JP6284285B2 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体に関する。

半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、処理室内の基板に対して原料ガス、酸化ガス、窒化ガスを供給することで、基板上に酸窒化膜を形成する成膜処理が行われることがある。

しかしながら、上述の成膜処理を実施すると、処理室内にパーティクルが多量に発生する場合があることを、発明者等は鋭意研究により明らかにした。本発明の目的は、基板上に酸窒化膜を形成する際におけるパーティクルの発生を抑制することが可能な技術を提供することにある。

本発明の一態様によれば、
基板に対して第１のノズルを介して原料ガスを供給する工程と、
前記基板に対して第２のノズルを介して窒化ガスを供給する工程と、
前記基板に対して第３のノズルを介して酸化ガスを供給する工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に酸窒化膜を形成する工程を有し、
前記窒化ガスを供給する工程では、前記第１のノズルおよび前記第３のノズルのうち少なくともいずれかより不活性ガスを第１の流量にて供給し、前記酸化ガスを供給する工程では、前記第２のノズルより不活性ガスを前記第１の流量よりも大きい第２の流量にて供給する半導体装置の製造方法が提供される。

本発明によれば、基板上に酸窒化膜を形成する際におけるパーティクルの発生を抑制することが可能となる。

本発明の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面図で示す図である。 本発明の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の一部の概略構成図であり、処理炉の一部を図１のＡ−Ａ線断面図で示す図である。 本発明の実施形態で好適に用いられる基板処理装置のコントローラの概略構成図であり、コントローラの制御系をブロック図で示す図である。 本発明の一実施形態の成膜シーケンスの１サイクルにおけるガス供給のタイミングをノズル毎に示す図である。 本発明の他の実施形態の成膜シーケンスの１サイクルにおけるガス供給のタイミングをノズル毎に示す図である。 （ａ）はＴＯＰ領域に配置されたウエハにおけるパーティクル数の測定結果を示す図であり、（ｂ）はＣＥＮＴＥＲ領域に配置されたウエハにおけるパーティクル数の測定結果を示す図であり、（ｃ）はＢＯＴＴＯＭ領域に配置されたウエハにおけるパーティクル数の測定結果を示す図である。 （ａ）はウエハ表面におけるパーティクル数の測定結果を示す図であり、（ｂ）はＯ_２ガスを供給するステップで第２のノズルから供給するＮ_２ガスの流量を０．５ｓｌｍとした場合における成膜後のウエハ表面の様子を示す図であり、（ｃ）はＯ_２ガスを供給するステップで第２のノズルから供給するＮ_２ガスの流量を５ｓｌｍとした場合における成膜後のウエハ表面の様子を示す図であり、（ｄ）はウエハ表面におけるパーティクル数の測定結果とシミュレーション結果とを対比して示す図である。 本発明の他の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面図で示す図である。 本発明の他の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面図で示す図である。 本発明の他の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面図で示す図である。

＜本発明の一実施形態＞
以下、本発明の一実施形態について、図１〜図３を用いて説明する。

（１）基板処理装置の構成
図１に示すように、処理炉２０２は加熱手段（加熱機構）としてのヒータ２０７を有する。ヒータ２０７は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース（図示せず）に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ２０７は、後述するようにガスを熱で活性化（励起）させる活性化機構（励起部）としても機能する。

ヒータ２０７の内側には、ヒータ２０７と同心円状に反応容器（処理容器）を構成する反応管２０３が配設されている。反応管２０３は、例えば石英（ＳｉＯ_２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管２０３の筒中空部には、処理室２０１が形成されている。処理室２０１は、基板としてのウエハ２００を後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。

処理室２０１内には、ノズル（第１のノズル）２４９ａ、ノズル（第２のノズル）２４９ｂ、ノズル（第３のノズル）２４９ｃが、反応管２０３の下部側壁を貫通するように設けられている。ノズル２４９ａ〜２４９ｃは、例えば石英またはＳｉＣ等の耐熱性材料からなる。ノズル２４９ａ〜２４９ｃには、ガス供給管２３２ａ〜２３２ｃがそれぞれ接続されている。このように、反応管２０３には、３本のノズル２４９ａ〜２４９ｃと、３本のガス供給管２３２ａ〜２３２ｃとが設けられており、処理室２０１内へ複数種類のガスを供給することが可能となっている。

但し、本実施形態の処理炉２０２は上述の形態に限定されない。例えば、反応管２０３の下方に、反応管２０３を支持する金属製のマニホールドを設け、各ノズルを、マニホールドの側壁を貫通するように設けてもよい。この場合、マニホールドに、後述する排気管２３１をさらに設けてもよい。この場合であっても、排気管２３１を、マニホールドではなく、反応管２０３の下部に設けてもよい。このように、処理炉２０２の炉口部を金属製とし、この金属製の炉口部にノズル等を取り付けてもよい。

ガス供給管２３２ａ〜２３２ｃには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ａ〜２４１ｃおよび開閉弁であるバルブ２４３ａ〜２４３ｃがそれぞれ設けられている。ガス供給管２３２ａ〜２３２ｃのバルブ２４３ａ〜２４３ｃよりも下流側には、不活性ガスを供給するガス供給管２３２ｄ〜２３２ｆがそれぞれ接続されている。ガス供給管２３２ｄ〜２３２ｆには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるＭＦＣ２４１ｄ〜２４１ｆおよび開閉弁であるバルブ２４３ｄ〜２４３ｆがそれぞれ設けられている。

ガス供給管２３２ａ〜２３２ｃの先端部には、ノズル２４９ａ〜２４９ｃがそれぞれ接続されている。ノズル２４９ａ〜２４９ｃは、図２に示すように、反応管２０３の内壁とウエハ２００との間における円環状の空間に、反応管２０３の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ２００の積載方向上方に向かって立ち上がるようにそれぞれ設けられている。すなわち、ノズル２４９ａ〜２４９ｃは、ウエハ２００が配列されるウエハ配列領域の側方の、ウエハ配列領域を水平に取り囲む領域に、ウエハ配列領域に沿うようにそれぞれ設けられている。すなわち、ノズル２４９ａ〜２４９ｃは、処理室２０１内に搬入されたウエハ２００の端部（周縁部）の側方にウエハ２００の表面（平坦面）と垂直にそれぞれ設けられている。ノズル２４９ａ〜２４９ｃは、Ｌ字型のロングノズルとしてそれぞれ構成されており、それらの各水平部は反応管２０３の下部側壁を貫通するように設けられており、それらの各垂直部は少なくともウエハ配列領域の一端側から他端側に向かって立ち上がるように設けられている。ノズル２４９ａ〜２４９ｃの側面には、ガスを供給するガス供給孔２５０ａ〜２５０ｃがそれぞれ設けられている。ガス供給孔２５０ａ〜２５０ｃは、反応管２０３の中心を向くようにそれぞれ開口しており、ウエハ２００に向けてガスを供給することが可能となっている。ガス供給孔２５０ａ〜２５０ｃは、反応管２０３の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。

このように、本実施形態では、反応管２０３の内壁と、積載された複数のウエハ２００の端部と、で定義される円環状の縦長の空間内、すなわち、円筒状の空間内に配置したノズル２４９ａ〜２４９ｃを経由してガスを搬送している。そして、ノズル２４９ａ〜２４９ｃにそれぞれ開口されたガス供給孔２５０ａ〜２５０ｃから、ウエハ２００の近傍で初めて反応管２０３内へガスを噴出させている。そして、反応管２０３内におけるガスの主たる流れを、ウエハ２００の表面と平行な方向、すなわち、水平方向としている。このような構成とすることで、各ウエハ２００に均一にガスを供給でき、各ウエハ２００に形成される薄膜の膜厚均一性を向上させることが可能となる。ウエハ２００の表面上を流れたガス、すなわち、反応後の残ガスは、排気口、すなわち、後述する排気管２３１の方向に向かって流れる。但し、この残ガスの流れの方向は、排気口の位置によって適宜特定され、垂直方向に限ったものではない。

ガス供給管２３２ａからは、所定元素を有する原料ガスとして、例えば、所定元素としてのＳｉおよびハロゲン元素を含むハロシラン原料ガスが、ＭＦＣ２４１ａ、バルブ２４３ａ、ノズル２４９ａを介して処理室２０１内へ供給される。

ハロシラン原料ガスとは、気体状態のハロシラン原料、例えば、常温常圧下で液体状態であるハロシラン原料を気化することで得られるガスや、常温常圧下で気体状態であるハロシラン原料等のことである。ハロシラン原料とは、ハロゲン基を有するシラン原料のことである。ハロゲン基には、クロロ基、フルオロ基、ブロモ基、ヨード基等が含まれる。すなわち、ハロゲン基には、塩素（Ｃｌ）、フッ素（Ｆ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）等のハロゲン元素が含まれる。ハロシラン原料は、ハロゲン化物の一種ともいえる。本明細書において「原料」という言葉を用いた場合は、「液体状態である液体原料」を意味する場合、「気体状態である原料ガス」を意味する場合、または、その両方を意味する場合がある。

ハロシラン原料ガスとしては、例えば、ＳｉおよびＣｌを含む原料ガス、すなわち、クロロシラン原料ガスを用いることができる。クロロシラン原料ガスとしては、例えば、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ_２Ｃｌ_６、略称：ＨＣＤＳ）ガスを用いることができる。ＨＣＤＳのように常温常圧下で液体状態である液体原料を用いる場合は、液体状態の原料を気化器やバブラなどの気化システムにより気化して、原料ガス（ＨＣＤＳガス）として供給することとなる。

ガス供給管２３２ｂからは、原料ガスとは化学構造（分子構造）が異なる反応ガスとして、例えば、酸素（Ｏ）含有ガスが、ＭＦＣ２４１ｂ、バルブ２４３ｂ、ノズル２４９ｂを介して処理室２０１内へ供給される。Ｏ含有ガスは、後述する成膜処理において、酸化ガス、すなわち、Ｏソースとして作用する。Ｏ含有ガスとしては、例えば、酸素（Ｏ_２）ガスを用いることができる。

ガス供給管２３２ｂからは、原料ガスとは化学構造が異なる反応ガスとして、例えば、炭素（Ｃ）含有ガスが、ＭＦＣ２４１ｂ、バルブ２４３ｂ、ノズル２４９ｂを介して処理室２０１内へ供給される。Ｃ含有ガスとしては、例えば、炭化水素系ガスを用いることができる。炭化水素系ガスは、ＣおよびＨの２元素のみで構成される物質ともいえ、後述する成膜処理においてＣソースとして作用する。炭化水素系ガスとしては、例えば、プロピレン（Ｃ_３Ｈ_６）ガスを用いることができる。

また、ガス供給管２３２ｂからは、原料ガスとは化学構造が異なる反応ガスとして、例えば、窒素（Ｎ）および炭素（Ｃ）を含むガスが、ＭＦＣ２４１ｂ、バルブ２４３ｂ、ノズル２４９ｂを介して処理室２０１内へ供給される。ＮおよびＣを含むガスとしては、例えば、アミン系ガスを用いることができる。

アミン系ガスとは、気体状態のアミン、例えば、常温常圧下で液体状態であるアミンを気化することで得られるガスや、常温常圧下で気体状態であるアミン等のアミン基を含むガスのことである。アミン系ガスは、エチルアミン、メチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン、イソブチルアミン等のアミンを含む。アミンとは、アンモニア（ＮＨ_３）のＨをアルキル基等の炭化水素基で置換した形の化合物の総称である。アミンは、Ｃを含むリガンド、すなわち、有機リガンドとして、アルキル基等の炭化水素基を含む。アミン系ガスは、Ｃ、ＮおよびＨの３元素を含んでおり、Ｓｉを含んでいないことからＳｉ非含有のガスともいえ、Ｓｉおよび金属を含んでいないことからＳｉおよび金属非含有のガスともいえる。アミン系ガスは、Ｃ、ＮおよびＨの３元素のみで構成される物質ともいえる。アミン系ガスは、後述する成膜処理において、Ｎソースとしても作用し、Ｃソースとしても作用する。本明細書において「アミン」という言葉を用いた場合は、「液体状態であるアミン」を意味する場合、「気体状態であるアミン系ガス」を意味する場合、または、その両方を意味する場合がある。

アミン系ガスとしては、例えば、その化学構造式中（１分子中）におけるＣを含むリガンド（エチル基）の数が複数であり、１分子中においてＮの数よりもＣの数の方が多いトリエチルアミン（（Ｃ_２Ｈ_５）_３Ｎ、略称：ＴＥＡ）ガスを用いることができる。ＴＥＡのように常温常圧下で液体状態であるアミンを用いる場合は、液体状態のアミンを気化器やバブラ等の気化システムにより気化して、アミン系ガス（ＴＥＡガス）として供給することとなる。

また、ガス供給管２３２ｂからは、原料ガスとは化学構造が異なる反応ガスとして、例えば、ボラジン環骨格非含有の硼素（Ｂ）含有ガスが、ＭＦＣ２４１ｂ、バルブ２４３ｂ、ノズル２４９ｂを介して処理室２０１内へ供給される。ボラジン環骨格非含有の硼素含有ガスとしては、例えば、ボラン系ガスを用いることができる。

ボラン系ガスとは、気体状態のボラン化合物、例えば、常温常圧下で液体状態であるボラン化合物を気化することで得られるガスや、常温常圧下で気体状態であるボラン化合物等のことである。ボラン化合物には、Ｂとハロゲン元素とを含むハロボラン化合物、例えば、ＢおよびＣｌを含むクロロボラン化合物が含まれる。また、ボラン化合物には、モノボラン（ＢＨ_３）やジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）のようなボラン（硼化水素）や、ボランのＨを他の元素等で置換した形のボラン化合物（ボラン誘導体）が含まれる。ボラン系ガスは、後述する成膜処理においてＢソースとして作用する。ボラン系ガスとしては、例えば、トリクロロボラン（ＢＣｌ_３）ガスを用いることができる。ＢＣｌ_３ガスは、後述するボラジン化合物を含まないＢ含有ガス、すなわち、非ボラジン系のＢ含有ガスである。

また、ガス供給管２３２ｂからは、原料ガスとは化学構造が異なる反応ガスとして、例えば、ボラジン環骨格を含むガスが、ＭＦＣ２４１ｂ、バルブ２４３ｂ、ノズル２４９ｂを介して処理室２０１内へ供給される。ボラジン環骨格を含むガスとしては、例えば、ボラジン環骨格および有機リガンドを含むガス、すなわち、有機ボラジン系ガスを用いることができる。

有機ボラジン系ガスとしては、例えば、有機ボラジン化合物であるアルキルボラジン化合物を含むガスを用いることができる。有機ボラジン系ガスを、ボラジン化合物ガス、或いは、ボラジン系ガスと称することもできる。ここで、ボラジンとは、Ｂ、ＮおよびＨの３元素で構成される複素環式化合物であり、組成式はＢ_３Ｈ_６Ｎ_３で表すことができる。ボラジン化合物は、３つのＢと３つのＮとで構成されるボラジン環を構成するボラジン環骨格（ボラジン骨格ともいう）を含む化合物である。有機ボラジン化合物は、Ｃを含むボラジン化合物であり、Ｃを含むリガンド、すなわち、有機リガンドを含むボラジン化合物ともいえる。アルキルボラジン化合物は、アルキル基を含むボラジン化合物であり、アルキル基を有機リガンドとして含むボラジン化合物ともいえる。アルキルボラジン化合物は、ボラジンに含まれる６つのＨのうち少なくともいずれかを、１つ以上のＣを含む炭化水素で置換したものである。アルキルボラジン化合物は、ボラジン環を構成するボラジン環骨格を有し、Ｂ、Ｎ、ＨおよびＣを含む物質ともいえる。また、アルキルボラジン化合物は、ボラジン環骨格を有しアルキルリガンドを含む物質ともいえる。ボラジン系ガスは、後述する成膜処理において、Ｂソースとしても作用し、Ｎソースとしても作用し、Ｃソースとしても作用する。

ボラジン系ガスとしては、例えば、ｎ，ｎ’，ｎ”−トリメチルボラジン（略称：ＴＭＢ）ガス、ｎ，ｎ’，ｎ”−トリエチルボラジン（略称：ＴＥＢ）ガス、ｎ，ｎ’，ｎ”−トリ−ｎ−プロピルボラジン（略称：ＴＰＢ）ガス、ｎ，ｎ’，ｎ”−トリイソプロピルボラジン（略称：ＴＩＰＢ）ガス、ｎ，ｎ’，ｎ”−トリ−ｎ−ブチルボラジン（略称：ＴＢＢ）ガス、ｎ，ｎ’，ｎ”−トリイソブチルボラジン（略称：ＴＩＢＢ）ガス等を用いることができる。ＴＭＢ等のように常温常圧下で液体状態であるボラジン化合物を用いる場合は、液体状態のボラジン化合物を気化器やバブラ等の気化システムにより気化して、ボラジン系ガス（ＴＭＢガス等）として供給することとなる。

ガス供給管２３２ｃからは、原料ガスとは化学構造（分子構造）が異なる反応ガスとして、例えば、窒素（Ｎ）含有ガスが、ＭＦＣ２４１ｃ、バルブ２４３ｃ、ノズル２４９ｃを介して処理室２０１内へ供給される。Ｎ含有ガスとしては、例えば、窒化水素系ガスを用いることができる。窒化水素系ガスは、ＮおよびＨの２元素のみで構成される物質ともいえ、後述する成膜処理において、窒化ガス、すなわち、Ｎソースとして作用する。窒化水素系ガスとしては、例えば、アンモニア（ＮＨ_３）ガスを用いることができる。

ガス供給管２３２ｄ〜２３２ｆからは、不活性ガスとして、例えば、窒素（Ｎ_２）ガスが、それぞれＭＦＣ２４１ｄ〜２４１ｆ、バルブ２４３ｄ〜２４３ｆ、ガス供給管２３２ａ〜２３２ｃ、ノズル２４９ａ〜２４９ｃを介して処理室２０１内へ供給される。

ガス供給管２３２ａから原料ガスを供給する場合、主に、ガス供給管２３２ａ、ＭＦＣ２４１ａ、バルブ２４３ａにより、原料ガス供給系が構成される。ノズル２４９ａを原料ガス供給系に含めて考えてもよい。原料ガス供給系を原料供給系と称することもできる。ガス供給管２３２ａからハロシラン原料ガスを供給する場合、原料ガス供給系を、ハロシラン原料ガス供給系、或いは、ハロシラン原料供給系と称することもできる。

ガス供給管２３２ｂからＯ含有ガスを供給する場合、主に、ガス供給管２３２ｂ、ＭＦＣ２４１ｂ、バルブ２４３ｂにより、Ｏ含有ガス供給系が構成される。ノズル２４９ｂをＯ含有ガス供給系に含めて考えてもよい。Ｏ含有ガス供給系を、酸化ガス供給系、或いは、酸化剤供給系と称することもできる。

ガス供給系２３２ｂからＣ含有ガスを供給する場合、主に、ガス供給管２３２ｂ、ＭＦＣ２４１ｂ、バルブ２４３ｂにより、Ｃ含有ガス供給系が構成される。ノズル２４９ｂをＣ含有ガス供給系に含めて考えてもよい。ガス供給管２３２ｂから炭化水素系ガスを供給する場合、Ｃ含有ガス供給系を、炭化水素系ガス供給系、或いは、炭化水素供給系と称することもできる。

ガス供給管２３２ｂからＮおよびＣを含むガスを供給する場合、主に、ガス供給管２３２ｂ、ＭＦＣ２４１ｂ、バルブ２４３ｂにより、ＮおよびＣを含むガス供給系が構成される。ノズル２４９ｂをＮおよびＣ含むガス供給系に含めて考えてもよい。ガス供給管２３２ｂからからアミン系ガスを供給する場合、ＮおよびＣを含むガス供給系を、アミン系ガス供給系、或いは、アミン供給系と称することもできる。ＮおよびＣを含むガスは、Ｎ含有ガスでもあり、Ｃ含有ガスでもあることから、ＮおよびＣを含むガス供給系を、後述するＮ含有ガス供給系、Ｃ含有ガス供給系に含めて考えることもできる。

ガス供給管２３２ｂからＢ含有ガスを供給する場合、主に、ガス供給管２３２ｂ、ＭＦＣ２４１ｂ、バルブ２４３ｂにより、Ｂ含有ガス供給系が構成される。ノズル２４９ｂをＢ含有ガス供給系に含めて考えてもよい。ガス供給管２３２ｂからボラン系ガスを供給する場合、Ｂ含有ガス供給系を、ボラン系ガス供給系、或いは、ボラン化合物供給系と称することもできる。ガス供給管２３２ｂからボラジン系ガスを供給する場合、Ｂ含有ガス供給系を、ボラジン系ガス供給系、有機ボラジン系ガス供給系、或いは、ボラジン化合物供給系と称することもできる。ボラジン系ガスは、ＮおよびＣを含むガスでもあり、Ｎ含有ガスでもあり、Ｃ含有ガスでもあることから、ボラジン系ガス供給系を、ＮおよびＣを含むガス供給系、後述するＮ含有ガス供給系、Ｃ含有ガス供給系に含めて考えることもできる。

ガス供給管２３２ｃからＮ含有ガスを供給する場合、主に、ガス供給管２３２ｃ、ＭＦＣ２４１ｃ、バルブ２４３ｃにより、Ｎ含有ガス供給系が構成される。ノズル２４９ｃをＮ含有ガス供給系に含めて考えてもよい。Ｎ含有ガス供給系を、窒化ガス供給系、或いは、窒化剤供給系と称することもできる。ガス供給管２３２ｃから窒化水素系ガスを供給する場合、窒素含有ガス供給系を、窒化水素系ガス供給系、或いは、窒化水素供給系と称することもできる。

上述のＯ含有ガス供給系、Ｃ含有ガス供給系、ＮおよびＣを含むガス供給系、Ｂ含有ガス供給系、Ｎ含有ガス供給系のうち、いずれか、或いは、全てのガス供給系を、反応ガス供給系、或いは、リアクタント供給系と称することもできる。

また、主に、ガス供給管２３２ｄ〜２３２ｆ、ＭＦＣ２４１ｄ〜２４１ｆ、バルブ２４３ｄ〜２４３ｆにより、不活性ガス供給系が構成される。不活性ガス供給系を、パージガス供給系、希釈ガス供給系、キャリアガス供給系、或いは、カウンターガス供給系と称することもできる。

反応管２０３には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１には、処理室２０１内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ２４５および圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４４を介して、真空排気装置としての真空ポンプ２４６が接続されている。ＡＰＣバルブ２４４は、真空ポンプ２４６を作動させた状態で弁を開閉することで、処理室２０１内の真空排気および真空排気停止を行うことができ、更に、真空ポンプ２４６を作動させた状態で、圧力センサ２４５により検出された圧力情報に基づいて弁開度を調節することで、処理室２０１内の圧力を調整することができるように構成されているバルブである。主に、排気管２３１、ＡＰＣバルブ２４４、圧力センサ２４５により、排気系が構成される。真空ポンプ２４６を排気系に含めて考えてもよい。

反応管２０３の下方には、反応管２０３の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、反応管２０３の下端に垂直方向下側から当接されるように構成されている。シールキャップ２１９は、例えばＳＵＳ等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、反応管２０３の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０が設けられている。シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、後述するボート２１７を回転させる回転機構２６７が設置されている。回転機構２６７の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７に接続されている。回転機構２６７は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９は、反応管２０３の外部に垂直に設置された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されている。ボートエレベータ１１５は、シールキャップ２１９を昇降させることで、ボート２１７を処理室２０１内外に搬入および搬出することが可能なように構成されている。すなわち、ボートエレベータ１１５は、ボート２１７すなわちウエハ２００を、処理室２０１内外に搬送する搬送装置（搬送機構）として構成されている。

基板支持具としてのボート２１７は、複数枚、例えば２５〜２００枚のウエハ２００を、水平姿勢で、かつ、互いに中心を揃えた状態で垂直方向に整列させて多段に支持するように、すなわち、間隔を空けて配列させるように構成されている。ボート２１７は、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料からなる。ボート２１７の下部には、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料からなる断熱板２１８が水平姿勢で多段に支持されている。この構成により、ヒータ２０７からの熱がシールキャップ２１９側に伝わりにくくなっている。但し、本実施形態は上述の形態に限定されない。例えば、ボート２１７の下部に断熱板２１８を設けずに、石英やＳｉＣ等の耐熱性材料からなる筒状の部材として構成された断熱筒を設けてもよい。

反応管２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０７への通電具合を調整することで、処理室２０１内の温度が所望の温度分布となる。温度センサ２６３は、ノズル２４９ａ〜２４９ｃと同様にＬ字型に構成されており、反応管２０３の内壁に沿って設けられている。

図３に示すように、制御部（制御手段）であるコントローラ１２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１２１ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、内部バス１２１ｅを介して、ＣＰＵ１２１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ１２１には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置１２２が接続されている。

記憶装置１２１ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置１２１ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピ等が、読み出し可能に格納されている。プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ１２１に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単に、プログラムともいう。本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。ＲＡＭ１２１ｂは、ＣＰＵ１２１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。

Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、上述のＭＦＣ２４１ａ〜２４１ｆ、バルブ２４３ａ〜２４３ｆ、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４４、真空ポンプ２４６、ヒータ２０７、温度センサ２６３、回転機構２６７、ボートエレベータ１１５等に接続されている。

ＣＰＵ１２１ａは、記憶装置１２１ｃから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置１２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置１２１ｃからプロセスレシピを読み出すように構成されている。ＣＰＵ１２１ａは、読み出したプロセスレシピの内容に沿うように、ＭＦＣ２４１ａ〜２４１ｆによる各種ガスの流量調整動作、バルブ２４３ａ〜２４３ｆの開閉動作、ＡＰＣバルブ２４４の開閉動作および圧力センサ２４５に基づくＡＰＣバルブ２４４による圧力調整動作、真空ポンプ２４６の起動および停止、温度センサ２６３に基づくヒータ２０７の温度調整動作、回転機構２６７によるボート２１７の回転および回転速度調節動作、ボートエレベータ１１５によるボート２１７の昇降動作等を制御するように構成されている。

コントローラ１２１は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていてもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）１２３を用意し、この外部記憶装置１２３を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態のコントローラ１２１を構成することができる。但し、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置１２３を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用い、外部記憶装置１２３を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。記憶装置１２１ｃや外部記憶装置１２３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置１２１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置１２３単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。

（２）基板処理工程
上述の基板処理装置を用い、半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、基板上に膜を形成するシーケンス例について、図４を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ１２１により制御される。

図４に示す成膜シーケンスでは、
ウエハ２００に対してノズル２４９ａを介してＨＣＤＳガスを供給するステップ１と、
ウエハ２００に対してノズル２４９ｂを介してＮＨ_３ガスを供給するステップ２と、
ウエハ２００に対してノズル２４９ｃを介してＯ_２ガスを供給するステップ３と、
を非同時に、すなわち、同期させることなく行うサイクルを所定回数（１回以上）行うことで、ウエハ２００上に、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）を形成する。

ＮＨ_３ガスを供給するステップ２では、ノズル２４９ａおよびノズル２４９ｃのうち少なくともいずれかよりＮ_２ガスを第１の流量にて供給し（図中、Ｃｏｕｎｔｅｒ Ｎ_２で示す）、Ｏ_２ガスを供給するステップ３では、ノズル２４９ｂよりＮ_２ガスを第１の流量よりも大きい第２の流量にて供給する（図中、Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｏｕｎｔｅｒ Ｎ_２で示す）。図４は、ステップ２において、ノズル２４９ａおよびノズル２４９ｃのうち両方からＮ_２ガスを第１の流量にて供給する例を示している。

本明細書では、上述の成膜シーケンスを、便宜上、以下のように示すこともある。なお、以下の変形例や他の実施形態の説明においても同様の表記を用いることとする。

（ＨＣＤＳ→ＮＨ_３→Ｏ_２）×ｎ ⇒ ＳｉＯＮ膜

本明細書において「ウエハ」という言葉を用いた場合は、「ウエハそのもの」を意味する場合や、「ウエハとその表面に形成された所定の層や膜等との積層体（集合体）」を意味する場合、すなわち、表面に形成された所定の層や膜等を含めてウエハと称する場合がある。また、本明細書において「ウエハの表面」という言葉を用いた場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）」を意味する場合や、「ウエハ上に形成された所定の層や膜等の表面、すなわち、積層体としてのウエハの最表面」を意味する場合がある。

従って、本明細書において「ウエハに対して所定のガスを供給する」と記載した場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）に対して所定のガスを直接供給する」ことを意味する場合や、「ウエハ上に形成されている層や膜等に対して、すなわち、積層体としてのウエハの最表面に対して所定のガスを供給する」ことを意味する場合がある。また、本明細書において「ウエハ上に所定の層（または膜）を形成する」と記載した場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）上に所定の層（または膜）を直接形成する」ことを意味する場合や、「ウエハ上に形成されている層や膜等の上、すなわち、積層体としてのウエハの最表面の上に所定の層（または膜）を形成する」ことを意味する場合がある。

また、本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も、「ウエハ」という言葉を用いた場合と同様であり、その場合、上記説明において、「ウエハ」を「基板」に置き換えて考えればよい。

（ウエハチャージおよびボートロード）
複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）される。その後、図１に示すように、複数枚のウエハ２００を支持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１内へ搬入（ボートロード）される。この状態で、シールキャップ２１９は、Ｏリング２２０を介して反応管２０３の下端をシールした状態となる。

（圧力調整および温度調整）
処理室２０１内、すなわち、ウエハ２００が存在する空間が所望の圧力（真空度）となるように、真空ポンプ２４６によって真空排気（減圧排気）される。この際、処理室２０１内の圧力は圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ２４４がフィードバック制御される。真空ポンプ２４６は、少なくともウエハ２００に対する処理が終了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室２０１内のウエハ２００が所望の温度となるようにヒータ２０７によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように、温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０７への通電具合がフィードバック制御される。ヒータ２０７による処理室２０１内の加熱は、少なくともウエハ２００に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。また、回転機構２６７によるボート２１７およびウエハ２００の回転を開始する。回転機構２６７によるボート２１７およびウエハ２００の回転は、少なくとも、ウエハ２００に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。

（成膜処理）
その後、次の６つのステップ、すなわち、ステップ１，１ｐ、ステップ２，２ｐ、ステップ３，３ｐを順次実行する。なお、Ｎ_２ガスの具体的な処理条件については、ここでは述べずに、追って詳しく説明することとする。

［ステップ１（ＨＣＤＳガス供給）］
このステップでは、処理室２０１内のウエハ２００に対し、ＨＣＤＳガスを供給する。

バルブ２４３ａを開き、ガス供給管２３２ａ内にＨＣＤＳガスを流す。ＨＣＤＳガスは、ＭＦＣ２４１ａにより流量調整され、ノズル２４９ａを介して処理室２０１内へ供給され、排気管２３１から排気される。このとき、ウエハ２００に対してＨＣＤＳガスが供給されることとなる（図中、ＨＣＤＳで示す）。このとき同時にバルブ２４３ｄを開き、ガス供給管２３２ｄ内へＮ_２ガスを流す。Ｎ_２ガスは、ＭＦＣ２４１ｄにより流量調整され、ＨＣＤＳガスと一緒に処理室２０１内へ供給され、排気管２３１から排気される。ガス供給管２３２ｄから流すＮ_２ガスは、処理室２０１内へのＨＣＤＳガスの供給を促すキャリアガスとして、また、処理室２０１内へ供給されるＨＣＤＳガスを希釈する希釈ガスとして作用する。

また、バルブ２４３ｅ，２４３ｆを開き、ガス供給管２３２ｅ，２３２ｆ内へＮ_２ガスを流す（図中、Ｃｏｕｎｔｅｒ Ｎ_２で示す）。Ｎ_２ガスは、ガス供給管２３２ｂ，２３２ｃ、ノズル２４９ｂ，２４９ｃを介して処理室２０１内へ供給され、排気管２３１から排気される。ガス供給管２３２ｂ，２３２ｃから流すＮ_２ガスは、ノズル２４９ｂ，２４９ｃ内へのＨＣＤＳガスの侵入を抑制する侵入抑制ガス、すなわち、カウンターガスとして作用する。

ＭＦＣ２４１ａで制御するＨＣＤＳガスの供給流量は、例えば１〜２０００ｓｃｃｍ、好ましくは１０〜１０００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。処理室２０１内の圧力は、例えば１〜２６６６Ｐａ、好ましくは６７〜１３３３Ｐａの範囲内の圧力とする。ＨＣＤＳガスをウエハ２００に対して供給する時間、すなわち、ガス供給時間（照射時間）は、例えば１〜１２０秒、好ましくは１〜６０秒の範囲内の時間とする。ヒータ２０７の温度は、ウエハ２００の温度が、例えば２５０〜７００℃、好ましくは３００〜６５０℃、より好ましくは３５０〜６００℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。

ウエハ２００の温度が２５０℃未満となると、ウエハ２００上にＨＣＤＳが化学吸着しにくくなり、実用的な成膜速度が得られなくなることがある。ウエハ２００の温度を２５０℃以上とすることで、これを解消することが可能となる。ウエハ２００の温度を３００℃以上、さらには３５０℃以上とすることで、ウエハ２００上にＨＣＤＳをより十分に吸着させることが可能となり、より十分な成膜速度が得られるようになる。

ウエハ２００の温度が７００℃を超えると、ＣＶＤ反応が強くなり過ぎる（過剰な気相反応が生じる）ことで、膜厚均一性が悪化しやすくなり、その制御が困難となってしまう。ウエハ２００の温度を７００℃以下とすることで、適正な気相反応を生じさせることができることにより、膜厚均一性の悪化を抑制でき、その制御が可能となる。特に、ウエハ２００の温度を６５０℃以下、さらには６００℃以下とすることで、気相反応よりも表面反応が優勢になり、膜厚均一性を確保しやすくなり、その制御が容易となる。

よって、ウエハ２００の温度は２５０〜７００℃、好ましくは３００〜６５０℃、より好ましくは３５０〜６００℃の範囲内の温度とするのがよい。

上述の条件下でウエハ２００に対してＨＣＤＳガスを供給することにより、ウエハ２００の最表面上に、第１の層として、例えば１原子層未満から数原子層の厚さのＣｌを含むＳｉ含有層が形成される。Ｃｌを含むＳｉ含有層は、Ｃｌを含むＳｉ層であってもよいし、ＨＣＤＳの吸着層であってもよいし、その両方を含んでいてもよい。

Ｃｌを含むＳｉ層とは、Ｓｉにより構成されＣｌを含む連続的な層の他、不連続な層や、これらが重なってできるＣｌを含むＳｉ薄膜をも含む総称である。Ｓｉにより構成されＣｌを含む連続的な層を、Ｃｌを含むＳｉ薄膜という場合もある。Ｃｌを含むＳｉ層を構成するＳｉは、Ｃｌとの結合が完全に切れていないものの他、Ｃｌとの結合が完全に切れているものも含む。

ＨＣＤＳの吸着層は、ＨＣＤＳ分子で構成される連続的な吸着層の他、不連続な吸着層をも含む。すなわち、ＨＣＤＳの吸着層は、ＨＣＤＳ分子で構成される１分子層もしくは１分子層未満の厚さの吸着層を含む。ＨＣＤＳの吸着層を構成するＨＣＤＳ分子は、ＳｉとＣｌとの結合が一部切れたものも含む。すなわち、ＨＣＤＳの吸着層は、ＨＣＤＳの物理吸着層であってもよいし、ＨＣＤＳの化学吸着層であってもよいし、その両方を含んでいてもよい。

ここで、１原子層未満の厚さの層とは不連続に形成される原子層のことを意味しており、１原子層の厚さの層とは連続的に形成される原子層のことを意味している。１分子層未満の厚さの層とは不連続に形成される分子層のことを意味しており、１分子層の厚さの層とは連続的に形成される分子層のことを意味している。Ｃｌを含むＳｉ含有層は、Ｃｌを含むＳｉ層とＨＣＤＳの吸着層との両方を含み得る。但し、上述の通り、Ｃｌを含むＳｉ含有層については「１原子層」、「数原子層」等の表現を用いて表すこととする。

ＨＣＤＳガスが自己分解（熱分解）する条件下、すなわち、ＨＣＤＳガスの熱分解反応が生じる条件下では、ウエハ２００上にＳｉが堆積することでＣｌを含むＳｉ層が形成される。ＨＣＤＳガスが自己分解（熱分解）しない条件下、すなわち、ＨＣＤＳガスの熱分解反応が生じない条件下では、ウエハ２００上にＨＣＤＳが吸着することでＨＣＤＳの吸着層が形成される。ウエハ２００上にＨＣＤＳの吸着層を形成するよりも、ウエハ２００上にＣｌを含むＳｉ層を形成する方が、成膜レートを高くすることができる点では、好ましい。以下、Ｃｌを含むＳｉ含有層を、便宜上、単に、Ｓｉ含有層とも称することとする。

第１の層の厚さが数原子層を超えると、後述するステップ２，３での改質の作用が第１の層の全体に届かなくなる。また、第１の層の厚さの最小値は１原子層未満である。よって、第１の層の厚さは１原子層未満から数原子層とするのが好ましい。第１の層の厚さを１原子層以下、すなわち、１原子層または１原子層未満とすることで、後述するステップ２，３での改質反応の作用を相対的に高めることができ、ステップ２，３での改質反応に要する時間を短縮することができる。ステップ１での第１の層の形成に要する時間を短縮することもできる。結果として、１サイクルあたりの処理時間を短縮することができ、トータルでの処理時間を短縮することも可能となる。すなわち、成膜レートを高くすることも可能となる。また、第１の層の厚さを１原子層以下とすることで、膜厚均一性の制御性を高めることも可能となる。

原料ガスとしては、ＨＣＤＳガスの他、例えば、ジクロロシラン（ＳｉＨ_２Ｃｌ_２、略称：ＤＣＳ）ガス、モノクロロシラン（ＳｉＨ_３Ｃｌ、略称：ＭＣＳ）ガス、テトラクロロシランすなわちシリコンテトラクロライド（ＳｉＣｌ_４、略称：ＳＴＣ）ガス、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ_３、略称：ＴＣＳ）ガス、トリシラン（Ｓｉ_３Ｈ_８、略称：ＴＳ）ガス、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６、略称：ＤＳ）ガス、モノシラン（ＳｉＨ_４、略称：ＭＳ）ガス等の無機原料ガスや、テトラキスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ_３）_２］_４、略称：４ＤＭＡＳ）ガス、トリスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ_３）_２］_３Ｈ、略称：３ＤＭＡＳ）ガス、ビスジエチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_２］_２Ｈ_２、略称：ＢＤＥＡＳ）ガス、ビスターシャリーブチルアミノシラン（ＳｉＨ_２［ＮＨ（Ｃ_４Ｈ_９）］_２、略称：ＢＴＢＡＳ）ガス等の有機原料ガスを用いることができる。

［ステップ１ｐ（ＨＣＤＳガス排出）］
第１の層が形成された後、バルブ２４３ａ，２４３ｄ〜２４３ｆを閉じ、ＨＣＤＳガス、Ｎ_２ガスの供給を停止する。このとき、ＡＰＣバルブ２４４は開いたままとして、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気（減圧排気、或いは、真空引き）し、処理室２０１内に残留する未反応もしくは第１の層の形成に寄与した後のＨＣＤＳガスを処理室２０１内から排除する。すなわち、処理室２０１内へのＮ_２ガスの供給を停止した状態で処理室２０１内の真空引きを行う（図中、ＶＡＣで示す）。所定時間が経過したら、ＡＰＣバルブ２４４を開いた状態のまま、バルブ２４３ｄ〜２４３ｆを開き、Ｎ_２ガスの処理室２０１内への供給を開始する。すなわち、処理室２０１内へのＮ_２ガスの供給を実施した状態で処理室２０１内の排気を行う（図中、ＰＲＧで示す）。Ｎ_２ガスは、処理室２０１内に残留するＨＣＤＳガスの処理室２０１内からの排除を促進するパージガスとして、また、処理室２０１内に残留するＨＣＤＳガスのノズル２４９ａ〜２４９ｃ内への侵入や逆拡散を抑制するカウンターガスとして作用する。

このステップでは、処理室２０１内に残留するガスを完全に排除しなくてもよく、処理室２０１内を完全にパージしなくてもよい。処理室２０１内に残留するガスが微量であれば、その後に行われるステップ２において悪影響が生じることはない。処理室２０１内に供給するＮ_２ガスの流量も大流量とする必要はなく、例えば、反応管２０３（処理室２０１）の容積と同程度の量のＮ_２ガスを供給することで、ステップ２において悪影響が生じない程度のパージを行うことができる。このように、処理室２０１内を完全にパージしないことで、パージ時間を短縮し、スループットを向上させることができる。Ｎ_２ガスの消費も必要最小限に抑えることが可能となる。

［ステップ２（ＮＨ_３ガス供給）］
ステップ１ｐが終了した後、処理室２０１内のウエハ２００に対し、熱で活性化させたＮＨ_３ガスを供給する。

このステップでは、バルブ２４３ａ，２４３ｃを閉じたまま、バルブ２４３ｂ，２４３ｄ〜２４３ｆの開閉制御を、ステップ１におけるバルブ２４３ａ，２４３ｄ〜２４３ｆの開閉制御と同様の手順で行う。ＮＨ_３ガスは、ガス供給管２３２ｂ、ノズル２４９ｂを介して処理室２０１内へ供給され、排気管２３１から排気される。このとき、ウエハ２００に対し、反応ガスとしてＮＨ_３ガスが供給されることとなる（図中、ＮＨ_３で示す）。ガス供給管２３２ｅから流すＮ_２ガスは、ステップ１と同様に、キャリアガスとして、また、希釈ガスとして作用する。ガス供給管２３２ｄ，２３２ｆから流すＮ_２ガスは、ステップ１と同様に、ノズル２４９ａ，２４９ｃ内へのＮＨ_３ガスの侵入を抑制するカウンターガスとして作用する（図中、Ｃｏｕｎｔｅｒ Ｎ_２で示す）。

ＭＦＣ２４１ｂで制御するＮＨ_３ガスの供給流量は、例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。処理室２０１内の圧力は、例えば１〜４０００Ｐａ、好ましくは１〜３０００Ｐａの範囲内の圧力とする。処理室２０１内の圧力をこのような比較的高い圧力帯とすることで、ＮＨ_３ガスをノンプラズマで熱的に活性化させることが可能となる。ＮＨ_３ガスは熱で活性化させて供給した方が、比較的ソフトな反応を生じさせることができ、後述する改質を比較的ソフトに行うことができる。熱で活性化させたＮＨ_３ガスをウエハ２００に対して供給する時間、すなわち、ガス供給時間（照射時間）は、例えば１〜１２０秒、好ましくは１〜６０秒の範囲内の時間とする。その他の処理条件は、ステップ１の処理条件と同様の条件とする。

上述の条件下でウエハ２００に対してＮＨ_３ガスを供給することにより、ウエハ２００上に形成された第１の層とＮＨ_３ガスとを反応させ、第１の層を改質させることができる。具体的には、ウエハ２００に対してＮＨ_３ガスを供給することで、ＮＨ_３ガスに含まれていたＮ成分を第１の層に付与することができ、この層の少なくとも一部を改質（窒化）させることができる。これにより、ウエハ２００上に、ＳｉおよびＮを含む第２の層、すなわち、窒化層としてのＳｉＮ層（Ｎを含むＳｉ層）が形成されることとなる。第２の層を形成する際、第１の層に含まれていたＣｌは、ＮＨ_３ガスによる改質反応の過程において、少なくともＣｌを含むガス状物質を構成し、処理室２０１内から排出される。すなわち、第１の層中のＣｌ等の不純物は、第１の層中から引き抜かれたり、脱離したりすることで、第１の層から分離することとなる。これにより、第２の層は、第１の層に比べてＣｌ等の不純物が少ない層となる。

窒化ガスとしては、ＮＨ_３ガスの他、例えば、ジアゼン（Ｎ_２Ｈ_２）ガス、ヒドラジン（Ｎ_２Ｈ_４）ガス、Ｎ_３Ｈ_８ガス等の窒化水素系ガスや、これらの化合物を含むガス等を用いることができる。

［ステップ２ｐ（ＮＨ_３ガス排出）］
第２の層が形成された後、バルブ２４３ｂを閉じ、ＮＨ_３ガスの供給を停止する。このとき、ＡＰＣバルブ２４４は開いたままとして、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を排気し、処理室２０１内に残留する未反応もしくは第２の層の形成に寄与した後のＮＨ_３ガスを処理室２０１内から排除する。またこのとき、バルブ２４３ｄ〜２４３ｆは開いたままとして、Ｎ_２ガスの処理室２０１内への供給を維持する（図中、ＰＲＧおよびＥｎｈａｎｃｅｄ ＰＲＧで示す）。すなわち、処理室２０１内へのＮ_２ガスの供給を実施した状態で処理室２０１内の排気を行う。Ｎ_２ガスは、処理室２０１内に残留するＮＨ_３ガスの処理室２０１内からの排除を促進するパージガスとして、また、処理室２０１内に残留するＮＨ_３ガスのノズル２４９ａ〜２４９ｃ内への侵入や逆拡散を抑制するカウンターガスとして作用する。このとき、処理室２０１内に残留するガス等を完全に排除しなくてもよい点は、ステップ１ｐと同様である。

［ステップ３（Ｏ_２ガス供給）］
ステップ２ｐが終了した後、処理室２０１内のウエハ２００に対し、熱で活性化させたＯ_２ガスを供給する。

このステップでは、バルブ２４３ａ，２４３ｂを閉じたまま、バルブ２４３ｃ，２４３ｄ〜２４３ｆの開閉制御を、ステップ１におけるバルブ２４３ａ，２４３ｄ〜２４３ｆの開閉制御と同様の手順で行う。Ｏ_２ガスは、ガス供給管２３２ｃ、ノズル２４９ｃを介して処理室２０１内へ供給され、排気管２３１から排気される。このとき、ウエハ２００に対し、反応ガスとしてＯ_２ガスが供給されることとなる（図中、Ｏ_２で示す）。ガス供給管２３２ｆから流すＮ_２ガスは、ステップ１と同様に、キャリアガスとして、また、希釈ガスとして作用する。ガス供給管２３２ｄ，２３２ｅから流すＮ_２ガスは、ステップ１と同様に、ノズル２４９ａ，２４９ｂ内へのＯ_２ガスの侵入を抑制するカウンターガスとして作用する（図中、Ｃｏｕｎｔｅｒ Ｎ_２、および、Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｏｕｎｔｅｒ Ｎ_２で示す）。

ＭＦＣ２４１ｃで制御するＯ_２ガスの供給流量は、例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。処理室２０１内の圧力は、例えば１〜４０００Ｐａ、好ましくは１〜３０００Ｐａの範囲内の圧力とする。処理室２０１内の圧力をこのような比較的高い圧力帯とすることで、Ｏ_２ガスをノンプラズマで熱的に活性化させることが可能となる。Ｏ_２ガスは熱で活性化させて供給した方が、比較的ソフトな反応を生じさせることができ、後述する改質を比較的ソフトに行うことができる。熱で活性化させたＯ_２ガスをウエハ２００に対して供給する時間、すなわち、ガス供給時間（照射時間）は、例えば、１〜１２０秒、好ましくは１〜６０秒の範囲内の時間とする。その他の処理条件は、ステップ１の処理条件と同様の条件とする。

上述の条件下でウエハ２００に対してＯ_２ガスを供給することにより、ウエハ２００上に形成された第２の層とＯ_２ガスとを反応させ、第２の層を改質させることができる。具体的には、ウエハ２００に対してＯ_２ガスを供給することで、Ｏ_２ガスに含まれていたＯ成分を第１の層に付与することができ、この層の少なくとも一部を改質（酸化）させることができる。これにより、ウエハ２００上に、Ｓｉ、ＯおよびＮを含む第３の層、すなわち、酸窒化層としてのＳｉＯＮ層（Ｏ、Ｎを含むＳｉ層）が形成されることとなる。第３の層を形成する際、第２の層に含まれていたＣｌは、Ｏ_２ガスによる改質反応の過程において、少なくともＣｌを含むガス状物質を構成し、処理室２０１内から排出される。すなわち、第２の層中のＣｌ等の不純物は、第２の層中から引き抜かれたり、脱離したりすることで、第２の層から分離することとなる。これにより、第３の層は、第２の層に比べてＣｌ等の不純物が少ない層となる。

酸化ガスとしては、Ｏ_２ガスの他、水蒸気（Ｈ_２Ｏガス）、一酸化窒素（ＮＯ）ガス、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）ガス、二酸化窒素（ＮＯ_２）ガス、一酸化炭素（ＣＯ）ガス、二酸化炭素（ＣＯ_２）ガス、オゾン（Ｏ_３）ガス、Ｈ_２ガス＋Ｏ_２ガス、Ｈ_２ガス＋Ｏ_３ガス等のＯ含有ガスを用いることができる。

［ステップ３ｐ（Ｏ_２ガス排出）］
第３の層が形成された後、バルブ２４３ｃを閉じ、Ｏ_２ガスの供給を停止する。そして、ステップ２ｐと同様の処理手順により、処理室２０１内に残留する未反応もしくは第３の層の形成に寄与した後のＯ_２ガスを処理室２０１内から排除する（図中、ＰＲＧおよびＥｎｈａｎｃｅｄ ＰＲＧで示す）。すなわち、処理室２０１内へのＮ_２ガスの供給を実施した状態で処理室２０１内の排気を行う。Ｎ_２ガスは、処理室２０１内に残留するＯ_２ガスの処理室２０１内からの排除を促進するパージガスとして、また、処理室２０１内に残留するＯ_２ガスのノズル２４９ａ〜２４９ｃ内への侵入や逆拡散を抑制するカウンターガスとして作用する。このとき、処理室２０１内に残留するガス等を完全に排除しなくてもよい点は、ステップ１ｐと同様である。

（所定回数実施）
上述した６つのステップを非同時に行うサイクルを１回以上（所定回数）行うことにより、ウエハ２００上に、所定組成および所定膜厚のＳｉＯＮ膜を形成することができる。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。すなわち、１サイクルあたりに形成されるＳｉＯＮ層の厚さを所望の膜厚よりも小さくし、上述のサイクルを所望の膜厚になるまで複数回繰り返すのが好ましい。

（パージおよび大気圧復帰）
バルブ２４３ｄ〜２４３ｆを開き、ガス供給管２３２ｄ〜２３２ｆのそれぞれからＮ_２ガスを処理室２０１内へ供給し、排気管２３１から排気する。Ｎ_２ガスはパージガスとして作用する。これにより、処理室２０１内がパージされ、処理室２０１内に残留するガスや反応副生成物が処理室２０１内から除去される（パージ）。その後、処理室２０１内の雰囲気が不活性ガスに置換され（不活性ガス置換）、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される（大気圧復帰）。

（ボートアンロードおよびウエハディスチャージ）
ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降され、反応管２０３の下端が開口される。そして、処理済のウエハ２００が、ボート２１７に支持された状態で、反応管２０３の下端から反応管２０３の外部に搬出される（ボートアンロード）。処理済のウエハ２００は、ボート２１７より取出される（ウエハディスチャージ）。

（３）Ｎ_２ガスの供給条件
上述の成膜シーケンスでは、ステップ１〜３を非同時に行うようにしている。すなわち、ステップ１ｐ〜３ｐを行うことで処理室２０１内の残留ガス等を除去した後に、処理室２０１内へ（ＨＣＤＳガス）や反応ガス（ＮＨ_３ガス、Ｏ_２ガス）を供給するようにしている。これにより、処理室２０１内における原料ガスと反応ガスとの気相反応、例えば、ＨＣＤＳガスとＮＨ_３ガスとの気相反応や、ＨＣＤＳガスとＯ_２ガスとの気相反応等を回避することが可能となる。結果として、処理室２０１内におけるパーティクルの発生を抑制することが可能となる。

また、上述の成膜シーケンスでは、ステップ２，３において、ＮＨ_３ガスやＯ_２ガスを、ＨＣＤＳガスを供給するノズル２４９ａとは異なるノズル２４９ｂ，２４９ｃを介してそれぞれ供給するようにしている。また、ステップ１では、ノズル２４９ｂ，２４９ｃ内へカウンターガスとしてＮ_２ガスを供給することでノズル２４９ｂ，２４９ｃ内へのＨＣＤＳガスの侵入を防止するようにしている。また、ステップ２では、ノズル２４９ａ，２４９ｃ内へカウンターガスとしてＮ_２ガスを供給することでノズル２４９ａ，２４９ｃ内へのＮＨ_３ガスの侵入を防止するようにしている。また、ステップ３では、ノズル２４９ｃ内へカウンターガスとしてＮ_２ガスを供給することでノズル２４９ａ，２４９ｂ内へのＯ_２ガスの侵入を防止するようにしている。これらにより、ノズル２４９ａ〜２４９ｃ内におけるＨＣＤＳガスとＯ_２ガスとの気相反応や、ＨＣＤＳガスとＮＨ_３ガスとの気相反応を回避することが可能となる。結果として、ノズル２４９ａ〜２４９ｃ内におけるパーティクルの発生を抑制することが可能となる。

しかしながら、発明者等の鋭意研究によれば、各ステップにおけるＮ_２ガスの供給条件によっては、処理室２０１内におけるパーティクルの量が増加してしまう場合があることが判明した。例えば、ステップ３でノズル２４９ｂより供給するＮ_２ガスの流量を、ステップ２でノズル２４９ａ，２４９ｃより供給するＮ_２ガスの流量未満の流量とした場合、ノズル２４９ｂ内でパーティクルが多量に発生する場合があり、これにより、処理室２０１内、特に、ノズル２４９ｂ近傍におけるパーティクルの量が増加してしまう場合があることが判明した。

発明者等の鋭意研究によれば、上述の現象は、ノズル２４９ｂの製造工程の過程等においてノズル２４９ｂの内面（内壁の表面）に微量に含まれることとなった不純物、例えば、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属元素を含む不純物に対し、Ｏ_２ガスおよびＮＨ_３ガスが混合された状態で供給されることにより生じていることが判明した。以下に、パーティクルの発生メカニズムについて詳しく説明する。

ノズル２４９ｂを介して処理室２０１内へＮＨ_３ガスを供給するステップ２を行った後、処理室２０１内からＮＨ_３ガスを排出するステップ２ｐを行うと、処理室２０１内だけでなく、ノズル２４９ｂ内からもＮＨ_３ガスが排出されることとなる。但し、ステップ２ｐの処理条件によっては、ノズル２４９ｂ内に微量のＮＨ_３ガスが付着する等して残留してしまうことがある。また、ステップ２ｐの後、ノズル２４９ｃを介して処理室２０１内へＯ_２ガスを供給するステップ３を行う際に、ノズル２４９ｂよりカウンターガスとしてＮ_２ガスを供給するが、このようにしても、Ｎ_２ガスの供給流量によっては、ノズル２４９ｂ内へ微量にＯ_２ガスが侵入してしまうことがある。また、ステップ３の後、処理室２０１内からＯ_２ガスを排出するステップ３ｐを行う際に、ノズル２４９ｂよりカウンターガスとして作用するＮ_２ガスを供給するが、このようにしても、Ｎ_２ガスの供給流量によっては、ノズル２４９ｂ内へ微量にＯ_２ガスが侵入してしまうことがある。ノズル２４９ｂ内に侵入したＯ_２ガスは、ノズル２４９ｂ内に残留したＮＨ_３ガスと混合することとなる。Ｏ_２ガスとＮＨ_３ガスとがノズル２４９ｂ内で混合すると、これらのガスが反応することで、ＯＨ基等を含む活性なラジカル等が発生することがある。このラジカルが、ノズル２４９ｂの内壁表面に含まれる金属元素を含む不純物と反応することで、微細なパーティクルが多量に発生することがある。

そこで、本実施形態における成膜シーケンスでは、ノズル２４９ｂ内で生じる上述の反応に起因するパーティクルの発生を抑制するため、各ステップにおけるＮ_２ガスの供給条件等を、例えば以下のように設定することとしている。

まず、ＮＨ_３ガスを供給するステップ２では、ノズル２４９ａおよびノズル２４９ｃのうち少なくともいずれかよりＮ_２ガスを第１の流量にて供給し（Ｃｏｕｎｔｅｒ Ｎ_２）、Ｏ_２ガスを供給するステップ３では、ノズル２４９ｂよりＮ_２ガスを上述の第１の流量よりも大きい（高い、多い）第２の流量で供給する（Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｏｕｎｔｅｒ Ｎ_２）。すなわち、ステップ２においてノズル２４９ａ，２４９ｃより供給するＮ_２ガスの流量（第１の流量）をそれぞれｎ_１（ｓｌｍ）とし、ステップ３においてノズル２４９ｂより供給するＮ_２ガスの流量（第２の流量）をｎ_２（ｓｌｍ）としたとき、ｎ_２＞ｎ_１の関係が成立するように、ＭＦＣ２４１ｄ〜２４１ｆを制御する。カウンターガスとして作用するＮ_２ガスの流量を上述のように設定することで、ステップ３におけるノズル２４９ｂ内へのＯ_２ガスの侵入防止効果を高め、ノズル２４９ｂ内におけるパーティクルの発生を確実に防止できるようになる。なお、ｎ_２≧ｎ_１としても、上述の効果を得ることができる場合がある。但し、ｎ_２＞ｎ_１とする方が、ノズル２４９ｂ内へのＯ_２ガスの侵入防止効果を確実に高めることができる点で、好ましい。

また、ＨＣＤＳガスを供給するステップ１では、ノズル２４９ｂおよびノズル２４９ｃのうち少なくともいずれかよりＮ_２ガスを第３の流量にて供給し（図中、Ｃｏｕｎｔｅｒ Ｎ_２で示す）、Ｏ_２ガスを供給するステップ３では、ノズル２４９ｂよりＮ_２ガスを上述の第３の流量よりも大きい（高い、多い）第２の流量で供給する（Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｏｕｎｔｅｒ Ｎ_２）。上述の第３の流量は、上述の第２の流量よりも小さい（低い、少ない）流量となる。すなわち、ステップ１においてノズル２４９ｂ，２４９ｃより供給するＮ_２ガスの流量（第３の流量）をそれぞれｎ_３（ｓｌｍ）とし、ステップ３においてノズル２４９ｂより供給するＮ_２ガスの流量（第２の流量）をｎ_２（ｓｌｍ）としたとき、ｎ_２＞ｎ_３の関係が成立するように、ＭＦＣ２４１ｄ〜２４１ｆを制御する。カウンターガスとして作用するＮ_２ガスの流量を上述のように設定することで、ステップ３におけるノズル２４９ｂ内へのＯ_２ガスの侵入防止効果を高め、ノズル２４９ｂ内におけるパーティクルの発生を確実に防止できるようになる。なお、ｎ_２≧ｎ_３としても、上述の効果を得ることができる場合がある。但し、ｎ_２＞ｎ_３とする方が、ノズル２４９ｂ内へのＯ_２ガスの侵入防止効果を確実に高めることができる点で、好ましい。

なお、ｎ_２＞ｎ_１、ｎ_２＞ｎ_３とする場合、ｎ_２＞ｎ_１≧ｎ_３とすることができる。すなわち、ｎ_２＞ｎ_１＝ｎ_３とすることもでき、また、ｎ_２＞ｎ_１＞ｎ_３とすることもできる。

また、ｎ_２≧ｎ_１、ｎ_２＞ｎ_３とする場合、ｎ_２≧ｎ_１＞ｎ_３とすることもできる。すなわち、ｎ_１＞ｎ_３とするのであれば、ｎ_２＞ｎ_１とするだけでなく、ｎ_２＝ｎ_１とすることもできる。

また、Ｏ_２ガスを供給するステップ３の後、次にＨＣＤＳガスを供給するステップ１を行うまでの間に、ノズル２４９ｂよりＮ_２ガスを上述の第２の流量にて供給する（図中、Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＰＲＧで示す）。すなわち、Ｏ_２ガスを排出するステップ３ｐにおいてノズル２４９ｂより供給するＮ_２ガスの流量を、ステップ３においてノズル２４９ｂより供給するＮ_２ガスの流量と同等にし、ステップ３〜ステップ３ｐにわたり、ノズル２４９ｂよりＮ_２ガスをｎ_２（ｓｌｍ）の流量で供給し続けるように、ＭＦＣ２４１ｄ〜２４１ｆを制御する。ステップ３ｐにおいてノズル２４９ｂより供給するＮ_２ガスは、上述したように、カウンターガスとして作用する。このガスの流量を上述のように設定することで、ステップ３ｐにおけるノズル２４９ｂ内へのＯ_２ガスの浸入、すなわち、ノズル２４９ｂ内におけるパーティクルの発生を、確実に防止できるようになる。

また、Ｏ_２ガスを供給するステップ３の後、次にＨＣＤＳガスを供給するステップ１を行うまでの間に、ガスの供給を停止した状態でのウエハ２００が存在する空間の真空引きを不実施とする。すなわち、Ｏ_２ガスを排出するステップ３ｐでは、ステップ１ｐで行っていた真空引き（ＶＡＣ）を不実施とし、少なくともノズル２４９ｂからのＮ_２ガスの供給を停止することなく継続しつつ処理室２０１内を排気させるように、バルブ２４３ｅの開閉動作を制御する。ステップ３ｐにおいて上述の真空引きを行うと、ノズル２４９ｂから排気口へと向かうＮ_２ガスの流れが停止してしまい、拡散によりノズル２４９ｂ内等へＯ_２ガスが侵入しやすくなる。これに対し、ステップ３ｐの処理手順を上述のように設定することで、ノズル２４９ｂから排気口へと向かうＮ_２ガスの流れを常に形成することができ、拡散によるノズル２４９ｂ内へのＯ_２ガスの侵入、すなわち、ノズル２４９ｂ内におけるパーティクルの発生を、確実に防止できるようになる。

また、ＮＨ_３ガスを供給するステップ２の後、Ｏ_２ガスを供給するステップ３を行うまでの間に、ノズル２４９ｂよりＮ_２ガスを上述の第２の流量にて供給する（図中、Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＰＲＧで示す）。すなわち、ＮＨ_３ガスを排出するステップ２ｐにおいてノズル２４９ｂより供給するＮ_２ガスの流量を、ステップ３においてノズル２４９ｂより供給するＮ_２ガスの流量と同等にし、ステップ２ｐ〜ステップ３にわたり、ノズル２４９ｂよりＮ_２ガスをｎ_２（ｓｌｍ）の流量で供給し続けるように、ＭＦＣ２４１ｄ〜２４１ｆを制御する。ステップ２ｐにおいてノズル２４９ｂより供給するＮ_２ガスは、上述したように、パージガスとしても作用し、カウンターガスとしても作用する。なお、本実施形態では、ステップ２ｐ〜ステップ３ｐにかけて、ノズル２４９ｂよりＮ_２ガスをｎ_２（ｓｌｍ）の流量（同一の流量）で供給し続けるように、ＭＦＣ２４１ｄ〜２４１ｆを制御する例を示している。このガスの流量を上述のように設定することで、ノズル２４９ｂ内におけるＮＨ_３ガスの残留や、ノズル２４９ｂ内へのＮＨ_３ガスの逆拡散を、確実に防止することが可能となる。結果として、その後に行うステップ３において、ノズル２４９ｂ内におけるパーティクルの発生を確実に防止できるようになる。

また、ＮＨ_３ガスを供給するステップ２の後、Ｏ_２ガスを供給するステップ３を行うまでの間に、ガスの供給を停止した状態でのウエハ２００が存在する空間の真空引きを不実施とする。すなわち、ＮＨ_３ガスを排出するステップ２ｐでは、ステップ１ｐで行っていた真空引き（ＶＡＣ）を不実施とし、少なくともノズル２４９ｂからのＮ_２ガスの供給を停止することなく継続しつつ、処理室２０１内を排気させるように、バルブ２４３ｅの開閉動作を制御する。ステップ２ｐにおいて上述の真空引きを行うと、ノズル２４９ｂ内をパージするＮ_２ガスの流れや、ノズル２４９ｂから排気口へと向かうＮ_２ガスの流れが停止してしまい、ノズル２４９ｂ内にＮＨ_３ガスが残留しやすくなったり、ノズル２４９ｂ内等へＮＨ_３ガスが逆拡散しやすくなったりする。これに対し、ステップ２ｐの処理手順を上述のように設定することで、ノズル２４９ｂから排気口へと向かうＮ_２ガスの流れを常に形成することができ、ノズル２４９ｂ内におけるＮＨ_３ガスの残留や、ノズル２４９ｂ内へのＮＨ_３ガスの逆拡散を、確実に防止することが可能となる。結果として、その後に行うステップ３において、ノズル２４９ｂ内におけるパーティクルの発生を確実に防止できるようになる。

なお、ＨＣＤＳガスを供給するステップ１の後、ＮＨ_３ガスを供給するステップ２を行うまでの間は、上述したように、ガスの供給を停止した状態でのウエハ２００が存在する空間の真空引きを実施する。すなわち、ＨＣＤＳガスを排出するステップ１ｐでは真空引き（ＶＡＣ）を所定時間実施する。ステップ１ｐの処理手順をこのように設定することで、ステップ１ｐにおけるＮ_２ガスの消費量を適正に削減することができ、成膜処理のコストを低減させることが可能となる。

ステップ１，１ｐ、ステップ２，２ｐ、ステップ３，３ｐにおいて、ＭＦＣ２４１ｄ〜２４１ｆで制御するＮ_２ガスの供給流量は、上述した各種条件を任意の組み合わせで満たすようにしつつ、それぞれ、例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とすればよい。例えば、ｎ_１を５００〜１５００ｓｃｃｍとし、ｎ_２を２０００〜１００００ｓｃｃｍとし、ｎ_３を１００〜１０００ｓｃｃｍとするようにしてもよい。各ステップで用いる不活性ガスとしては、Ｎ_２ガスの他、例えば、Ａｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスを用いることができる。

（４）本実施形態による効果
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果が得られる。

（ａ）ＮＨ_３ガスを供給するステップ２では、ノズル２４９ａおよびノズル２４９ｃのうち少なくともいずれかよりＮ_２ガスを第１の流量にて供給し、Ｏ_２ガスを供給するステップ３では、ノズル２４９ｂよりＮ_２ガスを上述の第１の流量よりも大きい第２の流量にて供給することで、ノズル２４９ｂ内におけるパーティクルの発生を確実に防止することができ、成膜処理の品質を向上させることが可能となる。

また、ＨＣＤＳガスを供給するステップ１では、ノズル２４９ｂおよびノズル２４９ｃのうち少なくともいずれかよりＮ_２ガスを第３の流量にて供給し、Ｏ_２ガスを供給するステップ３では、ノズル２４９ｂよりＮ_２ガスを上述の第３の流量よりも大きい第２の流量にて供給することで（このとき上述の第３の流量は、上述の第２の流量よりも小さい流量となる）、ノズル２４９ｂ内におけるパーティクルの発生を確実に防止することができ、成膜処理の品質を向上させることが可能となる。

（ｂ）Ｏ_２ガスを供給するステップ３の後、次にＨＣＤＳガスを供給するステップ１を行うまでの間に、ノズル２４９ｂよりＮ_２ガスを上述の第２の流量にて供給することで、ノズル２４９ｂ内におけるパーティクルの発生を確実に防止することができ、成膜処理の品質を向上させることが可能となる。

また、Ｏ_２ガスを供給するステップ３の後、次にＨＣＤＳガスを供給するステップ１を行うまでの間に、ガスの供給を停止した状態でのウエハ２００が存在する空間の真空引きを不実施とすることで、ノズル２４９ｂ内におけるパーティクルの発生を確実に防止することができ、成膜処理の品質を向上させることが可能となる。

（ｃ）ＮＨ_３ガスを供給するステップ２の後、Ｏ_２ガスを供給するステップ３を行うまでの間に、ノズル２４９ｂよりＮ_２ガスを上述の第２の流量にて供給することで、ノズル２４９ｂ内におけるパーティクルの発生を確実に防止することができ、成膜処理の品質を向上させることが可能となる。

また、ＮＨ_３ガスを供給するステップ２の後、Ｏ_２ガスを供給するステップ３を行うまでの間に、ガスの供給を停止した状態でのウエハ２００が存在する空間の真空引きを不実施とすることで、ノズル２４９ｂ内におけるパーティクルの発生を確実に防止することができ、成膜処理の品質を向上させることが可能となる。

（ｄ）ノズル２４９ｂから供給するＮ_２ガスの供給流量を、特定のステップ３，３ｐ，２ｐにおいてのみ選択的に増加させることで、Ｎ_２ガスの消費量、すなわち、成膜コストの増加を抑制しつつ、上述の効果を効果的に得ることが可能となる。これに対し、上述の効果を効果的に得るために、ノズル２４９ｂから供給するＮ_２ガスの供給流量を、全てのステップ１，１ｐ，２，２ｐ，３，３ｐにおいて常時増加させるようにした場合、Ｎ_２ガスの消費量、すなわち、成膜処理のコスト増加を招いてしまうこととなる。

（ｅ）ステップ１〜３を非同時に行うことで、すなわち、ＨＣＤＳガス、ＮＨ_３ガス、Ｏ_２ガスの供給を同期させることなく非同時に行うことで、これらのガスを、気相反応や表面反応が適正に生じる条件下で、適正に反応に寄与させることができる。結果として、処理室２０１内における過剰な気相反応を回避することができ、パーティクルの発生を確実に防止することができ、成膜処理の品質を向上させることが可能となる。また、ウエハ２００上に形成するＳｉＯＮ膜の段差被覆性、膜厚制御性をそれぞれ向上させることが可能となる。また、ウエハ２００上に形成するＳｉＯＮ膜の組成比の制御性を向上させ、組成比の制御幅を拡大させることも可能となる。

（ｆ）ステップ２，３において、ＮＨ_３ガスやＯ_２ガスを、ＨＣＤＳガスを供給するノズル２４９ａとは異なるノズル２４９ｂ，２４９ｃを介してそれぞれ供給することで、ノズル２４９ａ〜２４９ｃ内におけるＨＣＤＳガスとＯ_２ガスとの気相反応や、ＨＣＤＳガスとＮＨ_３ガスとの気相反応を回避することが可能となる。結果として、ノズル２４９ａ〜２４９ｃ内におけるパーティクルの発生を確実に防止することができ、成膜処理の品質を向上させることが可能となる。

（ｇ）ＨＣＤＳガスを供給するステップ１の後、ＮＨ_３ガスを供給するステップ２を行うまでの間に、ガスの供給を停止した状態でのウエハ２００が存在する空間の真空引きを実施することで、Ｎ_２ガスの消費量を削減し、成膜処理のコストを低減させることが可能となる。

（ｈ）上述の効果は、原料ガスとしてＨＣＤＳガス以外のガスを用いる場合や、窒化ガスとしてＮＨ_３ガス以外のガスを用いる場合や、酸化ガスとしてＯ_２ガス以外のガスを用いる場合や、不活性ガスとしてＮ_２ガス以外のガスを用いる場合にも、同様に得ることができる。

（５）変形例
本実施形態における成膜シーケンスは、図４に示す態様に限定されず、以下に示す変形例のように変更することができる。

例えば、以下に示す成膜シーケンスにより、ウエハ２００上に、シリコン酸炭窒化膜（ＳｉＯＣＮ膜）、シリコン硼酸炭窒化膜（ＳｉＢＯＣＮ膜）を形成するようにしてもよい。すなわち、ステップ１〜３を含むサイクルは、ウエハ２００に対してＣおよびＢのうち少なくともいずれかを含むガスを供給するステップをさらに含んでいてもよい。Ｃソースとしては、例えばＣ_３Ｈ_６ガスを供給するようにしてもよいし、Ｃ_３Ｈ_６ガスの代わりにＴＥＡガスを供給するようにしてもよいし、Ｃ_３Ｈ_６ガスとＴＥＡガスとを同時に供給するようにしてもよい。Ｂソースとしては、例えばＴＭＢガスを供給するようにしてもよいし、ＢＣｌ_３ガスを供給するようにしてもよい。なお、ＴＭＢガスはＣソースとしても作用し、Ｎソースとしても作用するのは上述の通りである。これらの変形例によっても、図４に示す成膜シーケンスと同様の効果を得ることができる。なお、ＢソースとしてＴＭＢガスを用いる変形例で形成する膜は、Ｂを、膜を構成するボラジン環骨格の一構成要素として含むこととなる。そのため、ＢソースとしてＴＭＢガスを用いる変形例は、ＢソースとしてＢＣｌ_３ガスを用いる変形例と比べ、酸化等による膜中からのＢの脱離が少なく、酸化耐性の高い膜を形成することが可能となる点で、好ましい。

（ＨＣＤＳ→Ｃ_３Ｈ_６→ＮＨ_３→Ｏ_２）×ｎ ⇒ ＳｉＯＣＮ膜

（ＨＣＤＳ→ＴＥＡ→ＮＨ_３→Ｏ_２）×ｎ ⇒ ＳｉＯＣＮ膜

（ＨＣＤＳ→ＴＭＢ→ＮＨ_３→Ｏ_２）×ｎ ⇒ ＳｉＢＯＣＮ膜

（ＨＣＤＳ→Ｃ_３Ｈ_６→ＢＣｌ_３→ＮＨ_３→Ｏ_２）×ｎ ⇒ ＳｉＢＯＣＮ膜

また例えば、原料ガスとして、上述した各種シラン原料ガスの他、１，１，２，２−テトラクロロ−１，２−ジメチルジシラン（（ＣＨ_３）_２Ｓｉ_２Ｃｌ_４、略称：ＴＣＤＭＤＳ）ガス等のアルキルハロシラン原料ガス、ビス（トリクロロシリル）メタン（（ＳｉＣｌ_３）_２ＣＨ_２、略称：ＢＴＣＳＭ）ガス等のアルキレンハロシラン原料ガス、１，４−ジシラブタン（Ｓｉ_２Ｃ_２Ｈ_１０、略称：ＤＳＢ）ガス等のアルキレンシラン原料ガス等の有機シラン原料ガス等を用いてもよい。すなわち、原料ガスとして、Ｓｉ−Ｃ結合を有し、Ｃソースとしても作用するシラン原料ガスを用いてもよい。以下、例えばＢＴＣＳＭガス、ＴＣＤＭＤＳガスを原料ガスとして用いた場合の成膜シーケンスを示す。これらの変形例によっても、図４に示す成膜シーケンスと同様の効果を得ることができる。

（ＢＴＣＳＭ→ＮＨ_３→Ｏ_２）×ｎ ⇒ ＳｉＯＣＮ膜

（ＴＣＤＭＤＳ→ＮＨ_３→Ｏ_２）×ｎ ⇒ ＳｉＯＣＮ膜

上述の変形例において、ウエハ２００に対してＣ_３Ｈ_６ガスを供給するステップでは、ＭＦＣ２４１ｂで制御するＣ_３Ｈ_６ガスの供給流量を、例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。処理室２０１内の圧力を、例えば１〜５０００Ｐａ、好ましくは１〜４０００Ｐａの範囲内の圧力とする。また、処理室２０１内におけるＣ_３Ｈ_６ガスの分圧は、例えば０．０１〜４９５０Ｐａの範囲内の圧力とする。Ｃ_３Ｈ_６ガスをウエハ２００に対して供給する時間、すなわち、ガス供給時間（照射時間）は、例えば１〜２００秒、好ましくは１〜１２０秒、より好ましくは１〜６０秒の範囲内の時間とする。その他の処理条件は、例えば、図４に示す成膜シーケンスのステップ２と同様の処理条件とする。Ｃ含有ガスとしては、Ｃ_３Ｈ_６ガスの他、例えば、アセチレン（Ｃ_２Ｈ_２）ガス、エチレン（Ｃ_２Ｈ_４）ガス等の炭化水素系ガスを用いることができる。

また、ウエハ２００に対してＴＥＡガスを供給するステップでは、ＭＦＣ２４１ｂで制御するＴＥＡガスの供給流量を、例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。処理室２０１内の圧力を、例えば１〜５０００Ｐａ、好ましくは１〜４０００Ｐａの範囲内の圧力とする。また、処理室２０１内におけるＴＥＡガスの分圧は、例えば０．０１〜４９５０Ｐａの範囲内の圧力とする。ＴＥＡガスをウエハ２００に対して供給する時間、すなわち、ガス供給時間（照射時間）は、例えば１〜２００秒、好ましくは１〜１２０秒、より好ましくは１〜６０秒の範囲内の時間とする。その他の処理条件は、例えば、図４に示す成膜シーケンスのステップ２と同様の処理条件とする。ＮおよびＣを含むガスとしては、ＴＥＡガスの他、例えば、ジエチルアミン（（Ｃ_２Ｈ_５）_２ＮＨ、略称：ＤＥＡ）ガス、モノエチルアミン（Ｃ_２Ｈ_５ＮＨ_２、略称：ＭＥＡ）ガス等のエチルアミン系ガスや、トリメチルアミン（（ＣＨ_３）_３Ｎ、略称：ＴＭＡ）ガス、ジメチルアミン（（ＣＨ_３）_２ＮＨ、略称：ＤＭＡ）ガス、モノメチルアミン（ＣＨ_３ＮＨ_２、略称：ＭＭＡ）ガス等のメチルアミン系ガス等を用いることができる。

また、ウエハ２００に対してＢＣｌ_３ガスを供給するステップでは、ＭＦＣ２４１ｂで制御するＢＣｌ_３ガスの供給流量を、例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。処理室２０１内におけるＢＣｌ_３ガスの分圧は、例えば０．０１〜２６４０Ｐａの範囲内の圧力とする。その他の処理条件は、例えば、図４に示す成膜シーケンスのステップ１と同様の処理条件とする。Ｂ含有ガスとしては、ＢＣｌ_３ガスの他、モノクロロボラン（ＢＣｌＨ_２）ガス、ジクロロボラン（ＢＣｌ_２Ｈ）ガス、トリフルオロボラン（ＢＦ_３）ガス、トリブロモボラン（ＢＢｒ_３）ガス、ジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）ガス等を用いることができる。

また、ウエハ２００に対してＴＭＢガスを供給するステップでは、ＭＦＣ２４１ｂで制御するＴＭＢガスの供給流量を、例えば１〜１０００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。処理室２０１内におけるＴＭＢガスの分圧は、例えば０．０００１〜２４２４Ｐａの範囲内の圧力とする。その他の処理条件は、例えば、図４に示す成膜シーケンスのステップ１と同様の処理条件とする。ボラジン環骨格を含むＢ含有ガスとしては、ＴＭＢガスの他、例えば、ＴＥＢガス、ＴＰＢガス、ＴＩＰＢガス、ＴＢＢガス、ＴＩＢＢガス等を用いることができる。

その他のステップにおける処理手順、処理条件は、例えば、図４に示す成膜シーケンスにおける各ステップの処理手順、処理条件と同様とすることができる。

＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

例えば、上述の実施形態では、処理容器内に３本のノズル２４９ａ〜２４９ｃを設け、各ノズルを介してＨＣＤＳガス、ＮＨ_３ガス、Ｏ_２ガスを供給するようにしたが、本発明はこのような態様に限定されない。例えば、図８に示す基板処理装置のように、処理容器内に２本のノズル２４９ａ，２４９ｂを設け、ノズル２４９ａにガス供給管２３２ａ，２３２ｃを接続し、ノズル２４９ｂにガス供給管２３２ｂを接続するようにしてもよい。すなわち、ノズル２４９ａを介してＨＣＤＳガスおよびＯ_２ガスを供給し、ノズル２４９ｂを介してＮＨ_３ガスを供給するようにしてもよい。

この場合、図５に示す成膜シーケンスのように、
ウエハ２００に対してノズル２４９ａを介してＨＣＤＳガスを供給するステップ１と、
ウエハ２００に対してノズル２４９ｂを介してＮＨ_３ガスを供給するステップ２と、
ウエハ２００に対してノズル２４９ａを介してＯ_２ガスを供給するステップ３と、
を非同時に行うサイクルを所定回数（１回以上）行うことで、ウエハ２００上にＳｉＯＮ膜を形成することができる。

このように、ＮＨ_３ガスとＯ_２ガスとを別々のノズルから供給する成膜シーケンスでは、上述の実施形態と同様に、ＮＨ_３ガスを供給するノズル２４９ｂ内においてパーティクルが発生しやすくなる場合がある。これに対し、各ステップにおけるＮ_２ガスの供給条件を上述の実施形態の供給条件と同様に設定することで、上述の実施形態と同様の効果が得られることとなる。すなわち、ＮＨ_３ガスを供給するステップ２では、ノズル２４９ａよりＮ_２ガスを第１の流量にて供給し、Ｏ_２ガスを供給するステップ３では、ノズル２４９ｂよりＮ_２ガスを第１の流量よりも大きい第２の流量にて供給すること等により、ノズル２４９ｂ内におけるパーティクルの発生を確実に回避することができ、成膜処理の品質を向上させることが可能となる。なお、図８に示す基板処理装置を用いる場合、その構造を簡素化することができ、装置の製造コストやメンテナンスコストを低減させることが可能となる点で、好ましい。また、これらのガスを別々のノズルから供給する図１に示す基板処理装置を用いる場合、ノズル２４９ａ内におけるＨＣＤＳガスとＯ_２ガスとの気相反応をより確実に回避することが可能となる点で、好ましい。

また例えば、上述の実施形態では、酸窒化膜を形成する際に、原料ガスを供給した後、反応ガス（酸化ガス、窒化ガス）を供給する例について説明した。本発明はこのような形態に限定されず、原料ガス、反応ガスの供給順序は逆でもよい。すなわち、反応ガスを供給した後、原料ガスを供給するようにしてもよい。供給順序を変えることにより、形成される薄膜の膜質や組成比を変化させることが可能となる。また、複数種の反応ガスの供給順序は任意に変更することが可能である。反応ガスの供給順序を変えることにより、形成される薄膜の膜質や組成比を変化させることが可能となる。

図４、図５に示す成膜シーケンスや各変形例の手法により形成したシリコン系絶縁膜を、サイドウォールスペーサとして使用することにより、リーク電流が少なく、加工性に優れたデバイス形成技術を提供することが可能となる。また、上述のシリコン系絶縁膜を、エッチストッパーとして使用することにより、加工性に優れたデバイス形成技術を提供することが可能となる。また、図４、図５に示す成膜シーケンスや各変形例によれば、プラズマを用いず、理想的量論比のシリコン系絶縁膜を形成することができる。プラズマを用いずシリコン系絶縁膜を形成できることから、例えばＤＰＴのＳＡＤＰ膜等、プラズマダメージを懸念する工程への適応も可能となる。

上述の成膜シーケンスは、ウエハ２００上に、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の金属元素を含む酸窒化膜、すなわち、金属系の酸窒化膜を形成する場合においても、好適に適用可能である。例えば、原料ガスとしてチタニウムテトラクロライド（ＴｉＣｌ_４）ガスを用いる場合、以下に示す成膜シーケンスにより、ウエハ上に、ＴｉＯＮ膜、ＴｉＯＣＮ膜、ＴｉＢＯＣＮ膜等を形成することができる。

（ＴｉＣｌ_４→ＮＨ_３→Ｏ_２）×ｎ ⇒ ＴｉＯＮ膜

（ＴｉＣｌ_４→Ｃ_３Ｈ_６→ＮＨ_３→Ｏ_２）×ｎ ⇒ ＴｉＯＣＮ膜

（ＴｉＣｌ_４→ＴＥＡ→ＮＨ_３→Ｏ_２）×ｎ ⇒ ＴｉＯＣＮ膜

（ＴｉＣｌ_４→ＴＭＢ→ＮＨ_３→Ｏ_２）×ｎ ⇒ ＴｉＢＯＣＮ膜

（ＴｉＣｌ_４→Ｃ_３Ｈ_６→ＢＣｌ_３→ＮＨ_３→Ｏ_２）×ｎ ⇒ ＴｉＢＯＣＮ膜

すなわち、本発明は、例えば、ＴｉＯＮ膜、ＴｉＯＣＮ膜、ＴｉＢＯＣＮ膜、ＺｒＯＮ膜、ＺｒＯＣＮ膜、ＺｒＢＯＣＮ膜、ＨｆＯＮ膜、ＨｆＯＣＮ膜、ＨｆＢＯＣＮ膜、ＴａＯＮ膜、ＴａＯＣＮ膜、ＴａＢＯＣＮ膜、ＮｂＯＮ膜、ＮｂＯＣＮ膜、ＮｂＢＯＣＮ膜、ＡｌＯＮ膜、ＡｌＯＣＮ膜、ＡｌＢＯＣＮ膜、ＭｏＯＮ膜、ＭｏＯＣＮ膜、ＭｏＢＯＣＮ膜、ＷＯＮ膜、ＷＯＣＮ膜、ＷＢＯＣＮ膜等の金属系の酸窒化膜を形成する場合にも、好適に適用することができる。

これらの場合、原料ガスとして、上述の実施形態におけるＳｉ等の半導体元素を含む原料ガスの代わりに、金属元素を含む原料ガスを用いることができる。反応ガスとしては、上述の実施形態と同様のガスを用いることができる。このときの処理手順、処理条件は、例えば上述の実施形態と同様な処理手順、処理条件とすることができる。

すなわち、本発明は、半導体元素や金属元素等の所定元素を含む酸窒化膜を形成する場合に好適に適用することができる。

これらの各種薄膜の形成に用いられるプロセスレシピ（基板処理の処理手順や処理条件等が記載されたプログラム）は、基板処理の内容（形成する薄膜の膜種、組成比、膜質、膜厚、処理手順、処理条件等）に応じて、それぞれ個別に用意する（複数用意する）ことが好ましい。以下、プロセスレシピを単にレシピともいう。そして、基板処理を開始する際、基板処理の内容に応じて、複数のレシピの中から、適正なレシピを適宜選択することが好ましい。具体的には、基板処理の内容に応じて個別に用意された複数のレシピを、電気通信回線や当該レシピを記録した記録媒体（外部記憶装置１２３）を介して、基板処理装置が備える記憶装置１２１ｃ内に予め格納（インストール）しておくことが好ましい。そして、基板処理を開始する際、基板処理装置が備えるＣＰＵ１２１ａが、記憶装置１２１ｃ内に格納された複数のレシピの中から、基板処理の内容に応じて、適正なレシピを適宜選択することが好ましい。このように構成することで、１台の基板処理装置で様々な膜種、組成比、膜質、膜厚の薄膜を汎用的に、かつ、再現性よく形成することができるようになる。また、オペレータの操作負担（処理手順や処理条件等の入力負担等）を低減でき、操作ミスを回避しつつ、基板処理を迅速に開始できるようになる。

上述のプロセスレシピは、新たに作成する場合に限らず、例えば、基板処理装置に既にインストールされていた既存のレシピを変更することで用意してもよい。レシピを変更する場合は、変更後のレシピを、電気通信回線や当該レシピを記録した記録媒体を介して、基板処理装置にインストールしてもよい。また、既存の基板処理装置が備える入出力装置１２２を操作し、基板処理装置に既にインストールされていた既存のレシピを直接変更するようにしてもよい。

上述の実施形態では、一度に複数枚の基板を処理するバッチ式の基板処理装置を用いて薄膜を形成する例について説明した。本発明は上述の実施形態に限定されず、例えば、一度に１枚または数枚の基板を処理する枚葉式の基板処理装置を用いて薄膜を形成する場合にも、好適に適用できる。また、上述の実施形態では、ホットウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて薄膜を形成する例について説明した。本発明は上述の実施形態に限定されず、コールドウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて薄膜を形成する場合にも、好適に適用できる。これらの場合においても、処理手順、処理条件は、例えば上述の実施形態と同様な処理手順、処理条件とすることができる。

例えば、図９に示す処理炉３０２を備えた基板処理装置を用いて膜を形成する場合にも、本発明は好適に適用できる。処理炉３０２は、処理室３０１を形成する処理容器３０３と、処理室３０１内へガスをシャワー状に供給するガス供給部としてのシャワーヘッド３０３ｓと、１枚または数枚のウエハ２００を水平姿勢で支持する支持台３１７と、支持台３１７を下方から支持する回転軸３５５と、支持台３１７に設けられたヒータ３０７と、を備えている。シャワーヘッド３０３ｓのインレット（ガス導入口）には、上述の原料ガスやＯ含有ガス等を供給するガス供給ポート３３２ａと、上述のＮ含有ガス等を供給するガス供給ポート３３２ｂと、が接続されている。ガス供給ポート３３２ａには、上述の実施形態の原料ガス供給系やＯ含有ガス供給系や不活性ガス供給系等と同様のガス供給系が接続されている。ガス供給ポート３３２ｂには、上述の実施形態のＮ含有ガス供給系や不活性ガス供給系等と同様のガス供給系が接続されている。シャワーヘッド３０３ｓ内には、例えば、ガス供給ポート３３２ａに連通し、原料ガスやＯ含有ガス等を流通させる第１の流路と、ガス供給ポート３３２ｂに連通し、Ｎ含有ガス等を流通させる第２の経路と、が設けられている。第１の流路と第２の流路とは、シャワーヘッド３０３ｓ内においては、連通することなく別々に（別個に）設けられている。シャワーヘッド３０３ｓのアウトレット（ガス排出口）には、処理室３０１内にガスをシャワー状に供給するガス分散板が設けられている。シャワーヘッド３０３ｓは、処理室３０１内に搬入されたウエハ２００の表面と対向（対面）する位置に設けられている。処理容器３０３には、処理室３０１内を排気する排気ポート３３１が設けられている。排気ポート３３１には、上述の実施形態の排気系と同様の排気系が接続されている。

また例えば、図１０に示す処理炉４０２を備えた基板処理装置を用いて膜を形成する場合にも、本発明は好適に適用できる。処理炉４０２は、処理室４０１を形成する処理容器４０３と、１枚または数枚のウエハ２００を水平姿勢で支持する支持台４１７と、支持台４１７を下方から支持する回転軸４５５と、処理容器４０３内のウエハ２００に向けて光照射を行うランプヒータ４０７と、ランプヒータ４０７の光を透過させる石英窓４０３ｗと、を備えている。処理容器４０３には、上述の原料ガスやＯ含有ガス等を供給するガス供給ポート４３２ａと、上述のＮ含有ガス等を供給するガス供給部としてのガス供給ポート４３２ｂと、が接続されている。ガス供給ポート４３２ａには、上述の実施形態の原料ガス供給系やＯ含有ガス供給系や不活性ガス供給系等と同様のガス供給系が接続されている。ガス供給ポート４３２ｂには、上述の実施形態のＮ含有ガス供給系や不活性ガス供給系等と同様のガス供給系が接続されている。ガス供給ポート４３２ａ，４３２ｂは、処理室４０１内に搬入されたウエハ２００の端部の側方、すなわち、処理室４０１内に搬入されたウエハ２００の表面と対向しない位置にそれぞれ設けられている。処理容器４０３には、処理室４０１内を排気する排気ポート４３１が設けられている。排気ポート４３１には、上述の実施形態の排気系と同様の排気系が接続されている。

これらの基板処理装置を用いる場合においても、上述の実施形態や変形例と同様なシーケンス、処理条件にて成膜を行うことができる。

また、上述の実施形態や変形例等は、適宜組み合わせて用いることができる。また、このときの処理条件は、例えば上述の実施形態と同様な処理条件とすることができる。

以下、上述の実施形態や変形例で得られる効果を裏付ける実験結果について説明する。

（実施例１）
図８に示す基板処理装置を用い、図５に示す成膜シーケンスにより、複数枚のウエハ上にＳｉＯＮ膜を形成した。原料ガスとしてはＨＣＤＳガスを、窒化ガスとしてはＮＨ_３ガスを、酸化ガスとしてはＯ_２ガスを、不活性ガスとしてはＮ_２ガスを用いた。ＨＣＤＳガスおよびＯ_２ガスは第１のノズルを介して供給し、ＮＨ_３ガスは第２のノズルを介して供給した。ＨＣＤＳガスの供給流量は０．２〜０．５ｓｌｍの範囲内の流量とし、ＮＨ_３ガスの供給流量は４〜６ｓｌｍの範囲内の流量とし、Ｏ_２ガスの供給流量は２〜３ｓｌｍの範囲内の流量とした。ＮＨ_３ガスを供給するステップでは、第１のノズルよりＮ_２ガスを０．３〜０．５ｓｌｍの範囲内の流量（第１の流量）にて供給し、Ｏ_２ガスを供給するステップでは、第２のノズルよりＮ_２ガスを１．５〜２ｓｌｍの範囲内の流量（第２の流量）で供給した。すなわち、第２の流量を、第１の流量の３倍〜６倍の範囲内の流量に設定した。ウエハの温度は６５０〜７００℃の範囲内の温度とし、サイクルの実施回数は５０〜１００回の範囲内の回数とした。他の処理条件は、上述の実施形態に記載の処理条件範囲内の条件とした。そして、成膜前、成膜後の両タイミングで、ウエハ表面に付着しているパーティクルの数を測定した。

図６（ａ）〜図６（ｃ）は、ウエハ表面におけるパーティクル数の測定結果をそれぞれ示す図である。これらの図中における「ＴＯＰ」、「ＣＥＮＴＥＲ」、「ＢＯＴＴＯＭ」とは、それぞれ、ボート内におけるウエハの位置（順に、ボートの上部、中央部、下部）を示している。また、「Ｓｉｚｅ」とはパーティクルの外径を示している。また、「Ｐｒｅ」とは成膜前にウエハ表面で観測されたパーティクルの数を、「Ｐｏｓｔ」とは成膜後にウエハ表面で観測されたパーティクルの数を、「Δ」とはこれらの差分を、「Ｔｏｔａｌ」とは「Ｐｒｅ」、「Ｐｏｓｔ」、「Δ」におけるパーティクル数の合計をそれぞれ示している。また、「Ｐｏｓｔ Ｍａｐ」に示した図は、成膜後のウエハ表面の様子を示している。

これらの図によれば、成膜処理後のウエハ表面で観測されたパーティクルの数は極めて少ないことが分かる。これは、ＮＨ_３ガスを供給するステップでは、第１のノズルよりＮ_２ガスを第１の流量にて供給し、Ｏ_２ガスを供給するステップでは、第２のノズルよりＮ_２ガスを第１の流量よりも大きい第２の流量で供給することで、第２のノズル内におけるパーティクルの発生を確実に防止できたためと考えられる。上述したように、発明者等が行った他の評価（比較例）によれば、Ｏ_２ガスを供給するステップで第２のノズルより供給するＮ_２ガスの流量を、ＮＨ_３ガスを供給するステップで第１のノズルより供給するＮ_２ガスの流量未満の流量とした場合、第２のノズル内でパーティクルが多量に発生する場合があることを確認している。なお、発明者等は、実施例で形成したＳｉＯＮ膜の面内膜厚均一性は０．８３％であり、比較例で形成したＳｉＯＮ膜の面内膜厚均一性と同等であることを確認している。すなわち、発明者等は、第２ノズルから供給するＮ_２ガスの流量を上述のように設定しても、ＳｉＯＮ膜の面内膜厚均一性を維持できることを確認している。ここで、面内膜厚均一性（±％）とは、｛（ウエハ面内における膜厚最大値−ウエハ面内における膜厚最小値）／（２×ウエハ面内における膜厚平均値）｝×１００で定義される値であり、その値が小さいほど、ウエハ面内における膜厚が均一であることを示している。

（実施例２）
図８に示す基板処理装置を用い、図５に示す成膜シーケンスにより、複数枚のウエハ上にＳｉＯＮ膜を形成する成膜処理を複数回行った。成膜処理を行う度に、Ｏ_２ガスを供給するステップで第２のノズルから供給するＮ_２ガス（以下、カウンターＮ_２ガスともいう）の供給流量を、０．５ｓｌｍ、１ｓｌｍ、２ｓｌｍ、５ｓｌｍと変化させた。いずれの場合も、成膜処理を行う際にウエハの回転は行わなかった。他の処理条件は、実施例１と同様とした。そして、成膜前、成膜後の両タイミングで、ウエハ表面に付着しているパーティクルの数を測定した。

図７（ａ）は、ウエハ表面におけるパーティクル数の測定結果を示す図である。図７（ａ）の縦軸は、成膜前にウエハ表面で観測されたパーティクルの数と、成膜後にウエハ表面で観測されたパーティクルの数と、の差分（個）を示している。図７（ａ）の横軸は、カウンターＮ_２ガスの流量（ｓｌｍ）を示している。図７（ｂ）は、カウンターＮ_２ガスの流量を０．５ｓｌｍとした場合における成膜後のウエハ表面の様子を示す図である。図７（ｃ）は、カウンターＮ_２ガスの流量を５ｓｌｍとした場合における成膜後のウエハ表面の様子を示す図である。図７（ｄ）は、ウエハ表面におけるパーティクル数の測定結果（破線）と、シミュレーション結果（実線）と、を対比して示す図である。

これらの図に示すように、カウンターＮ_２ガスの供給流量を０．５ｓｌｍとした場合、ウエハ表面には多量のパーティクルが付着することとなり、成膜前後におけるパーティクル数の差分は３４００個以上となることが分かる。パーティクルの面内分布から、このとき観察されたパーティクルは第２のノズル内で発生したものであることも分かる。カウンターＮ_２ガスの供給流量を１ｓｌｍとした場合、カウンターＮ_２ガスの供給流量を０．５ｓｌｍとした場合に比べ、ウエハ表面に吸着するパーティクルの量を１／４程度にまで減らすことができることが分かる。カウンターＮ_２ガスの供給流量を２ｓｌｍ以上とした場合、ウエハ表面に吸着するパーティクルの量を大幅に減らすことができ、カウンターＮ_２ガスの供給流量を５ｓｌｍ以上とした場合、成膜前後におけるパーティクル数の差分は数個程度となることが分かる。なお、これらの観測結果は、図７（ｄ）にて実線で示すシミュレーション結果と精度よく一致していることが分かる。なお、発明者等は、カウンターＮ_２ガスの供給流量を５ｓｌｍとした場合のＳｉＯＮ膜は、カウンターＮ_２ガスの供給流量を０．５ｓｌｍとした場合のＳｉＯＮ膜と、同等の面内膜厚均一性を有すること、すなわち、カウンターＮ_２ガスの流量を増加させてもＳｉＯＮ膜の面内膜厚均一性を維持できることを確認している。

＜本発明の好ましい態様＞
以下、本発明の好ましい態様について付記する。

（付記１）
本発明の一態様によれば、
基板に対して第１のノズルを介して原料ガスを供給する工程と、
前記基板に対して第２のノズルを介して窒化ガスを供給する工程と、
前記基板に対して第３のノズルを介して酸化ガスを供給する工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に酸窒化膜を形成する工程を有し、
前記窒化ガスを供給する工程では、前記第１のノズルおよび前記第３のノズルのうち少なくともいずれかより不活性ガスを第１の流量にて供給し、前記酸化ガスを供給する工程では、前記第２のノズルより不活性ガスを前記第１の流量よりも大きい第２の流量にて供給する半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。

（付記２）
付記１に記載の方法であって、好ましくは、
前記原料ガスを供給する工程では、前記第２のノズルおよび前記第３のノズルのうち少なくともいずれかより不活性ガスを前記第２の流量よりも小さい第３の流量にて供給する。すなわち、前記酸化ガスを供給する工程では、前記第２のノズルより不活性ガスを前記第３の流量よりも大きい前記第２の流量にて供給する。

（付記３）
付記１または２に記載の方法であって、好ましくは、
前記酸化ガスを供給する工程の後、次に前記原料ガスを供給する工程を行うまでの間に、前記第２のノズルより不活性ガスを前記第２の流量にて供給する。

（付記４）
付記１乃至３のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記窒化ガスを供給する工程の後、前記酸化ガスを供給する工程を行うまでの間に、前記第２のノズルより不活性ガスを前記第２の流量にて供給する。

（付記５）
付記１乃至４のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記酸化ガスを供給する工程の後、次に前記原料ガスを供給する工程を行うまでの間に、ガスの供給を停止した状態での前記基板が存在する空間の真空引きを不実施とする。

（付記６）
付記１乃至５のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記窒化ガスを供給する工程の後、前記酸化ガスを供給する工程を行うまでの間に、ガスの供給を停止した状態での前記基板が存在する空間の真空引きを不実施とする。

（付記７）
付記１乃至６のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記原料ガスを供給する工程の後、前記窒化ガスを供給する工程を行うまでの間に、ガスの供給を停止した状態での前記基板が存在する空間の真空引きを実施する。

（付記８）
付記１乃至７のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第１のノズルおよび前記第３のノズルは前記第２のノズルとは異なるノズルである。

（付記９）
付記１乃至８のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第１のノズルは、前記第２のノズルとは異なるノズルであり、前記第３のノズルと同一のノズルである。

（付記１０）
付記１乃至９のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第３の流量は前記第１の流量以下の流量である。

（付記１１）
付記１乃至９のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第３の流量は前記第１の流量と同等の流量である。

（付記１２）
付記１乃至９のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第３の流量は前記第１の流量よりも小さい（低い、少ない）流量である。

（付記１３）
本発明の他の態様によれば、
基板に対して第１のノズルを介して原料ガスを供給する工程と、
前記基板に対して第２のノズルを介して窒化ガスを供給する工程と、
前記基板に対して前記第１のノズルを介して酸化ガスを供給する工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に酸窒化膜を形成する工程を有し、
前記窒化ガスを供給する工程では、前記第１のノズルより不活性ガスを第１の流量にて供給し、前記酸化ガスを供給する工程では、前記第２のノズルより不活性ガスを前記第１の流量よりも大きい第２の流量にて供給する半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。

（付記１４）
本発明のさらに他の態様によれば、
基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板に対して第１のノズルを介して原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して第２のノズルを介して窒化ガスを供給する窒化ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して第３のノズルを介して酸化ガスを供給する酸化ガス供給系と、
前記処理室内へ前記第１のノズル、前記第２のノズル、および前記第３のノズルのうち少なくともいずれかを介して不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記第１のノズルを介して前記原料ガスを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記第２のノズルを介して前記窒化ガスを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記第３のノズルを介して前記酸化ガスを供給する処理と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に酸窒化膜を形成する処理を行わせ、前記窒化ガスを供給する処理では、前記第１のノズルおよび前記第３のノズルのうち少なくともいずれかより不活性ガスを第１の流量にて供給し、前記酸化ガスを供給する処理では、前記第２のノズルより不活性ガスを前記第１の流量よりも大きい第２の流量にて供給するように、前記原料ガス供給系、前記窒化ガス供給系、前記酸化ガス供給系、および前記不活性ガス供給系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。

（付記１５）
本発明のさらに他の態様によれば、
基板に対して第１のノズルを介して原料ガスを供給する手順と、
前記基板に対して第２のノズルを介して窒化ガスを供給する手順と、
前記基板に対して第３のノズルを介して酸化ガスを供給する手順と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に酸窒化膜を形成する手順をコンピュータに実行させ、
前記窒化ガスを供給する手順では、前記第１のノズルおよび前記第３のノズルのうち少なくともいずれかより不活性ガスを第１の流量にて供給し、前記酸化ガスを供給する手順では、前記第２のノズルより不活性ガスを前記第１の流量よりも大きい第２の流量にて供給するプログラム、または、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。

１２１ コントローラ（制御部）
２００ ウエハ（基板）
２０１ 処理室
２０２ 処理炉
２０３ 反応管
２０７ ヒータ
２３１ 排気管
２３２ａ〜２３２ｆ ガス供給管

Claims (14)

1. 基板に対して第１のノズルを介して原料ガスを供給する工程と、
   前記基板に対して第２のノズルを介して窒化ガスを供給する工程と、
   前記基板に対して第３のノズルを介して酸化ガスを供給する工程と、
   を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に酸窒化膜を形成する工程を有し、
   前記窒化ガスを供給する工程では、前記第１のノズルおよび前記第３のノズルのうち少なくともいずれかより不活性ガスを第１の流量にて供給し、前記酸化ガスを供給する工程では、前記第２のノズルより不活性ガスを前記第１の流量よりも大きい第２の流量にて供給し、
   前記酸化ガスを供給する工程の後、次に前記原料ガスを供給する工程を行うまでの間に、前記第２のノズルより不活性ガスを前記第２の流量にて供給する半導体装置の製造方法。
2. 前記原料ガスを供給する工程では、前記第２のノズルおよび前記第３のノズルのうち少なくともいずれかより不活性ガスを前記第２の流量よりも小さい第３の流量にて供給する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記窒化ガスを供給する工程の後、前記酸化ガスを供給する工程を行うまでの間に、前記第２のノズルより不活性ガスを前記第２の流量にて供給する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記酸化ガスを供給する工程の後、次に前記原料ガスを供給する工程を行うまでの間に、ガスの供給を停止した状態での前記基板が存在する空間の真空引きを不実施とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記窒化ガスを供給する工程の後、前記酸化ガスを供給する工程を行うまでの間に、ガスの供給を停止した状態での前記基板が存在する空間の真空引きを不実施とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記原料ガスを供給する工程の後、前記窒化ガスを供給する工程を行うまでの間に、ガスの供給を停止した状態での前記基板が存在する空間の真空引きを実施する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記第１のノズルおよび前記第３のノズルは前記第２のノズルとは異なるノズルである請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記第１のノズルは、前記第２のノズルとは異なるノズルであり、前記第３のノズルと同一のノズルである請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記第３の流量は前記第１の流量以下の流量である請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
10. 基板に対して第１のノズルを介して原料ガスを供給する工程と、
    前記基板に対して第２のノズルを介して窒化ガスを供給する工程と、
    前記基板に対して第３のノズルを介して酸化ガスを供給する工程と、
    を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に酸窒化膜を形成する工程を有し、
    前記窒化ガスを供給する工程では、前記第１のノズルおよび前記第３のノズルのうち少なくともいずれかより不活性ガスを第１の流量にて供給し、前記酸化ガスを供給する工程では、前記第２のノズルより不活性ガスを前記第１の流量よりも大きい第２の流量にて供給し、
    前記窒化ガスを供給する工程の後、前記酸化ガスを供給する工程を行うまでの間に、前記第２のノズルより不活性ガスを前記第２の流量にて供給する半導体装置の製造方法。
11. 基板を収容する処理室と、
    前記処理室内の基板に対して第１のノズルを介して原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
    前記処理室内の基板に対して第２のノズルを介して窒化ガスを供給する窒化ガス供給系と、
    前記処理室内の基板に対して第３のノズルを介して酸化ガスを供給する酸化ガス供給系と、
    前記処理室内へ前記第１のノズル、前記第２のノズル、および前記第３のノズルのうち少なくともいずれかを介して不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、
    前記処理室内の基板に対して前記第１のノズルを介して前記原料ガスを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記第２のノズルを介して前記窒化ガスを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記第３のノズルを介して前記酸化ガスを供給する処理と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に酸窒化膜を形成する処理を行わせ、前記窒化ガスを供給する処理では、前記第１のノズルおよび前記第３のノズルのうち少なくともいずれかより不活性ガスを第１の流量にて供給し、前記酸化ガスを供給する処理では、前記第２のノズルより不活性ガスを前記第１の流量よりも大きい第２の流量にて供給し、前記酸化ガスを供給する処理の後、次に前記原料ガスを供給する処理を行うまでの間に、前記第２のノズルより不活性ガスを前記第２の流量にて供給するように、前記原料ガス供給系、前記窒化ガス供給系、前記酸化ガス供給系、および前記不活性ガス供給系を制御するよう構成される制御部と、
    を有する基板処理装置。
12. 基板を収容する処理室と、
    前記処理室内の基板に対して第１のノズルを介して原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
    前記処理室内の基板に対して第２のノズルを介して窒化ガスを供給する窒化ガス供給系と、
    前記処理室内の基板に対して第３のノズルを介して酸化ガスを供給する酸化ガス供給系と、
    前記処理室内へ前記第１のノズル、前記第２のノズル、および前記第３のノズルのうち少なくともいずれかを介して不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、
    前記処理室内の基板に対して前記第１のノズルを介して前記原料ガスを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記第２のノズルを介して前記窒化ガスを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記第３のノズルを介して前記酸化ガスを供給する処理と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に酸窒化膜を形成する処理を行わせ、前記窒化ガスを供給する処理では、前記第１のノズルおよび前記第３のノズルのうち少なくともいずれかより不活性ガスを第１の流量にて供給し、前記酸化ガスを供給する処理では、前記第２のノズルより不活性ガスを前記第１の流量よりも大きい第２の流量にて供給し、前記窒化ガスを供給する処理の後、前記酸化ガスを供給する処理を行うまでの間に、前記第２のノズルより不活性ガスを前記第２の流量にて供給するように、前記原料ガス供給系、前記窒化ガス供給系、前記酸化ガス供給系、および前記不活性ガス供給系を制御するよう構成される制御部と、
    を有する基板処理装置。
13. 基板処理装置の処理室内の基板に対して第１のノズルを介して原料ガスを供給する手順と、
    前記基板に対して第２のノズルを介して窒化ガスを供給する手順と、
    前記基板に対して第３のノズルを介して酸化ガスを供給する手順と、
    を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に酸窒化膜を形成する手順をコンピュータにより前記基板処理装置に実行させ、
    前記窒化ガスを供給する手順では、前記第１のノズルおよび前記第３のノズルのうち少なくともいずれかより不活性ガスを第１の流量にて供給し、前記酸化ガスを供給する手順では、前記第２のノズルより不活性ガスを前記第１の流量よりも大きい第２の流量にて供給し、前記酸化ガスを供給する手順の後、次に前記原料ガスを供給する手順を行うまでの間に、前記第２のノズルより不活性ガスを前記第２の流量にて供給するプログラム。
14. 基板処理装置の処理室内の基板に対して第１のノズルを介して原料ガスを供給する手順と、
    前記基板に対して第２のノズルを介して窒化ガスを供給する手順と、
    前記基板に対して第３のノズルを介して酸化ガスを供給する手順と、
    を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に酸窒化膜を形成する手順をコンピュータにより前記基板処理装置に実行させ、
    前記窒化ガスを供給する手順では、前記第１のノズルおよび前記第３のノズルのうち少なくともいずれかより不活性ガスを第１の流量にて供給し、前記酸化ガスを供給する手順では、前記第２のノズルより不活性ガスを前記第１の流量よりも大きい第２の流量にて供給し、前記窒化ガスを供給する手順の後、前記酸化ガスを供給する手順を行うまでの間に、前記第２のノズルより不活性ガスを前記第２の流量にて供給するプログラム。