JP6032246B2

JP6032246B2 - 制御回路

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Inventors: 将史梅野
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Description

本発明は、気体濃度センサを制御する制御回路に関するものである。

特許文献１に示されるように、排気ガスの空燃比を検出する限界電流式酸素センサと、限界電流式酸素センサに電圧を印加するバイアス制御回路と、限界電流式酸素センサの電流を検出する電流検出回路と、を備える酸素濃度判定装置が知られている。限界電流式酸素センサの排気ガス側電極層および大気側電極層それぞれに導線が接続され、この２本の導線を介して限界電流式酸素センサとバイアス制御回路とが電気的に接続されている。したがってこの２本の導線を介してバイアス制御回路から限界電流式酸素センサへと電圧が印加され、この電圧印加によって限界電流式酸素センサに電流が流れる。上記した電流検出回路は電流検出抵抗を有し、この電流検出抵抗が導線に設けられている。この電流検出抵抗を流れる電流によって、空燃比が検出される。

特開平９−２２９９０１号公報

ところで特許文献１に示される酸素濃度判定装置では、限界電流式酸素センサとバイアス制御回路とを電気的に接続する２本の導線それぞれにグランド配線が接続され、そのグランド配線にコンデンサが設けられている。そして上記したように電流検出抵抗は導線に設けられている。これによれば、限界電流式酸素センサを流れた電流の一部がコンデンサへと流入するため、電流検出抵抗によって限界電流式酸素センサを流れる電流（センサ電流）を精度良く検出することができなかった。

そこで本発明は上記問題点に鑑み、センサ電流の検出精度の向上された制御回路を提供することを目的とする。

上記した目的を達成するための第１発明は、気体濃度センサ（２００）を制御する制御回路であって、気体濃度センサへ時間的に電流値の変動する電流（Ｉｓｗ）を供給する掃引回路（１０）と、気体濃度センサを流れる電流（Ｉｓｅ）を検出するための電流検出用抵抗（２０）と、気体濃度センサを流れる電流および気体濃度センサに印加された電圧（Ｖ１−Ｖ２）に基づいて気体濃度センサのインピーダンスを算出する算出部（３０）と、掃引回路および算出部それぞれへ外乱ノイズが印加されることを抑制する保護素子（４０）と、を有し、掃引回路と気体濃度センサの第１端子（２００ａ）とを接続する第１配線（６０）に第１グランド配線（６２）が接続され、気体濃度センサの第２端子（２００ｂ）と電流検出用抵抗とを接続する第２配線（６１）に第２グランド配線（６３）が接続されており、保護素子は、第１グランド配線に設けられた第１保護素子（４１）と、第２グランド配線に設けられた第２保護素子（４２）と、を有し、掃引回路から供給された電流は第１保護素子と気体濃度センサとに分流し、気体濃度センサを実際に流れた電流は第２保護素子と電流検出用抵抗とに分流しており、算出部は、第１保護素子へと流れる電流（Ｉ１）または第２保護素子へと流れる電流（Ｉ２）を算出し、算出した電流に基づいて、実際に気体濃度センサを流れる電流を算出することを特徴とする。

上記したように気体濃度センサ（２００）を実際に流れた電流（以下、センサ電流（Ｉｓｅ）と示す）は第２保護素子（４２）と電流検出用抵抗（２０）とに分流する。したがって電流検出用抵抗（２０）を流れる電流（Ｉｄｅ）をセンサ電流（Ｉｓｅ）とみなす場合、その検出精度が低くかった。これに対して本発明では第２保護素子（４２）へと流れる電流（Ｉ２）を算出し、これに基づいてセンサ電流（Ｉｓｅ）を算出する。例えば、算出した電流（Ｉ２）に電流検出用抵抗（２０）を流れる電流（Ｉｄｅ）を加算することでセンサ電流（Ｉｓｅ）を算出する。これによれば上記した比較構成と比べて、センサ電流（Ｉｓｅ）の検出精度が高まる。また、掃引回路（１０）から供給された電流（以下、掃引電流（Ｉｓｗ）と示す）は第１保護素子（４１）と気体濃度センサ（２００）とに分流する。したがって本発明に記載のように第１保護素子（４１）へと流れる電流（Ｉ１）を算出し、これに基づいてセンサ電流（Ｉｓｅ）を算出する。例えば、掃引電流（Ｉｓｗ）から算出した第１保護素子（４１）へと流れる電流（Ｉ１）を減算することでセンサ電流（Ｉｓｅ）を算出する。これによれば上記した比較構成と比べて、センサ電流（Ｉｓｅ）の検出精度が高まる。

第２発明は、算出部は、掃引回路から供給される電流、電流検出用抵抗を流れる電流（Ｉｄｅ）、掃引回路と第１保護素子との間の電圧（Ｖ１）、および、電流検出用抵抗の両端電圧（Ｖ２，Ｖ３）それぞれに基づいて、第２保護素子へと流れる電流（Ｉ２）を算出する。そして本願の第３発明は、算出部は、第１保護素子を流れる電流と第２保護素子を流れる電流の比が第１保護素子の電圧変化（Ｖ１−Ｖ２）に自身の静電容量（Ｃ１）を乗算した値と第２保護素子の電圧変化（Ｖ２−Ｖ３）に自身の静電容量（Ｃ２）を乗算した値の比に等しい関係、および、電流検出用抵抗を流れる電流が掃引回路から供給される電流から第１保護素子を流れる電流と第２保護素子を流れる電流それぞれを減算した値に等しい関係それぞれに基づいて、第２保護素子へと流れる電流を算出する。

第１保護素子（４１）および第２保護素子（４２）それぞれに流れ込む電流は印加される電圧の時間変化に自身の静電容量を乗算した値に等しい。したがって第１保護素子（４１）に印加される電圧の時間変化は、掃引回路（１０）と第１保護素子（４１）との間の電圧（Ｖ１）から電流検出用抵抗（２０）の気体濃度検出センサ（２００）側の端子の電圧（Ｖ２）を減算した値を時間で微分した値に等しい。そして第２保護素子（４２）に印加される電圧の時間変化は、電流検出用抵抗（２０）の気体濃度センサ（２００）側の端子の電圧（Ｖ２）からその反対の端子の電圧（Ｖ３）を減算した値を時間で微分した値に等しい。以上により第１保護素子（４１）に流れ込む電流と第２保護素子（４２）に流れ込む電流の比は、第１保護素子（４１）の電圧変化（Ｖ１−Ｖ２）に自身の静電容量（Ｃ１）を乗算した値と第２保護素子（４２）の電圧変化（Ｖ２−Ｖ３）に自身の静電容量（Ｃ２）を乗算した値の比に等しくなる。また掃引回路（１０）から電流検出用抵抗（２０）へと電流が流動するが、その間に第１保護素子（４１）と第２保護素子（４２）とに電流が流れ込む。そのため電流検出用抵抗（２０）を流れる電流（Ｉｄｅ）は、掃引回路（１０）から供給される電流（Ｉｓｗ）から第１保護素子（４１）と第２保護素子（４２）それぞれに流れ込む電流を減算した値に等しくなる。以上示した２つの関係式を解くことで、第２保護素子（４２）を流れる電流（Ｉ２）が算出される。詳しい式については実施形態で説明する。

なお、特許請求の範囲に記載の請求項、および、課題を解決するための手段それぞれに記載の要素に括弧付きで符号をつけているが、この括弧付きの符号は実施形態に記載の各構成要素との対応関係を簡易的に示すためのものであり、実施形態に記載の要素そのものを必ずしも示しているわけではない。括弧付きの符号の記載は、いたずらに特許請求の範囲を狭めるものではない。

制御回路が内燃機関の燃料噴射装置の制御に用いられることを示す概略図である。気体濃度センサに接続された制御回路の概略構成を示す回路図である。図２に示す電流と電圧の時間変化を示すタイミングチャートである。実際に検出された電圧Ｖ１〜Ｖ３の時間変化を示すグラフである。処理部におけるインピーダンスの算出処理を概略的に示す模式図である。

以下、本発明に係る制御回路が内燃機関の燃料噴射装置の制御を行い、気体濃度センサは内燃機関の排気ガスに含まれる酸素濃度を検出する場合の実施形態を図に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１〜図５に基づいて本実施形態に係る制御回路１００を説明する。図１に示すように気体濃度センサ２００は内燃機関３００から排気ガスの排出される排気管６００に設けられており、排気ガスの成分濃度に応じた信号を制御回路１００へ出力する。制御回路１００は入力された気体濃度センサ２００の出力信号だけではなく、内燃機関３００の回転数、吸入空気量、などの内燃機関３００の情報に基づいて燃料噴射装置４００の燃料噴射量を制御する。

気体濃度センサ２００は排気ガスに含まれている空気と燃料の比（空燃比）に応じて出力電圧が変動する。より詳しく言えば、気体濃度センサ２００は、内燃機関３００にて空気と燃料とが過不足なく反応される理想的な空燃比（理想空燃比）よりも排気ガスの空燃比が低い（酸素濃度が薄い）場合、理想空燃比時よりも出力電圧が上昇する。これとは反対に理想空燃比よりも空燃比が高い（酸素濃度が濃い）場合、理想空燃比時よりも出力電圧が下降する。したがって制御回路１００は気体濃度センサ２００の出力電圧が上昇した場合、酸素濃度が濃くなるように燃料噴射装置４００の燃料噴射量を制御し、気体濃度センサ２００の出力電圧が下降した場合、酸素濃度が薄くなるように燃料噴射装置４００の燃料噴射量を制御する。こうすることで制御回路１００は内燃機関３００の排気ガスの空燃比が理想空燃比となるように制御する。なお、理想空燃比における酸素と燃料の比は１４．７：１である。

図１に示すように、本実施形態では排気管６００に設けられた三元触媒コンバータ５００の上流側と下流側それぞれに気体濃度センサ２００が設けられている。三元触媒コンバータ５００は排気ガスに含まれる炭化水素、一酸化炭素、窒素酸化物それぞれを酸化還元処理するものであり、これの上流側に設けられた気体濃度センサ２００がＡ／Ｆセンサ、下流側に設けられた気体濃度センサ２００がＯ_２センサである。Ａ／Ｆセンサは排気ガスの空燃比の理想空燃比からのズレを速く検出するために上流側に設けられ、Ｏ_２センサは排気ガスの空燃比の検出精度を高めるために下流側に設けられている。

上記した２つの気体濃度センサ２００はいずれも限界電流式酸素センサである。図示しないが、気体濃度センサ２００は拡散抵抗層に第１電極、固体電解質、第２電極が順次積層されて成る。拡散抵抗層は小孔を有する多孔質のアルミナなどから成り、第１電極と第２電極は白金などから成る。そして固体電解質はジルコニア固体電解質である。拡散抵抗層を介して第１電極に排気ガスが流入され、第２電極は大気に開放されている。第１電極は気体濃度センサ２００の第１端子２００ａに接続され、第２電極が第２端子２００ｂに接続されている。以下においては第１電極を排気側電極、第２電極を大気側電極と示す。

排気ガスの空燃比が理想空燃比よりも高い場合（排気ガスの空燃比がリーンの場合）、排気ガスに含まれる酸素分子が排気側電極へ吸入される。吸入された酸素分子はイオン化して固体電解質へと移動し、固体電解質を介して大気側電極へと移動する。そして大気側電極においてイオン化した酸素が酸素分子に戻されて、大気へ放出される。このように排気ガスの空燃比がリーンの場合、排気側電極から大気側電極へとイオン化した酸素が流れる。換言すれば、空燃比がリッチの場合、大気側電極から排気側電極へと電流が流れる。これとは異なり、排気ガスの空燃比が理想空燃比よりも低い場合（排気ガスの空燃比がリッチの場合）、大気に含まれる酸素分子が大気側電極へ吸入される。吸入された酸素分子はイオン化して固体電解質へと移動し、固体電解質を介して排気側電極へと移動する。そして排気側電極においてイオン化した酸素が酸素分子に戻されて、排気ガスへ放出される。この排気側電極から放出された酸素分子は、排気ガスに含まれる未燃ガス（一酸化炭素、塩化水素、水素など）と反応する。このように排気ガスの空燃比がリッチの場合、大気側電極から排気側電極へとイオン化した酸素が流れる。換言すれば、空燃比がリッチの場合、排気側電極から大気側電極へと電流が流れる。

上記した気体濃度センサ２００を流れる電流（以下、センサ電流と示す）は、印加電圧が低い場合、その印加電圧と気体濃度センサ２００の抵抗値に応じて流れる。しかしながら印加電圧が所定値を超えると、センサ電流が飽和する。排気ガスの空燃比がリーンの場合、排気ガスに含まれる酸素分子の吸入が拡散抵抗層によって制限されるためにセンサ電流が飽和する。そして排気ガスの空燃比がリッチの場合、未燃ガスと酸素分子との反応が拡散抵抗層によって制限されるためにセンサ電流が飽和する。このようにセンサ電流が飽和し、気体濃度センサ２００に限界電流が流れる。

上記した限界電流は排気ガスに含まれる酸素濃度（空燃比）に正比例する性質を有する。したがって限界電流を検出することで酸素濃度を検出することができる。また、気体濃度センサ２００のインピーダンスは温度依存性がある。したがって気体濃度センサ２００の印加電圧とセンサ電流とを検出することでインピーダンスを求め、上記した温度依存性に基づいて気体濃度センサ２００の温度を検出することもできる。さらに言えば、気体濃度センサ２００に限界電流が流れ始める印加電圧（上記した所定値）は温度に反比例する性質を有する。したがって気体濃度センサ２００の温度をヒーターなどによって一定に調整することで、所定値が温度に対して変化しないように調整することが可能となる。若しくは、気体濃度センサ２００の温度をヒーターなどによって増減することで、限界電流が流れるように所定値を調整することも可能となる。

本実施形態に係る制御回路１００は上記した気体濃度センサ２００の性質に基づいて気体濃度センサ２００の温度を算出するが、以下においては図１に示す２つの気体濃度センサ２００の一方であるＡ／Ｆセンサのみを説明対象として制御回路１００の説明を行う。なお、Ｏ_２センサを説明対象とした場合においても、制御回路１００の動作は下記と同様である。

図２に示すように制御回路１００は、掃引回路１０と、電流検出用抵抗２０と、処理部３０と、保護素子４０と、を有する。掃引回路１０は気体濃度センサ２００に電流を流すとともに電圧を印加するものであり、電流検出用抵抗２０は気体濃度センサ２００を流れる電流を検出するためのものである。そして処理部３０は気体濃度センサ２００の温度を算出するとともに、気体濃度センサ２００の出力信号（出力電圧およびセンサ電流）に基づいて燃料噴射装置４００を制御するものである。そして保護素子４０は外部ノイズが制御回路１００の内部回路（掃引回路１０、処理部３０、および、後述する下限電圧生成部５０）へ印加されることを抑制するものである。

図２に示すように電源と気体濃度センサ２００の第１端子２００ａとが第１配線６０を介して接続され、気体濃度センサ２００の第２端子２００ｂとグランドとが第２配線６１を介して接続されている。そして第１配線６０に掃引回路１０が設けられ、第２配線６１に電流検出用抵抗２０が設けられている。また第１配線６０における掃引回路１０と第１端子２００ａとの間に第１グランド配線６２が接続され、第２配線６１における第２端子２００ｂと電流検出用抵抗２０との間に第２グランド配線６３が接続されている。第１グランド配線６２に後述する第１保護素子４１が設けられ、第２グランド配線６３に後述する第２保護素子４２が設けられている。

以上に示した接続構成により、掃引回路１０から第１配線６０に掃引電流Ｉｓｗが供給されると、図１に実線矢印で示すように制御回路１００と気体濃度センサ２００とに電流が流れる。すなわち、第１配線６０に供給された掃引電流Ｉｓｗが第１保護素子４１と気体濃度センサ２００とに分流し、第１保護素子４１に第１損失電流Ｉ１が流れ、気体濃度センサ２００にセンサ電流Ｉｓｅが流れる。そして気体濃度センサ２００を流れるセンサ電流Ｉｓｅは第２保護素子４２と電流検出用抵抗２０とに分流し、第２保護素子４２に第２損失電流Ｉ２が流れ、電流検出用抵抗２０に検出電流Ｉｄｅが流れる。処理部３０は、電流Ｉｓｗ，Ｉｄｅ、掃引回路１０と第１保護素子４１との間の第１電圧Ｖ１、および、電流検出用抵抗２０の両端電圧Ｖ２、Ｖ３それぞれに基づいてセンサ電流Ｉｓｅを算出する。そして処理部３０は算出したセンサ電流Ｉｓｅに基づいて気体濃度センサ２００の温度を算出する。

本実施形態に係る制御回路１００は上記した構成要素の他に下限電圧生成部５０を有する。図１に示すように下限電圧生成部５０は第２配線６１に設けられており、電流検出用抵抗２０とグランドとの間に設けられている。この下限電圧生成部５０によって制御回路１００の下限電圧がグランド電位よりも高められている。したがって掃引回路１０によってグランド電位よりも高く、且つ、下限電圧よりも低い電圧が生成されることで、後述するように掃引電流Ｉｓｗの流動方向が逆転される。以下、制御回路１００の構成要素１０，２０，３０，４０について個別に説明した後、処理部３０のセンサ電流Ｉｓｅの算出処理について説明する。

掃引回路１０は気体濃度センサ２００へと電流値が反転する掃引電流Ｉｓｗを供給するものである。掃引回路１０は、定電流回路１１，１２と、制御部１３と、を有する。制御部１３によって定電流回路１１，１２の駆動状態を制御することで掃引電流Ｉｓｗの電流値が時間的に変動される。図３に示すように掃引電流Ｉｓｗの電流値は時間ｔ１においてゼロから最大電流値まで上昇し、時間ｔ２において逆方向に電流が流れるように最大電流値から最低電流値へと変化し、時間ｔ３において最低電流値からゼロへと戻る。掃引電流Ｉｓｗの電流値の上昇によって第１配線６０から第２配線６１へと向かって電流が流れ、これによってセンサ電流Ｉｓｅと検出電流Ｉｄｅも流れ始める。そして電圧Ｖ１，Ｖ２それぞれも上昇し始める。しかしながら上記したように掃引電流Ｉｓｗは第１保護素子４１と気体濃度センサ２００へと分流するため、センサ電流Ｉｓｅは第１損失電流Ｉ１分だけ掃引電流Ｉｓｗよりも電流値が低くなる。同様にして、センサ電流Ｉｓｅは第２保護素子４２と電流検出用抵抗２０へと分流するため、検出電流Ｉｄｅは第２損失電流Ｉ２分だけセンサ電流Ｉｓｅよりも電流値が低くなる。この掃引電流Ｉｓｗの電流値の上昇によって第１配線６０から第２配線６１へと向かって電流が流れている期間（時間ｔ１と時間ｔ２の間）において、図３に二点鎖線で示すように、電流Ｉｓｗ，Ｉｄｅ、および、電圧Ｖ１，Ｖ２それぞれを処理部３０が検出する。なお上記したように掃引電流Ｉｓｗの電流値は上昇した後に第２配線６１から第１配線６０へと逆向きに流れるように変化される。これは掃引電流Ｉｓｗの供給によって気体濃度センサ２００や保護素子４０に蓄積された電荷を放電するためである。なお、図３に示す波形は上記した各電流と各電圧の変化を簡明とするために簡略化されている。例えば図３に示す掃引電流Ｉｓｗは矩形状の波形となっているが、矩形状でなくともよい。

図４に、実際に本発明者が検出した電圧Ｖ１〜Ｖ３の一例を示す。これは時間ｔ１から時間ｔ２の間における電圧Ｖ１〜Ｖ３の時間変化を示している。第３電圧Ｖ３は時間に対して一定であるが、電圧Ｖ１，Ｖ２それぞれは気体濃度センサ２００のインピーダンスと保護素子４０の静電容量それぞれに応じて上昇している。

電流検出用抵抗２０はセンサ電流Ｉｓｅを検出するためのものである。上記したように検出電流Ｉｄｅは第２損失電流Ｉ２分だけセンサ電流Ｉｓｅよりも電流値が低い電流なので、検出電流Ｉｄｅに第２損失電流Ｉ２を加算することでセンサ電流Ｉｓｅが検出される。後述するように第２損失電流Ｉ２は処理部３０によって算出される。

処理部３０は上記したように気体濃度センサ２００の出力電圧によって排気ガスの空燃比が理想空燃比よりも低いのか高いのかを検出し、燃料噴射装置４００の燃料噴射量を制御する。上記したように排気ガスの空燃比が理想空燃比よりも低い場合に気体濃度センサ２００の出力電圧が上昇し、空燃比が高い場合に出力電圧が下降する。この出力電圧の変動は第１端子２００ａの電圧（第１電圧Ｖ１）に現れる。そのため、理想空燃比よりも排気ガスの空燃比が低い場合に第１電圧Ｖ１が上昇し、空燃比が高い場合に第１電圧Ｖ１が下降する。したがって処理部３０は、第１電圧Ｖ１の変動を検出することで排気ガスの空燃比が理想空燃比よりも低いのか高いのかを検出し、それに基づいて燃料噴射装置４００の燃料噴射量を制御する。

また処理部３０は、図５に概略的に示すように気体濃度センサ２００のインピーダンスを求め、それによって気体濃度センサ２００の温度を算出する。先ず処理部３０は、電圧Ｖ１，Ｖ２に基づいて気体濃度センサ２００に印加されるセンサ間電圧Ｖ１−Ｖ２を算出する。そして処理部３０は電流検出用抵抗２０の抵抗値を記憶しており、この抵抗値と電流検出用抵抗２０の両端電圧差Ｖ２−Ｖ３に基づいて検出電流Ｉｄｅを算出する。後で詳説するが、処理部３０は電圧Ｖ１〜Ｖ３、および、電流Ｉｓｗ，Ｉｄｅに基づいてセンサ電流Ｉｓｅを算出する。そして処理部３０は今までに算出したセンサ間電圧Ｖ１−Ｖ２およびセンサ電流Ｉｓｅに基づいて気体濃度センサ２００のインピーダンスを算出する。処理部３０は気体濃度センサ２００のインピーダンスの温度特性を記憶しており、この温度特性と算出したインピーダンスとに基づいて気体濃度センサ２００の温度を算出する。処理部３０が特許請求の範囲に記載の算出部に相当する。

保護素子４０は、制御回路１００における気体濃度センサ２００と接続される端子に外乱ノイズが印加された際に、その外乱ノイズが制御回路１００の内部回路に印加されることを抑制するものである。保護素子４０は第１グランド配線６２に設けられる第１保護素子４１と、第２グランド配線６３に設けられる第２保護素子４２と、を有する。保護素子４１，４２それぞれはコンデンサであり、第１保護素子４１は第１静電容量Ｃ１を有し、第２保護素子４２は第２静電容量Ｃ２を有する。本実施形態ではこれら静電容量Ｃ１，Ｃ２が互いに等しくなっている。したがって第１保護素子４１を流れる第１損失電流Ｉ１と第２保護素子４２を流れる第２損失電流Ｉ２の比は、第１保護素子４１の電圧変化Ｖ１−Ｖ２と第２保護素子４２の電圧変化Ｖ２−Ｖ３の比に等しくなっている。

次に、処理部３０のセンサ電流Ｉｓｅの算出処理について説明する。図１に示すように掃引電流Ｉｓｗは第１損失電流Ｉ１とセンサ電流Ｉｓｅに分流し、センサ電流Ｉｓｅは第２損失電流Ｉ２と検出電流Ｉｄｅに分流する。このように掃引回路１０から電流検出用抵抗２０へと電流が流れるまでに損失電流Ｉ１，Ｉ２が失われる。したがって、検出電流Ｉｄｅは掃引電流Ｉｓｗから損失電流Ｉ１，Ｉ２を減算した値に等しい、という下記関係式が成立する。

また、第１損失電流Ｉ１は第１静電容量Ｃ１に第１保護素子４１の電圧の時間変化を乗算した値に等しく、第２損失電流Ｉ２は第２静電容量Ｃ２に第２保護素子４２の電圧の時間変化を乗算した値に等しくなっている。第１保護素子４１に印加される電圧の時間変化は電圧差Ｖ１−Ｖ２を時間で微分した値に等しく、第２保護素子４２に印加される電圧の時間変化は電圧差Ｖ２−Ｖ３を時間で微分した値に等しい。そして上記したように保護素子４１，４２それぞれの静電容量Ｃ１，Ｃ２は互いに等しくなっている。したがって、第１損失電流Ｉ１と第２損失電流Ｉ２の比が第１保護素子４１の電圧変化と第２保護素子４２の電圧変化の比に等しい、という下記関係式が成立する。

したがって数１および数２により第２損失電流Ｉ２は以下のように表される。

また上記したようにセンサ電流Ｉｓｅは第２損失電流Ｉ２と検出電流Ｉｄｅに分流する。したがって、センサ電流Ｉｓｅは第２損失電流Ｉ２に検出電流Ｉｄｅを加算した値に等しい、という下記式が成立する。

以上により、数４に数３で表される第２損失電流Ｉ２を代入することで、センサ電流Ｉｓｅが下記式で表される。

したがって処理部３０は、電流Ｉｓｗ，Ｉｄｅ、電圧Ｖ１〜Ｖ３、および、数５に示す関係式それぞれに基づいてセンサ電流Ｉｓｅを算出する。そして処理部３０は上記したように算出したセンサ電流Ｉｓｅに基づいて気体濃度センサ２００のインピーダンスを算出し、そのインピーダンスと温度特性とに基づいて気体濃度センサ２００の温度を算出する。

なお、静電容量Ｃ１，Ｃ２が互いに等しくない場合、第１損失電流Ｉ１と第２損失電流Ｉ２の比は、第１保護素子４１の電圧変化に自身の静電容量Ｃ１を乗算した値と第２保護素子４２の電圧変化に自身の静電容量Ｃ２を乗算した値の比に等しい、という関係式が成立する。したがって数２は、下記式で表される。

これに伴い、数３は以下のように表される。

そして、数５は以下のように表される。

次に、本実施形態に係る制御回路１００の作用効果を説明する。上記したように、気体濃度センサ２００を実際に流れたセンサ電流Ｉｓｅは第２損失電流Ｉ２と検出電流Ｉｄｅに分流する。したがって検出電流Ｉｄｅをセンサ電流とみなす場合、気体濃度センサ２００を流れる電流の検出精度が低くかった。これに対して制御回路１００では電流Ｉｓｗ，Ｉｄｅ、電圧Ｖ１〜Ｖ３、および、数１、数２に示す関係式それぞれに基づいて第２損失電流Ｉ２を算出する。そして数４に示すように算出した第２損失電流Ｉ２に検出電流Ｉｄｅを加算することで、数５に示すようにセンサ電流Ｉｓｅを算出する。これによれば上記した比較構成と比べて、センサ電流Ｉｓｅの検出精度が高まる。

第１保護素子４１および第２保護素子４２それぞれは同一の静電容量を有する。この場合、センサ電流Ｉｓｅは数５で表される。これに対して第１保護素子４１と第２保護素子４２それぞれの静電容量が異なる場合、センサ電流Ｉｓｅは数８で表される。数式に表されるように数８とは異なり数５には静電容量が含まれていない。したがって第１保護素子４１と第２保護素子４２それぞれの静電容量が異なる場合と比べて、センサ電流Ｉｓｅの算出処理が簡素化される。

処理部３０は算出したセンサ電流Ｉｓｅに基づいて気体濃度センサ２００のインピーダンスを算出する。上記したようにセンサ電流Ｉｓｅの検出精度が高まっている。そのためインピーダンスの算出精度も高まる。

また、処理部３０は算出した気体濃度センサ２００のインピーダンスに基づいて気体濃度センサ２００の温度を算出する。これも同様にして、センサ電流Ｉｓｅの検出精度が高まっているため、温度の算出精度も高まる。

なお、本発明者は実際にセンサ電流Ｉｓｅの検出精度がどれほど高まるのかをシミュレーションした。上記したように検出電流Ｉｄｅをセンサ電流Ｉｓｅとみなす場合、検出されることが期待されるインピーダンスに比べて、その値は５％以上ずれていた。しかしながら上記したように数５若しくは数８に基づいて気体濃度センサ２００を実際に流れたセンサ電流Ｉｓｅを算出した場合、検出されることが期待されるインピーダンスに比べて、その値のズレは０．２３％以下となっていた。このように、インピーダンスの検出精度のオーダーが一桁低くなる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。

本実施形態では制御回路１００が内燃機関３００の燃料噴射装置４００の制御を行う例を示した。しかしながら制御回路１００は気体濃度センサ２００の制御を行うのみでも良い。この場合、制御回路１００は空燃比を算出し、その算出した空燃比を燃料噴射装置４００を制御する別の回路に出力する。

本実施形態では制御回路１００が三元触媒コンバータ５００の上流側と下流側それぞれに設けられた２つの気体濃度センサ２００を制御する例を示した。しかしながら制御回路１００は少なくとも１つの気体濃度センサ２００を制御すれば良い。

本実施形態では制御回路１００が下限電圧生成部５０を有する例を示した。しかしながら制御回路１００は下限電圧生成部５０を有していなくとも良い。この場合、数１〜数８に含まれる第３電圧Ｖ３はゼロとなる。

本実施形態では掃引回路１０が定電流回路１１，１２と、制御部１３と、を有する例を示した。しかしながら掃引回路１０の構成としては上記例に限定されず、図３に示す掃引電流Ｉｓｗを供給できるのであれば、適宜採用することができる。

本実施形態では保護素子４１，４２それぞれの静電容量Ｃ１，Ｃ２が互いに等しい例を示した。しかしながら保護素子４１，４２それぞれの静電容量Ｃ１，Ｃ２は互いに異なっていても良い。この場合、処理部３０は静電容量Ｃ１，Ｃ２を記憶しており、数５に代えて数８を用いることでセンサ電流Ｉｓｅを算出する。

本実施形態では第２損失電流Ｉ２を算出し、第２損失電流Ｉ２に検出電流Ｉｄｅを加算することでセンサ電流Ｉｓｅを算出する例を示した。しかしながら上記したように掃引電流Ｉｓｗは第１保護素子４１と気体濃度センサ２００へと分流する。したがって第１損失電流Ｉ１を算出し、掃引電流Ｉｓｗから第１損失電流Ｉ１を減算することでセンサ電流Ｉｓｅを算出してもよい。この第１損失電流Ｉ１は上記した数１および数２に基づいて算出することができる。若しくは、数１および数６に基づいて算出することができる。

１０…掃引回路、２０…電流検出用抵抗、３０…処理部、４０…保護素子、４１…第１保護素子、４２…第２保護素子、６０…第１配線、６１…第２配線、６２…第１グランド配線、６３…第２グランド配線、１００…制御回路、２００…気体濃度センサ、２００ａ…第１端子、２００ｂ…第２端子

Claims

気体濃度センサ（２００）を制御する制御回路であって、
前記気体濃度センサへ時間的に電流値の変動する電流（Ｉｓｗ）を供給する掃引回路（１０）と、
前記気体濃度センサを流れる電流（Ｉｓｅ）を検出するための電流検出用抵抗（２０）と、
前記気体濃度センサを流れる電流および前記気体濃度センサに印加された電圧（Ｖ１−Ｖ２）に基づいて前記気体濃度センサのインピーダンスを算出する算出部（３０）と、
前記掃引回路および前記算出部それぞれへ外乱ノイズが印加されることを抑制する保護素子（４０）と、を有し、
前記掃引回路と前記気体濃度センサの第１端子（２００ａ）とを接続する第１配線（６０）に第１グランド配線（６２）が接続され、前記気体濃度センサの第２端子（２００ｂ）と前記電流検出用抵抗とを接続する第２配線（６１）に第２グランド配線（６３）が接続されており、
前記保護素子は、前記第１グランド配線に設けられた第１保護素子（４１）と、前記第２グランド配線に設けられた第２保護素子（４２）と、を有し、
前記掃引回路から供給された電流は前記第１保護素子と前記気体濃度センサとに分流し、前記気体濃度センサを実際に流れた電流は前記第２保護素子と前記電流検出用抵抗とに分流しており、
前記算出部は、前記第１保護素子へと流れる電流（Ｉ１）または前記第２保護素子へと流れる電流（Ｉ２）を算出し、算出した電流に基づいて、実際に前記気体濃度センサを流れる電流を算出することを特徴とする制御回路。
前記算出部は、前記掃引回路から供給される電流、前記電流検出用抵抗を流れる電流（Ｉｄｅ）、前記掃引回路と前記第１保護素子との間の電圧（Ｖ１）、および、前記電流検出用抵抗の両端電圧（Ｖ２，Ｖ３）それぞれに基づいて、前記第２保護素子へと流れる電流（Ｉ２）を算出することを特徴とする請求項１に記載の制御回路。
前記算出部は、前記第１保護素子を流れる電流と前記第２保護素子を流れる電流の比が前記第１保護素子の電圧変化（Ｖ１−Ｖ２）に自身の静電容量（Ｃ１）を乗算した値と前記第２保護素子の電圧変化（Ｖ２−Ｖ３）に自身の静電容量（Ｃ２）を乗算した値の比に等しい関係、および、前記電流検出用抵抗を流れる電流が前記掃引回路から供給される電流から前記第１保護素子を流れる電流と前記第２保護素子を流れる電流それぞれを減算した値に等しい関係それぞれに基づいて、前記第２保護素子へと流れる電流を算出することを特徴とする請求項２に記載の制御回路。
前記第１保護素子および前記第２保護素子それぞれは同一の静電容量を有しており、
前記第１保護素子を流れる電流と前記第２保護素子を流れる電流の比は、前記第１保護素子の電圧変化と前記第２保護素子の電圧変化の比に等しいことを特徴とする請求項３に記載の制御回路。
前記算出部は、算出した実際に前記気体濃度センサを流れる電流、および、前記掃引回路と前記第１保護素子との間の電圧と前記第２保護素子と前記電流検出用抵抗との間の電圧の差分値（Ｖ１−Ｖ２）に基づいて前記気体濃度センサの前記インピーダンスを算出することを特徴とする請求項１〜４いずれか１項に記載の制御回路。
前記算出部は前記気体濃度センサの前記インピーダンスの温度特性を記憶しており、この温度特性と算出した前記インピーダンスとに基づいて前記気体濃度センサの温度を算出することを特徴とする請求項５に記載の制御回路。