JP6101151B2 - 回路付きサスペンション基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、回路付きサスペンション基板およびその製造方法に関する。

ハードディスクドライブ装置等のドライブ装置にはアクチュエータが用いられる。このようなアクチュエータは、回転軸に回転可能に設けられるアームと、アームに取り付けられる磁気ヘッド用の回路付きサスペンション基板とを備える。回路付きサスペンション基板は、磁気ディスクの所望のトラックに磁気ヘッドを位置決めするための配線回路基板である。

一般に、回路付きサスペンション基板では、絶縁層の一面に配線および接続端子が形成され、他面に金属基板が形成される。特許文献１に記載されたサスペンションにおいては、絶縁層の上面に複数の導体および複数の接続端子が形成され、絶縁層の下面にメタルベースが形成される。絶縁層の下面には、メタルベースとは電気的に独立した電路部が接続端子として形成される。複数の導体の一部の端部は、絶縁層を貫く導体結合部を介して電路部に接続される。

特開２０１２−１１９０３２号公報

近年、特許文献１のサスペンションのように、絶縁層の両面に複数の接続端子が形成された種々の回路付きサスペンション基板が開発されている。また、接続端子への素子の接続は、一般に半田を用いて行われる。しかしながら、半田を用いて絶縁層の下面の接続端子に他の素子を接続する場合、溶融半田の濡れ広がりにより、絶縁層の下面で隣接する接続端子間、または絶縁層の両面の接続端子間で短絡が生じやすくなる。

このように、絶縁層の両面に接続端子が形成された回路付きサスペンション基板において、意図しない部分への溶融半田の濡れ広がりが生じると、配線の短絡等の不具合が発生する可能性が高くなる。その結果、回路付きサスペンション基板の信頼性が低下する。

本発明の目的は、溶融半田の濡れ広がりによる信頼性の低下を抑制可能な回路付きサスペンション基板およびその製造方法を提供することである。

（１）第１の発明に係る回路付きサスペンション基板は、半田により回路素子が接続される回路付きサスペンション基板であって、第１および第２の面を有する絶縁層と、絶縁層の第１の面上に形成される導体層と、絶縁層の第２の面上に形成される導電性の支持基板と、絶縁層の第２の面上に形成され、支持基板から電気的に絶縁されかつ導体層に電気的に接続される接続端子とを備え、接続端子は、第１および第２の部分を有するとともに、第１の部分に塗布された溶融半田が第２の部分に広がることを阻止する広がり阻止部を有し、接続端子は、絶縁層に接する第３の面と、第３の面とは反対側の第４の面とを有し、第４の面は、第１の部分および第２の部分を有するものである。

この回路付きサスペンション基板においては、絶縁層の第１および第２の面上にそれぞれ導体層および導電性の支持基板が形成される。また、絶縁層の第２の面上に支持基板から電気的に絶縁されかつ導体層に電気的に接続される接続端子が形成される。接続端子は、第１の部分、第２の部分および広がり阻止部を有する。

この構成によれば、半田により回路素子を接続端子の第１の部分に接続する場合、第１の部分に塗布された溶融半田が第２の部分に広がることが広がり阻止部により阻止される。これにより、第２の部分が半田を介して意図しない他の部分に電気的に接触することが防止される。その結果、溶融半田の濡れ広がりによる回路付きサスペンション基板の信頼性の低下を抑制することができる。

（２）広がり阻止部は、第１の部分の表面上に形成された表面処理層であり、表面処理層の材料は、溶融半田に対して第２の部分の表面の材料よりも高い濡れ性を有してもよい。

この場合、接続端子の第１の部分上の表面処理層に塗布された溶融半田は、表面処理層上で急速に広がった後、表面処理層と第２の部分との境界で広がりにくくなる。これにより、溶融半田は自然放熱により冷却され、第２の部分に広がる前に凝固する。その結果、簡単な構成により溶融半田の濡れ広がりを阻止することができる。

（３）第１および第２の部分はステンレスにより形成され、表面処理層は金めっきにより形成されてもよい。この場合、表面処理層と第２の部分との境界で溶融半田の濡れ広がりを十分に阻止することができる。

（４）接続端子は、第１の部分と第２の部分との間で幅が変化する幅変化部を有し、広がり阻止部は幅変化部であってもよい。

この場合、接続端子の第１の部分に塗布された溶融半田は、幅変化部を通過する際に自然放熱により冷却され、第２の部分に広がる前に凝固する。これにより、簡単な構成により溶融半田の濡れ広がりを阻止することができる。

（５）幅変化部は、第１の部分の幅および第２の部分の幅よりも小さい幅を有する幅狭部を含んでもよい。

この場合、幅狭部の幅は第１の部分の幅および第２の部分の幅よりも小さいので、幅狭部上での溶融半田の広がり速度は、第１の部分上での溶融半田の広がり速度よりも小さい。そのため、接続端子の第１の部分に塗布された溶融半田は、幅狭部付近で滞留する。これにより、溶融半田は自然放熱により冷却され、第２の部分に広がる前に凝固する。また、第２の部分の幅が幅変化部の幅よりも大きいので、溶融半田が第２の部分に広がったとしても、溶融半田は第２の部分からはみ出る前に凝固する。その結果、簡単な構成により溶融半田の濡れ広がりを阻止することができる。

（６）第１の部分は、第２の部分の幅よりも大きい幅を有する幅広部からなり、幅変化部は、幅広部と第２の部分との境界であってもよい。

この場合、幅広部の幅は、第２の部分の幅よりも大きいので、幅広部の放熱性は、第２の部分の放熱性よりも大きい。そのため、接続端子の第１の部分に塗布された溶融半田は、自然放熱により冷却され、第２の部分に広がる前に凝固する。その結果、簡単な構成により溶融半田の濡れ広がりを阻止することができる。

（７）接続端子は、第１の部分と第２の部分との間で厚みが変化する厚み変化部を有し、広がり阻止部は厚み変化部であってもよい。

この場合、接続端子の第１の部分に塗布された溶融半田は、厚み変化部を通過する際に自然放熱により冷却され、第２の部分に広がる前に凝固する。これにより、簡単な構成により溶融半田の濡れ広がりを阻止することができる。

（８）第１の部分は第２の部分よりも大きい厚みを有し、厚み変化部は第１の部分と第２の部分との境界であってもよい。

この場合、接続端子の第１の部分に塗布された溶融半田は、第１の部分上で広がった後、第１の部分の縁に沿って下方に広がる際に自然放熱により冷却され、第２の部分に広がる前に凝固する。これにより、簡単な構成により溶融半田の濡れ広がりを阻止することができる。

（９）第２の部分は第１の部分よりも大きい厚みを有し、厚み変化部は第１の部分と第２の部分との境界であってもよい。

この場合、接続端子の第１の部分に塗布された溶融半田は、第１の部分上で広がった後、第２の部分の縁によりせき止められる。あるいは、接続端子の第１の部分に塗布された溶融半田は、第２の部分の縁に沿って上方に広がる際に自然放熱により冷却される。これらにより、溶融半田は第２の部分に広がる前に凝固する。その結果、簡単な構成により溶融半田の濡れ広がりを阻止することができる。

（１０）厚み変化部は、第１の部分と第２の部分との境界に沿って設けられる突起部であり、突起部は、第１および第２の部分の表面から突出するように形成されてもよい。

この場合、接続端子の第１の部分に塗布された溶融半田は、第１の部分上で広がった後、突起部によりせき止められる。あるいは、接続端子の第１の部分に塗布された溶融半田は、突起部の縁に沿って上方に広がる際に自然放熱により冷却される。これらにより、溶融半田は第２の部分に広がる前に凝固する。その結果、簡単な構成により溶融半田の濡れ広がりを阻止することができる。

（１１）突起部は樹脂により形成されてもよい。この場合、接続端子の第１の部分と第２の部分との間の表面上に容易に突起部を形成することができる。

（１２）突起部は金属により形成されてもよい。この場合、突起部での放熱性が向上する。これにより、簡単な構成により溶融半田の濡れ広がりを阻止することができる。

（１３）第２の発明に係る回路付きサスペンション基板の製造方法は、半田により回路素子が接続される回路付きサスペンション基板の製造方法であって、第１および第２の面を有する絶縁層、絶縁層の第１の面上に形成される導体層および絶縁層の第２の面上に形成される導電性の支持層を含む構造体を準備する工程と、支持層を加工することにより絶縁層の第２の面上に導電性の支持基板を形成する工程と、支持層を加工することにより絶縁層の第２の面上に支持基板から電気的に絶縁されかつ導体層に電気的に接続される接続端子を形成する工程とを含み、接続端子は、第１および第２の部分を有するとともに、第１の部分に塗布された溶融半田が第２の部分に広がることを阻止する広がり阻止部を有し、接続端子は、絶縁層に接する第３の面と、第３の面とは反対側の第４の面とを有し、第４の面は、第１の部分および第２の部分を有するものである。

この回路付きサスペンション基板の製造方法においては、絶縁層の第１および第２の面上にそれぞれ導体層および導電性の支持層が形成される。支持層が加工されることにより、絶縁層の第２の面上に導電性の支持層が形成され、支持基板から電気的に絶縁されかつ導体層に電気的に接続される接続端子が形成される。接続端子は、第１の部分、第２の部分および広がり阻止部を有する。

この構成によれば、半田により回路素子を接続端子の第１の部分に接続する場合、第１の部分に塗布された溶融半田が第２の部分に広がることが広がり阻止部により阻止される。これにより、第２の部分が半田を介して意図しない他の部分に電気的に接触することが防止される。その結果、溶融半田の濡れ広がりによる回路付きサスペンション基板の信頼性の低下を抑制することができる。

本発明によれば、溶融半田の濡れ広がりによる回路付きサスペンション基板の信頼性の低下を抑制することができる。

本発明の第１の実施の形態に係るサスペンション基板の上面図である。 図１のサスペンション基板の断面図である。 図１のサスペンション基板のタング部およびその周辺の下面図である。 図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式図である。 図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式図である。 図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式図である。 第２の実施の形態に係るサスペンション基板のタング部およびその周辺の下面図である。 第２の実施の形態の他の例における接続端子の下面図である。 第２の実施の形態のさらに他の例における接続端子の下面図である。 第３の実施の形態に係るサスペンション基板のタング部およびその周辺の下面図である。 第４の実施の形態に係るサスペンション基板のタング部およびその周辺の下面図である。 図１１のＣ−Ｃ線断面図である。 第４の実施の形態の他の例に係るサスペンション基板の断面図である。 第５の実施の形態に係るサスペンション基板のタング部およびその周辺の下面図である。 図１４のＤ−Ｄ線断面図である。 第６の実施の形態に係るサスペンション基板のタング部およびその周辺の下面図である。 図１６のＥ−Ｅ線断面図である。 第６の実施の形態の他の例に係るサスペンション基板の断面図である。

［１］第１の実施の形態
以下、本発明の第１の実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。本発明の第１の実施の形態に係る配線回路基板として、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられるサスペンション基板について説明する。

（１）サスペンション基板の構造
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るサスペンション基板の上面図である。図１に示すように、サスペンション基板１は、金属製の長尺状の支持基板により形成されるサスペンション本体部１００を備える。サスペンション本体部１００の上面には、点線で示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２が形成されている。

サスペンション本体部１００の先端部には、Ｕ字状の開口部１１を形成することにより磁気ヘッド搭載部（以下、タング部と呼ぶ）１２が設けられている。タング部１２は、サスペンション本体部１００に対して所定の角度をなすように破線Ｒの箇所で折り曲げ加工される。タング部１２には、矩形状の開口部１３が形成される。

サスペンション本体部１００の一端部におけるタング部１２の上面には４個の接続端子２１，２２，２３，２４が形成されている。また、サスペンション本体部１００の一端部におけるタング部１２の下面には２個の接続端子２５，２６（後述する図２参照）が形成されている。図１においては、タング部１２の下面の接続端子２５，２６は表われていない。

本実施の形態において、図示しないヘッドスライダは、上面に磁気ヘッドを有する。ヘッドスライダの下面にはレーザダイオード等の熱アシスト装置が取り付けられる。磁気ヘッドによる磁気ディスクへの情報の書込み時に、熱アシスト装置により磁気ディスクが加熱される。これにより、磁気ディスクに書き込まれる情報の密度を向上させることができる。

タング部１２の開口部１３にヘッドスライダが挿入される。これにより、タング部１２の上面の接続端子２１〜２４にヘッドスライダの上面の磁気ヘッドの端子が接続され、タング部１２の下面の接続端子２５，２６にヘッドスライダの下面の熱アシスト装置の端子が接続される。本実施の形態において、接続端子２１〜２６の各々は矩形状を有する。

サスペンション本体部１００の他端部の上面には６個の接続端子３１，３２，３３，３４，３５，３６が形成されている。接続端子３１〜３４には、プリアンプ等の電子回路が接続される。接続端子３５，３６には、熱アシスト装置用の電源回路が接続される。タング部１２の接続端子２１〜２６とサスペンション本体部１００の他端部の接続端子３１〜３６とは、それぞれ書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２により電気的に接続されている。また、サスペンション本体部１００には複数の孔部Ｈが形成されている。

サスペンション基板１はハードディスク装置に設けられる。磁気ディスクへの情報の書込み時に一対の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に電流が流れる。書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２とは、差動の書込み信号を伝送する差動信号線路対を構成する。また、磁気ディスクからの情報の読取り時に一対の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に電流が流れる。読取用配線パターンＲ１と読取用配線パターンＲ２とは、差動の読取り信号を伝送する差動信号線路対を構成する。

（２）接続端子の構成
次に、サスペンション基板１の接続端子２１〜２６およびその周辺部分について詳細に説明する。図２は、図１のサスペンション基板１の断面図である。図２（ａ）は図１のサスペンション基板１のＡ−Ａ線断面図を示し、図２（ｂ）は図１のサスペンション基板１のＢ−Ｂ線断面図を示す。

図２（ａ）に示すように、例えばステンレス鋼からなる金属製の支持基板１０上に例えばポリイミドからなる絶縁層４１が形成されている。絶縁層４１上に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２が間隔をおいて平行に形成されている。

書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および熱アシスト用配線パターンＨ１は絶縁層４１の一方の側辺に沿って延びる。熱アシスト用配線パターンＨ１は書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の外側に配置される。読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および熱アシスト用配線パターンＨ２は絶縁層４１の他方の側辺に沿って延びる。熱アシスト用配線パターンＨ２は読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の外側に配置される。

書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２を覆うように、絶縁層４１上に例えばポリイミドからなる被覆層４３が形成されている。接続端子２１〜２４は、被覆層４３から露出する。

絶縁層４１の一方の側辺に沿って延びる書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および熱アシスト用配線パターンＨ１は、図１のサスペンション本体部１００の一端部で内方へ屈曲し、さらにタング部１２に向かうように屈曲し、タング部１２まで延びる。同様に、絶縁層４１の他方の側辺に沿って延びる読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および熱アシスト用配線パターンＨ２は、サスペンション本体部１００の一端部で内方へ屈曲し、さらにタング部１２に向かうように屈曲し、タング部１２まで延びる。

タング部１２上の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２は、タング部１２の上面の接続端子２１〜２４にそれぞれ接続される。タング部１２上の熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２は、図２（ｂ）に示すように、絶縁層４１を貫通してタング部１２の下面の接続端子２５，２６にそれぞれ接続される。接続端子２５，２６の表面は、絶縁層４１の下面側において露出する。

接続端子２５，２６の詳細について説明する。図３は、図１のサスペンション基板１のタング部１２およびその周辺の下面図である。図３に示すように、接続端子２５，２６は一方向に沿って延びるようにタング部１２の下面に配置される。接続端子２５，２６の各々は、ランド部ＬＤと直線部ＬＮとからなる。接続端子２５，２６のランド部ＬＤにはパターン接続部ＰＣが形成され、ランド部ＬＤとは反対側の直線部ＬＮの端部に素子接続部ＥＣが形成される。

接続端子２５，２６のパターン接続部ＰＣには、タング部１２の上面の熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２がそれぞれ接続される。図３の例においては、熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２を容易に接続可能にするために、接続端子２５，２６のパターン接続部ＰＣは接続端子２５，２６の他の部分よりも幅広に形成されている。したがって、接続端子２５，２６のパターン接続部ＰＣ間の距離は、接続端子２５，２６の他の部分間の距離よりも小さい。接続端子２５，２６の素子接続部ＥＣには、半田によりヘッドスライダの熱アシスト装置の端子が接続される。ここで、半田の材料は、主として錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）および銅（Ｃｕ）を含む。

具体的には、接続端子２５は島部２５ａおよび金属層２５ｂを含み、接続端子２６は島部２６ａおよび金属層２６ｂを含む。金属層２５ｂ，２６ｂは、島部２５ａ，２６ａよりも溶融半田の濡れ広がりが生じやすい部材により形成される。例えば、島部２５ａ，２６ａはステンレス（ＳＳＴ）により形成され、金属層２５ｂ，２６ｂは金（Ａｕ）により形成される。

島部２５ａ，２６ａは、一方向に沿って延びるようにタング部１２の下面に配置される。本実施の形態においては、金属層２５ｂ，２６ｂは、それぞれ島部２５ａ，２６ａの他端部を覆うように形成される。この構成においては、島部２５ａ，２６ａの一端部がパターン接続部ＰＣとなり、島部２５ａ，２６ａの他端部が素子接続部ＥＣとなる。

（３）サスペンション基板の製造方法
以下、サスペンション基板１の製造方法を説明する。図４〜図６は、図１のサスペンション基板１の製造工程を示す模式図である。図４（ａ）〜（ｃ）においては、左に図１のサスペンション基板１のＢ−Ｂ線断面図を示し、右に図１のサスペンション基板１のタング部１２およびその周辺の上面図を示す。図５（ａ）〜図６（ｂ）においては、左に図１のサスペンション基板１のＢ−Ｂ線断面図を示し、右に図１のサスペンション基板１のタング部１２およびその周辺の下面図を示す。図４の上面図ならびに図５および図６の下面図には、構成の理解を容易にするために、断面図の各部材に付されたハッチングまたはドットパターンと同一のハッチングまたはドットパターンが付されている。

まず、図４（ａ）に示すように、ステンレス鋼からなる支持層１０ａ上に、ポリイミドからなる絶縁層４１を形成する。支持層１０ａの厚さは、例えば１０μｍ以上５０μｍ以下である。絶縁層４１の厚さは、例えば５μｍ以上１５μｍ以下である。ここで、絶縁層４１は、図１のサスペンション基板１の形状と同一の形状に形成される。また、絶縁層４１に矩形状の開口部１３ａが形成されるとともに、複数（図４（ａ）の例では２個）の開口部４１ｈが形成される。これにより、支持層１０ａの一部が開口部１３ａおよび複数の開口部４１ｈから露出する。

次に、図４（ｂ）に示すように、絶縁層４１上および開口部４１ｈから露出する支持層１０ａに、所定のパターンを有する書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２を形成する。同時に、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の端部に接続端子２１〜２４をそれぞれ形成する。

書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２は、例えば銅からなる。本例においては、接続端子２１〜２４は、それぞれ書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に順次ニッケルめっきおよび金めっきすることにより形成される。

書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２の厚さは、例えば６μｍ以上１８μｍ以下である。また、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２の幅は、例えば８μｍ以上５０μｍ以下である。

さらに、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２間の間隔および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２間の間隔は、例えばそれぞれ８μｍ以上１００μｍ以下である。同様に、書込用配線パターンＷ１と熱アシスト用配線パターンＨ１との間の間隔および読取用配線パターンＲ２と熱アシスト用配線パターンＨ２との間の間隔は、例えばそれぞれ８μｍ以上１００μｍ以下である。

続いて、図４（ｃ）に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２を覆うように絶縁層４１上にポリイミドからなる被覆層４３を形成する。被覆層４３の厚さは、例えば２μｍ以上１０μｍ以下である。接続端子２１〜２４は、被覆層４３から露出する。

これにより、構造体１ａが完成する。構造体１ａにおいては、絶縁層４１の一面上に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２、熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２、接続端子２１〜２４および被覆層４３が形成される。また、絶縁層４１の他面上に支持層１０ａが形成される。

次に、図５（ａ）に示すように、構造体１ａの支持層１０ａの下面に例えば感光性ドライフィルムレジスト等によりレジスト膜１８を形成する。続いて、図５（ｂ）に示すように、レジスト膜１８を所定のパターンで露光した後、炭酸ナトリウム等の現像液を用いて現像することによりエッチングレジスト１８ａ，１８ｂを形成する。

ここで、エッチングレジスト１８ａは、図４（ｃ）の被覆層４３と重なる支持層１０ａの領域に形成される。また、エッチングレジスト１８ａは、図４（ａ）の絶縁層４１の開口部４１ｈおよび図４（ｃ）の開口部１３ａを取り囲む矩形状の開口部１８ｈを有する。

また、エッチングレジスト１８ｂは、エッチングレジスト１８ａの開口部１８ｈ内において、絶縁層４１の開口部４１ｈに重なりかつ一方向に延びるように形成される。エッチングレジスト１８ｂの一端部の幅は、エッチングレジスト１８ｂの他の部分の幅よりも大きく形成される。

その後、図５（ｃ）に示すように、エッチング液として塩化第二鉄溶液および塩化第二銅溶液を用いて支持層１０ａをエッチングする。これにより、エッチングレジスト１８ａ，１８ｂから露出する支持層１０ａの部分が除去される。これにより、支持基板１０が形成される。

ここで、図４（ｃ）の開口部１３ａに連通するように支持基板１０に矩形状の開口部１３ｂが形成される。開口部１３ａと開口部１３ｂとが連通することにより、図１および図３の開口部１３が形成される。また、絶縁層４１に残存する支持層１０ａの部分が島部２５ａ，２６ａとなる。島部２５ａ，２６ａはランド部および直線部を有する。島部２５ａ，２６ａのランド部が図３のパターン接続部ＰＣとなる。ランド部と反対側における島部２５ａ，２６ａの直線部の端部が図３の素子接続部ＥＣとなる。島部２５ａ，２６ａのランド部は、絶縁層４１の開口部４１ｈ（図４（ａ））を通してそれぞれ熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２と電気的に接続される。

続いて、図６（ａ）に示すように、エッチングレジスト１８ａ，１８ｂを除去する。その後、図６（ｂ）に示すように、島部２５ａ，２６ａの直線部の一部をそれぞれ覆うように金属層２５ｂ，２６ｂを形成する。金属層２５ｂ，２６ｂの厚みは、例えば０．１μｍ〜３μｍである。金属層２５ｂ，２６ｂは、ニッケルおよび金（Ａｕ）を含む。本例においては、金属層２５ｂ，２６ｂとしてニッケルめっきおよび金めっきを島部２５ａ，２６ａの直線部の一部に順次形成する。

島部２５ａおよび金属層２５ｂにより接続端子２５が構成され、島部２６ａおよび金属層２６ｂにより接続端子２６が構成される。接続端子２５，２６はランド部ＬＤおよび直線部ＬＮを有する。これにより、サスペンション基板１が完成する。

（４）効果
本実施の形態に係るサスペンション基板１の接続端子２５においては、島部２５ａの素子接続部ＥＣ上に金属層２５ｂが形成される。接続端子２６においては、島部２６ａの素子接続部ＥＣ上に金属層２６ｂが形成される。島部２５ａ，２６ａはステンレスにより形成され、金属層２５ｂ，２６ｂは溶融半田に対してステンレスよりも高い濡れ性を有する金めっきにより形成される。

この構成によれば、ヘッドスライダの下面の熱アシスト装置の端子を半田により接続端子２５，２６に接続する場合、金属層２５ｂ，２６ｂに塗布された溶融半田は、金属層２５ｂ，２６ｂ上で急速に広がる。その後、溶融半田は、金属層２５ｂ，２６ｂと島部２５ａ，２６ａとの境界で広がりにくくなる。そのため、溶融半田は自然放熱により冷却され、パターン接続部ＰＣに広がる前に凝固する。これにより、簡単な構成により溶融半田の濡れ広がりを阻止することができる。

また、素子接続部ＥＣの溶融半田がパターン接続部ＰＣを通して他の領域に広がることが防止されるので、接続端子２５，２６が半田を介して意図しない他の部分（例えば隣接する接続端子のパターン接続部ＰＣ等）に電気的に接触することが防止される。その結果、溶融半田の濡れ広がりによるサスペンション基板１の信頼性の低下を抑制することができる。

さらに、素子接続部ＥＣの溶融半田がパターン接続部ＰＣを通して他の領域に広がることが防止されるので、パターン接続部ＰＣを接続端子２５，２６の素子接続部ＥＣよりも大きく設計することができる。したがって、パターン接続部ＰＣを熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２に電気的に接続することが容易になる。これにより、熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２および接続端子２５，２６をそれぞれ絶縁層４１の一面および他面上に形成しつつ、熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２と接続端子２５，２６とを電気的に接続することが容易になる。

［２］第２の実施の形態
（１）接続端子の構成
第２の実施の形態に係るサスペンション基板１について、第１の実施の形態に係るサスペンション基板１と異なる点を説明する。第２の実施の形態に係るサスペンション基板１の構成は、接続端子２５，２６の構成を除いて、第１の実施の形態に係るサスペンション基板１の構成と同様である。

図７は、第２の実施の形態に係るサスペンション基板１のタング部１２およびその周辺の下面図である。図７に示すように、本実施の形態においては、金属層２５ｂは、島部２５ａのランド部および直線部の全体を覆うように形成される。同様に、金属層２６ｂは、島部２６ａのランド部および直線部の全体を覆うように形成される。

接続端子２５，２６の各々は、パターン接続部ＰＣと素子接続部ＥＣとの間に、素子接続部ＥＣよりも幅狭に形成された幅狭部ＮＰを有する。図７の例においては、接続端子２５，２６の各々の直線部の両方の側辺にＶ字状の切欠きが形成されることにより幅狭部ＮＰが形成される。

図８は、第２の実施の形態の他の例における接続端子２５，２６の下面図である。図８（ａ）の例においては、接続端子２５，２６の各々の直線部の両方の側辺に矩形状の切欠きが形成されることにより幅狭部ＮＰが形成される。図８（ｂ）の例においては、接続端子２５，２６の各々の直線部の両方の側辺に半円状の切欠きが形成されることにより幅狭部ＮＰが形成される。このように、接続端子２５，２６の各々の直線部の両方の側辺に任意の形状の切欠きが形成されることにより幅狭部ＮＰが形成されてもよい。

図９は、第２の実施の形態のさらに他の例における接続端子２５，２６の下面図である。図９（ａ）の例においては、接続端子２５，２６の各々の直線部の一方の側辺にＶ字状の切欠きが形成れることにより幅狭部ＮＰが形成される。図９（ｂ）の例においては、接続端子２５，２６の各々の直線部の一方の側辺に矩形状の切欠きが形成されることにより幅狭部ＮＰが形成される。図９（ｃ）の例においては、接続端子２５，２６の各々の直線部の一方の側辺に半円状の切欠きが形成されることにより幅狭部ＮＰが形成される。このように、接続端子２５，２６の各々の直線部の一方の側辺に任意の形状の切欠きが形成されることにより幅狭部ＮＰが形成されてもよい。

（２）サスペンション基板の製造方法
本実施の形態におけるサスペンション基板１の製造方法は、以下の点を除いて、第１の実施の形態におけるサスペンション基板１の製造方法と同様である。

図５（ｂ）の工程で、各エッチングレジスト１８ｂの直線部の両方または一方の側辺に、図７〜図９の接続端子２５，２６の幅狭部ＮＰに対応する切り欠きが形成される。これにより、図５（ｃ）の工程で、島部２５ａ，２６ａが形成される。

また、図６（ｂ）の工程で、島部２５ａ，２６ａの全体をそれぞれ覆うように金属層２５ｂ，２６ｂを形成する。島部２５ａ，２６ａの直線部上の金属層２５ｂ，２６ｂに図７〜図９の幅狭部ＮＰが形成される。これにより、サスペンション基板１が完成する。

（３）効果
本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、接続端子２５，２６の幅狭部ＮＰの幅は素子接続部ＥＣの幅およびパターン接続部ＰＣの幅よりも小さい。そのため、幅狭部ＮＰ上での溶融半田の広がり速度は、素子接続部ＥＣ上での溶融半田の広がり速度よりも小さい。

この場合、接続端子２５，２６の素子接続部ＥＣに塗布された溶融半田は、幅狭部ＮＰ付近で滞留する。これにより、溶融半田は自然放熱により冷却され、パターン接続部ＰＣに広がる前に凝固する。また、パターン接続部ＰＣの幅が幅狭部ＮＰの幅よりも大きいので、溶融半田がパターン接続部ＰＣに広がったとしても、溶融半田はパターン接続部ＰＣからはみ出る前に凝固する。その結果、簡単な構成により溶融半田の濡れ広がりを阻止することができる。

［３］第３の実施の形態
（１）接続端子の構成
第３の実施の形態に係るサスペンション基板１について、第１の実施の形態に係るサスペンション基板１と異なる点を説明する。第３の実施の形態に係るサスペンション基板１の構成は、接続端子２５，２６の構成を除いて、第１の実施の形態に係るサスペンション基板１の構成と同様である。

図１０は、第３の実施の形態に係るサスペンション基板１のタング部１２およびその周辺の下面図である。図１０に示すように、本実施の形態においては、島部２５ａ，２６ａの各々は、ランド部と反対側における直線部の端部に幅広部を有する。金属層２５ｂは、島部２５ａのランド部、直線部および幅広部の全体を覆うように形成される。同様に、金属層２６ｂは、島部２６ａの全体を覆うように形成される。それにより、接続端子２５，２６の各々は、ランド部ＬＤ、直線部ＬＮおよび幅広部ＷＰを有する。接続端子２５，２６の幅広部ＷＰの幅は、直線部ＬＮの幅よりも大きい。

接続端子２５，２６の幅広部ＷＰが素子接続部ＥＣに相当する。図１０の例においては、接続端子２５，２６の素子接続部ＥＣの幅はパターン接続部ＰＣの幅と略等しく形成されるが、これに限定されない。接続端子２５，２６の素子接続部ＥＣの幅は、パターン接続部ＰＣの幅より大きく形成されてもよいし、小さく形成されてもよい。

（２）サスペンション基板の製造方法
本実施の形態におけるサスペンション基板１の製造方法は、以下の点を除いて、第１の実施の形態におけるサスペンション基板１の製造方法と同様である。

図５（ｂ）の工程で、エッチングレジスト１８ｂを図１０の島部２５ａ，２６ａに対応する形状に形成する。これにより、図５（ｃ）の工程で、島部２５ａ，２６ａが形成される。島部２５ａ，２６ａの各々は、ランド部、直線部および幅広部を有する。

その後、図６（ｂ）の工程で、島部２５ａ，２６ａのランド部、直線部および幅広部の全体をそれぞれ覆うように金属層２５ｂ，２６ｂを形成する。これにより、サスペンション基板１が完成する。

（３）効果
本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、幅広部ＷＰの幅は、幅広部ＷＰとパターン接続部ＰＣとの間の部分の幅よりも大きい。そのため、幅広部ＷＰの放熱性は、幅広部ＷＰとパターン接続部ＰＣとの間の部分の放熱性よりも大きい。この場合、接続端子２５，２６の幅広部ＷＰに塗布された溶融半田は、自然放熱により冷却され、パターン接続部ＰＣに広がる前に凝固する。その結果、簡単な構成により溶融半田の濡れ広がりを阻止することができる。

［４］第４の実施の形態
（１）接続端子の構成
第４の実施の形態に係るサスペンション基板１について、第１の実施の形態に係るサスペンション基板１と異なる点を説明する。第４の実施の形態に係るサスペンション基板１の構成は、接続端子２５，２６の構成を除いて、第１の実施の形態に係るサスペンション基板１の構成と同様である。

図１１は、第４の実施の形態に係るサスペンション基板１のタング部１２およびその周辺の下面図である。図１２は、図１１のＣ−Ｃ線断面図である。図１１に示すように、本実施の形態においては、金属層２５ｂは、島部２５ａのランド部および直線部の全体を覆うように形成される。同様に、金属層２６ｂは、島部２６ａのランド部および直線部の全体を覆うように形成される。

本実施の形態の接続端子２５，２６においては、ランド部ＬＤと反対側における直線部ＬＮの端部が素子接続部ＥＣに相当する。図１２に示すように、接続端子２５の素子接続部ＥＣの厚みは、接続端子２５の他の部分の厚みよりも大きく形成される。同様に、接続端子２６の素子接続部ＥＣの厚みは、接続端子２６の他の部分の厚みよりも大きく形成される。

図１３は、第４の実施の形態の他の例に係るサスペンション基板１の断面図である。図１３は、図１１のＣ−Ｃ線断面図に相当する。図１３の例においては、接続端子２５の素子接続部ＥＣの厚みが、接続端子２５の他の部分の厚みよりも小さく形成される。同様に、接続端子２６の素子接続部ＥＣの厚みが、接続端子２６の他の部分の厚みよりも小さく形成される。このように、接続端子２５，２６の素子接続部ＥＣの厚みは、接続端子２５，２６の他の部分の厚みよりも大きく形成されてもよいし、小さく形成されてもよい。

（２）サスペンション基板の製造方法
本実施の形態におけるサスペンション基板１の製造方法は、以下の点を除いて、第１の実施の形態におけるサスペンション基板１の製造方法と同様である。

図６（ａ）の工程の後、島部２５ａ，２６ａの一部にエッチングレジストを形成し、エッチング液として塩化第二鉄溶液および塩化第二銅溶液を用いてエッチングレジストから露出する島部２５ａ，２６ａの部分をハーフエッチングする。ここで、ランド部と反対側における直線部の端部がハーフエッチングされてもよい。あるいは、ランド部と反対側における直線部の端部を除く直線部がハーフエッチングされてもよい。ハーフエッチングされた島部２５ａ，２６ａの部分の厚みは、島部２５ａ，２６ａの他の部分よりも小さくなる。

その後、図６（ｂ）の工程で、島部２５ａ，２６ａのランド部および直線部の全体をそれぞれ覆うように金属層２５ｂ，２６ｂを形成する。これにより、サスペンション基板１が完成する。

（３）効果
本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、接続端子２５，２６の素子接続部ＥＣに塗布された溶融半田は、素子接続部ＥＣ上で広がる。その後、溶融半田は、素子接続部ＥＣの縁に沿って下方または上方に広がる際に自然放熱により冷却され、パターン接続部ＰＣに広がる前に凝固する。これにより、簡単な構成により溶融半田の濡れ広がりを阻止することができる。

［５］第５の実施の形態
（１）接続端子の構成
第５の実施の形態に係るサスペンション基板１について、第１の実施の形態に係るサスペンション基板１と異なる点を説明する。第５の実施の形態に係るサスペンション基板１の構成は、接続端子２５，２６の構成を除いて、第１の実施の形態に係るサスペンション基板１の構成と同様である。

図１４は、第５の実施の形態に係るサスペンション基板１のタング部１２およびその周辺の下面図である。図１５は、図１４のＤ−Ｄ線断面図である。図１４および図１５に示すように、本実施の形態においては、接続端子２５は樹脂層２５ｃをさらに含み、接続端子２６は樹脂層２６ｃをさらに含む。

本実施の形態においては、樹脂層２５ｃは島部２５ａのランド部と反対側の直線部の端部を除く直線部を覆うように設けられ、樹脂層２６ｃは島部２６ａのランド部と反対側の直線部の端部を除く直線部を覆うように設けられる。樹脂層２５ｃから露出する島部２５ａの直線部の端部を覆うように金属層２５ｂが形成され、樹脂層２６ｃから露出する島部２６ａの直線部の端部を覆うように金属層２６ｂが形成される。

図１５に示すように、島部２５ａ上の樹脂層２５ｃの厚みは、島部２５ａ上の金属層２５ｂの厚みよりも大きい。樹脂層２５ｃ上には金属層２５ｂは形成されない。同様に、島部２６ａ上の樹脂層２６ｃの厚みは、島部２６ａ上の金属層２６ｂの厚みよりも大きい。樹脂層２６ｃ上には金属層２６ｂは形成されない。

（２）サスペンション基板の製造方法
本実施の形態におけるサスペンション基板１の製造方法は、以下の点を除いて、第１の実施の形態におけるサスペンション基板１の製造方法と同様である。

図６（ａ）の工程の後、島部２５ａのランド部と反対側の直線部の端部を除く直線部を覆うように樹脂層２５ｃを形成するとともに、島部２６ａのランド部と反対側の直線部の端部を除く直線部を覆うように樹脂層２６ｃを形成する。本例においては、樹脂層２５ｃ，２６ｃはポリイミドにより形成される。

島部２５ａ，２６ａ上の樹脂層２５ｃ，２６ｃの厚みは、２μｍ以上６μｍ以下であることが好ましい。これにより、サスペンション基板１が大型化することを抑制しつつ、接続端子２５，２６の素子接続部ＥＣに塗布された溶融半田が樹脂層２５ｃ，２６ｃを越えて接続端子２５，２６のパターン接続部ＰＣまで広がることを確実に防止することができる。

その後、図６（ｂ）の工程で、樹脂層２５ｃから露出する島部２５ａの直線部の端部を覆うように金属層２５ｂを形成し、樹脂層２６ｃから露出する島部２６ａの直線部の端部を覆うように金属層２６ｂを形成する。これにより、サスペンション基板１が完成する。

（３）効果
本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、接続端子２５，２６の素子接続部ＥＣに塗布された溶融半田は、素子接続部ＥＣ上で広がった後、樹脂層２５ｃ，２６ｃによりせき止められる。これにより、溶融半田はパターン接続部ＰＣに広がる前に凝固する。その結果、簡単な構成により溶融半田の濡れ広がりを阻止することができる。

［６］第６の実施の形態
（１）接続端子の構成
第６の実施の形態に係るサスペンション基板１について、第１の実施の形態に係るサスペンション基板１と異なる点を説明する。第６の実施の形態に係るサスペンション基板１の構成は、接続端子２５，２６の構成を除いて、第１の実施の形態に係るサスペンション基板１の構成と同様である。

図１６は、第６の実施の形態に係るサスペンション基板１のタング部１２およびその周辺の下面図である。図１７は、図１６のＥ−Ｅ線断面図である。図１６および図１７に示すように、本実施の形態においては、接続端子２５は金属層２５ｄをさらに含み、接続端子２６は金属層２６ｄをさらに含む。

金属層２５ｄは島部２５ａのランド部と反対側の直線部の端部を除く直線部を覆うように設けられ、金属層２６ｄは島部２６ａのランド部と反対側の直線部の端部を除く直線部を覆うように設けられる。島部２５ａおよび金属層２５ｄの全体を覆うように金属層２５ｂが形成され、島部２６ａおよび金属層２６ｄの全体を覆うように金属層２６ｂが形成される。

図１８は、第６の実施の形態の他の例に係るサスペンション基板１の断面図である。図１８（ａ），（ｂ）は、図１６のＥ−Ｅ線断面図に相当する。図１８（ａ）の例においては、島部２５ａのランド部と反対側の直線部の端部に金属層２５ｄが形成される。同様に、島部２６ａのランド部と反対側の直線部の端部に金属層２６ｄが形成される。島部２５ａおよび金属層２５ｄの全体を覆うように金属層２５ｂが形成され、島部２６ａおよび金属層２６ｄの全体を覆うように金属層２６ｂが形成される。

図１８（ｂ）の例においては、島部２５ａのランド部と反対側の直線部の端部を除く部分に金属層２５ｄが形成される。同様に、島部２６ａのランド部と反対側の直線部の端部を除く部分に金属層２６ｄが形成される。島部２５ａおよび金属層２５ｄの全体を覆うように金属層２５ｂが形成され、島部２６ａおよび金属層２６ｄの全体を覆うように金属層２６ｂが形成される。

（２）サスペンション基板の製造方法
本実施の形態におけるサスペンション基板１の製造方法は、以下の点を除いて、第１の実施の形態におけるサスペンション基板１の製造方法と同様である。

図６（ａ）の工程の後、島部２５ａの一部を覆うように金属層２５ｄを形成するとともに、島部２６ａの一部を覆うように金属層２６ｄを形成する。本例においては、金属層２５ｄ，２６ｄは銅により形成される。

その後、図６（ｂ）の工程で、島部２５ａおよび金属層２５ｄの全体を覆うように金属層２５ｂを形成し、島部２６ａおよび金属層２６ｄの全体を覆うように金属層２５ｂを形成する。これにより、サスペンション基板１が完成する。

（３）効果
本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、接続端子２５，２６の素子接続部ＥＣに塗布された溶融半田は、素子接続部ＥＣ上で広がった後、金属層２５ｄ，２６ｄによりせき止められる。あるいは、金属層２５ｄ，２６ｄの放熱性が大きいので、接続端子２５，２６の素子接続部ＥＣに塗布された溶融半田は、金属層２５ｄ，２６ｄの縁に沿って下方または上方に広がる際に自然放熱により冷却される。これらにより、溶融半田はパターン接続部ＰＣに広がる前に凝固する。その結果、簡単な構成により溶融半田の濡れ広がりを阻止することができる。

［７］請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

サスペンション基板１が回路付きサスペンション基板の例であり、絶縁層４１が絶縁層の例であり、熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２が導体層の例であり、支持基板１０が支持基板の例である。接続端子２５，２６が接続端子の例であり、素子接続部ＥＣが第１の部分の例であり、パターン接続部ＰＣが第２の部分の例であり、金属層２５ｂ，２６ｂが表面処理層の例である。幅狭部ＮＰが幅狭部の例であり、幅広部ＷＰが幅広部の例であり、樹脂層２５ｃ，２６ｃまたは金属層２５ｄ，２６ｄが突起部の例であり、支持層１０ａが支持層の例であり、構造体１ａが構造体の例である。

第１の実施の形態においては、金属層２５ｂ，２６ｂが広がり阻止部の例である。第２の実施の形態においては、幅狭部ＮＰが幅変化部および広がり阻止部の例である。第３の実施の形態においては、接続端子２５，２６の直線部ＬＮと幅広部ＷＰとの境界が幅変化部および広がり阻止部の例である。第４の実施の形態においては、接続端子２５，２６の素子接続部ＥＣと他の部分との境界が厚み変化部および広がり阻止部の例である。第５の実施の形態においては、樹脂層２５ｃ，２６ｃが厚み変化部および広がり阻止部の例である。第６の実施の形態においては、金属層２５ｄ，２６ｄが厚み変化部および広がり阻止部の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
［８］参考形態
（１）第１の参考形態に係る回路付きサスペンション基板は、半田により回路素子が接続される回路付きサスペンション基板であって、第１および第２の面を有する絶縁層と、絶縁層の第１の面上に形成される導体層と、絶縁層の第２の面上に形成される導電性の支持基板と、絶縁層の第２の面上に形成され、支持基板から電気的に絶縁されかつ導体層に電気的に接続される接続端子とを備え、接続端子は、第１および第２の部分を有するとともに、第１の部分に塗布された溶融半田が第２の部分に広がることを阻止する広がり阻止部を有するものである。
この回路付きサスペンション基板においては、絶縁層の第１および第２の面上にそれぞれ導体層および導電性の支持基板が形成される。また、絶縁層の第２の面上に支持基板から電気的に絶縁されかつ導体層に電気的に接続される接続端子が形成される。接続端子は、第１の部分、第２の部分および広がり阻止部を有する。
この構成によれば、半田により回路素子を接続端子の第１の部分に接続する場合、第１の部分に塗布された溶融半田が第２の部分に広がることが広がり阻止部により阻止される。これにより、第２の部分が半田を介して意図しない他の部分に電気的に接触することが防止される。その結果、溶融半田の濡れ広がりによる回路付きサスペンション基板の信頼性の低下を抑制することができる。
（２）広がり阻止部は、第１の部分の表面上に形成された表面処理層であり、表面処理層の材料は、溶融半田に対して第２の部分の表面の材料よりも高い濡れ性を有してもよい。
この場合、接続端子の第１の部分上の表面処理層に塗布された溶融半田は、表面処理層上で急速に広がった後、表面処理層と第２の部分との境界で広がりにくくなる。これにより、溶融半田は自然放熱により冷却され、第２の部分に広がる前に凝固する。その結果、簡単な構成により溶融半田の濡れ広がりを阻止することができる。
（３）第１および第２の部分はステンレスにより形成され、表面処理層は金めっきにより形成されてもよい。この場合、表面処理層と第２の部分との境界で溶融半田の濡れ広がりを十分に阻止することができる。
（４）接続端子は、第１の部分と第２の部分との間で幅が変化する幅変化部を有し、広がり阻止部は幅変化部であってもよい。
この場合、接続端子の第１の部分に塗布された溶融半田は、幅変化部を通過する際に自然放熱により冷却され、第２の部分に広がる前に凝固する。これにより、簡単な構成により溶融半田の濡れ広がりを阻止することができる。
（５）幅変化部は、第１の部分の幅および第２の部分の幅よりも小さい幅を有する幅狭部を含んでもよい。
この場合、幅狭部の幅は第１の部分の幅および第２の部分の幅よりも小さいので、幅狭部上での溶融半田の広がり速度は、第１の部分上での溶融半田の広がり速度よりも小さい。そのため、接続端子の第１の部分に塗布された溶融半田は、幅狭部付近で滞留する。これにより、溶融半田は自然放熱により冷却され、第２の部分に広がる前に凝固する。また、第２の部分の幅が幅変化部の幅よりも大きいので、溶融半田が第２の部分に広がったとしても、溶融半田は第２の部分からはみ出る前に凝固する。その結果、簡単な構成により溶融半田の濡れ広がりを阻止することができる。
（６）第１の部分は、第２の部分の幅よりも大きい幅を有する幅広部からなり、幅変化部は、幅広部と第２の部分との境界であってもよい。
この場合、幅広部の幅は、第２の部分の幅よりも大きいので、幅広部の放熱性は、第２の部分の放熱性よりも大きい。そのため、接続端子の第１の部分に塗布された溶融半田は、自然放熱により冷却され、第２の部分に広がる前に凝固する。その結果、簡単な構成により溶融半田の濡れ広がりを阻止することができる。
（７）接続端子は、第１の部分と第２の部分との間で厚みが変化する厚み変化部を有し、広がり阻止部は厚み変化部であってもよい。
この場合、接続端子の第１の部分に塗布された溶融半田は、厚み変化部を通過する際に自然放熱により冷却され、第２の部分に広がる前に凝固する。これにより、簡単な構成により溶融半田の濡れ広がりを阻止することができる。
（８）第１の部分は第２の部分よりも大きい厚みを有し、厚み変化部は第１の部分と第２の部分との境界であってもよい。
この場合、接続端子の第１の部分に塗布された溶融半田は、第１の部分上で広がった後、第１の部分の縁に沿って下方に広がる際に自然放熱により冷却され、第２の部分に広がる前に凝固する。これにより、簡単な構成により溶融半田の濡れ広がりを阻止することができる。
（９）第２の部分は第１の部分よりも大きい厚みを有し、厚み変化部は第１の部分と第２の部分との境界であってもよい。
この場合、接続端子の第１の部分に塗布された溶融半田は、第１の部分上で広がった後、第２の部分の縁によりせき止められる。あるいは、接続端子の第１の部分に塗布された溶融半田は、第２の部分の縁に沿って上方に広がる際に自然放熱により冷却される。これらにより、溶融半田は第２の部分に広がる前に凝固する。その結果、簡単な構成により溶融半田の濡れ広がりを阻止することができる。
（１０）厚み変化部は、第１の部分と第２の部分との境界に沿って設けられる突起部であり、突起部は、第１および第２の部分の表面から突出するように形成されてもよい。
この場合、接続端子の第１の部分に塗布された溶融半田は、第１の部分上で広がった後、突起部によりせき止められる。あるいは、接続端子の第１の部分に塗布された溶融半田は、突起部の縁に沿って上方に広がる際に自然放熱により冷却される。これらにより、溶融半田は第２の部分に広がる前に凝固する。その結果、簡単な構成により溶融半田の濡れ広がりを阻止することができる。
（１１）突起部は樹脂により形成されてもよい。この場合、接続端子の第１の部分と第２の部分との間の表面上に容易に突起部を形成することができる。
（１２）突起部は金属により形成されてもよい。この場合、突起部での放熱性が向上する。これにより、簡単な構成により溶融半田の濡れ広がりを阻止することができる。
（１３）第２の参考形態に係る回路付きサスペンション基板の製造方法は、半田により回路素子が接続される回路付きサスペンション基板の製造方法であって、第１および第２の面を有する絶縁層、絶縁層の第１の面上に形成される導体層および絶縁層の第２の面上に形成される導電性の支持層を含む構造体を準備する工程と、支持層を加工することにより絶縁層の第２の面上に導電性の支持基板を形成する工程と、支持層を加工することにより絶縁層の第２の面上に支持基板から電気的に絶縁されかつ導体層に電気的に接続される接続端子を形成する工程とを含み、接続端子は、第１および第２の部分を有するとともに、第１の部分に塗布された溶融半田が第２の部分に広がることを阻止する広がり阻止部を有するものである。
この回路付きサスペンション基板の製造方法においては、絶縁層の第１および第２の面上にそれぞれ導体層および導電性の支持層が形成される。支持層が加工されることにより、絶縁層の第２の面上に導電性の支持層が形成され、支持基板から電気的に絶縁されかつ導体層に電気的に接続される接続端子が形成される。接続端子は、第１の部分、第２の部分および広がり阻止部を有する。
この構成によれば、半田により回路素子を接続端子の第１の部分に接続する場合、第１の部分に塗布された溶融半田が第２の部分に広がることが広がり阻止部により阻止される。これにより、第２の部分が半田を介して意図しない他の部分に電気的に接触することが防止される。その結果、溶融半田の濡れ広がりによる回路付きサスペンション基板の信頼性の低下を抑制することができる。

本発明は、種々の接続端子を有する配線回路基板または電気機器等に有効に利用することができる。

１ サスペンション基板
１ａ 構造体
１０ 支持基板
１０ａ 支持層
１１，１３，１３ａ，１３ｂ，１８ｈ，４１ｈ 開口部
１２ タング部
１８ レジスト膜
１８ａ，１８ｂ エッチングレジスト
２１〜２６，３１〜３６ 接続端子
２５ａ，２６ａ 島部
２５ｂ，２５ｄ，２６ｂ，２６ｄ 金属層
２５ｃ，２６ｃ 樹脂層
４１ 絶縁層
４３ 被覆層
１００ サスペンション本体部
ＥＣ 素子接続部
Ｈ 孔部
Ｈ１，Ｈ２ 熱アシスト用配線パターン
ＬＤ ランド部
ＬＮ 直線部
ＮＰ 幅狭部
ＰＣ パターン接続部
Ｒ１，Ｒ２ 読取用配線パターン
Ｗ１，Ｗ２ 書込用配線パターン
ＷＰ 幅広部

Claims (13)

1. 半田により回路素子が接続される回路付きサスペンション基板であって、
   第１および第２の面を有する絶縁層と、
   前記絶縁層の前記第１の面上に形成される導体層と、
   前記絶縁層の前記第２の面上に形成される導電性の支持基板と、
   前記絶縁層の前記第２の面上に形成され、前記支持基板から電気的に絶縁されかつ前記導体層に電気的に接続される接続端子とを備え、
   前記接続端子は、第１および第２の部分を有するとともに、前記第１の部分に塗布された半田が前記第２の部分に広がることを阻止する広がり阻止部を有し、
   前記接続端子は、前記絶縁層に接する第３の面と、前記第３の面とは反対側の第４の面とを有し、
   前記第４の面は、前記第１の部分および前記第２の部分を有する、回路付きサスペンション基板。
2. 前記広がり阻止部は、前記第１の部分の表面上に形成された表面処理層であり、
   前記表面処理層の材料は、溶融半田に対して前記第２の部分の表面の材料よりも高い濡れ性を有する、請求項１記載の回路付きサスペンション基板。
3. 前記第１および第２の部分はステンレスにより形成され、前記表面処理層は金めっきにより形成される、請求項２記載の回路付きサスペンション基板。
4. 前記接続端子は、前記第１の部分と前記第２の部分との間で幅が変化する幅変化部を有し、
   前記広がり阻止部は前記幅変化部である、請求項１記載の回路付きサスペンション基板。
5. 前記幅変化部は、前記第１の部分の幅および第２の部分の幅よりも小さい幅を有する幅狭部を含む、請求項４記載の回路付きサスペンション基板。
6. 前記第１の部分は、前記第２の部分の幅よりも大きい幅を有する幅広部からなり、
   前記幅変化部は、前記幅広部と前記第２の部分との境界である、請求項４記載の回路付きサスペンション基板。
7. 前記接続端子は、前記第１の部分と前記第２の部分との間で厚みが変化する厚み変化部を有し、
   前記広がり阻止部は前記厚み変化部である、請求項１記載の回路付きサスペンション基板。
8. 前記第１の部分は前記第２の部分よりも大きい厚みを有し、前記厚み変化部は前記第１の部分と前記第２の部分との境界である、請求項７記載の回路付きサスペンション基板。
9. 前記第２の部分は前記第１の部分よりも大きい厚みを有し、前記厚み変化部は前記第１の部分と前記第２の部分との境界である、請求項７記載の回路付きサスペンション基板。
10. 前記厚み変化部は、前記第１の部分と前記第２の部分との境界に沿って設けられる突起部であり、
    前記突起部は、前記第１および第２の部分の表面から突出するように形成される、請求項７記載の回路付きサスペンション基板。
11. 前記突起部は樹脂により形成される、請求項１０記載の回路付きサスペンション基板。
12. 前記突起部は金属により形成される、請求項１０記載の回路付きサスペンション基板。
13. 半田により回路素子が接続される回路付きサスペンション基板の製造方法であって、
    第１および第２の面を有する絶縁層、前記絶縁層の前記第１の面上に形成される導体層および前記絶縁層の前記第２の面上に形成される導電性の支持層を含む構造体を準備する工程と、
    前記支持層を加工することにより前記絶縁層の第２の面上に導電性の支持基板を形成する工程と、
    前記支持層を加工することにより前記絶縁層の第２の面上に前記支持基板から電気的に絶縁されかつ前記導体層に電気的に接続される接続端子を形成する工程とを含み、
    前記接続端子は、第１および第２の部分を有するとともに、前記第１の部分に塗布された半田が前記第２の部分に広がることを阻止する広がり阻止部を有し、
    前記接続端子は、前記絶縁層に接する第３の面と、前記第３の面とは反対側の第４の面とを有し、
    前記第４の面は、前記第１の部分および前記第２の部分を有する、回路付きサスペンション基板の製造方法。

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