JP5752803B2 - Ｒｆ装置およびｒｆ装置のチューニング方法 - Google Patents

Ｒｆ装置およびｒｆ装置のチューニング方法 Download PDF

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Description

この発明はＲＦ装置、ＲＦ装置を含むシステムおよびＲＦ装置のチューニング方法に関する。
ＲＦ装置は、しばしば、バラクタ、ダイオード、またはＭＥＭＳキャパシタと呼ばれる微小電気機械素子キャパシタ（ｍｉｃｒｏ−ｅｌｅｃｔｒｏ−ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｓｙｓｔｅｍ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）などの素子を含む。そのような素子はバイアス電圧を必要とする。そのため、ＤＣブロッキングキャパシタが、可変容量素子の少なくとも一端に配置される。
WO2006/065693A1は、共振周波数の調整のためにＭＥＭＳバラクタを備えたスロットアンテナを参照する。
WO2006/129239A1は、インピーダンス整合を含む平面アンテナアセンブリに関するものである。回路は直列に接続された可変キャパシタを含む。
"Distortion in "Variable-Capacitance Diodes", Robert G.Meyer, Mark L.Stevens, IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol.SC-10, No.1, February 1975, pp.47-54は、可変容量ダイオードを備えた回路を開示する。
WO2010/106484A1は、電子回路に集積されたボンドフレームに関する。最近接のボンドフレームはインダクティブ素子を形成する。さらに、ＭＥＭＳキャパシタとさらなるキャパシタとの直列回路が、前記ボンドフレームの２つの領域を結合する。ＭＥＭＳキャパシタの端子はボンドフレームの第１領域と電気的に接続され、さらなるキャパシタの端子はボンドフレームの別の領域に電気的に接続されている。
WO2008/087585A2には、キャパシタスイッチアレイを含むＭＥＭＳシステムが記載されている。キャパシタスイッチアレイはキャパシタとＭＥＭＳスイッチとの直列回路を備える。キャパシタスイッチアレイの容量は、ＭＥＭＳスイッチを開または閉状態に設定することにより調節されている。
この発明の目的は、ＲＦ装置、ＲＦ装置を備えたシステム、およびＤＣブロッキングキャパシタからの寄生容量の影響を低減するＲＦ装置のチューニング方法、を提供することである。
この目的は、独立請求項に記載のＲＦ装置、システムおよびＲＦ装置のチューニング方法によって達成される。ＲＦ装置の実施態様は従属請求項に記載されている。
ＲＦ装置は、基板と、調整可能ＲＦ部品およびＤＣブロッキングキャパシタの直列回路と、を備えている。調整可能ＲＦ部品およびＤＣブロッキングキャパシタの直列回路は、基板に配置されており、ＲＦ信号端子を固定電圧端子に結合させる。固定電圧端子は、ＲＦ信号端子と電気的にアイソレートされている。調整可能ＲＦ部品は、ＲＦ信号端子に結合されている。ＤＣブロッキングキャパシタは、固定電圧端子に結合されている。さらに、ドライバ端子は、調整可能ＲＦ部品に結合されている。
ＤＣブロッキングキャパシタは、固定電圧端子に接続されているため、寄生キャパシタのようなＤＣブロッキングキャパシタによる寄生の影響は一定になり、ＲＦ装置への寄生の影響は低減される。ＲＦ装置は、調整可能ＲＦ部品が最小キャパシタンス値から最大キャパシタンス値の間で調整され、ＲＦ信号端子に接続されたときに、より小さいキャパシタンス値と、より大きなキャパシタンス比を有する。
実施形態では、ドライバ端子は、調整可能ＲＦ部品とＤＣブロッキングキャパシタとの間のノードに結合されている。
代替の実施形態では、ドライバ端子は、調整可能ＲＦ部品の制御端子に結合されている。
実施形態では、リファレンス電位端子がＲＦ信号端子に結合されており、リファレンス電位端子はＤＣ的に接地されている。ＲＦ信号端子は、例えば、ＲＦ信号端子とリファレンス電位端子との間にＤＣ電流が流れるのを許可する部品または回路を介してリファレンス電位端子に接続されている。ＲＦ信号端子はアンテナ、インダクタ、または抵抗を介して、リファレンス電位端子に接続されることができる。そのため、調整可能ＲＦ部品の両端のＤＣ電圧は、ドライバ端子でのドライバ信号によってのみ影響を受ける。リファレンス電位端子の参照により、ＤＣ信号の無い、ＡＣ電圧信号のみがＲＦ信号端子から取り出されることができる。そのため、ＲＦ信号端子でのＤＣ電圧が変化しないことが、調整可能ＲＦ部品のキャパシタンス値に影響する。バイアスされた調整可能インピーダンス装置とＲＦ部品との共通設計が実現されている。１またはそれより多い、ＲＦ装置に接続されているＲＦ部品は、ＤＣ的に接地されている。ＤＣ接地は、ＲＦ装置が、直接、ＲＦ部品に接続されることを可能とする。
実施形態では、リファレンス電位端子は、固定電圧端子に結合されている。そのため、固定電圧端子とＲＦ信号端子とはいずれもＤＣ的に接地されている、しかし、固定電圧端子のみがＡＣ的に接地されている。リファレンス電位端子は、接地電位を与える。固定電圧端子は、接地電位を有する。ＲＦ入力信号は、ＲＦ信号端子に供給される。ＲＦ入力信号の電圧は、接地電位と異なる。
実施形態では、基板は半導体基板である。好ましくは、基板はシリコン基板である。基板はシリコンウエハまたはシリコンチップとすることができる。好ましくは、基板は単結晶半導体から成る。
実施形態では、調整可能ＲＦ部品は、バラクタダイオード、ＰＩＮダイオード、可動電極キャパシタを有するキャパシタのようなＭＥＭＳキャパシタ、強誘電体層などの調整可能誘電体層を備えたキャパシタ、マイクロリレー、およびｐＨＥＭＴと略されるｐチャネル高電子移動度のトランジスタのようなガルバニックＭＥＭＳ部品、から成るグループの１つである。ＰＩＮダイオードは、ｐｏｓｉｔｉｖｅｌｙ−ｄｏｐｅｄ／ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ／ｎｅｇａｔｉｖｅｌｙ−ｄｏｐｅｄダイオードの略である。バラクタダイオード、ＰＩＮダイオード、ＭＥＭＳキャパシタおよび調整可能誘電体層を備えたキャパシタは、ドライバ信号に依存している最小キャパシタンス値と最大キャパシタンス値との間のキャパシタンス値のスペクトラムを得る。ガルバニックＭＥＭＳ部品は、開状態および閉状態を有し、調整可能ＲＦ部品とＤＣブロッキングキャパシタとの直列回路は、ＤＣブロッキングキャパシタのキャパシタンス値またはほぼゼロのいずれかを示す。
実施形態では、ＲＦ装置は、キャップとボンドフレームを備える。ボンドフレームは、キャップを基板の第１表面に接続する。キャビティは、キャップと基板とに囲まれている。キャビティは、空気などのガスで満たされている。調整可能ＲＦ部品とＤＣブロッキングキャパシタとは、基板の第１表面のキャビティの内側に配置されている。そのため、キャップは、基板をカプセル化して、調整可能ＲＦ部品とＤＣブロッキングキャパシタとの擾乱の影響を低減する。
実施形態では、システムは、ＲＦ装置とＲＦ信号端子に結合されているアンテナを備える。
さらなる発展では、アンテナはＤＣ的に接地されている、または、ＲＦ信号端子とアンテナとの間の接続ラインがＤＣ的に接地されている。ＤＣ接地によって、導電性経路は、ＲＦ信号端子をリファレンス電位端子に結合させる。
そのため、ドライバ信号は、調整可能ＲＦ部品の両端ＤＣ電圧を制御して、調整可能ＲＦ部品のキャパシタンス値を設定する。
実施形態では、システムは、携帯電話、ポータブル装置、ＲＦ−ＩＤリーダ、または小型化されたアダプティブＲＦモジュールに適用される。
実施形態では、ＲＦ装置のチューニング方法は、ＤＣ的に接地されているＲＦ入力信号をＲＦ信号端子に供給するステップと、固定電圧端子に接地電位を供給するステップとを有する。調整可能ＲＦ部品とＤＣブロッキングキャパシタとの直列回路は、基板に配置され、ＲＦ信号端子を固定電圧端子に結合させる。
固定電圧端子は、ＲＦ信号端子と電気的にアイソレートされている。調整可能ＲＦ部品は、ＲＦ信号端子に結合されている。ＤＣブロッキングキャパシタは、固定電圧端子に結合されている。ドライバ信号は、調整可能ＲＦ部品を制御する。
実施形態では、ＲＦ入力信号は、ＲＦ信号端子のリファレンス電位端子への抵抗性接続または誘導性接続によりＤＣ的に接地されている。接地電位は、リファレンス電位端子で与えられる。好ましくは、ＲＦ信号端子は、ＡＣ的に接地されていない。ＲＦ入力信号は、接地電位と異なる。ＲＦ入力信号はＤＣ電圧がない。
ＲＦ装置を備えるシステムの例示の実施形態を示す図である。 ＲＦ装置を備えるシステムの例示の実施形態を示す図である。 ＲＦ装置を備えるシステムの例示の実施形態を示す図である。 ＲＦ装置を備えるシステムの例示の実施形態を示す図である。 ＲＦ装置を備えるシステムの例示の実施形態を示す図である。 ＲＦ装置を備えるシステムの例示の実施形態を示す図である。 ＲＦ装置を備えるシステムの例示の実施形態を示す図である。 ＲＦ装置を備えるシステムの例示の実施形態を示す図である。 ＲＦ装置の例示の実施形態を示す図である。 ＲＦ装置の例示の実施形態を示す図である。 ＲＦ装置の例示の実施形態を示す図である。 ＲＦ装置の例示の実施形態を示す図である。 ＲＦ装置の例示の実施形態を示す図である。
以下の例示的な実施形態の図の記載は、発明をさらに説明する。同じ構造および同じ効果の回路、装置、および部品は、それぞれ、等しい参照符号で表示される。これまでの回路、装置または部品が、それらの機能の観点から、異なる図中のものに対応する限りそれらの説明は以下の図においては繰り返さない。
図１は、ＲＦ装置１１を備えるシステム１０の例示の実施形態を示す。ＲＦ装置１１は、調整可能ＲＦ部品１３とＤＣブロッキングキャパシタ１４とを有する直列回路１２を備える。さらに、ＲＦ装置１１は、ＲＦ信号端子１５と固定電圧端子１６とを有する。固定電圧端子１６は、直接的かつ恒久的に、リファレンス電位端子１７に接続されている。固定電圧端子１６は、択一的に供給電圧端子に接続されている。同様に、ＤＣブロッキングキャパシタの端子１４は、ＲＦ信号端子１５に接続されている。
さらに、ＲＦ装置１１は、調整可能ＲＦ部品１３とＤＣブロッキングキャパシタ１４との間のノードに接続されているドライバ端子１８を備える。ドライバ回路１９は、ドライバ端子１８に接続されている。ドライバ回路１９は、電圧源２０と抵抗２１との直列接続を備える。ドライバ回路１９は、ドライバ端子１８とリファレンス電位端子１７との間に接続されている。ドライバ回路１９は、ＤＣバイアス回路として設計されている。第１寄生キャパシタ２２は、リファレンス電位端子１７と、調整可能ＲＦ部品１３と固定電圧端子１６との間のノード、との間に配置されている。第２寄生キャパシタ２３は、リファレンス電位端子１７を、調整可能ＲＦ部品１３とＤＣブロッキングキャパシタ１４との間のノードに接続する。さらに、第３寄生キャパシタ２４は、リファレンス電位端子１７を、ＤＣブロッキングキャパシタ１４とＲＦ信号端子１５との間のノードに結合させる。
システム１０は、さらに、さらなるＲＦ部品を有するＲＦ回路２５を備える。ＲＦ回路２５は、ＲＦ信号端子１５に接続されている。さらに、ＲＦ入力端子２６は、ＲＦ回路２５とＲＦ信号端子１５との間のノードに接続されている。長方形の破線は、ＲＦデバイス１１のパッケージを示す。
ＲＦ装置１１は、調整可能なキャパシタンス値を与える。ＲＦ入力信号ＳＲＦは、ＲＦ入力端子２６で、分岐されることができる。ＲＦ入力信号ＳＲＦは、ＲＦ回路２５およびＲＦ信号端子１５に印加される。ドライバ回路１９は、ドライバ信号ＳＤを、ドライバ端子１８に供給する。そのため、ドライバ信号ＳＤが調整可能ＲＦ部品１３に供給され、調整可能ＲＦ部品１３の両端電圧を設定する。調整可能ＲＦ部品１３の両端電圧を用いることにより、調整可能ＲＦ部品１３のキャパシタンス値は決定される。ＤＣブロッキングキャパシタ１４は、ＲＦ信号端子１５から調整可能ＲＦ部品１３へのＤＣ電流をブロックする。直列回路１２の全体のキャパシタンス値ＣＳは、寄生キャパシタンス２２，２３，２４が無視された場合、以下の数式に従って計算されることができる。
ここで、ＣＭＥＭＳは、調整可能ＲＦ部品１３のキャパシタンス値であり、ＣＤＣは、ＤＣブロッキングキャパシタ１４のキャパシタンス値である。キャパシタンス値ＣＭＥＭＳはキャパシタンス値ＣＤＣよりも小さいため、直列回路１２のキャパシタンス値ＣＳは、調整可能ＲＦ部品１３のキャパシタンス値ＣＭＥＭＳにほぼ等しい。
寄生キャパシタ２２，２３，２４が無視されない場合は、直列回路１２のキャパシタンス値ＣＳは、以下の数式に従って計算されることができる。
ここで、Ｃ２Ｐは、第２寄生キャパシタ２３のキャパシタンス値であり、Ｃ３Ｐは、第３寄生キャパシタ２４のキャパシタンス値である。
「閉」状態では、調整可能ＲＦ部品１３は、高いキャパシタンス値を得、一方「開」状態では、調整可能ＲＦ部品１３は、低いキャパシタンス値を得る。図１に示された直列回路１２の「閉」と「開」状態とのキャパシタンス比は、以下の通りである。
ここで、ＣＭＥＭＳ＿Ｃは、「閉」状態の調整可能ＲＦ部品１３のキャパシタンス値であり、ＣＭＥＭＳ＿Ｏは、「開」状態の調整可能ＲＦ部品１３のキャパシタンス値である。図１は、シャントに設けられたＲＦ装置１１の典型的な構成を示し、ＲＦ装置１１の１つのポートのみがバイアスを必要とする。ＲＦ装置１１は、ＭＥＭＳスイッチと呼ばれることもできる。
ＲＦ部品は、通常、ＤＣ的に接地されておらず、ＲＦ部品におけるＤＣ電圧はアプリケーションによって異なる場合がある。汎用のＲＦ装置は、そのため、最適には、フローティング接続を提供する。このことは、ＭＥＭＳやバラクタダイオードなど、バイアス電圧を必要とする装置にとって、ＤＣブロッキングキャパシタ１４が装置の接続部に配置されていることを意味する。最も多用途な構成においては、このことは、装置の各ポートは、ＤＣブロッキングキャパシタ１４と適切な電圧レベルを設定するためのバイアス回路とを必要とすることを意味する。各バイアス回路とブロッキングキャパシタ１４は、損失を発生させ、寄生インピーダンスを追加する。
図２は、システム１０のさらなる例示の実施形態を示す。システム１０は、ＲＦ信号端子１５に接続されているアンテナ３０を備える。システム１０は、ＭＥＭＳスイッチアンテナ配置である。
図３は、上述の原理に従ったシステム１０の例示の実施形態を示す。図３に記載のシステム１０は、図１および２に記載のシステムのさらなる発展である。直列回路１２は、調整可能ＲＦ部品１３がＲＦ信号端子１５に接続されており、ＤＣブロッキングキャパシタ１４が固定電圧端子１６に接続されるように、配置されている。調整可能ＲＦ部品１３は、調整可能ＲＦ部品または可変ＲＦ部品である。調整可能ＲＦ部品は、調整可能キャパシタとして実現されている。アンテナ３０は、ＲＦ信号端子１５に接続されている。ＲＦ装置１１は、ＭＥＭＳ装置として実装されている。
アンテナ３０は、アンテナ３０によりＲＦ信号端子１５にＤＣ接地電位が印加されるように実施される。ドライバ回路１９は、ドライバ端子１８とリファレンス電位端子１７との間に接続されている。ＤＣ接地電位がＲＦ信号端子１５に印加されているため、ドライバ信号ＳＤは、調整可能ＲＦ部品１３の第１および第２の端子の間のＤＣ電圧を設定することができる。そのため、調整可能ＲＦ部品１３のキャパシタンス値は、ＲＦ入力信号Ｓ
ＲＦでは無く、もっぱら、ドライバ信号ＳＤによって制御される。第１寄生キャパシタ２２は、調整可能ＲＦ部品１３とＲＦ信号端子１５との間のノードを、リファレンス電位端子１７に結合させる。さらに、第３の寄生キャパシタ２４は、ＤＣブロッキングキャパシタ１４と固定電圧端子１６との間のノードに結合する。そのため、３つの寄生キャパシタ２２，２３，２４は、図１および２の調整可能ＲＦ部品１３およびＤＣブロッキングキャパシタ１４の同じ端子に配置されている。
直列回路１２のキャパシタンス値ＣＳは、以下の数式によって計算されることができる。
ここで、ＣＤＣは、ＤＣブロッキングキャパシタ１４のキャパシタンス値、ＣＭＥＭＳは、調整可能ＲＦ部品１３のキャパシタンス値、Ｃ１Ｐは第１寄生キャパシタ２２のキャパシタンス値、Ｃ２Ｐは第２寄生キャパシタ２３のキャパシタンス値である。
図３の直列回路１２の「閉」と「開」状態とのキャパシタンス比は、
Ｃ２ＰとＣ３Ｐのキャパシタンス値の合計が、Ｃ１Ｐのキャパシタンス値よりも大きい場合、図３のＲＦ装置１１のキャパシタンス値ＣＳは、図１のＲＦ装置１１のキャパシタンス値ＣＳよりも小さい。さらに、図３のＲＦ装置１１のキャパシタンス比は、図１のＲＦ装置１１のキャパシタンス比よりも大きい。これは、例えば、ＤＣブロッキングキャパシタ１４が多くの寄生効果を与えるか、または、キャパシタンス値Ｃ２Ｐがキャパシタンス値Ｃ１Ｐよりも小さくない場合である。
図３に従い、ＲＦ装置１１は、ＤＣ的に接地されたアンテナ３０に直接接続されている。システム１０は、ＤＣブロッキングキャパシタ１４からの寄生効果を最小にするだけでなく、ＤＣバイアス抵抗２１内への損失を減らす。図３では、ＲＦデバイス１１などのバイアスされた調整可能インピーダンス装置と、アンテナ３０などのＲＦ部品との共通設計が記載されている。ＤＣ的に接地されているアンテナ３０を用いて、システム１０は最適化されている。図１のＲＦ装置１１と比較した図３によるＲＦ装置１１の利点は、次の通りである。図３のＲＦ装置１１はより低い損失、すなわちより高いＱファクタを有する。図３のＲＦ装置１１は、より低い最小キャパシタンスを与える。さらに、図３のＲＦ装置１１は、より高い、「閉」と「開」状態とのキャパシタンス比を有する。
図３から図１３には、ＭＥＭＳ装置として実施されることが可能なＲＦ装置１１と、ＲＦ回路２５やアンテナ３０などのＲＦ部品との共通設計が記載されている。ＲＦ装置１１は、ＤＣ的に接地されているアンテナ３０とシャントになっている、このことは、アンテナ３０と並列回路であることを意味する。ＲＦ装置１１は、調整可能ＲＦ部品１３、シリコンダイ、およびＭＥＭＳを湿気や他の例えば図９から１３に示されている有害な周囲の影響からシールするパッケージを備える。
有利なことに、バイアス供給点であるドライバ端子１８は、調整可能ＲＦ部品１３とＤＣブロッキングキャパシタ１４との間の電圧分割によって、より低いＲＦ電圧値を有し、そのため、より少ない、ＤＣバイアス抵抗２１内への損失を意味するパワーを消費する。
代替の実施形態では、調整可能ＲＦ部品１３は、ＲＦスイッチとして実装されることができる。ＲＦスイッチは、ＲＦＭＥＭＳスイッチとして設計されることができる。ＲＦＭＥＭＳスイッチは、マイクロリレーとして実現されることができる。この場合、ドライバ回路１９は、調整可能ＲＦ部品１３の制御端子に接続されている。調整可能ＲＦ部品１３とＤＣブロッキングキャパシタ１４との間のノードではなく、ＭＥＭＳスイッチは、ＲＦ信号端子１５でＤＣ接地を有する。ＲＦＭＥＭＳスイッチは、例えば、ガルバニックＭＥＭＳ部品である。あるいは、調整可能ＲＦ部品１３は、バラクタダイオード、ＰＩＮダイオード、強誘電層のような調整可能な絶縁層を備えるキャパシタ、またはｐＨＥＭＴを備えることができる。
図４は、上述の原理に従ったシステムのさらなる例示の実施形態を示す。図４のシステム１０は、図１から図３により説明されたシステムのさらなる発展である。アンテナ３０は、マイクロストリップアンテナで実現されている。アンテナ３０は、ＰＩＦＡと略される、平面逆Ｆアンテナとして実現されている。アンテナ３０は、ＰＣＢと略される、プリント回路基板３２に配置されている導電ライン３１を備える。アンテナ３０は、ＰＣＢ３２のリファレンス電位端子に結合されているピン３３を備える。アンテナ３０のピン３３は、短絡ピンとして設計されている。そのため、アンテナ３０は、ＤＣ的に接地されたアンテナとして実現されている。図４は、ＭＥＭＳ装置とＲＦ部品との共通設計を表す。
図５は、上述の原理に従ったシステムのさらなる例示の実施形態を示す。図５に記載のシステム１０は、図１から図４に示されているシステムのさらなる発展である。ＤＣブロッキングキャパシタ１４は、追加の調整可能ＲＦ部品３５として実現されている。追加の調整可能ＲＦ部品３５は、ＤＣブロッキングキャパシタとして動作するように設計されている。そのため、ドライバ信号ＳＤは、調整可能ＲＦ部品１３と追加の調整可能ＲＦ部品３５とに印加される。直列回路１２のキャパシタ１３，３５は、調整可能なため、キャパシタンス比はさらに増加する。アンテナ３０は、ＤＣグラウンドを有するＲＦ部品としてふるまう。ＲＦ装置１１は、ＲＦＭＥＭＳマトリクスとして実現される。ＲＦＭＥＭＳマトリクスは、直列のＭＥＭＳマトリクスである。
図６は、上述の原理に従ったシステムのさらなる例示の実施形態を示す。図６のシステム１０は、図１から図５に記載されているシステムのさらなる発展である。ＲＦ装置１１は、さらに、さらなるＲＦ調整部品４１とさらなるＤＣブロッキングキャパシタ４２とを備えるさらなる直列回路４０を備える。さらなるＤＣブロッキングキャパシタ４２は、固定電圧端子１６に接続されている。ＲＦ装置１１のさらなるＲＦ信号端子４３は、さらなる調整可能ＲＦ部品４１に接続されている。システム１０の導電ラインは、ＲＦ信号端子１５をさらなるＲＦ信号端子４３に接続する。
ＲＦ装置１１は、ＲＦＭＥＭＳマトリクスとして実現されている。アンテナ３０は、例えば、ＤＣグラウンドを有するＲＦ部品である。さらなる直列回路４０は、さらなる第１、さらなる第２、およびさらなる第３の寄生キャパシタ４４から４６を得る。さらに、さらなるドライバ端子４７は、さらなる調整可能ＲＦ部品４１とさらなるＤＣブロッキングキャパシタ４２との間のノードに接続されている。さらなるドライバ回路４８は、さらなるドライバ端子４７をリファレンス電位端子１７に接続し、さらなる電圧源４９とさらな
る抵抗５０とを備える。ＲＦ装置１１は、並列のＭＥＭＳを備える。ドライバ端子１８，４７は、ＭＥＭＳスイッチまたは可変キャパシタをそれぞれ個別に制御することができる。ＲＦ装置１１は、図５または図６に示されているように、１より多い直列または並列のＭＥＭＳスイッチを含むＭＥＭＳマトリクスとして形成されることができる。
あるいは、実施形態には示されていないが、さらなる直列回路４０は、ＲＦ信号端子１５と固定電圧端子１６との間に配置されている。そのため、直列回路１２とさらなる直列回路４０とは、ＲＦ装置１１の内部で接続されている。さらなるＲＦ信号端子４３は、除かれることができる。
あるいは、実施形態には示されていないが、ドライバ回路１９とさらなるドライバ回路４８とは、ＲＦ装置１１の少なくとも部分的に外側で実現されている。
図７は、図１から図６に示されているシステムのさらなる発展である、上述の原理に従ったシステムのさらなる例示の実施形態である。システム１０は、ＲＦ信号端子１５とリファレンス電位端子１７との間に接続されているインダクタ５１を備える。インダクタ５１は、コイルとして形成されている。システム１０は、バンドパスフィルタとして実現されている。バンドパスフィルタは、１次のものである。システム１０は、テレビチューナに集積されている。ドライバ回路１９は、部分的にＲＦ装置１１で、部分的にＲＦ装置１１の外部のシステム１０で実現されている。ＲＦ装置１１は、ＲＦ装置１１の内部に配置されているインピーダンス５２を備える。システム１０は、電圧源２０を備える。電圧源２０は、ＲＦ装置１１の外側で実現されている。そのため、ドライバ回路１９は、インピーダンス５２と、電圧源２０とを備える。インダクタ５１は、ＲＦ端子１５のＤＣ接地を供給する。
あるいは、実施形態に示されていないが、アンテナ３０は、ＲＦ端子１５に接続されている。アンテナ３０は接地されている。
さらなる発展では、アンテナ３０は、インダクタ５１に取って代わる。
図８は、上述の原理に従ったさらなる例示の実施形態を示す。図８のシステム１０は、図１から図７に示されているシステムのさらなる発展である。ＲＦ装置１１は、直列回路１２と、図６に示されているさらなる直列回路４０とを備える。さらに、さらなるドライバ回路４８は、さらなるインピーダンス５４とさらなる電圧源４９とを備える。さらなるインピーダンス５４は、ＲＦ装置１１の内部で実現れている。さらなる電圧源４９は、ＲＦ装置１１の外部のシステム１０で実現されている。さらに、インダクタ５１は、ＲＦ信号端子１５をさらなるＲＦ信号端子４３に結合する。アンテナ３０は、ＲＦ信号端子１５に接続されている。アンテナ３０は、ＲＦ信号１５をリファレンス電位端子１７に結合する。トランシーバ回路５６は、さらなるＲＦ信号端子４３に接続されている。図８では、トランシーバ回路５６の代わりに抵抗が示されている。
システム１０は、整合回路を備え、アンテナ３０とインダクタ５１とは、ＤＣ接地を供給する。提案された原理は、ＭＥＭＳスイッチＲＦフィルタまたはＭＥＭＳスイッチインピーダンス整合回路または任意のＭＥＭＳスイッチ回路にも用いられることができる、ただし、当然、ＤＣ接地は、シャントのＲＦ装置１１のＲＦ信号端子１５に存在する。調整可能ＲＦ部品１３は、単一のＭＥＭＳキャパシタまたはＭＥＭＳキャパシタアレイとすることができる。ＲＦ装置１１は、１つのパッケージまたは複数のパッケージ内で作成されることができる。
あるいは、実施形態には示されていないが、さらなるＲＦ装置は、さらなる直列回路４０を備える。そのため、直列回路１２とさらなる直列回路４０とは、それぞれのパッケージを有する２つのＲＦ装置に分離されている。
図９は、上述の原理に従ったＲＦ装置の例示の実施形態を示す。図９に示されているＲＦ装置１１は図１から図８に示されているＲＦ装置１１のさらなる発展である。ＲＦ装置１１は、基板６０を備える。さらに、ＲＦ装置１１は、キャップ６１とボンドフレーム６２とを備える。キャップ６１は、ボンドフレーム６２を介して、基板６０に結合されている。ボンドフレーム６２は、キャップ６１と基板６０との間に、キャビティ６３の密閉シールを供給する。キャップ６１は、基板６０の第１表面に固定されている。
さらに、ＲＦ装置１１は、第１と第２のフィードスルー６４，６５を備える。第１のフィードスルー６４は、ＲＦ信号端子１５を、調整可能ＲＦ部品１３の第１端子に接続する。同様に、第２のフィードスルー６５は、固定電圧端子１６を、ＤＣブロッキングキャパシタ１４の第１端子に接続する。第１フィードスルーキャパシタ６６は、調整可能ＲＦ部品１３の第１端子を、ボンドフレーム６２に結合する。同様に、第２フィードスルーキャパシタ６７は、ＤＣブロッキングキャパシタ１４の第１端子を、ボンドフレーム６２に結合する。ボンドフレーム６２は、リファレンス電位端子１７に接続されている。そのため、ボンドフレーム６２は、接地されている。第１と第２のフィードスルーキャパシタ６６，６７は、キャパシタンス値ＣＢ１，ＣＢ２をそれぞれ有する、寄生キャパシタである。
ＲＦ装置１１の断面は、図９の右側に示されている。基板６０は、シリコン基板である。シリコンは、高抵抗率から外れている。キャップ６１は、シリコンの微小機械加工キャップである。ボンドフレーム６２は、共晶化合物または金錫半田を備える。調整可能ＲＦ部品１３とＤＣブロッキングキャパシタ１４とは、基板６０の第１表面に配置されている。ＤＣブロッキングキャパシタ１４は、ＭＩＭキャパシタと略される、金属−絶縁体−金属キャパシタとして実現されている。ＤＣブロッキングキャパシタ１４は、そのため、並行平板キャパシタとして実装されている。
調整可能ＲＦ部品１３は、固定および可動電極として作成されている第１および第２の電極６８，６９を備える。ドライバ信号ＳＤは、第１電極６９と第２電極との間の距離を変える。そのため、調整可能ＲＦ部品１３のキャパシタンス値が制御される。第１および第２の誘電体層７０，７１は、基板６０に積層されている。第１フィードスルー６４は、第１および第２の誘電体層７０，７１の間にある、調整可能ＲＦ部品１３の１つの電極をＲＦ信号端子１５に接続する第１導電ライン７３を備える。同様に、第２導電ライン７４は、ＤＣブロッキングキャパシタ１４の第１端子を、固定電圧端子１６に接続する。第１および第２導電ライン７３，７４は、ボンドフレーム６２と電気的にアイソレートされている。第２誘電体層７１は、第１および第２導電ライン７３，７４との電気的アイソレーションを、ボンドフレーム６２に供給する。
シリコンダイは、基板６０、調整可能ＲＦ部品１３、およびＤＣブロッキングキャパシタ１４を備える。キャップ６１とボンドフレーム６２は、シリコンダイと主に調整可能ＲＦ部品１３を、湿気および周囲のガスの圧力からシールする。ボンドフレーム６２は、信号との間のクロスカップリングを避けるために、接地されている。
あるいは、実施形態には示されていないが、ＲＦ装置１１は、さらに第３のフィードスルーを備える。そのため、ドライバ端子１８は、ＲＦ装置１１の外側と接続されることができる。ドライバ回路１９の電圧源２０は、第３のフィードスルーを介して、ドライバ回路１９のインピーダンス５２に結合されている。
図１０は、上述の原理に従ったＲＦ装置のさらなる例示の実施形態を示す。図１０に示されているＲＦ装置１１は、図１から図９に示されているＲＦ装置のさらなる発展である。ボンドフレーム６２は、フローティングボンドフレームとして実現されている。ボンドフレーム６２は、リファレンス電位端子１７、またはＲＦ信号端子１５、または固定電圧端子１６と、電気的に接続されていない。ＲＦ装置１１は、ボンドフレーム６２をリファレンス電位端子１７に接続するボンドフレームキャパシタ７５を備える。ボンドフレームキャパシタ７５は、好ましくは、寄生キャパシタとすることができる。
いくつかのＲＦ装置では、特に、ＭＥＭＳ装置または部品は、密閉パッケージングを必要とする。密封は、トップ基板を装置のキャビティにボンディングすることにより達成されることができる。金属製シールリングは、より低いボンディング温度で用いられることができ、良好な密閉を達成する。キャップ６１とボンドフレーム６２は、図９と図１０とに示されているように、ボンドフレーム６２に対する信号線のキャパシタンス値ＣＢ１とＣＢ２とを有する第１および第２の寄生フィードスルーキャパシタ６６，６７を生じさせる。
ボンドフレーム６２をフローティングにしておくことは、ボンドフレーム６２のリファレンス電位端子１７に対するキャパシタンス値ＣＢ３を有する寄生ボンドフレームキャパシタ７５が見えるようになる、しかし同時に、ＲＦ信号端子１５と固定電圧端子１６との２つのＲＦポートでの実効キャパシタンスは低くなる。実効キャパシタンスは、そのため、ＣＢ１，ＣＢ２，およびＣＢ３の様々な組み合わせの直列接続である。例えば、固定電圧端子１６が、接地電位ＧＮＤに設定されている場合、ＲＦシングル端子１５での接地に対する実効寄生キャパシタンスＣＥＦＦは、以下の式に従って計算されることができる。
そのため、ＣＥＦＦの値は、キャパシタ６６のキャパシタンス値ＣＢ１よりも低くなる。有利なことに、寄生効果は、システム１０をＲＦ装置１１と共通設計することにより、低減される。フローティングボンドフレーム６２は、有利なことに、クロスカップリングの懸念が少ない、シャント構成に適している。いくつかの応用では、例えば、パッケージ毎に１つのＲＦ機能のみ存在する場合、パッケージと、ＲＦ装置１１が周囲と同じように配置されたボードとの共通設計は、有利に成される。
図１１は、上述の原理に従ったＲＦ装置のさらなる例示の実施形態を示す。図１１に示されているＲＦ装置１１は、図１から図１０に示されているＲＦ装置１１のさらなる発展である。ＲＦ装置１１は、第１フィードスルー６４を備える。第１フィードスルー６４は、ボンドフレームクロスとして実現される。第２フィードスルー６５は、除かれている。代わりに、ボンドフレーム６２は、固定電圧端子１６に接続されている。そのため、ボンドフレーム６２は、ＲＦ装置１１の一方の端子でのＲＦフィードとして用いられる。
そのため、ボンドフレーム６２の金属は、パッケージ内側へのフィードラインとして適用される。これは、１つのパッケージ内の並列配置と直列配置とに用いられることができる。固定電圧１６は、ボンドフレーム６２に直接接続されており、ボンドフレーム６２の金属は、パッケージの内側に延び、ＭＥＭＳ／ＭＩＭ装置のトップ金属に接続されている。この接続における直列損失は、大幅に低減され、そのため、ＲＦ装置１１のＱファクタは大きくなる。並列配置の場合、接地電位ＧＮＤは、同様に、固定電圧端子１６に接続されており、寄生キャパシタであるボンドフレームキャパシタ７５はショートされている。図１１は、ＭＥＭＳ装置とＲＦ部品とのさらなる例示の共通設計を示す。
図１２は、上述の原理に従ったＲＦ装置のさらなる例示の実施形態を示す。図１２のＲＦ装置１１は、図１から図１１のＲＦ装置１１のさらなる発展である。調整可能ＲＦ部品１３は、固定ボタン電極として実現されている第１電極６８を備える。第１電極６８は、基板６０に配置されている。調整可能ＲＦ部品１３の第２電極６９は、可動電極として実現されている。アイソレータ８０は、第１電極６８に積層されている。アイソレータ８０は、第１と第２電極６８，６９の間のギャップ８７の一部のみ埋める。第２電極６９は、第２電極６９がアイソレータ８０に向かっておよび離れて動くことができるように設計されている。第１と第２電極６８，６９の間のギャップ８７は、少なくとも部分的にエアギャップとして実現されている。第２電極６９は、アイソレータ８０への距離Ｄを有する。第１寄生キャパシタ２２は、第１電極６８の、基板６０の裏側に対するキャパシタンスから生じる。基板６０の裏面は、金属層８１で覆われている。金属層８１は、リファレンス電位端子１７に接続されている。さらに、ＲＦ装置１１は、ＤＣブロッキングキャパシタ１４を備える。そのため、ＤＣブロッキングキャパシタ１４は、第１寄生キャパシタ２２に並列に接続されている。そのため、第１寄生キャパシタ２２のキャパシタンス値ＣＰ１は、ＤＣブロッキングキャパシタ１４のキャパシタンス値ＣＤＣに組み込まれる。
設定可能な素子である調整可能ＲＦ部品１１は、垂直構造において非対称である可能性が高い。よい例は、ＭＥＭＳの場合、対称のくさび型キャパシタよりも高いキャパシタンス密度を与える平面キャパシタである。非対称装置は、その上、端子において異なる寄生キャパシタンス値を有する。そのため、装置がどちらの「極性」に接続されているか問題となる。典型的には底部電極である第１電極６８である、より高い寄生キャパシタンスのある端子は、この寄生キャパシタを介するＲＦ信号の漏洩を避けるために、グラウンドまたはＤＣブロッキングキャパシタに接続されるべきである。図１２は、ＭＥＭＳキャパシタである調整可能ＲＦ部品１３の断面と、シャント構成の好ましい接続を示す。そのため、良好なＲＦ性能が達成される。
図１３は、上述の原理に従ったＲＦ装置のさらなる例示の実施形態を示す。図１３に示されているＲＦ装置１１は、図１から図１２に示されているＲＦ装置１１のさらなる発展である。調整可能ＲＦ部品１３とＤＣブロッキングキャパシタ１４とは、スタック８３を形成する。スタック８３は、基板６０の第１表面に実現されている。ＤＣブロッキングキャパシタ１４は、調整可能ＲＦ部品１３と基板６０との間に配置されている。そのため、基板６０のエリアは、非常に有効に使用されている。ＤＣブロッキングキャパシタ１４の第１電極８５は、基板６０の表面に配置されている。基板６０は、誘電体材料として実現されている。基板６０は、ＰＣＢ、または、高温同時焼成セラミックまたは低温同時焼成セラミックなどのセラミックである。さらなるアイソレータ８４は、ＤＣブロッキングキャパシタ１４の第１電極８５に積層されている。ＤＣブロッキングキャパシタ１４の第２電極８６は、さらなるアイソレータ８４に配置されている。アイソレータ８０は、ＤＣブロッキングキャパシタ１４の第２電極８６に積層されている。ＤＣブロッキングキャパシタ１４の第２電極８６は、その上、調整可能ＲＦ部品１３の第１電極６８を形成する。
調整可能ＲＦ部品１３とＤＣブロッキングキャパシタ１４とは、並行平板キャパシタであり、共通の板を有する。共通板は、ドライバ端子１８に接続されている。アイソレータ８０とエアギャップとを備えるギャップ８７は、第１電極６８を調整可能ＲＦ部品１３の第２電極６９から分離する。調整可能ＲＦ部品１３の寄生キャパシタが低減される。第３寄生キャパシタ２４は、ＤＣブロッキングキャパシタ１４の第１電極８５を基板６０の裏側に結合させる。
あるいは、実施形態には示されていないが、基板６０は、アイソレーション層が積層されている半導体基板である。そのため、ＤＣブロッキングキャパシタ１４の第１電極８５の、基板６０に対するアイソレーションが与えられる。
図１３の下部は、図９と図１３とに示されている断面の組み合わせを示す。図９の第１と第２誘電体層７０，７１は、アイソレータ８０とさらなるアイソレータ８４として使用されている。そのため、第１導電ライン７３は、アイソレータ８０とさらなるアイソレータ８４との間に配置されている。その上、第２導電ライン７４は、アイソレータ８０とさらなるアイソレータ８４との間に配置されている。アイソレータ８０の開口は、ＲＦ信号端子１５および固定電圧端子１６への電気的コンタクトを許可する。
図１３のＲＦ装置１１は、図１２のＲＦ装置１１に類似しているが、集積されたＤＣデカップリングキャパシタがある。寄生キャパシタンスは、ＤＣブロッキングキャパシタ１４の第１電極８５へシフトされている。ＤＣブロッキングキャパシタ１４は、ＭＥＭＳキャパシタである調整可能ＲＦ部品１３の下方に集積されている。底部電極へのバイアスの接続は、基板６０を通るアンカーのカップリングの作動を避ける。基板６０の調整可能ＲＦ部品１３のアンカーは、第２電極６９を第１電極６８の上方に保持する、基板６０にある構造である。第２電極６９は、可動電極であり、薄膜を備える。第１電極６８は、固定電極であり、バックプレートとして設計されている。基板６０は、好ましくは、半導体基板とすることができる。１つのパッケージ内の１つのＲＦ機能の共通設計により、ボンドフレーム６２が接地されていない場合にも、寄生キャパシタンスは低減されることができる。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［Ｃ１］
ＲＦ装置であって、
基板（６０）と、
調整可能ＲＦ部品（１３）およびＤＣブロッキングキャパシタ（１４）の直列回路（１２）とを備え、前記直列回路（１２）は前記基板（６０）に配置されており、ＲＦ信号端子（１５）を、前記ＲＦ信号端子（１５）と電気的にアイソレートされている固定電圧端子（１６）に結合させ、
前記調整可能ＲＦ部品（１３）は前記ＲＦ信号端子（１５）に結合されており、前記ＤＣブロッキングキャパシタ（１４）は前記固定電圧端子（１６）に結合されており、ドライバ端子（１８）は前記調整可能ＲＦ部品（１３）に結合されている、ＲＦ装置。
［Ｃ２］
リファレンス電位端子（１７）は、前記ＲＦ信号端子（１５）と前記固定電圧端子（１６）とがＤＣ的に接地されるように、前記ＲＦ信号端子（１５）と前記固定電圧端子（１６）とに結合されている、Ｃ１に記載のＲＦ装置。
［Ｃ３］
前記基板（６０）は半導体基板である、Ｃ１または２に記載のＲＦ装置。
［Ｃ４］
前記調整可能ＲＦ部品（１３）は、前記基板（６０）に配置されている前記ＲＦ信号端子（１５）に直接接続されており、前記ＤＣブロッキングキャパシタ（１４）は、前記基板（６０）に配置されている前記固定電圧端子（１６）に直接接続されている、Ｃ１から３のいずれか１項に記載のＲＦ装置。
［Ｃ５］
前記調整可能ＲＦ部品（１３）は，バラクタダイオード、ＰＩＮダイオード、可動キャパシタ電極を有するキャパシタのようなＭＥＭＳキャパシタ、強誘電体層のような調整可能誘電体層を備えたキャパシタ、マイクロリレーのようなガルバニックＭＥＭＳ部品、およびｐＨＥＭＴから成るグループの１つである、Ｃ１から４のいずれか１項に記載のＲＦ装置。
［Ｃ６］
前記基板（６０）の第１表面の少なくとも一部を覆うキャップ（６１）と、
前記キャップ（６１）を前記基板（６０）に結合させるボンドフレーム（６２）と、
前記基板（６０）の前記第１表面と前記キャップ（６１）との間のキャビティ（６３）とを備える、Ｃ１から５のいずれか１項に記載のＲＦ装置。
［Ｃ７］
前記直列回路（１２）を前記ＲＦ信号端子（１５）に接続し且つ前記ボンドフレーム（６２）からアイソレートされている第１導電ライン（７３）、を有する第１フィードスルー（６４）と、
前記直列回路（１２）を前記固定電圧端子（１６）に接続し且つ前記ボンドフレーム（２）からアイソレートされている第２導電ライン（７４）、を有する第２フィードスルー（６５）とを備える、Ｃ６に記載のＲＦ装置。
［Ｃ８］
前記ボンドフレーム（６２）はフローティングボンドフレームまたは接地されているボンドフレームとして実現されている、Ｃ７に記載のＲＦ装置。
［Ｃ９］
前記ＲＦ装置（１１）は、
前記直列回路（１２）を前記ＲＦ信号端子（１５）に接続し且つ前記ボンドフレーム（６２）からアイソレートされている第１導電ライン（７３）、を有する第１フィードスルー（６４）を備え、
前記固定電圧端子（１６）は前記ボンドフレーム（６２）に電気的に接続されている、Ｃ６に記載のＲＦ装置。
［Ｃ１０］
前記調整可能ＲＦ部品（１３）は第１寄生キャパシタ（２２）を有する第１端子と前記第１寄生キャパシタ（２２）より大きいキャパシタンス値を有する第２寄生キャパシタ（２３）を有する第２端子とを備え、前記調整可能ＲＦ部品（１３）は、前記調整可能ＲＦ部品（１３）の前記第２端子が前記ＤＣブロッキングキャパシタ（１４）に接続されるように配置されている、Ｃ１から９のいずれか１項に記載のＲＦ装置。
［Ｃ１１］
前記調整可能ＲＦ部品（１３）はキャパシタとして実装されており、前記ＤＣブロッキングキャパシタ（１４）は前記調整可能ＲＦ部品（１３）と前記基板（６０）との間に配置されている、Ｃ１から１０のいずれか１項に記載のＲＦ装置。
［Ｃ１２］
前記調整可能ＲＦ部品（１３）はキャパシタとして実装されており、前記ＤＣブロッキングキャパシタ（１４）は１つの共通する平板を共通電極として備える、Ｃ１から１１のいずれか１項に記載のＲＦ装置。
［Ｃ１３］
システムであって、
Ｃ１から１２のいずれか１項に記載の前記ＲＦ装置（１１）と、
前記ＲＦ信号端子（１５）に結合されているアンテナ（３０）とを備える、システム。
［Ｃ１４］
ＲＦ装置のチューニング方法であって、
ＤＣ的に接地されているＲＦ入力信号（ＳＲＦ）をＲＦ信号端子（１５）に供給するステップと、
接地電位（ＧＮＤ）を固定電圧端子（１６）に供給するステップとを備え、
調整可能ＲＦ部品（１３）とＤＣブロッキングキャパシタ（１４）との直列回路（１２）は、基板（６０）に配置されており、且つ、前記調整可能ＲＦ部品（１３）が前記ＲＦ信号端子（１５）に結合され、前記ＤＣブロッキングキャパシタ（１４）が前記固定電圧端子（１６）に結合されるように、前記ＲＦ信号端子（１５）を、前記ＲＦ信号端子（１５）と電気的にアイソレートされている前記固定電圧端子（１６）に結合させ、
前記調整可能ＲＦ部品（１３）を制御するドライバ信号（ＳＤ）を供給するステップをさらに備える、ＲＦ装置のチューニング方法。
１０ システム、１１ ＲＦ装置、１２ 直列回路、１３ 調整可能ＲＦ部品、１４ ＤＣブロッキングキャパシタ、１５ ＲＦ信号端子、１６ 固定電圧端子、１７ リファレンス電位端子、１８ ドライバ端子、１９ ドライバ回路、２０ 電圧源、２１ 抵抗、２２ 第１寄生キャパシタ、２３ 第２寄生キャパシタ、２４ 第３寄生キャパシタ、２５ ＲＦ回路、２６ ＲＦ入力端子、３０ アンテナ、３１ 導電ライン、３２ プリント回路基板、３３ ピン、３５ 追加の調整可能ＲＦ部品、３６ 第４寄生キャパシタ、３７ 第５寄生キャパシタ、４０ さらなる直列回路、４１ さらなる調整可能ＲＦ部品、４２ さらなるＤＣブロッキングキャパシタ、４３ さらなるＲＦ信号端子、４４ さらなる第１寄生キャパシタ、４５ さらなる第２寄生キャパシタ、４６ さらなる第３寄生キャパシタ、４７ さらなるドライバ端子、４８ さらなるドライバ回路、４９ さらなる電圧源、５０ さらなる抵抗、５１ インダクタ、５２ インピーダンス、５４ さらなるインピーダンス、５５ さらなる電圧源、５６ トランシーバ回路、６０ 基板、６１ キャップ、６２ ボンドフレーム、６３ キャビティ、６４ 第１フィードスルー、６５ 第２フィードスルー、６６ 第１フィードスルーキャパシタ、６７ 第２フィードスルーキャパシタ、６８ 第１電極、６９ 第２電極、７０ 第１誘電体層、７１ 第２誘電体層、７３ 第１導電ライン、７４ 第２導電ライン、７５ ボンドフレームキャパシタ、８０ アイソレータ、８１ 金属層、８３ スタック、８４ さらなるアイソレータ、８５ 第１電極、８６ 第２電極、８７ ギャップ、ＳＤ ドライバ信号、ＳＲＦ ＲＦ入力信号、ＧＮＤ 接地電位。

Claims (10)

  1. ＲＦ装置であって、
    基板と、
    調整可能ＲＦ部品およびＤＣブロッキングキャパシタを含む直列回路と、ここにおいて、前記直列回路は、前記基板に配置されており、前記直列回路がＲＦ信号端子と固定電圧端子との間に配置されるように、前記調整可能ＲＦ部品は前記ＲＦ信号端子に結合されており、前記ＤＣブロッキングキャパシタは前記固定電圧端子に結合されており、前記固定電圧端子は、ＤＣ電流に関して前記ＲＦ信号端子から電気的にアイソレートされる、
    前記基板の第１表面を少なくとも部分的に覆うキャップと、
    前記キャップを前記基板と結合するボンドフレームと、
    前記基板と前記キャップの前記第１表面の間のキャビティと、
    を備え、
    ここにおいて、前記調整可能ＲＦ部品は、ドライバ端子に結合され、
    前記ＲＦ装置は、前記直列回路を前記ＲＦ信号端子に電気的に接続し、且つ前記ボンドフレームから電気的にアイソレートされる、第１導電ラインを有するフィードスルーを備え、
    前記固定電圧端子は、前記ボンドフレームに、電気的且つ物理的に直接接続され、
    前記ＲＦ装置は、前記ボンドフレームをリファレンス電位端子に接続するボンドフレームキャパシタをさらに備える、
    ＲＦ装置。
  2. リファレンス電位端子は、前記ＲＦ信号端子と前記固定電圧端子とがＤＣ的に接地されるように、前記ＲＦ信号端子と前記固定電圧端子とに結合されている、請求項１に記載のＲＦ装置。
  3. 前記基板は半導体基板である、請求項１に記載のＲＦ装置。
  4. 前記調整可能ＲＦ部品は、前記基板に配置されている前記ＲＦ信号端子に直接接続されており、前記ＤＣブロッキングキャパシタは、前記基板に配置されている前記固定電圧端子に直接接続されている、請求項１に記載のＲＦ装置。
  5. 前記調整可能ＲＦ部品は、バラクタダイオード、ＰＩＮダイオード、ＭＥＭＳキャパシタ、可変キャパシタンス値を有するキャパシタ、ガルバニックＭＥＭＳ部品、およびｐＨＥＭＴから成るグループから選択された部品を備える、請求項１に記載のＲＦ装置。
  6. 前記調整可能ＲＦ部品は、第１寄生キャパシタを有する第１端子と前記第１寄生キャパシタより大きいキャパシタンス値を有する第２寄生キャパシタを有する第２端子とを備え、ここにおいて、前記調整可能ＲＦ部品は、前記調整可能ＲＦ部品の前記第２端子が前記ＤＣブロッキングキャパシタに接続されるように配置されている、請求項１に記載のＲＦ装置。
  7. 前記調整可能ＲＦ部品は、キャパシタとして実装されており、前記ＤＣブロッキングキャパシタは、前記調整可能ＲＦ部品と前記基板との間に配置されている、請求項１に記載のＲＦ装置。
  8. 前記調整可能ＲＦ部品は、キャパシタとして実装されており、前記ＤＣブロッキングキャパシタは、１つの共通する平板を前記ドライバ端子に結合させるための共通電極として備える、請求項１に記載のＲＦ装置。
  9. システムであって、
    請求項１に記載の前記ＲＦ装置と、
    前記ＲＦ信号端子に結合されているアンテナと
    を備える、システム。
  10. ＲＦ装置のチューニング方法であって、
    ここにおいて、前記ＲＦ装置は、基板の第１表面を少なくとも部分的に覆うキャップと、前記キャップを前記基板と結合するボンドフレームと、前記基板と前記キャップの前記第１表面の間のキャビティとを備え、前記ＲＦ装置は、
    ＤＣ的に接地されているＲＦ入力信号をＲＦ信号端子に供給することと、
    接地電位を固定電圧端子に供給することと、ここにおいて、調整可能ＲＦ部品とＤＣブロッキングキャパシタとを備える直列回路が前記基板上に配置され、前記直列回路が前記ＲＦ信号端子と前記固定電圧端子との間に配置されるように、前記調整可能ＲＦ部品は前記ＲＦ信号端子に結合され、前記ＤＣブロッキングキャパシタは前記固定電圧端子に結合され、前記固定電圧端子は、ＤＣ電流に関して前記ＲＦ信号端子から電気的にアイソレートされる、
    前記調整可能ＲＦ部品を制御するドライバ信号を供給すること、
    を備え、
    前記ＲＦ信号端末は、前記直列回路を前記ＲＦ信号端子に電気的に接続し、且つ前記ボンドフレームから電気的にアイソレートされる、第１導電ラインを有するフィードスルーを介して前記直列回路に接続され、
    前記固定電圧端子は、前記ボンドフレームに、電気的且つ物理的に直接接続され、
    前記ＲＦ装置は、前記ボンドフレームをリファレンス電位端子に接続するボンドフレームキャパシタをさらに備える、
    ＲＦ装置のチューニング方法。
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