JP6187612B2 - 光源装置及び該光源装置を備えたプロジェクタ - Google Patents
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Description
また、特許文献2に示すように、複数のレーザ光源の配置間隔と出射面側に設置されたコリメータレンズのレンズ間隔とをずらすことにより、蛍光体上での集光点が半導体レーザごとに異なるようにして、光密度を下げて蛍光体を励起する方法が提案されている。
また、特許文献3に示すように、レーザ光源と蛍光体ホイールとの間に回折光学素子を設けることにより、蛍光体表面へのビーム集光位置を複数とするようにして、光密度を下げて蛍光体を励起する方法が提案されている。
また、特許文献2に示された光源装置の場合、集光点位置がレーザ光源ごとに異なるので集光点位置を変えることができるが、コリメートレンズから出射した平行光は集光径が小さいため光密度が高く、蛍光体の発光効率が低下するといった課題がある。更に、特許文献1及び2に示された光源装置では、集光レンズの集光領域におけるビーム形状が、半導体レーザのファーフィールドパターンまたはニアフィールドパターンに依存するので、所望の大きさのビーム形状や所望のアスペクト比のビーム形状を得ることは困難である。
更に、集光点形状の短軸の方向が第1の方向に配置された第1の半導体レーザと、集光点形状の短軸の方向が第1の方向と異なる第2の方向に配置された第2の半導体レーザとがあり、第1の半導体レーザ及び第2の半導体レーザのうちの一方の出射光の光路に、拡散層が形成されているので、集光点形状(集光点におけるビーム形状、以下ビーム形状と略する)の大きさが異なり、集光レンズの集光領域で、所望の大きさ及び所望のアスペクト比の集光点形状(ビーム形状)を得ることができる。
また、回折光学素子のような高額な部品を用いる必要が無いので、本実施態様では、複数の半導体レーザを使用した光源装置において、蛍光体の発光効率低下を抑制でき、更に集光領域で、所望の大きさ及び所望のアスペクト比の集光点形状(ビーム形状)を得ることができる光源装置を低い製造コストで提供できる。
なお、拡散層が、光学部品の傾斜光学面に設けられる場合も、光学部品のコリメートレンズの光軸に垂直な光学面に設けられる場合もある。
前記コリメートレンズが、平行光を出射するための光軸方向の配置位置とは異なる位置に
配置されている。
前記支持部材が放熱部材である。
本発明の実施態様11に係る光源装置では、上記の実施態様1から10の何れかにおいて、前記蛍光体のうちの1つは、赤色光を含む光で発光する蛍光体である。
次に、本発明の実施形態に係る光源装置及びこの光源装置を備えたプロジェクタについて、以下に図面を用いながら詳細に説明する。
まず、図1a及び図1bを参照しながら、本発明の1つの実施形態に係る光源装置について説明する。なお、図1aは、本発明の1つの実施形態に係る光源装置を示すための模式的な平面図であって、光源装置1の平面図を示すとともに、集光レンズ20側から光源10A、10Bの半導体レーザ12A、12Bを見たときの図を図1aの左に半導体レーザ等の正面図として示し、更に、1つの半導体レーザから出射されるレーザ光のファーフィールドパターンとニアフィールドパターンを説明するために軸を定義した軸説明図を図1aの中央下に示したものである。図1bは、本発明の1つの実施形態に係る光源装置を示すための模式的な側面図であって、光源装置の側面図を示すと共に、集光レンズ20側から光源10A、10Bの半導体レーザ12A、12Bを見たときの図を図1bの左に半導体レーザ等の正面図として示し、更に、1つの半導体レーザから出射されるレーザ光のファーフィールドパターンとニアフィールドパターンを説明するために軸を定義した軸説明図を図1bの中央下に示したものである。また図1a及び図1bの半導体レーザ等の正面図において、矢印Aから見た光源装置1が、本実施形態の光源装置の平面図(図1a)と対応し、矢印Bから見た光源装置1が、本実施形態の光源装置の側面(図1b)と対応する。
本実施形態では、光源10A、10Bから青色光が出射され、出射された青色光は、拡散層72及び光学部品70を透過して集光レンズ20に入射し、集光レンズ20で集光されて、回転駆動部50によって回転する蛍光体ホイール30に入射する。蛍光体ホイール30は、光が透過する材料で構成され、入射側表面に誘電体膜31が、出射側表面に蛍光体32が同心円状に形成されている。更に詳細に述べれば、出射側表面に緑蛍光体領域、赤蛍光体領域及び青透過領域が同心円状に設けられている。緑蛍光体は青色光が入射すると緑色光を発し、赤蛍光体は青色光が入射すると赤色光を発する。よって、集光レンズ20から青色光が蛍光体ホイール30に入射すると、蛍光体ホイール30から時分割で、緑色光、赤色光及び青色光が出射され、受光レンズ40に入射する。そして、受光レンズ40によって光が所定の向きに進行方向が変えられて、光源装置1から出力される。具体的には、受光レンズ40によって、光が広がる方向に出射することもできるし、平行光を出射することもできるし、所定の位置に集光することもできる。
なお、本実施形態で用いる半導体レーザ12A、12Bの波長は、370〜500nm内の光を発することが望ましく、420〜500nm内の光を発することが更に望ましい。
2つの第1の光源10Aでは、それぞれ、1つの筐体11と、1つの筐体11に4つずつ設けられた青色光を出射する第1の半導体レーザ12Aと、各々の第1の半導体レーザ12Aに対応する4つのコリメートレンズ13を有する。同様に、第2の光源10Bでは、それぞれ、1つの筐体11と、1つの筐体11に4つずつ設けられた青色光を出射する第2の半導体レーザ12Bと、各々の第2の半導体レーザ12Bに対応する4つのコリメートレンズ13を有する。なお、第1の光源10Aと第2の光源10Bは、それぞれ少なくとも1つの第1の半導体レーザ12Aと第2の半導体レーザ12Bとを有していればよい。また、図1aおよび図1bに示すように筐体11について、各光源のそれぞれが1つの筐体を有しているが、4つの光源に対して1つの筐体を有する場合もあり得る。
つまり、光源10が、支持部材の同一平面上に固定されているので、よって、放熱部材60のより大きな平面を用いて光源10から発生する熱を放熱することができ、光源装置1の長寿命化に貢献できる。
更に、支持部材が放熱部材60なので、光源10A、10Bを効率的に冷却でき、かつ部品点数を抑制して、光源装置1の小型化を促進することができる。
本実施形態では、図1aの半導体レーザ等の正面図において、図面で左右方向を第1の方向と称し、図面で上下方向が第2の方向と称する。つまり、本実施形態では、第1の方向及び第2の方向が90度異なる。言い換えれば、第1の方向と第2の方向のなす角が90度になっている。図1では、第1の方向及び第2の方向を図面上下方向及び図面左右方向で示したが、その他の任意の方向を採用することができる。また、第1の方向及び第2の方向が、本実施形態では90度異なっているが、これに限られず、その他の任意の角度で異なるようにすることができる。
ただし、この配置に限られるもではなく、コリメートレンズ13が焦点位置に配置され
場合もあり得る。この場合には、集光領域におけるファーフィールドパターンの長軸の方向と、半導体レーザ12A、12Bのニアフィールドパターンの長軸の方向が一致し、集光領域におけるファーフィールドパターンの短軸の方向と、半導体レーザ12A、12Bのニアフィールドパターンの短軸の方向が一致する。
具体的には、図1aの半導体レーザ等の正面図において、左下の第1の半導体レーザ12Aに対応する光学部品70は、集光領域における集光点形状(ファーフィールドパターン)の短軸の方向(つまり半導体レーザ12Aのニアフィールドパターンの長軸の方向(図で左右方向/第1の方向))に傾斜が付けられた傾斜光学面74を有する。更に詳細に述べれば、図面左側が高く(つまり厚みが厚く)、図面右側が低い(つまり厚みが薄い)傾斜が付けられている。なお、集光点形状(ファーフィールドパターン)の短軸の方向に傾斜が付けられていることは、集光点形状(ファーフィールドパターン)の長軸を中心とした回転方向に付けられているということができる。
なお、もし、コリメートレンズ13が焦点位置に配置されている場合には、光学部品70の傾斜光学面74の傾斜は、集光領域における集光点形状(ニアフィールドパターン)の短軸の方向に付けられる。
右下の第2の半導体レーザ12Bに対応する光学部品70は、光領域における集光点形状(ファーフィールドパターン)の短軸の方向(つまり半導体レーザ12Bのニアフィールドパターンの長軸の方向(図で上下方向/第2の方向))に傾斜が付けられ、図面下側が高く、図面上側が低い傾斜が付けられている。
図1aの半導体レーザ等の正面図において左上の第2の半導体レーザ12Bに対応する光学部品70は、集光領域における集光点形状(ファーフィールドパターン)の短軸の方向(つまり半導体レーザ12Bのニアフィールドパターンの長軸の方向(図で上下方向/第2の方向))に傾斜が付けられ、右下の第2の半導体レーザ12Bとは反対に、図面上側が高く、図面下側が低い傾斜が付けられている。
図1bの左の半導体レーザ等の正面図において、右下の第1の半導体レーザ12Aに対応する光学部品70は、集光領域における集光点形状(ファーフィールドパターン)の短軸の方向(つまり半導体レーザ12Aのニアフィールドパターンの長軸の方向(図で上下方向/第1の方向))に傾斜が付けられ、図面下側が高く(つまり厚みが厚く)、図面上側が低い(つまり厚みが薄い)傾斜が付けられている。
図1bの左の半導体レーザ等の正面図において、左上の第1の半導体レーザ12Aに対応する光学部品70は、集光領域における集光点形状(ファーフィールドパターン)の短軸の方向(つまり半導体レーザ12Aのニアフィールドパターンの長軸の方向(図で上下方向/第1の方向))に傾斜が付けられ、右下の第1の半導体レーザ12Aとは反対に、図面上側が高く、図面下側が低い傾斜が付けられている。
右上の第2の半導体レーザ12Bに対応する光学部品70は、集光領域における集光点形状(ファーフィールドパターン)の短軸の方向(つまり半導体レーザ12Bのニアフィールドパターンの長軸の方向(図で左右方向/第2の方向))に傾斜が付けられ、正面図の左下の第2の半導体レーザ12Bとは反対に、図面右側が高く、図面左側が低い傾斜が付けられている。
なお、集光点形状(ファーフィールドパターン)の短軸の方向に傾斜が付けられていることは、集光点形状(ファーフィールドパターン)の長軸を中心とした回転方向に付けられているということができる。
また、拡散層72を透過する場合には、光が拡散光となるので、集光位置における形状が広がった形状になる。なお、これらの光学部品70及び拡散層72に関する説明は追って詳述する。
また、本実施形態では、緑・赤・青の3領域としているが、4つ以上の領域としてもよい。青色と黄色による白色光領域や、緑・赤・青の領域を増やしてそれぞれ2つずつとしてもよい。
なお、蛍光体ホイール30の出射側に更に1枚の基板を加え、そこにバンドパスフィルターを設けてもよい(図示せず)。これにより、より純粋な緑や赤色を得ることができる。
つまり、
(変調手段により形成された画像サイズ)×(投射角度)=(蛍光領域FL)×(受光レンズNA)
となる。よって、蛍光体の発光が略ランバーシアンであることから、受光レンズ40はできる限り高いNAであることが望ましい。また、蛍光領域FLは小さいことが望ましい。投射側のエタンデューよりも蛍光体側のエタンデューが大きい場合、その差分は効率低下となる。
このとき、光学部品70は、その出射側の面が、第1の半導体レーザ12Aの集光点形状(ファーフィールドパターン)の短軸の方向(半導体レーザのニアフィールドパターンの長軸の方向)である第1の方向において傾斜した傾斜光学面74を有している。よって、光学部品から集光レンズ20の光軸21から所定の角度だけ傾斜して、光学部品70から出射され、その角度を保ったまま、集光レンズ20に入射する(図1bの側面図参照)。つまり、集光レンズ20の光軸21と平行ではない所定の角度(例えば、0.25〜2度)がついて、集光レンズ20に入射する。また、図1aの左の半導体レーザ等の正面図に示すように、第1の光源10Aに対応する2つの光学部品70では、傾斜光学面74の傾斜が180度反対向きに付けられている。
よって、2つの第1の光源10Aに対応する2つの光学部品70から出射された光は、集光レンズ20により蛍光体ホイール30上(つまり蛍光体32上)のそれぞれ異なる位置に集光されることになる。
このとき、光学部品70は、その出射側の面が、第2の半導体レーザ12Bの集光点形状の短軸の方向(半導体レーザのニアフィールドパターンの長軸の方向)である第2の方向において傾斜した傾斜光学面74を有している。よって、光学部品から集光レンズ20の光軸21から所定の角度だけ傾斜して、光学部品70から出射され、その角度を保ったまま、集光レンズ20に入射する(図1aの平面図参照)。つまり、集光レンズ20の光軸21と平行ではない所定の角度(例えば、0.25〜2度)がついて、集光レンズ20に入射する。また、図1aの左の半導体レーザ等の正面図に示すように、2つの光学部品70では、傾斜光学面74の傾斜が180度反対向きに付けられている。
よって、2つの第2の光源10Bに対応する2つの光学部品70から出射された光は、集光レンズ20により蛍光体ホイール30上(つまり蛍光体32上)のそれぞれ異なる位置に集光されることになる。
図2(a)には、傾斜光学面74を有さない、入射側の光学面と出射側の光学面が平行な平板状の光学部品70における集光点形状及び断面光強度を示す。図2(b)では、第2の半導体レーザ12Bに対応する2つの光学部品70が配置された場合の集光点形状及び断面光強度を示す。また、図2(c)には、図1a及び図1bに示す実施形態に対応した場合であって、第1の半導体レーザ12Aに対応する2つの光学部品70と、第2の半導体レーザ12Bに対応する2つの光学部品70とが配置された場合の集光点形状及び断面光強度を示す。
図2(b)及び(c)の何れにおいても、第2の半導体レーザ12Bに対応する2つの光学部品70により、図面の左右方向に2つ並んだ上下に長い楕円状の集光点形状が形成される。これにより、図2(b)及び(c)の下側の断面光強度グラフに示すように、第2の光源10Bからの出射光は、1点に集中(図2(a)の断面光強度グラフ参照)することなく、2つのピークを有する光強度曲線に分散される。
なお、図1a及び図1bにおいては、光学部品70が、同じ角度で180度反対向きに傾斜した傾斜光学面74を有しているが、これに限られるものではなく、それぞれ異なる傾斜角度を有する傾斜光学面を有することもできる。
P=Po/(集光領域数= 図2(b)の場合は2、図2(c)の場合は4)
となる。つまり、元の光ピーク強度Poを集光領域の数で割った数値となるため、本例においては、図2(b)の場合は1/2、図2(c)の場合は1/4の光ピーク強度となる。
なお、傾斜光学面74を有する光学部品70により異なる位置に集光されるので、これ
により集光点形状(ビーム形状)の大きさを調整することもできる。所望の大きさ及び所望のアスペクト比を有する集光点形状(ビーム形状)の一例としては、縦1.5mm×横2mmの集光点形状(ビーム形状)を例示できるが、これに限られるものではない。なお、縦1.5mm×横2mmの形状であれば、約1.33(=2mm/1.5mm)のアスペクト比が得られるような拡散係数を有する拡散層を用いることにより実現できる。
本実施形態では、集光点形状において必要なアスペクト比に応じて、最適な拡散の強さ、つまり拡散の角度が得られるように、拡散体や気泡の大きさや含有量を設定することができる。更に、光源からの光の強度、蛍光体層の特性(例えば、光密度が高い光が入射したときの波長変換効率に対する影響度や視感度の強弱等)、拡散層72及び蛍光体32の間の距離等に応じて、最適な拡散の強さを定めることもできる。
更に、集光点形状の短軸の方向が第1の方向に配置された第1の半導体レーザ12Aと、集光点形状の短軸の方向が第1の方向と異なる第2の方向に配置された第2の半導体レーザ12Bとがあり、第1の半導体レーザ12A及び第2の半導体レーザ12Bのうちの一方の出射光の光路に、拡散層72が形成されているので、集光点形状(ビーム形状)の大きさが異なり、集光レンズの集光領域SPで、所望の大きさ及び所望のアスペクト比の集光点形状(ビーム形状)を得ることができる。なお、光学部品70の傾斜光学面74により異なる位置に集光されるので、これにより集光点形状(ビーム形状)の大きさを調整することもできる。
また、図8に示すように、第1の半導体レーザ12A及び第2の半導体レーザ12Bのそれぞれの出射光の光路の光源10A、10Bと集光レンズ20との間に、拡散層72を有して、拡散層72の拡散係数を第1の半導体レーザ12Aと第2の半導体レーザ12Bとの間で異ならせることもできる。これによっても、集光レンズの集光領域SPで、所望の大きさ及び所望のアスペクト比の集光点形状(ビーム形状)を得ることができる。
また、回折光学素子のような高額な部品を用いる必要が無いので、本実施形態では、複数の半導体レーザ12A、12Bを使用した光源装置において、蛍光体32の発光効率低下を抑制でき、更に集光領域SPで、所望の大きさ及び所望のアスペクト比の集光点形状(ビーム形状)を得ることができる光源装置1を低い製造コストで提供できる。
なお、拡散層72が、図1a及び図1bの場合のように、光学部品70のコリメートレンズ13の光軸に垂直な光学面に設けられる場合もあるし、光学部品70の傾斜光学面に設けられる場合もある。また、拡散層72を独立した部品として設けて、光源10からの出射光の光路上の集光レンズ20までの間の何れか位置に配置することもできる。
また、本実施形態によれば、傾斜光学面74が、コリメートレンズ13の光軸の垂直面から0.25〜2度の傾斜角度で形成されているので、適切な範囲内において異なる位置に集光することができる。
更に、赤の波長領域を有する蛍光体32Rが、温度が上昇による波長変換効率の低下が大きい傾向があるとしても、本実施形態によれば、蛍光体上の集光領域における光密度を抑えることができるため、波長変換効率が低下を抑制することができる。
なお、図3(a)においては、模式的に、コリメートレンズ13を焦点位置平行光を出射するための光軸方向の配置位置に配置した場合の集光点形状を小さく描いているが、用途によっては、本発明の実施形態において、コリメートレンズ13を焦点位置平行光を出射するための光軸方向の配置位置に配置することは可能である。
次に、図5のグラフを用いて、傾斜光学面74を有するまたは有さない場合、及び拡散層72を有するまたは有さない場合における蛍光体の出力効率について説明する。
図5のグラフは、蛍光体の光出力と光源の励起光出力との関係を示す。(A)に示す細かい点線は、傾斜光学面74も拡散層72も有さない場合を示し、(B)に示す点線は、傾斜光学面74は有するが、拡散層72は有さない場合を示し、(C)に示す実線は、傾斜光学面74及び拡散層72を有する場合を示す。
(A)の細かい点線で示す傾斜光学面74も拡散層72も有さない場合には、励起出力を上げていくと、蛍光体出力はピークを迎えて、逆に減少していく。(B)の点線で示す、傾斜光学面74は有するが、拡散層72は有さない場合には、励起出力を上げていくと、蛍光体出力も上昇するが徐々に飽和していく。
一方、(C)の実線で示す傾斜光学面74及び拡散層72を有する場合では、蛍光体出力の飽和を抑制し、光源10からの光の出力が高い場合においても、効果的に蛍光体を使用することができる。これは、集光領域における光密度を低く抑えることができるので、蛍光体の発光効率低下を抑制するからである。
よって、傾斜光学面74及び拡散層72を組み合わせることにより、複数の光源10から出射された光は蛍光体上でそれぞれ異なる位置に集光され、かつ1つ1つの光源10からの光の集光径は大きいため、十分に光密度を低く抑えることができ、蛍光体の発光効率低下を十分に抑制することできる。
また、上述の実施形態の説明において、第1の方向及び第2の方向が90度異なる、とは第1の方向と第2の方向とのなす角度が90度であることと同義である。
上述の実施形態では、傾斜光学面74を有する光学部品70及び拡散層72の両方の部材を有しているが、これに限られるものではなく、拡散層72を有さず、第1の半導体レーザ12A及び第2の半導体レーザ12Bのうちの一方の出射光の光路に、拡散層の機能を果たす光学部品70を有する場合も考えられる。このような光学部品のその他の実施形態の説明を、図6を用いて行う。図6は、本発明の実施形態の光学部品のその他の実施形態を示す模式図である。
次に、図7を用いて、上述の実施形態で示した光源装置1を、いわゆる1チップ方式のDBPプロジェクタにおける光源装置として用いる場合を説明する。なお、図7は、上述の実施形態で示した光源装置1を備えたプロジェクタ100の構成を示すための模式図であって、光源装置1やプロジェクタ100を上から見た模式的な平面図である。
図7において、光源装置1から出射された光は、光空間変調器であるDMD(Digital Micromirror Device)素子110で反射され、投射手段である投射レンズ120によって集光されて、スクリーンSCに投影される。DMD素子は、スクリーンに投影された画像の各画素に相当する微細なミラーをマトリックス状に配列したものであり、各ミラーの角度を変化させてスクリーンへ出射する光を、マイクロ秒単位でオン/オフすることができる。
また、各ミラーをオンにしている時間とオフにしている時間の比率によって、投射レンズへ入射する光の階調を変化させることにより、投影する画像の画像データに基づいた階調表示が可能になる。
10 光源
11 筐体
12 半導体レーザ
13 コリメートレンズ
20 集光レンズ
21 集光レンズの光軸
30 蛍光体ホイール
31 誘電体膜
32 蛍光体
40 受光レンズ
50 回転駆動部
50a 駆動軸
60 放熱部材(支持部材)
70 光学部品
72 拡散層
74 傾斜光学面
100 プロジェクタ
110 DMD素子
120 投射レンズ
SC スクリーン
SP 集光領域
FL 蛍光体発光領域
Claims (13)
- 半導体レーザとコリメートレンズとを有する複数の光源と、
前記光源からの光を集光する集光レンズと、
前記光源と前記集光レンズとの間に配置され、前記光源からの光を透過させる光学部品と、
蛍光体を有し、前記集光レンズで集光した光を透過させる蛍光体ホイールと、
を備え、
前記光学部品が、前記コリメートレンズの光軸に垂直な面から傾斜した前記光源ごとに異なる傾斜光学面を有しており、
前記半導体レーザの中に、集光点形状の短軸の方向が第1の方向に配置された第1の半導体レーザと、集光点形状の短軸の方向が前記第1の方向と異なる第2の方向に配置された第2の半導体レーザとがあり、
前記第1の半導体レーザ及び前記第2の半導体レーザのうちの一方の出射光の光路のうち、前記光源と前記集光レンズとの間に、拡散層が形成されていることを特徴とする光源装置。 - 半導体レーザとコリメートレンズとを有する複数の光源と、
前記光源からの光を集光する集光レンズと、
前記光源と前記集光レンズとの間に配置され、前記光源からの光を透過させる光学部品と、
蛍光体を有し、前記集光レンズで集光した光を透過させる蛍光体ホイールと、
を備え、
前記光学部品が、前記コリメートレンズの光軸に垂直な面から傾斜した前記光源ごとに異なる傾斜光学面を有しており、
前記半導体レーザの中に、集光点形状の短軸の方向が第1の方向に配置された第1の半導体レーザと、集光点形状の短軸の方向が前記第1の方向と異なる第2の方向に配置された第2の半導体レーザとがあり、
前記第1の半導体レーザ及び前記第2の半導体レーザのそれぞれの出射光の光路のうち、前記光源と前記集光レンズとの間に、拡散層を有し、前記拡散層の拡散係数が、前記第1の半導体レーザと前記第2の半導体レーザとの間で異なることを特徴とする光源装置。 - 前記拡散層が前記光学部品の光学面に形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の光源装置。
- 前記複数の光源は、
前記傾斜光学面の傾斜が180度反対向きに付けられた2つの第1の光源と、前記傾斜光学面の傾斜が180度反対向きに付けられた2つの第2の光源とを少なくとも有することを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の光源装置。 - 前記光学部品の前記傾斜光学面の傾斜が、前記半導体レーザの前記集光点形状の長軸を中心とした回転方向に付けられていることを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の光源装置。
- 前記第1の方向及び前記第2の方向が90度異なることを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載の光源装置。
- 前記光源が、支持部材の同一平面上に固定されていることを特徴とする請求項1から6の何れか1項に記載の光源装置。
- 前記傾斜光学面が、前記コリメートレンズの光軸の垂直面から0.25〜2度の傾斜角度で形成されていることを特徴とする請求項1から7の何れか1項に記載の光源装置。
- 前記コリメートレンズが、平行光を出射するための光軸方向の配置位置とは異なる位置に配置されていることを特徴とする請求項1から8の何れか1項に記載の光源装置。
- 前記支持部材が放熱部材であることを特徴とする請求項7に記載の光源装置。
- 前記光源からの出射光の波長帯域が、370〜500nmであることを特徴とする請求項1から10の何れか1項に記載の光源装置。
- 前記蛍光体のうちの1つは、赤色光を含む光で発光する蛍光体であることを特徴とする請求項1から11の何れか1項に記載の光源装置。
- 請求項1から12の何れか1項に記載の光源装置と、
画像データに基づいて、前記光源装置から出射された複数の波長帯域の光を順次変調して画像を形成する光変調手段と、
前記画像を拡大して投射する投射手段と、
を備えたことを特徴とするプロジェクタ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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