JP6419077B2 - 波長変換発光デバイス - Google Patents

Description

本発明は、保護フィルムを備えた波長変換発光デバイスに関する。

発光ダイオード（ＬＥＤｓ）、共振空洞発光ダイオード（ＲＣＬＥＤｓ）、垂直空洞レーザーダイオード（ＶＣＳＥＬｓ）及び端面発光レーザーを含む半導体発光デバイスは、現在入手可能な最も効率的な光源の一つである。可視スペクトル領域の全域で作動可能な高輝度発光デバイスの製造において現在興味の対象となる材料系は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体を含み、特にガリウム、アルミニウム、インジウムと窒素の二元、三元及び四元の合金を含む。これらはＩＩＩ−窒化物材料とも呼ばれる。通常、ＩＩＩ−窒化物発光デバイスは、異なる組成及びドーパント濃度の複数の半導体層のスタックを、サファイア、炭化ケイ素、ＩＩＩ−窒化物又はその他の適切な基板上に、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）又はその他のエピタキシャル技術によって、エピタキシャルに成長させることによって作られる。そのスタックは、しばしば、基板の上に形成された、例えばケイ素（Ｓｉ）を使ってドープされた一つ以上のｎ型層（n-type layers）、そのｎ型層の上に形成された活性領域内の一つ以上の発光層、及びその発光層の上に形成された、例えばマグネシウム（Ｍｇ）を使ってドープされた一つ以上のｐ型層（p-type layers）を含む。ｎ型領域及びｐ型領域上に電気接点が形成される。

図１は、フリップチップ発光ダイオードを示す。フリップチップ発光ダイオードは、特許文献１においてより詳細に記述される。その発光ダイオードは、サファイア成長基板（図示せず）上に成長したｎ型層１６、活性層１８及びｐ型層２０を含む。ｐ層２０の一部分及び活性層１８の一部分は発光ダイオード形成過程中にエッチングにより取り除かれ、金属５０（メタライズ層に加えて接合金属（bonding metal））が、ｐ接触金属２４と同じ側でｎ層１６と接触する。アンダーフィル材料５２は、発光ダイオードにわたる温度勾配を低減するため、発光ダイオードとパッケージ基板との間の取り付け部に機械的強度を加えるため及び汚染物質が発光ダイオード材料に接触することを防止するために、発光ダイオードの下の空洞内にデポジションさせられ（deposited）てもよい。ｎ金属（n-metal）５０及びｐ金属（p-metal）２４は、パッケージ基板１２上のパッド２２Ａ及びパッド２２Ｂに対してそれぞれ接合される。パッケージ基板１２上の接触パッド２２Ａ及び接触パッド２２Ｂは、ビア２８Ａ及びビア２８Ｂ及び／又は金属線（トレース）を使用して、はんだ付け可能な電極２６Ａ及び２６Ｂに接続される。成長基板は取り除かれ、ｎ型層１６の表面を露出させる。この表面は、光抽出を向上させるために、例えば水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液を使用した光電気化学エッチングによって、粗面加工される。

米国特許７，２５６，４８３号明細書

本発明の一つの目的は、波長変換層が保護された、波長変換デバイス（wavelength converted device）を提供することである。

本発明の実施形態による一つの構造体（structure）は、マウント（mount）に取り付けられた複数の発光ダイオード（ＬＥＤｓ）を含む。発光ダイオードの上に又は発光ダイオードを覆って（over）、波長変換層（wavelength converting layer）が配置される。波長変換層の上に、透過層（transparent layer）が配置される。複数の隣接する発光ダイオード（neighboring LEDs）の間に、反射性材料（Reflective material）が配置される。

本発明の実施形態による一つの方法は、マウントに取り付けられた複数の発光ダイオードを提供するステップ、発光ダイオード及びマウントの上に波長変換層を形成するステップ、及び波長変換層の上に保護層を形成するステップ、を含む。波長変換層及び前記保護層の一部分は、取り除かれる。波長変換層及び保護層を取り除くステップの後に、波長変換層及び保護層の一部分が取り除かれた領域に、反射層が形成される。

粗面加工された上面を有するフリップチップ発光ダイオードを示す。 マウント上に配置された一群の発光ダイオードの平面図である。 マウント上に配置された発光ダイオードの断面図である。 発光ダイオードの上に波長変換層を形成した後の、図３の構造体を示す。 波長変換層の上に透過層を形成した後の、図４の構造体を示す。 複数の発光ダイオードの間の波長変換層及び透過層を取り除いた後の、図５の構造体を示す。 構造体の上に反射層を形成した後の、図６の構造体を示す。 透過層の上面を露出させるように反射層を薄化（thinning）した後の、図７の構造体を示す。 鋳型（モールド）を使用して発光ダイオードの上に波長変換層を形成した後の、マウント及び一群の発光ダイオードを示す。 鋳型を使用して波長変換層の上に透過層を形成した後の、図９の構造体を示す。 マウントの端に近い接合パッドの上の波長変換層を取り除いた後の、図１０の構造体を示す。 構造体の上に反射層を形成し、反射層を薄化した後の、図１１の構造体を示す。

本発明の複数の実施形態は、波長変換層と組み合わされた発光ダイオードのような、発光デバイスを含む。波長変換層の上に、透過性の保護フィルムが形成される。以下の複数の実施例において半導体発光デバイスは青色光又は紫外線光を発するＩＩＩ−窒化物発光ダイオードであるが、例えばレーザーダイオードや他のＩＩＩ−Ｖ材料、ＩＩＩ−リン化物、ＩＩＩ−ヒ素化物、ＩＩ−ＶＩ材料、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はケイ素ベースの材料等の他の材料系から作られた半導体発光デバイスのような、発光ダイオード以外の半導体発光デバイスが使用されてもよい。

図２は、マウントに取り付けられた一群の発光ダイオード６０の平面図である。図２において、発光ダイオード６０は、２×２の配列でマウント６２に取り付けられて示されている。如何なる数の発光ダイオード６０であっても、如何なる適切な配置でも、本出願で説明するように、マウント６２に取り付けられ得る。いくつかの実施形態において、マウント６２上の接合パッド７２は、発光ダイオード６０に電力を供給するために使用される。

これから説明する複数の図面における発光ダイオード６０は、例えば、光の大部分を発光ダイオードの上面から発するように構成されたフリップチップデバイスであってもよい。適切な発光ダイオード６０の一つの例は図１に示されているが、如何なる適切な発光ダイオードであっても使用され得る。当技術分野で知られるように、ＩＩＩ−窒化物発光ダイオードを形成するために、ＩＩＩ−窒化物半導体構造が最初に成長基板上に成長させられる。成長基板は、如何なる適切な基板であってもよく、例えば、サファイア、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ケイ素（Ｓｉ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）又は複合基板である。半導体構造は、ｎ型領域とｐ型領域との間に挟まれた発光領域又は活性領域を含む。ｎ型領域は、最初に成長させられてもよく、例えば、バッファー層又は核生成層のような準備層、及び／又は、成長基板の除去を助けるように設計された層を含む異なる組成及びドーパント濃度の複数の層を含んでもよい。複数の層は、ｎ型であっても、又は意図的にドープされていなくてもよく、効率的に光を放出する発光領域について望ましい特定の光学的、物質的、電気的特性に設計されたｎ型又は更にはｐ型の素子層であってもよい。発光領域又は活性領域は、ｎ型領域の上に成長させられる。適切な発光領域の例は、単一の厚い又は薄い発光層又はバリア層により分離された複数の薄い若しくは厚い発光層を含む多重量子井戸発光領域を含む。次いで、ｐ型領域が発光領域の上に成長させられてもよい。ｎ型領域と同様に、ｐ型領域は、組成、厚さ及びドーパント濃度が異なる複数の層を含んでもく、意図的にはドープされていない層、すなわちｎ型層を含んでいてもよい。デバイス中の全ての半導体材料の総厚さは、いくつかの実施形態では１０μｍより小さく、またいくつかの実施形態では６μｍよりも小さい。いくつかの実施形態において、ｐ型領域が最初に成長させられ、続いて活性領域及びｎ型領域が成長させられる。

金属ｐ接点（p-contact）は、ｐ型領域上に形成される。フリップチップデバイスにおけるように、光の大部分がｐ接点の反対側の表面を通って半導体構造体の外へ方向付けられる場合は、ｐ接点は反射性であってもよい。フリップチップデバイスは、標準的なフォトリソグラフ作業によって半導体構造体にパターン形成すること、及びｐ型領域の全体の厚みの一部分及び発光領域の全体の厚みの一部分を取り除くように半導体構造体をエッチング処理して、金属ｎ接点（n-contact）が形成されるｎ型領域の表面を露出するメサ（mesa）を形成することによって形成されてもよい。メサとｐ接点及びｎ接点とは、如何なる適切な方法で形成されてもよい。メサとｐ接点及びｎ接点との形成は、当業者によく知られている。

図３は、マウント６２に取り付けられた発光ダイオード６０の単純化された断面図である。発光ダイオード６０は、ｐ接点及びｎ接点を通して、金スタッドバンプ又は任意の他の適切な接続機構を経由してマウント６２に接続されてもよい。アンダーフィル材料、例えばエポキシ樹脂、シリコーン又は任意の他の適切な材料は、発光ダイオード６０の下、発光ダイオード６０とマウント６２の間の如何なる空間内に注入されてもよい。マウント６２及びアンダーフィルは、例えば成長基板を取り除くステップのような後の複数の処理ステップの間、半導体構造を機械的に支持してもよい。如何なる適切なマウントが使用されてもよい。適切なマウントの例は、半導体構造への電気的接続を形成するための導電性のビアを備えた、絶縁体ウエハ又は半絶縁体ウエハ、例えばシリコンウエハ又はセラミックウエハ、金属構造体又は任意の他の適切なマウントを含む。いくつかの実施形態において、厚い金属接合パッドは、成長基板の除去のような処理の間に半導体構造を支持するように、半導体構造上に形成される。成長基板は、マウント６２に発光ダイオード６０を取り付ける前又は後に部分的又は完全に取り除かれてもよく、又は成長基板は、デバイスの部品として残存してもよい。成長基板の除去によって露出させられた半導体構造は、光抽出を向上させるために、粗面加工（roughened）、パターン形成（patterned）又はテクスチャ加工（patterned）されてもよい。

図４において、発光ダイオード６０及びマウント６２の上に波長変換層６４が配置される。波長変換層６４は、透過性材料６６内に配置された一つ以上の波長変換材料６５を含む。（複数の）波長変換材料６５は、発光ダイオード６０によって発せられた光を吸収し、異なる波長の光を発する。しばしば、発光ダイオード６０によって発せられて変換されない光が、構造体から抽出される光の最終的なスペクトルの一部分となるが、そうである必要はない。一般的な組み合わせの例は、黄色を発する波長変換材料と組み合わされた青色を発する発光ダイオード、緑色を発する波長変換材料及び赤色を発する波長変換材料と組み合わされた青色を発する発光ダイオード、青色を発する波長変換材料及び黄色を発する波長変換材料と組み合わされた紫外線を発する発光ダイオード、及び青色を発する波長変換材料、緑色を発する波長変換材料及び赤色を発する波長変換材料と組み合わされた紫外線を発する発光ダイオード、を含む。構造体から発せられる光のスペクトルを調整するために、他の色の光を発する波長変換材料が加えられてもよい。

（複数の）波長変換材料６５は、従来型の蛍光体、有機蛍光体、量子ドット、有機半導体、ＩＩ−ＶＩ半導体若しくはＩＩＩ−Ｖ半導体、ＩＩ−ＶＩ半導体量子ドット若しくはＩＩＩ−Ｖ半導体量子ドット又は冷光を発するナノ結晶、染料、ポリマー若しくは材料であってもよい。如何なる適切な粉末蛍光体が使用されてもよい。その蛍光体は、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ（ＹＡＧ）、Ｌｕ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ（ＬｕＡＧ）、Ｙ_３Ａｌ_５−ｘＧａ_ｘＯ_１２：Ｃｅ（ＹＡｌＧａＧ）、（Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘ）ＳｉＯ_３：Ｅｕ（ＢＯＳＥ）のようなガーネット系蛍光体及び（Ｃａ，Ｓｒ）ＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ及び（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）_２Ｓｉ_５Ｎ_８：Ｅｕのような窒化物系蛍光体を含むが、これらに限定されない。

透過性材料６６は、例えば、シリコーン、エポキシ樹脂、ガラス又は如何なる他の適切な材料であってもよい。波長変換層６４は、スクリーン印刷、スプレー被膜、ステンシル、鋳造（モールド）、ラミネート又は如何なる他の適切な技術によって形成されてもよい。波長変換層６４は、単一の波長変換材料、複数の波長変換材料の混合物、又は一緒に混合されるのではなく別々の複数の層として形成された複合的な波長変換材料を含んでもよい。異なる色の光を発する波長変換材料は、別々の領域に配置されてもよく又は一緒に混合されてもよい。

波長変換層６４の厚さは、波長変換材料及びデポジション（deposition）技術に依存する。波長変換領域の厚さは、いくつかの実施形態において少なくとも０．５μｍ、いくつかの実施形態において少なくとも２μｍ、いくつかの実施形態において少なくとも４０μｍ、いくつかの実施形態において６０μｍ以下、いくつかの実施形態において１００μｍ以下であってもよい。

一つの実施例において、赤色を発する粉末蛍光体及び緑色を発する粉末蛍光体は、シリコーンと混合される。その混合物はフィルムに成形される。シリコーンに混合される蛍光材料及び蛍光体の量は、混合された青色、緑色及び赤色の光が所与の用途のための仕様を満たすように、発光ダイオード６０によって発せられる青色光を補うように選択される。蛍光体が混ぜられたシリコーンフィルムは、発光ダイオード６０及びマウント６２を覆うように上に貼り合わせられる（ラミネートされる）。

波長変換層６４の厚さにおける如何なる変動でも、構造体から発せられる混合された光のスペクトルを不必要に変え得る。それに応じて、いくつかの実施形態において、波長変換層６４は、厚さの如何なる変動も最小になるように形成され、例えばいくつかの実施形態において２０％以下、いくつかの実施形態において１０％以下になるように形成される。また、波長変換層６４への如何なる損傷でも、混合された光のスペクトルを不必要に変え得る。それに応じて、図５において、波長変換層６４の上に保護層６８が形成される。保護層６８は典型的に透過性である。例えばシリコーン及びエポキシ樹脂を含む、下層の波長変換層６４を保護する如何なる適切な材料であっても使用され得る。保護層６８は如何なる適切な技術によって形成されてもよく、その適切な技術はスプレー被膜、ステンシル、鋳造、ラミネート及び回転成形を含むが、これらに限定されない。一つの実施例において、予備成形（プリフォーム）されたシリコーン保護フィルム６８が、波長変換層６４の上にラミネートされる。保護フィルム６８の厚さは、いくつかの実施形態において少なくとも０．５μｍ、いくつかの実施形態において少なくとも２μｍ、いくつかの実施形態において５０μｍ以下、いくつかの実施形態において１８０μｍ以下であってもよい。

保護フィルム６８を形成した後に、波長変換層６４及び保護フィルム６８は、発光ダイオード６０の側面を覆い、隣接する複数の発光ダイオード６０の間の領域７０内に配置される。いくつかの実施形態において、構造体は、発光ダイオード６０の側面から光が漏れることを防止するように形成される。それに応じて、図６において、波長変換層６４及び保護フィルム６８は、隣接する複数の発光ダイオード６０の間の領域７０から取り除かれる。領域７０内の材料は、いくつかの実施形態において、波長変換層６４及び保護フィルム６８を通り、マウント６２上で止まるように切断すること（sawing）によって取り除かれてもよい。図６は、複数の発光ダイオード６０の間の領域において切断により波長変換層６４の全体の厚さが取り除かれたように示しているが、いくつかの実施形態においては、切断の後に波長変換層６４の一部が残存するように、保護フィルム６８及び波長変換層６４の一部が切断によって取り除かれる。切断の後に複数の発光ダイオード６０の間に残存する波長変換層６４の一部分は、後の処理ステップにおいて取り除かれてもよく、又は最終的な構造体の一部のままであってもよい。領域７０の幅は、いくつかの実施形態において少なくとも１００μｍ、いくつかの実施形態において５００μｍ以下であってもよい。いくつかの実施形態において、１２５μｍ乃至２２５μｍ幅の切り口を作り出す切断器具（ソー）が使用される。領域７０内の材料は、切断器具による単一の切り込みによって、又は複数回の切り込みによって取り除かれてもよく。いくつかの実施形態において、ワイヤボンドなどの外部の構造への電気的接続が接合パッド７２上に形成されることができるように、波長変換層６４及び保護フィルム６８は、図２に示される接合パッド７２から取り除かれる。切断（及びいくつかの実施形態においては切断後に残存する波長変換材料を取り除くための更なる処理）の後に、波長変換層６４及び保護フィルム６８は、発光ダイオード６０の上端の上にのみ残る。波長変換層６４及び保護フィルム６８は、発光ダイオード６０の側面及び複数の発光ダイオード６０の間の領域７０から取り除かれる。

図７において、発光ダイオード６０及びマウント６２の上に反射性材料７４が形成される。反射性材料７４は、隣接する複数の発光ダイオード６０の間の領域７０を満たす。反射性材料７４は、例えば、シリコーン等の透過性又は反射性の支持マトリックス内に配置された酸化チタン（ＴｉＯ_２）又は酸化アルミニウム（アルミナ）の粒子のような反射性粒子であってもよい。反射性材料７４は、反射性粒子及び支持マトリックスの混合物を領域７０内に圧入することによって形成されてもよい。図７に示されるように、反射性材料７４は、発光ダイオード６０の上端の上の領域７６に配置されてもよい。

図８において、反射性材料７４は、発光ダイオード６０の上の保護フィルム６８の上端７８を露出するように薄化される。保護フィルム６８は、反射性材料７４が取り除かれている間、波長変換層６４を損傷から保護する。過剰な反射性材料７４は、例えば、エッチング又はマイクロビーズブラスティング及びグラインディング等の機械的な技術を含む、如何なる適切な技術によって取り除かれてもよい。いくつかの実施形態において、過剰な反射性材料７４はマイクロビーズブラスティングによって取り除かれ、保護フィルム６８は、波長変換層６４を損傷させることなくマイクロビーズブラスティングの除去のばらつきに適応するために十分に厚い。

いくつかの実施形態において、過剰な反射性材料７４が取り除かれた後に、図８に示される構造体の上面は、実質的に平坦である。平坦な上面は、発光ダイオード６０が配置される領域内の保護フィルムの上面７８及び複数の発光ダイオード６０の間の領域における反射性材料７４の上面を含む。複数の発光ダイオード６０の間の領域における反射性材料７４は、発光ダイオード６０の側面、波長変換層６４の側面及び保護フィルム６８の側面から光が漏れることを防止し、そのため光の大部分は発光ダイオード６０の上端、波長変換層６４及び保護フィルム６８を通って抽出される。いくつかの実施形態において、図８に示されるように、反射性材料７４は、発光ダイオード６０の側面、波長変換層６４の側面及び保護フィルム６８の側面と直接的に接触している。

いくつかの実施形態において、保護フィルム６８の上面７８は、光抽出を改善するために粗面加工、テクスチャ加工又はパターン形成される。表面上への粗面加工、テクスチャ加工又はパターン形成は、過剰な反射性材料７４を取り除く同一の処理又は一つ以上の別個の処理ステップによって形成されてもよい。

図９，１０，１１及び１２は、図４，５，６，７及び８に示された工程への可能な変更示す。

図９において、型（モールド）９０は構造体の上に配置され、次いで、図４を参照して上述したように発光ダイオード６０の上に波長変換層６４が形成される。型９０は、波長変換層６４が接合パッド７２の上に形成されることを妨げることができ、又は接合パッド７２の上に形成される波長変換材料の厚さを低減することができる。型９０の複数の部分９４は、波長変換層６４が隣接する複数の発光ダイオード６０の間に形成されることを妨げることができ、又はこれらの領域内に形成される波長変換材料の厚さを低減することができる。型９０の複数の開口部９２は、発光ダイオード６０の上に配置される。

図１０において、構造体の上に型９６が配置され、次いで、図５を参照して上述したように構造体の上に保護フィルム６８が形成される。型９６は、保護フィルム６８が接合パッド７２の上に形成されることを防止することができ、又は接合パッド７２の上に形成される保護材料の厚さを低減することができる。型９６の開口部９８は、発光ダイオード６０の上にある。

様々な実施形態において、図９及び図１０に示される複数の方のいずれかが、材料が接合パッド７２の上、複数の発光ダイオード６０の間の領域の上又はそれらの両方に形成されることを妨げてもよい。図９及び図１０に示されるように、異なる複数の処理ステップ中に異なる複数の型が使用されてもよく、又は同じ型が使用されてもよい。

図１１において、図６を参照して上述したように、保護フィルム６８の一部分及び波長変換層６４の一部分が例えば切断によって取り除かれる。図６とは対照的に、図１１においては構造体の端部の保護フィルム及び波長変換層（すなわち、接合パッド７２を覆う保護フィルム及び波長変換層）のみが、取り除かれる。複数の発光ダイオード６０の間の保護フィルム及び波長変換層は、取り除かれない。切断は、図１１で示されるように接合パッド７２上で終了して、接合パッド７２と発光ダイオード６０との間にいくらかの波長変換材料が残されてもよい。いくつかの実施形態において、切断は波長変換層６４を途中まで通って終了し、接合パッド７２の上にいくらかの波長変換材料が残存する。切断の後に接合パッド７２の上に残存する如何なる波長変換材料でも、後の処理ステップにおいて、例えば図８を参照して上述した、過剰な反射性材料７４を取り除くためのマイクロビーズブラスティング中に取り除かれることができる。

図１２において、図１１に示された切断の後に、図７を参照して上述したように、構造体の上に反射性材料７４が形成される。反射性材料７４は型を使用してデポジションさせられてもよく、その型は反射性材料が接合パッド７２の上に形成されることを妨げることができ、又は接合パッド７２の上に形成される反射性材料の厚さを低減することができる。次いで、図８を参照して上述したように、保護フィルム６８の上端を覆う発光ダイオード６０の上の過剰な反射性材料は取り除かれ、いくつかの実施形態において平坦な表面を形成する。接合パッド７２への電気接点を形成するために、接合パッド７２の上の如何なる反射性材料でも、しばしば、接合パッド７２から取り除かれる。接合パッド７２を覆う如何なる反射性材料でも、発光ダイオード６０の上の保護フィルム６８の上端を覆う反射性材料が取り除かれると同時に取り除かれてもよい。

本発明を詳細に説明したが、当業者は、本開示を所与として、本明細書において記述された本発明概念の精神から逸脱することなく、本発明に対して変更がなされ得ることを明確に理解するであろう。したがって、本発明の範囲は図示及び記述された特定の実施形態に限定されるように意図されていない。

Claims (12)

1. マウントに取り付けられた複数の発光ダイオードを提供するステップ、
   前記発光ダイオード及び前記マウントの上に波長変換層を形成するステップ、
   前記波長変換層の上に保護層を形成するステップ、
   前記波長変換層及び前記保護層の、一部分を取り除くステップ、及び
   前記波長変換層及び前記保護層を取り除く前記ステップの後に、前記波長変換層及び前記保護層の一部分が取り除かれた領域に反射層を形成するステップ、
   を含み、
   前記反射層は、発光ダイオードの側面と直接的に接触している、
   方法。
2. 前記波長変換層及び前記保護層の一部分を取り除くステップは、前記発光ダイオードの間の領域から前記波長変換層及び前記保護層の一部分を取り除くサブステップを含む、請求項１記載の方法。
3. 前記マウントは、前記発光ダイオードに隣接する前記マウント上に配置された金属パッドを有し、
   前記波長変換層及び前記保護層の一部分を取り除くステップは、前記金属パッドの上の領域から前記波長変換層及び前記保護層の一部分を取り除くサブステップを含む、
   請求項１記載の方法。
4. 波長変換層を形成するステップは、前記複数の発光ダイオード及び前記マウントの上に、透過性材料内に配置される波長変換材料のフィルムをラミネートするサブステップを含む、請求項１記載の方法。
5. 前記波長変換層の上に保護層を形成するステップは、前記波長変換層の上にシリコン層をラミネートするサブステップを含む、請求項１記載の方法。
6. 前記波長変換層及び前記保護層を取り除くステップは、前記波長変換層及び前記保護層を切断するサブステップを含む、請求項１記載の方法。
7. 切断は前記マウント上で終了する、請求項６記載の方法。
8. 切断は前記マウント上に配置された金属パッド上で終了する、請求項６記載の方法。
9. 切断は前記波長変換層内部で終了する、請求項６記載の方法。
10. 反射層を形成するステップは、前記発光ダイオードの上に形成された前記保護層の上に反射層を形成するサブステップを含み、
    当該方法は、前記保護層の上面を露出させるように、前記反射層を薄化するステップを更に含む、
    請求項１記載の方法。
11. 上面を平坦化するステップであり、前記上面は、前記発光ダイオードが位置する領域内の前記保護層の上面及び前記発光ダイオードの間の領域内の前記反射層の上面を含む、ステップ、を更に含む、請求項１記載の方法。
12. マウントに取り付けられた複数の半導体発光デバイスを提供するステップ、
    前記半導体発光デバイス及び前記マウントの上に波長変換層を形成するステップであり、前記波長変換層は、透過性材料内に配置された波長変換材料を含む、ステップ、
    前記波長変換層の上に透過層を形成するステップ、
    前記波長変換層及び前記透過層の、一部分を切り出すステップ、
    前記透過層の上、及び、前記波長変換層及び前記透過層の前記一部分が切り出された領域内に、反射層を形成するステップ、及び
    平坦な面を形成するように、前記反射層の一部分を取り除くステップ、
    を含み、
    前記反射層は、発光ダイオードの側面と直接的に接触している、
    方法。

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