JP6322840B2 - レジスト膜除去方法、レジスト膜除去装置及び記憶媒体 - Google Patents

Description

本発明は、基板の直線に沿った領域のレジスト膜を除去するレジスト膜除去方法、レジスト膜除去装置及び記憶媒体に関する。

半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィ工程では、半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、前記レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理（パターン露光処理）、露光されたレジスト膜を現像する現像処理の一連の処理が順次行われ、前記レジスト膜に所定のレジストパターンが形成される。例えばレジスト塗布処理及び現像処理は、塗布、現像装置にて、パターン露光処理は塗布、現像装置に接続される露光装置にて夫々行われる。

このフォトリソグラフィ工程において、ウエハの外周に形成される切り欠き（ノッチ）付近を直線に沿って露光し、然る後、現像処理により露光された直線領域のレジスト膜の除去を行うことが検討されている。

特許文献１には上記の塗布、現像装置に設けられる、ウエハの周縁部を当該ウエハの周に沿って露光するための周縁露光モジュールが示されており、上記の直線領域の露光は例えばこの周縁露光モジュールを用いて行うことが検討されている。また、直線領域の露光を行うにあたってはウエハの面内の半導体デバイスの形成領域への影響を防ぐため、露光される位置について精度高く制御し、それによってレジスト膜が除去される領域の形状を精度高く制御することが求められている。なお、上記の特許文献１においては、直線領域を露光する技術について記載されていない。

また、従来は、現像されたウエハを前記塗布、現像装置の外部に設けられる測定器へ搬送して、測定を行うことでウエハにおいて露光される位置が適切か否かを判定し、その判定に応じて、モジュールの動作を補正していた。しかし、そのようにウエハを測定器に搬送することは手間であるし、補正が行われるまでに長い時間を要してしまうおそれがある。

特開２０１４−９１１０５号公報

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、外周に切り欠きが形成された基板において直線領域のレジスト膜の除去を行うにあたり、レジスト膜が除去される領域の形状を精度高く制御できる技術を提供することである。

本発明のレジスト膜除去方法は、
外周に切り欠きが各々形成されると共に表面に各々レジスト膜が形成された第１の基板及び
第２の基板のうちの第１の基板の第１の領域に、基板を局所的に露光するための光の照射領域を配置し、当該第１の領域を露光する工程と、
前記第１の基板を撮像して画像データを取得し、この画像データに基づいて当該基板が露光された位置と、前記切り欠きの位置と、基板の中心位置との関係についての位置データを取得する工程と、
前記第２の基板について、前記位置データに基づいて前記第１の領域に対応する領域からその位置が補正された第２の領域に前記照射領域を位置させる工程と、
前記第２の基板に対して前記照射領域を相対的に移動させて、前記第２の領域を含む直線領域を露光する工程と、
前記基板を現像し、前記直線領域のレジスト膜を除去する工程と、
を含むことを特徴とする。

本発明のレジスト膜除去装置は、外周に切り欠きが形成されると共に表面にレジスト膜が形成された基板を局所的に露光するために、当該基板に光の照射領域を配置して露光する露光部と、
前記基板を撮像して画像データを取得するための撮像部と、
前記基板に対して前記照射領域を相対的に移動させる移動機構と、
前記露光部により露光された基板を現像して、露光された領域のレジスト膜を除去するための現像モジュールと、
第１の基板における第１の領域を前記露光部により露光するステップと、前記第１の基板を撮像して画像データを取得し、この画像データに基づいて当該基板が露光された位置と、前記切り欠きの位置と、基板の中心位置との関係についての位置データを取得するステップと、後続の第２の基板について、前記位置データに基づいて前記第１の領域に対応する領域からその位置が補正された第２の領域に前記照射領域を位置させるステップと、前記第２の基板に対して前記照射領域を相対的に移動させて、前記第２の領域を含む直線領域を露光するステップと、前記基板を現像し、前記直線領域のレジスト膜を除去するステップと、が順に行われるように制御信号を出力する制御部と、
を含むことを特徴とする。

本発明の記憶媒体は、表面にレジスト膜が形成された基板を局所的に露光し、露光された領域のレジスト膜を除去するレジスト膜除去装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶する記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項１ないし７のいずれか一つに記載されたレジスト膜除去方法を前記レジスト膜除去装置に実行させるようにステップ群が組まれていることを特徴とする。

本発明は、基板を撮像して基板の中心と基板に形成される切り欠きと露光領域との位置関係についてのデータを取得し、当該データに基づいて後続の基板の直線領域が露光される。従って、レジスト膜が除去される領域の形状を精度高く制御することができる。

本発明の塗布膜除去方法を実施する塗布、現像装置１の概略構成図である。 前記塗布、現像装置を構成する選択的露光モジュールの縦断側面図である。 前記選択的露光モジュールの横断平面図である。 前記選択的露光モジュールによるウエハの露光を説明するための工程図である。 前記選択的露光モジュールによるウエハの露光を説明するための工程図である。 前記選択的露光モジュールによるウエハの露光を説明するための工程図である。 前記選択的露光モジュールによるウエハの露光を説明するための工程図である。 露光される際にウエハが移動及び回転する様子を示す説明図である。 前記塗布、現像装置を構成する検査モジュールの縦断側面図である。 前記検査モジュールにより撮像されたウエハの画像を示す説明図である。 前記検査モジュールにより撮像されたウエハの画像を示す説明図である。 直線露光の位置を補正するためのフローチャートである。 他の構成例の選択的露光モジュールの縦断側面図である。 前記選択的露光モジュールの横断平面図である。 露光される際にウエハが移動及び回転する様子を示す説明図である。 前記検査モジュールにより撮像されたウエハの画像を示す説明図である。 前記選択的露光モジュールによるウエハの露光を説明するための工程図である。 前記選択的露光モジュールによるウエハの露光を説明するための工程図である。 前記選択的露光モジュールによるウエハの露光を説明するための工程図である。 前記選択的露光モジュールによるウエハの露光を説明するための工程図である。 前記検査モジュールにより撮像されたウエハの画像を示す説明図である。 前記塗布、現像装置の平面図である。 前記塗布、現像装置の斜視図である。 前記塗布、現像装置の概略縦断側面図である。

図１は、本発明のレジスト膜の除去方法を実施する塗布、現像装置１を含むシステムの概略構成を示している。このシステムで処理されるウエハＷは円形の基板であり、その外周には当該ウエハＷの向きを示し、ウエハＷの中心側に向かって先鋭する扇状の切り欠きであるノッチＮが形成されている。図中ＣはウエハＷを格納して塗布、現像装置１に搬送するキャリアである。図中１１はレジスト塗布モジュールであり、ウエハＷの表面にレジストを塗布して塗布膜であるレジスト膜を形成する。

図中２１は選択的露光モジュールである。当該選択的露光モジュールは、背景技術の項目で説明した周縁露光モジュールであり、ウエハＷの周縁部とウエハＷの面内の直線領域とを選択的に露光する。図中１２は現像モジュールであり、ウエハＷに現像液を供給して露光された領域のレジスト膜を溶解させて現像する。図中４１は検査モジュールであり、現像されたウエハＷの表面状態を検査するために撮像する。塗布、現像装置１には、レジスト膜の表面を所定のパターンに沿って露光する露光装置１３が接続されている。露光装置１３による露光を、選択的露光モジュール２１による露光と区別するためにパターン露光と記載する場合がある。図中１４は塗布、現像装置１に設けられるウエハＷの搬送機構である。

上記の搬送機構１４によって、通常の処理動作においては図中に実線の矢印で示すように、キャリアＣ→レジスト塗布モジュール１１→選択的露光モジュール２１→露光装置１３→現像モジュール１２→検査モジュール４１→キャリアＣの順にウエハＷが搬送されて、ウエハＷにレジストパターンが形成されると共に上記の検査を行うための画像が取得される。塗布、現像装置１には、搬送機構１４及び各モジュールの動作を制御するためのコンピュータである制御部１０が設けられている。塗布、現像装置１のより詳しい構成の一例については後に述べる。

図２、図３は、選択的露光モジュール２１の縦断側面図、横断平面図を夫々示している。図中２２は筐体であり、筐体２２の側壁にはウエハＷの搬送口２３が設けられている。図中２４は移動・回転機構であり、ガイド２５に沿って筐体２２内を手前側（搬送口２３側）と奥側との間で水平方向に直線移動する。また、移動・回転機構２４はウエハＷのステージ２６を備えている。ステージ２６に水平に載置されたウエハＷは、移動・回転機構２４により鉛直軸周りに回転する。

筐体２２内の奥側には、周端検出部をなす透過型センサであるウエハＷの周端検出センサ２７が設けられている。周端検出センサ２７は、上下に離れて設けられた投光部２７Ａと受光部２７Ｂとからなり、ステージ２６により回転するウエハＷの周端部を挟んだ状態で投光部２７Ａから受光部２７Ｂに光が照射され、照射された光の一部はウエハＷの周端部に遮られる。受光部２７Ｂは、光を受ける領域の大きさに応じて制御部１０に検出信号を送信する。ウエハＷの１回転中に出力される前記検出信号に基づいて制御部１０は、ウエハＷの全周における周端の位置を検出し、この検出した周端の位置から、ステージ２６上のウエハＷのノッチＮの頂点の向きと、ウエハＷの中心位置と、ステージ２６の回転中心とウエハＷの中心との変移具合（偏心）とを検出する。前記偏心には、ステージ２６の回転中心に対するウエハＷの中心の距離（位置のずれ量）と、ずれの方向とについての情報が含まれており、前記ずれの方向は、例えばウエハＷの中心からノッチＮの頂点に向かう方向に対する、ウエハＷの中心から前記回転中心に向かう方向の傾きである。

また、筐体２２の奥側には露光部３１が設けられている。露光部３１は、光源と、光源から照射される光の光路において光を通過させる状態と遮断する状態とを切り替えるシャッタと、光路においてシャッタの下流側に設けられる水平板状のマスクとを含んでいる。光源及びシャッタは図中に光照射部３２として示しており、マスクは３３として示している。マスク３３には長方形状の開口部３４が設けられ、この開口部３４を通過した光照射部３２からの光が、ウエハＷに照射される。

図４〜図７を用いて、選択的露光モジュール２１によりウエハＷに形成されたレジスト膜の周縁部の露光（周縁露光と記載する場合がある）と直線領域の露光（直線露光と記載する場合がある）とが行われる様子を説明する。これらの各図ではレジスト膜のうち、当該露光モジュール２１にて未露光の領域には多数のドットを付しており、露光済みの領域にはドットを付していない。そしてウエハＷの中心をＰ１、上記の露光部３１のマスク３３を介してウエハＷに照射される光の照射領域を１０１、照射領域１０１の中心をＰ２として夫々示している。照射領域１０１は、マスク３３の開口部３４の形状に対応して長方形である。さらに図５〜図７では、ウエハＷの中心Ｐ１とノッチＮの頂点とを通過する仮想の直線を１０２で表し、仮想直線１０２上において前記中心Ｐ１から所定の距離離れた点を、当該仮想直線１０２に直交するように通過する仮想の直線を１０３として表示している。また、図６、図７では直線露光される領域において、露光済みの領域を１０４として示している。

先ず上記の周端検出センサ２７によりウエハＷの周端位置が検出され、それに基づいてノッチＮの頂点の向き、ウエハＷの中心位置及び偏心について検出される。そして図４に示すようにウエハＷが回転しながら、露光部３１によりその周縁部がリング状に露光される周縁露光が行われる。この周縁露光は、露光されたリング状の領域の各部の幅が均一になるように、検出されたウエハＷの中心位置及び偏心に応じて、ステージ２６が回転中に直線方向にも移動して行われる。

続いて、検出されたノッチＮの頂点の向き、ウエハＷの中心位置及び偏心に基づいて、上記の仮想直線１０２、１０３の交点にその中心Ｐ２が位置するように照射領域１０１が配置される（図５）。このように配置された照射領域１０１のウエハＷにおける位置を直線露光の開始位置とすると、当該開始位置に配置された照射領域１０１に光が照射されて露光された後、照射領域１０１への光の照射が一旦停止する。そして、ステージ２６が直線移動及び回転し、照射領域１０１が前記開始位置から移動する。

然る後、ステージ２６の直線移動及び回転が停止する（図６）。この停止時において照射領域１０１の中心Ｐ２は仮想直線１０３上に位置するように、前記直線移動の量及び回転の量は予め設定されており、ステージ２６が停止した状態で再度照射領域１０１に光が照射され、開始位置からずれた領域が露光される。この光の照射が停止した後も同様にステージ２６が所定の量、直線移動すると共に回転して、ウエハＷにおける照射領域１０１の位置が移動し、その中心Ｐ２が仮想直線１０３上で停止して、光が照射される。このように照射領域１０１の断続的な移動と、照射領域１０１への断続的な光照射とが繰り返し行われ、図７に示すように前記仮想直線１０３に沿った直線領域が、ウエハＷの一端から他端に亘って露光される。このような直線露光では、上記の開始位置に対応する直線領域が露光されることになるので、開始位置の精度が、直線露光により露光される領域全体の位置の精度に影響する。

なお、図４〜図７では、照射領域１０１がウエハＷの表面の各位置に配置されているときに、照射領域１０１の短辺、長辺が前記仮想直線１０２、１０３に夫々揃うように描いているが、ステージ２６の傾き及び回転動作のみによって照射領域１０１が移動するため、ウエハＷの各部で照射領域１０１の向きは異なる。つまり、実際には仮想直線１０２及び１０３に対する照射領域１０１の短辺及び長辺の傾きは、照射領域１０１のウエハＷ上の位置に応じて変化するが、図示を省略している。

上記の直線露光の開始位置についてさらに説明しておく。選択的露光モジュール２１においてウエハＷに偏心が無い、つまりウエハＷの中心がステージ２６の回転中心に重なるように置かれているものとして、上記のように周端検出センサ２７によりウエハＷの周端を検出するためにステージ２３が１回転するときのウエハＷの位置を基準位置とし、このときのステージ２３の位置を周端検出用回転位置とする。そして、前記基準位置においてノッチＮが所定の方向に向けられたときのウエハＷの向きを基準の向きとする。例えば、図２では、基準位置に位置するウエハＷ、周端検出用回転位置に位置するステージ２６を夫々示しているものとする。また、図２のウエハＷの向きを、例えばウエハＷの基準の向きとする。

そして、制御部１０を構成するメモリ１００には、例えば偏心が無いウエハＷを上記の基準位置から図５で説明した直線露光の開始位置、即ち照射領域１０１の中心Ｐ２が予め設定された仮想直線１０２、１０３の交点に重なる位置に移動させるために必要なステージ２６の直線方向の移動距離Ｘ０と、上記の基準の向きから直線露光の開始位置にウエハＷを回転させるために必要なステージ３３の回転角Ｒ０と、についてのデータが記憶されている（図８上段参照）。このデータＸ０、Ｒ０と、検出されたノッチＮの頂点の向き、偏心のデータと、に基づいて、制御部１０はステージ２６の周端検出用回転位置から、ウエハＷに直線露光が開始される位置までの直線方向の移動距離Ｘ１及び回転角Ｒ１を算出する。これらＸ１、Ｒ１に基づいてステージ２６の直線方向の移動及び回転が制御され、照射領域１０１が上記の直線露光の開始位置に配置される（図８下段参照）。図８では、ステージ２６の回転中心をＰ３として示している。

続いて、図９を参照しながら検査モジュール４１について説明する。図中４２はステージであり、ウエハＷを水平に載置すると共に、直線方向に水平に移動する。図中４３は、ステージ４２に載置されたウエハＷの移動路の上方に設けられるハーフミラーである。図中４４は撮像部であるカメラであり、ハーフミラー４３を介して上記のウエハＷの移動路における撮像領域４５を撮像して画像データを取得し、当該画像データを制御部１０に送信する。画像データには、撮像領域４５の輝度についてのデータが含まれる。図中４６はハーフミラー４３の上方に設けられた照明であり、ハーフミラー４３を介して撮像領域４５に光を照射する。

撮像領域４５の大きさは例えばウエハＷの一部が含まれる大きさとされており、ステージ４２によってウエハＷが撮像領域４５を通過中にカメラ４４による断続的な撮像が行われてウエハＷの表面全体が撮像される。それによって、制御部１０はウエハＷの表面全体の画像データを取得することができる。この撮像領域４５は、取得される画像データにおいて、ウエハＷの外側がウエハＷの面内よりも輝度が小さくなるように構成される。

塗布、現像装置１は、半導体デバイスを製造するためにウエハＷに処理を行う動作（以降、通常の処理動作と記載する）を行う場合には、図１で説明したように各モジュール間でウエハＷを搬送し、選択的露光モジュール２１においては図４〜図７で説明したように周縁露光と直線露光とを行う。さらに塗布、現像装置１は、このような通常の処理動作を行う前において、直線露光が行われる位置を補正するための補正動作を行う。

以降、上記の直線露光の位置の補正動作について説明する。この補正動作においては例えばウエハＷは露光装置１３には搬送されず、キャリアＣ→レジスト塗布モジュール１１→選択的露光モジュール２１→現像モジュール１２→検査モジュール３１→キャリアＣの順で搬送される。そして選択的露光モジュール２１では、例えば通常の処理動作と同様に周縁露光が行われた後、図５で説明したように直線露光の開始位置に照射領域１０１が配置されて、当該開始位置が露光されるが、その後は当該開始位置からずれた領域が露光されることなく、ウエハＷは選択的露光モジュール２１から搬出される。

図１０、図１１の上段及び下段は、この補正動作において上記のように検査モジュール４１で撮像されて取得されたウエハＷの画像の例を示している。選択的露光モジュール２１で露光された領域は、現像モジュール１２で現像されてレジスト膜が除去されていることにより、露光されていない領域に比べて画像中の輝度が大きい。また、上記のようにウエハＷの外側に対してウエハＷの面内は輝度が大きい。

このような輝度の差によって、制御部１０は取得される画像データからウエハＷの面内における、上記の直線露光の開始位置に対応するレジスト膜の除去領域１０６の位置を特定することができる。そして、このレジスト膜の除去領域１０６の位置が適正であるか否かを判定し、適正でないと判定した場合には図８で説明した、偏心が無いとした基準の向きのウエハＷを基準位置から直線露光の開始位置へ移動させるための直線方向の移動距離Ｘ０、及び回転角Ｒ０について補正する。それによって、ウエハＷにおける直線露光の開始位置を補正する。

上記のように開始位置を基準にして、直線に沿って露光部３１の照射領域１０１が移動するため、開始位置を補正することによってウエハＷにおける直線露光される領域全体の位置が補正される。このように補正を行う理由としては、上記のようにウエハＷの偏心やノッチＮの向きを検出してから、直線露光の開始位置にウエハＷを移動させるにあたって、例えばステージ２６の動作精度の限界や装置の各部品の加工精度の限界などから、設計上のステージ２６の直線移動量及び回転量と、実際の直線移動量及び回転量との間に誤差が存在し、実際の直線露光の開始位置が、図５、図８下段で説明した位置からずれてしまうことが考えられるためである。

図１０、図１１に戻って説明を続ける。図１０の上段及び下段は、レジスト膜の除去領域１０６の位置が適正である場合の画像を示している。図中Ｐ４はレジスト膜の除去領域１０６の中心であり、従ってその位置は、直線露光の開始位置における照射領域１０１の中心Ｐ２の位置に対応する。レジスト膜の除去領域１０６の位置が適正であるとは、具体的にはノッチＮの頂点、前記除去領域１０６の中心Ｐ３及びウエハＷの中心Ｐ１が直線上に並び、且つ前記中心Ｐ４と前記中心Ｐ１とが所定の距離にあることである。各図では、中心Ｐ１及びノッチＮの頂点を通過する仮想の直線を１０７で示している。

図１１の上段及び下段は、このレジスト膜の除去領域１０６の位置が適正ではない場合の画像を示し、ここではノッチＮの頂点、前記除去領域１０６の中心Ｐ４及びウエハＷの中心Ｐ１が直線上に並んでいない例を表している。つまり、ノッチＮの頂点とウエハＷの中心Ｐ１とを結ぶ仮想直線１０７と、レジスト膜除去領域１０６の中心Ｐ４と前記中心Ｐ１とを結ぶ仮想直線（１０８として表示）とのなす角度をθ１とすると、図１１の画像ではこのθ１が０°である（０°であるために表示できないので、θ１を図１１には示していない）が、図１０の画像ではこの角度θ１が０°となっていない。制御部１０は、レジスト膜の除去領域１０６の位置が適正であるか否か判定するために、画像データからこの角度θ１を算出する。つまり、制御部１０は、ノッチＮと、ウエハＷの中心と、除去領域１０６に対応する照射領域１０２（第１の領域）との位置関係を取得する。

以下、上記の直線露光の位置の補正動作における各工程と、その後の通常の処理動作とについて、図１２のフローチャートを参照しながら順番に説明する。レジスト塗布モジュール１１にてレジスト膜が形成された先行のウエハＷ（便宜上、ウエハＷ１とする）が選択的露光モジュール２１に搬送される。そして、ウエハＷ１を受け取ったステージ２６が、周端検出用回転位置にて回転すると共に周端検出センサ２７によりウエハＷ１の周端に光が照射される。ウエハＷが１回転すると回転が停止し、周端検出センサ２７から出力された検出信号により、ウエハＷ１の周端の位置が検出される。その周端の位置に基づいてノッチＮの頂点の向き及び偏心が検出される（ステップＳ１）。

そして、ウエハＷ１の回転停止後、図８で説明したように制御部１０のメモリ１００に格納される直線方向の移動距離Ｘ０及び回転角Ｒ０と、検出されたノッチＮの頂点の向き及びウエハＷの偏心に基づいて、前記周端検出用回転位置からウエハＷに直線露光を開始する位置に移動させるための直線方向の移動距離Ｘ１及び回転角Ｒ１が算出される。続いて、図３で説明したようにウエハＷが１回転して周縁露光が行われる。然る後、周端検出用回転位置から前記Ｘ１だけ離れるようにステージ２６が直線移動すると共に、上記のウエハＷの周端の検出が終了してステージ２６の回転が停止した状態に対して前記Ｒ１だけ角度が変更されるようにステージ２６が回転する。つまり、露光部３１の照射領域１０１が、図８で説明したようにウエハＷの所定の直線露光の開始位置に配置されるようにステージ２６が直線移動すると共に回転する。然る後、開始位置が露光される（ステップＳ２）。

然る後、ウエハＷ１は現像モジュール１２に搬送されて現像処理され、開始位置のレジスト膜が除去されて、レジスト膜の除去領域１０６が形成される。その後、検査モジュール３１にて撮像され、図１０、図１１で例示したようなウエハＷの表面全体の画像データが取得される（ステップＳ３）。そして、この画像データから得られる画像中のウエハＷとその外側との輝度の差を利用して、ウエハＷの中心Ｐ１及びノッチＮの頂点が検出される。さらに、ウエハＷの面内における輝度の差を利用して、除去領域１０６の中心Ｐ４が検出される（ステップＳ４）。そして、図１１で示したウエハＷの中心Ｐ１及びノッチＮの頂点を通過する仮想直線１０７とウエハＷの中心Ｐ１及び除去領域１０６の中心Ｐ４を通過する仮想直線１０８とがなす角度θ１、及びウエハＷの中心Ｐ１と除去領域１０６の中心Ｐ４との距離が算出される（ステップＳ５）。

角度θ１が０°であり、且つウエハＷの中心Ｐ１と除去領域１０６の中心Ｐ４との距離が設定値になっていれば、除去領域１０６の位置が適正であると判定され、その場合、メモリ１００内の直線移動距離Ｘ０及び回転角Ｒ０の補正は行われない。角度θ１が０°ではないか、あるいはウエハＷの中心Ｐ１と除去領域１０６の中心Ｐ４との距離が設定値になっていなければ、除去領域１０６の位置が適正ではないと判定される。

角度θ１が０°になっていない場合は、このθ１の角度に応じて当該θ１が０°になるように制御部１０のメモリに記憶される回転角Ｒ０が補正される。そして、そのように補正された回転角Ｒ０に基づいて上記のステップＳ２で露光が行われたとした場合のウエハＷ中心Ｐ１と除去領域１０６の中心Ｐ４との距離を算出し、この距離が設定値から外れていれば、その距離の値と設定値とのずれ分だけ直線方向の移動距離Ｘ０の値についても補正する。また、角度θ１が０°であり、且つ除去領域１０６の中心Ｐ４との距離が設定値から外れていれば、その距離の値と設定値とのずれ分だけ、直線方向の移動距離Ｘ０の値を補正する（ステップＳ６）。

このように補正を行う必要が無いと判定されるか、直線移動距離Ｘ０及び／または回転角Ｒ０について補正が行われると、直線露光の位置の補正動作が終了し、後続のウエハＷ（説明の便宜上、ウエハＷ２とする）について、通常の処理動作が開始される。ウエハＷ２はレジスト塗布モジュール１１に搬送され、当該モジュール１１にてレジスト膜が形成され、然る後、選択的露光モジュール２１に搬送される。

ウエハＷ１について行われるステップＳ１、Ｓ２と同様に、ウエハＷ２についても、周端の位置の検出、その周端の位置に基づいてのノッチＮの頂点の向き及びウエハＷの偏心の検出が行われ、直線方向の移動距離Ｘ０、回転角Ｒ０と、ノッチＮの頂点の向き及び偏心とに基づいて、上記の直線方向の移動距離Ｘ１及び回転角Ｒ１が算出される。そして、周縁露光が行われた後に、周端検出用回転位置から前記Ｘ１だけ離れるようにステージ２６が直線移動すると共に、ウエハＷの周端の検出が終了してステージ２６の回転が停止した状態に対して、前記Ｒ１だけ角度が変更されるようにステージ２６が回転する。

このウエハＷ２についての移動距離Ｘ１及び回転角Ｒ１の算出に用いられるＸ０、Ｒ０は、上記のステップＳ６で補正が行われている場合には補正された値であるため、ステージ２６の移動及び回転が終了すると照射領域１０１の中心Ｐ２が、図５で説明した仮想直線１０２、１０３の交点に精度高く合わせられる。つまり、照射領域１０１が、所定の直線露光の開始位置に精度高く合わせられる。そして、この開始位置（第２の領域）が露光された後、図６、図７で説明したように照射領域１０１が、仮想直線１０３に沿って移動し、ウエハＷ２が直線露光される（ステップ７）。

直線露光が終了すると、ウエハＷ２は露光装置１３に搬送されてパターン露光される。そして、現像モジュール１２にて現像されて、選択的露光モジュール２１にて露光された周縁部及び仮想直線１０３に沿った直線領域のレジスト膜が除去されると共に、当該直線領域の外側のレジスト膜にはレジストパターンが形成される。以上に述べたウエハＷ１、Ｗ２についての処理の各工程における各値の検出、データの取得、算出、補正及び判定の各動作は、制御部１０により行われる。

この塗布、現像装置１によれば、上記のように選択的露光モジュール２１により直線露光される領域のウエハＷにおける位置が、精度高く制御されるため、この直線露光によってレジスト膜が除去される領域の位置が精度高く制御される。従って、ウエハＷにおいて半導体デバイスを形成するための領域のレジスト膜が除去されてしまったり、レジスト膜を除去すべき領域にレジスト膜が残留してしまうことを抑えることができる。結果として、半導体デバイスの歩留りの向上を図ることができる。また、露光されたウエハＷを塗布、現像装置１の外部の測定器に搬送する必要が無いので、当該搬送の手間を省くことができるし、この搬送に要する時間分、選択的露光モジュール２１の動作の補正が遅れることを防ぐことができる。

（第２の実施形態）
第２の実施形態について、第１の実施形態との差異点を中心に説明する。第２の実施形態は、選択的露光モジュール２１の構成について第１の実施形態と異なっており、図１３、図１４は、当該第２の実施形態の選択的露光モジュール２１の縦断側面図、横断平面図を夫々示している。

第２の実施形態の選択的露光モジュール２１は、露光部３１の代わりに露光部５１を備えている。露光部５１のマスク３３は開口部３４の外側に起立した内円筒部５２を備える。図中５３は、内円筒部５２に設けられるフランジ５３である。光照射部３２は内円筒部５２の外側を囲む外円筒部５４を備えており、外円筒部５４の内周面にはフランジ５３と係合して、マスク３３を支持する溝が形成されている。図中５５は外円筒部５４の外側に設けられた回転駆動機構であり、円形の回転体５６を鉛直軸周りに回転させることができるように構成されている。回転体５６の外周はマスク３３の外周と接触し、当該回転体５６の回転により、マスク３３が鉛直軸周りに回転される。マスク３３の回転中心は、マスク３３の開口部３４の中心に一致している。

マスク３３を、上記のように回転可能に構成している理由について説明する。図１５は、第１の実施形態で説明した補正動作時の選択的露光モジュール２１におけるウエハＷに対する動作の一例を示している。従って、この図１５の説明では、ウエハＷは露光部３１により露光されるものとする。図１５の上段は、ウエハＷ１を載置したステージ２６が周端検出用回転位置に位置した状態を示しており、このウエハＷ１の中心Ｐ１は、ステージ２６の回転中心Ｐ３に対して偏心しているものとする。図１５の下段は、図１５の上段に示した状態から、直線露光の開始位置に照射領域１０１が配置されるようにステージ２６が移動した状態を示している。この図１５の下段において、ウエハＷ１の全体図の外側に、照射領域１０１、ノッチＮ及びウエハＷ１の中心Ｐ１の位置関係が明確になるように、ウエハＷ１におけるこれらの各部が含まれる領域を拡大して示している。

上記の偏心が存在することにより、図１５の下段に示すように直線露光の開始位置に照射領域１０１が配置されるようにステージ２６が移動したときには、当該偏心に応じて直線露光の開始位置に配置された照射領域１０１の長辺と、照射領域１０１の中心Ｐ２が配置される仮想直線１０３とが互いに傾くことになる。直線露光の位置の補正動作中におけるウエハＷ１の露光例を示したが、通常の処理動作におけるウエハＷ２を露光する場合にも同様に、照射領域１０１の長辺と、仮想直線１０３との間には傾きが生じる。また、このように偏心が存在する他に露光部３１の取付け精度が低い場合にも、上記の開始位置に配置された照射領域１０１の長辺と仮想直線１０３とが、同様に傾くことになる。さらに、上記のように第１の実施形態ではウエハＷの直線移動及び回転のみによって照射領域の位置を移動させているため、照射領域１０１の長辺と仮想直線１０３とがなす角度は、照射領域１０１の位置によって変化する。

このように第１の実施形態の説明では、図示を簡略化して説明の理解を容易にする目的から、ウエハＷの各部で照射領域１０１の長辺と仮想直線１０３とが並行するものとして示したが、実際にはこれらが並行になるとは限られない。即ち、第２の実施形態は、マスク３３を回転させることで、照射領域１０１の中心Ｐ２周りの向きを調整し、直線露光の開始位置を含むウエハＷの各位置にて、照射領域１０１の長辺と仮想直線１０３とを並行にし、それによってレジスト膜が除去される領域の縁を、仮想直線１０３に対して確実に並行にすることができるように構成されている。

第２の実施形態における直線露光の位置の補正動作及び通常の処理動作について、第１の実施形態との差異点を中心に説明する。直線露光の位置の補正動作においては、レジスト塗布モジュール１１においてウエハＷ１にレジスト膜が形成され、その後、選択的露光モジュール２１において、当該ウエハＷ１の周端位置が検出されて、図１２で説明したステップＳ１と同様にノッチＮの頂点の向き、ウエハＷの偏心についてのデータが取得される。さらにその後、ステップＳ２、Ｓ３と同様の動作が行われる。即ち、直線露光の開始位置へ露光部５１から光が照射されて当該開始位置が露光され、当該ウエハＷ１は現像された後に検査モジュール４１にて撮像され、ウエハＷ１の画像データが取得される。図１６は、このように撮像されたウエハＷ１の画像の一例を示している。

そして取得された画像に基づいて、レジスト膜の除去領域１０６の位置が適正であるか否かの判定が行われ、適正ではないと判定された場合には既述したようにステージ３４の直線移動距離Ｘ０及び／または回転角Ｒ０の補正が行われる。つまり、上記のステップＳ４〜Ｓ６の動作が行われる。さらに第２の実施形態では、上記の取得された画像データに基づいて、例えばノッチＮの頂点と、ウエハＷの中心Ｐ１とを結ぶ仮想直線１０７と、レジスト膜の除去領域１０６の短辺とのなす角度θ２（図１６参照）が算出される。

この角度θ２は、上記のウエハＷ１の偏心及びステップＳ２での露光時の照射領域１０１の向きによって決まるものであり、この算出された角度θ２と取得された偏心とから、前記照射領域１０１の向きについて算出される。具体的には例えば、直線露光の開始位置における照射領域１０１の長辺と仮想直線１０３との角度θ３（図１５下段参照）について算出される。そして、θ３が０°、即ち照射領域１０１の長辺と仮想直線１０３とが並行していれば、照射領域１０１の向きは正常であると判定され、開始位置におけるマスク３３の向きは補正されない。θ３が０°ではない場合は照射領域１０１の向きが異常であると判定され、θ３に対応する分、マスク３３が回転して照射領域１０１の向きが補正される。それによって、直線露光の開始位置に照射領域１０１が配置された際に、照射領域１０１の長辺と仮想直線１０３とが並行になるようにされる。

然る後、通常の処理動作が開始され、レジスト膜が形成されたウエハＷ２が選択的露光モジュール２１に搬送され、ウエハＷ１と同様に、周端の位置の検出、その周端の位置に基づいてのノッチＮの頂点の向き及びウエハＷ２の偏心の検出が行われる。そして、第１の実施形態で説明したようにノッチＮの頂点の向き及び偏心と、制御部１０のメモリ１００内のデータＸ０及びＲ０とに基づいてウエハＷ２を移動させるための移動距離Ｘ１及び回転角Ｒ１が算出され、周縁露光後に前記Ｘ１及びＲ１に基づいて、ステージ２６の直線移動及び回転が行われて、照射領域１０１が直線露光の開始位置に移動する（図１７）。上記のように必要に応じてマスク３３の向きについての補正が行われているため、照射領域１０１の長辺と仮想直線１０３とは並行になっている。

当該開始位置が露光され、照射領域１０１への光照射が一旦停止すると、ステージ２６が所定量回転し（図１８）、ステージ２６が所定量直線移動し（図１９）、マスク３３が所定量回転する。それによって照射領域１０１が開始位置から仮想直線１０３に沿って移動し、且つ照射領域１０１の長辺は仮想直線１０３と並行になる（図２０）。然る後、照射領域１０１への光照射が行われる。図１８〜図２０の各図では、理解を容易にするためにステージ２６の回転、ステージの直線移動、照射領域１０１の回転が順番に行われるように示しているが、例えば、これらの各動作は互いに並行して行われる。

このように照射領域１０１の移動と照射領域１０１の向きの調整と照射領域１０１への光照射とが行われ、図７に示したようにウエハＷの一端から他端に亘って仮想直線１０３に沿った領域が露光される。仮想直線１０３に沿って一端から他端に亘って露光が行われた後、ウエハＷ２は現像処理され、露光された領域のレジスト膜が除去される。この第２の実施形態によれば、上記のようにマスク３３を回転させて露光を行うことで、より精度高くウエハＷにおける露光される位置を制御し、結果としてレジスト膜が除去される位置をより精度高く制御することができる。

ところで上記の例ではステージ２６の移動時に照射領域１０１が所定の量、回転することで、照射領域１０１に光を照射する際に照射領域１０１が仮想直線１０３に対して同じ向きに向けられるようになっており、開始位置における照射領域１０１の向きを予め補正しておくことで、直線露光される領域の縁部を仮想直線１０３に並行にしている。図２１は、そのような開始位置における照射領域１０１の向きの補正を行わずに露光をした場合の直線露光された領域を示す一例である。この図２１に示す例では、仮想直線１０３に対して照射領域１０１が傾いて露光されることで、直線露光された領域中に２回繰り返し露光されることで露光量が比較的大きい領域Ａ１と、１回のみ露光されることで露光量が比較的小さい領域Ａ２とが形成されている。露光量が小さいと、レジスト膜を除去できないおそれがあるので、直線露光される領域の各部で露光量の均一性を高くし、露光された領域のレジスト膜をより確実に除去するために、上記のように直線露光を開始する前に予めマスク３３の向きを補正しておくことが有効である。

照射領域１０１の向きを補正するために、光源を含む光照射部３２をマスク３３と共に回転させてもよい。ただし、上記のようにマスク３３のみを回転させる構成とすることで、回転機構５５の構成が大掛かりになることを防ぐことができる。また、露光する領域は上記の例に限られず、ウエハＷの面内のデバイスの形成領域の縁に沿ってウエハＷの全周を露光するようにしてもよい。また、上記の例では画像データからノッチＮの頂点を検出しているが、頂点を検出することには限られず、例えばノッチＮの重心を検出するようにしてもよい。

ウエハＷの全周の周端は上記のように光学的に検出されるが、この光学的な検出には透過型センサを用いることに限られない。例えば反射型センサを多数、ウエハＷの内方から外方へ向かうように一列に配置しておく。そして、各反射型センサから制御部への出力信号がウエハＷの内側に光を照射しているものと、ウエハＷの外側に光を照射しているものとで異なるようにし、この出力信号の違いから制御部１０がウエハＷの周端を検出できるようにしてもよい。その他の光学的な検出としては、カメラを用いてウエハＷの周端を撮像し、得られた画像データから制御部１０がウエハＷの周端を検出できるようにしてもよい。

例えば選択的露光モジュール２１のステージ２６にウエハＷを受け渡す前に、搬送機構１４に対するウエハＷの位置合わせを行うと共に搬送機構１４が所定の向きでウエハＷを保持するようにすることで、ウエハＷ１、Ｗ２がステージ２６に受け渡され、ステージ２６が周端検出用回転位置に位置したときに、これらのウエハＷ１、Ｗ２が基準の向きに向けられると共に基準位置に位置するようにしてもよい。より具体的には、例えば選択的露光モジュール２１の前段に回転自在なステージ２６と周端検出センサ２７とを備えたモジュールを配置し、当該モジュールにてウエハＷの全周に亘って周端を検出する。その周端から検出されたウエハＷ中心が所定の位置に位置するように搬送機構１４がウエハＷを受け取る。受け取る際には、ノッチＮを所定の向きに向けておくようにする。

そして、そのようにステージ２６が周端検出用回転位置に位置したときに、ウエハＷ１、Ｗ２が基準の向きに向けられると共に基準位置に位置するようにしておく場合には、第１の実施形態で説明したように直線露光の開始位置の照射領域１０１を補正するにあたって、選択的露光モジュール２１においてウエハＷ１、Ｗ２についてノッチＮの向き、偏心を求めるために周端の検出を行なくてよい。また、ウエハＷ１、Ｗ２の一方のみについて、上記のように向き合わせ及び位置合わせをしてステージ２６に載置するようにしてもよい。その場合、選択的露光モジュール２１における周端の検出は、向き合わせ及び位置合わせしていないウエハＷについてのみ行えばよい。

また、上記の例では、露光部３１、５１に対してステージ２６が移動することで照射領域１０１が直線に沿って移動しているが、ステージ２６の代わりに露光部３１、５１が移動することで照射領域１０１が直線に沿って移動してもよい。さらに、上記の例では、ウエハＷ１を露光後に現像しているが、露光されることによってレジスト膜に化学反応が起こり、当該レジスト膜の露光された領域の輝度が変化する場合は、検査モジュール４１で取得される画像データから制御部１０が当該照射領域１０１を識別することができる。そのような場合、ウエハＷ１を現像しなくても検査モジュール４１により、露光された領域を特定できるので、ウエハＷ１の現像は必ずしも行わなくてよい。

図２２〜図２４に、レジスト膜除去装置をなす塗布、現像装置１の詳細な構成の一例を示す。図２２、２３、２４は夫々当該塗布、現像装置１の平面図、斜視図、概略縦断側面図である。この塗布、現像装置１は、キャリアブロックＤ１と、処理ブロックＤ２と、インターフェイスブロックＤ３と、を直線状に接続して構成されている。インターフェイスブロックＤ３に前記露光装置１３が接続されている。以降の説明ではブロックＤ１〜Ｄ３の配列方向を前後方向とする。キャリアブロックＤ１は、キャリアＣを塗布、現像装置１内に対して搬入出し、キャリアＣの載置台６１と、開閉部６２と、開閉部６２を介してキャリアＣからウエハＷを搬送するための移載機構６３とを備えている。

処理ブロックＤ２は、ウエハＷに液処理を行う第１〜第６の単位ブロックＥ１〜Ｅ６が下から順に積層されて構成されている。説明の便宜上ウエハＷに下層側の反射防止膜を形成する処理を「ＢＣＴ」、ウエハＷにレジスト膜を形成する処理を「ＣＯＴ」、露光後のウエハＷにレジストパターンを形成するための処理を「ＤＥＶ」と夫々表現する場合がある。この例では、図２３に示すように下からＢＣＴ層、ＣＯＴ層、ＤＥＶ層が２層ずつ積み上げられている。同じ単位ブロックにおいて互いに並行してウエハＷの搬送及び処理が行われる。

ここでは単位ブロックのうち代表してＣＯＴ層Ｅ３を、図２２を参照しながら説明する。キャリアブロックＤ１からインターフェイスブロックＤ３へ向かう搬送領域６４の左右の一方側には棚ユニットＵが前後方向に複数配置され、他方側には夫々液処理モジュールであるレジスト塗布モジュール１１、保護膜形成モジュールＩＴＣが前後方向に並べて設けられている。保護膜形成モジュールＩＴＣは、レジスト膜上に所定の処理液を供給し、当該レジスト膜を保護する保護膜を形成する。棚ユニットＵは、加熱モジュールと、上記の選択的露光モジュール２１と、を備えている。前記搬送領域６４には、ウエハＷの搬送機構である搬送アームＦ３が設けられている。

他の単位ブロックＥ１、Ｅ２、Ｅ５及びＥ６は、ウエハＷに供給する薬液が異なることを除き、単位ブロックＥ３、Ｅ４と同様に構成される。単位ブロックＥ１、Ｅ２は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴの代わりに反射防止膜形成モジュールを備え、単位ブロックＥ５、Ｅ６は、現像モジュール１２を備える。図２４では各単位ブロックＥ１〜Ｅ６の搬送アームはＦ１〜Ｆ６として示している。

処理ブロックＤ２におけるキャリアブロックＤ１側には、各単位ブロックＥ１〜Ｅ６に跨って上下に伸びるタワーＴ１と、タワーＴ１に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構である受け渡しアーム６５とが設けられている。タワーＴ１は互いに積層された複数のモジュールにより構成されており、単位ブロックＥ１〜Ｅ６の各高さに設けられるモジュールは、当該単位ブロックＥ１〜Ｅ６の各搬送アームＦ１〜Ｆ６との間でウエハＷを受け渡すことができる。これらのモジュールとしては、上記の検査モジュール４１の他に、実際には各単位ブロックの高さ位置に設けられた受け渡しモジュールＴＲＳ、ウエハＷの温度調整を行う温調モジュールＣＰＬ、複数枚のウエハＷを一時的に保管するバッファモジュール、及びウエハＷの表面を疎水化する疎水化処理モジュールなどが含まれている。説明を簡素化するために、前記疎水化処理モジュール、温調モジュール、前記バッファモジュールについての図示は省略している。

インターフェイスブロックＤ３は、単位ブロックＥ１〜Ｅ６に跨って上下に伸びるタワーＴ２、Ｔ３、Ｔ４を備えており、タワーＴ２とタワーＴ３に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構であるインターフェイスアーム６６と、タワーＴ２とタワーＴ４に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構であるインターフェイスアーム６７と、タワーＴ２と露光装置１３の間でウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアーム６８が設けられている。

タワーＴ２は、受け渡しモジュールＴＲＳ、露光処理前の複数枚のウエハＷを格納して滞留させるバッファモジュール、露光処理後の複数枚のウエハＷを格納するバッファモジュール、及びウエハＷの温度調整を行う温調モジュールなどが互いに積層されて構成されているが、ここでは、バッファモジュール及び温調モジュールの図示は省略する。この塗布、現像装置１においては、ウエハＷが載置される場所をモジュールと記載する。なお、タワーＴ３、Ｔ４にも夫々モジュールが設けられているが、ここでは説明を省略する。図１で説明した搬送機構１４は、搬送アームＦ１〜Ｆ６、インターフェイスアーム６１〜６３、移載機構６３、受け渡しアーム６５により構成されている。

この塗布、現像装置１及び露光装置１３からなるシステムの通常の処理動作が行われる際のウエハＷの搬送経路について説明する。ウエハＷは、キャリアＣから移載機構６３により、処理ブロックＤ２におけるタワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ０に搬送される。この受け渡しモジュールＴＲＳ０からウエハＷは、単位ブロックＥ１、Ｅ２に振り分けられて搬送される。例えばウエハＷを単位ブロックＥ１に受け渡す場合には、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳのうち、単位ブロックＥ１に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ１（搬送アームＦ１によりウエハＷの受け渡しが可能な受け渡しモジュール）に対して、前記ＴＲＳ０からウエハＷが受け渡される。またウエハＷを単位ブロックＥ２に受け渡す場合には、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳのうち、単位ブロックＥ２に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ２に対して、前記ＴＲＳ０からウエハＷが受け渡される。これらのウエハＷの受け渡しは、受け渡しアーム６５により行われる。

このように振り分けられたウエハＷは、ＴＲＳ１（ＴＲＳ２）→反射防止膜形成モジュール→加熱モジュール→ＴＲＳ１（ＴＲＳ２）の順に搬送され、続いて受け渡しアーム６５により単位ブロックＥ３に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ３と、単位ブロックＥ４に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ４とに振り分けられる。

このようにＴＲＳ３、ＴＲＳ４に振り分けられたウエハＷは、ＴＲＳ３（ＴＲＳ４）→レジスト塗布モジュール１１→加熱モジュール→選択的露光モジュール２１→保護膜形成モジュールＩＴＣ→加熱モジュール→タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳの順で搬送される。然る後、このウエハＷは、インターフェイスアーム６６、６８により、タワーＴ３を介して露光装置Ｄ４へ搬入される。露光後のウエハＷは、インターフェイスアーム６７によりタワーＴ２、Ｔ４間を搬送されて、単位ブロックＥ５、Ｅ６に対応するタワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ５、ＴＲＳ６に夫々搬送される。然る後、加熱モジュール→現像モジュール→加熱モジュール→タワーＴ１の検査モジュール４１→受け渡しモジュールＴＲＳに搬送された後、移載機構６３を介してキャリアＣに戻される。直線露光の位置補正動作が行われる際には、露光装置１３に搬送されないことを除いて、ウエハＷは上記の搬送経路と同様の搬送経路で搬送される。

塗布、現像装置１の制御部１０についてさらに説明しておく。制御部１０は、プログラム、メモリ、ＣＰＵからなるデータ処理部などを備えている。前記プログラムには塗布、現像装置１の各部に制御信号を送り、その動作を制御し、上記の各ステップを実行させるように命令が組み込まれている。上記のプログラムは、コンピュータの記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）及びメモリーカードなどの記憶媒体に格納されて制御部１０にインストールされる。

Ｎ ノッチ
Ｗ ウエハ
Ｐ１ ウエハの中心
Ｐ２ 照射領域の中心
Ｐ３ ステージの回転中心
１ 塗布、現像装置
１０ 制御部
２１ 選択的露光モジュール
２４ 移動、回転機構
２６ ステージ
３１ 露光部
３３ マスク
４１ 検査モジュール
４４ カメラ
１００ メモリ
１０１ 照射領域
１０２、１０３ 仮想直線

Claims (12)

1. 外周に切り欠きが各々形成されると共に表面に各々レジスト膜が形成された第１の基板及び
   第２の基板のうちの第１の基板の第１の領域に、基板を局所的に露光するための光の照射領域を配置し、当該第１の領域を露光する工程と、
   前記第１の基板を撮像して画像データを取得し、この画像データに基づいて当該基板が露光された位置と、前記切り欠きの位置と、基板の中心位置との関係についての位置データを取得する工程と、
   前記第２の基板について、前記位置データに基づいて前記第１の領域に対応する領域からその位置が補正された第２の領域に前記照射領域を位置させる工程と、
   前記第２の基板に対して前記照射領域を相対的に移動させて、前記第２の領域を含む直線領域を露光する工程と、
   前記基板を現像し、前記直線領域のレジスト膜を除去する工程と、
   を含むことを特徴とするレジスト膜除去方法。
2. 前記第１の基板を撮像する前に、当該第１の基板を現像して第１の領域におけるレジスト膜を除去する工程を含むことを特徴とする請求項１記載のレジスト膜除去方法。
3. 前記第２の領域に照射領域を位置させる前に、基板を露光するためのステージに載置された前記第２の基板の切り欠きの向き及び基準の位置に対するずれ量を求めるために、当該第２の基板の周端を光学的に検出する工程を含み、
   前記第２の領域に照射領域を位置させる工程は、前記位置データと、検出された第２の基板の周端と、に基づいて行われることを特徴とする請求項１または２に記載のレジスト膜除去方法。
4. 基板を露光するためのステージに載置された前記第１の基板の切り欠きの向き及び基準の位置に対するずれ量を求めるために、当該第１の基板の周端を光学的に検出する工程を含み、
   前記第１の領域に照射領域を位置させる工程は、前記位置データと、検出された第１の基板の周端と、に基づいて行われることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載のレジスト膜除去方法。
5. 前記画像データと、検出された前記第１の基板の周端と、に基づいて前記照射領域の基準の向きに対する傾きを検出する工程と、
   前記第２の領域に照射領域を位置させる工程は、
   前記基準の向きを向くように前記照射領域の向きを変更して前記直線領域を露光する工程を含むことを特徴とする請求項４記載のレジスト膜除去方法。
6. 前記直線領域内の一の領域を露光後、他の領域を露光する前に前記照射領域の向きを変更する工程を含むことを特徴とする請求項５記載のレジスト膜除去方法。
7. 前記照射領域の向きを変更するために、光源からの光を透過するための開口部を備えたマスクの向きを、当該光源に対して変更する工程を備えたことを特徴とする請求項５または６記載のレジスト膜除去方法。
8. 外周に切り欠きが形成されると共に表面にレジスト膜が形成された基板を局所的に露光するために、当該基板に光の照射領域を配置して露光する露光部と、
   前記基板を撮像して画像データを取得するための撮像部と、
   前記基板に対して前記照射領域を相対的に移動させる移動機構と、
   前記露光部により露光された基板を現像して、露光された領域のレジスト膜を除去するための現像モジュールと、
   第１の基板における第１の領域を前記露光部により露光するステップと、前記第１の基板を撮像して画像データを取得し、この画像データに基づいて当該基板が露光された位置と、前記切り欠きの位置と、基板の中心位置との関係についての位置データを取得するステップと、後続の第２の基板について、前記位置データに基づいて前記第１の領域に対応する領域からその位置が補正された第２の領域に前記照射領域を位置させるステップと、前記第２の基板に対して前記照射領域を相対的に移動させて、前記第２の領域を含む直線領域を露光するステップと、前記基板を現像し、前記直線領域のレジスト膜を除去するステップと、が順に行われるように制御信号を出力する制御部と、
   を含むことを特徴とするレジスト膜除去装置。
9. 前記制御部は、
   前記第１の基板を撮像する前に、当該第１の基板を現像して第１の領域におけるレジスト膜を除去するステップが行われるように制御信号を出力することを特徴とする請求項８記載のレジスト膜除去装置。
10. 基板の周端を光学的に検出するための周端検出部が設けられ、
    前記制御部は、
    前記第２の領域に照射領域を位置させる前に、基板を露光するためのステージに載置された前記第２の基板の切り欠きの向き及び基準の位置に対するずれ量を求めるために、当該第２の基板の周端を光学的に検出するステップを行い、
    前記第２の領域に照射領域を位置させるステップは、前記位置データと、検出された第２の基板の周端と、に基づいて行われるように制御信号を出力することを特徴とする請求項８または９記載のレジスト膜除去装置。
11. 基板の周端を光学的に検出するための周端検出部が設けられ、
    前記制御部は、
    基板を露光するためのステージに載置された前記第１の基板の切り欠きの向き及び基準の位置に対するずれ量を求めるために当該第１の基板の周端を光学的に検出するステップを行い、
    前記第１の領域に照射領域を位置させるステップは、前記位置データと、検出された第１の基板の周端と、に基づいて行われるように制御信号を出力することを特徴とする請求項８ないし１０のいずれか一つに記載のレジスト膜除去装置。
12. 表面にレジスト膜が形成された基板を局所的に露光し、露光された領域のレジスト膜を除去するレジスト膜除去装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶する記憶媒体であって、
    前記コンピュータプログラムは、請求項１ないし７のいずれか一つに記載されたレジスト膜除去方法を前記レジスト膜除去装置に実行させるようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。

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