、４−ヒドロキシＴＥＭＰＯ（東京化成製）０．０９ｇ、ＤＢＵ５４．８ｇを加え、室温で１２時間反応を行った。その後、反応液に７０質量％メタンスルホン酸水溶液５４ｇ加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、ポリマー１（１２ｇ）を得た。なお、重合性基含有ユニット：ニトリル基含有ユニット：カルボン酸基ユニット＝３０：３０：４０（ｍｏｌ％）であった。
滴下終了後、更に反応溶液を３時間撹拌した。その後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド４１ｇを追加し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、４−ヒドロキシＴＥＭＰＯ（東京化成製）０．０９ｇ、ＤＢＵ５４．８ｇを加え、室温で１２時間反応を行った。その後、反応液に７０質量％メタンスルホン酸水溶液５４ｇ加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、ポリマー１（１２ｇ）を得た。なお、重合性基含有ユニット：ニトリル基含有ユニット：カルボン酸基ユニット＝３０：３０：４０（ｍｏｌ％）であった。
＜実施例および比較例＞
〔基板の作製〕
銅層付きＦＲ−４（日立化成、ガラスエポキシ樹脂基板）上にＧＸ−１３（味の素ファインテクノ）（膜厚４０μｍ）を真空ラミネートした後、１８０℃で１時間ベークしたものを基板Ａとした。なお、銅層（第１の金属層の該当）の厚みは、１８μｍであった。
〔基板の作製〕
銅層付きＦＲ−４（日立化成、ガラスエポキシ樹脂基板）上にＧＸ−１３（味の素ファインテクノ）（膜厚４０μｍ）を真空ラミネートした後、１８０℃で１時間ベークしたものを基板Ａとした。なお、銅層（第１の金属層の該当）の厚みは、１８μｍであった。
〔下地層の作製〕
後述する下地層形成用組成物Ｐ０１〜Ｐ２２のいずれかを基板Ａの表面上に滴下し、１０００ｒｐｍにて２０秒間スピンコートした。その後、１８０℃にて１５分間ベークして下地層付き基板Ｓ００１〜Ｓ０２２を得た。
後述する下地層形成用組成物Ｐ０１〜Ｐ２２のいずれかを基板Ａの表面上に滴下し、１０００ｒｐｍにて２０秒間スピンコートした。その後、１８０℃にて１５分間ベークして下地層付き基板Ｓ００１〜Ｓ０２２を得た。
（下地層形成用組成物）
１０００ｍｌのＰＰ製のビンに、以下の表１に記載の成分を所定量加え、ＴＫ社製ホモディスパを用いて８０００ｒｐｍにて３０分間分散させ、下地層形成用組成物を得た。
なお、分散剤としては、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ２４０００ＧＲ（Ｌｕｂｒｉｚｏｌ社製）を使用した。
１０００ｍｌのＰＰ製のビンに、以下の表１に記載の成分を所定量加え、ＴＫ社製ホモディスパを用いて８０００ｒｐｍにて３０分間分散させ、下地層形成用組成物を得た。
なお、分散剤としては、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ２４０００ＧＲ（Ｌｕｂｒｉｚｏｌ社製）を使用した。
〔被めっき層の作製〕
後述する組成の被めっき層形成用組成物を下地層付き基板Ｓ００１〜Ｓ０２２のいずれかの下地層表面上に滴下し、３０００ｒｐｍにて２０秒スピンコートした。その後、１５０℃にて１５分間ベークし、さらにＵＶ照射（エネルギー量：５００ｍＪ、１０ｍＷ、波長：３６５ｎｍ）して、被めっき層を形成し、加工前積層体Ｓ１０１〜Ｓ１２２を得た。
後述する組成の被めっき層形成用組成物を下地層付き基板Ｓ００１〜Ｓ０２２のいずれかの下地層表面上に滴下し、３０００ｒｐｍにて２０秒スピンコートした。その後、１５０℃にて１５分間ベークし、さらにＵＶ照射（エネルギー量：５００ｍＪ、１０ｍＷ、波長：３６５ｎｍ）して、被めっき層を形成し、加工前積層体Ｓ１０１〜Ｓ１２２を得た。
（被めっき層形成用組成物）
マグネチックスターラーを入れた２００ｍｌビーカーに、上記ポリマー１（２ｇ）、ＭＦＧ（メチルプロピレングリコール）（７８．３ｇ）、水（１９．６ｇ）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＯＸＥ−０２（ＢＡＳＦ社製）（０．１ｇ）を加えて、被めっき層形成用組成物を調整した。
マグネチックスターラーを入れた２００ｍｌビーカーに、上記ポリマー１（２ｇ）、ＭＦＧ（メチルプロピレングリコール）（７８．３ｇ）、水（１９．６ｇ）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＯＸＥ−０２（ＢＡＳＦ社製）（０．１ｇ）を加えて、被めっき層形成用組成物を調整した。
［穴形成工程］
穴の大きさが被めっき層表面上で９０μｍ、ＧＸ-１３／銅界面にて７０μｍとなるよう条件出しをしたＣＯ2レーザ加工機（日立ビアメカニクス製、ＬＣ−Ｋ）にて、加工前積層体Ｓ１０１〜Ｓ１２２のいずれかにＣＯ2レーザビア加工（穴の数：９６１個）を行い、穴付き積層体Ｓ２０１〜Ｓ２２２を得た。
穴の大きさが被めっき層表面上で９０μｍ、ＧＸ-１３／銅界面にて７０μｍとなるよう条件出しをしたＣＯ2レーザ加工機（日立ビアメカニクス製、ＬＣ−Ｋ）にて、加工前積層体Ｓ１０１〜Ｓ１２２のいずれかにＣＯ2レーザビア加工（穴の数：９６１個）を行い、穴付き積層体Ｓ２０１〜Ｓ２２２を得た。
［触媒付与工程、および、めっき工程］
穴付き積層体Ｓ２０１〜Ｓ２２２のいずれかをクリーナーコンディショナー液ＡＣＬ−００９（上村工業）に５０℃にて５分間浸漬し、純水にて２回洗浄した。その後、Ｐｄ触媒付与液ＭＡＴ−２（上村工業）に室温にて５分間浸漬し、純水にて２回洗浄した。
次に、上記処理が施された穴付き積層体を還元剤ＭＡＢ（上村工業）に３６℃にて５分間浸漬し、純水にて２回洗浄した。その後、さらに活性化処理液ＭＥＬ−３（上村工業）に室温にて５分間浸漬し、洗浄することなく無電解めっき液スルカップＰＥＡ（上村工業）に室温にて６０分浸漬し、被めっき層上に無電解めっき層（厚み：１μｍ）を形成した。
穴付き積層体Ｓ２０１〜Ｓ２２２のいずれかをクリーナーコンディショナー液ＡＣＬ−００９（上村工業）に５０℃にて５分間浸漬し、純水にて２回洗浄した。その後、Ｐｄ触媒付与液ＭＡＴ−２（上村工業）に室温にて５分間浸漬し、純水にて２回洗浄した。
次に、上記処理が施された穴付き積層体を還元剤ＭＡＢ（上村工業）に３６℃にて５分間浸漬し、純水にて２回洗浄した。その後、さらに活性化処理液ＭＥＬ−３（上村工業）に室温にて５分間浸漬し、洗浄することなく無電解めっき液スルカップＰＥＡ（上村工業）に室温にて６０分浸漬し、被めっき層上に無電解めっき層（厚み：１μｍ）を形成した。
さらに、電解めっき液として、水１２８３ｇ、硫酸銅５水和物１３５ｇ、９８％濃硫酸３４２ｇ、３６％濃塩酸０．２５ｇ、ＥＴ−９０１Ｍ（ロームアンドハース）３９．６ｇの混合溶液を用い、無電解めっき層が形成された穴付き積層体と銅板とをホルダーを取り付けて電源に接続し、３Ａ／ｄｍ2にて４５分間電解銅めっき処理を行い、約１８μｍの銅めっき層（金属層）を有する多層基板（水準１〜２２）を得た。
［密着性評価］
水準１〜２２（実施例および比較例）で得られた多層基板を、１５０℃にて１５分ベークした。得られたサンプルの金属層の穴（ビア）がない部分に１０ｍｍの間隔を開けて、平行に１３０ｍｍの切り込みを入れ、その端部をカッターにて切り込みを入れ１０ｍｍ立ち上げた。剥がした端部をつかんでテンシロン（ＳＨＩＭＡＺＵ）を用いてピール強度を測定した（引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎ）。結果を表２にまとめて示す。
なお、密着性が０．７ｋＮ／ｍ以上の場合を「◎」、０．５ｋＮ／ｍ以上０．７ｋＮ／ｍ未満の場合を「○」、０．５ｋＮ／ｍ未満の場合を「×」とした。
水準１〜２２（実施例および比較例）で得られた多層基板を、１５０℃にて１５分ベークした。得られたサンプルの金属層の穴（ビア）がない部分に１０ｍｍの間隔を開けて、平行に１３０ｍｍの切り込みを入れ、その端部をカッターにて切り込みを入れ１０ｍｍ立ち上げた。剥がした端部をつかんでテンシロン（ＳＨＩＭＡＺＵ）を用いてピール強度を測定した（引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎ）。結果を表２にまとめて示す。
なお、密着性が０．７ｋＮ／ｍ以上の場合を「◎」、０．５ｋＮ／ｍ以上０．７ｋＮ／ｍ未満の場合を「○」、０．５ｋＮ／ｍ未満の場合を「×」とした。
［穴形状評価］
水準１〜２２（実施例および比較例）で得られた穴付き積層体における形状評価は、断面ＳＥＭ像により行った。
より具体的には、上記［穴形成工程］が実施された後の穴付き積層体から任意に１００穴を選択し、１００穴観察により形状不良を確認した。ビア径が９０μｍに対して、被めっき層がビア内外方向に対する飛び出し（オーバーハング）が、ビア穴直径を１００％とした場合、２％以上であるものを故障とした。
１００穴観察した際に、上記故障と認定された穴の数が１個以下である場合を「◎」、２個以上１０個以下である場合を「○」、１１個以上である場合を「×」として評価した。結果を表２にまとめて示す。
水準１〜２２（実施例および比較例）で得られた穴付き積層体における形状評価は、断面ＳＥＭ像により行った。
より具体的には、上記［穴形成工程］が実施された後の穴付き積層体から任意に１００穴を選択し、１００穴観察により形状不良を確認した。ビア径が９０μｍに対して、被めっき層がビア内外方向に対する飛び出し（オーバーハング）が、ビア穴直径を１００％とした場合、２％以上であるものを故障とした。
１００穴観察した際に、上記故障と認定された穴の数が１個以下である場合を「◎」、２個以上１０個以下である場合を「○」、１１個以上である場合を「×」として評価した。結果を表２にまとめて示す。
表２中、「下地層形成用組成物の種類」欄は、各水準で使用した下地層形成用組成物の種類を表す。
表２中、「シアノ率」は、下地層中のシアノ基を有する繰り返し単位を有するポリマー中における、シアノ基を有する繰り返し単位の全繰り返し単位に対する含有量（モル％）を表す。
表２中、「シリカ粒径」および「シリカ濃度」は、それぞれ下地層中のシリカ粒子の「粒径（ｎｍ）」、および、下地層中におけるシリカ粒子のポリマーおよびシリカの合計全質量に対する「濃度（質量％）」を表す。
表２中、「シアノ率」は、下地層中のシアノ基を有する繰り返し単位を有するポリマー中における、シアノ基を有する繰り返し単位の全繰り返し単位に対する含有量（モル％）を表す。
表２中、「シリカ粒径」および「シリカ濃度」は、それぞれ下地層中のシリカ粒子の「粒径（ｎｍ）」、および、下地層中におけるシリカ粒子のポリマーおよびシリカの合計全質量に対する「濃度（質量％）」を表す。
表２に示すように、所定のシアノ率を示すポリマーを含み、かつ、所定の大きさの金属酸化物粒子を所定量含む態様（実施例１〜１４）においては、優れた穴形状精度および優れた金属層の密着性を示した。
特に、金属酸化物粒子の含有量が２０〜５０質量％（例えば、水準３〜６）においては、より優れた金属層の密着性を示した。
一方、所定のポリマーを含まない、または、所定の金属酸化物粒子を含まない比較例１〜８においては、穴形状精度または金属層の密着性の少なくとも一方が劣っていた。
特に、金属酸化物粒子の含有量が２０〜５０質量％（例えば、水準３〜６）においては、より優れた金属層の密着性を示した。
一方、所定のポリマーを含まない、または、所定の金属酸化物粒子を含まない比較例１〜８においては、穴形状精度または金属層の密着性の少なくとも一方が劣っていた。
＜実施例１５＞
実施例１で得られた多層基板に対し１８０℃、１時間の熱処理を行なった後、該多層基板の第２の金属層表面に、ドライレジストフィルム（日立化成（株）製；ＲＹ３３１５、膜厚１５μｍ）を真空ラミネーター（（株）名機製作所製：ＭＶＬＰ−６００）で７０℃、０．２ＭＰａでラミネートした。次いで、ドライレジストフィルムがラミネートされた多層基板に、ＪＰＣＡ−ＥＴ０１に定める櫛型配線（ＪＰＣＡ−ＢＵ０１−２００７準拠）が形成できるガラスマスクを密着させ、レジストを中心波長４０５ｎｍの露光機にて７０ｍＪの光エネルギーを照射した。露光後の多層基板に、１％Ｎａ2ＣＯ3水溶液を０．２ＭＰａのスプレー圧で噴きつけ、現像を行なった。その後、多層基板の水洗・乾燥を行い、第２の金属層上に、サブトラクティブ法用のレジストパターンを形成した。
レジストパターンを形成した多層基板を、ＦｅＣｌ3／ＨＣｌ水溶液（エッチング液）に温度４０℃で浸漬することによりエッチングを行い、レジストパターンの非形成領域に存在する第２の金属層を除去した。その後、３％ＮａＯＨ水溶液を０．２ＭＰａのスプレー圧で多層基板上に噴き付けることで、レジストパターンを膨潤剥離し、１０％硫酸水溶液で中和処理を行い、水洗することで櫛型配線（パターン状金属層）を得た。得られた配線は、Ｌ／Ｓ＝７５μｍ／７５μｍであった。
実施例１で得られた多層基板に対し１８０℃、１時間の熱処理を行なった後、該多層基板の第２の金属層表面に、ドライレジストフィルム（日立化成（株）製；ＲＹ３３１５、膜厚１５μｍ）を真空ラミネーター（（株）名機製作所製：ＭＶＬＰ−６００）で７０℃、０．２ＭＰａでラミネートした。次いで、ドライレジストフィルムがラミネートされた多層基板に、ＪＰＣＡ−ＥＴ０１に定める櫛型配線（ＪＰＣＡ−ＢＵ０１−２００７準拠）が形成できるガラスマスクを密着させ、レジストを中心波長４０５ｎｍの露光機にて７０ｍＪの光エネルギーを照射した。露光後の多層基板に、１％Ｎａ2ＣＯ3水溶液を０．２ＭＰａのスプレー圧で噴きつけ、現像を行なった。その後、多層基板の水洗・乾燥を行い、第２の金属層上に、サブトラクティブ法用のレジストパターンを形成した。
レジストパターンを形成した多層基板を、ＦｅＣｌ3／ＨＣｌ水溶液（エッチング液）に温度４０℃で浸漬することによりエッチングを行い、レジストパターンの非形成領域に存在する第２の金属層を除去した。その後、３％ＮａＯＨ水溶液を０．２ＭＰａのスプレー圧で多層基板上に噴き付けることで、レジストパターンを膨潤剥離し、１０％硫酸水溶液で中和処理を行い、水洗することで櫛型配線（パターン状金属層）を得た。得られた配線は、Ｌ／Ｓ＝７５μｍ／７５μｍであった。
さらに、パターン状金属層を有する多層基板に対して、ソルダーレジスト（ＰＦＲ８００；太陽インキ製造（株）製）を１１０℃、０．２ＭＰａの条件で真空ラミネートし、中心波長３６５ｎｍの露光機にて４２０ｍＪの光エネルギーを照射した。
次いで、多層基板を８０℃／１０分間の加熱処理を施した後、ＮａＨＣＯ3：１０％水溶液を、スプレー圧２ｋｇ／ｍ2で多層基板表面に付与することで現像し、乾燥した。その後、再度、中心波長３６５ｎｍの露光機にて１０００ｍＪの光エネルギーを、多層基板に対して照射した。最後に１５０℃／１ｈｒの加熱処理を行ない、ソルダーレジストで被覆された配線基板を得た。
次いで、多層基板を８０℃／１０分間の加熱処理を施した後、ＮａＨＣＯ3：１０％水溶液を、スプレー圧２ｋｇ／ｍ2で多層基板表面に付与することで現像し、乾燥した。その後、再度、中心波長３６５ｎｍの露光機にて１０００ｍＪの光エネルギーを、多層基板に対して照射した。最後に１５０℃／１ｈｒの加熱処理を行ない、ソルダーレジストで被覆された配線基板を得た。
１０：加工前積層体
１２：基板
１４：第１の金属層
１６：下地層
１８：被めっき層
２０：穴付き積層体
２２：穴
２４：多層基板
２６：第２の金属層
２８：パターン状の金属層
３０：絶縁層
１２：基板
１４：第１の金属層
１６：下地層
１８：被めっき層
２０：穴付き積層体
２２：穴
２４：多層基板
２６：第２の金属層
２８：パターン状の金属層
３０：絶縁層
Claims (7)
- 基板上に第１の金属層と、シアノ基を有する繰り返し単位を有するポリマーおよび金属酸化物粒子を含む下地層と、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する被めっき層とをこの順に備える加工前積層体に対して、レーザ加工を施し、前記加工前積層体の前記被めっき層側の表面から前記第１の金属層表面に到達する穴を形成する穴形成工程を備え、
前記ポリマー中におけるシアノ基を有する繰り返し単位の含有量が、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０〜６０モル％であり、
前記金属酸化物粒子の粒径が５０〜２０００ｎｍであり、
前記下地層中における金属酸化物粒子の含有量が、前記ポリマーおよび前記金属酸化物粒子の合計質量に対して、２０〜６０質量％である、穴付き積層体の製造方法。 - 前記下地層中における金属酸化物粒子の含有量が２０〜５０質量％である、請求項１に記載の穴付き積層体の製造方法。
- 請求項１または２に記載の製造方法によって得られる穴付き積層体中の前記被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、
前記めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、前記穴を介して前記第１の金属層と接触して導通する第２の金属層を前記被めっき層上に形成するめっき工程と、を備える多層基板の製造方法。 - 前記めっき工程の後に、前記第２の金属層をパターン状にエッチングして、パターン状金属層を形成するパターン形成工程をさらに備える、請求項３に記載の多層基板の製造方法。
- 請求項３または４に記載の製造方法により製造された多層基板を含有するプリント配線基板。
- 基板上に第１の金属層と、シアノ基を有する繰り返し単位を有するポリマーおよび金属酸化物粒子を含む下地層と、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する被めっき層とをこの順に備え、
前記ポリマー中におけるシアノ基を有する繰り返し単位の含有量が、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０〜６０モル％であり、
前記金属酸化物粒子の粒径が５０〜２０００ｎｍであり、
前記下地層中における金属酸化物粒子の含有量が、前記ポリマーおよび前記金属酸化物粒子の合計質質量に対して、２０〜６０質量％であり、
前記被めっき層側の表面から前記第１の金属層表面に到達する穴を有する、穴付き積層体。 - シアノ基を有する繰り返し単位を有するポリマーと金属酸化物粒子とを含む下地層形成用組成物であって、
前記ポリマー中におけるシアノ基を有する繰り返し単位の含有量が、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０〜６０モル％であり、
前記金属酸化物粒子の粒径が５０〜２０００ｎｍであり、
前記下地層形成用組成物によって形成される下地層中における金属酸化物粒子の含有量が、前記ポリマーおよび前記金属酸化物粒子の合計質量に対して、２０〜６０質量％である、下地層形成用組成物。
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