JP5703547B2 - 樹脂組成物、プリプレグ、積層板、多層プリント配線および半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、樹脂組成物、プリプレグ、積層板、多層プリント配線および半導体装置に関するものである。

近年、電子機器の高機能化等の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、更には高密度実装化等が進んでいる。そのため、これらに使用される高密度実装対応のプリント配線板等は、従来にも増して、小型薄型化かつ高密度化が進んでいる。
特に薄型化の場合、基板自体の剛性が低いため、リフローで部品を接続する際に反りのが問題となる。そのため、より低反り・低熱膨張に優れた配線板は、無機充填剤の配合比率が高くなる傾向にある。

しかしながら、無機充填材の比率が高くなると低熱膨張に優れるが、樹脂の流動性が低下してしまう場合が多かった。

また、半田リフロー温度の高温化に対応するために、無機充填剤としてベーマイトのような耐熱性の高いものを用いる技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
しかし、ベーマイトのような不定形の無機充填剤を用いると、樹脂の流動性の低下を招いてしまい、無機充填剤の高充填化が困難であった。

特開２００４−５９６４３号公報

本発明の目的は、不定形の無機充填剤を用いた場合であっても流動性を損なうことなく、積層板の反りが抑制される樹脂組成物を提供することにある。
また、本発明の別の目的は、上述した樹脂組成物を用いて性能に優れるプリプレグ、積層板、多層プリント配線板および半導体装置を提供することにある。

本発明の目的は、下記（１）〜（１３）に記載の本発明により達成される。
（１）積層板を形成するために用いる樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂と、ベーマイトと、前記ベーマイトとレーザー回折散乱法により測定した平均粒子径が異なり、かつその平均粒子径が１０〜１００ｎｍである球状シリカと、を含み、前記ベーマイトの含有量（ｗ１）は前記樹脂組成物全体の２０〜６５重量％であり、前記平均粒子径が１０〜１００ｎｍである球状シリカの含有量（ｗ２）は前記樹脂組成物全体の０．５〜５重量％であり、前記ベーマイトの含有量（ｗ１）と、前記平均粒子径が１０〜１００ｎｍである球状シリカの含有量（ｗ２）との重量比（ｗ２／ｗ１）が、０．０２〜０．５である樹脂組成物。
（２）前記平均粒子径が１０〜１００ｎｍである球状シリカは、予め有機溶媒に分散したスラリーを用いるものである（１）に記載の樹脂組成物。
（３）前記ベーマイトの平均粒径が、０．５〜５μｍである（１）または（２）のいずれかに記載の樹脂組成物。
（４）さらに、平均粒子径が０．２〜３μｍの第３無機充填剤を含むものである（１）ないし（３）のいずれかに記載の樹脂組成物。
（５）前記第３無機充填剤の最大粒子径が、１０μｍ以下である（４）に記載の樹脂組成物。
（６）前記第２無機充填剤の含有量（ｗ２）と、前記第３無機充填剤の含有量（ｗ３）との重量比（ｗ２／ｗ３）が、０．０２〜１．５である（４）または（５）に記載の樹脂組成物。
（７）さらに、シアネート樹脂を含むものである（１）ないし（６）のいずれかに記載の樹脂組成物。
（８）前記エポキシ樹脂は、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂、およびアントラセン型エポキシ樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも１種である（１）ないし（７）のいずれかに記載の樹脂組成物。
（９）（１）ないし（８）のいずれかに記載の樹脂組成物を繊維基材に含浸してなることを特徴とするプリプレグ。
（１０）（９）に記載のプリプレグを少なくとも１枚以上重ね合わせた積層体の少なくとも片面に金属箔を有することを特徴とする積層板。
（１１）（９）に記載のプリプレグを絶縁層に用いてなることを特徴とする多層プリント配線板。
（１２）（１０）に記載の積層板を内層回路基板に用いてなることを特徴とする多層プリント配線板。
（１３）（１１）または（１２）に記載の多層プリント配線板に半導体素子を搭載してなることを特徴とする半導体装置。

本発明によれば、ベーマイトを用いた場合であっても流動性を損なうことなく、積層板の反りが抑制される樹脂組成物を得ることができる。
また、本発明によれば性能に優れるプリプレグ、積層板、多層プリント配線板および半導体装置を得ることができる。

以下、本発明の樹脂組成物、プリプレグ、積層板、多層プリント配線板および半導体装置について説明する。
本発明の樹脂組成物は、積層板を形成するために用いる樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂と、ベーマイトと、ベーマイトと平均粒子径が異なり、かつその平均粒子径が１０〜１００ｎｍであるシリカと、を含むことを特徴とする。
また、本発明のプリプレグは、上記に記載の樹脂組成物を繊維基材に含浸してなることを特徴とする。
また、本発明の積層板は、上記に記載のプリプレグを少なくとも１枚以上重ね合わせた積層体の少なくとも片面に金属箔を有することを特徴とする。
また、本発明の多層プリント配線板は、上記に記載のプリプレグを絶縁層に用いてなることを特徴とする。
また、本発明の多層プリント配線板は、上記に記載の積層板を内層回路基板に用いてなることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、上記に記載の多層プリント配線板に半導体素子を搭載してなることを特徴とする。

（樹脂組成物）
まず、樹脂組成物について説明する。
前記樹脂組成物は、エポキシ樹脂を含む。これにより、電気特性に優れる積層板を得ることができる。
前記エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、実質的にハロゲン原子を含まないものが好ましい。ここで、「実質的にハロゲン原子を含まない」とは、エポキシ樹脂の合成過程において使用されたハロゲン系成分に由来するハロゲンが、ハロゲン除去工程を経ても尚、エポキシ樹脂に残存していることを許容することを意味する。通常、エポキシ樹脂中に３０ｐｐｍを超えるハロゲン原子を含まないことが好ましい。

前記実質的にハロゲン原子を含まないエポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂（４，４’-シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂（４，４’-(１，４)-フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂（４，４’-(１，３-フェニレンジイソプリジエン)ビスフェノール型エポキシ樹脂）等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタンノボラック型エポキシ樹脂、１，１，２，２−（テトラフェノール）エタンのグリシジルエーテル類、３官能、または４官能のグリシジルアミン類、テトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用もでき、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用することもできる。
これらエポキシ樹脂の中でも特に、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂、およびアントラセン型エポキシ樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。これにより、吸湿半田耐熱性および難燃性を向上させることができる。

前記エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の５重量％以上、６０重量％以下とすることが好ましい。含有量が前記下限値未満であると樹脂組成物の硬化性が低下したり、当該樹脂組成物より得られるプリプレグ、または多層プリント配線板の耐湿性が低下したりする場合がある。また、前記上限値を超えるとプリプレグ、または多層プリント配線板の線熱膨張率が大きくなったり、耐熱性が低下したりする場合がある。前記エポキシ樹脂の含有量は、好ましくは樹脂組成物全体の１０重量％以上、５０重量％以下である。

前記（Ｂ）エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量１．０×１０^２以上、２．０×１０^４以下が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であると絶縁樹脂層の表面にタック性が生じる場合が有り、前記上限値を超えると半田耐熱性が低下する場合がある。重量平均分子量を前記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。
前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、例えばＧＰＣで測定することができる。

前記樹脂組成物は、ベーマイトを含む。これにより、低熱膨張性、耐熱性およびドリル加工性を向上させることができる。

前記ベーマイトの平均粒子径は、特に限定されないが、０．３〜５μｍであることが好ましく、特に０．５〜３μｍであることが好ましい。平均粒子径が前記範囲内であると、特に高充填性と流動性に優れる。
前記無機充填材の平均粒子径の測定は、レーザー回折散乱法により測定することができる。無機充填材を水中で超音波により分散させ、レーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ製、ＬＡ−５００）により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒子径とすることで測定することができる。具体的には、無機充填材の平均粒子径はＤ５０で規定される。

前記ベーマイトの含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成全体の２０〜６５重量％であることが好ましく、特に２５〜５５重量％であることが好ましい。含有量が前記範囲内であると、特に耐熱性と流動性とのバランスに優れる。

前記第１無機充填剤の１％熱分解温度は、２６０℃以上であり、特に、３００℃以上が好ましい。前記１％熱分解温度は、示差熱天秤（ＴＧ／ＤＴＡ）で、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で、初期重量から１％重量減少点の温度で規定される。３００℃以上の１％熱分解温度を有する第１の充填剤として、例えばベーマイト等が挙げられる。

前記樹脂組成物は、前記ベーマイトと平均粒子径が異なり、かつその平均粒子径が１０〜１００ｎｍである球状シリカを含む。これにより、前記ベーマイトを用いた際に生じる流動性の低下を抑制することができる。
前記球状シリカとしては、例えば燃焼法などの乾式の溶融シリカや沈降法やゲル法などの湿式のゾルゲルシリカなどが挙げられる。これらの中でもナノサイズのシリカを予め有機溶媒に分散したスラリーが好ましい。これにより、分散性を向上することもできる。
このようなシリカを予め有機溶媒に分散したスラリーを用いることで、不定形のベーマイトを用いた際に生じる流動性の低下を抑制することができる理由は、次のように考えられる。まず、ナノサイズのシリカのようなナノサイズの粒子は、凝集し易く、樹脂組成物に配合する際に２次凝集体等を形成してしまうことが多いが、スラリー状のものを用いることで、このような２次凝集を防止することができ、それによって流動性が低下するのを防止することができる。次に、ナノサイズのシリカの表面電位と、前記ベーマイトの表面電位との相違より、ナノサイズのシリカと前記ベーマイトとが相互作用により引き付けられる。そのため、ナノサイズのシリカが、前記ベーマイトの周囲に存在することになり、ナノサイズのシリカがスペーサー的な作用を有する。このように、ナノサイズのシリカが前記ベーマイトの周囲に存在して、スペーサーとして作用することにより、前記ベーマイトのファンデスワール力による引き付け合う力を低減させ、凝集を防止する。これによって、前記ベーマイトが、より高分散状態となり、流動性の低下を防止することができる。

前記球状シリカの平均粒子径は、特に１５〜９０ｎｍが好ましく、最も２５〜７５ｎｍが好ましい。平均粒子径が前記範囲内であると、高充填性、および高流動性にも優れる。
前記平均粒子径は、例えば、超音波振動電流法(ゼータ電位)、超音波減衰分光法(粒度分布) およびレーザー回折散乱法により測定することができる。
無機充填材を水中で超音波により分散させ、レーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ製、ＬＢ−５５０）により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒子径とすることで測定することができる。具体的には、無機充填材の平均粒子径はＤ５０で規定される

前記球状シリカの含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の０．５〜２０重量％が好ましく、１〜１０重量％が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特にプリプレグの含浸性、および成形性に優れる。

前記ベーマイトの含有量（ｗ１）と、前記球状シリカの含有量（ｗ２）との重量比（ｗ２／ｗ１）は、特に限定されないが、０．０２〜０．５であることが好ましく、特に０．０６〜０．４であることが好ましい。重量比が前記範囲内であると、特に成形性を向上することができる。

前記樹脂組成物は、特に限定されないが、平均粒子径が０．２〜３μｍの第３無機充填剤を含むことが好ましい。前記第１無機充填剤および第２無機充填剤と併用することにより、耐熱性および寸法安定性を特に向上することができる。

前記平均粒子径は、特に０．３〜２．５μｍが好ましく、最も０．４〜１．５μｍが好ましい。平均粒子径が前記範囲内であると、特に第２無機充填剤の高充填化と作業性とのバランスを向上することができる。
前記無機充填材の平均粒子径の測定は、レーザー回折散乱法により測定することができる。無機充填材を水中で超音波により分散させ、レーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ製、ＬＡ−５００）により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒子径とすることで測定することができる。具体的には、無機充填材の平均粒子径はＤ５０で規定される。

前記第３無機充填剤の最大粒子径も特に限定されないが、１０μｍ以下であることが好ましく、特に５μｍ以下であることが好ましい。これにより、ドリル加工時のビット折損率を低減することができる。

前記第３無機充填剤としては、シリカ、酸化チタン、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、アルミナ等が挙げられる。これらの中でもシリカが好ましく、特に球状の溶融シリカが好ましい。このような溶融シリカは、他の無機充填材と比較して低熱膨張性に優れるからである。また、前記球状シリカの製造方法は、特に限定されることなく、公知の方法によって得ることができる。前記球状シリカの製造方法としては、例えば乾式シリカ法、湿式シリカ法、ゾル-ゲル法によるシリカ製造方法等を挙げることができる

前記第２無機充填剤の含有量（ｗ２）と、前記第３無機充填剤の含有量（ｗ３）との重量比（ｗ２／ｗ３）は、特に限定されないが、０．０２〜１．５であることが好ましく、特に０．０５〜１．２であることが好ましい。重量比が前記範囲内であると、特に成形性に優れる。

前記第３無機充填剤（特にシリカ）の比表面積は、特に限定されないが、１ｍ^２／ｇ以上、２５０ｍ^２／ｇ以下であることが好ましい。比表面積が前記上限値を超えると第２無機充填剤同士が凝集しやすくなり、樹脂組成物の構造が不安定になる場合がある。また前記下限値未満であると樹脂組成物中に第２無機充填剤を充填し難い場合がある。尚、比表面積は、ＢＥＴ法により求めることができる。

前記第３無機充填剤（特にシリカ）は、予め官能基含有シラン類及び／又はアルキルシラザン類で表面処理して用いてもよい。表面処理を予め施すことで、第２無機充填剤の凝集を抑制することができ、本発明の樹脂組成物中にシリカを良好に分散させることができる。また、エポキシ樹脂と第２無機充填剤の表面の密着性が向上するため、機械強度に優れる絶縁層が得られる。

前記官能基含有シラン類及び／又はアルキルシラザン類の官能基含有シラン類としては公知のものを使用することができる。例えばエポキシシラン、スチリルシラン、メタクリロキシシラン、アクリロキシシラン、メルカプトシラン、Ｎ−ブチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−エチルアミノイソブチルトリメトキシシラン、Ｎ−メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−（Ｎ−アリルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、（シクロヘキシルアミノメチル）トリエトキシシラン、Ｎ−シクロヘキシルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−エチルアミノイソブチルメトキシルジエトキシシラン、（フェニルアミノメチル）メチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニルアミノメチルトリエトキシシラン、Ｎ−メチルアミノプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルシラン、イソシアネートシラン、スルフィドシラン、クロロプロピルシラン、ウレイドシラン化合物等を挙げることができる。

前記アルキルシラザン類としては、例えばヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシラザン、オクタメチルトリシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザンなどを挙げることができる。これらの中でもアルキルシラザン類としてはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）が好ましい。

前記第３無機充填剤（特にシリカ）へ予め表面処理する官能基含有シラン類及び／又はアルキルシラザン類の量は、特に限定しないが、前記第３無機充填剤１００重量部に対して０．０１重量部以上、５重量部以下であることが好ましい。さらに好ましくは０．１重量部以上、３重量部以下が好ましい。カップリング剤の含有量が前記上限値を超えると、多層プリント配線板製造時において絶縁層にクラックが入る場合があり、前記下限値未満であると、樹脂成分と第３無機充填剤との結合力が低下する場合がある。

前記第３無機充填剤（特にシリカ）を予め官能基含有シラン類及び／又はアルキルシラザン類で表面処理する方法は、特に限定されないが、湿式方式または乾式方式が好ましい。特に好ましくは湿式方式が好ましい。湿式方式の方が、乾式方式と比較した場合、前記第３無機充填剤の表面へ均一に処理することができる。

前記第３無機充填剤（特にシリカ）の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の２０重量％以上、８５重量％以下であることが好ましい。さらに好ましくは２５重量％以上、７５重量％以下である。前記第３無機充填剤の含有量が前記下限値未満であると、線熱膨張率が高くなったり、吸水率が高くなったりする場合がある。また、前記上限値を超えると、樹脂組成物の流動性の低下により絶縁樹脂層の成形性が低下する場合がある。前記第３無機充填剤の含有量を前記範囲内とすることにより、樹脂組成物の線熱膨張係数を３５ｐｐｍ以下にすることができる。
尚、本発明において、含有成分の樹脂組成物に対する含有量とは、含有成分の溶解及び／又は分散を目的として含有させる溶剤を除いた成分の合計量を１００重量％とするものである。

前記樹脂組成物は、特に限定されないが、シアネート樹脂を含むことが好ましい。これにより、難燃性をより向上することができる。
前記シアネート樹脂は、特に限定されないが、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。

前記シアネート樹脂の種類としては特に限定されないが、例えば、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂などを挙げることができる。

前記シアネート樹脂は、分子内に２個以上のシアネート基（−Ｏ−ＣＮ）を有することが好ましい。例えば、２,２'−ビス（４−シアナトフェニル）イソプロピリデン、１,１'−ビス（４−シアナトフェニル）エタン、ビス（４−シアナト-３,５−ジメチルフェニル）メタン、１,３−ビス（４−シアナトフェニル−１−（１−メチルエチリデン））ベンゼン、ジシクロペンタジエン型シアネートエステル、フェノールノボラック型シアネートエステル、ビス(４−シアナトフェニル)チオエーテル、ビス(４−シアナトフェニル)エーテル、１,１,１−トリス（４−シアナトフェニル）エタン、トリス(４−シアナトフェニル)ホスファイト、ビス(４−シアナトフェニル)スルホン、２,２-ビス(４−シアナトフェニル)プロパン、１,３-、１,４-、１,６-、１,８-、２,６-又は２,７-ジシアナトナフタレン、１,３,６-トリシアナトナフタレン、４,４'−ジシアナトビフェニル、およびフェノールのノボラック型、クレゾールノボラック型の多価フェノール類とハロゲン化シアンとの反応で得られるシアネート樹脂等が挙げられる。これらの中で、フェノールノボラック型シアネート樹脂が難燃性、および低熱膨張性に優れ、２,２'−ビス（４−シアナトフェニル）イソプロピリデン、およびジシクロペンタジエン型シアネートエステルが架橋密度の制御、および耐湿信頼性に優れている。特に、フェノールノボラック型シアネート樹脂が低熱膨張性の点から好ましい。また、更に他のシアネート樹脂を１種類あるいは２種類以上併用したりすることもでき、特に限定されない。

前記シアネート樹脂は、単独で用いてもよいし、重量平均分子量の異なるシアネート樹脂を併用したり、前記シアネート樹脂とそのプレポリマーとを併用したりすることもできる。
前記プレポリマーは、通常、前記シアネート樹脂を加熱反応などにより、例えば３量化することで得られるものであり、樹脂組成物の成形性、流動性を調整するために好ましく使用されるものである。
前記プレポリマーは、特に限定されないが、例えば３量化率が２０〜５０重量％のプレポリマーを用いた場合、良好な成形性、流動性を発現できる。

前記シアネート樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の５〜６０重量％であることが好ましい。さらに好ましくは１０〜５０重量％である。これにより、シアネート樹脂は、効果的に耐熱性、および難燃性を発現させることができる。シアネート樹脂の含有量が前記下限値未満であると熱膨張性が大きくなり、耐熱性が低下する場合があり、前記上限値を超えると樹脂組成物を用いたプリプレグの強度が低下する場合がある。シアネート樹脂の含有量は、特に好ましくは樹脂組成物の中に１０〜４０重量％である。

また、前記樹脂組成物は、特に限定されないが、カップリング剤を含むことが好ましい。これにより、機械強度を向上することができる。
特に前記第１無機充填剤として、ベーマイトを用いる場合は、カップリング剤として、方向族アミノシランを用いることが好ましい。これにより、ベーマイトと芳香族アミノシランの相乗効果により吸水性をより低下させることができ、かつこの樹脂組成物を用いて得られる多層プリント配線板に用いた場合、吸湿処理後の試験において、金属箔とプリプレグ、プリプレグ間の密着性に優れる。

前記芳香族アミノシランとしては、例えばＮ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、（フェニルアミノメチル）メチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニルアミノメチルトリエトキシシラン等の２級の芳香族アミノシラン、および３−（ｍ−アミノフェノキシ）プロピルトリメトキシシラン、ｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン、ｍ−アミノフェニルトリメトキシシラン等の１級の芳香族アミンが挙げられる。これらの中でも、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン等の２級の芳香族アミノシランが好ましい。これにより、ベーマイトとの組み合わせによる吸湿率の低下だけでなく、多層プリント配線板製造工程中のレーザー照射後の樹脂残渣除去工程において、デスミア性に優れた樹脂組成物を得ることができる。

前記カップリング剤（特に、芳香族アミノシラン）の含有量は、特に限定されないが、前記第１無機充填剤１００重量部に対して０．０５重量部以上、５重量部以下であることが好ましい。さらに好ましくは０．２重量部以上、２．５重量部以下が好ましい。前記カップリング剤の含有量が前記上限値を超えると、積層板の製造時おいて本発明の樹脂組成物を含浸してなるプリプレグの成形性が低下する場合があり、前記下限値未満であると、回路と本発明の樹脂組成物より形成される絶縁層との密着力が低下する場合がある。

前記樹脂組成物は、さらにフェノール系硬化剤を使用することができる。フェノール系硬化剤としてはフェノールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、ザイロック型フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ポリビニルフェノール類など公知慣用のものを単独あるいは２種以上組み合わせて使用することができる。

前記フェノール硬化剤の配合量は、特に限定されないが、エポキシ樹脂との当量比（フェノール性水酸基当量／エポキシ基当量）が１．０未満、０．１以上好ましい。これにより、未反応のフェノール硬化剤の残留がなくなり、吸湿耐熱性が向上する。更に、厳しい吸湿耐熱性を必要とする場合は、０．２〜０．５の範囲が特に好ましい。これは、フェノール樹脂は、硬化剤として作用するだけでなく、シアネート基とエポキシ基との硬化を促進することができる。

前記樹脂組成物は、必要に応じて、上記成分以外の添加物を、特性を損なわない範囲で添加することが出来る。上記成分以外の成分は、例えば、イミダゾール類、トリフェニルホスフィン、および４級ホスホニウム塩等の硬化促進剤、アクリレート類等の界面活性剤、染料、および顔料等の着色剤等を挙げることが出できる。

（プリプレグ）
次に、プリプレグについて説明する。
本発明のプリプレグは上記樹脂組成物を繊維基材に含浸してなるものである。これにより、耐熱性、低膨張性および難燃性に優れたプリプレグを得ることができる。前記基材としては、例えばガラス織布、ガラス不繊布、ガラスペーパー等のガラス繊維基材、紙、アラミド、ポリエステル、芳香族ポリエステル、フッ素樹脂等の合成繊維等からなる織布や不織布、金属繊維、カーボン繊維、鉱物繊維等からなる織布、不織布、マット類等が挙げられる。これらの基材は単独又は混合して使用してもよい。これらの中でもガラス繊維基材が好ましい。これにより、プリプレグの剛性、寸法安定性を向上することができる。

前記樹脂組成物を前記基材に含浸させる方法は、例えば基材を樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーターによる塗布する方法、スプレーによる吹き付ける方法等が挙げられる。これらの中でも、基材を樹脂ワニスに浸漬する方法が好ましい。これにより、基材に対する樹脂組成物の含浸性を向上することができる。 なお、基材を樹脂ワニスに浸漬する場合、通常の含浸塗布設備を使用することができる。

前記樹脂ワニスに用いられる溶媒は、前記樹脂組成物に対して良好な溶解性を示すことが望ましいが、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良好な溶解性を示す溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等が挙げられる。前記樹脂ワニスの固形分は、特に限定されないが、前記樹脂組成物の固形分３０〜８０重量％が好ましく、特に４０〜７０重量％が好ましい。これにより、樹脂ワニスの基材への含浸性を向上できる。前記基材に前記樹脂組成物を含浸させ、所定温度、例えば９０〜１８０℃で乾燥させることによりプリプレグを得ることが出来る。

（積層板）
次に、積層板について説明する。
本発明の積層板は、上記のプリプレグを少なくとも１枚以上重ね合わせた積層体の少なくとも片面に金属箔を有するものである。これにより、耐熱性、低膨張性および難燃性に優れた積層板を得ることができる。プリプレグ１枚のときは、その上下両面もしくは片面に金属箔を重ねる。また、プリプレグを２枚以上積層することもできる。プリプレグ２枚以上積層するときは、積層したプリプレグの最も外側の上下両面もしくは片面に金属箔あるいはフィルムを重ねる。次に、プリプレグと金属箔とを重ねたものを加熱加圧成形することで積層板を得ることができる。

前記加熱する温度は、特に限定されないが、１２０〜２２０℃が好ましく、特に１５０〜２００℃が好ましい。前記加圧する圧力は、特に限定されないが、１．５〜５ＭＰａが好ましく、特に２〜４ＭＰａが好ましい。 また、必要に応じて高温漕等で１５０〜３００℃の温度で後硬化を行ってもかまわない。

（多層プリント配線板）
次に、本発明の多層プリント配線板について説明する。
本発明の多層プリント配線板は、上記に記載のプリプレグを絶縁層に用いてなる。また、本発明の多層プリント配線板は、上記に記載の積層板を内層回路基板に用いてなる。
前記積層板を内層回路基板として用いる場合について説明する。
前記内層回路基板となる積層板の片面又は両面に回路形成する。場合によっては、ドリル加工、レーザー加工によりスルーホールを形成し、めっき等で両面の電気的接続をとることもできる。この内層回路基板に市販の樹脂シート、または前記本発明のプリプレグを重ね合わせて加熱加圧成形し、多層プリント配線板を得ることができる。
具体的には、上記樹脂シートの絶縁層側と内層回路板とを合わせて、真空加圧式ラミネーター装置などを用いて真空加熱加圧成形させ、その後、熱風乾燥装置等で絶縁層を加熱硬化させることにより得ることができる。ここで加熱加圧成形する条件としては、特に限定されないが、一例を挙げると、温度６０〜１６０℃、圧力０．２〜３ＭＰａで実施することができる。また、加熱硬化させる条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度１４０〜２４０℃、時間３０〜１２０分間で実施することができる。

また、前記プリプレグを前記内層回路板に重ね合わせ、これを平板プレス装置等で加熱加圧成形することにより得ることができる。ここで加熱加圧成形する条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度１４０〜２４０℃、圧力１〜４ＭＰａで実施することができる。このような平板プレス装置等による加熱加圧成形では、加熱加圧成形と同時に絶縁層の加熱硬化が行われる。

前記層プリント配線板の製造方法は、前記樹脂シートまたはプリプレグを、内層回路基板の内層回路パターンが形成された面に重ね合わせて連続積層する工程および導体回路層をセミアディティブ法で形成する工程を含む。

前記樹脂シートまたは前記プリプレグより形成された絶縁層の硬化は、次のレーザー照射および樹脂残渣の除去を容易にし、デスミア性を向上させるため、半硬化状態にしておく場合もある。また、一層目の絶縁層を通常の加熱温度より低い温度で加熱することにより一部硬化（半硬化）させ、絶縁層上に、一層ないし複数の絶縁層をさらに形成し半硬化の絶縁層を実用上問題ない程度に再度加熱硬化させることにより絶縁層間および絶縁層と回路との密着力を向上させることができる。この場合の半硬化の温度は、８０℃〜２００℃が好ましく、１００℃〜１８０℃がより好ましい。尚、次工程においてレーザーを照射し、絶縁層に開口部を形成するが、その前に基材を剥離する必要がある。基材の剥離は、絶縁層を形成後、加熱硬化の前、または加熱硬化後のいずれに行っても特に問題はない。
なお、前記多層プリント配線板を得る際に用いられる内層回路板は、例えば、銅張積層板の両面に、エッチング等により所定の導体回路を形成し、導体回路部分を黒化処理したものを好適に用いることができる。

次に、絶縁層に、レーザーを照射して、開孔部を形成する。前記レーザーは、エキシマレーザー、ＵＶレーザーおよび炭酸ガスレーザー等が使用できる。

レーザー照射後の樹脂残渣等は過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤などにより除去することが好ましい。また、平滑な絶縁層の表面を同時に粗化することができ、続く金属メッキにより形成する導電配線回路の密着性を上げることができる。

次に、外層回路を形成する。外層回路の形成方法は、金属メッキにより絶縁樹脂層間の接続を図り、エッチングにより外層回路パターン形成を行う。樹脂シート、またはプリプレグを用いたときと同様にして、多層プリント配線板を得ることができる。
尚、金属箔を有する樹脂シート、またはプリプレグを用いた場合は、金属箔を剥離することなく、導体回路として用いるためにエッチングにより回路形成を行ってもよい。その場合、厚い銅箔を使用した基材付き絶縁樹脂シートを使うと、その後の回路パターン形成においてファインピッチ化が困難になるため、１〜５μｍの極薄銅箔を使うか、または１２〜１８μｍの銅箔をエッチングにより１〜５μｍに薄くするハーフエッチングする場合もある。

さらに絶縁層を積層し、前記同様回路形成を行っても良いが、多層プリント配線板の設計上、最外層には、回路形成後、ソルダーレジストを形成する。ソルダーレジストの形成方法は、特に限定されないが、例えば、ドライフィルムタイプのソルダーレジストを積層（ラミネート）し、露光、および現像により形成する方法、または液状レジストを印刷したものを露光、および現像により形成する方法によりなされる。なお、得られた多層プリント配線板を半導体装置に用いる場合、半導体素子を実装するため接続用電極部を設ける。接続用電極部は、金めっき、ニッケルメッキおよび半田めっき等の金属皮膜で適宜被覆することができる。このような方法により多層プリント配線板を製造することができる。

（半導体装置）
次に、本発明の半導体装置について説明する。
前記で得られた多層プリント配線板に半田バンプを有する半導体素子を実装し、半田バンプを介して、前記多層プリント配線板との接続を図る。そして、多層プリント配線板と半導体素子との間には液状封止樹脂を充填し、半導体装置を形成する。半田バンプは、錫、鉛、銀、銅、ビスマスなどからなる合金で構成されることが好ましい。

半導体素子と多層プリント配線板との接続方法は、フリップチップボンダーなどを用いて基板上の接続用電極部と半導体素子の半田バンプとの位置合わせを行ったあと、ＩＲリフロー装置、熱板、その他加熱装置を用いて半田バンプを融点以上に加熱し、多層プリント配線板と半田バンプとを溶融接合することにより接続する。尚、接続信頼性を良くするため、予め多層プリント配線板上の接続用電極部に半田ペースト等、比較的融点の低い金属の層を形成しておいても良い。この接合工程に先んじて、半田バンプおよび、または多層プリント配線板上の接続用電極部の表層にフラックスを塗布することで接続信頼性を向上させることもできる。

以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

（実施例１）
（１）樹脂ワニスの調製
エポキシ樹脂としてノボラック型エポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−７５、日本化薬社製、エポキシ当量２００）１７．５重量％と、第１無機充填剤としてベーマイト（河合石灰社製、品番ＢＭＴ−３Ｌ、平均粒子径２．９μｍ、１％熱分解温度４２０℃）６１．４重量％と、第２無機充填剤として球状ナノシリカ（品番ＮＳＳ−５Ｎ、トクヤマ社製、平均粒子径７０ｎｍ）３．５重量％と、硬化剤としてフェノール樹脂（ＭＥＨ７８５１−４Ｌ、明和化成社製、水酸基当量１８７）１７．５重量％と、硬化促進剤としてイミダゾール（四国化成工業社製、品番２Ｅ４ＭＺ）０．１重量％とを、メチルイソブチルケトンに溶解・混合させた。次いで、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニスを調製した（Ｗ２／Ｗ１＝０．０６）。

（２） プリプレグの作製
前記樹脂ワニスをガラス織布（厚さ９４μｍ、日東紡績製Ｅガラス織布、ＷＥＡ−２１１６）に含浸し、１５０℃の加熱炉で２分間乾燥して、プリプレグ中のワニス固形分が約５０重量％のプリプレグを得た。

（３） 積層板の作製
前記プリプレグ４枚重ね、両面に１２μｍの銅箔（三井金属鉱業社製３ＥＣ−ＶＬＰ箔）を重ねて、圧力３ＭＰａ、温度２２０℃で２時間加熱加圧成形し、厚さ０．４０ｍｍの両面に銅箔を有する積層板を得た。

（４）多層プリント配線板の製造
前記両面に銅箔を有する積層板を用いて、ドリル機で開孔後、無電解めっきで上下銅箔間の導通を図り、前記両面の銅箔をエッチングすることにより内層回路を両面に形成した。（Ｌ（導体回路幅）／Ｓ（導体回路間幅）＝１２０／１８０μｍ、クリアランスホール１ｍｍφ、３ｍｍφ、スリット２ｍｍ）
次に内層回路に過酸化水素水と硫酸を主成分とする薬液（旭電化工業（株）製テックＳＯ−Ｇ）をスプレー吹き付けすることにより粗化処理による凹凸形成を行った。

次に市販の樹脂フィルム（ビルドアップ材ともいう）（味の素ファインテクノ社製、ＡＢＦ ＧＸ−１３、厚さ４０μｍ）を内層回路上に真空積層装置を用いて積層し、温度１７０℃、時間６０分間加熱硬化し積層体を得た。

その後、前記で得られた積層体のプリプレグに、炭酸レーザー装置を用いてφ６０μｍの開孔部（ブラインド・ビアホール）を形成し、７０℃の膨潤液（アトテックジャパン社製、スウェリングディップ セキュリガント Ｐ）に５分間浸漬し、さらに８０℃の過マンガン酸カリウム水溶液（アトテックジャパン社製、コンセントレート コンパクト ＣＰ）に１５分浸漬後、中和して粗化処理を行った。次に脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅メッキ皮膜を約０．５μｍの給電層を形成した。次にこの給電層表面に、厚さ２５μｍの紫外線感光性ドライフィルム（旭化成社製ＡＱ−２５５８）をホットロールラミネーターにより貼り合わせ、最小線幅／線間が２０／２０μｍのパターンが描画されたクロム蒸着マスク（トウワプロセス社製）を使用して、位置を合わせ、露光装置（ウシオ電機社製ＵＸ−１１００ＳＭ−ＡＪＮ０１）にて露光、炭酸ソーダ水溶液にて現像し、めっきレジストを形成した。

次に、給電層を電極として電解銅めっき（奥野製薬社製８１−ＨＬ）を３Ａ／ｄｍ2、３０分間行って、厚さ約２５μｍの銅配線を形成した。ここで２段階剥離機を用いて、前記めっきレジストを剥離した。各薬液は、１段階目のアルカリ水溶液層にはモノエタノールアミン溶液（三菱ガス化学社製Ｒ−１００）、２段階目の酸化性樹脂エッチング剤には過マンガン酸カリウムと水酸化ナトリウムを主成分とする水溶液（日本マクダーミッド社製マキュダイザー９２７５、９２７６）、中和には酸性アミン水溶液（日本マクダーミッド社製マキュダイザー９２７９）をそれぞれ用いた。

そして、給電層を過硫酸アンモニウム水溶液（メルテックス（株）製ＡＤ−４８５）に浸漬処理することで、エッチング除去し、配線間の絶縁を確保した。次に絶縁層を温度２００℃時間６０分で最終硬化させ、最後に回路表面にソルダーレジスト（太陽インキ社製ＰＳＲ４０００／ＡＵＳ３０８）を形成し多層プリント配線板を得た。

（５）半導体装置の製造
前記多層プリント配線板は、半導体素子の半田バンプ配列に相当するニッケル金メッキ処理が施された接続用電極部を配したものを５０ｍｍ×５０ｍｍの大きさに切断し使用した。半導体素子（ＴＥＧチップ、サイズ１５ｍｍ×１５ｍｍ、厚み０．８ｍｍ）は、Ｓｎ／Ｐｂ組成の共晶で形成された半田バンプを有し、半導体素子の回路保護膜はポジ型感光性樹脂（住友ベークライト社製ＣＲＣ−８３００）で形成されたものを使用した。半導体装置の組み立ては、まず、半田バンプにフラックス材を転写法により均一に塗布し、次にフリップチップボンダー装置を用い、多層プリント配線板上に加熱圧着により搭載した。次に、ＩＲリフロー炉で半田バンプを溶融接合した後、液状封止樹脂（住友ベークライト社製、ＣＲＰ−４１５２Ｓ）を充填し、液状封止樹脂を硬化させることで半導体装置を得た。尚、液状封止樹脂の硬化条件は、温度１５０℃、１２０分の条件であった。

（実施例２）
樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
シアネート樹脂としてフェノールノボラックシアネート樹脂（プリマセットＰＴ−３０、ロンザ社製）１７．５重量％と、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（ＮＣ３０００、日本化薬社製、エポキシ当量２７５）９．５重量％と、第１無機充填剤としてベーマイト（河合石灰社製、品番ＢＭＴ−３Ｌ、平均粒子径２．９μｍ、１％熱分解温度４２０℃）６１．４重量％と、第２無機充填剤として球状ナノシリカ（品番ＮＳＳ−５Ｎ、トクヤマ社製、平均粒子径７０ｎｍ）３．５重量％と、硬化剤としてフェノール樹脂（ＭＥＨ７８５１−４Ｌ、明和化成社製、水酸基当量１８７）８．１重量％とを、用いた（Ｗ２／Ｗ１＝０．０６）。

（実施例３）
樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
シアネート樹脂としてフェノールノボラックシアネート樹脂（プリマセットＰＴ−３０、ロンザ社製）１７．５重量％と、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（ＮＣ３０００、日本化薬社製、エポキシ当量２７５）９．５重量％と、第１無機充填剤としてベーマイト（河合石灰社製、品番ＢＭＴ−３Ｌ、平均粒子径２．９μｍ、１％熱分解温度４２０℃）３１．６重量％と、第２無機充填剤として球状ナノシリカ（品番ＮＳＳ−５Ｎ、トクヤマ社製、平均粒子径７０ｎｍ）３．５重量％と、第３無機充填剤として球状シリカ（ＳＯ−３１Ｒ（アドマテックス社製、比表面積４．５ｍ^２／ｇ、平均粒子径１．１μｍ）２９．８重量％と、硬化剤としてフェノール樹脂（ＭＥＨ７８５１−４Ｌ、明和化成社製、水酸基当量１８７）８．１重量％とを、用いた（Ｗ２／Ｗ１＝０．１１、Ｗ２／Ｗ３＝０．１２）。

（実施例４）
第２無機充填剤として、以下のものを用いた以外は、実施例３と同様にした。
第２無機充填剤として球状ナノシリカ（品番アドマナノ、アドマテックス社製、平均粒子径５０ｎｍ、４０ｗｔ％アノンスラリー）を用いた（Ｗ２／Ｗ１＝０．１１、Ｗ２／Ｗ３＝０．１２）。尚、球状ナノシリカの乾粉換算で配合した。

（実施例５）
第２無機充填剤として、以下のものを用いた以外は、実施例３と同様にした。
第２無機充填剤として球状ナノシリカ（品番アドマナノ、アドマテックス社製、平均粒子径２５ｎｍ、３０ｗｔ％アノンスラリー）を用いた（Ｗ２／Ｗ１＝０．１１、Ｗ２／Ｗ３＝０．１２）。尚、球状ナノシリカの乾粉換算で配合した。

（実施例６）
第２無機充填剤として、以下のものを用いた以外は、実施例３と同様にした。
第２無機充填剤として球状ナノシリカ（品番ＰＬ−１、扶桑化学工業社製、平均粒子径１５ｎｍ、１２ｗｔ％アノンスラリー）を用いた（Ｗ２／Ｗ１＝０．１１、Ｗ２／Ｗ３＝０．１２）。尚、球状ナノシリカの乾粉換算で配合した。

（参考例７）
第１無機充填剤として、以下のものを用いた以外は、実施例３と同様にした。
第１無機充填剤として水酸化アルミ（品番ＡＬＨ−３Ｌ、河合石灰社製、平均粒子径４．５μｍ、１％熱分解温度２８０℃）を用いた（Ｗ２／Ｗ１＝０．１１、Ｗ２／Ｗ３＝０．１２）。

（参考例８）
第１無機充填剤として、以下のものを用いた以外は、実施例３と同様にした。
第１無機充填剤としてタルク（品番ＬＭＳ−４００、富士タルク工業社製、平均粒子径３．８μｍ、１％熱分解温度３７５℃）を用いた（Ｗ２／Ｗ１＝０．１１、Ｗ２／Ｗ３＝０．１２）。

（実施例９）
エポキシ樹脂として、以下のものを用いた以外は、実施例３と同様にした。
エポキシ樹脂としてナフタレン変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＨＰ−５０００、ＤＩＣ社製、エポキシ当量２５０）を用いた（Ｗ２／Ｗ１＝０．１１、Ｗ２／Ｗ３＝０．１２）。

（実施例１０）
エポキシ樹脂として、以下のものを用いた以外は、実施例３と同様にした。
エポキシ樹脂としてアントラセン型エポキシ樹脂（ＹＸ８８００、ジャパンエポキシレジン、エポキシ当量１８１）を用いた（Ｗ２／Ｗ１＝０．１１、Ｗ２／Ｗ３＝０．１２）。

（実施例１１）
樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
シアネート樹脂としてフェノールノボラックシアネート樹脂（プリマセットＰＴ−３０、ロンザ社製）１７．５重量％と、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（ＮＣ３０００、日本化薬社製、エポキシ当量２７５）９．５重量％と、第１無機充填剤としてベーマイト（河合石灰社製、品番ＢＭＴ−３Ｌ、平均粒子径２．９μｍ、１％熱分解温度４２０℃）２１．１重量％と、第２無機充填剤として球状ナノシリカ（品番ＮＳＳ−５Ｎ、トクヤマ社製、平均粒子径７０ｎｍ）１０．５重量％と、第３無機充填剤として球状シリカ（ＳＯ−３１Ｒ（アドマテックス社製、比表面積４．５ｍ^２／ｇ、平均粒子径１．１μｍ）３３．３重量％と、硬化剤としてフェノール樹脂（ＭＥＨ７８５１−４Ｌ、明和化成社製、水酸基当量１８７）８．１重量％とを、用いた（Ｗ２／Ｗ１＝０．５、Ｗ２／Ｗ３＝０．３２）。

（実施例１２）
樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
シアネート樹脂としてフェノールノボラックシアネート樹脂（プリマセットＰＴ−３０、ロンザ社製）１７．５重量％と、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（ＮＣ３０００、日本化薬社製、エポキシ当量２７５）９．５重量％と、第１無機充填剤としてベーマイト（河合石灰社製、品番ＢＭＴ−３Ｌ、平均粒子径２．９μｍ、１％熱分解温度４２０℃）４５．６重量％と、第２無機充填剤として球状ナノシリカ（品番ＮＳＳ−５Ｎ、トクヤマ社製、平均粒子径７０ｎｍ）１０．５重量％と、第３無機充填剤として球状シリカ（ＳＯ−３１Ｒ（アドマテックス社製、比表面積４．５ｍ^２／ｇ、平均粒子径１．１μｍ）８．８重量％と、硬化剤としてフェノール樹脂（ＭＥＨ７８５１−４Ｌ、明和化成社製、水酸基当量１８７）８．１重量％とを、用いた（Ｗ２／Ｗ１＝０．２３、Ｗ２／Ｗ３＝１．２）。

（比較例１）
第２無機充填剤を用いずに、樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
シアネート樹脂としてフェノールノボラックシアネート樹脂（プリマセットＰＴ−３０、ロンザ社製）１７．５重量％と、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（ＮＣ３０００、日本化薬社製、エポキシ当量２７５）９．５重量％と、第１無機充填剤としてベーマイト（河合石灰社製、品番ＢＭＴ−３Ｌ、平均粒子径２．９μｍ、１％熱分解温度４２０℃）５６．１重量％と、第３無機充填剤として球状シリカ（ＳＯ−３１Ｒ（アドマテックス社製、比表面積４．５ｍ^２／ｇ、平均粒子径１．１μｍ）８．８重量％と、硬化剤としてフェノール樹脂（ＭＥＨ７８５１−４Ｌ、明和化成社製、水酸基当量１８７）８．１重量％とを、用いた。

（比較例２）
第１無機充填剤を用いずに、樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
シアネート樹脂としてフェノールノボラックシアネート樹脂（プリマセットＰＴ−３０、ロンザ社製）１７．５重量％と、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（ＮＣ３０００、日本化薬社製、エポキシ当量２７５）９．５重量％と、第２無機充填剤として球状ナノシリカ（品番ＮＳＳ−５Ｎ、トクヤマ社製、平均粒子径７０ｎｍ）１０．５重量％と、第３無機充填剤として球状シリカ（ＳＯ−３１Ｒ（アドマテックス社製、比表面積４．５ｍ^２／ｇ、平均粒子径１．１μｍ）５４．４重量％と、硬化剤としてフェノール樹脂（ＭＥＨ７８５１−４Ｌ、明和化成社製、水酸基当量１８７）８．１重量％とを、用いた（Ｗ２／Ｗ３＝０．１９）。

実施例および比較例で得られた樹脂ワニス、多層プリント配線板、半導体装置等について以下の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を、表１に示す。

（１）チキソ性
チキソ性は、Ｅ型粘度計（円錐平板型回転粘度計）を用いてＪＩＳ Ｋ７１１７−２に準拠して測定し、５ｒｐｍ／５０ｒｐｍの粘度比を評価した。

（２）フィラー沈降性
フィラー沈降性は、ワニスを作製した後、１００ｃｃのメスシリンダーに１０ｃｍのワニス高さで静置した。２４時間毎に、目視で確認し分離により透明部分の長さを測定して評価した。

（３）樹脂流れ性
樹脂流れ性は、ＪＩＳ Ｃ ６５２１に準拠して、温度１７０℃ 圧力１５ｋｇｆ／ｃｍ^２間５分後にフローアウト量を評価した。尚、実施例で得られたワニスを１２μｍ銅箔の粗面にキャスティングし、温度１５０℃時間５分乾燥後３０μｍの銅箔付き樹脂フィルムを５枚重ねて用いた。

（４）プリプレグ含浸性
プリプレグ含浸性は、作製したプリプレグを温度１８０℃×１時間、熱風オーブン中で硬化後、幅方向５３０ｍｍを１５ｍｍ間隔で３５点の断面を観察し評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：全点の箇所で、未含浸ボイドは見られなかった。
○：１以上５未満の箇所で、未含浸ボイドが見られたが、実用可能レベルであった。
△：５以上３０未満の箇所で、未含浸ボイドが見られ、実用不可であった。
×：３０点以上の箇所で、未含浸ボイドが見られ、実用不可であった。

（５）成形性
成形性は、５１０ｍｍ×５１０ｍｍサイズの積層板の銅箔全面を、エッチングで除去した後に目視で評価した。尚、積層板としては、前記プリプレグ４枚重ね、両面に１２μｍの銅箔（三井金属鉱業社製３ＥＣ−ＶＬＰ箔）を重ねて、圧力３ＭＰａ、温度２２０℃で２時間加熱加圧成形し、厚さ０．４０ｍｍの両面に銅箔を有するものを用いた。（製品温度が１２０℃の時に５分で３０ＭＰａまで昇圧した。）各符号は、以下の通りである。
◎：ボイドが、無かった。
○：１０ｍｍ端部にのみ、１０μｍ未満のボイドが有ったが、実用可能レベルであった。
△：ボイド１０μｍを超えるボイドが有り、実用不可であった。
×：ボイドが多数有り、実用不可であった。

（６）耐熱性
耐熱性は、２６０℃マルチリフローで評価した。
得られた半導体装置を、ＩＰＣ／ＪＥＤＥＣのＪ−ＳＴＤ−２０に準拠リフロー２６０℃リフロー炉を通し、１０回毎に、超音波深傷検査装置で半導体装置の絶縁層の剥離、クラック、半導体素子裏面の剥離、および半田バンプの欠損、及び１２５℃の熱板上で銅通不良を評価した。各符号は以下の通りである。
◎：４０回以上絶縁層の剥離等、または銅通不良が無かった。
○：２０回以上、４０回未満で絶縁層の剥離等、または銅通不良が無かった。
△：１０回以上、２０回未満で絶縁層の剥離等、または銅通不良が発生した。
×：１０回未満 絶縁層の剥離等、または銅通不良が発生した。

（７）熱膨張係数
得られた積層板の銅箔をエッチングで除去し、厚さが１００μｍ、４ｍｍ×４０ｍｍのテストピースを切り出し、ＴＭＡを用いて５℃／分の引っ張り条件で、２５℃から１５０℃の範囲における線熱膨張係数を測定した。

（８）ドリル加工後のめっき染み込み
ドリル加工後のめっき染み込みは、０．４ｍｍｔの上記積層板を２枚重ね合わせ、直径０．２ｍｍのドリルにて３，０００ｈｉｔ穴あけ加工後、積層板の貫通孔に厚み２５μｍのスルーホールメッキを施してスルーホールを形成し、このスルーホールの内壁から積層板中へのメッキ液の染み込み深さで評価した。尚、ドリルは、ユニオンシール製、品番ＫＭＣ Ｌ２５３を用い、穴あけ時のドリルの回転数は２５０ｋｒｐｍ／ｍｉｎ、ドリルのチップロードは９．６μｍ／ｒｅｖとした。各符号は、以下の通りである。
◎：染み込み深さが、２０μｍ未満であった（良好）。
○：染み込み深さが、２０μｍ以上５０μｍ未満であった（実質上問題なし）。
△：染み込み深さが、５０μｍ以上１００μｍ未満であった（実質上使用不可）。
×：染み込み深さが、１００μｍ以上であった（使用不可）。

（９）スルーホール絶縁信頼性
スルーホール絶縁信頼性は、スルーホール壁間を０．２ｍｍで、印加電圧２０Ｖ、温度１３０℃湿度８５％の条件で、連続測定で評価した。尚、上述のドリル加工と同様の条件で、スルーホール加工、スルーホールメッキおよび回路加工したサンプルを用いた。なお、絶縁抵抗値が１０^８Ω未満となる時点で終了とした。
各符号は以下の通りである。
◎：絶縁抵抗値が１０^８Ω未満となるまで、５００時間以上であった（良好）。
○：絶縁抵抗値が１０^８Ω未満となるまで、２００時間以上５００時間未満であった（実質上問題なし）。
△：絶縁抵抗値が１０^８Ω未満となるまで、１００時間以上２００時間未満であった（実質上使用不可）。
×：絶縁抵抗値が１０^８Ω未満となるまで、１００時間未満であった（使用不可）。

（１０）パッケージの反り量
パッケージの反り量は、チップ面を加熱冷却可能なチャンバー上に置いて、−５０℃と１２５℃の雰囲気下で、ＢＧＡ面から基板（サイズ：５０ｍｍ×５０ｍｍ）上の４８ｍｍ×４８ｍｍ部分での反り量の変化を測定した。尚、サンプルは前記実施例で作製した半導体装置を用いた。各符号は、以下の通りである。
◎：反り量の変化が、２００μｍ未満であった（良好）。
○：反り量の変化が、２００μｍ以上３００μｍ未満であった（実質上問題なし）。
△：反り量の変化が、３００μｍ以上３５０μｍ未満であった（実質上使用不可）。
×：反り量の変化が、３５０μｍ以上であった（使用不可）。

（１１）難燃性
前記積層板の製造において、前記プリプレグを１０枚重ね、その両面に１２μｍの銅箔を重ねて、圧力３ＭＰａ、温度２００℃で２時間加熱加圧成形し、厚さ０．１２ｍｍの両面銅張積層板を得た。前記で得られた積層板の銅箔をエッチングし、ＵＬ−９４規格に従い、１．０ｍｍ厚のテストピースを垂直法により測定した。

表１から明らかなように、実施例１〜１２で得られた樹脂組成物は、流動性に優れ、かつ積層板（多層プリント配線板）にした際の反りの発生も抑制されていた。
また、実施例１〜１２で得られた樹脂ワニスは、チキソ性、およびフィラー沈降性に優れていた。そのため、量産安定性、およびプリプレグでの含浸性に優れる。また、樹脂流れ性にも優れるため、無機充填剤を高充填にしても積層板にする際の、成形性が良好であった。また、プリント配線板にした際の耐熱性、低線膨張率、ドリル加工性に優れていた。そのため、スルーホール絶縁信頼性に優れ、低線膨張率のため、ＰＫＧ反り量も小さく優れていた。
それに比べて、比較例１は、チキソ比が高く、プリプレグでの含浸性、および樹脂流れ性に劣るため、成形性、および耐熱性、スルーホール絶縁信頼性に劣る。また、比較例２は、ドリル加工性に劣るため、スルーホール絶縁信頼性に劣る。

本発明の樹脂組成物をプリプレグとして用いた場合は、当該プリプレグは、従来の低線熱膨張率、高いガラス転移温度、高弾性率、難燃性を維持することができる。
さらに前記プリプレグを用いた多層プリント配線板は、吸湿処理後の半田耐熱性に優れ、また、多層プリント配線板の製造工程におけるスルーホールの加工性、および絶縁信頼性に優れ、さらには該多層プリントリ配線板を用いた半導体装置は、２８０℃という高温でのリフロー試験においても良好な結果を示すことができる。

Claims (13)

1. 積層板を形成するために用いる樹脂組成物であって、
   エポキシ樹脂と、ベーマイトと、前記ベーマイトとレーザー回折散乱法により測定した平均粒子径が異なり、かつその平均粒子径が１０〜１００ｎｍである球状シリカと、を含み、
   前記ベーマイトの含有量（ｗ１）は前記樹脂組成物全体の２０〜６５重量％であり、
   前記平均粒子径が１０〜１００ｎｍである球状シリカの含有量（ｗ２）は前記樹脂組成物全体の０．５〜５重量％であり、
   前記ベーマイトの含有量（ｗ１）と、前記平均粒子径が１０〜１００ｎｍである球状シリカの含有量（ｗ２）との重量比（ｗ２／ｗ１）が、０．０２〜０．５であり、
   前記エポキシ樹脂の含有量は、前記樹脂組成物全体の５重量％以上、６０重量％以下である樹脂組成物。
2. 前記平均粒子径が１０〜１００ｎｍである球状シリカは、予め有機溶媒に分散したスラリーを用いるものである請求項１に記載の樹脂組成物。
3. 前記ベーマイトの平均粒径が、０．５〜５μｍである請求項１または２のいずれかに記載の樹脂組成物。
4. さらに、平均粒子径が０．２〜３μｍの第３無機充填剤を含むものである請求項１ないし３のいずれかに記載の樹脂組成物。
5. 前記第３無機充填剤の最大粒子径が、１０μｍ以下である請求項４に記載の樹脂組成物。
6. 前記第２無機充填剤の含有量（ｗ２）と、前記第３無機充填剤の含有量（ｗ３）との重量比（ｗ２／ｗ３）が、０．０２〜１．５である請求項４または５に記載の樹脂組成物。
7. さらに、シアネート樹脂を含むものである請求項１ないし６のいずれかに記載の樹脂組成物。
8. 前記エポキシ樹脂は、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂、およびアントラセン型エポキシ樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項１ないし７のいずれかに記載の樹脂組成物。
9. 請求項１ないし８のいずれかに記載の樹脂組成物を繊維基材に含浸してなることを特徴とするプリプレグ。
10. 請求項９に記載のプリプレグを少なくとも１枚以上重ね合わせた積層体の少なくとも片面に金属箔を有することを特徴とする積層板。
11. 請求項９に記載のプリプレグを絶縁層に用いてなることを特徴とする多層プリント配線板。
12. 請求項１０に記載の積層板を内層回路基板に用いてなることを特徴とする多層プリント配線板。
13. 請求項１１または１２に記載の多層プリント配線板に半導体素子を搭載してなることを特徴とする半導体装置。