JP5646873B2 - 感光性樹脂組成物及びその積層体 - Google Patents
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Description
即ち、本発明は以下の通りのものである。
[1] 感光性樹脂組成物の全固形分を基準として、
(a)酸当量が100〜600であるアルカリ可溶性樹脂、20〜90質量%;
(b)光重合可能な不飽和二重結合を有する化合物、5〜75質量%;及び
(c)光重合開始剤、0.1〜20質量%
を含む感光性樹脂組成物であって、前記(b)光重合可能な不飽和二重結合を有する化合物が、下記一般式(I):
で表される化合物を含むことを特徴とする、感光性樹脂組成物。
で表される化合物をさらに含む、上記[1]〜[3]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
<感光性樹脂組成物>
本発明の感光性樹脂組成物は、該感光性樹脂組成物の全固形分を基準として、(a)酸当量が100〜600であるアルカリ可溶性樹脂、20〜90質量%;(b)光重合可能な不飽和二重結合を有する化合物、5〜75質量%;及び(c)光重合開始剤、0.1〜20質量%を含み、前記(b)光重合可能な不飽和二重結合を有する化合物は、下記一般式(I):
で表される化合物を少なくとも一種含むことを特徴とする。
アルカリ可溶性樹脂は、カルボキシル基を含有したビニル系樹脂であり、例えば、(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸エステル、(メタ)アクリロニトリル、及び(メタ)アクリルアミド等の共重合体である。
光重合可能な不飽和二重結合を有する化合物とは、分子内に少なくとも1つのエチレン性不飽和結合を有する化合物である。
で表される少なくとも一種の化合物を含む。
で表される少なくとも一種の化合物をさらに含むことが、解像性の点から好ましい。
感光性樹脂組成物は、(c)光重合開始剤として、本技術分野において一般に知られているものを含む。感光性樹脂組成物の全固形分に対する(c)光重合開始剤の含有量は、0.1〜20質量%の範囲であり、より好ましい範囲は0.5〜10質量%である。十分な感度を得るという観点から0.1質量%以上であり、また、レジスト底面にまで光を充分に透過させ、良好な高解像性を得るという観点から20質量%以下である。
感光性樹脂組成物の取扱い性を向上させるために、ロイコ染料、フルオラン染料、及び/又は着色物質を入れることも可能である。
感光性樹脂積層体は、支持層上に感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層を有する。必要により、感光性樹脂層の支持層側とは反対側の表面に保護層を有してよい。本発明に用いられる支持層としては、露光光源から放射される光を透過する透明なものが好ましい。このような支持層としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、塩化ビニリデン共重合フィルム、ポリメタクリル酸メチル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリアクリロニトリルフィルム、スチレン共重合体フィルム、ポリアミドフィルム、セルロース誘導体フィルムが挙げられる。これらのフィルムとして、必要に応じて、延伸されたフィルムも使用可能である。フィルムのヘーズは、5以下であることが好ましい。フィルムの厚みは、薄くなるほど画像形成性及び経済性の面で有利であるが、強度を維持するために10〜30μmのものが好ましい。
感光性樹脂積層体を用いたレジストパターンは、感光性樹脂積層体をラミネートするラミネート工程、活性光を露光する露光工程、及び未露光部を除去する現像工程を含む方法によって形成することができる。下記に具体的な方法の一例を示す。
プリント配線板の製造方法は、基板として銅張積層板又はフレキシブル基板を用いた上述のレジストパターン形成方法に続いて、以下の工程を経ることで行われる。
リードフレームの製造方法は、基板として金属板、例えば、銅、銅合金、又は鉄系合金を用いた上述のレジストパターンの形成方法に続いて、以下の工程を経ることで行われる。
半導体パッケージの製造方法は、LSIとしての回路形成が終了したウェハを基板として用いた上述のレジストパターンの形成方法に続いて、以下の工程を経ることで行われる。
サンドブラスト加工が可能な基材、例えば、ガラス基材、ガラスリブペーストを塗布したガラス基材、セラミック基材、ステンレスなどの金属基材、シリコンウエハー、サファイアなどの鉱石、又は合成樹脂層などの有機基材上に、上述の<レジストパターン形成方法>と同様な方法で、感光性樹脂積層体をラミネートし、露光、現像を施す。更に形成されたレジストパターン上からブラスト材を吹き付けて目的の深さに切削するサンドブラスト処理工程、基材上に残存した樹脂部分をアルカリ剥離液等で基材から除去する剥離工程を経て、基材上に微細なパターンを形成できる。上前記サンドブラスト処理工程に用いるブラスト材は公知のものが用いられ、例えばSiC、SiO2、Al2O3、CaCO3、ZrO2、ガラス、及びステンレス等が挙げられる。これらのブラスト材としては、粒径が約2〜100μmである微粒子が用いられる。
以下に、実施例及び比較例の評価用サンプルの作製方法並びに得られたサンプルについての評価方法及び評価結果について示す。
実施例及び比較例における感光性樹脂積層体は次の様にして作製した。
<感光性樹脂積層体の作製>
表1に示す感光性樹脂組成物の溶液を、固形分量が50質量%になるように調製し、よく撹拌、混合した。次に支持フィルムとして16μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルム(三菱化学社製R340−G16)上に、表1に示す感光性樹脂組成物をブレードコーターを用いて均一に塗布し、95℃で1分間乾燥した。乾燥後の感光性樹脂層の膜厚は10μmであった。次いで、感光性樹脂層上の表面上に、保護層として35μm厚のポリエチレンフィルム(タマポリ社製GF−858)を貼り合わせて感光性樹脂積層体を得た。
絶縁樹脂に35μm銅箔を積層した0.4mm厚の銅張積層板を用いて評価した。尚、以下の項目でその他の基板を用いる場合はその旨を記載した。
感光性樹脂積層体の保護層を剥がしながら、ホットロールラミネーター(旭化成エンジニアリング(株)社製、AL−700)により、ロール温度105℃でラミネートした。エアー圧力は0.35MPaとし、ラミネート速度は1.5m/min.とした。
直接描画露光機(日立ビアメカニクス製、DE−1AH)により25mWで50mJ/cm2の露光量で感光性樹脂層を露光した。
30℃の1.0質量%Na2CO3水溶液を所定時間スプレーし、感光性樹脂層の未露光部分を溶解除去した。この際、未露光部分の感光性樹脂層が完全に溶解するのに要する最も少ない時間を最小現像時間とした。実際には、最小現像時間の2倍の時間で現像し、硬化レジストパターンを得た。
上記評価サンプルの作成にて説明した方法に加え、それぞれの性能については以下の方法により評価した。
1.0mm径のスルーホール穴が2500個作製された500mm×500mmの0.2mm厚みの銅張積層板に上記方法により両面にラミネートを施した基板を、上記露光方法により全面に直描露光し硬化膜を得て、上記現像方法により現像した。現像後に硬化レジスト膜の破れている個数をカウントし、下記のようにランク分けした。
◎:破れている個数が25個以下。
○:破れている個数が25個を超え、75個以下。
△:破れている個数が75個を超え、150個以下。
×:破れている個数が150個を超える。
ラミネート後15分経過した基板を、直接描画露光機(日立ビアメカニクス製、DE−1AH)により25mWで50mJ/cm2の露光量で、露光部と未露光部の幅が1:1の比率のラインパターンを用いて感光性樹脂層を露光し、現像した。硬化レジストパターンが正常に形成されている最小マスク幅を解像度の値とし、解像性を下記のようにランク分けした。
◎:解像度の値が10μm以下
○:解像度の値が10μmを超え15μm以下
△:解像度の値が15μmを超え17μm以下
×:解像度の値が17μmを超える。
実施例および比較例の評価結果を表1に示す。表1におけるB−1〜B−6の質量部は固形分の質量部であり、溶剤を含まない。感光性樹脂組成物を調整するには、B−1〜B−3の固形分濃度が50質量%であるメチルエチルケトン溶液を予め作成し、表1の固形分となるように各B−1〜B−6の溶液を配合した。
B−1:メタクリル酸25質量%、メタクリル酸ベンジル50質量%、スチレン25質量%の三元共重合体(重量平均分子量100,000、酸当量344)
B−2: メタクリル酸25質量%、メタクリル酸ベンジル50質量%、スチレン25質量%の三元共重合体(重量平均分子量50,000、酸当量344)
B−3:メタクリル酸25質量%、メタクリル酸ベンジル65質量%、メタクリル酸2−エチルヘキシル質量10%の三元共重合体(重量平均分子量50,000、酸当量344)
B−4:メタクリル酸25質量%、メタクリル酸ベンジル65質量%、メタクリル酸2−エチルヘキシル質量10%の三元共重合体(重量平均分子量100,000、酸当量344)
B−5:メタクリル酸25質量%、メタクリル酸メチル65質量%、ブチルアクリレート10質量%の三元共重合体(重量平均分子量100,000、酸当量344)
B−6:メタクリル酸25質量%、メタクリル酸メチル50質量%、スチレン25質量%の三元共重合体(重量平均分子量50,000、酸当量344)
M−1:ペンタエリスリトールの4つの末端に合計で15モルのエチレンオキシドを付加したテトラアクリレート
M−2:ペンタエリスリトールの4つの末端にそれぞれ1モルのエチレンオキシドを付加したテトラアクリレート(サートマージャパン(株)社製SR−494)
M−3:ペンタエリスリトールの4つの末端に合計で20モルのエチレンオキシドと4モルのプロピレンオキシドを付加したテトラアクリレート
M−4:ペンタエリスリトールの4つの末端に合計で35モルのエチレンオキシドを付加したテトラアクリレート(新中村化学製ATM−35E)
M−5:平均12モルのプロピレンオキサイドを付加したポリプロピレングリコールにエチレンオキサイドをさらに両端にそれぞれ平均3モルずつ付加したポリアルキレングリコールのジメタクリレート
M−6:ビスフェノールAの両端にそれぞれ平均5モルずつのエチレンオキサイドを付加したポリエチレングリコールのジメタクリレート(日立化成工業(株)製FA−321M)
I−1:2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体
I−2:1−フェニル−3−(4−tert−ブチル−スチリル)−5−(4−tert−ブチル−フェニル)−ピラゾリン
I−3:9−フェニルアクリジン
I−4:N−フェニルグリシン
D−1:ダイアモンドグリーン
D−2:ロイコクリスタルバイオレット
F−1:メチルエチルケトン
Claims (11)
- 感光性樹脂組成物の全固形分を基準として、
(a)酸当量が100〜600であるアルカリ可溶性樹脂、20〜90質量%;
(b)光重合可能な不飽和二重結合を有する化合物、5〜75質量%;及び
(c)光重合開始剤、0.1〜20質量%
を含む感光性樹脂組成物であって、
前記(b)光重合可能な不飽和二重結合を有する化合物が、下記一般式(I):
{式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立にH又はCH3であり、R5は、それぞれ独立に、炭素数が3又は4であるアルキレン基であり、n1、n2、n3 及びn4 は、それぞれ独立に0又は正の整数であり、m1、m2、m3及びm4は、それぞれ独立に0であり、n1+n2+n3+n4+m1+m2+m3+m4は、8〜20の整数であり、n1+n2+n3+n4は、8〜20の整数であり、m1+m2+m3+m4は、0であり、-(C2H4-O)-及び-(R5-O)-の繰り返し単位の配列は、ランダムであってもブロックであってもよく、そして-(C2H4-O)-及び-(R5-O)-の順序は、いずれが四級炭素側であってもよい。}
で表される化合物を含むことを特徴とする、感光性樹脂組成物。 - 前記(a)アルカリ可溶性樹脂として、70,000〜220,000の重量平均分子量を有するアルカリ可溶性樹脂を含む、請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記(a)アルカリ可溶性樹脂が、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレートを共重合成分として含有する、請求項1又は2に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記(b)光重合可能な不飽和二重結合を有する化合物が、下記一般式(II):
{式中、R6、R7、R8及びR9は、それぞれ独立にH又はCH3であり、R10は、それぞれ独立に、炭素数が3又は4であるアルキレン基であり、n5、n6、n7、n8、m5、m6、m7及びm8は、それぞれ独立に0又は正の整数であり、n5+n6+n7+n8+m5+m6+m7+m8は、1〜7の整数であり、n5+n6+n7+n8は、1〜7の整数であり、m5+m6+m7+m8は、0〜6の整数であり、-(C2H4-O)-及び-(R10-O)-の繰り返し単位の配列は、ランダムであってもブロックであってもよく、そして-(C2H4-O)-及び-(R10-O)-の順序は、いずれが四級炭素側であってもよい。}
で表される化合物をさらに含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。 - 支持層上に請求項1〜4のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層を有する、感光性樹脂積層体。
- 請求項5に記載の感光性樹脂積層体を基板上にラミネートするラミネート工程、活性光を露光する露光工程、未露光部を除去する現像工程を含む、レジストパターンの形成方法。
- 前記露光が、直接描画露光である、請求項6に記載のレジストパターンの形成方法。
- 基板として銅張積層板を用い、かつ請求項6又は7に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板をエッチングまたはめっきする工程を含む、導体パターンの製造方法。
- 基板として金属被覆絶縁板を用い、かつ請求項6又は7に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、エッチングまたはめっきし、さらにレジストパターンを剥離することを特徴とする、プリント配線板の製造方法。
- 基板として金属板を用い、かつ請求項6又は7に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板をエッチングし、レジストパターンを剥離することを特徴とするリードフレームの製造方法。
- LSIとしての回路形成が終了したウェハを基板として用い、かつ請求項6又は7に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板をめっきし、さらにレジストパターンを剥離することを特徴とする、半導体パッケージの製造方法。
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