JP5949094B2 - ポジ型感放射線性組成物、表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法 - Google Patents

Description

本発明はポジ型感放射線性組成物、表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法に関する。

表示素子には、一般に層状に配置される配線の間を絶縁する目的で表示素子用層間絶縁膜が設けられている。表示素子用層間絶縁膜の形成材料としては、必要なパターン形状を得るための工程数が少なく、また得られる表示素子用層間絶縁膜に高度な平坦性が求められることから感放射線性樹脂組成物が幅広く使用されている。このような感放射線性樹脂組成物には良好な感度が求められ、また表示素子用層間絶縁膜には上記平坦性に加え、優れた表面硬度、耐溶媒性、耐熱性、電圧保持率等が求められる。

このような感放射線性樹脂組成物としては、架橋剤、酸発生剤及びアルカリ可溶性樹脂を含有する組成物が知られている（特開２００４−４６６９号公報参照）。上記アルカリ可溶性樹脂とは、保護基（アルカリ水溶液に不溶又は難溶であって、酸の作用により解離し得る基）を有し、この保護基が解離した後にアルカリ水溶液に可溶性又は易溶性となる樹脂をいう。また、他の感放射線性樹脂組成物としては、アセタール構造又はケタール構造及びエポキシ基を含有する樹脂並びに酸発生剤を含有する感放射線性樹脂組成物が提案されている（特開２００４−２６４６２３号公報参照）。

しかし、上記従来の感放射線性樹脂組成物では、放射線感度が不十分であるために、微細かつ精巧なパターンを容易に形成することができないという不都合を有する。

特開２００４−４６６９号公報 特開２００４−２６４６２３号公報

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的はより高い感度を有し、表面硬度、耐溶媒性、耐熱性及び電圧保持率に優れる表示素子用層間絶縁膜を形成することができるポジ型感放射線性組成物、これを用いて形成される表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法を提供することである。

上記課題を解決するためになされた発明は、
［Ａ］酸解離性基を含む構造単位（Ｉ）、重合性基を含む構造単位（ＩＩ）及び下記式（１）で表される構造単位（ＩＩＩ）を有する重合体（以下、「［Ａ］重合体」ともいう）、並びに
［Ｂ］感放射線性酸発生剤を含有するポジ型感放射線性組成物である。

（式（１）中、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基である。Ｒ^２は、炭素数６〜３０のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基若しくはアシロキシアルキル基又は炭素数４〜３０の橋かけ環式炭化水素基である。但し、上記アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシロキシアルキル基及び橋かけ環式炭化水素基が有する水素原子の一部は、水酸基又はカルボキシル基で置換されていてもよい。）

当該ポジ型感放射線性組成物は、［Ａ］重合体がＲ^２で表される基を含む構造単位（ＩＩＩ）を有することで硬化前の柔軟性が高くなり、その結果露光の際に発生する酸の拡散が促進され、感度をさらに向上させることができる。また、当該ポジ型感放射線性組成物は、［Ａ］重合体が重合性基を含む構造単位（ＩＩ）を有することで、十分な表面硬度、耐溶媒性、耐熱性及び電圧保持率を有する表示素子用層間絶縁膜等の硬化膜を形成することができる。

当該ポジ型感放射線性組成物は、［Ｃ］（メタ）アクリロイル基を１つ以上含む分子量１，０００以下の化合物（以下、「［Ｃ］化合物」ともいう）をさらに含有することが好ましい。当該ポジ型感放射線性組成物は、［Ｃ］化合物をさらに含有することで、表面硬度、耐溶媒性、耐熱性及び電圧保持率がより向上した硬化膜を形成することができる。

上記構造単位（Ｉ）における酸解離性基は、下記式（２）で表されることが好ましい。

（式（２）中、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、脂環式炭化水素基又はアリール基である。但し、これらのアルキル基、脂環式炭化水素基又はアリール基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。また、Ｒ^３及びＲ^４が共に水素原子である場合はない。Ｒ^５は、アルキル基、脂環式炭化水素基、アラルキル基、アリール基又は−Ｍ（Ｒ^６）_３で表される基である。Ｍは、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎである。Ｒ^６は、アルキル基である。但し、Ｒ^５のアルキル基、脂環式炭化水素基、アラルキル基及びアリール基並びにＲ^６のアルキル基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Ｒ^３とＲ^５とが互いに結合して、Ｒ^３が結合している炭素原子及びＲ^５が結合している酸素原子と共に環状エーテル構造を形成してもよい。）

上記式（２）で表される酸解離性基は、［Ｂ］感放射線性酸発生剤から発生する酸の作用により解離し易い構造を有する。そのため、当該ポジ型感放射線性組成物は、このような酸解離性基を含む［Ａ］重合体を含有することで、感度をより向上させることができ、微細かつ精巧なパターンを容易に形成することができる。

上記構造単位（ＩＩ）における重合性基は、エポキシ基であることが好ましい。［Ａ］重合体が重合性基としてエポキシ基を含むことで、当該ポジ型感放射線性組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜等の硬化膜は、表面硬度、耐溶媒性、耐熱性及び電圧保持率をさらに向上させることができる。ここでエポキシ基とは、オキシラニル基（１，２−エポキシ構造）及びオキセタニル基（１，３−エポキシ構造）を含む概念である。

［Ａ］重合体における上記構造単位（ＩＩＩ）の含有率としては、３質量％以上５０質量％以下が好ましい。このように、［Ａ］重合体における構造単位（ＩＩＩ）の含有率を上記範囲とすることで、酸の拡散がより促進され感度をより向上させることができる。

［Ｃ］化合物は、炭素数２〜１２のジオール構造由来の骨格、トリメチロールプロパン由来の骨格、ペンタエリスリトール由来の骨格又はジペンタエリスリトール由来の骨格を有する化合物であることが好ましい。このように、［Ｃ］化合物として上記特定の化合物を含有することで、形成される表示素子用層間絶縁膜等の硬化膜の表面硬度、耐溶媒性、耐熱性及び電圧保持率をさらに向上させることができる。

［Ｃ］化合物の含有量としては、固形分換算で１質量％以上５０質量％以下が好ましい。当該ポジ型感放射線性組成物は、［Ｃ］化合物の含有量を上記範囲とすることで、形成される表示素子用層間絶縁膜等の硬化膜の表面硬度、耐溶媒性、耐熱性及び電圧保持率を優れたものとすることができる。

当該ポジ型感放射線性組成物は、表示素子用層間絶縁膜の形成材料として好適である。また、本発明には、当該ポジ型感放射線性組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜も好適に含まれる。

本発明の表示素子用層間絶縁膜の形成方法は、
（１）当該ポジ型感放射線性組成物を用い、基板上に塗膜を形成する工程、
（２）上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
（３）上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び
（４）上記現像された塗膜を加熱する工程
を有する。

当該形成方法によると、表面硬度、耐溶媒性、耐熱性及び電圧保持率に優れる表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。また、感度に優れる当該ポジ型感放射線性組成物を用いることによって、容易に微細かつ精巧なパターンを有する表示素子用層間絶縁膜を形成できる。従って、形成された表示素子用層間絶縁膜は、液晶表示素子、有機ＥＬ表示素子等の表示素子に好適に使用できる。

なお、本明細書にいう「ポジ型感放射線性組成物」の「放射線」とは、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、荷電粒子線等を含む概念である。

以上説明したように、本発明のポジ型感放射線性組成物は、感度に優れるため容易に微細かつ精巧なパターンを有する表示素子用層間絶縁膜を形成できる。また、当該ポジ型感放射線性組成物は、表面硬度、耐溶媒性、耐熱性及び電圧保持率に優れる表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。従って、当該ポジ型感放射線性組成物は、例えば液晶表示素子、有機ＥＬ表示素子等の表示素子用層間絶縁膜を形成するための材料として好適である。

＜ポジ型感放射線性組成物＞
本発明のポジ型感放射線性組成物は、［Ａ］重合体及び［Ｂ］感放射線性酸発生剤を必須成分として含有し、［Ｃ］化合物を好適成分として含有する。また、当該ポジ型感放射線性組成物は、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の任意成分を含有してもよい。以下、各成分を詳述する。

＜［Ａ］重合体＞
［Ａ］重合体は、酸解離性基を含む構造単位（Ｉ）、重合性基を含む構造単位（ＩＩ）及び上記式（１）で表される構造単位（ＩＩＩ）を有する重合体である。また、［Ａ］重合体は本発明の効果を損なわない範囲において、その他の構造単位を含んでいてもよい。なお、［Ａ］重合体は、各構造単位を２種以上有していてもよい。以下、各構造単位を詳述する。

［構造単位（Ｉ）］
構造単位（Ｉ）は、酸解離性基を含む構造単位である。この酸解離性基は露光の際に［Ｂ］感放射線性酸発生剤から発生する酸の作用により解離して極性基を生じるため、アルカリ水溶液に不溶性又は難溶性であった［Ａ］重合体はアルカリ水溶液に可溶性となる。当該ポジ型感放射線性組成物は、［Ａ］重合体がこのような構造単位（Ｉ）を有することで良好な感度を備えることができる。

構造単位（Ｉ）としては、酸解離性基を含む構造単位であれば特に限定されないが、酸により解離し易いという観点から、上記式（２）で表される酸解離性基を含む構造単位であることが好ましい。上記式（２）中、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、脂環式炭化水素基又はアリール基である。但し、これらのアルキル基、脂環式炭化水素基又はアリール基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。また、Ｒ^３及びＲ^４が共に水素原子である場合はない。Ｒ^５は、アルキル基、脂環式炭化水素基、アラルキル基、アリール基又は−Ｍ（Ｒ^６）_３で表される基である。Ｍは、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎである。Ｒ^６は、アルキル基である。但し、Ｒ^５のアルキル基、脂環式炭化水素基、アラルキル基及びアリール基並びにＲ^６のアルキル基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Ｒ^３とＲ^５とが連結して環状エーテル構造を形成してもよい。

上記Ｒ^３及びＲ^４で表される脂環式炭化水素基としては、例えば炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基等が挙げられる。また、この炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基は、多環でもよい。上記炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基としては、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。

上記Ｒ^３及びＲ^４で表されるアリール基としては、例えば炭素数６〜１４のアリール基等が挙げられる。上記炭素数６〜１４のアリール基は、単環でもよく、単環が連結した構造であってもよく、縮合環であってもよい。上記炭素数６〜１４のアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。

上記Ｒ^３及びＲ^４で表される置換されていてもよいアルキル基、脂環式炭化水素基及びアリール基の置換基としては、例えばハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、カルボニル基、脂環式炭化水素基（例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル、シクロオクチル、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等）、アリール基（例えばフェニル基、ナフチル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数１〜２０のアルコキシ基等）、アシル基（例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ｉ−ブチリル基等の炭素数２〜２０のアシル基等）、アシロキシ基（例えば、アセトキシ基、エチリルオキシ基、ブチリルオキシ基、ｔ−ブチリルオキシ基、ｔ−アミリルオキシ基等の炭素数２〜１０のアシロキシ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基等の炭素数２〜２０のアルコキシカルボニル基）、ハロアルキル基（例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−オクタデシル基等の直鎖状アルキル基、ｉ−プロピル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ネオペンチル基、２−ヘキシル基、３−ヘキシル基等の分岐状のアルキル基等のアルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等の脂環式炭化水素基の水素原子の一部又は全部が、ハロゲン原子で置換された基等）、ヒドロキシアルキル基（例えば、ヒドロキシメチル基等）等が挙げられる。

上記Ｒ^５で表されるアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基については、上記Ｒ^３及びＲ^４で表されるそれぞれの基の説明を適用できる。なお、上記アルキル基としては、炭素数１〜６のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基及びｎ−プロピル基がより好ましい。上記Ｒ^５で表されるアラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。

上記Ｒ^５の−Ｍ（Ｒ^６）_３で表される基において、Ｒ^６で表されるアルキル基としては、上記Ｒ^３及びＲ^４で表されるアルキル基の説明を適用できる。

上記Ｒ^３とＲ^５とが互いに結合して形成していてもよい環状エーテル構造としては、環員数３〜２０の環状エーテル構造が好ましく、環員数５〜８の環状エーテル構造がより好ましく、テトラヒドロフラン及びテトラヒドロピランがさらに好ましい。

上記式（２）で表される基としては、例えば下記式で表される基等が挙げられる。

上記構造単位（Ｉ）を与える単量体としては、例えばメタクリル酸１−エトキシエチル、メタクリル酸１−メトキシエチル、メタクリル酸１−ｎ−ブトキシエチル、メタクリル酸１−イソブトキシエチル、メタクリル酸１−ｔ−ブトキシエチル、メタクリル酸１−（２−クロルエトキシ）エチル、メタクリル酸１−（２−エチルヘキシルオキシ）エチル、メタクリル酸１−ｎ−プロポキシエチル、メタクリル酸１−シクロヘキシルオキシエチル、メタクリル酸１−（２−シクロヘキシルエトキシ）エチル、メタクリル酸１−ベンジルオキシエチル、メタクリル酸２−テトラヒドロピラニル、アクリル酸１−エトキシエチル、アクリル酸１−メトキシエチル、アクリル酸１−ｎ−ブトキシエチル、アクリル酸１−イソブトキシエチル、アクリル酸１−ｔ−ブトキシエチル、アクリル酸１−（２−クロルエトキシ）エチル、アクリル酸１−（２−エチルヘキシルオキシ）エチル、アクリル酸１−ｎ−プロポキシエチル、アクリル酸１−シクロヘキシルオキシエチル、アクリル酸１−（２−シクロヘキシルエトキシ）エチル、アクリル酸１−ベンジルオキシエチル、アクリル酸２−テトラヒドロピラニル、５，６−ジ（１−（トリメチルシラニルオキシ）エトキシ）カルボニル）−２−ノルボルネン、５，６−ジ（１−（トリメチルゲルミルオキシ）エトキシ）カルボニル）−２−ノルボルネン、５，６−ジ（１−メトキシエトキシカルボニル）−２−ノルボルネン、５，６−ジ（１−（シクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）−２−ノルボルネン、５，６−ジ（１−（ベンジルオキシ）エトキシカルボニル）−２−ノルボルネン、ｐ又はｍ−１−エトキシエトキシスチレン、ｐ又はｍ−１−メトキシエトキシスチレン、ｐ又はｍ−１−ｎ−ブトキシエトキシスチレン、ｐ又はｍ−１−イソブトキシエトキシスチレン、ｐ又はｍ−１−（１，１−ジメチルエトキシ）エトキシスチレン、ｐ又はｍ−１−（２−クロルエトキシ）エトキシスチレン、ｐ又はｍ−１−（２−エチルヘキシルオキシ）エトキシスチレン、ｐ又はｍ−１−ｎ−プロポキシエトキシスチレン、ｐ又はｍ−１−シクロヘキシルオキシエトキシスチレン、ｐ又はｍ−１−（２−シクロヘキシルエトキシ）エトキシスチレン、ｐ又はｍ−１−ベンジルオキシエトキシスチレン等が挙げられる。

これらのうち構造単位（Ｉ）を与える単量体としては、上記式（２）で表される酸解離性基を含む構造単位が好ましく、メタクリル酸１−エトキシエチル、メタクリル酸１−ｎ−ブトキシエチル、メタクリル酸２−テトラヒドロピラニル、メタクリル酸１−ベンジルオキシエチル、メタクリル酸１−シクロヘキシルオキシエチルがより好ましく、メタクリル酸２−テトラヒドロピラニルがさらに好ましい。

［Ａ］重合体における構造単位（Ｉ）の含有量としては、本願発明の効果が奏される限り特に限定されないが、［Ａ］重合体に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で５質量％以上８０質量％以下が好ましく、１０質量％以上７０質量％以下がより好ましく、１５質量％以上６５質量％が以下さらに好ましい。

［構造単位（ＩＩ）］
構造単位（ＩＩ）は、重合性基を含む構造単位である。［Ａ］重合体が構造単位（ＩＩ）を有することで、当該ポジ型感放射線性組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜は、より優れた表面硬度、耐熱性、耐溶媒性及び電圧保持率を有することができる。

構造単位（ＩＩ）としては、重合性基を含む構造単位であれば特に限定されないが、エポキシ基含有構造単位（ＩＩ−１）及び（メタ）アクリロイル基含有構造単位（ＩＩ−２）が好ましい構造単位として挙げられる。以下に、エポキシ基含有構造単位及び（メタ）アクリロイル基含有構造単位について詳述する。

［エポキシ基含有構造単位（ＩＩ−１）］
エポキシ基含有構造単位（ＩＩ−１）としては、その構造単位中にエポキシ基を有している構造単位であれば特に限定されない。このような構造単位（ＩＩ−１）を与えるエポキシ基含有単量体としては、例えば
（メタ）アクリル酸グリシジル、（メタ）アクリル酸３，４−エポキシブチル、アクリル酸３−メチル−３，４−エポキシブチル、メタクリル酸３−エチル−３，４−エポキシブチル、（メタ）アクリル酸５，６−エポキシヘキシル、メタクリル酸５−メチル−５，６−エポキシヘキシル、メタクリル酸５−エチル−５，６−エポキシヘキシル、（メタ）アクリル酸６，７−エポキシヘプチル、メタクリル酸３，４−エポキシシクロへキシル、メタクリル酸３，４−エポキシシクロへキシルメチル、（メタ）アクリル酸３，４−エポキシシクロへキシルエチル、メタクリル酸３，４−エポキシシクロへキシルプロピル、メタクリル酸３，４−エポキシシクロへキシルブチル、（メタ）アクリル酸３，４−エポキシシクロへキシルヘキシル、アクリル酸３，４−エポキシシクロへキシルメチル、アクリル酸３，４−エポキシシクロへキシルエチル、アクリル酸３，４−エポキシシクロへキシルプロピル、アクリル酸３，４−エポキシシクロへキシルブチル、アクリル酸３，４−エポキシシクロへキシルヘキシル等のオキシラニル基含有（メタ）アクリル系化合物；
ｏ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｐ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−ｏ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−ｍ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−ｐ−ビニルベンジルグリシジルエーテル等のビニルベンジルグリシジルエーテル類；
ｏ−ビニルフェニルグリシジルエーテル、ｍ−ビニルフェニルグリシジルエーテル、ｐ−ビニルフェニルグリシジルエーテル等のビニルフェニルグリシジルエーテル類；
３−アクリロイルオキシメチルオキセタン、３−アクリロイルオキシメチル−３−メチルオキセタン、３−アクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン、３−アクリロイルオキシメチル−３−フェニルオキセタン、３−（２−アクリロイルオキシエチル）オキセタン、３−（２−アクリロイルオキシエチル）−３−エチルオキセタン、３−（２−アクリロイルオキシエチル）−３−エチルオキセタン、３−（２−アクリロイルオキシエチル）−３−フェニルオキセタン、３−メタクリロイルオキシメチルオキセタン、３−メタクリロイルオキシメチル−３−メチルオキセタン、３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン、３−メタクリロイルオキシメチル−３−フェニルオキセタン、３−（２−メタクリロイルオキシエチル）オキセタン、３−（２−メタクリロイルオキシエチル）−３−エチルオキセタン、３−（２−メタクリロイルオキシエチル）−３−エチルオキセタン、３−（２−メタクリロイルオキシエチル）−３−フェニルオキセタン、２−アクリロイルオキシメチルオキセタン、２−アクリロイルオキシメチル−２−メチルオキセタン、２−アクリロイルオキシメチル−２−エチルオキセタン、２−アクリロイルオキシメチル−２−フェニルオキセタン、２−（２−アクリロイルオキシエチル）オキセタン、２−（２−アクリロイルオキシエチル）−２−エチルオキセタン、２−（２−アクリロイルオキシエチル）−２−エチルオキセタン、２−（２−アクリロイルオキシエチル）−２−フェニルオキセタン、２−メタクリロイルオキシメチルオキセタン、２−メタクリロイルオキシメチル−２−メチルオキセタン、２−メタクリロイルオキシメチル−２−エチルオキセタン、２−メタクリロイルオキシメチル−２−フェニルオキセタン、２−（２−メタクリロイルオキシエチル）オキセタン、２−（２−メタクリロイルオキシエチル）−２−エチルオキセタン、２−（２−メタクリロイルオキシエチル）−２−エチルオキセタン、２−（２−メタクリロイルオキシエチル）−２−フェニルオキセタン等のオキセタニル基含有（メタ）アクリル系化合物等が挙げられる。

上記エポキシ基含有単量体のうち、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸２−メチルグリシジル、メタクリル酸３，４−エポキシシクロヘキシル、メタクリル酸３，４−エポキシシクロヘキシルメチル、３−メタクリロイルオキシメチル−３−メチルオキセタン、３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタンが他の単量体との共重合反応性及び当該ポジ型感放射線性組成物の現像性の観点から好ましい。なお、これらの単量体は単独又は２種以上を使用することができる。

［（メタ）アクリロイル基含有構造単位（ＩＩ−２）］
（メタ）アクリロイル基含有構造単位（ＩＩ−２）としては、重合性基としての（メタ）アクリロイルオキシ基を有している構造単位であれば特に限定されない。

［Ａ］重合体に構造単位（ＩＩ−２）を導入する方法としては、例えば１分子中に少なくとも１の水酸基を有する不飽和化合物を含む単量体の重合体（以下、「［Ａ１］重合体」ともいう）に、不飽和イソシアネート化合物を反応させる方法等が挙げられる。

［Ａ１］重合体の合成に用いられる単量体としては、（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル、（メタ）アクリル酸ジヒドロキシアルキルエステル、（メタ）アクリル酸（６−ヒドロキシヘキサノイルオキシ）アルキルエステル等が挙げられる。

上記（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステルとしては、例えば（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチルエステル、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシプロピルエステル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチルエステル等が挙げられる。上記（メタ）アクリル酸ジヒドロキシアルキルエステルとしては、例えば（メタ）アクリル酸２，３−ジヒドロキシプロピルエステル、（メタ）アクリル酸１，３−ジヒドロキシプロピルエステル、（メタ）アクリル酸３，４−ジヒドロキシブチルエステル等が挙げられる。上記（メタ）アクリル酸（６−ヒドロキシヘキサノイルオキシ）アルキルエステルとしては、例えば（メタ）アクリル酸２−（６−ヒドロキシヘキサノイルオキシ）エチルエステル、（メタ）アクリル酸３−（６−ヒドロキシヘキサノイルオキシ）プロピルエステル等が挙げられる。

これらの単量体のうち、共重合反応性及びイソシアネート化合物との反応性の観点から、アクリル酸２−ヒドロキシエチルエステル、アクリル酸３−ヒドロキシプロピルエステル、アクリル酸４−ヒドロキシブチルエステル、メタクリル酸２−ヒドロキシエチルエステル、メタクリル酸３−ヒドロキシプロピルエステル、メタクリル酸４−ヒドロキシブチルエステル、アクリル酸２，３−ジヒドロキシプロピルエステル、メタクリル酸２，３−ジヒドロキシプロピルエステルが好ましい。なお、これらの単量体は単独又は２種以上を使用することができる。

上記のようにして得られた［Ａ１］重合体は、重合反応溶液のまま［Ａ］重合体の合成に供してもよく、［Ａ１］重合体を一旦溶液から分離したうえで［Ａ］重合体の合成に供してもよい。

不飽和イソシアネート化合物としては、例えば（メタ）アクリル酸のイソシアネート基含有誘導体等が挙げられる。不飽和イソシアネート化合物としては、例えば２−（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、４−（メタ）アクリロイルオキシブチルイソシアネート、（メタ）アクリル酸２−（２−イソシアネートエトキシ）エチル、１，１−（ビス（メタ）アクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネート等が挙げられる。なお、不飽和イソシアネート化合物は、単独又は２種以上を混合して使用することができる。

不飽和イソシアネート化合物の市販品としては、例えば２−アクリロイルオキシエチルイソシアネートの市販品としてカレンズＡＯＩ（昭和電工製）、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートの市販品としてカレンズＭＯＩ（昭和電工製）、メタクリル酸２−（２−イソシアネートエトキシ）エチルの市販品としてカレンズＭＯＩ−ＥＧ（昭和電工製）、１，１−（ビスアクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネートの市販品としてカレンズＢＥＩ（昭和電工製）等が挙げられる。

これらの不飽和イソシアネート化合物のうち、［Ａ１］重合体との反応性の観点から、２−アクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、４−メタクリロイルオキシブチルイソシアネートまたはメタクリル酸２−（２−イソシアネートエトキシ）エチル、１，１−（ビスアクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネートが好ましい。

［Ａ１］重合体と不飽和イソシアネート化合物との反応は、必要に応じて適当な触媒の存在下において、好ましくは重合禁止剤を含む［Ａ１］重合体の溶液に、室温又は加温下で、攪拌しつつ不飽和イソシアネート化合物を投入することによって実施することができる。

上記触媒としては、例えばジラウリン酸ジ−ｎ−ブチルすず（ＩＶ）等が挙げられる。上記重合禁止剤としては、例えばｐ−メトキシフェノール等が挙げられる。

［Ａ］重合体に構造単位（ＩＩ−１）を導入する他の方法としては、例えば１分子中に少なくとも１のカルボキシル基を有する不飽和化合物を含む単量体の重合体（以下、「［Ａ２］重合体」ともいう）にビニルエーテル基及び（メタ）アクリロイルオキシ基を有する化合物を反応させる方法等が挙げられる。

［Ａ２］重合体の合成方法としては、材料の入手及び合成が容易な観点から、例えば、カルボキシル基含有単量体を重合する方法等が挙げられる。

［Ａ２］重合体の合成に用いられる単量体としては、例えば（メタ）アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、マレイン酸モノエステル、イタコン酸モノエステル等が挙げられる。これらのうち（メタ）アクリル酸が好ましい。

ビニルエーテル基及び（メタ）アクリロイルオキシ基を有する化合物としては、例えば下記式（３）で表される化合物等が挙げられる。

上記式（３）中、Ｒ^７は、水素原子又はメチル基である。Ｒ^８は、２価の連結基である。Ｒ^９は、水素原子又は１価の有機基である。

上記Ｒ^８で表される２価の連結基としては、例えば、炭素数２〜１８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数２〜２０のアルコキシアルキレン基、炭素数２〜８のハロゲン化アルキレン基、末端水酸基を除くポリエチレングリコール骨格、末端水酸基を除くポリプロピレングリコール骨格、末端水酸基を除くポリブチレングリコール骨格、アリール基等が挙げられる。上記Ｒ^９で表される１価の有機基としては、例えば炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜１１の置換されていてもよい芳香族基等が挙げられる。

上記式（３）で表されるビニルエーテル基及び（メタ）アクリロイルオキシ基を有する化合物としては、例えば（メタ）アクリル酸２−ビニロキシエチル、（メタ）アクリル酸３−ビニロキシプロピル、（メタ）アクリル酸１−メチル−２−ビニロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ビニロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ビニロキシブチル、（メタ）アクリル酸１−メチル−３−ビニロキシプロピル、（メタ）アクリル酸１−ビニロキシメチルプロピル、（メタ）アクリル酸２−メチル−３−ビニロキシプロピル、（メタ）アクリル酸１，１−ジメチル−２−ビニロキシエチル、（メタ）アクリル酸３−ビニロキシブチル、（メタ）アクリル酸１−メチル−２−ビニロキシプロピル、（メタ）アクリル酸２−ビニロキシブチル、（メタ）アクリル酸４−ビニロキシシクロヘキシル、（メタ）アクリル酸６−ビニロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸４−ビニロキシメチルシクロヘキシルメチル、（メタ）アクリル酸３−ビニロキシメチルシクロヘキシルメチル、（メタ）アクリル酸２−ビニロキシメチルシクロヘキシルメチル、（メタ）アクリル酸ｐ−ビニロキシメチルフェニルメチル、（メタ）アクリル酸ｍ−ビニロキシメチルフェニルメチル、（メタ）アクリル酸ｏ−ビニロキシメチルフェニルメチル、（メタ）アクリル酸２−（ビニロキシエトキシ）エチル、（メタ）アクリル酸２−（ビニロキシイソプロポキシ）エチル、（メタ）アクリル酸２−（ビニロキシエトキシ）プロピル、（メタ）アクリル酸２−（ビニロキシエトキシ）イソプロピル、（メタ）アクリル酸２−（ビニロキシイソプロポキシ）プロピル、（メタ）アクリル酸２−（ビニロキシイソプロポキシ）イソプロピル、（メタ）アクリル酸２−（ビニロキシエトキシエトキシ）エチル、（メタ）アクリル酸２−（ビニロキシエトキシイソプロポキシ）エチル、（メタ）アクリル酸２−（ビニロキシイソプロポキシエトキシ）エチル、（メタ）アクリル酸２−（ビニロキシイソプロポキシイソプロポキシ）エチル、（メタ）アクリル酸２−（ビニロキシエトキシエトキシ）プロピル、（メタ）アクリル酸２−（ビニロキシエトキシイソプロポキシ）プロピル、（メタ）アクリル酸２−（ビニロキシイソプロポキシエトキシ）プロピル、（メタ）アクリル酸２−（ビニロキシイソプロポキシイソプロポキシ）プロピル、（メタ）アクリル酸２−（ビニロキシエトキシエトキシ）イソプロピル、（メタ）アクリル酸２−（ビニロキシエトキシイソプロポキシ）イソプロピル、（メタ）アクリル酸２−（ビニロキシイソプロポキシエトキシ）イソプロピル、（メタ）アクリル酸２−（ビニロキシイソプロポキシイソプロポキシ）イソプロピル、（メタ）アクリル酸２−（ビニロキシエトキシエトキシエトキシ）エチル、（メタ）アクリル酸２−（ビニロキシエトキシエトキシエトキシエトキシ）エチル、（メタ）アクリル酸２−（イソプロペノキシエトキシ）エチル、（メタ）アクリル酸２−（イソプロペノキシエトキシエトキシ）エチル、（メタ）アクリル酸２−（イソプロペノキシエトキシエトキシエトキシ）エチル、（メタ）アクリル酸２−（イソプロペノキシエトキシエトキシエトキシエトキシ）エチル、（メタ）アクリル酸ポリエチレングリコールモノビニルエーテル、（メタ）アクリル酸ポリプロピレングリコールモノビニルエーテル等が挙げられる。なお、これらのビニルエーテル基及び（メタ）アクリロイルオキシ基を有する化合物は単独又は２種以上を使用することができる。

これらのビニルエーテル基及び（メタ）アクリロイルオキシ基を有する化合物のうち、上記式（３）で表される化合物が好ましく、（メタ）アクリル酸２−（ビニロキシエトキシ）エチルがより好ましい。なお、（メタ）アクリル酸２−（ビニロキシエトキシ）エチルの市販品としては、例えばアクリル酸２−（ビニロキシエトキシ）エチルとしてのＶＥＥＡ、メタクリル酸２−（ビニロキシエトキシ）エチルとしてのＶＥＥＭ（以上、日本触媒製）等が挙げられる。

［Ａ２］重合体と、ビニルエーテル基及び（メタ）アクリロイルオキシ基を有する化合物との付加反応としては特に限定されず、反応系中に添加することで実施できる。上記付加反応においては、［Ａ２］重合体自体が触媒となるため、無触媒で反応を行うことができるが、触媒を併用することも可能である。

［Ａ］重合体に構造単位（ＩＩ−２）を導入する他の方法としては、例えば単量体としての多官能（メタ）アクリレートを用いて、構造単位（Ｉ）等を与える単量体と共に共重合させる方法等が挙げられる。

多官能（メタ）アクリレートとしては、例えばエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジイルジメチレンジ（メタ）アクリレート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートジ（メタ）アクリレート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エチレンオキシド変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルの両末端（メタ）アクリル酸付加物、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ポリエステルジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、エチレンオキシド変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、プロピレンオキシド変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、エチレンオキシド変性水添ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、プロピレンオキシド変性水添ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、エチレンオキシド変性ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、フェノールノボラックポリグリシジルエーテルの（メタ）アクリレート等が挙げられる。なお、これらの単量体は単独又は２種以上を使用することができる。

多官能（メタ）アクリレートの市販品としては、例えばＳＡ１００２（三菱化学製）、ビスコート１９５、同２３０、同２６０、同２１５、同３１０、同２１４ＨＰ、同２９５、同３００、同３６０、同ＧＰＴ、同４００、同７００、同５４０、同３０００、同３７００（以上、大阪有機化学工業製）、カヤラッドＲ−５２６、ＨＤＤＡ、ＮＰＧＤＡ、ＴＰＧＤＡ、ＭＡＮＤＡ、Ｒ−５５１、Ｒ−７１２、Ｒ−６０４、Ｒ−６８４、ＰＥＴ−３０、ＧＰＯ−３０３、ＴＭＰＴＡ、ＴＨＥ−３３０、ＤＰＨＡ、ＤＰＨＡ−２Ｈ、ＤＰＨＡ−２Ｃ、ＤＰＨＡ−２Ｉ、Ｄ−３１０、Ｄ−３３０、ＤＰＣＡ−２０、ＤＰＣＡ−３０、ＤＰＣＡ−６０、ＤＰＣＡ−１２０、ＤＮ−００７５、ＤＮ−２４７５、Ｔ−１４２０、Ｔ−２０２０、Ｔ−２０４０、ＴＰＡ−３２０、ＴＰＡ−３３０、ＲＰ−１０４０、ＲＰ−２０４０、Ｒ−０１１、Ｒ−３００、Ｒ−２０５（以上、日本化薬製）、アロニックスＭ−２１０、同Ｍ−２２０、同Ｍ−２３３、同Ｍ−２４０、同Ｍ−２１５、同Ｍ−３０５、同Ｍ−３０９、同Ｍ−３１０、同Ｍ−３１５、同Ｍ−３２５、同Ｍ−４００、同Ｍ−６２００、同Ｍ−６４００（以上、東亞合成製）、ライトアクリレートＢＰ−４ＥＡ、同ＢＰ−４ＰＡ、同ＢＰ−２ＥＡ、同ＢＰ−２ＰＡ、ＤＣＰ−Ａ（以上、共栄社化学製）、ニューフロンティアＢＰＥ−４、ＢＲ−４２Ｍ、ＧＸ−８３４５（以上、第一工業製薬製）、ＡＳＦ−４００（新日鐵化学製）、リポキシＳＰ−１５０６、同ＳＰ−１５０７、同ＳＰ−１５０９、同ＳＰ−４０１０、同ＳＰ−４０６０、ＶＲ−７７、（以上、昭和高分子製）、ＮＫエステルＡ−ＢＰＥ−４（新中村化学工業製）等が挙げられる。

これらの多官能（メタ）アクリレートのうち、分子中に２以上の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する化合物、分子中に３以上の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する化合物が好ましい。分子中に２以上の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する化合物としては、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレートがより好ましい。分子中に３以上の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する化合物としては、例えばトリ（メタ）アクリレート化合物、テトラ（メタ）アクリレート化合物、ペンタ（メタ）アクリレート化合物、ヘキサ（メタ）アクリレート化合物等が挙げられる。これらの３以上の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する化合物のうち、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エチレンオキシド変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレートが好ましい。

構造単位（ＩＩ）としては、２以上の（メタ）アクリロイルオキシ基を有することが好ましい。構造単位（ＩＩ）が２以上の（メタ）アクリロイルオキシ基を有することでより良好な感度を実現し、優れた表面硬度、耐熱性等を有する表示素子用層間絶縁膜の形成を可能とする。

［Ａ］重合体における構造単位（ＩＩ）の含有量としては、本願発明の所望の効果が奏される限り特に限定されず、［Ａ］重合体に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で５質量％〜６０質量％が好ましく、７質量％〜５５質量％がより好ましく、１０質量％〜５０質量％が特に好ましい。

［構造単位（ＩＩＩ）］
構造単位（ＩＩＩ）は、上記式（１）で表される構造単位である。［Ａ］重合体は構造単位（ＩＩＩ）を有することで、上記式（１）におけるＲ^２が炭素数６〜３０のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基若しくはアシロキシアルキル基である場合にはポリマー主鎖骨格の剛直性が低減してガラス転移点を低下させることができ、上記Ｒ^２が橋かけ環式炭化水素基である場合には分子鎖間の絡まりを低減させることができる。このように、［Ａ］重合体の硬化前の柔軟性が高いことにより、当該ポジ型感放射線性組成物は、露光の際に発生する酸の拡散を促進し、感度をさらに向上させることができる。

上記式（１）中、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基である。Ｒ^２は、炭素数６〜３０のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基若しくはアシロキシアルキル基又は炭素数４〜３０の橋かけ環式炭化水素基である。但し、上記アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシロキシアルキル基及び橋かけ環式炭化水素基が有する水素原子の一部は、水酸基又はカルボキシル基で置換されていてもよい。

なお、上記Ｒ^２で表される基は酸解離性基ではなく、構造単位（ＩＩＩ）は構造単位（Ｉ）以外の構造単位であるものとする。

上記Ｒ^２で表される炭素数６〜３０のアルキル基としては、炭素数６〜３０の直鎖状又は分岐上のアルキル基が挙げられ、具体的には、へキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、ステアリル基、ヘベニル基等が挙げられる。これらのうち、炭素数６〜２０のアルキル基が好ましく、炭素数１０〜２０のアルキル基がより好ましく、ドデシル基、ヘキサデシル基及びステアリル基がさらに好ましい。

上記Ｒ^２で表される炭素数６〜３０のアルケニル基としては、例えばヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、デケニル基、ウンデケニル基、ドデケニル基、ヘキサデケニル基等が挙げられる。

上記Ｒ^２で表される炭素数６〜３０のアルキニル基としては、例えばヘキシニル基、ヘプチニル基、オクチニル基、デキニル基、ウンデキニル基、ドデキニル基、ヘキサデキニル基等が挙げられる。

上記Ｒ^２で表される炭素数６〜３０のアシロキシアルキル基としては、例えばラウロイロキシエチル基、ラウロイロキシプロピル基、ステアロイロキシエチル基、ステアロイロキシプロピル基、オレオイロキシエチル基、オレオイロキシプロピル基等が挙げられる。さらに、グリシジル基がオレイン酸変性又は大豆油脂脂肪酸変性した基等も挙げられる。

上記Ｒ^２で表される炭素数４〜３０の橋かけ環式炭化水素基としては、例えばノルカラニル基（ビシクロ［５．１．０］ヘプチル基）、ノルピナニル基（ビシクロ［３．１．０］ヘプチル基）、ノルボルニル基（ビシクロ［２．２．１］ヘプチル基）、アダマンチル基、ビシクロ［２．２．２］オクチル基、ビシクロ［３．２．１］オクチル基、トリシクロ［２．２．１．０^２，６］ヘプチル基、トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカニル基、トリシクロ［５．３．１．１^２，６］ドデシル基、トリシクロ［４．４．１．１^１，５］ドデシル基、カラニル基、ピナニル基、ボルニル基等が挙げられる。これらのうち、炭素数６〜２０の橋かけ環式炭化水素基が好ましく、アダマンチル基、トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカニル基がより好ましい。

上記Ｒ^２で表される炭素数４〜３０の橋かけ環式炭化水素基としては、さらに、上記例示した環を含む環同士が縮合した基も挙げられる。上記環同士が縮合した基としては、例えばノルボルナン環等の橋かけ環とシクロヘプタン環やシクロヘキサン環等の単環又はデカヒドロナフタレン環等の多環とが縮合した形状の基、橋かけ環同士が縮合した形状の基等が挙げられ、このような基として例えば下記式で表される基等が挙げられる。

構造単位（ＩＩＩ）を与える単量体としては、例えば（メタ）アクリル酸ヘキシル、
（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、メタクリル酸ヘキサデシル、メタクリル酸ステアリル、メタクリル酸ヘベニル、メタクリル酸グリシジルをオレイン酸変性又は大豆油脂肪酸変性させた化合物等の炭素数６〜３０のアルキル基又はアシロキシアルキル基を含む単量体；
（メタ）アクリル酸ノルカラニル、（メタ）アクリル酸ノルピナニル、（メタ）アクリル酸ノルボルニル、（メタ）アクリル酸アダマンチル、（メタ）アクリル酸ビシクロ［２．２．２］オクチル、（メタ）アクリル酸ビシクロ［３．２．１］オクチル、（メタ）アクリル酸トリシクロ［２．２．１．０^２，６］ヘプチル、（メタ）アクリル酸トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカニル、（メタ）アクリル酸トリシクロ［５．３．１．１^２，６］ドデシル、（メタ）アクリル酸トリシクロ［４．４．１．１^１，５］ドデシル、（メタ）アクリル酸カラニル、（メタ）アクリル酸ピナニル、（メタ）アクリル酸ボルニル等の炭素数４〜３０の橋かけ環式炭化水素基を含む単量体等が挙げられる。これらのうち、メタクリル酸ドデシル、メタクリル酸アダマンチル、メタクリル酸ステアリルが好ましい。

［Ａ］重合体における構造単位（ＩＩＩ）の含有率としては、３モル％以上５０モル％以下が好ましく、５モル％以上５０モル％以下がより好ましく、１０モル％以上２５モル％以下がさらに好ましい。構造単位（ＩＩＩ）の含有率を上記範囲とすることで、当該ポジ型感放射線性組成物は、酸の拡散をより促進し感度をより向上させることができる。

［その他の構造単位］
［Ａ］重合体は、本発明の効果を損なわない範囲において、構造単位（Ｉ）、構造単位（ＩＩ）及び構造単位（ＩＩＩ）に加えてその他の構造単位を有していてもよい。その他の構造単位を与える単量体としては、例えばカルボキシル基又はその誘導体を有する単量体、水酸基を有する単量体、その他の単量体等が挙げられる。なお、これらのその他の構造単位には、上記構造単位（Ｉ）〜（ＩＩＩ）に含まれる構造単位は含まれないものとする。

上記カルボキシル基又はその誘導体を有する単量体としては、例えばアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、２−アクリロイルオキシエチルコハク酸、２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、２−アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸、２−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のモノカルボン酸；マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸等のジカルボン酸；上記ジカルボン酸の酸無水物等が挙げられる。

上記水酸基を有する単量体としては、例えばアクリル酸２−ヒドロキシエチル、アクリル酸３−ヒドロキシプロピル、アクリル酸４−ヒドロキシブチル、アクリル酸４−ヒドロキシメチルシクロヘキシルメチル等のアクリル酸ヒドロキシアルキル；メタクリル酸２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸３−ヒドロキシプロピル、メタクリル酸４−ヒドロキシブチル、メタクリル酸５−ヒドロキシペンチル、メタクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、メタクリル酸４−ヒドロキシメチル−シクロヘキシルメチル等のメタクリル酸ヒドロキシアルキル等が挙げられる。これらの水酸基を有する単量体のうち、得られる表示素子用層間絶縁膜の耐熱性の観点から、アクリル酸２−ヒドロキシエチル、アクリル酸３−ヒドロキシプロピル、アクリル酸４−ヒドロキシブチル、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸４−ヒドロキシブチル、アクリル酸４−ヒドロキシメチル−シクロヘキシルメチル、メタクリル酸４−ヒドロキシメチル−シクロヘキシルメチルが好ましい。

その他の単量体としては、例えば
アクリル酸メチル、アクリル酸ｉ−プロピル等のアクリル酸アルキル；
メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ｎ−ブチル、メタクリル酸ｓｅｃ−ブチル、メタクリル酸ｔ−ブチル等のメタクリル酸アルキル；
アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸２−メチルシクロヘキシル、アクリル酸トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−８−イル、アクリル酸２−（トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−８−イルオキシ）エチル、アクリル酸イソボルニル等のアクリル酸脂環式アルキル；
メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸２−メチルシクロヘキシル、メタクリル酸トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−８−イル、メタクリル酸２−（トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−８−イルオキシ）エチル、メタクリル酸イソボルニル等のメタクリル酸脂環式アルキル；
アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル等のアクリル酸のアリールエステル又はアクリル酸のアラルキル；
メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジル等のメタクリル酸のアリールエステル又はメタクリル酸のアラルキル；
マレイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル、イタコン酸ジエチル等のジカルボン酸ジアルキル；
メタクリル酸テトラヒドロフルフリル、メタクリル酸テトラヒドロフリル、メタクリル酸テトラヒドロピラン−２−メチル等の酸素１原子を含む不飽和複素五員環メタクリル酸エステル又は不飽和複素六員環メタクリル酸；
４−メタクリロイルオキシメチル−２−メチル−２−エチル−１，３−ジオキソラン、４−メタクリロイルオキシメチル−２−メチル−２−イソブチル−１，３−ジオキソラン、４−メタクリロイルオキシメチル−２−シクロヘキシル−１，３−ジオキソラン、４−メタクリロイルオキシメチル−２−メチル−２−エチル−１，３−ジオキソラン、４−メタクリロイルオキシメチル−２−メチル−２−イソブチル−１，３−ジオキソラン等の酸素２原子を含む不飽和複素五員環メタクリル酸；
４−アクリロイルオキシメチル−２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン、４−アクリロイルオキシメチル−２−メチル−２−エチル−１，３−ジオキソラン、４−アクリロイルオキシメチル−２、２−ジエチル−１，３−ジオキソラン、４−アクリロイルオキシメチル−２−メチル−２−イソブチル−１，３−ジオキソラン、４−アクリロイルオキシメチル−２−シクロペンチル−１，３−ジオキソラン、４−アクリロイルオキシメチル−２−シクロヘキシル−１，３−ジオキソラン、４−アクリロイルオキシエチル−２−メチル−２−エチル−１，３−ジオキソラン、４−アクリロイルオキシプロピル−２−メチル
−２−エチル−１，３−ジオキソラン、４−アクリロイルオキシブチル−２−メチル−２−エチル−１，３−ジオキソラン等の酸素２原子を含む不飽和複素五員環アクリル酸；
スチレン、α−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、４−イソプロペニルフェノール等のビニル芳香族化合物；
Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−ベンジルマレイミド、Ｎ−スクシンイミジル−３−マレイミドベンゾエート、Ｎ−スクシンイミジル−４−マレイミドブチレート、Ｎ−スクシンイミジル−６−マレイミドカプロエート、Ｎ−スクシンイミジル−３−マレイミドプロピオネート、Ｎ−（９−アクリジニル）マレイミド等のＮ位置換マレイミド；
１，３−ブタジエン、イソプレン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン等の共役ジエン系化合物；
アクリロニトリル、メタクリロニトリル、アクリルアミド、メタクリルアミド、塩化ビニル、塩化ビニリデン、酢酸ビニル等の不飽和化合物等が挙げられる。

これらのその他の単量体のうち、スチレン、４−イソプロペニルフェノール、メタクリル酸トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−８−イル、メタクリル酸テトラヒドロフルフリル、１，３−ブタジエン、４−アクリロイルオキシメチル−２−メチル−２−エチル−１，３−ジオキソラン、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、メタクリル酸ベンジルが、上記のカルボキシル基又はその誘導体を有する単量体、水酸基を有する単量体との共重合反応性及び当該ポジ型感放射線性組成物の現像性の観点から好ましい。

［Ａ］重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）としては、好ましくは２．０×１０^３〜１．０×１０^５、より好ましくは５．０×１０^３〜５．０×１０^４である。［Ａ］重合体のＭｗを上記特定範囲とすることで、当該ポジ型感放射線性組成物の感度及びアルカリ現像性を高めることができる。

［Ａ］重合体のＧＰＣによるポリスチレン換算数平均分子量（Ｍｎ）としては、好ましくは２．０×１０^３〜１．０×１０^５、より好ましくは５．０×１０^３〜５．０×１０^４である。［Ａ］重合体のＭｎを上記特定範囲とすることで、当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜の硬化時の硬化反応性を向上させることができる。

［Ａ］重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）としては、好ましくは３．０以下、より好ましくは２．６以下である。［Ａ］重合体のＭｗ／Ｍｎを３．０以下とすることで、得られる表示素子用層間絶縁膜のアルカリ現像性を高めることができる。

なお、Ｍｗ及びＭｎは、下記の条件によるＧＰＣにより測定した。
装置：ＧＰＣ−１０１（昭和電工製）
カラム：ＧＰＣ−ＫＦ−８０１、ＧＰＣ−ＫＦ−８０２、ＧＰＣ−ＫＦ−８０３及びＧＰＣ−ＫＦ−８０４を結合
移動相：テトラヒドロフラン
カラム温度：４０℃
流速：１．０ｍＬ／分
試料濃度：１．０質量％
試料注入量：１００μＬ
検出器：示差屈折計
標準物質：単分散ポリスチレン

＜［Ａ］重合体の合成方法＞
［Ａ］重合体は、例えば所定の各構造単位に対応する単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な溶媒中で重合することにより製造できる。例えば、単量体及びラジカル開始剤を含有する溶液を、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法、単量体を含有する溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法、各々の単量体を含有する複数種の溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法等の方法で合成することが好ましい。

［Ａ］重合体の重合反応に用いられる溶媒としては、例えば後述する当該ポジ型感放射線性組成物の調製の項において例示した溶媒が挙げられる。

重合反応に用いられる重合開始剤としては、一般的にラジカル重合開始剤として知られているものが使用できるが、例えば２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アゾビス−（４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオン酸メチル）等のアゾ化合物；ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、ｔ−ブチルペルオキシピバレート、１，１’−ビス−（ｔ−ブチルペルオキシ）シクロヘキサン等の有機過酸化物；及び過酸化水素等が挙げられる。

［Ａ］重合体の重合反応においては、分子量を調整するために分子量調整剤を使用することもできる。分子量調整剤としては、例えばクロロホルム、四臭化炭素等のハロゲン化炭化水素類；ｎ−ヘキシルメルカプタン、ｎ−オクチルメルカプタン、ｎ−ドデシルメルカプタン、ｔ−ドデシルメルカプタン、チオグリコール酸等のメルカプタン類；ジメチルキサントゲンスルフィド、ジイソプロピルキサントゲンジスルフィド等のキサントゲン類；ターピノーレン、α−メチルスチレンダイマー等が挙げられる。

＜［Ｂ］感放射線性酸発生剤＞
［Ｂ］感放射線性酸発生剤は、放射線の照射によって酸を発生する化合物である。放射線としては、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線等を使用できる。当該ポジ型感放射線性組成物が［Ｂ］感放射線性酸発生剤を含むことで、当該ポジ型感放射線性組成物はポジ型の感放射線特性を発揮することができる。

［Ｂ］感放射線性酸発生剤としては、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、カルボン酸エステル化合物等が挙げられる。なお、これらの［Ｂ］感放射線性酸発生剤はそれぞれを単独又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。

［オキシムスルホネート化合物］
オキシムスルホネート化合物としては、例えば下記式（４）で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物等が挙げられる。

上記式（４）中、Ｒ^１０は、直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、脂環式炭化水素基又はアリール基である。但し、これらの基は水素原子の一部又は全部が置換されていてもよい。

上記Ｒ^１０で表される直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基が好ましい。上記炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基は置換されていてもよく、置換基としては例えば炭素数１〜１０のアルコキシ基、７，７−ジメチル−２−オキソノルボルニル基等の有橋式脂環基を含む脂環式基等が挙げられる。なお、好ましい脂環式基としては、ビシクロアルキル基である。上記Ｒ^１０で表されるアリール基としては、炭素数６〜１１のアリール基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がより好ましい。上記アリール基は置換されていてもよく、置換基としては例えば炭素数１〜５のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等が挙げられる。

上記式（４）で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物としては、例えば下記式（５）で表されるオキシムスルホネート化合物等が挙げられる。

上記式（５）中、Ｒ^１０は、上記式（４）と同義である。Ｘは、アルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子である。ｒは、０〜３の整数である。但し、Ｘが複数の場合、複数のＸは同一であっても異なっていてもよい。

上記Ｘで表され得るアルキル基としては、炭素数１〜４の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基が好ましい。上記Ｘで表されるアルコキシ基としては、炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が好ましい。上記Ｘで表されるハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素原子が好ましい。ｒとしては、０又は１が好ましい。上記式（５）においては、ｒが１であり、Ｘがメチル基であり、Ｘの置換位置がオルトである化合物が好ましい。

上記（５）で表されるオキシムスルホネート化合物としては、例えば下記式（５−１）〜（５−５）でそれぞれ表される化合物等が挙げられる。

上記化合物（５−１）（５−プロピルスルフォニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル、化合物（５−２）（５−オクチルスルフォニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル、化合物（５−３）（カンファースルフォニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル、化合物（５−４）（５−ｐ−トルエンスルフォニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル及び化合物（５−５）（５−オクチルスルフォニルオキシイミノ）−（４−メトキシフェニル）アセトニトリルは、市販品として入手できる。

［オニウム塩］
オニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、スルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩等が挙げられる。

ジフェニルヨードニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ジフェニルヨードニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムカンファースルホン酸等が挙げられる。

トリフェニルスルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホン酸、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、トリフェニルスルホニウムブチルトリス（２、６−ジフルオロフェニル）ボレート等が挙げられる。

スルホニウム塩としては、例えばアルキルスルホニウム塩、ベンジルスルホニウム塩、ジベンジルスルホニウム塩、置換ベンジルスルホニウム塩等が挙げられる。

アルキルスルホニウム塩としては、例えば４−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−４−（ベンジルオキシカルボニルオキシ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−４−（ベンゾイルオキシ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−４−（ベンゾイルオキシ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−３−クロロ−４−アセトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。

ベンジルスルホニウム塩としては、例えばベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、４−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−メトキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−２−メチル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−３−クロロ−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−メトキシベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。

ジベンジルスルホニウム塩としては、例えばジベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、４−アセトキシフェニルジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−４−メトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−３−クロロ−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジベンジル−３−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−メトキシベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。

置換ベンジルスルホニウム塩としては、例えばｐ−クロロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ｐ−ニトロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ｐ−クロロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ｐ−ニトロベンジル−３−メチル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、３，５−ジクロロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ｏ−クロロベンジル−３−クロロ−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。

ベンゾチアゾニウム塩としては、例えば３−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロホスフェート、３−ベンジルベンゾチアゾニウムテトラフルオロボレート、３−（ｐ−メトキシベンジル）ベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジル−２−メチルチオベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジル−５−クロロベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。

テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば４，７−ジ−ｎ−ブトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム−１，１，２，２−テトラフルオロ−２−（ノルボルナン−２−イル）エタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム−２−（５−ｔ−ブトキシカルボニルオキシビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−イル）−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム−２−（６−ｔ−ブトキシカルボニルオキシビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−イル）−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート等が挙げられる。

［スルホンイミド化合物］
スルホンイミド化合物としては、例えばＮ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（２−フルオロフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（ノナフルオロブタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ヘプタフルオロプロピルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ノナフルオロブチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（エチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（プロピルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ブチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ペンチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ヘキシルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ヘプチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（オクチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ノニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド等が挙げられる。

［ハロゲン含有化合物］
ハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有ヘテロ環状化合物等が挙げられる。

［ジアゾメタン化合物］
ジアゾメタン化合物としては、例えば、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トリルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−キシリルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニル−ｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、フェニルスルホニル（ベンゾイル）ジアゾメタン等が挙げられる。

［スルホン化合物］
スルホン化合物としては、例えばβ−ケトスルホン化合物、β−スルホニルスルホン化合物、ジアリールジスルホン化合物等が挙げられる。

［スルホン酸エステル化合物］
スルホン酸エステル化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等が挙げられる。

［カルボン酸エステル化合物］
カルボン酸エステル化合物としては、例えばカルボン酸ｏ−ニトロベンジルエステル等が挙げられる。

［Ｂ］感放射線性酸発生剤としては、感度及び溶解性の観点から、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、スルホン酸エステル化合物が好ましい。オキシムスルホネート化合物としては、上記式（４）で表される化合物が好ましく、上記式（５）で表される化合物がより好ましく、市販品として入手可能な、上記式（５−１）で表される化合物が特に好ましい。オニウム塩としては、テトラヒドロチオフェニウム塩、ベンジルスルホニウム塩が好ましく、４，７−ジ−ｎ−ブトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートがより好ましい。スルホン酸エステル化合物としては、ハロアルキルスルホン酸エステルが好ましく、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステルがより好ましい。

当該ポジ型感放射線性組成物における［Ｂ］感放射線性酸発生剤の含有量としては、［Ａ］重合体１００質量部に対して、好ましくは０．１質量部〜１０質量部、より好ましくは１質量部〜５質量部である。［Ｂ］感放射線性酸発生剤の含有量を上記特定範囲とすることで、当該ポジ型感放射線性組成物の感度を最適化し、透明性を維持しつつ表面硬度が高い表示素子用層間絶縁膜を形成できる。

＜［Ｃ］化合物＞
［Ｃ］化合物は（メタ）アクリロイル基を１つ以上含む分子量１，０００以下の化合物である。当該ポジ型感放射線性組成物は、［Ｃ］化合物を含有することにより感度をより高くすることができ、また、形成される表示素子用層間絶縁膜等の硬化膜の表面硬度、耐熱性、耐溶媒性、電圧保持率等を向上させることができる。

［Ｃ］化合物としては、分子内に少なくとも１つの（メタ）アクリロイル基を含む化合物であれば特に制限されるものではない。（メタ）アクリロイル基を１つ有する化合物としては、例えばアクリルアミド、（メタ）アクリロイルモルホリン、７−アミノ−３，７−ジメチルオクチル（メタ）アクリレート、イソブトキシメチル（メタ）アクリルアミド、イソボルニルオキシエチル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、エチルジエチレングリコール（メタ）アクリレート、ｔ−オクチル（メタ）アクリルアミド、ジアセトン（メタ）アクリルアミド、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタジエン（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミドテトラクロロフェニル（メタ）アクリレート、２−テトラクロロフェノキシエチル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、テトラブロモフェニル（メタ）アクリレート、２−テトラブロモフェノキシエチル（メタ）アクリレート、２−トリクロロフェノキシエチル（メタ）アクリレート、トリブロモフェニル（メタ）アクリレート、２−トリブロモフェノキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ビニルカプロラクタム、Ｎ−ビニルピロリドン、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、ペンタクロロフェニル（メタ）アクリレート、ペンタブロモフェニル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ボルニル（メタ）アクリレート、メチルトリエチレンジグリコール（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの（メタ）アクリロイル基を１個有する化合物うち、イソボルニル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレートが好ましい。これらの市販品としては、例えばアロニックスＭ−１０１、Ｍ−１０２、Ｍ−１１１、Ｍ−１１３、Ｍ−１１７、Ｍ−１５２、ＴＯ−１２１０（以上、東亞合成製）、ＫＡＹＡＲＡＤ ＴＣ−１１０Ｓ、Ｒ−５６４、Ｒ−１２８Ｈ（以上、日本化薬）、ビスコート１９２、ビスコート２２０、ビスコート２３１１ＨＰ、ビスコート２０００、ビスコート２１００、ビスコート２１５０、ビスコート８Ｆ、ビスコート１７Ｆ（以上、大阪有機化学工業製）等が挙げられる。

（メタ）アクリロイル基を２つ以上含む化合物としては、例えばエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジイルジメチレンジ（メタ）アクリレート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートジ（メタ）アクリレート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エチレンオキシド（以下「ＥＯ」という。）変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、プロピレンオキシド（以下「ＰＯ」という。）変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルの両末端（メタ）アクリル酸付加物、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ポリエステルジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性水添ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性水添ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、フェノールノボラックポリグリシジルエーテルの（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの（メタ）アクリロイル基を２個以上含む化合物の市販品としては、例えばＳＡ１００２（三菱化学製）、ビスコート１９５、ビスコート２３０、ビスコート２６０、ビスコート２１５、ビスコート３１０、ビスコート２１４ＨＰ、ビスコート２９５、ビスコート３００、ビスコート３６０、ビスコートＧＰＴ、ビスコート４００、ビスコート７００、ビスコート５４０、ビスコート３０００、ビスコート３７００（以上、大阪有機化学工業製）、カヤラッドＲ−５２６、ＨＤＤＡ、ＮＰＧＤＡ、ＴＰＧＤＡ、ＭＡＮＤＡ、Ｒ−５５１、Ｒ−７１２、Ｒ−６０４、Ｒ−６８４、ＰＥＴ−３０、ＧＰＯ−３０３、ＴＭＰＴＡ、ＴＨＥ−３３０、ＤＰＨＡ、ＤＰＨＡ−２Ｈ、ＤＰＨＡ−２Ｃ、ＤＰＨＡ−２Ｉ、Ｄ−３１０、Ｄ−３３０、ＤＰＣＡ−２０、ＤＰＣＡ−３０、ＤＰＣＡ−６０、ＤＰＣＡ−１２０、ＤＮ−００７５、ＤＮ−２４７５、Ｔ−１４２０、Ｔ−２０２０、Ｔ−２０４０、ＴＰＡ−３２０、ＴＰＡ−３３０、ＲＰ−１０４０、ＲＰ−２０４０、Ｒ−０１１、Ｒ−３００、Ｒ−２０５（以上、日本化薬製）、アロニックスＭ−２１０、Ｍ−２２０、Ｍ−２３３、Ｍ−２４０、Ｍ−２１５、Ｍ−３０５、Ｍ−３０９、Ｍ−３１０、Ｍ−３１５、Ｍ−３２５、Ｍ−４００、Ｍ−６２００、Ｍ−６４００（以上、東亞合成製）、ライトアクリレートＢＰ−４ＥＡ、ＢＰ−４ＰＡ、ＢＰ−２ＥＡ、ＢＰ−２ＰＡ、ＤＣＰ−Ａ（以上、共栄社化学製）、ニューフロンティアＢＰＥ−４、ＢＲ−４２Ｍ、ＧＸ−８３４５（以上、第一工業製薬製）、ＡＳＦ−４００（新日鐵化学製）、リポキシＳＰ−１５０６、ＳＰ−１５０７、ＳＰ−１５０９、ＶＲ−７７、ＳＰ−４０１０、ＳＰ−４０６０（以上、昭和高分子製）、ＮＫエステルＡ−ＢＰＥ−４（以上、新中村化学工業製）等が挙げられる。

これらのうち、分子内に少なくとも２つの（メタ）アクリロイル基を含む化合物が好ましく、分子内に少なくとも３つの（メタ）アクリロイル基を含む化合物がより好ましい。このような分子内に少なくとも３つの（メタ）アクリロイル基を含む化合物としては、上記に例示されたトリ（メタ）アクリレート化合物、テトラ（メタ）アクリレート化合物、ペンタ（メタ）アクリレート化合物、ヘキサ（メタ）アクリレート化合物等の中から選択することができる。

これらのうち、［Ｃ］化合物としては、下記式（６）で表される炭素数２〜１２のジオール構造由来の骨格、式（７）で表されるトリメチロールプロパン由来の骨格、式（８）で表されるペンタエリスリトール由来の骨格又は式（９）で表されるジペンタエリスリトール由来の骨格を有する化合物がさらに好ましい。

上記式（６）中、ｎは、２〜１２の整数である。

このような好ましい［Ｃ］化合物としては、例えばトリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、エチレンオキサイド変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、プロピレンオキサイド変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ε―カプロラクタン変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、コハク酸変性ペンタエリスリトールトリアクリレート等が挙げられる。なお、当該ポジ型感放射線性組成物において、［Ｃ］化合物は１種単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。なお、［Ｃ］化合物は、分子量１，０００以下の化合物とする。

当該ポジ型感放射線性組成物における［Ｃ］化合物の含有量としては、固形分換算で１質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、１質量％以上３０質量％以下であることがより好ましく、１質量％以上２０質量％以下であることがさらに好ましい。当該ポジ型感放射線性組成物における［Ｃ］化合物の含有量を上記範囲とすることにより、形成される表示素子用層間絶縁膜等の硬化膜の表面硬度、耐溶媒性、耐熱性及び電圧保持率をさらに向上させることができる。

＜その他の任意成分＞
当該ポジ型感放射線性組成物は、［Ａ］重合体、［Ｂ］感放射線性酸発生剤及び［Ｃ］化合物に加えて、本発明の効果を損なわない範囲で、増感剤、塩基性化合物、界面活性剤、密着助剤、ヒンダードフェノール構造を有する化合物等のその他の任意成分を含有してもよい。なお、各成分は１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。以下、各成分について詳述する。

［増感剤］
当該ポジ型感放射線性組成物は、好適成分として増感剤をさらに含有することが好ましい。当該ポジ型感放射線性組成物が、増感剤をさらに含有することで、当該ポジ型感放射線性組成物の感度をより向上することができる。増感剤は、活性光線又は放射線を吸収して電子励起状態となる。電子励起状態となった増感剤は、光酸発生剤と接触して、電子移動、エネルギー移動、発熱等の作用が生じ、これにより［Ｂ］感放射線性酸発生剤は化学変化を起こして分解し酸を生成する。

増感剤としては、以下の化合物類に属しており、かつ３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの領域に吸収波長を有する化合物等が挙げられる。

増感剤としては、例えば
ピレン、ペリレン、トリフェニレン、アントラセン、９，１０−ジブトキシアントラセン、９，１０−ジエトキシアントラセン、３，７−ジメトキシアントラセン、９，１０−ジプロピルオキシアントラセン等の多核芳香族類；
フルオレッセイン、エオシン、エリスロシン、ローダミンＢ、ローズベンガル等のキサンテン類；
キサントン、チオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン等のキサントン類；
チアカルボシアニン、オキサカルボシアニン等のシアニン類；
メロシアニン、カルボメロシアニン等のメロシアニン類；
ローダシアニン類；
オキソノール類；
チオニン、メチレンブルー、トルイジンブルー等のチアジン類；
アクリジンオレンジ、クロロフラビン、アクリフラビン等のアクリジン類；
アクリドン、１０−ブチル−２−クロロアクリドン等のアクリドン類；
アントラキノン等のアントラキノン類；
スクアリウム等のスクアリウム類；
スチリル類；
２−［２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル］ベンゾオキサゾール等のベーススチリル類；
７−ジエチルアミノ４−メチルクマリン、７−ヒドロキシ４−メチルクマリン、２，３，６，７−テトラヒドロ−９−メチル−１Ｈ，５Ｈ，１１Ｈ［ｌ］ベンゾピラノ［６.７.８−ｉｊ］キノリジン−１１−ノン等のクマリン類等が挙げられる。

これらの［Ｃ］増感剤のうち多環芳香族類、キサントン類、アクリドン類、スチリル類、ベーススチリル類、クマリン類が好ましく、多環芳香族類、キサントン類がより好ましく、９，１０−ジブトキシアントラセン、イソプロピルチオキサントンが特に好ましい。

当該ポジ型感放射線性組成物における増感剤の含有量としては、［Ａ］重合体１００質量部に対して０．１質量部〜１０質量部が好ましく、０．５質量部〜５質量部がより好ましい。増感剤の含有量を上記範囲とすることで、感度をより向上できる。

［塩基性化合物］
塩基性化合物としては、化学増幅レジストで用いられるものから任意に選択して使用でき、例えば脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、４級アンモニウムヒドロキシド、カルボン酸４級アンモニウム塩等が挙げられる。当該ポジ型感放射線性組成物に塩基性化合物を含有させることで、露光により［Ｂ］感放射線性酸発生剤から発生した酸の拡散長を適度に制御することができパターン現像性を良好にできる。

脂肪族アミンとしては、例えばトリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、ジ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン等が挙げられる。

芳香族アミンとしては、例えばアニリン、ベンジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン等が挙げられる。

複素環式アミンとしては、例えばピリジン、２−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、４−エチルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、Ｎ−メチル−４−フェニルピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、４−メチルイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール、２，４，５−トリフェニルイミダゾール、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、８−オキシキノリン、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、４−メチルモルホリン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン、１，８−ジアザビシクロ［５．３．０］−７ウンデセン等が挙げられる。

４級アンモニウムヒドロキシドとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ヘキシルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。

カルボン酸４級アンモニウム塩としては、例えばテトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムベンゾエート、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムアセテート、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムベンゾエート等が挙げられる。

これらの塩基性化合物のうち、複素環式アミンが好ましく、４−ジメチルアミノピリジン、４−メチルイミダゾール、１，５−ジアザビシクロ［４，３，０］−５−ノネンがより好ましい。

当該ポジ型感放射線性組成物における塩基性化合物の含有量としては、［Ａ］重合体１００質量部に対して０．００１質量部〜１質量部が好ましく、０．００５質量部〜０．２質量部がより好ましい。塩基性化合物の含有量を上記特定範囲とすることで、パターン現像性がより向上する。

［界面活性剤］
界面活性剤は、当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜形成性をより向上させることができる。界面活性剤としては、例えばフッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等が挙げられる。当該ポジ型感放射線性組成物が、界面活性剤を含有することで塗膜の表面平滑性を向上でき、その結果形成される表示素子用層間絶縁膜の膜厚均一性をより向上できる。

フッ素系界面活性剤としては、末端、主鎖及び側鎖の少なくともいずれかの部位にフルオロアルキル基及び／又はフルオロアルキレン基を有する化合物が好ましく、例えば１，１，２，２−テトラフルオロｎ−オクチル（１，１，２，２−テトラフルオロｎ−プロピル）エーテル、１，１，２，２−テトラフルオロｎ−オクチル（ｎ−ヘキシル）エーテル、ヘキサエチレングリコールジ（１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロｎ−ペンチル）エーテル、オクタエチレングリコールジ（１，１，２，２−テトラフルオロｎ−ブチル）エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ（１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロｎ−ペンチル）エーテル、オクタプロピレングリコールジ（１，１，２，２−テトラフルオロｎ−ブチル）エーテル、パーフルオロｎ−ドデカンスルホン酸ナトリウム、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロｎ−デカン、１，１，２，２，３，３，９，９，１０，１０−デカフルオロｎ−ドデカン、フルオロアルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、フルオロアルキルリン酸ナトリウム、フルオロアルキルカルボン酸ナトリウム、ジグリセリンテトラキス（フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル）、フルオロアルキルアンモニウムヨージド、フルオロアルキルベタイン、フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル、パーフルオロアルキルポリオキシエタノール、パーフルオロアルキルアルコキシレート、カルボン酸フルオロアルキルエステル等が挙げられる。

フッ素系界面活性剤の市販品としては、例えばＢＭ−１０００、ＢＭ−１１００（以上、ＢＭ ＣＨＥＭＩＥ製）、メガファックＦ１４２Ｄ、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１８３、同Ｆ１７８、同Ｆ１９１、同Ｆ４７１、同Ｆ４７６（以上、大日本インキ化学工業製）、フロラードＦＣ−１７０Ｃ、同ＦＣ−１７１、同ＦＣ−４３０、同ＦＣ−４３１（以上、住友スリーエム製）、サーフロンＳ−１１２、同Ｓ−１１３、同Ｓ−１３１、同Ｓ−１４１、同Ｓ−１４５、同Ｓ−３８２、同ＳＣ−１０１、同ＳＣ−１０２、同ＳＣ−１０３、同ＳＣ−１０４、同ＳＣ−１０５、同ＳＣ−１０６（以上、旭硝子製）、エフトップＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２（以上、新秋田化成製）、フタージェントＦＴ−１００、同ＦＴ−１１０、同ＦＴ−１４０Ａ、同ＦＴ−１５０、同ＦＴ−２５０、同ＦＴ−２５１、同ＦＴ−３００、同ＦＴ−３１０、同ＦＴ−４００Ｓ、同ＦＴＸ−２１８、同ＦＴ−２５１（以上、ネオス製）等が挙げられる。

シリコーン系界面活性剤としては、例えばトーレシリコーンＤＣ３ＰＡ、同ＤＣ７ＰＡ、同ＳＨ１１ＰＡ、同ＳＨ２１ＰＡ、同ＳＨ２８ＰＡ、同ＳＨ２９ＰＡ、同ＳＨ３０ＰＡ、同ＳＨ−１９０、同ＳＨ−１９３、同ＳＺ−６０３２、同ＳＦ−８４２８、同ＤＣ−５７、同ＤＣ−１９０、ＳＨ ８４００ ＦＬＵＩＤ（以上、東レダウコーニングシリコーン製）、ＴＳＦ−４４４０、ＴＳＦ−４３００、ＴＳＦ−４４４５、ＴＳＦ−４４４６、ＴＳＦ−４４６０、ＴＳＦ−４４５２（以上、ＧＥ東芝シリコーン製）、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業製）等が挙げられる。

当該ポジ型感放射線性組成物における界面活性剤の含有量としては、［Ａ］重合体１００質量部に対して、好ましくは０．０１質量部以上２質量部以下であり、より好ましくは０．０５質量部以上１質量部以下である。界面活性剤の含有量を上記特定範囲とすることで塗膜の膜厚均一性をより向上できる。

［密着助剤］
密着助剤は、基板となる無機物、例えばシリコーン、酸化シリコーン、窒化シリコーン等のシリコーン化合物、金、銅、アルミニウム等の金属と絶縁膜との接着性を向上させるために使用できる。密着助剤としては、官能性シランカップリング剤が好ましい。官能性シランカップリング剤としては、例えばカルボキシル基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキシ基（好ましくはオキシラニル基）、チオール基等の反応性置換基を有するシランカップリング剤等が挙げられる。

官能性シランカップリング剤としては、例えばトリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ−クロロプロピルトリアルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリアルコキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらのうち、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが好ましい。

当該ポジ型感放射線性組成物における密着助剤の含有量としては、［Ａ］重合体１００質量部に対して、０．５質量部以上２０質量部以下が好ましく、１質量部以上１０質量部以下がより好ましい。密着助剤の含有量を上記特定範囲とすることで、形成される表示素子用層間絶縁膜と基板との密着性がより改善される。

［ヒンダードフェノール構造を有する化合物］
ヒンダードフェノール構造を有する化合物は、ラジカル又は過酸化物による化合物の結合の解裂を防止するための成分である。ヒンダードフェノール構造を有する化合物としては、ヒンダードフェノール構造を有する化合物に加え、ヒンダードアミン構造を有する化合物等のラジカル捕捉剤等が挙げられる。

上記ヒンダードフェノール構造を有する化合物としては、例えばペンタエリスリトールテトラキス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、チオジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、トリス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−イソシアヌレイト、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ’−ヘキサン−１，６−ジイルビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニルプロピオンアミド）、３，３’，３’，５’，５’−ヘキサ−ｔｅｒｔ−ブチル−ａ，ａ’，ａ’−（メシチレン−２，４，６−トリイル）トリ−ｐ−クレゾール、４，６−ビス（オクチルチオメチル）−ｏ−クレゾール、４，６−ビス（ドデシルチオメチル）−ｏ−クレゾール、エチレンビス（オキシエチレン）ビス［３−（５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ｍ−トリル）プロピオネート、ヘキサメチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，３，５−トリス［（４−ｔｅｒｔ−ブチル−３−ヒドロキシ−２，６−キシリン）メチル］−１，３，５−トリアジン−２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）−トリオン、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−（４，６−ビス（オクチルチオ）−１，３，５−トリアジン−２−イルアミン）フェノール等が挙げられる。

上記ヒンダードアミン構造を有する化合物としては、例えばビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）スクシネート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（Ｎ−オクトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（Ｎ−ベンジルオキシ−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（Ｎ−シクロヘキシルオキシ−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２−ブチルマロネート、ビス（１−アクロイル−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）２，２−ビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２−ブチルマロネート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）デカンジオエート、２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジルメタクリレート、４−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ］−１−［２−（３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ）エチル］−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、２−メチル−２−（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）アミノ−Ｎ−（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）プロピオンアミド、テトラキス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）１，２，３，４−ブタンテトラカルボキシレート、テトラキス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）１，２，３，４−ブタンテトラカルボキシレート等の化合物が挙げられる。

当該ポジ型感放射線性組成物におけるヒンダードフェノール構造を有する化合物の含有量としては、［Ａ］重合体１００質量部に対して、０．１質量部以上１０質量部以下が好ましく、１．５質量部以上３質量部以下がより好ましい。ヒンダードフェノール構造を有する化合物の含有量を上記特定範囲とすることで当該ポジ型感放射線性組成物の感度を保ちつつ、形成される表示素子用層間絶縁膜の電圧保持率等をより向上することができる。

＜ポジ型感放射線性組成物の調製方法＞
当該ポジ型感放射線性組成物は、溶媒に［Ａ］重合体、［Ｂ］感放射線性酸発生剤、［Ｃ］化合物、必要に応じてその他の任意成分を混合することによって溶解又は分散させた状態に調製される。例えば溶媒中で、各成分を所定の割合で混合することにより、当該ポジ型感放射線性組成物を調製できる。

溶媒としては、各成分を均一に溶解又は分散し、各成分と反応しないものが好適に用いられる。溶媒としては、例えばアルコール類、エーテル類、グリコールエーテル、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート、芳香族炭化水素類、ケトン類、他のエステル類等が挙げられる。

アルコール類としては、例えばメタノール、エタノール、ベンジルアルコール、２−フェニルエチルアルコール、３−フェニル−１−プロパノール等が挙げられる。

エーテル類としては、例えばテトラヒドロフラン等が挙げられる。

グリコールエーテルとして、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等が挙げられる。

エチレングリコールアルキルエーテルアセテートとしては、例えばメチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等が挙げられる。

ジエチレングリコールアルキルエーテルとしては、例えばジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等が挙げられる。

プロピレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等が挙げられる。

プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートとしては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等が挙げられる。

プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネートとしては、例えばプロピレンモノグリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノブチルエーテルプロピオネート等が挙げられる。

芳香族炭化水素類としては、例えばトルエン、キシレン等が挙げられる。

ケトン類としては、例えばメチルエチルケトン、シクロヘキサノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン等が挙げられる。

他のエステル類としては、例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、３−ヒドロキシプロピオン酸メチル、３−ヒドロキシプロピオン酸エチル、３−ヒドロキシプロピオン酸プロピル、３−ヒドロキシプロピオン酸ブチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、２−メトキシプロピオン酸メチル、２−メトキシプロピオン酸エチル、２−メトキシプロピオン酸プロピル、２−メトキシプロピオン酸ブチル、２−エトキシプロピオン酸メチル、２−エトキシプロピオン酸エチル、２−エトキシプロピオン酸プロピル、２−エトキシプロピオン酸ブチル、２−ブトキシプロピオン酸メチル、２−ブトキシプロピオン酸エチル、２−ブトキシプロピオン酸プロピル、２−ブトキシプロピオン酸ブチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸プロピル、３−メトキシプロピオン酸ブチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸プロピル、３−エトキシプロピオン酸ブチル、３−プロポキシプロピオン酸メチル、３−プロポキシプロピオン酸エチル、３−プロポキシプロピオン酸プロピル、３−プロポキシプロピオン酸ブチル、３−ブトキシプロピオン酸メチル、３−ブトキシプロピオン酸エチル、３−ブトキシプロピオン酸プロピル、３−ブトキシプロピオン酸ブチル等が挙げられる。

これらの溶媒のうち、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、メトキシ酢酸ブチルが好ましく、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メトキシ酢酸ブチルがより好ましい。

＜表示素子用層間絶縁膜の形成方法＞
当該ポジ型感放射線性組成物は、表示素子用層間絶縁膜の形成材料として好適である。また、本発明には、当該ポジ型感放射線性組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜も好適に含まれる。

本発明の表示素子用層間絶縁膜の形成方法は、
（１）当該ポジ型感放射線性組成物を用いて、基板上に塗膜を形成する工程（以下、「工程（１）」ともいう）、
（２）上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程（以下、「工程（２）」ともいう）、
（３）上記放射線が照射された塗膜を現像する工程（以下、「工程（３）」ともいう）、及び
（４）上記現像された塗膜を加熱する工程（以下、「工程（４）」ともいう）
を有する。

当該形成方法によると、表面硬度、耐溶媒性、耐熱性及び電圧保持率に優れる表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。また、感度に優れる当該ポジ型感放射線性組成物を用いることによって、容易に微細かつ精巧なパターンを有する表示素子用層間絶縁膜を形成できる。従って、形成された表示素子用層間絶縁膜は、液晶表示素子、有機ＥＬ表示素子等の表示素子に好適に使用できる。

［工程（１）］
本工程では、当該ポジ型感放射線性組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する。好ましくは塗布面をプレベークすることによって溶媒を除去する。

基板としては、例えばガラス、石英、シリコーン、樹脂等が挙げられる。樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド、環状オレフィンの開環重合体及びその水素添加物等が挙げられる。プレベークの条件としては、各成分の種類、配合割合等によっても異なるが、７０℃〜１２０℃、１分〜１０分間程度とすることができる。

［工程（２）］
本工程では、上記形成された塗膜の少なくとも一部に放射線を照射し露光する。露光する際には、通常所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光する。露光に使用される放射線としては、波長が１９０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲にある放射線が好ましく、３６５ｎｍの紫外線を含む放射線がより好ましい。露光量としては、放射線の波長３６５ｎｍにおける強度を、照度計（ＯＡＩ ｍｏｄｅｌ３５６、ＯＡＩ Ｏｐｔｉｃａｌ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ製）により測定した値で、５００Ｊ／ｍ^２〜６，０００Ｊ／ｍ^２が好ましく、１，５００Ｊ／ｍ^２〜１，８００Ｊ／ｍ^２がより好ましい。

［工程（３）］
本工程では、上記放射線が照射された塗膜を現像する。露光後の塗膜を現像することにより、不要な部分（放射線の照射部分）を除去して所定のパターンを形成する。現像工程に使用される現像液としては、アルカリ性の水溶液が好ましい。アルカリとしては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の４級アンモニウム塩等が挙げられる。

アルカリ水溶液には、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ水溶液におけるアルカリの濃度しては、適当な現像性を得る観点から、０．１質量％以上５質量％以下が好ましい。現像方法としては、例えば液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法等が挙げられる。現像時間としては、当該ポジ型感放射線性組成物の組成によって異なるが、１０秒〜１８０秒間程度である。このような現像処理に続いて、例えば流水洗浄を３０秒〜９０秒間行った後、例えば圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによって、所望のパターンを形成できる。

［工程（４）］
本工程では、上記現像された塗膜を加熱する。加熱には、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用い、パターニングされた薄膜を加熱することで、［Ａ］重合体の硬化反応を促進して、硬化物を得ることができる。加熱温度としては、例えば１２０℃〜２５０℃程度である。加熱時間としては、加熱機器の種類により異なるが、例えばホットプレートでは５分〜３０分間程度、オーブンでは３０分〜９０分間程度である。また、２回以上の加熱工程を行うステップベーク法等を用いることもできる。このようにして、目的とする表示素子用層間絶縁膜に対応するパターン状薄膜を基板の表面上に形成できる。なお、上記硬化膜の用途としては、表示素子用層間絶縁膜に限定されず、スペーサーや保護膜としても利用することができる。

形成された表示素子用層間絶縁膜の膜厚としては、好ましくは０．１μｍ〜８μｍ、より好ましくは０．１μｍ〜６μｍ、特に好ましくは０．１μｍ〜４μｍである。

以下、実施例に基づき本発明を詳述するが、この実施例の記載に基づいて本発明が限定的に解釈されるものではない。

＜［Ａ］重合体の合成＞
［合成例１］
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）７質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続き構造単位（Ｉ）を与えるテトラヒドロピラニルメタクリレート５０質量部、構造単位（ＩＩ）を与えるメタクリル酸グリシジル３５質量部、構造単位（ＩＩＩ）を与えるメタクリル酸ドデシル５質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸１０質量部及びα−メチルスチレンダイマー３質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を７０℃に上昇させ、この温度を５時間保持し共重合体（Ａ−１）を含む重合体溶液を得た。共重合体（Ａ−１）のＭｗは９，０００であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、３２．１質量％であった。

［合成例２］
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）７質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続き構造単位（Ｉ）を与えるテトラヒドロピラニルメタクリレート５０質量部、構造単位（ＩＩ）を与えるメタクリル酸グリシジル２０質量部、構造単位（ＩＩＩ）を与えるメタクリル酸ドデシル２０質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸１０質量部及びα−メチルスチレンダイマー３質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を７０℃に上昇させ、この温度を５時間保持し共重合体（Ａ−２）を含む重合体溶液を得た。共重合体（Ａ−２）のＭｗは８，０００であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、３１．５質量％であった。

［合成例３］
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）７質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続き構造単位（Ｉ）を与えるテトラヒドロピラニルメタクリレート５０質量部、構造単位（ＩＩ）を与えるメタクリル酸グリシジル２０質量部、構造単位（ＩＩＩ）を与えるメタクリル酸アダマンチル２０質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸１０質量部及びα−メチルスチレンダイマー３質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を７０℃に上昇させ、この温度を５時間保持し共重合体（Ａ−３）を含む重合体溶液を得た。共重合体（Ａ−３）のＭｗは８，５００であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、３２．５質量％であった。

［合成例４］
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）７質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続き構造単位（Ｉ）を与えるテトラヒドロピラニルメタクリレート５０質量部、構造単位（ＩＩ）を与えるメタクリル酸グリシジル２０質量部、構造単位（ＩＩＩ）を与えるメタクリル酸ステアリル２０質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸１０質量部及びα−メチルスチレンダイマー３質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を７０℃に上昇させ、この温度を５時間保持し共重合体（Ａ−４）を含む重合体溶液を得た。共重合体（Ａ−４）のＭｗは７，５００であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、３１．０質量％であった。

［合成例５］
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）７質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続き構造単位（Ｉ）を与えるテトラヒドロピラニルメタクリレート１５質量部、構造単位（ＩＩ）を与えるメタクリル酸グリシジル１０質量部、構造単位（ＩＩＩ）を与えるメタクリル酸ドデシル６０質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸５質量部及びα−メチルスチレンダイマー３質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を７０℃に上昇させ、この温度を５時間保持し共重合体（Ａ−５）を含む重合体溶液を得た。共重合体（Ａ−５）のＭｗは８，０００であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、３１．５質量％であった。

［合成例６］
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）７質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続き構造単位（Ｉ）を与えるテトラヒドロピラニルメタクリレート５５質量部、構造単位（ＩＩ）を与えるメタクリル酸グリシジル３５質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸１０質量部及びα−メチルスチレンダイマー３質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を７０℃に上昇させ、この温度を５時間保持し共重合体（ａ−１）を含む重合体溶液を得た。共重合体（ａ−１）のＭｗは９，０００であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、３２．１質量％であった。

＜ポジ型感放射線性組成物の調製＞
［実施例１］
［Ａ］重合体として、共重合体（Ａ−１）を含む溶液（共重合体（Ａ−１）１００質量部（固形分）に相当する量）に、［Ｂ］感放射線性酸発生剤として化合物（Ｂ−１）を３質量部、［Ｃ］化合物として化合物（Ｃ−１）を１５質量部、塩基性化合物として化合物（Ｄ−１）０．０１質量部、界面活性剤として（Ｅ−１）シリコーン系界面活性剤（東レ・ダウコーニング社、ＳＨ ８４００ ＦＬＵＩＤ）を０．２質量部、密着助剤として（Ｆ−１）γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン３．０質量部を混合し、孔径０．２μｍのメンブランフィルタで濾過することによりポジ型感放射線性組成物（Ｓ−１）を調製した。

［実施例２〜１０及び比較例１］
各成分の種類及び配合量を表１に記載の通りとした以外は、実施例１と同様に操作してポジ型感放射線性組成物（Ｓ−２）〜（Ｓ−１０）及び（ＣＳ−１）を調製し、それぞれ実施例２〜１０及び比較例１とした。

以下、実施例及び比較例のポジ型感放射線性組成物の調製に用いた成分を詳述する。
＜［Ｂ］感放射線性酸発生剤＞
（Ｂ−１）：４，７−ジ−ｎ−ブトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート
（Ｂ−２）：Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステル
（Ｂ−３）：（５−プロピルスルフォニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル（チバスペシャルティーケミカルズ製、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＰＡＧ １０３）

＜［Ｃ］化合物＞
（Ｃ−１）ジペンタエリスリトールペンタアクリレートとジペンタエリスリトールヘキサアクリレートの混合物
（Ｃ−２）エチレンオキサイド変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、
（Ｃ−３）トリメチロールプロパントリアクリレート
（Ｃ−４）コハク酸変性ペンタエリスリトールトリアクリレート
（Ｃ−５）ε―カプロラクタン変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート
（Ｃ−６）ヘキサメチレンジアクリレート

＜塩基性化合物＞
（Ｄ−１）４−ジメチルアミノピリジン

＜界面活性剤＞
（Ｅ−１）シリコーン系界面活性剤（東レ・ダウコーニング社、ＳＨ ８４００ ＦＬＵＩＤ）

＜密着助剤＞
（Ｆ−１）γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン

＜評価＞
実施例１〜１０及び比較例１のポジ型感放射線性組成物を使用し、以下のように各ポジ型感放射線性組成物及びその塗膜又は層間絶縁膜としての各種の特性を評価した。結果を表１に示す。

［感度（Ｊ／ｍ^２）］
５５０×６５０ｍｍのクロム成膜ガラス上に、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）を塗布し、６０℃にて１分間加熱した（ＨＭＤＳ処理）。このＨＭＤＳ処理後のクロム成膜ガラス上に、上記のように調製した各ポジ型感放射線性組成物をスリットダイコーター「ＴＲ６３２１０５−ＣＬ」を用いて塗布し、到達圧力を１００Ｐａに設定して真空下で溶媒を除去した後、さらに９０℃において２分間プレベークすることによって、膜厚３．０μｍの塗膜を形成した。続いて、キヤノン社ＭＰＡ−６００ＦＡ露光機を用い、６０μｍのライン・アンド・スペース（１０対１）のパターンを有するマスクを介して、塗膜に対し露光量を変量として放射線を照射した後、０．４質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて２５℃において液盛り法で現像した。現像時間は８０秒間とした。次いで、超純水で１分間流水洗浄を行い、その後乾燥することにより、ＨＭＤＳ処理後のクロム成膜ガラス基板上にパターンを形成した。このとき、６μｍのスペース・パターンが完全に溶解するために必要な露光量を調べた。この値が３００Ｊ／ｍ^２以下の場合に感度が良好であるといえる。

［表面硬度］
上記感度の評価と同様に、ガラス基板上に塗膜を形成した。露光せずに、このガラス
基板をクリーンオーブン内にて２２０℃で１時間加熱して硬化膜を得た。ＪＩＳ Ｋ−５４００−１９９０の８．４．１鉛筆引っかき試験により、硬化膜の鉛筆硬度（表面硬度）を測定した。この値が３Ｈ又はそれより大きいとき、層間絶縁膜等の硬化膜としての表面硬度は良好であり、その硬化膜を形成するために用いた組成物は十分な硬化性を有するといえる。

［耐溶媒性（％）］
上記感度の評価と同様に、ガラス基板上に塗膜を形成した。露光せずに、このガラス基板をクリーンオーブン内にて２２０℃で１時間加熱して硬化膜を得た。この硬化膜を有する基板について、得られた硬化膜の膜厚（Ｔ１）をレーザー顕微鏡（ＶＫ−８５１０、キーエンス製）により測定した。次いで、この硬化膜が形成されたガラス基板を、７０℃に温度制御されたジメチルスルホキシド中に２０分間浸漬させた後、その硬化膜の膜厚（ｔ１）を測定し、下記式から浸漬による膜厚変化率（％）を求め、耐溶媒性（％）とした。
耐溶媒性（％）＝｛（ｔ１−Ｔ１）／Ｔ１｝×１００
この値の絶対値が５％未満の場合、耐溶媒性は優良と判断した。

［電圧保持率］
表面にナトリウムイオンの溶出を防止するＳｉＯ_２膜が形成され、さらにＩＴＯ（インジウム−酸化錫合金）電極を所定形状に蒸着したソーダガラス基板上に、各ポジ型ポジ型感放射線性組成物をスピンコートした後、９０℃のクリーンオーブン内で１０分間プレベークを行って、膜厚２．０μｍの塗膜を形成した。次いで、フォトマスクを介さずに、塗膜に５００Ｊ／ｍ^２の露光量で露光した。その後、２３０℃で３０分間ポストベークを行い塗膜を硬化させた。次いで、この画素を形成した基板とＩＴＯ電極を所定形状に蒸着しただけの基板とを、０．８ｍｍのガラスビーズを混合したシール剤で貼り合わせたのち、メルク製液晶ＭＬＣ６６０８を注入して、液晶セルを作製した。さらに、液晶セルを６０℃の恒温層に入れて、液晶セルの電圧保持率を、液晶電圧保持率測定システム（ＶＨＲ−１Ａ型、東陽テクニカ社）により測定した。このときの印加電圧は５．５Ｖの方形波、測定周波数は６０Ｈｚである。電圧保持率（％）とは、下記式から求められる値である。
電圧保持率（％）＝（１６．７ミリ秒後の液晶セル電位差／０ミリ秒で印加した電圧）×１００
液晶セルの電圧保持率が９０％以下であると、液晶セルは１６．７ミリ秒の時間、印加電圧を所定レベルに保持できず、十分に液晶を配向させることができないことを意味し、残像などの「焼き付き」を起こすおそれが高い。

［耐熱性］
上記感度の評価と同様に、ガラス基板上に塗膜を形成した。露光せずに、このガラス基板をクリーンオーブン内にて２２０℃で１時間加熱して硬化膜を得た。得られた硬化膜の５％熱重量減少温度を測定した。測定にはＴＧＡを使用し、空気下で室温から５００℃に１０℃／分で昇温し、質量が５％減少した温度を測定した。質量が５％減少した温度が高いほど、耐熱性が良好と判断できる。

表１の結果から明らかなように当該ポジ型感放射線性組成物を使用した実施例１〜１０は、比較例１の組成物と比べ、良好な感度を有し、かつ表面硬度、耐溶媒性及び耐熱性に優れる硬化膜を形成できることがわかった。また、実施例１〜１０のポジ型感放射線性組成物から形成した硬化膜は電圧保持率も十分高かった。

本発明のポジ型感放射線性組成物は、感度に優れるため容易に微細かつ精巧なパターンを有する表示素子用層間絶縁膜を形成できる。また、当該ポジ型感放射線性組成物は、表面硬度、耐溶媒性、耐熱性及び電圧保持率に優れる表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。従って、当該ポジ型感放射線性組成物は、液晶表示素子、有機ＥＬ表示素子等の表示素子用層間絶縁膜を形成するための材料として好適である。

Claims (8)

1. ［Ａ］酸解離性基を含む構造単位（Ｉ）、重合性基を含む構造単位（ＩＩ）及び下記式（１）で表される構造単位（ＩＩＩ）を有する重合体、
   ［Ｂ］感放射線性酸発生剤、並びに
   ［Ｃ］（メタ）アクリロイル基を１つ以上含む分子量１，０００以下の化合物
   を含有し、
   ［Ｃ］化合物の含有量が、固形分換算で１質量％以上５０質量％以下であるポジ型感放射線性組成物。
   

   

   （式（１）中、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基である。Ｒ^２は、炭素数６〜３０のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基若しくはアシロキシアルキル基又は炭素数４〜３０の橋かけ環式炭化水素基である。但し、上記アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシロキシアルキル及び橋かけ環式炭化水素基が有する水素原子の一部は、水酸基又はカルボキシル基で置換されていてもよい。）
2. 上記構造単位（Ｉ）における酸解離性基が、下記式（２）で表される請求項１に記載のポジ型感放射線性組成物。
   

   

   （式（２）中、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、脂環式炭化水素基又はアリール基である。但し、これらのアルキル基、脂環式炭化水素基又はアリール基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。また、Ｒ^３及びＲ^４が共に水素原子である場合はない。Ｒ^５は、アルキル基、脂環式炭化水素基、アラルキル基、アリール基又は−Ｍ（Ｒ^６）_３で表される基である。Ｍは、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎである。Ｒ^６は、アルキル基である。但し、Ｒ^５のアルキル基、脂環式炭化水素基、アラルキル基及びアリール基並びにＲ^６のアルキル基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Ｒ^３とＲ^５とが互いに結合して、Ｒ^３が結合している炭素原子及びＲ^５が結合している酸素原子と共に環状エーテル構造を形成していてもよい。）
3. 上記構造単位（ＩＩ）における重合性基が、エポキシ基である請求項１又は請求項２に記載のポジ型感放射線性組成物。
4. ［Ａ］重合体における上記構造単位（ＩＩＩ）の含有率が、３質量％以上５０質量％以下である請求項１、請求項２又は請求項３に記載のポジ型感放射線性組成物。
5. ［Ｃ］化合物が、炭素数２〜１２のジオール構造由来の骨格、トリメチロールプロパン由来の骨格、ペンタエリスリトール由来の骨格又はジペンタエリスリトール由来の骨格を有する化合物である請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のポジ型感放射線性組成物。
6. 表示素子用層間絶縁膜を形成するために用いられる請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のポジ型感放射線性組成物。
7. 請求項６に記載のポジ型感放射線性組成物により形成される表示素子用層間絶縁膜。
8. （１）請求項６に記載のポジ型感放射線性組成物を用い、基板上に塗膜を形成する工程、
   （２）上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
   （３）上記放射線を照射された塗膜を現像する工程、及び
   （４）上記現像された塗膜を加熱する工程
   を有する表示素子用層間絶縁膜の形成方法。