JP5656177B2 - 有機発光素子用基板及びその製造方法 - Google Patents
有機発光素子用基板及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5656177B2 JP5656177B2 JP2013546043A JP2013546043A JP5656177B2 JP 5656177 B2 JP5656177 B2 JP 5656177B2 JP 2013546043 A JP2013546043 A JP 2013546043A JP 2013546043 A JP2013546043 A JP 2013546043A JP 5656177 B2 JP5656177 B2 JP 5656177B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- scattering
- organic light
- refractive
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
- G02B5/0205—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
- G02B5/0236—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element
- G02B5/0242—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element by means of dispersed particles
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
- G02B5/0273—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use
- G02B5/0278—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use used in transmission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/50—Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Description
|Na−Nb|≧0.2
|Nc−Nd|≦0.2
一実施例で、前記製造方法は、高屈折ナノ粒子、有機または無機バインダー及び散乱粒子を含む高屈折コーティング液を使用して犠牲基板上に高屈折散乱層を形成する段階と;形成された高屈折散乱層上に接着層を媒介で基材をラミネートする段階と;犠牲基板を除去する段階と;を含むことができる。
[発明を実施するための形態]
[有機発光素子用基板の製造]
内部に高屈折フィラーが分散されているUV硬化型有機バインダー(TYT−80−01、固形分含量:25wt%、Toyo ink製)10gに屈折率が約1.52の高分子ビーズ(XX75BQ、直径3μm、Sekisui製)1gを充分に混合し、コーティング液を調剤した。その後、プライマーが処理されていないポリエステルフィルム(PETフィルム)の表面上に前記コーティング液をコーター(6番Meyer bar coater)を使用してコーティングした。次いで、前記コーティングされたコーティング液を100℃で2分間乾燥し、UV硬化器を使用して1J/cm2のエネルギーで硬化させてフィルムを製造した。別にOLED用ガラス基板上にUV硬化型接着剤(NOA65、Norland Products Inc製)を適量落とした後、前記コーティングされたコーティングフィルムを、コーティング層がガラス基板に向けるように覆った後、ポリエステルフィルム面をゴムローラーで圧力を印加しつつラミネートし、高屈折コーティング層の表面とガラス基板との間に接着剤が充分に広がるようにした。その後、UV硬化器を使用して2J/cm2のエネルギーで前記接着剤層を硬化させた後、ポリエステルフィルムを除去し、有機発光素子用基板を製造した。
前記製造された有機発光素子用基板の平坦面(除去されたポリエステルフィルムと接した面)に下記表に記載されたIZO層からAl電極層までの層を順次に形成し、2x2mm2の発光領域を有する2スタック(stack)白色OLEDを製作した(平坦面上に下記表の1番層から13番層までを順次に形成)。この過程で、HIL、HTL、EML、ETL、CGL、HBLまたはEILの素材は、白色OLEDの製造分野で通常的に使用される素材を使用し、また、その形成方法も一般的な方式を使用した。OLEDの具体的な積層構造は、下記表1の通りである。
コーティング液の製造時に高分子ビーズの量を1.5gに変更したことを除いて、実施例1と同一の方式で基板を製造し、また、その平坦面にOLED素子を形成した。
OLED素子用として研磨処理されたムアルカリガラス基板上に前記実施例1の表で記載されたものと同一の構造のOLED素子を形成した。
基板上に実施例1で製造した高屈折散乱層用コーティング液をコーティングした。
実施例1、2及び比較例1、2で製作された基板に対する平坦度を測定した。具体的には、各実施例及び比較例で製作された基板の透明ガラス基板の反対面に対する最大高さ粗度(maximum height roughness)を測定した。最大高さ粗度は、製造されたサンプルに対して10x10μm2領域範囲内で測定した最大高さと最低高さとの差を測定した。測定結果はは、下記表2に示す。
実施例及び比較例で製造されたOLEDを0.4mAの定電流駆動条件下で駆動させ、抽出される光の光束を測定し、光抽出効率を評価した。光束の測定時には、OLED素子が形成されている面とは反対面のガラス基板にガラス基板と同一の屈折率である1.52の屈折率を有する半球型レンズを付着し、積分球を利用して素子から放出される光の量を測定した。測定結果は、下記表3に示す。
22 高屈折散乱層
21 接着層
30 散乱粒子
40 第1電極
50 有機層
60 第2電極
Claims (15)
- 基材と;前記基材上に形成され、高屈折物質内に光を散乱させる散乱粒子を含む高屈折散乱層と;前記基材と前記高屈折散乱層との間に形成され、前記基材と前記高屈折散乱層を接合する接着層と;を含み、
前記高屈折散乱層は、前記散乱粒子が前記高屈折物質に含浸された構造であり、
前記高屈折散乱層が前記接着層により前記基材と接合される面は、前記散乱粒子による凹凸が形成されており、前記高屈折散乱層が前記接着層により前記基材と接合された面の反対面は、平坦面が形成されており、
前記平坦面は、最大高さ粗度が10x10μm 2 領域で1μm以下であり、犠牲基板上に前記高屈折散乱層を形成し前記犠牲基板を除去することにより形成されることを特徴とする有機発光素子用基板。 - 前記高屈折散乱層の平均厚さは、前記散乱粒子の平均粒径より小さいことを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子用基板。
- 前記高屈折散乱層内の前記高屈折物質の屈折率は、1.7以上であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機発光素子用基板。
- 前記高屈折物質の屈折率Na、前記散乱粒子の屈折率Nb、前記基材の屈折率Nc及び前記接着層の屈折率Ndは、下記数式1及び数式2のうちいずれか1つの関系を満たすことを特徴とする請求項1から請求項3の何れか1項に記載の有機発光素子用基板。
[数式1]
|Na−Nb|≧0.2
[数式2]
|Nc−Nd|≦0.2 - 前記高屈折散乱層の前記平坦面上に形成された0.1から5μm厚さの高屈折物質コーティング層をさらに含むことを特徴とする請求項1から請求項4の何れか1項に記載の有機発光素子用基板。
- 有機または無機バインダー及び散乱粒子を含むコーティング液を使用して犠牲基板上に散乱層を形成する段階と;
形成された散乱層上に接着層を媒介で基材をラミネートする段階と;
前記犠牲基板を除去する段階と;を含む有機発光素子用基板の製造方法。 - 前記散乱層を形成する段階は、
コーティング液を前記犠牲基板に塗布する段階と;
塗布された前記コーティング液を乾燥する段階と;
乾燥した前記コーティング液を硬化させる段階と;を含むことを特徴とする請求項6に記載の有機発光素子用基板の製造方法。 - 前記犠牲基板を除去する段階後に、前記散乱層の前記犠牲基板が除去された面上に、
散乱粒子が含まれていないコーティング液を使用してコーティング層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項6または請求項7に記載の有機発光素子用基板の製造方法。 - 前記コーティング液は、高屈折ナノ粒子をさらに含むことを特徴とする請求項6から請求項8の何れか1項に記載の有機発光素子用基板の製造方法。
- 前記高屈折ナノ粒子は、二酸化チタン、アルミナ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化ハフニウム、五酸化ニオブ、五酸化タンタル、酸化インジウム、酸化錫、酸化インジウム錫、酸化亜鉛、ケイ素、亜鉛黄、炭酸カルシウム、硫酸バリウム及び酸化マグネシウムよりなる群から選択される1種以上であることを特徴とする請求項9に記載の有機発光素子用基板の製造方法。
- 前記高屈折ナノ粒子は、平均粒径が1から100nm範囲であることを特徴とする請求項9または請求項10に記載の有機発光素子用基板の製造方法。
- 前記散乱層内の散乱粒子は、単一層(monolayer)で形成されることを特徴とする請求項6から請求項11の何れか1項に記載の有機発光素子用基板の製造方法。
- 前記散乱粒子は、有機または無機粒子であることを特徴とする請求項6から請求項12の何れか1項に記載の有機発光素子用基板の製造方法。
- 前記散乱粒子は、球、楕円体または無定形であることを特徴とする請求項6から請求項13の何れか1項に記載の有機発光素子用基板の製造方法。
- 前記散乱粒子の平均粒径は、0.1μmから20μmであることを特徴とする請求項6から請求項14の何れか1項に記載の有機発光素子用基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2010-0135620 | 2010-12-27 | ||
| KR1020100135620A KR101114916B1 (ko) | 2010-12-27 | 2010-12-27 | 유기발광소자용 기판 및 그 제조방법 |
| PCT/KR2011/010165 WO2012091415A2 (ko) | 2010-12-27 | 2011-12-27 | 유기발광소자용 기판 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014506380A JP2014506380A (ja) | 2014-03-13 |
| JP5656177B2 true JP5656177B2 (ja) | 2015-01-21 |
Family
ID=45840410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013546043A Active JP5656177B2 (ja) | 2010-12-27 | 2011-12-27 | 有機発光素子用基板及びその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9905764B2 (ja) |
| EP (1) | EP2660891B1 (ja) |
| JP (1) | JP5656177B2 (ja) |
| KR (1) | KR101114916B1 (ja) |
| CN (1) | CN103370807B (ja) |
| WO (1) | WO2012091415A2 (ja) |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12018857B2 (en) | 2008-06-13 | 2024-06-25 | Kateeva, Inc. | Gas enclosure assembly and system |
| US8383202B2 (en) | 2008-06-13 | 2013-02-26 | Kateeva, Inc. | Method and apparatus for load-locked printing |
| US11975546B2 (en) | 2008-06-13 | 2024-05-07 | Kateeva, Inc. | Gas enclosure assembly and system |
| US12064979B2 (en) | 2008-06-13 | 2024-08-20 | Kateeva, Inc. | Low-particle gas enclosure systems and methods |
| US10434804B2 (en) | 2008-06-13 | 2019-10-08 | Kateeva, Inc. | Low particle gas enclosure systems and methods |
| KR20130108027A (ko) * | 2012-03-23 | 2013-10-02 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자소자용 기판의 제조방법 |
| TWI523809B (zh) * | 2012-05-09 | 2016-03-01 | 南臺科技大學 | 具微結構之基材及其製作方法 |
| JP2015530700A (ja) * | 2012-07-31 | 2015-10-15 | エルジー・ケム・リミテッド | 有機電子素子用基板 |
| EP2882006B1 (en) * | 2012-07-31 | 2021-05-19 | LG Chem, Ltd. | Substrate for organic electronic device |
| WO2014045219A1 (en) * | 2012-09-21 | 2014-03-27 | Koninklijke Philips N.V. | Light source |
| EP2904652B1 (en) * | 2012-10-01 | 2020-07-15 | Corning Incorporated | Oled comprising light extraction substructures and display devices incorporating the same |
| KR101421023B1 (ko) * | 2012-10-23 | 2014-07-22 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법 |
| JP2016506015A (ja) * | 2012-11-14 | 2016-02-25 | エルジー・ケム・リミテッド | 透明導電性膜およびこれを含む有機発光素子 |
| KR101466834B1 (ko) | 2013-05-10 | 2014-11-28 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법 |
| ES2564141T3 (es) * | 2013-06-14 | 2016-03-18 | Saint-Gobain Glass France | Substrato de OLED difusor transparente y método para producir tal substrato |
| WO2014208429A1 (ja) * | 2013-06-25 | 2014-12-31 | 日本ゼオン株式会社 | 光学積層体及び面光源装置 |
| KR20150024189A (ko) * | 2013-08-26 | 2015-03-06 | 주식회사 엘지화학 | 플렉서블 기판의 제조방법 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법 |
| KR102194400B1 (ko) * | 2013-09-06 | 2020-12-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전자 소자 및 이의 제조방법 |
| KR101957265B1 (ko) * | 2013-09-27 | 2019-06-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자 |
| KR101947008B1 (ko) * | 2013-09-27 | 2019-04-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전극 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
| KR101974089B1 (ko) * | 2013-09-27 | 2019-04-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자 |
| US9933587B2 (en) * | 2013-09-30 | 2018-04-03 | Corning Incorporated | OLEDs with improved light extraction using enhanced guided mode coupling |
| WO2015100375A1 (en) | 2013-12-26 | 2015-07-02 | Kateeva, Inc. | Thermal treatment of electronic devices |
| WO2015112454A1 (en) | 2014-01-21 | 2015-07-30 | Kateeva, Inc. | Apparatus and techniques for electronic device encapsulation |
| KR102850075B1 (ko) * | 2014-04-30 | 2025-08-25 | 카티바, 인크. | 가스 쿠션 장비 및 기판 코팅 기술 |
| KR101567335B1 (ko) * | 2014-09-05 | 2015-11-09 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
| WO2016047970A2 (ko) * | 2014-09-25 | 2016-03-31 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
| KR101579457B1 (ko) * | 2014-12-22 | 2015-12-22 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
| KR101642120B1 (ko) * | 2014-12-24 | 2016-07-22 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
| CN104793275A (zh) * | 2015-04-29 | 2015-07-22 | 宁波江北激智新材料有限公司 | 一种色度坐标和色域范围可调的荧光薄膜 |
| JP2017027872A (ja) | 2015-07-27 | 2017-02-02 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
| EP3353583A1 (en) * | 2015-09-23 | 2018-08-01 | Corning Incorporated | Oled light extraction using nanostructured coatings |
| KR102188235B1 (ko) * | 2015-11-10 | 2020-12-10 | 한국전자통신연구원 | 유기 발광 소자의 제조 방법 |
| WO2017187431A1 (en) * | 2016-04-29 | 2017-11-02 | Sabic Global Technologies B.V. | High refractive index (hri) substrate and method for fabrication thereof |
| US9978990B2 (en) | 2016-07-12 | 2018-05-22 | Corning Incorporated | Waveguides comprising light extraction nanostructures and display devices comprising the same |
| CN106154367B (zh) * | 2016-08-23 | 2020-03-20 | 苏州大学 | 一种光扩散片 |
| WO2018109720A1 (en) * | 2016-12-14 | 2018-06-21 | Sabic Global Technologies B.V. | Fabrication of internal light extraction film used in organic light emitting diodes |
| KR102558858B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-07-21 | 코닝 인코포레이티드 | 유기발광장치의 광추출기판 및 그 제조방법 |
| CN108899435A (zh) * | 2018-06-22 | 2018-11-27 | 中国乐凯集团有限公司 | Oled照明器件光提取膜及其制造方法 |
| US12543433B2 (en) * | 2018-07-23 | 2026-02-03 | Corning Incorporated | Light extraction structure with high index nanoparticles for an organic light emitting diode |
| CN110828517A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-02-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
| CN119855378A (zh) | 2019-11-20 | 2025-04-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3329958B2 (ja) * | 1994-10-20 | 2002-09-30 | 大日本印刷株式会社 | 機能性超微粒子を含む透明機能性膜、透明機能性フィルム及びその製造方法 |
| JP3592765B2 (ja) * | 1994-09-28 | 2004-11-24 | 大日本印刷株式会社 | 光学機能性フィルム及びその製造方法 |
| MY145695A (en) * | 2001-01-24 | 2012-03-30 | Nichia Corp | Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| US8415208B2 (en) * | 2001-07-16 | 2013-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device |
| JP3899011B2 (ja) * | 2001-10-25 | 2007-03-28 | 松下電工株式会社 | 面発光体 |
| CN100397099C (zh) * | 2002-11-25 | 2008-06-25 | 富士胶片株式会社 | 防反射薄膜、偏振片和液晶显示器 |
| JP4448681B2 (ja) * | 2002-11-25 | 2010-04-14 | 富士フイルム株式会社 | 反射防止フィルム、偏光板、及び液晶表示装置 |
| JP2005085705A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Seiko Epson Corp | 電気デバイス及びその製造方法、電子機器 |
| JPWO2005115740A1 (ja) * | 2004-05-26 | 2008-03-27 | 日産化学工業株式会社 | 面発光体 |
| JP4177788B2 (ja) * | 2004-06-09 | 2008-11-05 | 株式会社東芝 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| US20060066803A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-03-30 | Aylward Peter T | Substrate free flexible liquid crystal displays |
| TW200641387A (en) * | 2005-02-21 | 2006-12-01 | Dainippon Printing Co Ltd | Anti-glare optical multilayer body |
| JP4846265B2 (ja) * | 2005-05-13 | 2011-12-28 | 共同印刷株式会社 | 表示装置用素子基板及びその製造方法 |
| US7594839B2 (en) * | 2006-02-24 | 2009-09-29 | Eastman Kodak Company | OLED device having improved light output |
| US20070201056A1 (en) * | 2006-02-24 | 2007-08-30 | Eastman Kodak Company | Light-scattering color-conversion material layer |
| US7851995B2 (en) * | 2006-05-05 | 2010-12-14 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device having improved light output |
| US20070291363A1 (en) * | 2006-06-19 | 2007-12-20 | Fujifilm Corporation | Optical Film |
| US7744717B2 (en) * | 2006-07-17 | 2010-06-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for enhancing the resolution of a thermally transferred pattern |
| JP4866200B2 (ja) * | 2006-10-05 | 2012-02-01 | パナソニック株式会社 | 発光デバイスの製造方法 |
| JP2008299250A (ja) | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Olympus Corp | 撮像装置 |
| JP2009110930A (ja) | 2007-08-21 | 2009-05-21 | Fujifilm Corp | 散乱部材、及びこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| EP2203030A4 (en) | 2007-08-27 | 2010-09-29 | Panasonic Elec Works Co Ltd | ORGANIC EL LIGHT ELEMENT |
| JP5558363B2 (ja) * | 2007-11-29 | 2014-07-23 | エルジー・ケム・リミテッド | 耐摩耗性および指紋除去性に優れたコーティング組成物およびコーティングフィルム |
| JP5362711B2 (ja) * | 2008-05-21 | 2013-12-11 | パイオニア株式会社 | 有機発光素子 |
| WO2010003066A2 (en) * | 2008-07-03 | 2010-01-07 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Transparent conducting electrode |
| TWI391374B (zh) * | 2008-09-19 | 2013-04-01 | Lg Chemical Ltd | 氟基化合物及包含其之塗佈組成物 |
| JP2010256458A (ja) | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Fujifilm Corp | 光取出し部材用微粒子分散物、コーティング組成物、光取出し部材、及び有機電界発光表示装置 |
-
2010
- 2010-12-27 KR KR1020100135620A patent/KR101114916B1/ko active Active
-
2011
- 2011-12-27 WO PCT/KR2011/010165 patent/WO2012091415A2/ko not_active Ceased
- 2011-12-27 EP EP11853403.1A patent/EP2660891B1/en active Active
- 2011-12-27 JP JP2013546043A patent/JP5656177B2/ja active Active
- 2011-12-27 CN CN201180067428.2A patent/CN103370807B/zh active Active
-
2013
- 2013-06-26 US US13/928,161 patent/US9905764B2/en active Active
- 2013-06-27 US US13/929,296 patent/US10134993B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2660891A4 (en) | 2014-08-20 |
| CN103370807A (zh) | 2013-10-23 |
| US20130286659A1 (en) | 2013-10-31 |
| JP2014506380A (ja) | 2014-03-13 |
| US9905764B2 (en) | 2018-02-27 |
| EP2660891B1 (en) | 2017-03-22 |
| KR101114916B1 (ko) | 2012-02-14 |
| CN103370807B (zh) | 2016-10-26 |
| EP2660891A2 (en) | 2013-11-06 |
| US20130284354A1 (en) | 2013-10-31 |
| WO2012091415A3 (ko) | 2012-10-18 |
| US10134993B2 (en) | 2018-11-20 |
| WO2012091415A2 (ko) | 2012-07-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5656177B2 (ja) | 有機発光素子用基板及びその製造方法 | |
| CN103765987B (zh) | 有机发光二极管的制造方法、有机发光二极管、图像显示装置、照明装置以及基板 | |
| CN104335679B (zh) | 有机发光二极管、有机发光二极管的制造方法、图像显示装置及照明装置 | |
| CN103443952B (zh) | 具有纳米粒子和周期性结构的oled光提取膜 | |
| CN102246064B (zh) | 具有高折射率回填层和钝化层的光提取膜 | |
| JP4541402B2 (ja) | ナノサイズの半球状凸部を有する基板または電極を用いた高効率有機発光素子およびその製造方法 | |
| TWI552881B (zh) | 用於有機電子裝置之基板及其製造方法 | |
| US20090224660A1 (en) | Light-extraction layer of light-emitting device and organic electroluminescence element employing the same | |
| KR20120024358A (ko) | 유기전자소자용 기판 및 그 제조방법 | |
| JP2011108632A (ja) | 有機発光表示装置及びその製造方法 | |
| TW201234583A (en) | Organic light emitting diode and method for producing the same, image display device and lighting device | |
| TWI669840B (zh) | Light-emitting element | |
| KR102132645B1 (ko) | 유기 발광 다이오드, 유기 발광 다이오드용 기판 및 그 제조 방법 | |
| KR101114917B1 (ko) | 유기전자소자용 기판 및 그 제조방법 | |
| KR102043174B1 (ko) | 강화된 추출 성능을 갖는 광 산란 필름 | |
| TW201813151A (zh) | 含有光萃取奈米結構之波導以及含有該波導之顯示元件 | |
| Kim et al. | P‐176: Distinquished Poster Paper: The Suppression of Viewing Angle Dependence of Top Emission Organic Light Emitting Diodes Having Strong Microcavity Characteristics by Applying Concave Patterned Anode |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140613 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140624 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140924 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141028 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141117 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5656177 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |