JP6142191B2 - 表示装置および電子機器 - Google Patents

Description

本開示は、有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）現象を利用して発光する表示装置およびこれを備えた電子機器に関する。

情報通信産業の発達が加速するにつれて、高度な性能を有する表示素子が要求されている。その中で、次世代表示素子として注目されている有機ＥＬ素子は、自発発光型表示素子として視野角が広くてコントラストが優秀なだけでなく応答時間が速いという長所がある。

有機ＥＬ素子は複数の層が積層された構成を有し、これら層は、例えば真空蒸着法によって形成されている。具体的には、開口を持ったマスクを蒸着源と基板との間に挟むことによって所望の形状の層をパターニングする方法が一般的である。この方法を用いて大型の有機ＥＬ素子を作成する場合には、基板の大きさに則した、即ち大型のマスクが必要となる。マスクは大型化するにつれて撓むと共に、搬送の繁雑さなどからアライメントが難しくなり開口率が低下する。これにより、素子特性が低下するという問題があった。また、材料の利用効率も低かった。

これに対して、例えば特許文献１，２では、熱転写を用いたパターン作製法が開示されている。しかし、熱源としてレーザを使用するため、製造装置全体で莫大なコストが必要になるという問題があった。

一方、例えば特許文献３，４では、蛍光材料等を溶剤に溶かしたインクを直接画素上に滴下して蛍光体層あるいは反射層を成膜するプラズマディスプレイパネル表示装置の製造方法が開示されている。具体的には、１つのヘッドに複数の開口（吐出口）を設け、一度のスキャンで複数のラインを形成するものであり、材料の利用効率もよく、安価な装置構成で蛍光体層を形成することができる。

特開１９９７−１６７６８４号公報 特開２００２−２１６９５７号公報 特開平１１−４００６５号公報 特開平１１−９６９１１号公報

しかしながら、特許文献３，４に開示された製造方法を有機ＥＬ素子に適用することは、以下の理由により難しい。プラズマディスプレイパネル表示装置は、開口間のピッチが大きく、インクの粘度を高い。このため、液滴の吐出と同時に容易に蛍光体層はパターン化される。これに対して、有機ＥＬ表示装置の開口間のピッチは狭く、更に、有機材料を溶解したインクは粘度は低く、低接触角であるため濡れ性が高い。このため、プラズマディスプレイ用のインクとは異なり、吐出と同時のパターニングは非常に困難であった。

本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、簡易な製造で素子特性を向上することが可能な表示装置およびこれを備えた電子機器を提供することにある。

本技術の表示装置は、格子状に配置された複数の画素と、複数の画素の間の少なくとも一部に設けられた複数の第１撥液領域と、隣り合う複数の第１撥液領域の間にそれぞれ設けられた複数の第１親液領域とを有する表示領域と、少なくとも前記表示領域の一端側に連続して設けられた第２親液領域と第２親液領域の外側の第２撥液領域とを有する周辺領域とを備えたものである。

本技術の電子機器は、上記表示装置を備えたものである。

本技術の表示装置および電子機器では、表示領域に、複数の画素の間の少なくとも一部に設けられた複数の第１撥液領域および隣り合う複数の第１撥液領域の間にそれぞれ設けられた複数の第１親液領域を設け、周辺領域の少なくとも一部に第２親液領域を設けることにより、簡易な方法で有機層のパターニングが可能となる。

本技術の表示装置および電子機器によれば、複数の画素を備えた表示領域に、画素間の少なくとも一部に第１撥液領域を設け、隣り合う複数の第１撥液領域の間にそれぞれ第１親液領域を設けるようにした。また、周辺領域の少なくとも一部に第２親液領域を設けるようにしたので、簡易な方法で有機層のパターニングが可能となる。これにより、素子特性が向上する。即ち、簡易な方法で特性の安定したフルカラーの表示装置を提供することが可能となる。

本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す平面図である。 図１に示した表示装置の形成方法を説明する模式図である。 図１に示した表示装置の概略図である。 図３に示した表示装置の画素駆動回路の一例を表す図である。 図１に示した表示装置の断面図である。 図１に示した表示装置を構成する有機ＥＬ素子の断面図である。 本開示の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す平面図である。 比較例に係る表示装置の構成を表す平面図である。 本開示の第３の実施の形態に係る表示装置の一部の構成を表す平面図である。 本開示の第４の実施の形態に係る表示装置の一部の構成を表す平面図である。 本開示の第５の実施の形態に係る表示装置の一部の構成を表す平面図である。 本開示の第６の実施の形態に係る表示装置の一部の構成を表す平面図である。 本開示の第７の実施の形態に係る表示装置の一部の構成を表す平面図である。 本開示の第８の実施の形態に係る表示装置の一例を表す断面図である。 フォトマスクの構成を表す模式図である。 本開示の第８の実施の形態に係る表示装置の他の例を表す斜視図および断面図である。 本開示の変形例に係る表示装置の一部の構成の一例を表す平面図である。 図１７に示した表示装置の断面図である。 本開示の変形例に係る表示装置の他の例を表す平面図である。 図１９に示した表示装置の形状を説明する模式図である。 本開示の変形例に係る表示装置の他の例を表す平面図である。 （Ａ）は適用例１の裏側から見た外観を表す斜視図、（Ｂ）は表側から見た外観を表す斜視図である。 適用例２の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例３の表側から見た外観を表す斜視図、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例４の外観を表す斜視図である。 適用例５の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例６の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側断面、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。

以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態
（表示領域に第１親液領域および第１撥液領域を有し、周辺領域に第２親液領域を有する表示装置）
１−１．パターニング方法
１−２．表示装置の全体構成
２．第２の実施の形態
（周辺領域に第２撥液領域を有する表示装置）
３．第３の実施の形態
（第１親液領域および第２親液領域が連続した表示装置）
４．第４の実施の形態
（第１親液領域および第２親液領域が連続すると共に、第１撥液領域の一端に狭隘領域を有する表示装置）
５．第５の実施の形態
（長手方向に沿って領域幅が変化した第１撥液領域を有する表示装置）
６．第６の実施の形態
（長手方向に沿って凹凸が形成された第１撥液領域を有する表示装置）
７．第７の実施の形態
（各画素ごとに間隔の異なる第１親液領域が形成された表示装置）
８．第８の実施の形態
（第１撥液領域および第１親液領域が同一材料によって形成された表示装置）
９．変形例
（カソード電極と補助配線との接続部を第１撥液領域に有する表示装置）
１０．適用例

１．第１の実施の形態
（１−１．パターニング方法）
図１は本開示の第１の実施の形態に係る表示装置１Ａの表示領域２および周辺領域３の平面構成を表したものである。この表示装置１Ａは、例えば、基板１１の上に、表示領域２として、複数の画素５がマトリクス状（格子状）に配置されている。複数の画素５は、例えば赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇ，青色画素５Ｂであり、それぞれ色ごとにライン状に配置されている。これら各画素５（５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ）にはそれぞれ対応する色の有機ＥＬ素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）が設けられている。なお、ここでは赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇおよび青色画素５Ｂの組み合わせが一つの表示画素（ピクセル）を構成している。

本実施の形態の表示装置１Ａの表示領域２には、複数の画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂを色ごとに分割すると共に、マトリクス状に配置された複数の画素の周囲に設けられた第１撥液領域２Ｂおよび第１撥液領域２Ｂを除く領域に形成された第１親液領域２Ａが設けられている。具体的には、表示領域２に設けられた複数の画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂを囲うように第１親液領域２Ａが形成され、この第１親液領域２Ａ上の、各画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂを色ごとに分割するように第１撥液領域２Ｂが形成されている。第１親液領域２Ａおよび第１撥液領域２Ｂは、共に有機ＥＬ素子１０を塗布によって形成する際に吐出されるインクのバンクとしての機能を有するものである。このように、撥液領域によって色ごとに分割された親液領域を設けることで、所望の画素パターンが形成される。

第１親液領域２Ａは、インクの濡れ性を向上するためのものであり、上述したように、画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂを囲うように、表示領域２内を連続して設けられている。第１親液領域２Ａの材料としては、無機材料、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂），炭化ケイ素（ＳｉＣ），窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄），インジウム錫酸化物（ＩＴＯ），インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ），アルミニウム（Ａｌ），チタン（Ｔｉ）またはモリブデン（Ｍｏ）等が用いられ、真空蒸着法，ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法またはＰＶＤ（Physical Vapor Deposition；物理気相成長）法等によって形成される。

第１撥液領域２Ｂは、各画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂライン上に吐出されたインクの過剰な濡れ広がり、具体的には、隣接する画素ラインへの浸入を防止するためのものであり、上述したように、各画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂを色ごとに分割すると共に、画素全体を囲うように設けられている。第１撥液領域２Ｂの材料としては、有機材料、例えばポリイミドまたはノボラック等が挙げられ、これらを所定の形状に形成したのち、プラズマ処理を行うことで撥液性が付加される。

また、本実施の形態の表示装置１Ａの周辺領域３には、少なくとも一部、ここでは周辺領域全体に第２親液領域３Ａが設けられている。第２親液領域３Ａを設け、周辺領域の濡れ性を向上することによって、各画素ラインにインクを吐出する際の液溜まり（ビード）を形成しやすくなる。これにより、画素ライン上への連続したインクの吐出が可能となる。なお、第２親液領域３Ａはこれに限らず、後述する理由により、少なくとも色ごとにライン状に配置された各画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂの一端側、具体的には、インク塗布開始時におけるビード形成領域４を第２親液領域とすればよい。但し、両端に第２親液領域３Ａを設け対称的パターンとすることにより、有機層１５以降の製造工程において有利となる場合もある。なお、この第２親液領域３Ａは、上記第１親液領域２Ａと同じ材料および方法によって形成される。

表示領域２の各画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ上には、上述したように各画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂに対応する色の有機ＥＬ素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）が設けられている。この有機ＥＬ素子１０は、詳細は後述するが、アノード電極１２（第１電極），隔壁１４，有機層１５およびカソード電極１６（第２電極）がこの順に積層された構成を有している（図５参照）。このうち、有機層１５の一部が液滴吐出法等の塗布法により形成されている。具体的には、有機層１５を構成する有機材料を有機溶媒に溶解させたインクを、スリットコーター（またはストライプコーター）のヘッドに設けられた複数の吐出口から吐出し、各画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ上に配する。この後、加熱することにより溶媒を除去して各層を形成する。本実施の形態において用いられる有機材料を溶解したインクは、前述したように粘度が低く、低接触角であるため濡れ性が高い。このため、吐出後のインクは表示領域２あるいは周辺領域３上で広がり、基板の信頼性を著しく低下させる、また、パターニングが難しく、更に各色画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂごとの膜厚の制御も難しかった。

有機層１５は以下のように形成する。まず、図２（Ａ）に示したように、第１撥液領域２Ｂの外部、特に、色ごとに配置された画素５の一端側の周辺領域３にスリットコーターのヘッドの吐出口からインクを吐出し、ヘッドがインクを介して基板１１と接するようにビードを形成する。これにより、ヘッド表面の濡れ性を均一にすることができる。次に、図２（Ｂ）に示したように、画素ライン上に沿ってスキャンし、画素５上にインクを吐出していく。この際、ヘッドは図２（Ｃ）に示したように、インクを介して基板１１と接した状態を維持したままスキャン方向に移動する。

このような塗布法による有機層１５の形成では、上記ビードの形成が重要である。このため、表示領域２を囲む周辺領域３には、上述したように少なくともビード形成領域４に第２親液領域３Ａを設けることが望ましく、本実施の形態では、周辺領域３全体に第２親液領域３Ａが設けられている。これにより、インクの表面張力あるいは基板１１の撥液性等によるインクと基板１１との切断が抑制され、インクと基板１１との接続を維持しやすくなる。即ち、各色画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂにおける有機層１５の正確な塗布形成が可能となる。

（１−２．表示装置の全体構成）
次に、表示装置１Ａの全体構成について説明する。図３は、本実施の形態の表示装置１Ａの概略構成を表したものである。この表示装置１Ａは、有機ＥＬテレビジョン装置などとして用いられるものであり、上述したように、基板１１の上に、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置された表示領域２が形成されており、表示領域２を囲うように周辺領域３が配置されている。周辺領域３には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。

表示領域２内には画素駆動回路１４０が設けられている。図４は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。画素駆動回路１４０は、後述するアノード電極１２の下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。すなわち、この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ（または緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂ）とを有する。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）により構成され、その構成は、例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。

画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂのいずれか一つに対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。

また、表示領域２には、上述したように赤色の光を発生する赤色有機ＥＬ素子１０Ｒと、緑色の光を発生する緑色有機ＥＬ素子１０Ｇと、青色の光を発生する青色有機ＥＬ素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に配置されている。

図５は、表示領域２における表示装置１Ａの断面構成の一例を表したものである。表示装置１Ａは、基板１１上に画素５を、例えばアクティブマトリックス方式により駆動するＴＦＴ２０が設けられ、このＴＦＴ２０上には、画素５（５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ）を構成する有機ＥＬ素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）が設けられている。

（ＴＦＴ）
ＴＦＴ２０は、いわゆるボトムゲート型のＴＦＴであり、チャネル（活性層）に、例えば酸化物半導体を用いたものである。このＴＦＴ２０では、ガラス等よりなる基板１１上に、ゲート電極２１、ゲート絶縁膜（第１ゲート絶縁膜２２，第２ゲート絶縁膜２３）、酸化物半導体層２４、チャネル保護膜２５およびソース・ドレイン電極２６がこの順に形成されている。ソース・ドレイン電極２６上には、基板１１の全面に渡ってＴＦＴ２０の凹凸を平坦化させるための平坦化層２７が形成されている。

ゲート電極２１は、ＴＦＴ２０に印加されるゲート電圧によって酸化物半導体層２４中のキャリア密度（ここでは、電子密度）を制御する役割を果たすものである。このゲート電極２１は、例えばＭｏ，Ａｌおよびアルミニウム合金等のうちの１種よりなる単層膜、または２種以上よりなる積層膜により構成されている。なお、アルミニウム合金としては、例えばアルミニウム−ネオジム合金が挙げられる。

第１ゲート絶縁膜２２，第２ゲート絶縁膜２３は、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、シリコン窒化酸化物（ＳｉＯＮ）および酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）等のうちの１種よりなる単層膜、またはこれらのうちの２種以上よりなる積層膜である。ここでは、第１ゲート絶縁膜２２，第２ゲート絶縁膜２３は２層構造を有し、絶縁膜２２が例えばＳｉＯ₂膜、絶縁膜２３は例えばＳｉ₃Ｎ₄膜によりそれぞれ構成されている。ゲート絶縁膜２２，２３の総膜厚は、例えば２００ｎｍ〜３００ｎｍである。

酸化物半導体層２４は、例えばインジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ），スズ（Ｓｎ），Ａｌ，Ｔｉのうちの少なくとも１種の酸化物を主成分として含んでいる。この酸化物半導体層２４は、ゲート電圧の印加によりソース・ドレイン電極２６間にチャネルを形成するものである。この酸化物半導体層２４の膜厚は後述の負の電荷の影響がチャネルへ及ぶように、薄膜トランジスタのオン電流の悪化を引き起こさない程度であることが望ましく、具体的には５ｎｍ〜１００ｎｍであることが望ましい。

チャネル保護膜２５は、酸化物半導体層２４上に形成され、ソース・ドレイン電極２６形成時におけるチャネルの損傷を防止するものである。チャネル保護膜２５の厚みは、例えば１０〜３００ｎｍである。

ソース・ドレイン電極２６は、例えばＭｏ，Ａｌ，銅（Ｃｕ），Ｔｉ，ＩＴＯおよびＴｉＯ等のうち１種よりなる単層膜またはこれらのうちの２種以上よりなる積層膜である。例えば、Ｍｏ，Ａｌ，Ｍｏの順に、５０ｎｍ，５００ｎｍ，５０ｎｍの膜厚で積層した３層膜や、ＩＴＯおよび酸化チタン等の酸素を含む金属化合物のような酸素との結びつきの弱い金属または金属化合物を用いることが望ましい。これにより、酸化物半導体の電気特性を安定して保持することができる。

平坦化層２７は、例えばポリイミド、ノボラック等の有機材料が用いられる。この平坦化層２７の厚みは、例えば１０ｎｍ〜１００ｎｍであり、好ましくは５０ｎｍ以下である。平坦化層２７上には、有機ＥＬ素子１０のアノード電極１２が形成されている。

（有機ＥＬ素子）
有機ＥＬ素子１０は、アノード電極１２から注入された正孔とカソード電極１６から注入された電子が発光層１５Ｃ内で再結合する際に生じた発光光を基板１１と反対側（カソード電極１５側）から光を取り出す上面発光型（トップエミッション型）の表示素子である。上面発光型の有機ＥＬ素子１０を用いることにより表示装置の発光部の開口率が向上する。なお、本開示の有機ＥＬ素子１０は、このような構成に限定されることはなく、例えば基板１１側から光を取り出す透過型、即ち下面発光型（ボトムエミッション型）の表示素子としてもよい。

有機ＥＬ素子１０では、平坦化層２７上に、例えば表示装置１Ａが上面発光型である場合には、高反射性材料、例えば、Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ等からなるアノード電極１２が形成されている。また、表示装置１Ａが透過型である場合には、透明材料、例えばＩＴＯ，ＩＺＯ，ＩＧＺＯ等が用いられる。

ここで、上方に有機層１５を除くアノード電極１２上および平坦化層２７上には、例えば、ＳｉＯ₂，Ｓｉ₃Ｎ₄等が用いられた上述した第１親液領域２Ａ、ここでは親液層１３が形成されている。この親液層１３上の一部の領域には、有機層１５をパターニングするための第１撥液領域２Ｂ、ここでは撥液層１４が形成されている。なお、この撥液層１４は、アノード電極１２と、後述するカソード電極１６との絶縁性を確保する役割も有し、一般的に隔壁として機能するものである。この撥液層１４は、画素５の開口、即ち、発光領域を挟むように設けられると共に、ＴＦＴ２０のソース・ドレイン電極２６とアノード電極１２との接続部上に設けられている。撥液層１４は、上述したようにポリイミドまたはノボラック等の有機材料により形成されており、プラズマ酸化を行うことにより、撥液性が付加される。

有機層１５は、例えば、図６に示したように、アノード電極１２側から順に、正孔注入層１５Ａ，正孔輸送層１５Ｂ，発光層１５Ｃ，電子輸送層１５Ｄおよび電子注入層１５Ｅを積層した構成を有する。有機層１５は例えば真空蒸着法やスピンコート法等によって形成される。この有機層１５の上面はカソード電極１６によって被覆されている。有機層１５を構成する各層の膜厚および構成材料等は特に限定されないが、一例を以下に示す。

正孔注入層１５Ａは、発光層１５Ｃへの正孔注入効率を高めると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔注入層１５Ａの厚みは例えば５ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、さらに好ましくは８ｎｍ〜１５０ｎｍである。正孔注入層１５Ａの構成材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、例えばポリアニリン，ポリチオフェン，ポリピロール，ポリフェニレンビニレン，ポリチエニレンビニレン，ポリキノリン，ポリキノキサリンおよびそれらの誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体などの導電性高分子，金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等），カーボンなどが挙げられる。導電性高分子の具体例としてはオリゴアニリンおよびポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）などのポリジオキシチオフェンが挙げられる。

正孔輸送層１５Ｂは、発光層１５Ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。正孔輸送層１５Ｂの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば５ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、さらに好ましくは８ｎｍ〜１５０ｎｍである。正孔輸送層１５Ｂを構成する材料としては、有機溶媒に可溶な発光材料、例えば、ポリビニルカルバゾール，ポリフルオレン，ポリアニリン，ポリシランまたはそれらの誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体，ポリチオフェンおよびその誘導体，ポリピロールまたはＡｌｑ３などを用いることができる。

発光層１５Ｃでは、電界がかかると電子と正孔との再結合が起こり発光する。発光層１５Ｃの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、さらに好ましくは２０ｎｍ〜１５０ｎｍである。発光層１５Ｃは、それぞれ単層あるいは積層構造であってもよい。具体的には、本実施の形態の有機ＥＬ素子１０のように、正孔輸送層１５Ｂ上に赤色，緑色，青色の発光層１５ＣＲ，１５ＣＧ，１５ＣＢが単層設けられている以外に、例えば、青色発光層を各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの共通層としてもよい。この場合、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒには赤色発光層１５ＣＲ上に青色発光層１５ＣＢが積層され、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇには緑色発光層１５ＣＧ上に青色発光層１５ＣＢが積層されている。また、ここには示していないが、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧおよび青色発光層１５ＣＢを積層してもよく、これらを積層することにより白色有機ＥＬ素子が形成される。

発光層１５Ｃを構成する材料は、それぞれの発光色に応じた材料を用いればよく、例えばポリフルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体，ポリフェニレン誘導体，ポリビニルカルバゾール誘導体，ポリチオフェン誘導体，ペリレン系色素，クマリン系色素，ローダミン系色素，あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープしたものが挙げられる。ドープ材料としては、例えばルブレン，ペリレン，９，１０−ジフェニルアントラセン，テトラフェニルブタジエン，ナイルレッド，クマリン６等を用いることができる。なお、発光層１５Ｃを構成する材料は、上記材料を２種類以上混合して用いてもよい。また、上記高分子量の材料に限らず、低分子量の材料を組み合わせて用いてもよい。低分子材料の例としては、ベンジン，スチリルアミン，トリフェニルアミン，ポルフィリン，トリフェニレン，アザトリフェニレン，テトラシアノキノジメタン，トリアゾール，イミダゾール，オキサジアゾール，ポリアリールアルカン，フェニレンジアミン，アリールアミン，オキザゾール，アントラセン，フルオレノン，ヒドラゾン，スチルベンあるいはこれらの誘導体、または、ポリシラン系化合物，ビニルカルバゾール系化合物，チオフェン系化合物あるいはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマーあるいはオリゴマーが挙げられる。

発光層１５Ｃを構成する材料としては、上記材料の他に発光性ゲスト材料として、発光効率が高い材料、例えば、低分子蛍光材料、りん光色素あるいは金属錯体等の有機発光材料を用いることができる。

なお、発光層１５Ｃは、例えば上述した正孔輸送層１５Ｂを兼ねた正孔輸送性の発光層としてもよく、また、後述する電子輸送層１５Ｄを兼ねた電子輸送性の発光層としてもよい。

電子輸送層１５Ｄおよび電子注入層１５Ｅは、発光層１５Ｃへの電子輸送効率を高めるためのものである。電子輸送層１５Ｄおよび電子注入層１５Ｅの総膜厚は素子の全体構成にもよるが、例えば５ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ〜１８０ｎｍである。

電子輸送層１５Ｄの材料としては、優れた電子輸送能を有する有機材料を用いることが好ましい。発光層１５Ｃの輸送効率を高めることにより、後述する電界強度による発光色の変化が抑制される。具体的には、例えばアリールピリジン誘導体およびベンゾイミダゾール誘導体などを用いることが好ましい。これにより、低い駆動電圧でも高い電子の供給効率が維持されるからである。電子注入層１５Ｅの材料としては、アルカリ金属，アルカリ土類金属，希土類金属およびその酸化物，複合酸化物，フッ化物，炭酸塩等が挙げられる。

カソード電極１６は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、光透過性が良好で仕事関数が小さい材料により構成されている。また、酸化物を用いて透明導電膜を形成することによっても光取り出しを担保することができる。この場合には、ＺｎＯ，ＩＴＯ，ＩＺｎＯ，ＩｎＳｎＺｎＯ等を用いる事が可能である。更に、カソード電極１６は単層でもよいが、ここでは例えばアノード電極１２側から順に第１層１６Ａ、第２層１６Ｂ、第3層１６Ｃと積層した構造となっている。

第１層１６Ａは、仕事関数が小さく、且つ、光透過性の良好な材料により形成されることが好ましい。具体的には、例えばカルシウム（Ｃａ），バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属、リチウム（Ｌｉ），セシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、インジウム（Ｉｎ），マグネシウム（Ｍｇ），銀（Ａｇ）が挙げられる。更に、Ｌｉ₂Ｏ，Ｃｓ₂Ｃｏ₃，Ｃｓ₂ＳＯ₄，ＭｇＦ，ＬｉＦやＣａＦ₂等のアルカリ金属酸化物，アルカリ金属フッ化物，アルカリ土類金属酸化物，アルカリ土類フッ化物が挙げられる。

第２層１６Ｂは、薄膜のＭｇＡｇ電極やＣａ電極などの光透過性を有し、且つ、導電性が良好な材料で構成されている。第３層１６Ｃは、電極の劣化を抑制するために透明なランタノイド系酸化物を用いることが好ましい。これにより、上面から光を取り出すことが可能な封止電極として用いることが可能となる。また、ボトムエミッション型の場合には、第３層１６Ｃの材料として金（Ａｕ），白金（Ｐｔ）またはＡｕＧｅ等が用いられる。

なお、第１層１６Ａ、第２層１６Ｂおよび第３層１６Ｃは、真空蒸着法、スパッタリング法、あるいはプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法などの手法によって形成される。また、この表示素子を用いて構成される表示装置の駆動方式がアクティブマトリックス方式である場合、カソード電極１６は、アノード電極１２の一部を覆う撥液層１４（隔壁）および有機層１５によって、アノード電極１２に対して絶縁された状態で基板１１上にベタ膜状で形成され、各画素に対して共通な電極として用いてもよい。

また、カソード電極１６には、アルミキノリン錯体，スチリルアミン誘導体，フタロシアニン誘導体等の有機発光材料を含有した混合層でもよい。この場合には、さらに第３層１６Ｃ（図示なし）としてＭｇＡｇのような光透過性を有する層を別途有していてもよい。また、カソード電極１６は上記のような積層構造に限定されることはなく、作製されるデバイスの構造に応じて最適な組み合わせ、積層構造を取ればよいことは言うまでもない。例えば、上記本実施の形態のカソード電極１６の構成は、電極各層の機能分離、即ち有機層１５への電子注入を促進させる無機層（第１層１６Ａ）と、電極を司る無機層（第２層１６Ｂ）と、電極を保護する無機層（第３層１６Ｃ）とを分離した積層構造である。しかしながら、有機層１５への電子注入を促進させる無機層が、電極を司る無機層を兼ねてもよく、これらの層を単層構造としてもよい。

更に、この有機ＥＬ素子１０が、キャビティ構造となっている場合には、カソード電極１６が半透過半反射材料を用いて構成されることが好ましい。これにより、アノード電極１２側の光反射面と、カソード電極１６側の光反射面との間で多重干渉させた発光光がカソード電極１６側から取り出される。この場合、アノード電極１２側の光反射面とカソード電極１６側の光反射面との間の光学的距離は、取り出したい光の波長によって規定され、この光学的距離を満たすように各層の膜厚が設定されていることとする。このような上面発光型の表示素子においては、このキャビティ構造を積極的に用いることにより、外部への光取り出し効率の改善や発光スペクトルの制御を行うことが可能となる。

保護層１７は、有機層１５への水分の浸入を防止するためのものであり、透過性および透水性の低い材料を用いて、例えば厚さ２〜３μｍで形成される。保護層１７の材料としては、絶縁性材料または導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）,アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）,アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ_1-xＮ_x），アモルファスカーボン（α−Ｃ）などが好ましい。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。

封止用基板１８は、有機ＥＬ素子１０のカソード電極１６の側に位置しており、接着層（図示せず）と共に有機ＥＬ素子１０を封止するものである。封止用基板１８は、有機ＥＬ素子１０で発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止用基板１８には、例えば、カラーフィルタおよびブラックマトリクスとしての遮光膜（いずれも図示せず）が設けられており、有機ＥＬ素子１０で発生した光を取り出すと共に、各有機ＥＬ素子１０間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。

封止用基板１８上には、例えばカラーフィルタおよび遮光膜（いずれも図示せず）が設けられていてもよい。カラーフィルタは、赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタ（いずれも図示せず）を有しており、順に配置されている。赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、それぞれ例えば矩形形状で隙間なく形成されている。これら赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。

遮光膜は、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。このうち黒色の樹脂膜により構成するようにすれば、安価で容易に形成することができるので好ましい。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、Ｃｒと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ₂Ｏ₃）とを交互に積層したものが挙げられる。

なお、有機層１５は、真空蒸着法やスピンコート法の他にディッピング法，ドクターブレード法，吐出コート法，スプレーコート法などの塗布法、インクジェット法，オフセット印刷法，凸版印刷法，凹版印刷法，スクリーン印刷法，マイクログラビアコート法などの印刷法などによる形成も可能であり、各有機層や各部材の性質に応じて、ドライプロセスとウエットプロセスを併用しても構わない。

この表示装置１Ａでは、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。即ち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、有機ＥＬ素子１０に駆動電流Ｉｄが注入され、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、下面発光（ボトムエミッション）の場合にはアノード電極１２および基板１１を透過して、上面発光（トップエミッション）の場合にはカソード電極１６，カラーフィルタ（図示せず）および封止用基板１８を透過して取り出される。

以上のように、本実施の形態の表示装置１Ａでは、表示領域２に、複数の画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂを色ごとに分割すると共に、マトリクス状に配置された複数の画素の周囲に設けられた第１撥液領域２Ｂと、第１撥液領域２Ｂを除く領域に第１親液量域２Ａとを設けることにより、所望の画素パターンを得ることができる。また、第１撥液領域２Ｂの外部、即ち、周辺領域３に第２親液領域３Ａを設けることにより、第１親液領域２Ａ上にインクを塗布する際の十分なビードが形成され、第１親液領域２Ａへの安定したインクの塗布が可能となる。

このように本実施の形態の表示装置１Ａ（および電子機器）では、表示領域２に、各色の画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂを色ごとに分割するように第１撥液領域２Ｂを設け、この第１撥液領域２Ｂを除く領域に第１親液領域２Ａを設けるようにした。これにより、有機層１５が所望の画素パターンに形成される。また、周辺領域３に第２親液領域３Ａを設けるようにしたので、第１親液領域２Ａにインクを塗布して有機層１５を形成する際の準備段階としてのビードの形成において、十分な液溜まり（ビード）を形成することが可能となる。これにより、第１親液領域２Ａへの安定したインクの塗布が可能となる。即ち、インクの濃度（粘度）に関係なく、簡易な方法で有機層１５の正確なパターニングが可能になり、素子特性が向上する。これにより、簡易な方法で、特性の安定したフルカラーの表示装置１Ａを提供することが可能となる。

２．第２の実施の形態
図７は、第２の実施の形態における表示装置１Ｂの表示領域２および周辺領域３の平面構成を表したものである。本実施の形態の表示装置１Ｂでは、表示領域２には、上記第１の実施の形態の表示装置１Ａと同様の形状の第１親液領域２Ａ₁および第１撥液領域２Ｂ₁が形成されている。これに対して、周辺領域３には、ビード形成領域４と同一形状あるいはビード形成領域４を含むように形成された第２親液領域３Ａ₁と、第２親液領域３Ａ１を囲むように周辺領域３の外周部に設けられた第２撥液領域３Ｂ₁が形成されている点が、第１の実施の形態と異なる。

本実施の形態の表示装置１Ｂでは、周辺領域３に設けられた第２親液領域３Ａ₁よりも外側に第２撥液領域３Ｂ₁を設けることにより、ビードの形成工程において、インクの過剰な濡れ広がりを防ぎ、材料の利用効率を向上することができる。また、周辺領域３のうち特に外周部に形成されている配線（図示せず）と有機層１５との接触が防止されるため、短絡の発生が抑制される。

なお、周辺領域３に設けた第２撥液領域３Ｂ₁は、ここでは周辺領域３の外周部全体に設けたが、これに限らず、少なくともビード形成領域４よりも外側に、ビード形成領域の長手方向の幅よりも同じかそれ以上の領域を形成すればよい。また、より好ましくは、第２親液領域３Ａ₁をビード形成領域４と同一形状とし、それ以外の周辺領域３を第２撥液領域３Ｂ₁とする。これにより、ビードの形成をより確実にすることができ、信頼性が向上する。また、ビード形成領域４以外の周辺領域３を撥液層によって覆うため、異物等による配線間の短絡を防止することができ、信頼性を向上することができる。

ここで、上記第１の実施の形態の表示装置１Ａ，本実施の形態の表示装置１Ｂおよび比較例として図８に示したように、周辺領域１０３全体に撥液領域１０３Ｂを形成した表示装置１０１Ａにおけるビードの形成、ビード幅およびＲＧＢの塗りわけについて実験結果を説明する。

表１は、表示装置１Ａ，表示装置１Ｂおよび表示装置１０１におけるビードの形成の可否、ビード幅およびＲＧＢの塗りわけの可否について表したものである。

表１からわかるように、周辺領域３の第２親液領域３Ａ₁の外周部に第２撥液領域３Ｂ₁を設けることによって、第２撥液領域３Ｂ ₁ を形成していない表示装置１Ａと比較して、ビードの濡れ広がりが抑えられることがわかった。これに対し、周辺領域１０３の全面に撥液領域１０３Ｂが形成された表示装置１０１では、ビードが形成されない、あるいは、ビードが形成されたとしても他の表示装置におけるビードよりも濡れ広がるということがわかった。また、第１撥液領域にＣＦ４プラズマ等による撥液処理を行い、撥液性を付加することにより、ＲＧＢの塗りわけが可能であることがわかった。

以上のことから本実施の形態の表示装置１Ｂ（および電子機器）では、周辺領域３に、第２親液領域３Ａ₁の外周部に第２撥液領域３Ｂ₁を設けるようにしたので、ビードの濡れ広がりを抑えられ、材料の利用効率を向上する。また、配線と有機層１５との接触が防止されるため、短絡の発生が抑制される。即ち、上記第１の実施の形態の効果に加えて、コストを低減すると共に、信頼性が向上するという効果を奏する。

以下、第３〜第８の実施の形態について説明する。なお、第１の実施の形態と同一の構成要素については、第２の実施の形態と同様に同一符号を付してその説明は省略する。

３．第３の実施の形態
図９（Ａ）は、第３の実施の形態における表示装置１Ｃの表示領域２および周辺領域３の平面構成を表したものである。本実施の形態の表示装置１Ｃでは、表示領域２に形成された第１親液領域２Ａ₂と、周辺領域３に設けられた第２親液領域３Ａ₂とが連続している点が上記第１，第２の実施の形態と異なる。

画素ライン、即ち、第１親液領域２Ａ₂へのインクの塗布の前に、周辺領域３のビード形成領域４においてビードを形成することで、ヘッドと基板１１がインクを介して十分に接続されるため、第１親液領域２Ａ₂への安定したインクの塗布が可能となる。しかしながら、上記第１，第２の実施の形態のように、ビード形成領域４と画素ライン、即ち、第２親液領域３Ａ₂と第１親液領域２Ａ₂とが第１撥液領域２Ｂ₂によって分断されている場合には、ビード形成領域４から画素ライン上への連続した塗布の際に、第１撥液領域２Ｂ₂を跨ぐことによって、塗布量の変化あるいはインク切れが発生する虞がある。

これに対して本実施の形態の表示装置１Ｃでは、表示領域２に形成された第１撥液領域２Ｂ₂の一端、具体的には、第１撥液領域２Ｂ₂の長手方向と直交すると共に、ビード形成領域４側の端面に拡幅部６を設け、第１親液領域２Ａ₂および周辺領域３に設けられた第２親液領域３Ａ₂を連続するようにした。これにより、第２親液領域３Ａ₂内のビード形成領域４から第１親液領域２Ａ₂にインクを塗布する際に第１撥液領域２Ｂ₂を跨ぐことによるインク切れの発生、あるいは、塗布量の変化を防ぐことができる。これにより、第１親液領域２Ａ₂へインクを安定に塗布することが可能となる。即ち、上記第１，２の実施の形態の効果に加えて、製造歩留まりが向上するという効果を奏する。

なお、本実施の形態における表示装置１Ｃでは、図９（Ｂ）に示したように、第２の実施の形態と同様に、周辺領域３における第２親液領域３Ａ₂（特にビード形成領域４）の外側に第２撥液領域３Ｂ ₂ を設けてもよい。これによりビードの形成を確実に行うことができ、表示装置の信頼性が向上する。これは、以下に説明する第４〜第７の実施の形態についても同様である。

４．第４の実施の形態
図１０は、第４の実施の形態に係る表示装置１Ｄの表示領域２および周辺領域３の平面構成を表したものである。この表示装置１Ｄでは、上記第３の実施の形態と同様に、第１親液領域２Ｂ ₃ と、第２親液領域３Ａ₃とが連続している。本実施の形態では、第１親液領域２Ａ₃および第２親液領域３Ａ₃が連続する拡幅部６が第１撥液領域２Ｂ₃の一端に形成され、更に隣り合う第１撥液領域の拡幅部６の間隔を狭めるために、第１撥液領域２Ｂ₃の一端に翼片７を設けられている。これにより、拡幅部６の間隔が狭められた狭隘領域６Ａが形成されている点が、第３の実施の形態と異なる。

上記第３の実施の形態では、第１親液領域２Ａ₂および第２親液領域３Ａ₂を連続させることで、塗布時におけるインク切れ等の発生が低減される一方、インクの粘度および表面張力によっては第１親液領域２Ａ₂内から第２親液領域３Ａ₂へインクが流出する虞がある。これにより、有機層１５の膜厚を調整することが難しく、画素ライン内における膜厚の分布が生じるという問題が生じる。

これに対して本実施の形態の表示装置１Ｄでは、第１親液領域２Ａ₃と、第２親液領域２Ｂ ₃ とが連続するように拡幅部６が設けられた第１撥液領域２Ａ₃の一端に翼片７を設け、狭隘領域６Ａを形成するようにした。これにより、第１親液領域２Ａ₃の一端に設けられた拡幅部６が狭められ、第１親液領域２Ａ₃に塗布されたインクの流出が抑制される。即ち、上記第３の実施の形態の効果に加えて、塗布によって形成される有機層１５の面内における膜厚の均一性が保たれると共に、素子特性のばらつきが低減されるという効果を奏する。

５．第５の実施の形態
図１１は、第５の実施の形態に係る表示装置１Ｅの表示領域２および周辺領域３の平面構成を表したものである。この表示装置１Ｅでは、表示領域２に形成された第１撥液領域２Ａ₄の幅が、長手方向に沿って変化している。具体的には、ここでは、塗布の始点側から終点側へ向けて、第１撥液領域２Ｂ₄の幅が徐々に狭くなるように形成されている。

本実施の形態のように、ヘッドからインクを吐出して塗布形成する場合には、ヘッドの形状および表面性と、インクの粘度および表面張力との兼ね合いによって、塗布工程中にインクがヘッド側に塗れ上がる可能性がある。この塗れ上がりが発生すると、塗布形状がスキャンと共に大きくなり、スキャンが進行するにつれて塗布量に分布が生じる可能性がある。塗布量に分布が生じると、膜厚の制御ができなくなり、画素ライン上における膜厚の分布が生じる。これにより、素子特性のばらつきが発生する。

これに対して本実施の形態の表示装置１Ｅでは、第１親液領域２Ａ₄の幅を、長手方向に沿って徐々に広くするようにした。これにより、インクの塗布量の変化による膜厚の分布が抑えられる。素子特性のばらつきの発生が抑制される。

なお、本実施の形態では、第１親液領域２Ａ₄の幅を、長手方向に沿って徐々に広くするようにしたが、これに限らず、ヘッドから吐出されるインクの塗布量の変化に応じて適宜第１撥液領域２Ａ₄の幅を変更すればよい。例えば、塗布開始直後から徐々に塗布量が減少する場合には、本実施の形態における第１親液領域２Ａ₄の幅の変化とは逆に、第１親液領域２Ａ₄を長手方向い沿って徐々に狭くすることにより、膜厚の分布の発生が抑制される。

６．第６の実施の形態
図１２は、第６の実施の形態に係る表示装置１Ｆの表示領域２および周辺領域３の平面構成を表したものである。この表示装置１Ｆでは、第１撥液領域２Ｂ₅を画素の開口に沿った形状、具体的には、画素開口の短手方向を隣り合う第１撥液領域２Ｂ₅で断続的に囲うように、画素５との隣接部分が凹状に、非隣接部分が凸状にパターニングされている点が、上記第１〜第５の実施の形態と異なる。

図５に示したように撥液層１４によって区画された領域にインクを塗布し、溶媒を除去して所望の層（ここでは有機層１５）を成膜すると、撥液層１４の側壁へインクの液面が濡れ上がり、Ｕ字あるいはＷ字状の膜厚分布が生じる虞がある。このＵ字あるいはＷ字状の膜厚分布の中の厚膜部分は発光せず、発光面積が減少する。

これに対して本実施の形態の表示装置１Ｆでは、第１撥液領域２Ｂ５の幅を、第１親液領域２Ａ５で区画された画素開口部に対応するように、画素５との隣接部分に凹部８Ａを、非隣接部分に凸部８Ｂを設けるようにした。よって、画素開口部の長辺方向および短辺方向における膜厚が均一に形成され発光面積の減少を低減することが可能となる。なお、画素５の短辺方向に張り出した凸部８Ｂの形状は、図１２に示したような矩形状に限らず、直角部分に丸みを持たせることでインクの入り込みを向上することができる。

７．第７の実施の形態
図１３は、第７の実施の形態に係る表示装置１Ｇの表示領域２および周辺領域３の平面構成の一部を表したものである。この表示装置１Ｇでは、表示画素を構成する各色の画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂごとに第１親液領域２Ａ₆および第１撥液領域２Ｂ₆の幅を調整した点が他の実施の形態と異なる。

表示装置を構成する有機ＥＬ素子の組み合わせとしては、ＲＧＢの３色の他に、ＲＧＢＹ（黄色），ＲＧＢＷ（白色），あるいは単色（例えばＷ）あるいはＹＹＢ等の組み合わせが存在する。各色の有機ＥＬ素子を構成する正孔注入層１５Ａ，正孔輸送層 １５Ｂ等は各色の最適な光学干渉条件とするべく、各素子ごとに異なる膜厚に形成する必要がある。上記第１〜第６の実施の形態のように、各色の画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂラインの区別なく同一幅の第１親液領域および第１撥液領域で各素子ごとに膜厚を調整するためには、インクの濃度を各画素ラインごとに変更する方法がある。この方法では、各画素ラインごとにインクの濃度を調整する設備が新たに必要になると共に、工程中においてインク濃度の変更作業などを要するため、製造効率が大きく低下すると共に、コストも増大するという問題があった。

本実施の形態の表示装置１Ｇでは、各色の画素ラインごとに第１親液領域２Ａ₆および第１撥液領域２Ｂ₆の幅を適宜調整するようにしたので、同一濃度のインクおよび条件で塗布を行っても各色に対応した膜厚の層を形成することができる。即ち、製造効率が向上すると共に、コストが低減される。また、各色に対する共通層（例えば正孔注入層１５Ａおよび正孔輸送層１５Ｂ）では、ライン上の塗布工程ではなく、スリットコート等の面上塗布構成を用いて一括形成しても所望の膜厚とすることができるため、より製造効率の向上と、コストの低減とを図ることができる。

８．第８の実施の形態
図１４は、第８の実施の形態に係る表示装置１Ｈの断面構成を表したものである。この表示装置１Ｈでは、ライン状に配置された画素５（赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇ，青色画素５Ｂ）を区分する第１撥液領域２Ｂ ₇ およびインクの塗れ性を向上させるための第１親液領域２Ａ ₇ を同一材料で形成した点が上記実施の形態と異なる。

本実施の形態における第１親液領域２Ａ₇および第１撥液領域２Ｂ₇を構成する材料としては、フッ素含有材料が挙げられる。具体的には、例えば、日産化学工業社製NPAR515が挙げられる。上記材料を用いた第１親液領域２Ａ₇および第１撥液領域２Ｂ₇の形成方法としては、平坦化層２７上にアノード電極１２を形成したのち、平坦化層２７およびアノード電極１２の全面に例えばスリットコート法を用いてフッ素含有材料によるベタ膜を形成する。次いで、図１５（Ａ）に示したようなマトリクス状に配置された各画素５に対応する透過部Ｐおよび不透過部Ｉのパターンを有するフォトマスクＡを用いて完全露光を行うことによって画素５を個々に区画する隔壁３４を形成する。フッ素含有材料によって形成された塗布膜は、撥液性を示すフッ素基が膜表面に並ぶため、塗布膜の表面が撥液性を示し、内部は親水性を示す。即ち、上述した方法によって形成された壁３４は、その上面に第１撥液領域２Ｂ₇が形成され、露光エッチングによって内部が露出した側面に第１親液領域２Ａ₇が形成される。このように、本実施の形態では同一工程にて第１親液領域２Ａ₇および第１撥液領域２Ｂ₇が形成される。なお、第１親液領域２Ａ₇および第１撥液領域２Ｂ₇を構成する材料としては、表面が撥液性を有し内部が親液性を有するような膜を形成することが可能な材料であれば、上述したフッ素含有材料以外の材料を用いても構わない。また、上述した隔壁３４の形成工程ではベタ膜を形成したのち一度の露光によって隔壁３４を形成したが、更に露光工程を追加して隔壁３４の形状を加工してもよい。詳細は以下に説明する。

図１６（Ａ）は表示装置１Ｉの表示領域の一部を斜視したものであり、図１６（Ｂ）は画素５の長辺方向の隔壁３４の断面、図１６（Ｃ）は画素５の短辺方向の隔壁３４の断面をそれぞれ表したものである。この表示装置１Ｉは、上述した完全露光ののち、再度露光することによって短辺方向に隣接する画素間の隔壁３４を加工したものである。具体的には、図１５（Ａ）に示した各画素５に対応するパターンを有するフォトマスクＡを用いて完全露光したのち、短辺方向に隣接する画素間に対応する位置に、例えば図１５（Ｂ）に示したようなパターンを有するフォトマスクＢを用いてハーフ露光を行う。なお、透過部Ｐ₁，Ｐ₂は数％の透過率を有し、透過部Ｐ₁は透過部Ｐ₂よりも透過率が低い。このようなフォトマスクＢを用いた露光を追加することで、上面に形成された第１撥液領域２Ｂが除去され、且つ、画素５の長辺方向に形成された隔壁３４のテーパ角（θ１，図１６（Ｂ））よりも小さいテーパ角（θ２，図１６（Ｃ））の隔壁３４が形成される。

上記表示装置１Ｈのように、画素５の短辺方向に隣接する隔壁３４の上面に撥液領域が形成されている場合にはライン状に塗布したインクの一部が撥液領域２Ｂ₇上に溜まり、その後ランダムに前後の画素内に流れ込む。このため、各画素５によって塗布量、即ち有機層１５の膜厚にばらつきが生じる虞がある。これに対して、図１６（Ａ）に示した表示装置１Ｉでは、ハーフ露光によって短辺方向に隣接する画素間の第１撥液領域２Ｂ₇が除去され親液性を有するベタ膜内部が露出する。よって、各画素５における膜厚のばらつきを低減することができる。また、図１５（Ａ）のように透過率の異なる透過部Ｐ₁，Ｐ₂を有するフォトマスクＢを用いたハーフ露光を行うことによって先の完全露光によって形成された隔壁３４のテーパ面に段差が形成される。この段差を形成することにより露光後のベーク処理によって隔壁３４のテーパ角が小さく（θ２）なり、のちに形成する画素間における共通電極であるカソード電極１６の段切れが防止される。

本実施の形態の表示装置１Ｈおよび表示装置１Ｉでは、第１親液領域２Ａ₇および第１撥液領域２Ｂ₇を隔壁３４として同一材料により形成するようにしたので、同一工程において両領域を形成することが可能となる。よって、上記第１〜第７の実施の形態のように異なる材料を用いて第１親液領域２Ａおよび第１撥液領域２Ｂを形成した場合よりも製造工程が短縮され、製造歩留まりが向上する。

９．変形例
図１７は、本開示の変形例に係る表示装置１Ｊの表示領域２および周辺領域３の平面構成を表したものであり、図１８は表示装置１Ｊの断面構成を表したものである。この表示装置１Ｊは、ライン状に配置された各画素５（５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ）を第１撥液領域２Ｂ₈として設けられた隔壁４４内に溝４４Ａを形成し、この溝４４Ａをカソード電極１６と、カソード電極１６の接触抵抗を低減する補助配線（第３電極）１９とが電気的に接続する接続部Ｘとしたものである。

従来の構成を有する表示装置ではカソード電極は列方向に配設された補助配線と短辺方向に隣接する画素間で接続されている。しかしながら、上記表示装置１（１Ａ〜１Ｉ）では、ライン状に配置された各色画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂを含む各第１親液領域２Ａの全面、即ち、補助配線１９上に有機層１５となるインクが塗布される。このため、補助配線１９とカソード電極１６との間には有機層１５が介在することとなり、良好な接触は得られないという問題があった。

これに対して本変形例では、図１７に示したように下層に補助配線１９が形成されている第１撥液領域２Ｂ₈である隔壁４４に、隔壁４４を貫通し補助配線１９に達する溝４４Ａを設けるようにした。これにより、溝４４Ａ内においてカソード電極１６と補助配線１９とが直接接する接続部Ｘが形成され、良好な接続を確保することが可能となる。この溝４４Ａは、例えば隔壁４４を形成したのちエッチングすることによって形成される。この際に形成される隔壁４４のテーパ角（θ）は３０°以上４０°以下とすることが好ましい。なお、カソード電極１６と補助配線１９との接続部Ｘは溝形状に限らない。また、第１撥液領域２Ｂ₈の形状は第１の実施の形態のような直線状に限らず、第２〜第７の実施の形態のような形状にも適用できる。以下にその一例を示す。

図１９は、第６の実施の形態で説明した画素５との隣接部分が凹状に、非隣接部分が凸状にパターニングされた第１撥液領域２Ｂ₈の凸部８Ｂに、カソード電極１６と補助配線１９との接続部Ｘを形成した表示装置１Ｊの平面構成を表したものである。なお、ここでは補助配線は省略している。上述した隔壁４４に溝状の接続部Ｘを設けた場合には、有機層１５となるインクが溝４４Ａ内に入ることを防ぐため第１撥液領域２Ｂ₈、即ち隔壁４４の幅を十分に確保する必要がある。しかしながら、隔壁４４の幅を太くすると画素５の開口領域を狭めることになり、開口率が低下すると共にレイアウトが制限される虞がある。

これに対して、図１９に示した表示装置１Ｋでは、第１撥液領域２Ｂ₉の凸部８Ｂにカソード電極１６と補助配線１９との接続部Ｘとして隔壁５４を貫通する開口５４Ａが設けられている。開口５４Ａの大きさは特に問わない。例えば、図２０に示したように、２７０μｍピッチ、画素５の短辺長を５４μｍ、長辺長を１８７μｍ、ライン状の画素５間の間隔（Ｗ₁）を８２μｍとし、第１親液領域２Ａ₉の幅（Ｗ_A）を７４μｍ、第１撥液領域２Ｂ₉の幅（Ｗ_B）を１６μｍとした場合には、開口５４Ａの一辺（Ｌｘ，Ｌｙ）は８μｍ以上６２μｍ以下に形成することが好ましい。開口５４Ａが形成されている凸部の間隔（Ｍ）は８μｍ以上６２μｍとすることが好ましい。なお、開口５４Ａによって形成される隔壁５４のテーパ角（θ３，図２０（Ｂ））は、上述した溝４４Ａにおける隔壁３４のテーパ角と同様に３０°以上４０°以下とすることが好ましい。また、開口５４Ａの形状はカソード電極１６と補助配線１９との接触が図れればよく、矩形状に限らず、菱形あるいは楕円を含む円形状としてもよい。このように、カソード電極１６と補助配線１９との接続部Ｘを画素５の非隣接部に形成することにより、画素５の開口率を保ちつつカソード電極１６と補助配線１９との良好な接続を確保することが可能となる。

図２１は、ライン状に配置された画素５をそれぞれ区分する第１撥液領域２Ｂ₁₀のうち、両端の第１撥液領域２Ｂ₁₀に接続部Ｘを設けた表示装置１Ｌの平面構成を表したものである。上述した表示装置１Ｊおよび表示装置１Ｋにおける接続部Ｘでは、インクの塗れ性、第１撥液領域２Ｂである隔壁４４の撥液性、インクの塗布量または設計した塗布膜の膜厚等によっては、接続部Ｘにはみ出すことなく所望のインクを第１親液領域２Ａ内に塗布することが難しい場合がある。図２１に示した表示装置１Ｌはこの問題を解決するものであり、このように第１撥液領域２Ｂ₁₀である複数の隔壁６４のうち、その両端の隔壁６４に溝６４Ａを設け、この溝６４Ａをカソード電極１６と補助配線１９との接続部Ｘとする。これにより、インクの塗布量を制限することなくカソード電極１６と補助配線１９との良好な接続を確保することが可能となる。

以上のように、本変形例では図１７，１９，２１に示したように第１撥液領域２Ｂ₈〜₁₀内にカソード電極１６と補助配線１９との接続部Ｘを設けるようにしたので、有機層１５の成膜方法によらずカソード電極１６と補助配線１９との電気的接続を良好に保つことが可能となる。

１０．適用例
上記表示装置１Ａ〜１Ｌは、例えば次の適用例１〜５に示した電子機器に搭載することができる。

（モジュールおよび適用例）
以下、上記第１〜第８実施の形態および変形例で説明した表示装置１Ａ〜１Ｌの適用例について説明する。上記実施の形態等の表示装置１Ａ〜１Ｌは、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。

（モジュール）
上記実施の形態等の表示装置１Ａ〜１Ｌは、例えば、図２２に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、封止用基板３０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。

（適用例１）
図２３は、上記実施の形態等の表示装置１Ａ〜１Ｌが適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態に係る表示装置１Ａ〜１Ｇにより構成されている。

（適用例２）
図２４は、上記実施の形態等の表示装置１Ａ〜１Ｌが適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記実施の形態に係る表示装置１Ａ〜１Ｇにより構成されている。

（適用例３）
図２５は、上記実施の形態等の表示装置１Ａ〜１Ｌが適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記実施の形態に係る表示装置１Ａ〜１Ｇにより構成されている。

（適用例４）
図２６は、上記実施の形態等の表示装置１Ａ〜１Ｌが適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記実施の形態に係る表示装置１Ａ〜１Ｇにより構成されている。

（適用例５）
図２７は、上記実施の形態等の表示装置１Ａ〜１Ｌが適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態に係る表示装置１Ａ〜１Ｇにより構成されている。

以上、第１〜第８の実施の形態および変形例を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記第１〜第８の実施の形態および変形例における第１撥液領域２Ｂ（２Ｂ₁〜２Ｂ₁₀）をそれぞれ組み合わせて用いてもよい。例えば、第５の実施の形態における長手方向に沿って幅の変化する第１撥液領域２Ａ ₄ に加えて、第４の実施の形態における第１撥液領域２Ａ ₃ のような拡幅部の一端に狭隘部を形成してもよい。

また、上記第１〜第８の実施の形態および変形例では、隔壁を兼ねた第１撥液領域２Ｂをポリイミドまたはノボラック等の有機材料を用いて形成しているがこれに限らず、上記第８の実施の形態で用いたフッ素含有材料で形成してもよい。

また、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、上記第１の実施の形態では、ＴＦＴ２０におけるチャネルとして酸化物半導体を用いたが、これに限らず、シリコンまたは有機半導体等を用いてもよい。

なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）複数の画素と、前記複数の画素の間の少なくとも一部に設けられた複数の第１撥液領域と、隣り合う複数の第１撥液領域の間にそれぞれ設けられた複数の第１親液領域とを有する表示領域と、少なくとも一部に第２親液領域が形成された周辺領域とを備えた、表示装置。
（２）前記複数の画素は格子状に配置されている、前記（１）に記載の表示装置。
（３）前記第１撥液領域は、前記格子状に配置された複数の画素の間を一方向に連続して形成されている、前記（２）に記載の表示装置。
（４）前記第１撥液領域の幅は、長手方向に沿って変化している、前記（１）乃至（３）のいずれか１つに記載の表示装置。
（５）前記第１撥液領域の前記画素に対応した領域に凸部または凹部が形成されている、前記（１）乃至（４）のいずれか１つに記載の表示装置。
（６）前記複数の画素は少なくとも２色に分類され、前記複数の第１撥液領域の間隔は、各色ごとに異なる、前記（１）乃至（５）のいずれかに記載の表示装置。
（７）前記第１親液領域および前記第２親液領域は連続している、前記（１）乃至（６）のいずれか１つに記載の表示装置。
（８）前記隣り合う第１撥液領域の一端に拡幅部を有し、前記拡幅部に狭隘領域が形成されている、前記（１）乃至（７）のいずれか１つに記載の表示装置。
（９）前記第１親液領域には、少なくとも１以上の有機層が形成されている、前記（１）乃至（８）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１０）前記第１親液領域に形成された有機層の表面は親液状態である、前記（９）に記載の表示装置。
（１１）前記周辺領域の少なくとも一部に第２撥液領域が形成されている、前記（１）乃至（１０）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１２）前記第２撥液領域は、前記周辺領域に設けられた配線部と前記有機層との間に設けられている、前記（１２）に記載の表示装置。
（１３）前記第１親液領域および第２親液領域は、それぞれ無機材料よりなる層によって形成され、前記第１撥液領域および第２撥液領域は、プラズマ処理によって撥液化された有機材料よりなる層によって形成されている、前記（１２）に記載の表示装置。
（１４）前記無機材料は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂），炭化ケイ素（ＳｉＣ），窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄），インジウム錫酸化物（ＩＴＯ），インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ），アルミニウム（Ａｌ），チタン（Ｔｉ）またはモリブデン（Ｍｏ）である、前記（１３）に記載の表示装置。
（１５）前記有機材料は、ポリイミドまたはノボラックである、前記（１３）に記載の表示装置。
（１６）前記画素の周囲にフッ素含有材料からなる隔壁を有すると共に、前記第１撥液領域は前記隔壁の上面であり、前記第１親液領域は前記隔壁の側面である、前記（１）乃至（１２）のいずれか１に記載の表示装置。
（１７）前記隔壁はテーパ形状を有し、前記画素の長辺方向のテーパ角は前記画素の短辺方向のテーパ角よりも大きい、前記（１６）に記載の表示装置。
（１８）前記画素は発光層に所定の電圧を印加するための第１電極および第２電極と、前記第２電極の配線抵抗を低減する第３電極とを備え、前記第２電極と第３電極との接続部は前記第１撥液領域内に設けられている、前記（１）〜（１７）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１９）前記接続部は、少なくとも一部の前記第１撥液領域内において一方向に連続して設けられている、前記（１８）に記載の表示装置。
（２０）前記接続部は、前記第１撥液領域の複数の前記凸部の少なくとも一部に設けられている、前記（１８）に記載の表示装置。
（２１）表示装置を備え、前記表示装置は、複数の画素と、前記複数の画素の間の少なくとも一部に設けられた複数の第１撥液領域と、隣り合う複数の第１撥液領域の間にそれぞれ設けられた複数の第１親液領域とを有する表示領域と、少なくとも一部に第２親液領域が形成された周辺領域とを有する、電子機器。

１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ，１Ｈ，１Ｉ，１Ｊ，１Ｋ，１Ｌ…表示装置、２…表示領域、２Ａ…第１親液領域、２Ｂ…第１撥液領域、３…周辺領域、３Ａ…第２親液領域、３Ｂ…第２撥液領域、４…ビード形成領域、５…画素、６…拡幅部、６Ａ…狭隘領域、７…翼片、１０…有機ＥＬ素子、１２…アノード電極、１３…親液層、１４…撥液層、１５…有機層、１６…カソード電極、１７…保護層、１８…封止基板、１９…補助配線、２０…ＴＦＴ、２１…ゲート電極、２２…第１ゲート絶縁膜、２３…第２ゲート絶縁膜、２４…酸化物半導体層、２５…チャネル保護膜、２６…ゲート・ソース電極、２７…平坦化層、３４，４４，５４，６４…隔壁、４４Ａ，６４Ａ…溝、５４Ａ…開口。

Claims (20)

1. 格子状に配置された複数の画素と、前記複数の画素の間の少なくとも一部に設けられた複数の第１撥液領域と、隣り合う前記複数の第１撥液領域の間にそれぞれ設けられた複数の第１親液領域とを有する表示領域と、
   少なくとも前記表示領域の一端側に連続して設けられた第２親液領域と前記第２親液領域の外側の第２撥液領域とを有する周辺領域と
   を備えた、表示装置。
2. 前記第２親液領域は、少なくとも前記表示領域の両端側に対称に設けられている、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１撥液領域は、前記格子状に配置された複数の画素の間を一方向に連続して形成されている、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１撥液領域の幅は、長手方向に沿って変化している、請求項１に記載の表示装置。
5. 前記第１撥液領域の前記画素に対応した領域に凸部または凹部が形成されている、請求項１に記載の表示装置。
6. 前記複数の画素は少なくとも２色に分類され、前記複数の第１撥液領域の間隔は、各色ごとに異なる、請求項１に記載の表示装置。
7. 前記第１親液領域および前記第２親液領域は連続している、請求項１に記載の表示装置。
8. 前記隣り合う第１撥液領域の一端に拡幅部を有し、前記拡幅部に狭隘領域が形成されている、請求項１に記載の表示装置。
9. 前記第１親液領域には、少なくとも１層以上の有機層が形成されている、請求項１に記載の表示装置。
10. 前記第１親液領域に形成された有機層の表面は親液状態である、請求項９に記載の表示装置。
11. 前記第２撥液領域は、前記周辺領域に設けられた配線部と前記有機層との間に設けられている、請求項９に記載の表示装置。
12. 前記第１親液領域および第２親液領域には、それぞれ無機材料よりなる層が設けられ、前記第１撥液領域および第２撥液領域には、有機材料よりなる層が設けられている、請求項１に記載の表示装置。
13. 前記無機材料は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂），炭化ケイ素（ＳｉＣ），窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄），インジウム錫酸化物（ＩＴＯ），インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ），アルミニウム（Ａｌ），チタン（Ｔｉ）またはモリブデン（Ｍｏ）である、請求項１２に記載の表示装置。
14. 前記有機材料は、ポリイミドまたはノボラックである、請求項１２に記載の表示装置。
15. 前記画素の周囲にフッ素含有材料からなる隔壁を有すると共に、前記第１撥液領域は前記隔壁の上面であり、前記第１親液領域は前記隔壁の側面である、請求項１に記載の表示装置。
16. 前記隔壁はテーパ形状を有し、前記画素の長辺方向のテーパ角は前記画素の短辺方向のテーパ角よりも大きい、請求項１５に記載の表示装置。
17. 前記画素は発光層に所定の電圧を印加するための第１電極および第２電極と、前記第２電極の配線抵抗を低減する第３電極とを備え、前記第２電極と第３電極との接続部は前記第１撥液領域内に設けられている、請求項１に記載の表示装置。
18. 前記接続部は、少なくとも一部の前記第１撥液領域内において一方向に連続して設けられている、請求項１７に記載の表示装置。
19. 前記接続部は、前記第１撥液領域の複数の前記凸部の少なくとも一部に設けられている、請求項１７に記載の表示装置。
20. 表示装置を備え、
    前記表示装置は、
    格子状に配置された複数の画素と、前記複数の画素の間の少なくとも一部に設けられた複数の第１撥液領域と、隣り合う複数の第１撥液領域の間にそれぞれ設けられた複数の第１親液領域とを有する表示領域と、
    少なくとも前記表示領域の一端側に連続して設けられた第２親液領域と前記第２親液領域の外側の第２撥液領域とを有する周辺領域と
    を有する、電子機器。

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