JP6070079B2

JP6070079B2 - ヒンダードフェノールの製造方法

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Publication number: JP6070079B2
Application number: JP2012242718A
Authority: JP
Inventors: 雅弘堀口; 楠本　哲生; 哲生楠本
Original assignee: DIC Corp
Current assignee: DIC Corp
Priority date: 2012-11-02
Filing date: 2012-11-02
Publication date: 2017-02-01
Anticipated expiration: 2032-11-02
Also published as: JP2014091695A

Description

本発明はヒンダードフェノール骨格を有する化合物の製造法、当該製造法により得られた化合物から製造される化合物、当該製造法により得られた化合物を含有する組成物及び当該組成物を用いた樹脂、オイル、オイルフィルター、油脂、インキ、医薬品、化粧品、洗剤、液晶材料、農薬、ポリマー、樹脂、顔料、染料、粘着剤接着剤、印刷物、食品、光学異方体、表示素子又は電子デバイスに関する。

ＴＦＴ液晶材料に使用される液晶化合物及び添加剤は、ディスプレイに焼き付きを引き起こす不純物を含有しないことは元より、なるべく高純度であることが好ましいとされている。

ＴＦＴ液晶表示素子の種類の一つであるＰＳＡ（ＰｏｌｙｍｅｒＳｕｓｔａｉｎｅｄＡｌｉｇｎｍｅｎｔ）型液晶表示素子は、セル内にプレチルト角を制御するためのポリマー構造を有しており、高コントラスト表示及び高速応答が可能である。この素子は、重合性化合物を添加した液晶組成物をセル内に注入し、電圧を印加した状態でＵＶ照射を行い、重合性化合物を重合させることによって作製される。従って、この素子に使用される液晶化合物及び添加剤には、特にＵＶ照射によってパネルに焼き付き等の悪影響を及ぼす不純物を含有しないことが求められる。

通常、ＴＦＴ液晶材料の劣化を防止する目的で、酸化防止剤が液晶材料に添加されている。当該酸化防止剤として、製造が容易で、液晶組成物への相溶性が高く、液晶の配向性に悪影響を及ぼさないといった理由から、アルキレン基を有するフェノール誘導体がしばしば利用される（特許文献１〜２）。

このアルキレン基を有するフェノール誘導体の製造方法としては、対応するカルボニルアルキレン基を有するフェノール誘導体中に存在するカルボニル基を、接触水素化により還元する方法が知られている（非特許文献１）。しかしながらこの方法を用いると、カルボニル基の還元と同時に芳香環の核還元が進行し種々の核還元体を生じてしまうため、高品質の目的物を収率良く得ることは困難であった。この問題を解決するために、カルボニルアルキレン基を有するフェノール誘導体中に存在するカルボニル基をヒドロキシル基へと予め還元した後、接触水素化により還元する段階的合成法が報告されている（特許文献３）。この方法によると、種々の核還元体のうちシクロヘキサノール体の副生成を大幅に抑制することが可能である。しかしながら、カルボニル基をヒドロキシル基へと予め還元した後に、後処理・精製工程が必要となることから、工程数が多くなり、好ましくなかった。また、フェノール芳香環上に嵩高い基を有するヒンダードフェノールに適用した場合、副生成する種々の核還元体のうちシクロヘキサノール構造を有する核還元体の生成を抑制することは可能であるものの、シクロヘキサノン構造を有する核還元体の生成を抑制することは困難であった。

そのため、ＴＦＴ液晶材料等の特に高純度の化合物が要求される分野においては、ヒンダードフェノールに連結したカルボニル基の還元工程において、接触水素化反応が用いられることは無く、クレメンゼン還元又はヒドリド還元が用いられてきた（非特許文献１〜３）。この方法をヒンダードフェノールの製造に採用すると、従来型のＴＦＴ液晶材料用途での酸化防止剤としては十分に高品質の酸化防止効果が得られた。一方、前述の通り、接触水素化還元を用いると、ヒンダードフェノール部位の芳香環が核還元された除去困難な副生成物が生じてしまい最終的に得られる化合物の純度が低下してしまうため、当該用途に使用することはできなかった。

しかしながら、ＰＳＡ型表示素子用液晶材料に対し、クレメンゼン還元又はヒドリド還元によって製造したヒンダードフェノールを添加すると、製造後のパネルが焼き付きを起こしやすいといった問題があった。これは、この還元方法によって製造したヒンダードフェノールに含まれていた極微量の不純物が、パネル製造の際のＵＶ照射工程において、焼き付きに悪影響を及ぼす物質に変質したためであると推定された。

以上の反応経路の他に、アルキレン基を有するヒンダードフェノールの公知の製造方法として、アルキレン基を有するフェノールに、硫酸又はルイス酸存在下、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルクロリド又はイソブテンを反応させる方法（特許文献１、非特許文献５）が知られていた。しかしながら、これらの反応経路では反応時間が長時間掛かってしまったり、ガスを反応液中に吹き込むため特殊な設備が必要であったりする問題があった。また、ベンゾキノンを原料とする方法（特許文献４）が知られていたが、原料の合成が煩雑であったりする問題があった。

以上のことから、焼き付きに悪影響を及ぼすような不純物を含有しないアルキレン基を有するヒンダードフェノールの製造方法の開発が求められていた。

特開平９−１２４５２９号公報特開２００６−１６９４７２号公報特開２００１−２３３８１１号公報ＵＳ３６６０５０５号公報

ＯｒｇａｎｉｃＲｅａｃｔｉｏｎｓ誌、１９５３年、１７巻、２６３−３２６頁ＳｙｎｔｈｅｔｉｃＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ誌、２００３年、３３巻、２号、１９９−２０５頁ＪｏｕｒｎａｌｏｆＭｅｄｉｃｉｎａｌＣｈｅｍｉｓｔｒｙ誌、１９８９年、３２巻、１００−１０４頁ＴｈｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ誌、２００５年、７０巻、４３３８−４３４５頁ＣｈｅｍｉｓｃｈｅＢｅｒｉｃｈｔｅ誌、１９８５年、１１８巻、５号、１７８２−１７９７頁

本願発明が解決しようとする課題は、高品質なヒンダードフェノールの製造方法及び、当該製造方法により得られる化合物を提供することである。

少なくとも一つのカルボニル基及び少なくとも一つのヒンダードフェノール基を有する化合物（Ａ）の一つ又は複数のカルボニル基を、接触水素化還元によってメチレン基へと変換することによる、少なくとも一つのメチレン基及び少なくとも一つのヒンダードフェノール基を有する化合物（Ｂ）の製造方法及び、当該製造方法により得られる化合物を提供し、更に当該化合物を中間体とする化合物並びに、当該化合物を使用した組成物を提供する。

本願発明の製造方法により製造されるヒンダードフェノール骨格を有する化合物は、液晶材料等の組成物に添加した場合に、組成物の変質防止効果が高いことから、種々の組成物の構成部材として有用である。また、本願発明の製造方法により製造される化合物を含有する組成物は樹脂、オイル、オイルフィルター、油脂、インキ、医薬品、化粧品、洗剤、液晶材料、農薬、ポリマー、樹脂、顔料、染料、粘着剤接着剤、印刷物、食品、光学異方体、表示素子又は電子デバイスの用途に有用である。

少なくとも一つのカルボニル基及び少なくとも一つのヒンダードフェノール骨格を有する化合物（Ａ）の一つ又は複数のカルボニル基を、接触水素化還元によってメチレン基へと変換する化合物（Ｂ）の製造方法を提供する。但し、ヒンダードフェノールとは、フェノール芳香環上の水素原子が嵩高い置換基により置換された化合物のことを表す。また、そのような構造をヒンダードフェノール骨格と表す。

これらの実施形態において、化合物（Ａ）が、ヒンダードフェノール骨格に直接結合した少なくとも一つのカルボニル基を有することが好ましく、触媒として均一系触媒又は不均一系触媒を用いることが好ましく、水素圧が１０ＭＰａ以下であることが好ましく、反応温度が−１００℃から２００℃であることが好ましい。

さらに、化合物（Ａ）は、下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｇは４価の有機基を表し、Ｒは下記一般式（ＩＩ）

（式中、Ｙ^１及びＹ^２は各々独立して、水素原子、炭素原子数１から１８のアルキル基、炭素原子数１から１８のアルコキシ基又は炭素原子数１から１８のアルカノイル基を表し、Ｓｐは１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＹ＝ＣＹ−（式中、Ｙは各々独立して水素原子、炭素原子数１から１２のアルキル基、フッ素原子、塩素原子又はシアノ基を表す。）又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されても良い炭素原子数１から２０のアルキレン基又は単結合を表し、Ｘは各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｓ−、−ＳＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＹ^１１＝ＣＹ^１１−（式中、Ｙ^１１は各々独立して水素原子、炭素原子数１から１２のアルキル基、フッ素原子、塩素原子又はシアノ基を表す。）、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、Ａは各々独立して１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、１，４−シクロヘキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、ピリジン−２，６−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表すが、これらの基は無置換であるか又は、各々独立してハロゲン、シアノ基、ニトロ基、ペンタフルオロスルフラニル基又は炭素原子数１から１０のアルキル基によって置換されていても良いが、このアルキル基は各々独立して１個以上の水素原子がフッ素原子又は塩素原子により置き換えられても良く、このアルキル基上の１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＹ＝ＣＹ−（式中、Ｙは各々独立して水素原子、炭素原子数１から１２のアルキル基、フッ素原子、塩素原子又はシアノ基を表す。）又は−Ｃ≡Ｃ−に置換されても良く、Ｚは各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｓ−、−ＳＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＹ^１２＝ＣＹ^１２−（式中、Ｙ^１２は各々独立して水素原子、炭素原子数１から１２のアルキル基、フッ素原子、塩素原子又はシアノ基を表す。）、−Ｃ≡Ｃ−、１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＹ^１３＝ＣＹ^１３−（式中、Ｙ^１３は各々独立して水素原子、炭素原子数１から１２のアルキル基、フッ素原子、塩素原子又はシアノ基を表す。）又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されても良い炭素原子数１から２０のアルキレン基又は単結合を表し、ｎは０から５の整数を表すが、Ａが複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、Ｚが複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよい。）を表し、ｍは１から４の整数を表し、Ｒが複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよい。）で表される。

さらに、化合物（Ｂ）は、下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｇ及びｍは一般式（Ｉ）と同様の意味を表し、Ｒ’は下記一般式（ＩＶ）

（式中、Ｙ^１、Ｙ^２、Ｓｐ、Ｘ、Ａ、Ｚ及びｎは一般式（ＩＩ）と同一の意味を表すが、これらの基が一般式（ＩＩ）において−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＹ＝ＣＹ−、−ＣＹ^１１＝ＣＹ^１１−、−ＣＹ^１２＝ＣＹ^１２−、−ＣＹ^１３＝ＣＹ^１３−（式中、Ｙ、Ｙ^１１、Ｙ^１２、Ｙ^１３は各々独立して水素原子、炭素原子数１から１２のアルキル基、フッ素原子、塩素原子又はシアノ基を表す。）又は−Ｃ≡Ｃ−を表す場合、一般式（ＩＶ）において各々−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨＹ−ＣＨＹ−、−ＣＨＹ^１１−ＣＨＹ^１１−、−ＣＨＹ^１２−ＣＨＹ^１２−、−ＣＨＹ^１３−ＣＨＹ^１３−又は−ＣＨ_２−ＣＨ_２−を表す。）を表す。）
さらに一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩ）で表される化合物は液晶組成物とした際に、他の成分との相溶性の観点から、Ｙ^１及びＹ^２は各々独立して、水素原子、炭素原子数１から１８のアルキル基又は炭素原子数１から１８のアルコキシ基である場合が好ましく、各々独立して、水素原子、炭素原子数１から８のアルキル基又は炭素原子数１から８のアルコキシ基である場合がより好ましく、Ｙ^１及びＹ^２のうち一方が水素原子を表し、他方が水素原子、炭素原子数１から８のアルキル基又は炭素原子数１から８のアルコキシ基である場合がさらに好ましく、Ｙ^１及びＹ^２がｔｅｒｔ−ブチル基である場合が特に好ましく、Ｓｐは１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されても良い炭素原子数１から２０のアルキレン基又は単結合である場合が好ましく、１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−で置換されても良い炭素原子数１から２０のアルキレン基又は単結合である場合がより好ましく、炭素原子数１から２０のアルキレン基又は単結合である場合がさらに好ましく、炭素原子数１から１０のアルキレン基又は単結合である場合がさらにより好ましく、炭素原子数１から５のアルキレン基又は単結合である場合がさらにより好ましく、炭素原子数１から５のアルキレン基である場合が特に好ましく、Ｘは各々独立して−Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＹ＝ＣＹ−（式中、Ｙは各々独立して水素原子、炭素原子数１から１２のアルキル基、フッ素原子、塩素原子又はシアノ基を表す。）、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合である場合が好ましく、各々独立して−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は単結合である場合がより好ましく、各々独立して−Ｏ−又は単結合である場合がさらにより好ましく、各々独立して単結合である場合が特に好ましく、Ａは各々独立して無置換若しくは、各々独立してハロゲン又は各々独立して１個以上の水素原子がフッ素原子又は塩素原子により置き換えられても良く、１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−に置換されても良い炭素原子数１から１０のアルキル基によって置換されても良い１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、１，４−シクロヘキシレン基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基である場合が好ましく、各々独立して無置換若しくは、各々独立してフッ素原子又は塩素原子若しくは、各々独立して１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−に置換されても良い炭素原子数１から１０のアルキル基によって置換されても良い１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、１，４−シクロヘキシレン基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基である場合がより好ましく、各々独立して無置換若しくは、各々独立してフッ素原子若しくは、各々独立して１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−に置換されても良い炭素原子数１から５のアルキル基によって置換されても良い１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基である場合がさらに好ましく、各々独立して無置換若しくは、各々独立してフッ素原子、メチル基、エチル基又はメトキシ基によって置換されても良い１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基である場合がさらにより好ましく、各々独立して無置換若しくは、各々独立してフッ素原子、メチル基又はメトキシ基によって置換されても良い１，４−フェニレン基又は無置換の１，４−シクロヘキシレン基である場合が特に好ましく、Ｚは各々独立して−Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＹ＝ＣＹ−（式中、Ｙは各々独立して水素原子、炭素原子数１から１２のアルキル基、フッ素原子、塩素原子又はシアノ基を表す。）、−Ｃ≡Ｃ−、１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＹ＝ＣＹ−（式中、Ｙは各々独立して水素原子、炭素原子数１から１２のアルキル基、フッ素原子、塩素原子又はシアノ基を表す。）又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されても良い炭素原子数１から２０のアルキレン基又は単結合である場合が好ましく、各々独立して−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＹ＝ＣＹ−（式中、Ｙは各々独立して水素原子、炭素原子数１から４のアルキル基又はフッ素原子を表す。）、−Ｃ≡Ｃ−、１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されても良い炭素原子数１から２０のアルキレン基又は単結合である場合がより好ましく、各々独立して−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されても良い炭素原子数１から２０のアルキレン基又は単結合である場合がさらに好ましく、各々独立して−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−で置換されても良い炭素原子数１から２０のアルキレン基又は単結合である場合がさらにより好ましく、各々独立して−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は単結合である場合が特に好ましく、ｎは０から３の整数である場合が好ましく、０から２の整数である場合がより好ましく、０又は１である場合がさらに好ましく、０である場合が特に好ましく、ｍは１から４の整数である場合が好ましく、１、２又は４である場合がより好ましく、１又は２である場合が特に好ましい。

さらに一般式（ＩＩＩ）及び一般式（ＩＶ）で表される化合物は液晶組成物とした際に、他の成分との相溶性の観点から、Ｙ^１及びＹ^２は各々独立して、水素原子、炭素原子数１から１８のアルキル基又は炭素原子数１から１８のアルコキシ基である場合が好ましく、各々独立して、水素原子、炭素原子数１から８のアルキル基又は炭素原子数１から８のアルコキシ基である場合がより好ましく、Ｙ^１及びＹ^２のうち一方が水素原子を表し、他方が水素原子、炭素原子数１から８のアルキル基又は炭素原子数１から８のアルコキシ基である場合がさらに好ましく、Ｙ^１及びＹ^２がｔｅｒｔ−ブチル基である場合が特に好ましく、Ｓｐは１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されても良い炭素原子数１から２０のアルキレン基又は単結合である場合が好ましく、１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−で置換されても良い炭素原子数１から２０のアルキレン基又は単結合である場合がより好ましく、炭素原子数１から２０のアルキレン基又は単結合である場合がさらに好ましく、炭素原子数１から１０のアルキレン基又は単結合である場合がさらにより好ましく、炭素原子数１から５のアルキレン基又は単結合である場合がさらにより好ましく、炭素原子数１から５のアルキレン基である場合が特に好ましく、Ｘは各々独立して−Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＹ＝ＣＹ−（式中、Ｙは各々独立して水素原子、炭素原子数１から１２のアルキル基、フッ素原子、塩素原子又はシアノ基を表す。）、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合である場合が好ましく、各々独立して−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は単結合である場合がより好ましく、各々独立して−Ｏ−又は単結合である場合がさらにより好ましく、各々独立して単結合である場合が特に好ましく、Ａは各々独立して無置換若しくは、各々独立してハロゲン又は各々独立して１個以上の水素原子がフッ素原子又は塩素原子により置き換えられても良く、１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−に置換されても良い炭素原子数１から１０のアルキル基によって置換されても良い１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、１，４−シクロヘキシレン基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基である場合が好ましく、各々独立して無置換若しくは、各々独立してフッ素原子又は塩素原子若しくは、各々独立して１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−に置換されても良い炭素原子数１から１０のアルキル基によって置換されても良い１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、１，４−シクロヘキシレン基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基である場合がより好ましく、各々独立して無置換若しくは、各々独立してフッ素原子若しくは、各々独立して１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−に置換されても良い炭素原子数１から５のアルキル基によって置換されても良い１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基である場合がさらに好ましく、各々独立して無置換若しくは、各々独立してフッ素原子、メチル基、エチル基又はメトキシ基によって置換されても良い１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基である場合がさらにより好ましく、各々独立して無置換若しくは、各々独立してフッ素原子、メチル基又はメトキシ基によって置換されても良い１，４−フェニレン基又は無置換の１，４−シクロヘキシレン基である場合が特に好ましく、Ｚは各々独立して−Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＹ＝ＣＹ−（式中、Ｙは各々独立して水素原子、炭素原子数１から１２のアルキル基、フッ素原子、塩素原子又はシアノ基を表す。）、−Ｃ≡Ｃ−、１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＹ＝ＣＹ−（式中、Ｙは各々独立して水素原子、炭素原子数１から１２のアルキル基、フッ素原子、塩素原子又はシアノ基を表す。）又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されても良い炭素原子数１から２０のアルキレン基又は単結合である場合が好ましく、各々独立して−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＹ＝ＣＹ−（式中、Ｙは各々独立して水素原子、炭素原子数１から４のアルキル基又はフッ素原子を表す。）、−Ｃ≡Ｃ−、１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されても良い炭素原子数１から２０のアルキレン基又は単結合である場合がより好ましく、各々独立して−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されても良い炭素原子数１から２０のアルキレン基又は単結合である場合がさらに好ましく、各々独立して−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−で置換されても良い炭素原子数１から２０のアルキレン基又は単結合である場合がさらにより好ましく、各々独立して−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は単結合である場合が特に好ましく、ｎは０から３の整数である場合が好ましく、０から２の整数である場合がより好ましく、０又は１である場合がさらに好ましく、０である場合が特に好ましく、ｍは１から４の整数である場合が好ましく、１、２又は４である場合がより好ましく、１又は２である場合が特に好ましい。

以下にさらに具体的な実施形態を記載する。

接触水素還元に使用する触媒としては、均一系触媒又は不均一系触媒が好ましいが、合成の容易さ及び精製のしやすさの観点から不均一系触媒がより好ましい。好ましい金属種としては、パラジウム、白金、イリジウム、ルテニウム、ロジウム、金、銀、ニッケルが挙げられるが、これら単体であっても、酸化物、水酸化物、塩、合金、担持金属であっても良い。具体例としては、Ｐｄカーボン、Ｐｄアルミナ、Ｐｄ硫酸バリウム、Ｐｄブラック、Ｐｄ炭酸カルシウム、酸化パラジウム、水酸化パラジウム、Ｐｔカーボン、Ｐｔサルファイテッドカーボン、Ｐｔアルミナ、Ｐｔブラック、酸化白金、ニッケル、ラネーニッケル、Ｒｕカーボン、Ｒｕアルミナ、Ｒｕブラック、酸化ルテニウム、Ｒｕチタニア、Ｒｈカーボン、Ｒｈアルミナ、Ｒｈブラック、酸化ロジウム、塩化パラジウム（ＩＩ）、硝酸パラジウム（ＩＩ）、硫酸パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、プロピオン酸パラジウム（ＩＩ）、ジニトロジアンミンパラジウム（ＩＩ）、臭化パラジウム（ＩＩ）、ヨウ化パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（アセトニトリル）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロ（η−１，５−シクロオクタジエン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロ（η−２，５−ノルボルナジエン）パラジウム（ＩＩ）、ジ−μ−クロロビス［（η−アリル）パラジウム（ＩＩ）］、ビス（アセチルアセトナト）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、テトラアンミンパラジウム（ＩＩ）塩化物水和物、テトラクロロパラジウム（ＩＩ）酸、テトラクロロパラジウム（ＩＩ）酸ナトリウム、テトラクロロパラジウム（ＩＩ）酸カリウム、テトラクロロパラジウム（ＩＩ）酸アンモニウム、ヘキサクロロパラジウム（ＩＶ）酸カリウム、ヘキサクロロパラジウム（ＩＶ）酸アンモニウム、テトラブロモパラジウム（ＩＩ）酸、テトラブロモパラジウム（ＩＩ）酸リチウム、テトラブロモパラジウム（ＩＩ）酸ナトリウム、テトラブロモパラジウム（ＩＩ）酸カリウム、テトラブロモパラジウム（ＩＩ）酸アンモニウム、テトラブロモパラジウム（ＩＩ）酸セチルトリメチルアンモニウム、硫酸パラジウム（ＩＩ）水和物、シアン化パラジウム（ＩＩ）、テトラシアノパラジウム（ＩＩ）酸カリウム水和物、テトラニトロパラジウム（ＩＩ）酸カリウム水和物、テトラアンミンパラジウム（ＩＩ）塩化物、テトラアンミンパラジウム（ＩＩ）酢酸塩、テトラアンミンパラジウム（ＩＩ）硝酸塩、テトラアンミンパラジウム（ＩＩ）硫酸塩水和物、テトラアンミンパラジウム（ＩＩ）スルファミン酸塩、テトラアンミンパラジウム（ＩＩ）メタンスルホン酸塩、トランス−ジクロロジアンミンパラジウム（ＩＩ）、トランス−ジブロモジアンミンパラジウム（ＩＩ）、ビス（エチレンジアミン）パラジウム（ＩＩ）塩化物、ジクロロ（エチレンジアミン）パラジウム（ＩＩ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）、ビス（ジメチルグリオキシマト）パラジウム（ＩＩ）、テトラアンミンパラジウム（ＩＩ）炭酸塩、テトラアンミンパラジウム（ＩＩ）酢酸塩、ジクロロビス（Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド）パラジウム（ＩＩ）、テトラヒドロキソパラジウム（ＩＩ）酸ナトリウム、トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム（０）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）クロライド、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）クロライドジクロロメタン付加物、ヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸水和物、ヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸カリウム、ヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸アンモニウム、シス−ジクロロジアンミン白金（ＩＩ）、シス−ジニトロジアンミン白金（ＩＩ）、シス−ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）白金（ＩＩ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）白金（０）、テトラアンミン白金（ＩＩ）塩化物水和物、塩化白金（ＩＩ）、ヨウ化白金（ＩＩ）、ヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸ナトリウム、ヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸水和物、ヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸カリウム、ヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸アンモニウム、テトラクロロ白金（ＩＩ）酸、テトラクロロ白金（ＩＩ）酸カリウム、テトラクロロ白金（ＩＩ）酸アンモニウム、テトラブロモ白金（ＩＩ）酸カリウム、テトラニトロ白金（ＩＩ）酸カリウム、テトラシアノ白金（ＩＩ）酸カリウム水和物、テトラキス（チオシアナト）白金（ＩＩ）酸カリウム、ヘキサヒドロソ白金（ＩＶ）酸、ヘキサヒドロソ白金（ＩＶ）酸カリウム水和物、テトラアンミン白金（ＩＩ）酢酸塩、テトラアンミン白金（ＩＩ）酢酸塩水和物、テトラアンミン白金（ＩＩ）硝酸塩、テトラアンミン白金（ＩＩ）硫酸塩、クロロペンタアンミン白金（ＩＶ）塩化物水和物、ヒドロキソペンタアンミン白金（ＩＶ）塩化物水和物、テトラクロロ白金（ＩＩ）酸テトラアンミン白金（ＩＩ）、トランス−ジクロロジアンミン白金（ＩＩ）、シス−ビス（チオシアナト）ジアンミン白金（ＩＩ）、シス−ジヨードジアンミン白金（ＩＩ）、シス−ジクロロビス（イソプロピルアミン）白金（ＩＩ）、トランス−ジクロロビス（イソプロピルアミン）白金（ＩＩ）、ビス（アセチルアセトナト）白金（ＩＩ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）白金（０）、ジクロロ（η−１，５−シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）、ヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸リチウム、テトラシアノ白金（ＩＩ）酸バリウム水和物、テトラアンミン白金（ＩＩ）スルファミン酸塩、テトラアンミン白金（ＩＩ）炭酸塩、ヘキサヒドロキソ白金（ＩＶ）酸ナトリウム、クロロビス（アセチルアセトナト）白金（ＩＩ）酸カリウム水和物、テトラアンミン白金（ＩＩ）炭酸水素、Ｐｔ−ＶＴＳ−ＩＰＡ、Ｐｔ−ＶＴＳ−キシレン、Ｐｔ−ＶＴＳ−トルエン、Ｐｔ−ＣＴＳ−ＩＰＡ、Ｐｔ−ＣＴＳ−キシレン、Ｐｔ−ＣＴＳ−トルエン、塩化ルテニウム水和物、トリス（アセチルアセトナト）ルテニウム（ＩＩＩ）、ドデカカルボニル三ルテニウム（０）、クロロペンタアンミンルテニウム（ＩＩＩ）塩化物、ヘキサアンミンルテニウム（ＩＩＩ）塩化物、ジクロロベンゼンルテニウム（ＩＩ）ダイマー、ジクロロ（ｔｅｒｔ−ブチルビニリデン）ビストリシクロヘキシルホスフィンルテニウム（ＩＩ）、ジクロロ（ｐ−シメン）ルテニウム（ＩＩ）ダイマー、ジヨード（ｐ−シメン）ルテニウム（ＩＩ）ダイマー、臭化ルテニウム水和物、ヨウ化ルテニウム（ＩＩＩ）、ペンタクロロアクアルテニウム（ＩＩＩ）酸アンモニウム、ペンタクロロアクアルテニウム（ＩＩＩ）酸カリウム，ヘキサクロロルテニウム（ＩＶ）酸アンモニウム、ヘキサクロロルテニウム（ＩＶ）酸カリウム、ペンタクロロニトロシルルテニウム酸（ＩＩ）カリウム、硝酸Ｒｕニトロシル水溶液（トリニトラトニトロシルジアクアルテニウム溶液）、ルテニウム（ＶＩ）酸ナトリウム、ヘキサアンミンルテニウム（ＩＩ）塩化物、ヘキサアンミンルテニウム（ＩＩ）臭化物、ヘキサアンミンルテニウム（ＩＩＩ）臭化物、ヘキサアンミンルテニウム（ＩＩＩ）ヨウ化物、ヘキサアンミンルテニウム（ＩＩＩ）硫酸塩水和物、ヘキサアンミンルテニウム（ＩＩＩ）硝酸塩、ジ−μ−オキソテトラデカアンミン三ルテニウム（ＩＩＩ−ＩＶ）塩化物水和物、ブロモペンタアンミンルテニウム（ＩＩＩ）臭化物、ニトロシルペンタアンミンルテニウム（ＩＩＩ）塩化物、ヒドロキソニトロシルテトラアンミンルテニウム（ＩＩ）硝酸塩、ホルマトジカルボニルルテニウム（Ｉ）、μ３−オキソ−ヘキサ−μアセタトトリアクア三ルテニウム（Ｉ）酢酸塩水和物、ジクロロ（η−１，５−シクロオクタジエン）ルテニウム（ＩＩ）、ジクロロテトラキス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム（ＩＩ）、ジクロロトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム（ＩＩ）、クロロヒドリドトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム（ＩＩ）トルエン付加物、ジヒドリドテトラキス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム（ＩＩ）、ヘキサシアノルテニウム（ＩＩ）酸カリウム水和物、ヒドロキソニトロシルテトラアンミンルテニウム（ＩＩ）硝酸塩、テトラニトロヒドロキソニトロシルルテニウム（ＩＩ）酸カリウム、クロロヒドリドカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム（ＩＩ）、ジヒドリドカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム（ＩＩ）、デカクロロ−μ−オキソ二ルテニウム（ＩＶ）酸カリウム水和物、塩化ロジウム（ＩＩＩ）水和物、ヨウ化ロジウム（ＩＩＩ）、硝酸ロジウム（ＩＩＩ）、硫酸ロジウム（ＩＩＩ）、酢酸ロジウム（ＩＩ）、クロロトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウム（Ｉ）、クロロカルボニルビス（トリフェニルホスフィン）ロジウム（Ｉ）、トランス−ヒドリドカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウム（Ｉ）、ジ−μ−クロロテトラカルボニル二ロジウム（Ｉ）、ドデカカルボニル四ロジウム（０）、ヘキサデカカルボニル六ロジウム（０）、（アセチルアセトナト）ジカルボニルロジウム（Ｉ）、トリス（アセチルアセトナト）ロジウム（ＩＩＩ）、ジ−μ−クロロビス［（η−１，５−シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）］、ジアセタトビス（シクロオクタジエン）二ロジウム（Ｉ）、臭化ロジウム（ＩＩＩ）水和物、ヘキサクロロロジウム（ＩＩＩ）酸、ヘキサブロモロジウム（ＩＩＩ）酸、水酸化ロジウム（ＩＩＩ）水和物、リン酸ロジウム（ＩＩＩ）、ヘキサニトロロジウム（ＩＩＩ）酸カリウム、クロロペンタアンミンロジウム（ＩＩＩ）塩化物、ペンタアンミンアクアロジウム（ＩＩＩ）硝酸塩水和物、ヘキサアンミンロジウム（ＩＩＩ）塩化物、ヘキサアンミンロジウム（ＩＩＩ）酸性硝酸塩、（アセチルアセトナト）カルボニル（トリフェニルホスフィン）ロジウム（Ｉ）、ジ−μ−クロロジカルボニルビス（トリフェニルホスフィン）二ロジウム（Ｉ）、安息香酸ロジウム（ＩＩ）、オクタン酸ロジウム（ＩＩ）、酢酸ロジウム（ＩＩ）水和物、ヘキサクロロロジウム（ＩＩＩ）酸アンモニウム水和物、ペンタクロロアクアロジウム（ＩＩＩ）酸アンモニウム、ペンタアンミンアクアロジウム（ＩＩＩ）塩化物、ペンタアンミンアクアロジウム（ＩＩＩ）硝酸塩溶液、ヘキサニトロロジウム（ＩＩＩ）酸ナトリウム、ヘキサシアノロジウム（ＩＩＩ）酸カリウム、アセチルアセトナト［（η−１，５−シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）］、ジクロロビス［（ノルボルナジエン）ロジウム（Ｉ）］、シアン化金（Ｉ）、ジシアノ金（Ｉ）酸カリウム、テトラクロロ金（ＩＩＩ）酸水和物、テトラシアノ金（ＩＩＩ）酸カリウム、ジスルフィド金（Ｉ）酸ナトリウム、ジスルフィド金（Ｉ）アンモニウム、テトラクロロ金（ＩＩＩ）酸ナトリウム、テトラクロロ金（ＩＩＩ）酸カリウム水和物、クロロ（トリエチルホスフィン）金（Ｉ）、クロロ（トリフェニルホスフィン）金（Ｉ）、ジシアノ金（Ｉ）酸アンモニウム、ジシアノ金（Ｉ）酸バリウム水和物、塩化イリジウム水和物、ヘキサクロロイリジウム（ＩＶ）酸、ヘキサクロロイリジウム（ＩＶ）酸アンモニウム、ヘキサクロロイリジウム（ＩＶ）酸カリウム、ヘキサクロロイリジウム（ＩＶ）酸ナトリウム水和物、ヘキサクロロイリジウム（ＩＩＩ）酸ナトリウム水和物、ヘキサクロロイリジウム（ＩＩＩ）酸カリウム水和物、臭化イリジウム（ＩＩＩ）水和物、ヘキサブロモイリジウム（ＩＩＩ）酸、酸化イリジウム（ＩＶ）、トリス（オキサラト）イリジウム（ＩＩＩ）酸カリウム水和物、クロロペンタアンミンイリジウム（ＩＩＩ）塩化物水和物、クロロカルボニルビス（トリフェニルホスフィン）イリジウム（Ｉ）、ジ−μ−クロロビス（η−１，５−シクロオクタジエン）二イリジウム（Ｉ）、ヘキサニトロイリジウム（ＩＩＩ）ナトリウム、ヘキサブロモイリジウム（ＩＶ）酸カリウム、ペンタクロロアクアイリジウム（ＩＩＩ）酸カリウム、シアン化金（Ｉ）、ジシアノ金（Ｉ）酸カリウム、テトラクロロ金（ＩＩＩ）酸水和物、テトラシアノ金（ＩＩＩ）酸カリウム、ジスルフィド金（Ｉ）酸ナトリウム、ジスルフィド金（Ｉ）酸アンモニウム、テトラクロロ金（Ｉ
ＩＩ）酸ナトリウム、テトラクロロ金（ＩＩＩ）酸カリウム水和物、クロロ（トリエチルホスフィン）金（Ｉ）、クロロ（トリフェニルホスフィン）金（Ｉ）、ジシアノ金（Ｉ）酸アンモニウム、ジシアノ金（Ｉ）酸バリウム水和物、塩化イリジウム水和物、ヘキサクロロイリジウム（ＩＶ）酸、ヘキサクロロイリジウム（ＩＶ）酸アンモニウム、ヘキサクロロイリジウム（ＩＶ）酸カリウム、ヘキサクロロイリジウム（ＩＶ）酸ナトリウム水和物、ヘキサクロロイリジウム（ＩＩＩ）酸ナトリウム水和物、ヘキサクロロイリジウム（ＩＩＩ）酸カリウム水和物、臭化イリジウム（ＩＩＩ）水和物、ヘキサブロモイリジウム（ＩＩＩ）酸、酸化イリジウム（ＩＶ）、トリス（オキサラト）イリジウム（ＩＩＩ）酸カリウム水和物、クロロペンタアンミンイリジウム（ＩＩＩ）塩化物水和物、クロロカルボニルビス（トリフェニルホスフィン）イリジウム（Ｉ）、ジ−μ−クロロビス（η−１，５−シクロオクタジエン）二イリジウム（Ｉ）、ヘキサニトロイリジウム（ＩＩＩ）ナトリウム、ヘキサブロモイリジウム（ＩＶ）酸カリウム、ペンタクロロアクアイリジウム（ＩＩＩ）酸カリウムが挙げられるが、不均一系触媒として、Ｐｄカーボン、Ｐｄアルミナ、Ｐｄ硫酸バリウム、Ｐｄブラック、Ｐｄ炭酸カルシウム、酸化パラジウム、水酸化パラジウム、Ｐｔカーボン、Ｐｔサルファイテッドカーボン、Ｐｔアルミナ、Ｐｔブラック、酸化白金、ニッケル、ラネーニッケル、Ｒｕカーボン、Ｒｕアルミナ、Ｒｕブラック、酸化ルテニウム、Ｒｕチタニア、Ｒｈカーボン、Ｒｈアルミナ、Ｒｈブラック、酸化ロジウムがより好ましく、コスト及び入手の容易さの観点から、Ｐｄカーボン、Ｐｄアルミナ、Ｐｄ硫酸バリウム、Ｐｄブラック、Ｐｄ炭酸カルシウム、酸化パラジウム、水酸化パラジウム、Ｐｔカーボン、Ｐｔサルファイテッドカーボン、Ｐｔアルミナ、Ｐｔブラック、酸化白金、ニッケル、ラネーニッケルがさらに好ましく、Ｐｄカーボン、Ｐｄアルミナ、Ｐｄ硫酸バリウム、Ｐｄブラック、Ｐｄ炭酸カルシウム、酸化パラジウム、水酸化パラジウム、ニッケル、ラネーニッケルがさらにより好ましく、Ｐｄカーボン、ラネーニッケルがさらにより好ましく、Ｐｄカーボンが特に好ましい。また触媒は含水品であっても乾燥品であっても構わない。

接触水素還元の反応時の圧力は、大気圧を０ＭＰａとして、水素圧が０ＭＰａから１０ＭＰａであることが好ましいが、設備の観点及び安全性の観点から大気圧を０ＭＰａとして、水素圧が０ＭＰａから１ＭＰａであることがより好ましく、大気圧を０ＭＰａとして、水素圧が０ＭＰａより大きく、０．５ＭＰａまでであることが特に好ましい。

接触水素還元の反応温度は、−１００℃から２００℃であることが好ましく、設備の観点及び収率の観点から、−２０℃から１００℃であることがより好ましく、０℃から６０℃であることがさらに好ましく、０℃から４０℃であることがより好ましく、０℃から室温以下であることが特に好ましい。

接触水素還元に使用する反応溶媒としては例えば、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、イソプロピルアルコール、イソペンチルアルコール、シクロヘキサノール、１−ブタノール、２−ブタノール、１−オクタノール、２−メトキシエタノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、メタノール、メチルシクロヘキサノール、エタノール、プロパノール、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエチレン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、トリクロロエチレン、１−クロロブタン、二硫化炭素、アセトン、アセトニトリル、ベンゾニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ｏ−ジクロロベンゼン、キシレン、ｏ−キシレン、ｐ−キシレン、ｍ−キシレン、クロロベンゼン、酢酸イソブチル、酢酸イソプロピル、酢酸イソアミル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸ペンチル、酢酸メチル、酢酸２−メトキシエチル、ヘキサメチルリン酸トリアミド、トリス（ジメチルアミノ）ホスフィン、シクロヘキサノン、１，４−ジオキサン、スチレン、テトラクロロエチレン、テトラヒドロフラン、ピリジン、１−メチル−２−ピロリジノン、１，１，１−トリクロロエタン、トルエン、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、シクロペンタン、ヘプタン、ベンゼン、メチルイソブチルケトン、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、メチルエチルケトン、メチルシクロヘキサノン、メチルブチルケトン、ジエチルケトン、ガソリン、コールタールナフサ、石油エーテル、石油ナフサ、石油ベンジン、テレビン油、ミネラルスピリット、水が挙げられるが、収率、後処理及び入手の容易さの観点から、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、イソプロピルアルコール、イソペンチルアルコール、シクロヘキサノール、１−ブタノール、２−ブタノール、１−オクタノール、２−メトキシエタノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、メタノール、メチルシクロヘキサノール、エタノール、プロパノール、ジエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ｏ−ジクロロベンゼン、キシレン、ｏ−キシレン、ｐ−キシレン、ｍ−キシレン、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、１−メチル−２−ピロリジノン、トルエン、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、シクロペンタン、ヘプタン、ベンゼン、メチルイソブチルケトン、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、メチルエチルケトン、石油エーテル、水が好ましく、イソプロピルアルコール、メタノール、エタノール、プロパノール、ジエチルエーテル、キシレン、ｏ−キシレン、ｐ−キシレン、ｍ−キシレン、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、トルエン、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、シクロペンタン、ヘプタン、ベンゼン、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、石油エーテル、水がより好ましく、イソプロピルアルコール、メタノール、エタノール、プロパノール、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、トルエン、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、シクロペンタン、ヘプタン、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、水がさらに好ましく、イソプロピルアルコール、メタノール、エタノール、プロパノール、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、水がさらにより好ましい。また、反応溶媒は単一の溶媒であっても前記溶媒を２種類以上混合して用いても構わない。

また、溶媒の一部又は全部に若しくは添加物として酸を用いることも可能である。酸としては、有機酸であっても無機酸であっても良いが、ブレンステッド酸である場合が好ましい。具体例としては、塩酸、臭化水素酸、硫酸、硝酸、オルトリン酸、ピロリン酸、アルキルスルホン酸、アリールスルホン酸、ホスホン酸、カルボン酸、過塩素酸、リンモリブデン酸、ケイタングステン酸、バナドモリブデン酸、ヘテロポリ酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ｔ−ブチルスルホン酸、２−ヒドロキシプロパンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、トリクロロメタンスルホン酸、ベンゼンホスホン酸、クロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、ピバリン酸、吉草酸、カプロン酸、カプリル酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、シュウ酸、シクロヘキサンカルボン酸、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、アクリル酸、メタクリル酸、プロピオール酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、オレイン酸、アスパラギン酸、グルタミン酸、ポリリン酸、固体酸等が挙げられるが、目的物の精製のしやすさの観点から、塩酸、臭化水素酸、硫酸、硝酸、アルキルスルホン酸、アリールスルホン酸、カルボン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ｔ−ブチルスルホン酸、２−ヒドロキシプロパンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、トリクロロメタンスルホン酸、クロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、ピバリン酸、吉草酸、カプロン酸、カプリル酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、シュウ酸、シクロヘキサンカルボン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、オレイン酸、アスパラギン酸、グルタミン酸、固体酸がより好ましく、塩酸、臭化水素酸、硫酸、硝酸、アルキルスルホン酸、カルボン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ｔ−ブチルスルホン酸、２−ヒドロキシプロパンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、トリクロロメタンスルホン酸、クロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、ピバリン酸、シュウ酸、マレイン酸、フマル酸、固体酸がさらに好ましく、塩酸、臭化水素酸、硫酸、硝酸、カルボン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ｔ−ブチルスルホン酸、２−ヒドロキシプロパンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、トリクロロメタンスルホン酸、クロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸がさらにより好ましく、塩酸、硫酸、トリフルオロメタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、酢酸がさらにより好ましく、塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸が特に好ましい。溶媒の一部又は全部に若しくは添加物として酸を用いても用いなくても構わないが、反応速度及び収率の観点から、溶媒に酸を任意の割合で加えるか、溶媒として酸のみを用いる場合が好ましく、後処理の容易さの観点から、硫酸等の強酸を用いる場合には、溶媒に酸を任意の割合で加える場合がより好ましく、溶媒１００体積部に対し酸を０．０００１体積部から１００体積部の割合で加える場合がさらに好ましく、溶媒１００体積部に対し酸を０．００１体積部から５０体積部の割合で加える場合がさらにより好ましく、溶媒１００体積部に対し酸を０．０１体積部から１０体積部の割合で加える場合がさらにより好ましく、溶媒１００体積部に対し酸を０．１体積部から１０体積部の割合で加える場合が特に好ましく、酢酸等の弱酸を用いる場合には、溶媒と酸との体積比が溶媒：酸＝１００：０．１から０：１００即ち溶媒として酸を用いる場合が好ましく、溶媒と酸との体積比が溶媒：酸＝１００：１から０：１００即ち溶媒として酸のみを用いる場合がより好ましく、溶媒と酸との体積比が溶媒：酸＝１０：１から０：１００即ち溶媒として酸のみを用いる場合がさらに好ましく、溶媒と酸との体積比が溶媒：酸＝５：１から０：１００即ち溶媒として酸のみを用いる場合がさらにより好ましく、溶媒と酸との体積比が０：１００即ち溶媒として酸のみを用いる場合が特に好ましい。さらに具体的には、溶媒に対し硫酸又は塩酸を０．０１体積％から１０体積％加えるか、溶媒に対しギ酸又は酢酸を１０体積％以上若しくはギ酸又は酢酸のみを溶媒とする場合が好ましく、溶媒に対し硫酸又は塩酸を０．１体積％から５体積％加えるか、溶媒に対しギ酸又は酢酸を５０体積％以上若しくはギ酸又は酢酸のみを溶媒とする場合がより好ましい。

以下、実施例を挙げて本発明を更に記述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は『質量％』を意味する。水素圧は、大気圧を０ＭＰａとした場合の圧力を意味する。以下に本願発明の製法及び比較例の製法によって製造した化合物について記述するが、わかりやすくするために、本願発明の製法によって製造した化合物を（Ｉ−１）のように末尾に数字のみを付記し、比較例の製法によって製造した化合物を（Ｉ−１ａ）のように末尾にアルファベットを付記する。

化合物の純度はＧＣ又はＵＰＬＣによって分析した。分析条件は以下の通りである。
（ＧＣ分析条件）
カラム：ＡｇｉｌｅｎｔＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｊ＆ＷＣｏｌｕｍｎＤＢ−１ＨＴ，１５ｍ×０．２５ｍｍ×０．１０μｍ
温度プログラム：１００℃（１分間）−（２０℃／分間）−２５０℃−（１０℃／分間）−３８０℃−（７℃／分間）−４００℃（２．６４分間）
注入口温度：３５０℃
検出器温度：４００℃
（ＵＰＬＣ分析条件）
カラム：ＷａｔｅｒｓＡＣＱＵＩＴＹＵＰＬＣＢＥＨＣ_１８，２．１×１００ｍｍ，１．７μｍ
溶出溶媒：アセトニトリル／水（９０：１０）
流速：０．５ｍＬ／ｍｉｎ
検出器：ＵＶ，２１０ｎｍ
カラムオーブン：４０℃
（実施例１）式（Ｉ−１）で表される化合物の製造

撹拌装置を備えたフラスコに、式（Ｉ−１−１）で表される化合物５．００ｇ（２４．２ミリモル）、式（Ｉ−１−２）で表される化合物２．１１ｇ（１２．１ミリモル）、トリフルオロ酢酸無水物５．０９ｇ（２４．２ミリモル）を加え混合した。５時間撹拌した後、ジクロロメタンで希釈し、分液処理、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル）及び分散洗浄（ヘキサン）によって精製することにより、式（Ｉ−１−３）で表される化合物５．３１ｇ（９．６４ミリモル）を得た。

２００ｍＬのオートクレーブに式（Ｉ−１−３）で表される化合物５．３１ｇ（９．６４ミリモル）、テトラヒドロフラン５０ｍＬ、濃硫酸０．２５ｍＬ及び５％Ｐｄカーボン（５０％含水）０．２７ｇを加え、水素圧０．１ＭＰａ、室温で３時間撹拌した。触媒をセライトを用いて除去した後、溶媒を留去した。得られた粗生成物をトルエンに溶解させ、食塩水で洗浄した。有機層をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル）で精製した後、再結晶（アセトン）することにより、目的の式（Ｉ−１）で表される化合物４．２８ｇを得た。純度９９．７８％であった。不純物として下記式（Ｉ−１ｉ）

で表されるシクロヘキサノン骨格を有する核還元体０．０３％を含有していた。
^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ １．３４（ｍ，８Ｈ），１．４３（ｓ，３６Ｈ），１．５９（ｍ，４Ｈ），２．５０（ｔ，４Ｈ），５．００（ｓ，２Ｈ），６．９７（ｓ，４Ｈ）ｐｐｍ．
^１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ ２９．５，２９．６，３０．３，３２．０，３４．２，３６．０，１２４．７，１３３．５，１３５．５，１５１．６ｐｐｍ
ＬＲＭＳ（ＥＩ）ｍ／ｚ５２２（１００）
（比較例１）式（Ｉ−１ａ）で表される化合物の製造

撹拌装置を備えたフラスコに水３０ｍＬ、亜鉛粉末３０ｇ及び塩化水銀（ＩＩ）１ｇを加え、３０分間撹拌した。水をデカンテーションし、亜鉛アマルガムを水で洗浄した。反応容器に式（Ｉ−１−３）で表される化合物８．２６ｇ（１５．０ミリモル）、エタノール１２０ｍＬ、亜鉛アマルガムを加えた。撹拌しながら、濃塩酸３０ｍＬ、水３０ｍＬの混合水溶液を滴下した。１２時間加熱還流し、トルエン１００ｍＬを加えた。５分間撹拌した後、固体を濾過した。有機層を水で３回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。クロマトグラフィー（シリカゲル）及び再結晶（アセトン）することにより、目的の式（Ｉ−１ａ）で表される化合物３．２０ｇを得た。純度９９．７５％であった。不純物として式（Ｉ−１ｉ）で表されるシクロヘキサノン骨格を有する核還元体は検出されなかった。
^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ １．３４（ｍ，８Ｈ），１．４３（ｓ，３６Ｈ），１．５９（ｍ，４Ｈ），２．５０（ｔ，４Ｈ），５．００（ｓ，２Ｈ），６．９７（ｓ，４Ｈ）ｐｐｍ．
^１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ ２９．５，２９．６，３０．３，３２．０，３４．２，３６．０，１２４．７，１３３．５，１３５．５，１５１．６ｐｐｍ
ＬＲＭＳ（ＥＩ）ｍ／ｚ５２２（１００）
（比較例２）式（Ｉ−１ｂ）で表される化合物の製造

撹拌装置を備えた反応容器に式（Ｉ−１−３）で表される化合物９．６８ｇ（１７．６ミリモル）及び２−プロパノール５００ｍＬを加えた。水素化ホウ素ナトリウム２．０ｇ（５３ミリモル）を加え、室温で２２時間撹拌した。水素化ホウ素ナトリウム０．８ｇ（２１ミリモル）を追加しさらに１時間撹拌した。２Ｎ塩酸及び氷に、反応液を注いだ。析出した固体を濾過した。クロマトグラフィー（シリカゲル）及び再結晶（アセトン）することにより、目的の式（Ｉ−１ｂ）で表される化合物２．２３ｇを得た。純度９９．７３％であった。不純物として式（Ｉ−１ｉ）で表されるシクロヘキサノン骨格を有する核還元体は検出されなかった。
^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ １．３４（ｍ，８Ｈ），１．４３（ｓ，３６Ｈ），１．５９（ｍ，４Ｈ），２．５０（ｔ，４Ｈ），５．００（ｓ，２Ｈ），６．９７（ｓ，４Ｈ）ｐｐｍ．
^１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ ２９．５，２９．６，３０．３，３２．０，３４．２，３６．０，１２４．７，１３３．５，１３５．５，１５１．６ｐｐｍ
ＬＲＭＳ（ＥＩ）ｍ／ｚ５２２（１００）
（実施例２）式（Ｉ−２）で表される化合物の製造

撹拌装置を備えたフラスコに、式（Ｉ−１−１）で表される化合物５．００ｇ（２４．２ミリモル）、式（Ｉ−２−１）で表される化合物３．１５ｇ（２４．２ミリモル）、トリフルオロ酢酸無水物５．０９ｇ（２４．２ミリモル）を加え混合した。５時間撹拌した後、ジクロロメタンで希釈し、分液処理、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル）によって精製することにより、式（Ｉ−２−２）で表される化合物６．４６ｇ（２０．３ミリモル）を得た。

２００ｍＬのオートクレーブに式（Ｉ−２−２）で表される化合物６．４６ｇ（２０．３ミリモル）、テトラヒドロフラン３０ｍＬ、酢酸６０ｍＬ及び５％Ｐｄカーボン（５０％含水）０．３２ｇを加え、水素圧０．５ＭＰａ、室温で３時間撹拌した。触媒をセライトを用いて除去した後、テトラヒドロフランを留去した。得られた粗生成物をトルエンに溶解させ、食塩水で洗浄した。有機層をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル）で精製することにより、目的の式（Ｉ−２）で表される化合物５．０６ｇを得た。純度９９．５８％であった。不純物として下記式（Ｉ−２ｉ）

で表されるシクロヘキサノン骨格を有する核還元体０．３２％を含有していた。
^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ ０．８９（ｔ，３Ｈ），１．３１（ｍ，８Ｈ），１．４４（ｓ，１８Ｈ），１．５８（ｍ，２Ｈ），２．５１（ｔ，２Ｈ），５．０１（ｓ，２Ｈ），６．９７（ｓ，２Ｈ）ｐｐｍ．
^１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ １４．１，２２．６，２９．２，２９．６，３０．３，３１．８，３２．０，３４．２，３６．０，１２４．８，１３３．５，１３５．５，１５１．６ｐｐｍ
ＬＲＭＳ（ＥＩ）ｍ／ｚ３０４（１００）
（比較例３）式（Ｉ−２ａ）で表される化合物の製造

比較例１と同様の方法によって製造し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル）によって精製を行い、式（Ｉ−２ａ）で表される化合物を合成した。純度９９．８３％であった。不純物として式（Ｉ−２ｉ）で表されるシクロヘキサノン骨格を有する核還元体は検出されなかった。
^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ ０．８９（ｔ，３Ｈ），１．３１（ｍ，８Ｈ），１．４４（ｓ，１８Ｈ），１．５８（ｍ，２Ｈ），２．５１（ｔ，２Ｈ），５．０１（ｓ，２Ｈ），６．９７（ｓ，２Ｈ）ｐｐｍ．
^１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ １４．１，２２．６，２９．２，２９．６，３０．３，３１．８，３２．０，３４．２，３６．０，１２４．８，１３３．５，１３５．５，１５１．６ｐｐｍ
ＬＲＭＳ（ＥＩ）ｍ／ｚ３０４（１００）
（比較例４）式（Ｉ−２ｂ）で表される化合物の製造

撹拌装置及び温度計を備えた反応容器に式（Ｉ−２−２）で表される化合物３．１０ｇ（９．７４ミリモル）、トリフルオロ酢酸３０ｍＬを加えた。氷冷しながらシアノ水素化ホウ素ナトリウム２．０６ｇ（３９．０ミリモル）を加えた。３時間撹拌した後、塩酸に注いだ。トルエンを加え、重曹水及び食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル）で精製することにより、目的の式（Ｉ−２ｂ）で表される化合物２．０２ｇを得た。純度９９．７９％であった。不純物として式（Ｉ−２ｉ）で表されるシクロヘキサノン骨格を有する核還元体は検出されなかった。
^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ ０．８９（ｔ，３Ｈ），１．３１（ｍ，８Ｈ），１．４４（ｓ，１８Ｈ），１．５８（ｍ，２Ｈ），２．５１（ｔ，２Ｈ），５．０１（ｓ，２Ｈ），６．９７（ｓ，２Ｈ）ｐｐｍ．
^１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ １４．１，２２．６，２９．２，２９．６，３０．３，３１．８，３２．０，３４．２，３６．０，１２４．８，１３３．５，１３５．５，１５１．６ｐｐｍ
ＬＲＭＳ（ＥＩ）ｍ／ｚ３０４（１００）
（実施例３）式（Ｉ−３）で表される化合物の製造

撹拌装置を備えたフラスコに、式（Ｉ−１−１）で表される化合物５．００ｇ（２４．２ミリモル）、式（Ｉ−３−１）で表される化合物６．４６ｇ（２４．２ミリモル）、トリフルオロ酢酸無水物５．０９ｇ（２４．２ミリモル）を加え混合した。５時間撹拌した後、ジクロロメタンで希釈し、分液処理、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル）によって精製することにより、式（Ｉ−３−２）で表される化合物８．９３ｇ（１９．６ミリモル）を得た。

２００ｍＬのオートクレーブに式（Ｉ−３−２）で表される化合物８．９３ｇ（１９．６ミリモル）、テトラヒドロフラン８９ｍＬ、濃硫酸０．８９ｍＬ及び５％Ｐｄカーボン（５０％含水）０．４５ｇを加え、水素圧０．２ＭＰａ、室温で２時間撹拌した。触媒をセライトを用いて除去した後、溶媒を留去した。得られた粗生成物をトルエンに溶解させ、食塩水で洗浄した。有機層をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル）で精製することにより、目的の式（Ｉ−３）で表される化合物６．９２ｇを得た。純度９９．４５％であった。不純物として下記式（Ｉ−３ｉ）

で表されるシクロヘキサノン骨格を有する核還元体０．３２％を含有していた。
^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ ０．９５〜１．５９（ｍ，２９Ｈ），２．５０（ｔ，４Ｈ），５．００（ｓ，２Ｈ），６．９７（ｓ，４Ｈ）ｐｐｍ．
^１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ １４．４，２０．５，２６．８，２６．８，２９．３，２９．４，３０．９，３０．９，３１．６，３４．７，３７．１，３７．３，３８．３，４１．６，４１．６，１２４．７，１３３．５，１３５．５，１５１．６ｐｐｍ
ＬＲＭＳ（ＥＩ）ｍ／ｚ４４０（１００）
（実施例４）式（Ｉ−４）で表される化合物の製造

実施例１と同様の方法によって、式（Ｉ−４）で表される化合物を合成した。純度９９．６５％であった。不純物として下記式（Ｉ−４ｉ）

で表されるシクロヘキサノン骨格を有する核還元体０．２１％を含有していた。
^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ １．４３（ｓ，３６Ｈ），１．５９（ｍ，４Ｈ），２．５０（ｔ，４Ｈ），５．００（ｓ，２Ｈ），６．９７（ｓ，４Ｈ）ｐｐｍ．
^１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ ３０．３，３２．０，３４．２，３６．０，１２４．７，１３３．５，１３５．５，１５１．６ｐｐｍ
ＬＲＭＳ（ＥＩ）ｍ／ｚ４６６（１００）
（実施例５）式（Ｉ−５）で表される化合物の製造

滴下ロート、温度計及び撹拌装置を備えた反応容器にマグネシウム０．５４ｇ（２２．２ミリモル）、テトラヒドロフラン２ｍＬを加え、式（Ｉ−５−２）で表される化合物３．１０ｇ（２０．５ミリモル）をテトラヒドロフラン６ｍＬに溶解させた溶液を徐々に滴下しグリニャール試薬を調製した。滴下ロート、温度計及び撹拌装置を備えた反応容器に式（Ｉ−５−１）で表される化合物５．００ｇ（１７．１ミリモル）、テトラヒドロフラン１０ｍＬを加え溶解させた。グリニャール試薬を徐々に滴下した。３時間撹拌した後、塩酸及びトルエンを加え分液処理した。有機層をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル）により精製し、式（Ｉ−５−３）で表される化合物３．６４ｇ（１０．９ミリモル）を得た。

２００ｍＬのオートクレーブに式（Ｉ−５−３）で表される化合物３．６４ｇ（１０．９ミリモル）、エタノール３６ｍＬ、酢酸３６ｍＬ及び５％Ｐｄカーボン（５０％含水）０．１８ｇを加え、水素圧０．５ＭＰａ、４０℃で２時間撹拌した。触媒をセライトを用いて除去した後、トルエンを加え食塩水で洗浄した。有機層をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル）で精製することにより、目的の式（Ｉ−５）で表される化合物２．７７ｇを得た。純度９９．５８％であった。不純物として下記式（Ｉ−５ｉ）

で表されるシクロヘキサノン骨格を有する核還元体０．３７％を含有していた。
^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ ０．８９（ｔ，３Ｈ），１．３１（ｍ，１０Ｈ），１．４４（ｓ，１８Ｈ），１．５８（ｍ，２Ｈ），２．５１（ｔ，２Ｈ），５．０１（ｓ，２Ｈ），６．９７（ｓ，２Ｈ）ｐｐｍ．
^１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ １４．１，２２．６，２９．２，２９．６，２９．６，３０．３，３１．８，３２．０，３４．２，３６．０，１２４．８，１３３．５，１３５．５，１５１．６ｐｐｍ
ＬＲＭＳ（ＥＩ）ｍ／ｚ３１８（１００）
（比較例５）式（Ｉ−５ａ）で表される化合物の製造

比較例２と同様の方法によって、式（Ｉ−５ａ）で表される化合物を合成した。純度９９．８１％であった。不純物として式（Ｉ−５ｉ）で表されるシクロヘキサノン骨格を有する核還元体は検出されなかった。
^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ ０．８９（ｔ，３Ｈ），１．３１（ｍ，１０Ｈ），１．４４（ｓ，１８Ｈ），１．５８（ｍ，２Ｈ），２．５１（ｔ，２Ｈ），５．０１（ｓ，２Ｈ），６．９７（ｓ，２Ｈ）ｐｐｍ．
^１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ １４．１，２２．６，２９．２，２９．６，２９．６，３０．３，３１．８，３２．０，３４．２，３６．０，１２４．８，１３３．５，１３５．５，１５１．６ｐｐｍ
ＬＲＭＳ（ＥＩ）ｍ／ｚ３１８（１００）
（比較例６）式（Ｉ−１ｃ）で表される化合物の製造

撹拌装置、ディーンスターク装置、冷却器及び温度計を備えた反応容器に、式（Ｉ−１−３）で表される化合物３．００ｇ（５．４５ミリモル）、ヒドラジン一水和物２．１８ｇ（４３．５ミリモル）、水酸化ナトリウム１．０９ｇ（２７．３ミリモル）、エチレングリコール１５ｍＬを加え、２００℃で８時間水を除去しながら加熱還流した。ＧＣによって分析を行ったが、式（Ｉ−１ｃ）で表される化合物は生成しなかった。
（比較例７）式（Ｉ−１ｄ）で表される化合物の製造

撹拌装置、温度計及び滴下ロートを備えた反応容器に、式（Ｉ−１ｄ−１）で表される化合物１００．００ｇ（０．４５５モル）、ヨウ化銅（Ｉ）１．７３ｇ（９．０８ミリモル）、テトラヒドロフラン３００ｍＬ、２−アミノエタノール１００ｍＬ、水１５０ｍＬを加えた。反応容器内を窒素ガスで置換した後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）５．２５ｇ（４．５４ミリモル）を加え加熱還流させた。式（Ｉ−１ｄ−２）で表される化合物２４．１３ｇ（０．２２７ｇ）をテトラヒドロフラン４８ｍＬに溶解させた溶液を３０分間かけて滴下した。その後、３時間加熱還流させた。酢酸エチル４００ｍＬ及び１０％塩酸６００ｍＬを加え分液処理した後、有機層を食塩水４００ｍＬで５回洗浄した。カラムクロマトグラフィー（アルミナ）により精製を行い、濃縮乾固させることにより式（Ｉ−１ｄ−３）で表される化合物を含む褐色固体６８．４１ｇを得た。

撹拌装置を備えた２Ｌのオートクレーブに、得られた式（Ｉ−１ｄ−３）で表される化合物を含む褐色固体６８．４１ｇ、５％パラジウムカーボン（５０％含水）６．８４ｇ、エタノール３４２ｍＬを加えた。水素圧０．５ＭＰａ、５０℃で３日間反応させた。触媒を濾過により除去し、溶媒を留去することにより、式（Ｉ−１ｄ−４）で表される化合物を含む褐色固体６９．８１ｇを得た。

撹拌装置、温度計及び滴下ロートを備えた反応容器に、式（Ｉ−１ｄ−４）で表される化合物を含む褐色固体５．００ｇ（１６．７５ミリモル）、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール４．９７ｇ（６７．０５ミリモル）、酢酸１０ｍＬを加えた。氷冷しながら濃硫酸６．５７ｇ（６６．９９ミリモル）を滴下した。室温で１週間撹拌したが、目的の式（Ｉ−１ｄ）で表される化合物は５５％（ＧＣ）しか生成していなかった。反応液を氷水に注ぎ、酢酸エチルで抽出、食塩水で洗浄した。濃縮乾固した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン）及び再結晶（アセトン）により精製を行い、目的の式（Ｉ−１ｄ）で表される化合物２．３１ｇを得た。
^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ １．３４（ｍ，８Ｈ），１．４３（ｓ，３６Ｈ），１．５９（ｍ，４Ｈ），２．５０（ｔ，４Ｈ），５．００（ｓ，２Ｈ），６．９７（ｓ，４Ｈ）ｐｐｍ．
^１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ ２９．５，２９．６，３０．３，３２．０，３４．２，３６．０，１２４．７，１３３．５，１３５．５，１５１．６ｐｐｍ
ＬＲＭＳ（ＥＩ）ｍ／ｚ５２２（１００）
（比較例８）式（Ｉ−１ｅ）で表される化合物の製造

撹拌装置、温度計及びガス導入装置を備えた反応容器に、式（Ｉ−１ｄ−４）で表される化合物を含む褐色固体５．００ｇ（１６．７５ミリモル）、トルエン３０ｍＬ、濃硫酸０．４９ｇ（５．００ミリモル）を加えた。６５℃で撹拌しながら、イソブテンを導入し続けた。１週間反応させたが、目的の式（Ｉ−１ｅ）で表される化合物は７５％（ＧＣ）しか生成していなかった。反応液を氷水に注ぎ、酢酸エチルで抽出、食塩水で洗浄した。濃縮乾固した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン）及び再結晶（アセトン）により精製を行い、目的の式（Ｉ−１ｅ）で表される化合物３．２０ｇを得た。
^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ １．３４（ｍ，８Ｈ），１．４３（ｓ，３６Ｈ），１．５９（ｍ，４Ｈ），２．５０（ｔ，４Ｈ），５．００（ｓ，２Ｈ），６．９７（ｓ，４Ｈ）ｐｐｍ．
^１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ ２９．５，２９．６，３０．３，３２．０，３４．２，３６．０，１２４．７，１３３．５，１３５．５，１５１．６ｐｐｍ
ＬＲＭＳ（ＥＩ）ｍ／ｚ５２２（１００）
（比較例９）式（Ｉ−１ｆ）で表される化合物の製造

式（Ｉ−１−３）で表される化合物５．００ｇ（９．０８ミリモル）をエタノール及び水の混合溶媒に懸濁させ、水素化ホウ素ナトリウム０．６９ｇ（１８．２ミリモル）を加えた。室温で５時間撹拌した後、塩酸を徐々に加えた。酢酸エチルで抽出、食塩水で洗浄した後、溶媒を留去することにより式（Ｉ−１−４）で表される化合物を得た。得られた化合物をイソプロピルアルコールに溶解させ、１０％Ｐｄカーボン及び濃塩酸を加え、水素圧０．２９ＭＰａ、８０℃で２時間撹拌した。触媒を濾過し溶媒を留去しヘキサン及びトルエンを添加し−５℃で晶析、濾過、乾燥し式（Ｉ−１ｆ）で表される化合物を得た。純度９６．９８％であった。不純物として式（Ｉ−１ｉ）で表されるシクロヘキサノン骨格を有する核還元体２．１５％を含有していた。

（実施例６〜１０及び比較例１０〜１４）
以下に、実施例１〜５及び比較例１〜５で製造した化合物を母体液晶に添加し評価した結果を記述する。

下記化合物によって構成される液晶組成物を調製し、母体液晶（Ｘ）とした。

この母体液晶（Ｘ）に、評価対象の化合物を０．１％及び、下記重合性化合物

を０．３％添加し溶解させ重合性液晶組成物を調製し、評価対象の重合性液晶組成物とした。この評価対象の重合性液晶組成物を、セルギャップ３．５μｍでホメオトロピック配向を誘起するポリイミド配向膜を塗布したＩＴＯ付きセルに真空注入法で注入した。周波数１ｋＨｚで１．８Ｖの矩形波を印加しながら、高圧水銀灯を用いて３２０ｎｍ以上のＵＶを１０ｍＷ／ｃｍ^２で６００秒間照射することにより、評価対象の垂直配向性液晶表示素子（ＸＩ）を作製した。液晶のプレチルト角は８７．３度で固定されていた。下記表に評価対象の化合物と液晶表示素子の関係を示す。

実施例６〜１０及び比較例１０〜１４の表示素子を電圧印加し、経過時間ごとの外観を確認した。焼き付きが全く見られない場合は◎、焼き付きが見られた場合は焼き付きの程度によって○（焼き付きがごくわずかに発生）、△（焼き付きがやや強く発生）、×（焼き付きが非常に強く発生）とした。結果を下表に示す。

比較例１０〜１４の比較化合物を含有する表示素子は、いずれも表示後１０００時間以内に焼き付きがやや強く発生し、１００００時間以内にほぼ全面にわたり表示不良が見られた。これに対し、本願発明の製造方法によって製造した化合物を含有する表示素子は、表示後１００００時間後においても高品位〜良好な表示状態を維持した。

以上の結果から、本願発明の製造方法によって製造された化合物は、特許文献３記載の製法によって製造した場合と比較しシクロヘキサノン構造を有する不純物の含有量が少ない。また、本願発明の製造方法によって製造した化合物を含有する表示素子は焼き付きが起こりにくいことから、本願発明の製造方法によって製造された化合物は、ＰＳＡ型液晶表示素子用の材料として有用である。また、公知の製造方法と比較して反応時間が短時間であることから、本願発明の製造方法は生産性に優れる。

Claims

少なくとも一つのカルボニル基及び少なくとも一つのヒンダードフェノール骨格を有する化合物（Ａ）である下記一般式（Ｉ）

（式中、Ｇは４価の有機基を表し、Ｒは下記一般式（ＩＩ）

（式中、Ｙ ^１及びＹ ^２は各々独立して、水素原子、炭素原子数１から１８のアルキル基、炭素原子数１から１８のアルコキシ基又は炭素原子数１から１８のアルカノイル基を表し、Ｓｐは１個の−ＣＨ _２ −又は隣接していない２個以上の−ＣＨ _２ −が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＹ＝ＣＹ−（式中、Ｙは各々独立して水素原子、炭素原子数１から１２のアルキル基、フッ素原子、塩素原子又はシアノ基を表す。）又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されても良い炭素原子数１から２０のアルキレン基又は単結合を表し、Ｘは各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＯＣＨ _２ −、−ＣＨ _２Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＳＣＨ _２ −、−ＣＨ _２Ｓ−、−ＣＦ _２Ｏ−、−ＯＣＦ _２ −、−ＣＦ _２Ｓ−、−ＳＣＦ _２ −、−ＣＨ _２ＣＦ _２ −、−ＣＦ _２ＣＨ _２ −、−ＣＦ _２ＣＦ _２ −、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ _２ＣＨ _２ −、−ＯＣＯ−ＣＨ _２ＣＨ _２ −、−ＣＨ _２ＣＨ _２ −ＣＯＯ−、−ＣＨ _２ＣＨ _２ −ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ _２ −、−ＯＣＯ−ＣＨ _２ −、−ＣＨ _２ −ＣＯＯ−、−ＣＨ _２ −ＯＣＯ−、−ＣＹ ^１１＝ＣＹ ^１１ −（式中、Ｙ ^１１は各々独立して水素原子、炭素原子数１から１２のアルキル基、フッ素原子、塩素原子又はシアノ基を表す。）、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、Ａは各々独立して１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、１，４−シクロヘキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、ピリジン−２，６−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表すが、これらの基は無置換であるか又は、各々独立してハロゲン、シアノ基、ニトロ基、ペンタフルオロスルフラニル基又は炭素原子数１から１０のアルキル基によって置換されていても良いが、このアルキル基は各々独立して１個以上の水素原子がフッ素原子又は塩素原子により置き換えられても良く、このアルキル基上の１個の−ＣＨ _２ −又は隣接していない２個以上の−ＣＨ _２ −が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＹ＝ＣＹ−（式中、Ｙは各々独立して水素原子、炭素原子数１から１２のアルキル基、フッ素原子、塩素原子又はシアノ基を表す。）又は−Ｃ≡Ｃ−に置換されても良く、Ｚは各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＯＣＨ _２ −、−ＣＨ _２Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＳＣＨ _２ −、−ＣＨ _２Ｓ−、−ＣＦ _２Ｏ−、−ＯＣＦ _２ −、−ＣＦ _２Ｓ−、−ＳＣＦ _２ −、−ＣＨ _２ＣＦ _２ −、−ＣＦ _２ＣＨ _２ −、−ＣＦ _２ＣＦ _２ −、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ _２ＣＨ _２ −、−ＯＣＯ−ＣＨ _２ＣＨ _２ −、−ＣＨ _２ＣＨ _２ −ＣＯＯ−、−ＣＨ _２ＣＨ _２ −ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ _２ −、−ＯＣＯ−ＣＨ _２ −、−ＣＨ _２ −ＣＯＯ−、−ＣＨ _２ −ＯＣＯ−、−ＣＹ ^１２＝ＣＹ ^１２ −（式中、Ｙ ^１２は各々独立して水素原子、炭素原子数１から１２のアルキル基、フッ素原子、塩素原子又はシアノ基を表す。）、−Ｃ≡Ｃ−、１個の−ＣＨ _２ −又は隣接していない２個以上の−ＣＨ _２ −が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＹ ^１３＝ＣＹ ^１３ −（式中、Ｙ ^１３は各々独立して水素原子、炭素原子数１から１２のアルキル基、フッ素原子、塩素原子又はシアノ基を表す。）又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されても良い炭素原子数１から２０のアルキレン基又は単結合を表し、ｎは０から５の整数を表すが、Ａが複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、Ｚが複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよい。）を表し、ｍは１から４の整数を表し、Ｒが複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよい。）で表される化合物の一つ又は複数のカルボニル基を、接触水素化還元によってメチレン基へと変換する化合物（Ｂ）の製造方法。
均一系触媒又は不均一系触媒を用いる請求項１記載の製造方法。
接触還元時の水素圧が１０ＭＰａ以下である請求項１記載の製造方法。
接触還元時の反応温度が−１００℃から２００℃である請求項１記載の製造方法。
化合物（Ｂ）が、下記一般式（ＩＩＩ）

（式中、Ｇ及びｍは一般式（Ｉ）と同様の意味を表し、Ｒ’は下記一般式（ＩＶ）

（式中、Ｙ^１、Ｙ^２、Ｓｐ、Ｘ、Ａ、Ｚ及びｎは一般式（ＩＩ）と同一の意味を表すが、これらの基が一般式（ＩＩ）において−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＹ＝ＣＹ−、−ＣＹ^１１＝ＣＹ^１１−、−ＣＹ^１２＝ＣＹ^１２−、−ＣＹ^１３＝ＣＹ^１３−（式中、Ｙ、Ｙ^１１、Ｙ^１２、Ｙ^１３は各々独立して水素原子、炭素原子数１から１２のアルキル基、フッ素原子、塩素原子又はシアノ基を表す。）又は−Ｃ≡Ｃ−を表す場合、一般式（ＩＶ）において各々−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨＹ−ＣＨＹ−、−ＣＨＹ^１１−ＣＨＹ^１１−、−ＣＨＹ^１２−ＣＨＹ^１２−、−ＣＨＹ^１３−ＣＨＹ^１３−又は−ＣＨ_２−ＣＨ_２−を表す。）を表す。）で表される化合物である請求項１記載の製造方法。
溶媒の一部又は全部に若しくは添加物として酸を用いることを特徴とする請求項１記載の製造方法。
一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩＩ）において、Ｇが炭素原子、１，２，４，５−ベンゼンテトライル基、１，２，３，５−ベンゼンテトライル基、１，２，４，５−シクロヘキサンテトライル基又は１，２，３，５−シクロヘキサンテトライル基を表す請求項５記載の製造方法。
一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩＩ）において、ｍが１又は２を表す請求項５記載の製造方法。
一般式（ＩＩ）及び一般式（ＩＶ）において、Ｙ^１及びＹ^２が水素原子を表す請求項５記載の製造方法。
一般式（ＩＩ）及び一般式（ＩＶ）において、Ｓｐが炭素原子数１から２０のアルキレン基を表すことを特徴とする請求項５記載の製造方法。
一般式（ＩＩ）及び一般式（ＩＶ）において、Ｘが単結合を表すことを特徴とする請求項５記載の製造方法。
一般式（ＩＩ）及び一般式（ＩＶ）において、ｎが０を表すことを特徴とする請求項５記載の製造方法。