JP5955593B2 - 異常検出機構およびそれを具備する車両用前方照明装置 - Google Patents

異常検出機構およびそれを具備する車両用前方照明装置 Download PDF

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Description

本発明は励起源として半導体レーザ素子を用いたヘッドライトやフォグランプ等の車両用前方照明装置に関するもので、特にアイセーフティインターロック用の計装システムのための異常検出機構に関する。
車両用前方照明装置(以下、前照灯と称する)の光源はハロゲンバルブや高圧水銀系バルブから発光ダイオード(LED)を代替として採用化の試みがなされてきた。近年、一部の高級車にはすでにLED式の前照灯が搭載されたことで実用化の段階にあるといえるが、これらは現状ではロービーム(すれ違いビーム)用としての使用であり、より高い光源輝度が必要なハイビーム(走行ビーム)での採用には至っていない。そこで、さらにより高い輝度の光源として半導体レーザ素子を励起源として用いる研究が盛んになっている。
特許文献1では、半導体レーザ素子から離間して設けられた蛍光体を含む発光部を光学的中心として、前記発光部から発生する光を凹面反射鏡により前方に照射するようにすることで輝度の高い光を発生する前照灯が開示されている。
しかしながら半導体レーザ素子からの照射光は空間的・時間的なエネルギー密度が高くなるので、アイセーフの観点から取扱いには注意が必要である。特許文献2では、半導体レーザ素子から離間して設けられた光透光性部材に混和された蛍光体から発光される光を受光素子で検出することで蛍光体層の脱離を感知し、セーフティインターロック処置を施すことでレーザ光による被曝を防ぐことが可能な照明器具用の発光装置が開示されている。
特開2005−150041号公報 特開2009−16543号公報
特許文献2は半導体レーザ素子から放射された光が蛍光体を含む透光性樹脂から励起源方向に戻る蛍光の有無を受光素子にて検知して発光停止等の制御を行うものであり、透光部材の脱落および破損の様な完全な使用不可能な状況の判別は可能であるが、蛍光体から発せられて励起源方向に戻る蛍光の有無を利用しているために透光部材内部での損傷(一部のクラック等)については検出不可能であるためレーザ光漏洩等に対するインターロック処置ができない。
更に、受光素子が励起源の半導体レーザ素子の光波長領域に対して受光感度を持たず、蛍光体による波長変換された光波長領域にのみ感度を有するものとしているため、光を選択的に取り込むことが可能な波長選択フィルタを具備することが必要となり、安価なSiフォトダイードが使用できず、コスト高である。
本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的とする処は、半導体レーザ素子を励起源とした前照灯において、アイセーフティに関するインターロック用の光源部異常検出方法を安価に提供し、ひいては安全性が確保された前照灯を提供することである。
上記目的を達成するため、本発明の請求項1に記載の発明によれば、励起源としての半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子からの光の少なくとも一部を波長変換して外部へ白色光として取り出すことが可能な透光性の波長変換部材と、前記波長変換部材の発光部を光源として用いる前照灯において前記発光部の異常を検出する異常検出機構であって、前記波長変換部材は、前記発光部を含む天面と、光入射面である底面と、天面と底面に接する一つ以上の側面を備え、前記半導体レーザ素子からのビーム光の出射方向の前方に設けられ、前記波長変換部材の底面を支持し、前記半導体レーザ素子からのビーム光を通すための開口を持つ支持部材と、前記波長変換部材の側面に間隔をおいて正対するように設置された複数個の受光素子と、前記波長変換部材の天面を覆い、前記波長変換部材の天面の発光部にあたる箇所に開口を持ち、前記支持部材に接合された遮蔽部材と、前記受光素子に接続される前置き増幅器と、前期前置き増幅器に接続される判定器と、を少なくとも含むことを特徴とする前記発光部の異常を検出する異常検出機構とすることで上記した目的は達成される。
本発明の請求項2に記載の発明によれば、前記異常検出機構に用いる受光素子は、Siフォトダイオードであり、前記Siフォトダイオードの動作点が短絡モードに設定されていることとすることにより、暗電流によるノイズの影響を抑制でき、前照灯のような高い温度環境において安定した検出が可能となる。
本発明の請求項3に記載の発明によれば、上記異常検出機構と、前記異常検出機構の受光素子の検出値が一定の範囲からの増加または低下に基づいて、前記半導体レーザ素子を発光停止あるいは発光強度低下させることが可能な発光制御手段を具備する前照灯とすることで、アイセーフティインターロック用の計装回路が組み込まれた安全性の高い前照灯とすることができる。
本発明によれば、半導体レーザ素子を励起源とした前照灯において、アイセーフティに関するインターロック用の光源部異常検出方法を安価に提供し、ひいては安全性の高い前照灯を提供することができる。
図1は、本発明によるインターロック制御用の異常検出機構を組み込んだ前照灯構図の一例を示す図である 図2は、本発明の要旨となる異常検出機構の光学的電気的つながりを機能ブロック図として示す図である。 図3は、本発明における異常検出構機構の具体的実施例を示す図である。 図4は、本発明における異常検出構機構の受光素子に組み合せる前置き増幅部の一例を示す図である。 図5は、本発明における異常検出構機構の検出出力値を判定する判定器の一例を示す図である。 図6は、図3に示す実施例に対して、使用する受光素子の員数を削減し、受光素子を三つとした場合の波長変換部材と受光素子の配置関係の一例を示す図である。 図7は、図6に示した波長変換部の変形例とした場合の受光素子の配置関係の一例を示す図である。 図8は、図4に示した前置き増幅部に受光素子を二個並列に接続した状態を示す図である。 図9は、図8示す前置き増幅部と受光素子の接続状態とした場合における前置き増幅部の配置例を示す図である。
(本発明が用いられる前照灯の態様)
図1は本発明によるインターロック制御用の異常検出機構を組み込んだ前照灯構図の一例を示すものである。前照灯1は、半導体レーザ素子10を光源として波長変換部材15を通して白色光に変換され反射鏡21により照明装置前面のプリズムレンズ22により前方へ適正に配光制御された光を照射する。
半導体レーザ素子10からの出射光は黒色アルマイト処理されたアルミ材により作成された鏡筒14内部に設置されたコリメータレンズ11により平行化された後、必要に応じて、シリンドリカルレンズやアナモルフィックプリズム等を用いたビーム整形器12をとおしてビーム形状のアスペクト比が調整され、集光レンズ13により板状の波長変換部材15の入射面151へ集光される。尚、ビーム形状の整形は、極端に低アスペクト化するのではなく、前照灯に必要とされる配光に合わせて設定される。
波長変換部15は耐熱性および熱の拡散性を確保するために無機材料をベースとして作成されることが好ましく、例えば蛍光体分散ガラスあるいは透光性蛍光体セラミックプレートで作成されている。蛍光体は熱劣化現象および温度消光現象の程度が低く、耐湿性や硫化水素などによる腐食の懸念がない窒素化物系のCa−αサイアロン系蛍光体が特に好ましい。
半導体レーザ素子10は、発光波長を紫〜青色領域に持ち、構造は高出力半導体レーザの基本的構造であるブロードストライプ構造としたものである。従って混在した多数の水平横モードの発振によりビーム断面の強度分布は起伏が複数生じたものとなり、照明用光源として適しているといい難いが、蛍光体を含む波長変換部15により、適度な拡散が生じて平滑化された光強度分布の発光部として機能する。 尚、図示していないが、半導体レーザ素子10は寿命確保の為に、ヒートシンク或いはヒートパイプ等による放熱処置が施されている。
ここで、板状の波長変換部材15の横方向側面に近接配置された複数の受光素子16、および遮蔽部材17は本発明の要部である異常検出機構部を示すものであって、受光素子16により波長変換部材15の光入射面151に入射したレーザ光の一部を常に波長変換部材15の側面方向への拡散伝搬光として検出させている。
受光素子16は、最大感度波長が800nm以上、好ましくは900nm付近であるSiフォトダイオードが望ましい。Siフォトダイオードは400nm以上に感度領域があり、励起源に用いるレーザ光から波長変換されたスペクトル幅の広い光までも光電流に変換出力することが可能である。また、動作点を短絡モードに設定すれば、短絡電流Iscは入射光量に対する直線性が優れ、暗電流によるノイズの発生がなく、ダイナミックレンジも広い。更に最大感度波長より短波長領域となる可視領域の入射光であれば温度による感度の変動特性はほぼゼロである。最大感度波長は温度上昇により短波長側にシフトするが、最大感度波長が常温時で800nm以上あれば、前照灯の温度環境においてもほぼ検出光の波長領域を包含可能と考えられる。
遮蔽部材17は、中央に波長変換部材15の上面の発光部に合わせた開口を設けた板材で、波長変換部材14を開口が設けられた支持部材20に固定するとともに、受光素子16への外乱光やの迷光の入射を防ぐ遮蔽手段としての機能も有するものである。遮蔽部材17は、剛性のある金属材料(例えば、SUS304,SUS305等)で作成し、光の反射散乱を防ぐために、高耐熱性の黒色塗装(つや消しカシュー樹脂塗料やセラミック系チラノコート等)を施す。支持部材20は金属板(例えば、亜鉛メッキ鋼板SECC、SEHC等)で作成し、遮蔽部材17と同様の黒色塗装を施す。
(機能ブロック図)
本発明は図1の例で示す前照灯において集光されたレーザビームにより波長変換部15が損傷を受けた場合に、波長変換部15の横方向への僅かな光伝搬量の変化を受光素子16で検出することで、波長変換部15表面に形成されたアパーレント光源の異常を検出して半導体レーザ光源の駆動部に制御部に含まれる計装回路をとおしてインターロックを作動させることを目的とするものである。
図2に本発明の要旨となる異常検出機構の光学的電気的つながりを機能ブロック図として示す。
図3に波長変換部材15を中心とした本発明における異常検出構機構の具体的実施例を示す。波長変換部材15は正方形の四隅を45度の角度で切り落としたような変形八角形をした板状の部材でレーザ光の光入射面152は支持部材20に当接して遮蔽部材17により加圧固定される。光放射面151には発光中心目標となる凸部が形成されている。レーザビームはこの位置を目標として集光させるように設定される。
遮蔽部材17の中央には開口が設けられ、波長変換部材15の光出射面151上に形成されるアパーレント光源の大きさを規制する。また支持部材20は光入射面152のビーム入射位置に合わせて開口が設けられており、レーザビーム光束の太さを規制する。
四つの受光素子16a乃至16dは波長変換部材20の四方位にあたる四つの側面に受光窓が正対するように設置されており、遮蔽部材17は設けられたU字型の切欠きにより受光素子16a乃至16dを位置固定するとともに、受光素子に周囲から侵入する外乱光を遮蔽する。
19は前置き増幅部18a乃至18dが形成される回路基板である。支持部材20からの熱によるあおりを軽減するように、あえて有機基板を用いる。基板19は前記前置き増幅部を構成する電子回路が搭載された後にフッ素樹脂コーティング剤等により防湿コート処理を行う。尚、前置き増幅部から主制御基板(図示せず)上に形成された次段の判定器への接続は、基板19からケーブルにて支持部材20の所定の位置に設けた穴隙を通して配線される。
(前置き増幅器)
前述のとおり、受光素子16a〜16dはSiフォトダイオードを用いて、その動作点を短絡モードに設定するのが好ましい。この場合図4に示すように、見かけ上の負荷がゼロとなるように、オペアンプを用いたトランスインピーダンスアンプ回路との組み合わせが最良である。(実際にはRf/A が負荷抵抗に相当する。ここでRf:帰還抵抗、A:オペアンプ開放ゲインである。)
ここで用いられるオペアンプは、低入力バイアス電流タイプであるが、低入力バイアス電流タイプとして一般的なFET入力型オペアンプは避けて、バイポーラ型オペアンプから選択すべきである(例えば、アナログデバイス社のAD620、AD706等)。何故なら、本製品が組み込まれる前照灯の環境においては、高温での動作が求められため、高温状態において入力バイアス電流が極端に増加してしまうFET入力型オペアンプでは、光電流の検出誤差が大きくなってしまうからである。
(判定器)
判定器は例えば、図4に示す様なウィンドコンパレータ回路を用いる。図2の様な、検出部の構成の場合には、18a乃至18dの前置き増幅器夫々の出力を判定するために判定器は計四器必要となる。18a乃至18dの前置き増幅器出力は低インピーダンス化されているので、前記ウィンドコンパレータの設置個所は前記18a乃至18dの前置き増幅器から離れてレーザ用CW駆動部及びインターロック計装回路を含む制御部等が搭載される主基板(図示せず)上にあっても良い。
図4のウィンドコンパレータでは、平常時は二つに基準電圧(高および低)の間になる様に設定されており出力はHレベルとなっているが、波長変換部材15にクラック等が生じて、受光素子16a乃至16d方向に拡散伝搬される光量が減少するとCOMP2の出力はLとなり制御部への出力もLレベルとなる。また鏡筒14内の光学系の異常による迷走レーザ光の発生や、レーザ光源10自体からの放射出力が何等かの理由(駆動部の定電流ドライバの異常等)で、受光素子16a乃至16d方向に拡散伝搬される光量が増加するとCOMP1の出力はLとなり制御部への出力もLレベルとなる。
従って、正常時はHレベル、各閾値毎に二つの故障モードによる異常時には、いずれも出力はLレベルとなり制御部以降のインターロック計装回路(例えば、レーザ光出力を本質的安全レベルに抑制、或いは電源供給ライン遮断によるレーザ発光の停止など)へ信号が出力される。
実施例1は図2により、四つの受光素子を用いた異常検出機構の実施例であったが、受光素子の配置及び員数はこれに拘るものではない。例えば、受光素子を三つとした場合の波長変換部材315と受光素子の配置関係の一例を図6に示す。この場合、波長変換部材315は略正三角から三つの頂点部分を中心方向に対して直角に切り落として三つの平面を設けた形状で、受光素子16a乃至16cは該平面と受光面が正対するように配置してある。前置き増幅部18a乃至18c以降の処置は実施例1と同様である。
尚、この場合波長変換部材315もこの形状に拘るものではなく、レーザ光の入射位置から横方向へ拡散伝搬される光量の検出効率が高めるように、形状も受光素子の配置に合わせて、適宜形状の最適化を行ってもよい。例えば、図7の波長変換部材3155は図9の波長変換部材315の下地となった包絡形状である正三角形の三つの辺を中心に向かって凹となる曲線で変形したもので、受光素子への正対面にレーザ光の入射位置から横方向へ拡散伝搬される光の集光率向上を図るものである。
実施例1における図2を用いて説明した異常検出機構では四つの受光素子を用いて夫々に前置き増幅器を配置するものであったが、受光素子16a乃至16dと波長変換部材15の配置は元のままで前置き増幅部以降の組数を減らしことも可能である。
図8は、図4に示した前置き増幅部を基にオペアンプ入力に受光素子を二個並列に接続したものである。本回路において受光素子の動作は短絡モードであり、受光素子は電流源として機能しているので、このような接続でも回路上の問題はない。
これにより、受光素子に対して前置き増幅部を個別に設けるのではなく、図2の受光素子の構成であれば、前置き増幅部の数が四つから二つへ減らすことができる。判定器も前置き増幅部と組みとなる構成であるので、同様に四つから二つに減る。
このようにして、図4による前置き増幅器の構成であれば、オペアンプ入力に接続する受光素子を複数個とすることで、前置き増幅部以降の組数を減らすことができる。
但し、図8による結線の場合、異常に対する実質的な検出感度は略1/2に低下するので、オペアンプの入力に接続する受光素子の数は制限なく追加して接続するのではなく、検出マージンを評価しながら個数決定しなければならない。並列に接続される受光素子の数が増えるに従い、判定器の、閾値設定が手間のかかる作業となり、その結果、異常検出機能の安定度を損なうことが予想されるからである。図8のように受光素子はせいぜい二個程度に収めるのが無難であろう。
前置き増幅部と受光素子を図8による接続としたときの配置例を図9に示す。波長変換部材15および受光素子16a乃至16dは図2の配置と同じである。前置き増幅部のみが418aおよび418bの二つのみとなり、前置き増幅部418aには受光素子16aと16dが、前置き増幅部418bには受光素子16bと16cが接続される。
この例では、組となる受光素子を隣合う二個とした。勿論、前置き増幅部が形成される基板部の配線が複雑になるが組となる受光素子を対向し合う二個としても良い。
上記実施例における波長変換部材と受光素子の配置及び構成、更に導光部材との組み合わせなどは単なる例示にすぎず、これに限定するものではない。例えば、波長変換部材を単なる平板ではなく三次元形状として、受光素子の結合部を保持部材上ではない別の空間に設けてもよい。
本発明をもとに、上記のような処置は当業者であれば容易に可能な変更であろう。
本発明は、半導体レーザ素子を光源とする高光束の白色照明装置に必要となるセーフティインターロック用の検出機構に係るもので、車両用のヘッドライトやフォグランプの前方照明装置の他、プロジェクタ装置等における光源の異常検出機構としても利用可能である。
1 前照灯
10 半導体レーザ素子
11 コリメータレンズ
12 シリンドリカルレンズ、又はアナモルフィックプリズム
13 集光レンズ
14 鏡筒
15、315、3155 波長変換部材
16、16a、16b、16c、16d、 受光素子
17 遮蔽部材
18a、18b、18c、18d、418a、418b 前置き増幅部
19 回路基板
20 支持部材
21 反射鏡
22 プリズムレンズ
151 波長変換部材の光入射面
152 波長変換部材の光放射面

Claims (3)

  1. 励起源としての半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子からの光の少なくとも一部を波長変換して外部へ白色光として取り出すことが可能な透光性の波長変換部材と、前記波長変換部材の発光部を光源として用いる車両用前方照明装置において前記発光部の異常を検出する異常検出機構であって、
    前記波長変換部材は、前記発光部を含む天面と、光入射面である底面と、天面と底面に接する一つ以上の側面を備え、
    前記半導体レーザ素子からのビーム光の出射方向の前方に設けられ、前記波長変換部材の底面を支持し、前記半導体レーザ素子からのビーム光を通すための開口を持つ支持部材と、
    前記波長変換部材の側面に間隔をおいて正対するように設置された複数個の受光素子と、
    前記波長変換部材の天面を覆い、前記波長変換部材の天面の発光部にあたる箇所に開口を持ち、前記支持部材に接合された遮蔽部材と、
    前記受光素子に接続される前置き増幅器と、
    前記前置き増幅器に接続される判定器と、
    を少なくとも含むことを特徴とする前記発光部の異常を検出する異常検出機構。
  2. 前記受光素子は、Siフォトダイオードであり、前記Siフォトダイオードの動作点が短絡モードに設定されていることを特徴とする請求項1に記載の異常検出機構。
  3. 請求項1および請求項2に記載の異常検出機構と、前記異常検出機構の受光素子の検出値に基づいて、前記半導体レーザ素子を発光停止あるいは発光強度低下させることが可能な発光制御手段を具備することを特徴とする車両用前方照明装置。
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