JP5969859B2 - 金属系粒子集合体の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、発光素子〔有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、無機ＥＬ素子、無機ＬＥＤ（ライトエミッティングダイオード）素子、量子ドット発光素子など〕の発光効率向上や光電変換素子（太陽電池素子など）の変換効率向上などに有用なプラズモン材料（プラズモニックマテリアル）である金属系粒子集合体の製造方法に関する。

金属粒子をナノサイズにまで微細化すると、バルク状態では見られなかった機能を発現するようになることが従来知られており、なかでも応用が期待されているのが「局在プラズモン共鳴」である。プラズモンとは、金属ナノ構造体中の自由電子の集団的な振動によって生起する自由電子の粗密波のことである。

近年、上記プラズモンを扱う技術分野は、「プラズモニクス」と呼ばれ大きな注目を集めているとともに活発な研究が行なわれており、かかる研究は金属ナノ粒子の局在プラズモン共鳴現象を利用した発光素子の発光効率向上や、光電変換素子（太陽電池素子など）の変換効率向上を目的とするものを含む。

たとえば特許文献１〜３には、局在プラズモン共鳴現象を利用して蛍光を増強させる技術が開示されている。また非特許文献１には、銀ナノ粒子による局在プラズモン共鳴に関する研究が示されている。

特開２００７−１３９５４０号公報 特開平０８−２７１４３１号公報 国際公開第２００５／０３３３３５号

T. Fukuura and M. Kawashaki, "Long Range Enhancement of Molecular Fluorescence by Closely Packed Submicro-scale Ag Islands", e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, 2009, 7, 653

金属ナノ粒子の局在プラズモン共鳴現象を利用した従来の発光増強には次のような課題があった。すなわち、金属ナノ粒子による発光増強作用の要因には、１）金属ナノ粒子中に局在プラズモンが生起されることによって粒子近傍の電場が増強される（第１の因子）、および、２）励起された分子からのエネルギー移動により金属ナノ粒子中の自由電子の振動モードが励起されることによって、励起された分子の発光性双極子よりも大きい発光性の誘起双極子が金属ナノ粒子中に生起し、これにより発光量子効率自体が増加する（第２の因子）、という２つの因子があるところ、より大きな要因である第２の因子における発光性誘起双極子を金属ナノ粒子に有効に生じさせるためには、金属ナノ粒子と励起される分子（蛍光物質など）との距離を、電子の直接移動であるデクスター機構によるエネルギー移動が起こらない範囲であって、フェルスター機構のエネルギー移動が発現する範囲内（１ｎｍ〜１０ｎｍ）にすることが求められる。これは、発光性誘起双極子の生起がフェルスターのエネルギー移動の理論に基づくためである（上記非特許文献１参照）。

一般に、上記１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内において、金属ナノ粒子と励起される分子との距離を近づけるほど、発光性誘起双極子が生起しやすくなり、発光増強効果が高まる一方、上記距離を大きくしていくと、局在プラズモン共鳴が有効に影響しなくなることによって発光増強効果は徐々に弱まり、フェルスター機構のエネルギー移動が発現する範囲を超えると（一般に１０ｎｍ程度以上の距離になると）、発光増強効果をほとんど得ることはできなかった。上記特許文献１〜３に記載の発光増強方法においても、効果的な発光増強効果を得るために有効な金属ナノ粒子と励起される分子との間の距離は１０ｎｍ以下とされている。

このように従来の金属ナノ粒子を用いた局在プラズモン共鳴においては、その作用範囲が金属ナノ粒子表面から１０ｎｍ以下と極めて狭い範囲内に限定されるという本質的な課題があった。この課題は必然的に、金属ナノ粒子による局在プラズモン共鳴を発光素子や光電変換素子などに利用して発光効率や変換効率向上を図る試みにおいて、ほとんど向上効果が認められないという課題を招来する。すなわち、発光素子や光電変換素子は通常、厚みが数十ｎｍまたはそれ以上の活性層（たとえば発光素子の発光層や光電変換素子の光吸収層）を有しているが、仮に金属ナノ粒子を活性層に近接、あるいは内在させて配置することができたとしても、局在プラズモン共鳴による直接的な増強効果は、活性層のごく一部でしか得ることができない。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、発光素子、光電変換素子（太陽電池素子など）等を含む各種光学素子の増強要素として有用なプラズモン材料（プラズモニックマテリアル）を製造するための方法を提供することにある。

上記特許文献１（段落００１０〜００１１）では、局在プラズモン共鳴による発光増強と金属ナノ粒子の粒径との関係についての理論的な説明がなされており、これによれば、粒径が約５００ｎｍの真球状の銀粒子を用いる場合、理論上、発光効率φはおよそ１となるものの、実際にはこのような銀粒子は発光増強作用をほとんど示さない。このような大型銀粒子が発光増強作用をほとんど示さないのは、銀粒子中の表面自由電子があまりにも多いために、一般的なナノ粒子（比較的小粒径のナノ粒子）で見られる双極子型の局在プラズモンが生起し難いためであると推測される。しかしながら、大型ナノ粒子が内包する極めて多数の表面自由電子を有効にプラズモンとして励起することができれば、プラズモンによる増強効果を飛躍的に向上できると考えられる。

本発明者は、鋭意研究した結果、所定条件下で特定数以上の金属系粒子を基板上に成長させて得られる金属系粒子集合体は、これを構成する金属系粒子が、上記のように一般に発光増強効果が小さくなると考えられている比較的大粒径であるにもかかわらず、特定の形状を有すること等に起因して、極めて強いプラズモン共鳴を示すとともに、著しく伸長されたプラズモン共鳴の作用範囲（プラズモンによる増強効果の及ぶ範囲）を示すことを見出した。

すなわち本発明は以下のものを含む。
［１］ ３０個以上の金属系粒子が互いに離間して二次元的に配置されてなる金属系粒子集合体を製造する方法であって、
１００〜４５０℃の範囲内に温度調整された基板上に、１ｎｍ／分未満の平均高さ成長速度で金属系粒子を成長させる工程を含む金属系粒子集合体の製造方法。

［２］ 金属系粒子を成長させる工程において、金属系粒子は、１００〜４５０℃の範囲内に温度調整された基板上に、１ｎｍ／分未満の平均高さ成長速度、かつ、５ｎｍ／分未満の平均粒径成長速度で成長される［１］に記載の金属系粒子集合体の製造方法。

［３］ 前記金属系粒子集合体を構成する金属系粒子は、その平均粒径が２００〜１６００ｎｍの範囲内、平均高さが５５〜５００ｎｍの範囲内、前記平均高さに対する前記平均粒径の比で定義されるアスペクト比が１〜８の範囲内にあり、かつ、その隣り合う金属系粒子との平均距離（以下、平均粒子間距離ともいう。）が１〜１５０ｎｍの範囲内となるように配置されている［１］または［２］に記載の金属系粒子集合体の製造方法。

［４］ 前記金属系粒子集合体を構成する金属系粒子は、その平均粒径が２００〜１６００ｎｍの範囲内、平均高さが５５〜５００ｎｍの範囲内、前記平均高さに対する前記平均粒径の比で定義されるアスペクト比が１〜８の範囲内にあり、
前記金属系粒子集合体は、可視光領域における吸光スペクトルにおいて、前記平均粒径と同じ粒径、前記平均高さと同じ高さおよび同じ材質からなる金属系粒子を、金属系粒子間の距離がすべて１〜２μｍの範囲内となるように配置した参照金属系粒子集合体（Ｘ）と比べて、最も長波長側にあるピークの極大波長が３０〜５００ｎｍの範囲で短波長側にシフトしている［１］または［２］に記載の金属系粒子集合体の製造方法。

［５］ 前記金属系粒子集合体を構成する金属系粒子は、その平均粒径が２００〜１６００ｎｍの範囲内、平均高さが５５〜５００ｎｍの範囲内、前記平均高さに対する前記平均粒径の比で定義されるアスペクト比が１〜８の範囲内にあり、
前記金属系粒子集合体は、可視光領域における吸光スペクトルにおいて、前記平均粒径と同じ粒径、前記平均高さと同じ高さおよび同じ材質からなる金属系粒子を、金属系粒子間の距離がすべて１〜２μｍの範囲内となるように配置した参照金属系粒子集合体（Ｙ）よりも、同じ金属系粒子数での比較において、最も長波長側にあるピークの極大波長における吸光度が高い［１］または［２］に記載の金属系粒子集合体の製造方法。

［６］ 金属系粒子を成長させる工程における基板の温度が２５０〜３５０℃の範囲内である［１］〜［５］のいずれかに記載の金属系粒子集合体の製造方法。

［７］ 金属系粒子を成長させる工程が６Ｐａ以上の圧力下で行なわれる［１］〜［６］のいずれかに記載の金属系粒子集合体の製造方法。

［８］ 金属系粒子を成長させる工程が１０Ｐａ以上の圧力下で行なわれる［７］に記載の金属系粒子集合体の製造方法。

［９］ 金属系粒子を成長させる工程がスパッタリング法により行なわれる［１］〜［８］のいずれかに記載の金属系粒子集合体の製造方法。

［１０］ 金属系粒子を成長させる工程が直流スパッタリング法により行なわれる［９］に記載の金属系粒子集合体の製造方法。

［１１］ 金属系粒子を成長させる工程が直流アルゴンイオンスパッタリング法により行なわれる［１０］に記載の金属系粒子集合体の製造方法。

［１２］ 前記金属系粒子集合体を構成する金属系粒子が貴金属からなる［１］〜［１１］のいずれかに記載の金属系粒子集合体の製造方法。

［１３］ 前記金属系粒子集合体を構成する金属系粒子が銀からなる［１２］に記載の金属系粒子集合体の製造方法。

本発明の製造方法によれば、所定の形状（平均粒径、平均高さおよびアスペクト比）、さらには所定の平均粒子間距離を有する金属系粒子からなる金属系粒子集合体の薄膜を制御良く得ることができる。本発明の製造方法によって得られる金属系粒子集合体は、発光素子、光電変換素子（太陽電池素子など）等を含む光学素子の増強要素として極めて有用であり、適用した光学素子の発光効率や変換効率を顕著に向上させることができる。

実施例１で得られた金属系粒子集合体薄膜を直上から見たときのＳＥＭ画像（１００００倍および５００００倍スケール）である。 実施例１で得られた金属系粒子集合体薄膜のＡＦＭ画像である。 比較例１で得られた銀薄膜のＡＦＭ画像である。 実施例１で得られた金属系粒子集合体薄膜および比較例１で得られた銀薄膜の吸光スペクトルである。 参照金属系粒子集合体の製造方法を示す概略フロー図である。 参照金属系粒子集合体薄膜積層基板における参照金属系粒子集合体薄膜を直上から見たときのＳＥＭ画像（２００００倍および５００００倍スケール）である。 顕微鏡の対物レンズ（１００倍）を用いた吸光スペクトル測定方法を説明する図である。 顕微鏡の対物レンズ（１００倍）を用いた方法により測定された実施例１で得られた金属系粒子集合体薄膜積層基板の吸光スペクトルである。 比較例４−１で得られた金属系粒子集合体薄膜積層基板における金属系粒子集合体薄膜を直上から見たときのＳＥＭ画像（１００００倍スケール）である。 比較例４−１で得られた金属系粒子集合体薄膜積層基板における金属系粒子集合体薄膜のＡＦＭ画像である。 実施例４−１および比較例４−１で得られた金属系粒子集合体薄膜積層基板の、積分球分光光度計を用いた測定法による吸光スペクトルである。 比較例４−１で得られた金属系粒子集合体薄膜積層基板の、顕微鏡の対物レンズ（１００倍）を用いた測定法による吸光スペクトルである。 比較例１０−１で得られた金属系粒子集合体薄膜積層基板における金属系粒子集合体薄膜を直上から見たときのＳＥＭ画像（１００００倍および５００００倍スケール）である。 比較例１０−１で得られた金属系粒子集合体薄膜積層基板における金属系粒子集合体薄膜のＡＦＭ画像である。 比較例１０−１で得られた金属系粒子集合体薄膜積層基板の吸光スペクトルである。 図１６（ａ）は光励起発光素子の発光スペクトルの測定系を示す模式図であり、図１６（ｂ）は金属系粒子集合体膜および絶縁層を有する光励起発光素子を示す断面模式図である。 実施例４−１〜４−６の光励起発光素子における発光増強効果と、比較例４−１〜４−６の光励起発光素子における発光増強効果とを比較する図である。 実施例５−１〜５−５の光励起発光素子における発光増強効果と、比較例６−１〜６−５および比較例１０−１〜１０−５の光励起発光素子における発光増強効果とを比較する図である。 実施例６−１〜６−３の光励起発光素子における発光増強効果と、比較例８−１〜８−３の光励起発光素子における発光増強効果とを比較する図である。

＜金属系粒子集合体の製造方法＞
本発明の金属系粒子集合体の製造方法は、所定温度に調整された基板上に、極めて低速で金属系粒子を成長させる工程（以下、粒子成長工程ともいう。）を含むものである。かかる粒子成長工程を含む製造方法によれば、３０個以上の金属系粒子が互いに離間して二次元的に配置されており、該金属系粒子が、所定範囲内の形状（平均粒径２００〜１６００ｎｍ、平均高さ５５〜５００ｎｍおよびアスペクト比１〜８）、さらに好ましくは所定範囲内の平均粒子間距離（１〜１５０ｎｍ）を有する金属系粒子集合体の薄膜を制御良く得ることができる。

粒子成長工程において、基板上に金属系粒子を成長させる速度は、平均高さ成長速度で１ｎｍ／分未満、好ましくは０．５ｎｍ／分以下とされる。ここでいう平均高さ成長速度とは、平均堆積速度または金属系粒子の平均厚み成長速度とも呼ぶことができ、下記式：
金属系粒子の平均高さ／金属系粒子成長時間（金属系材料の供給時間）
で定義される。「金属系粒子の平均高さ」の定義は後述するとおりである。

粒子成長工程における基板の温度は、１００〜４５０℃の範囲内とされ、好ましくは２００〜４５０℃、より好ましくは２５０〜３５０℃、さらに好ましくは３００℃またはその近傍（３００℃±１０℃程度）である。

１００〜４５０℃の範囲内に温度調整された基板上に、１ｎｍ／分未満の平均高さ成長速度で金属系粒子を成長させる粒子成長工程を含む本発明の製造方法では、粒子成長初期において、供給された金属系材料からなる島状構造物が複数形成され、この島状構造物が、さらなる金属系材料の供給を受けて大きく成長しながら、周囲の島状構造物と合体していき、その結果、個々の金属系粒子が互いに完全に分離されていながらも、比較的平均粒径の大きい粒子が密に配置された金属系粒子集合体が形成される。したがって、所定範囲内の形状（平均粒径、平均高さおよびアスペクト比）、さらに好ましくは所定範囲内の平均粒子間距離を有するように制御された金属系粒子からなる金属系粒子集合体を製造することが可能となる。

また、平均高さ成長速度、基板温度および／または金属系粒子の成長時間（金属系材料の供給時間）の調整によって、基板上に成長される金属系粒子の平均粒径、平均高さ、アスペクト比および／または平均粒子間距離を所定の範囲内で制御することも可能である。

さらに、本発明の製造方法によれば、粒子成長工程における基板温度および平均高さ成長速度以外の諸条件を比較的自由に選択できることから、所望のサイズの基板上に所望のサイズの金属系粒子集合体薄膜を効率的に形成できるという利点もある。

平均高さ成長速度が１ｎｍ／分以上である場合や、基板温度が１００℃未満または４５０℃を超える場合には、島状構造物が大きく成長する前に周囲の島状構造物と連続体を形成し、互いに完全に分離された大粒径の金属系粒子からなる金属系集合体を得ることができないか、または、所望の形状を有する金属系粒子からなる金属系集合体を得ることができない（たとえば平均高さや平均粒子間距離、アスペクト比が所望の範囲から外れてしまう）。

金属系粒子を成長させる際の圧力（装置チャンバ内の圧力）は、粒子成長可能な圧力である限り特に制限されないが、通常、大気圧未満である。圧力の下限は特に制限されないが、平均高さ成長速度を上記範囲内に調整し易いことから、好ましくは６Ｐａ以上、より好ましくは１０Ｐａ以上、さらに好ましくは３０Ｐａ以上である。

基板上に金属系粒子を成長させる具体的方法は、１ｎｍ／分未満の平均高さ成長速度で粒子成長できる方法である限り特に制限されないが、スパッタリング法、真空蒸着等の蒸着法を挙げることができる。スパッタリング法のなかでも、比較的簡便に金属系粒子集合体を成長させることができ、かつ、１ｎｍ／分未満の平均高さ成長速度を維持しやすいことから、直流（ＤＣ）スパッタリング法を用いることが好ましい。スパッタンリング方式は特に制限されず、イオンガンやプラズマ放電で発生したアルゴンイオンを電界で加速してターゲットに照射する直流アルゴンイオンスパッタリング法などを用いることができる。スパッタリング法における電流値、電圧値、基板・ターゲット間距離等の他の諸条件は、１ｎｍ／分未満の平均高さ成長速度で粒子成長がなされるよう適宜調整される。

なお、所定範囲内の形状（平均粒径、平均高さおよびアスペクト比）、さらに好ましくは所定範囲内の平均粒子間距離を有する金属系粒子からなる金属系粒子集合体の薄膜を制御良く得るためには、粒子成長工程において平均高さ成長速度を１ｎｍ／分未満とすることに加えて、平均粒径成長速度を５ｎｍ未満とすることが好ましいが、平均高さ成長速度が１ｎｍ／分未満である場合、通常、平均粒径成長速度は５ｎｍ未満となる。平均粒径成長速度は、より好ましくは１ｎｍ／分以下である。平均粒径成長速度とは、下記式：
金属系粒子の平均粒径／金属系粒子成長時間（金属系材料の供給時間）
で定義される。「金属系粒子の平均粒径」の定義は後述するとおりである。

粒子成長工程における金属系粒子の成長時間（金属系材料の供給時間）は、少なくとも、基板上に担持された金属系粒子が所定範囲内の形状、さらに好ましくは所定範囲内の平均粒子間距離に達する時間であり、かつ、当該所定範囲内の形状、平均粒子間距離から逸脱し始める時間未満である。たとえば、上記所定範囲内の平均高さ成長速度および基板温度で粒子成長を行なっても、成長時間が極端に長すぎる場合には、金属系材料の担持量が多くなり過ぎて、互いに離間して配置された金属系粒子の集合体とはならずに連続膜となったり、金属系粒子の平均粒径や平均高さが大きくなり過ぎたりする。

したがって、金属系粒子の成長時間を適切な時間に設定する（粒子成長工程を適切な時間で停止する）必要があるが、このような時間の設定は、たとえば、あらかじめ予備実験を行なうことにより得られる、平均高さ成長速度および基板温度と、得られる金属系粒子集合体における金属系粒子の形状および平均粒子間距離との関係に基づいて行なうことができる。あるいは、基板上に成長された金属系材料からなる薄膜が導電性を示すまでの時間（すなわち、薄膜が金属系粒子集合体膜ではなく、連続膜となってしまう時間）をあらかじめ予備実験により求めておき、この時間に達するまでに粒子成長工程を停止するようにしてもよい。

金属系粒子集合体を構成する金属系粒子（基板上に供給される金属系材料）は、ナノ粒子またはその集合体としたときに、吸光光度法による吸光スペクトル測定において紫外〜可視領域に現れるプラズモン共鳴ピーク（以下、プラズモンピークともいう。）を示す材料からなる限り特に限定されず、たとえば、金、銀、銅、白金、パラジウム等の貴金属や、アルミニウム、タンタル等の金属；該貴金属または金属を含有する合金；該貴金属または金属を含む金属化合物（金属酸化物や金属塩など）を挙げることができる。これらのなかでも、金、銀、銅、白金、パラジウム等の貴金属が好ましく、安価で吸収が小さい（可視光波長において誘電関数の虚部が小さい）という観点からは銀であることがより好ましい。ただし、金属系材料の種類は、金属系粒子集合体を増強要素として適用する光学素子の種類に応じて適切に選択されることが好ましい。

ここで、本発明の製造方法によって得られる基板上に形成される金属系粒子集合体の薄膜において、金属系粒子間は互いに絶縁されている、換言すれば、隣り合う金属系粒子との間に関して非導電性（金属系粒子集合体薄膜として非導電性）であることが好ましい。一部もしくは全ての金属系粒子間で電子の授受が可能であると、プラズモンピークは先鋭さを失い、バルク金属の吸光スペクトルに近づき、また高いプラズモン共鳴が得られない。したがって、金属系粒子間は確実に離間されており、金属系粒子間には導電性物質が介在されないことが好ましい。

金属系粒子集合体薄膜の非導電性を確保する観点から、基板としては非導電性基板を用いることが好ましい。非導電性基板としては、ガラス、各種無機絶縁材料（ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂、マイカ等）、各種プラスチック材料を用いることができる。なかでも、たとえば発光素子に適用したときに、基板表面（金属系粒子集合体薄膜とは反対側の面）からの光取り出しが可能になることから、透光性を有する基板を用いることが好ましく、光学的に透明な基板を用いることがより好ましい。

金属系粒子を成長させる基板表面は、できるだけ平滑であることが好ましく、とりわけ、たとえばマイカの剥離面のように原子レベルで平滑であることがより好ましい。基板表面が平滑であるほど、基板から受け取った熱エネルギーにより、成長中の金属系粒子が別の周囲の隣接金属系粒子と合体成長しやすくなるため、より大きなサイズの金属系粒子からなる膜が得られやすい傾向にある。

なお、本発明の製造方法は、後で詳述するように、金属系粒子集合体の薄膜表面に絶縁層を形成する工程を含んでいてもよい。

＜金属系粒子集合体＞
上述のように、本発明に係る製造方法によれば、３０個以上の金属系粒子が互いに離間して二次元的に配置されており、該金属系粒子の平均粒径が２００〜１６００ｎｍの範囲内、平均高さが５５〜５００ｎｍの範囲内、平均高さに対する平均粒径の比で定義されるアスペクト比が１〜８の範囲内である金属系粒子集合体の薄膜を制御良く得ることができる。

本発明に係る製造方法によって得られる金属系粒子集合体は、さらに下記のいずれかの特徴を有する。

〔ｉ〕金属系粒子集合体を構成する金属系粒子が、その隣り合う金属系粒子との平均距離（平均粒子間距離）が１〜１５０ｎｍの範囲内となるように配置されている、
〔ｉｉ〕金属系粒子集合体は、可視光領域における吸光スペクトルにおいて、上記平均粒径と同じ粒径、上記平均高さと同じ高さおよび同じ材質からなる金属系粒子を、金属系粒子間の距離がすべて１〜２μｍの範囲内となるように配置した参照金属系粒子集合体（Ｘ）と比べて、最も長波長側にあるピークの極大波長が３０〜５００ｎｍの範囲で短波長側にシフトしている、
〔ｉｉｉ〕金属系粒子集合体は、可視光領域における吸光スペクトルにおいて、上記平均粒径と同じ粒径、上記平均高さと同じ高さおよび同じ材質からなる金属系粒子を、金属系粒子間の距離がすべて１〜２μｍの範囲内となるように配置した参照金属系粒子集合体（Ｙ）よりも、同じ金属系粒子数での比較において、最も長波長側にあるピークの極大波長における吸光度が高い。

本明細書において、金属系粒子集合体の平均粒径および平均高さが参照金属系粒子集合体（Ｘ）または（Ｙ）と「同じ」であるとは、平均粒径の差が±５ｎｍの範囲内であり、平均高さの差が±１０ｎｍの範囲内であることをいう。

（金属系粒子集合体〔ｉ〕）
上記〔ｉ〕の特徴を有する金属系粒子集合体（金属系粒子集合体〔ｉ〕）は、次の点において極めて有利である。

（１）極めて強いプラズモン共鳴を示すため、発光素子に適用した場合には、従来のプラズモン材料を用いる場合と比較して、より強い発光増強効果を得ることができ、これにより発光効率を飛躍的に高めることができる。また、光電変換素子に適用した場合には、その変換効率を飛躍的に高めることができる。金属系粒子集合体〔ｉ〕が示すプラズモン共鳴の強さは、特定波長における個々の金属系粒子が示す局在プラズモン共鳴の単なる総和ではなく、それ以上の強さである。すなわち、３０個以上の所定形状の金属系粒子が上記の所定間隔で密に配置されることにより、個々の金属系粒子が相互作用して、極めて強いプラズモン共鳴が発現する。これは、金属系粒子の局在プラズモン間の相互作用により発現したものと考えられる。

一般にプラズモン材料は、吸光光度法で吸光スペクトルを測定したとき、紫外〜可視領域におけるピークとしてプラズモンピークが観測され、このプラズモンピークの極大波長における吸光度値の大小から、そのプラズモン材料のプラズモン共鳴の強さを略式に評価することができるが、ガラス基板上に形成された金属系粒子集合体〔ｉ〕は、吸光スペクトルを測定したとき、可視光領域において最も長波長側にあるプラズモンピークの極大波長における吸光度が１以上、さらには１．５以上、なおさらには２程度となり得る。

金属系粒子集合体の吸光スペクトルは、ガラス基板上に形成したものを測定サンプルとして、吸光光度法によって測定される。具体的には、吸光スペクトルは、金属系粒子集合体薄膜が積層されたガラス基板の裏面側（金属系粒子集合体薄膜とは反対側）であって、基板面に垂直な方向から紫外〜可視光領域の入射光を照射し、金属系粒子集合体薄膜側に透過した全方向における透過光の強度Ｉと、該測定サンプルの基板と同じ厚み、材質の基板であって、金属系粒子集合体薄膜が積層されていない基板の面に垂直な方向から先と同じ入射光を照射し、入射面の反対側から透過した全方向における透過光の強度Ｉ₀を、それぞれ積分球分光光度計を用いて測定することにより得られる。このとき、吸光スペクトルの縦軸である吸光度は、下記式：
吸光度＝−ｌｏｇ₁₀（Ｉ／Ｉ₀）
で表される。

（２）プラズモン共鳴の作用範囲（プラズモンによる増強効果の及ぶ範囲）が著しく伸長されている。このような伸長作用もまた、３０個以上の所定形状の金属系粒子を所定間隔で密に配置したことによって生じた金属系粒子の局在プラズモン間の相互作用により発現したものと考えられる。金属系粒子集合体〔ｉ〕によれば、従来では概ねフェルスター距離の範囲内（約１０ｎｍ以下）に限定されていたプラズモン共鳴の作用範囲を、たとえば数百ｎｍ程度まで伸長することができる。

上記のようなプラズモン共鳴の作用範囲の伸長は、発光素子や光電変換素子（太陽電子素子など）等の光学素子の増強に極めて有利である。すなわち、この作用範囲の大幅な伸長によって、通常数十ｎｍまたはそれ以上の厚みを有する活性層（発光素子における発光層や光電変換素子における光吸収層など）の全体を増強させることが可能になり、これにより光学素子の増強効果（発光効率や変換効率など）を著しく向上させることができる。

また、従来のプラズモン材料においては、プラズモン材料を活性層との距離がフェルスター距離の範囲内となるように配置する必要があったが、金属系粒子集合体〔ｉ〕によれば、活性層から、たとえば１０ｎｍ、さらには数十ｎｍ（たとえば２０ｎｍ）、なおさらには数百ｎｍ離れた位置に配置してもプラズモン共鳴による増強効果を得ることができる。このことは、たとえば発光素子であれば、発光層からかなり離れた光取り出し面近傍にプラズモン材料（金属系粒子集合体）を配置することが可能になることを意味しており、これにより光取り出し効率を大幅に向上させることができる。従来のプラズモン材料を利用した発光素子では、プラズモン材料を発光層の極めて近傍に配置せざるを得ず、プラズモン材料と光取り出し面との距離が大きく離れていたため、生じた光が光取り出し面に到達するまでの間に、その多くが、通過する各種発光素子構成層の界面で全反射されてしまい、光取り出し効率が極めて小さくなることがあった。

このように金属系粒子集合体〔ｉ〕は、それ単独では双極子型の局在プラズモンが可視光領域で生起し難い比較的大型の金属系粒子を用いるにもかかわらず、このような大型の金属系粒子（所定の形状を有していることが必要であるが）の特定数以上を、特定の間隔を置いて密に配置することにより、当該大型の金属系粒子が内包する極めて多数の表面自由電子を有効にプラズモンとして励起することができ、著しく強いプラズモン共鳴およびプラズモン共鳴の作用範囲の著しい伸長の実現を可能にしたものである。

また、金属系粒子集合体〔ｉ〕は、特定の形状を有する比較的大型な金属系粒子の特定数以上を二次元的に特定の間隔で離間して配置した構造を有していることに起因して、次のような有利な効果を奏し得る。

（３）可視光領域における吸光スペクトルにおいて、金属系粒子の平均粒径および平均粒子間距離に依存して、プラズモンピークの極大波長が特異なシフトを示し得る。具体的には、平均粒子間距離を一定にして金属系粒子の平均粒径を大きくするに従い、可視光領域において最も長波長側にあるプラズモンピークの極大波長が短波長側にシフト（ブルーシフト）する。同様に、大型の金属系粒子の平均粒径を一定にして平均粒子間距離を小さくするに従い（金属系粒子をより密に配置すると）、可視光領域において最も長波長側にあるプラズモンピークの極大波長が短波長側にシフトする。この特異な現象は、プラズモン材料に関して一般的に認められているミー散乱理論〔この理論に従えば、粒径が大きくなるとプラズモンピークの極大波長は長波長側にシフト（レッドシフト）する。〕に反するものである。

上記のような特異なブルーシフトもまた、金属系粒子集合体〔ｉ〕が大型の金属系粒子を特定の間隔を置いて密に配置した構造を有しており、これに伴い、金属系粒子の局在プラズモン間の相互作用が生じていることによるものと考えられる。金属系粒子集合体〔ｉ〕（ガラス基板上に積層した状態）は、金属系粒子の形状や平均粒子間距離に応じて、吸光光度法によって測定される可視光領域における吸光スペクトルにおいて、最も長波長側にあるプラズモンピークが、たとえば３５０〜５５０ｎｍの波長領域に極大波長を示し得る。また、金属系粒子集合体〔ｉ〕は、金属系粒子が十分に長い粒子間距離（たとえば１μｍ）を置いて配置される場合と比較して、典型的には３０〜５００ｎｍ程度（たとえば３０〜２５０ｎｍ）のブルーシフトを生じ得る。

このような、従来のものと比べてプラズモンピークの極大波長がブルーシフトしている金属系粒子集合体は、たとえば次の点で極めて有利である。すなわち、高い発光効率を示す青色（もしくはその近傍波長領域、以下同様）発光材料（特に青色燐光材料）の実現が強く求められている一方で、十分実用に耐えるこのような材料の開発が現状では困難であるところ、たとえば青色の波長領域にプラズモンピークを有する金属系粒子集合体〔ｉ〕を増強要素として発光素子に適用することにより、比較的発光効率の低い青色発光材料を用いる場合であっても、その発光効率を十分な程度にまで増強させることができる。また、光電変換素子（太陽電池素子など）に適用した場合には、たとえば共鳴波長をブルーシフトさせることによって活性層自体では利用できなかった波長領域を有効利用できるようになり、変換効率を向上させ得る。

次に、金属系粒子集合体〔ｉ〕の具体的構成についてより詳細に説明する。
金属系粒子の平均粒径は２００〜１６００ｎｍの範囲内であり、上記（１）〜（３）の効果を効果的に得るために、好ましくは２００〜１２００ｎｍ、より好ましくは２５０〜５００ｎｍ、さらに好ましくは３００〜５００ｎｍの範囲内である。金属系粒子の平均粒径は、金属系粒子集合体を増強要素として適用する光学素子の種類や金属系粒子を構成する材料の種類に応じて適切に選択されることが好ましい。

ここで特筆すべき点は、たとえば平均粒径５００ｎｍという大型の金属系粒子は、上述のように、それ単独では局在プラズモンによる増強効果がほとんど認められないということである。これに対し金属系粒子集合体〔ｉ〕は、このような大型の金属系粒子の所定数（３０個）以上を所定の間隔で密に配置することにより、著しく強いプラズモン共鳴およびプラズモン共鳴の作用範囲の著しい伸長、さらには上記（３）の効果を実現するものである。

金属系粒子の平均粒径とは、二次元的に金属系粒子が配置された金属系粒子集合体薄膜の直上からのＳＥＭ観察画像において、無作為に粒子を１０個選択し、各粒子像内に無作為に接線径を５本引き（ただし、接線径となる直線はいずれも粒子像内部のみを通ることができ、このうち１本は粒子内部のみ通り、最も長く引ける直線であるものとする）、その平均値を各粒子の粒径としたときの、選択した１０個の粒径の平均値である。接線径とは、粒子の輪郭（投影像）をこれに接する２本の平行線で挟んだときの間隔（日刊工業新聞社 「粒子計測技術」，１９９４，第５頁）を結ぶ垂線と定義する。

金属系粒子の平均高さは５５〜５００ｎｍの範囲内であり、上記（１）〜（３）の効果を効果的に得るために、好ましくは５５〜３００ｎｍ、より好ましくは７０〜１５０ｎｍの範囲内である。金属系粒子の平均高さとは、金属系粒子集合体薄膜のＡＦＭ観察画像において、無作為に粒子を１０個選択し、これら１０個の粒子の高さを測定したときの、１０個の測定値の平均値である。

金属系粒子のアスペクト比は１〜８の範囲内であり、この範囲内で金属系粒子集合体を増強要素として適用する光学素子の種類に応じて適切に選択することが好ましい。たとえば発光素子の増強要素として用いる場合には、金属系粒子は扁平形状を有することが好ましい傾向にあり、この場合、より高い増強効果を得るために、アスペクト比は２〜８であることが好ましく、２．５〜８であることがより好ましい。一方、光電変換素子の増強要素として用いる場合、より高い増強効果を得るためには、金属系粒子は真球状に近いほど好ましい傾向にある。金属系粒子のアスペクト比は、上記平均高さに対する上記平均粒径の比（平均粒径／平均高さ）で定義される。

金属系粒子は、効果の高いプラズモンを励起する観点から、その表面が滑らかな曲面からなることが好ましいが、表面に微小な凹凸（粗さ）を幾分含んでいてもよく、このような意味において金属系粒子は不定形であってもよい。

金属系粒子集合体の面内におけるプラズモン共鳴の強さの均一性に鑑み、金属系粒子間のサイズのバラツキはできるだけ小さいことが好ましい。ただし、粒径に多少バラツキが生じたとしても、大型粒子間の距離が大きくなることは好ましくなく、その間を小型の粒子が埋めることで大型粒子間の相互作用を発現しやすくすることが好ましい。

金属系粒子集合体〔ｉ〕において金属系粒子は、その隣り合う金属系粒子との平均距離（平均粒子間距離）が１〜１５０ｎｍの範囲内となるように配置される。このように金属系粒子を密に配置することにより、著しく強いプラズモン共鳴およびプラズモン共鳴の作用範囲の著しい伸長、さらには上記（３）の効果を実現することができる。平均粒子間距離は、上記（１）〜（３）の効果を効果的に得るために、好ましくは１〜１００ｎｍ、より好ましくは１〜５０ｎｍ、さらに好ましくは１〜２０ｎｍの範囲内である。平均粒子間距離が１ｎｍ未満であると、粒子間でデクスター機構に基づく電子移動が生じ、局在プラズモンの失活の点で不利となる。

平均粒子間距離とは、二次元的に金属系粒子が配置された金属系粒子集合体薄膜の直上からのＳＥＭ観察画像において、無作為に粒子を３０個選択し、選択したそれぞれの粒子について、隣り合う粒子との粒子間距離を求めたときの、これら３０個の粒子の粒子間距離の平均値である。隣り合う粒子との粒子間距離とは、すべての隣り合う粒子との距離（表面同士間の距離である）をそれぞれ測定し、これらを平均した値である。

金属系粒子集合体〔ｉ〕に含まれる金属系粒子の数は３０個以上であり、好ましくは５０個以上である。金属系粒子を３０個以上含む集合体を形成することにより、金属系粒子の局在プラズモン間の相互作用によって極めて強いプラズモン共鳴およびプラズモン共鳴の作用範囲の伸長が発現する。

金属系粒子集合体〔ｉ〕を増強素子として光学素子に適用する場合、光学素子の一般的な素子面積に照らせば、金属系粒子集合体〔ｉ〕に含まれる金属系粒子の数は、たとえば３００個以上、さらには１７５００個以上となり得る。

金属系粒子集合体〔ｉ〕における金属系粒子の数密度は、７個／μｍ²以上であることが好ましく、１５個／μｍ²以上であることがより好ましい。

（金属系粒子集合体〔ｉｉ〕）
上記〔ｉｉ〕の特徴を有する金属系粒子集合体（金属系粒子集合体〔ｉｉ〕）は、次の点において極めて有利である。

（Ｉ）可視光領域における吸光スペクトルにおいて、最も長波長側にあるプラズモンピークの極大波長が特異的な波長領域に存在する。具体的には、金属系粒子集合体〔ｉｉ〕は、吸光スペクトルを測定したとき、上記プラズモンピークの極大波長が、後述する参照金属系粒子集合体（Ｘ）の極大波長に比べて、３０〜５００ｎｍの範囲（たとえば３０〜２５０ｎｍの範囲）で短波長側にシフト（ブルーシフト）しており、典型的には、上記プラズモンピークの極大波長は３５０〜５５０ｎｍの範囲内にある。

このような青色またはその近傍波長領域にプラズモンピークを有し得る金属系粒子集合体〔ｉｉ〕は、青色またはその近傍波長領域の発光材料を用いた発光素子の発光増強などに極めて有用であり、かかる金属系粒子集合体〔ｉｉ〕を備える発光素子では、比較的発光効率の低い青色発光材料を用いる場合であっても、その発光効率を十分な程度にまで増強させることができる。また、光電変換素子（太陽電池素子など）に適用した場合には、たとえば共鳴波長をブルーシフトさせることによって活性層自体では利用できなかった波長領域を有効利用できるようになり、変換効率を向上させ得る。

上記ブルーシフトは、金属系粒子集合体〔ｉｉ〕が特定の形状を有する大型な金属系粒子の特定数以上を二次元的に離間して配置した構造を有しており、これに伴い、金属系粒子の局在プラズモン間の相互作用が生じていることによるものと考えられる。

ここで、ある金属系粒子集合体と参照金属系粒子集合体（Ｘ）との間で最も長波長側にあるピークの極大波長や該極大波長における吸光度を比較する場合には、両者について、顕微鏡（Ｎｉｋｏｎ社製「ＯＰＴＩＰＨＯＴ−８８」と分光光度計（大塚電子社製「ＭＣＰＤ−３０００」）とを用い、測定視野を絞って吸光スペクトル測定を行なう。

参照金属系粒子集合体（Ｘ）は、吸光スペクトル測定の対象となる金属系粒子集合体が有する平均粒径、平均高さと同じ粒径、高さおよび同じ材質を有する金属系粒子Ａを、金属系粒子間の距離がすべて１〜２μｍの範囲内となるように配置した金属系粒子集合体であって、ガラス基板に積層した状態で、上記の顕微鏡を利用した吸光スペクトル測定を行ない得る程度の大きさを有するものである。

参照金属系粒子集合体（Ｘ）の吸光スペクトル波形は、金属系粒子Ａの粒径および高さ、金属系粒子Ａの材質の誘電関数、金属系粒子Ａ周辺の媒体（たとえば空気）の誘電関数、基板（たとえばガラス基板）の誘電関数を用いて、３Ｄ−ＦＤＴＤ法によって理論上計算することも可能である。

また、金属系粒子集合体〔ｉｉ〕は、特定の形状を有する比較的大型な金属系粒子の特定数以上を二次元的に離間して配置した構造を有していることに起因して、（ＩＩ）極めて強いプラズモン共鳴を示し得る（上記金属系粒子集合体〔ｉ〕の効果（１）と同様）、および（ＩＩＩ）プラズモン共鳴の作用範囲（プラズモンによる増強効果の及ぶ範囲）が著しく伸長され得る（上記金属系粒子集合体〔ｉ〕の効果（２）と同様）、などの効果を奏し得る。金属系粒子集合体〔ｉｉ〕は、これをガラス基板上に積層した状態で吸光スペクトルを測定したとき、可視光領域において最も長波長側にあるプラズモンピークの極大波長における吸光度が１以上、さらには１．５以上、なおさらには２程度となり得る。

金属系粒子集合体〔ｉｉ〕の具体的構成は、金属系粒子集合体〔ｉ〕の具体的構成（金属系粒子の材質、平均粒径、平均高さ、アスペクト比、平均粒子間距離、金属系粒子の数、金属系粒子集合体の非導電性など）と基本的には同様であることができる。平均粒径、平均高さ、アスペクト比、平均粒子間距離などの用語の定義も金属系粒子集合体〔ｉ〕と同じである。

金属系粒子の平均粒径は２００〜１６００ｎｍの範囲内であり、上記（Ｉ）〜（ＩＩＩ）の効果を効果的に得るために、好ましくは２００〜１２００ｎｍ、より好ましくは２５０〜５００ｎｍ、さらに好ましくは３００〜５００ｎｍの範囲内である。このような大型の金属系粒子の所定数（３０個）以上を二次元的に配置した集合体とすることにより、著しく強いプラズモン共鳴およびプラズモン共鳴の作用範囲の著しい伸長の実現が可能となる。また、上記〔ｉｉ〕の特徴（短波長側へのプラズモンピークのシフト）を発現させるうえでも、金属系粒子は、平均粒径が２００ｎｍ以上であることが必須であり、好ましくは２５０ｎｍ以上である。金属系粒子の平均粒径は、金属系粒子集合体を増強要素として適用する光学素子の種類や金属系粒子を構成する材料の種類に応じて適切に選択されることが好ましい。

金属系粒子集合体〔ｉｉ〕では、可視光領域において最も長波長側にあるプラズモンピークの極大波長は、金属系粒子の平均粒径に依存する。すなわち、金属系粒子の平均粒径が一定の値を超えると、当該プラズモンピークの極大波長は短波長側にシフト（ブルーシフト）する。

金属系粒子の平均高さは５５〜５００ｎｍの範囲内であり、上記（Ｉ）〜（ＩＩＩ）の効果を効果的に得るために、好ましくは５５〜３００ｎｍ、より好ましくは７０〜１５０ｎｍの範囲内である。金属系粒子のアスペクト比は１〜８の範囲内であり、金属系粒子集合体〔ｉ〕と同様、この範囲内で金属系粒子集合体を増強要素として適用する光学素子の種類に応じて適切に選択することが好ましい。

金属系粒子集合体〔ｉｉ〕において金属系粒子は、平均粒子間距離が１〜１５０ｎｍの範囲内となるように配置されることが好ましい。より好ましくは１〜１００ｎｍ、さらに好ましくは１〜５０ｎｍ、特に好ましくは１〜２０ｎｍの範囲内である。このように金属系粒子を密に配置することにより、金属系粒子の局在プラズモン間の相互作用が効果的に生じ、上記（Ｉ）〜（ＩＩＩ）の効果が発現されやすくなる。プラズモンピークの極大波長は、金属系粒子の平均粒子間距離に依存するので、平均粒子間距離の調整により、最も長波長側にあるプラズモンピークのブルーシフトの程度や当該プラズモンピークの極大波長を制御することが可能である。平均粒子間距離が１ｎｍ未満であると、粒子間でデクスター機構に基づく電子移動が生じ、局在プラズモンの失活の点で不利となる。

金属系粒子集合体〔ｉｉ〕に含まれる金属系粒子の数は３０個以上であり、好ましくは５０個以上である。金属系粒子を３０個以上含む集合体を形成することにより、金属系粒子の局在プラズモン間の相互作用が効果的に生じ、上記〔ｉｉ〕の特徴および上記（Ｉ）〜（ＩＩＩ）の効果の発現が可能となる。

金属系粒子集合体〔ｉｉ〕を増強素子として光学素子に適用する場合、光学素子の一般的な素子面積に照らせば、金属系粒子集合体〔ｉｉ〕に含まれる金属系粒子の数は、たとえば３００個以上、さらには１７５００個以上となり得る。

金属系粒子集合体〔ｉｉ〕における金属系粒子の数密度は、７個／μｍ²以上であることが好ましく、１５個／μｍ²以上であることがより好ましい。

（金属系粒子集合体〔ｉｉｉ〕）
上記〔ｉｉｉ〕の特徴を有する金属系粒子集合体（金属系粒子集合体〔ｉｉｉ〕）は、次の点において極めて有利である。

（Ａ）プラズモンピークである可視光領域において最も長波長側にあるピークの極大波長における吸光度が、金属系粒子が何らの粒子間相互作用もなく単に集合した集合体とみなすことができる後述の参照金属系粒子集合体（Ｙ）よりも大きく、したがって、極めて強いプラズモン共鳴を示すため、発光素子に適用した場合には、従来のプラズモン材料を用いる場合と比較して、より強い発光増強効果を得ることができ、これにより発光効率を飛躍的に高めることができる。また、光電変換素子に適用した場合には、この変換効率を飛躍的に高めることができる。このような強いプラズモン共鳴は、金属系粒子の局在プラズモン間の相互作用により発現したものと考えられる。

上記のように、プラズモンピークの極大波長における吸光度値の大小から、そのプラズモン材料のプラズモン共鳴の強さを略式に評価することが可能であるが、金属系粒子集合体〔ｉｉｉ〕は、これをガラス基板上に積層した状態で吸光スペクトルを測定したとき、可視光領域において最も長波長側にあるプラズモンピークの極大波長における吸光度が１以上、さらには１．５以上、なおさらには２程度となり得る。

上述のように、ある金属系粒子集合体と参照金属系粒子集合体（Ｙ）との間で最も長波長側にあるピークの極大波長や該極大波長における吸光度を比較する場合には、両者について、顕微鏡（Ｎｉｋｏｎ社製「ＯＰＴＩＰＨＯＴ−８８」と分光光度計（大塚電子社製「ＭＣＰＤ−３０００」）とを用い、測定視野を絞って吸光スペクトル測定を行なう。

参照金属系粒子集合体（Ｙ）は、吸光スペクトル測定の対象となる金属系粒子集合体が有する平均粒径、平均高さと同じ粒径、高さおよび同じ材質を有する金属系粒子Ｂを、金属系粒子間の距離がすべて１〜２μｍの範囲内となるように配置した金属系粒子集合体であって、ガラス基板に積層した状態で、上記の顕微鏡を利用した吸光スペクトル測定を行ない得る程度の大きさを有するものである。

吸光スペクトル測定の対象となる金属系粒子集合体と参照金属系粒子集合体（Ｙ）との間で、最も長波長側にあるピークの極大波長における吸光度を比較する際には、以下に述べるように、同じ金属系粒子数になるように換算した参照金属系粒子集合体（Ｙ）の吸光スペクトルを求め、当該吸光スペクトルにおける最も長波長側にあるピークの極大波長における吸光度を比較の対象とする。具体的には、金属系粒子集合体と参照金属系粒子集合体（Ｙ）の吸光スペクトルをそれぞれ求め、それぞれの吸光スペクトルにおける最も長波長側にあるピークの極大波長における吸光度を、それぞれの被覆率（金属系粒子による基板表面の被覆率）で除した値を算出し、これらを比較する。

また、金属系粒子集合体〔ｉｉｉ〕は、特定の形状を有する比較的大型な金属系粒子の特定数以上を二次元的に離間して配置した構造を有していることに起因して、（Ｂ）プラズモン共鳴の作用範囲（プラズモンによる増強効果の及ぶ範囲）が著しく伸長され得る（上記金属系粒子集合体〔ｉ〕の効果（２）と同様）、および（Ｃ）プラズモンピークの極大波長が特異なシフトを示し得る（上記金属系粒子集合体〔ｉ〕の効果（３）と同様）、などの効果を奏し得る。

金属系粒子集合体〔ｉｉｉ〕（ガラス基板上に積層した状態）は、金属系粒子の形状や平均粒子間距離に応じて、吸光光度法によって測定される可視光領域における吸光スペクトルにおいて、最も長波長側にあるプラズモンピークが、たとえば３５０〜５５０ｎｍの波長領域に極大波長を示し得る。また、金属系粒子集合体〔ｉｉｉ〕は、金属系粒子が十分に長い粒子間距離（たとえば１μｍ）を置いて配置される場合と比較して、典型的には３０〜５００ｎｍ程度（たとえば３０〜２５０ｎｍ）のブルーシフトを生じ得る。

金属系粒子集合体〔ｉｉｉ〕の具体的構成は、金属系粒子集合体〔ｉ〕の具体的構成（金属系粒子の材質、平均粒径、平均高さ、アスペクト比、平均粒子間距離、金属系粒子の数、金属系粒子集合体の非導電性など）と基本的には同様であることができる。平均粒径、平均高さ、アスペクト比、平均粒子間距離などの用語の定義も金属系粒子集合体〔ｉ〕と同じである。

金属系粒子の平均粒径は２００〜１６００ｎｍの範囲内であり、上記〔ｉｉｉ〕の特徴（最も長波長側にあるプラズモンピークの極大波長における吸光度が参照金属系粒子集合体（Ｙ）のそれよりも高いという特徴）、さらには上記（Ａ）〜（Ｃ）の効果を効果的に得るために、好ましくは２００〜１２００ｎｍ、より好ましくは２５０〜５００ｎｍ、さらに好ましくは３００〜５００ｎｍの範囲内である。このように、比較的大型の金属系粒子を形成することが肝要であり、大型の金属系粒子の所定数（３０個）以上を二次元的に配置した集合体とすることにより、著しく強いプラズモン共鳴、さらにはプラズモン共鳴の作用範囲の著しい伸長、短波長側へのプラズモンピークのシフトの実現が可能となる。金属系粒子の平均粒径は、金属系粒子集合体を増強要素として適用する光学素子の種類や金属系粒子を構成する材料の種類に応じて適切に選択されることが好ましい。

金属系粒子の平均高さは５５〜５００ｎｍの範囲内であり、上記〔ｉｉｉ〕の特徴、さらには上記（Ａ）〜（Ｃ）の効果を効果的に得るために、好ましくは５５〜３００ｎｍ、より好ましくは７０〜１５０ｎｍの範囲内である。金属系粒子のアスペクト比は１〜８の範囲内であり、金属系粒子集合体〔ｉ〕と同様、この範囲内で金属系粒子集合体を増強要素として適用する光学素子の種類に応じて適切に選択することが好ましい。

上記〔ｉｉｉ〕の特徴が効果的に得られることから、金属系粒子集合体〔ｉｉｉ〕を構成する金属系粒子は、それらのサイズおよび形状（平均粒径、平均高さ、アスペクト比）ができるだけ均一であることが好ましい。すなわち、金属系粒子のサイズおよび形状を均一にすることにより、プラズモンピークが先鋭化し、これに伴い、最も長波長側にあるプラズモンピークの吸光度が参照金属系粒子集合体（Ｙ）のそれよりも高くなりやすくなる。金属系粒子間のサイズおよび形状のバラツキの低減は、金属系粒子集合体面内におけるプラズモン共鳴の強さの均一性の観点からも有利である。ただし上述のように、粒径に多少バラツキが生じたとしても、大型粒子間の距離が大きくなることは好ましくなく、その間を小型の粒子が埋めることで大型粒子間の相互作用を発現しやすくすることが好ましい。

金属系粒子集合体〔ｉｉｉ〕において金属系粒子は、平均粒子間距離が１〜１５０ｎｍの範囲内となるように配置されることが好ましい。より好ましくは１〜１００ｎｍ、さらに好ましくは１〜５０ｎｍ、特に好ましくは１〜２０ｎｍの範囲内である。このように金属系粒子を密に配置することにより、金属系粒子の局在プラズモン間の相互作用が効果的に生じ、上記〔ｉｉｉ〕の特徴、さらには上記（Ａ）〜（Ｃ）の効果を効果的に発現させることができる。平均粒子間距離が１ｎｍ未満であると、粒子間でデクスター機構に基づく電子移動が生じ、局在プラズモンの失活の点で不利となる。

金属系粒子集合体〔ｉｉｉ〕に含まれる金属系粒子の数は３０個以上であり、好ましくは５０個以上である。金属系粒子を３０個以上含む集合体を形成することにより、金属系粒子の局在プラズモン間の相互作用が効果的に生じ、上記〔ｉｉｉ〕の特徴、さらには上記（Ａ）〜（Ｃ）の効果を効果的に発現させることができる。

金属系粒子集合体〔ｉｉｉ〕を増強素子として光学素子に適用する場合、光学素子の一般的な素子面積に照らせば、金属系粒子集合体〔ｉｉｉ〕に含まれる金属系粒子の数は、たとえば３００個以上、さらには１７５００個以上となり得る。

金属系粒子集合体〔ｉｉｉ〕における金属系粒子の数密度は、７個／μｍ²以上であることが好ましく、１５個／μｍ²以上であることがより好ましい。

以上のように、金属系粒子集合体〔ｉｉｉ〕は、これを構成する金属系粒子の金属種、サイズ、形状、金属系粒子間の平均距離などの制御により得ることができる。

本発明の製造方法によって得られる金属系粒子集合体は、上記〔ｉ〕〜〔ｉｉｉ〕の少なくともいずれか１つの特徴を有するものであり、より典型的には、〔ｉ〕〜〔ｉｉｉ〕のいずれか２つ以上の特徴を有し、さらに典型的には、〔ｉ〕〜〔ｉｉｉ〕のすべての特徴を有する。

本発明においては、上述の粒子成長工程の後に絶縁層形成工程を設けて、金属系粒子集合体の薄膜上に、各金属系粒子の表面を覆う絶縁層を形成してもよい。このような絶縁層は、上述した金属系粒子集合体薄膜の非導電性（金属系粒子間の非導電性）を担保するうえで好ましいだけでなく、金属系粒子集合体を光学素子に適用する場合にも好ましい。すなわち、電気エネルギー駆動の発光素子や光電変換素子等の光学素子では、これを構成する各層に電流が流れるが、金属系粒子集合体薄膜に電流が流れてしまうと、プラズモン共鳴による増強効果が十分に得られないおそれがある。金属系粒子集合体薄膜をキャップする絶縁層を設けることにより、光学素子に適用した場合においても金属系粒子集合体薄膜と、これに隣接する光学素子の構成層との間の電気的絶縁を図ることができるため、金属系粒子集合体薄膜を構成する金属系粒子に電流が注入されることを防止することができる。

絶縁層を構成する材料としては、良好な絶縁性を有するものであれば特に制限されず、たとえば、スピンオングラス（ＳＯＧ；たとえば有機シロキサン材料を含有するもの）のほか、ＳｉＯ₂やＳｉ₃Ｎ₄などを用いることができる。絶縁層の厚みは、所望の絶縁性が確保される限り特に制限はないが、後述するように光学素子に適用したときの活性層（たとえば発光素子の発光層や光電変換素子の光吸収層）と金属系粒子集合体薄膜との距離は近いほど好ましいことから、所望の絶縁性が確保される範囲で薄いほどよい。

本発明の製造方法によって得られる金属系粒子集合体は、発光素子、光電変換素子（太陽電池素子など）等の光学素子のための増強要素として極めて有用である。本発明に係る金属系粒子集合体を光学素子に適用することにより、光学素子の発光効率や変換効率を顕著に向上させることができる。金属系粒子集合体は、これを製造する際に用いる基板と一体化した状態で、各種光学素子に組み込むことができる。

上述のように、本発明の製造方法によって得られる金属系粒子集合体は、極めて強いプラズモン共鳴を示し、さらにはプラズモン共鳴の作用範囲（プラズモンによる増強効果の及ぶ範囲）が著しく伸長されているため、たとえば、１０ｎｍ以上、さらには２０ｎｍ以上、なおさらにはそれ以上の厚みを有する活性層（発光素子における発光層や光電変換素子における光吸収層など）の全体を増強させることが可能である。また、たとえば１０ｎｍ、さらには数十ｎｍ（たとえば２０ｎｍ）、なおさらには数百ｎｍ以上離れた位置に配置された活性層をも、極めて効果的に増強することができる。

なお、プラズモンによる増強効果は、その性質上、活性層と金属系粒子集合体との距離が大きくなるほど小さくなる傾向にあることから、当該距離は小さいほど好ましい。活性層と金属系粒子集合体との距離は、好ましくは１００ｎｍ以下であり、より好ましくは２０ｎｍ以下であり、さらに好ましくは１０ｎｍ以下である。

活性層が示す発光波長（たとえば発光素子の場合）または吸収波長（たとえば光電変換素子の場合）の極大波長は、金属系粒子集合体のプラズモンピークの極大波長と一致するかまたは近いことが好ましい。これにより、プラズモン共鳴による増強効果をより効果的に高めることができる。金属系粒子集合体のプラズモンピークの極大波長は、これを構成する金属系粒子の金属種、平均粒径、平均高さ、アスペクト比および／または平均粒子間距離の調整により制御可能である。

上記発光層は、たとえば、１）色素分子を平面状に配置した単分子膜からなるもの、２）マトリックス中に色素分子をドープしてなるもの、３）発光性低分子からなるもの、４）発光性高分子からなるもの、などであることができる。

１）の発光層は、色素分子含有液をスピンコートした後、溶媒を除去する方法により得ることができる。色素分子の具体例は、Ｅｘｃｉｔｏｎ社から販売されているローダミン１０１、ローダミン１１０、ローダミン５６０、ローダミン６Ｇ、ローダミンＢ、ローダミン６４０、ローダミン７００等のローダミン系色素、Ｅｘｃｉｔｏｎ社から販売されているクマリン５０３等のクマリン系色素などを含む。

２）の発光層は、色素分子およびマトリックス材料を含有する液をスピンコートした後、溶媒を除去する方法により得ることができる。マトリックス材料としては、ポリビニルアルコール、ポリメタクリル酸メチルのような透明高分子を用いることができる。色素分子の具体例は１）の発光層と同様であることができる。

３）の発光層は、スピンコート法、蒸着法をはじめとするドライまたはウェット成膜法によって得ることができる。発光性低分子の具体例は、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体〔トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体；Ａｌｑ₃〕、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体〔ＢｅＢｑ〕などを含む。

４）の発光層は、スピンコート法など、発光性高分子含有液を用いたウェット成膜法によって得ることができる。発光性高分子の具体例は、Ｆ８ＢＴ〔ポリ(９，９−ジオクチルフルオレン−ａｌｔ−ベンゾチアジアゾール）〕、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリアルキルチオフェンのようなπ共役系高分子などを含む。

以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

〔金属系粒子集合体の作製〕
＜実施例１＞
直流マグネトロンスパッタリング装置を用いて、下記の条件で、ソーダガラス基板上に、銀粒子を極めてゆっくりと成長させ、基板表面の全面に金属系粒子集合体の薄膜を形成して、金属系粒子集合体薄膜積層基板を得た。

使用ガス：アルゴン、
チャンバ内圧力（スパッタガス圧）：１０Ｐａ、
基板・ターゲット間距離：１００ｍｍ、
スパッタ電力：４Ｗ、
平均粒径成長速度（平均粒径／スパッタ時間）：０．９ｎｍ／分、
平均高さ成長速度（＝平均堆積速度＝平均高さ／スパッタ時間）：０．２５ｎｍ／分、
基板温度：３００℃、
基板サイズおよび形状：一辺が５ｃｍの正方形。

図１は、得られた金属系粒子集合体薄膜を直上から見たときのＳＥＭ画像である。図１（ａ）は１００００倍スケールの拡大像であり、図１（ｂ）は５００００倍スケールの拡大像である。また図２は、得られた金属系粒子集合体薄膜を示すＡＦＭ画像である。ＡＦＭ像撮影にはキーエンス社製「ＶＮ−８０１０」を用いた（以下同様）。図２に示される画像のサイズは５μｍ×５μｍである。

図１に示されるＳＥＭ画像より、本実施例の金属系粒子集合体を構成する銀粒子の上記定義に基づく平均粒径は３３５ｎｍ、平均粒子間距離は１６．７ｎｍと求められた。また図２に示されるＡＦＭ画像より、平均高さは９６．２ｎｍと求められた。これらより銀粒子のアスペクト比（平均粒径／平均高さ）は３．４８と算出され、また、取得した画像からも銀粒子は扁平形状を有していることがわかる。さらにＳＥＭ画像より、本実施例の金属系粒子集合体は、約６．２５×１０¹⁰個（約２５個／μｍ²）の銀粒子を有することがわかる。

また、金属系粒子集合体薄膜の表面にテスター〔マルチメーター（ヒューレット・パッカード社製「Ｅ２３７８Ａ」〕を接続して導電性を確認したところ、導電性を有しないことが確認された。

＜比較例１＞
平均高さ成長速度（堆積速度）を６０．６ｎｍ／分、処理時間（堆積時間）を２分としたこと以外は実施例１と同様にしてスパッタリングを行ない、銀からなる薄膜を形成した。図３は、得られた銀薄膜を示すＡＦＭ画像である。図３に示される画像のサイズは５μｍ×５μｍである。

なお、本比較例における平均高さ成長速度とは、基板上に形成された銀層の平均高さをスパッタ時間で除した値である。銀層の平均高さは、ピンセットの先で銀層に剥離線を設け、該剥離線における銀層の外側表面と基板の銀層側表面との高さの差を無作為に５点選択したときの当該５点の平均値として求めた。

図３に示されるＡＦＭ画像より、平均高さは１２１．３ｎｍと求められた。上記と同じテスターを用いて銀薄膜の導電性を確認したところ、導電性を有することが確認された。すなわち、本比較例における基板への銀の担持量は、上記実施例１とおよそ同じであるが、個々の銀粒子が互いに分離しておらず、連続膜となっていることが確認された。

〔銀薄膜の吸光スペクトル測定〕
図４は、実施例１で得られた金属系粒子集合体薄膜および比較例１で得られた銀薄膜（ともに基板に積層された状態）の吸光光度法により測定された吸光スペクトルである。非特許文献（K. Lance Kelly, et al., "The Optical Properties of Metal Nanoparticles: The Influence of Size, Shape, and Dielectric Environment", The Journal of Physical Chemistry B, 2003, 107, 668）に示されているように、実施例１のような扁平形状の銀粒子は、平均粒径が２００ｎｍのとき約５５０ｎｍ付近に、平均粒径が３００ｎｍのときは６５０ｎｍ付近にプラズモンピークを持つことが一般的である（いずれも銀粒子単独の場合である）。

一方、実施例１の金属系粒子集合体薄膜は、これを構成する銀粒子の平均粒径が約３００ｎｍ（３３５ｎｍ）であるにもかかわらず、図４に示されるように、可視光領域において最も長波長側にあるプラズモンピークの極大波長は約４５０ｎｍ付近と、短波長側にシフトしていることがわかる。この現象は、実施例１のように、銀粒子が、上記所定の形状を有する大型の粒子であり、かつ上記好ましい平均粒子間距離で極めて密に配置されている場合に発現し得る。

また、可視光領域において最も長波長側にあるプラズモンピークの極大波長における吸光度が約１．９と、極めて強いプラズモン共鳴を示すことがわかる。これに対し、比較例１の銀薄膜は、連続膜となっているために、プラズモン共鳴に基づくプラズモンピークを示さなかった。

なお、図４に示される吸光スペクトルは、銀薄膜が積層されたガラス基板の裏面側（銀薄膜とは反対側）であって、基板面に垂直な方向から紫外〜可視光領域の入射光を照射し、銀薄膜側に透過した全方向における透過光の強度Ｉと、上記基板と同じ厚み、材質の基板であって、銀薄膜が積層されていない基板の面に垂直な方向から先と同じ入射光を照射し、入射面の反対側から透過した全方向における透過光の強度Ｉ₀を、それぞれ積分球分光光度計を用いて測定することによって得られたものである。縦軸の吸光度は、下記式：
吸光度＝−ｌｏｇ₁₀（Ｉ／Ｉ₀）
で表される。

〔参照金属系粒子集合体の作製および吸光スペクトル測定〕
図５に示される方法に従って、参照金属系粒子集合体が積層された基板を作製した。まず、縦５ｃｍ、横５ｃｍのソーダガラス基板１００のおよそ全面にレジスト（日本ゼオン株式会社製 ＺＥＰ５２０Ａ）をスピンコートした（図５（ａ））。レジスト４００の厚みは約１２０ｎｍとした。次に、電子ビームリソグラフィーによってレジスト４００に円形開口４０１を形成した（図５（ｂ））。円形開口４０１の直径は約３５０ｎｍとした。また、隣り合う円形開口４０１の中心間距離は約１５００ｎｍとした。

ついで、円形開口４０１を有するレジスト４００に、真空蒸着法により銀膜２０１を蒸着した（図５（ｃ））。銀膜２０１の膜厚は約１００ｎｍとした。最後に、銀膜２０１を有する基板をＮＭＰ（東京化成工業製 Ｎ−メチル−２−ピロリドン）に浸漬し、超音波装置内で１分間常温静置することによりレジスト４００およびレジスト４００上に成膜された銀膜２０１を剥離して、円形開口４０１内の銀膜２０１（銀粒子）のみがソーダガラス基板１００上に残存、積層された参照金属系粒子集合体薄膜積層基板を得た（図５（ｄ））。

図６は、得られた参照金属系粒子集合体薄膜積層基板における参照金属系粒子集合体薄膜を直上から見たときのＳＥＭ画像である。図６（ａ）は２００００倍スケールの拡大像であり、図６（ｂ）は５００００倍スケールの拡大像である。図６に示されるＳＥＭ画像より、参照金属系粒子集合体薄膜を構成する銀粒子の上記定義に基づく平均粒径は３３３ｎｍ、平均粒子間距離は１２６４ｎｍと求められた。また別途取得したＡＦＭ画像より、平均高さは１０５．９ｎｍと求められた。またＳＥＭ画像より、参照金属系粒子集合体は、約６２５００個の銀粒子を有することがわかった。

上述した顕微鏡の対物レンズ（１００倍）を用いた測定法により、実施例１の金属系粒子集合体薄膜積層基板の吸光スペクトル測定を行なった。具体的には、図７を参照して、金属系粒子集合体薄膜積層基板５００の基板５０１側（金属系粒子集合体薄膜５０２とは反対側）であって、基板面に垂直な方向から可視光領域の入射光を照射した。そして、金属系粒子集合体薄膜５０２側に透過し、かつ１００倍の対物レンズ６００に到達した透過光を対物レンズ６００で集光し、この集光光を分光光度計７００によって検出して吸光スペクトルを得た。

分光光度計７００には大塚電子社製の紫外可視分光光度計「ＭＣＰＤ−３０００」を、対物レンズ６００にはＮｉｋｏｎ社製の「ＢＤ Ｐｌａｎ １００／０．８０ ＥＬＷＤ」を用いた。結果を図８に示す。可視光領域において最も長波長側にあるプラズモンピークの極大波長は、図４の吸光スペクトルと同様、約４５０ｎｍであった。一方、同じく顕微鏡の対物レンズを用いた測定法により参照金属系粒子集合体薄膜積層基板の吸光スペクトル測定を行なったところ、可視光領域において最も長波長側にあるピークの極大波長は、６５４ｎｍであった。実施例１の金属系粒子集合体薄膜積層基板は、参照金属系粒子集合体薄膜積層基板と比べて、可視光領域において最も長波長側にあるピークの極大波長が約２００ｎｍブルーシフトしている。

実施例１の金属系粒子集合体薄膜積層基板は、可視光領域において最も長波長側にあるピークの極大波長における吸光度が１．７４４であり（図８）、参照金属系粒子集合体薄膜積層基板は０．０３３であった。実施例１の金属系粒子集合体薄膜積層基板と参照金属系粒子集合体薄膜積層基板との間で最も長波長側にあるピークの極大波長における吸光度を比較するにあたって同じ金属系粒子数での比較となるようにするために、吸光スペクトルから得られる吸光度を、金属系粒子数に相当するパラメータである、金属系粒子による基板表面の被覆率で除して、吸光度／被覆率を算出した。実施例１の金属系粒子集合体薄膜積層基板の吸光度／被覆率は２．０４であり（被覆率８５．３％）、参照金属系粒子集合体薄膜積層基板の吸光度／被覆率は０．８４であった（被覆率３．９％）。

〔有機ＥＬ素子の作製および発光強度の評価〕
＜実施例２＞
実施例１と同条件で銀粒子を成長させることにより、０．５ｍｍ厚のソーダガラス基板上に実施例１に記載の金属系粒子集合体薄膜を形成した。その後直ちに、スピンオングラス（ＳＯＧ）溶液を金属系粒子集合体薄膜上にスピンコートして、平均厚み８０ｎｍの絶縁層を積層した。ＳＯＧ溶液には、有機系ＳＯＧ材料である東京応化工業株式会社製「ＯＣＤ Ｔ−７ ５５００Ｔ」をエタノールで希釈したものを用いた。

次に、イオンスパッタリング法により、アノード極としてのＩＺＯ層（厚み２２ｎｍ）を絶縁層上に積層した後、正孔注入層形成用溶液をアノード極上にスピンコートして、平均厚み２０ｎｍの正孔注入層を積層した。正孔注入層形成用溶液には、ＰＬＥＸＴＲＯＮＩＣＳ社製、商品名「Ｐｌｅｘｃｏｒｅ ＡＱ １２００」を、エタノールを用いて所定濃度に希釈したものを用いた。絶縁層、アノード極および正孔注入層の合計平均厚み（すなわち、金属系粒子集合体薄膜表面から発光層までの平均距離）は１２２ｎｍである。

ついで、有機溶媒に溶解可能な高分子発光体を、所定濃度で有機溶媒に溶解し、これを正孔注入層上にスピンコートして、１００ｎｍ厚の発光層を形成した。その後、真空蒸着法により、電子注入層としてのＮａＦ層（２ｎｍ厚）、カソード極としてのＭｇ層（２ｎｍ厚）およびＡｇ層（１０ｎｍ厚）をこの順で発光層上に積層した。得られた素子を表面側から封止剤（ナガセケムテックス社製 紫外線硬化性樹脂「ＸＮＲ５５１６ＺＬＶ」）を用いて封止し、有機ＥＬ素子を得た。

＜比較例２＞
金属系粒子集合体薄膜を形成しないこと以外は実施例２と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。

実施例２の有機ＥＬ素子に、ソースメーター（ケースレーインスツルメンツ株式会社製 ソースメーター ２６０２Ａ 型）により１５Ｖの一定電圧を印加し、電極間に流れる電流値を２．３ｍＡとして素子を発光させた。発光スペクトルをコニカミノルタ社製 分光測定装置「ＣＳ−２０００」を用いて測定し、得られた発光スペクトルを可視光波長域で積分して、発光強度を求めた。電極間に流れる電流値を２．７ｍＡとしたこと以外は実施例２の有機ＥＬ素子と同様にして（印加電圧は、実施例２の有機ＥＬ素子と同じく１５Ｖである）、比較例２の有機ＥＬ素子についても発光強度を求めた。その結果、実施例２の有機ＥＬ素子は、比較例２の有機ＥＬ素子と比較して約３．８倍の発光強度を示すことが確認された。

＜実施例３＞
実施例１と同条件で銀粒子を成長させることにより、０．５ｍｍ厚のソーダガラス基板上に実施例１に記載の金属系粒子集合体薄膜を形成した。その後直ちに、スピンオングラス（ＳＯＧ）溶液を金属系粒子集合体薄膜上にスピンコートして、平均厚み３０ｎｍの絶縁層を積層した。ＳＯＧ溶液には、有機系ＳＯＧ材料である東京応化工業株式会社製「ＯＣＤ Ｔ−７ ５５００Ｔ」をエタノールで希釈したものを用いた。

次に、イオンスパッタリング法により、アノード極としてのＩＺＯ層（厚み２２ｎｍ）を絶縁層上に積層した後、正孔注入層形成用溶液をアノード極上にスピンコートして、平均厚み２０ｎｍの正孔注入層を積層した。正孔注入層形成用溶液には、ＰＬＥＸＴＲＯＮＩＣＳ社製、商品名「Ｐｌｅｘｃｏｒｅ ＡＱ １２００」を、エタノールを用いて所定濃度に希釈したものを用いた。絶縁層、アノード極および正孔注入層の合計平均厚み（すなわち、金属系粒子集合体薄膜表面から発光層までの平均距離）は７２ｎｍである。

ついで、真空蒸着法によって正孔注入層上に発光層としてＡｌｑ₃を８０ｎｍ成膜した。その後、真空蒸着法により、電子注入層としてのＮａＦ層（２ｎｍ厚）、カソード極としてのＭｇ層（２ｎｍ厚）およびＡｇ層（１０ｎｍ厚）をこの順で発光層上に積層した。得られた素子を表面側から封止剤（ナガセケムテックス社製 紫外線硬化性樹脂「ＸＮＲ５５１６ＺＬＶ」）を用いて封止し、有機ＥＬ素子を得た。

＜比較例３＞
金属系粒子集合体薄膜を形成しないこと以外は実施例３と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。

実施例３の有機ＥＬ素子に、ソースメーター（ケースレーインスツルメンツ株式会社製 ソースメーター ２６０２Ａ 型）により１１Ｖの一定電圧を印加し、電極間に流れる電流値を０．７ｍＡとして素子を発光させた。発光スペクトルをコニカミノルタ社製 分光測定装置「ＣＳ−２０００」を用いて測定し、得られた発光スペクトルを可視光波長域で積分して、発光強度を求めた。電極間に流れる電流値を１．１ｍＡに調節したこと以外は実施例３の有機ＥＬ素子と同様にして（印加電圧は、実施例３の有機ＥＬ素子と同じく１１Ｖである）、比較例３の有機ＥＬ素子についても発光強度を求めた。その結果、実施例３の有機ＥＬ素子は、比較例３の有機ＥＬ素子と比較して約２．６倍の発光強度を示すことが確認された。

〔光励起発光素子の作製および発光増強の評価〕
＜実施例４−１＞
実施例１とほぼ同じ条件で銀粒子を成長させることにより、０．５ｍｍ厚のソーダガラス基板上に実施例１と同様の金属系粒子集合体薄膜を形成した。この金属系粒子集合体薄膜は、金属系粒子の平均高さが６６．１ｎｍであること以外は実施例１と同じ粒子形状および平均粒子間距離を有するものであった。

次に、金属系粒子集合体薄膜上にクマリン系発光層用溶液を３０００ｒｐｍでスピンコートし、極薄い（単分子膜スケールの）クマリン系発光層を形成して、発光素子を得た。クマリン系発光層用溶液は次のように調製した。まずクマリン色素（Ｅｘｃｉｔｏｎ社 Ｃｏｕｍａｒｉｎ５０３）をエタノールに溶解し５ｍＭクマリン溶液とした。また別途、有機系スピンオングラス（ＳＯＧ）材料（東京応化工業株式会社製「ＯＣＤ Ｔ−７ ５５００Ｔ」）をエタノールで３３体積％に希釈した。この３３体積％有機系ＳＯＧ材料希釈液、５ｍＭクマリン溶液、エタノールを、体積比が１：５：５となるように混合し、クマリン系発光層用溶液を得た。

＜実施例４−２＞
実施例４−１と同条件で銀粒子を成長させることにより、０．５ｍｍ厚のソーダガラス基板上に実施例４−１に記載の金属系粒子集合体薄膜を形成した。その後直ちに、ＳＯＧ溶液を金属系粒子集合体薄膜上にスピンコートして、平均厚み１０ｎｍの絶縁層を積層した。ＳＯＧ溶液には、有機系ＳＯＧ材料である東京応化工業株式会社製「ＯＣＤ Ｔ−７ ５５００Ｔ」をエタノールで希釈したものを用いた。「平均厚み」とは、表面凹凸を有する金属系粒子集合体薄膜上に形成されたときの平均厚みを意味しており、ＳＯＧ溶液をソーダガラス基板上に直接スピンコートしたときの厚みとして測定した（以下の実施例、比較例についても同様）。平均厚みが比較的小さい値のときは金属系粒子集合体薄膜の谷部分にのみ絶縁層が形成され、金属系粒子集合体薄膜の最表面全体を被覆できないことがある。

次に、上記の絶縁層を有する金属系粒子集合体薄膜の最表面に、実施例４−１で用いたものと同じクマリン系発光層用溶液を３０００ｒｐｍでスピンコートし、極薄い（単分子膜スケールの）クマリン系発光層を形成して、発光素子を得た。

＜実施例４−３＞
絶縁層の平均厚みを３０ｎｍとしたこと以外は実施例４−２と同様にして、発光素子を得た。

＜実施例４−４＞
絶縁層の平均厚みを８０ｎｍとしたこと以外は実施例４−２と同様にして、発光素子を得た。

＜実施例４−５＞
絶縁層の平均厚みを１５０ｎｍとしたこと以外は実施例４−２と同様にして、発光素子を得た。

＜実施例４−６＞
絶縁層の平均厚みを３５０ｎｍとしたこと以外は実施例４−２と同様にして、発光素子を得た。

＜比較例４−１＞
銀ナノ粒子水分散物（三菱製紙社製、銀ナノ粒子濃度：２５重量％）を純水で、銀ナノ粒子濃度が６重量％となるように希釈した。次いで、この銀ナノ粒子水分散物に対して１体積％の界面活性剤を添加して良く攪拌した後、得られた銀ナノ粒子水分散物に対して８０体積％のアセトンを添加して常温で十分振り混ぜ、銀ナノ粒子塗工液を調製した。

次に、表面をアセトン拭きした１ｍｍ厚のソーダガラス基板上に上記銀ナノ粒子塗工液を１５００ｒｐｍでスピンコートした後、そのまま大気中で１分間放置し、その後５５０℃の電気炉内で５分間焼成して、金属系粒子集合体薄膜積層基板を得た。

図９は、本比較例４−１で得られた金属系粒子集合体薄膜積層基板における金属系粒子集合体薄膜を直上から見たときのＳＥＭ画像であり、１００００倍スケールの拡大像である。また図１０は、本比較例４−１で得られた金属系粒子集合体薄膜積層基板における金属系粒子集合体薄膜を示すＡＦＭ画像である。図１０に示される画像のサイズは５μｍ×５μｍである。

図９に示されるＳＥＭ画像より、本比較例４−１の金属系粒子集合体薄膜を構成する銀粒子の上記定義に基づく平均粒径は２７８ｎｍ、平均粒子間距離は１９５．５ｎｍと求められた。また図１０に示されるＡＦＭ画像より、平均高さは９９．５ｎｍと求められた。これらより銀粒子のアスペクト比（平均粒径／平均高さ）は２．７９と算出され、また、取得した画像からも銀粒子は扁平形状を有していることがわかる。さらにＳＥＭ画像より、本比較例４−１の金属系粒子集合体は、約２．１８×１０¹⁰個（約８．７２個／μｍ²）の銀粒子を有することがわかる。

上記実施例４−１および本比較例４−１で得られた金属系粒子集合体薄膜積層基板の、上述した積分球分光光度計を用いた測定法による吸光スペクトルを図１１に示す。また、本比較例４−１で得られた金属系粒子集合体薄膜積層基板の、顕微鏡の対物レンズ（１００倍）を用いた測定法による吸光スペクトルを図１２に示す。いずれの測定法においても本比較例４−１で得られた金属系粒子集合体薄膜積層基板は、可視光領域において最も長波長側にあるピークの極大波長が６１１ｎｍであった。この極大波長は、本比較例４−１の金属系粒子集合体薄膜積層基板に対応する参照金属系粒子集合体薄膜積層基板の極大波長とほぼ同じであり、本比較例４−１の金属系粒子集合体薄膜はほとんどブルーシフトを示さない。また図１１から、実施例４−１の吸光スペクトルのピーク波長（最も長波長側にあるプラズモンピークの極大波長）は、比較例４−１の吸光スペクトルのピーク波長に比べブルーシフトの程度が大きく、かつ、最も長波長側にあるプラズモンピークが先鋭化し、その極大波長における吸光度が高くなっていることがわかる。

図１２の吸光スペクトルから得られる可視光領域において最も長波長側にあるピークの極大波長における吸光度は０．４４４であり、金属系粒子による基板表面の被覆率が５３．２％であることから、吸光度／被覆率は０．８３と算出される。この吸光度／被覆率は、参照金属系粒子集合体薄膜積層基板より小さい。

次に、実施例４−１と同様にして、金属系粒子集合体薄膜上にクマリン系発光層を形成して、発光素子を得た。

＜比較例４−２＞
比較例４−１と同じ方法で、１ｍｍ厚のソーダガラス基板上に比較例４−１に記載の金属系粒子集合体薄膜を形成した。その後直ちに、ＳＯＧ溶液を金属系粒子集合体薄膜上にスピンコートして、平均厚み１０ｎｍの絶縁層を積層した。ＳＯＧ溶液には、有機系ＳＯＧ材料である東京応化工業株式会社製「ＯＣＤ Ｔ−７ ５５００Ｔ」をエタノールで希釈したものを用いた。

次に、実施例４−２と同様にして、上記の絶縁層を有する金属系粒子集合体薄膜の最表面にクマリン系発光層を形成して、発光素子を得た。

＜比較例４−３＞
絶縁層の平均厚みを３０ｎｍとしたこと以外は比較例４−２と同様にして、発光素子を得た。

＜比較例４−４＞
絶縁層の平均厚みを８０ｎｍとしたこと以外は比較例４−２と同様にして、発光素子を得た。

＜比較例４−５＞
絶縁層の平均厚みを１５０ｎｍとしたこと以外は比較例４−２と同様にして、発光素子を得た。

＜比較例４−６＞
絶縁層の平均厚みを３５０ｎｍとしたこと以外は比較例４−２と同様にして、発光素子を得た。

＜比較例５＞
金属系粒子集合体薄膜を形成しないこと以外は実施例４−１と同様にして発光素子を得た。

＜実施例５−１＞
実施例４−１と同じ方法で、０．５ｍｍ厚のソーダガラス基板上に実施例４−１に記載の金属系粒子集合体薄膜を形成した。

次に、金属系粒子集合体薄膜上にＡｌｑ₃発光層用溶液をスピンコートして、平均厚み３０ｎｍのＡｌｑ₃発光層を形成した。Ａｌｑ₃発光層用溶液は、Ａｌｑ₃（シグマアルドリッチ社 Ｔｒｉｓ−（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）を、濃度が０．５重量％となるようにクロロホルムに溶解して調製した。

＜実施例５−２＞
実施例４−２と同じ方法で、平均厚み１０ｎｍの絶縁層を有する金属系粒子集合体薄膜を形成した後、実施例５−１と同じ方法で平均厚み３０ｎｍのＡｌｑ₃発光層を形成して、発光素子を得た。

＜実施例５−３＞
絶縁層の平均厚みを３０ｎｍとしたこと以外は実施例５−２と同様にして、発光素子を得た。

＜実施例５−４＞
絶縁層の平均厚みを８０ｎｍとしたこと以外は実施例５−２と同様にして、発光素子を得た。

＜実施例５−５＞
絶縁層の平均厚みを１５０ｎｍとしたこと以外は実施例５−２と同様にして、発光素子を得た。

＜比較例６−１＞
比較例４−１と同じ方法で、１ｍｍ厚のソーダガラス基板上に比較例４−１に記載の金属系粒子集合体薄膜を形成した後、実施例５−１と同じ方法で平均厚み３０ｎｍのＡｌｑ₃発光層を形成して、発光素子を得た。

＜比較例６−２＞
比較例４−２と同じ方法で、平均厚み１０ｎｍの絶縁層を有する金属系粒子集合体薄膜を形成した後、実施例５−１と同じ方法で平均厚み３０ｎｍのＡｌｑ₃発光層を形成して、発光素子を得た。

＜比較例６−３＞
絶縁層の平均厚みを３０ｎｍとしたこと以外は比較例６−２と同様にして、発光素子を得た。

＜比較例６−４＞
絶縁層の平均厚みを８０ｎｍとしたこと以外は比較例６−２と同様にして、発光素子を得た。

＜比較例６−５＞
絶縁層の平均厚みを１５０ｎｍとしたこと以外は比較例６−２と同様にして、発光素子を得た。

＜比較例７＞
金属系粒子集合体薄膜を形成しないこと以外は実施例５−１と同様にして発光素子を得た。

＜実施例６−１＞
実施例４−１と同じ方法で、０．５ｍｍ厚のソーダガラス基板上に実施例４−１に記載の金属系粒子集合体薄膜を形成した。

次に、金属系粒子集合体薄膜上にＦ８ＢＴ発光層用溶液をスピンコートした後、ホットプレートで１７０℃、３０分間焼成して、平均厚み３０ｎｍのＦ８ＢＴ発光層を形成した。Ｆ８ＢＴ発光層用溶液は、Ｆ８ＢＴ（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社）を、濃度が１重量％となるようにクロロベンゼンに溶解して調製した。

＜実施例６−２＞
実施例４−２と同じ方法で、平均厚み１０ｎｍの絶縁層を有する金属系粒子集合体薄膜を形成した後、実施例６−１と同じ方法で平均厚み３０ｎｍのＦ８ＢＴ発光層を形成して、発光素子を得た。

＜実施例６−３＞
絶縁層の平均厚みを３０ｎｍとしたこと以外は実施例６−２と同様にして、発光素子を得た。

＜比較例８−１＞
比較例４−１と同じ方法で、１ｍｍ厚のソーダガラス基板上に比較例４−１に記載の金属系粒子集合体薄膜を形成した後、実施例６−１と同じ方法で平均厚み３０ｎｍのＦ８ＢＴ発光層を形成して、発光素子を得た。

＜比較例８−２＞
比較例４−２と同じ方法で、平均厚み１０ｎｍの絶縁層を有する金属系粒子集合体薄膜積層基板を形成した後、実施例６−１と同じ方法で平均厚み３０ｎｍのＦ８ＢＴ発光層を形成して、発光素子を得た。

＜比較例８−３＞
絶縁層の平均厚みを３０ｎｍとしたこと以外は比較例８−２と同様にして、発光素子を得た。

＜比較例９＞
金属系粒子集合体薄膜を形成しないこと以外は実施例６−１と同様にして発光素子を得た。

＜比較例１０−１＞
１ｍｍ厚のソーダガラス基板上に、真空蒸着法によって膜厚１３ｎｍの導電性銀薄膜を成膜した。成膜の際のチャンバ内圧力は３×１０^-3Ｐａとした。次に、導電性銀薄膜が成膜された基板を４００℃の電気炉内で１０分間焼成し、金属系粒子集合体薄膜積層基板を得た。

図１３は、得られた金属系粒子集合体薄膜積層基板における金属系粒子集合体薄膜を直上から見たときのＳＥＭ画像である。図１３（ａ）は１００００倍スケールの拡大像であり、図１３（ｂ）は５００００倍スケールの拡大像である。また図１４は、本比較例１０−１で得られた金属系粒子集合体薄膜積層基板における金属系粒子集合体薄膜を示すＡＦＭ画像である。図１４に示される画像のサイズは５μｍ×５μｍである。

図１３に示されるＳＥＭ画像より、本比較例１０−１の金属系粒子集合体を構成する銀粒子の上記定義に基づく平均粒径は９５ｎｍ、平均粒子間距離は３５．２ｎｍと求められた。また図１４に示されるＡＦＭ画像より、平均高さは２９．６ｎｍと求められた。これらより銀粒子のアスペクト比（平均粒径／平均高さ）は３．２０と算出される。

本比較例１０−１で得られた金属系粒子集合体薄膜積層基板の吸光スペクトルを図１５に示す（吸光スペクトルの測定方法は上記のとおりである）。比較例１０−１の吸光スペクトルのピーク波長（最も長波長側にあるプラズモンピークの極大波長）は、図１１に示される実施例４−１の吸光スペクトルのピーク波長に比べてより長波長側にあり、また、そのピーク波長における吸光度も低い。

次に、実施例５−１と同じ方法で平均厚み３０ｎｍのＡｌｑ₃発光層を形成して、発光素子を得た。

＜比較例１０−２＞
比較例１０−１と同じ方法で、１ｍｍ厚のソーダガラス基板上に比較例１０−１に記載の金属系粒子集合体薄膜を形成した。その後直ちに、ＳＯＧ溶液を金属系粒子集合体薄膜上にスピンコートして、平均厚み１０ｎｍの絶縁層を積層した。ＳＯＧ溶液には、有機系ＳＯＧ材料である東京応化工業株式会社製「ＯＣＤ Ｔ−７ ５５００Ｔ」をエタノールで希釈したものを用いた。その後、実施例５−１と同じ方法で平均厚み３０ｎｍのＡｌｑ₃発光層を形成して、発光素子を得た。

＜比較例１０−３＞
絶縁層の平均厚みを３０ｎｍとしたこと以外は比較例１０−２と同様にして、発光素子を得た。

＜比較例１０−４＞
絶縁層の平均厚みを８０ｎｍとしたこと以外は比較例１０−２と同様にして、発光素子を得た。

＜比較例１０−５＞
絶縁層の平均厚みを１５０ｎｍとしたこと以外は比較例１０−２と同様にして、発光素子を得た。

実施例４−１、４−２、４−３、４−４、４−５、４−６、実施例５−１、５−２、５−３、５−４、５−５、実施例６−１、６−２、６−３、比較例４−１、４−２、４−３、４−４、４−５、４−６、比較例５、比較例６−１、６−２、６−３、６−４、６−５、比較例７、比較例８−１、８−２、８−３、比較例９、比較例１０−１、１０−２、１０−３、１０−４、１０−５のそれぞれの光励起発光素子について、次のようにして発光増強の程度を評価した。光励起発光素子の発光スペクトルの測定系を示す図１６（ａ）および光励起発光素子の断面模式図である図１６（ｂ）を参照して、光励起発光素子１の発光層２側に、発光層２の表面に対して垂直な方向から励起光３を照射することにより光励起発光素子１を発光させた。励起光源４にはＵＶ−ＬＥＤ（サウスウォーカー社製 ＵＶ−ＬＥＤ３７５−ｎａｎｏ、励起光波長３７５ｎｍ）を用い、励起光源４からの発光をレンズ５で集光して励起光３とし、これを照射した。励起光３の光軸に対して４０°の方向に放射される光励起発光素子１からの発光６をレンズ７で集光し、励起光の波長の光をカットする波長カットフィルタ８（シグマ光機社製 ＳＣＦ−５０Ｓ−４４Ｙ）を通して、分光測定器９（大塚電子社製 ＭＣＰＤ−３０００）により検出した。図１６（ｂ）は実施例および比較例で作製したソーダガラス基板１００上に、金属系粒子集合体薄膜２００、絶縁層３００、発光層２をこの順に備える光励起発光素子１を示す断面模式図である。

検出された発光のスペクトルについて発光波長領域における積分値を求めた。実施例４−１、４−２、４−３、４−４、４−５、４−６、および、比較例４−１、４−２、４−３、４−４、４−５、４−６の光励起発光素子について測定した発光スペクトルから求めた積分値を、比較例５の光励起発光素子について測定した発光スペクトルから求めた積分値で除した値を「発光増強倍率」とし、これを縦軸としたグラフを図１７に示した。

実施例５−１、５−２、５−３、５−４、５−５、比較例６−１、６−２、６−３、６−４、６−５および比較例１０−１、１０−２、１０−３、１０−４、１０−５の光励起発光素子について測定した発光スペクトルから求めた積分値を、比較例７の光励起発光素子について測定した発光スペクトルから求めた積分値で除した値を「発光増強倍率」とし、これを縦軸としたグラフを図１８に示した。

実施例６−１、６−２、６−３、および、比較例８−１、８−２、８−３の光励起発光素子について測定した発光スペクトルから求めた積分値を、比較例９の光励起発光素子について測定した発光スペクトルから求めた積分値で除した値を「発光増強倍率」とし、これを縦軸としたグラフを図１９に示した。

１ 光励起発光素子、２ 発光層、３ 励起光、４ 励起光源、５，７ レンズ、６ 光励起発光素子からの発光、８ 波長カットフィルタ、９ 分光測定器、１００ ソーダガラス基板、２００ 金属系粒子集合体薄膜、２０１ 銀膜、３００ 絶縁層、４００ レジスト、４０１ 円形開口、５００ 金属系粒子集合体薄膜積層基板、５０１ 基板、５０２ 金属系粒子集合体薄膜、６００ 対物レンズ、７００ 分光光度計。

Claims (13)

1. ３０個以上の金属系粒子が互いに離間して二次元的に配置されてなる金属系粒子集合体を製造する方法であって、
   １００〜４５０℃の範囲内に温度調整された、ＳｉＯ ₂ 、ＺｒＯ ₂ 、及びプラスチック材料からなる群より選択される少なくとも１種で構成される基板上に、０．５ｎｍ／分以下の平均高さ成長速度で金属系粒子を成長させる工程を含む金属系粒子集合体の製造方法。
2. 金属系粒子を成長させる工程において、金属系粒子は、１００〜４５０℃の範囲内に温度調整された基板上に、０．５ｎｍ／分以下の平均高さ成長速度、かつ、５ｎｍ／分未満の平均粒径成長速度で成長される請求項１に記載の金属系粒子集合体の製造方法。
3. 前記金属系粒子集合体を構成する金属系粒子は、その平均粒径が２００〜１６００ｎｍの範囲内、平均高さが５５〜５００ｎｍの範囲内、前記平均高さに対する前記平均粒径の比で定義されるアスペクト比が１〜８の範囲内にあり、かつ、その隣り合う金属系粒子との平均距離が１〜１５０ｎｍの範囲内となるように配置されている請求項１または２に記載の金属系粒子集合体の製造方法。
4. 前記金属系粒子集合体を構成する金属系粒子は、その平均粒径が２００〜１６００ｎｍの範囲内、平均高さが５５〜５００ｎｍの範囲内、前記平均高さに対する前記平均粒径の比で定義されるアスペクト比が１〜８の範囲内にあり、
   前記金属系粒子集合体は、可視光領域における吸光スペクトルにおいて、前記平均粒径と同じ粒径、前記平均高さと同じ高さおよび同じ材質からなる金属系粒子を、金属系粒子間の距離がすべて１〜２μｍの範囲内となるように配置した参照金属系粒子集合体と比べて、最も長波長側にあるピークの極大波長が３０〜５００ｎｍの範囲で短波長側にシフトしている請求項１または２に記載の金属系粒子集合体の製造方法。
5. 前記金属系粒子集合体を構成する金属系粒子は、その平均粒径が２００〜１６００ｎｍの範囲内、平均高さが５５〜５００ｎｍの範囲内、前記平均高さに対する前記平均粒径の比で定義されるアスペクト比が１〜８の範囲内にあり、
   前記金属系粒子集合体は、可視光領域における吸光スペクトルにおいて、前記平均粒径と同じ粒径、前記平均高さと同じ高さおよび同じ材質からなる金属系粒子を、金属系粒子間の距離がすべて１〜２μｍの範囲内となるように配置した参照金属系粒子集合体よりも、同じ金属系粒子数での比較において、最も長波長側にあるピークの極大波長における吸光度が高い請求項１または２に記載の金属系粒子集合体の製造方法。
6. 金属系粒子を成長させる工程における基板の温度が２５０〜３５０℃の範囲内である請求項１〜５のいずれかに記載の金属系粒子集合体の製造方法。
7. 金属系粒子を成長させる工程が６Ｐａ以上の圧力下で行なわれる請求項１〜６のいずれかに記載の金属系粒子集合体の製造方法。
8. 金属系粒子を成長させる工程が１０Ｐａ以上の圧力下で行なわれる請求項７に記載の金属系粒子集合体の製造方法。
9. 金属系粒子を成長させる工程がスパッタリング法により行なわれる請求項１〜８のいずれかに記載の金属系粒子集合体の製造方法。
10. 金属系粒子を成長させる工程が直流スパッタリング法により行なわれる請求項９に記載の金属系粒子集合体の製造方法。
11. 金属系粒子を成長させる工程が直流アルゴンイオンスパッタリング法により行なわれる請求項１０に記載の金属系粒子集合体の製造方法。
12. 前記金属系粒子集合体を構成する金属系粒子が貴金属からなる請求項１〜１１のいずれかに記載の金属系粒子集合体の製造方法。
13. 前記金属系粒子集合体を構成する金属系粒子が銀からなる請求項１２に記載の金属系粒子集合体の製造方法。